CN101226220A

CN101226220A - 基准电流源电路和红外线信号处理电路

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Publication number: CN101226220A
Application number: CNA2008100031095A
Authority: CN
Inventors: 井上高广
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2007-01-16
Filing date: 2008-01-10
Publication date: 2008-07-23
Anticipated expiration: 2028-01-10
Also published as: JP4267664B2; JP2008177252A; US20080169861A1; CN101226220B; US7696810B2

Abstract

本发明的基准电流源电路(10)包括：电流源电路(1)；微调熔丝(3)；使电流源电路(1)和微调熔丝(3)连接/不连接的开关电路(2)；控制开关电路(2)的动作的“与非”电路(4)；以及将“与非”电路(4)的一个输入端子连接到GND端子的下拉电阻(R1)，“与非”电路(4)通过输入控制信号(S1)和(S2)而控制开关电路(2)的动作，同时基于“与非”电路(4)的一个输入端子的信号而控制开关电路(2)的动作，以将电流源电路(1)和微调熔丝(3)连接。由此，实现可以测定熔丝微调后的半导体集成电路的特性，而且在熔丝微调完成后，能够维持该状态而不从外部供给信号，同时不产生多余的消耗电流的基准电流源电路。

Description

基准电流源电路和红外线信号处理电路

技术领域

本发明涉及通过熔丝微调而调整半导体集成电路的特性的基准电流源电路。

背景技术

以往，对于随着半导体工艺的微细化而增大的半导体集成电路的制造偏差造成的特性偏差，为了即使在这样的情况下也可获得期望的特性，进行使用熔丝微调参照电流的熔丝微调。

图10表示用于进行熔丝微调的熔丝101和电流源电路102组成的基准电流源电路105。

当然，在基准电流源电路105中，在熔丝101断开前不能测定熔丝101断开后的半导体集成电路的状态。因此，需要用其他方法测定半导体集成电路的特性偏差，并预测熔丝101断开后的状态。

作为测定半导体集成电路的特性偏差的方法，有利用由在同一晶片内所形成的电阻和电容组成的监视器件的方法。这种方法的情况下，通过测定上述监视器件的电阻和电容的特性偏差，可以预测熔丝断开后的状态。

但是，上述方法的情况下，由于毕竟是预测，有与实际的熔丝断开后的状态产生若干误差的情况。此外，上述监视器件通常在晶片内仅形成数点，所以不能考虑晶片面内的偏差。而且，不能检测因元件失配(miss match)等造成的微妙的特性误差。因此，在使用基准电流源电路105进行熔丝微调的情况下，进行错误的熔丝微调的可能性较大，在实际进行了错误的熔丝微调的情况下，其产品会成为不合格品。

图11简略地表示在公知文献1(日本公开专利公报：特开昭61-114319号公报(公开曰：1986年6月2日))中记载的MOS模拟集成电路的结构。

在上述MOS模拟集成电路中，利用从控制电路D提供的、在将熔丝断开时其电平为H电平(高电平)的控制信号C，控制偏置电路B的MOS晶体管即开关SW，从而对模拟电路A供给偏置电压。利用该结构，在上述MOS模拟集成电路中，不断开熔丝地提供H电平的控制信号C，从而可以在熔丝断开前测定熔丝断开后的状态。

但是，根据该结构，在完成了熔丝微调而不断开熔丝的情况下，由于通过电阻Rx流过多余的电流Ix，所以发生了产生多余的消耗电流的问题。

其次，图12表示在公知文献2(日本公开专利公报：特开平3-4187号公报(公开日：1991年1月10日))中记载的熔丝微调电路。此外，表1表示上述熔丝微调电路的动作。

[表1]

Enable	控制信号D	SW1	SW2
Enable	控制信号D	SW1	SW2		011	-01	onoffoff	offonoff	通常时测试时：熔丝非断开状态测试时：熔丝断开状态

上述熔丝微调电路，如表1的测试时所示，通过使用Enable信号和控制信号D而控制开关SW1、SW2，从而可以测定已断开熔丝的情况和没有断开熔丝的情况的状态、即熔丝微调后的状态。但是，在上述结构中，开关电路需要两个，产生电路元件数增加的问题。此外，通常动作时，为了维持这种状态，而产生需要从外部始终供给Enable信号的问题。

