CN101257096B - 有机el装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种有机EL装置,包括:形成有多个电子元件的基底、对所述多个电子元件相互进行划分的堤壁、在所述多个电子元件上形成的第一阻挡层、在所述第一阻挡层上形成的树脂层、在所述树脂层上形成的第二阻挡层、在所述基底与所述多个电子元件之间形成的夹层绝缘层,其中,每个所述电子元件具有:第一电极、第二电极、夹持于所述第一电极与所述第二电极之间且具有发光层的功能层有源层,所述第一阻挡层的端部位于所述堤壁的最外围的外侧,并且与所述夹层绝缘层接触,至少在所述第一阻挡层与所述夹层绝缘层接触的位置,所述第二阻挡层与所述第一阻挡层接触。

Description

有机EL装置
本申请是申请日为2003年1月15日、申请号为03800674.X、发明名称为“具有阻挡隔膜的电子元件、显示装置、电子设备密封结构及制作电子元件的方法”的发明专利申请的分案申请。 
技术领域
本发明涉及一种用于诸如显示元件、半导体电路元件等电子元件部分的密封结构,更确切地说,本发明涉及一种具有阻挡隔膜的显示装置、电子设备和电子元件部分密封结构及制作电子元件的方法。特别地,在本发明中的描述尤其适用于作为优选应用实例例的有机EL显示装置;但本发明并不限于有机EL显示装置。 
背景技术
近年来,包含有多个显示元件的彩色显示装置得到了发展,其中每一个显示元件包括一对电极和夹在这对电极之间的诸如空穴注入层/迁移层、发光层等有源层,特别是其中将有机发光材料用作发光层的有机EL(电致发光)显示装置有了很大发展。有机EL显示装置包括形成于由例如玻璃、塑料等制成的基底上的有源矩阵电路、以矩阵模式形成在有源矩阵电路上的电子元件部分以及用于覆盖和密封电子元件部分的“密封壳”。 
该盒状“密封壳”由玻璃、金属等制成。构造这种使用“密封壳”的密封结构,利用粘合剂将“密封壳”与基底外围粘接,同时将显示元件包含在其中。“密封壳”还以密封形式包含了诸如氮气、氩气之类的惰性气体以及用于吸收水和氧气的吸气物质,这样可以避免水和氧气渗入显示元件中并避免损坏发光层。 
常规的显示装置的整体厚度一般为2到5毫米,其中“密封壳”占了至少大约1.5毫米。由于必须将显示元件容纳于“密封壳”中而不与壳接 触,而且必须在“密封壳”中提供足够的空间用于容纳吸气物质,随着显示元件尺寸的增大,则必须增大密封结构的厚度以保证足够的强度。 
此外,由于是使用粘合剂将“密封壳”与基底粘接在一起,而沿着基底的外围使用粘合剂要占用一定的区域,结果是,相对整个显示装置的范围而言,减小了的其中放置显示元件的用于显示的区域范围,由此遇到的问题是,当将显示装置用于诸如便携式电话之类的电子设备显示部分时,显示装置的外型设计受到了限制。此外,由于粘合剂可能会扩展,所以将只得在用来放置粘合剂的区域和用于显示的区域之间留出允许的空间,这又在传统显示装置中导致了另一个问题,即不能减小由可允许空间形成的所谓框架区和粘合剂所占的区域。此外,如果为了增大用于显示的空间而减小用于使用粘合剂的区域大小,可能会使显示装置抵御水和氧气的阻挡特性退化,结果可能会破坏发光层(即可能会减小发光层的操作有效性)。 
此外,由于可能没有将粘合剂统一地用于基底,或者粘合剂没有充分地作用,则不能以希望的方式限定用于使用粘合剂的区域和用于显示的区域,而且显示装置的阻挡特性会根据位置而变化,这进一步导致了显示装置可靠性退化的问题。 
此外,当使用这种“密封壳”结构时,因为构成“密封壳”的吸气物质或材料不允许显示光通过,所以不可能生产顶部发光型显示装置,与常规装置相比,这种装置从反方向发射显示光,这样可以获取更高的孔径比。 
发明内容
基于上述情况,本发明的目的是提供一种带有阻挡隔膜的显示装置密封结构,利用该结构可以减少显示装置的厚度,同时保证足够的抵御水和氧气阻挡特性以避免发光层的损坏,并提供一种具有使用了这种密封结构的显示装置的电子设备,并提供一种制作这种显示装置的方法。 
为了实现上述目的,本发明使用了如下的构造。 
根据本发明,一种带有阻挡隔膜的用于在基底上形成或安装的电子元件部分的密封结构包括:沉积于电子元件部分上的多层的密封隔膜,由覆盖至少一个平化树脂层和至少一个阻挡层构成;在基底上形成的闭环阻断 区以围绕整个电子元件部分或部分电子元件部分,同时还围绕平化树脂层。 
最好是将平化层中距离基底最近的平化树脂层设置在紧邻基底中没有形成电子元件部分的区域。 
更确切地说,电子元件部分为EL(电致发光)显示元件、半导体电路元件或其它形成于基底上的电路及类似元件。 
根据上述带有阻挡隔膜的用于电子元件部分的密封结构,由于覆盖至少一个平化树脂层和至少一个阻挡层形成的多层的密封隔膜密封了该电子元件部分,所以可以使该多层的密封隔膜比常规密封结构中使用的“密封壳”更薄;因此,与常规密封结构的情况相比,可以减小密封结构的整体厚度。 
此外,由于形成了平化树脂层,可以使形成于平化树脂层上的阻挡层变平,结果提供了带有薄隔膜并具有足够阻挡特性的密封结构,即可以避免阻挡层中的破裂和针孔以及阻挡层厚度的不均匀,这样就提供了具有高可靠性和长操作寿命的密封结构。 
此外,由于该平化树脂层形成于阻断区内部,利用阻断区可以限定形成平化树脂层的区域;因此利用阻断区的位置可以调整所谓框架区的范围。结果,可以使该框架区域窄于常规密封结构中的框架区以增大显示区的大小。通过限定形成平化树脂层的区域,可以减小依赖于位置的阻挡特性变化并提高了密封的可靠性。此外,如图21所示,在用于同时制作多个显示元件的母基底制作步骤中以及将母基底分成独立显示元件的步骤中,当制作多个显示元件时,可以避免将密封隔膜沉积到沿着此区域母基底被切开的区域,结果能够避免由于诸如在切割操作中密封隔膜从基底上脱落之类问题对密封隔膜的破坏导致的阻挡特性退化。 
此外,如果将平化层中距离基底最近的平化树脂层放置在紧邻没有形成电子元件部分的基底区域,可以增大基底和多层的密封隔膜之间的接触,由此可以进一步提高电子元件部分抵御水和氧气的阻挡特性。 
在根据本发明带有阻挡隔膜的用于电子元件部分的密封结构中,可以形成阻挡层以使其延伸到阻断区之外。 
根据上述带有阻挡隔膜的用于电子元件部分的密封结构,由于形成阻挡层以使其延伸到阻断区之外,可以确保形成阻挡层的宽阔区域,由此可以进一步提高多层的密封隔膜的阻挡性质,并更有效地避免水、氧气及类似渗入电子元件部分内。 
根据本发明带有阻挡隔膜的用于电子元件部分的密封结构进一步包括置于主阻断区之外的另一个阻断区或另外多个阻断区。 
根据上述带有阻挡隔膜的用于电子元件部分的密封结构,由于形成了包括置于主阻断区之外的另一个阻断区或另外多个阻断区的多个阻断区,即使在平化树脂层厚的情况下,仍然可以可靠地阻断该平化树脂层,由此可以进一步提高多层的密封隔膜的阻挡特性。结果利用交替地沉积平化树脂层和阻挡层,可以容易地形成多层的密封隔膜,这样可以进一步提高抵御水、氧气及类似的阻挡特性。 
根据本发明带有阻挡隔膜的用于电子元件部分的密封结构可以包括多个平化树脂层,且每一个平化树脂层形成于阻断区之一的内部。 
根据上述带有阻挡隔膜的用于电子元件部分的密封结构,由于在阻断区之一的内部形成多个平化树脂层中的每一个,所以即使在使用了多个平化树脂层的情况下,阻断区也可以可靠地阻断这些平化树脂层。 
根据本发明带有阻挡隔膜的用于电子元件部分的密封结构可以包括多个阻挡层,且使形成的每一个阻挡层都延伸到每一阻断区的之外。 
根据上述带有阻挡隔膜的用于电子元件部分的密封结构,由于形成的每一个阻挡层都使其延伸到每一阻断区的之外,所以可以确保用于每一个阻挡层的宽阔区域,由此可以进一步提高多层的密封隔膜的阻挡性质,并更有效地避免水、氧气及类似渗入电子元件部分。 
在根据本发明带有阻挡隔膜的用于电子元件部分的密封结构中,可以利用有机材料制成且表面具有液体排斥性的外围堤壁层形成阻断区。 
根据上述带有阻挡隔膜的用于电子元件部分的密封结构,由于表面具有液体排斥性的外围堤壁区形成了阻断区,平化树脂层不能流到该阻断区之外,由此提高了密封结构的可靠性。 
在根据本发明的带有阻挡隔膜的用于电子元件部分的密封结构中,利 用延伸在基底上的闭环液体排斥区形成阻断区。 
根据上述带有阻挡隔膜的用于电子元件部分的密封结构,由于阻断区为形成于基底上的闭环液体排斥区,平化树脂层不能流到该阻断区之外,由此提高了密封结构的可靠性。 
在根据本发明的带有阻挡隔膜的用于电子元件部分的密封结构中,至少在基底上的阻断区之内形成液体亲和性处理的隔膜。 
根据上述带有阻挡隔膜的用于电子元件部分的密封结构,由于在基底上阻断区内形成了液体亲和性处理隔膜,能够提高沉积于液体亲和性处理隔膜上的平化树脂层和基底之间的粘附力,也提高了阻挡特性。 
在根据本发明的带有阻挡隔膜的用于电子元件部分的密封结构中,利用处理部分液体亲和性处理的隔膜以使其具有液体排斥性而形成液体排斥区域。 
根据上述带有阻挡隔膜的用于电子元件部分的密封结构,由于利用处理部分液体亲和性处理的隔膜以使其具有液体排斥性而形成液体排斥区域,可以容易地使液体排斥区位于预定位置,由此提高了密封结构的可靠性。 
另外,一种根据本发明的显示装置包括:形成于或安装于基底上的显示元件、在基底上形成的闭环阻断区以使其围绕整个电子元件或该电子元件的部分,以及通过将至少一个平化树脂层和至少一个阻挡层沉积于显示元件上形成的多层密封结构,其中该平化树脂层形成于阻断区之内。 
根据上述显示装置,由于通过沉积至少一个平化树脂层和至少一个阻挡层形成的多层密封结构将显示元件密封,可以使制作的该多层的密封隔膜比常规密封结构中使用的“密封壳”更薄。所以,与常规显示元件的情况相比,可以减少显示元件的整体厚度。 
此外,由于形成了平化树脂层,可以使形成于平化树脂层上的阻挡层变平,结果提供了具有足够阻挡特性的密封结构,即可以避免其中阻挡层的破裂和针孔。 
此外,由于该平化树脂层形成于阻断区内部,利用阻断区可以限定形成平化树脂层的区域;因此利用阻断区的位置可以调整所谓框架区的范 围。结果,可以使该框架区域窄于常规密封结构中的框架区域,增大了显示区的大小。通过限定形成平化树脂层的区域,可以减小依赖于位置的阻挡特性变化并提高了密封的可靠性。 
此外,如果将平化层中距离基底最近的平化树脂层放置在紧邻没有形成电子元件部分的基底区域,可以增大基底和多层的密封隔膜之间的接触,由此可以进一步提高电子元件部分抵御水和氧气的阻挡特性。 
在根据本发明的显示装置中,可以形成阻挡层以使其延伸到阻断区之外。 
根据上述显示装置,由于形成阻挡层以使其延伸到阻断区之外,可以提供具有较宽阔区域的阻挡层,由此可以进一步提高多层的密封隔膜的阻挡性质,并更有效地避免水、氧气及类似渗入电子元件部分内。 
根据本发明的显示装置进一步包括置于主阻断区之外的另一个阻断区或另外多个阻断区。 
根据上述显示装置,由于形成了包括置于主阻断区之外的另一个阻断区或另外多个阻断区阻断,所以即使在平化树脂层做得比较厚的情况下,仍然可以可靠地阻断该平化树脂层,由此可以进一步提高多层的密封隔膜的阻挡特性。结果利用交替地沉积平化树脂层和阻挡层,可以容易地形成多层的密封隔膜,进一步提高抵御水、氧气之类的阻挡特性。 
根据本发明的显示装置可以包括多个平化树脂层,且每一个平化树脂层形成于阻断区之一的内部。 
根据上述显示装置,由于在阻断区之一的内部形成多个平化树脂层中的每一个,所以即使在使用了多个平化树脂层的情况下,阻断区也可以可靠地阻断这些平化树脂层,由此进一步提高了多层的密封隔膜的阻挡特性。 
