CN100351725C - 用于在先进工艺控制系统中处理歪曲的度量数据的方法、系统和介质 - Google Patents

用于在先进工艺控制系统中处理歪曲的度量数据的方法、系统和介质 Download PDF

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CN100351725C CNB038208393A CN03820839A CN100351725C CN 100351725 C CN100351725 C CN 100351725C CN B038208393 A CNB038208393 A CN B038208393A CN 03820839 A CN03820839 A CN 03820839A CN 100351725 C CN100351725 C CN 100351725C
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Abstract

本发明公开一种用反馈控制机理控制半导体制造工具的系统、方法和介质。该反馈控制机理包括用于接收关于工具输出的数据点的特征。数据点包括当前数据点和至少一个先前数据点。该反馈控制机理也包括基于是否至少一个先前数据点是异常值,用于通过比较当前数据点和至少一个先前数据点的统计表示,而确定是否当前数据点是错误异常值的特征。反馈控制机理进一步包括如果当前数据点被确定为错误异常值,在计算反馈控制机理的反馈值中不处理当前数据点的特征。

Description

用于在先进工艺控制系统中处理歪曲的度量数据的方法、系统和介质
相关申请
本申请要求2002年8月1日申请的美国临时申请60/399695的优先权,该临时申请以参考的方式完全包含到本申请中。
技术领域
本发明涉及改进的反馈控制器,该改进的反馈控制器是为制造半导体装置设计的。具体地,本发明的反馈控制器包括检测错误数据点和防止影响反馈控制器操作的特征。
背景技术
在半导体产业存在着不断提高集成电路装置,如微处理器,存储器装置等的质量,可靠性和产量,同时降低制造这类装置制造成本的的驱动力。这样的驱动力,部分是由于用户要求更低成本的更快,更高质量计算机和电子装置的推动。这些要求导致半导体装置制造方面的不断改进。
在制造半导体装置中,用反馈控制器确保高质量和低成本是公知的做法。示于图1中的反馈控制器系统100的一个例子包括,彼此耦合的工具103和反馈控制器107。工具103可以是一个半导体制造工具或任何半导体制造工具的组合,如化学机械平面化(CMP)工具,沉积装置、蚀刻装置等。具体地,工具103接收晶片作为输入101并按照一个控制参数集合109,如从控制器107接收的菜单处理它们。处理的晶片被称作输出105。工艺的例子是沉积新的膜层,蚀刻层,等。
一旦工具103加工晶片,一个或更多计量站对被加工的晶片进行测量,计量站没有在图1中示出。测量和控制器107通信。然后控制器107比较测量和先前计算的预测值。基于该比较,控制器107对控制参数109作出调整。例如,如果当测量和预测值比较时,新沉积的层的厚度在所需范围之外,控制器107调整一个或多个控制参数109,如气流量,加工时间长度,等,以在一个晶片上沉积更薄的膜。然后工具103接收另一个晶片并用调整的控制参数加工该晶片。
反馈控制器的性能部分依赖于接收来自计量站的精确测量。当接收到不精确或错误的测量时,反馈控制器需要识别这样的测量并有防止这样的测量影响操作的机理。在传统反馈控制中,没有提供鲁棒性机理以解决错误测量。当错误测量被重复输入到控制器107时,它们使在加工的晶片上的形成的装置中缺陷增加,产量降低,或两种情况都出现。
发明内容
本发明的实施例有优点地识别错误测量并防止错误测量被输入到反馈控制器。具体地,本发明的实施例提供一种系统、方法和介质,用于初始识别错误数据点并防止它们影响反馈控制器的操作。本发明的实施例包括用于接收和工具的输出相关的数据点的特征。数据点包括当前数据点和至少一个以前的数据点。至少一个以前的数据点是在当前数据点之前接收的。本发明的实施例也包括这样的特征,其通过比较当前数据点和至少一个先前数据点的统计表示,并基于是否至少一个先前数据点也是异常值而确定当前数据点是否是错误异常值。本发明的实施例进一步包括这样的特征,其用于如果当前数据点被确定为错误异常值,在计算反馈控制机构的反馈值中不处理当前数据点。
附图说明
在阅读本说明书时参考附图可对示出多个不同特征的本申请的详细说明更好地理解,其中:
图1是方框图,其示出传统反馈控制系统;
图2是曲线图,其示出异常值数据点的例子;
图3是曲线图,其示出阶跃变化的例子;
图4是方框图,其示出根据本发明的实施例的反馈控制器,该反馈控制器包括优化器和评估器;
图5是流程图,其示出按照本发明实施例的评估器的高级特征;
图6是流程图,其示出按照本发明实施例的评估器关于确定异常值的特征;
图7是流程图,其示出按照本发明实施例的评估器关于调整测量的特征;
图8A和图8B是流程图,其示出按照本发明实施例的总步骤序列的特征;
图9是曲线图,其示出按照本发明实施例的被处理的测量值的例子;和
图10是计算机的方框图表示,其中反馈控制器的示例性实施例可按照本发明实施例操作。
具体实施方式
用于半导体制造工具的反馈系统通常包括计量站(其可在工具的内部或外部)以测量工具的一个或多个输出特征(如,被加工的晶片);和反馈控制器以基于数据点(其中数据点是从一个晶片或几个晶片的一个或几个测量计算的或等于测量)改变工具的操作。本发明的多个实施例涉及反馈控制器,其包括用于识别异常值数据点的特征(即,基本和一个或多个先前数据点不同的数据点),为了区分异常值数据点为错误异常值数据点和非错误异常值数据点(如表示工具状态改变的异常值),为了消除错误数据点影响反馈控制器及其工具的影响。这些实施例是结合图5-6说明的。如上所述,数据点可以从单个晶片的一个或多个测量计算。这些测量也可包含异常值,它们基本和其它晶片测量不同。至少在本发明的某些实施例中,这些异常值测量在计算该晶片任何数据点之前被识别并被除去。这些实施例结合图7进行说明。至少在本发明的某些实施例中,上述实施例的部分或全部特征可组合到一个系统中,上述实施例涉及从测量和数据点中识别并除去异常值。这些实施例是结合图8A-8B进行说明的。
在描述本发明的各个实施例之前,首先更详细地说明异常值的一般概念。如上所述,异常值是显著不同于先前数据点的数据点。差异的显著性可按照统计学,如平均值,中值,标准偏差,等测量。异常值数据点可指示发生在工具中的变化,和要求的反馈控制器的响应(如,调整控制参数)。在其它情形中,异常值数据点可指示出计量站的测量是错误的(即,错误异常值数据点)。在这样的情形中,消除错误数据点对反馈控制器的操作的影响。为了进一步解释这些概念,错误异常值的例子说明于图2中,且表示非错误异常值的异常值数据点说明于图3中。
更具体地,图2中,黑线201描绘按照被加工晶片的顺序的数据点和它们各个预测的值之间差值线。在本发明中,预测值是部分基于先前的数据点计算的。在y轴上示出被加工晶片的差值,F(k)。被加工晶片20在1处有差值,而晶片1-19和21-40在零处有差值。描绘于图2中的晶片20的数据点歪曲或不正确地表征发生在工具中的工艺,因为差值跳跃到晶片20的1并降到0。其也可以代表计算数据点中的错误,该数据点是计算差值的基础。这样的数据点优选作为错误输入。因此,有必要防止这样的数据点被输入到反馈控制器。
