CN101726291A - 地磁检测装置 - Google Patents

Abstract

就地磁传感器(1)而言，控制逻辑电路(11)对地磁传感器进行控制。当将地磁传感器安装在移动电话设备中时，控制逻辑电路从地磁传感器电路(12)读取与环境磁场相关的测定值，从所述测定值获得偏移值，并且将其存储在熔丝式存储器(13)中。在由地磁传感器进行测定时，控制逻辑电路从熔丝式存储器读取偏移值，并且使用所述值校正地磁传感器的测定值。在LSI发货检验期间测定磁传感器的校正系数a11-a22。把从这些校正系数a11-a22获得的校正数据D1-D4写入到熔丝式存储器(315)中。在地磁检测期间，控制电路(308)把磁传感器(310)和(311)的检测输出Sx和Sy输入到内部寄存器。从熔丝式存储器(315)读取校正数据D1-D4。使用公式(309)至(312)校正检测输出Sx和Sy。

Description

地磁检测装置

本申请是基于2005年10月7日提出的PCT/JP2005/018638(中国国家申请号200580001079.9)申请(地磁传感器和地磁传感器校正方法、温度传感器和温度传感器校正方法、地磁检测装置)的分案申请，以下引用其内容。

技术领域

本发明涉及一种安装在例如移动电话设备中用于测定方位的地磁传感器，并且涉及一种使用存储在熔丝式存储器中的偏移值来校正测定值的地磁传感器校正方法。

本申请要求2004年10月7日提交的申请号为2004-295139的日本专利申请、2004年10月12日提交的申请号为2004-297981的日本专利申请和2005年3月30日提交的申请号为2005-99092的日本专利申请的优先权，它们的内容以引用方式并入本文。

本发明还涉及一种用于对安装在例如移动电话设备中用于测定方位的地磁传感器进行温度补偿的温度传感器，并且涉及一种使用存储在熔丝式存储器中的初始值和校正值来校正测定值的温度传感器校正方法。

本发明还涉及一种具有用来检测地磁的正交轴分量的地磁检测元件的地磁检测装置，特别涉及一种具有热变成型(thermalmetamorphic type)非易失性存储元件的地磁检测装置，所述热变成型非易失性存储元件用来存储与地磁检测元件的检测输出相关的校正信息。

背景技术

近年来，人们越来越熟悉诸如移动电话之类的便携式信息终端。

这些便携式信息终端设置有用来检测地磁的地磁传感器，并且根据该地磁传感器检测到的地磁进行方位测定。将测定的方位用在例如地图显示中。举例来说，出现了具有以下功能的移动电话，所述功能为：基于进行位置检测的GPS(全球定位系统)而获得的当前位置信息，并根据移动电话方向(方位)来显示地图。

顺便提一下，地磁传感器的特性根据芯片的不同而不同，并且应该通过某种装置来校正这些特性。例如，结合有地磁传感器的移动电话在不改变水平状态的情况下，在固定磁场中以匀速缓慢旋转一圈或多圈时，根据其输出所绘制的圆被称作方位圆，所述地磁传感器具有沿着的水平面中的两个轴(X轴和Y轴方向)的地磁检测方向作为传感方向。

该类方位圆理想的圆心是X轴和Y轴所交叉的原点，并且具有指定半径。然而，如上所述，地磁传感器的特性根据芯片的不同而不同，并且移动电话内部存在磁场。由于特性上存在该差异而且存在前述磁场，所以，所述方位圆的圆心偏离原点。该偏离被称作偏移，并且该偏离值被称作偏移值。当存在这种偏移时，根据没有偏移这样的假设，基于地磁传感器的测定值而计算出的方位与实际方位不同。因此，地磁传感器根据测定值校正所述偏移。

由于在此通过从测定值中减去偏移值而对来自地磁传感器的测定值的偏移进行校正，所以，需要将用于所述校正的偏移值存储在地磁传感器中，所述偏移值是通过根据多个测定值进行数字计算而获得的，所述多个测定值是通过旋转所述移动电话而获得的。因此，通过把用于检测地磁(磁场)的地磁传感器元件和运算单元、A/D转换器和EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)相结合，而在一个芯片上构成传统的地磁传感器，所述运算单元用于根据所述地磁传感器元件的测定值计算偏移值，所述A/D转换器用于对所述偏移值进行A/D(模/数)转换，所述EEPROM用于存储已被A/D转换的偏移值。

然而，在传统的地磁传感器中，存储有前述偏移值的EEPROM将隧道绝缘膜之类的薄氧化膜应用于存储单位(memory unit)，并且把用于在芯片上形成位线和字线的多晶硅层和金属层层叠为几层。因此，需要特殊工艺来制造所述芯片，这导致了芯片单价高的问题。而且，EEPROM需要用于进行写入的高压产生电路、写入电路等，这导致了进一步的问题，即，芯片尺寸增大，并且用于驱动EEPROM的地磁传感器系统规模增大。

传统上，在半导体芯片上形成的温度传感器中，使用了例如图12所示的温度传感器电路212。温度传感器电路212由运算放大器OA、二极管D1-D2、电阻器R1-R3和A/D(模/数)转换器ADC构成。由运算放大器OA、二极管D1-D2、电阻器R1-R3构成了通常的带隙参考电路(band gap reference circuit)。

运算放大器OA的非反相输入端与二极管D1的正极相连接，并且二极管D1的负极接地。运算放大器OA的反相输入端与电阻器R3的一端相连接，电阻器R3的另一端与二极管D2的正极相连接，并且二极管D2的负极接地。运算放大器OA的输出端通过电阻器R1与非反相输入端相连接，并且通过电阻器R2与反相输入端相连接。

用于输出所述带隙参考电路的输出电压Vref的输出端OpVref与运算放大器OA的输出端相连接，同时用于将所述电压Vbe输出到二极管D1的输出端OpVbe与运算放大器OA的非反相输入端相连接。

所述带隙参考电路的输出端OpVref与A/D转换器ADC的输入端IpVh相连接，并且所述带隙参考电路的输出端OpVbe与A/D转换器ADC的输入端IpVl相连接。A/D转换器ADC对输入到输入端IpVh的电压和输入到输入端IpVl的电压的差的电压Vin进行A/D(模/数)转换，并且A/D转换器ADC设置有用于输出输出值Dout的输出端OpDout，输出值Dout为输出电压的转换值。前述A/D转换器ADC将电压Vin的范围设置为0-1.25V，对所述电压Vin进行1251级(step)(0-1250)A/D转换，并且输出输出值Dout。

接下来，说明温度传感器电路212的操作。包括运算放大器OA、二极管D1-D2、电阻器R1-R3的带隙参考电路把源电压和温度依存性很低的输出电压Vref(＝1.25V)从输出端OpVref输出到A/D转换器ADC的输入端IpVh，把具有大约-2mV/℃温度系数的输出电压Vbe从输出端OpVbe输出到A/D转换器ADC的输入端IpVl。其后，A/D转换器ADC对作为输出电压Vref和输出电压Vbe的差的电压的电压Vin进行1251级A/D转换，并且输出输出值Dout。

此时，由于输出电压Vref具有很低的源电压和温度依存性，所以可将其看作常量，并且由于输出电压Vbe具有大约-2mV/℃的温度系数，所以电压Vin根据与输出电压Vbe对应的温度而改变。因此，输出值Dout根据温度变化。由于这个原因，如果假设当环境温度为25℃时输出电压Vbe为0.6V，则输出值Dout将如以下公式(21)所示。

Dout＝-2(T-25)+600......(21)

根据公式(21)，当环境温度为30℃时，输出电压Vbe为0.59，并且输出值Dout为590。

作为该发明的相关文献，例如，日本专利申请2004-85384记录了一种温度传感器电路，其中，由结合了熔丝和所述电阻器组的熔丝电路对电阻器组的分压比进行调整，其中，制造处理差异的影响可被消除，并且能够通过由所述熔丝电路所调整的输出电压来进行高精度温度补偿。

然而，在前述温度传感器电路212中，关于内部带隙参考电路的输出电压Vref和二极管D1的相关电压Vbe，电压值和温度特性具有各自的变化，这导致难以对作为测定值的输出值Dout的准确度进行改善的问题。

通常，在芯片上安装两个正交轴方向的磁传感器以进行地磁检测的LSI(大规模集成电路)具有校正地磁传感器的灵敏度的手段。

作为一种通过算术处理来对磁传感器的检测输出进行校正的技术，例如，记录在同一日本专利申请2000-180170中的一种技术。根据记录在该文献中的技术，如下对X轴检测部分的检测输出进行校正。即，磁传感器的检测范围按每90°而分割为4块，X轴检测部分的最大输出电压值为A1，并且在从Y轴检测部分的输出值为0的位置旋转90°的点处，X轴检测部分的输出电压值为A2。

根据输出电压值A2处于+侧的情况、处于一侧的情况、和为无穷小的情况来进行分类。在+侧的情况下，将公式(301)用作校正公式；在一侧的情况下，将公式(302)用作校正公式；并且在无穷小的情况下，不进行校正。

[ABS(A3)+ABS(A2)]·Z...(301)

[ABS(A3)+ABS(A2)]/Z...(302)

假设A3为X轴检测部分的实际测定输出，并且Z为公式(303)示出的校正参数。

Z＝A1/[A1-ABS(A2)]...(303)

通过相同的技术对Y轴进行校正，并且对X轴检测部分和Y轴检测部分的正交度进行校正。

在以该方式通过算术处理对磁传感器的检测输出进行校正的情况下，例如可采用如下模式，即，在发货检验(shipment inspection)时测定校正数据、并且将该校正数据写到安装在LSI中的非易失性存储器中。

顺便提一下，关于这种LSI，近来，一种安装了熔丝式存储器的LSI已经变得可用，该熔丝式存储器用于接收低压产生的请求，并且作为即使处在低压情况下也允许对其进行适当的读取的非易失性存储器。

然而，与前述优点相比，熔丝式存储器针对在写入期间使用的熔丝切断需要大容量晶体管，而且关注电路规模也是必要的。因此，通过将发货检验时获得的校正数据值写到熔丝式存储器中而不作改变的模式，需要大量熔丝式存储器，这不便于电路设计。

发明内容

根据前述情况而作出本申请的第一组发明，并且其目的在于提供一种更小型和更便宜的地磁传感器和地磁传感器校正方法，无需在通过具有内置熔丝式存储器并存储偏移值等而制造的芯片中进行特殊处理，就使整个存储器系统规模更小，。

为了实现上述目的，本发明提出以下手段。

本申请的第一组发明包括：地磁检测装置，用于检测地磁；熔丝式存储器，该熔丝式存储器具有多个存储单位，其能够以可选择的方式使各个所述存储单位电气断开或电气连接，以根据电气断开或电气连接的状态来将指定数据存储在各个所述存储单位；校正数据写入装置，用于在制造时输入所述地磁检测装置的测定值，基于所述测定值获得对地磁检测装置的测定值的温度特性进行校正的校正值，并且根据所述校正值，通过对包含在所述熔丝式存储器中的各个存储单位选择性地进行电气断开或电气连接，来将所述校正值写入到所述熔丝式存储器中；校正数据读取装置，用于在制造之后的实际使用时，从所述熔丝式存储器读取所述校正值；以及校正装置，用于在实际使用时输入所述地磁检测装置的测定值，并且基于由所述校正数据读取装置读取的校正值来校正所述地磁检测装置的测定值。

通过本发明，在制造地磁传感器时，校正数据写入装置从用来校正所述测定值的地磁检测装置的测定值中获得校正值，并且使用熔丝式存储器进行写入，同时通过物理地断开与所述校正值对应的熔丝来保证所述校正值的可保存性。在实际使用地磁传感器时，校正数据读取装置从熔丝式存储器读取校正值，并且校正装置基于所述校正值校正地磁检测装置的测定值。

本申请的第一组发明还包括用于校正已记录的地磁传感器的测定值的地磁传感器校正方法，所述地磁传感器还设置有用于检测温度的温度测定装置，所述地磁传感器校正方法包括以下步骤：在制造所述地磁传感器时，预先获得所述温度测定装置的灵敏度特性，并且将其存储在所述熔丝式存储器中的步骤；根据存储在所述熔丝式存储器中的灵敏度特性数据来校正所述温度测定装置的灵敏度特性的步骤；以及根据所述地磁传感器的温度来校正磁灵敏度的偏移，并且将所述校正的偏移存储在所述熔丝式存储器中的步骤。

通过该发明，预先获得设置在地磁传感器中的温度测定装置的灵敏度特性，并且在制造地磁传感器时将其存储在熔丝式存储器中；根据所述灵敏度特性数据来校正温度测定装置的灵敏度特性；根据所述温度来校正具有温度特性的地磁传感器的温度偏移；以及将所述偏移存储在熔丝式存储器中。

