CN102163434A - 一次写入型光盘以及用于管理该光盘上的缺陷信息的方法和设备 - Google Patents

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CN102163434A CN2009102540910A CN200910254091A CN102163434A CN 102163434 A CN102163434 A CN 102163434A CN 2009102540910 A CN2009102540910 A CN 2009102540910A CN 200910254091 A CN200910254091 A CN 200910254091A CN 102163434 A CN102163434 A CN 102163434A
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Abstract

本发明涉及一次写入型光盘以及用于管理该光盘上的缺陷信息的方法和设备。利用临时缺陷管理区(TDMA)提供了一种一次写入型光盘、一种用于管理该一次写入光盘，例如，BD-WO上的缺陷信息的方法和设备。该方法包括：准备临时缺陷管理区(TDMA)，在该临时缺陷管理区上，将临时缺陷列表(TDFL)记录为用于管理光盘上的缺陷区的缺陷管理信息；在临时缺陷管理区上，利用先前的临时缺陷列表累积记录最近临时缺陷列表；以及除了临时缺陷列表，还在临时缺陷管理区上记录用于指出最近临时缺陷列表的位置的位置信息，以更有效地管理临时缺陷列表。

Description

一次写入型光盘以及用于管理该光盘上的缺陷信息的方法和设备
本申请是国际申请日为2003年10月1日、国际申请号为PCT/KR2003/002026的PCT国际申请的、进入中国国家阶段的、国家申请号为200380109313.0、题为“一次写入型光盘以及用于管理该光盘上的缺陷信息的方法和设备”的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种用于管理高密度光盘上的缺陷区域的方法，本发明更具体地涉及一种一次写入型光盘以及用于管理诸如蓝光一次写入光盘(Blu-ray Write Once)(BD-WO)的高密度光盘的缺陷区域的设备和方法。
背景技术
作为光记录介质，在其上写入了大量数据的光盘被广泛使用。其中，最近开发了一种在其上可以以高质量写入并存储大量视频数据和声频数据的新型HD-DVD(高密度数字通用光盘)，例如，BD(蓝光光盘(Blu-ray disc))。
蓝光光盘属于下一代HD-DVD技术，它是下一代光记录解决方案，这种解决方案可以显著超过现有DVD的数据记录容量。最近建立的HD-DVD的蓝光光盘国际标准包括使用比现有DVD技术采用的波长为650nm的红色激光密得多的、波长为405nm的霁青色激光。因此，在厚度为1.2mm、直径为12cm以及光传输层的厚度为0.1mm的BD上可以存储比现有DVD技术多得多的数据。
由于正在开发与BD(蓝光光盘)有关的各种标准，所以也正在开发BD-RE(BD可重写光盘)和BD-WO(BD一次写入光盘)的各种标准。在其上可以长期写入、擦除以及重写高质量视频数据和声频数据的一种新型高密度光盘是当前正在开发的蓝光可重写光盘(BD-RE)。
图1示意地示出BD-RE的记录区的结构。图1所示的BD-RE示出具有一个记录面的光盘上的记录区的结构。从光盘的内部外围可以看出，可以将记录区划分为引入区、数据区和引出区。在数据区的内部外围和外部外围设置用于替换缺陷区的内部空白区ISA0和外部空白区OSA0，而在数据区的中心设置用于记录用户数据的用户数据区。
如果在将数据记录到BD-RE上期间，用户数据区上存在缺陷区，则使记录到缺陷区上的数据移位并记录到空白区上，作为替换数据。此外，关于缺陷区和替换数据记录区的位置信息记录在设置在引入区和引出区上的缺陷管理区DMA 1、DMA 2、DMA 3和DMA 4上。位置信息用作缺陷区的管理信息，以对光盘进行缺陷管理。对于BD-RE，由于可以在光盘的任何区上进行重写，所以可以随机使用整个光盘区域，而不考虑记录模式。