图3中,相似的变化发生在被加工的晶片20,但对晶片21-40差值驻留在1。在这样的情形中,晶片20的差值很可能代表变化的前沿(leading edge)而非错误异常值。示于图3中的变化包含关于发生在工具中的的相关信息。因此,有必要输入变化前沿的数据点至反馈控制器,以便作出适当的调整。
为了将非错误异常值和错误异常值区分开来,其中本发明的实施例包括工具401,一个或多个计量站403,和反馈控制器406,该反馈控制器406包括评估器405和优化器407,如图4所示。工具401类似于上面参照图1进行的描述。计量站403(可以是工具401的一部分,或在工具401之外)经配置对被加工晶片做一个或多个测量。具体地,测量可以是不同类型的,如沉积膜的厚度、多种过渡特征等。计量站403也可以为每类测量作出一个或多个测量。例如,计量站403可在被加工晶片的多个点测量晶片厚度。
计量站403所做出的测量的值被传达至控制器406。一旦接受到测量值,评估器405计算来自测量的一个或多个数据点。评估器405经配置以基于新信息,如数据点等,提高控制器406的预测能力。
一旦数据点被计算,其被如图5所示的那样处理。具体地,评估器405确定新数据点是否显著不同于预测值,并因此被认为是“候选(candidate)”异常值(步骤503)。如果这样,数据点被设定为候选异常值(步骤504)。其被称为候选值,因为异常值是否是错误数据点或代表变化的数据点将于随后确定。如果数据点不是候选异常值,那么评估器405计算并传达数据点的反馈值至优化器407(步骤509)。这里,反馈值是和差值(如果有)成比例的值,该差值是在数据点值和控制器406计算的预测值之间的差值。然后优化器407在计算新控制参数集中使用反馈值。在本发明实施例中,优化器407经配置以最优方式(如,对控制参数的变化最小同时在驱动工具中满足所有目标以产生所需的输出)产生控制参数。
如果数据点是候选的异常值,且先前数据点没有被标记为候选异常值(如在处理先前数据点中步骤505所确定的那样),该数据点最可能是类似于图2中所描绘的错误数据点(即,错误异常值)。同样地,没有反馈值被传送至优化器407(步骤511(a))。换言之,防止去除这样的数据点被去除以防止其对优化器407的操作的影响。如果先前数据点不是候选异常值,那么该数据点是候选的,并且随后的数据点不是候选的,那么该数据点是错误数据点。
在本发明的至少某些实施例中,评估器405确定如果两个或更多先前数据点被标记为异常值,而非仅一个先前数据点。在这样的实施例中,如果两个或更多先前数据点没被标记为异常值,该数据点被指定为错误异常值。再一次,没有反馈值被传送给优化器407。当没有反馈值传送时,优化器407可在控制工具401中使用先前控制参数集。
在至少某些实施例中,首先执行阈值测试,而非防止每个候选异常值的反馈值被输入到优化器407。在本发明的这些实施例中,即使新数据点被确定为候选异常值,如果数据点和预测值之间的差落在阈值之下/之上,然后反馈值被传送至在计算控制参数中要使用的优化器407。应该指出阈值也可以是一个范围。
如果评估器405确定先前数据点也是异常值(或候选异常值),该条件类似于在图3中描绘的条件,因为发生在先前数据点上的变化继续发生在当前数据点。当先前数据点的反馈值本应该传送至优化器407时,因为其表示变化,在这样的情形中,没有为先前数据点将先前数据点的反馈值传送至优化器407。因此评估器405首先计算先前数据点的反馈值,并且然后计算新数据点反馈值。后面的值被传送至在计算控制参数中要用的优化器407(步骤507)。
虽然提供的上面说明是为处理一个数据点以计算一个反馈值,但任何数目的数据点可用于计算任何数目的反馈值。因此,优化器407经配置以接收任何数目来自评估器405的反馈值。更特别地,当其接收来自评估器405的反馈值时,优化器407计算新的控制参数集。在计算新控制集中,优化器407可基于接收的反馈值简单地调整先前的控制参数集。
现在通过参考图6更详细地说明控制器406的上述特征。更特别地,至少在本发明的某些实施例中,为了确定数据点是否是候选异常值,使用统计滤波器。至少在本发明某些实施例中,使用指数加权移动平均值(EWMA)滤波器。在本发明的实施例中,可使用其它类型的滤波器,如有限脉冲响应,无限脉冲响应,或基于小波的滤波器。在下面的例子中,预测值方差的指数加权移动平均值可表达为:
Sk=β(Fkk)2+(1-β)Sk-1
标准偏差的相应值表达为:
s k = S k
其中,
1.β是用于EWMA滤波器的系数;
2.Fk是数据点和晶片k预测值之间的差,且其可表达为yk-1 actual-yk-1 predicted,其中
yk-1 actual是在第k-1次或晶片k-1时测量的实际值;和
yk-1 predicted是在第k-1次或晶片k-1时预测的值;以及
3.Δk是为次数k的反馈值,用于计算反馈值的方程组的例子如下:如果
|Fkk|≤Knsk
Δk+1=λkFk+(1-λkk  否则
Δk+1=Δk
其中,λk是用于基于EWMA滤波器的系数,其是任选的次数和/或其它处理事件的函数(λk的值也可以被设定为晶片数目,距目标或另一个类型工艺相关的事件,如新一批的开始或工艺条件的变化的距离的函数);以及
Kn是异常值系数的值,其可被设定为一定的值,如0.1。
如上面反馈值的方程所指示的那样,当Fk和反馈值之间的差大于规定的阈值Knsk时,反馈值被更新。这对优化器407可能做出的调整给出一个限制。
使用上述方程,说明确定数据点是否是候选异常值的步骤。首先,当数据点被接收时,移动平均值和其平方根值被更新(步骤601)。用这些值,执行阈值测试以确定何时数据点是候选异常值。例如:
如果(Fkk)≥Ksk-1,数据点可以标记为“候选=1”;
如果(Fkk)≤-Ksk-1,数据点可以标记为“候选=-1”;和
在所有其它情形中,数据点被标记为“候选=0”。
换句话说,如果|Fkk|大于Ksk-1,数据点被标记为候选异常值,否则其不被标记为异常值。此处,K被设定为一定的值,如3。实际标记被指定如下:
“0”,如果数据点不是候选;
“1”,如果数据点的实际值显著高于预测值和反馈(候选);以及
“-1”如果数据点的实际值显著低于预测值和反馈(候选)。
在确定数据点是否是候选后,评估器405确定数据点的状态。此处,状态指示先前数据点是否被标记异常值(步骤603):
如果数据点不是候选异常值,状态被设定为“规则的”;
如果数据点是候选异常值,且先前数据点没有被标记为异常值,那么数据点此时被当作异常值,且状态被设定为“不处理”;和
如果数据点是候选异常值,且先前数据点没有被标记为异常值,则两个数据点都用于滤波计算,且该状态被设定为“二”。
下面是一组伪代码,其捕获设定数据点状态的上述特征:
If candidate==0
State=“regular”
If candidtate!=0 and candidate*prev_candidate!=1
State=‘ignore’
If candidtate!=0 and candidate*prev candidate==1
State=‘two’
Capture pos and neg.