本申请的第一组发明还包括用于校正地磁传感器的测定值的地磁传感器校正方法，其具有下述步骤：其中，在制造所述地磁传感器时，基于零磁场中的测定值，来对测定值进行校正。

通过本发明，在制造地磁传感器时，基于零磁场中的测定值来校正测定值。

本申请的第一组发明具有以下效果：基于由熔丝式存储器存储的地磁检测装置的测定值的校正值来校正地磁检测装置的测定值，并且可正确地获得地磁检测装置的测定值。对于传统的地磁传感器，与在EEPROM中存储偏移值相比较，还具有这样的效果：当制造芯片时不需要特殊工艺，并且可使用普通的C-MOS工艺来制造所述芯片。而且，有这样的效果：不需要用于写入的高压产生电路、写入电路等，且可力争使得存储器驱动系统的规模更小。而且，由于通过物理地断开熔丝来存储校正值，所以有这样的效果：可消除所述校正值随着时间而改变的情况。

通过本申请的第一组发明，由于由把所述地磁传感器的灵敏度特性数据存储在熔丝式存储器中的温度测定装置来校正地磁传感器的偏移，由于所述偏移存储在熔丝式存储器中，并且由于用所述偏移来校正地磁传感器的测定值时，所以有这样的效果：即使与温度相关，也可在每一芯片中精确进行对所述地磁传感器的测定。

根据本申请的第一组发明，本发明具有这样的效果：在制造地磁传感器时校准零磁场中的测定值，并且可进行更精确的测定。

以下，在本说明书中，用于将电气连接状态改变为电气断开状态的所谓熔丝、和用于将电气断开状态改变为电气连接状态的反熔丝(anti-fuse)都被称作熔丝而不作特别区分，并且采用这种结构的存储器被称作熔丝式存储器。

“熔丝物理地断开”指的是如下手段，即，用于对熔丝元件执行电气断开的装置使用物理手段把形成该熔丝元件的材料的电气连接断开，或者包括通过生成高电阻来阻止导电直至可判断出实质上已经出现断开的状态，所述物理手段包括在电子上、或使用诸如激光束的能量束、或使用与来自电子枪和FIB(聚焦离子束)等的电子束类似的电荷束来执行所述电气断开的物理手段。

根据前述情况，进行本申请的第二组发明，其目的在于提供一种温度传感器和一种温度传感器校正方法，能够通过提供熔丝式存储器、存储初始值和校正值、并且根据所述初始值和校正值校正所述测定值，针对测定值来校正变化并试图提高精确度。

为了实现前述目的，本发明提供以下手段。

本申请的第二组发明包括：温度检测装置，用于检测温度；熔丝式存储器，其为具有多个存储单位的熔丝式存储器，其能够选择性地使各个所述存储单位电气断开或电气连接，以根据各个所述存储单位中的电气断开或电气连接的状态来存储指定数据；校正数据写入装置，用于在制造时输入所述温度检测装置的测定值，基于所述测定值来获得对所述温度检测装置的测定值进行校正的初始值，基于所述测定值来获得对所述温度检测装置的灵敏度特性进行校正的校正值，并且根据所述初始值和所述校正值，通过对包含在所述熔丝式存储器中的各个存储单位选择性地进行电气断开或电气连接，来将所述初始值和所述校正值写入到所述熔丝式存储器中；校正数据读取装置，用于在制造之后的实际使用时，从所述熔丝式存储器读取所述初始值和校正值；以及校正装置，用于在所述实际使用时输入所述温度检测装置的测定值，并且基于由所述校正数据读取装置读取的初始值和校正值来对所述温度检测装置的测定值进行校正。

根据本发明，在制造温度传感器之前，校正数据写入装置从温度检测装置的测定值中获得用于校正所述温度检测装置的测定值的初始值，根据所述测定值获得用于对所述温度检测装置的灵敏度特性进行校正的校正值，并且将它们写入熔丝式存储器。在实际使用温度传感器时，校正数据读取装置从熔丝式存储器读取初始值和校正值，并且校正装置基于所述初始值和校正值来校正温度检测装置的测定值，其结果是能够减少各个温度传感器中的温度特性的变化，并且能够减少各个温度传感器中测定值的差。

本申请的第二组发明还包括用于校正温度传感器中的测定数据的温度传感器校正方法，所述温度传感器包括：温度检测装置，用于检测温度；控制装置，用于处理所述温度检测装置的测定值；以及熔丝式存储器，用于允许通过电流流动来选择性地进行电气断开，并且根据电气断开状态来存储由所述校正装置在校正中所使用的校正数据，所述温度传感器校正方法包括以下步骤：在制造时由所述控制装置输入所述温度检测装置的测定值，基于所述测定值来获得对所述温度检测装置的测定值变化进行校正的初始值，基于所述测定值来获得用于校正所述温度检测装置的灵敏度变化的校正值，以及根据所述初始值和所述校正值，通过对所述熔丝式存储器进行电气断开来将所述初始值和所述校正值写入所述熔丝式存储器的步骤；在制造之后的实际使用时，由所述控制装置从所述熔丝式存储器读取所述初始值和校正值的步骤；以及在所述实际使用时，由所述控制装置输入所述温度检测装置的测定值，并且基于由所述校正数据读取装置所读取的初始值和校正值来校正所述温度检测装置的测定值的步骤。

通过本发明，在制造温度传感器之前，校正数据写入装置从温度检测装置的测定值中获得用于校正温度检测装置的测定值的初始值，根据所述测定值获得用于校正温度检测装置的灵敏度特性的校正值，并且将它们写到熔丝式存储器中；在实际使用温度传感器时，校正数据读取装置从熔丝式存储器读取初始值和校正值；并且校正装置基于所述初始值和校正值来校正温度检测装置的测定值。因此，可减少各个温度传感器中温度特性的变化，并且可减少各个温度传感器中测定值的差。

本申请的第二组发明也是温度传感器校正方法，其中，所述校正数据写入步骤包括以下处理：从与所述温度检测装置的第一温度相关的测定值中减去与温度检测装置的第一温度相关的预设的逻辑值，并计算所述校正值的处理；将通过从与所述温度检测装置的第二温度相关的测定值中减去与所述温度检测装置的第一温度相关的测定值而获得的值，除以通过从所述第二温度中减去所述第一温度而获得的值的处理；以及根据所述初始值和所述校正值，通过选择性地使包含在所述熔丝式存储器中的各个存储单位电气断开或电气连接，来将所述初始值和所述校正值写入所述熔丝式存储器的处理。

通过本发明，在校正数据写入步骤，根据第一温度和第二温度计算初始值和校正值，将所述温度下的温度检测装置的测定值、第一温度下的温度检测装置的理论值、温度检测装置的灵敏度的理论值和相关值写入熔丝式存储器。

本申请的第二组发明具有这样的效果：可基于温度检测装置的测定值的初始值和校正值来校正温度检测装置的测定值，并且可准确地获得温度检测装置的测定值。

本申请的第二组发明具有这样的效果：可根据第一温度和第二温度的测定值等来计算温度检测装置的初始值和校正值，并且可将它们有效地存储在熔丝式存储器中，所述熔丝式存储器在存储小容量数据方面具有优势。而且，由于通过物理地断开熔丝来在存储器中存储初始值和校正值，所以存在这样的效果：在所述初始值和校正值中的变化可被消除。

根据这些情况，本申请的第三组发明与地磁检测装置相关，所述地磁检测装置具有用于检测地磁的正交轴分量的地磁检测元件、和用于存储地磁检测元件的检测输出的校正数据的热变成型非易失性存储元件，其中，提供一种使得热变成型非易失性存储元件小型化的技术。

为了完成前述任务，本申请的第三组发明提供一种地磁检测装置，其包括用于检测地磁的正交轴分量的地磁检测元件、和用于存储所述地磁检测元件的检测输出的校正信息的热变成型非易失性存储元件，其中，所述校正信息由轴灵敏度校正系数和轴间校正系数、以及表示为相对于任一轴的轴灵敏度校正系数的比率的值构成。

本申请的第三组发明提供一种地磁检测装置，其中，所述非易失性存储元件存储有最小量的校正信息，所述校正信息与除任一轴的所述轴灵敏度校正系数之外的轴灵敏度校正系数相关。

本申请的第三组发明提供一种地磁检测装置，其使用如下差值作为与除所述任一轴的轴灵敏度校正系数之外的轴灵敏度校正系数相关的校正信息，所述差值是通过从该轴灵敏度校正系数的相对于轴灵敏度校正系数的比率减去预设标准值而获得的。

本申请的第三组发明提供一种地磁检测装置，其设置有用于对所述地磁检测元件的检测输出进行校正计算的校正计算电路，其中，该校正计算电路这样计算检测输出的校正值：将轴灵敏度校正系数乘以检测输出以进行校正，并且加上如下校正项：即，通过将轴间校正系数与另一个轴的检测输出相乘而获得的校正项。

本申请的第三组发明提供一种地磁检测装置，其设置有用于对所述地磁检测元件的检测输出进行校正计算的校正计算电路，其中，该校正计算电路在所述标准值与所述差值相加并且复原轴灵敏度校正系数之后，进行校正计算。

本申请的第三组发明提供一种地磁检测装置，其中，所述校正计算电路通过用预设的替代值来代替不能从所述校正数据中获得的校正系数而进行计算。

为了完成前述任务，本申请的第三组发明是一种地磁检测装置，其包括：地磁检测元件，用于检测每一个正交轴分量的地磁；以及热变成型非易失性存储元件，用于存储一个或多个校正数据，所述校正数据用来校正所述检测到的地磁值，其中，每一个所述校正数据均被表示为如下数据相对于任一轴的轴灵敏度校正系数的比率值，所述数据为轴灵敏度校正系数、或轴间校正系数、或通过从轴灵敏度校正系数中减去预设标准值而获得的差值。

本申请的第三组发明提供一种地磁检测装置，其中，所述校正数据中的至少一个是如下比率值：即，是除与所述任一轴相关的轴灵敏度校正系数之外的轴灵敏度校正系数相对于所述任一轴的轴灵敏度校正系数的比率值。

本申请的第三组发明提供一种地磁检测装置，其中，所述校正数据中的至少一个是如下差值相对于任一轴的所述轴灵敏度校正系数的比率值：即，通过从与除所述任一轴之外的轴相关的轴灵敏度校正系数中减去指定标准值而获得的差值。

本申请的第三组发明提供一种地磁检测装置，其设置有用于对所述地磁检测元件检测到的每一个正交轴分量的地磁值进行校正的校正计算电路，其中，所述校正计算电路通过计算出以下两个乘积值的和来获得被校正的地磁值：第一个乘积值是通过将规定轴分量的地磁值乘以通过将指定值与如下比率相加而获得的相加值来获得的，所述比率为如下数据相对于所述任一轴的轴灵敏度校正系数的比率，所述数据为所述规定轴分量的轴灵敏度校正系数或通过从所述规定轴分量的轴灵敏度校正系数中减去指定标准值而获得的差值；第二个乘积值是通过将另一轴分量的地磁值和如下比率值相乘而获得的，所述比率值为所述轴间校正系数相对于所述任一轴分量的轴灵敏度校正系数的比率值。

本申请的第三组发明提供一种地磁检测装置，其设置有用于对所述地磁检测元件检测到的每一个正交轴分量的地磁值进行校正的校正计算电路，其中，所述校正计算电路通过计算如下乘积值来获得被校正的地磁值：所述乘积值是通过将规定轴分量的地磁值乘以通过将指定值与如下比率相加而获得的相加值相乘来获得的，所述比率为如下数据相对于所述任一轴的轴灵敏度校正系数的比率，所述数据为所述规定轴分量的轴灵敏度校正系数或通过从所述规定轴分量的轴灵敏度校正系数中减去指定标准值而获得的差值。

本申请的第三组发明提供一种地磁检测装置，其中，所述热变成型非易失性存储元件表示为熔丝式存储器。

而且，本申请的第三组发明提供一种地磁检测装置，其中，所述指定标准值是所述任一轴的轴灵敏度校正系数。

通过该上述发明，根据另一轴灵敏度校正系数与任一轴的轴灵敏度校正系数的比率获得的值存储在热变成型非易失性存储元件中，其结果是校正信息可变得更加小型化，并且可减少热变成型非易失性存储元件的存储容量，同时通过进行轴间校正来维持校正精度。

而且，可将任一轴的轴灵敏度校正系数和轴间校正系数从校正信息中省略掉，并且可使校正信息变得更加小型化，而且可进一步降低非易失性存储元件的存储容量。

而且，通过把从另一轴的灵敏度校正系数减去标准值而获得的差值用作校正信息，可使得该校正信息变得更加小型化，并且可进一步降低非易失性存储元件的存储容量。

附图说明

图1是示出本申请的第一组发明的代表性实施例中的地磁传感器1的结构的示图。

图2A是示出在这些相同的实施例中的存储单位MUa的结构的示图。

图2B是示出在这些相同的实施例中的存储单位MUb的结构的示图。

图3是在这些相同的实施例中数据写入期间的熔丝式存储器13的电路图。

图4是示出这些相同的实施例中数据写入期间的熔丝式存储器13的时序的图。

图5是在这些相同的实施例中数据读取期间的熔丝式存储器13的电路图。

图6是示出这些相同的实施例中数据读取期间的熔丝式存储器13的时序的图。

图7A是示出在本申请的第一组发明的实施例1-2中的地磁传感器1的晶片的预加工过程中，将偏移值设置到熔丝式存储器13中的操作的流程图。

图7B是示出这些相同发明的实施例1-2中的地磁传感器1实际使用时的操作的流程图。

图8是将施加零磁场(步骤Sc1)的步骤加到图7的流程图中的流程图。

图9是示出在本申请的第一组发明的第二实施例中的地磁传感器1的晶片的预加工过程中，将偏移值设置到熔丝式存储器13中的操作的流程图。

图10是示出本申请的第二组发明的一个实施例中的温度传感器201的结构的示图。

图11A是示出在该相同的实施例中，在预加工温度传感器201的过程中在熔丝式存储器213中设置初始值ΔD和校正值Δk的操作、和温度传感器201实际使用时的操作的流程图。

