CN101794854A - 照明装置 - Google Patents

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Abstract

提供的是包括嵌入玻璃材料的引线架并且具有高可靠性的照明装置。该照明装置具有其中发光元件安装在凹陷部分中的结构，所述凹陷部分在玻璃基底的表面上形成，并且提供密封材料以覆盖发光元件。引线架嵌入玻璃基底以便暴露在玻璃基底的侧面和凹陷部分的底面上。暴露在凹陷部分中的一部分引线架与发光元件电连接。利用如上文描述的结构，提高了照明装置的耐久性。

Description

照明装置
技术领域
本发明涉及照明装置(lighting device)，其中发光元件被安装在使用玻璃基底的封装材料中。
背景技术
近年来，使用玻璃封装的电子部件已经投入实际使用。玻璃材料防止湿气或污染物从外部进入并且得到高气密性。玻璃材料在热膨胀系数上接近在其中形成半导体元件的硅基底。因此，在半导体元件安装在玻璃封装中的情况下，提高了接合的可靠性。此外，玻璃材料成本较低，因此可抑制产品成本的增加。
图19示意地图示LED照明装置的横截面结构，其中LED元件安装在玻璃材料中。这样的结构在例如JP 2007-042781A(在下文称为专利文件1)的图1中公开。如在图19中图示的，通孔电极52在玻璃基底51中形成。用于连接的金属化电极(electrode metallization)53B在通孔电极52上形成。多个LED元件56A安装在金属化电极53B上。LED元件56A的上表面通过导线57电连接到其中一个金属化电极53B。用于外部连接的金属化电极53A在玻璃基底51的下表面上形成。金属化电极53A电连接到通孔电极52。因此，电力可从在下表面上形成的金属化电极53A向LED元件56A供应。
形成有通孔58的Si基底54提供在玻璃基底51的上表面上以便围绕LED元件56A。Si基底54阳极式接合到玻璃基底51的上表面。Si基底54具有倾斜的内壁表面。反射膜55在内壁表面上形成。从LED元件56A发射的光在反射膜55上反射并且发射具有在向上方向上的方向性的光。安装了多个LED元件56A，因此可增加光发射强度。从LED元件56A产生的热可通过通孔电极52和金属化电极53A散发到外部。
玻璃基底51的通孔电极52形成如下。即，在玻璃基底51中形成的通孔的内壁镀有Cu或Ni，然后通孔填充有导电树脂或焊料。位于玻璃基底51的后表面(下表面)上的金属化电极53A形成如下。Ti层通过溅射或蒸发而沉积在玻璃材料的表面上。充当保护该Ti层的阻挡层的Pt层或Ni层通过溅射或蒸发而沉积在Ti层上。然后，用于保护表面氧化的Au层通过溅射或蒸发沉积。产生的层通过光照工艺(photo process)形成图案。
图20示意地图示照明装置60，其中LED发光元件61嵌入玻璃材料中。这样的结构在例如JP2007-306036A(在下文称为专利文件2)的图1中公开。图21图示处于恰在使用模具经玻璃密封之前的状态的照明装置60(参见专利文件2的图3)。LED发光元件61通过凸点62表面安装在基座63上。基座63连接到在引线64A和64B的末端中形成的台阶部分，并且覆盖有密封件65。玻璃作密封件65用。形成由玻璃构成的密封件65以便在引线64A和64B的下侧上是薄的并且在从LED发光元件61发射的光的输出侧上是凸出成厚的。
在整个照明装置60中，LED发光元件61被透明玻璃部分和金属部分围绕，其各自热膨胀系数在LED发光元件61的热膨胀系数的150％至500％范围内。在热膨胀系数上使馈电元件(引线64A和64B)和密封件65大于LED发光元件61或基座63。因此，可调整应力方向以防止由于热缩差异引起的裂缝的出现。
制造照明装置60的方法如下。薄玻璃板68、在上面安装LED发光元件61的基座63、电连接到基座63的两个引线64A和64B和位于基座63上面的厚玻璃板67设置在上模具71(具有在表面上形成的半圆凹陷部分71A)和下模具72(具有带有平底的凹陷部分72A)之间。然后，当玻璃板67和68通过在真空气氛中在450℃加热而软化时，上模具71和下模具72在由箭头指示的方向上移动以挤压玻璃板67和68。结果，玻璃板67和68形成为与在图20中图示的密封件65相同的穹顶形。
然而，当导电树脂如在专利文件1中描述的填充进入通孔并且通过热处理硬化以形成通孔电极时，由于硬化期间收缩难以保持气密性。此外，LED发光元件在光发射期间产生热。因此，当LED发光元件被重复开启和关闭时，发生温度循环，其中温度重复地升高和降低，因此重复膨胀和收缩。结果，玻璃和通孔电极之间界面的气密性降低，因此湿气从外部进入，从而缩短LED发光元件的寿命。
在专利文件1中，导电树脂或焊料填充进入通孔并且硬化以形成通孔电极。另外导体膜通过溅射或蒸发沉积并且后表面电极图案通过使用光学掩模的光照工艺形成。结果，制造步骤的数目增加，因此成本变得更高。
在专利文件2中描述的LED发光元件中，位于发光表面侧上的密封件65弯翘成穹顶形、或凸形，因此从LED发光元件61发射的光漫射到所有方向。因此，从LED发光元件61发射的光可能不在向上的方向上聚集或提供有在向上的方向上的方向性，因此发射的光可能不被有效地使用。在发光装置60中，调节密封件65的热膨胀系数到大于LED发光元件61或基座63的热膨胀系数的值使得基于热膨胀系数差异的内应力变为朝LED发光元件61中心的压应力，从而防止裂缝在玻璃材料中出现。因此，当密封LED发光元件61的密封件65的形状改变为例如凹形以发射具有方向性的光时，朝中心的压应力是不平衡的，因此可能引起裂缝而降低可靠性。
在专利文件2中描述的制造方法中，玻璃制成的密封件被软化以密封LED发光元件61，因此LED发光元件61暴露到等于或高于例如450℃的高温。当LED发光元件通过引线接合连接到导线时，因为软化玻璃具有高黏性，该导线被玻璃碾压。当磷分散在密封件65中以转变从LED发光元件发射的光的波长为另一个波长时，因为高温限制了可用的磷的类型。此外，难以在高温和高黏性玻璃中均匀地分散磷，因此可能不会获得期望的效果。因此，存在LED发光元件的结构或安装结构被限制的问题。
发明内容
鉴于上文，本发明的目的是提供可用减少的制造步骤数制造并且具有高可靠性的电子装置和制造该电子装置的方法。
根据本发明，照明装置具有其中发光元件安装在玻璃基底上的结构，该玻璃基底具有前表面、与前表面相对的后表面和位于周围的侧面。凹陷部分在玻璃基底的前表面上形成。引线架嵌入玻璃基底以便暴露在玻璃基底的侧面和凹陷部分的底面上。暴露在凹陷部分中的一部分引线架电连接到发光元件。提供密封材料以覆盖发光元件。