一旦状态如上设定,在计算反馈值中,评估器405执行结合图5描述的步骤。此外,当下一个数据点到达时,评估器405也计算指数加权移动平均值滤波器的多个值和其要用的方差:
If state==‘two’and new data point was marked as“-1”or“+1”:
下面的方程计算先前和当前数据点的值(步骤605和607)和反馈值。
Sk-1=β(Fk-1k-1)2+(1-β)Sk-1    Δk=λk-1Fk-1+(1-λk-1k-1
Sk=β(Fkk)2+(1-β)Sk-1        Δk+1=λkFk+(1-λkk
s k = S k
If state==‘regular’下面的方程计算本数据点的值(步骤607)和反馈值。
Sk=β(Fkk)2+(1-β)Sk-1                 如果|Fkk|≥Knsk
                                                 Δk+1=λkFk+(1-λkk
                                                 否则
                                                 Δk+1=Δk
S k = S k
If state==‘ignore’(也是如果在丢失数据情形中没有晶片到达时执行):先前设定的数据如下面所示。
Sk=Sk-1                        Δk+1=Δk
s k = S k
现在说明这样的实施例,该实施例关于在计算数据点中识别并除去异常值测量,异常值测量可能由于涉及计量站的问题发生,如测量坐标的错位,或由于物理现象,如颗粒的出现。这些问题对测量精度产生消极影响。因此,有必要在它们在计算数据点中被使用之前识别并除去异常值测量。至少在本发明的某些实施例中,确定异常值所需的测量和信息是资源规定的。这意味着信息基于哪个具体的工具或腔室加工晶片而被保留。而且,统计分析的值被有利地保持为相对值而非绝对值。
在这些实施例中,评估器405接收多个来自一个或多个计量站403的测量(步骤701)。具体地,评估器405保持足够的信息以确定在哪个具体工具或腔室中晶片被加工。在接收来自计量站的测量后,评估器405计算它们的平均数和方差值(步骤703)。具体地,平均数和方差被表达为:
M i = 1 n i Σ k = 1 n i x ik
V i = ( 1 n i - 1 ) Σ k = 1 n i ( x ik - M i ) 2
其中,数据集被指定为集i和运转/晶片i;
Mi是平均数:和
Vi是方差。
平均数和方差值可用部分或全部从运转/晶片I采集的测量计算。集i相应于所有执行的测量的子集的数据,被定义为xik,其中k=1,......,n,ni,ni是为运转/晶片I采集的所有数据。
因为在大多数半导体制造工艺中,计量标度随平均值的变化,标度操作(scaling operation,即用方差除以平均数(mean)的平方)可执行并存储为标度的方差,Di。然而,在标度操作之前进行检验以确定平均数是否是太小而不能执行标度操作,例如,平均数平方的一半比方差小(步骤705)。如果执行了标度,被称作标志“FLAG”的记录器被设定为1(步骤709)。如果没有执行标度,“FLAG”记录器和标度的方差被设定为0(步骤707)。下面是一组描述这些特征的方程:
如果 ( V i < M i 2 / 2 )
FLAG=1
D i = V i M i 2
否则
Di=0
FLAG=O
然后评估器405计算Di和Vi过滤的估值,它们被分别表示为Di+1 f和Vi+1 f(步骤711)。一个示例性滤波器是EWMA。
如果i=1
D i + 1 f = D i
V i + 1 f = V i
否则
D i + 1 f = &lambda; &CenterDot; min ( D i + 1 , D i ) + ( 1 - &lambda; ) &CenterDot; D i f
V i + 1 f = &lambda; &CenterDot; min ( V i + 1 , V i ) + ( 1 - &lambda; ) &CenterDot; V i f
然后评估器405计算标准偏差σi。该值基于“FLAG”所设定的值而有两种不同的方式计算(步骤713)。
如果i=1
如果FLAG=1
&sigma; i = D i
否则
&sigma; i = V i
如果FLAG=1
&sigma; i = D ~ i
否则
&sigma; i = V ~ i
评估器405计算西格玛系数Kf,该评估器405从用户接收可靠度等级(步骤715)。评估器405也计算测量值的中值,Rji(步骤717)。评估器405用运转/晶片i数据集j的中值Rji,西格玛系数Kf和标准偏差σi的过滤的估值计算区间(步骤719)。一个示例的区间可表达为:
如果FLAG=1
Rji-KfσiRji≤xki≤Rji+KfσiRji
否则
Rji-Kfσi≤xki≤Rji+Kfσi
评估器405计算该集合测量值的平均值,该平均值落在区间内(步骤721)。评估器405用平均值取代集合j中的所有落在区间外的测量,并设定这些点为异常值(步骤723)。然后评估器405再计算并存储过滤的估值(步骤725)。λ的值可在用图形化用户界面中配置。
虽然上面结合图7所述的实施例与上面结合图5-6所述的实施例分别进行了说明,应该指出这些实施例可以组合。例如,当一个或多个计量站对被加工的晶片做多个测量,这些测量可首先经如图7所示的计算。随后,计算的平均值被指定为数据点,且然后经历如图5-6中所示的处理。组合上面提到的特征的本发明示例性实施例将在下面结合图8A和8B进行说明。
如图8A所示,包括拟合优度(GOF)值的测量是从计量站403接收的(步骤801)。评估器405执行测量的异常值的筛选(步骤803)。该步骤类似于上面结合计算测量区间说明的步骤;然而,在这些实施例中,用于具体地控制输出的GOF和统计异常值限是从存储器提供的(步骤805)。如果所有测量在区间外,那么测量不用于反馈值计算(步骤809)。如果所有测量不在区间外,那么评估器405计算落在区间内的测量的平均值(步骤811)。然后评估器405更新统计信息(步骤813),然后其可以存储为用于先前运转中具体控制的输出的统计信息阵列(步骤815)。
在步骤811中计算的平均值用作数据点。评估器405执行数据点异常值筛选步骤,其确定数据点是否是候选异常值,其类似于上面结合图5-6描述的步骤。基于步骤817,评估器405确定数据点是否是异常值。如果是异常值,那么数据点不用在反馈值计算中(步骤825)。数据点的状态是类似于结合步骤603,605和607所描述的步骤确定的(步骤821)。评估器405存储当前数据点状态(步骤823)。如果数据点不是异常值,评估器405执行反馈值筛选(步骤827),其类似于上面结合图5-6所描述的阈值测试。基于反馈值筛选,评估器405确定反馈值是否在噪声限内(步骤829)。如果反馈值在噪声限内,那么反馈值不传送至优化器407(步骤831)。否则反馈值被传送至优化器(步骤833)。无论反馈值是否落在噪声限内,评估器更新关于数据点的统计信息(步骤835)。最终的值被存储为用于先前运转的具体控制的输出的统计信息,以用来执行反馈异常值筛选(步骤837)和噪声筛选步骤(步骤839)。
执行上面描述的本发明实施例的结果图示于图9中。具体地,每个数据点代表由化学气相沉积(CVD)加工的晶片。计量站收集被加工的晶片的厚度测量。对于正常操作内的测量,测量的平均值被用作数据点。当测量在范围907之外时(如,在阈值之上,该阈值被设定来检测灾变),工具被停机,且向操作员发出信息(如,电子邮件信息和/或页面)。而且,这样的测量集合不用于计算反馈值。当一个测量在区间之外(如905),那么用落在区间内的测量的平均值取代测量,且过滤值被存储。
本发明的实施例可以以一套计算机可执行代码(如,计算机程序)集实施,用计算机硬件实施,或它们任何组合实施。具体地,本发明的实施例是按照图5-8A、B所示的几个流程图描述的。流程图中描绘的几个动作可以以计算机程序中的代码或用计算机硬件来实施。
现在描述本发明实施例实施的软件,图10示出这样的实施例的方框图。总线1056用作互连各个元件的主要信息高速公路。CPU1058是中央处理单元,执行计算和逻辑操作,这些计算和逻辑操作是执行本发明工艺和其它程序所需的。只读存储器(ROM)1060和随机存取存储器(RAM)1062构成主存储器。磁盘控制器1064连接一个或多个磁盘驱动器至系统总线1056。这些磁盘驱动器是,例如,软盘驱动器1070,或CD ROM或DVD(数字视频盘)驱动器1066,或内部或外部硬盘驱动器1068。这些各种类型的磁盘驱动器和磁盘控制器是任选设备。
显示器接口1072连接显示器1048并允许来自总线1056的信息显示于显示器1048。与外部设备如上面所述系统的其它元件的通信开始利用例如通信端口1074。光纤和/或电缆和/或连接器和/或光学通信(如红外,等)和/或无线通信(如,射频(RF),等)可用作外设与通信端口1074之间的传输介质。外围接口1054连接键盘1050和鼠标1052,允许输入数据被传输到总线1056。除了这些元件,分析器可选包括红外发射器和/或红外接收器。当计算机系统用来连接一个或多个处理元件/站时,可选地利用红外发射器,该一个或多个处理元件/站通过红外信号传输发射/接收数据。代替利用红外发射器或接收器,计算机系统也可选地使用低功率无线电发射器1080和/或低功率无线电接收器1082。低功率无线电发射器发射信号以为制造工艺的元件接收,且通过低功率无线电接收器接收来自这些元件的信号。低功率无线电发射器和/或接收器是工业上的标准设备。