图11B是示出在该相同的实施例中实际使用温度传感器201的过程中的操作的流程图。

图12是示出在传统情况下和在该相同的实施例中温度传感器电路212的结构的框图。

图13是示出与本申请的第三组发明的第一实施例相关的用于地磁检测的LSI的示意性结构的框图。

图14是示出熔丝式存储器结构实例的框图。

图15是示出在将本申请的发明结合到移动电话设备中的情况下的示意性结构的框图。

具体实施方式

以下将参照附图说明本申请的第一组发明的第一实施例。

如图1所示，该实施例的地磁传感器1是在一个芯片上构造的，并且由控制逻辑电路11(校正数据写入装置)(校正数据读取装置)(校正装置)、地磁传感器电路12(地磁检测装置)和熔丝式存储器13构成，控制逻辑电路11控制地磁传感器1，地磁传感器电路12由A/D(模/数)转换器和用于在相互垂直的X轴和Y轴的各个轴向(磁灵敏度方向)检测地磁的地磁传感器元件构成，并且所述地磁传感器元件例如包括GMR(巨磁阻)元件。

地磁传感器电路12使用A/D转换器来对地磁传感器元件获得的X轴和Y轴方向上的磁场的测定值进行A/D转换，并且将它们输出到控制逻辑电路11。当将地磁传感器1安装在移动电话设备中时，在所述移动电话设备旋转的情况下，控制逻辑电路11读取表示由地磁传感器电路12测定的环境磁场的多个测定值，根据所述测定值获得地磁传感器电路12的偏移值，并且将所述值存储在熔丝式存储器13中。

而且，通过读取来自熔丝式存储器13的偏移值，并且通过对所述值和来自地磁传感器电路12的测定值进行算术处理，控制逻辑电路11对来自地磁传感器电路12的测定值进行数字式校正。

地磁传感器1中设置有附图中未示出的物理量传感器，该物理量传感器包含温度传感器(温度测定装置)。控制逻辑电路11从所述温度传感器中读取环境温度数据，把与所述环境温度对应的偏移值写到熔丝式存储器13中，并且从熔丝式存储器13中读取与所述环境温度对应的偏移值。

熔丝式存储器13根据存储器容量的比特数而具有图2A中示出的存储单位MUa。例如，具有32比特存储容量的熔丝式存储器13具有32个存储单位MUa。由N通道MOS晶体管N1和熔丝FU构成存储单位MUa，所述熔丝FU插入到与地磁传感器1的电源电压VDD相连接的端子Ta和与MOS晶体管的漏极相连接的端子Tb之间。熔丝Fu由多硅结构(多晶硅)形成。写入电压输入端IpWr与MOS晶体管N1的栅极相连接，并且数据输出端OpD与MOS晶体管N1的漏极相连接。

MOS晶体管N1以一定尺寸形成在芯片上，当MOS晶体管N1通过栅极导通时，该尺寸使得漏极和源极之间的电流能够产生使熔丝Fu断开所需的热量。例如，将MOS晶体管N1形成为通道长度L＝0.65μm和通道宽度W＝140μm。

在将电源电压VDD施加到存储单位MUa的状态下，当从写入电压输入端IpWr将等于或高于使MOS晶体管N1导通的电压(MOS晶体管N1的阈值电压)的电压施加到MOS晶体管栅极时，MOS晶体管N1导通，并且由漏极和源极之间的电流产生的热量来使熔丝Fu断开。结果，存储单位MUa采用如下结构，即，如图2B所示，消除熔丝Fu。以下称作存储单位MUb。

另一方面，当从写入电压输入端IpWr将等于或低于MOS晶体管N1的阈值电压的电压施加到MOS晶体管栅极时，MOS晶体管N1截止，在漏极和源极之间没有电流，并且熔丝Fu未断开。如上所述，在将等于或高于MOS晶体管N1的阈值电压的电压输入到写入电压输入端IpWr情况下，仅使熔丝Fu断开，以便构成存储单位MUb的结构。

接下来，关于前述存储单位MUa，当施加电源电压VDD从而将等于或低于MOS晶体管N1的阈值电压的电压施加到写入电压输入端IpWr时，因为MOS晶体管N1截止，所以电源电压VDD通过熔丝Fu出现在数据输出端OpD。此时，当与数据输出端OpD相连接的C-MOS(互补型MOS)逻辑电路的输入端的输入电阻高时，几乎没有电流(放电电流)从数据输出端OpD流出，熔丝Fu不会被所述电流断开。

另一方面，在前述存储单位MUb中，即使施加电源电压VDD从而将等于或低于MOS晶体管N1的阈值电压的电压施加到写入电压输入端IpWr，因为MOS晶体管N1截止，并且因为熔丝Fu断开，所以电源电压VDD也不会被传送到数据输出端OpD。

如上所述，在将电源电压VDD施加到存储单位MUa的情况下，通过将等于或高于MOS晶体管N1的阈值电压的电压施加到写入电压输入端IpWr来使得熔丝Fu断开，从而形成存储单位MUb。在存储单位MUb中，当施加电源电压VDD从而将等于或低于MOS晶体管N1的阈值电压的电压施加到写入电压输入端IpWr时，不会将电压输出到数据输出端OpD。

另一方面，在将电源电压VDD施加到存储单位MUa的情况下，通过将等于或低于MOS晶体管N1的阈值电压的电压施加到写入电压输入端IpWr，不会使得熔丝Fu断开。在存储单位MUa中，当施加电源电压VDD从而将等于或低于MOS晶体管N1的阈值电压的电压施加到写入电压输入端IpWr时，将电源电压VDD输出到数据输出端OpD。

例如，可通过使每一电压值按以下方式对应于输入和输出数据来把输入数据存储在存储器中。即，使用MOS晶体管N1，该MOS晶体管N1的阈值电压为电源电压VDD的值的一半(VDD/2)。关于施加到写入电压输入端IpWr的电压，使得等于或低于MOS晶体管N1的阈值电压的电压(例如，地电平，以下称作“低电平”)对应于数据“0”，同时使得等于或高于MOS晶体管N1的阈值电压的电压(例如，VDD，以下称作“高电平”)对应于数据“1”。关于输出到数据输出端OpD的电压，使得低电平对应于数据“1”，并且使得高电平对应于数据“0”。

通过以上述方式进行设置，在施加电源电压VDD的情况下，根据熔丝Fu的存在形式来存储与施加到写入电压输入端IpWr的电压对应的数据。通过将低电平施加到写入电压输入端IpWr，在数据输出端OpD出现与根据熔丝Fu的存在形式而存储的数据相对应的电压。

根据以上描述，关于存储单位MUa，在施加电源电压VDD的情况下，根据数据把高电平或低电平施加到写入电压输入端IpWr的操作和根据熔丝Fu的存在形式来存储所述数据的操作被称作“写入”。

关于根据熔丝Fu的存在形式而存储数据的存储单位MUa或MUb，在施加电源电压VDD的情况下、通过将低电平施加到写入电压输入端IpWr、来从数据输出端OpD提取与所述数据对应的电压的操作被称作“读取”。

控制逻辑电路11将电源电压VDD提供给熔丝式存储器13，并且通过仅将高电平给予存储单位MUa的写入电压输入端IpWr，控制逻辑电路11使得所述存储单位MUa的熔丝Fu断开，所述存储单位MUa与熔丝式存储器13中的存储单位MUa中要存储数据“1”的比特对应。因此，与要存储数据“1”的比特对应的存储单位采用存储单位MUb的结构，并且存储数据。因此，与要存储数据“1”的比特对应的熔丝Fu被断开，并且进行数据“1”的“写入”。另一方面，与要存储数据“0”的比特对应的熔丝Fu不被断开，并且进行数据“0”的“写入”。

通过使控制逻辑电路11将电源电压VDD提供给熔丝式存储器13，并且将低电平给予写入电压输入端IpWr，并且通过输出与根据熔丝Fu的存在形式而存储的数据相对应的电压，在控制逻辑电路11中从数据输出端OpD进行数据“读取”。

接下来，对在本实施例中实际使用的熔丝式存储器13、和数据写入和数据读取时的时序进行说明。前述熔丝式存储器13串行输出4比特数据，如下详细所述。

图3是示出该实施例中的熔丝式存储器13、和写入时的时序的示图。在图3中，由存储单元(memory cell)Cel0-Cel3和非门(反转电路)Nt1-2构成熔丝式存储器13。因为存储单元Cel0-Cel3具有相同的结构，以下给出关于存储单元Cel0的说明。

存储单元Cel0由图2A所示的存储单位MUa、D触发器(延迟触发器)DFF(以下称作DFF)、双输入与门Ad、三输入或非门Nora和双输入或非门Norb构成。如上所述，存储单元Cel0-Cel3具有相同的结构，并且在下面，所述存储单元Cel0-Cel3的后缀附在每一前述组成元件的代号尾部。因此，存储单元Cel0中的DFF为DFF0，同时存储单元Cel2中的DFF为DFF2。因此，存储单元Cel0的组成元件为D触发器DFF0、与门Ad0和或非门Nora0和Norb0。

DFF0的正数据输出端O0同或非门Nora0的三个输入端之一相连接。DFF0的负数据输出端ON0同或非门Norb0的输入端之一相连接。或非门Nora0的输出端与存储单位MUa0的写入电压输入端IpWr0相连接。存储单位MUa0的数据输出端OpD0和与门Ad0的输入端之一相连接。与门Ad0的输出端和或非门Norb0的另一输入端相连接。

存储单元Cel0中设置有以下输入端和输出端，并且各个输入端或输出端按以下方式连接。即，存储单元Cel0中设置有输入端IpCk0、IpNCk0、IpNWrt0、IpRed0和IpDFi0，并且还设置有输出端OpNDi0。输入端IpCk0与DFF0的时钟输入端Ck0相连接。输入端IpNCk0和IpNWrt0分别同或非门Nora0的剩下两个输入端相连接。输入端IpRed0和与门Ad0的另一输入端相连接。输入端IpDFi0与DFF0的数据输入端D0相连接。输出端OpNDi0和或非门Norb0的输出端相连接。

熔丝式存储器13中设置有输入端IpClk、IpNWrite、IpRead、IpNDai和输出端OpDo。输入端IpClk与存储单元Cel0的输入端IpCk0相连接。其还通过非门Nt1和存储单元Cel0的输入端IpNCk0相连接。输入端IpNWrite和存储单元Cel0的输入端IpNWrt0相连接。输入端IpRead和存储单元Cel0的输入端IpRed0相连接。

输入端IpClk还和存储单元Cel1-Cel3的输入端IpCk1-IpCk3相连接。其还通过非门Nt1和存储单元Cel1-Cel3的输入端IpNCk1-IpNCk3相连接。输入端IpNWrite还和存储单元Cel1-Cel3的输入端IpNWrt1-IpNWrt3相连接。输入端IpRead还和存储单元Cel1-Cel3的输入端IpRed1-IpRed3相连接。

熔丝式存储器13的输入端IpNDai和存储单元Cel0的输入端IpDFi0相连接。存储单元Cel0的输出端OpNDi0和存储单元Cel1的输入端IpDFi1相连接。存储单元Cel1的输出端OpNDi1和存储单元Cel2的输入端IpDFi2相连接。存储单元Cel2的输出端OpNDi2和存储单元Cel3的输入端IpDFi3相连接。存储单元Cel3的输出端OpNDi3通过非门Nt2和熔丝式存储器的输出端OpDo相连接。

接下来，对把数据写入熔丝式存储器13的操作进行说明。在此例中，如图4(时序图)所示，将数据DD0和DD2(“1”：低电平)写入存储单元Cel0和Cel2，并且将数据DD1和DD3(“0”：高电平)写入存储单元Cel1和Cel3。而且，所述时序图中的斜线部分表示不定电平，即，可采用高电平(＝VDD)或低电平(＝地电平)中任一个的电压值。

首先，在输出时钟Clk的时钟脉冲Cp1之前，信号Read、NWrite、和NDai被设置为不定电平，并且将每一存储单元Cel0-Cel3的输出信号NDi0-NDi3和或非门Nora0-Nora3的输出信号W0-W3设置为不定电平。

接下来，输出时钟脉冲Cp1。与时钟脉冲Cp1的启动同步，将信号Read设置为低电平，并且将信号NWrite和NDai设置为高电平。因此，将信号NDai(高电平)输入DFF0的数据输入端D0。

当信号NWrite为高电平时，将高电平输入到或非门Nora0-Nora3的输入端之一。不考虑输入到另一输入端的信号——即，不考虑DFF0-DFF3的数据输出端O0-O3的输出信号、和存储单元Cel0-Cel3的输入端IpNCk0-IpNCk3中的输入信号的电平——或非门Nora0-Nora3以低电平输出输出信号W0-W3。以下，这被称作“或非门Nora0的输出信号被固定在低电平”。因此，各个存储单元Cel0-Cel3的各个存储单位MUa0-MUa3不进行前述写入操作。其后，将信号Read维持在低电平。