向下伸出的突出部分提供在引线架中。该突出部分穿过玻璃基底并且暴露在玻璃基底的后表面上。此外，突出部分紧靠发光元件的安装表面下面形成。
此外，玻璃基底至少在其中形成凹陷部分的玻璃基底区域中具有白色和乳白色中之一。密封材料用金属醇盐制成。
此外，玻璃基底和引线架之间的热膨胀系数差异设置为等于或小于4×10-6/K(K是开)。此外，玻璃基底具有8×10-6/K至11×10-6/K范围内的热膨胀系数而引线架具有4×10-6/K至15×10-6/K范围内的热膨胀系数。
引线架材料的示例可包括包含Ni和Fe的合金，和其中不同的金属材料彼此接合的覆层材料。该覆层材料包括是Cu的金属。
用Au制成的薄膜形成用作引线架。是包含在引线架中的金属材料氧化物的氧化膜在引线架和玻璃基底之间的接合界面处形成。
通孔在嵌入玻璃基底中的引线架区域中形成。引线架从玻璃基底的侧面伸出。
利用如上文描述的结构，提高了温度循环中的气密性和可靠性。
附图说明
在附图中：
图1A和1B是图示根据本发明的实施例1的照明装置的示意说明图；
图2A和2B是图示根据实施例1的变化形式1的照明装置的示意说明图；
图3是图示根据实施例1的变化形式2的照明装置的示意说明顶视图；
图4A至4C是图示根据实施例1的变化形式3的照明装置的示意说明图；
图5是图示根据实施例1的变化形式4的照明装置的示意说明图；
图6是图示根据实施例1的变化形式5的照明装置的示意横截面图；
图7A和7B是图示根据实施例1的变化形式6的照明装置的示意横截面图；
图8A和8B是图示根据本发明的实施例2的照明装置的示意说明图；
图9A和9B是图示根据本发明的实施例3的照明装置的示意说明图；
图10A至10C是图示根据实施例3的变化形式7的照明装置的示意说明图；
图11A至11H是图示照明装置制造方法的流程图；
图12A至12C是图示照明装置制造方法的示意图；
图13A至13C是图示照明装置制造方法的示意说明图；
图14A和14B是图示照明装置制造方法的示意说明图；
图15A至15C是图示照明装置制造方法中的设置步骤和接合步骤的示意图；
图16A和16B是图示照明装置制造方法中的安装步骤的示意图；
图17A和17B是图示照明装置制造方法中的密封步骤的示意图；
图18A至18G是图示照明装置制造方法的示意说明图；
图19是图示常规上众所周知的LED照明装置的横截面图；
图20是图示常规上众所周知的LED照明装置的横截面图；以及
图21图示其中使用常规上众所周知的照明装置的模具进行玻璃封装的状态。
具体实施方式
根据本发明的照明装置具有其中发光元件安装在玻璃基底上的结构。该玻璃基底具有前表面、与前表面相对的后表面和位于周边的侧面。前表面具有凹陷部分。发光元件安装在凹陷部分上。引线架嵌入玻璃基底。部分引线架暴露在玻璃基底的侧面和凹陷部分的底面上。暴露在凹陷部分的底面上的一部分引线架电连接到发光元件。发光元件用密封材料覆盖。利用这样的结构，玻璃基底和引线架之间的接触强度高，因此可实现具有优秀耐久性的照明装置。暴露在侧面的部分引线架可用作用以对发光元件施加电压的端子。
引线架可提供有突出部分，其穿过玻璃基底并且暴露在后表面上。当引线架提供有突出部分时，在发光元件中产生的热通过引线架或突出部分散发到外部。当突出部分紧靠其中安装发光元件的区域下面形成时，散热效率被进一步提高。
在下文，根据附图具体描述根据本发明的照明装置。
实施例1
图1A和1B是图示根据本发明的实施例1的照明装置的示意图。图1A是图示照明装置的横截面图并且图1B是图示照明装置的顶视图。沿图1B的线X-X获取的部分的横截面在图1A中图示。凹陷部分6在玻璃基底2的中心部分提供。凹陷部分6具有研钵形状，其中直径在向上方向上增加。在图1A和1B中，电极(没有示出)在LED3的下表面上形成并且通过导电材料(没有示出)电连接到引线架LFa。电极(没有示出)在LED 3的上表面上形成并且通过用Au或类似物制成的导线4电连接到暴露在凹陷部分6的底面上的引线架LFb。密封材料5应用到凹陷部分6并且覆盖和密封LED 3和导线4以便防止LED 3和导线4暴露到空气。
注意每个引线架是用具有薄板形状或线形形状的金属或合金一体式形成的导体。因此，引线架可以是通过蚀刻或冲压如在半导体领域中使用的带形金属板而形成的导体，或通过延展金属形成的线形导体。
如在图1B中图示的，引线架LFa和LFb中每个暴露在凹陷部分6的底面2d上的区域的线宽比引线架LFa和LFb中每个位于凹陷部分6周围并且穿过玻璃基底2的区域的线宽要窄。引线架LFa和LFb沿玻璃基底2的侧面弯曲并且接合到玻璃基底2。引线架LFa和LFb的弯曲部分充当端子9a和9b。电力供应在端子9a和9b之间以从LED3发射光。从LED 3发射的光向上传播并且在凹陷部分6的壁面上向上反射，因此光可提供有方向性。引线架LFa位于LED 3下面，因此在LED 3中产生的热可通过引线架LFa散发到外部。即，引线架LFa和LFb不仅充当供电单元也充当散热单元。
玻璃基底2和引线架LFa和LFb之间的热膨胀系数差异期望设置到等于或小于4×10-6/K的值。即使在玻璃基底2和引线架LFa和LFb暴露到由于安装的LED 3的重复开关引起的热循环的情况下，当热膨胀系数差异设置到等于或小于4×10-6/K的值时，引线架LFa和LFb和玻璃基底2之间的接合维持，因此引线架LFa和LFb和玻璃基底2之间的气密性保持不变。因此，提高了安装的LED 3的可靠性。
玻璃基底2的热膨胀系数设置在8×10-6/K至11×10-6/K范围内，而引线架LFa和LFb的热膨胀系数设置在4×10-6/K至15×10-6/K范围内。结果，可扩展引线架LFa和LFb的可用材料范围而不显著增加与玻璃基底2的热膨胀系数差异。
NiFe合金或Kovar可用作引线架LFa和LFb。例如，可使用42％NiFe合金或45％NiFe合金。该合金在热膨胀系数上接近玻璃基底并且与玻璃材料具有优良的接合。当用引线架LFa和LFb构成的后表面电极3a和3b的表面镀有Ni或Au时，便于钎焊(soldering)。引线架LFa和LFb的厚度在大致上0.1mm至0.5mm的范围内。
用金属或绝缘体制成的多层膜可在凹陷部分6的倾斜表面或底面上形成以充当反射表面。结果，从LED 3发射的光可被高效地向上反射。代替形成反射膜，显示白色或乳白色的材料可用作玻璃基底2。例如，玻璃材料可与例如磷酸(P2O5)、氧化铝(Al2O3)、氧化钙(CaO)、氧化硼(B2O3)、氧化镁(MgO)或氧化钡(BaO)等氧化物混合，从而获得乳白玻璃。白色或乳白色不会被从LED 3发射的光或在LED3中产生的热所改变，因此可防止照明装置1退化。