蓝光一次写入光盘(BD-WO)是正在开发的另一种高密度光盘，在其上可以记录而且从其可以再现高质量数据。从名字可以看出，在BD-WO上只能写入一次数据，而不能在BD-WO上进行重写。然而，可以重复读BD-WO。因此，如果不要求记录介质上的数据具有可重写性，或者记录介质上的数据的可重写性不是必要的，则BD-WO是有用的。
当前正在讨论高密度光盘，例如，BD-WO的标准化问题。在这方面，需要一种用于管理BD-WO的缺陷区的光盘结构、方法以及设备，它们适应而且考虑到BD-WO的独特特性和预定操作。这种技术使BD-WO实现商业市场化而且在操作上是切实可行的。
在BD-WO(蓝光一次写入光盘)上，由于在光盘的规定区域上只能单一记录数据，所以记录模式的限制非常严格。因此，因为其管理困难，难以随机使用光盘的整个区域。此外，在诸如BD-WO的一次写入型高密度一次写入光盘上，管理缺陷区成为数据记录的一个重要方面。因此，一次写入型光盘需要管理这种光盘上的缺陷信息的统一标准。
发明内容
因此，本发明涉及一次写入型光盘以及用于管理光盘上的缺陷信息的方法和设备，它们基本上克服了背景技术存在的一个或者多个问题和/或者缺陷。
本发明的目的是提供一种用于识别缺陷区的方法和一种用于管理缺陷区的方法。
利用用于管理光记录介质的方法可以实现本发明的这些目的和其它目的之一或者多个，一种用于管理光记录介质的方法，该光记录介质在用户数据区至少具有一个缺陷区，所述方法包括：在位于所述记录介质上的、除用户数据区之外的区域中的临时缺陷管理区上记录临时缺陷列表，其中所述临时缺陷列表包括缺陷区的位置信息以及用于替换所述缺陷区的替换区的位置信息；以及在所述临时缺陷管理区上记录将至少一个临时缺陷列表指针，记录为位置信息，所述位置信息以作为用于指示组成在所述临时缺陷管理区上所记录的最新临时缺陷列表的出临时缺陷管理区上记录的所述最新临时缺陷列表的各记录单元的位置的位置信息。
利用用于管理光记录介质的设备可以实现本发明的这些目的和其它目的之一或者多个，一种用于管理光记录介质的设备，该光记录介质具有位于除用户数据区之外的区域中的临时缺陷管理区和位于数据区上的空白区，所述设备包括：为所述记录介质上的数据构造的光头；控制器，被构造为控制所述光头以在临时缺陷管理区上记录临时缺陷列表，其中所述临时缺陷列表包括缺陷区的位置信息以及用于替换所述缺陷区的替换区的位置信息；以及所述控制器被构造为控制所述光头以在所述临时缺陷管理区上记录至少一个临时缺陷列表指针，以作为用于指示组成在所述临时缺陷管理区上所记录的最新临时缺陷列表的各记录单元的位置的位置信息。
根据下面所做的详细说明，本发明的其它应用范围是显而易见的。然而，应该明白，尽管详细说明和特定例子指出了本发明的优选实施例，但是该详细说明和特定例子仅是说明性的，因为根据该详细说明，在本发明的实质范围内所做的各种变更和修改对于本技术领域内的技术人员是显而易见的。
附图说明
根据下面结合附图所做的详细说明，可以更全面理解本发明的其他目的和优点，附图包括：
图1示出相关技术的可重写光盘的结构；
图2是根据本发明实施例的光盘记录和/或者再现器件的框图；
图3A和3B分别示出根据本发明实施例的单层BD-WO光盘和双层BD-WO光盘的结构；
图4示出根据本发明实施例的一次写入型光盘的结构；
图5A和5B示出根据本发明应用于一次写入型光盘的TDFL和TDDS的结构例子；
图6A和6B示出根据本发明第一实施例管理一次写入光盘上的缺陷信息的方法；
图7A和7B示出根据本发明第二实施例管理一次写入光盘上的缺陷信息的方法；
图8A和8B示出根据本发明第三实施例管理一次写入光盘上的缺陷信息的方法。
图9A和9B示出根据本发明第四实施例管理一次写入光盘上的缺陷信息的方法。
具体实施方式
现在，将详细说明本发明的优选实施例，附图示出该优选实施例的例子。
图2是根据本发明实施例的光盘记录和/或再现器件20的方框图。光盘记录和/或者再现器件20(下面称为光盘记录/再现器件)包括：光头22，用于将数据写入光记录介质21和从光记录介质21读取数据；伺服单元23，用于控制光头22，以在光头22的物镜与记录介质21之间保持某个距离，而且用于跟踪记录介质21上的有关轨道；数据处理器24，用于处理输入数据并将输入数据送到光头22，以便写入，而且用于对从记录介质21读取的数据进行处理；接口25，用于与任意外部主机30交换数据和/或者命令；内存或者存储器27，用于将包括与记录介质21有关的缺陷管理数据的信息和数据存储到其上；以及微处理器或者控制器26，用于控制记录/再现器件20的操作及其各元件。