发明内容

本发明鉴于上述问题而完成，其目的在于，实现基准电流源电路和使用它的红外线信号处理电路，基准电流源电路是用于进行熔丝微调的电路，可以测定熔丝微调后的半导体集成电路的特性，而且，在熔丝微调完成后，可以维持该状态而不从外部供给信号，同时不产生多余的消耗电流。

为了实现上述目的，本发明的基准电流源电路是进行熔丝微调的电路，包括：电流源电路；微调熔丝；开关电路，通过输入规定电平的信号而连接所述电流源电路和所述微调熔丝，同时通过输入其电平与所述规定电平不同的信号而使所述电流源电路和所述微调熔丝不连接；控制电路，具有多个输入端子，基于所述多个输入端子上输入的测试用控制信号而生成所述规定电平的信号或与所述规定电平的信号不同电平的信号，并将其输入到所述开关电路，从而控制所述开关电路的动作；以及电阻性元件，将所述控制电路的所述多个输入端子中至少一个输入端子连接到正电源端子或负电源端子，所述控制电路基于所述电阻性元件上连接的输入端子的信号而生成所述规定电平的信号，从而控制所述开关电路的动作。

根据所述结构，本发明的基准电流源电路，通过对所述控制电路输入用于测定熔丝微调后的半导体集成电路的特性的测试用控制信号而控制所述开关电路，从而可以变更所述电流源电路和所述微调熔丝之间的连接状态。由此，可以测定熔丝微调后的状态。其结果，可以进行正确的熔丝微调，所以可以提高合格品率。

此外，根据所述结构，所述基准电流源电路可以控制所述开关电路，以使所述控制电路的至少一个输入端子通过所述电阻性元件而连接到正电源端子或负电源端子，而且，使所述控制电路基于所述电阻性元件所连接的所述输入端子的信号而连接所述电流源电路和所述微调熔丝。由此，在熔丝微调完成后，可以维持该状态而不从外部供给信号。

此外，根据所述结构，在没有输入所述测试用控制信号的期间，由于在所述电阻性元件中不流过电流，所以在熔丝微调完成后，不产生多余的消耗电流。

根据以上而具有以下效果：能够实现可以测定熔丝微调后的半导体集成电路的特性，而且在熔丝微调完成后，可以维持其状态而不从外部供给信号，同时不产生多余的消耗电流的基准电流源电路。

再有，作为所述电阻性元件，可列举电阻元件或MOS晶体管。在由MOS晶体管构成的情况下，制造变得容易，可降低成本。

为了实现上述目的，本发明的红外线信号处理电路具有所述基准电流源电路，并包括利用所述基准电流源电路进行熔丝微调的电路。

根据所述结构，本发明的红外线信号处理电路具有所述基准电流源电路，并包括利用所述基准电流源电路进行熔丝微调的电路，所以具有进行正确的熔丝微调，提高合格品率的效果。

本发明的其他目的、特征以及优点，通过以下所示的记载而会十分明确。此外，本发明的好处在参照了附图的以下说明中将会更清楚。

附图说明

图1是表示一实施方式的基准电流源电路的结构的图。

图2是表示另一实施方式的基准电流源电路的结构的图。

图3是表示另一实施方式的基准电流源电路的结构的图。

图4是表示另一实施方式的基准电流源电路的结构的图。

图5是表示另一实施方式的红外线遥控接收机的结构的图。

图6(a)是表示上述红外线遥控接收机包括的光电二极管的输出的图。

图6(b)是表示上述红外线遥控接收机包括的带通滤波器电路和载波检测电路的各自输出的图。

图6(c)是表示上述红外线遥控接收机包括的积分电路的输出波形的图。

图6(d)是表示上述红外线遥控接收机的输出的图。

图7是表示上述红外线遥控接收机包括的带通滤波器电路的结构的图。

图8是表示上述带通滤波器电路包括的跨导放大器的结构的图。

图9是表示本发明其他实施方式的IrDA Control发送接收机的结构的图。

图10是表示以往技术的图，是表示基准电流源电路的结构的图。

图11是表示以往技术的图，是表示另一基准电流源电路的结构的图。

图12是表示以往技术的图，是表示另一基准电流源电路的结构的图。

具体实施方式

[实施方式1]