在玻璃基底2形成和处理之后提供密封材料5，因此可选择具有适合分散磷的黏性的材料作为密封材料5。密封材料5不暴露到软化玻璃的高温。因此，对要混合进入密封材料5的磷的选项的选择不被限制。要使用的密封材料5可以是通过固化金属醇盐或从金属醇盐产生的多金属氧烷(polymetalloxane)而获得的二氧化硅。当金属醇盐或从金属醇盐产生的多金属氧烷被用作如上文描述的密封材料5时，照明装置1可仅使用无机材料制造。
接着，关于实施例1的引线架的变化形式将解释如下。
变化形式1
在图2A和2B中图示的照明装置1是变换在图1中示出的构成的示例。图2B是图示照明装置1的顶视图而图2A图示沿图2B的线Y-Y获取的部分的横截面。凹陷部分6在玻璃基底2的中心部分中形成。凹陷部分6具有研钵形状，其中直径在向上方向上增加。引线架LFa和LFb从凹陷部分6的底面穿过玻璃基底2并且暴露在玻璃基底2的侧面。引线架LFa和LFb从玻璃基底2的侧面伸出并且引线架LFa和LFb的伸出部分充当端子10a和10b。因此，在LED 3中产生的热通过引线架LFa和LFb传递到端子10a和10b并且散发到外部。端子10a和10b不接合到玻璃基底2，因此提高了散热效率。
在该变化形式1中，引线架LFa和LFb在嵌入玻璃基底2的引线架LFa和LFb区域中具有通孔7。在引线架LFa和LFb嵌入玻璃基底2中的情况下，通孔7形成以提升玻璃材料的流动。即，当引线架LFa和LFb设置在玻璃基底2上然后在加热同时用模具挤压时，软化的玻璃材料可通过通孔7在短时间内流入引线架LFa和LFb上侧。其他结构、引线架LFa和LFb的材料、玻璃基底2的材料和密封材料5与实施例1中的相同并且因而省略说明。
在该结构中，在引线架LFa和LFb每个中提供的通孔7的数量是一个。可提供大数量的通孔7。在玻璃基底2软化的情况下，大数量的通孔7可引起玻璃材料的流动提高。
变化形式2
在图3中图示的照明装置1是变换在图2中示出的构成的另一个示例。凹陷部分6在玻璃基底2表面的中心部分提供。两个引线架LFa和LFb从凹陷部分6的底面2d穿过玻璃基底2、暴露在侧面，并且彼此相对。在该变化形式2中，在与引线架LFa和LFb所位于的方向正交的方向上另外提供引线架LFc和LFd。各个引线架LFa、LFb、LFc和LFd暴露在玻璃基底2中的凹陷部分6的底面2d上，在凹陷部分6周围嵌入玻璃基底2、暴露在玻璃基底2的侧面，并且接合到玻璃基底2。暴露在玻璃基底2的侧面的引线架LFa、LFb、LFc和LFd的部分充当端子9a、9b、9c和9d。引线架LFa、LFb、LFc和LFd具有在嵌入玻璃基底2中的引线架LFa、LFb、LFc和LFd区域中形成的通孔7a、7b、7c和7d。引线架LFc和LFd用单个导体板或单个导体棒构成。
LED 3是具有其中阳极电极和阴极电极在上表面上形成的结构的LED，并且通过高热导率粘合剂固定到位于凹陷部分6中心部分的引线架LFc和LFd上面。在LED 3上部形成阳极电极(没有示出)和阴极电极(没有示出)通过导线4a和4b电连接到引线架LFa和LFb，因此电力从引线架LFa和LFb向LED 3供应。
引线架LFc和LFd充当热导体以用于散发在LED 3中产生的热。在图3中，通孔7c和7d在引线架LFc和LFd中形成。然而，当通孔尺寸减小或排除时，引线架LFc和LFd的热阻可减小到小于引线架LFa和LFb的热阻的值，因此在LED 3中产生的热可被有效地散发到外部。其他结构与在图1-2中的相同并且因而省略说明。
变化形式3
在图4A和4B中图示的照明装置1是变换在图3中示出的构成的另一个示例。图4A示意地图示照明装置1的横截面而图4B示意地图示照明装置1的顶部轮廓。图4C是图示在图4B中图示的照明装置1的修改示例的顶视图。如在图4B中图示的，两个引线架LFa和LFb从凹陷部分6的底面穿过玻璃基底2并且暴露在玻璃基底2的侧面。在与引线架LFa和LFb位于的方向正交的方向上另外提供引线架LFc和LFd。各个引线架LFa、LFb、LFc和LFd暴露在玻璃基底2中的凹陷部分6的底面2d上并且在凹陷部分6周围嵌入玻璃基底2。各个引线架LFa、LFb、LFc和LFd从玻璃基底2的侧面伸出并且各个引线架LFa、LFb、LFc和LFd的伸出部分充当端子10a、10b、10c和10d。因此，端子10a和10b充当对LED 3的电源而端子10c和10d充当散热鳍片。其他结构与在实施例3中的相同并且因而省略说明。
在图4C中图示的结构中，端子10’c和10’d形成在面积上比端子10c和10d大。因此，端子10’c和10’d作为散热鳍片具有更高的作用，因此在LED 3中产生的热可更加高效地散发到外部。
变化形式4
在图5中图示的照明装置1是变换在图1中示出的构成的另一个示例。在该变化形式4中，氧化膜在玻璃基底2和引线架LFa和LFb之间的接合界面形成以提高玻璃基底2和引线架LFa和LFb之间的接合。
如在图5中图示的，凹陷部分6在玻璃基底2的中心部分中形成。凹陷部分6具有研钵形状，其中直径在向上方向上增加。引线架LFa和LFb暴露在玻璃基底2中的凹陷部分6的底面上、在凹陷部分6周围穿过玻璃基底2，并且暴露在玻璃基底2的侧面。是发光元件的LED
3安装在引线架LFa(暴露在凹陷部分6的底面上)的表面上。通过氧化引线架LFa和LFb的金属材料获得的氧化膜8在引线架LFa和LFb和玻璃基底2之间形成。利用如此形成的氧化膜8，提高了玻璃基底2和引线架LFa和LFb之间的接合或粘合。部分氧化膜8至少从引线架LFa的表面(LED3安装在其上)、引线架LFb与导线4的连接表面和引线架LFa和LFb的端子9的暴露表面去除以与其他端子建立电连接。
变化形式5
在图6中图示的照明装置1是变换在图1中示出的构成的另一个示例。在该变化形式5中，其中两种或更多种不同的金属彼此接合的覆层材料用作引线架LFa和LFb。例如，假设第一层是NiFe合金层(LFa1和LFb1)而第二层是Cu层(LFa2和LFb2)。NiFe合金层可另外提供为第三层。其他结构与在图1中示出的结构相同并且因而省略说明。
利用该结构，引线架LFa和LFb在热膨胀系数上接近玻璃材料2，因此例如热膨胀系数差异期望设置到等于或小于4×10-6/K的值。另外，可获得小电阻和高热导率。因而，可减小在电力供应到LED 3的情况下的电压降。在LED 3中产生的热可通过引线架LFa和LFb高效地散发。当引线架LFa和LFb的第一层是NiFe合金层和第二层(LED3安装在其上)是Cu层时，可实现到引线架LFa和LFb的钎焊。即使当NiFe合金层暴露到外部时，通过镀Cu或Au便于钎焊。
