CN102323724B - 液浸曝光装置及其制造方法、曝光装置、器件制造方法 - Google Patents

液浸曝光装置及其制造方法、曝光装置、器件制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102323724B
CN102323724B CN201110268975.9A CN201110268975A CN102323724B CN 102323724 B CN102323724 B CN 102323724B CN 201110268975 A CN201110268975 A CN 201110268975A CN 102323724 B CN102323724 B CN 102323724B
Authority
CN
China
Prior art keywords
liquid
substrate
exposure
supply
abnormal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201110268975.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102323724A (zh
Inventor
马込伸贵
小林直行
榊原康之
高岩宏明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Publication of CN102323724A publication Critical patent/CN102323724A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102323724B publication Critical patent/CN102323724B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70341Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70525Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • G03F7/70725Stages control
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/709Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation

Abstract

本发明提供曝光装置、器件制造方法、及曝光装置的控制方法。曝光装置(EX)通过投影光学系(PL)和液体(1)将图形像投影到基板(P)上,从而对基板(P)进行曝光。曝光装置(EX)具有将液体(1)供给到投影光学系统(PL)与基板(P)间的液体供给机构(10)。液体供给机构(10)在检测到异常时停止液体(1)的供给。可抑制由于形成液浸区域的液体的泄漏使基板周边装置·构件受到的影响,良好地进行曝光处理。

Description

液浸曝光装置及其制造方法、曝光装置、器件制造方法
本申请是申请号为200480021856.1、申请日为2004年7月26日、发明名称为“曝光装置、器件制造方法、及曝光装置的控制方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种通过投影光学系和液体对基板进行曝光的曝光装置、使用该曝光装置的器件制造方法、及曝光装置的控制方法。
背景技术
半导体器件或液晶显示器件通过将形成于掩模上的图形转印到感光性基板上的所谓的光刻方法制造。该光刻工序使用的曝光装置具有支承掩模的掩模台和支承基板的基板台,一边依次移动掩模台和基板台,一边通过投影光学系将掩模的图形转印到基板。近年来,为了应对器件图形的更进一步的高集成化,希望获得投影光学系的更高的析像度。使用的曝光波长越短、投影光学系的数值孔径越大时,投影光学系的析像度越高。为此,曝光装置使用的曝光波长逐年变短,投影光学系的数值孔径也增大。现在主流的曝光波长为KrF受激准分子激光的248nm,但更短波长的ArF受激准分子激光的193nm也正得到实用化。另外,当进行曝光时,与析像度同样,焦深(DOF)也变得重要。析像度R和焦深δ分别用下式表示。
R=k1·λ/NA      …(1)
δ=±k2·λ/NA2  …(2)
其中,λ为曝光波长,NA为投影光学系的数值孔径,k1、k2为过程系数。从(1)式、(2)式可知,当为了提高析像度R而减小曝光波长λ、增大数值孔径NA时,焦深δ变窄。
当焦深δ变得过窄时,难以使基板表面与投影光学系的像面一致,存在曝光动作时的余量不足的危险。因此,作为实质上减小曝光波长而且扩大焦深的方法,例如提出有公开于国际公开第99/49504号公报的液浸法。该液浸法用水或有机溶剂等液体充满投影光学系的下面与基板表面之间,形成液浸区域,利用液体中的曝光用光的波长为空气中的1/n(n为液体的折射率,通常为1.2~1.6左右)这一点,提高析像度,同时,将焦深扩大为约n倍。
可是,在液浸曝光装置中,如曝光用的液体泄漏或浸入,则存在由该液体引起装置·构件的故障、漏电或生锈等问题的可能性。另外,不能良好地进行曝光处理。
发明内容
本发明就是鉴于这样的情况而作出的,其目的在于提供一种在使用液浸法的场合也可良好地进行曝光处理的曝光装置、器件制造方法、及曝光装置的控制方法。另外,可提供能够减小曝光用的液体的泄漏或浸入产生的影响、良好地进行曝光处理的曝光装置、器件制造方法、及曝光装置的控制方法。
