CN100437358C - 曝光装置及器件制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供曝光装置及器件制造方法。器件制造系统(SYS)的曝光装置主体(EX)用液体(5)充满投影光学系(PL)与基板(P)之间的至少一部分，通过投影光学系(PL)与液体(50)将掩模M图形的像投影到基板(P)上，对基板(P)进行曝光；其中：具有基板保持托盘(PH)和液体供给机构(12)；该基板保持托盘(PH)保持基板(P)，同时，使基板(P)浸入其中地保持液体(50)；该液体供给机构(12)在投影光学系(PL)的投影区域(AR1)的近旁从基板(P)的上方将液体(50)供给到基板(P)上。该曝光装置在用液体充满投影光学系与基板之间进行曝光处理时，也可将所期望的器件的图形形成于基板上。

Description

曝光装置及器件制造方法
技术领域
本发明涉及一种用液体充满投影光学系与基板之间的至少一部分、经由投影光学系和液体将图形曝光到基板的曝光装置及使用该曝光装置的器件制造方法。
背景技术
半导体器件或液晶显示器件通过将形成于掩模上的图形转印到感光性基板上的所谓的光刻的方法制造。该光刻工序使用的曝光装置具有支承掩模的掩模台和支承基板的基板台，一边依次移动掩模台和基板台，一边通过投影光学系将掩模的图形转印到基板。近年来，为了应对器件图形的更进一步的高集成化，希望获得投影光学系的更高的析像度。使用的曝光波长越短、投影光学系的数值孔径越大时，投影光学系的析像度越高。为此，曝光装置使用的曝光波长逐年变短，投影光学系的数值孔径也不断增大。现在主流的曝光波长为KrF受激准分子激光的248nm，但更短波长的ArF受激准分子激光的193nm也正处于实用化之中。另外，当进行曝光时，与析像度同样，焦深(DOF)也变得重要。析像度R和焦深δ分别用下式表示。
R＝k1·λ/NA        …(1)
δ＝±k2·λ/NA2    …(2)
其中，λ为曝光波长，NA为投影光学系的数值孔径，k1、k2为过程(process)系数。从(1)式、(2)式可知，当为了提高析像度R而减小曝光波长、增大数值孔径NA时，焦深δ变窄。
当焦深δ变得过窄时，难以使基板表面与投影光学系的像面一致，存在曝光动作时的余量(margin)不足的危险。因此，作为实质上减小曝光波长而且扩大焦深的方法，例如提出有公开于下述专利文献1、2的液浸法。该液浸法用水或有机溶剂等液体充满投影光学系的下面与基板表面之间，利用在液体中的曝光用光的波长为空气中的1/n(n为液体的折射率，通常为1.2～1.6左右)这一点，提高析像度，同时，将焦深扩大为约n倍。
可是，上述已有技术存在以下说明的问题。
公开于上述国际公开第99/49504号小册子的曝光装置为在基板上的一部分形成液浸区域地进行液体的供给和回收的构成，但如不能完全回收液体而残留于基板上，则该残留的液体气化，使基板产生热变形，或在气化后的基板上残留附着痕迹(所谓水印)，可能对形成于基板上的图形产生不良影响。另外，公开于日本特开平10-303114号公报的曝光装置为将基板整体保持于液体中的构成，但由于投影光学系与基板间的液体的更换较少，所以，可能使得容易发生液浸区域的液体的温度变化或和杂质的存在，由此带来使投影于基板上的图形的图像劣化的危险。因此，可能使得不能制造具有所期望的性能的器件。
另外，在上述国际公开第99/49504号小册子的曝光装置中，如在曝光处理后按液体残存(附着)于基板的表面的状态输送(送出)该基板，则产生在输送过程中上述残存的液体从基板下落，下落的液体使输送路径周边的各装置或构件生锈，不能维持配置曝光装置的环境的清洁度等等的问题。或者，也可能由从基板下落(飞溅)的液体使曝光装置周边的环境变化(湿度变化)。当湿度发生变化时，例如在用于台位置测量的光干涉仪的光路上的空气产生波动，不能按良好的精度进行台位置测量，产生不能获得所期望的图形转印精度的问题。另外，当在进行曝光处理后按使液体附着于基板的状态实施显影处理时，产生不能制造具有所期望的性能的器件的可能性。
发明内容
本发明就是鉴于这样的情况而作出的，其目的在于提供一种在使液体充满于投影光学系与基板之间进行曝光处理时也可在基板上形成所期望的器件的图形的曝光装置及使用该曝光装置的器件制造方法。
为了解决上述问题，本发明采用与实施形式所示图1～图12对应的以下构成。
本发明的曝光装置(SYS、EX)用液体(50)充满投影光学系(PL)与基板(P)之间的至少一部分，通过投影光学系(PL)与液体(50)将图形的像投影到基板(P)上，对基板(P)进行曝光；其特征在于：具有基板保持构件(PH)和液体供给机构(12)；该基板保持构件(PH)保持基板(P)，同时，使基板(P)浸入其中地保持液体(50)；该液体供给机构(12)在投影光学系(PL)的投影区域(AR1)的近旁从基板(P)的上方将液体(50)供给到基板(P)上。
按照本发明，在将基板整体浸入到液体的状态下从基板的上方进行液体的供给，所以，可防止基板表面的液体的气化的影响，具体地说，可防止液体的气化导致的基板的热变形或附着痕迹的发生等，同时，可将新鲜、清洁的液体供给到投影光学系与基板之间，所以，可抑制液体的温度变化和杂质的影响，可按良好的精度在基板上形成所期望的图形。因此，可制造具有所期望的性能的器件。
本发明的曝光装置(SYS、EX)在基板(P)上的至少一部分形成液浸区域(AR2)，通过形成液浸区域(AR2)的液体(50)与投影光学系(PL)将图形的像投影到基板(P)上，对基板(P)进行曝光；其特征在于：具有基板保持构件(PH)和可动构件(PST)；该基板保持构件(PH)保持基板(P)，同时，具有为了防止液体(50)的流出而围住基板(P)形成的侧壁部分(PHW)；该可动构件(PST)可卸下地设有基板保持构件(PH)，对基板保持构件(PH)进行支承，可相对投影光学系(PL)进行2维移动。
按照本发明，通过可卸下地相对可动构件设置基板保持构件，从而可在将基板保持于基板保持构件的状态下送出曝光处理后的基板。因此，可防止液体从基板的下落和飞溅导致的环境变化和装置生锈等的发生。
本发明的曝光装置(SYS、EX)在基板(P)上的至少一部分形成液浸区域(AR2)，通过形成液浸区域(AR2)的液体(50)与投影光学系(PL)将图形的像投影到基板(P)上，对基板(P)进行曝光；其特征在于：具有基板保持构件(PH)、可动构件(PST)、及输送机构(H)；该基板保持构件(PH)保持基板(P)；该可动构件(PST)可卸下地设置基板保持构件(PH)，对基板保持构件(PH)进行支承，可相对投影光学系(PL)进行2维移动；该输送机构(H)在保持基板(P)的状态下输送从可动构件(PST)卸下的基板保持构件(PH)。