根据本发明的显示装置可以包括多个阻挡层,且形成每一个阻挡层以使其延伸到每一阻断区的之外。 
根据上述显示装置,由于形成的每一个阻挡层都延伸到每一阻断区的之外,可以确保用于每一个阻挡层的宽阔区域,由此可以进一步提高多层的密封隔膜的阻挡性质,并更有效地避免水、氧气及类似渗入电子元件部 分内。 
在根据本发明的显示装置中,可以利用由有机材料制成且表面具有液体排斥性的外围堤壁层形成阻断区。 
根据上述显示装置,由于利用表面具有液体排斥性的外围堤壁区形成了阻断区,平化树脂层不能流到该阻断区之外,由此提高了密封结构的可靠性。 
在根据本发明的显示装置中,利用延伸在基底上的闭环液体排斥区形成阻断区。 
根据上述显示装置,由于阻断区为形成于基底上的闭环液体排斥区,平化树脂层不能流到该阻断区之外,由此提高了密封结构的可靠性。 
在根据本发明的显示装置中,至少在基底上的阻断区之内形成液体亲和性处理的隔膜。 
根据上述显示装置,由于在基底上阻断区内侧形成了液体亲和性处理隔膜,能够提高沉积于液体亲和性处理隔膜上的平化树脂层和基底之间的粘附力,也提高了阻挡特性。 
在根据本发明的显示装置中,利用处理部分液体亲和性处理的隔膜以使其具有液体排斥性而形成液体排斥区域。 
根据上述显示装置,由于利用处理部分液体亲和性处理的隔膜以使其具有液体排斥性而形成液体排斥区域,可以容易地使液体排斥区位于预定位置,由此提高了密封结构的可靠性。 
在根据本发明的显示装置中,显示元件最好包括多个由堤壁限定的发光元件,且每一个发光元件包括电极、紧邻电极的有源层以及与紧邻有源层的反向电极。 
根据本发明的显示装置进一步包括用于驱动显示元件的驱动电路,且该驱动电路被至少一个平化树脂层和至少一个阻挡层封装。 
根据上述显示装置,由于该驱动电路被至少一个平化树脂层和至少一个阻挡层封装,可以避免水、氧气或类似渗入驱动电路内,由此进一步提高了显示元件的可靠性。 
根据本发明,一种电子设备包括根据本发明的显示装置其中之一。 
根据上述电子设备,由于该电子设备包括根据本发明的显示装置其中之一,可以使电子设备的整体厚度更薄,同时保证抵御水、氧气及类似渗入的可靠性。 
另外,根据本发明,一种用于制作一种电子元件部分的方法包括步骤:提供一个基底;在基底上形成闭环阻断区;在阻断区内部涂上一层包含树脂单体或树脂低聚体的树脂涂层物质;在涂层之后使树脂涂层物质聚合以形成平化树脂层;以及形成阻挡层以覆盖至少平化树脂层和阻断区。 
该电子元件部分可以为EL(电致发光)显示元件、半导体电路元件或各种形成于基底上的各种电路。 
根据上述用于制作电子元件部分的方法,由于闭环阻断区形成于基底上,而将树脂涂层物质涂于阻断区内部,所以阻断区限制了树脂涂层物质的流动,由此可以自由地确定密封区域并制作出实质上在基底的任意位置阻挡特性均一致的电子元件部分。 
此外,由于在形成平化树脂层之后形成阻挡层,可以避免阻挡层的破裂和针孔,由此提高抵御水和氧气的阻挡特性。 
根据本发明,在用于制作电子元件部分的方法中,在多个时刻交替重复进行形成平化树脂层的步骤和形成阻挡层的步骤以形成平化树脂层和阻挡层交替覆盖的多层的密封隔膜。 
根据上述制作电子元件部分的方法,由于可以利用考虑到彼此而校准被交替沉积的平化树脂层和阻挡层边缘的方式形成多层的密封隔膜的边缘,可以提高多层的密封隔膜抵御水和氧气的防渗入性能,并制作出具有足够阻挡特性的电子元件部分。 
附图说明
图1所示为根据本发明第一实施例的显示装置布线结构平面示意图; 
图2所示为根据本发明第一实施例显示装置的平面示意图; 
图3所示为沿着图2中直线A-A’的横截面图; 
图4所示为沿着图2中直线B-B’的横截面图; 
图5所示为用于制作根据本发明第一实施例显示装置方法的流程图; 
图6所示为另一个用于制作根据本发明第一实施例显示装置方法的流程图; 
图7所示为另一个用于制作根据本发明第一实施例显示装置方法的流程图; 
图8所示为另一个用于制作根据本发明第一实施例显示装置方法的流程图; 
图9所示为另一个用于制作根据本发明第一实施例显示装置方法的流程图; 
图10所示为另一个用于制作根据本发明第一实施例显示装置方法的流程图; 
图11所示为另一个用于制作根据本发明第一实施例显示装置方法的流程图; 
图12所示为另一个用于制作根据本发明第一实施例显示装置方法的流程图; 
图13所示为根据本发明第二实施例显示装置中密封结构主要部分的横截面图; 
图14A和14B分别表示了一种用于制作根据本发明第二实施例显示装置的方法的流程图; 
图15A、15B和15C分别表示了一种用于制作根据本发明第二实施例显示装置的方法的流程图; 
图16所示为根据本发明第三实施例显示装置中密封结构主要部分的横截面图; 
图17所示为根据本发明第四实施例显示装置的平面图; 
图18所示为沿着图17中直线A-A’的横截面图; 
图19所示为沿着图17中直线B-B’的横截面图; 
图20A、20B和20C分别表示了根据本发明第五实施例的电子设备的透视图; 
图21所示为应用树脂涂层物质时使用的掩膜和母基底之间的位置关 系平面图。 
具体实施方式
第一实施例 
参照附图,下面将对作为本发明第一实施例例子进行说明,其中将一种用于有机EL显示装置(一种显示装置)的显示元件应用于电子元件部分。本实施例仅为本发明的一个例子,且本发明并不限于此实施例,在本发明的范围内可以进行各种修改。在参考的附图中,为了便于理解图中的不同层和每一单元,为不同层和不同单元设置了不同的尺度因数。 
图1所示为一种根据本发明第一实施例的显示装置(有机EL显示装置)布线结构平面示意图。图1中所示的显示装置1为有源矩阵类型的有机EL显示装置,其中的薄膜晶体管(TFT)用作直接驱动单元。 
图1所示的显示装置1包括扫描线101、垂直于扫描线101延伸的信号线102、与信号线102延伸平行的发光源线103以及象素A,每一个象素由每一个扫描线101和信号线102交叉点附近给出。 
包括移位寄存器、电平移位器以及视频线的数据侧驱动电路104与每一信号线102相连。包括移位寄存器和电平移位器的扫描线驱动电路105与每一扫描线101相连。 
此外,对于每一个象素A,均提供了经扫描线向其栅电极提供扫描信号的开关TFT142;用于保持信号线102经开关TFT142提供的图像信号的保持电容器Cap;向其栅极提供保持电容器Cap保持的图像信号的电流TFT123;象素电极111(第一电极),当该象素电极111与发光源线103电连接时,驱动电流从发光源线103加入该电极;夹于象素电极111和阴极电极12(第二电极)之间的有源层110。阴极电极12与阴极源电路131相连。 
此外,有源层110包括包含有空穴注入/传输层和紧邻空穴注入/传输层形成于的有机电致发光层的发光层。该发光层包括三种类型的发光层,即以条状模式排列的发射红光的发光层110R、发射绿光的发光层110G以及发射蓝光的发光层110B。 
此外,分别经电流TFT123与发光层110R、110G和110B相连的发光源线103R、103G和103B与发光源电路132相连。由于可以根据颜色设置不同的驱动电压,即根据发光层110R、110G和110B,则可以分别向发光源线103R、103G和103B提供颜色。 
在显示装置1中,当扫描线101的驱动打开开关TFT142时,同时将信号线102中的电势保持在保持电容器Cap中,且根据保持电容器Cap的状态,电流TFT123为开或关。驱动电流从发光源线103R、103G和103B经电流TFT123的沟道区流向象素电极111,且电流经发光层110R、110G和110B流向阴极电极(第二电极)。每一有源层110发射由流经其中的电流大小确定的光。 
随后将参照图2至图4对根据本实施例显示装置的指定结构进行说明。图2所示为根据本实施例显示装置的平面示意图,图3为沿着图2中直线A-A’的横截面图,且图4为沿着图2中直线B-B’的横截面图。 
如图2、3及4所示,在根据本实施例的显示装置1中,在由玻璃、塑料及类似材料制成的透明基底上提供了其中与电流TFT(图中未示出)相连的象素电极(电极)被排列为矩阵模式的显示部分11a和放置于显示部分11a四周的非显示部分11b。非显示部分11b包括分别与象素电极相连的发光源线103(103R、103G和103B)和扫描驱动电路105。在显示部分11a中,提供了具有在平面图中实质上为矩形的显示元件部分3(电子元件部分)。 
如图2所示,非显示部分11b提供的发光源线103R、103G和103B从基底的底部沿着扫描线驱动电路105向基底顶部延伸,如图2所示,在扫描线驱动电路的末端向左转,沿着显示元件部分3延伸并与显示元件部分3提供的象素电极(图中未示出)相连。 
此外,如图2和4所示,将基材由聚酰亚胺或聚酯制成的弹性带130与基底2的一端粘附在一起,该弹性带上捆有控制IC130a。该控制IC130a在这里包括如图1所示的数据侧驱动电路104、阴极源电路131以及发光源电路132。在弹性带130上提供了多个从控制IC130a引出的外接线端130b,且这些外接线端沿着弹性带130的一侧排列。 
随后如图3和4所示,在基底2上形成了电路部分11,且显示元件部分3形成于电路部分11上。显示部分11a位于电路部分11的正中。在显示部分11a中包含的部分电路部分11中,提供了电流TFT123以及与电流TFT123相连的象素电极111。将电流TFT123嵌入基底保护层281、第二夹层绝缘层283和第一夹层绝缘层284之间。在第一夹层绝缘层284上形成象素电极。在电路部分11中,还提供了保持电容器Cap和开关TFT142;不过在图3和4中未示出。 
在象素电极111之间提供了堤壁112。堤壁112包括形成于第一夹层绝缘层284之上的无机堤壁层112a和形成于无机堤壁层112a之上的有机堤壁层112b。形成无机堤壁层112a以使其不仅覆盖了显示部分11a,还实质上覆盖了非显示部分。使无机堤壁层112a的表面具有液体亲和性,而另一方面使有机堤壁层112b的表面具有液体排斥性。此外,在每一象素电极111上形成了有源层110,且阴极电极12形成于有源层110和有机堤壁层112b之上。形成无机堤壁层112a和有机堤壁层112b以使其部分地覆盖象素电极111,更具体地,与有机堤壁层112b相比,无机堤壁层112a向象素电极111的中部延伸地更近一些。注意到在无机堤壁层112a和有机堤壁层112b之间提供有阴影层。 
有机堤壁层112b由诸如丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂之类普通抗蚀剂制成。最好是将有机堤壁层112b的厚度设为0.1至3.5微米,尤其是设为2微米。如果其厚度小于0.1微米,则有机堤壁层112b的厚度可能会小于空穴注入/传输层和发光层的总厚度,结果液体状态的发光层会溢到上部开口112d之外,这是不应该的。另一方面,如果其厚度大于3.5微米,上部开口112d引起的梯级会过大,结果不能够充分地保证形成于有机堤壁层112b上的阴极电极12的梯级范围,这也是不应该的。将有机堤壁层112b的厚度设为大于2微米更为恰当,这是因为这样可以加强阴极电极12和象素电极111之间的电绝缘性能。 
在堤壁112四周上提供了具有液体亲和性和液体排斥性的部分。具有液体亲和性的部分包括无机堤壁层112a和象素电极111,以氧气为反应气体,利用等离子体处理将诸如羟基之类液体亲和基渗透到该液体亲和性部 分中。具有液体排斥性的部分包括无机堤壁层112b,以四氟化甲烷为反应气体,利用等离子体处理将诸如氟之类液体排斥基渗透到该液体排斥性部分中。 