为了解决上述问题,本发明采用与实施形式所示图1~图22对应的以下构成。但是,各部分采用的带括弧的符号不过用于例示该部分,不限定各部分。
本发明的第1形式的曝光装置(EX)通过液体(1)将曝光用光(EL)照射到基板(P),对基板(P)进行曝光;其中:具有投影光学系(PL)和液体供给机构(10);
该投影光学系(PL)将图形像投影到基板(P)上;
该液体供给机构(10)将液体(1)供给到投影光学系(PL)与基板(P)之间;
液体供给机构(10)在检测到异常或故障时停止液体(1)的供给。
按照本发明,当检测到异常时,停止由液体供给机构进行的液体供给,所以,可防止液体的泄漏或浸入或其损失的扩大。因此,可防止液体造成的周边装置·构件的故障、生锈或基板所处环境的变动的问题的发生,或降低这样的问题的影响。
本发明的第2形式的曝光装置(EX)通过液体(1)将曝光用光(EL)照射到基板(P),对基板(P)进行曝光;其中具有:
通过液体(1)将图形像投影到基板(P)上的投影光学系(PL)和
电气设备(47、48);
为了防止液体(1)的附着引起的漏电,当检测到异常时,停止向电气设备(47、48)供电。
按照本发明,检测到异常时,停止向电气设备供电,防止液体的附着导致的漏电,所以,可防止漏电对周边装置的影响和电气设备自身的故障等问题的发生,或降低由此造成的损失。
本发明的第3形式的曝光装置(EX)通过液体(1)将曝光用光(EL)照射到基板(P),对基板(P)进行曝光;其中具有:
通过液体(1)将图形像投影到基板(P)上的投影光学系(PL)和
流通到吸引系(25)的吸气口(42A、66);
为了防止液体(1)的流入,当检测到异常时,停止从吸气口(42A、66)的吸气。
曝光装置例如具有用于相对导向面非接触地支承台装置的空气轴承(气体轴承)的吸气口以及吸附保持掩模和基板的保持装置的吸气口等各种吸气口,但是,当液体流入到这些吸气口时,引起与这些吸气口流通的真空泵等真空系(吸引系)的故障。按照本发明,当检测到异常时,停止从吸气口吸气,所以,可防止液体通过吸气口流入到真空系的问题。在本发明的第1~第3形式中,“检测出异常”意味着检测到对通过液体的基板曝光即液浸曝光产生不良影响的状况,不仅包含检测到与液体的流通相关的异常,而且包含检测到关于保持着基板进行移动的台的动作的异常等,另外,也包含检测到与曝光装置连接的相关装置的异常。例如,也包含检测到作为相关装置的液体制造装置中的异常信号(警报)的场合,该液体制造装置制造供给到曝光装置的液体。
本发明的第4形式的曝光装置(EX)通过液体(1)将曝光用光(EL)照射到基板(P),对基板(P)进行曝光;其中:具有
通过液体(1)将图形像投影到基板(P)上的投影光学系(PL),
流通到吸引系(25、70、74)的吸气口(21、61、66),
分离从吸引口(21、61、66)吸入的液体(1)与气体的分离器(22、71、75),及
使由分离器(22、71、75)分离的气体干燥的干燥器(23、72、76)。
例如当从液体回收机构的液体吸引口(回收口)使用真空系吸引液体时,如回收的液体成分流入到真空系(吸引系),则引起该真空系的故障等。按照本发明,用分离器对从吸引口吸入的液体和气体进行气液分离,然后用干燥器对由分离器分离了的气体进行干燥,从而可防止液体成分(包含湿的气体)流入到真空系的问题。因此,可防止真空系(吸引系)的故障等问题的发生,同时,可长期间良好地维持由液体回收机构进行的液体回收动作,可防止液体回收机构的回收动作不能进行而导致的液体的泄漏。
本发明的第5形式的曝光装置(EX)通过液体(1)将曝光用光(EL)照射到基板(P),对基板(P)进行曝光;其中:具有基板台(PST)、投影光学系(PL)、及控制装置(CONT);
该基板台(PST)可保持着基板(P)移动,在其上具有第1区域(LA1);
该投影光学系(PL)将图形像投影到基板(P),具有第2区域(LA2),该第2区域(LA2)包含像面侧前端部分(2a),与第1区域(LA1)相对,在与第1区域(LA1)的至少一部分间保持液体(1);
该控制装置(CONT)相应于第1区域(LA1)与第2区域(LA2)的位置关系,限制基板台(PST)的移动。
按照本发明,在将液体保持于第1区域与第2区域之间的构成的场合,例如不成为在第1区域与第2区域之间保持液体的位置关系地限制基板台的移动,从而可防止液体的泄漏等问题。
本发明的第6形式的曝光装置(EX)通过液体(1)将曝光用光(EL)照射到基板(P),对基板(P)进行曝光;其中:具有投影光学系(PL)、基板台(PST)、底座构件(41)、第1检测器(80C)、第2检测器(80D)、及控制装置(CONT);
该投影光学系(PL)通过液体(1)将图形像投影到基板(P)上;
该基板台(PST)可保持着基板(P)移动;
该底座构件(41)可移动地支承基板台(PST);
该第1检测器(80C)设于基板台(PST),检测液体(1);
该第2检测器(80D)设于底座构件(41),检测液体(1);
该控制装置(CONT)相应于第1检测器(80C)和第2检测器(80D)的检测结果,控制曝光装置的动作。
按照本发明,相应于相互设置于不同位置的第1检测器和第2检测器的检测结果控制曝光装置的动作,所以,可采取与泄漏的液体的扩散范围相应的适当的措施或对策。因此,可缩短液体泄漏发生后的恢复作业所需时间,可防止曝光装置的运行率的下降。例如,当设于基板台的第1检测器检测到液体的存在时,控制装置判断泄漏的液体的扩散范围为较窄的范围,例如停止由液体供给机构进行的液体的供给等,进行与该范围相应的适当的处置。这样,可将恢复作业所需的时间抑制到最小限度。另一方面,当设于底座构件的第2检测器检测到液体的存在时,判断泄漏的液体的扩散范围为较宽的区域,控制装置停止例如对基板台进行驱动的驱动装置等电气设备的供电。这样,即使泄漏的液体扩散到较宽的范围,也可防止电气设备的漏电和故障等损害。