按照本发明，通过可卸下地相对可动构件设置基板保持构件，从而可在将基板保持于基板保持构件的状态下送出曝光处理后的基板，所以，可防止液体附着于可动构件或其周围的构件，防止液体从基板的下落等。
本发明的器件制造方法的特征在于：使用上述任一个所述的曝光装置(SYS、EX)。按照本发明，可在抑制液体的气化的影响和环境变化的状态下制造具有所期望的性能的器件。
附图说明
图1为示出作为本发明的曝光装置的器件制造系统的一实施形式的示意构成图。
图2为从上方观看图1的图。
图3为示出进行曝光处理的曝光装置主体的一实施形式的示意构成图。
图4A和4B为用于说明相对基板台可卸下的基板托盘的示意图。
图5A和图5B为示出基板托盘的一实施形式的图。
图6为示出供给管嘴和回收管嘴的配置例的图。
图7为示出本发明液体除去装置的一实施形式的示意构成图。
图8为用于说明图7中气体吹出部分的平面图。
图9A～图9C为用于说明本发明曝光装置的动作的示意图。
图10A～10C为用于说明本发明的曝光装置的动作的示意图。
图11为示出本发明液体除去装置的另一实施形式的示意构成图。
图12为示出半导体器件的制造工序的一例的流程图。
具体实施方式
下面参照附图说明本发明的曝光装置和器件制造方法。图1示出具有本发明的曝光装置的器件制造系统的一实施形式，为从侧方观看的的示意构成图，图2为从上方观看图1的图。
在图1和图2中，器件制造系统SYS具有曝光装置EX-SYS和涂覆·显影装置C/D-SYS。曝光装置EX-SYS具有形成与涂覆·显影装置C/D-SYS的连接部分的接口部分IF，用液体50充满投影光学系PL与作为曝光对象的基板P之间、通过投影光学系PL与液体50将图形的像投影到基板P上而对基板P曝光的曝光装置主体EX，可在接口部分IF与曝光装置主体EX之间输送基板P的输送系统(输送机构)H，设于输送系统H的输送路径的途中、构成除去附着于曝光处理后的基板P的液体的液体除去机构的液体除去装置100，及统一控制曝光装置EX-SYS整体的动作的控制装置CONT。在本实施形式中，输送系统H包括具有臂部的第1、第2、第3输送装置H1、H2、H3。
曝光装置主体EX配置在清洁度受到管理的第1室装置CH1内部。另外，第1、第2、第3输送装置H1、H2、H3也设于第1室装置CH1内部。涂覆·显影装置C/D-SYS具有涂覆装置C和显影装置(处理装置)D，该涂覆装置C相对进行曝光处理前的基板P的基材涂覆光刻胶(感光剂)，该显影装置D对在曝光装置主体EX进行了曝光处理后的基板P进行显影处理。涂覆装置C和显影装置D配置在第1室装置CH1之外的第2室装置CH2。
收容曝光装置主体EX的第1室装置CH1与收容涂覆装置C和显影装置D的第2室装置CH2通过接口部分IF连接。在以下的说明中，将收容于第2室装置CH2内部的涂覆装置C和显影装置D合起来称为“涂覆·显影装置主体C/D”。
曝光装置主体EX为按用液体50充满投影光学系PL与基板P之间的状态即在基板P上形成液浸区域AR2的状态进行曝光的液浸型曝光装置，包括支承掩模M的掩模台MST，构成保持基板P(P1、P2)的基板保持构件的基板托盘PH(PH1、PH2)，构成支承基板托盘PH、可移动该基板托盘PH的可动构件的基板台PST(PST1、PST2)，用曝光用光EL对支承于掩模台MST的掩模M进行照明的照明光学系IL，将用曝光用光EL照明的掩模M的图形的像投影到保持于基板台PST上的基板托盘PH的基板P上的投影光学系PL，在投影光学系PL的投影区域AR1的近旁从基板P的上方将用于形成液浸区域AR2的液体50供给到基板P上的液体供给机构12，在投影区域AR1的近旁回收基板P上的液体50的液体回收机构14。
如在后面详细说明的那样，基板托盘PH可相对基板台PST卸下地设置，输送系统H(第1、第2、第3输送装置H1、H2、H3)可输送基板P，同时，也可输送保持基板P的基板托盘PH。
本实施形式的曝光装置主体EX采用具有2个基板台PST1、PST2的所谓的双台系统。作为双台系统的具体的构成，可采用公开于日本特开平10-163099号公报、特开平10-214783号公报、特表2000-511704号公报等的构成。在图1中，第1基板台PST1支承对第1基板P1进行支承的第1基板托盘PH1，第2基板台PST2对保持第2基板P2的第2基板托盘PH2进行支承。
另外，本实施形式的曝光装置主体EX为扫描型曝光装置(所谓步进扫描曝光装置)，该扫描型曝光装置与使掩模M与基板P朝在扫描方向上的相互不同的方向(相反方向)同步移动的同时，将形成于掩模M上的图形曝光到基板P。在以下的说明中，设在水平面内掩模M与基板P的同步移动方向(扫描方向)为X轴方向，在水平面内与X轴方向直交的方向为Y轴方向(非扫描方向)，与X轴和Y轴方向垂直、与投影光学系PL的光轴AX一致的方向为Z轴方向。另外，设绕X轴、Y轴、及Z轴的方向分别为θX、θY、θZ方向。这里所说的“基板”包含在半导体晶片上涂覆光刻胶获得的板，“掩模”包含形成有缩小投影于基板上的器件图形的标线板。
图3为曝光装置主体EX的示意构成图，示出第1和第2基板台PST1、PST2中的第1基板台PST1配置于投影光学系PL下方的状态的图。第2基板台PST2和第2基板托盘PH2具有与第1基板台PST1和第1基板托盘PH1同等的构成。
照明光学系IL用曝光用光EL对支承于掩模台MST的掩模M进行照明，具有曝光用光源，使从曝光用光源出射的光束的照度均匀化的光学积分仪，对来自光学积分仪的曝光用光EL进行聚光的聚光透镜，中继透镜系，及将曝光用光EL的掩模M上的照明区域设定为狭缝状的可变视野光阑等。掩模M上的预定的照明区域由照明光学系IL用均匀的照度分布的曝光用光EL照明。作为从照明光学系IL出射的曝光用光EL，例如可使用从水银灯出射的紫外区域的辉线(g线、h线、i线)及KrF受激准分子激光(波长248nm)等远紫外光(DUV光)，ArF受激准分子激光(波长193nm)及F2激光(157nm)等真空紫外光(VUV光)等。在本实施形式中，使用ArF受激准分子激光。
掩模台MST用于支承掩模M，可在与投影光学系PL的光轴AX垂直的平面内即XY平面内进行2维移动和朝θZ方向进行微小回转。掩模台MST由线性电动机等掩模台驱动装置MSTD驱动。掩模台驱动装置MSTD由控制装置CONT控制。掩模台MST上的掩模M的2维方向的位置和回转角由激光干涉仪进行实时检测，检测结果输出到控制装置CONT。控制装置CONT根据激光干涉仪的检测结果驱动掩模台驱动装置MSTD，从而对支承于掩模台MST的掩模M进行定位。