如图3和4所示,有源层110分别位于象素电极111之上。在象素电极111之间和有源层110之间分别提供了堤壁112以分开有源层110。每一有源层110均包括沉积于象素电极111之上的空穴注入/传输层(图中未示出)和紧邻空穴注入/传输层形成的发光层(图中未示出)。在发光层中,将从空穴注入/传输层注入的空穴和阴极电极发射的电子相结合以发出亮光。发光层包括三种类型的发光层,即例如以条状模式排列的发射红光的发光层110R、发射绿光的发光层110G以及发射蓝光的发光层110B。注意到不必将发光层排列为条状模式,但必须排列为镶嵌模式或三角模式。 
阴极12包括由氟化锂或钙分层产品制成的第一阴极层12b和由Al(铝)、Ag(银)或Mg/Ag(镁/银)分层产品制成的第二阴极层12c。仅在有机堤壁层112b上提供第一阴极层12b,而另一方面,第二阴极层12c形成于有机堤壁层112b以及非显示部分11b之上,并与阴极线12a相连。作为象素电极111反向电极的阴极电极12用于实现向有源层110供电的功能。 
随后,如图2和3所示,在位于显示元件部分3任意一侧的非显示部分提供了扫描驱动电路105。该扫描驱动电路105包括构成移位寄存器中反相器的N-沟道类型或P-沟道类型TFT105c。实质上除了没有与象素电极111相连之外,该TFT105c与电流TFT123具有相同结构。 
如图3所示,在位于扫描驱动电路附近的部分基底保护层281上形成了扫描电路信号线105a。此外,在位于扫描电路信号线105a附近的部分第二夹层绝缘层283上提供了扫描电路信号线105b。 
此外,如图3所示,在扫描电路信号线105b附近提供了发光源线103R、103G和103B。 
此外,如图3所示,与阴极电极12相连的阴极线12a形成于位于表面上与发光源线103R、103G和103B相对的部分非显示部分11b之上。在 平面图中该阴极线实质上为U型以使其围绕发光源线103R、103G和103B。 
随后,将对本实施例用于显示装置1的密封结构进行说明。 
如图2、3和4所示,在基底2上形成了围绕显示元件部分3的闭环外围堤壁层14a(阻断区)。如图3和4所示,多层的密封隔膜沉积于显示元件部分3之上。该多层的密封隔膜由交替沉积的两个平化树脂层14c(即14c1和14c2)和两个阻挡层14d(14d1和14d2)形成。平化树脂层14c1和14c2形成于闭环外围堤壁层14a之内,同时被外围堤壁层14a阻断。阻挡层14d1和14d2形成于平化树脂层14c1和14c2之上(在外围堤壁层14a之内),且其边缘部分(即14e1和14e2)延伸到外围堤壁层14a上。可以自由地选择平化树脂层14c和阻挡层14d的数目为一个或更多;不过优选为两个或四个。 
将外围堤壁层14a的厚度设为1至3微米,且与有机堤壁层112b的情况相同,使外围堤壁层14a的表面具有液体排斥性。 
平化树脂层14c由例如聚丙烯酸树脂或类似材料制成。利用填充非显示部分11b和显示部分11a之间(即在非显示部分11b上形成的无机堤壁层112a和显示元件部分3之间)的梯级(例如1至3微米)形成平化树脂层14c以使显示装置的表面变平,并使其具有使形成于平化树脂层14c上阻挡层14d的梯级范围尽可能小的功能,这样可以避免阻挡层14d的破裂和针孔以及阻挡层14d厚度的不均匀。阻挡层14d由诸如SiO2之类无机隔膜制成,且抵御水和氧气的性能优良。多层的密封隔膜由覆盖平化树脂层14c和阻挡层14d形成,且具有通过抑制水、氧气、杂质离子及类似物渗入到显示元件部分3中而避免阴极电极12和有源层110退化的功能。 
下面将更具体地对该密封结构进行说明。如图3和4所示,在平化树脂层14c中最低的平化树脂层14c1形成于非显示部分11b中无机堤壁层112a和显示元件部分3之上,同时被外围堤壁层14a的内侧阻断。形成的平化树脂层14c1比外围堤壁层14a薄。由于无机堤壁层112a的表面具有液体亲和性,所以很容易将由聚丙烯酸树脂或制成的平化树脂层14c1置于无机堤壁层112a之上,这样能够充分保证无机堤壁层112a和平化树脂 层14c1之间的粘附力。另一方面,由于外围堤壁层14a的表面具有液体排斥性,外围堤壁层14a不会接受平化树脂层14c1,结果外围堤壁层14a可靠地阻断了平化树脂层14c1。 
随后,阻挡层14d1形成于平化树脂层14c1之上。形成阻挡层14d1以使其覆盖外围堤壁层14a并从外围堤壁层14a上延伸到外围堤壁层14a之外,这样阻挡层14d1的边缘部分14e1位于第一夹层绝缘层284。在外围堤壁层14a附近,由于平化树脂层14c1和外围堤壁层14a之间厚度的差异形成了梯级14f。阻挡层14d1从梯级14f上延伸到外围堤壁层14a之外。 
此外,另一个平化树脂层14c2形成于阻挡层14d1之上。外围堤壁层14a的平化树脂层14c1之间的梯级14f阻断了同时被置于外围堤壁层14a内部的平化树脂层14c2。如图3和4所示,在此实施例中实质上将平化树脂层14c2上表面的水平设为与外围堤壁层14a上表面的水平一致;不过,平化树脂层14c2上表面的水平可以低于外围堤壁层14a上表面的水平。 
此外,另一个阻挡层14d2形成于平化树脂层14c2之上。与阻挡层14d1的情况相同,形成阻挡层14d2使其盖住外围堤壁层14a并从外围堤壁层14a上延伸到外围堤壁层14a之外,这样阻挡层14d2的边缘部分14e2位于第一夹层绝缘层284。由于外围堤壁层14a的内表面阻断了阻挡层14d2下面的平化树脂层14c1,则在外围堤壁层14a之外阻挡层14d1和14d2直接彼此接触。 
如上所述,外围堤壁层14a由具有抗热性和抗溶解性的抗蚀剂制成,诸如丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂及类似材料并具有液体排斥性。最好是将外围堤壁层14a的厚度设为0.1至3.5微米,尤其是设为2微米。如果其厚度小于0.1微米,不能阻断平化树脂层14c,这是不应该的。另一方面,如果其厚度大于3.5微米,由于断面型比例过大导致制作变得不稳定,这也是不应该的。 
平化树脂层14c1和14c2均由丙烯酸树脂制成。最好是将平化树脂层14c1和14c2的厚度设为0.05至3微米,尤其是将其设为近似0.1到1微米。如果其厚度小于0.05微米,则会使其平展性退化,这是不应该的。 另一方面,如果其厚度大于3微米,会将该平化树脂层14c沉积到外围堤壁层14a,这也是不应该的。彼此考虑,可以将平化树脂层14c1和14c2的厚度设为相同或不同。 
此外,阻挡层14d1和14d2由SiO2、Al2O3及类似物质制成。最好是将阻挡层14d1和14d2的厚度设为5至500纳米,尤其是将其设为近似30到300纳米。如果其厚度小于5纳米,则不能避免水和氧气的渗入,这是不应该的。另一方面,如果其厚度大于500纳米,由于热压力或机械压力,会很容易使阻挡层14d1和14d2破裂,这也是不应该的。彼此考虑,可以将阻挡层14d1和14d2的厚度设为相同或不同 
通过使用上述构造,可以将多层密封隔膜14b的厚度设为1至3微米。此外,可以将显示装置中密封结构和上述第一夹层绝缘层284的厚度设为1至3微米。 
通过使用上述密封结构,可以形成薄多层密封隔膜14b,这样与使用常规“密封壳”的显示装置相比,可以极大地减小显示装置1的整个厚度。由于提供了平化树脂层14c,可以使形成于平化树脂层14c上的阻挡层14d变平,结果避免了阻挡层14d上的破裂和针孔,由此可以提供具有优异阻挡特性的密封隔膜。 
此外,由于平化树脂层14c形成于外围堤壁层14a内部,利用外围堤壁层14a可以限定形成平化树脂层14c的区域;因此利用外围堤壁层14a的位置可以调整所谓框架区的范围。结果,可以使该框架区域窄于常规密封结构中的框架区域,增大了显示部分11a的大小。通过限定形成平化树脂层14c的区域,可以减小依赖于位置的阻挡特性变化并提高了密封的可靠性。 
此外,如果将平化层中距离基底2最近的平化树脂层14c1放置在紧邻基底2的没有形成显示元件部分3的非显示部分11b,可以增大基底2和多层的密封隔膜14b之间的接触,由此可以进一步提高隔膜边界抵御水和氧气的电子元件部分的阻挡特性。 
随后,利用附图,同时参照作为例子的图1至4所示的显示装置,对用于制作根据本实施例电子元件部分的方法进行说明。该用于制作显示装 置的方法包括步骤:在基底2上形成闭环阻断区;在阻断区内部涂上一层包含树脂单体或树脂低聚体的树脂涂层物质;在涂层之后使树脂涂层物质聚合以形成平化树脂层;以及形成阻挡层以覆盖至少平化树脂层和阻断区。在上述方法中,在多个时刻交替重复进行形成平化树脂层的步骤和形成阻挡层的步骤以形成平化树脂层和阻挡层交替覆盖的多层的密封隔膜。 
下面将参考图5至12对用于制作基底2上电路11的显示元件部分3(电子元件部分)和用于制作密封显示元件部分3的密封结构的方法进行说明。图5至12为图2中沿直线A-A’得到的横截面图。 
如图5所示,电路11形成于基底2之上,且形成了诸如ITO(氧化锌锡)之类透明电极材料制成的隔膜以覆盖电路11,其后,利用对隔膜进行形成图案处理在第一夹层绝缘层284上形成象素电极111。仅在形成电流TFT123的区域形成象素电极111,且该电极经接触孔111a与电流TFT123相连。 
随后如图6所示,在第一夹层绝缘层284和象素电极111之上形成无机堤壁层112a。形成无机堤壁层112a以使其分别暴露于部分象素电极111。无机堤壁层112a不但形成于显示部分11a,还形成于基底2上的非显示部分。通过执行以下步骤形成堤壁层112a:在整个第一夹层绝缘层284的表面形成由诸如SiO2、TiO2和SiN制成的无机隔膜;利用例如CVD处理、TEOS处理、溅射处理、蒸汽沉积处理及类似处理形成象素电极111以及将形成图案处理应用于无机隔膜。 
此外,如图6所示,有机堤壁层112b形成于无机堤壁层112a之上。形成有机堤壁层112b使其分别通过无机堤壁层112a暴露于部分象素电极111。在这种方式中,堤壁112形成于第一夹层绝缘层284之上。 
此外,在形成阻断区的步骤中,在有机堤壁层112b形成处理的同时,将外围堤壁层14a形成于非显示部分11b内无机堤壁层112a之上。 
随后,将显示出液体亲和性的区域和显示出液体排斥性的区域形成于堤壁112的表面上。在此实施例中,这两个区域均利用等离子体处理过程制成。具体地,该等离子体处理过程包括使象素电极111和无机堤壁层 112a具有液体亲和性的液体亲和性处理以及使有机堤壁层112b和外围堤壁层14a具有液体排斥性的液体排斥处理。 
更具体地,在预定温度(例如70℃至80℃)加热堤壁112并随后在大气条件下将作为液体亲和性处理的等离子体处理(O2等离子体处理)应用于堤壁112,其中氧气被用作反应气体。随后,在大气条件下将作为液体排斥性处理的另一种等离子体处理(CF4等离子体处理)应用于堤壁112,其中四氟化甲烷被用作反应气体,随后将被加热以用于等离子处理的堤壁112冷却到室温以得到显示出偏爱液体的区域和显示出液体排斥性的区域。在图7中,具有液体亲和性的象素电极111和无机堤壁层112a用实线表示,而具有液体排斥性的有机堤壁层112b和外围堤壁层14a用长短交替的虚线表示。 
随后,如图8所示,利用喷墨法在象素电极111上形成有源层110。通过喷射和烘干包含有用于空穴注入/传输层材料的合成墨水步骤以及喷射和烘干包含有另一种用于发光层材料的合成墨水步骤形成有源层110。 