对于本发明的一实施方式，基于图1和图2，说明如下。

图1表示通过熔丝微调而调整半导体集成电路的特性的基准电流源电路10的结构。

基准电流源电路10包括：电流源电路1；开关电路(SW)2；微调熔丝(以下，简单记载为熔丝)3；“与非”电路4(控制电路)；以及下拉电阻R1(电阻性元件)。

开关电路2具有将电流源电路1和熔丝3进行连接/非连接的功能，由N沟道型MOS晶体管构成。上述MOS晶体管的漏极通过熔丝3，连接到未图示的半导体集成电路的内部电路，上述MOS晶体管的源极通过电流源电路1而连接到GND端子。此外，上述MOS晶体管的栅极连接到“与非”电路4的输出端子。

“与非”电路4具有控制开关电路2的动作的功能。在“与非”电路4的一个输入端子上，从外部输入控制信号S1(测试用控制信号)，在另一个输入端子上，从外部输入控制信号S2(测试用控制信号)。“与非”电路4的一个输入端子通过下拉电阻R1而连接到GND端子，被下拉到GND电平。

根据上述结构，基准电流源电路10可以测定熔丝微调后的上述半导体集成电路的特性。以下，说明其动作。

表2表示基准电流源电路10的动作。再有，表中的‘通常时’意味着熔丝微调后的半导体集成电路的通常动作状态时，‘测试时’意味着熔丝微调前的半导体集成电路的特性测定时。

[表2]

S1	S2	SW
S1	S2	SW		-11	-01	ononoff	通常时测试时：熔丝非断开状态测试时：熔丝断开状态

在测试时，如表所示，通过H电平(表中为1)的控制信号S1被输入到“与非”电路4的一个输入端子，同时H电平或L电平(低电平)(表中为0)的控制信号S2被输入到“与非”电路4的另一个输入端子，开关电路2的导通/截止受到控制。由此，可以测定熔丝微调后的、即熔丝3的断开前和断开后的半导体集成电路的特性。具体地说，通过输入L电平的控制信号S2，从“与非”电路4输出H电平(规定电平)的信号而使开关电路2导通，所以可以测定熔丝3断开前的半导体集成电路的特性。另一方面，通过输入H电平的控制信号S2，从“与非”电路4输出L电平(与规定电平不同的电平)的信号而使开关电路2截止，所以可以测定熔丝3断开后的半导体集成电路的特性。

其次，在通常时，通过不输入控制信号S1和S2，“与非”电路4的一个输入端子被下拉到GND电平，从而开关电路2始终导通。这样，在通常时，不从外部提供任何信号而将开关电路2导通，从而可以保持通常动作状态。由于在下拉电阻R1中不流过电流，所以不产生多余的消耗电流。

如以上那样，在基准电流源电路10中，可以测定还包含了晶片表面内的偏差、元件的失配等微妙的误差造成的影响的、熔丝微调后的半导体集成电路的特性。由此，可以进行正确的熔丝微调，可以提高合格品率。此外，在基准电流源电路10中，在熔丝微调完成后，可以维持其状态而不从外部供给信号，同时不产生多余的消耗电流。

[实施方式2]

对于本发明的另一实施方式，基于图2说明如下。再有，附加了与上述实施方式1中使用过的标号相同的标号的部件和信号等具有相同的功能，没有改变说明。此外，这里，仅说明与基准电流源电路10不同的方面。

图2表示通过熔丝微调而调整半导体集成电路的特性的基准电流源电路10a的结构。

基准电流源电路10a与基准电流源电路10的不同方面在于，取代下拉电阻R1而包括下拉元件(电阻性元件)5。下拉元件5由N沟道型MOS晶体管构成。上述MOS晶体管的漏极连接到“与非”电路4的一个输入端子，源极连接到GND端子，栅极连接到电源端子。使上述MOS晶体管在线性区域动作。

这样，基准电流源电路10a通过由MOS晶体管构成下拉电阻R1，从而可以由MOS晶体管构成除熔丝3以外的全部结构，所以制造变得容易，可降低成本。

[实施方式3]

