CA1181295A - Procede d'opalisation de lampes par voie gazeuse - Google Patents
Procede d'opalisation de lampes par voie gazeuseInfo
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Abstract
ABREGE DESCRIPTIF
La présente invention concerne l'opalisation par voie gazeuse. Selon le procédé le film de silice est formé par oxydation par un gaz sec contenant de l'oxygène, tel l'oxygène ou de l'oxygène dilué dans un gaz inerte, à
l'exception de l'azote, à travers un arc électrique alimenté
par une tension alternative entre 5.000 et 10.000 volts d'un composé chloré du silicium, entraîné par le gaz sec contenant de l'oxygène dont le débit est tel qu'il ne forme pas de silice au niveau des électrodes de l'arc.
Le procédé s'applique à l'opalisation des lampes à
incandescence et à décharge de différents formats y compris les tubes et aux globes des appareils d'éclairage.
La présente invention concerne l'opalisation par voie gazeuse. Selon le procédé le film de silice est formé par oxydation par un gaz sec contenant de l'oxygène, tel l'oxygène ou de l'oxygène dilué dans un gaz inerte, à
l'exception de l'azote, à travers un arc électrique alimenté
par une tension alternative entre 5.000 et 10.000 volts d'un composé chloré du silicium, entraîné par le gaz sec contenant de l'oxygène dont le débit est tel qu'il ne forme pas de silice au niveau des électrodes de l'arc.
Le procédé s'applique à l'opalisation des lampes à
incandescence et à décharge de différents formats y compris les tubes et aux globes des appareils d'éclairage.
Description
La présente invention concerne un procédé d'opali-sation de lampes par voie gazeuse.
L'opalisation consiste en la réalisation d'un dépot de produi-t blanc diffusant la lumière comme le dioxyde de titane, la silice ou l'alumine, le rev~etement ayant une adhérence suffisante et une épaisseur convenable.
On a proposé diverses méthodes d'opalisation des lampes, et au niveau industriel deux procédés sont mis en oeuvre.
Selon le procédé dit "à voie humide", on dépose à
l'intérieur de la lampe une suspension de dioxyde de titane dans un liquide que l'on évapore en portant l'ampoule à une température de 400 à 500C.
Suivant le procédé dit "à voie sèche", on applique un film de silice contenant du dioxyde de titane par projection de poudre à l'intérieur de la lampe.
Des méthodes par voie gazeuse sont également connues mais elles sont peu nombreuses et ne sernblent pas etre industrialisées. On peut citer la formation de dépots de dioxyde de titane par hydrolyse de cornposés du titane tels le tétrachlorure de titane, selon le brevet US 3.352.703. Selon ce procédé on fait passer des vapeurs d'air humide et de tétrachlorure de titane à travers un arc électrique. L'air humide est produit par bullage dans l'eau. Au démarrage, l'arc électrique est alimenté par une tension alternative d'environ 5.000 volts, après l'amorçage la tension d'alimentation est maintenue à environ 1.100 volts. La dernande de brevet français 2.304.169 publiée le 8 octobre 1976 est relative à un procédé de diffusion blanc d'une paroi en verre transparent par cornbustion d t un mélange 29~
d'hydrogène, d'air et d'une vapeur d'au moins un composé
organique du silicium. Selon cette technique, les particules provenant de la fumée de combustion du dit mélange sont dirigées et leur répartition controlée en épaisseur au moyen d'un champ électrique régnant autour et dans l'ampoule. Et selon la demande allernande 2906038 publiée le 28 aout 1980 on sait réaliser un apport dloxydes de silice et de bore à
partir d'un mélange gazeux de SiC14 et de BC12O3 soumis à un traitement de pyrolyse ou d'hydrolyse. On peut aussi ` réaliser des dépots d'alumine par combustion de composés organiques d1aluminium dissous dans un solvant en appliquant l'enseignement des brevets US 3.842.306 et 3.868.266. La Général Electric a décrit la réalisation de dépot de silice par combustion de tétraéthyle silicate dans le brevet US 3.109.747 selon un procédé en plusieurs stades relativement complexe.
Sachant que la silice serait le composé le plus performant pour l'opalisation de lampes et verres diffusants, et que d'une part son application par projection de poudre de silice pure ne conduit pas à une adhérence satisfaisante, et que d'autre part la silice en poudre fine employée pour cet usage est un produit cher spécialement préparé à partir d'un composé de silicium, on a recherché un procédé de fabrication de poudre fine de silice directernent dans la lampe ou sur la surface diffusante et conduisant ~ un revetement d1adhérence satisfaisante.