下一步如图9所示,形成覆盖了堤壁112和有源层110的阴极电极12。该阴极电极12可以通过下述步骤得到:在堤壁112和有源层110上形成第一阴极层12b;形成覆盖了第一阴极层12b的第二阴极层12c,且该阴极层与放置于基底2上的阴极线12a相连。 
随后如图10所示,作为制作平化树脂层的步骤,在真空条件下加热并蒸发包含有树脂单体或树脂低聚体或树脂硅化物(例如TEOS,(四乙基原硅酸盐),Si3N4)的树脂涂层物质,将蒸发物质喷射到放置于显示元件部分3上、非显示部分内和外围堤壁层14a内部的无机堤壁层112a上,并在真空条件下利用诸如水银灯、金属卤化物灯及类似的紫外光灯,用紫外光照射喷射的物质以使包含于树脂涂层材料中的树脂单体或树脂低聚体聚合并形成平化树脂层14c1。当喷射树脂涂层物质时,将具有开口m1的掩膜M1放置于并同时定位于基底2上,这样利用形成于基底2上外围堤壁层14a内侧部分校准开口m1,并且最好是通过开口m1喷射树脂涂层材料。通过使用掩膜M1,避免将该树脂涂层材料沉积到外围堤壁层14a之外。可以将等离子体辐射用作树脂单体或树脂低聚体的聚合。 
在室温下,树脂涂层物质表示出的粘滞度小于500cP,优选地小于100cP,这意味着该树脂涂层物质实质上具有可流动性;不过,由于在喷射之后外围堤壁层14a阻断了树脂涂层物质,此树脂涂层物质不能流到外围堤壁层14a之外。在这种方式中,平化树脂层14c1形成于外围堤壁层14a之内。注意到可以通过喷射树脂的量来调整平化树脂层14c1的厚度,优选地将其厚度设为0.1至1微米。 
本实施例中的树脂涂层物质包括:基本成分,即树脂成分,该成分可以从乙烯基树脂单体中选择,诸如丙烯酸树脂单体、甲基丙酸烯树脂单体、聚酯树脂单体、PET树脂单体、聚丙烯树脂单体及类似物质,或从乙烯基树脂低聚体中选择,诸如丙烯酸树脂低聚体、甲基丙酸烯树脂低聚体、聚酯树脂低聚体、PET树脂低聚体、聚丙烯树脂低聚体及类似物质;以及由光致聚合引发剂组成的第二成分。更具体地,可以从具有可聚合双结合的乙烯基树脂单体或乙烯基树脂低聚体中选择基本成分,诸如醇酸树脂、聚酯丙烯酸脂、聚醚丙烯酸脂、乙烯基丙烯酸脂、聚氨酯丙烯酸脂、环氧丙烯酸脂、硅树脂丙烯酸脂、聚缩醛丙烯酸脂、聚丁二烯丙烯酸脂、三聚氰胺丙烯酸脂及类似物质。此外,可以根据包含乙烯基的数目,从各种化合物中选择树脂单体或低聚体,诸如单功能化合物、双功能化合物、三功能化合物以及多功能化合物。可以将两种或多种乙烯基树脂单体和乙烯基树脂低聚体混合以用于使用。此外,优选地使用的乙烯基树脂单体和乙烯基树脂低聚体的分子重量小于10,000,尤其是小于2,000,且更优选地是从100到600。 
可以从安息香醚、苯甲酮、吨酮以及苯乙酮衍生物中选择作为第二成分的光致聚合引发剂。优选地该光致聚合引发剂的重量为0.01到10份,尤其是当作为基本成分的乙烯基树脂单体或乙烯基树脂低聚体的重量为100份时,该光致聚合引发剂的重量为0.1到2引发剂。 
可以通过混合由乙烯基树脂单体或乙烯基树脂低聚体组成的基本成分和由光致聚合引发剂组成的第二成分准备本实施例的树脂涂层物质。最好是在室温下将树脂涂层物质的粘滞度设为小于500cP,更优选地将其设为小于100cP,这样可以可靠地使显示部分的不规则变平。 
随后,如图11所示,作为制作阻挡层的步骤,利用蒸发沉积处理在平化树脂层14c1上形成阻挡层14d1。可以将诸如铝、硅、镁、钛、铟、锡之类的金属或金属氧化物(Si2O或Al2O3及类似物质)用作蒸发沉积材料来形成阻挡层14d1。可以从真空蒸发沉积处理、溅射处理、离子电镀处理及类似处理中选择蒸发沉积处理。 
当执行蒸发沉积处理时,将具有开口m2的掩膜M2放置于并同时定位于基底2上,这样利用形成于基底2上的外围堤壁层14a外部外围部分校准开口m2的外围部分,并且最好是通过开口m2加入并沉积蒸发物质。通过使用掩膜M2,避免将阻挡层14d1形成于基底的侧边上。优选地可以将阻挡层14d1的厚度设为5至500纳米。 
由于实质上平化树脂层14c1使阻挡层14d1变平,因此可以得到紧密而没有诸如针孔或破裂之类缺陷的阻挡层14d1。 
此外,由于阻挡层14d1形成于平化树脂层14c1上,平化树脂层14c1的固着效果提高了平化树脂层14c1和阻挡层14d1之间的粘附力,则提高了抵御水和氧气的阻挡特性。 
随后如图12所示,利用重复上述平化树脂层形成步骤和阻挡层形成步骤,可以相继将平化树脂层14c2和阻挡层14d2形成于阻挡层14d1,这样就得到了多层的密封隔膜14b。 
通过上述步骤可以得到如图1至4所示的显示装置1。 
第二实施例 
随后,下面将参照图13对第二实施例进行说明。图13所示为根据显示装置201中密封结构的主要部分的横截面图。 
图13中显示装置201与图1至4所示的第一实施例中显示装置1相同的要素用相同的参考符号表示,且简化或省略对其说明。 
如图13所示,本实施例的显示装置201配有多个外围堤壁层(阻断区)214a1、213a2以及214a3。其中参考符号214a1表示最内侧的外围堤壁层,参考号214a2表示的另一个外围堤壁层形成于外围堤壁层214a1之外,且又一个外围堤壁层214a3形成于外围堤壁层214a2之外。 
最好是将外围堤壁层214a1和外围堤壁层214a2之间以及外围堤壁层214a2和外围堤壁层214a3之间的距离“d”设为10至300微米。实质上每一外围堤壁层214a1、214a2以及214a3的材料和厚度与第一实施例中外围堤壁层14a的相同。外围堤壁层214a1、214a2以及214a3彼此的厚度可以相同,也可以不同。 
在显示装置201上形成了用参考符号214b表示的多层的密封隔膜。该多层的密封隔膜214b包括交替沉积形成的三个平化树脂层214c1、214c2和214c3以及三个阻挡层214d1、214d2和214d3。 
在三个平化树脂层214c1、214c2和214c3中,最低的平化树脂层214c1形成于非显示部分11b中的无机堤壁层112a(液体亲和性隔膜)和显示元件部分(图中未示出)之上,同时被最内侧外围堤壁层214a的内表面(图13中的左侧表面)阻断。最低平化树脂层214c1比最内侧外围堤壁层214a1的厚度薄。由于无机堤壁层112a的表面具有液体亲和性(即覆盖有氧化物),所以很容易将由聚丙烯酸树脂或类似物质制成的平化树脂层214c1置于无机堤壁层112a之上,这样能够充分保证无机堤壁层112a和平化树脂层214c1之间的粘附力。另一方面,由于外围堤壁层214a1的表面具有液体排斥性,外围堤壁层214a1不会接受平化树脂层214c1,结果外围堤壁层214a1可靠地阻断了平化树脂层214c1。 
随后,阻挡层214d1形成于平化树脂层214c1之上。形成阻挡层214d1以使其覆盖住个外围堤壁层214a1、214a2和214a3,并从整个外围堤壁层214a1、214a2和214a3上延伸到最外侧外围堤壁层214a3之外,这样阻挡层214d1的边缘部分214e1位于无机堤壁层112a。在最内侧外围堤壁层214a1附近,由于平化树脂层214c1和外围堤壁层214a1之间厚度的差异形成了梯级214f1。阻挡层214d1从梯级214f1上延伸到最外侧外围堤壁层214a3之外。 
此外,另一个平化树脂层214c2形成于阻挡层214d1之上。平化树脂层214c2形成于阻挡层214d1之上,从最内侧外围堤壁层214a1之上延伸并被紧邻的外围堤壁层214a2阻断。由于之前形成的阻挡层214d1由SiO2 及类似物质制成,即其表面具有液体亲和性,所以可以容易地将聚丙烯酸 树脂或类似物质制成的平化树脂层214c2置于阻挡层214d1之上,结果平化树脂层214c2从梯级214f1上延伸到了紧邻的外围堤壁层214a2的内侧表面。 
随后,另一个阻挡层214d2形成于平化树脂层214c2之上。形成阻挡层214d2使其盖住两个外围堤壁层214a2和214a3并延伸到最外侧外围堤壁层214a3之外,这样阻挡层214d2的边缘部分214e2位于无机堤壁层112a。在外围堤壁层214a2附近,由于平化树脂层214c2和外围堤壁层214a2之间厚度的差异形成了梯级214f2。阻挡层214d2从梯级214f2上延伸到最外侧外围堤壁层214a3之外。 
此外,又一个平化树脂层214c3形成于阻挡层214d2之上。该平化树脂层214c3形成于阻挡层214d2之上,从两个外围堤壁层214a1和214a2之上延伸并被最外侧外围堤壁层214a3的内表面阻断。由于之前形成的阻挡层214d2由SiO2及类似物质制成,即其表面具有液体亲和性,所以可以容易地将聚丙烯酸树脂或类似物质制成的平化树脂层214c3置于阻挡层214d2之上,结果平化树脂层214c3从两个外围堤壁层214a1和214a2和梯级上延伸到了紧邻的外围堤壁层214a3的内侧表面。 
随后,又一个阻挡层214d3形成于平化树脂层214c3之上。形成阻挡层214d3以使其覆盖最外侧外围堤壁层214a3并延伸到最外侧外围堤壁层214a3之外,这样阻挡层214d3的边缘部分214e3位于无机堤壁层112a。 
在这种方式下,本实施例的显示装置201中形成了多个外围堤壁层214a1、214a2和214a3,并分别在外围堤壁层214a1、214a2和214a3的内部形成了平化树脂层214c1、214c2以及214c3,且阻挡层214d1、214d2和214d3延伸到了外围堤壁层214a1、214a2和214a3之外,由此形成了多层的密封隔膜214b。 
根据本实施例中显示装置201的密封结构,由于以将外围堤壁层214a2和214a3放置于214a1之外的方式来形成多个外围堤壁层214a1、214a2和214a3,即使当平化树脂层214c1、214c2和214c3做得比较薄的情况下,也可以可靠地阻断平化树脂层214c1、214c2和214c3,由此可以进一步提高多层的密封隔膜214b的阻挡特性。结果,通过交替地沉积平化树脂层 214c1、214c2和214c3以及阻挡层214d1、214d2和214d3,可以容易地形成多层的密封隔膜214b,这样就进一步提高了抵御水、氧气及类似物的阻挡特性。 
此外,由于每一平化树脂层214c1、214c2和214c3形成于每一外围堤壁层214a1、214a2和214a3的内部,即使在使用多个平化树脂层的情况下,也可以可靠地利用阻断区来阻断平化树脂层,由此能够进一步提高多层的密封隔膜的阻挡特性。 
此外,根据本实施例中显示装置201的密封结构,由于形成每一阻挡层214d1、214d2和214d3以使其延伸到每一外围堤壁层214a1、214a2和214a3之外,所以可以保证用于每一阻挡层的宽阔区域,由此可以进一步提高多层的密封隔膜214b、基底2之间的粘附力以及多层的密封隔膜214b的阻挡特性,并更有效地避免水、氧气及类似物渗入到电子元件部分中。 
随后,参考附图14A、14B、15A、15B以及15C,对制作根据本实施例的显示装置201的方法进行说明。实质上,利用与用于实施例中显示装置1的相同的方法制作本实施例的显示装置201。注意到由于制作本实施例显示装置中显示元件利用了与制作第一实施例显示装置1中显示元件部分3相同的方法,下面将对制作显示元件部件之后的制作步骤进行说明。 
图14所示为形成于无机堤壁层112a上的三个外围堤壁层214a1、214a2和214a3的状态。无机堤壁层112a的表面具有液体亲和性,而外围堤壁层214a1、214a2和214a3的表面具有液体排斥性。 