投影光学系PL用于按预定的投影倍率β将掩模M的图形投影到基板P，由多个光学元件(透镜)构成，这些光学元件由作为金属构件的镜筒PK支承。在本实施形式中，投影光学系PL为投影倍率β例如为1/4或1/5的缩小系。投影光学系PL也可为等倍系或放大系。另外，在本实施形式的投影光学系PL的前端侧(基板P侧)，光学元件(透镜)60从镜筒PK露出。该光学元件60可相对镜筒PK装卸(更换)地设置。
基板台PST(PST1)用于支承和移动可保持基板P的基板托盘PH(PH1)，具有支承基板托盘PH的Z台51、支承Z台51的XY台52、及支承XY台52的底座53。基板台PST(Z台51和XY台52)由线性电动机等基板台驱动装置PSTD驱动。基板台驱动装置PSTD由控制装置CONT控制。通过驱动基板台PST的Z台51，从而控制保持于Z台51的基板P的Z轴方向位置(焦点位置)及θX、θY方向的位置。另外，通过驱动基板台PST的XY台52，从而控制基板P的XY方向的位置(实质上与投影光学系PL的像面平行的方向的位置)。即，基板台PST相对投影光学系PL可至少进行2维移动，Z台51控制基板P的焦点位置和倾斜角，按自动调焦方式和自动调平方式使基板P的表面与投影光学系PL的像面一致，XY台52进行基板P的X轴方向和Y轴方向的定位。当然也可一体设置Z台和XY台。另外，在基板台PST(Z台51)上设有移动镜54，在与移动镜54相对的位置设置激光干涉仪55。基板台PST上的基板P的2维方向的位置和回转角由激光干涉仪55实时检测，检测结果输出到控制装置CONT。控制装置CONT根据激光干涉仪55的检测结果驱动掩模台驱动装置MSTD，从而对支承于基板台PST的基板P进行定位。
基板托盘PH(PH1)用于保持基板P(P1)，具有侧壁部分PHW，该侧壁部分PHW为了防止从液体供给机构12供给到基板P上的液体50的流出，围住基板P形成。基板托盘PH可由侧壁部分PHW保持预定量的液体，使保持的基板P浸于液体50地在侧壁部分PHW的内侧的区域保持液体50。至少在曝光中，基板P保持在基板托盘PH的侧壁部分PHW的内侧的液体中。
基板托盘PH(PH1)可相对基板台PST(PST1)卸下地设置。更为具体地说，基板托盘PH在保持基板P的状态下相对基板台PST可卸下。在这里，如上述那样，本实施形式的曝光装置主体EX采用双台系统，作为基板台PST，成为设有基板台PST1和基板台PST2的构成，作为基板托盘PH，成为设有多个基板托盘PH1、PH2的构成。另外，基板托盘PH1、PH2相对第1和第2基板台PST1、PST2都可卸下。
图4A和4B为示出相对基板台PST(Z台51)可卸下的基板托盘PH的图，图4A为侧截面图，图4B为卸下基板托盘PH后的Z台51的从上方观看的平面图。
如图4A和4B所示那样，Z台51在其上面(相对基板托盘PH的保持面)具有可配合基板托盘PH的凹部57和设于该凹部57、对配置于凹部57的基板托盘PH进行吸附保持的多个真空吸附孔58。通过在凹部57嵌合基板托盘PH，从而对Z台51和基板托盘PH进行定位。真空吸附孔58构成对配置于凹部57的基板托盘PH进行保持的夹持机构的一部分，连接于未图示的真空装置。真空装置的驱动由控制装置CONT控制。控制装置CONT控制真空装置，通过真空吸附孔58进行Z台51相对基板托盘PH的吸附保持和保持解除。通过保持解除，基板托盘PH与Z台51可分离。
在这里，说明了Z台51对基板托盘PH进行真空吸附保持的场合，但例如也可由电磁夹持机构等其它夹持机构对基板托盘PH进行保持和保持解除。另外，在这里，说明了Z台51与基板托盘PH的定位使用凹部57进行的场合，但例如也可形成为这样的构成，即，光学地检测基板托盘PH与Z台51的位置关系，根据该检测结果相对Z台51将基板托盘PH定位到预定的位置。
具有输送装置的输送系统H(参照图1)可输送从Z台51卸下的基板托盘PH。例如输送系统H的第2输送装置H2可从基板台PST送出(卸载)保持着进行曝光处理后的基板P的基板托盘PH，输送到液体除去装置100。另外，第1输送装置H1可将保持着进行曝光处理之前的基板P的基板托盘PH送入(装载)到基板台PST。
图5A和5B为示出基板托盘PH的图，图5A为侧截面图，图5B为从上方观看到的平面图。
在图5A和5B中，基板托盘PH具有可保持上述液体50的侧壁部分PHW、形成于底面部PHT的多个凸部61、及形成于凸部61上端面的真空吸附孔62。凸部61的上端面为平坦面，基板托盘PH由多个凸部61的上端面支承基板P，同时，通过真空吸附孔62吸附保持基板P。在这里，凸部61不使所支承的基板P挠曲地分别设于基板托盘PH的底面部PHT的多个预定位置。通过由凸部61支承基板P，从而在基板P与基板托盘PH的底面部PHT之间形成隔离部分64。在本实施形式中，基板托盘PH的平面视形状大致为圆形，但也可为矩形。
另外，当Z台51与基板托盘PH连接时，基板托盘PH的真空吸附孔62通过形成于基板托盘PH流路62A连接于设在Z台51上面的流路59(参照图4B等)。流路59连接于真空装置，控制装置CONT驱动真空装置，从而通过Z台51的流路59、基板托盘PH的流路62A、及真空吸附孔62，吸附保持由凸部61支承的基板P。在这里，在流路62A分别设有由电磁阀等构成的阀部62B，可遥控操作流路62A的开放·闭塞动作，该电磁阀根据控制装置CONT的控制驱动。控制装置CONT在驱动真空装置时控制阀部62B，开放流路62A，当停止真空装置时闭塞流路62A。因此，在通过真空吸附孔62对基板P进行的吸引动作后，停止真空装置的驱动，同时，由阀部62B闭塞流路62A，从而维持流路62A的负压。因此，当分离Z台51与基板托盘PH时，通过使流路62A为负压，从而可维持基板托盘PH对基板P的吸附保持。
另外，在基板托盘PH的底面部PHT的预定位置，设有可排出由基板托盘PH保持的液体50的流路65和由开放·闭塞该流路的电磁阀等构成的阀部66。阀部66的驱动由控制装置CONT控制。流路65贯通基板托盘PH的底面部PHT和下面PHK地形成。通过使阀部66作动，开放流路65，从而使保持于基板托盘PH的液体50通过流路65排出。
现返回到图3进行说明。如图3所示那样，液体供给机构12具有可送出液体的液体供给部分1，在液体供给部分1连接其一端部的供给管3，及连接于供给管3的另一端、设于投影区域AR1近旁的供给管嘴4。液体供给部分1具有收容液体50的槽、加压泵、及可除去供给的液体的杂质的过滤装置等，可送出除去了杂质的液体。液体供给机构12经由供给管3和供给管嘴4在投影光学系PL的投影区域AR1的近旁从基板P的上方将从液体供给部分1送出的液体50供给到基板P上，用液体充满至少投影光学系PL的前端面(透镜60的前端面)与基板P之间的空间。