变化形式6
在图7A和7B中图示的照明装置1是变换在图1中示出的构成的其他示例。在该变化形式6中，暴露在照明装置1的侧面的端子沿与照明装置1的后表面13相同的平面弯曲。除暴露在侧面的端子之外的结构与上文解释的结构相同并且因而省略说明。
在图7A中，暴露在照明装置1的侧面的引线架LFa和LFb弯曲并且接合到玻璃基底2的侧面和后表面13，从而形成两个端子11a和11b。因此，照明装置1容易安装在电路板上而不要求空间。在图7B中，暴露在玻璃基底2的侧面的引线架LFa和LFb弯曲并且接合到玻璃基底2的侧面。引线架LFa和LFb进一步弯曲以便在与玻璃基底2的后表面13相同的平面上从侧面伸出，从而形成两个端子12a和12b。因此，照明装置1容易安装在电路板上并且散热效果可被提高。
在上文描述的图1至7中示出的结构的每个中，优选地最大化引线架LFa(在其上安装LED 3)区域的热导率。关于在嵌入玻璃基底2的引线架LFa和LFb区域中与热传递方向正交的平面的横截面，引线架LFa(在其上安装LED 3)的平面的横截面面积设置到大于引线架LFb(与导线4连接)的平面的横截面面积的值。引线架LFb的平面的横截面面积设置到能够向LED 3供应必需的电力的值。利用这个结构，可有效地使用引线架LFa和LFb的材料并且可降低制造成本。在其中形成如在图3或图4A至4C中示出的三个或更多引线架的照明装置1中，整个引线架LFc和LFd(LED3固定到其上)的横截面面积期望设置到大于整个引线架LFa和LFb的横截面面积的值。
实施例2
图8A和8B示意地图示根据实施例2的照明装置1。图8A是图示照明装置1的横截面图并且图8B是图示照明装置1的顶视图。在该实施例中，LED 3表面安装在引线架LFa和LFb上。
如在图8A和8B中图示的，凹陷部分6在玻璃基底2上形成。引线架LFa和LFb暴露在凹陷部分6的底面2d上，在凹陷部分6周围穿过玻璃基底2，并且暴露在玻璃基底2的侧面。引线架LFa和LFb在凹陷部分6的底面2d上接合到玻璃基底2，在凹陷部分6周围嵌入玻璃基底2，沿玻璃基底2的侧面弯曲，并且接合到玻璃基底2。引线架LFa和LFb在嵌入玻璃基底2的引线架LFa和LFb区域中具有通孔7。位于玻璃基底2的侧面的部分引线架LFa和LFb充当端子9a和9b。LED 3通过在部分引线架LFa和LFb(暴露在凹陷部分6的底面2d上)上的导电材料14a和14b来表面安装。LED 3用密封材料5密封。通过使用例如SnAgCu或AuSn等的合金，或使用导电接合材料，可进行倒装芯片接合。
这样，引线接合是不必要的，因此可减少制造步骤的数量以减少制造成本。在LED 3中产生的热可通过两个引线架LFa和LFb散发到外部，因此可提高散热效果。形成导线是不必要的，因此可减少照明装置1的厚度。其他结构与在实施例1中的结构相同并且因而省略说明。
实施例3
图9A和9B示意地图示根据实施例3的照明装置1。图9B是图示照明装置1的顶视图而图9A图示沿图9B的线X-X获取的部分的横截面。凹陷部分6在玻璃基底2的中心部分提供。凹陷部分6具有研钵形状，其中直径在向上方向上增加。如在实施例1中，提供引线架LFa和LFb以在凹陷部分6周围在横向上穿过玻璃基底2，并且暴露在凹陷部分6的底面和玻璃基底2的侧面。暴露在侧面的部分引线架LFa和LFb用作端子9a和9b。引线架LFa具有在表面(在其上安装LED 3)的后侧上形成的突出部分9e。突出部分9e穿过玻璃基底2并且暴露在玻璃基底的后表面上。在LED 3中产生的热可通过引线架Lfa或突出部分9e散发到外部。在该实施例中，突出部分9e的热阻非常小。因此，当吸热装置(heat sink)接合到突出部分9e时，可获得高的散热效果。注意端子9a和9b用作用于从LED 3发射光的供电端子。突出部分9e可代替端子9a使用。
具有突出部分的引线架可通过辊压接合(roll bonding)方法、塑性加工方法(例如变形处理或压力加工等)或焊接方法容易地制造。其他结构、玻璃基底2的材料和密封材料5与实施例1中的相同并且因而省略说明。事实是，如实施例1的变化形式2中那样，在引线架中提供通孔的情况下提高了软化玻璃基底2的玻璃材料的流动。
变化形式7
在图10A至10C中图示的照明装置1是变换在图9中示出的构成的另一个示例。图10C是图示照明装置1的顶视图。图10A图示沿图10C的线X-X获取的部分的横截面。图10B图示沿图10C的线Y-Y获取的部分的横截面。如在图10A和10B中图示的，突出部分9e在LED 3的安装部分中的引线架的后侧上形成，穿过玻璃基底2，并且暴露在玻璃基底的后表面上。在LED 3中产生的热可通过引线架突出部分9e散发到外部。因此，例如当吸热装置接合到突出部分9e时，可获得高的散热效果。注意端子9a、9b、9c和9d用作用于从LED 3发射光的供电端子。突出部分9e可代替端子9c或9d使用。
具有突出部分的引线架可通过辊压接合方法、塑性加工方法(例如变形处理或压力加工等)或焊接方法容易地制造。其他结构、玻璃基底2的材料和密封材料5与实施例1中的相同并且因而省略说明。如实施例3中那样，在引线架中提供通孔的情况下提高了软化玻璃基底2的玻璃材料的流动的事实与实施例3相同。
在上文描述的所有结构的每个结构中，照明装置1的二维形状假设是正方形并且凹陷部分6假设具有圆形研钵形状。然而，本发明不限于这样的形状。照明装置1的二维形状可是环形或除正方形外的多边形。凹陷部分6可具有正方或其他多边形或具有弧形或双曲线倾斜表面。
如上文描述的，在根据本发明的照明装置中，引线架嵌入玻璃基底中以暴露在玻璃基底的侧面和凹陷部分的底面上。要安装的发光元件电连接到暴露在凹陷部分上的部分引线架。利用这个结构，可提供在温度循环中气密性和可靠性高的电子装置。
接着，参照图11A至11H、12A至12C、13A至13C、14A和14B、15A至15C、16A和16B、17A和17B以及18A至18G描述制造照明装置1的方法。
第一参考示例
图11A至11H是图示制造照明装置1的方法的流程图。在该参考中，使用其中形成通孔7的引线架LFa和LFb。
设置步骤
图11A是图示设置步骤的示意图。引线架LFa和LFb设置在玻璃板18上。引线架LFa和LFb各自用板形导体制成并且彼此相对。图11E示意地图示引线架LFa和LFb。引线架LFa和LFb具有在变宽部分中形成的通孔7a和7b以便于软化玻璃材料的快速流动。在其上设置引线架LFa和LFb的玻璃板18在下模具19(具有凹陷部分20)和上模具15(具有在表面上形成的突出部分16)之间提供。上模具15的突出部分16与引线架LFa和LFb相对。