On a trouvé une méthode d'opalisation permettant une excellente transmission lumineuse par réalisation d'un dépot de silice entièrement par voie gazeuse, d'une part plus économique, et d'autre part plus simple et plus rapide que les m~thodes connues. L'appareillage de mise en
L'opalisation consiste en la réalisation d'un dépot de produi-t blanc diffusant la lumière comme le dioxyde de titane, la silice ou l'alumine, le rev~etement ayant une adhérence suffisante et une épaisseur convenable.
On a proposé diverses méthodes d'opalisation des lampes, et au niveau industriel deux procédés sont mis en oeuvre.
Selon le procédé dit "à voie humide", on dépose à
l'intérieur de la lampe une suspension de dioxyde de titane dans un liquide que l'on évapore en portant l'ampoule à une température de 400 à 500C.
Suivant le procédé dit "à voie sèche", on applique un film de silice contenant du dioxyde de titane par projection de poudre à l'intérieur de la lampe.
Des méthodes par voie gazeuse sont également connues mais elles sont peu nombreuses et ne sernblent pas etre industrialisées. On peut citer la formation de dépots de dioxyde de titane par hydrolyse de cornposés du titane tels le tétrachlorure de titane, selon le brevet US 3.352.703. Selon ce procédé on fait passer des vapeurs d'air humide et de tétrachlorure de titane à travers un arc électrique. L'air humide est produit par bullage dans l'eau. Au démarrage, l'arc électrique est alimenté par une tension alternative d'environ 5.000 volts, après l'amorçage la tension d'alimentation est maintenue à environ 1.100 volts. La dernande de brevet français 2.304.169 publiée le 8 octobre 1976 est relative à un procédé de diffusion blanc d'une paroi en verre transparent par cornbustion d t un mélange 29~
d'hydrogène, d'air et d'une vapeur d'au moins un composé
organique du silicium. Selon cette technique, les particules provenant de la fumée de combustion du dit mélange sont dirigées et leur répartition controlée en épaisseur au moyen d'un champ électrique régnant autour et dans l'ampoule. Et selon la demande allernande 2906038 publiée le 28 aout 1980 on sait réaliser un apport dloxydes de silice et de bore à
partir d'un mélange gazeux de SiC14 et de BC12O3 soumis à un traitement de pyrolyse ou d'hydrolyse. On peut aussi ` réaliser des dépots d'alumine par combustion de composés organiques d1aluminium dissous dans un solvant en appliquant l'enseignement des brevets US 3.842.306 et 3.868.266. La Général Electric a décrit la réalisation de dépot de silice par combustion de tétraéthyle silicate dans le brevet US 3.109.747 selon un procédé en plusieurs stades relativement complexe.
Sachant que la silice serait le composé le plus performant pour l'opalisation de lampes et verres diffusants, et que d'une part son application par projection de poudre de silice pure ne conduit pas à une adhérence satisfaisante, et que d'autre part la silice en poudre fine employée pour cet usage est un produit cher spécialement préparé à partir d'un composé de silicium, on a recherché un procédé de fabrication de poudre fine de silice directernent dans la lampe ou sur la surface diffusante et conduisant ~ un revetement d1adhérence satisfaisante.
On a trouvé une méthode d'opalisation permettant une excellente transmission lumineuse par réalisation d'un dépot de silice entièrement par voie gazeuse, d'une part plus économique, et d'autre part plus simple et plus rapide que les m~thodes connues. L'appareillage de mise en
2~
oeuvre de la nouvelle technique d'opalisation slintègre aisément dans une chaine de fabrication de lampes, permettant ainsi de réaliser des économies de main d'oeuvre~
Selon llinvention, le procédé d'opalisation par voie gazeuse, avec formation in-situ de poudre de silice, consiste à déposer sur la surface in-terne dlune lampe un film de silice obtenu par oxydation d'un composé du silicium, le dit composé étant chloré, par un gaz sec contenant de l'oxygène, à travers un arc électrique.