本发明的第7形式的曝光装置(EX)通过液体(1)将曝光用光(EL)照射到基板(P),对基板(P)进行曝光;其中:具有投影光学系(PL)、液体供给机构(10)、基板台(PST)、及控制装置(CONT);
该投影光学系(PL)将图形像投影到基板上;
该液体供给机构(10)将液体(1)供给到投影光学系(PL)与基板(P)之间;
该基板台(PST)可保持着基板(P)移动;
该控制装置(CONT)在液体供给机构(10)供给液体(1)的期间,将基板台(PST)的移动范围限制于第1范围(SR1),在液体供给机构(10)停止液体(1)的供给的期间,将基板台(PST)的移动范围限制到比第1范围(SR1)宽的第2范围(SR2)。
按照本发明,在液体供给机构供给液体的期间,将基板台的移动范围限制于例如可将液体保持于基板台上的第1范围,从而可防止液体的泄漏等问题。另一方面,在液体供给机构停止液体的供给的期间,通过将基板台的移动范围设为比第1范围宽的第2范围,从而可顺利地进行将基板台移动到基板交换位置等基板台相关的预定动作。
本发明的第8形式的曝光装置通过液体将曝光用光照射到基板,对基板进行曝光;其中:具有投影光学系(PL)、液体供给机构(10)、基板台(PST)、及控制装置(CONT);
该投影光学系(PL)将图形像投影到基板上;
该液体供给机构(10)将液体供给到投影光学系的像面侧;
该基板台(PST)可在投影光学系的像面侧移动;
该控制装置(CONT)控制台的移动范围;
该控制装置将在投影光学系与台之间保持有液体时的台的移动范围限制为比在投影光学系与台之间未保持有液体时的台的移动范围窄的范围。
按照本发明的第8形式,例如在台上的基板的曝光过程中,可持续地在投影光学系与台之间良好地保持液体,在未在投影光学系与台之间保持液体的场合,可顺利地进行基板交换等其它动作。
本发明的第9形式,提供一种器件制造方法,该器件制造方法的特征在于,使用上述形式的曝光装置(EX)。按照本发明,当检测出异常时,停止预定的装置的驱动,所以,可防止装置的故障等问题的发生,可在良好的装置环境下进行器件制造。
本发明第10形式,提供一种曝光装置的控制方法,该曝光装置通过液体将曝光用光照射到基板上对基板进行曝光;该曝光装置由包含投影光学系(PL)、液体供给机构(10)、电气设备(47、48)、及设备(42、PH)的构成要素构成,而且与外部相关装置连接;该投影光学系(PL)将图形像投影到基板上;该液体供给机构(10)将液体(1)供给到投影光学系的像面侧;该设备(47、48)以电能作为驱动力;该设备(42、PH)具有吸引气体的功能;其中:包含这样的步骤,即,
将液体供给到投影光学系的像面侧;
接收从上述构成要素和外部相关装置的至少一个通知异常的信号;
根据上述信号,限制液体供给机构(10)、以电能为驱动力的设备(47、48)、及具有吸引气体的功能的设备(42、PH)的至少一种动作。
按照本发明的曝光装置的控制方法,在曝光装置内部或曝光装置外部的相关装置产生异常,在通知该异常为对基板的曝光等产生影响的那样的异常的信号的场合,限制液体供给机构(10)、以电能为驱动力的设备(47、48)、及具有吸引气体的功能的设备(42、PH)的至少一种动作,从而可防止液体泄漏、由其引起的漏电、吸引装置产生的液体的吸引等。
附图说明
图1为示出本发明曝光装置的第1实施形式的示意构成图。
图2为示出基板台的透视图。
图3为示出投影光学系的前端部分近旁、液体供给机构、及液体回收机构的示意构成图。
图4为示出投影光学系的投影区域与液体供给机构和液体回收机构的位置关系的平面图。
图5为用于说明设于基板台的回收装置的截面示意图。
图6为用于说明本发明曝光装置的第2实施形式的具有光纤的检测器的示意图。
图7为用于说明本发明曝光装置的第2实施形式的具有光纤的检测器的示意图。
图8为示出具有光纤的检测器的配置例的侧面图。
图9为图8的平面图。
图10为示出具有光纤的检测器的另一配置例的侧面图。
图11为示出具有光纤的检测器的另一实施例的平面图。
图12为示出具有光纤的检测器的另一配置例的透视图。
图13为示出具有光纤的检测器的另一实施例的示意图。
图14为用于说明本发明曝光装置的第3实施形式的具有棱镜的检测器的示意图。
图15为用于说明本发明曝光装置的第3实施形式的具有棱镜的检测器的示意图。
图16为示出具有棱镜的检测器的配置例的平面图。
图17为示出具有棱镜的检测器的另一使用例的图。
图18为示出具有棱镜的检测器的另一配置例的示意构成图。
图19的(a)和(b)为示出具有光纤的检测器的另一实施例的图。
图20的(a)和(b)为用于说明本发明另一实施形式的图。
图21的(a)和(b)为用于说明本发明另一实施形式的图。
图22为示出半导体器件的制造工序的一例的流程图。
图23为示出根据来自本发明曝光装置的各种检测器的检测信号由控制装置控制的曝光装置外部的相关装置和曝光装置内部的诸装置与控制装置的连接关系的框图。
图24为示出本发明曝光装置的控制装置的控制内容的流程图。
具体实施方式
下面参照附图说明本发明的曝光装置的实施形式,但本发明不限于此。
图1为示出本发明曝光装置的第1实施形式的示意构成图。在图1中,曝光装置EX具有对掩模M进行支承的掩模台MST,对基板P进行支承的基板台PST,用曝光用光EL照明支承于掩模台MST的掩模M的照明光学系IL,将由曝光用光EL照明的掩模M的图形例投影曝光到由基板台PST支承的基板P的投影光学系PL,及统一控制曝光装置EX整体的动作的控制装置CONT。在控制装置CONT连接当关于曝光处理发生异常时发出警报的警报装置K。另外,曝光装置EX具有对掩模台MST和投影光学系PL进行支承的主柱3。主柱3设置到水平地载置于地板面的底座板4。在主柱3形成朝内侧突出的上侧台阶部分3A和下侧台阶部分3B。控制装置如图23所示那样,与构成曝光装置的各种构成要素和曝光装置的外部的相关装置连接,控制装置的控制内容在后面说明。