接合步骤
接着，加热下模具19、上模具15和玻璃板18以软化玻璃板18。加热玻璃板18并且在由箭头指示的方向上挤压下模具19和上模具15。然后，在上模具15的表面上形成的突出部分16的上表面与引线架LFa和LFb接触。因此，玻璃板18的一部分玻璃材料流到上模具15的凹陷部分17。引线架LFa和LFb分别具有通孔7a和7b，因此提升了玻璃板18的一部分玻璃材料的流动。
图11B是图示从下模具19和上模具15中取出的玻璃基底2的横截面图，而图11F是图示玻璃基底2的顶视图。对应于上模具15的突出部分16，在玻璃基底2的上表面侧上形成凹陷部分6。引线架LFa和LFb各自的端部在外面暴露在凹陷部分6的底面2d上并且接合到玻璃基底2的表面。引线架LFa和LFb在凹陷部分6的周围嵌入玻璃基底2并且接合到玻璃基底2。引线架LFa和LFb从玻璃基底2的侧面伸出并且引线架LFa和LFb的伸出部分充当端子10a和10b。
安装步骤
图11C是图示其中LED 3作为发光元件安装在引线架LFa(暴露在凹陷部分6的底面2d上)上的状态的示意图，而图11G是图示该状态的顶视图。通过使用例如SnAgCu或AuSn等的合金，或使用导电接合材料，可进行安装。在LED 3的上表面上形成的电极(没有示出)和暴露的引线架LFb使用Au或其类似物制成的导线4通过引线接合彼此连接。
密封步骤
图11D是图示其中密封材料5应用到凹陷部分6的状态的横截面图，而图11H是图示该状态的顶视图。用透明树脂制成的密封材料5被应用以密封电子部件(LED)3和导线4。要使用的密封材料5可是通过固化金属醇盐或从金属醇盐产生的多金属氧烷而获得的二氧化硅。具体地，包含金属醇盐的溶液用分配器或其类似物填充到凹陷部分6。例如，可使用nSi(OCH3)4、4nH2O、NH4OH(催化剂)和二甲基甲酰胺(DMF)(抗开裂剂)的混合物。该混合物在室温到大约60℃的温度范围内水解和聚合以形成多金属氧烷溶胶。该混合物在室温到大约60℃的温度范围内进一步聚合以形成二氧化硅的润湿凝胶，然后在大约100℃的温度或等于或高于100℃的温度干燥和烧制以形成二氧化硅。备选地，多金属氧烷可如上文描述的被填充然后聚合和烧制以形成二氧化硅。
当如上文描述金属醇盐或从金属醇盐产生的多金属氧烷用作密封材料5时，照明装置1可仅使用无机材料制造。因此，可防止材料由于从LED 3发射的紫外光和可见光褪色。
如上文描述的，凹陷部分6在玻璃基底2上形成，同时引线架LFa和LFb嵌入凹陷部分的周围并且从玻璃基底2伸出以形成端子10a和10b。当玻璃基底2通过这样的方式结合到引线架LFa和LFb时，接触和气密性非常好，因此可实现具有高可靠性的照明装置1。在玻璃板18软化以形成凹陷部分6之后安装LED 3，因此导线可通过在半导体技术中频繁使用的引线接合形成。
此外，为了使用凹陷部分6的壁面作为反射表面，可形成金属膜或电介质多层膜以具有高反射率。因此，从照明装置1发射的光容易提供有方向性。显示白色或乳白色的材料可用作玻璃基底2，因此可提供随时间推移较少褪色的反射层。可选择具有适合分散磷的黏性的材料作为密封材料5。密封材料5不暴露到软化玻璃的高温，因此扩宽了混合进入密封材料5的磷材料之中的选择。
第二参考示例
图12A至12C、13A至13C、14A和14B、15A至15C、16A和16B、17A和17B是图示在该参考中制造照明装置1的方法的解释性流程图。在该参考中，引线架LFa和LFb夹在第一玻璃基底2a和第二玻璃基底2b之间接着插入上模具15和下模具19之间以接合第一玻璃基底2a和第二玻璃基底2b到引线架LFa和LFb。
制备步骤
图12A至12C是图示制备第二玻璃基底2b的步骤的解释性示意图。图13A至13C是图示制备第一玻璃基底2a的步骤的解释性示意图。第一玻璃基底2a和第二玻璃基底2b中的每个使用软化的玻璃板通过模塑方法形成。
图12A是图示其中上玻璃板23插入下模具22和上模具21之间的状态的示意图。如在图12A中图示的，下模具22具有在表面上形成的凹陷部分26。上模具21具有在表面上形成的突出部分24和位于突出部分24周围的凹陷部分25。上玻璃板23插入下模具22和上模具21之间，在软化上玻璃板23的温度被加热，并且上模具21被挤压向下模具22。结果，如在图12B和12C中图示的，形成具有位于中心部分的开口部分30的第二玻璃基底2b。开口部分30被第二玻璃基底2b的倾斜表面27环绕。图12B是图示第二玻璃基底2b的横截面图而图12C是图示第二玻璃基底2b的顶视图。
图13A是图示其中下玻璃板23’插入下模具22’和上模具21’之间的状态的示意图。如在图13A中图示的，下模具22’具有在表面上形成的凹陷部分26’并且上模具21’也具有凹陷部分25’。下玻璃板23’插入下模具22’和上模具21’之间，在软化下玻璃板23’的温度被加热，并且上模具21’被挤压向下模具22’。结果，如在图13B和13C中图示的，在第一玻璃基底2a的右端和左端部中形成以便接合到引线架LFa和LFb的端子9a和9b的电极接合部分29a和29b。图13B是图示第一玻璃基底2a的横截面图而图13C是图示第一玻璃基底2a的顶视图。
图14A和14B是图示制备引线架LFa和LFb的步骤的解释性示意图。图14A是图示引线架LFa和LFb的顶视图而图14B是图示引线架LFa和LFb的侧视图。用金属或合金制成的导体板通过使用模具冲压或通过蚀刻形成为预定的形状，然后在端部弯曲以形成引线架LFa和LFb。弯曲端部充当端子9a和9b用于供电和散热。形成引线架LFa和LFb中的每个，使得对应于照明装置1的中心部分的宽度是窄的而对应于照明装置1的周边部分的宽度是宽的。两个引线架LFa和LFb的窄部分彼此相对。通孔可在引线架LFa和LFb的宽部分中提供以便提高软化玻璃材料的流动。
设置步骤
图15A是图示设置步骤的示意图。设置引线架LFa和LFb使得在第一玻璃基底2a上彼此相对。然后，第二玻璃基底2b设置在引线架LFa和LFb和第一玻璃基底2a上。在这个状态期间，第一玻璃基底2a和第二玻璃基底2b设置在下模具19和上模具15之间。下模具19具有在表面上形成的凹陷部分20。上模具15具有在表面上形成的突出部分16和在突出部分16周围形成的凹陷部分17。第一和第二玻璃基底2a和2b的材料、引线架LFa和LFb的材料和热膨胀系数与在实施例1中的那些相同并且因而省略说明。