虽然图10中说明的实施例只具有单个处理器,单个硬盘驱动器和单个本地存储器,可选地,分析器合适地配备有任和数量的处理器或存储器及它们的组合。例如,多个实施例可被任何合适的加工系统按照本发明实施例的原理取代,或与之组合,包括复杂的计算器、和手持式计算机、膝上型/笔记本式计算机、迷你型计算机、大型机和超级计算机,以及它们的处理系统网络组合。
计算机可读存储介质存储计算机可读代码或指令。作为一个例子,介质可与图10所示的磁盘驱动器一起使用。通常,存储介质,如CDROM、数字视频盘、或软盘将包含,例如,用于单字节语言的多字节地域(locale),和用于控制模拟器(modeler)以使计算机能执行此处所述的功能的程序信息。可替换地,示于图10中的ROM 1060和/或RAM 1062也可以用来存储程序信息,该程序信息用于指示中央处理单元1058执行和本发明多个自动化工艺关联的操作。用于存储信息的合适的计算机可读介质的其它例子包括磁存储、电存储、或光(包括全息)存储,及它们的某些组合等。
一般地,应该强调本发明实施例的多个元件可用硬件、软件或它们的组合实施。在这样的实施例中,多个元件和步骤将以硬件和/或软件实施以执行本发明实施例的功能。任何目前可得到的或将来开发的计算机软件语言和/或硬件元件可用在本发明的这样的实施例中。例如,至少某些上面提到的功能可用Visual Basic,C,C++,或任何对所用的处理器合适的计算机语言实施。其也可以在解释性环境,如Java中编写,并传输至多个地点而到达各个不同用户。
从详细说明中,可清楚地明白本发明的许多特征和优点,且因此,本发明的权利要求意在涵盖落入本发明精神和范畴内的本发明的所有特征和优点。而且,因为多种修改和变化对本领域的技术人员是显而易见的,这些特征和优点无意限制本发明至所示和所述的严格构造和操作,且因此,所有合适的修改和等效形式落在本发明保护范畴内。

Claims (53)

1.一种用反馈控制机理控制半导体制造工具的方法,其包括:
(a)接收关于所述工具的输出的多个数据点,所述多个数据点包括当前数据点和至少一个先前数据点;
(b)基于下列项确定所述当前数据点是否是异常值:
(b-1)比较所述当前数据点和所述至少一个先前数据点的统计表示;以及
(b-2)是否所述至少一个先前数据点是异常值;以及
(c)如果所述当前数据点被确定为异常值,在计算所述反馈控制机理的反馈值中不处理所述当前数据点。
2.如权利要求1所述的方法,其中(b)进一步包括:
仅当所述至少一个先前数据点不是异常值时,确定所述当前数据点为异常值。
3.如权利要求1或2所述的方法,进一步包括:
(d)如果所述当前数据点被确定为不是异常值,用所述当前数据点和所述至少一个先前数据点计算所述反馈控制机理的所述反馈值。
4.如权利要求1或2所述的方法,进一步包括:
(d)如果所述至少一个先前数据点是异常值,且所述当前数据点是异常值,为所述至少一个先前数据点计算先前反馈值,并然后基于所述先前反馈值和当前数据点计算所述反馈值。
5.如权利要求1或2所述的方法,其中(b-1)的所述统计表示是所述至少一个先前数据点的加权移动平均值。
6.如权利要求1或2所述的方法,其中(b-1)的所述统计表示是所述至少一个先前数据点的指数加权移动平均值。
7.如权利要求1或2所述的方法,其中(b-1)的所述统计表示被表达为:
Sk=β(Fkk)2+(1-β)Sk-1
其中,
β是系数
Fk是所述当前数据点和为晶片k预测的值之间的差;以及
Δk是次数k的反馈值。
8.如权利要求7所述的方法,其中所述Δk的值是如下计算的:
如果|Fkk|≤Knsk
Δk+1=λkFk+(1-λkk
否则
Δk+1=Δk
其中,λk是系数;
Kn是异常值系数;以及
s k = S k .
9.如权利要求7所述的方法,进一步包括:
当所述当前数据点被确定为不是异常值时,更新Sk为Sk=β(Fkk)2+(1-β)Sk-1
10.如权利要求7所述的方法,进一步包括:
当所述当前数据点被确定为异常值时,更新Sk为Sk=Sk-1
11.如权利要求7所述的方法,进一步包括:
更新Sk为Sk-1=β(Fk-1k-1)2+(1-β)Sk-1;且然后
当所述当前数据点被确定为不是异常值且先前数据点没有被确定为异常值时,更新Sk为Sk=β(Fkk)2+(1-β)Sk-1
12.如权利要求1或2所述的方法,进一步包括:
用至少一个计量站对所述工具的输出做多个测量;和
基于所述多个测量计算所述当前数据点。
13.如权利要求12所述的方法,进一步包括:
基于关于所述多个测量的统计信息计算区间;
识别落入所述区间的所述多个测量的子集;以及
从所述多个测量的所述子集计算所述当前数据点。
14.如权利要求13所述的方法,其中所述统计信息关于所述多个测量的中值和标准偏差中的至少一个。
15.如权利要求14所述的方法,进一步包括:
基于所述多个测量的方差和标度的方差中的一个计算所述标准偏差。
16.一种用反馈控制机理控制半导体制造工具的系统,其包括:
评估器,其经配置以接收关于所述工具的输出的多个数据点,该数据点包括当前数据点和至少一个先前数据点,
其中所述评估器进一步经配置以基于比较所述当前数据点和所述至少一个先前数据点的统计表示,确定是否所述当前数据点是异常值,和是否所述至少一个先前数据点是异常值,以及
其中如果所述当前数据点被确定为异常值,所述评估器进一步经配置以在计算所述反馈控制机理的反馈值中,不处理所述当前数据点。
17.如权利要求16所述的系统,其中仅当所述至少一个先前数据点不是异常值时,所述评估器进一步经配置以确定所述当前数据点为异常值。
18.如权利要求16所述的系统,其中如果所述当前数据点被确定为不是异常值,所述评估器进一步经配置以用所述当前数据点和所述至少一个先前数据点计算所述反馈控制机理的反馈值。
19.如权利要求16所述的系统,其中如果所述至少一个先前数据点是异常值且所述当前数据点是异常值,所述评估器进一步经配置以为所述至少一个先前数据点计算先前反馈值,并然后基于所述先前反馈值和所述当前数据点计算所述反馈值。
20.如权利要求16所述的系统,其中所述统计表示是所述至少一个先前数据点的加权移动平均值。
21.如权利要求16所述的系统,其中所述统计表示是所述至少一个先前数据点的指数加权移动平均值。
22.如权利要求16所述的系统,其中所述统计表示被表达为:
Sk=β(Fkk)2+(1-β)Sk-1
其中,
β是系数
Fk是所述当前数据点和为晶片k预测的值之间的差;以及
Δk是次数k的反馈值。
23.如权利要求22所述的系统,其中Δk的值是如下计算的:
如果|Fkk|≤Knsk
Δk+1=λkFk+(1-λkk
否则
Δk+1=Δk
其中,λk是系数;
Kn是异常值系数;以及
s k = S k .
24.如权利要求22所述的系统,其中所述评估器经进一步配置以便当所述当前数据点被确定为不是异常值时,更新Sk为Sk=β(Fkk)2+(1-β)Sk-1
25.如权利要求22所述的系统,其中所述评估器进一步经配置以当所述当前数据点被确定为异常值时,更新Sk为Sk=Sk-1
26.如权利要求22所述的系统,其中所述评估器进一步经配置以更新Sk为Sk-1=β(Fk-1k-1)2+(1-β)Sk-1;和当所述当前数据点被确定为不是异常值,且所述先前数据点没有被确定为异常值时,更新Sk为Sk=β(Fkk)2+(1-β)Sk-1
27.如权利要求16所述的系统,进一步包括:
至少一个计量站经配置以对所述工具的所述输出做多个测量,其中所述评估器进一步经配置以基于所述多个测量计算所述当前数据点。
28.如权利要求27所述的系统,所述评估器进一步经配置以基于关于所述多个测量的统计信息计算区间,且经配置以从所述多个测量中识别落在所述区间内的子集,以及经配置以从所述多个测量的所述子集计算所述当前数据点。
29.如权利要求28所述的系统,其中所述统计信息关于所述多个测量的中值和标准偏差中的至少一个。
30.如权利要求29所述的系统,所述评估器进一步经配置以基于所述多个测量的方差和标度的方差中的一个计算所述标准偏差。
31.一种用反馈值控制机理控制半导体加工工具的系统,其包括:
(a)用于接收关于所述工具的输出的多个数据点的设备,该数据点包括当前数据点和至少一个先前数据点,其中所述至少一个先前数据点是在所述当前数据点之前接收的;
(b)基于下列项确定所述当前数据点是否是异常值的设备:
(b-1)比较所述当前数据点和所述至少一个先前数据点的统计表示;以及
(b-2)是否所述至少一个先前数据点是异常值;以及
(c)如果所述当前数据点被确定为异常值,在计算所述反馈控制机理的反馈值中不处理所述当前数据点的设备。
32.如权利要求31所述的系统,进一步包括:
仅当所述至少一个先前数据点不是异常值时,确定所述当前数据点为异常值的设备。
33.如权利要求31所述的系统,进一步包括:
(d)如果所述当前数据点被确定为不是异常值,用所述当前数据点和所述至少一个先前数据点计算所述反馈控制机理的所述反馈值的设备。
34.如权利要求31所述的系统,进一步包括:
(e)如果所述至少一个先前数据点是异常值,且所述当前数据点是异常值,为所述至少一个先前数据点计算先前反馈值,并然后基于所述先前反馈值和所述当前数据点计算所述反馈值的设备。
35.如权利要求31所述的系统,其中所述统计表示是至少一个先前数据点的加权移动平均值。
36.如权利要求31所述的系统,其中所述统计表示是至少一个先前数据点的指数加权移动平均值。
37.如权利要求31所述的系统,其中所述的统计表示被表达为:
Sk=β(Fkk)2+(1-β)Sk-1
其中,
β是系数
Fk是当前数据点和为晶片k预测的值之间的差;以及
Δk是次数k的反馈值。
38.如权利要求37所述的系统,其中所述Δk的值是如下计算的:
如果|Fkk|≤Knsk
Δk+1=λkFk+(1-λkk
否则
Δk+1=Δk
其中,λk是系数;
Kn是异常值系数;以及
s k = S k .