液体回收机构14包括设有吸引泵和收容回收的液体的槽等的液体回收部分2，将其一端部连接于液体回收部分2的回收管6，及连接于回收管6的另一端部、配置于投影区域AR1的近旁的回收管嘴5。液体回收机构14驱动液体回收部分2，通过回收管嘴5和回收管6在投影光学系PL的投影区域AR1的近旁回收基板P上的液体。
在基板P的曝光中，为了用液体50充满投影光学系PL与基板P之间，控制装置CONT驱动液体供给部分1，通过供给管3和供给管嘴4将每单位时间预定量的液体供给到基板P上，同时，驱动液体回收部分2，通过回收管嘴5和回收管6从基板P上回收每单位时间预定量的液体。这样，在投影光学系PL与基板P之间形成液浸区域AR2。
投影光学系PL的最下端的透镜60的前端部分60A在扫描方向仅留下必要部分地形成为沿Y轴方向(非扫描方向)细长的矩形。当扫描曝光时，将掩模M的一部分的图形像投影到前端部分60A的正下方的矩形的投影区域AR1，相对投影光学系PL使掩模M朝-X方向(或+X方向)按速度V移动，与此同步，通过XY台52使基板P朝+X方向(或-X方向)按速度β·V(β为投影倍率)移动。在1个一次性曝光区域的曝光结束后，由基板P的步进使下一个一次性曝光区域移动到扫描开始位置，以下，按分步扫描方式依次进行对各一次性曝光区域的曝光处理。另外，在对1个一次性曝光区域进行曝光的过程中，液体相对投影光学系PL朝与基板P的移动方向相同的方向流动。
图6为示出投影光学系PL的投影区域AR1、朝X轴方向供给液体50的供给管嘴4(4A～4C)、及回收液体50的回收管嘴5(5A、5B)的位置关系的图。在图6中，投影区域AR1成为朝Y轴方向细长的矩形，在X轴方向夹位投影区域AR1地朝+X方向侧配置3个供给管嘴4A～4C，朝-X方向侧配置2个回收管嘴5A、5B。供给管嘴4A～4C通过供给管3连接于液体供给部分1，回收管嘴5A、5B通过回收管6连接于液体回收部分2。另外，在使供给管嘴4A～4C与回收管嘴5A、5B大体回转180°的配置中，配置供给管嘴8A～8C和回收管嘴9A、9B。供给管嘴4A～4C与回收管嘴9A、9B朝Y轴方向交替地排列，供给管嘴8A～8C与回收管嘴5A、5B在Y轴方向交替地排列，供给管嘴8A～8C通过供给管10连接于液体供给部分1，回收管嘴9A、9B通过回收管11连接于液体回收部分2。
在曝光装置主体EX中，当使基板P朝由箭头Xa(参照图6)所示扫描方向(-X方向)移动、进行扫描曝光时，使用供给管3、供给管嘴4A～4C、回收管6、及回收管嘴5A、5B，由液体供给部分1和液体回收部分2进行液体50的供给和回收。即，当基板P朝-X移动时，通过供给管3和供给管嘴4(4A～4C)从液体供给部分1将液体50供给到投影光学系PL与基板P之间，同时，通过回收管嘴5(5A、5B)和回收管6将液体50回收到液体回收部分2，充满透镜60与基板P之间地使液体50朝-X方向流动。
另一方面，在按箭头Xb所示扫描方向(+X方向)使基板P移动、进行扫描曝光的场合，使用供给管10、供给管嘴8A～8C、回收管11、及回收管嘴9A、9B，由液体供给部分1和液体回收部分2进行液体50的供给和回收。即，当基板P朝+X方向移动时，通过供给管10和供给管嘴8(8A～8C)从液体供给部分1将液体50供给到投影光学系PL与基板P之间，同时，通过回收管嘴9(9A、9B)和回收管11将液体50回收到液体回收部分2，液体50充满透镜60与基板P之间地朝+X方向流动。这样，控制装置CONT使用液体供给部分1和液体回收部分2沿基板P的移动方向使液体50流动。在该场合，例如从液体供给部分1通过供给管嘴4供给的液体50随着基板P朝-X方向的移动被吸引到投影光学系PL基板P之间的空间地流动，所以，即使液体供给部分1的供给能量小，也可容易地将液体50供给到上述空间。另外，通过相应于扫描方向切换液体50流动的方向，从而在基板P沿+X方向和-X方向中的任何方向扫描的场合，都可用液体50充满透镜60的前端面与基板P间，可获得高析像度和宽的焦深。
下面，参照图7说明液体除去装置100的一实施形式。液体除去装置100设于输送系统H的输送路径的途中，用于除去由液浸法进行进行曝光处理后附着于基板P的液体。如上述那样，输送系统H可一起输送基板P与基板托盘PH，输送系统H中的例如第2输送装置H2将曝光处理后的基板P与基板托盘PH一起从基板台PST取出并将其送出(卸载)，输送到液体除去装置100。
液体除去装置100具有台装置20、托盘支承构件21、驱动机构22、保持构件36、第1吹出部分33、及第2吹出部分34；该托盘支承构件21设于台装置20，具有可支承由输送系统H(第2输送装置H2)输送到液体除去装置100的基板托盘PH的销构件；该驱动机构22相对台装置20使托盘支承构件21上下移动；该保持构件36可保持与基板托盘PH一起被输送的基板P；该第1吹出部分33通过对保持于保持构件36的基板P的表面(上面)喷吹气体，从而吹走附着于该基板P的表面的液体50将其除去；该第2吹出部分34对基板P的背面(下面)喷吹气体，从而吹走附着于该基板P的背面的液体50将其除去。驱动机构22由控制装置CONT控制，通过使托盘支承构件21下降而将支承的基板托盘PH载置于台装置20的上面，通过使托盘支承构件21上升，从而使基板托盘PH相对台装置20分离。
台装置20、托盘支承构件21、驱动机构22、保持构件36、第1和第2吹出部分33、34设于作为罩机构的室25内部。室25具有形成于输送系统H侧的第1开口部分26和形成于第3输送装置H3侧的第2开口部分27。在第1开口部分26设有对该第1开口部分26进行开闭的第1闸门26A，在第2开口部分27设有对该第2开口部分27进行开闭的第2闸门27A。第1和第2闸门26A、27A的开闭动作由控制装置CONT控制。当第1闸门26A开放时，第2输送装置H2可通过第1开口部分26进入到液体除去装置100内(室25内)，可向液体除去装置100内送入(送出)保持了基板P的基板托盘PH。
另一方面，第3输送装置H3通过第2开口部分27可进入液体除去装置100内，可送出(送入)液体除去装置100内的基板P。另外，通过关闭第1和第2闸门26A、27A，从而密闭室25内部。