对于本发明的另一实施方式，基于图3和表3说明如下。再有，附加了与上述实施方式1中使用过的标号相同的标号的部件和信号等具有相同的功能，没有改变说明。

图3表示通过熔丝微调而调整半导体集成电路的特性的基准电流源电路10b的结构。

基准电流源电路10b为以下结构：在将基准电流源电路10中的电流源电路1、开关电路2、熔丝3和“与非”电路4作为一组(set)的情况下，包括了n级的这种组。上述n级的组中的各个“与非”电路4的一个输入端子分别相互地连接而被共用化，并被输入控制信号S1。在各个“与非”电路4的另一个输入端子上，各自输入控制信号S2(S2-1～S2-n)。下拉电阻R1连接到各自相互连接的各个“与非”电路4的一个输入端子，由上述n级的组共用。

上述n级的组中的各个电流源电路1的恒流值，例如被进行每2倍的加权。例如，如图所示，将左端的上述组作为第1组，将与该第1组相邻的上述组作为第2组。而且，将上述第1组中的电流源电路1的恒流值设为I1，将上述第2组中的电流源电路1的恒流值设为I2。上述第2组中的恒流值I2为I1×2的电流值。这种情况下，第n组的恒流值In为I1×2(n-1)的电流值。

如以上那样，通过基准电流源电路10b构成为包括多个输出电流分别不同的电流源电路1，可以切换使用它们，从而可以在宽范围内控制输出电流值。

下面，使用表3，说明基准电流源电路10b的动作。表3表示基准电流源电路10b的动作。再有，表中的‘通常时’意味着熔丝微调后的半导体集成电路的通常动作状态时，‘测试时’意味着熔丝微调前的半导体集成电路的特性测定时。

[表3]

S1	S2-1～S2-n	SW1～SWn		电流值
S1	S2-1～S2-n	SW1～SWn		电流值	-111	-000...0.111...1	onon/on/on.../onoff/off/off.../off	通常时测试时：熔丝非断开状态测试时：依赖于各个SW的状态测试时：熔丝断开状态	0I1×2(n-1)

在测试时，如表所示，通过H电平(表中为1)的控制信号S1被输入到各个“与非”电路4的一个输入端子，同时H电平或L电平(表中为0)的控制信号S2被输入到各个“与非”电路4的另一个输入端子，从而各个开关电路2的导通/截止受到控制。由此，可以测定熔丝微调后的、即各个熔丝3的断开前和断开后的半导体集成电路的特性。具体地说，通过输入L电平的控制信号S2，使各个开关电路2导通，所以可以测定各个熔丝3断开前的半导体集成电路的特性。另一方面，通过输入H电平的控制信号S2，使各个开关电路2截止，所以可以测定各个熔丝3断开后的半导体集成电路的特性。此外，通过输入组合了H电平和L电平的控制信号S2，可以搜寻合适的输出电流值。

其次，在通常时，通过不输入控制信号S1和S2，而将各个“与非”电路4的一个输入端子下拉到GND电平，从而使各个开关电路2始终导通。这样，在通常时，使各个开关电路2导通而不从外部提供任何信号，从而可以保持通常动作状态。此时，由于在下拉电阻R1中不流过电流，所以不产生多余的消耗电流。

如以上那样，在基准电流源电路10b中，可以测定还包含了晶片面内的偏差、元件的失配等微妙的误差造成的影响的、熔丝微调后的半导体集成电路的特性。由此，可以进行正确的熔丝微调，可以提高合格品率。此外，基准电流源电路10b可以搜寻合适的输出电流值，所以可以更正确地调整半导体集成电路的特性。此外，在基准电流源电路10b中，在熔丝微调完成后，可以维持其状态而不从外部供给信号，同时不产生多余的消耗电流。

[实施方式4]

对于本发明的另一实施方式，基于图4说明如下。

在上述各个实施方式中，开关电路2由N沟道型MOS晶体管构成，但不限于这种结构，也可以由P沟道型MOS晶体管构成。在本实施方式中，说明包括了由P沟道型MOS晶体管构成的开关电路的基准电流源电路。再有，附加了与上述实施方式1中使用过的标号相同的标号的部件和信号等具有相同的功能，没有改变说明。

图4表示通过熔丝微调而调整半导体集成电路的特性的基准电流源电路20。

基准电流源电路20包括：电流源电路1；开关电路(SW)2a；微调熔丝(以下，简单记载为熔丝)3；“或非”电路4a；以及上拉电阻R2。

开关电路2a具有将电流源电路1和熔丝3进行连接/非连接的功能。开关电路2a的MOS晶体管的漏极通过熔丝3，连接到未图示的半导体集成电路的内部电路，上述MOS晶体管的源极通过电流源电路1而连接到电源端子。此外，上述MOS晶体管的栅极连接到“或非”电路4a的输出端子。