39.如权利要求37所述的系统,进一步包括:
当所述当前数据点被确定为不是异常值时,更新Sk为Sk=β(Fkk)2+(1-β)Sk-1的设备。
40.如权利要求37所述的系统,进一步包括:
当所述当前数据点被确定为异常值时,更新Sk为Sk=Sk-1的设备。
41.如权利要求37所述的系统,进一步包括:
更新Sk为Sk-1=β(Fk-1k-1)2+(1-β)Sk-1的设备;且然后
当所述当前数据点被确定为不是异常值且所述先前数据点没有被确定为异常值时,更新Sk为Sk=β(Fkk)2+(1-β)Sk-1的设备。
42.如权利要求31所述的系统,进一步包括:
用至少一个计量站对所述工具的所述输出做多个测量的设备;和
基于所述多个测量计算所述当前数据点的设备。
43.如权利要求42所述的系统,进一步包括:
基于关于所述多个测量的统计信息计算区间的设备;
从落入所述区间内的所述多个测量中识别子集的设备;和
从所述多个测量的所述子集计算所述当前数据点的设备。
44.如权利要求43所述的系统,其中所述统计信息关于所述多个测量的中值和标准偏差中的至少一个。
45.如权利要求44所述的系统,进一步包括:
基于所述多个测量的方差和标度的方差中的一个计算所述标准偏差的设备。
46.一种用反馈控制机理制造半导体装置的系统,其包括:
至少一个加工工具,其经配置以在至少一个晶片上执行至少一个半导体制造步骤;
至少一个计量站,其连接到所述至少一个加工工具,并经配置以对至少一个晶片做测量;
评估器,其经配置以接收关于所述至少一个工具的输出的多个数据点,所述数据点包括基于所述至少一个计量站的所述测量计算的当前数据点和至少一个先前数据点,
其中所述评估器进一步经配置以基于比较所述当前数据点和所述至少一个先前数据点的统计表示,确定所述当前数据点是否是异常值,和所述至少一个先前数据点是否是异常值,以及
其中如果所述当前数据点被确定为异常值,所述评估器进一步经配置以在计算所述反馈控制机理的反馈值中,不处理所述当前数据点。
47.如权利要求46所述的系统,其中仅当所述至少一个先前数据点是异常值时,所述评估器进一步经配置以确定所述当前数据点为异常值。
48.如权利要求46所述的系统,进一步包括:
优化器,其连接至所述评估器以接收所述反馈值,并经配置以基于所述反馈值生成至少一个控制参数,该控制参数用于操作所述至少一个工具。
49.如权利要求46所述的系统,其中所述至少一个工具是蚀刻装置。
50.一种用反馈值控制机理控制半导体制造工具的方法,其包括:
(a)接收关于所述工具的输出的多个数据点,所述多个数据点包括当前数据点,随后的数据点,和至少一个先前数据点;
(b)确定所述当前数据点为错误异常值:
(b-1)如果所述当前数据点和预测值之间的差在阈值之外,该差是从所述至少一个先前数据点的统计表示计算的;
(b-2)如果所述至少一个先前数据点不是异常值;以及
(b-3)如果所述随后的数据点不是异常值;以及
(c)如果所述当前数据点被确定为错误异常值,在计算所述反馈控制机理的反馈值中不处理所述当前数据点。
51.如权利要求50所述的方法,其中(b-1)的所述统计表示是所述至少一个先前数据点的指数加权移动平均值。
52.如权利要求51所述的方法,其中(b-1)的所述统计表示被表达
为:
Sk=β(Fkk)2+(1-β)Sk-1
其中,
β是系数;
Fk是所述当前数据点和为晶片k预测的值之间的差;以及
Δk是次数k的反馈值。
53.如权利要求52所述的方法,其中所述阈值是如下计算的:
|Fkk|≤Knsk
Kn是异常值系数;以及
s k = S k .
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106971953A (zh) * 2015-10-01 2017-07-21 格罗方德半导体公司 制造制程中的误差检测方法

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6863771B2 (en) * 2001-07-25 2005-03-08 Micron Technology, Inc. Differential pressure application apparatus for use in polishing layers of semiconductor device structures and methods
US6917849B1 (en) * 2002-12-18 2005-07-12 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for predicting electrical parameters using measured and predicted fabrication parameters
US7545531B2 (en) 2004-05-18 2009-06-09 Xerox Corporation Method and apparatus for implementing statistical process control (SPC) in a printing environment
US20060129257A1 (en) * 2004-12-13 2006-06-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Novel method and apparatus for integrating fault detection and real-time virtual metrology in an advanced process control framework
US7477958B2 (en) * 2005-05-11 2009-01-13 International Business Machines Corporation Method of release and product flow management for a manufacturing facility
JP4417897B2 (ja) * 2005-09-14 2010-02-17 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 製造データ解析方法及び製造データ解析装置
US7359759B2 (en) * 2005-10-31 2008-04-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method and system for virtual metrology in semiconductor manufacturing
US7200523B1 (en) * 2005-11-30 2007-04-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and system for filtering statistical process data to enhance process performance
EP1793296A1 (en) * 2005-12-05 2007-06-06 Insyst Ltd. An apparatus and method for the analysis of a process having parameter-based faults
US7292959B1 (en) * 2006-01-30 2007-11-06 Advanced Mirco Devices, Inc. Total tool control for semiconductor manufacturing
WO2008008727A2 (en) * 2006-07-10 2008-01-17 Applied Materials, Inc. Scheduling method for processing equipment
US20080051930A1 (en) * 2006-07-10 2008-02-28 Oh Hilario L Scheduling method for processing equipment
US7522968B2 (en) * 2006-07-10 2009-04-21 Applied Materials, Inc. Scheduling method for processing equipment
US7899627B2 (en) * 2006-09-28 2011-03-01 Lam Research Corporation Automatic dynamic baseline creation and adjustment
JP5242906B2 (ja) * 2006-10-17 2013-07-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の制御装置、制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体
JP2009008072A (ja) * 2007-05-30 2009-01-15 Yamaha Motor Co Ltd 航走制御装置およびそれを備えた船舶
US20080319565A1 (en) * 2007-06-25 2008-12-25 International Business Machines Corporation System and methods for managing process flow changes
JP5117818B2 (ja) * 2007-10-30 2013-01-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 表面加工処理装置又は成膜処理装置の異物検査・解析のための管理装置及び方法
US20090200674A1 (en) * 2008-02-07 2009-08-13 International Business Machines Corporation Structure and method of forming transitional contacts between wide and thin beol wirings
US8269960B2 (en) 2008-07-24 2012-09-18 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods for inspecting and/or classifying a wafer
US8229588B2 (en) * 2009-03-03 2012-07-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and system for tuning advanced process control parameters
US8073556B2 (en) 2009-12-16 2011-12-06 General Electric Company System and method for controlling a machine
US8670857B2 (en) * 2010-02-02 2014-03-11 Applied Materials, Inc. Flexible process condition monitoring
JP5600503B2 (ja) * 2010-07-06 2014-10-01 株式会社日立国際電気 統計解析方法、基板処理システムおよびプログラム
US9052709B2 (en) 2010-07-30 2015-06-09 Kla-Tencor Corporation Method and system for providing process tool correctables
JP5855841B2 (ja) 2011-04-01 2016-02-09 株式会社日立国際電気 管理装置
US8420531B2 (en) 2011-06-21 2013-04-16 International Business Machines Corporation Enhanced diffusion barrier for interconnect structures
US20130178989A1 (en) * 2012-01-11 2013-07-11 Hamilton Sundstrand Corporation Air temperature controller
US9146551B2 (en) * 2012-11-29 2015-09-29 Asm Ip Holding B.V. Scheduler for processing system
US9070591B2 (en) * 2012-12-24 2015-06-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Adjusting intensity of laser beam during laser operation on a semiconductor device
CN103092074B (zh) * 2012-12-30 2015-09-09 重庆邮电大学 半导体先进过程控制的参数优化控制方法
US9870896B2 (en) * 2013-12-06 2018-01-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method for controlling ion implanter
US9406617B1 (en) 2015-11-19 2016-08-02 International Business Machines Corporation Structure and process for W contacts
US10177091B2 (en) 2016-02-19 2019-01-08 Globalfoundries Inc. Interconnect structure and method of forming
US9761484B1 (en) 2016-07-25 2017-09-12 International Business Machines Corporation Interconnect structure and fabrication thereof
US9773735B1 (en) 2016-08-16 2017-09-26 International Business Machines Corporation Geometry control in advanced interconnect structures
US9953864B2 (en) 2016-08-30 2018-04-24 International Business Machines Corporation Interconnect structure
US9768118B1 (en) 2016-09-19 2017-09-19 International Business Machines Corporation Contact having self-aligned air gap spacers
US9786603B1 (en) 2016-09-22 2017-10-10 International Business Machines Corporation Surface nitridation in metal interconnects
US9721895B1 (en) 2016-10-06 2017-08-01 International Business Machines Corporation Self-formed liner for interconnect structures
US10239635B2 (en) * 2017-06-08 2019-03-26 The Boeing Company Methods for balancing aircraft engines based on flight data
US11275975B2 (en) * 2017-10-05 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Fault detection classification
US10804688B2 (en) 2017-10-11 2020-10-13 Littelfuse, Inc. Arc detection based on variance of current flow
JP6917879B2 (ja) * 2017-12-19 2021-08-11 株式会社日立ハイテク 計測装置および計測データ処理方法
US11133216B2 (en) 2018-06-01 2021-09-28 International Business Machines Corporation Interconnect structure
US10916503B2 (en) 2018-09-11 2021-02-09 International Business Machines Corporation Back end of line metallization structure
US10714382B2 (en) 2018-10-11 2020-07-14 International Business Machines Corporation Controlling performance and reliability of conductive regions in a metallization network

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5016186A (en) * 1988-02-09 1991-05-14 Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha Method of detecting noise disappearance and detecting device therefor