Le composé chloré est choisi parmi le groupe constitué par le monochlorosilane, le dichlorosilane, le trichlorosilane et le tétrachlorure de silicium. Ce dernier dérivé chloré du silicium, produit de la grande industrie présente un avantage économique certain et un intéret technique indéniable.
L'équation de l'oxydation du tétrachlorure de silicium qui s'écrit:
SiCl~ + 2 ) SiO2 + 2C12 montre l'absence de formation d'eau qui constitue un poison pour le filament des lampes, et dont meme les traces doivent ~etre éliminées avant fixation du filamentO De plus, le tétrachlorure de silicium ne donne pas lieu à
formation d'acide chlorhydrique humide agent émine~ment destructeur du filament, et ~ tout point de vue beaucoup plus corrosif que le chlore lui-meme.
De ce fait, on comprend tout l'intéret d'utiliser comme gaz d'oxydation un gaz sec contenant de l'oxygène, ce gaz oxydant pouvant être l'oxygène pur, de l'oxygène dilué dans un gaz inerte. L'emploi de l'azote comme diluant inerte ou l'air comme mélange oxydant n'est pas 2~5 particulièrement recommandé en raison de la toxicité des oxydes d'azote formés et des vapeurs rousses, parfois assez abondantes, dont la présence risque de provoquer une coloration du dépot de silice, bien que celles-ci peuvent disparaltre naturellement ou etre désorbées par balayage gazeux .
Le rendement d'opalisation est donné par le rapport de la masse de silice effectivement déposée sur la masse théorique qui aurait dû e-tre déposée.
L'arc électrique a pour fonction de permettre l'oxydation et, par conséquent de réaliser le dépot de silice par oxydation du tétrachlorure de silicium. On a remarqué que l'emploi d'un arc électrique est nécessaire à la formation d'un dépot de silice satisfaisant. L'électri-sation des particules de silice les rend adhérentes sur les surfaces de verre.
Tout type d'arc électrique sous tension élevée peut convenir à la mise en oeuvre du procédé, 1 T arc alimenté
au courant alternatif est très bien adapté. La formation du dépot de silice sur la face interne de la lampe dépend de la tension appliquée entre les bornes des électrodes de l'arc. La tension doit être supérieure a quelques milliers de volts, la haute tension appliquée est comprise entre 5.000 et 10.000 volts. En dessous de 5.000 volts se produit une chute du rendemen-t d'opalisation.
Le tétrachlorure de silicium de tension de vapeut élevée, 193 millimètres à 20C, est entralné par le gaz sec contenant de l'oxygène et introduit dans la lampe par une canalisation centrée, débouchant à une distance convenable, sous la pointedes électrodes disposées 2 91~
de part et d'autre de l'arrivée du gaz.
La vitesse de formation du dépot de silice est d'une part fonction de la tension appliquée aux électrodes de llarc et d'autre part fonction du débit gazeux. On a constaté qu'une diminution du débit gazeux accrolt la durée d'opalisation, alors qu'une trop grande augmentation du débit gazeu~ provoque une chute du rendement d'opalisation.
Pour l'opalisation d'une lampe type standard clair, le débit gazeux doit etre avantageusement compris entre 10 et 30 l~h.
La concentration du tétrachlorure de silicium dans le mélange gazeux dépend de la température du tétra-chlorure liquide. Pratiquement, on a besoin d'une faible quantité de tétrachlorure de silicium dans le gaz porteur pour opaliser et l'on obtient des résultats très satis-faisants à la température ambiante, si l'on veut abaisser la tension de vapeur du tétrachlorure de silicium dans le gaz porteur on peut envisager de refroidir le tétrachlorure de silicium ou d'augmenter le débit du gaz porteur.
Dans le dessin qui illustre l'invention:
La FIGURE unique est un schéma d'un appareillage permettant la mise en oeuvre du procédé selon l'invention.
Le procédé est mis en oeuvre dans un appareillage simple comprenant une capacité (1) contenant le tétra-chlorure de s:ilicium (2), le gaz porteur contenan-t de l'oxygène est introduit dans le SiC14 par le tube plongeur (3), après barbottage dans le SiCl~, le gaz porteur entralnant du SiC14 quitte la capacité par la canalisation (4) et est véhiculé à l'intérieur de la lampe dans la dite canalisation centrée qui débouche à une ! - 5 -29~
distance convenable 50US la pointe des électrodes (5)~
On a trouvé que le positionnement de l'orifice d'arrivée du courant gazeux aux deux tiers du col dans le cas d'une ampoule dléclairage (6) en partant de la base avec interaction de l'arc (7) au sommet du col représente les condi.tions optimales pour obtenir une excellente opalisation quant à la qualité et au rendement.