为了实质上缩短曝光波长,提高析像度,同时,实质上增大焦深,本实施形式的曝光装置EX为适用液浸法的液浸曝光装置,具有将液体1供给到基板P上的液体供给机构10和回收基板P上的液体1的液体回收机构20。曝光装置EX在至少将掩模M转印到基板P上的期间,由从液体供给机构10供给的液体1在包含投影光学系PL的投影区域AR1的基板P上的一部分形成液浸区域AR2。具体地说,曝光装置EX的投影光学系PL的前端部分(终端部分)的光学元件2与基板P的表面间充满液体1,通过该投影光学系PL与基板P间的液体1和投影光学系PL,将掩模M的图形像投影到基板P上,从而对该基板P进行曝光。
在本实施形式中,以使用扫描型曝光装置(所谓步进扫描曝光装置)作为曝光装置EX的场合为例进行说明,该扫描型曝光装置使掩模M与基板P朝与扫描方向上的相互不同的方向(相反方向)同步移动,同时,将形成于掩模M的图形曝光到基板P。在以下的说明中,设与投影光学系PL的光轴AX一致的方向为Z轴方向,在与Z轴垂直的平面内掩模M与基板P的同步移动方向(扫描方向)为X轴方向,与Z轴方向和X轴方向垂直的方向(非扫描方向)为Y轴方向。另外,设绕X轴、Y轴、及Z轴的回转(倾斜)方向分别为θX、θY、θZ方向。这里所说的“基板”包含在半导体晶片上涂覆作为感光性材料的光刻胶获得的板,“掩模”包含形成有要缩小投影于基板上的器件图形的标线片。
照明光学系IL由固定于主柱3的上部的支柱5支承。照明光学系IL用曝光用光EL对支承于掩模台MST的掩模M进行照明,具有曝光用光源、使从曝光用光源出射的光束的照度均匀化的光学积分仪、对来自光学积分仪的曝光用光EL进行聚光的聚光透镜、中继透镜系、及将曝光用光EL在掩模M上的照明区域设定为狭缝状的可变视野光阑等。掩模M上的预定的照明区域由IL按均匀的照度分布的曝光用光EL照明。作为从照明光学系IL出射的曝光用光EL,例如可使用从水银灯出射的紫外区域的辉线(g线、h线、i线)和KrF受激准分子激光(波长248nm)等远紫外光(DUV光)、ArF受激准分子激光(波长193nm)和F2激光(157nm)等真空紫外光(VUV光)等。在本实施形式中,使用ArF受激准分子激光。
在本实施形式中,作为液体1使用纯水。纯水不仅可由ArF受激准分子激光透过,而且可由例如从水银灯出射的紫外区域的辉线(g线、h线、i线)和KrF受激准分子激光(波长248nm)等远紫外光(DUV光)透过。
掩模台MST用于支承掩模M,在其中央部分具有使掩模M的图形像通过的开口部分34A。在主柱3的上侧台阶部分3A通过防振单元6支承掩模底板31。在掩模底板31的中央部分也形成使掩模M的图形像通过的开口部分34B。在掩模台MST的下面设置多个作为非接触轴承的气体轴承(空气轴承)32。掩模台MST由气体轴承32非接触地支承于掩模底板31的上面(导向面)31A,由线性电动机等掩模台驱动机构,可使其在与投影光学系PL的光轴AX垂直的平面内即XY平面内进行2维移动和朝θZ方向进行微小回转。在掩模台MST上设置可与掩模台MST一起相对投影光学系PL移动的移动镜35。另外,在与移动镜35相对的位置设置激光干涉仪36。掩模台MST上的掩模M的2维方向的位置和θZ方向的回转角(有些场合也包含θX、θY方向的回转角)由激光干涉仪36实时地进行测量,测量结果输出到控制装置CONT。控制装置CONT根据激光干涉仪36的检测结果驱动掩模台驱动机构,从而控制支承于掩模台MST的掩模M的位置。
投影光学系PL用于按预定的投影倍率β将掩模M的图形投影到基板P,由包含设于基板P侧的前端部分的光学元件(透镜)2的多个光学元件(透镜)构成,这些光学元件由镜筒PK支承。在本实施形式中,投影光学系PL为投影倍率β例如为1/4或1/5的缩小系。投影光学系PL也可为等倍系或放大系。在镜筒PK的外周部分设有凸缘部分FLG。另外,在主柱3的下侧台阶部分3B通过防振单元7支承镜筒固定板8。通过将投影光学系PL的凸缘部分FLG接合于镜筒固定板8,从而将投影光学系PL支承于镜筒固定板8。
本实施形式的投影光学系PL的前端部分的光学元件2可相对镜筒PK装拆(交换)地设置。液浸区域AR2的液体1接触于光学元件2。光学元件2用萤石形成。萤石与水的亲和性高,所以,可使液体1紧密接触于光学元件2的液体接触面2a的大体整个面。即,在本实施形式中,供给与光学元件2的液体接触面2a的亲和性高的液体(水)1,所以,光学元件2的液体接触面2a与液体1的紧密接触性高,可用液体1确实地充满光学元件2与基板P间的光路。光学元件2也可为与水的亲和性高的石英。另外,也可对光学元件2的液体接触面2a实施亲水化(亲液化)处理,进一步提高与液体1的亲和性。
围住光学元件2地设置板构件2P。板构件2P的与基板P相对的面(即下面)为平坦面。光学元件2的下面(液体接触面)2a也成为平坦面,板构件2P的下面与光学元件2的下面大体处于相同平面。这样,可在宽范围良好地形成液浸区域AR2。另外,在板构件2P的下面的下面,与光学元件2同样地实施表面处理(亲液化处理)。