“或非”电路4a具有控制开关电路2a的动作的功能。在“与非”电路4a的一个输入端子上，从外部输入控制信号S1，在另一个输入端子上，从外部输入控制信号S2。“或非”电路4a的一个输入端子通过上拉电阻R2而连接到电源端子，被上拉到电源电平。根据上述结构，基准电流源电路20可以测定熔丝微调后的上述半导体集成电路的特性。以下，说明其动作。

表4表示基准电流源电路20的动作。再有，表中的‘通常时’意味着熔丝微调后的半导体集成电路的通常动作状态时，‘测试时’意味着熔丝微调前的半导体集成电路的特性测定时。

[表4]

S1	S2	SW
S1	S2	SW		-00	-10	ononoff	通常时测试时：熔丝非断开状态测试时：熔丝断开状态

在测试时，如表所示，通过L电平(表中为0)的控制信号S1被输入到“或非”电路4a的一个输入端子，同时H电平或L电平(表中为0)的控制信号S2被输入到“或非”电路4a的另一个输入端子，开关电路2a的导通/截止受到控制。由此，可以测定熔丝微调后的、即熔丝3的断开前和断开后的半导体集成电路的特性。具体地说，通过输入H电平的控制信号S2，使开关电路2a导通，所以可以测定熔丝3断开前的半导体集成电路的特性。另一方面，通过输入L电平的控制信号S2，使开关电路2a截止，所以可以测定熔丝3断开后的半导体集成电路的特性。

其次，在通常时，通过不输入控制信号S1和S2，“或非”电路4a的一个输入端子被上拉到电源电平，从而开关电路2a始终导通。这样，在通常时，不从外部提供任何信号而将开关电路2a导通，从而可以保持通常动作状态。由于在上拉电阻R2中不流过电流，所以不产生多余的消耗电流。

如以上那样，在基准电流源电路20中，可以测定还包含了晶片表面内的偏差、元件的失配等微妙的误差造成的影响的、熔丝微调后的半导体集成电路的特性。由此，可以进行正确的熔丝微调，可以提高合格品率。此外，在基准电流源电路20中，在熔丝微调完成后，可以维持其状态而不从外部供给信号，同时不产生多余的消耗电流。

再有，如上述实施方式2那样，也可以由MOS晶体管构成上拉电阻R2。这种情况下，由于可以由MOS晶体管构成除了熔丝3以外的全部结构，所以制造变得容易，可降低成本。

[实施方式5]

对于本发明的另一实施方式，基于图5～图9说明如下。上述实施方式1～4中论述的基准电流源电路用于各种各样的电子电路，但这里作为其一个例子，说明用于红外线遥控接收机(传输速率为1kbps以下、空间传输距离为10m以上)和IrDA Control发送接收机(传输速率为75kbps、空间传输距离为8m)等的红外线信号处理电路的情况，更具体地说，说明用于调整在它们中包括的带通滤波器电路的中心频率的情况。

图5表示红外线遥控接收机50的结构。

红外线遥控接收机50包括：光电二极管芯片31；以及具有电流-电压变换电路32、电容器33、放大电路34、带通滤波器电路(以下，简单记载为BPF)35、载波检测电路36、积分电路37、以及迟滞比较器38的接收芯片40。图5中的输入端子IN是接收芯片40的输入端子，输出端子OUT是接收芯片40的输出端子。

红外线遥控接收机50将从未图示的红外线遥控发送机发送的遥控发送信号用光电二极管芯片31变换为电流信号Iin，并将该电流信号Iin用电流-电压变换电路32变换为电压信号。接着，将该电压信号用放大电路34进行放大，从放大后的电压信号中用BPF35取出载波频率分量。接着，从所取出的载波频率分量中用载波检测电路36检测载波，并用积分电路37对载波存在的时间进行积分。接着，通过用迟滞比较器38将积分电路37的输出与阈值电平进行比较而判别有无载波，然后进行数字输出。该数字输出Dout被传送到用于控制电子设备的微计算机等。