上模具15的突出部分16在直径上大于第二玻璃基底2b的开口部分30。上模具15的凹陷部分17的深度大于第二玻璃基底2b的厚度，即，比第二玻璃基底2b的厚度深。这是因为在第二玻璃基底2b软化并且上模具15被挤压向下模具19的情况下允许第二玻璃基底2b的材料流入上模具15的凹陷部分17。
接合步骤
接着，加热下模具19、上模具15和第一和第二玻璃基底2a和2b以软化第一和第二玻璃基底2a和2b。在这个状态期间，在由箭头指示的方向上挤压下模具19和上模具15。然后，在上模具15的表面上形成的突出部分16的上表面与引线架LFa和LFb接触。因此，第一和第二基底2a和2b中至少一个的玻璃材料流到上模具15的凹陷部分17。当引线架LFa和LFb中的每个具有通孔时，提升了玻璃材料的流动。
图15B和15C示意地图示通过上文描述的方法获得的封装基底构件。即，图15B是图示在引线架LFa和LFb、第一玻璃基底2a和第二玻璃基底2b接合在一起之后从模具中取出的玻璃基底2的横截面图，而图15C是图示玻璃基底2的顶视图。如在图15B和15C中图示的，对应于上模具15的突出部分16，在玻璃基底2的上表面侧上形成凹陷部分6。引线架LFa和LFb各自的端部暴露在外面的凹陷部分6的底面2d上并且接合到玻璃基底2的表面。引线架LFa和LFb在凹陷部分6的周围嵌入玻璃基底2并且接合到玻璃基底2。引线架LFa和LFb的端部接合到玻璃基底2的侧面以形成端子9a和9b。
安装步骤
图16A和16B是图示其中LED 3作为发光元件安装在引线架LFa(暴露在凹陷部分6的底面上)上的状态的示意图。图16A是图示该状态的横截面图而图16B是图示该状态的顶视图。如在图16A中图示的，LED 3通过导电材料(没有示出)安装在引线架LFa上。通过使用例如SnAgCu或AuSn等的合金，或使用导电接合材料，可进行接合。在LED 3的上电极(没有示出)和暴露的引线架LFb使用Au或其类似物制成的导线4通过引线接合彼此连接。
密封步骤
图17A是图示其中密封材料5应用到凹陷部分6的状态的横截面图，而图17B是图示该状态的顶视图。用透明树脂制成的密封材料5应用以密封LED 3和导线4。要使用的密封材料5可以是通过固化金属醇盐或从金属醇盐产生的多金属氧烷而获得的二氧化硅。具体的示例与在第一参考示例中的相同因此省略说明。
如上文描述的，凹陷部分6在玻璃基底2上形成，同时引线架LFa和LFb嵌入凹陷部分6的周围以形成端子，因此可减少制造步骤的数量以减少制造成本。特别地，凹陷部分6由第二玻璃基底2b形成，因此减少了玻璃材料的流动距离。因此，引线架LFa和LFb可在短时间内接合到玻璃基底2。当玻璃基底2结合到引线架LFa和LFb时，接触和气密性非常好，因此可制造具有高可靠性的照明装置1。在第二玻璃基底2b软化以形成凹陷部分6之后安装LED 3，因此导线可通过在半导体技术中频繁使用的引线接合形成。当凹陷部分6的壁面将用作反射表面时，可形成金属膜或电介质多层膜以具有高反射率。因此，从照明装置1发射的光容易提供有方向性。显示白色或乳白色的材料可用作第二玻璃基底2b，因此可提供随时间推移较少褪色的反射层。可选择具有适合分散磷的黏性的材料作为密封材料5。密封材料5不暴露到软化玻璃基底2的温度，因此扩宽了用于转变从LED3发射的光的波长的磷材料之中的选择。
第三参考示例
图18A至18G是图示制造照明装置1的方法的解释性示意图。在该参考中，氧化膜在接合步骤之前在引线架LFa和LFb的表面上形成，从而提高引线架LFa和LFb和玻璃基底2之间的接合。
图18A是图示其中引线架LFa和LFb通过冲压金属或合金板形成的状态的横截面图。图18B是图示用于在引线架LFa和LFb的表面上形成氧化膜的氧化步骤的横截面图。引线架LFa和LFb在氧气气氛中经受热处理以在表面上形成氧化膜31。例如，热处理在包含湿气的气氛中进行。当例如Kovar的NiFe合金将用作引线架LFa和LFb时，氧化处理在等于或高于大约800℃的温度下进行使得表面变暗。
图18C是图示其中引线架LFa和LFb通过压力加工在端部弯曲的状态的横截面图。弯曲部分充当端子9a和9b。用于在表面上形成氧化膜31的氧化步骤可在引线架LFa和LFb弯曲之后进行。
图18D是图示其中引线架LFa和LFb接合到玻璃基底2的状态的横截面图。设置步骤和接合步骤可与在第一参考示例或第二参考示例中的那些相同因而省略说明。如在图18D中图示的，氧化膜31位于引线架LFa和LFb和玻璃基底2之间的接触界面，因此提高了玻璃基底2和引线架LFa和LFb之间的接触和气密性。
接着，进行还原处理(reduction treatment)以从暴露在外面的引线架LFa和LFb表面去除氧化膜。图18E图示其中氧化膜31通过氧化膜去除步骤从引线架LFa和LFb的暴露表面选择性去除的状态。在氧化膜去除步骤中，玻璃基底2在包含氢气或与N2气(作为运载气体)混合的氢气的气氛中经受热处理。备选地，氧化膜通过氢氟酸或其类似物从引线架LFa和LFb的表面去除。因而金属或合金暴露在安装表面(在其上安装LED 3)和端子9a和9b的表面上，因此可实现与其他导电材料的电连接。
图18F是图示在引线架LFa上安装LED 3的安装步骤的横截面图。图18G是图示其中LED 3和导线4用密封材料5密封的状态的横截面图。安装步骤和密封步骤可与在第一参考示例或第二参考示例中的那些相同因而省略说明。氧化处理期望在接合步骤之前进行。因此，氧化处理可在引线架LFa和LFb通过压力加工弯曲(图18C)之后或在引线架LFa和LFb的冲压(图18A)之前进行。当在氧化处理之前在LED 3的安装表面和对应于端子9a和9b的区域上应用抗蚀剂或提供阻挡板以防止氧化时，上文描述的氧化膜去除步骤是不必要的。

Claims (9)

1.一种照明装置，包括：
具有前表面、侧面和后表面的玻璃基底，所述前表面具有带有底面的凹陷部分；
嵌入所述玻璃基底的引线架，其具有在所述玻璃基底的所述侧面上暴露的部分和在所述凹陷部分的所述底面上暴露的部分；
与暴露在所述凹陷部分中的该部分引线架电连接的发光元件；以及
用于覆盖所述发光元件的密封材料。
2.如权利要求1所述的照明装置，其中所述引线架包括穿过所述玻璃基底并且暴露在所述玻璃基底的所述后表面上的突出部分。
3.如权利要求2所述的照明装置，其中所述突出部分在安装所述发光元件的区域下面形成。
4.如权利要求1所述的照明装置，其中所述引线架具有通孔，所述通孔在所述引线架嵌入所述玻璃基底的区域中形成。
5.如权利要求1所述的照明装置，其中所述玻璃基底的所述凹陷部分颜色为白色和乳白色中之一。
6.如权利要求1所述的照明装置，其中所述引线架用覆层材料形成，所述覆层材料中不同金属材料彼此接合。