JPH07225608A (ja) * 1994-02-09 1995-08-22 Meidensha Corp 故障予知保全システム及びこのシステムに用いる情報のデータべース構築方法
CN1140847A (zh) * 1994-08-23 1997-01-22 株式会社日立制作所 控制系统的诊断解析装置及其方法
US5761065A (en) * 1995-03-30 1998-06-02 Advanced Micro Devices, Inc. Arrangement and method for detecting sequential processing effects in manufacturing
CN1225459A (zh) * 1998-02-03 1999-08-11 三星电子株式会社 控制半导体制造设备的方法
CN1280324A (zh) * 1999-05-20 2001-01-17 现代电子产业株式会社 自动地控制半导体制造工艺的装置和方法
US6248602B1 (en) * 1999-11-01 2001-06-19 Amd, Inc. Method and apparatus for automated rework within run-to-run control semiconductor manufacturing
US6346426B1 (en) * 2000-11-17 2002-02-12 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for characterizing semiconductor device performance variations based on independent critical dimension measurements

Family Cites Families (145)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US17256A (en) * 1857-05-12 Portable barrack
US640596A (en) * 1899-05-12 1900-01-02 Frank Henry Stahl Automatic adjustable die.
US3205485A (en) 1960-10-21 1965-09-07 Ti Group Services Ltd Screening vane electro-mechanical transducer
US3229198A (en) 1962-09-28 1966-01-11 Hugo L Libby Eddy current nondestructive testing device for measuring multiple parameter variables of a metal sample
US3767900A (en) 1971-06-23 1973-10-23 Cons Paper Inc Adaptive controller having optimal filtering
CH569321A5 (zh) 1973-10-03 1975-11-14 Siemens Ag
US4000458A (en) 1975-08-21 1976-12-28 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method for the noncontacting measurement of the electrical conductivity of a lamella
US4209744A (en) 1976-04-29 1980-06-24 Fedosenko Jury K Eddy current device for automatically testing the quality of elongated electrically conductive objects by non-destructive techniques
US4207520A (en) 1978-04-06 1980-06-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Multiple frequency digital eddy current inspection system
US4302721A (en) 1978-05-08 1981-11-24 Tencor Instruments Non-contacting resistivity instrument with structurally related conductance and distance measuring transducers
US4368510A (en) 1980-10-20 1983-01-11 Leeds & Northrup Company Automatic identification system for self tuning process controller
US4609870A (en) 1981-03-27 1986-09-02 Hocking Electronics Limited Lift off compensation of eddy current crack detection system by controlling damping resistance of oscillator
US4616308A (en) 1983-11-15 1986-10-07 Shell Oil Company Dynamic process control
EP0162670B1 (en) 1984-05-19 1991-01-02 British Aerospace Public Limited Company Industrial processing and manufacturing systems
US4967381A (en) 1985-04-30 1990-10-30 Prometrix Corporation Process control interface system for managing measurement data
US4663703A (en) 1985-10-02 1987-05-05 Westinghouse Electric Corp. Predictive model reference adaptive controller
FR2589566A1 (fr) 1985-11-06 1987-05-07 Cegedur Procede de mesure au defile et sans contact de l'epaisseur et de la temperature de feuilles metalliques minces au moyen de courants de foucault
US4750141A (en) 1985-11-26 1988-06-07 Ade Corporation Method and apparatus for separating fixture-induced error from measured object characteristics and for compensating the measured object characteristic with the error, and a bow/warp station implementing same
US4755753A (en) 1986-07-23 1988-07-05 General Electric Company Eddy current surface mapping system for flaw detection
US5260868A (en) 1986-08-11 1993-11-09 Texas Instruments Incorporate Method for calendaring future events in real-time
US4796194A (en) 1986-08-20 1989-01-03 Atherton Robert W Real world modeling and control process
US4901218A (en) 1987-08-12 1990-02-13 Renishaw Controls Limited Communications adaptor for automated factory system
US4938600A (en) 1989-02-09 1990-07-03 Interactive Video Systems, Inc. Method and apparatus for measuring registration between layers of a semiconductor wafer
US4957605A (en) 1989-04-17 1990-09-18 Materials Research Corporation Method and apparatus for sputter coating stepped wafers
JP2780814B2 (ja) 1989-06-22 1998-07-30 株式会社日立製作所 生産管理システム
US5089970A (en) 1989-10-05 1992-02-18 Combustion Engineering, Inc. Integrated manufacturing system
US5108570A (en) 1990-03-30 1992-04-28 Applied Materials, Inc. Multistep sputtering process for forming aluminum layer over stepped semiconductor wafer
US5485082A (en) 1990-04-11 1996-01-16 Micro-Epsilon Messtechnik Gmbh & Co. Kg Method of calibrating a thickness measuring device and device for measuring or monitoring the thickness of layers, tapes, foils, and the like
US5236868A (en) 1990-04-20 1993-08-17 Applied Materials, Inc. Formation of titanium nitride on semiconductor wafer by reaction of titanium with nitrogen-bearing gas in an integrated processing system
US5208765A (en) 1990-07-20 1993-05-04 Advanced Micro Devices, Inc. Computer-based method and system for product development
US5179495A (en) * 1990-08-02 1993-01-12 Furnas Electric Company Solid state overload relay
US5495417A (en) 1990-08-14 1996-02-27 Kabushiki Kaisha Toshiba System for automatically producing different semiconductor products in different quantities through a plurality of processes along a production line
US5220517A (en) 1990-08-31 1993-06-15 Sci Systems, Inc. Process gas distribution system and method with supervisory control
EP0553285B1 (en) 1990-10-16 2000-03-01 Consilium, Inc. Object-oriented architecture for factory floor management
US5295242A (en) 1990-11-02 1994-03-15 Consilium, Inc. Apparatus and method for viewing relationships in a factory management system
US5270222A (en) 1990-12-31 1993-12-14 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for semiconductor device fabrication diagnosis and prognosis
US5226118A (en) 1991-01-29 1993-07-06 Prometrix Corporation Data analysis system and method for industrial process control systems
EP0524317A4 (en) 1991-02-08 1995-02-15 Tokyo Shibaura Electric Co Model forecasting controller
US5430836A (en) * 1991-03-01 1995-07-04 Ast Research, Inc. Application control module for common user access interface
GB2257507B (en) 1991-06-26 1995-03-01 Digital Equipment Corp Semiconductor wafer processing with across-wafer critical dimension monitoring using optical endpoint detection
US5469361A (en) 1991-08-08 1995-11-21 The Board Of Regents Acting For And On Behalf Of The University Of Michigan Generic cell controlling method and apparatus for computer integrated manufacturing system
US5240552A (en) 1991-12-11 1993-08-31 Micron Technology, Inc. Chemical mechanical planarization (CMP) of a semiconductor wafer using acoustical waves for in-situ end point detection
US5309221A (en) 1991-12-31 1994-05-03 Corning Incorporated Measurement of fiber diameters with high precision
JP3154425B2 (ja) 1992-01-07 2001-04-09 フクダ電子株式会社 心電図情報記録方法及び装置
US5525808A (en) 1992-01-23 1996-06-11 Nikon Corporaton Alignment method and alignment apparatus with a statistic calculation using a plurality of weighted coordinate positions
US5283141A (en) 1992-03-05 1994-02-01 National Semiconductor Photolithography control system and method using latent image measurements
US5857258A (en) * 1992-03-13 1999-01-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Electrical test structure and method for measuring the relative locations of conductive features on an insulating substrate
US5602492A (en) 1992-03-13 1997-02-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Electrical test structure and method for measuring the relative locations of conducting features on an insulating substrate
FR2700403B1 (fr) 1993-01-12 1995-04-07 Sextant Avionique Procédé de structuration d'informations utilisées dans un processus industriel et son application à l'assistance au pilotage d'un aérodyne.