第1和第2吹出部分33、34分别通过流路连接于气体供给装置35。在流路设有用于除去对基板P喷吹的气体中的异物(灰尘或油雾)的过滤器。气体供给装置35将干燥的气体供给到第1和第2吹出部分33、34。在本实施形式中，气体供给装置35供给干燥空气。第1和第2吹出部分33、34使用从气体供给装置35供给的干燥空气吹走附着在保持于保持构件36的基板P的液体。由第1和第2吹出部分33、34喷吹的气体对基板P的表面和背面从倾斜方向喷吹。控制装置CONT一边使第1和第2吹出部分33、34朝X轴方向移动一边对保持于保持构件36的基板P喷吹气体。第1和第2吹出部分33、34的喷嘴主体部分的长度比基板P大，所以，均匀地将气体喷吹到基板P的表背面整体。通过喷吹气体，从而附着于基板P的液体50被吹走、除去。
图8为从上方观看室25内部的图。如图8所示那样，基板P2由保持构件36保持其下面的Y轴方向两端部。第1吹出部分33具有以Y轴方向为纵向的喷嘴主体部分33A和朝喷嘴主体部分33A纵向排列多个的喷嘴孔33B。从气体供给装置35供给的干燥空气分别从多个喷嘴孔33B吹出。第2吹出部分34也具有与第1吹出部分33同样的构成，具有以Y轴方向为纵向的喷嘴主体部分和多个喷嘴孔。
保持于保持构件36的基板P与第1和第2吹出部分33、34可相对移动地设置。在本实施形式中，保持着基板P2的保持构件36由驱动装置36A驱动，可沿导向部分36B(参照图7)朝X轴方向扫描移动，由此使基板P2相对第1和第2吹出部分33、34移动。也可使得第1和第2吹出部分33、34相对保持于保持构件36的基板P沿X轴方向扫描移动，或使第1和第2吹出部分33、34与保持构件36双方移动。
液体除去装置100具有吸引管28A和吸引管28B；该吸引管28A在室25的底面配置其一端部，将另一端部连接于液体吸引装置29；该吸引管28B将其一端部配置于台装置20的上面，将另一端部连接于液体吸引装置29。吸引管28A用于吸引下落到室25底面的液体50，吸引管28B用于吸引载置于台装置20上的基板托盘PH的侧壁部分PHW的内侧的液体。液体吸引装置29具有泵和对吸引的液体进行回收的槽等，通过吸引管28A、28B吸引和回收液体。在这里，吸引管28B的一端部连接到处于载置于台装置20上面的状态的基板托盘PH的流路65，吸引管28B和液体吸引装置29通过流路65吸引基板托盘PH的侧壁部分PHW内侧的液体50。
下面，说明具有上述曝光装置主体EX和液体除去装置100的器件制造系统SYS的动作。
在本实施形式中，为了实质上缩短曝光波长、提高析像度，并实质上扩大焦深，适用液浸法。为此，至少在将掩模M的图形的像转印到基板P期间，将预定的液体50充满于基板P的表面与投影光学系PL的基板P侧的光学元件(透镜)60的前端面(下面)之间，在基板P上形成液浸区域AR2。如上述那样，在投影光学系PL的前端侧露出透镜60，液体50仅接触于透镜60。这样，防止由金属制成的镜筒PK的腐蚀。在本实施形式中，液体50使用纯水。纯水对于曝光用光EL为ArF受激准分子激光的场合以及曝光用光EL为例如从水银灯出射的紫外区域的辉线(g线、h线、i线)和KrF受激准分子激光(波长248nm)等紫外光(DUV光)的场合，都可使该曝光用光EL透过。
在本实施形式中，输送系统H的第1输送装置H1用于在用基板托盘PH保持的状态下将进行曝光处理前的基板P送入(装载)到基板台PST，第2输送装置H2将进行曝光处理后的基板P与基板托盘PH一起从基板台PST送出(卸载)，输送到液体除去装置100，第3输送装置H3用于在液体除去装置100与接口部分IF之间输送基板P。由涂覆·显影装置主体C/D(涂覆装置C)实施了光刻胶的涂覆处理的基板P通过接口部分IF转移到第3输送装置H3。在第1和第2室装置CH1、CH2的分别与接口部分IF相面对的部分，设有开口部分和对该开口部分进行开闭的闸门。在基板P相对接口部分IF的输送动作中开放闸门。第3输送装置H3在液体除去装置100(或图中未示出的中继装置或输送装置)将曝光处理前的基板P载置于基板托盘PH。第1输送装置H1将保持了曝光处理前的基板P的基板托盘PH装载到曝光装置主体EX的基板台PST，具体地说，第1基板台PST1和第2基板台PST2中的任一方。进行曝光处理后的基板P按各基板托盘PH由第2输送装置H2从基板台PST卸载。第2输送装置H2将保持着卸载后的基板P的基板托盘PH转移到液体除去装置100。然后，由液体除去装置100除去了液体的基板P转移到第3输送装置H3，第3输送装置H3通过接口部分IF将基板P转移到涂覆·显影装置主体C/D(显影装置D)。显影装置D相对被转移的基板P实施显影处理。
下面，参照图9A～9C和图10A～10C说明器件制造系统SYS的动作。
如图9A所示那样，控制装置CONT由第1输送装置H1将保持着曝光处理前的基板P(P1)的基板托盘PH(PH1)送入(装载)到2个基板台PST1、PST2中的一方的基板台PST1。在这里，如参照图4A和4B说明的那样，基板托盘PH嵌合于设在基板台PST(Z台51)凹部57地配置，由具有真空吸附孔58的夹持机构保持。控制装置CONT驱动真空装置，通过流路59、流路62A、及真空吸附孔62对基板P1进行真空吸附保持。在调准系AL下，进行基板P的表面位置的测量和基板P上的调准标记的检测等。此时，阀部62B开放流路62A。然后，如图9B所示那样，控制装置CONT将基板台PST1移动到投影光学系PL下，使液体供给机构12动作，开始液体50从基板P的上方到基板P上的供给。此时，由受到吸附保持的基板P1闭塞真空吸附孔62，所以，即使供给液体50，也不浸入到真空吸附孔62。
在基板托盘PH1的侧壁部分PHW的内侧，当液体积存到在基板P1的表面形成小于等于1mm的液体(水)的薄膜的程度时，如图9C所示那样，控制装置CONT使基板台PST1朝Z轴方向一点一点地移动，使投影光学系PL的前端部分的透镜60接触到基板P1上的液体50。控制装置CONT从该状态开始进行由液体供给机构12进行的液体的供给和由液体回收机构14进行的液体的回收，开始进行对基板P1的液浸曝光处理。这样，将除去了杂质的新的液体连续地供给至投影光学系PL与基板P1之间。另外，当对基板P1的各一次性曝光区域进行曝光时，预先供给到基板P1的液体(水)与从液体供给机构12供给的液体亲和，即使按高速使基板P进行移动(扫描)，也可稳定地在投影光学系PL与基板P之间形成液体50的流动。另外，由于在基板托盘PH1设置侧壁部分PHW，所以，液体50不会在基板P的曝光过程中流出到基板托盘PH1外侧。
虽然在液体积存于基板P1表面后朝Z轴方向移动基板台PST1，但也可在从液体供给机构12开始供给液体50之前将基板台PST1朝Z轴方向移动到预定位置。