Le procédé est applicable à l'opalisation des lampes à incandescence et à décharge de dif~érents formats y compris les tubes, et aux globes des appareils d'éclairage.
L'opalisation des tubes pourrait etre réalisée en appliquant une translation du tube parallèlement à 1 t axe formé par les électrodes et l'axe du tube, la longueur des électrodes et du tube d'introduction du gaz étant au minimum égale à celle du tube à opaliser.
Il est donné ci-après des exemples qui illustrent l'invention à titre non limitatif.
Dans une lampe format standard clair, de hauteur totale 127 millimètres, dont le diamètre est de 60 milli-mètres dans la partie sphérique, de 36 millimètres au bas du col et de 33 millimètres au haut du col, à l'aide de l'appareil décrit précédemment le tétrachlorure de silicium est entra1né par un courant d'oxygène dont le débit est de 10 litres/heure, et introduit dans la lampe pendant 2 minutes par la canalisation centrée, de diamètre de buse 2 millimètres, débouchant à une distance de l'ordre de 20 millimètres sous la pointe des électrodes disposées de part et d'autre de l'arrivée gaz en respectant un écartement entre pointes de l'ordre de 10 millimètres. La tension ~-~B~S
appliquée aux électrodes de l'arc est de 8.000 volts, l'intensité du courant alternatif étant de 25 mA. On obtient une opalisation satisfaisante correspondant à un dépot de 70 mg de silice avec un rendement de 33%.
Dans les rnemes conditions d'appareillage, de positionnement des électrodes, de tension, d'intensité, de diamètre de buse d'arrivée de gaz, on réalise un essai avec un débit d'oxygène de 36 l/h, en ~aisant passer dans une lampe format standard clair pendant 1,30 minutes, on obtient un dépot homogène de 70 mg de silice avec ùn rendement de 12%.
Dans des conditions identiques d'appareillage, de positionnement des électrodes, de tension, d'intensité, de diamètre de buse d'arrivée de gaz, on réalise un essai avec un débit d'oxygène de 25 l/h, au bout de 1,30 minutes d'introduction dans une lampe format standard clair, on obtient un dépot homogène de 78 mg de silice avec un rendement de 20%.
Dans les memes conditions que précédemment, mais avec un débit d'oxyyène de 5 l/h en ~aisant passer pendant 2 minutes dans une lampe format standard clair, on réalise un dépot homogène de 57 rng de sllice avec un rendement de 54%~
oeuvre de la nouvelle technique d'opalisation slintègre aisément dans une chaine de fabrication de lampes, permettant ainsi de réaliser des économies de main d'oeuvre~
Selon llinvention, le procédé d'opalisation par voie gazeuse, avec formation in-situ de poudre de silice, consiste à déposer sur la surface in-terne dlune lampe un film de silice obtenu par oxydation d'un composé du silicium, le dit composé étant chloré, par un gaz sec contenant de l'oxygène, à travers un arc électrique.
Le composé chloré est choisi parmi le groupe constitué par le monochlorosilane, le dichlorosilane, le trichlorosilane et le tétrachlorure de silicium. Ce dernier dérivé chloré du silicium, produit de la grande industrie présente un avantage économique certain et un intéret technique indéniable.
L'équation de l'oxydation du tétrachlorure de silicium qui s'écrit:
SiCl~ + 2 ) SiO2 + 2C12 montre l'absence de formation d'eau qui constitue un poison pour le filament des lampes, et dont meme les traces doivent ~etre éliminées avant fixation du filamentO De plus, le tétrachlorure de silicium ne donne pas lieu à
formation d'acide chlorhydrique humide agent émine~ment destructeur du filament, et ~ tout point de vue beaucoup plus corrosif que le chlore lui-meme.
De ce fait, on comprend tout l'intéret d'utiliser comme gaz d'oxydation un gaz sec contenant de l'oxygène, ce gaz oxydant pouvant être l'oxygène pur, de l'oxygène dilué dans un gaz inerte. L'emploi de l'azote comme diluant inerte ou l'air comme mélange oxydant n'est pas 2~5 particulièrement recommandé en raison de la toxicité des oxydes d'azote formés et des vapeurs rousses, parfois assez abondantes, dont la présence risque de provoquer une coloration du dépot de silice, bien que celles-ci peuvent disparaltre naturellement ou etre désorbées par balayage gazeux .