当输出时钟脉冲Cp2时，作为预先被取入数据输入端D0的信号NDai(高电平)的反转结果的低电平信号被输出到DFF0的负输出端ON0，并且被输入到或非门Norb0的输入端之一。

由于在此将信号Read维持在低电平，把与门Ad0的输出信号固定在低电平。因此，把或非门Norb0的另一输入端的信号固定在低电平。因此，或非门Norb0作为与从输入端之一所输入的信号相关的非门而进行工作，反转输入信号并且将其输出。以下，这被称作“或非门Norb0作为与DFF0的负数据输出端ON0相关的非门而工作”。结果，存储单元Cel0的输出端OpNDi0中的信号NDi0从不定电平转换为高电平。因此，在输出时钟脉冲Cp2时，把在输出时钟脉冲Cp1时被取入存储单元Cel0的输入端IpDFi0的信号(高电平)发送到存储单元Cel0的输出端OpNDi0。

由于存储单元Cel0的输出端OpNDi0与存储单元Cel1的输入端IpDFi1相连接，在输出时钟脉冲Cp2时，把在输出时钟脉冲Cp1时被取入存储单元Cel0的输入端IpDFi0的信号(高电平)发送到存储单元Cel1的输入端IpDFi1。当出现这种情况时，信号NDi0(高电平)被取入与所述输入端连接的DFF1的数据输入端D1。

接下来，当输出时钟脉冲Cp3时，把通过前述操作预先输入到存储单元Cel1的输入端IpDFi1中的信号Ndi0(高电平)发送到输出端OpNDi1，并且把所述输出端OpNDi1中的信号NDi1从不定电平转换为高电平。当出现这种情况时，把所述输出端OpNDi1中的信号NDi1输出到存储单元Cel2的输入端IpDFi2。

接下来，当输出时钟脉冲Cp4时，把预先输入到存储单元Cel2的输入端IpDFi2中的信号NDi1(高电平)发送到输出端OpNDi2，并且把所述输出端OpNDi2中的信号NDi2从不定电平转换为高电平。当出现这种情况时，把所述输出端OpNDi2中的信号NDi2输出到存储单元Cel3的输入端IpDFi3。接下来，当输出时钟脉冲Cp5时，把预先输入到存储单元Cel3的输入端IpDFi3中的信号NDi2(高电平)发送到输出端OpNDi3，并且把所述输出端OpNDi3中的信号NDi3从不定电平转换为高电平。

如上所述，由于在各个存储单位MUa0-MUa3的数据输出端OpD0-OpD3中高电平与数据“0”对应并且低电平与数据“1”对应，所以，由非门Nt2反转信号NDi3(高电平)，并且从输出端OpDo输出信号Do(低电平)。

如上所述，熔丝式存储器13从输入端IpNDai输入信号NDai(高电平)，并且通过时钟脉冲Cp1-Cp5，将内部存储单元Cel0-Cel3的输出端OpNDi0-OpNDi3中的信号NDi0-NDi3从不定电平改变为高电平。因此，如图4所示，把内部存储单元Cel0的输入端IpNDai中的信号NDai和与存储单元Cel0-Cel2的输出端OpNDi0-OpNDi2相连接的存储单元Cel1-Cel3的输入端IpDFi1-IpDFi3中的信号NDi0-NDi2从不定电平初始化为高电平。作为前述操作的结果，熔丝式存储器13作为移位寄存器工作。

另一方面，如下具体所述，通过时钟脉冲Cp5-Cp9来进行数据写入操作。

首先，当输出时钟脉冲Cp5时，将低电平信号输入到输入端IpNDai作为输入信号NDai。当输出时钟脉冲Cp6时，将高电平信号输入到输入端IpNDai作为输入信号NDai。如上所述，由于在输出时钟脉冲Cp5之前已经以高电平初始化了输入信号NDai，所以，仅在从输出时钟脉冲Cp5到输出时钟脉冲Cp6的时间段内，即，仅在输出一个时钟脉冲期间，输入信号NDai为低电平。

其后，将该低电平输入信号NDai发送到存储单元Cel1-Cel3的输入端IpDFi1-IpDFi3，如下根据上述熔丝式存储器13的移位寄存器操作以高电平初始化所述存储单元Cel1-Cel3的输入端IpDFi1-IpDFi3，使得各个输入端中的信号NDi0-NDi2进行如下改变。即，如图4所示，仅在从输出时钟脉冲Cp6到输出时钟脉冲Cp7的时间段内，信号NDi0为低电平。接下来，仅在从输出时钟脉冲Cp7到输出时钟脉冲Cp8的时间段内，信号NDi1为低电平。接下来，仅在从输出时钟脉冲Cp8到输出时钟脉冲Cp9的时间段内，信号NDi2为低电平。接下来，仅在从输出时钟脉冲Cp9到输出时钟脉冲Cp10的时间段内，存储单元Cel3的输出端OpNDi3中的信号NDi3为低电平。

根据写入数据DD0-DD3，与时钟脉冲Cp6-Cp9同步地顺序改变信号NWrite，并且进行输出。以下，对输出时钟脉冲Cp6-Cp9时的熔丝式存储器13的操作进行说明。

首先，当输出时钟脉冲Cp6时，把在已经输出时钟脉冲Cp5时存储单元Cel0的输入端IpNDai中的信号NDai(低电平)发送到DFF0的正数据输出端O0，并且将其输出到存储单元Cel0的或非门Nora0的三个输入端之一。另一方面，把信号NWrite对应于数据DD0(“1”)的低电平信号输出到或非门Nora0的剩下的两个输入端之一。

而且，由非门Nt1反转时钟脉冲Cp6的信号被输出到或非门Nora0的剩下的输入端。在此情况下，在时钟脉冲Cp6为高电平(时间间隔P0)时，输出作为反转输出的低电平信号，并且在时钟脉冲Cp6为低电平时，输出作为反转输出的高电平信号。

在此情况下，由于在时间间隔P0中将低电平信号输出到或非门Nora0剩下的那个输入端，所以，低电平信号输入到或非门Nora0的全部输入端，其结果是或非门Nora0的输出信号W0变为高电平，把高电平输入到存储单位MUa0的数据输入端IpWr0，存储单位MUa0中的MOS晶体管N10导通，熔丝Fu0断开，从而“cut”被记录在图4的输出信号W0的时序图中，并且数据DD0(“1”：低电平)被存储在存储单位MUa0中。

在时钟脉冲Cp6是低电平时，把高电平输入到或非门Nora0的三个输入端之一，或非门Nora0的输出信号W0被固定在低电平，把低电平输入到存储单位MUa0的数据输入端IpWr0，存储单位MUa0中的熔丝Fu0未被断开。

在除了存储单元Cel0之外的其它存储单元Cel1-Cel3中的或非门Nora1-Nora3中，由于在输入信号NDi0-NDi2(＝高电平)已被输入到三个输入端之一的情况下输入来自DFF0-DFF2的正输出端O0-O2的输出信号(＝高电平)，所以，或非门Nora1-Nora3的输出信号W1-W3被固定在低电平，把低电平输入到存储单位MUa1-MUa3的数据输入端IpWr1-IpWr3，存储单位MUa1-MUa3中的熔丝Fu1-Fu3未被断开。

接下来，当输出时钟脉冲Cp7时，把信号NWrite与数据DD1(“0”)对应的高电平信号输出到或非门Nora1的三个输入端之一。或非门Nora1的输出信号W1被固定在低电平，把低电平输入到存储单位MUa1的数据输入端IpWr1，存储单位MUa1中的熔丝Fu1未被断开。

在除了存储单元Cel1之外的其它存储单元Cel0和Cel2-Cel3中的或非门Nora0和Nora2-Nora3中，由于把DFF0和DFF2-DFF3的正输出端O0和O2-O3的输出信号(＝高电平)输入到三个输入端的任一个，所以，或非门Nora0和Nora2-Nora3的输出信号W0和W2-W3被固定在低电平，把低电平输入到存储单位MUa0和MUa2-MUa3的数据输入端IpWr0和IpWr2-IpWr3，还未被断开的存储单位MUa2-MUa3中的熔丝Fu2-Fu3被断开。

因此，进行以下说明。即，根据输入信号Nwrite的数据，在时钟脉冲Cp6-Cp7已变为高电平时，当低电平信号已被选择性地输入到存储单元Cel0-Cel1中的输入端IpNDai或输入端IpDFi0时，存储单位MUa0-MUa1中的熔丝Fu0-Fu1被断开。

接下来，当输出时钟脉冲Cp8-Cp9时，根据以上描述进行以下操作。即，当输出时钟脉冲Cp8时，把信号NWrite与数据DD2(“1”)对应的低电平信号输出到或非门Nora2的三个输入端之一。在时钟脉冲Cp8为高电平(时间间隔P2)时，输出作为反转输出信号的低电平信号。在此情况下，由于在时间间隔P2中输出作为反转输出信号的低电平信号，把低电平信号输入到或非门Nora2的全部输入端，其结果是或非门Nora2的输出信号W2变为高电平，高电平被输入到存储单位MUa2的数据输入端IpWr2，存储单位MUa2的熔丝Fu2断开从而“cut”被记录在图4的输出信号W2的时序图中，并且数据DD2(“1”：低电平)被存储在存储单位MUa2中。

当输出时钟脉冲Cp9时，把信号NWrite与数据DD3(“0”)对应的高电平信号输出到或非门Nora3的三个输入端之一。或非门Nora3的输出信号W3变为低电平，并且存储单位MUa3中的熔丝Fu3未被断开。

作为上述操作的结果，在存储单元Cel0-Cel3中，熔丝式存储器13根据存储单位MUa0-MUa3中的熔丝Fu0-Fu3的存在形式写入顺序输入的数据DD0-DD3。

接下来，参照附图说明从熔丝式存储器13读取数据的操作。如图5所示，图3中所示的熔丝式存储器13的存储单元Cel0和Cel2的两个存储单位MUa0和MUa2的熔丝Fu0和Fu2被断开。因此，把构成“1”(：低电平)的数据DD0和DD2写入存储单元Cel0和Cel2，并且把构成“0”(：高电平)的数据DD1和DD3写入存储单元Cel1和Cel3。图6的时序图中示出读取的时序。

首先，在输出时钟Clk的时钟脉冲Cp1之前，把信号Read、Nwrite和NDai设置为不定电平，并且把各个存储单元Cel0-Cel3的输出信号NDi0-NDi3和或非门Nora0-Nora3的输出信号W0-W3设置为不定电平。

接下来，输出时钟脉冲Cp1，并且将信号Read设置为低电平，并且同步于时钟脉冲Cp1的启动把信号NWrite和NDai设置为高电平。从而，信号NDai(高电平)被取入DFF0的数据输入端D0。

由于信号NWrite为高电平，所以，或非门Nora0-Nora3的输出信号被固定在低电平，输出低电平输出信号W0-W3，并且各个存储单位MUa0-MUa3不进行前述写入操作。

当其后输出时钟脉冲Cp2时，作为预先被取入数据输入端D0的信号NDai(高电平)的反转结果的低电平信号被输出到DFF0的负数据输出端ON0，并且被输入到或非门Norb0的输入端之一。在此情况下，由于将信号Read维持在低电平，如上所述，或非门Norb0作为与DFF0的负数据输出端ON0相关的非门而工作，输入到输入端之一的信号被反转，并被输出。结果，存储单元Cel0的输出端OpNDi0中的信号NDi0从不定电平转换为高电平。

通过输出时钟脉冲Cp3-Cp5来进行前述操作。因此，把信号NDai和NDi0-NDi2从不定电平初始化为高电平。

接下来，正如下面详细说明的，根据时钟脉冲Cp6-Cp9来进行数据读取操作。

首先，当输出时钟脉冲Cp6时，把高电平信号作为输入信号Read输入到输入端IpRead。当随后输出时钟脉冲Cp7时，把低电平信号作为输入信号Read输入到输入端IpRead。如上所述，由于在输出时钟脉冲Cp6之前低电平信号已经作为输入信号Read输入到输入端IpRead，所以，仅在从输出时钟脉冲Cp6到输出时钟脉冲Cp7的时间段内，即，仅在输出一个时钟脉冲的时间段内，输入信号Read为高电平。

在此情况下，由于信号Read为高电平，把高电平信号输入到和或非门Norb0-Norb3的另一输入端连接的与门Ad0-Ad3的输入端之一，并且与门Ad0-Ad3作为缓冲器工作，并且把输入到与门Ad0-Ad3的另一输入端的信号(存储单位MUa0-MUa3的输出信号)的电平发送到或非门Norb0-Norb3的另一输入端。

另一方面，由于如上所述已经以高电平初始化信号NDai和NDi0-NDi2，所以，低电平从DFF0-DFF3的负数据输出端ON0-ON3输出，并且输入到或非门Norb0-Norb3的输入端之一。结果，或非门Norb0-Norb3作为与存储单位MUa0-MUa3的数据输出端OpD0-OpD3相关的非门而工作，并且存储单位MUa0-MUa3的输出信号被反转和输出，所述存储单位MUa0-MUa3的输出信号是输入到和另一输入端相连接的与门Ad0-Ad3的另一输入端的输入信号。作为这些操作的结果，当输出时钟脉冲Cp6时，把已经将存储在存储单位MUa0-MUa3中的数据反转的信号输出到存储单元Cel0-Cel3的输出端。