基板台(可动构件)PST通过基板托盘(基板保持构件)PH可吸附保持着基板P进行移动地设置,在其下面设置作为多个非接触轴承的气体轴承(空气轴承)42。在底座板4上通过防振单元9支承基板底板41。空气轴承42具有吹出口42B和吸气口42A,该吹出口42B相对基板底板41的上面(导向面)41A吹出气体(空气),该吸气口42A吸引基板台PST下面(轴承面)与导向面41A间的气体,通过来自吹出口42B的气体的吹出产生的反弹力和由吸气口42A产生的吸引力的平衡,在基板台PST下面与导向面41A之间保持一定的间隙。即,基板台PST由空气轴承42相对基板底板(底座构件)41的上面(导向面)41A进行非接触支承,由线性电动机等基板台驱动机构,可在与投影光学系PL的光轴AX垂直的平面内即XY平面内进行2维移动和朝θZ方向进行微小回转。另外,基板托盘PH在Z轴方向、θX方向、及θY方向也可移动地设置。基板台驱动机构由控制装置CONT控制。即,基板托盘PH控制基板P的焦点位置(Z位置)及倾斜角,按自动调焦方式和自动调平方式使基板P的表面与投影光学系PL的像面一致,进行基板P的X轴方向和Y轴方向的定位。
在基板台PST(基板托盘PH)上,设置可与基板台PST一起相对投影光学系PL移动的移动镜45。另外,在与移动镜45相对的位置设置激光干涉仪46。基板台PST上的基板P的2维方向的位置和回转角由激光干涉仪46进行实时测量,测量结果被输出到控制装置CONT。控制装置CONT根据激光干涉仪46的测量结果,驱动包含线性电动机机的基板台驱动机构,从而进行支承于基板台PST的基板P的定位。
另外,在基板台PST(基板托盘PH)上围住基板P地设置辅助板43(参照图2)。辅助板43具有与保持于基板托盘PH的基板P的表面大体相同的高度的平面。在对基板P的边缘区域进行曝光的场合,也可由辅助板43将液体1保持于投影光学系PL的下面。
另外,在基板托盘PH中的辅助板43的外侧设置用于回收流出到基板P的外侧的液体1的回收装置60的回收口(吸引口)61。回收口61为围住辅助板43形成的环状的槽部,在其内部配置由海绵状构件或多孔质体等构成的液体吸收构件62。
图2为示出基板台PST和驱动该基板台PST的基板台驱动机构的示意透视图。在图2中,基板台PST由X导向台44可朝X轴方向自由移动地支承。基板台PST可由X导向台44引导,同时,由X线性电动机47朝X轴方向按预定行程移动。X线性电动机47具有在X导向台44沿X轴方向延伸设置的定子47A和对应于该定子47A设置、固定于基板台PST的可动子47B。可动子47B相对定子47A进行驱动,从而使基板台PST朝X轴方向移动。在这里,基板台PST通过磁性导向机构非接触地支承,该磁性导向机构由相对X导向台44朝Z轴方向维持预定量的间隙的磁铁和执行元件构成。基板台PST按非接触支承于X导向台44的状态由X线性电动机47朝X轴方向移动。
在X导向台44的长度方向两端设有1对Y线性电动机48,该Y线性电动机48可使该X导向台44与基板台PST一起朝Y轴方向移动。Y线性电动机48分别具有设于X导向台44的长度方向两端的可动子48B和对应于该可动子48B设置的定子48A。通过可动子48B相对定子48A进行驱动,从而使X导向台44与基板台PST一起朝Y轴方向移动。另外,通过分别调整Y线性电动机48的驱动,从而可使X导向台44也朝θZ方向回转移动。因此,可由该Y线性电动机48使基板台PST与X导向台44大体一体地朝Y轴方向和θZ方向移动。
在基板底板41的X轴方向两侧,分别设有导向部分49,导向部分49在正面视图中形成为L字状,对X导向台44朝Y轴方向的移动进行引导。导向部分49支承于底座板4(图1)上。在本实施形式中,在导向部分49的平坦部分49B设有Y线性电动机48的定子48A。另一方面,在X导向台44下面的长度方向两端部分别设有凹形的被导向构件50。导向部分49与被导向构件50接合,导向部分49的上面(导向面)49A与被导向构件50的内面相对地设置。在导向部分49的导向面49A设有作为非接触轴承的气体轴承(空气轴承)51,X导向台44相对导向面49A非接触地受到支承。
另外,在Y线性电动机48的定子48A与导向部分49的平坦部分49B之间设置作为非接触轴承的气体轴承(空气轴承)52,定子48A由空气轴承52相对导向部分49的平坦部分49B非接触地支承。为此,按照动量守恒定律,相应于X导向台44和基板台PST的+Y方向(-Y)方向的移动,定子48A朝-Y方向(+Y方向)移动。由该定子48A的移动使X导向台44和基板台PST的移动的反力被抵消,同时,可防止重心位置的变化。即,定子48A具有作为所谓平衡质量的功能。
图3为示出液体供给机构10、液体回收机构20、及投影光学系PL前端部分近旁的放大图。液体供给机构10用于将液体1供给到投影光学系PL与基板P之间,具有可送出液体1的液体供给部分11和通过供给管15连接到液体供给部分11、将从该液体供给部分11送出的液体1供给到基板P上的供给管嘴14。供给管嘴14接近基板P的表面配置。液体供给部分11具有收容液体1的箱和加压泵等,通过供给管15和供给管嘴14将液体1供给到基板P上。液体供给部分11的液体供给动作由控制装置CONT控制,控制装置CONT可控制由液体供给部分11对于基板P上的每单位时间的液体供给量。
在供给管15的途中,设有对从液体供给部分11供给到基板P上的液体1的量(每单位时间的液体供给量)进行测量的流量计12。流量计12时常对供给到基板P上的液体1的量进行监视,将其测量结果输出到控制装置CONT。另外,在供给管15中的流量计12与供给管嘴14之间,设有对供给管15的流路进行开闭的阀13。阀13的开闭动作由控制装置CONT进行控制。本实施形式的阀13在例如通过停电等使曝光装置EX(控制装置CONT)的驱动源(电源)停止的场合,成为机械地闭塞供给管15的流路的常闭方式。
