CN101802677B - 一种微机电装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种微机电(MEMS)装置(800)包含衬底(802)、所述衬底(802)上的激活电极(804)、所述激活电极(804)上的反射层(810)，和所述激活电极(804)与所述反射层(810)之间的支撑层(808)。所述反射层(810)包含穿过所述反射层(810)的至少一个孔(814)。所述支撑层(808)包含在所述激活电极(804)与所述至少一个孔(814)之间的凹进(812)。在将控制信号施加到所述装置(800)后，所述反射层(810)的至少第一部分(816)经配置以移动到所述凹进(812)中，且所述反射层(810)的至少第二部分(818)经配置以保持静止。所述MEMS装置(800)的反射性主要通过改变从所述第一部分(816)反射的光与从所述第二部分(818)反射的光之间的相位差来调制。

Description

一种微机电装置及其制造方法

相关申请案

本申请案主张2007年12月3日申请的第11/949,612号美国专利申请案以及2007年9月14日申请的第60/972,715号美国临时申请案的优先权权益，所述申请案中的每一者的全文以引用的方式并入本文中。 

背景技术

微机电系统(MEMS)包含微机械元件、激活器和电子元件。可使用沉积、蚀刻和/或其它蚀刻掉衬底和/或已沉积材料层的部分或者添加层以形成电装置和机电装置的微加工工艺来产生微机械元件。一种类型的MEMS装置称为干涉式调制器。如本文所使用，术语干涉式调制器或干涉式光调制器指的是一种使用光学干涉原理选择性地吸收且/或反射光的装置。在某些实施例中，干涉式调制器可包括一对导电板，其中之一或两者可能整体或部分透明且/或具有反射性，且能够在施加适当电信号时进行相对运动。在特定实施例中，一个板可包括沉积在衬底上的固定层，且另一个板可包括通过气隙与固定层分离的金属薄膜。如本文更详细描述，一个板相对于另一个板的位置可改变入射在干涉式调制器上的光的光学干涉。这些装置具有广范围的应用，且在此项技术中，利用且/或修改这些类型装置的特性使得其特征可被发掘用于改进现有产品和创建尚未开发的新产品，将是有益的。 

发明内容

在某些实施例中，一种微机电(MEMS)装置包括衬底、所述衬底上的激活电极、所述激活电极上的反射层，和所述激活电极与所述反射层之间的支撑层。所述反射层包含穿过所述反射层的至少一个孔。所述支撑层包含在所述激活电极与所述至少一个孔之间的凹进。在将控制信号施加到所述装置后，所述反射层的至少第一部分经配置以移动到所述凹进中，且所述反射层的至少第二部分经配置以保持静止。所述MEMS装置的反射性主要通过改变从所述第一部分反射的光与从所述第二部分反射的光之间的相位差来调制。 

在某些实施例中，一种微机电(MEMS)装置包括用于施加控制信号的装置、用于 支撑所述控制信号施加装置的装置、用于调制光的装置，以及用于支撑所述光调制装置的装置。所述控制信号施加装置在所述用于支撑控制信号施加装置的装置上。所述光调制装置在所述用于支撑控制信号施加装置的装置上。所述用于支撑光调制装置的装置在控制信号施加装置与光调制装置之间。光调制装置包含用于穿过光调制装置引导流体的装置。用于支撑光调制装置的装置包含控制信号施加装置与流体引导装置之间的凹进。在将控制信号施加到装置后，光调制装置的至少第一部分经配置以移动到凹进中，且光调制装置的至少第二部分经配置以保持静止。所述MEMS装置的反射性主要通过改变从所述第一部分反射的光与从所述第二部分反射的光之间的相位差来调制。 

在某些实施例中，一种制造微机电(MEMS)装置的方法包括：在衬底上形成激活电极；在激活电极上形成支撑层；在支撑层上形成反射层；穿过反射层形成至少一个孔；以及移除激活电极与至少一个孔之间的支撑层的第一部分，而留下支撑层的第二部分。第二部分支撑反射层。第一部分的宽度大于至少一个孔的宽度。移除之后，所述MEMS装置的反射性主要通过改变从所述第一部分反射的光与从所述第二部分反射的光之间的相位差来调制。 

在某些实施例中，一种用于向观看者呈现图像的显示器装置包括：基础层，其包括第一区，所述第一区包括基础层的表面中的多个凹进；以及反射层，其在基础层上。凹进的每一者具有小于约1μm的宽度。邻近凹进呈在两个维度中为周期性的图案，且具有小于约2μm的中心到中心距离。凹进具有到基础层的表面中的深度。反射层包括第一部分和第二部分。第一部分在第一区上且在凹进内。第二部分在第一区上，在凹进之间，且不在凹进内。第一部分的面积与第二部分的面积的比率小于约1∶1。 

在某些实施例中，一种用于向观看者呈现图像的显示器装置包括用于调制光的装置和用于支撑光调制装置的装置。支撑装置包括第一区，所述第一区包括支撑装置的表面中的多个凹进。光调制装置在用于支撑光调制装置的装置上。凹进的每一者具有小于约1μm的宽度。邻近凹进呈在两个维度中为周期性的图案，且具有小于约2μm的中心到中心距离。凹进具有到支撑装置的表面中的深度。光调制装置包括第一部分和第二部分。第一部分在第一区上且在凹进内。第二部分在第一区上，在凹进之间，且不在凹进内。第一部分的面积与第二部分的面积的比率小于约1∶1。 

在某些实施例中，一种形成反射表面的方法包括：提供基础层；形成第一区，其包括形成基础层的表面中的多个凹进；以及在基础层上沉积反射材料层。凹进的每一者具有小于约1μm的宽度。邻近凹进呈沿基础层在两个维度中为周期性的图案，且具有小于约2μm的中心到中心距离。凹进具有到基础层的表面中的深度。 

附图说明

图1是描绘干涉式调制器显示器的一个实施例的一部分的等角视图，其中第一干涉式调制器的可移动反射层处于松弛位置，且第二干涉式调制器的可移动反射层处于激活位置。 

图2是说明并入有3×3干涉式调制器显示器的电子装置的一个实施例的系统框图。 

图3是图1的干涉式调制器的一个示范性实施例的可移动镜位置对所施加电压的图。 

图4是可用于驱动干涉式调制器显示器的一组行和列电压的说明。 

图5A说明图2的3×3干涉式调制器显示器中的显示器数据的一个示范性帧。 

图5B说明可用于写入图5A的帧的行和列信号的一个示范性时序图。 

图6A和图6B是说明包括多个干涉式调制器的视觉显示器装置的实施例的系统框图。 

图7A是图1的装置的横截面。 

图7B是干涉式调制器的替代实施例的横截面。 

图7C是干涉式调制器的另一替代实施例的横截面。 

图7D是干涉式调制器的又一替代实施例的横截面。 

图7E是干涉式调制器的额外替代实施例的横截面。 

图8A是MEMS装置的实例实施例的横截面。 

图8B和图8C是处于激活位置的图8B的MEMS装置的横截面。 

图8D是MEMS装置的另一实例实施例的横截面。 

图8E和图8F是处于激活位置的图8D的MEMS装置的横截面。 

图9A是图8A的MEMS装置的3×3阵列的实例实施例的俯视平面图。 

图9B是沿图9A的线9B-9B截取的两个MEMS装置的一部分的横截面。 

图10A是沿图9A的线10A-10A截取的多个MEMS装置的实例实施例的横截面。 

图10B是多个MEMS装置的又一实例实施例的横截面。 

图11A-图11E是制造图8A的MEMS装置的方法的实例实施例的横截面。 

图12A是多个MEMS装置的实例实施例的横截面。 

图12B是处于激活位置的图12A的MEMS装置的横截面。 

图13A-图13G是制造图12A的MEMS装置的方法的实例实施例的横截面。 

图14A和图14B是用于向观看者呈现图像的显示器装置的实例实施例的俯视平面 图。 

图15是沿图14A的线15-15截取的显示器装置的实例实施例的横截面。 

图16A-图16C是制造图15的显示器装置的方法的实例实施例的横截面。 

图17A是MEMS装置的4×4阵列的示意透视图。 

图17B是沿图17A的线17B-17B截取的多个MEMS装置的实例实施例的横截面。 

具体实施方式

以下详细描述针对本发明的某些特定实施例。然而，本发明可以许多不同方式实施。在本描述内容中参看了附图，附图中所有相同部分用相同标号表示。如从以下描述中将了解，所述实施例可实施在经配置以显示不论运动(例如，视频)还是固定(例如，静止图像)的且不论文字还是图画的图像的任何装置中。更明确地说，预期所述实施例可实施在多种电子装置中或与多种电子装置关联，所述多种电子装置例如(但不限于)移动电话、无线装置、个人数据助理(PDA)、手持式或便携式计算机、GPS接收器/导航器、相机、MP3播放器、摄像机、游戏控制台、手表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、计算机监视器、汽车显示器(例如，里程表显示器等)、座舱控制器和/或显示器、相机视图的显示器(例如，车辆中后视相机的显示器)、电子相片、电子广告牌或指示牌、投影仪、建筑结构、包装和美学结构(例如，一件珠宝上的图像显示器)。具有与本文中描述的装置类似的结构的MEMS装置也可用于例如电子切换装置的非显示器应用中。 

提供可通过调制从处于支撑结构中的一个或一个以上凹进中的反射层的一部分反射的光与从所述凹进外部的反射层的一部分反射的光之间的相位差来调制所反射光的显示器装置。凹进的横向长度与邻近凹进之间的间隔近似相同(例如，凹进与所述凹进之间的间隔的比率约为1∶1)。观看者感知到的颜色受凹进的深度影响，所述深度大约为光的波长。具有平坦底部的凹进比具有磨圆底部的凹进更均匀地反射光。反射层可通过在MEMS装置中施加控制信号而移动进入和离开凹进，或可在静态结构中保持于凹进中。在MEMS装置中，反射层可在阶段中移动进入和离开凹进以提供不同的调制水平。支撑结构和借此支撑的反射层可一起移动以在静态结构或MEMS装置中提供不同的调制水平。由具有不同厚度的支撑结构支撑的反射层的大体平行部分可横向和/或垂直间隔。 