7.如权利要求1所述的照明装置，其中所述引线架用金属材料形成，
所述照明装置还包括在所述引线架和所述玻璃基底之间接合界面处的氧化膜，所述氧化膜用形成所述引线架的金属材料的氧化物形成。
8.如权利要求1所述的照明装置，其中所述玻璃基底和所述引线架之间的热膨胀系数差异等于或小于4×10-6/K。
9.如权利要求1-8中任一项所述的照明装置，其中：
所述玻璃基底具有8×10-6/K至11×10-6/K范围内的热膨胀系数；以及
所述引线架具有4×10-6/K至15×10-6/K范围内的热膨胀系数。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105098024A (zh) * 2014-05-07 2015-11-25 新世纪光电股份有限公司 发光二极管封装结构

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110024313A1 (en) * 2008-04-25 2011-02-03 Hiroshi Nakai Optical element package, semiconductor light-emitting device, and lighting device
JP2011187587A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Seiko Instruments Inc 発光デバイス
US9240526B2 (en) * 2010-04-23 2016-01-19 Cree, Inc. Solid state light emitting diode packages with leadframes and ceramic material
TWI416768B (zh) * 2010-10-13 2013-11-21 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體模組
DE102011013278B4 (de) * 2011-03-07 2020-06-18 Schott Ag Gehäuse für Hochleistungsleuchtdioden - "1-Lagen-System"
KR101813495B1 (ko) * 2011-06-08 2017-12-29 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
US8742655B2 (en) * 2011-07-22 2014-06-03 Guardian Industries Corp. LED lighting systems with phosphor subassemblies, and/or methods of making the same
US8513693B2 (en) * 2011-08-08 2013-08-20 Intellectual Discovery Co., Ltd. Miniature leadless surface mount lamp with dome and reflector cup
JP6066544B2 (ja) * 2011-09-07 2017-01-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5978631B2 (ja) * 2012-01-26 2016-08-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102012215449A1 (de) * 2012-08-31 2014-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein elektronisches bauelement, elektronische baugruppe, verfahren zum herstellen eines gehäuses für ein elektronisches bauelement und verfahren zum herstellen einer elektronischen baugruppe
TWI478412B (zh) * 2012-09-06 2015-03-21 Ultimate Image Corp 有機電致發光裝置及其電源供應裝置
US9548261B2 (en) * 2013-03-05 2017-01-17 Nichia Corporation Lead frame and semiconductor device
KR102076243B1 (ko) * 2013-09-04 2020-02-12 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
JP2015073131A (ja) * 2015-01-05 2015-04-16 ローム株式会社 Ｌｅｄ発光体およびｌｅｄ電球
CN104733589B (zh) * 2015-03-09 2017-09-29 潮州三环（集团）股份有限公司 一种led封装盖板的制备方法
WO2017056841A1 (ja) * 2015-09-29 2017-04-06 シャープ株式会社 発光装置
JP6805081B2 (ja) * 2017-05-26 2020-12-23 新光電気工業株式会社 発光装置用蓋体

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
DE19755734A1 (de) * 1997-12-15 1999-06-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes
JP4125848B2 (ja) * 1999-12-17 2008-07-30 ローム株式会社 ケース付チップ型発光装置
DE10023353A1 (de) * 2000-05-12 2001-11-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
JP3614776B2 (ja) * 2000-12-19 2005-01-26 シャープ株式会社 チップ部品型ｌｅｄとその製造方法