由非门Nt2反转信号NDi3，并且从输出端OpDO将其输出。在此情况下，由于信号NDi3是已经将存储在存储单位MUa3中的数据DD3的电平反转的信号时，从输出端OpDO输出数据DD3。

接下来，在输出时钟脉冲Cp7之后，Read信号变为低电平，并且如上所述，或非门Norb0-Norb3作为与DFF0-DFF3的负数据输出端ON0-ON3相关的非门而工作。其后，熔丝式存储器13进行前述类型的移位寄存器操作，并且同步于时钟脉冲Cp7-Cp9，通过非门Nt2从输出端OpDO顺序输出存储单元Cel0、Cel1和Cel2的输出端OpNDi0、OpNDi1和OpNDi2中的信号NDi0、NDi1和NDi2(数据DD0、DD1和DD2的反转信号)。因此，从输出端OpDO输出数据DD1、DD2和DD3。

接下来，参照图7A所示流程图，说明在预加工该实施例中的地磁传感器1的晶片期间，将偏移值设置在熔丝式存储器13中的操作。

首先，把其中已经形成有地磁传感器1的电路的晶片连接到测试器，并且将其放置在具有接触探头的探查控制装置上。把用于施加磁场的线圈安装到所述卡盘的底面，由所述测试器控制所述线圈，从而该线圈产生所期望的外部磁场，并且将该外部磁场施加到所述晶片。其后，通过晶片上的端子而连接到测试器上的探查控制装置的接触探头接触到安装在地磁传感器1内部的线圈，预设电流流动，通过所产生的热量来将地磁传感器1加热到所期望的温度。而且，测试器将指令通过探查控制装置发到控制逻辑电路11，并且提取与由用于施加磁场的线圈所施加的磁场对应的地磁传感器1的测定值。

在该实施例中，磁场和温度条件变化，并且重复进行多次测定，以获得在多个所期望的磁场和所期望的温度下的测定值。其后，对在多个磁场和温度条件下获得的多个测定值分别进行计算，并且计算各个偏移值(步骤Sa1)。尤其是，在温度变化(或磁场变化)时，重复进行对传感器特性的测定。

接下来，在熔丝式存储器13中存储计算出的磁灵敏度偏移值(步骤Sa2)。其后，终止在熔丝式存储器13设置偏移值的操作。结果，根据地磁传感器1的温度变化来存储偏移变化。

接下来，说明实际使用该实施例的地磁传感器1时的操作。

首先，打开其中安装有地磁传感器的移动电话设备的电源，并且开始各部分的操作。以下参照图7B中示出的流程图来说明地磁传感器1的操作。在地磁传感器1的熔丝式存储器13中存储地磁传感器电路12的前述偏移值。

首先，关于地磁传感器，控制逻辑电路11从熔丝式存储器13读取所述温度下的偏移值(步骤Sb1)。接下来，进行当前环境温度的测定(步骤Sb2)，以便对方向测定数据进行温度补偿，并且读取与所述温度数据对应的磁灵敏度偏移值。接下来，地磁传感器电路12进行方向测定(步骤Sb3)。接下来，控制逻辑电路11从地磁传感器电路12读取方向测定数据，并且使用前述偏移值校正测定值(步骤Sb4)。接下来，根据所述方向数据将地图数据显示在移动电话设备的显示屏上。其后返回到步骤Sb2，并且重复步骤Sb2-Sb4的处理。

如上所述，该实施例使得控制逻辑电路11能够在熔丝式存储器13中设置用于校正通过在移动电话设备中结合地磁传感器1而产生的地磁传感器电路12的磁灵敏度偏移的偏移校正值。在实际使用地磁传感器1时，其还使得控制逻辑电路11能够从熔丝式存储器13中读取熔丝式存储器13中设置的地磁传感器电路12的偏移值，并且能够根据所述值来校正测定值。结果，可校正与测定值相关的各个特性的变化，并且可寻求地磁传感器的测定值的精度的改善。

把在EEPROM中存储偏移值的情况和传统地磁传感器相比较，在制造芯片的过程中不需要特殊处理，诸如把类似于隧道绝缘膜的薄氧化膜应用于存储单位，和将多晶硅层和金属层层叠在一起以在芯片上形成位线和字线，并且可使用普通的C-MOS工艺来制造芯片，同时抑制芯片单价。

由于不需要用于写入的高压产生电路、写入电路等，所以可寻求减小存储器驱动系统的规模，缩减芯片大小，并且降低价格。

例如，通过利用在芯片中形成MOS-FET(场效应晶体管)的栅极的过程中所使用的多硅结构层，可进行管理甚至无需为熔丝增加一层的布线层，并且可避免在由金属层形成熔丝的情况下电源或地线缠结的现象。

由于由多硅结构形成熔丝Fu0-Fu3，所以，与金属相比其阻抗率高，并且可形成能够通过导电所产生的热量而干净利索地断开的熔丝。

由于熔丝式存储器用来存储偏移值，并且由于通过物理地断开熔丝而存储所述偏移值，所以，可消除随着时间推移而在所述偏移值的存储数据中出现的任何改变。

由于为了存储偏移值而具有大约32比特的容量是足够的，所以，易于创建小容量(从4到几百比特)的存储器的熔丝式存储器适合于存储所述偏移值。

由于用于计算地磁传感器1的偏移值的数据的测定中使用了在晶片的制造过程中所使用的测试器，所以可与其结合使用其它的IC产品的测试设备。已经从晶片上切下(割下)的芯片可被安装到装备有用于施加磁场的线圈的测试夹具上，并且能够以类似于晶片的方式来由探头测定数据。

如图8所示的流程图，将步骤(步骤Sc1)加到图7A中所示的流程图中也是可接受的，在该步骤中，由前述测试器将外部磁场设置为零磁场。在此情况下，步骤Sc2对应于步骤Sa1，并且步骤Sc3对应于步骤Sa2。而且，使用当外部磁场被设置为零磁场时的输出值作为标准值，还可通过将所述标准值和地磁传感器的测定值进行比较来校正地磁传感器的测定值的特性。作为由测试器将外部磁场设置为零磁场的具体方法，可设想感应这样的电流，即，该电流在消除当前存在于线圈中的磁场(环境磁场)的方向上产生磁场。

接下来，就本申请的第一组发明和第二组发明的实施例进行说明。

该第二实施例的地磁传感器1的模块结构和第一实施例相同，但是，把偏移变化/温度变化的比率存储在熔丝式存储器13中作为偏移的温度系数的情况不同于第一实施例中把偏移值自身存储在熔丝式存储器13中。在此例中，当计算所述温度系数时，使用前述物理量传感器中的温度传感器所测定的温度的情况不同于第一实施例中由流入内部线圈的电流来调整温度。

以下将参照附图来说明该实施例。

在制造过程中，地磁传感器1中的温度传感器从内部温度传感器电路(未示出)读取与环境温度相关的特性的测定结果，根据所述结果获得用于校正温度传感器电路的测定值的初始值，根据所述结果获得用于校正温度传感器电路的灵敏度特性的校正值，并且将其存储在熔丝式存储器13中。而且，计算偏移变化与前述初始值和校正值所校正的温度的比率，作为偏移的温度系数，并且将其存储在熔丝式存储器13中。

前述温度传感器电路由通常的带隙参考电路和A/D转换器构成。带隙参考电路由例如运算放大器、二极管和电阻器构成。A/D转换器对带隙参考电路的输出电压进行A/D转换，并且输出作为A/D转换结果的输出值Dout。

在温度传感器电路中，当在环境温度T为25℃的情况下输出值Dout为600时，输出值Dout如以下公式(1)所示。

Dout＝-2(T-25)+600...(1)

根据公式(1)，例如当环境温度T为30℃时，输出值Dout为590。

控制逻辑电路11从熔丝式存储器13中读取下述初始值ΔD和校正值Δk连同前述偏移的温度系数，使用所述值校正温度传感器电路的测定值，并且根据所述测定温度值和偏移的温度系数计算偏移。

接下来，在该实施例的地磁传感器1的晶片的制造过程中，参照图9中示出的流程图，说明用于将前述偏移的温度系数、以及与内部温度传感器相关的前述初始值ΔD和校正值Δk设置在熔丝式存储器13中的操作。

首先，形成有地磁传感器1的电流的晶片被放置在卡盘(用于固定该晶片的夹具)上。将加热线圈安装在所述晶片中，由连接到所述卡盘的测试器控制所述线圈以便产生所期望的热量，并且加热所述晶片。

接下来，通过使用施加磁场的线圈来由测试器把外部磁场设置为零磁场(步骤Sd1)，并且通过以下过程测定传感器特性。

即，由测试器把前述线圈控制到温度T1。接下来，测定温度传感器电路的特性。其后，控制逻辑电路11将结果通过探头临时输入到测试器内的存储器作为与温度T1相关的温度传感器电路的输出值Dout的输出值D1’(步骤Sd2)。

接下来，由测试器将线圈控制到温度T2，测定该温度传感器电路的特性，其后，控制逻辑电路11将结果临时输入到测试器内的存储器作为与温度T2相关的温度传感器电路的输出值Dout的输出值D2’(步骤Sd3)。

接下来，使用公式(1)来计算与温度T1相关的输出值Dout的理论值D1、和与温度T2相关的输出值Dout的理论值D2。通过以下计算，使用输出值D1’、D2’、理论值D1、温度T1、T2、和公式(1)的温度系数m(＝-2)来计算初始值ΔD和校正值Δk。

即，如公式(2)所示，通过从输出值D1’中减去理论值D1来获得初始值ΔD。

ΔD＝D1’-D1...(2)

其后，通过公式(3)中所示的计算，使用输出值D1’、D2’、温度T1、T2和公式(1)的温度系数m来获得校正值Δk。

Δk＝(D2’-D1’)/[(T2-T1)m]...(3)

接下来，将初始值ΔD和校正值Δk存储在熔丝式存储器13中(步骤Sd4)。

接下来，测定地磁传感器1的温度，并且校正根据前述初始值ΔD和校正值Δk测定的温度(步骤Sd5)。接下来，提取与零磁场对应的地磁传感器1的测定值(步骤Sd6)。接下来，使预设电流在地磁传感器1内设置的线圈中流动，通过产生该热量来把地磁传感器1加热到所期望的温度，改变地磁传感器1的温度(步骤Sd7)。

接下来，由提供磁场的线圈来把预设的外部磁场施加给地磁传感器1(步骤Sd8)。其后，返回步骤Sd5，并且重复上述步骤Sd5-Sd8的处理。

可建立这样的设置，使得：在地磁传感器1的温度校正值具有根据外部磁场强度而变化的元件特性的情况下，在该步骤Sd8中提供外部磁场，而在地磁传感器1的温度校正值具有不受外部磁场强度影响的元件特性的情况下，跳过步骤Sd8，前进到步骤Sd5。

当步骤Sd5-Sd8的处理进行了预定的次数时，在步骤Sd7的处理之后不会进行到步骤Sd8，而是进行到步骤Sd9。即，根据地磁传感器1的测定值计算偏移值，对构成偏移值变化/温度传感器变化的比率的偏移值的温度系数进行计算，并且将它们存储在熔丝式存储器13中(步骤Sd9)。其后，终止在熔丝式存储器13中设置偏移值的温度系数的操作。结果，将地磁传感器1的偏移值的温度系数存储在存储器中。

接下来，参照图7B中所示的流程图来说明在实际使用该实施例的地磁传感器1时的操作。由于在实际使用该实施例中的地磁传感器1时的操作类似于第一实施例中的地磁传感器1的操作，所以仅说明它们的不同点。

首先，在地磁传感器1中，控制逻辑电路11从熔丝式存储器13读取相关温度下的偏移的温度系数(步骤Sb1)。接下来，为了对方向测定数据的进行温度补偿而对当前环境温度的进行测定(步骤Sb2)，并且根据得自温度传感器的温度校正和偏移的温度系数的值来计算与相关温度对应的偏移值。

此时，控制逻辑电路11从熔丝式存储器13读取前述初始值ΔD和校正值。使用该读取的值，其输出温度输出值Tout(步骤Sb3)，并且对温度传感器进行校正，所述温度输出值Tout是通过下述类型的计算而把从温度传感器输出的输出值Dout转换为温度的值。

即，通过公式(4)中示出的计算，使用测定值D、理论值D1、初始值ΔD、校正值Δk和公式(1)中的温度系数m来获得温度输出值Tout。

Tout＝[D-(D1+ΔD)]×[1/(Δk×m)]+T1(℃)...(4)

在针对25℃的温度T1来进行在熔丝式存储器13中设置初始值ΔD和校正值Δk的操作的情况下，公式(4)中的T1为25℃(D1＝600)。

接下来，地磁传感器电路12进行方向测定(步骤Sb3)。接下来，控制逻辑电路11从地磁传感器电路12读取方向测定数据，并且使用与前述校正后的温度输出值Tout相关的偏移值来校正测定值(步骤Sb4)。接下来，根据所述方向数据，把地图数据显示在移动电话设备的显示屏上。其后，回到步骤Sb2，并且重复步骤Sb2-Sb4的处理。