还可以将要写入记录介质21或者要从记录介质21读取的数据存储到内存27内。记录/再现器件20的所有部件都可操作地连接在一起。在所示的示例实施例中，记录介质21是一次写入型记录介质，例如，BD-WO。
图3A和3B分别示出根据本发明实施例的单层BD-WO光盘和双层BD-WO光盘的结构。如图3A和3B所示，BD-WO可以具有一个或者两个记录层。在图3A中，仅具有单一记录层(层0)的BD-WO包括由引入区(LIA)、数据区以及引出区(LOA)构成的单一记录层，而且在此，将它称为单层盘。
在图3B上，双层BD-WO包括两个记录层(层0和1)，而且下面将它称为双层盘。第一记录层(层0)包括：LIA、数据区和外部区。第二记录层(层1)包括：LOA、数据区和外部区。通常，在双层盘上，以虚线箭头所示的方向，进行数据写入。单层盘(single layer disc)可以具有23.3、25.0或者27.0Gbyte的容量，而双层盘可以具有46.6、50.0或者54.0Gbyte的容量。
应该注意，本发明的所有不同实施例，例如，下面讨论的各种方法均可以应用于任意类型的光盘，例如，单层BD-WO、双层BD-WO或者BD-RE。此外，尽管下面结合本发明的方法对图2所示的记录/再现器件20的使用进行讨论，但是本发明并不局限于这样，而且只要对它们进行配置可以实现本方法，还可以包括其它记录/再现器件。下面将示例性典型BD-WO(蓝光一次写入光盘)详细说明优选实施例。
图4示出根据本发明实施例的一次写入型光盘，例如，BD-WO的结构例子以及记录光盘管理信息的方法。图4所示的一次写入型光盘是具有一个记录层的单层盘。该光盘包括：空白区，例如，内部空白区和外部空白区ISA0/OSA0，用于记录缺陷区的替换数据；以及一个或者多个TDMA(临时缺陷管理区)，用于管理与缺陷区有关的信息，例如，以管理物理缺陷。
对于通用可重写光盘，即使DMA的大小有限，但是仍可以重复地写数据和从DMA(缺陷管理区)擦除数据，因此，不要求大尺寸的DMA。然而，对于一次写入型光盘，例如，BD-WO，其上记录了数据的区域不能再用于记录数据，而且对这种记录介质要求较大的管理区。如果在一次写入光盘上不再进行记录，则要求将最后或者最新TDMA(临时缺陷管理区)信息传送并记录到DMA(缺陷管理区)上，因此，为了与DMA区分开，将它称为TDMA(临时DMA)。
在图4上，在引入区上以固定大小设置TDMA1，而且设置具有可变大小或者其大小与设置其的相应外部区(OSA0)的大小有关的TDMA2。各TDMA用于在其上存储用于进行缺陷管理的TDFL(临时缺陷列表)和TDDS(临时盘确定性结构(temporary disc definitionstructure))。
TDFL是含有用于对替换空白区的数据区中的缺陷区上的数据的一系列处理过程进行管理的信息的项目列表。TDFL的大小根据缺陷区的尺寸发生变化，例如，对于单层盘，以1-4丛集之间的大小准备TDFL，而对于双层盘，以1-8丛集之间的大小准备TDFL。
可以以单个丛集为单元准备TDDS，或者以单个丛集为单元准备TDDS和TDFL二者。TDDS包括用于管理一次写入型光盘的信息和与本发明要求的缺陷管理有关的信息。缺陷管理信息是部分位于TDFL和TDDS内的信息。
下面参考图5A和5B说明TDFL和TDDS的详细内容。图5A示出应用于本发明的TDFL的结构例子。TDFL通常被划分为3部分：TDFL标题、缺陷项目列表(Defect_entry_List)以及用于终止TDFL的指示符(TDFL终止符(terminator))。
TDFL标题(header)位于TDFL的引导部分，而且在缺陷管理期间，用于识别TDFL。TDFL标题包括：TDFL标识符；TDFL更新计数字段，每当TDFL更新时，计数就增加1；相应TDFL上存在的缺陷项目数量段(TDFL项目的数量)；以及含有项目类型数量的字段(第一至第N个项目类型的数量)。