图6表示红外线遥控接收机50的上述各个电路的输出，图6(a)表示电流信号Iin，图6(b)表示BPF35的输出(实线)和载波检测电路36的输出(虚线)，图6(c)表示积分电路37的输出(实线)，图6(d)表示红外线遥控接收机50的数字输出Dout。再有，图6(c)中的虚线是上述阈值电平。

图7表示BPF35的具体结构。

BPF35是包括了跨导放大器GM1、GM2、衰减器ATT(衰减比1/α)、电容器C1、C2的GM-C滤波器。图中的输入端子in是BPF35的输入端子in，图中的输出端子out是BPF35的输出端子out，是跨导放大器GM2的输出端子。

跨导放大器GM1的同相输入端子连接到GND端子，反相输入端子连接到跨导放大器GM2的输出端子。跨导放大器GM1的输出端子连接到跨导放大器GM2的同相输入端子，同时通过电容器C1而连接到输入端子in。跨导放大器GM2的反相输入端子通过衰减器ATT而连接到自身的输出端子。跨导放大器GM2的输出端子通过电容器C2而连接到GND端子。

BPF35的传递函数H(s)由以下的式(1)表示。

根据基尔霍夫(Kirchhoff)法则，

gm1^*(-vo)＝s^*C1^*(v1-vin)

gm2^*(v1-(R2/(R1+R2))^*vo)＝s^*C2^*vo

消去v1时，

H(s)＝(H^*ω0/Q^*s)/(s2+ω0/Q^*s+ω02) (1)

ω0＝((gm1^*gm2)/(C1^*C2))1/2＝gm/C

Q＝α^*((C2^*gm1)/(C1^*gm2))1/2＝α

H＝α

f0＝ω0/2π＝gm/(C^*2π) (2)

其中，

vin：BPF35的输入电压

vo：BPF35的输出电压

i1：GM1的输出电流

i2：GM2的输出电流

v1：GM1的输出电压

gm1：GM1的跨导

gm2：GM2的跨导

C1：电容器C1的电容值

C2：电容器C2的电容值

R1：GM1的输出阻抗

R2：GM2的输出阻抗

ω0：固有角频率

H：增益

s：复数

f0：中心频率

gm＝gm1＝gm2

C＝C1＝C2。

从上述式(2)可知，BPF35的中心频率f0可以通过跨导放大器GM1、GM2的跨导gm1、gm2来调整。

图8表示跨导放大器GM1、GM2(总称的情况下，简单记载为GM)的具体结构。

跨导放大器GM包括：P沟道型MOS晶体管M1～M8；电流源I1～I5；以及电阻RE。

晶体管M1的源极通过电流源I1连接到电源端子，晶体管M2的源极通过电流源I2连接到电源端子。在晶体管M1的源极和电流源I1的连接点、晶体管M2的源极和电流源I2的连接点上，连接了电阻RE。在晶体管M1的漏极上，连接了晶体管M3的源极，在晶体管M2的漏极上，连接了晶体管M4的源极。晶体管M3的栅极和漏极相互连接并连接到GND端子，晶体管M4的栅极和漏极相互连接并连接到GND端子。晶体管M1的栅极是同相输入端子，晶体管M2的栅极是反相输入端子。

晶体管M5的栅极连接到晶体管M2的漏极，晶体管M6的栅极连接到晶体管M1的漏极。晶体管M5、M6的各自源极相互连接，并通过电流源I3连接到电源端子。

晶体管M7、M8构成电流镜电路，晶体管M7、M8的各自源极分别连接到电源端子。晶体管M7的漏极通过电流源I4连接到GND端子，晶体管M8的漏极通过电流源I5连接到GND端子。在晶体管M7的漏极和电流源I4的连接点上，连接了晶体管M5的漏极，在晶体管M8的漏极和电流源I5的连接点上，连接了晶体管M6的漏极。从晶体管M7的漏极和电流源I4的连接点及晶体管M8的漏极和电流源I5的连接点，取出跨导放大器GM的输出电流。

在具有这样结构的跨导放大器GM中，晶体管M1～M6在弱反转区域中进行动作。弱反转区域中的电流式如以下的式(3)来表示。

Id＝(W/L)^*Ido^*exp(Vgs/(n^*Vt)) (3)

根据上述式(3)，

gm＝Id/(n^*Vt)

re＝(n^*Vt)/Ia

ΔI＝2^*va/(RE+2re)