如上所述，在地磁传感器1内的温度传感器的制造过程中，该实施例使得控制逻辑电路11能够在熔丝式存储器13中设置温度传感器内的温度传感器电路的初始值ΔD和校正值Δk。其进一步使得控制逻辑电路11能够计算偏移变化与由前述初始值和校正值所校正的温度的比率而作为偏移的温度系数，并且将其存储在熔丝式存储器13中。在实际使用温度传感器时，其还可使控制逻辑电路11能够从熔丝式存储器13中读取初始值ΔD和校正值Δk、以及设置在熔丝式存储器13中的温度传感器电路的偏移的温度系数，能够输出温度输出值Tout、并且能够根据相关值校正地磁传感器1的偏移。结果，可减少要被存储在存储器中的数值的数量。

关于临时存储用于计算地磁传感器1中的温度传感器的初始值ΔD和校正值Δk的数据的存储器，除了测试器内部的存储器之外，如果可在地磁传感器1的芯片上形成构成DRAM、SRAM等的高速缓冲存储器或分离的熔丝式存储器，并且可在其中临时存储前述数据，则使用这种存储器是可接受的。

关于对用于计算地磁传感器1中的温度传感器的初始值ΔD和校正值Δk的数据所进行的测定，由于使用安装在晶片制造过程中所使用的测试器上的可加热卡盘，所以，可结合使用其它用于LSI测试器的设备。还可以将从晶片上切下(割下)的芯片安装到装备有用于加热的加热器的测试夹具上，并且能够以与晶片相同的方式来由探头测定输出值。

接下来，说明本申请的第一组发明的第三实施例。

该第三实施例的地磁传感器的模块结构与图1相同，但是，当在预加工地磁传感器1的过程中使得温度和磁场二者发生变化时，以下情况是与不由地磁传感器1中的温度传感器进行温度监视的第一实施例的不同点，该情况为，通过预先获得安放在每一晶片上的芯片的温度传感器的灵敏度特性、并且通过由所述温度传感器另外测定实际温度并进行反馈，来进行高精度的温度控制。以下，参照图7A中示出的流程图来说明该实施例。由于在该实施例中的地磁传感器1的制造过程中的操作类似于预加工第一实施例中的地磁传感器1的操作，所以仅针对不同点进行说明。

具体地，在步骤Sa1中，预先获得安放在每一晶片上的芯片的温度传感器的灵敏度特性，并且将其存储在测试器的存储器中。同时，给芯片的位置分配地址，并且把该灵敏度特性和该地址信息存储在测试器的存储器中作为每一地址的温度传感器特性。

接下来，通过使用具有温度调整功能的探查控制装置，以与第一实施例相同的方式来对地磁传感器1中的线圈进行通电和加热，以达到所期望的温度。由地磁传感器1中的温度传感器来监视(测定)传感器芯片内的测定温度。在此情况下，根据存储在测试器中的地址信息来读取温度传感器特性信息，使用该温度传感器特性信息来校正所述芯片中的测定温度，并且计算精确的温度。在把该温度(测定值)和规定温度(理论值)进行比较并发现差异的情况下，通过探查控制装置的温度调整功能来调整温度传感器的温度。

根据上述操作，将地磁传感器1加热到所期望的温度。而且，测试器通过探查控制装置将指令发到控制逻辑电路11，并且根据用于施加磁场的线圈所施加的外部磁场来提取地磁传感器1的测定值。在该实施例中，使磁场和温度条件变化，重复进行多次测定，并且在多个所期望的磁场和所期望的温度下获得测定值。其后，对在多个磁场和温度条件下获得的多个测定值分别进行计算，并且计算各个偏移值。

接下来，在步骤Sa2，把安放在每一晶片上的芯片的温度传感器特性信息和所计算的偏移值存储在熔丝式存储器13中。其后，在熔丝式存储器13中设置偏移值的操作终止。结果，根据地磁传感器1的温度变化来存储偏移变化。

根据前述实施例，如上所述，当使温度和外部磁场二者都改变时，通过预先获得安放在每一晶片上的芯片的温度传感器灵敏度特性、并且通过由温度传感器另外测定实际温度并进行反馈，来进行高精度的温度控制，并且可根据温度精确地提取偏移值。

同样，在此实施例中，可使得温度条件和外部磁场条件二者变化。例如，可将温度改变到25℃和35℃两个点，并且在多个磁场条件下分别进行测定以计算偏移值。

在此情况下，固定温度并且使得磁场变化是有效的，但是固定磁场并且优先单独使得温度变化也是可接受的。进行随机测定也是可接受的。

作为该实施例的变型实例，对于第二实施例，还可将偏移的温度系数和灵敏度特性存储在熔丝式存储器13中。在此情况下，临时存储在测试器的存储器中的每一地址的灵敏度特性，根据所述地址而被输入到芯片的熔丝式存储器中。通过该手段，在分离为单独的芯片之后，可根据每一温度传感器的灵敏度变化(初始值ΔD)和偏移的温度系数(Δk)来校正温度传感器。

以上参照附图详细说明了本发明的实施例，但是，具体结构不限于这些实施例，并且也包括不脱离本发明的实质的范围内的设计变化。

例如，关于对熔丝元件的写入，除了以电子方式进行之外，还可通过从外部照射诸如用激光、FIB和电子束来进行断开以进行写入。另外，即使不对熔丝元件进行物理断开，使用允许把阻抗值提高到下述状态的任何手段也是可接受的，在所述状态中，可判断实质上已经出现断开。而且，对于反熔丝(anti-fuse)，具有这样的存储器也是可接受的，即，使高阻抗状态(或绝缘状态)的阻抗降低到进入良好的导电状态。

以下，参照附图来说明本申请的第二组发明的一个实施例。

如图10所示，由用于对温度传感器201进行控制的控制逻辑电路211(校正数据写入装置)(校正数据读取装置)(校正装置)(控制装置)、温度传感器电路212(温度检测装置)和熔丝式存储器213来在一个芯片上构成温度传感器201。

在温度传感器201的制造过程中，控制逻辑电路211从温度传感器电路212读取与环境温度相关的特性的测定结果，根据所述结果获得用于校正温度传感器电路212的测定值的初始值，根据所述结果获得用于校正温度传感器电路212的灵敏度特性的校正值，并且将该初始值和该校正值存储在熔丝式存储器213中。如下面所述的，控制逻辑电路211从熔丝式存储器213中读取初始值ΔD和校正值Δk，并且使用所述值来校正来自温度传感器电路212的测定值。该温度传感器电路与传统的温度传感器电路相同。

熔丝式存储器213具有多个熔丝(存储单位)，根据来自控制逻辑电路211的某些特定输入脉冲来把过流脉冲提供给设置在内部的字线和位线的交叉点上的熔丝，以使之熔化，从而将数据写入所述交叉点。把过流脉冲选择性地给予各个熔丝，并且存在有已被电气断开的熔丝和仍然维持电气连接的熔丝，其结果是存储了规定比特数的数据。响应于来自控制逻辑电路211的其它输入信号，并且根据所述字线和位线的交叉点使得熔丝的断开状态，读取在所述交叉点上写入的数据，并且将其输出到控制逻辑电路211。

接下来，参照图11A中所示的流程图来说明该实施例的温度传感器201的制造过程中，在熔丝式存储器213中设置初始值ΔD和校正值Δk的操作。

首先，其中形成有温度传感器201的电路的晶片被放置在卡盘(用于固定晶片的夹具)上。把加热线圈安装到所述卡盘的底面，控制所述线圈，以便通过连接到所述卡盘的测试器产生所期望的热量，并且加热所述晶片。接下来，通过以下过程来测定传感器特性(步骤Sa1)。

即，由测试器把加热器控制在温度T1(第一温度)(步骤Sa1)。接下来，对温度传感器电路212的特性进行测定(步骤Sa2)。其后，控制逻辑电路211通过探头把结果临时输入到测试器内的存储器，作为与温度T1相关的温度传感器电路212的输出值Dout的输出值D1’(与第一温度相关的测定值)(步骤Sa3)。接下来，由测试器把加热器控制在温度T2(第二温度)(步骤Sa4)，并且测定温度传感器电路212的特性(步骤Sa5)。其后，控制逻辑电路211把结果临时输入到测试器内的存储器，作为与温度T2相关的温度传感器电路212的输出值Dout的输出值D2’(与第一温度相关的测定值)(步骤Sa6)。

接下来，通过使用前述公式(21)，计算与温度T1相关的输出值Dout的理论值D1(与第一温度相关的理论值)和与温度T2相关的输出值Dout的理论值D2。通过使用输出值D1’、D2’、理论值D1、温度T1、T2和公式(21)的温度系数m(＝-2)，通过以下计算来计算初始值ΔD和校正值Δk(步骤Sa7)。

即，如公式(22)所示，通过从输出值D1’中减去理论值D1来获得初始值ΔD。

ΔD＝D1’-D1...(22)

使用输出值D1’、D2’、温度T1、T2和公式(21)的温度系数m，通过公式(23)中所示的计算来获得校正值Δk。

Δk＝(D2’-D1’)/[(T2-T1)m]...(23)

接下来，在熔丝式存储器213中存储初始值ΔD和校正值Δk(步骤Sa8)。其后，终止在熔丝式存储器213中设置初始值ΔD和校正值Δk的操作。

接下来，说明在实际使用该实施例的温度传感器201时的操作。在该实施例中，温度传感器201与用于进行方向测定操作的地磁传感器一起安装在移动电话设备中，温度传感器201用于作为附属于所述地磁传感器的物理量传感器而提取所述地磁传感器的温度补偿过程中所使用的环境温度数据，并且仅在需要对所述地磁传感器进行温度补偿的情况下，根据所述地磁传感器的指令进行操作。

首先，其中安装有温度传感器201和地磁传感器的移动电话设备的电源被打开，并且开始对各部分进行操作。参照图11B中示出的流程图来对温度传感器201的操作说明如下。将温度传感器电路212的前述初始值ΔD和校正值Δk存储在温度传感器201的熔丝式存储器213中。

首先，地磁传感器指示温度传感器201测定当前环境温度，以便在测定方向的过程中对方向测定数据进行温度补偿。其后，控制逻辑电路211从熔丝式存储器213中读取初始值ΔD和校正值Δk(步骤Sb1)。接下来，温度传感器电路212进行温度测定(步骤Sb2)。接下来，控制逻辑电路211从温度传感器电路212中读取输出值Dout作为温度测定数据，并且输出温度输出值Tout，所述温度输出值Tout是使用前述初始值ΔD和校正值Δk、根据以下计算来将输出值Dout转换为温度的值(步骤Sb3)。

即，使用测定值D、理论值D1、初始值ΔD、校正值Δk和公式(21)的温度系数m，通过公式(24)中所示的计算来获得温度输出值Tout。

Tout＝[D-(D1+ΔD)]×[1/(Δk×m)]+T1(℃)...(24)

在针对25℃的温度T1来进行在熔丝式存储器213中设置初始值ΔD和校正值Δk的操作的情况下，公式(24)中的T1为25℃。

其后，将输出的温度输出值Tout输出到地磁传感器，对方向数据进行温度补偿，并且根据所述方向数据来把地图数据显示在移动电话设备的显示屏上。其后，终止温度传感器201的操作。

如上所述，该实施例使得控制逻辑电路211能够在温度传感器201的制造过程中，在熔丝式存储器213中设置温度传感器电路212的初始值ΔD和校正值Δk。在实际使用温度传感器201时，其进一步使得控制逻辑电路11能够从熔丝式存储器213中读取设置在熔丝式存储器213中的温度传感器电路212的初始值ΔD和校正值Δk，并且能够根据所述值输出温度输出值Tout。结果，可校正与所述测定值相关的各个变化，并且可力争在温度传感器的测定值的精度方面进行改进。

在该实施例中，替代热敏电阻或热电偶，将二极管用作温度传感器电路212的温度检测元件，并且由多硅结构(多晶硅)形成熔丝，其结果是，可通过普通的CMOS处理来制造温度传感器201的芯片，而无需重新设置金属布线层，并且可避免增高成本而且不会使温度传感器201的制造过程变得复杂。

由于熔丝式存储器用于存储初始值ΔD和校正值Δk，并且由于通过使熔丝物理地断开而将初始值ΔD和校正值Δk存储在存储器中，所以可消除所述值的变化。

由于为了存储初始值ΔD和校正值Δk而具有大约32比特的容量是足够的，所以易于创建小容量(从4到几百比特)的存储器的熔丝式存储器适合于存储所述值。

在该实施例中，关于和地磁传感器结合使用的温度传感器，由于在所述地磁传感器中使用两种金属，使用由所述两种金属形成的热电偶作为温度检测元件是可接受的。

在该实施例中，假设在对安装在移动电话设备中的地磁传感器进行温度补偿的过程中使用温度传感器201，但是，本申请不限于此，并且温度传感器201还可用在需要温度补偿的电子设备中。