如图14A所示,作为制作平化树脂层的步骤,在真空条件下加热并蒸发包含有树脂单体或树脂低聚体的树脂涂层物质,将蒸发物质喷射到放置于显示元件部分3上、非显示部分内和外围堤壁层14a内部的无机堤壁层112a上,并在真空条件下利用诸如水银灯、金属卤化物灯及类似的紫外光灯,用紫外光照射喷射的物质以使包含于树脂涂层材料中的树脂单体或树脂低聚体聚合并形成平化树脂层214c1。当喷射树脂涂层物质时,将具有开口m3的掩膜M3放置于并同时定位于基底2上,这样利用形成于基底2上外围堤壁层214a内部部分校准开口m3,并且最好是通过开口m3 喷射树脂涂层材料。通过使用掩膜M3,避免将该树脂涂层材料沉积到外围堤壁层214a1之外。可以将等离子体辐射用作树脂单体或树脂低聚体的聚合。 
与第一实施例中使用的树脂涂层物质相同,此步骤使用的树脂涂层物质实质上具有可流动性;不过,由于在喷射之后外围堤壁层214a1阻断了该树脂涂层物质,此树脂涂层物质不能流到外围堤壁层214a1之外。在这种方式中,平化树脂层214c1形成于外围堤壁层214a1之内。注意到可以通过喷射树脂的量来调整平化树脂层214c1的厚度,优选地将其厚度设为例如外围堤壁层214a1高度的1/3至2/3。 
随后,如图14B所示,作为制作阻挡层的步骤,利用蒸发沉积处理在平化树脂层214c1上形成阻挡层214d1。可以将例如Si2O、Al2O3及类似物质用作蒸发沉积材料来形成阻挡层214d1。该蒸发沉积处理可以与第一实施例中使用的相同。当执行蒸发沉积处理时,优选地将另一个具有开口m4的掩膜M4放置于并同时定位于基底2上,这样利用形成于基底2上的外围堤壁层214a3外部外围部分校准开口m4的外围部分,并且最好是通过开口m4加入并沉积蒸发物质。通过使用掩膜M4,避免将阻挡层214d1形成于基底2的侧边上。优选地可以将阻挡层214d1的厚度设为5至500纳米。 
下一步,如图15A所示,作为制作另一个平化树脂层的步骤,在真空条件下加热并蒸发树脂涂层物质,将蒸发物质喷射到之前形成的阻挡层214d1上和外围堤壁层214a1和214a2内,并在真空条件下用紫外光照射喷射的物质以使树脂涂层材料聚合并形成平化树脂层214c2。当喷射树脂涂层物质时,与前述步骤相同,优选地在基底2上放置掩膜M3,并且最好是通过开口m3喷射树脂涂层材料。喷射的树脂涂层材料流过外围堤壁层214a1上的阻挡层214d2,并被外围堤壁层214a2阻断;所以,该树脂涂层材料不能流到外围堤壁层214a2之外。在这种方式中,平化树脂层214c2形成于外围堤壁层214a1和214a2内。注意到可以通过喷射树脂的量来调整平化树脂层214c2的厚度,优选地将其厚度设为例如外围堤壁层214a2高度的1/3至2/3 
随后,如图15B所示,作为制作另一个阻挡层的步骤,利用蒸发沉积处理在平化树脂层214c2上形成阻挡层214d2。可以将例如Si2O、Al2O3 及类似物质用作蒸发沉积材料来形成阻挡层214d2。该蒸发沉积处理可以与第一实施例中使用的相同。当执行蒸发沉积处理时,优选地将另一个具有开口m6的掩膜M6放置于并同时定位于基底2上,这样利用形成于基底2上的外围堤壁层214a3外部外围部分校准开口m6的外围部分,并且最好是通过开口m6加入并沉积蒸发物质。通过使用掩膜M6,避免将阻挡层214d2形成于基底2的侧边上。优选地可以将阻挡层214d2的厚度设为5至500纳米。 
随后如图15C所示,利用重复上述平化树脂层形成步骤和阻挡层形成步骤,可以相继将平化树脂层214c3和阻挡层214d3形成于阻挡层214d2,这样就得到了多层的密封隔膜214b。当喷射树脂涂层物质用于形成平化树脂层214c3时,与前述步骤相同,优选地在基底2上放置掩膜M3。喷射的树脂涂层材料流过外围堤壁层214a1和214a2上的阻挡层214d2,并被外围堤壁层214a3阻断;所以,该树脂涂层材料不能流到外围堤壁层214a3之外。 
此外,当执行蒸发沉积处理用于形成阻挡层213d3时,最好是将另一个具有开口m6的掩膜M6放置于于基底2上,并同时被定位而使得该掩膜M6的开口m6的边缘部分与形成于基底2上的最外侧外围堤壁层214a3外围部分外部对准,并且最好是通过开口加入并沉积蒸发物质。以这种方式执行蒸发沉积处理,由此可以避免将阻挡层214d3形成于基底2的侧边上。 
通过上述步骤可以得到如图13所示的显示装置201。 
由于实质上提供了平化树脂层214c1、214c2和214c3,可以使阻挡层214d1、214d2和214d3变平,结果可以形成没有诸如针孔或破裂之类缺陷的阻挡层214d1、214d2和214d3。 
此外,由于阻挡层214d1、214d2和214d3形成于平化树脂层214c1、214c2和214c3上,平化树脂层214c1、214c2和214c3的固着效果提高了平化树脂层214c1、214c2和214c3和阻挡层214d1、214d2和214d3之间 的粘附力,则提高了抵御水和氧气的阻挡特性。 
第三实施例 
随后,下面将参照图16对第三实施例进行说明。图16所示为根据显示装置301中密封结构的主要部分的横截面图。 
图16中显示装置301与图1至4所示的第一实施例中显示装置1相同的要素用相同的参考符号表示,且简化或省略对其说明。 
如图16所示,在本实施例的显示装置301中,在(基底2的)无机堤壁层112a的外围区域形成了多个液体排斥区(阻断区)314a1、314a2和314a3。更具体地,参考符号314a1表示最内侧的液体排斥区,参考号314a2表示的另一个液体排斥区形成于液体排斥区314a1之外,且又一个液体排斥区314a3形成于液体排斥区314a2之外。最好是将液体排斥区314a1和液体排斥区314a2之间以及液体排斥区314a2和液体排斥区314a3之间的距离“d”设为30至400微米。 
与第一实施例中有机堤壁层112b的情况相同,通过以四氟化甲烷为反应气体的等离子体处理将诸如氟基之类液体排斥基渗透到有机堤壁层112a的表面中来制作液体排斥区314a1、314a2和314a3。结果,液体排斥区314a1、314a2和314a3行使排斥形成平化树脂层的树脂涂层物质的功能,并与第一和第二实施例中的外围堤壁层14a和214a1等的功能相同,用于阻断平化树脂层。 
此外,在此显示装置中形成了用参考符号314b表示的多层的密封隔膜。该多层的密封隔膜314b由交替沉积三个平化树脂层314c1、314c2和314c3以及三个阻挡层314d1、314d2和314d3而形成。 
在三个平化树脂层314c1、314c2和314c3中,最低的平化树脂层314c1形成于非显示部分11b中的无机堤壁层112a(液体亲和性隔膜)和显示元件部分(图中未示出)之上,同时被最内侧的液体排斥区314a1的内表面(图13中的左侧表面)阻断。由于无机堤壁层112a的表面具有液体亲和性(即覆盖有氧化物),所以很容易将由聚丙烯酸树脂或类似物质制成的平化树脂层314c1置于无机堤壁层112a之上,这样能够充分保证无机堤壁层112a和平化树脂层314c1之间的粘附性。另一方面,由于液体排斥 区314a1中无机堤壁层112a的表面具有液体排斥性,液体排斥区314a1不会接受平化树脂层314c1,结果液体排斥区314a1阻断了平化树脂层314c1。 
随后,阻挡层314d1形成于平化树脂层314c1之上。形成阻挡层314d1以使其盖住液体排斥区314a1,并从液体排斥区314a1上延伸到液体排斥区314a1之外,这样阻挡层314d1的边缘部分314e1位于无机堤壁层112a。在最内侧的液体排斥区314a1附近,液体排斥区314a1阻断了平化树脂层314c1。阻挡层314d1从平化树脂层314c1上延伸到液体排斥区314a1之外。 
此外,另一个平化树脂层314c2形成于阻挡层314d1之上。平化树脂层314c2形成于阻挡层314d1之上,从最内侧液体排斥区314a1之上延伸并被紧邻的液体排斥区314a1的内侧阻断。由于之前形成的阻挡层314d1由SiO2及类似物质制成,即其表面具有液体亲和性,而且阻挡层314d1覆盖了最内侧的液体排斥区314a1,所以可以容易地将聚丙烯酸树脂或类似物质制成的平化树脂层314c2置于阻挡层314d1之上,且平化树脂层314c2从液体排斥区314a1延伸到了紧邻的液体排斥区314a2的内侧。 
随后,另一个阻挡层314d2形成于平化树脂层314c2之上。形成阻挡层314d2使其盖住液体排斥区314a1和314a2,并从液体排斥区314a1上延伸到液体排斥区314a2之外,这样阻挡层314d2的边缘部分314e2位于无机堤壁层112a。在液体排斥区314a2附近,液体排斥区314a2阻断了平化树脂层314c2。阻挡层314d2从平化树脂层314c2上延伸到液体排斥区314a2之外。 
此外,又一个平化树脂层314c3形成于阻挡层314d2之上。该平化树脂层314c3形成于阻挡层314d2之上,从液体排斥区314a1和314a2之上延伸并被最外侧液体排斥区314a3的内表面阻断。由于之前形成的阻挡层314d2由SiO2及类似物质制成,即其表面具有液体亲和性,而且阻挡层314d2覆盖了最内侧的液体排斥区314a2,所以可以容易地将聚丙烯酸树脂或类似物质制成的平化树脂层314c3置于阻挡层314d2之上,结果平化树脂层314c3从液体排斥区314a2上延伸到了紧邻的液体排斥区314a3的 内侧。 
随后,又一个阻挡层314d3形成于平化树脂层314c3之上。形成阻挡层314d3以使其盖住最外侧的液体排斥区314a3并延伸到最外侧液体排斥区314a3之外,这样阻挡层314d3的边缘部分314e3位于无机堤壁层112a。 
在这种方式下,本实施例的显示装置201中,形成了多个液体排斥区314a1、314a2和314a3,并分别在液体排斥区314a1、314a2和314a3的内部形成了平化树脂层314c1、314c2以及314c3,且阻挡层314d1、314d2和314d3分别延伸到了液体排斥区314a1、314a2和314a3之外,由此形成了多层的密封隔膜314b。 
根据本实施例中显示装置301的密封结构,由于以将液体排斥区314a2和314a3放置于液体排斥区314a1之外的方式来形成多个液体排斥区314a1、314a2和314a3,可以增大形成阻挡层314d1、314d2和314d3的区域,由此可以进一步提高多层的密封隔膜314b的阻挡特性,并更有效地避免水、氧气及类似物渗入到显示装置301中。特别地,由于通过交替地沉积平化树脂层314c1、314c2和314c3以及阻挡层314d1、314d2和314d3形成多层的密封隔膜314b,可以进一步提高抵御水、氧气及类似物的阻挡特性。 
此外,由于每一平化树脂层314c1、314c2和314c3形成于每一液体排斥区314a1、314a2和314a3的内部,即使交替沉积方式下,使用多个平化树脂层和阻挡层的情况下,也可以进一步提高抵御水、氧气及类似物的阻挡特性。 
此外,根据本实施例中显示装置301的密封结构,由于形成每一阻挡层314d1、314d2和314d3使其分别延伸到液体排斥区314a1、314a2和314a3之外,并通过交替地沉积平化树脂层314c1、314c2和314c3和阻挡层314d1、314d2和314d3形成多层的密封隔膜314b;所以可以进一步提高抵御水、氧气及类似物的阻挡特性。 
此外,由于每一液体排斥区314a1、314a2和314a3形成为环型,并分别将平化树脂层314c1、314c2和314c3约束在液体排斥区314a1、314a2和314a3之内;所以可以减小依赖于位置的阻挡特性变化,则提高了密封 的可靠性。 