其中，

Id：漏极电流

W：沟道宽度

L：沟道长度

Ido：弱反转区域中的电流的参数

Vgs：栅极-源极间电压

n：亚阈值斜率系数

Vt＝k^*T/q

k：玻尔兹曼常数

T：绝对温度

q：电子的单位电荷

re：晶体管的跨导的倒数

Ia：电流源I1、I2的输出电流

RE：电阻RE的电阻值

ΔI：流过电阻RE的电流

va：GM的输入电压，va＝(va+)＝-(va-)。

根据晶体管M3～M6的线性转移环(トランスリニァル-プ)，

Vgs3+Vgs5＝Vgs4+Vgs6

iout＝(Ib/Ia)^*ΔI

gm＝iout/va

＝2^*(Ib/Ia)/(RE+2^*((n^*Vt)/Ia)) (4)

其中，

Ib：电流源I4、I5的输出电流

iout：GM的输出电流，iout＝(iout+)＝-(iout-)。

从上述式(4)可知，通过控制电流源I4、I5的输出电流值Ib，可以调整跨导gm。

从上述式(4)，BPF35的中心频率f0为

f0＝gm/(C^*2π)

＝(2^*(Ib/Ia)/(RE+2^*((n^*Vt)/Ia)))/(C^*2π) (5)。因此，通过用上述实施方式1～4所示的基准电流源电路构成电流源I4、I5来进行熔丝微调，从而控制跨导放大器GM的跨导gm，可以调整BPF35的中心频率f0。上述实施方式1～4所示的基准电流源电路可以进行正确的熔丝微调，所以合格品率提高。再有，由于红外线接收机的特性严密，能够进行更正确的熔丝微调的基准电流源电路10b是合适的。

图9表示IrDA Control发送接收机80的结构。

IrDA Contro1发送接收机80为了双向通信而包括发送单元55和接收单元75。发送单元55包括LED和其驱动电路。接收单元75是与红外线遥控接收机50同样的结构，包括：光电二极管芯片61；以及具有电流-电压变换电路62、电容器63、放大电路64、BPF65、载波检测电路66、积分电路67、以及迟滞比较器68的接收芯片70，对从发送单元传送的信号进行解调，并发送到用于控制电子设备的微计算机等。

在IrDAControl发送接收机80中，也与上述红外线遥控接收机50同样，可以调整BPF65的中心频率。此外，由于上述实施方式1～4所示的基准电流源电路可以进行正确的熔丝微调，所以合格品率提高。

此外，各个实施方式的基准电流源电路也可以构成为包括输出电流各自不同的多个电流源电路，可以切换使用上述多个电流源电路。

根据上述结构，上述基准电流源电路可以切换使用输出电流各自不同的多个电流源电路，所以可以在宽范围内控制上述基准电流源电路的输出电流值。此外，由于可以搜寻合适的输出电流值，所以可以更正确地调整半导体集成电路的特性。

在发明的详细说明事项中形成的具体的实施方式或实施例，毕竟是使本发明的技术内容清楚的实施方式或实施例，不应该限定于这样的具体例而被狭义地解释，在本发明的精神和权利要求的范围内，可以各种各样地变更而进行实施。

Claims

1.一种基准电流源电路，用于进行熔丝微调，其特征在于，包括：

电流源电路；

微调熔丝；

开关电路，通过输入规定电平的信号而连接所述电流源电路和所述微调熔丝，同时通过输入其电平与所述规定电平不同的信号而使所述电流源电路和所述微调熔丝不连接；

控制电路，具有多个输入端子，基于所述多个输入端子上输入的测试用控制信号而生成所述规定电平的信号或与所述规定电平的信号不同电平的信号，并将其输入到所述开关电路，从而控制所述开关电路的动作；以及

电阻性元件，将所述控制电路的所述多个输入端子中至少一个输入端子连接到正电源端子或负电源端子，

所述控制电路基于所述电阻性元件上连接的输入端子的信号而生成所述规定电平的信号，从而控制所述开关电路的动作。

2.如权利要求1所述的基准电流源电路，其特征在于，

包括输出电流各自不同的多个电流源电路，

构成为能够切换使用所述多个电流源电路。

3.一种红外线信号处理电路，其特征在于，具有权利要求1或2所述的基准电流源电路，并包括通过所述基准电流源电路进行熔丝微调的电路。