图1中说明包括干涉式MEMS显示器元件的一个干涉式调制器显示器的实施例。在这些装置中，像素处于明亮状态或黑暗状态。在明亮(“接通”或“开启”)状态下， 显示器元件将入射可见光的大部分反射到用户。当在黑暗(“断开”或“关闭”)状态下时，显示器元件将极少的入射可见光反射到用户。依据实施例而定，可颠倒“接通”和“断开”状态的光反射性质。MEMS像素可经配置以主要在所选颜色下反射，从而除了黑色和白色以外还允许彩色显示器。 

图1是描述视觉显示器的一系列像素中的两个相邻像素的等角视图，其中每一像素包括MEMS干涉式调制器。在一些实施例中，干涉式调制器显示器包括这些干涉式调制器的一行/列阵列。每一干涉式调制器包含一对反射层，其定位成彼此相距可变且可控制的距离以形成具有至少一个可变尺寸的谐振光学间隙。在一个实施例中，可在两个位置之间移动所述反射层之一。在第一位置(本文中称为松弛位置)中，可移动反射层定位成距固定部分反射层相对较大的距离。在第二位置(本文中称为激活位置)中，可移动反射层定位成更紧密邻近所述部分反射层。视可移动反射层的位置而定，从所述两个层反射的入射光相长地或相消地进行干涉，从而针对每一像素产生全反射状态或非反射状态。 

图1中像素阵列的所描绘部分包含两个相邻干涉式调制器12a和12b。在左侧干涉式调制器12a中，说明可移动反射层14a处于距包含部分反射层的光学堆叠16a预定距离处的松弛位置中。在右侧干涉式调制器12b中，说明可移动反射层14b处于邻近于光学堆叠16b的激活位置中。 

如本文所引用的光学堆叠16a和16b(统称为光学堆叠16)通常包括若干熔合层(fused layer)，所述熔合层可包含例如氧化铟锡(ITO)的电极层、例如铬的部分反射层和透明电介质。因此，光学堆叠16是导电的、部分透明且部分反射的，且可通过(例如)将上述层的一者或一者以上沉积到透明衬底20上来制造。部分反射层可由为部分反射的多种材料(例如，各种金属、半导体及电介质)形成。部分反射层可由一个或一个以上材料层形成，且层中的每一者可由单一材料或材料的组合形成。 

在一些实施例中，光学堆叠16的层经图案化成为多个平行条带，且如下文中进一步描述，可在显示器装置中形成行电极。可移动反射层14a、14b可形成为沉积金属层(一层或多层)的一系列平行条带(与行电极16a、16b垂直)，所述金属层沉积在柱18和沉积于柱18之间的介入牺牲材料的顶部上。当蚀刻去除牺牲材料时，可移动反射层14a、14b通过所界定的间隙19而与光学堆叠16a、16b分离。例如铝的高度导电且反射的材料可用于反射层14，且这些条带可在显示器装置中形成列电极。 

在不施加电压的情况下，间隙19保留在可移动反射层14a与光学堆叠16a之间，其中可移动反射层14a处于机械松弛状态，如图1中像素12a所说明。然而，当将电位 差施加到选定的行和列时，形成在相应像素处的行电极与列电极的交叉处的电容器变得带电，且静电力将所述电极拉在一起。如果电压足够高，那么可移动反射层14变形且被迫抵靠光学堆叠16。光学堆叠16内的介电层(在此图中未图示)可防止短路并控制层14与16之间的分离距离，如图1中右侧的像素12b所说明。不管所施加的电位差的极性如何，表现均相同。以此方式，可控制反射像素状态对非反射像素状态的行/列激活在许多方面类似于常规LCD和其它显示技术中所使用的行/列激活。 

图2到图5B说明在显示器应用中使用干涉式调制器阵列的一个示范性工艺和系统。 

图2是说明可并入有本发明各方面的电子装置的一个实施例的系统框图。在所述示范性实施例中，所述电子装置包含处理器21，其可为任何通用单芯片或多芯片微处理器(例如ARM、 

Pentium 

Pentium 

Pentium Pro、8051、 Power 

)，或任何专用微处理器(例如数字信号处理器、微控制器或可编程门阵列)。如此项技术中常规的做法，处理器21可经配置以执行一个或一个以上软件模块。除了执行操作系统外，所述处理器可经配置以执行一个或一个以上软件应用程序，包含网络浏览器、电话应用程序、电子邮件程序或任何其它软件应用程序。 

在一个实施例中，处理器21还经配置以与阵列驱动器22通信。在一个实施例中，所述阵列驱动器22包含将信号提供到显示器阵列或面板30的行驱动器电路24和列驱动器电路26。在图2中以线1-1展示图1中说明的阵列的横截面。对于MEMS干涉式调制器来说，行/列激活协议可利用图3中说明的这些装置的滞后性质。可能需要(例如)10伏的电位差来促使可移动层从松弛状态变形为激活状态。然而，当电压从所述值减小时，可移动层在电压降回10伏以下时维持其状态。在图3的示范性实施例中，可移动层直到电压降到2伏以下时才完全松弛。因此，在图3中所说明的实例中，存在约3到7V的经施加电压窗口，在所述窗口内，装置在松弛状态或激活状态中均是稳定的。此窗口在本文中称为“滞后窗口”或“稳定窗口”。对于具有图3的滞后特性的显示器阵列来说，可设计行/列激活协议使得在行选通期间，已选通行中待激活的像素暴露于约10伏的电压差，且待松弛的像素暴露于接近零伏的电压差。在选通之后，所述像素暴露于约5伏的稳态电压差使得其维持在行选通使其所处的任何状态中。在此实例中，每一像素在被写入之后经历3-7伏的“稳定窗口”内的电位差。此特征使图1中说明的像素设计在相同的施加电压条件下在激活或松弛预存在状态下均是稳定的。因为干涉式调制器的每一像素(不论处于激活还是松弛状态)本质上是由固定反射层和移动反射层形成的电容器，所以可在滞后窗口内的一电压下维持此稳定状态而几乎无功率消耗。本质上，如果所施加的电压是固定的，那么没有电流流入像素中。 

在典型应用中，可通过根据第一行中所需组的激活像素断言所述组列电极来产生显示帧。接着将行脉冲施加到行1电极，从而激活对应于所断言的列线的像素。接着改变所述组已断言列电极以对应于第二行中所需组的激活像素。接着将脉冲施加到行2电极，从而根据已断言的列电极而激活行2中的适当像素。行1像素不受行2脉冲影响，且维持在其在行1脉冲期间被设定的状态中。可以连续方式对整个系列的行重复此过程以产生帧。通常，通过以每秒某一所需数目的帧的速度连续地重复此过程来用新的显示器数据刷新且/或更新所述帧。用于驱动像素阵列的行和列电极以产生显示帧的广泛种类的协议也是众所周知的且可结合本发明使用。 

图4、图5A和图5B说明用于在图2的3×3阵列上形成显示帧的一个可能的激活协议。图4说明可用于使像素展示出图3的滞后曲线的一组可能的列和行电压电平。在图4实施例中，激活像素涉及将适当列设定为-V_bias，且将适当行设定为+ΔV，其分别可对应于-5伏和+5伏。松弛像素是通过将适当列设定为+V_bias，且将适当行设定为相同的+ΔV，从而在像素上产生零伏电位差而实现的。在行电压维持在零伏的那些行中，不管列处于+V_bias还是-V_bias，像素在任何其最初所处的状态中均是稳定的。同样如图4中所说明，将了解，可使用具有与上述电压的极性相反的极性的电压，例如，激活像素可涉及将适当列设定为+V_bias，且将适当行设定为-ΔV。在此实施例中，释放像素是通过将适当列设定为-V_bias，且将适当行设定为相同的-ΔV，从而在像素上产生零伏电位差而实现的。 

图5B是展示施加到图2的3×3阵列的一系列行和列信号的时序图，所述系列的行和列信号将产生图5A中说明的显示器布置，其中被激活像素为非反射的。在对图5A中说明的帧进行写入之前，像素可处于任何状态，且在本实例中所有行均处于0伏，且所有列均处于+5伏。在这些所施加的电压的情况下，所有像素在其既有的激活或松弛状态中均是稳定的。 

在图5A的帧中，像素(1，1)、(1，2)、(2，2)、(3，2)和(3，3)被激活。为了实现此目的，在行1的“线时间(line time)”期间，将列1和2设定为-5伏，且将列3设定为+5伏。因为所有像素均保留在3-7伏的稳定窗口中，所以这并不改变任何像素的状态。接着用从0升到5伏且返回零的脉冲选通行1。这激活了(1，1)和(1，2)像素且松弛了(1，3)像素。阵列中其它像素均不受影响。为了视需要设定行2，将列2设定为-5伏，且将列1和3设定为+5伏。施加到行2的相同选通接着将激活像素(2，2)且松弛像素(2，1)和(2，3)。同样，阵列中其它像素均不受影响。通过将列2和3设定为-5伏且将列1设定为+5伏来类似地设定行3。行3选通设定行3像素，如图5A中所示。在对帧 进行写入之后，行电位为零，且列电位可维持在+5或-5伏，且接着显示器在图5A的布置中是稳定的。将了解，可将相同程序用于数十或数百个行和列的阵列。还将应了解，用于执行行和列激活的电压的时序、序列和电平可在上文所概述的一般原理内广泛变化，且上文的实例仅为示范性的，且任何激活电压方法均可与本文描述的系统和方法一起使用。 

图6A和图6B是说明显示器装置40的实施例的系统框图。显示器装置40可为(例如)蜂窝式电话或移动电话。然而，显示器装置40的相同组件或其稍微变化形式也说明例如电视和便携式媒体播放器的各种类型的显示器装置。 