US5490097A (en) 1993-03-22 1996-02-06 Fujitsu Limited System and method for modeling, analyzing and executing work process plans
US5586039A (en) 1993-03-29 1996-12-17 Texas Instruments Incorporated Computer-aided manufacturing support method and system for specifying relationships and dependencies between process type components
US5369544A (en) 1993-04-05 1994-11-29 Ford Motor Company Silicon-on-insulator capacitive surface micromachined absolute pressure sensor
US5367624A (en) 1993-06-11 1994-11-22 Consilium, Inc. Interface for controlling transactions in a manufacturing execution system
US5402367A (en) 1993-07-19 1995-03-28 Texas Instruments, Incorporated Apparatus and method for model based process control
US5642296A (en) 1993-07-29 1997-06-24 Texas Instruments Incorporated Method of diagnosing malfunctions in semiconductor manufacturing equipment
JPH0743735A (ja) * 1993-07-30 1995-02-14 Sony Corp 表示素子用電極基板及びその製造方法
JP3039210B2 (ja) 1993-08-03 2000-05-08 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US5546312A (en) 1993-09-20 1996-08-13 Texas Instruments Incorporated Use of spatial models for simultaneous control of various non-uniformity metrics
US5408405A (en) 1993-09-20 1995-04-18 Texas Instruments Incorporated Multi-variable statistical process controller for discrete manufacturing
US5503707A (en) 1993-09-22 1996-04-02 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for process endpoint prediction based on actual thickness measurements
DE69425100T2 (de) 1993-09-30 2001-03-15 Koninkl Philips Electronics Nv Dynamisches neuronales Netzwerk
US5497381A (en) 1993-10-15 1996-03-05 Analog Devices, Inc. Bitstream defect analysis method for integrated circuits
US5375064A (en) 1993-12-02 1994-12-20 Hughes Aircraft Company Method and apparatus for moving a material removal tool with low tool accelerations
US5577204A (en) * 1993-12-15 1996-11-19 Convex Computer Corporation Parallel processing computer system interconnections utilizing unidirectional communication links with separate request and response lines for direct communication or using a crossbar switching device
US5526293A (en) 1993-12-17 1996-06-11 Texas Instruments Inc. System and method for controlling semiconductor wafer processing
US5420796A (en) 1993-12-23 1995-05-30 Vlsi Technology, Inc. Method of inspecting planarity of wafer surface after etchback step in integrated circuit fabrication
KR950034499A (ko) 1994-01-28 1995-12-28 제임스 조셉 드롱 물리적인 증기증착 과정동안 필름들의 증착속도를 모니터하기 위한 방법 및 장치
US5664987A (en) 1994-01-31 1997-09-09 National Semiconductor Corporation Methods and apparatus for control of polishing pad conditioning for wafer planarization
US5511005A (en) 1994-02-16 1996-04-23 Ade Corporation Wafer handling and processing system
US5666297A (en) 1994-05-13 1997-09-09 Aspen Technology, Inc. Plant simulation and optimization software apparatus and method using dual execution models
US5629216A (en) 1994-06-30 1997-05-13 Seh America, Inc. Method for producing semiconductor wafers with low light scattering anomalies
JP3402412B2 (ja) 1994-09-20 2003-05-06 株式会社リコー プロセスシミュレーション入力データ設定装置
EP0706209A3 (en) 1994-10-06 1996-12-27 Applied Materials Inc Thin film resistance measurement
US5519605A (en) 1994-10-24 1996-05-21 Olin Corporation Model predictive control apparatus and method
KR100213603B1 (ko) * 1994-12-28 1999-08-02 가나이 쯔또무 전자회로기판의 배선수정방법 및 그 장치와 전자회로기판
DE4446966A1 (de) 1994-12-28 1996-07-04 Itt Ind Gmbh Deutsche Informationssystem zur Produktionskontrolle
US5534289A (en) 1995-01-03 1996-07-09 Competitive Technologies Inc. Structural crack monitoring technique
US5617023A (en) 1995-02-02 1997-04-01 Otis Elevator Company Industrial contactless position sensor
US5646870A (en) 1995-02-13 1997-07-08 Advanced Micro Devices, Inc. Method for setting and adjusting process parameters to maintain acceptable critical dimensions across each die of mass-produced semiconductor wafers
US5541510A (en) 1995-04-06 1996-07-30 Kaman Instrumentation Corporation Multi-Parameter eddy current measuring system with parameter compensation technical field
US5665214A (en) 1995-05-03 1997-09-09 Sony Corporation Automatic film deposition control method and system
US5764543A (en) 1995-06-16 1998-06-09 I2 Technologies, Inc. Extensible model network representation system for process planning
US5649169A (en) 1995-06-20 1997-07-15 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for declustering semiconductor defect data
US5665199A (en) 1995-06-23 1997-09-09 Advanced Micro Devices, Inc. Methodology for developing product-specific interlayer dielectric polish processes
US5599423A (en) 1995-06-30 1997-02-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for simulating and optimizing a chemical mechanical polishing system
US5740429A (en) 1995-07-07 1998-04-14 Advanced Micro Devices, Inc. E10 reporting tool
KR0153617B1 (ko) * 1995-09-20 1998-12-01 김광호 반도체 집적회로 제조공정방법
JPH09129530A (ja) 1995-09-25 1997-05-16 Texas Instr Inc <Ti> サイトモデルを用いたプロセスモジュールの制御およびモニタウエハ制御
US5777901A (en) 1995-09-29 1998-07-07 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for automated die yield prediction in semiconductor manufacturing
US5655951A (en) 1995-09-29 1997-08-12 Micron Technology, Inc. Method for selectively reconditioning a polishing pad used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US5761064A (en) 1995-10-06 1998-06-02 Advanced Micro Devices, Inc. Defect management system for productivity and yield improvement
US5654903A (en) 1995-11-07 1997-08-05 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for real time monitoring of wafer attributes in a plasma etch process
US5603707A (en) 1995-11-28 1997-02-18 The Procter & Gamble Company Absorbent article having a rewet barrier
JP3892493B2 (ja) * 1995-11-29 2007-03-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理システム
US5719796A (en) 1995-12-04 1998-02-17 Advanced Micro Devices, Inc. System for monitoring and analyzing manufacturing processes using statistical simulation with single step feedback
US5674787A (en) 1996-01-16 1997-10-07 Sematech, Inc. Selective electroless copper deposited interconnect plugs for ULSI applications
US6094600A (en) * 1996-02-06 2000-07-25 Fisher-Rosemount Systems, Inc. System and method for managing a transaction database of records of changes to field device configurations
US5871805A (en) * 1996-04-08 1999-02-16 Lemelson; Jerome Computer controlled vapor deposition processes
US5735055A (en) 1996-04-23 1998-04-07 Aluminum Company Of America Method and apparatus for measuring the thickness of an article at a plurality of points
KR100243636B1 (ko) * 1996-05-14 2000-03-02 요시다 아키라 다이캐스팅기용 주조 제어 지원시스템
US5910846A (en) * 1996-05-16 1999-06-08 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for detecting the endpoint in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers
US5663797A (en) 1996-05-16 1997-09-02 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for detecting the endpoint in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers
JPH1086040A (ja) * 1996-06-13 1998-04-07 Mitsubishi Electric Corp 多系統の自動プログラミング方法及びその装置
US5737055A (en) * 1996-08-22 1998-04-07 Bausch & Lomb Incorporated Nosepiece for eyewear
US5667424A (en) 1996-09-25 1997-09-16 Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. New chemical mechanical planarization (CMP) end point detection apparatus