Le rendement d'opalisation est donné par le rapport de la masse de silice effectivement déposée sur la masse théorique qui aurait dû e-tre déposée.
L'arc électrique a pour fonction de permettre l'oxydation et, par conséquent de réaliser le dépot de silice par oxydation du tétrachlorure de silicium. On a remarqué que l'emploi d'un arc électrique est nécessaire à la formation d'un dépot de silice satisfaisant. L'électri-sation des particules de silice les rend adhérentes sur les surfaces de verre.
Tout type d'arc électrique sous tension élevée peut convenir à la mise en oeuvre du procédé, 1 T arc alimenté
au courant alternatif est très bien adapté. La formation du dépot de silice sur la face interne de la lampe dépend de la tension appliquée entre les bornes des électrodes de l'arc. La tension doit être supérieure a quelques milliers de volts, la haute tension appliquée est comprise entre 5.000 et 10.000 volts. En dessous de 5.000 volts se produit une chute du rendemen-t d'opalisation.
Le tétrachlorure de silicium de tension de vapeut élevée, 193 millimètres à 20C, est entralné par le gaz sec contenant de l'oxygène et introduit dans la lampe par une canalisation centrée, débouchant à une distance convenable, sous la pointedes électrodes disposées 2 91~
de part et d'autre de l'arrivée du gaz.
La vitesse de formation du dépot de silice est d'une part fonction de la tension appliquée aux électrodes de llarc et d'autre part fonction du débit gazeux. On a constaté qu'une diminution du débit gazeux accrolt la durée d'opalisation, alors qu'une trop grande augmentation du débit gazeu~ provoque une chute du rendement d'opalisation.
Pour l'opalisation d'une lampe type standard clair, le débit gazeux doit etre avantageusement compris entre 10 et 30 l~h.
La concentration du tétrachlorure de silicium dans le mélange gazeux dépend de la température du tétra-chlorure liquide. Pratiquement, on a besoin d'une faible quantité de tétrachlorure de silicium dans le gaz porteur pour opaliser et l'on obtient des résultats très satis-faisants à la température ambiante, si l'on veut abaisser la tension de vapeur du tétrachlorure de silicium dans le gaz porteur on peut envisager de refroidir le tétrachlorure de silicium ou d'augmenter le débit du gaz porteur.
Dans le dessin qui illustre l'invention:
La FIGURE unique est un schéma d'un appareillage permettant la mise en oeuvre du procédé selon l'invention.
Le procédé est mis en oeuvre dans un appareillage simple comprenant une capacité (1) contenant le tétra-chlorure de s:ilicium (2), le gaz porteur contenan-t de l'oxygène est introduit dans le SiC14 par le tube plongeur (3), après barbottage dans le SiCl~, le gaz porteur entralnant du SiC14 quitte la capacité par la canalisation (4) et est véhiculé à l'intérieur de la lampe dans la dite canalisation centrée qui débouche à une ! - 5 -29~
distance convenable 50US la pointe des électrodes (5)~
On a trouvé que le positionnement de l'orifice d'arrivée du courant gazeux aux deux tiers du col dans le cas d'une ampoule dléclairage (6) en partant de la base avec interaction de l'arc (7) au sommet du col représente les condi.tions optimales pour obtenir une excellente opalisation quant à la qualité et au rendement.
Le procédé est applicable à l'opalisation des lampes à incandescence et à décharge de dif~érents formats y compris les tubes, et aux globes des appareils d'éclairage.
L'opalisation des tubes pourrait etre réalisée en appliquant une translation du tube parallèlement à 1 t axe formé par les électrodes et l'axe du tube, la longueur des électrodes et du tube d'introduction du gaz étant au minimum égale à celle du tube à opaliser.
Il est donné ci-après des exemples qui illustrent l'invention à titre non limitatif.