实际上，缺陷项目列表(Defect_entry_List)包括构成TDFL的内容，例如，缺陷项目列表用于管理一个项目或者地址上的缺陷区和每个缺陷区的替换区的位置信息。每个项目由8字节的数据构成，而且每个项目的结构包括：项目类型(状态1)、缺陷区的位置信息(缺陷丛集第一PSN)以及顺序记录在该项目上的用于替换数据的替换区的位置信息(替换丛集第一PSN)。
TDFL终止符包括用于指出缺陷项目列表(Defect_entry_List)终止的信息。对于双层盘，缺陷项目列表(Defect_entry_List)最多占据8个丛集，而对于单层盘，缺陷项目列表(Defect_entry_List)最多占据4个丛集。
在图5B上，TDFL具有与图5A所示的同样的结构，但是现在与TDFL信息一起记录TDDS和TDFL信息，例如，TDDS可以与TDFL记录在不同的地址(如图5A所示)，而且/或者与TDFL记录在同一个丛集(图5B)。
在TDDS内，可以记录各种信息。然而，在本发明的优选实施例中，TDDS应该包括最后TDFL的位置信息(最后TDFL的第一PSN)。在一次写入光盘上，每次在根据缺陷区更新TDFL时，其上记录了最后TDFL的位置均发生变化。因此，始终需要管理最后TDFL位置信息。可以将其上记录了最后TDFL的位置称为TDFL指针，因为其含有指出最后TDFL的位置信息的信息。然而，根据TDFL的记录方法，可以改变最后TDFL位置信息的数量，下面将做更详细说明。
本发明使用的而且示于附图上的术语第一PSN指丛集的第一物理扇区数。对于BD-WO，最小记录单元被定义为一个丛集，而且因为一个丛集上通常存在32个扇区，所以第一PSN指相应丛集上的引导扇区的位置信息。因此，第一PSN指相应丛集的位置信息，例如，缺陷丛集第一PSN指缺陷丛集的第一物理扇区数。
下面将更详细说明根据本发明的各实施例的记录TDFL的方法和记录TDFL指针的方法。缺陷项目列表(Defect_entry_List)被表示为TDFL1、TDFL1c、TDFL21、TDFL32等，以支持下面的图6A-6B中的描述。TDFL1指在第一级(stage1)准备的项目，而TDFL1c指被累积记录之后的TDFL1。TDFL21指在第二级(stage2)准备的第一项目，而TDFL32指在第三级(stage3)准备的第二项目。
为了降低图6A和6B的复杂性，图6A和6B中省略了TDFL终止符，而且分别利用P1、P2、P3...表示记录在TDDS内的最后TDFL位置信息(TDFL指针)。此外，利用粗实线示出作为记录单元的丛集，以更突出标记TDMA的内容。
图6A和6B示出根据本发明第一实施例管理一次写入型光盘上的缺陷信息的方法。根据如图6A所示的根据本发明第一实施例管理缺陷信息的方法，利用先前的TDFL重复累积记录最后TDFL。因此，对于重复累积的1-4丛集(或者1-8丛集)的TDFL，仅分别使用一个TDFL标题和一个TDFL指针。以单个丛集单元记录并管理该TDFL标题和该TDFL。对于单层(SL)盘，TDFL的大小从1个丛集到4个丛集不等，而对于双层(DL)盘。TDFL的大小从1个丛集到8个丛集不等。
在第一级(stage1)，部分TDFL信息、TDFL标题1和TDFL1以所示的示例顺序记录到一个丛集上。在TDDS内，记录用于指出最后缺陷管理信息的位置的信息(TDDS1)，在图6A上，如上所述，利用P 1表示用于指出最后缺陷管理信息的位置的信息，例如，TDFL指针。该指针指出的位置信息是第一PSN，即，相应丛集的地址。例如，在图6A上，指针P1指出TDFL1标题1的位置。
在图6A所示的第二级(stage2)，在更新操作期间，还记录TDFL21和TDFL22。在盘上，以一个丛集的记录单元上的可一次性记录状态记录缺陷管理信息。在第二级(stage2)记录缺陷管理信息期间，记录TDFL21和TEFL22(对应于在当前更新操作期间获得的新TDFL)、先前记录的TDFL信息(与TDFL1相同的TDFL1c)以及相应TDFL标题2和TDDS2。即，在每个更新级，累积记录TDFL信息和任意新TDFL信息。第二级(stage2)指在缺陷管理区的列表信息超过一个丛集，但是又小于2个丛集的情况下的记录方法。例如，TDFL标题2+TDFL1c+TDFL21的大小等于一个丛集。因此，在记录TDFL22时，该TDFL占据第二个后续丛集的部分区域，而且TDFL标题2含有TDFL1c、TDFL21和TDFL22的内容。记录在TDDS2上的指针值表示记录了最后缺陷信息位置P2，TDFL标题2的PSN。由于累积记录缺陷管理信息，所以仅需要最后PSN作为指针。在该实施例中，在每级仅产生并记录一个TDFL标题和一个具有TDFL指针的TDDS。