显示器装置40包含外壳41、显示器30、天线43、扬声器45、输入装置48和麦克风46。外壳41通常由所属领域的技术人员众所周知的多种制造工艺的任一者形成，所述工艺包含注射模制和真空成形。另外，外壳41可由多种材料的任一者制成，所述材料包含(但不限于)塑料、金属、玻璃、橡胶和陶瓷，或其组合。在一个实施例中，外壳41包含可去除部分(未图示)，所述可去除部分可与其它具有不同颜色或含有不同标记、图画或符号的可去除部分互换。 

如本文中所描述，示范性显示器装置40的显示器30可为包含双稳态显示器(bi-stable display)在内的多种显示器的任一者。在其它实施例中，如所属领域的技术人员众所周知，显示器30包含例如如上所述的等离子、EL、OLED、STN LCD或TFT LCD的平板显示器，或例如CRT或其它电子管装置的非平板显示器。然而，出于描述本实施例的目的，如本文中所描述，显示器30包含干涉式调制器显示器。 

图6B中示意说明示范性显示器装置40的一个实施例的组件。所说明的示范性显示器装置40包含外壳41且可包含至少部分封围在所述外壳41中的额外组件。举例来说，在一个实施例中，示范性显示器装置40包含网络接口27，所述网络接口27包含耦合到收发器47的天线43。收发器47连接到处理器21，处理器21连接到调节硬件52。调节硬件52可经配置以调节信号(例如，对信号进行滤波)。调节硬件52连接到扬声器45和麦克风46。处理器21也连接到输入装置48和驱动器控制器29。驱动器控制器29耦合到帧缓冲器28且耦合到阵列驱动器22，所述阵列驱动器22进而耦合到显示器阵列30。根据特定示范性显示器装置40设计的要求，电源50将功率提供到所有组件。 

网络接口27包含天线43和收发器47使得示范性显示器装置40可经由网络与一个或一个以上装置通信。在一个实施例中，网络接口27也可具有某些处理能力以减轻对处理器21的要求。天线43是所属领域的技术人员已知的用于发射和接收信号的任何天线。在一个实施例中，所述天线根据IEEE 802.11标准(包含IEEE 802.11(a)、(b)或 (g))来发射和接收RF信号。在另一实施例中，所述天线根据蓝牙(BLUETOOTH)标准来发射和接收RF信号。在蜂窝式电话的情况下，所述天线经设计以接收CDMA、GSM、AMPS或其它用于在无线手机网络内通信的已知信号。收发器47预处理从天线43接收到的信号，使得处理器21可接收所述信号并进一步对所述信号进行处理。收发器47还处理从处理器21接收到的信号使得可经由天线43从示范性显示器装置40发射所述信号。 

在一替代实施例中，收发器47可由接收器代替。在又一替代实施例中，网络接口27可由可存储或产生待发送到处理器21的图像数据的图像源代替。举例来说，所述图像源可为数字视频光盘(DVD)或含有图像数据的硬盘驱动器，或产生图像数据的软件模块。 

处理器21大致上控制示范性显示器装置40的全部操作。处理器21接收例如来自网络接口27或图像源的压缩图像数据的数据，并将所述数据处理成原始图像数据或处理成易被处理成原始图像数据的格式。处理器21接着将已处理的数据发送到驱动器控制器29或发送到帧缓冲器28以供存储。原始数据通常是指识别图像内每一位置处的图像特性的信息。举例来说，这些图像特性可包含颜色、饱和度和灰度级。 

在一个实施例中，处理器21包含微控制器、CPU或逻辑单元以控制示范性显示器装置40的操作。调节硬件52通常包含放大器和滤波器，以用于将信号发射到扬声器45，且用于从麦克风46接收信号。调节硬件52可为示范性显示器装置40内的离散组件，或可并入在处理器21或其它组件内。 

驱动器控制器29直接从处理器21或从帧缓冲器28取得由处理器21产生的原始图像数据，并适当地重新格式化所述原始图像数据以供高速发射到阵列驱动器22。具体来说，驱动器控制器29将原始图像数据重新格式化为具有类似光栅的格式的数据流，使得其具有适于在显示器阵列30上进行扫描的时间次序。接着，驱动器控制器29将已格式化的信息发送到阵列驱动器22。尽管驱动器控制器29(例如LCD控制器)通常与系统处理器21关联而作为独立的集成电路(IC)，但可以许多方式实施这些控制器。其可作为硬件嵌入处理器21中，作为软件嵌入处理器21中，或与阵列驱动器22完全集成在硬件中。 

通常，阵列驱动器22从驱动器控制器29接收已格式化的信息且将视频数据重新格式化为一组平行波形，所述波形以每秒多次的速度被施加到来自显示器的x-y像素矩阵的数百且有时数千个引线。 

在一个实施例中，驱动器控制器29、阵列驱动器22和显示器阵列30适用于本文描 述的任意类型的显示器。举例来说，在一个实施例中，驱动器控制器29是常规显示器控制器或双稳态显示器控制器(例如，干涉式调制器控制器)。在另一实施例中，阵列驱动器22是常规驱动器或双稳态显示器驱动器(例如，干涉式调制器显示器)。在一个实施例中，驱动器控制器29与阵列驱动器22集成。此实施例在例如蜂窝式电话、手表和其它小面积显示器的高度集成系统中是普遍的。在又一实施例中，显示器阵列30是典型的显示器阵列或双稳态显示器阵列(例如，包含干涉式调制器阵列的显示器)。 

输入装置48允许用户控制示范性显示器装置40的操作。在一个实施例中，输入装置48包含例如QWERTY键盘或电话键区的键区、按钮、开关、触敏屏幕或压敏或热敏薄膜。在一个实施例中，麦克风46是用于示范性显示器装置40的输入装置。当使用麦克风46将数据输入到所述装置时，用户可提供声音命令以便控制示范性显示器装置40的操作。 

电源50可包含此项技术中众所周知的多种能量存储装置。举例来说，在一个实施例中，电源50是例如镍镉电池或锂离子电池的可再充电电池。在另一实施例中，电源50是可再生能源、电容器或太阳能电池，包含塑料太阳能电池和太阳能电池涂料。在另一实施例中，电源50经配置以从壁式插座接收功率。 

在某些实施例中，如上文中所描述，控制可编程性驻存在驱动器控制器中，所述驱动器控制器可位于电子显示器系统中的若干位置中。在某些实施例中，控制可编程性驻存在阵列驱动器22中。所属领域的技术人员将了解，上述优化可实施在任何数目的硬件和/或软件组件中且可以各种配置实施。 

根据上文陈述的原理而操作的干涉式调制器的结构的细节可广泛变化。举例来说，图7A-7E说明可移动反射层14及其支撑结构的五个不同实施例。图7A是图1的实施例的横截面，其中金属材料条带14沉积在垂直延伸的支撑件18上。 

在图7B中，可移动反射层14在系链(tether)32上仅在隅角处附接到支撑件。在图7C中，可移动反射层14从可包括柔性金属的可变形层34悬置下来。所述可变形层34直接或间接地连接到围绕可变形层34的周边的衬底20。这些连接在本文中称为支柱。图7D中说明的实施例具有支柱插塞42，可变形层34搁置在所述支柱插塞42上。如图7A-7C所示，可移动反射层14保持悬置在间隙上方，但可变形层34并不通过填充可变形层34与光学堆叠16之间的孔而形成所述支柱。而是，支柱由平坦化材料形成，其用于形成支柱插塞42。图7E中说明的实施例是基于图7D中展示的实施例，但也可适于与图7A-7C中说明的实施例以及未图示的额外实施例的任一者一起发挥作用。在图7E中所示的实施例中，已使用金属或其它导电材料的额外层来形成总线结构44。这允许信 号沿着干涉式调制器的背面进行路由，从而消除许多原本可能必须形成在衬底20上的电极。 

在例如图7中所示的那些实施例的实施例中，干涉式调制器充当直接观看装置，其中从透明衬底20的前侧观看图像，所述侧与上面布置有调制器的一侧相对。在这些实施例中，反射层14以光学方式遮蔽在反射层的与衬底20相对侧的干涉式调制器的部分，其包含可变形层34。这允许对遮蔽区域进行配置和操作而不会消极地影响图像质量。此遮蔽允许图7E中的总线结构44，其提供使调制器的光学性质与调制器的机电性质分离的能力，例如，寻址或由所述寻址引起的移动。这种可分离的调制器结构允许选择用于调制器的机电方面和光学方面的结构设计和材料且使其彼此独立而发挥作用。此外，图7C-7E中所示的实施例具有源自反射层14的光学性质与其机械性质脱离的额外益处，所述益处由可变形层34执行。这允许用于反射层14的结构设计和材料在光学性质方面得以优化，且用于可变形层34的结构设计和材料在所需的机械性质方面得以优化。 

如上文所论述，MEMS装置的某些实施例的干涉性质(例如，表观颜色、反射性等)可通过修改部分反射层与完全反射层之间的距离来调制。在包含部分反射层和完全反射层的某些装置(例如，图1中说明的MEMS装置12a、12b)中，反射层14可为约100微米(μm)x100μm左右，邻近的反射层14之间的间隔可为约1到5μm左右，且包括部分反射层和完全反射层14的光学堆叠16之间的腔19可具有约1,000埃 

左右的面积。当MEMS装置12处于激活状态时(例如，如图1右侧的MEMS装置12b所说明)，干涉调制主要由与光学堆叠16“光学接触”的反射层14的部分引起(例如，当腔19为零或接近零时)。如本文所使用，术语“主要”将被给予其最广泛的普通含义，包含(但不限于)行使最大影响。然而，由于反射层14的外围与光学堆叠16通过柱或轨道18间隔，所以柱或轨道18附近的区不具有与MEMS装置12的中心部分相同的光学接触水平。因此，柱18附近的区中可发生不同的干涉特性(例如，MEMS装置12的边缘可反射与光学接触中的所述区中不同的颜色)，其可使此类MEMS装置12的阵列产生的图像的质量(对比度、颜色饱和度、色域等)降级。可使用各种技术来减轻这些边缘效应，例如将可变形层34与反射层14分离(例如，如图7C-7E中所说明)以及利用例如黑色掩模等结构来遮蔽所述效应。然而，此类技术可导致其它问题。举例来说，分离的可变形层34可显著增加制造复杂性或成本，且反射层14可倾斜或卷曲。此外，黑色掩模可增加制造复杂性或成本，且可减小孔径比。 