用来临时存储用于计算温度传感器201的初始值ΔD和校正值Δk的数据的存储器不限于测试器内的存储器，并且如果可在温度传感器201的芯片上形成DRAM高速缓冲存储器或另一熔丝式存储器，并且可在其中临时存储前述数据，则也可使用这种存储器。

由于对用于计算温度传感器201的初始值ΔD和校正值Δk的数据的测定使用在晶片的制造过程中所使用的卡盘，可结合使用其它用于测试器的设备。而且，从晶片上切下(割下)的芯片可被安装到装备有用于加热的加热器的测试夹具上，并且能够以与晶片相同的方式来由探头测定输出值。

上面已经参照附图详细说明了本发明的一个实施例，但是，其具体结构不限于该实施例，而是也包括不偏离本发明的实质的范围内的设计变型。

以下，使用附图说明本发明的实施例。

图13是示出与本申请的第三组发明的第一实施例相关的用于地磁检测的LSI的结构概要的框图。

如同一图所示，LSI 301具有电源端子302、地端子303、芯片选择输入端子304、数据输入端子305和数据输出端子306。该图中省略了对各个部分所进行的电源线和地线的布线。

接口电路307相对于未示出的主芯片发送和接收芯片选择信号和输入/输出信号。基于来自主芯片的指令，控制电路308根据规定逻辑进行工作，并且对各个部分进行控制。内部振荡器电路309将时钟脉冲发送到控制电路308和其它电路。

X轴方向磁传感器310和Y轴方向磁传感器311是使用磁阻元件等的磁传感器。转换开关电路312根据控制电路308的控制进行工作，交替地把磁传感器310和311的方向输出中的输出切换到放大器313的输入端。放大器313放大磁传感器310和311的方向输出，并且将它们发送到A/D转换电路314。A/D转换电路314将方向输出数字化，并且将它们输出到控制电路308。

熔丝式存储器315是这样的存储器，即，其等效于用于存储在发货检验时测定的检测输出的校正数据和其它数据的热变成型非易失性存储元件，并且以下值中的任一个被存储为所述检测输出的校正数据：(a)D1至D3的值；(b)D3的值；(c)D1、D2和D4的值；或(d)D4的值。校正数据D1-D4由以下公式(304)-(307)表示。

D1＝a12/a11      ...(304)

D2＝a21/a11      ...(305)

D3＝a22/a11      ...(306)

D4＝a22/a11-1    ...(307)

假设aij(i＝1或2，j＝1或2)是下面讲到的校正系数。

图14是示出熔丝式存储器的结构实例的框图。该图示出了这样一个实例，其中，四个存储单元d0-d3以串级链连接(链接成一排)，以构成4比特扫描通道(scan pass)。利用该结构，检测输出的校正数据可被存储为4比特的信息。

在每一存储单元d0-d3中，321是由多晶硅电阻等构成的熔丝，322是N类FET(场效应晶体管)，323是数据触发电路，324是对FET322发出栅极电压的三输入或非门，并且325是由双输入与门和双输入或非门构成的逻辑门，所述双输入与门和双输入或非门把输出数据输出到以串级链连接的下一存储单元。以下给出与存储单元d0的结构有关的说明，但是其它存储单元d1-d3也采用该结构。

将要写入存储单元的数据被输入到数据触发电路323的数据输入端D，并且时钟脉冲ck被提供给CK端。从数据触发电路323的正输出端O把输出数据提供给或非门324的输入端之一，把时钟脉冲ck的反转信号提供给另一输入端，并且把写入信号的反转信号/WRITE提供给又一输入端。

或非门324的输出端与FET 322的栅极相连接，并且其漏极接地并构成地电平。熔丝321的一端与电源电压VDD相连接，并且另一端与FET322的源级相连接。

把读信号READ提供给构成逻辑门325的与门的输入端之一，同时另一输入端与FET322的源级相连接。从数据触发电路323的负输出端ON把输出数据提供给构成逻辑门325的或非门的输入端之一，同时另一输入端与构成逻辑门325的与门的输出端相连接。其后，逻辑门325的输出被提供给以串级链连接的下一存储单元d1的数据触发电路323的数据输入端D。

当以低电平(低电平激活(low active))提供READ信号并以高电平(低电平激活)提供/WRITE信号时，每一存储单元被预先初始化。

当对存储单元d0进行写入时，从存储单元d0的输入端/di发送用于写入的比特，并且在把该比特发送到所期望的存储单元时把/WRITE提供给或非门324作为低电平。结果，或非门324的输出W0变为高电平，FET 322导通，并且熔丝321通电并被熔断。作为例子，图14中描述的情况示出，数据被写入到存储单元d0和d2，并且各个熔丝21熔断。即，其示出，数据“1”(低电平)被存储在存储单元d0中，数据“0”(高电平)被存储在存储单元d1中，数据“1”(低电平)被存储在存储单元d2中，并且数据“0”(高电平)被存储在存储单元d3中。

当从每一存储单元读取数据时，在将数据触发电路323复位之后，通过把READ设置为高电平来在逻辑门325的输出中反映是否存在熔丝321的断开。在此状态下进行扫描输出操作，并且通过最后的存储单元d3的逻辑门325来从输出端d0提取每一存储单元的输出以及每一存储单元的输出的反转输出。

如果回到图13来进行说明，则转换开关电路312被控制，并且把磁传感器310和311的检测输出Sx和Sy输入到A/D转换电路314。在由该A/D转换电路314把检测输出Sx和Sy数字化之后，它们被输入到控制电路308的内部寄存器(未示出)中。其后，从熔丝式存储器315读取校正数据，并且在检测输出Sx和Sy被输出到接口电路307之后，对检测输出Sx和Sy进行校正。

代替由控制电路308进行的校正，还可通过以下方式相对于检测输出Sx和Sy进行校正。即，把用于输出存储在熔丝式存储器中的数据的功能提供给LSI，并且在校正之前从LSI输出Sx和Sy。在主侧(master)，基于熔丝式存储器分开地接收的数据，通过软件处理来校正Sx和Sy。

接下来，就检测输出Sx和Sy的校正处理进行说明。首先，就磁传感器310和311的检测输出Sx和Sy和磁场Hx和Hy来说，其关系显示在公式(308)中。

(数一)

$\left[\begin{array}{c}\mathrm{Hx}\\ \mathrm{Hy}\end{array}\right]=\left[\begin{array}{cc}a11& a12\\ a21& a22\end{array}\right]\left[\begin{array}{c}\mathrm{Sx}\\ \mathrm{Sy}\end{array}\right]...\left(308\right)$

假设aij(i＝1或2，j＝1或2)是校正系数，则a11是X轴灵敏度校正系数(＝1/X轴灵敏度)，a22是Y轴灵敏度校正系数(＝1/Y轴灵敏度)，并且a12和a21是轴间校正系数。

对于理想的磁传感器，a11＝a22并且a12＝a21，但是对于实际磁传感器，a11≠a22并且a12≠a21，因此需要该校正处理。在第一实施例中，基于以下校正计算方法A-D中的任一种来进行校正处理。

(计算方法A)

当考虑到地磁传感器的特性时，不需要获得磁场的绝对值来测定方向，而是仅需要磁场的每一分量的比率。因此，如果获得了a12/a11、a21/a11和a22/a11这三个值，则这对于在和地磁传感器相关的应用中进行校正计算是足够的。

因此，在计算方法A中，通过使用存储在熔丝式存储器中的校正数据D1-D3的值，通过公式(309)来进行校正处理。

(数二)

$\left[\begin{array}{c}{\mathrm{Sx}}^{\′}\\ {\mathrm{Sy}}^{\′}\end{array}\right]=\left[\begin{array}{cc}1& D_1\\ D_2& D_3\end{array}\right]\left[\begin{array}{c}\mathrm{Sx}\\ \mathrm{Sy}\end{array}\right]...\left(309\right)$

假设Sx’和Sy’是校正后的检测输出。

根据公式(309)，由于与X轴灵敏度校正系数a11相关的校正数据因a11/a11＝1而在原理上为1，所以，即使熔丝式存储器中未存储该校正数据，也可无障碍地进行校正处理。

因此，就该计算方法A而言，例如，通过设置固定值“1”，并且用“1”替换X轴灵敏度校正系数，来进行校正计算。通过该方法，要被存储在熔丝式存储器中的校正数据的项数减少1，并且校正数据的总量减少。如果每一校正数据的数据长度是6比特长度的值，而校正系数a11、a12、a21和a22的总数据长度为24比特，则与计算方法A相关的校正数据D1、D2和D3的总量将为18比特。

(计算方法B)

该计算方法针对这样的情况，即，轴间校正系数除以轴灵敏度校正系数a12/a11和a21/a11为接近于“0”的值，并且通过使用公式(310)来进行校正处理，例如，通过设置固定值“0”，用该固定值来替代值a12/a11和a21/a11来获得所述公式(310)。

(数三)

$\left[\begin{array}{c}{\mathrm{Sx}}^{\′}\\ {\mathrm{Sy}}^{\′}\end{array}\right]=\left[\begin{array}{cc}1& 0\\ 0& D_3\end{array}\right]\left[\begin{array}{c}\mathrm{Sx}\\ \mathrm{Sy}\end{array}\right]...\left(310\right)$

就该计算方法而言，所需的校正数据的项数减少到1，其结果是可将校正数据的总量减少到1个校正数据的6比特。

(计算方法C)

就该计算方法而言，使用公式(311)来进行校正处理。

(数四)

$\left[\begin{array}{c}{\mathrm{Sx}}^{\′}\\ {\mathrm{Sy}}^{\′}\end{array}\right]=\left[\begin{array}{cc}1& D_1\\ D_2& D_4+1\end{array}\right]\left[\begin{array}{c}\mathrm{Sx}\\ \mathrm{Sy}\end{array}\right]...\left(311\right)$

就该计算方法而言，针对这样的情况，即，轴灵敏度校正系数除以轴灵敏度校正系数a22/a11为接近于“1”的值，并且例如，通过设置标准值“1”，并且通过采用该标准值和a22/a11的差作为校正数据，来致力于缩短校正数据的数据长度。

即，由于校正数据D1和D2最开始是小值的可能性高，并且由于D4也是被给定作为与标准值“1“的差，所以其为小值的可能性高，因此，可缩短各个数据的长度。如果每一校正数据的比特长度在此从6比特缩短到4比特，则要被存储在熔丝式存储器中的数据量被减少到校正数据D1、D2和D4的总共12比特。

(计算方法D)

该计算方法D针对这样的情况，即，轴间校正系数除以轴灵敏度校正系数a12/a11和a21/a11为接近于“0”的值，并且通过使用公式(312)来进行校正处理。通过采用用计算方法B说明的校正数据项减少、和用计算方法C说明的校正数据的数据长度缩短这两种方式，来减少校正数据的总量。

简言之，与计算方法B类似，用固定值(例如，“0”)来替换值a12/a11和a21/a11，并且与计算方法C类似，采用与a22/a11的标准值(例如，“1”)的差作为校正数据。

(数五)

$\left[\begin{array}{c}{\mathrm{Sx}}^{\′}\\ {\mathrm{Sy}}^{\′}\end{array}\right]=\left[\begin{array}{cc}1& 0\\ 0& D_4+1\end{array}\right]\left[\begin{array}{c}\mathrm{Sx}\\ \mathrm{Sy}\end{array}\right]...\left(312\right)$

通过该计算方法，校正数据的项数可被减少到与方法B相同的一项，并且数据长度还可被缩短到例如与方法C相同的4比特。简言之，校正数据的总长度可被减少到作为校正数据D4的数据长度的4比特。

接下来，就本发明的第二实施例进行说明。该第二实施例示出了把3个正交轴用于设置有地磁传感器的地磁检测装置的例子。该地磁检测装置使用具有与图13所示的LSI相同结构的LSI来检测沿3轴方向的地磁。

该装置的熔丝式存储器或者存储(e)D1-D3和D5-D9的值，或者存储(f)D3和D9的值、(g)D4和D1的值、和(h)D1，D2，D4-D8和D10的值，作为对在发货检验时测定的检测输出的校正数据。

在公式(313)-(318)中示出了校正数据D5-D10。

D5＝a13/a11     ...(313)

D6＝a23/a11     ...(314)

D7＝a31/a11     ...(315)

D8＝a32/a11     ...(316)

D9＝a33/a11     ...(317)

D10＝a33/a11-1  ...(318)

假设aij(i＝1或2，j＝1或2)是下面讲到的校正系数。

地磁传感器的磁检测输出Sx、Sy和Sz以及磁场Hx、Hy和Hz具有公式(319)所示的关系。

(数六)

$\left[\begin{array}{c}\mathrm{Hx}\\ \mathrm{Hy}\\ \mathrm{Hz}\end{array}\right]=\left[\begin{array}{ccc}a11& a12& a13\\ a21& a22& a23\\ a31& a32& a33\end{array}\right]\left[\begin{array}{c}\mathrm{Sx}\\ \mathrm{Sy}\\ \mathrm{Sz}\end{array}\right]...\left(319\right)$

假设aij(i＝1至3，j＝1至3)是校正系数，a11是X轴灵敏度校正系数(＝1/X轴灵敏度)，a22是Y轴灵敏度校正系数(＝1/Y轴灵敏度)，a33是Z轴灵敏度校正系数(＝1/Z轴灵敏度)，并且a12、a13、a21、a23、a31和a32是轴问校正系数。