除了利用等离子体处理在无机堤壁层的外围部分上提供液体排斥区314a1、314a2和314a3来代替提供外围堤壁层之外,本实施例的显示装置301的制作方式与第二实施例中显示装置201的制作方式相同。注意到可以同时执行用于无机堤壁层112a的等离子体处理和用于有机堤壁层的CF4等离子体处理。 
第四实施例 
随后,下面将参照图17至19对第四实施例进行说明。图17所示为根据本实施例显示装置401的平面示意图,图18为沿着图17中直线A-A’的横截面图,且图19为沿着图17中直线B-B’的横截面图。 
图17至19中显示装置401与图1至4所示的第一实施例中显示装置1相同的要素用相同的参考符号表示,且简化或省略对其说明。 
如图17至19所示,围绕放置于基底2上的显示元件部分形成了闭环外围堤壁区14a(阻断区)。此外,阻断堤壁层414a形成于粘附在基底2末端上的弹性带130之上。如图17至19所示,阻断堤壁层414a分别形成于弹性带130的两侧,同时被放置于控制IC 130a和外部接线端130b之间。 
此外,在显示装置3上形成了多层的密封隔膜414b。该多层的密封隔膜414b通过交替沉积三个平化树脂层14c1、14c2和14c3以及三个阻挡层14d1、14b2和414b3而形成。在三个平化树脂层中,两个平化树脂层14c1和14c2形成于闭环外围堤壁层14a之内,即被闭环外围堤壁层14a阻断。在三个阻挡层中,两个阻挡层14d1和14b2分别形成于平化树脂层14c1和14c2之上(即外围堤壁层14a之内),且其边缘部分14e(即14e1和14e2)从外围堤壁层14a上延伸。 
形成保持平化树脂层414c3使其覆盖基底2、阻挡层14d2、部分弹性带130以及控制IC130a,这样将其放置在距离基底2比距离阻断堤壁层414a更近的位置。这样阻断堤壁层414a阻断了平化树脂层414c3以使其不与外部接线端130b接触。 
实际中,平化树脂层414c3延伸到基底2的底部表面,这在图18和 19中未示出。 
此外,在保持阻挡层414d3形成于平化树脂层414c3之上,且其边缘部分414e3从阻断堤壁层414a上延伸。 
最好是将阻断堤壁层414a的厚度设为2至500微米。与有机堤壁层112b或外围堤壁层14a的情况相同,最好是使阻断堤壁层414a的表面具有液体排斥性。 
与其它平化树脂层14c1和14c2相同,平化树脂层414c3由聚丙烯酸树脂或类似物质制成以保护弹性带130、基底2和控制IC130a之间的连接区。此外,平化树脂层414c3用作减小形成于其上的阻挡层414d3的梯级范围以避免在阻挡层414d3产生针孔或破裂。与其它阻挡层14d1和14d2相同,阻挡层414d3由诸如SiO2及类似的无机隔膜组成以使其具有阻断水或氧气的优势。为了保护显示元件部分3、弹性带130和基底2以及控制IC130a之间的连接区使其免受水或氧气的渗入,通过交替地沉积平化树脂层14c1、14c2和414c3以及阻挡层14d1、14b2和414b3形成多层的密封隔膜414b。 
下面将对此密封结构进行更具体地说明。如图18和19所示,平化树脂层414c3形成于阻挡层14d2、基底2、弹性带130的两侧以及控制IC130a上,并被阻断堤壁层414a阻断。换句话说,将平化树脂层414c3的厚度设为等于或小于阻断堤壁层414a的厚度。 
将阻挡层414d3放置于平化树脂层414c3之上。形成阻挡层414d3使其覆盖阻断堤壁层414a并从阻断堤壁层414a上延伸到紧邻外部接线端130b的位置。 
如上所述,阻断堤壁层414a由具有抗热性和抗溶解性的抗蚀剂制成,诸如丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂及类似物质。最好是将阻断堤壁层414a的厚度设为2至600微米。当将该层用作阻断堤壁层414a时,阻断堤壁层414a的厚度取决于用于形成弹性带、布线图案、标记及类似物的抗蚀剂层的厚度。可选地,可以利用喷墨法形成具有预定厚度的阻断堤壁层414a。 
平化树脂层414c3由丙烯酸树脂及类似物质制成。最好是将平化树脂 层414c3的厚度设为0.1至10微米。最好是依赖弹性带的不规则性来调整平化树脂层414c3的厚度。 
阻挡层414d3由诸如铝、钛之类金属或诸如SiO2、Al2O3之类氧化物制成。优选地将阻挡层414d3的厚度设为10至1000纳米。最好是根据使用或阻挡特性的需要调整阻挡层414d3的厚度。 
通过使用这种密封结构,平化树脂层414c3和阻挡层414d3密封了包括驱动IC130a在内的整个驱动电路;所以,可以避免水或氧气渗入到驱动电路和显示部分之间容易受潮的连接部分,并进一步提高了整个显示装置的可靠性。 
第五实施例 
随后,下面将对包括根据第一至第四实施例其中之一的显示装置的特定电子设备例子进行说明。 
图20A为便携式电话或遥控器例子的透视图。在图20A中,参考号600表示便携式电话的主体,参考号601表示包括如上所述的显示装置1、201、301以及401其中之一的显示部分。 
图20B为诸如PDA或个人计算机之类便携式信息处理器例子的透视图。在图20B中,参考号700表示信息处理器,参考号701表示诸如键盘之类的输入装置,参考号703表示信息处理器的主体,以及参考号702表示包括如上所述的显示装置1、201、301以及401其中之一的显示部分。 
图20C为钟表例子的透视图。在图20C中,参考号800表示钟表的主体,参考号801表示包括如上所述的显示装置1、201、301以及401其中之一的显示部分。 
图20A至20C所示的每一电子设备均包括如上所述的显示装置1、201、301以及401其中之一的显示部分,且具有根据第一至第五实施例显示装置相同的优点;所以,在薄的同时,这些电子设备还显示出了优异的显示性能。 
与用于第一至第五实施例的方式相同,可以通过制作包括如图2所示驱动IC130a的显示装置1、201、301以及401其中之一来制作采用了显示装置1、201、301以及401其中之一的诸如便携式电话、信息处理器或 钟表之类的电子设备。 
本发明并不限于上述实施例,可以在不离开本发明的范围内进行各种改进。 
例如,可以利用将多个显示元件部分3形成于母基底2A上并将该母基底2A分成显示元件部分3的方式来制作本发明的显示装置,由此可以同时得到多个显示装置。在这种情况下,如图21所示,当喷射树脂涂层物质时,优选地使用具有多个对应显示装置3的开口“m”的掩膜M。形成掩膜M的开口“m”使不会暴露出用于每一显示装置的画在母基底2A上的切割线2B。结果,不会使平化树脂层和阻挡层形成于切割线2B上;所以,当切割母基底2A时,不会使平化树脂层裂开。 
在上述说明中,阻断区和有机堤壁区由相同材料制成且在相同制作步骤中形成;不过,在无源有机EL装置的情况下,最好是将阴极隔离物上的抗蚀剂或标记或对应阻断区的电路板用作阻断区,这些元素在现有制作步骤中形成且具有阻断功能。 
工业适用性 
如上详细说明,根据本发明显示装置的密封结构,通过沉积平化树脂层和阻挡层形成多层密封结构,能够选择性地、可靠地密封包括显示元件部分的指定部分,且即使在密封区域较大的情况下,与常规密封结构相比,可以使此多层密封结构更薄;所以,与常规显示装置相比可以极大地减小显示装置的整体厚度。 
此外,阻断区可以准确地确定由没有平化树脂层导致的针孔、破裂和厚度变化的平化树脂层和阻挡层形成的多层密封结构的边缘位置。此外,通过保证了表面具有液体亲和性的基底和多层密封结构之间的大面积接触区域,提高了多层密封结构边缘的粘附力,由于阻断区的不规则性,可以长期抵御水、氧气、杂质离子及类似物渗入通过;所以,即使该阻断区较窄,也可以在长时期内保持优异的密封结构阻挡特性和可靠性。 
结果,在减小显示装置厚度和重量的同时,可以使有机EL显示装置或LCD的框架区窄于常规显示装置的框架区,由此可以得到增强了外型设计的自由度并有效地利用空间的电子设备。此外,由于减少了框架区引 起的未使用区域,可以增加从母基底得到的显示装置的数目,并提高生产率。 
此外,作为薄而重量轻且具有完整结构和灵活性的密封装置,本密封结构可以广泛地应用于电子设备、电设备、模块以及诸如具有多个元件、电光模块、IC卡及类似的电路之类的元件。 

Claims (6)

1.一种有机EL装置,包括:形成有多个电子元件的基底、对所述多个电子元件相互进行划分的堤壁、在所述多个电子元件上形成的第一阻挡层、在所述第一阻挡层上形成的树脂层、在所述树脂层上形成的第二阻挡层、在所述基底与所述多个电子元件之间形成的夹层绝缘层,其中,
每个所述电子元件具有:第一电极、第二电极、夹持于所述第一电极与所述第二电极之间且具有发光层的有源层,
所述第一阻挡层的端部位于所述堤壁的最外围的外侧,并且与所述夹层绝缘层接触,
至少在所述第一阻挡层与所述夹层绝缘层接触的位置,所述第二阻挡层与所述第一阻挡层接触。
2.根据权利要求1所述的有机EL装置,其中,
在所述基底与所述夹层绝缘层之间,具有与所述第一电极电连接的薄膜晶体管。
3.根据权利要求1所述的有机EL装置,其中,
所述多个电子元件包括:
具有发射红光的发光层的第一电子元件;
具有发射绿光的发光层的第二电子元件;以及
具有发射蓝光的发光层的第三电子元件。
4.根据权利要求1所述的有机EL装置,其中,
所述第一阻挡层和所述第二阻挡层由无机物制成。
5.根据权利要求1所述的有机EL装置,其中,
所述第一阻挡层和所述第二阻挡层由Si制成。
6.根据权利要求1所述的有机EL装置,其中,
所述树脂层位于所述堤壁的最外围的内侧。
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Families Citing this family (201)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090191342A1 (en) * 1999-10-25 2009-07-30 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
KR100652039B1 (ko) * 2000-11-23 2006-11-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 전계발광소자
KR100890957B1 (ko) * 2002-12-19 2009-03-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 표시장치의 제작 방법
JP4432367B2 (ja) * 2003-05-28 2010-03-17 カシオ計算機株式会社 表示パネル
EP1658640B1 (en) * 2003-06-16 2014-05-21 Koninklijke Philips N.V. Barrier laminate for an electroluminescent device
NL1024090C2 (nl) * 2003-08-12 2005-02-15 Otb Group Bv Werkwijze voor het aanbrengen van een dunne-film-afsluitlaagsamenstel op een device met microstructuren, alsmede een device voorzien van een dergelijk dunne-film-afsluitlaagsamenstel.