与图1或图7A-C的干涉式调制器(其中，可移动反射层14显著大于邻近的反射层14之间的间隔，例如反射层14在约100μmx100μm之间且邻近的反射层14之间的间 隔在约1与5μm之间，使得反射层14的一侧的长度在邻近的反射层14之间的间隔的约20x与100x之间)形成对比，下文呈现的实施例可以不同比例构造且因此根据显著不同的原理操作。举例来说，在下文描述的一些实施例中，可移动反射层的一侧的长度与邻近的可移动反射层之间的间隔近似相同(例如，可移动反射层的一侧的长度与邻近的可移动反射层之间的间隔的比率约为1∶1)。由于尺寸的相对接近度的缘故，此类MEMS装置可通过调制从反射层的第一(例如，可移动)部分反射的光与从反射层的第二(例如，静止)部分反射的光之间的相位差来调制反射的光。在此类MEMS装置中，经调制的反射光谱主要由从第一部分反射的光与从第二部分反射的光之间的光学干涉导致。在某些实施例中，第一部分包括周期性结构阵列，所述结构当激活到某一深度时增强对应于所述深度的某一波长处的干扰峰值。相对于第二部分的处于激活状态的所述结构的深度确定MEMS装置的观看者感知到的颜色。 

图8A和图8B说明MEMS装置800的实例实施例，其中MEMS装置800的反射性主要通过改变从反射层810的第一部分816反射的光与从反射层810的第二部分818反射的光之间的相位差来调制。MEMS装置800包括衬底802、所述衬底802上的激活电极804、所述激活电极804上的反射层810，和所述激活电极804与所述反射层810之间的支撑层808。所述反射层810包含穿过所述反射层810的至少一个孔814。所述支撑层808包含所述孔814下方的凹进812。反射层810的第一部分816包括反射层810的在凹进812上方的部分，且反射层810的第二部分818包括反射层810的不在凹进812上方的部分。 

衬底802可包括至少部分透明或半透明以及至少部分反射的材料(例如，塑料和玻璃)，或不透明的材料(例如，硅或不锈钢)。衬底802还可制造为多种形式，包含(但不限于)均质物质或非均质物质，或具有均匀厚度或非均匀厚度。衬底802还可具有若干子层。 

激活电极804包括导电材料，且在某些实施例中，其经配置以接收控制信号。激活电极804可包括至少部分透明以及部分反射的材料(例如，氧化铟锡(ITO))，或不透明的材料(例如，铝、镍、金、银、铜或其它材料)。 

支撑层808可包括至少部分透明以及部分反射的材料(例如，光致抗蚀剂或其它聚合物、氧化硅(SiO₂)或氧化铝(Al₂O₃))，或不透明的材料(例如，钼(Mo)或硅(例如，阿尔法硅(α-Si)))。在其中凹进812延伸穿过支撑层808的一些实施例中，支撑层808的厚度可影响反射层810偏斜到的深度。在某些此类实施例中，支撑层808具有约100与150nm之间的厚度。 

凹进812足够宽以允许光传播进入所述结构中并从所述结构反射出。在某些实施例中，凹进812的深度每一者大约为光的波长(例如，小于约1μm)。在某些实施例中，凹进812的深度每一者小于光的波长(例如，小于约700纳米(nm))。在其中凹进812为圆柱形的某些实施例中，直径大于针对装置操作所关注的最大波长的约一半。在其中凹进812为圆柱形的某些实施例中，直径与所关注的波长近似相同。 

反射层810包括经配置以接收控制信号的导电材料。反射层810可包括完全反射的材料，例如铝、镍、金、银、铜或其它材料。在某些实施例中，反射层810足够厚以完全反射光且具有上文描述的机械性质。在一些实施例中，反射层810包括介电层。在一些实施例中，反射层810包括在低折射指数与高折射指数之间交替的多个层。在某些此类实施例中，所述层中的一者或一者以上可包含允许反射层810受静电力影响的植入电荷。 

在一些实施例中，第一部分816的面积与第二部分818的面积的比率约为1∶1。举例来说，在其中MEMS装置800为正方形且包括圆柱形凹进812的实施例中，MEMS装置800的总面积是一侧的长度的平方s²。圆柱形凹进812(第一部分816)的面积为具有直径ф的圆形横截面的面积πф²/4。像素内第二部分818的剩余面积为s²-πф²/4。因此，像素内第一部分816的面积与第二部分818的面积的比率πф²/4∶s²-πф²/4可约为1∶1。虽然约为1∶1的比率可理想地提供对比度与颜色饱和度之间的良好平衡，但制造公差可导致不同于1∶1的比率(例如，高于或低于约1∶1)。在其中欠饱和色和/或减小的对比率可接受的实施例中，除约1∶1外的其它比率可能是可接受的。因此，在某些实施例中，第一部分816的面积与第二部分818的面积的比率大于约1∶1或小于约1∶1。 

在其中凹进812延伸穿过支撑层808的某些实施例中，电绝缘层806可设置在反射层810与激活电极804之间。在将反射层810激活到凹进812中后，绝缘层812可减小反射层810与激活电极804之间形成短路的可能性(例如，最小化、防止)。绝缘层806可包括SiO₂、Al₂O₃、其它介电材料、其组合等。在某些实施例中，绝缘层806设置于反射层810与支撑层808之间。在某些实施例中，反射层810包括在相对较薄金属层下方的绝缘层806。 

反射层810中的孔814具有宽度ф_a。在其中孔814大体为圆形的实施例中，宽度ф _a是孔814的直径。在某些实施例中，宽度ф_a在约10与300nm之间。支撑层808中的凹进812具有宽度ф_r。在其中凹进812大体为圆柱形的实施例中，宽度ф_r是圆柱体的直径。在某些实施例中，宽度ф_r在约30nm与1μm之间。在一些实施例中，宽度ф_r大约为光的波长。在某些实施例中，宽度ф_a与宽度ф_r的比率在约1∶100与1∶2之间。 在一些实施例中，宽度ф_a与宽度ф_r的比率约为1∶3。较小的宽度ф_r允许反射层810反射较多光，从而产生较好的装置性能(即，理想宽度ф_r为零，但所述宽度ф_r可需要为某一大小以适当地移除穿过其中的支撑结构808的一部分，如下文所描述)。在包括多个凹进812的某些实施例中，邻近的凹进812具有小于约1μm的边缘到边缘距离δ₁。在包括多个凹进812的一些实施例中，邻近的凹进812具有大约为光的波长的边缘到边缘距离δ₁。在包括多个孔814和在孔814下方的多个凹进812的某些实施例中，凹进812具有小于约2μm的中心到中心距离δ₂。 

在将控制信号施加到MEMS装置800后(例如，激活电极804与反射层810之间的电压差)，反射层810的至少第一部分816经配置以移动到凹进812中，且反射层810的至少第二部分818经配置以保持静止。在某些实施例中，反射层810的第一部分816包括反射层810的在凹进812上方的部分，且反射层810的第二部分818包括反射层810的不在凹进812上方的部分。图8A说明处于未激活或“松弛”状态的MEMS装置800，且图8B说明处于激活状态的MEMS装置800。在施加控制信号后，反射层810的第一部分816朝激活电极804偏斜，如箭头820所指示。 

图8C说明入射在处于激活状态的MEMS装置800上的光线的图。光822从周围光源(例如，太阳、电灯泡)或从内部光源(例如，光面板)朝反射层810传播。光824的若干部分从反射层810的第二部分818反射，且光826的若干部分从凹进812内的反射层810的第一部分816反射。由于不同的光路径长度的缘故，从第一部分816反射的光826和从第二部分818反射的光824因此具有不同相位，且如上文所描述，相位差可形成光学干扰。MEMS装置800的干涉特性因此主要通过改变从所述第一部分816反射的光与从所述第二部分818反射的光之间的相位差来调制。对比之下，如果凹进812与邻近的凹进812之间的间隔δ₁相比较大，那么结果将是凹进812的边缘周围难以察觉的有色环和其它各处的白光。在某些实施例中，MEMS装置800的干涉特性可在零相位差(例如，来自未激活或“松弛”状态，如图8A中所说明)与非零相位差(例如，来自完全激活状态，如图8B和图8C中所说明)之间变化。在本文提供的一些实施例中，反射层810可以模拟方式控制以在未激活状态与完全激活状态之间提供各种部分激活状态。 

图8C说明从反射层810的与激活电极804相对的一侧可操作地可观看的MEMS装置800。在其中衬底802、激活电极804和支撑层808包括至少部分透明材料的某些实施例中，装置800穿过激活电极804可操作地可观看，因为从反射层810的与激活电极804相同的一侧反射的光还经历相移，例如与图8C中说明的效应(即，当衬底802在 图8C中定向时，其中光从衬底802的底部入射)直接相反。在某些此类实施例中，装置800从反射层810的任一侧可操作地可观看(即，穿过衬底802、激活电极804和支撑层808，以及从反射层810的与激活电极804相对的一侧)。 

在某些实施例中，反射层810包含穿过反射层810的多个孔814，且支撑层808包含所述多个孔814中的每一者下方的凹进812(例如，如图8A中所说明)。在将控制信号施加到MEMS装置800后(例如，激活电极804与反射层810之间的电压差)，反射层810的第一部分816经配置以移动到凹进812中，且反射层810的第二部分818经配置以保持静止。在某些实施例中，凹进812呈越过支撑层808在两个维度中为周期性的图案(例如，如图9A中所说明以及下文所描述)。 