在对支承于第1和第2基板台PST1、PST2中的一方的基板台PST1的基板托盘PH1的基板P1进行液浸曝光过程中，控制装置CONT卸下支承于另一方的基板台PST2的保持着曝光处理后的基板P2的基板托盘PH2，从基板台PST2送出(卸载)。控制装置CONT在从基板台PST2卸下基板托盘PH2时，解除包含真空吸附孔58的夹持机构对基板托盘PH2的保持，同时，使用阀部62B闭塞流路62A。然后，如图10A所示那样，控制装置CONT由第2输送装置H2将处于在液体50中保持着结束了曝光处理的基板P2的状态的基板托盘PH2从基板台PST2送出(卸载)。当分离基板托盘PH2与基板台PST2时，如参照图5A和5B说明的那样，与吸附保持基板P2的真空吸附孔62连接的流路62A由阀部62B闭塞，维持负压状态，所以，维持由凸部61的上端面对基板P2的吸附保持，同时，保持于侧壁部分PHW内部的液体50不会通过流路62A流出。在液浸曝光过程中和输送过程中，当然基板托盘PH2的流路65由阀部66闭塞。
第2输送装置H2在从基板台PST2卸下保持了基板P2的基板托盘PH2后，将该基板托盘PH2输送到液体除去装置100。控制装置CONT随着第2输送装置H2接近液体除去装置100，开放第1闸门26A。此时第2闸门27A关闭。第2输送装置H2通过第1开口部分26将基板托盘PH2转移到液体除去装置100的托盘支承构件21。此时，托盘支承构件21基于驱动机构22的驱动相对台装置20上升，第2输送装置H2将基板托盘PH2转移到相对台装置20上升的托盘支承构件21。
第2输送装置H2将基板托盘PH2转移到托盘支承构件21后，通过第1开口部分26从室25退避。一旦第2输送装置H2从室25退避，则如图10B所示那样，控制装置CONT关闭第1闸门26A。这样，将室25内部密闭。一旦室25内部密闭，控制装置CONT用保持构件36的前端保持基板P2的下面。在这里，基板P2支承于基板托盘PH2的凸部61，在基板P2与基板托盘PH2的底面部PHT之间形成隔离部分64，保持构件36插入到该隔离部分64，保持基板P的下面。
当基板P2由保持构件36保持时，控制装置CONT使驱动机构22进行驱动，从而使托盘支承构件21下降。这样，如图10C所示那样，将保持于保持构件36的基板P2与基板托盘PH2拉开。这样，保持构件36保持基板托盘PH2上的基板P2，通过基板托盘PH2的下降，从基板托盘PH2拉开基板P2。另一方面，托盘支承构件21将下降了的基板托盘PH2载置于台装置20的上面。通过将基板托盘PH2载置到台装置20的上面，从而连接台装置20的吸引管28B与基板托盘PH2流路65。一旦吸引管28B与流路65连接，则控制装置CONT使阀部66作动，开放流路65。这样，保持于基板托盘PH2的侧壁部分PHW内侧的液体50通过流路65和吸引管28B吸引到液体吸引装置29。
另一方面，相对从基板托盘PH2离开并保持于保持构件36的基板P2，控制装置CONT驱动气体供给装置35，通过第1和第2吹出部分33、34对基板P喷吹干燥空气，除去附着于基板P2的液体50。从基板P2吹走的液体下落到基板托盘PH2上或室25的底部，但分别由液体吸引装置29通过吸引管28A、28B回收。在使用第1和第2吹出部分33、34的液体除去作业结束后，积存于基板托盘PH的侧壁部分PHW内侧的液体50由液体吸引装置29吸引·回收。另外，在使用第1和第2吹出部分33、34的液体除去作业结束后，下落到台装置20的周围(室的底部)的液体由液体吸引装置29通过吸引管28A吸引·回收。液体吸引装置29通过对飞溅的液体和室25内部的气体进行吸引，从而回收从基板P2溅起的液体。在这里，液体吸引装置29继续进行室25内部的气体和飞溅的液体的吸引动作。这样，液体不会附着于室25的内壁或基板托盘PH2。另外，由于液体50不停留在室25的内壁或底部等室25内部，所以，室25内部的湿度不会产生大的变动。另外，当开放闸门26A、27A时，室25内的湿的气体也不会流出到室25外。也可设置可向室25内供给干燥空气的干燥装置，与由液体吸引装置29进行的吸引作业同时将干燥空气供给到室25内。
当附着于基板P2的液体的除去结束时，控制装置CONT开放第2闸门27A。一旦第2闸门27A开放，第3输送装置H3通过第2开口部分27接受保持于保持构件36的基板P2。保持着已除去液体50的基板P2的第3输送装置H3从液体除去装置100(室25内部)通过第2开口部分27送出基板P2。
由液体除去装置100除去液体、转移到第3输送装置H3的基板P2通过接口部分IF输送到涂覆·显影装置主体C/D。对转移到涂覆·显影装置主体C/D(显影装置D)的基板P2实施显影处理。这样，本实施形式的曝光装置EX-SYS在通过接口部分IF将基板P送出到涂覆·显影装置CD-SYS之前，由液体除去装置100除去附着于基板P的液体。
然后，第3输送装置H3通过室25的第2开口部分27将未曝光的基板P3(未图示)转移到保持构件36。当在保持构件36保持基板P3时，控制装置CONT使托盘支承构件21上升，将基板P3载置于基板托盘PH2上。当基板P3载置于基板托盘PH2上时，控制装置CONT打开第1闸门26A，使用第1输送装置H1，从液体除去装置100送出保持着基板P3的基板托盘PH2，装载到基板台PST2。
如以上说明的那样，可在将基板P保持于基板托盘PH的状态下送出曝光处理后的基板P，所以，可防止液体的下落或飞溅导致的环境变化或装置的生锈等的发生。第1和第2输送装置H1、H2不是保持附着液体的基板P，而是保持不附着液体的基板托盘PH，所以，不曝露于液体，可确实地防止输送路径上的液体的下落或飞溅。另外，通过由液体除去装置100除去附着于基板P的液体50，从而可抑制这样的问题的发生，该问题为在基板P的输送过程中液体从基板P下落，导致第1室装置CH1的内部的湿度变化(环境变化)，或使输送路径上的各装置或构件生锈。另外，由于第3输送装置H3保持由液体除去装置100除去液体的状态的基板P，所以，可不曝露于液体地输送基板P。另外，由于在将由曝光装置主体EX实施了曝光处理的基板P输送到涂覆·显影装置C/D-SYS(显影装置D)之前，用液体除去装置100除去附着于基板P的液体50，所以，可消除液体50对显影处理的影响。
另外，在本实施形式中，液体除去装置100为设于输送系统H的输送路径的途中的构成，曝光装置主体EX为采用双台系统的构成。为此，在一方的基板台PST1上的基板P1的液浸曝光中，可卸下另一方的基板台PST2上的保持着基板P2的基板托盘PH2将其送出，可同时进行基板托盘PH1中的液浸曝光处理与基板托盘PH2的送出和基板托盘PH2中的液体除去作业。因此，可在提高处理量的同时，实施整体的处理。另外，由于在室25内部进行液体除去处理，所以，可防止液体50飞溅到周围。