液体回收机构20用于回收由液体供给机构10供给的基板P上的液体1,具有接近基板P的表面配置的回收管嘴(吸引口)21和通过回收管24连接于回收管嘴21的真空系(吸引系)25。真空系25包含真空泵,其动作由控制装置CONT控制。通过真空系25驱动,基板P上的液体1与其周围的气体(空气)一起通过回收管嘴21回收。作为真空系25,也可不在曝光装置设置真空泵,而是使用配置曝光装置EX的车间的真空系。
在回收管24的途中,设有分离从回收管嘴21吸入的液体1和气体的气液分离器22。在这里,如上述那样,从回收管嘴21与基板P上的液体一起回收其周围的气体。气液分离器22分离从回收管嘴21回收的液体1和气体。作为气液分离器22,例如可采用重力分离方式的装置或离心分离方式的装置等;该重力分离方式的装置由重力作用通过上述孔部使液体落下,从而分离液体和气体;该离心分离方式的装置使用离心力分离回收的液体和气体。真空系25吸引由气液分离器22分离的气体。
在回收管24中的真空系25与气液分离器22之间,设有使由气液分离器22分离的气体干燥的干燥器23。即使在由气液分离器22分离的气体中混有液体成分,通过由干燥器23使气体干燥,使该干燥了的气体流入到真空系25,从而可防止液体成分流入导致的真空系25的故障等问题的发生。作为干燥器23,可采用冷却器那样的方式的装置或例如加热器那样的方式的装置,该冷却器那样的方式的装置通过将从气液分离器22供给的气体(混有液体成分的气体)冷却到该液体的露点或其以下,从而将液体成分除去,该加热器那样的方式的装置通过加热到该液体的沸点或其以上,从而将液体成分除去。
另一方面,由气液分离器22分离的液体1通过第2回收管26回收到液体回收部分28。液体回收部分28具有对回收的液体1进行收容的箱等。回收到液体回收部分28的液体1例如废弃,或清洁化后返回到液体供给部分11等进行再利用。另外,在第2回收管26的途中,在气液分离器22与液体回收部分28之间设有对回收的液体1的量(每单位时间的液体回收量)进行测量的流量计27。流量计27时常监视从基板P回收的液体1的量,将其测量结果输出到控制装置CONT。如上述那样,基板P上的液体1和其周围的气体回收从回收管嘴21回收,但在气液分离器22分离液体1和气体,仅将液体成分送到流量计27,这样,流量计27可正确地测量从基板P回收的液体1的量。
另外,曝光装置EX具有检测支承于基板台PST的基板P的表面的位置的聚焦(focus)检测系56。聚焦检测系56具有通过液体1从斜上方将检测用光束投射到基板P上的投光部分56A和接受由基板P反射的上述检测用光束的反射光的受光部分56B。聚焦检测系56(受光部分56B)的受光结果输出到控制装置CONT。控制装置CONT根据聚焦检测系56的检测结果可检测出基板P表面的Z轴方向的位置信息。另外,通过从投光部分56A投射多个检测用光束,从而可检测出基板P的θX和θY方向的倾斜信息。
不限于基板P,聚焦检测系56也可检测配置到投影光学系PL的像面侧的物体的表面位置信息。另外,聚焦检测系56通过液体1检测物体(基板P)的表面位置信息,但在液浸区域AR2的外侧,也可采用不通过液体1地检测物体(基板P)的表面位置信息的聚焦检测系。
如图1的一部分截面图所示那样,液体供给机构10和液体回收机构20相对镜筒固定板8分离地被支承。这样,由液体供给机构10和液体回收机构20产生的振动不会通过镜筒固定板8传递到投影光学系PL。
图4为示出液体供给机构10和液体回收机构20与投影光学系PL的投影区域AR1的位置关系的平面图。投影光学系PL的投影区域AR1成为在Y轴方向细长的矩形(狭缝状),沿X轴方向夹住其投影区域AR1地在+X侧配置3个供给管嘴14A~14C,在-X侧配置2个回收管嘴21A、21B。供给管嘴14A~14C通过供给管15连接到液体供给部分11,回收管嘴21A、21B通过回收管24连接到真空系25。另外,在使供给管脚14A~14C和回收管嘴21A、21B大体回转180°的位置,配置供给管嘴14A′~14C′、回收管嘴21A′、21B′。供给管嘴14A~14C与回收管嘴21A′、21B′沿Y轴方向交替排列,供给管嘴14A′~14C′与回收管嘴21A、21B沿Y轴方向交替排列,供给管嘴14A′~14C′通过供给管15′连接到液体供给部分11,回收管嘴21A′、21B′通过回收管24′连接到真空系25。在供给管15′的途中,与供给管15同样,设有流量计12′和阀13′。另外,在回收管24′的途中,与回收管24同样,设有气液分离器22′和干燥器23′。
图5为示出用于回收流出到基板P的外侧的液体1的回收装置60的图。在图5中,回收装置60具有在基板托盘PH上围住辅助板43地形成的回收口(吸引口)61和配置于回收口61、由海绵状构件或多孔质陶瓷等多孔质体构成的液体吸收构件62。液体吸收构件62为具有预定宽度的环状构件,可将液体1保持为预定量。在基板托盘PH的内部形成与回收口61连通的流路63,配置于回收口61的液体吸收构件62的底部接触于流路63。另外,在基板托盘PH上的基板P与辅助板43间设有多个液体回收孔64。这些液体回收孔64也连接于流路63。
在保持基板P的基板托盘(基板保持构件)PH的上面设有用于支承基板P的背面的多个突出部65。在这些突出部65分别设有用于吸附保持基板P的吸附孔66。吸附孔66分别连接到形成于基板托盘PH内部的管路67。
分别连接于回收口61和液体回收孔64的流路63连接到设于基板托盘PH外部的管路68的一端部。另一方面,管路68的另一端部连接于包含真空泵的真空系70。在管路68的途中设有气液分离器71,在气液分离器71与真空系70之间设有干燥器72。通过真空系70的驱动,液体1与其周围的气体一起从回收口61回收。另外,即使液体1从基板P与辅助板43间浸入,绕到基板P的背面侧,该液体也与周围气体一起从液体回收孔64回收。在真空系70,流入由气液分离器71分离、由干燥器72干燥了的气体。另一方面,由气液分离器71分离的液体1流入到具有可收容液体1的箱等的液体回收部73。回收到液体回收部73的液体1例如被废弃或清洁化,返回到液体供给部分11等,得到再利用。