图8D说明MEMS装置805的另一实例实施例，其包括衬底802、衬底802上的激活电极804、激活电极804上的反射层810，以及激活电极804与反射层810之间的支撑层808。反射层810包含穿过反射层810的至少一个孔814。支撑层808包含在激活电极804与所述至少一个孔814之间的凹进828。与图8A中所说明的凹进812不同，凹进828不完全延伸穿过支撑层808。 

在将控制信号施加到MEMS装置805后(例如，激活电极804与反射层810之间的电压差)，反射层810的至少第一部分816移动到凹进812中，且反射层810的至少第二部分818保持静止。反射层810的第一部分816包括反射层810的在凹进812上的部分，且反射层810的第二部分818包括反射层810的不在凹进812上的部分。图8E说明处于激活状态的MEMS装置805。在施加控制信号后，反射层810的第一部分816朝激活电极804偏斜，如箭头820所指示。因为凹进824不延伸穿过支撑层808，所以保持在凹进824与激活电极804之间的支撑层808可充当电绝缘层。 

图8F说明入射在处于激活状态的MEMS装置805上的光的图。光822从周围光源(例如，太阳、电灯泡)或从内部光源(例如，光面板)朝反射层810传播。光824的若干部分从反射层810的第二部分818反射，且光830的若干部分从凹进812内的反射层810的第一部分816反射。由于不同的光路径的缘故，从第一部分816反射的光824和从第二部分818反射的光因此具有不同相位，且如上文所描述，相位差形成光学干扰。MEMS装置805的反射性因此主要通过改变从所述第一部分816反射的光与从所述第二部分818反射的光之间的相位差来调制。在某些实施例中，MEMS装置800的反射性可在零相位差(例如，如图8D中所说明)与非零相位差(例如，如图8E中所说明)之间变化。 

在图8A-8C所示的MEMS装置800中，凹进812至少部分由大体平坦表面813定 界。从第一部分816反射的大体所有光826具有类似(例如，大体类似)相位。某些此类实施例在MEMS装置800处于激活状态时提供均匀(例如，大体均匀)颜色。在其中凹进不至少部分由大体平坦表面定界的实施例(例如，MEMS装置805)中，从第一部分816的各个部分反射的光830可依据处于激活状态的反射表面810的曲率水平而具有不同相位。因此，某些此类实施例不提供大体均匀颜色。然而，某些此类实施例可有利地允许消除绝缘层806。将了解，MEMS装置805的凹进828也可至少部分由大体平坦表面定界。 

图9A是包括MEMS装置(例如，MEMS装置800、MEMS装置805)的3×3阵列的MEMS装置900的俯视平面图。反射层810包括越过装置900沿第一方向延伸的多个大体平行部分810a、810b、810c。激活电极804包括沿装置900的第二方向延伸的多个大体平行部分804a、804b、804c。第一方向大体不平行于第二方向。在某些实施例中，第一方向大体垂直于第二方向(例如，如图9A中所说明)。反射层810的大体平行部分810a、810b、810c与激活电极804的大体平行部分804a、804b、804c之间的重叠的区域包括像素901(部分810a与部分804a的重叠)、902(部分810a与部分804b的重叠)、903(部分810a与部分804c的重叠)、904(部分810b与部分804a的重叠)、905(部分810b与部分804b的重叠)、906(部分810b与部分804c的重叠)、907(部分810c与部分804a的重叠)、908(部分810c与部分804b的重叠)、909(部分810a与部分804c的重叠)。在某些实施例中，反射层810的大体平行部分810a、810b、810c包括条带，且激活电极802的大体平行部分804a、804b、804c包括条带。 

在每一像素901-909内，反射层810包括多个孔814，且支撑层808包括在激活电极804与孔814之间的多个凹进812。在某些实施例中，每一像素依据凹进812的宽度ф_r和像素的大小包括至少1、至少10、至少100、至少1000、至少10000或更多凹进812。孔814且因此凹进812可具有在两个维度中的周期性分布。举例来说，如图9A中所说明，孔814均匀地分布于第一方向上，且均匀地分布于第二方向上。在某些实施例中，孔814的行可相对于彼此偏移。在某些替代实施例中，孔814且因此凹进812并非周期性的，而是随机分布。如果第一部分816(经配置以在施加控制信号后移动到凹进814中)与第二部分818(经配置以在施加控制信号后保持静止)的面积可为约1∶1，那么仍可主要调制此MEMS装置的反射性。 

如上文所描述，可使用将控制信号施加到MEMS装置900(例如，激活电极804的列与反射层810的行之间的电压差)的激活协议来选择性地激活某些像素901-909。举例来说，在激活电极部分804a与反射层部分810a之间形成电压差可促使像素901被激 活，而包括反射层部分810a的像素902、903以及包括激活电极部分804a的像素904、907在未将电压施加到反射层810b和810c的情况下将不被激活。将了解，在一些实施例中，激活电极部分为列，且反射层部分为行。 

图9B是沿图9A的线9B-9B截取的MEMS装置900的横截面图。支撑层808包括分别在每一像素908、909的反射层810c与每一像素908、909的激活电极804b、804c之间的多个凹进812。在图9B中，控制信号已施加于反射层810c与激活电极804c之间，但未将控制信号施加于激活电极804b与反射层810b之间。因此，像素909中反射层804c的第一部分816c被激活，而像素909中反射层804c的第二部分818c保持静止，且像素908中反射层804b的第一部分816b未被激活，而像素908中反射层804b的第二部分818b保持静止。可使用阵列中像素的选择性激活来产生图像，如上文所描述。 

图10A说明沿图9A的线10A-10A截取的MEMS装置900的实例实施例的横截面图。在每一像素中，反射层部分810a、810b、810c包括至少一个孔814，且支撑层808包括在激活电极部分804a、804b、804c与每一孔814之间的凹进812。图10A的虚线圈内的展开图说明每一像素内的MEMS装置可与上文针对图8A的MEMS装置800描述的MEMS装置类似，其中反射层810包括多个孔814，且其中支撑层808包括在激活电极804与孔814之间的多个凹进812。 

支撑层808包括多个支撑结构部分：第一支撑结构部分808a在反射层部分810a下方且具有厚度t_a；第二支撑结构部分808b在第二反射层部分810b下方且具有厚度t_b；且第三支撑结构部分808c在第三反射层部分810c下方且具有厚度t_c。在某些实施例中，支撑结构部分808a、808b、808c的厚度t_a、t_b、t_c彼此分别不同(例如，如图10A和10B中所说明)。 

在松弛状态中，从反射表面810a、810b、810c反射的光对于观看者来说看上去大体相同(即，为宽带白)。在激活状态中，其中反射层810a、810b和/或810c的第一部分偏斜到凹进812中，调制观看者感知到的颜色。在某些实施例中，支撑结构部分808a、808b、808c中的每一者中的凹进812延伸穿过支撑结构部分808a、808b、808c(例如，如上文针对图8A所描述)。在某些此类实施例中，支撑结构部分808a、808b、808c的厚度影响处于激活状态的MEMS装置900的观看者感知到的颜色。在某些实施例中，支撑结构部分808a、808b、808c中的每一者中的凹进812延伸到支撑结构部分808a、808b、808c中相同深度，而不管支撑结构部分808a、808b、808c的厚度t_a、t_b、t_c如何(即，凹进812在支撑结构部分808a、808b、808c的仅一者中延伸穿过支撑层808)。在某些此类实施例中，支撑结构部分808a、808b、808c的高度的差影响处于激活状态的 MEMS装置900的观看者感知到的颜色。在某些实施例中，支撑结构部分808a、808b、808c中的每一者中的孔812延伸到支撑结构部分808a、808b、808c中不同深度。在某些实施例中，支撑结构部分808a、808b、808c的厚度和支撑结构部分808a、808b、808c的高度的差影响处于激活状态的MEMS装置900的观看者感知到的颜色。不管精密凹进设计如何，因此将了解，可使用变化的支撑结构部分厚度和/或凹进深度来产生多个颜色，且因此产生全色显示器装置。 

图10B说明MEMS装置1000的实例实施例，其包括反射层部分1010a、1010b、1010c、激活电极部分804a(见图9A)、804b(见图9A)、804c，以及分别具有厚度t_a、t_b、t_c的支撑结构部分1008a、1008b、1008c。反射层部分1010a、1010b、1010c与激活电极部分804a、804b、804c之间的重叠的区域包括像素。在每一像素中，反射层部分1010a、1010b、1010c包括至少一个孔814，且支撑结构部分808a、808b、808c包括在激活电极部分804a、804b、804c与每一孔814之间的凹进812(见图10A内的展开图)。 

在MEMS装置1000中，第一厚度t_a与第二厚度t_b之间的差大于反射层部分1010a的厚度τ_a，且厚度t_b与厚度t_c之间的差大于反射层部分1010b的厚度τ_b。第一厚度t_a与第三厚度t_c之间的差也可大于反射层部分1010a的厚度τ_a和/或反射层部分1010c的厚度τ_c。在某些实施例中，可有利地使用用于形成反射层部分1010a、1010b、1010c的沉积工艺的不良阶梯覆盖来界定反射层部分1010a、1010b、1010c之间的边界。例如由于激活电极的大体平行部分和/或反射层的大体平行部分之间的间隔而产生的像素之间的间隔可减小反射性MEMS装置的对比度。因此，减小或消除反射层的大体平行部分之间的间隔量可增加装置的对比度。 

图11A到11E说明制造MEMS装置800的方法的实例实施例。图11A说明其中激活电极804形成于衬底802上的结构1100。在某些实施例中，形成激活电极804包括形成多个大体平行部分(例如，如图9A中所说明)。如上文所描述，在某些实施例中，电绝缘层806可任选地形成于激活电极804上。图11A中的结构1100进一步说明形成在激活电极804上的支撑层808，且在其中MEMS装置800包括绝缘层806的实施例中，形成在绝缘层806上的支撑层808。在某些实施例中，形成支撑层808包括形成多个支撑结构部分(例如，如图10A和10B中所说明)。 