在每级，执行用于对现有TDFL进行排序的排序过程。可以根据某个预定判决进行该排序过程。例如，可以首先根据状态1(参考图5B)对TDFL排序，然后，再根据TDFL的第一PSN对它进行进一步排序。显然，也可以采用其它判据。
在第三级(stage3)，利用例子示出进行了排序之后的缺陷管理信息。在此，根据TDFL项目的PSN而且根据TDFL项目类型(状态1)，对缺陷管理信息进行排序。从第二级(stage2)的观点出发，在假定产生新TDFL项目，以便包括在P2x位置的情况下，执行该排序过程。
如果产生要记录的新TDFL项目，则应该通过反映根据如上所述的排序规则排序的缺陷区的列表信息，记录新TDFL。第三级(stage3)示出这种情况。由于通过利用P2x进行排序，改变TDFL1c、TDFL21和TDFL22的所有信息，所以将改变的缺陷管理区列表信息记录为TDFL31、TDFL32等，而且在相应信息的头部(lead)记录对应于TDFL31、TDFL32等的TDFL标题3。
在TDDS3上，记录最后缺陷管理信息的位置信息P3。TDFL31占据一个丛集，且TDFL31之后的TDFL32占据不到一个丛集。因此，在第三级，缺陷区管理信息超过一个丛集，但是小于2个丛集。
总之，根据依照本发明第一实施例管理一次写入型光盘上的缺陷信息的方法，每次在更新时，均在一个丛集的记录单元上累积记录TDFL。然后，TDDS仅利用一个指针表示最后缺陷管理信息(TDFL)的位置。此外，在根据排序规则改变缺陷管理信息的情况下，它可以自适应符合这种变化。
在图6A中，TDFL标题具有用于指出当前使用的丛集数量的信息。这意味着，可以采用用于表示有多少丛集用于表示缺陷管理区列表的标志，因为缺陷管理信息的大小是可变的。此外，不仅可以将用于表示当前使用的丛集数量的信息记录到TDFL标题，而且可以将它记录到TDDS。
图6B示出根据本发明第一实施例利用级表示TDFL指针的变化的表。在第一实施例中，可以看出每级只需要一个指针。
图7A和7B示出根据本发明第二实施例管理一次写入型光盘上的缺陷信息的方法。根据如图7A所示的根据本发明第二实施例管理缺陷信息的方法，利用先前的TDFL重复累积记录最后TDFL。因此，对于重复累积的1-4丛集(或者1-8丛集)的TDFL，仅将一个TDFL标题和一个TDFL指针用于每个丛集。对每级记录的TDFL与第一实施例中的TDFL相同。
在第二实施例中，对于根据随级增大的TDFL大小，一个TDFL指针用于相应丛集。因此，即使在第二级(stage2)利用TDFL指针P3指出的丛集进行记录期间识别到缺陷，通过仅对对应于该缺陷的丛集，即，包括TDFL22或者以TDFL22开始的丛集，重新进行记录，可以克服该缺陷。可以改变该指针，以指向重新记录区。如果它被重新记录，则通过仅改变由P3指出的指针，可以克服该缺陷。因此，可以减小准备TDFL要求的TDMA。
图7B示出根据本发明第二实施例表示根据级更新TDFL时TDFL的指针发生的变化的表。在第二实施例中，最多需要8个指针，而且将在各级不使用的指针设置为0。在该例子中，第一TDFL指针指向分别位于第一级、第二级和第三级的P1位置，P2位置和P4位置。第二TDFL指针指向分别位于第二级和第三级的P3位置和P4位置。第二TDFL指针可以指出指针从第一或者先前TDFL指针位置发生变化，这可能是因为由于如上所述的缺陷要重新记录特定丛集引起的。
图8A和8B示出根据本发明第三实施例管理一次写入型光盘上的缺陷信息的方法。根据如图8A所示的根据本发明第三实施例管理缺陷信息的方法，在一个丛集上，利用先前的TDFL重复累积记录最后TDFL，但是对于每个丛集，还单独记录TDFL，而且在TDDS上，在每个记录丛集上记录最后TDFL的位置信息。