在上述实施形式中，在基板台PST1(PST2)移动到投影光学系PL下后，开始由液体供给机构12将液体50供给到基板托盘PH的侧壁部分PHW的内侧，但也可在基板台PST1(PST2)上载置基板托盘PH的位置或由调准系AL进行测量的位置的近旁，另行配置液体供给机构，当一方的基板台(例如PST1)进行曝光动作时，将与从液体供给机构12供给的液体相同温度的液体(纯水)供给到搭载于另一方的基板台PST2的基板托盘PH的侧壁部分PHW的内侧，将基板台PST2上的基板P浸渍于液体。在该场合，由调准系AL进行的测量可在将基板台PST2上的基板P浸渍到液体之前进行，也可在浸渍到液体之后进行。但是，在按将基板P浸渍于液体的状态下进行测量的场合，需要使调准系AL应对液渍。这样，通过在基板台PST移动到投影光学系PL下之前预先将基板P浸渍到液体，从而不仅可提高处理量，而且可在基板P的温度稳定的状态下立即开始基板P的曝光。
另外，也可使得可朝Z轴方向移动投影光学系PL的光学元件60和基板台PST(PST1、PST2)上的基板托盘PH(PH1、PH2)中的至少一方，在基板台PST的移动过程中朝Z轴方向移动光学元件60和基板托盘PH中的至少一方，以防止基板托盘PH的侧壁部分PHW的上端与投影光学系PL的前端冲撞。
另外，对于在基板台PST的移动过程中存在由于基板台PST的移动使基板托盘PH的侧壁部分PHW内侧的液体振动的危险的场合，也可在基板托盘PH的侧壁部分PHW的内面配置消波构件，防止液体的飞溅。
在本实施形式中，当在液体除去装置100吹走附着于基板P的液体时，在与水平面(XY平面)平行地保持基板P的状态下喷吹干燥空气，但也可在相对水平面倾斜的状态下对基板P喷吹干燥空气。这样，附着于基板P的液体50容易由自重从基板P离开。当然，也可在使基板P垂直立起的状态下喷吹干燥空气。
另外，在上述实施形式中，在基板托盘PH设置侧壁部分PHW，但也可如记载于国际公开第99/49504号小册子那样，在将液浸区域形成于基板P上的一部分区域进行液浸曝光的场合，也可没有侧壁部分PHW。在该场合，由于基板P在保持于基板托盘PH的状态下送出，所以，可防止液体从基板P的下落等。
另外，在上述实施形式中，虽然使用2个基板托盘PH进行了说明，但也可使用大于等于3个的基板托盘。
在上述实施形式中，采用具有2个基板台PST1、PST2的双台系统，但在基板台PST为1个的曝光装置当然也可适用本发明。
如上述那样，本实施形式的液体50由纯水构成。纯水在半导体制造工厂等容易大量获得，同时，具有对基板P上的光刻胶和光学元件(透镜)等的不良影响少的优点。另外，纯水对环境的不良影响少，并且杂质的含有量极低，所以，还可期待清洗基板P的表面和设于投影光学系PL的前端面的光学元件的表面的作用。
另外，纯水对波长193nm左右的曝光用光EL的折射率n大体为1.44，所以，在使用ArF受激准分子激光(波长193nm)作为曝光用光EL的光源的场合，在基板P上短波长化为1/n波长即约134nm，可获得高析像度。另外，由于焦深与空气中相比扩大约n倍即约1.44倍，所以，对于只要确保与在空气中使用时相同程度的焦深即可的场合，可进一步增加投影光学系PL的数值孔径，由此也使析像度提高。
在本实施形式中，将透镜60安装于投影光学系PL的前端，但安装于投影光学系PL前端的光学元件也可为用于调整投影光学系PL的光学特性例如像差(球差、慧差等)的光学板，或为可透射曝光用光EL的平行平面板。
在由液体50的流动产生的投影光学系PL的前端的光学元件与基板P间的压力大的场合，也可不更换该光学元件，而是使光学元件不由该压力移动地牢固固定。
在本实施形式中，投影光学系PL与基板P表面之间由液体50充满，但也可为例如按由平行平面构成的保护玻璃安装于基板P的表面的状态充满液体50的构成。
在上述实施形式中，上述管嘴的形状不特别限定，例如也可对于前端部分60A的长边用2对管嘴进行液体50的供给或回收。在该场合，为了从+X方向或-X方向的哪个方向都可进行液体50的供给和回收，也可沿上下排列地配置供给管嘴和回收管嘴。
上述实施形式的液体除去装置100通过对基板P喷吹气体(干燥空气)将液体吹走而除去附着于基板P的液体，但也可通过吸引附着于相对基板托盘PH分离的基板P的表背面的液体而除去该液体。下面参照图11对其进行说明。在以下的说明中，对与上述实施形式相同或等同的构成部分采用相同符号，简化或省略其说明。
如图11所示的液体除去装置100具有第1和第2吸引部分37、38和干燥装置39；该第1和第2吸引部分37、38通过流路连接于液体吸引装置29，分别吸引附着于基板P的表面和背面的液体50；该干燥装置39对室25内部进行干燥。第1和第2吸引部分37、38可相对基板P朝X轴方向相对移动地设置。当除去附着于基板P的液体50时，控制装置CONT在使第1和第2吸引部分37、38接近基板P的状态下，驱动液体吸引装置29。这样，附着于基板P的液体50通过第1和第2吸引部分37、38由液体吸引装置29吸引。然后，一边使第1和第2吸引部分37、38相对基板P朝X轴方向移动，一边由液体吸引装置29进行吸引动作，从而除去附着于基板P的液体50。此时，干燥装置39相对室25内部供给干燥的气体(干燥空气)。通过干燥装置39的驱动对室25内部进行干燥，从而可促进来自基板P的液体50的除去。
也可同时进行参照图11说明的吸引基板P上的液体50的吸引动作和参照图8等说明的从吹出部分的气体吹出动作。或者，也可在实施吸引动作和气体吹出动作中的任一方后实施另一方。另外，可同时进行干燥装置39的干燥动作，也可在吸引动作或气体吹出动作的前后进行干燥动作。即，可适当组合吸引动作、干燥动作、及气体吹出动作(液体吹走动作)。
在基于液浸法由曝光装置主体EX进行的曝光处理中，可使用水以外的液体作为液体50。例如，在曝光用光EL的光源为F2激光器的场合，由于该F2激光不透过水，所以，作为液体50，使用可透射F2激光的氟系油，从而可进行曝光处理。这样，作为液体50，可使用水以外的液体。另外，作为液体50，也可使用对曝光用光EL具有透射性、折射率尽可能高、相对投影光学系PL和涂覆于基板P表面的光刻胶稳定的例如雪松油。
作为上述各实施形式的基板P，不仅可适用半导体器件制造用的半导体晶片，而且也可适用显示器件用的玻璃基板、薄膜磁头用的陶瓷晶片、或在曝光装置使用的掩模或标线板的原版(合成石英、硅晶片)等。