图11B说明在反射层810已形成于支撑层808上之后图11A的结构1100。在某些实施例中，形成反射层810包括形成多个大体平行部分(例如，如图9A中所说明)。如图11C中所说明，接着在反射层810中形成至少一个孔814。在某些实施例中，形成至少一个孔814包括用聚焦离子束(FIB)研磨。在某些实施例中，使用例如光刻、提离 工艺等其它图案化技术形成孔814。 

图11D说明在从体积1102移除支撑层808的第一部分1102而保留支撑层808的第二部分1104之后的结构1100。在某些实施例中，移除支撑层808的第一部分包括将反应物穿过孔814引入到支撑层808。在一些实施例中，在支撑层808中形成凹进在先前被第一部分占据的体积1102延伸穿过支撑层808例如以形成上文描述的凹进828之前停止(例如，在图11D中说明的状态中停止)。图11E说明在已进一步移除第一部分直到凹进812延伸穿过支撑层808之后的结构800。 

在其中反应物包括湿式蚀刻剂的实施例中，可各向同性地移除第一部分。在某些此类实施例中，先前被第一部分占据的体积1102的宽度大于孔814的宽度。较长的反应时间通常导致第一部分的较多移除，其通常导致较大的凹进812、828。在某些实施例中，使用淬火材料(例如，包括惰性材料)来停止反应。在某些实施例中，反应物在支撑层808的材料与绝缘层806的材料之间具有至少部分选择性。在某些此类实施例中，反应可大体在绝缘层806处停止使得凹进812至少部分由大体平坦部分(例如，凹进底部1106)定界。在某些实施例中，包括平坦底部1106的凹进812已增加具有圆形的凹进828上的饱和度，因为从偏斜到至少部分由平坦部分定界的凹进中的反射层反射的光比从偏斜到不至少部分由平坦部分定界的凹进中的反射层反射的光具有更均匀的相位调制。 

在某些实施例中，支撑层808包括跨越其厚度具有变化的性质的材料。举例来说，支撑层808的材料可跨越其厚度变得较易或较难蚀刻使得凹进812的构型可在单一移除步骤中变化。举例来说，移除的速率可穿过支撑层808的厚度增加或减小，借此形成不同的构型。在某些此类实施例中，支撑层808包括多个材料，例如Si层上的α-Si层。 

在完成移除支撑层808的第一部分的反应后，MEMS装置800处于可操作状态中，因为可将控制信号施加到激活电极804，其将促使反射层810的一部分移动到先前被所移除的第一部分占据的体积1102中。因此，MEMS装置800经配置以与保留并支撑反射层810的非移动第二部分818(图8A)的支撑层808的第二部分1104一起操作。将了解，结构1100也可处于可操作状态中，因为可将控制信号施加到激活电极804，其将促使反射层810的一部分移动到先前被所移除的第一部分占据的体积1102中。在移除第一部分1102之后，MEMS装置800的反射性主要通过改变从所述第一部分816反射的光与从所述第二部分818反射的光之间的相位差来调制(图8A)。 

MEMS装置800的制造可有利地省略通常用于形成图1中说明的装置的某些步骤。举例来说，支撑层808可支撑与激活电极804成间隔关系的反射层810，使得不需要用 于形成柱18的图案化步骤。另外，因为反射性的调制由反射层810的第一部分816反射的光相对于反射层810的第二部分818反射的光的相移支配，所以将不需要沉积光学堆叠16中的部分反射层。对于另一实例，支撑层808可使得在激活状态中反射层810与激活电极804电绝缘，使得将不需要沉积绝缘层806。还可有利地消除与此类工艺相关联的清洁和计量步骤。也可消除或添加其它工艺，且一些工艺步骤可重新布置。 

在某些替代实施例中，可通过在支撑层808内(例如，在经配置以变为凹进812的区域中)形成牺牲层、在牺牲层和支撑层808上形成反射层810、在牺牲层上的反射层810中形成至少一个孔，以及移除牺牲层以在激活电极与至少一个孔之间形成凹进812，来制造MEMS装置800。在某些此类实施例中，用于移除牺牲层的反应物可对于支撑结构808具有选择性。此类实施例可允许对凹进812的尺寸的增加的控制，但还可增加工艺步骤的数目。 

图12A说明MEMS装置1200的另一实例实施例，其包括衬底802、所述衬底802上的激活电极804、所述激活电极804上的反射层810，和所述激活电极804与所述反射层810之间的支撑层808。MEMS装置1200包括如由虚线分离的三个像素。反射层810包含穿过反射层810的至少一个孔。每一像素的支撑结构部分具有相同高度，且反射层810与激活电极804在每一像素中间隔相同量。然而，与图8A中说明的MEMS装置800和图8B中说明的MEMS装置805不同，第一像素包括具有拥有深度d_a的多个凹进1212a的支撑层808，第二像素包括具有拥有深度d_b的多个凹进1212b的支撑层808，且第三像素包括具有拥有深度d_c的多个凹进1212c的支撑层808。 

在图12A的松弛状态中，反射层的一部分处于凹进1212a、1212b、1212c内的深度d_r处。在某些此类实施例中，MEMS装置1200的观看者感知到在松弛状态中受深度d_r影响的颜色。举例来说，约130nm的深度d_r可产生近似黑色的颜色(例如，深紫色或近紫外色)。 

图12B说明MEMS装置1200，其中在像素的每一者中，反射层810偏斜到凹进1212a、1212b、1212c中，处于激活状态，如箭头1216所指示。凹进1212a、1212b、1212c的深度d_a、d_b、d_c的差分别可促使从反射层810反射的光在每一像素中被不同地调制(例如，由于不同相移)，借此促使用户看见来自每一像素的所反射光的不同颜色。作为实例，深度d_a对于蓝色可约为230nm，深度d_b对于绿色可约为260nm，且深度d_c对于红色可约为310nm。广泛种类的颜色是可能的。一般来说，像素的颜色为Nλ/2，其中N是表示光的“级(order)”的整数(即，其中对于第一级光N＝1，对于第二级光N＝2等)，且λ是波长。第一级颜色(即，当N＝1时)较明亮，但较高级颜色(即，N＞1) 趋向于较饱和。因此，230nm的深度d_a可产生第一级蓝色，因为1*460nm/2＝230nm，260nm的深度d_b可产生第一级绿色，因为1*520nm/2＝260nm，且310nm的深度d_c可产生第一级红色，因为1*620nm/2＝310nm。各个像素之间级的组合也是可能的(例如，第一级蓝色和红色与第二级绿色)。另外，与本文描述的其它MEMS装置的组合也是可能的。举例来说，反射层810可处于上文描述的支撑结构部分808a、808b、808c中的每一者中的深度d_r处。 

图13A到13G说明制造MEMS装置1200的方法的实例实施例。图13A说明其中激活电极804形成在衬底802上的结构1300。在某些实施例中，形成激活电极804包括形成多个大体平行部分(例如，如图9A中所说明)。如上文所描述，在某些实施例中，电绝缘层806可任选地形成于激活电极804上。图13A中的结构1300进一步说明形成于激活电极804上的支撑层808，且在其中MEMS装置1200包括绝缘层806的实施例中，形成在绝缘层806上的支撑层808。在某些实施例中，形成支撑层808包括形成多个支撑结构部分(例如，如图10A和10B中所说明)。 

图13B说明在凹进1302已形成于支撑层808中之后图13A的结构1300。在某些实施例中，形成凹进1302包括反应离子蚀刻。在某些实施例中，形成凹进1302包括压纹。 

图13C说明在反射层810已形成于支撑层808上之后图13A的结构1300。在某些实施例中，形成反射层810包括在凹进1302中保形地沉积反射层810的材料。在某些实施例中，形成反射层810包括形成多个大体平行部分(例如，如图9A中所说明)。如图13C中所说明，接着在反射层810中形成至少一个孔1304。在某些实施例中，形成至少一个孔1304包括用聚焦离子束(FIB)研磨。在某些实施例中，使用例如光刻、提离工艺等其它图案化技术形成孔1304。 

图13E说明在移除支撑层808的第一部分1212a而保留支撑层808的第二部分之后的结构1300。在某些实施例中，第二部分包括在其它孔1304下方(例如，通过用保护层覆盖孔1304)的支撑层和在凹进1212a之间的支撑层808。在某些实施例中，保护层包括一材料(例如，光致抗蚀剂)，其具有足够高的粘性使得所述材料不穿过孔1304大体穿透到凹进1212a中。在一些实施例中，在施加保护层之前将反射层810激活到凹进1212a中。在某些实施例中，移除支撑层808的第一部分1212a包括将反应物穿过孔1304引入到支撑层808。在所说明的实施例中，在支撑层808中形成凹进在第一部分1212a延伸穿过支撑层808之前停止。 

图13F说明在移除支撑层808的第一部分1212b而保留支撑层808的第二部分之后的结构1300。在某些实施例中，第二部分包括在孔1304下方(例如，通过用保护层覆 盖孔1304)并对凹进1212a定界的支撑层和在凹进1212b之间的支撑层808。在某些实施例中，移除支撑层808的第一部分1212b包括将反应物穿过孔1304引入到支撑层808。在所说明的实施例中，在支撑层808中形成凹进在第一部分1212b延伸穿过支撑层808之前停止。 

图13G说明在移除支撑层808的第一部分1212c而保留支撑层808的第二部分之后的MEMS装置1200。在某些实施例中，第二部分包括对凹进1212a、1212b定界的支撑层和在凹进1212c之间的支撑层808。在某些实施例中，移除支撑层808的第一部分1212c包括将反应物穿过孔1304引入到支撑层808。在某些实施例中，在支撑层808中形成凹进在第一部分1212c延伸穿过支撑层808之前停止。 