在第一级(stage1)，假定在一个丛集上记录TDFL标题1和TDFL1。在TDDS上，记录指出最后TDFL的位置的信息，而且在图8A上，利用P1表示它。该指针指出的位置信息是该丛集的第一PSN，即，光盘结构上的相应丛集的地址。在图8A上，指针P1指出TDFL标题1的第一位置。对于SL盘，缺陷管理信息的记录单元，例如，1个丛集，可以从1个丛集到4个丛集不等，并因此要求4个指针。对于DL光盘，缺陷管理信息的记录单元最多8个丛集，因此，要求8个指针。
在图8A所示的第二级(stage2)，在更新操作期间，除了累积记录先前TDFL(被表示为TDFL1c)，还记录新TDFL21和TDFL22。在一次写入型光盘上，在一个丛集的记录单元上以可一次性记录状态记录缺陷管理信息。在第二级(stage2)记录缺陷管理信息期间，除了相应TDFL标题2和TDFL标题3以及TDDS2外，还记录新TDFL21和TDFL22以及与TDFL1相同的累积TDFL1c。
第二级(stage2)指缺陷管理区的列表信息超过一个丛集，而小于2个丛集情况下的记录方法。例如，TDFL标题2+TDFL1c+TDFL21等于一个丛集的数据，因此，所记录的TDFL22仅占据第二个后续丛集的部分区域。记录相应TDFL标题3，记录在TDDS2上的指针值表示利用TDFL指针P2和P3记录并识别最后缺陷信息位置。
在第三级(stage3)，在更新操作期间，除了累积记录的先前TDFL(被表示为TDFL22cc)外，还记录新TDFL31和TDFL32。如上所述，以单一记录将缺陷管理信息记录到一次写入型光盘的一个丛集的记录单元上。在第三级(stage3)记录缺陷管理信息期间，除了相应TDFL标题4、TDFL标题5和TDDS3之外，还记录TDFL31和TDFL32以及与TDFL22相同的累积TDFL22c。不重新记录TDFL标题2、相应TDFL1c以及TDFL21，但是在TDDS3上记录指出其位置P2的信息，因此避免了不必要的重复记录。因此，可以有效使用光盘的记录区，而且可以增加进行缺陷管理和记录的可用空间。
如果TDFL22c、TDFL31和TDFL32信息超过一个丛集，但是小于2个丛集，即，TEFL标题4+TDFL22c+TDFL31的组合等于一个丛集，则除了相应TDFL标题5，还记录TDFL32，这样就占据第二后续丛集的部分区域。记录在TDDS3上的指针值表示在第三级记录了最后缺陷信息位置P2、P4和P5。
利用P2、P4和P5，例如，记录在TDDS3上的最后缺陷管理信息的位置，可以获得最后TDFL信息。利用第一TDFL指针指出的P2位置信息，可以获得TDFL标题2、TDFL1c和TDFL21的信息，而利用第二TDFL指针指出的P4位置信息，可以获得TDFL标题4、TDFL22c和TDFL31的信息。利用第三TDFL指针指出的P5位置信息，可以获得TDFL标题5和TDFL32的信息。
与在上面的实施例中说明的相同，可以进行排序，以在每级，以某个顺序对TDFL进行排序。例如，在第四级(stage4)，示出进行了排序之后的缺陷管理信息。在此，根据TDFL项目的PSN而且根据TDFL项目类型(状态1)，对缺陷管理信息进行排序。从第三级(stage3)的观点出发，在假定产生新TDFL项目，以包括在P2x位置的情况下，进行排序。
由于通过利用P2x进行排序，改变TDFL1c、TDFL21、TDFL22c、TDFL31以及TDFL32的所有信息，所以将改变的TDFL信息记录为TDFL41、TDFL42和TDFL42，而且除了新TDDS4，还记录相应TDFL标题6、TDFL标题7和TDFL标题8。在此，在TDDS4上，记录作为最后缺陷管理信息的位置信息的P6、P7和P8。TDFL标题6和TDFL41占据一个丛集，TDFL标题7和TDFL42占据一个丛集，TDFL标题8和TDFL43占据不到一个丛集。因此，在第四级，缺陷区管理信息超过2个丛集，但是小于3个丛集。
总之，根据依照本发明第三实施例管理一次写入型光盘上的缺陷信息的方法，每次在更新TDFL时，均在一个丛集的记录单元上记录该TDFL标题和该TDFL。如果TDDS表示最后缺陷管理信息的位置，而且以超过一个丛集进行记录，则利用表示最后缺陷管理信息的位置的信息，可以将重复记录降低到最少，而且可以有效、迅速获得最后缺陷管理信息。