作为曝光装置(曝光装置主体)EX，除了同步移动掩模M和基板P、对掩模M的图形进行扫描曝光的分步扫描方式的扫描型曝光装置(步进扫描曝光装置)外，也可适用于在掩模M和基板P静止的状态下对掩模M的图形进行总曝光、依次使基板P分步移动的分步重复方式的投影曝光装置(步进曝光装置)。另外，本发明也可适用于在基板P上部分地重合至少2个图形而进行转印的分步缝合(stitch)方式的曝光装置。
作为曝光装置EX的种类，不限于将半导体元件图形曝光到基板P的半导体元件制造用的曝光装置，可广泛地适用于液晶显示元件制造用或显示器制造用的曝光装置和用于薄膜磁头、摄像元件(CCD)或标线板或掩模等的制造的曝光装置等。
在基板台PST或掩模台MST使用线性电动机(参照USP5,623,853或USP5,528,118)的场合，使用空气轴承的空气悬浮型和使用洛伦兹力或电抗力的磁悬浮型中的哪一种都可使用。另外，各台PST、MST可为沿导向构件移动的类型，也可为不设置导向构件的无导向构件类型。
作为各台PST、MST的驱动机构，也可使用平面电动机，该平面电动机使2维地配置磁铁的磁铁部分与2维地配置线圈的电枢部分相对，由电磁力驱动各台PST、MST。在该场合，只要将磁铁部分和电枢部分中的任一方连接于台PST、MST、将磁铁部分和电枢部分的另一方设于台PST、MST的移动面侧即可。
由基板台PST的移动产生的反力也可不传递到投影光学系PL地如日本专利特开平8-166475号公报(USP5,528,118)所述那样使用机架构件机械地逃逸到地板(大地)。由掩模台MST的移动产生的反力也可不传递到投影光学系PL地如日本特开平8-330224号公报(US S/N08/416,558)所述那样使用机架构件机械地逃逸到地板(大地)。
如以上那样，本申请的实施形式的曝光装置EX通过保持预定的机械精度、电精度、光学精度地组装包含本申请的权利要求所列举的各构成要素的各种子系统而制造。为了确保这些各种精度，在该组装的前后，对各种光学系进行用于达到光学精度的调整，对各种机械系进行用于达到机械精度的调整，对各种电气系进行用于达到电精度的调整。从各种子系统到曝光装置的组装工序包含各种子系统相互的机械连接、电路的配线连接、气压回路的配管连接等。在该从各种子系统向曝光装置的组装工序之前，当然也存在各子系统分别的组装工序。在各种子系统向曝光装置的组装工序结束后，进行综合调整，确保作为曝光装置整体的各种精度。曝光装置的制造最好在温度和洁净度等得到管理的洁净室进行。
半导体器件等的微器件如图12所示那样，经过进行微器件的功能·性能设计的步骤201、制作基于该设计步骤的掩模(标线板)的步骤202、制造作为器件的基材的基板的步骤203、由上述实施形式的曝光装置EX将掩模的图形曝光到基板的曝光处理步骤204、器件组装步骤(包含切割工序、粘接工序、封装工序)205、检测步骤206等进行制造。
产业上利用的可能性
按照本发明，可抑制基板表面的液体的气化的影响和杂质的影响，同时，可防止液体从输送中的基板的下落和飞溅，所以，可防止环境变化和装置的生锈等的发生，可按良好的精度在基板上形成所期望的图形。

Claims (14)

1.一种曝光装置，用液体充满投影光学系与基板之间的至少一部分，通过上述投影光学系与上述液体将图形的像投影到基板上，对上述基板进行曝光；其特征在于：具有基板保持构件和液体供给机构；
该基板保持构件保持上述基板，同时使上述基板浸入其中地保持液体，并具有用于防止上述液体的流出的侧壁部分和底部，该底部的上方开口；
该液体供给机构在上述投影光学系的投影区域的近旁从上述基板的上方将液体供给到上述基板上。
2.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于：在上述投影区域的近旁，还具有回收上述基板上的液体的液体回收机构。
3.根据权利要求1或2所述的曝光装置，其特征在于：还具有用于支承上述基板保持构件并使该基板保持构件2维地移动的可动构件。
4.根据权利要求3所述的曝光装置，其特征在于：上述基板保持构件相对上述可动构件可卸下。
5.根据权利要求4所述的曝光装置，其特征在于：上述基板保持构件以保持着上述基板的状态相对上述可动构件可卸下。
6.根据权利要求5所述的曝光装置，其特征在于：在将上述基板保持构件安装于上述可动构件后，将液体供给到上述基板上。
7.根据权利要求5或6所述的曝光装置，其特征在于：还具有液体除去机构，该液体除去机构在从上述可动构件卸下上述基板保持构件后除去附着于上述曝光后的上述基板的液体。
8.根据权利要求7所述的曝光装置，其特征在于：作为上述可动构件，具有第1可动构件和第2可动构件，作为上述基板保持构件，具有相对上述第1和第2可动构件都可卸下的多个基板保持构件；
在对支承于上述第1和第2可动构件中的一方的基板保持构件上的基板进行液浸曝光的过程中，卸下支承于另一方的可动构件的基板保持构件将其送出。
9.一种曝光装置，在上述基板上的至少一部分形成液浸区域，通过形成上述液浸区域的液体与投影光学系将图形的像投影到基板上，对上述基板进行曝光；其特征在于：具有基板保持构件、可动构件、输送机构、及液体除去机构；
该基板保持构件保持上述基板，并具有以围住上述基板的方式形成的侧壁部分；
该可动构件可卸下地设置上述基板保持构件，并对上述基板保持构件进行支承，且可相对上述投影光学系进行2维移动；
该输送机构在保持上述基板的状态下输送从上述可动构件卸下的上述基板保持构件；
该液体除去机构在从上述可动构件卸下上述基板保持构件后回收上述基板保持构件的上述侧壁部分的内侧的液体的同时，除去附着于从上述基板保持构件离开的上述曝光后的上述基板的液体。
10.根据权利要求9所述的曝光装置，其特征在于：作为上述可动构件，具有第1可动构件和第2可动构件，作为上述基板保持构件，具有相对上述第1和第2可动构件都可卸下的多个基板保持构件；
在对支承于上述第1和第2可动构件中的一方的基板保持构件上的基板进行液浸曝光的过程中，卸下支承于另一方的可动构件的基板保持构件将其送出。
11.根据权利要求9或10所述的曝光装置，其特征在于：在将上述基板保持构件安装于上述可动构件后，将液体供给到上述基板上。
12.根据权利要求11所述的曝光装置，其特征在于：在上述投影光学系的投影区域的近旁从上述基板的上方将液体供给到上述基板上。
13.根据权利要求12所述的曝光装置，其特征在于：在上述投影区域的附近，还具有回收上述基板上的液体的液体回收机构。
14.一种器件制造方法，其特征在于：使用权利要求1或9所述的曝光装置。
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