在完成移除支撑层808的第一部分1212a、1212b、1212c的反应后，MEMS装置1200处于可操作状态中，因为可将控制信号施加到激活电极804，其将促使反射层810的一部分移动到所移除的第一部分1212a、1212b、1212c中。因此，MEMS装置1200经配置以与保留的支撑层808的第二部分一起操作。将了解，图13E和13F的结构1300也可处于可操作状态中，因为可将控制信号施加到激活电极804，其将促使反射层810的一部分移动到所移除的第一部分1212a和/或1212b中。 

用于制造MEMS装置1200的其它选项也是可能的。举例来说，凹进1212c的第一部分可在第一移除步骤中移除，凹进1212c的第二部分和凹进1212b的第一部分可在第二移除步骤中移除，且凹进1212c的第三部分、凹进1212b的第二部分和凹进1212a可在第三移除步骤中移除。作为另一实例，不同于在移除步骤之前形成孔1304，仅可形成反应物将在后续移除步骤中流动所穿过的孔，借此减少或消除对任何保护层的需要。 

图14A说明用于向观看者呈现图像的显示器装置1400的实例实施例。显示器装置1400包括基础层，其包括第一区1401，所述第一区1401包括基础层的表面中的多个凹进1404。凹进1404具有到基础层的表面中的深度。在某些实施例中，凹进1404中的每一者具有小于约1μm的宽度。在一些实施例中，凹进1404中的每一者具有大约为光的波长的宽度。在某些实施例中，凹进1404呈在两个维度中为周期性的图案分布(例如，如图14A中所说明)。在某些实施例中，邻近凹进具有小于约2μm的中心到中心距离。显示器装置1400进一步包括在基础层上的反射层。反射层包括第一部分和第二部分。第一部分在第一区1401上且在多个凹进1404内。第二部分在第一区1401上，但在凹进1404之间，且不在多个凹进1404内。在一些实施例中，第一部分的面积与第二部分的面积的比率约为1∶1。以与上文参看图8C描述的方式类似的方式，凹进1404导致从反射层的第一部分反射的光与从不在多个凹进1404中的反射层的第二部分反射的光相 比的相移。如此，观看者感知到的第一区1401的颜色取决于凹进1404相对于第二部分的深度。在某些实施例中，基础层进一步包括大体无凹进的第二区1402。因为凹进1404的深度由于经调制的反射性的缘故而形成一颜色且第二区1402因为其大体无凹进而不这样，所以显示器装置1405可形成第一区1401(例如，图14A中形状类似“Q”的区)与第二区1402(例如，图14A中围绕“Q”)之间的颜色对比度。 

图14B说明用于向观看者呈现图像的显示器装置1405的另一实例实施例。显示器装置1405包括如上文参看图14A描述的第一区1401。基础层进一步包括第二区1402，其包括基础层的表面中的多个第二凹进1406。第二凹进1406具有到基础层的表面中的深度，其不同于第一部分1401的凹进1404的深度。在某些实施例中，第二凹进1406中的每一者具有小于约1μm的宽度。在一些实施例中，第二凹进1406中的每一者具有大约为光的波长的宽度。在某些实施例中，邻近的第二凹进1406呈在两个维度中为周期性的图案(例如，如图14B中所说明)。在某些实施例中，邻近的第二凹进1406具有小于约2μm的中心到中心距离。反射层包括第三部分和第四部分。第三部分在第二区1402上且在第二凹进1406内。第四部分在第二区1402上，但在第二凹进1406之间，且不在第二凹进1406内。在一些实施例中，第三部分的面积与第四部分的面积的比率约为1∶1。第二凹进1406导致从反射层的第三部分反射的光与从不在多个第二凹进1406中的反射层的第四部分反射的光相比的相移。如此，观看者感知到的第二区1402的颜色取决于第二凹进1406相对于第四部分的深度。因为凹进1404的深度不同于第二凹进1406的深度，所以显示器装置1405可形成第一区1401(例如，图14B中形状类似“Q”的区)与第二区1402(例如，图14B中围绕“Q”)之间的颜色对比度。 

图15说明例如沿图14A的线15-15截取的用于向观看者呈现静态图像的显示器装置1500的实例实施例的横截面。显示器装置1500包括基础层1502和在基础层1502上的反射层1504。基础层1502可包括塑料、玻璃、金属、半导体、其组合等。反射层1504可包括例如铝、铜、银、其组合等的反射性金属。在某些实施例中，例如，如果基础层1502包括柔性塑料且反射层1504包括柔性金属薄层，那么MEMS装置1500是柔性的。基础层1502包括第一区1401，所述第一区1401包括基础层1502的表面中的多个凹进1404。在某些实施例中，凹进1404中的每一者具有小于约1μm的宽度。在一些实施例中，凹进1404中的每一者具有大约为光的波长的宽度。在某些实施例中，邻近的凹进1404呈在两个维度中为周期性的图案。在某些实施例中，邻近的凹进1404具有小于约2μm的中心到中心距离。凹进1404具有到基础层1502的表面中的深度。反射层1504包括第一部分1506和第二部分1508。第一部分1506在第一区1401上且在凹进1404内。 第二部分1508在第一区1401上，但在凹进1404之间，且不在多个凹进1404内。在一些实施例中，第一部分1506的面积与第二部分1508的面积的比率约为1∶1。 

图16A到16C说明制造图15的显示器装置1500的方法的实例实施例。图16A说明其中已提供基础层1502的结构1600。在一些实施例中，提供基础层1502包括层压多个层、制备基础层1502以用于后续处理等。图16B说明已在基础层1502中形成多个凹进1602之后的结构1600。在某些实施例中，凹进1602中的每一者具有小于1μm的宽度。在一些实施例中，凹进1602中的每一者具有大约为光的波长的宽度。在某些实施例中，邻近的凹进1602呈沿基础层1502在两个维度中为周期性的图案。在某些实施例中，邻近的凹进1602具有小于约2μm的中心到中心距离。在某些实施例中，凹进1602具有到基础层1502的表面中的深度。在某些实施例中，在基础层1502中形成凹进1602包括压纹。在某些此类实施例中，对基础层1502中的凹进1602进行压纹包括形成包含多个凹进1602的负压印的裸片，以及用所述裸片对基础层1502进行印刻。在某些实施例中，在基础层1502中形成凹进1602构成反应离子蚀刻。举例来说，可使用光刻和干式蚀刻或使用聚焦的离子束的直接图案化。其它技术也是可能的。 

图16C说明在基础层1502上沉积反射材料层1504之后的结构1500。在某些实施例中，沉积反射材料层1504包括在基础层1502上对反射材料层1504进行溅射。在一些实施例中，沉积反射材料层1504包括在基础层1502上对反射材料层1504进行镀敷。在某些实施例中，沉积反射材料层1504包括在基础层1502上对反射材料层1504进行气相蚀刻。其它沉积方法也是可能的。 

图17A说明有源矩阵显示器装置1700的实例实施例。显示器装置1700包括常规薄膜晶体管(TFT)显示器底板，其包括多个晶体管1708，其中一行上的晶体管栅极中的每一者连接在一起，且其中一列上的晶体管漏极中的每一者连接在一起。显示器装置1700进一步包括激活电极1702和多个像素1704。在一些实施例中，激活电极1702包括未经图案化的导电材料片。像素1704中的每一者包含连接到一个晶体管1708的源极的电隔离反射层1710(见图17B)。为了减少混乱，仅说明一些晶体管1708，但将了解，像素1704中的每一者的反射层连接到晶体管1708的源极。每一像素的反射层包括多个凹进1706。每一像素1704可包括大于10、大于100、大于1000或更多凹进1706。每像素的凹进1706的数目可取决于显示器装置1700中所设计的像素大小和配合于像素的区域内的凹进1706的大小。 

在松弛状态中，每一像素1704反射宽带白色(例如，如上文参看图8A所描述)。在具有像素的反射层1710的完全模拟调制的实施例中，在施加第一控制信号后(例如， 激活电极1702与像素1704的反射层之间的小电压差)，反射层的若干部分稍许移动到凹进1706中，借此将调制移位到给定颜色，例如近似黑色(例如，深紫色或近紫外色)。在某些实施例中，黑色也是可能的(例如，在其中MEMS装置1700包括部分反射层的实施例中，在其中反射层包括具有不同折射指数的层的堆叠的实施例中)。在施加额外控制信号后(例如，激活电极1702与像素1704的反射层之间的较高电压差)，可移动像素进一步朝激活电极1702移动，借此将光调制移位到其它颜色。在具有像素的反射层1710的量化调制状态的某些实施例中，施加第二控制信号促使像素1704移动，使得像素反射蓝色，施加第三控制信号促使像素1704移动，使得像素反射绿色，且施加第四控制信号促使像素1704移动，使得像素反射红色。在一些实施例中，第一控制信号包括小电压差，第二控制信号包括较高电压差，第三控制信号包括更高电压差，且第四控制信号包括还要高的电压差。 

图17B是沿线17B-17B截取的图17A的显示器装置1700的实例实施例的横截面。像素1704a、1704b、1704c、1704c中的每一者说明为处于不同的激活状态。像素1704a处于松弛状态或受第一控制信号的影响。在某些实施例中，像素1704a在松弛状态中反射白色。在某些实施例中，像素1704a当受第一控制信号的影响时反射近似黑色的颜色(例如，深紫色或近紫外色)。在某些实施例中，黑色也是可能的(例如，在其中MEMS装置1700包括部分反射层的实施例中，在其中反射层包括具有不同折射指数的层的堆叠的实施例中)。像素1704a与光学堆叠16间隔距离D₀。像素1704b受第二控制信号的影响，其中像素1704b朝激活电极1702移动直到像素1704b与光学堆叠16间隔距离D₁为止。在一些实施例中，像素1704b受第二控制信号的影响反射蓝色。像素1704c受第三控制信号的影响，其中像素1704c朝激活电极1702移动直到像素1704c与光学堆叠16间隔距离D₂为止。在一些实施例中，像素1704c受第三控制信号的影响反射绿色。像素1704d受第四控制信号的影响，其中像素1704d朝激活电极1702移动直到像素1704d与光学堆叠16间隔距离D₃为止。在一些实施例中，像素1704d受第四控制信号的影响反射红色。在某些实施例中，可使用像素1704在颜色的每一者之间的循环来形成例如青色等颜色(例如，通过使像素在蓝色与绿色之间循环)。其它颜色组合也是可能的。 