另外,连接于吸附孔66的管路67连接到设于基板托盘PH外部的管路69的一端部。另一方面,管路69的另一端部连接到真空系74,该真空系74包含设于基板托盘PH外部的真空泵。通过真空系74的驱动,支承于突出部65的基板P由吸附孔66进行吸附保持。在管路69的途中设有气液分离器75,在气液分离器75与真空系74间设有干燥器76。另外,在气液分离器75连接具有可收容液体1的箱等的液体回收部73。
下面,参照图1等说明使用上述曝光装置EX将掩模M的图形曝光到基板P的顺序。
将掩模M装载到掩模台MST,将基板P装载到基板台PST,然后,控制装置CONT驱动液体供给机构10的液体供给部分11,通过供给管15和供给管嘴14在每单位时间将预定量的液体1供给到基板P上。另外,控制装置CONT随着由液体供给机构10供给液体1,驱动液体回收机构20的真空系25,通过回收管嘴21和回收管24在每单位时间回收预定量的液体1。这样,在投影光学系PL的前端部的光学元件2与基板P之间形成液体1的液浸区域AR2。在这里,为了形成液浸区域AR2,控制装置CONT分别控制液体供给机构10和液体回收机构20,使相对基板P上的液体供给量与从基板P上的液体回收量大体为相同量。然后,控制装置CONT由照明光学系IL对掩模M进行曝光用光EL的照明,将掩模M的图形像通过投影光学系PL和液体1投影到基板P。
进行扫描曝光时,在投影区域AR1投影掩模M的一部分的图形像,相对投影光学系PL朝-X方向(或+X方向)按速度V移动掩模M,与此同步,通过基板台PST使基板P朝+X方向(或-X方向)按速度β·V(β为投影倍率)移动。在对1个曝光区域(shot area)进行曝光后,通过基板P的步进,将下一曝光区域移动到扫描开始位置,以下,按分步扫描方式依次对各曝光区域进行曝光处理。在本实施形式中,使液体1平行于基板P的移动方向朝与基板P的移动方向相同的方向流动地设定。即,在使基板P朝用箭头Xa(参照图4)所示扫描方向(-X方向)移动基板P进行扫描曝光的场合,使用供给管15、供给管嘴14A~14C、回收管24、及回收管嘴21A、21B,由液体供给机构10和液体回收机构20进行液体1的供给和回收。即,当基板P朝-X方向移动时,从供给管嘴14(14A~14C)将液体1供给到投影光学系PL与基板P之间,同时,从回收管嘴21(21A、21B)将基板P上的液体1与其周围的气体一起回收,充满投影光学系PL的前端部的光学元件2与基板P间地使液体1朝-X方向流动。另一方面,在使基板P沿用箭头Xb(参照图4)所示扫描方向(+X方向)移动、进行扫描曝光的场合,使用供给管15′、供给管嘴14A′~14C′、回收管24′、及回收管嘴21A′、21B′,由液体供给机构10和液体回收机构20进行液体1的供给和回收。即,当基板P朝+X方向移动时,将液体1从供给管嘴14′(14A′~14C′)供给到投影光学系PL与基板P之间,同时,将基板P上的液体1从回收管嘴21′(21A′、21B′)与其周围的气体一起回收,充满投影光学系PL的前端部的光学元件2与基板P间地使液体1朝+X方向流动。在该场合,例如,通过供给管嘴14供给的液体1随着基板P朝-X方向的移动,吸引到光学元件2与基板P间地流动,所以,液体供给机构10(液体供给部分11)的供给能量即使较小,也可容易地将液体供给到光学元件2与基板P之间。然后,相应于扫描方向切换液体1流动的方向,从而在朝+X方向或-X方向使基板P扫描的场合,都可将液体1充满到光学元件2与基板P间,可按高析像度和宽焦深进行曝光。
在曝光处理过程中,设于液体供给机构10的流量计12的测量结果和设于液体回收机构20的流量计27的测量结果时常输出到控制装置CONT。控制装置CONT比较流量计12的测量结果即由液体供给机构10供给到基板P上的液体的量与流量计27的测量结果即由液体回收机构20从基板P回收的液体的量,根据其比较的结果,控制液体供给机构10的阀13。具体地说,控制装置CONT求出供给到基板P上的液体量(流量计12的测量结果)与从基板P上的液体回收量(流量计27的测量结果)的差,判断该求出的差是否超过预先设定的容许值(阈值),控制阀13。在这里,如上述那样,控制装置CONT分别控制液体供给机构10和液体回收机构20,使供给到基板P上的液体量与从基板P的液体回收量大体相同,所以,如液体供给机构10的液体供给动作和液体回收机构20的液体回收动作分别正常进行,则上述求出的差大体为零。
在求出的差大于等于容许值的场合,即液体回收量比液体供给量少得多的场合,控制装置CONT判断液体回收机构20的回收动作发生异常,不能回收液体1。此时,控制装置CONT例如判断在液体回收机构20的真空系25发生故障等异常,为了防止不能由液体回收机构20正常地回收液体1而引起的液体1的泄漏,使液体供给机构10的阀13工作,断开供给管15的流路,停止液体供给机构10对基板P上供给液体1。这样,控制装置CONT比较从液体供给机构10供给到基板P上的液体量与由液体回收机构20回收的液体量,根据其比较结果检测液体回收机构20的回收动作的异常,当液体1过剩供给、检测出异常时,停止向基板P供给液体1。这样,可防止液体1向基板P或基板台PST(基板托盘PH)的外侧的泄漏或液体1浸入到不希望的部位,或这样的泄漏或浸入导致的损失的扩大。
