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Brevets

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Numéro de publicationCN101740630 A
Type de publicationDemande
Numéro de demandeCN 200910206768
Date de publication16 juin 2010
Date de dépôt9 nov. 2009
Date de priorité7 nov. 2008
Autre référence de publicationCN101740630B, US8373164, US8803146, US9293545, US20100117077, US20130214270, US20140339556, US20160204270
Numéro de publication200910206768.3, CN 101740630 A, CN 101740630A, CN 200910206768, CN-A-101740630, CN101740630 A, CN101740630A, CN200910206768, CN200910206768.3
Inventeurs山崎舜平, 河江大辅, 秋元健吾
Déposant株式会社半导体能源研究所
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Liens externes:  SIPO, Espacenet
半导体器件及其制造方法
CN 101740630 A
Description  disponible en Chinois
Revendications(15)  disponible en Chinois
Référencé par
Brevet citant Date de dépôt Date de publication Déposant Titre
CN102157562A *18 janv. 201117 août 2011上海交通大学底栅金属氧化物薄膜晶体管的制备方法
CN102157562B18 janv. 201110 juil. 2013上海交通大学底栅金属氧化物薄膜晶体管的制备方法
WO2016150075A1 *12 août 201529 sept. 2016京东方科技集团股份有限公司Transistor à couche mince, son procédé de fabrication, et substrat de matrice
Classifications
Classification internationaleH01L29/786, H01L21/44, H01L21/34, H01L29/417, G02F1/1368
Classification coopérativeH01L29/78618, H01L51/0512, H01L51/0545, H01L21/02554, H01L27/1288, H01L21/02565, H01L29/4908, H01L21/02631, H01L51/105, H01L27/1225, H01L51/0508, H01L29/41733, H01L29/786, H01L29/78696, H01L29/7869
Classification européenneH01L29/786S, H01L29/786K
Événements juridiques
DateCodeÉvénementDescription
16 juin 2010C06Publication
28 déc. 2011C10Entry into substantive examination