US7291967B2 (en) * 2003-08-29 2007-11-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element including a barrier layer and a manufacturing method thereof
JP2005078979A (ja) * 2003-09-01 2005-03-24 Toyota Industries Corp El装置
JP4561201B2 (ja) * 2003-09-04 2010-10-13 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
US20050062052A1 (en) * 2003-09-23 2005-03-24 Fu-Hsiang Yang Panel of organic electroluminescent display
JP4479381B2 (ja) * 2003-09-24 2010-06-09 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
JP2005116483A (ja) * 2003-10-10 2005-04-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US7902747B2 (en) 2003-10-21 2011-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having a thin insulating film made of nitrogen and silicon and an electrode made of conductive transparent oxide and silicon dioxide
CN100466328C (zh) * 2003-10-29 2009-03-04 铼宝科技股份有限公司 有机发光显示面板
JP4678124B2 (ja) * 2003-11-10 2011-04-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器
JP2005353398A (ja) * 2004-06-10 2005-12-22 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示素子、光学デバイス、及び光学デバイスの製造方法
JP4643138B2 (ja) * 2003-11-27 2011-03-02 東芝モバイルディスプレイ株式会社 表示装置及びその製造方法
KR100993827B1 (ko) * 2003-12-01 2010-11-12 삼성전자주식회사 발광장치 및 이를 갖는 표시장치 및 이의 제조 방법
KR100663028B1 (ko) * 2003-12-30 2006-12-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
JP4346459B2 (ja) * 2004-01-20 2009-10-21 三洋電機株式会社 発光装置
JP3994998B2 (ja) * 2004-03-03 2007-10-24 セイコーエプソン株式会社 発光装置、発光装置の製造方法及び電子機器
JP4776949B2 (ja) * 2004-03-16 2011-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US7619258B2 (en) * 2004-03-16 2009-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2006004650A (ja) * 2004-06-15 2006-01-05 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示素子及び光学デバイス
EP1655790B1 (en) * 2004-10-21 2010-08-04 LG Display Co., Ltd. Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same
WO2006071106A1 (en) 2004-12-27 2006-07-06 Otb Group B.V. Method for manufacturing an oled or a blank for forming an oled as well as such a blank or oled
JP2008097828A (ja) * 2005-01-21 2008-04-24 Pioneer Electronic Corp 有機el素子の製造方法およびこれにより得られた有機el素子
JP2006216297A (ja) * 2005-02-02 2006-08-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 有機el用基板およびその製造方法
JP4891554B2 (ja) * 2005-03-11 2012-03-07 セイコーエプソン株式会社 表示パネル、これを用いた移動体の表示モジュール、および電子機器
JP2006332592A (ja) * 2005-04-28 2006-12-07 Ricoh Co Ltd 電気部品、導電パターンの形成方法、およびインクジェットヘッド
GB2432256B (en) * 2005-11-14 2009-12-23 Cambridge Display Tech Ltd Organic optoelectrical device
JP4600254B2 (ja) * 2005-11-22 2010-12-15 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
JP2007234678A (ja) * 2006-02-27 2007-09-13 Hitachi Displays Ltd 有機el表示装置
JP4337852B2 (ja) * 2006-08-30 2009-09-30 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法及び電子機器
JP4245032B2 (ja) * 2006-10-03 2009-03-25 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
JP4809186B2 (ja) * 2006-10-26 2011-11-09 京セラ株式会社 有機elディスプレイおよびその製造方法
KR100779003B1 (ko) * 2006-12-27 2007-11-22 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
EP2003713A3 (en) * 2007-06-12 2011-07-20 Canon Kabushiki Kaisha Organic light-emitting apparatus
JP4884320B2 (ja) * 2007-06-29 2012-02-29 京セラ株式会社 画像表示装置
JP2009037799A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Sumitomo Chemical Co Ltd 発光素子およびその製造方法
KR100884477B1 (ko) * 2007-08-08 2009-02-20 삼성모바일디스플레이주식회사 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2009070708A (ja) * 2007-09-13 2009-04-02 Casio Comput Co Ltd 表示装置及び表示装置の製造方法
KR100839430B1 (ko) * 2007-09-14 2008-06-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
JP4930303B2 (ja) * 2007-09-14 2012-05-16 カシオ計算機株式会社 表示装置の製造方法
US20090098293A1 (en) * 2007-10-15 2009-04-16 Applied Materials, Inc. Method of providing an encapsulation layer stack, coating device and coating system
EP2051311A1 (en) * 2007-10-15 2009-04-22 Applied Materials, Inc. Method of providing an encapsulation layer stack, coating device and coating system
JP5328261B2 (ja) * 2008-08-13 2013-10-30 ローム株式会社 有機el素子
JP2010093068A (ja) * 2008-10-08 2010-04-22 Hitachi Displays Ltd 有機el表示装置およびその製造方法
JP4489135B1 (ja) * 2008-12-26 2010-06-23 パナソニック株式会社 携帯電子機器
TWI607670B (zh) * 2009-01-08 2017-12-01 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置及電子裝置
US8766269B2 (en) * 2009-07-02 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and electronic device
JP4947104B2 (ja) * 2009-07-16 2012-06-06 カシオ計算機株式会社 表示パネル
JP4947103B2 (ja) * 2009-07-16 2012-06-06 カシオ計算機株式会社 表示パネル
KR20110019498A (ko) * 2009-08-20 2011-02-28 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
JP4873065B2 (ja) * 2009-11-05 2012-02-08 カシオ計算機株式会社 表示パネルの製造方法
JP5409315B2 (ja) * 2009-12-11 2014-02-05 キヤノン株式会社 表示装置
KR101202353B1 (ko) * 2009-12-31 2012-11-16 삼성디스플레이 주식회사 배리어 필름 복합체, 이를 포함하는 표시 장치, 배리어 필름 복합체의 제조 방법, 및 이를 포함하는 표시 장치의 제조 방법
JP5611811B2 (ja) * 2009-12-31 2014-10-22 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. バリア・フィルム複合体及びこれを含む表示装置
JP5611812B2 (ja) * 2009-12-31 2014-10-22 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. バリア・フィルム複合体、これを含む表示装置及び表示装置の製造方法
JP5290268B2 (ja) 2009-12-31 2013-09-18 三星ディスプレイ株式會社 バリア・フィルム複合体、これを含む表示装置、バリア・フィルム複合体の製造方法、及びこれを含む表示装置の製造方法
JP5197666B2 (ja) * 2010-03-23 2013-05-15 株式会社東芝 有機発光装置、照明装置、表示装置及び有機発光装置の製造方法
FR2958795B1 (fr) * 2010-04-12 2012-06-15 Commissariat Energie Atomique Dispositif optoelectronique organique et son procede d'encapsulation.
KR101132045B1 (ko) * 2010-05-07 2012-04-02 삼성모바일디스플레이주식회사 휴대폰
EP2579353B1 (en) * 2010-07-07 2018-09-05 LG Display Co., Ltd. Organic light-emitting device comprising an encapsulation structure
KR101695739B1 (ko) 2010-09-14 2017-01-13 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 그 제조방법
JP5003808B2 (ja) * 2010-09-17 2012-08-15 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
KR101430173B1 (ko) * 2010-10-19 2014-08-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2011258577A (ja) * 2011-09-01 2011-12-22 Otb Group Bv Oledまたはoledを形成するためのブランクを製造する方法およびこのようなブランクまたはoled
US9853245B2 (en) 2011-10-14 2017-12-26 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
KR101809659B1 (ko) * 2011-10-14 2017-12-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101900364B1 (ko) * 2011-12-22 2018-09-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
JP2013149533A (ja) * 2012-01-20 2013-08-01 Ulvac Japan Ltd 有機膜の処理方法および処理装置
JP5812887B2 (ja) * 2012-01-31 2015-11-17 株式会社沖データ 表示モジュール、表示装置、表示モジュールの製造方法、および表示装置の製造方法
KR101923176B1 (ko) * 2012-06-11 2018-11-29 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시장치 및 그 제조방법
CN103904231B (zh) * 2012-12-25 2016-03-30 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
KR102103421B1 (ko) 2013-02-07 2020-04-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP6054763B2 (ja) 2013-02-12 2016-12-27 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置
JP2014170686A (ja) * 2013-03-04 2014-09-18 Toshiba Corp 表示素子の製造方法、表示素子及び表示装置
JP6267449B2 (ja) 2013-03-15 2018-01-24 東京エレクトロン株式会社 有機デバイスの製造方法及び有機デバイスの製造装置
KR20140113386A (ko) * 2013-03-15 2014-09-24 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 유기 디바이스의 제조 방법, 유기 디바이스의 제조 장치 및 유기 디바이스
KR102034253B1 (ko) * 2013-04-12 2019-10-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP6201411B2 (ja) 2013-05-14 2017-09-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
JP6182985B2 (ja) 2013-06-05 2017-08-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器
JP6191260B2 (ja) * 2013-06-12 2017-09-06 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、及び電子機器
JP6331276B2 (ja) * 2013-06-28 2018-05-30 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
KR102093393B1 (ko) * 2013-08-14 2020-03-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102117612B1 (ko) 2013-08-28 2020-06-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2015050022A (ja) * 2013-08-30 2015-03-16 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置
KR20150025994A (ko) * 2013-08-30 2015-03-11 엘지디스플레이 주식회사 Oled 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR102218573B1 (ko) * 2013-09-30 2021-02-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
JP6282832B2 (ja) 2013-10-01 2018-02-21 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置
JP2015072770A (ja) * 2013-10-02 2015-04-16 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法
KR102080296B1 (ko) * 2013-12-03 2020-02-21 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 장치
KR20150082013A (ko) * 2014-01-07 2015-07-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
KR102454664B1 (ko) * 2014-06-25 2022-10-14 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN106795386A (zh) 2014-07-25 2017-05-31 科迪华公司 有机薄膜油墨组合物和方法
CN104241550B (zh) * 2014-08-05 2017-08-15 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示装置及其封装方法
KR101667800B1 (ko) * 2014-08-29 2016-10-20 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR102449751B1 (ko) * 2014-12-15 2022-09-29 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102323194B1 (ko) * 2014-09-30 2021-11-05 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기 발광 표시 장치
EP3002799B1 (en) 2014-09-30 2023-09-13 LG Display Co., Ltd. Flexible organic light emitting display device
KR102317715B1 (ko) * 2014-09-30 2021-10-25 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP6674764B2 (ja) * 2014-12-01 2020-04-01 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネルの作製方法
KR102479019B1 (ko) 2015-03-05 2022-12-19 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
KR102396296B1 (ko) 2015-03-06 2022-05-11 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102314470B1 (ko) 2015-03-09 2021-10-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20160110597A (ko) 2015-03-09 2016-09-22 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR102404577B1 (ko) 2015-03-27 2022-06-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102362189B1 (ko) * 2015-04-16 2022-02-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN104900681B (zh) * 2015-06-09 2019-02-05 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板及其形成方法
KR102402195B1 (ko) * 2015-06-30 2022-05-25 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102486876B1 (ko) 2015-07-07 2023-01-11 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
WO2017039857A1 (en) 2015-08-31 2017-03-09 Kateeva, Inc. Di- and mono(meth)acrylate based organic thin film ink compositions
KR102414110B1 (ko) * 2015-09-07 2022-06-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102415052B1 (ko) * 2015-09-18 2022-07-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102407569B1 (ko) * 2015-10-31 2022-06-10 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102446425B1 (ko) * 2015-11-17 2022-09-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN106848088B (zh) * 2015-12-07 2020-11-03 上海和辉光电有限公司 显示模组封装结构及其制备方法
CN105609532B (zh) * 2015-12-21 2019-11-22 上海天马有机发光显示技术有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板
CN105449118B (zh) * 2016-01-04 2017-12-08 京东方科技集团股份有限公司 一种oled器件的封装结构、显示装置和封装方法
WO2017118574A1 (de) * 2016-01-05 2017-07-13 Osram Oled Gmbh Verfahren zur herstellung von organischen leuchtdioden und organische leuchtdiode
KR102407869B1 (ko) 2016-02-16 2022-06-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법
JP2017147165A (ja) 2016-02-19 2017-08-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR101973163B1 (ko) 2016-03-22 2019-04-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102567547B1 (ko) 2016-03-22 2023-08-17 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102451726B1 (ko) 2016-03-28 2022-10-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20170133812A (ko) * 2016-05-26 2017-12-06 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
JP6640034B2 (ja) 2016-06-17 2020-02-05 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置の製造方法
JP6717700B2 (ja) * 2016-07-28 2020-07-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法
KR101964934B1 (ko) 2016-07-29 2019-04-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102553910B1 (ko) * 2016-08-31 2023-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시장치와 그의 검사방법
CN109792818B (zh) * 2016-09-30 2021-06-11 夏普株式会社 有机el显示装置和有机el显示装置的制造方法
WO2018066038A1 (ja) * 2016-10-03 2018-04-12 シャープ株式会社 有機el表示装置および有機el表示装置の製造方法
CN106384743B (zh) * 2016-10-20 2019-12-24 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示器及其制作方法