在该第二实施例中，基于以下校正计算方法E至H中的任一个来进行校正处理。

(计算方法E)

通过计算方法E，与计算方法A类似，根据以下观点使用公式(320)来进行校正计算，所述观点为，如果获得了磁场的每一分量的比率，则对于地磁传感器应用来说这是足够的。

(数七)

$\left[\begin{array}{c}{\mathrm{Sx}}^{\′}\\ {\mathrm{Sy}}^{\′}\\ {\mathrm{Sz}}^{\′}\end{array}\right]=\left[\begin{array}{ccc}1& D_1& D_5\\ D_2& D_3& D_6\\ D_7& D_8& D_9\end{array}\right]\left[\begin{array}{c}\mathrm{Sx}\\ \mathrm{Sy}\\ \mathrm{Sz}\end{array}\right]...\left(320\right)$

假设Sx’、Sy’和Sz’是校正后的检测输出。

如果校正系数的数据长度是例如6比特长度的值，则为了存储9个校正系数a11至a33将需要54比特的存储容量，根据计算方法E，仅存储8个校正数据D1-D3和D5-D9是足够的，其结果是所需的存储器容量可被减少到48比特。

(计算方法F)

就该计算方法而言，与计算方法B类似，针对以下情况，即，a12/a11、a13/a11、a21/a11、a23/a11、a31/a11和a32/a11是接近于“0”的值，并且使用公式(321)进行校正处理，以固定值(例如，“0”)来替代a12/a11、a13/a11、a21/a11、a23/a11、a31/a11和a32/a11。

(数八)

$\left[\begin{array}{c}{\mathrm{Sx}}^{\′}\\ {\mathrm{Sy}}^{\′}\\ {\mathrm{Sz}}^{\′}\end{array}\right]=\left[\begin{array}{ccc}1& 0& 0\\ 0& D_3& 0\\ 0& 0& D_9\end{array}\right]\left[\begin{array}{c}\mathrm{Sx}\\ \mathrm{Sy}\\ \mathrm{Sz}\end{array}\right]...\left(321\right)$

就该计算方法而言，由于可以接受不在熔丝式存储器中存储由固定值“0”替代的校正数据，所以可将校正数据的总量减少该量。即，由于可以接受仅存储校正数据D3和D9，所以校正数据D3和D9所需的总量被减少到12比特。

(计算方法G)

就该计算方法而言，针对以下情况，即，轴灵敏度校正系数除以轴灵敏度校正系数a22/a11和a33/a11为接近于“1”的值，并且通过将它们表示为与标准值(在此例中，“1”)的差，来致力于缩短校正数据的数据长度。即，该计算方法使用公式(322)来进行校正处理。

(数九)

$\left[\begin{array}{c}{\mathrm{Sx}}^{\′}\\ {\mathrm{Sy}}^{\′}\\ {\mathrm{Sz}}^{\′}\end{array}\right]=\left[\begin{array}{ccc}1& D_1& D_5\\ D_2& D_4+1& D_6\\ D_7& D_8& D_{10}+1\end{array}\right]\left[\begin{array}{c}\mathrm{Sx}\\ \mathrm{Sy}\\ \mathrm{Sz}\end{array}\right]...\left(322\right)$

可以接受将校正数据D1、D2、D4-D8和D10的值存储在熔丝式存储器中。由于这些校正数据值全部是小值的可能性高，它们的各个数据长度可被缩短为4比特。结果，8个校正数据D1、D2、D4-D8和D10的总量可被减少到32比特。

(计算方法H)

就该计算方法而言，使用公式(323)来进行校正处理。

(数十)

$\left[\begin{array}{c}{\mathrm{Sx}}^{\′}\\ {\mathrm{Sy}}^{\′}\\ {\mathrm{Sz}}^{\′}\end{array}\right]=\left[\begin{array}{ccc}1& 0& 0\\ 0& D_4+1& 0\\ 0& 0& D_{10}+1\end{array}\right]\left[\begin{array}{c}\mathrm{Sx}\\ \mathrm{Sy}\\ \mathrm{Sz}\end{array}\right]...\left(323\right)$

该计算方法将所采用的校正数据减少到如计算方法F所说明的D4和D10两项，并且进一步使D4和D10成为与标准值(例如，“1”)的差值，以便把数据长度缩短为4比特。结果，要被存储的校正数据D4和D10的总量被缩短为8比特。

以上详细说明了本发明的一个实施例，但是，具体结构不限于该实施例，还包括不偏离本发明实质的范围内的设计等。

例如，本发明不限于使用熔丝式存储器的模式，并且可采用以下模式，例如，采用作为一种热变成型的非易失性存储元件的反熔丝式存储器。

接下来，示出了把本申请的发明安装在诸如移动电话设备之类的便携式设备中的一个应用实例。

图15是示出在把本申请的发明安装在诸如移动电话设备之类的便携式设备中的情况下，移动电话设备的结构概要的框图。除了磁传感器之外，安装在图15所示的移动电话设备4100中用于地磁检测的LSI 4210中设置有用于对磁传感器进行温度补偿的温度传感器。

在图15中，移动电话设备4100具有设置有终端单元4200和终端单元4300的两个外壳的结构。天线4235a是用于同无线电信号的无线站(未示出)发送和接收无线电信号的天线。RF(射频)单元4201把天线4235a所接收的接收信号转换为中频接收信号，并且把它们输出到调制解调器4202。而且，RF单元4201把从调制解调器4202输入的发送信号调制为发送频率的信号，并且把它们输出到天线4235a以进行发送。

调制解调器4202对从RF单元4201输入的接收信号进行解调处理，并且对从CDMA(码分多址)单元4204输入的发送信号进行调制处理。CDMA单元4204对发送信号进行编码，并且对接收信号进行解码。音频处理器4205把从麦克风4206输入的音频信号转换为数字信号，并且把它们输出到CDMA单元4204。其还输入来自CDMA单元的数字音频信号，把它们转换为模拟音频信号，把它们输出到扬声器4301，在此使它们发声。GPS接收机4207解调天线4235a从GPS卫星接收到的无线电信号，并且基于该无线电信号，计算由其自身的3维空间中的经度、纬度或高度等表示的位置。

物理量传感器4231检测便携式终端4100的倾斜。而且，便携式终端4100并不必须设置有物理量传感器4231。用于地磁检测的LSI 4210设置有磁传感器4212a-4212c、用于检测温度的温度传感器4213、和磁传感器控制单元4211，所述磁传感器4212a-4212c用于检测规定的互相垂直的X轴、Y轴和Z轴的各个轴向的磁力(磁场)。磁传感器控制单元4211对温度传感器4213和物理量传感器4231的检测结果进行诸如模/数转换之类的处理。

主控制单元4220是用于控制便携式终端4100的各部分的CPU(中央处理单元)。ROM(只读存储器)4208存储有显示图像数据和音频数据、由主控制单元4220执行的程序、在发货时测定的温度传感器4213和物理量传感器4231的初始特性值等。RAM(随机存取存储器)4209是非易失性存储器区域，其临时存储由主控制单元4220使用的计算数据等。

信号器4232设置有扬声器、振动器和发光二极管，并且通过声音、振动和光向用户通知来电、来邮件等。时钟单元4233提供由主控制单元4220使用的时钟功能。主操作面板4234把用户的指令内容输出到主控制单元4220。电子摄像单元4302把所拍摄的对象的图像转换为数字信号，并且把它们输出到主控制单元4220。

显示单元4303是基于从主控制单元输入的显示信号来显示图像、文本等的液晶显示器。触摸屏4304内置在显示单元4303的液晶显示器的表面中，并且把来自用户的手指压力的表示操纵的信号输出到主控制单元4220。

与本申请的发明相关的用于地磁检测的LSI，采用这样的模式，即，在发货检验时测定校正数据、并且将其写入安装在LSI中的非易失性存储器，但是，由于与本申请的发明相关的用于地磁检测的LSI被安装在便携式设备中，所以也可采用这样的模式，即，不是当对用于地磁检测的LSI进行发货时，而是当用于地磁检测的LSI安装在便携式装置中时，进行校正数据的写入，并且对该便携式设备进行发货检验。

在把用于地磁检测的LSI发货时进行检验期间所测定的校正数据写入到LSI的内部熔丝式存储器之后，并且进一步在把地磁传感器LSI安装在便携式设备中之后，还可把地磁传感器LSI的校正数据写入便携式设备的存储器(例如，图15中的ROM 4208)中，所述校正数据是在对便携式设备进行发货检验时再次测定的。其后，当检测到地磁时，不仅应用地磁传感器LSI的输出结果也是可接受的，而且应用其它校正值(例如，基于图15中的温度传感器和物理量传感器的输出结果的校正值)也是可接受的。

工业实用性

本申请的发明可被用于具有进行方向测定功能的诸如移动电话设备之类的便携式通信终端。

Claims (13)

1.一种地磁检测装置，其包括：地磁检测元件，用于检测地磁的正交轴分量；以及热变成型非易失性存储元件，用于存储用来校正由相关的地磁检测元件检测的输出的校正信息，

其中，所述校正信息包括轴灵敏度校正系数和轴间校正系数，并且被表示为相对于任一轴的轴灵敏度校正系数的比率值。

2.如权利要求1所述的地磁检测装置，其中，所述非易失性存储元件存储最小量的校正信息，所述校正信息与除所述任一轴的轴灵敏度校正系数之外的轴灵敏度校正系数相关。

3.如权利要求2所述的地磁检测装置，其使用如下差值作为与除所述任一轴的轴灵敏度校正系数之外的轴灵敏度校正系数相关的校正信息，所述差值是通过从该轴灵敏度校正系数的相对于轴灵敏度校正系数的比率减去预设标准值而获得的。

4.如权利要求1至3中任意一项所述的地磁检测装置，其设置有用于对所述地磁检测元件的检测输出进行校正计算的校正计算电路，

其中，该校正计算电路将轴灵敏度校正系数乘以检测输出以进行校正，并且加上如下校正项：即，通过将轴灵敏度校正系数与另一个轴的检测输出相乘而获得的校正项。

5.如权利要求4所述的地磁检测装置，其设置有用于对所述地磁检测元件的检测输出进行校正计算的校正计算电路，

其中，该校正计算电路在所述标准值与所述差值相加并且复原轴灵敏度校正系数之后，进行校正计算。

6.如权利要求4或5所述的地磁检测装置，其中，所述校正计算电路通过用预设的替代值来代替不能从所述校正数据中获得的校正系数而进行计算。

7.一种地磁检测装置，包括：

地磁检测元件，用于检测每一个正交轴分量的地磁；以及

热变成型非易失性存储元件，用于存储一个或多个校正数据，所述校正数据用来校正所述检测到的地磁值，

其中，每一个所述校正数据均被表示为如下数据相对于任一轴的轴灵敏度校正系数的比率值，所述数据为轴灵敏度校正系数、或轴间校正系数、或通过从轴灵敏度校正系数中减去预设标准值而获得的差值。

8.如权利要求7所述的地磁检测装置，其中，所述校正数据中的至少一个是如下比率值：即，是除与所述任一轴相关的轴灵敏度校正系数之外的轴灵敏度校正系数相对于所述任一轴的轴灵敏度校正系数的比率值。

9.如权利要求7所述的地磁检测装置，其中，所述校正数据中的至少一个是如下差值相对于任一轴的所述轴灵敏度校正系数的比率值：即，通过从与除所述任一轴之外的轴相关的轴灵敏度校正系数中减去指定标准值而获得的差值。

10.如权利要求7所述的地磁检测装置，其设置有用于对所述地磁检测元件检测到的每一个正交轴分量的地磁值进行校正的校正计算电路，

其中，所述校正计算电路通过计算出以下两个乘积值的和来获得被校正的地磁值：第一个乘积值是通过将规定轴分量的地磁值乘以通过将指定值与如下比率相加而获得的相加值来获得的，所述比率为如下数据相对于所述任一轴的轴灵敏度校正系数的比率，所述数据为所述规定轴分量的轴灵敏度校正系数或通过从所述规定轴分量的轴灵敏度校正系数中减去指定标准值而获得的差值；第二个乘积值是通过将另一轴分量的地磁值和如下比率值相乘而获得的，所述比率值为所述轴间校正系数相对于所述任一轴分量的轴灵敏度校正系数的比率值。

11.如权利要求7所述的地磁检测装置，其设置有用于对所述地磁检测元件检测到的每一个正交轴分量的地磁值进行校正的校正计算电路，

其中，所述校正计算电路通过计算如下乘积值来获得被校正的地磁值：所述乘积值是通过将规定轴分量的地磁值乘以通过将指定值与如下比率相加而获得的相加值相乘来获得的，所述比率为如下数据相对于所述任一轴的轴灵敏度校正系数的比率，所述数据为所述规定轴分量的轴灵敏度校正系数或通过从所述规定轴分量的轴灵敏度校正系数中减去指定标准值而获得的差值。

12.如权利要求7所述的地磁检测装置，其中，所述热变成型非易失性存储元件是熔丝式存储器。

13.如权利要求7所述的地磁检测装置，其中，所述指定标准值是所述任一轴的轴灵敏度校正系数。

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