Dans une lampe format standard clair, de hauteur totale 127 millimètres, dont le diamètre est de 60 milli-mètres dans la partie sphérique, de 36 millimètres au bas du col et de 33 millimètres au haut du col, à l'aide de l'appareil décrit précédemment le tétrachlorure de silicium est entra1né par un courant d'oxygène dont le débit est de 10 litres/heure, et introduit dans la lampe pendant 2 minutes par la canalisation centrée, de diamètre de buse 2 millimètres, débouchant à une distance de l'ordre de 20 millimètres sous la pointe des électrodes disposées de part et d'autre de l'arrivée gaz en respectant un écartement entre pointes de l'ordre de 10 millimètres. La tension ~-~B~S
appliquée aux électrodes de l'arc est de 8.000 volts, l'intensité du courant alternatif étant de 25 mA. On obtient une opalisation satisfaisante correspondant à un dépot de 70 mg de silice avec un rendement de 33%.
Dans les rnemes conditions d'appareillage, de positionnement des électrodes, de tension, d'intensité, de diamètre de buse d'arrivée de gaz, on réalise un essai avec un débit d'oxygène de 36 l/h, en ~aisant passer dans une lampe format standard clair pendant 1,30 minutes, on obtient un dépot homogène de 70 mg de silice avec ùn rendement de 12%.
Dans des conditions identiques d'appareillage, de positionnement des électrodes, de tension, d'intensité, de diamètre de buse d'arrivée de gaz, on réalise un essai avec un débit d'oxygène de 25 l/h, au bout de 1,30 minutes d'introduction dans une lampe format standard clair, on obtient un dépot homogène de 78 mg de silice avec un rendement de 20%.
Dans les memes conditions que précédemment, mais avec un débit d'oxyyène de 5 l/h en ~aisant passer pendant 2 minutes dans une lampe format standard clair, on réalise un dépot homogène de 57 rng de sllice avec un rendement de 54%~
Claims (3)
1. Procédé d'opalisation de lampes par voie gazeuse avec réalisation sur la surface interne d'une lampe d'un film de silice par oxydation par l'oxygène d'un composé du silicium, caractérisé en ce que le dit film de silice est formé par oxydation par un gaz sec contenant de l'oxygène, tel l'oxygène pur ou de l'oxygène dilué dans un gaz inerte à l'exception de l'azote, à travers un arc électrique alimenté
par une tension alternative entre 5.000 et 10.000 volts, d'un composé chloré du silicium choisi parmi le groupe constitué par le monochlorosilane, le dichlorosilane, le trichlorosilane et le tétrachlorure de silicuum, le dit composé chloré du silicium étant entraîné par le gaz sec contenant de l'oxygène dont le débit est tel qu'il ne se forme pas de dépôt de silice au niveau des électrodes de l'arc.
par une tension alternative entre 5.000 et 10.000 volts, d'un composé chloré du silicium choisi parmi le groupe constitué par le monochlorosilane, le dichlorosilane, le trichlorosilane et le tétrachlorure de silicuum, le dit composé chloré du silicium étant entraîné par le gaz sec contenant de l'oxygène dont le débit est tel qu'il ne se forme pas de dépôt de silice au niveau des électrodes de l'arc.
2. Procédé d'opalisation de lampes selon la revendication 1, le composé chloré étant le tétrachlorure de silicium, caractérisé en ce que le débit du gaz porteur contenant de l'oxygène et le tétrachlorure de silicium entraîné, introduit dans une lampe type standard clair est compris entre 10 et 30 litres/heure.
3. Procédé selon la revendication 1, appliqué à
l'opalisation des lampes à incandescence et à décharge de différents formats y compris les tubes, et aux globes des appareils d'éclairage.
l'opalisation des lampes à incandescence et à décharge de différents formats y compris les tubes, et aux globes des appareils d'éclairage.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8110.059 | 1981-05-20 | ||
| FR8110059A FR2506290A1 (fr) | 1981-05-20 | 1981-05-20 | Procede d'opalisation de lampes par voie gazeuse |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CA1181295A true CA1181295A (fr) | 1985-01-22 |
Family
ID=9258691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CA000401478A Expired CA1181295A (fr) | 1981-05-20 | 1982-04-22 | Procede d'opalisation de lampes par voie gazeuse |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0066479B1 (fr) |
| JP (1) | JPS57196472A (fr) |
| AT (1) | ATE9783T1 (fr) |
| CA (1) | CA1181295A (fr) |
| DE (1) | DE3260936D1 (fr) |
| ES (1) | ES8304524A1 (fr) |
| FR (1) | FR2506290A1 (fr) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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