同时，在图8A上，在相应标题具有关于相应TDFL内容的信息时，可以获得缺陷管理信息。或者，在最后TDFL标题包括所有TDFL信息时，可以获得缺陷管理信息。例如，在第二级(stage2)，TDFL标题2仅具有关于TDFL1c和TDFL21的内容的信息，而TDFL标题3仅具有关于TDFL22的内容的信息。因此，通过处理最后缺陷管理信息的位置指出的所有标题的所有项目信息，可以获得与相应缺陷区有关的所有信息。
然而，TDFL标题5包括关于TDFL1c、TDFL21、TDFL22c、TDFL31和TDFL32的全部内容的信息。在这种情况下，仅利用最后TDFL标题的内容，可以获得与整个缺陷区有关的所有信息。
在图8A上，TDFL标题还具有指出当前使用的丛集数量的信息。可以采用用于表示有多少丛集用于表示缺陷管理区列表的标志。因为缺陷管理信息的大小是可变的，所以该标志特别有帮助。此外，不仅可以将用于表示当前使用的丛集数量的信息记录到TDFL标题，而且可以将它记录到TDDS。
图8B示出根据本发明第三实施例利用级表示TDFL指针的变化的表的例子。在第三实施例中，最多需要8个指针，而且将在各级不使用的指针设置为0。图8B的原理与图7B的原理相同，因此，下面不再详细说明它们。
图9A和9B示出根据本发明第四实施例管理一次写入型光盘上的缺陷信息的方法。根据如图9A所示的根据本发明第四实施例管理缺陷信息的方法，在一个丛集上，利用先前的TDFL重复累积记录最后TDFL。然而，对于每个丛集，单独记录TDFL，而且在TDDS上，在每个记录丛集上记录最后TDFL的位置信息。与第三实施例或者上面的其它实施例相比，用于指出TDFL的标题不位于TDFL的引导边缘，而是位于TDDS上。这样，通过将TDFL标题记录到TDDS内，可以防止为了记录TDFL标题信息而采用复杂规则。在该配置中，不需要TDFL标题用于每个丛集，但是可以在每个更新级设置TDFL标题。TDDS通常包括2048字节，TDFL标题约为60字节，而现有TDDS信息通常不超过100字节。因此，当在TDDS上进行记录时，不出现麻烦。
图9B示出根据本发明第四实施例利用级表示TDFL指针的变化的表的例子。在第四实施例中，与第三实施例的方式相同，最多需要8个指针，而且将在各级不使用的指针设置为0。
工业应用
如上所述，公开了一种管理缺陷信息的统一标准。
本技术领域内的技术人员明白，在不脱离本发明实质范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变更。因此，本发明试图涵盖属于所附权利要求及其等同提供的本发明的各种修改和变更。

Claims (15)

1.一种用于管理记录介质的方法，该记录介质包括具有最后缺陷管理区的非数据区并且包括具有用户数据区和空白区的数据区，该方法包括步骤：
(a)在分配给非数据区和空白区至少之一的临时缺陷管理区的一个或多个记录单元上记录用于管理存在于所述数据区之中的缺陷区的缺陷列表，并且在所述临时缺陷管理区上记录所述缺陷列表的位置信息，所述位置信息包含分别指示包含所述缺陷列表的一个或多个记录单元的位置的一个或多个缺陷列表指针；以及
(b)如果一个或多个记录单元中的一记录单元是有缺陷的，则将记载在有缺陷的记录单元中的缺陷列表数据重新记录在所述临时缺陷管理区的另一记录单元上，并且在所述临时缺陷管理区上记录更新的位置信息，所述更新的位置信息包含指示所述另一记录单元的位置的缺陷列表指针，而不是包含指示所述有缺陷的记录单元的位置的缺陷列表指针。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述临时缺陷管理区上的每个记录单元具有一个丛集的大小。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述位置信息包含多个缺陷列表指针并且未被用于一个或多个记录单元的缺陷列表指针被设置为零。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述位置信息被记录在包含所述缺陷列表的一个或多个记录单元中的最后记录单元上。