US5859964A (en) * 1996-10-25 1999-01-12 Advanced Micro Devices, Inc. System and method for performing real time data acquisition, process modeling and fault detection of wafer fabrication processes
US5695810A (en) 1996-11-20 1997-12-09 Cornell Research Foundation, Inc. Use of cobalt tungsten phosphide as a barrier material for copper metallization
US5889991A (en) * 1996-12-06 1999-03-30 International Business Machines Corp. Method and system for customizing a palette using any java class
US5862054A (en) * 1997-02-20 1999-01-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Process monitoring system for real time statistical process control
US5912678A (en) * 1997-04-14 1999-06-15 Texas Instruments Incorporated Process flow design at the module effects level through the use of acceptability regions
US5910011A (en) * 1997-05-12 1999-06-08 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring processes using multiple parameters of a semiconductor wafer processing system
US6012048A (en) * 1997-05-30 2000-01-04 Capital Security Systems, Inc. Automated banking system for dispensing money orders, wire transfer and bill payment
TW436369B (en) * 1997-07-11 2001-05-28 Tokyo Seimitsu Co Ltd Wafer polishing device
US6100184A (en) * 1997-08-20 2000-08-08 Sematech, Inc. Method of making a dual damascene interconnect structure using low dielectric constant material for an inter-level dielectric layer
KR100258841B1 (ko) * 1997-12-26 2000-06-15 윤종용 반도체 제조설비 관리시스템의 설비 유닛상태 관리방법
KR100278600B1 (ko) * 1998-01-14 2001-01-15 윤종용 반도체 제조설비 관리시스템의 설비유닛의 상태 관리방법
US6228280B1 (en) * 1998-05-06 2001-05-08 International Business Machines Corporation Endpoint detection by chemical reaction and reagent
US6381564B1 (en) * 1998-05-28 2002-04-30 Texas Instruments Incorporated Method and system for using response-surface methodologies to determine optimal tuning parameters for complex simulators
US6230069B1 (en) * 1998-06-26 2001-05-08 Advanced Micro Devices, Inc. System and method for controlling the manufacture of discrete parts in semiconductor fabrication using model predictive control
US6226961B1 (en) * 1998-08-07 2001-05-08 Gigi C. Gordon Cleaning articles
US6339727B1 (en) * 1998-12-21 2002-01-15 Recot, Inc. Apparatus and method for controlling distribution of product in manufacturing process
US6212961B1 (en) * 1999-02-11 2001-04-10 Nova Measuring Instruments Ltd. Buffer system for a wafer handling system
US6360133B1 (en) * 1999-06-17 2002-03-19 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for automatic routing for reentrant process
US6046108A (en) * 1999-06-25 2000-04-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method for selective growth of Cu3 Ge or Cu5 Si for passivation of damascene copper structures and device manufactured thereby
US6368883B1 (en) * 1999-08-10 2002-04-09 Advanced Micro Devices, Inc. Method for identifying and controlling impact of ambient conditions on photolithography processes
US6391780B1 (en) * 1999-08-23 2002-05-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method to prevent copper CMP dishing
US6556881B1 (en) * 1999-09-09 2003-04-29 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for integrating near real-time fault detection in an APC framework
US6532555B1 (en) * 1999-10-29 2003-03-11 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for integration of real-time tool data and in-line metrology for fault detection in an advanced process control (APC) framework
US6546508B1 (en) * 1999-10-29 2003-04-08 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for fault detection of a processing tool in an advanced process control (APC) framework
US6355559B1 (en) * 1999-11-18 2002-03-12 Texas Instruments Incorporated Passivation of inlaid metallization
US6517414B1 (en) * 2000-03-10 2003-02-11 Appied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling a pad conditioning process of a chemical-mechanical polishing apparatus
US6368884B1 (en) * 2000-04-13 2002-04-09 Advanced Micro Devices, Inc. Die-based in-fab process monitoring and analysis system for semiconductor processing
US6541401B1 (en) * 2000-07-31 2003-04-01 Applied Materials, Inc. Wafer pretreatment to decrease rate of silicon dioxide deposition on silicon nitride compared to silicon substrate
US6725402B1 (en) * 2000-07-31 2004-04-20 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for fault detection of a processing tool and control thereof using an advanced process control (APC) framework
US6708074B1 (en) * 2000-08-11 2004-03-16 Applied Materials, Inc. Generic interface builder
US6537912B1 (en) * 2000-08-25 2003-03-25 Micron Technology Inc. Method of forming an encapsulated conductive pillar
US6728587B2 (en) * 2000-12-27 2004-04-27 Insyst Ltd. Method for global automated process control
US6535783B1 (en) * 2001-03-05 2003-03-18 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for the integration of sensor data from a process tool in an advanced process control (APC) framework
US6678570B1 (en) * 2001-06-26 2004-01-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for determining output characteristics using tool state data
US6708075B2 (en) * 2001-11-16 2004-03-16 Advanced Micro Devices Method and apparatus for utilizing integrated metrology data as feed-forward data
US6515368B1 (en) * 2001-12-07 2003-02-04 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor device with copper-filled via includes a copper-zinc/alloy film for reduced electromigration of copper
US6774998B1 (en) * 2001-12-27 2004-08-10 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for identifying misregistration in a complimentary phase shift mask process
US6751518B1 (en) * 2002-04-29 2004-06-15 Advanced Micro Devices, Inc. Dynamic process state adjustment of a processing tool to reduce non-uniformity
US6528409B1 (en) * 2002-04-29 2003-03-04 Advanced Micro Devices, Inc. Interconnect structure formed in porous dielectric material with minimized degradation and electromigration
US6735492B2 (en) * 2002-07-19 2004-05-11 International Business Machines Corporation Feedback method utilizing lithographic exposure field dimensions to predict process tool overlay settings

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5016186A (en) * 1988-02-09 1991-05-14 Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha Method of detecting noise disappearance and detecting device therefor
JPH07225608A (ja) * 1994-02-09 1995-08-22 Meidensha Corp 故障予知保全システム及びこのシステムに用いる情報のデータべース構築方法
CN1140847A (zh) * 1994-08-23 1997-01-22 株式会社日立制作所 控制系统的诊断解析装置及其方法
US5761065A (en) * 1995-03-30 1998-06-02 Advanced Micro Devices, Inc. Arrangement and method for detecting sequential processing effects in manufacturing
CN1225459A (zh) * 1998-02-03 1999-08-11 三星电子株式会社 控制半导体制造设备的方法
CN1280324A (zh) * 1999-05-20 2001-01-17 现代电子产业株式会社 自动地控制半导体制造工艺的装置和方法
US6248602B1 (en) * 1999-11-01 2001-06-19 Amd, Inc. Method and apparatus for automated rework within run-to-run control semiconductor manufacturing
US6346426B1 (en) * 2000-11-17 2002-02-12 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for characterizing semiconductor device performance variations based on independent critical dimension measurements

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106971953A (zh) * 2015-10-01 2017-07-21 格罗方德半导体公司 制造制程中的误差检测方法

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