US6833566B2 (en) * 2001-03-28 2004-12-21 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode with heat sink
US6874910B2 (en) * 2001-04-12 2005-04-05 Matsushita Electric Works, Ltd. Light source device using LED, and method of producing same
JP2002374007A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
DE10153259A1 (de) * 2001-10-31 2003-05-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP4172196B2 (ja) * 2002-04-05 2008-10-29 豊田合成株式会社 発光ダイオード
US7696526B2 (en) * 2004-01-29 2010-04-13 Dominant Opto Tech Sdn Bhd Surface mount optoelectronic component
KR100665298B1 (ko) * 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광장치
DE102005020908A1 (de) * 2005-02-28 2006-08-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungsvorrichtung
JP4744178B2 (ja) * 2005-04-08 2011-08-10 シャープ株式会社 発光ダイオード
JP4739851B2 (ja) * 2005-07-29 2011-08-03 スタンレー電気株式会社 表面実装型半導体装置
KR100691273B1 (ko) * 2005-08-23 2007-03-12 삼성전기주식회사 복합 형광체 분말, 이를 이용한 발광 장치 및 복합 형광체분말의 제조 방법
KR20080037734A (ko) * 2005-08-23 2008-04-30 가부시끼가이샤 도시바 발광 장치와 그를 이용한 백 라이트 및 액정 표시 장치
EP1925037A4 (en) * 2005-09-13 2011-10-26 Showa Denko Kk LIGHT EMITTING DEVICE
DE102006032415A1 (de) * 2005-09-30 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements und strahlungsemittierendes Bauelement
JP2007165803A (ja) * 2005-12-16 2007-06-28 Sharp Corp 発光装置
JP2007266343A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2007311707A (ja) * 2006-05-22 2007-11-29 Ushio Inc 紫外線発光素子パッケージ
KR100809210B1 (ko) * 2006-07-10 2008-02-29 삼성전기주식회사 고출력 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
TWI311824B (en) * 2006-10-02 2009-07-01 Ind Tech Res Inst Light emitting diode package structure
CN101388161A (zh) * 2007-09-14 2009-03-18 科锐香港有限公司 Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器
CN101459163B (zh) * 2007-12-12 2011-07-06 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 发光二极管
CN102037578A (zh) * 2008-04-23 2011-04-27 希爱化成株式会社 发光二极管用封装、发光装置、及发光装置的制造方法
US8049230B2 (en) * 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
KR101047791B1 (ko) * 2008-11-18 2011-07-07 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
US8368112B2 (en) * 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
US20100289055A1 (en) * 2009-05-14 2010-11-18 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Silicone leaded chip carrier
US7892869B2 (en) * 2009-07-23 2011-02-22 Edison Opto Corporation Method for manufacturing light emitting diode assembly

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105098024A (zh) * 2014-05-07 2015-11-25 新世纪光电股份有限公司 发光二极管封装结构

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Publication number Publication date
US20100163919A1 (en) 2010-07-01
US8134173B2 (en) 2012-03-13
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TW201034257A (en) 2010-09-16

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