5.一种管理记录介质的设备，所述记录介质包括具有最后缺陷管理区的非数据区并且包括具有用户数据区和空白区的数据区，所述设备包括：
拾取头，被配置为将数据写到所述记录介质上；和
微处理器，在操作中连接到所述拾取头，被配置为控制所述拾取头以进行：
(a)在分配给非数据区和空白区至少之一的临时缺陷管理区的一个或多个记录单元上记录用于管理存在于所述数据区之中的缺陷区的缺陷列表，并且在所述临时缺陷管理区上记录所述缺陷列表的位置信息，所述位置信息包含分别指示包含所述缺陷列表的一个或多个记录单元的位置的一个或多个缺陷列表指针；以及
(b)如果一个或多个记录单元中的一记录单元是有缺陷的，则将记载在有缺陷的记录单元中的缺陷列表数据重新记录在所述临时缺陷管理区的另一记录单元上，并且在所述临时缺陷管理区上记录更新的位置信息，所述更新的位置信息包含指示所述另一记录单元的位置的缺陷列表指针，而不是包含指示所述有缺陷的记录单元的位置的缺陷列表指针。
6.根据权利要求5所述的设备，其中所述微处理器被配置为控制所述拾取头以在临时缺陷管理区上的每个具有一个丛集的大小的记录单元上记录。
7.根据权利要求6所述的设备，其中所述微处理器被配置为控制所述拾取头以当在所述记录介质上不再进行记录时，将记录在所述临时缺陷管理区中的最后缺陷列表记录在所述最后缺陷管理区上。
8.根据权利要求根据权利要求6或7所述的设备，其中所述位置信息包含多个缺陷列表指针，并且所述微处理器被配置为将未被用于指示一个或多个记录单元的位置的缺陷列表指针设置为零。
9.根据权利要求根据权利要求8所述的设备，其中所述微处理器被配置为控制所述拾取头以将所述位置信息记录在包含所述缺陷列表的一个或多个记录单元中的最后记录单元上。
10.根据权利要求9所述的设备，其中所述位置信息包含总计8个缺陷列表指针。
11.根据权利要求10所述的设备，进一步包括：
伺服单元，被配置为控制所述拾取头以与所述记录介质保持距离并且控制所述拾取头以跟踪所述记录介质的轨道；
数据处理器，被配置为处理将要写到所述记录介质上的数据并且将处理后的数据提供至所述拾取头；以及
存储器，被配置为存储与所述记录介质有关的数据，
其中所述微处理器在操作中连接到以上组件，即，所述拾取头、所述伺服单元、所述数据处理器和所述存储器，并且被配置为控制所述组件以便所述拾取头在所述临时缺陷管理区上的一个或多个记录单元上记录所述缺陷列表和所述位置信息。
12.一种用于管理记录介质的方法，该记录介质包括具有最后缺陷管理区的非数据区并且包括具有用户数据区和空白区的数据区，该方法包括步骤：
(a)从分配给非数据区和空白区至少之一的临时缺陷管理区再现缺陷列表的位置信息，所述位置信息包含指示包含所述临时缺陷管理区上的缺陷列表的、没有缺陷的各个记录单元的位置的一个或多个缺陷列表指针；
(b)基于所述位置信息从所述临时缺陷管理区的所述各个记录单元再现所述缺陷列表。
13.根据权利要求12所述的方法，进一步包括步骤：
(c)如果包含所述缺陷列表的记录单元变成有缺陷的并且所述有缺陷的记录单元被替换到所述临时缺陷管理区的另一记录单元上，则更新位置信息，以便所述更新的位置信息包含指示所述另一记录单元的位置的缺陷列表指针，而不是包含指示替换的位置的缺陷列表指针。
14.一种管理记录介质的设备，所述记录介质包括具有最后缺陷管理区的非数据区并且包括具有用户数据区和空白区的数据区，所述设备包括：
拾取头，被配置为将数据写到所述记录介质上；和
微处理器，在操作中连接到所述拾取头，被配置为控制所述拾取头以进行：
(a)从分配给非数据区和空白区至少之一的临时缺陷管理区再现缺陷列表的位置信息，所述位置信息包含指示包含所述临时缺陷管理区上的缺陷列表的、没有缺陷的各个记录单元的位置的一个或多个缺陷列表指针；
(b)基于所述位置信息从所述临时缺陷管理区的所述各个记录单元再现所述缺陷列表。
15.根据权利要求14所述的设备，其中如果包含所述缺陷列表的记录单元变成有缺陷的并且所述有缺陷的记录单元被替换到所述临时缺陷管理区的另一记录单元上，则所述微处理器被配置为更新位置信息，以便所述更新的位置信息包含指示所述另一记录单元的位置的缺陷列表指针，而不是包含指示替换的位置的缺陷列表指针。
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