US10743425B2 (en) * 2016-10-31 2020-08-11 Lg Display Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
JP2018081768A (ja) * 2016-11-14 2018-05-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
JP6343649B2 (ja) * 2016-12-01 2018-06-13 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置
KR20180065068A (ko) 2016-12-06 2018-06-18 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
WO2018116576A1 (ja) * 2016-12-21 2018-06-28 パイオニア株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2018113104A (ja) * 2017-01-06 2018-07-19 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
KR20180091987A (ko) * 2017-02-06 2018-08-17 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN108400252A (zh) * 2017-02-07 2018-08-14 上海和辉光电有限公司 一种显示面板及电子设备
JP6830011B2 (ja) * 2017-03-01 2021-02-17 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置
CN106653820B (zh) * 2017-03-08 2019-04-05 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及制作方法、柔性显示装置
US20200020880A1 (en) * 2017-03-27 2020-01-16 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
CN111788265A (zh) 2017-04-21 2020-10-16 柯狄公司 用于形成有机薄膜的组合物和技术
CN107104127B (zh) * 2017-04-27 2019-11-22 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板和显示装置
JP6947536B2 (ja) 2017-05-26 2021-10-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102438255B1 (ko) 2017-05-31 2022-08-30 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2019003819A (ja) * 2017-06-14 2019-01-10 株式会社Joled 有機el表示パネル
US10991906B2 (en) * 2017-06-21 2021-04-27 Sharp Kabushiki Kaisha Display device, method for manufacturing display device, and manufacturing apparatus of display device
CN110800123A (zh) * 2017-06-26 2020-02-14 3M创新有限公司 结构化膜及其制品
JP2019012099A (ja) * 2017-06-29 2019-01-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
US20190312228A1 (en) * 2017-07-14 2019-10-10 Sharp Kabushiki Kaisha Manufacturing method of electro-optical device and electro-optical device
US10516012B2 (en) 2017-08-10 2019-12-24 Sharp Kabushiki Kaisha Electro-optical device and manufacturing method thereof
US20200358030A1 (en) * 2017-08-24 2020-11-12 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
CN107565066A (zh) * 2017-08-28 2018-01-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled面板的制作方法及oled面板
US20190319218A1 (en) * 2017-09-28 2019-10-17 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method of manufacturing the same
US10741635B2 (en) 2017-09-28 2020-08-11 Sharp Kabushiki Kaisha Display device, display device manufacturing method, and display device manufacturing apparatus
CN111149430B (zh) * 2017-09-28 2022-10-04 夏普株式会社 显示装置
WO2019082303A1 (ja) * 2017-10-25 2019-05-02 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
KR102408164B1 (ko) 2017-10-31 2022-06-10 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조방법
KR101940231B1 (ko) * 2017-12-11 2019-01-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2019130417A1 (ja) * 2017-12-26 2019-07-04 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機elデバイスおよびその製造方法
US11765941B2 (en) * 2017-12-26 2023-09-19 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
WO2019130480A1 (ja) * 2017-12-27 2019-07-04 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
KR102524346B1 (ko) 2018-01-03 2023-04-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
JP6983080B2 (ja) * 2018-01-19 2021-12-17 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
KR102603869B1 (ko) 2018-02-08 2023-11-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2019163009A1 (ja) * 2018-02-21 2019-08-29 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機elデバイスおよびその製造方法
WO2019167270A1 (ja) * 2018-03-02 2019-09-06 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
JP6515224B2 (ja) * 2018-03-05 2019-05-15 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機elデバイスの製造方法および成膜装置
WO2019171584A1 (ja) * 2018-03-09 2019-09-12 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
US11417863B2 (en) * 2018-03-27 2022-08-16 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and production method therefor
CN111971731B (zh) * 2018-03-28 2022-04-12 夏普株式会社 显示设备及显示设备的制造方法
WO2019186814A1 (ja) * 2018-03-28 2019-10-03 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
KR102256298B1 (ko) 2018-06-26 2021-05-26 삼성에스디아이 주식회사 리튬이차전지용 니켈계 활물질 전구체, 이의 제조방법, 이로부터 형성된 리튬이차전지용 니켈계 활물질 및 이를 포함하는 양극을 함유한 리튬이차전지
JP6759287B2 (ja) * 2018-07-19 2020-09-23 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機elデバイスおよびその製造方法
CN109065749A (zh) 2018-07-23 2018-12-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示装置
CN109037289B (zh) * 2018-08-01 2021-02-19 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板
US11721807B2 (en) 2018-08-14 2023-08-08 Samsung Sdi Co., Ltd. Nickel-based active material precursor for lithium secondary battery, preparation method thereof, nickel-based active material for lithium secondary battery formed therefrom, and lithium secondary battery including cathode including the nickel-based active material
KR102623838B1 (ko) * 2018-08-20 2024-01-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN109065760B (zh) 2018-08-22 2021-04-27 京东方科技集团股份有限公司 封装结构及封装方法、显示装置
JP7178216B2 (ja) * 2018-09-03 2022-11-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、及び表示装置の製造方法
KR101990131B1 (ko) * 2019-01-14 2019-06-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP7269050B2 (ja) * 2019-03-22 2023-05-08 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、および表示装置の製造方法
US20220181582A1 (en) * 2019-03-28 2022-06-09 Sharp Kabushiki Kaisha Display device, and method for manufacturing display device
WO2020202247A1 (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 シャープ株式会社 表示装置
JP2020184426A (ja) * 2019-04-26 2020-11-12 株式会社Joled 有機el表示パネルおよびその製造方法
EP4009373A4 (en) * 2019-08-01 2022-08-17 BOE Technology Group Co., Ltd. DISPLAY SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE
US11937346B2 (en) 2019-09-12 2024-03-19 Pioneer Corporation Light emitting device
CN111106259B (zh) * 2019-12-04 2021-01-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 可弯折有机发光二极管显示面板及有机发光二极管显示屏
KR20210072465A (ko) * 2019-12-09 2021-06-17 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
KR20210079898A (ko) * 2019-12-20 2021-06-30 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
JP2020098792A (ja) * 2020-01-29 2020-06-25 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機elデバイスおよびその製造方法
KR20210097878A (ko) * 2020-01-30 2021-08-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102235606B1 (ko) * 2020-03-05 2021-04-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR102198966B1 (ko) * 2020-04-16 2021-01-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102218650B1 (ko) * 2020-05-26 2021-02-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20210003072A (ko) * 2020-12-29 2021-01-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102520492B1 (ko) * 2021-01-07 2023-04-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1189925A (zh) * 1996-04-23 1998-08-05 住友电气工业株式会社 非水电解质电池
CN1205096A (zh) * 1996-09-19 1999-01-13 精工爱普生株式会社 矩阵式显示元件及其制造方法
CN1213284A (zh) * 1996-03-12 1999-04-07 普罗克特和甘保尔公司 用于控制进入发热元件氧气流量的复合薄膜

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3800177A (en) * 1971-12-20 1974-03-26 Motorola Inc Integrated light emitting diode display device with housing
JPS62115755A (ja) 1985-11-14 1987-05-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPS6358394A (ja) * 1986-08-29 1988-03-14 鈴木 康夫 エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
JP2705078B2 (ja) * 1988-02-10 1998-01-26 富士通株式会社 半導体素子表面の平坦化方法
US5189405A (en) * 1989-01-26 1993-02-23 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film electroluminescent panel
JPH02271557A (ja) 1989-04-12 1990-11-06 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
JPH0772324A (ja) * 1993-09-03 1995-03-17 Fujitsu Ltd カラーフィルタの製造方法
JPH10275680A (ja) 1997-03-31 1998-10-13 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機el素子
JP3541625B2 (ja) * 1997-07-02 2004-07-14 セイコーエプソン株式会社 表示装置及びアクティブマトリクス基板
US6380672B1 (en) * 1997-08-21 2002-04-30 Seiko Epson Corporation Active matrix display device
JP3580092B2 (ja) * 1997-08-21 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
JPH11121177A (ja) * 1997-10-13 1999-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 注入形電場発光デバイス
US6327011B2 (en) * 1997-10-20 2001-12-04 Lg Electronics, Inc. Liquid crystal display device having thin glass substrate on which protective layer formed and method of making the same
CN100530759C (zh) 1998-03-17 2009-08-19 精工爱普生株式会社 薄膜构图的衬底及其表面处理
KR100282393B1 (ko) 1998-06-17 2001-02-15 구자홍 유기이엘(el)디스플레이소자제조방법
JP2000021578A (ja) * 1998-07-01 2000-01-21 Sony Corp 有機el素子およびその製造方法
JP2000068050A (ja) 1998-08-24 2000-03-03 Casio Comput Co Ltd 電界発光素子及びその製造方法
JP2000173766A (ja) * 1998-09-30 2000-06-23 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2000174282A (ja) * 1998-12-03 2000-06-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP4186289B2 (ja) 1998-12-24 2008-11-26 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法
JP3817081B2 (ja) * 1999-01-29 2006-08-30 パイオニア株式会社 有機el素子の製造方法
JP2001068271A (ja) 1999-08-24 2001-03-16 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子
US6833668B1 (en) 1999-09-29 2004-12-21 Sanyo Electric Co., Ltd. Electroluminescence display device having a desiccant
JP3838827B2 (ja) * 1999-10-05 2006-10-25 新光電気工業株式会社 薄膜コンデンサ素子及びプリント回路基板の製造方法
US6573652B1 (en) * 1999-10-25 2003-06-03 Battelle Memorial Institute Encapsulated display devices
JP4776769B2 (ja) * 1999-11-09 2011-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP4432171B2 (ja) * 1999-11-22 2010-03-17 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示素子およびその製造方法
JP4827294B2 (ja) * 1999-11-29 2011-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜装置及び発光装置の作製方法
TW465122B (en) 1999-12-15 2001-11-21 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device
TW484238B (en) * 2000-03-27 2002-04-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and a method of manufacturing the same
JP4004709B2 (ja) 2000-03-30 2007-11-07 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法
JP2001307873A (ja) * 2000-04-21 2001-11-02 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示素子およびその製造方法
JP2001326070A (ja) * 2000-05-15 2001-11-22 Denso Corp 有機el素子
KR100403714B1 (ko) 2000-06-10 2003-11-01 씨씨알 주식회사 웹문서 레이아웃 이미지 및 웹사이트 구조를 제공하여인터넷 검색을 용이하게 할 수 있는 시스템 및 방법
TW522752B (en) * 2000-10-20 2003-03-01 Toshiba Corp Self-luminous display panel and method of manufacturing the same
US6787249B2 (en) * 2001-03-28 2004-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light emitting element and light emitting device using the same
KR100413450B1 (ko) * 2001-07-20 2003-12-31 엘지전자 주식회사 표시소자의 보호막 구조
JP2003059646A (ja) * 2001-08-10 2003-02-28 Ulvac Japan Ltd 有機薄膜表示装置
TW519853B (en) * 2001-10-17 2003-02-01 Chi Mei Electronic Corp Organic electro-luminescent display and its packaging method
JP4019690B2 (ja) * 2001-11-02 2007-12-12 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
US6710542B2 (en) * 2002-08-03 2004-03-23 Agilent Technologies, Inc. Organic light emitting device with improved moisture seal
JP3791618B2 (ja) * 2003-02-20 2006-06-28 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1213284A (zh) * 1996-03-12 1999-04-07 普罗克特和甘保尔公司 用于控制进入发热元件氧气流量的复合薄膜
CN1189925A (zh) * 1996-04-23 1998-08-05 住友电气工业株式会社 非水电解质电池
CN1205096A (zh) * 1996-09-19 1999-01-13 精工爱普生株式会社 矩阵式显示元件及其制造方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP平2-271557A 1990.11.06
JP特开2001-148287A 2001.05.29

Also Published As

Publication number Publication date
JP5354073B2 (ja) 2013-11-27
US20060270305A1 (en) 2006-11-30
US7109653B2 (en) 2006-09-19
CN101257096A (zh) 2008-09-03
TW200302673A (en) 2003-08-01
CN100389509C (zh) 2008-05-21
US7928656B2 (en) 2011-04-19
JP4285241B2 (ja) 2009-06-24
JP5169335B2 (ja) 2013-03-27
CN1533682A (zh) 2004-09-29
WO2003061346A1 (fr) 2003-07-24
US20090179566A1 (en) 2009-07-16
US20030164674A1 (en) 2003-09-04
JPWO2003061346A1 (ja) 2005-05-19
US7524228B2 (en) 2009-04-28
TW580843B (en) 2004-03-21
JP2008165251A (ja) 2008-07-17
KR20040015360A (ko) 2004-02-18
JP2012253036A (ja) 2012-12-20
KR100576639B1 (ko) 2006-05-08

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