尽管已在某些优选实施例和实例的上下文中揭示本发明，但所属领域的技术人员将了解，本发明延伸超越特定揭示的实施例到其它替代实施例和/或本发明的用途及其明显修改和等效物。另外，虽然已展示并详细描述本发明的若干变化，但所属领域的技术人员基于本发明将容易了解在本发明范围内的其它修改。还预期，可进行实施例的特定特征和方面的各种组合或子组合，且其仍落在本发明的范围内。应了解，所揭示的实施例 的各种特征和方面可彼此组合或替代以便形成所揭示的发明的变化的模式。因此，希望本文揭示的本发明的范围不应受上文描述的特定所揭示的实施例限制，而是应仅通过对所附权利要求书的公正阅读来确定。 

Claims (39)

1.一种微机电(MEMS)装置，其包括：

衬底；

所述衬底上的激活电极；

所述激活电极上的反射层，所述反射层包含穿过所述反射层并且从所述反射层的横向边缘向内间隔开的多个孔；以及

所述激活电极与所述反射层之间的支撑层，所述支撑层包含在所述多个孔中的每一者下方并且在所述激活电极与所述多个孔之间的凹进，其中所述凹进呈沿所述支撑层在两个维度中为周期性的图案，其中在将控制信号施加到所述装置后，所述反射层的至少第一部分经配置以移动到每个所述凹进中，且所述反射层的至少第二部分经配置以保持静止，所述反射层的所述第一部分包括所述多个孔，其中所述MEMS装置的反射性主要通过改变从所述第一部分反射的光与从所述第二部分反射的光之间的相位差来调制。

2.根据权利要求1所述的MEMS装置，其中所述控制信号包括所述激活电极与所述反射层之间的电压差。

3.根据权利要求1所述的MEMS装置，其中所述第一部分的面积与所述第二部分的面积的比率约为1∶1。

4.根据权利要求1所述的MEMS装置，其中所述反射层中的所述多个孔中的每一个的宽度在约10与300nm之间。

5.根据权利要求1所述的MEMS装置，其中所述支撑层中的每个所述凹进的宽度小于约1μm。

6.根据权利要求1所述的MEMS装置，其中所述反射层中的所述多个孔中的每一个的宽度与所述支撑层中的所述孔下方的所述凹进的宽度的比率小于约1∶3。

7.根据权利要求1所述的MEMS装置，其中所述支撑层具有约100与150nm之间的厚度。

8.根据权利要求1所述的MEMS装置，其中每个所述凹进至少部分由大体平坦表面定界。

9.根据权利要求1所述的MEMS装置，其中所述MEMS装置的所述反射性可在零相位差与非零相位差之间变化。

10.根据权利要求1所述的MEMS装置，其中所述衬底至少部分透明，其中所述激活电极至少部分透明，且其中所述支撑层至少部分透明。

11.根据权利要求1所述的MEMS装置，其进一步包括在所述激活电极与所述支撑层之间的电绝缘层。

12.根据权利要求1所述的MEMS装置，其中所述MEMS装置穿过所述激活电极且从所述反射层的与所述激活电极相对的一侧可操作地可观看。

13.根据权利要求1所述的MEMS装置，其中所述支撑层包括光致抗蚀剂。

14.根据权利要求1所述的MEMS装置，其中所述衬底包括金属。

15.根据权利要求1所述的MEMS装置，其中所述凹进延伸穿过所述支撑层。

16.根据权利要求1所述的MEMS装置，其进一步包括：

显示器；

处理器，其经配置以与所述显示器通信，所述处理器经配置以处理图像数据；以及

存储器装置，其经配置以与所述处理器通信。

17.根据权利要求16所述的MEMS装置，其进一步包括经配置以将至少一个信号发送到所述显示器的驱动器电路。

18.根据权利要求17所述的MEMS装置，其进一步包括经配置以将所述图像数据的至少一部分发送到所述驱动器电路的控制器。

19.根据权利要求16所述的MEMS装置，其进一步包括经配置以将所述图像数据发送到所述处理器的图像源模块。

20.根据权利要求19所述的MEMS装置，其中所述图像源模块包括接收器、收发器及发射器中的至少一者。

21.根据权利要求16所述的MEMS装置，其进一步包括经配置以接收输入数据且将所述输入数据传送到所述处理器的输入装置。

22.根据权利要求1所述的MEMS装置，其中所述多个孔在穿过平行于所述反射层的平面上具有大体为圆形的横截面。

23.根据权利要求1-22中任一项所述的MEMS装置，其中邻近的所述凹进具有小于约2μm的中心到中心距离。

24.根据权利要求1-22中任一项所述的MEMS装置，其中邻近的所述凹进具有小于约1μm的边缘到边缘距离。

25.根据权利要求1-22中任一项所述的MEMS装置，其中所述反射层包括在所述装置上沿第一方向延伸的多个大体平行部分，且其中所述激活电极包括在所述装置上沿第二方向延伸的多个大体平行部分，所述第一方向大体不平行于所述第二方向，其中所述反射层的所述大体平行部分与所述激活电极的所述大体平行部分之间的重叠区域包括像素。

26.根据权利要求25所述的MEMS装置，其中所述支撑层在所述反射层的第一所述大体平行部分以下具有第一厚度，在所述反射层的第二所述大体平行部分以下具有第二厚度，且在所述反射层的第三所述大体平行部分以下具有第三厚度，其中所述第一、第二和第三厚度彼此不同。

27.根据权利要求26所述的MEMS装置，其中所述第一厚度与所述第二厚度之间的厚度差大于所述反射层的所述第一大体平行部分的厚度，且其中所述第二厚度与所述第三厚度之间的厚度差大于所述反射层的所述第二大体平行部分的厚度。

28.一种制造微机电(MEMS)装置的方法，所述方法包括：

在衬底上形成激活电极；

在所述激活电极上形成支撑层；

在所述支撑层上形成反射层；

穿过所述反射层并且从所述反射层的横向边缘以向内间隔开的方式形成多个孔；

以及

移除所述激活电极与所述多个孔之间的所述支撑层的第一部分以在所述多个孔中的每一者下方形成凹进，而留下所述支撑层的第二部分，所述凹进呈沿所述支撑层在两个维度中为周期性的图案，所述第二部分支撑所述反射层，所述第一部分的宽度大于所述多个孔的宽度，其中在移除所述支撑层的所述第一部分之后，所述MEMS装置的反射性主要通过改变从所述第一部分上方的所述反射层反射的光与从所述第二部分上方的所述放射层反射的光之间的相位差来调制。

29.根据权利要求28所述的方法，其中形成所述多个孔包括用聚焦的离子束(FIB)研磨所述反射层。

30.根据权利要求28或29所述的方法，其中所述移除所述支撑层的所述第一部分包括穿过所述多个孔蚀刻所述支撑层。

31.一种用于向观看者呈现图像的显示器装置，所述显示器装置包括：

基础层，其包括第一区，所述第一区包括所述基础层的表面中的多个凹进，所述凹进中的每一者具有小于约1μm的宽度，其中邻近的所述凹进呈在两个维度中为周期性的图案，且具有小于约2μm的中心到中心距离，所述凹进具有到所述基础层的所述表面中的深度；以及

反射层，其在所述基础层上，所述反射层包括第一部分和第二部分，所述第一部分在所述第一区上且在所述凹进内，所述第二部分在所述第一区上、在所述凹进之间，且不在所述凹进内，所述第一部分的面积与所述第二部分的面积的比率小于约1∶1。

32.根据权利要求31所述的显示器装置，其中所述基础层包括塑料。

33.根据权利要求31所述的显示器装置，其中所述基础层进一步包括大体无凹进的第二区。

34.根据权利要求31所述的显示器装置，其中所述基础层进一步包括第二区，所述第二区包括所述基础层的所述表面中的多个第二凹进，所述第二凹进中的每一者具有小于约1μm的宽度，邻近的所述第二凹进呈在两个维度中为周期性的图案，邻近的所述第二凹进具有小于约2μm的中心到中心距离，所述第二凹进具有不同于所述第一部分的所述凹进的所述深度的到所述基础层的所述表面中的第二深度，且其中所述反射层包括第三部分和第四部分，所述第三部分在所述第二区上且在所述第二凹进内，所述第四部分在所述第二区上、在所述第二凹进之间，且不在所述第二凹进内，所述第三部分的面积与所述第四部分的面积的比率小于约1∶1。

35.根据权利要求31到34中任一权利要求所述的显示器装置，其中所述显示器装置为柔性的。

36.一种形成反射表面的方法，所述方法包括：

提供基础层；

形成第一区，其包括形成所述基础层的表面中的多个凹进，所述凹进中的每一者具有小于约1μm的宽度，其中邻近的所述凹进呈沿所述基础层在两个维度中为周期性的图案，其中邻近的所述凹进具有小于约2μm的中心到中心距离，所述凹进具有到所述基础层的所述表面中的深度；以及

在所述基础层上沉积反射材料层。

37.根据权利要求36所述的方法，其中形成所述基础层中的所述凹进包括压纹和反应离子蚀刻中的至少一者。

38.根据权利要求37所述的方法，其中形成所述基础层中的所述凹进包括压纹，且其中对所述凹进进行压纹包括：

形成包含所述凹进的负压印的裸片；以及

用所述裸片对所述基础层进行印刻。

39.根据权利要求36到38中任一权利要求所述的方法，其中沉积所述反射材料层包括对所述反射材料层进行溅射。

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