另外,控制装置CONT在检测到液体回收机构20的回收动作的异常时,为了防止泄漏或浸入的液体1的附着引起的漏电,停止向构成曝光装置EX的电气设备的供电。在这里,作为电气设备,可列举出用于使基板台PST移动的线性电动机47、48等。这些线性电动机47、48处于泄漏到基板台PST外侧的液体1容易附着·浸入的位置,所以,控制装置CONT通过停止向这些线性电动机47、48供电,从而可防止液体1的附着引起的漏电。另外,作为电气设备,除了线性电动机47、48外,例如可列举出设于基板台PST上、用于接收相对基板台PST的曝光用光EL的传感器(光电倍增管(フオトマル)等)。或者,作为电气设备,可列举出用于调整基板托盘PH的Z轴方向和倾斜方向的位置调整的例如压电元件等各种执行元件。另外,当检测到异常时,可停止对构成曝光装置EX的所有电气设备供电,也可停止向一部分电气设备供电。在这里,控制装置CONT检测到液体回收机构20的回收动作的异常时,例如停止对例如在线性电动机或在0~150V附近使用的压电元件或在300~900V附近使用的光电倍增管(传感器)等电气设备(高电压设备)供电,从而可防止漏电,抑制漏电对周边装置的影响。
另外,控制装置CONT在检测到液体回收机构20的回收动作的异常时,例如停止用于使基板台PST相对基板底板41的导向面41A非接触地移动的空气轴承42的驱动。空气轴承42具有相对基板底板41的上面(导向面)41A吹出气体(空气)的吹出口42B和吸引基板台PST下面(轴承面)与导向面41A间的气体的吸气口42A,通过来自吹出口42B的气体的吹出产生的反弹力与由吸气口42A产生的吸引力的平衡,在基板台PST下面与导向面41A之间保持一定的间隙,但控制装置CONT在检测到液体回收机构20的回收动作的异常时,为了防止泄漏的液体1流入(浸入)到空气轴承42的吸气口42A,停止空气轴承42的动作,特别是从吸气口42A的吸气。这样,可防止液体1流入到与该吸气口42A连接的真空系,可防止液体1的流入引起的真空系的故障等问题的发生。
另外,也可在别的构件设置保持基板P的突起部分65或吸附孔66,在将该别的构件吸附保持于基板托盘PH的场合,控制装置CONT停止从用于吸附保持该别的构件的吸附孔(吸气口)的吸气。
另外,控制装置CONT在检测到液体回收机构20的回收动作的异常时,驱动警报装置K。警报装置K可使用警告灯、警报音、显示器等发出警报,这样,例如作业者可得知在曝光装置EX中发生液体1的泄漏或浸入。
另外,当检测到液体回收机构20的回收动作的异常时,控制装置CONT增大回收装置60的液体回收量。具体地说,使回收装置60的真空系70的驱动量(驱动力)上升。回收装置60(真空系70)的驱动成为振动源,所以,在曝光处理中,最好降低或防止回收装置60的驱动力,但当检测出液体回收机构20的回收动作的异常、发生液体1的泄漏的可能性时,控制装置CONT通过使回收装置60的驱动力上升,从而可防止基板台PST(基板托盘PH)的外侧(至少回收口61的外侧)的液体1的泄漏,或防止泄漏的扩大。
另外,在对基板P的中央附近的曝光区域进行曝光的期间,从液体供给机构10供给的液体1由液体回收机构20回收。另一方面,如图5所示那样,通过对基板P的边缘区域进行曝光处理,从而当液浸区域AR2处于基板P的边缘区域附近时,可由辅助板43持续在投影光学系PL与基板P之间保持液体1,但有时液体1的一部分流出到辅助板43的外侧,流出的液体1由配置了液体吸收构件62的回收口61回收。在这里,控制装置CONT开始驱动上述液体供给机构10和液体回收机构20,同时,开始回收装置60的动作。因此,从回收口61回收的液体1通过真空系70的吸引,与周围的空气一起通过流路63和管路68回收。另外,流入到基板P与辅助板43的间隙的液体1通过液体回收孔64与周围的空气一起通过流路63和管路68回收。此时,气液分离器71分离从回收口61回收的液体1和气体。由气液分离器71分离的气体由干燥器72干燥后,流入到真空系70。这样,可防止液体成分流入到真空系70的问题。另一方面,由气液分离器71分离的液体回收到液体回收部73。
此时,由回收装置60回收从液体供给机构10供给的液体1的一部分,所以,由液体回收机构20回收的液体量减少,结果,由液体回收机构20的流量计27测量的液体回收量减少。在该场合,即使液体1不泄漏,控制装置CONT也可能根据比较液体供给机构10的流量计12和液体回收机构20的流量计27的各测量结果,错误判断在液体回收机构20的回收动作中产生异常。因此,在回收装置60中的气液分离器71与液体回收部73间设有对回收的液体的量进行测量的流量计,控制装置CONT根据该回收装置60的流量计的测量结果和液体回收机构20的流量计27的测量结果求出整体的液体的回收量,比较求出的整体的液体回收量与液体供给机构10的流量计12的测量结果。根据其比较的结果,控制装置CONT判断与液体回收机构20的液体回收动作是否产生异常,根据其判断的结果,可进行停止液体供给机构10的液体供给动作、停止供电、停止从吸气口的吸气动作等措施。
另外,当设于回收装置60的流量计的测量值成为相对预先设定的容许值过剩的较大的值时,控制装置CONT判断大量的液体1流出到基板P的外侧时,为了防止液体1向基板台PST(基板托盘PH)的外侧的泄漏等,也可防止液体供给机构10。
流出到基板P的外侧的液体1也有可能从基板P与辅助板43的间隙浸入,到达基板P的背面侧。进入到基板P的背面侧的液体1也存在流入到用于吸附保持基板P的吸附孔(吸引口)66的可能性。在该场合,为了吸附保持基板P而设于基板托盘PH的吸附孔66通过管路67和管路69连接到真空系74,在其途中,设有气液分离器75和对由气液分离器75分离的气体进行干燥的干燥器76。因此,即使液体1流入到吸附孔66,也可将从吸附孔66流入的液体1回收到液体回收部73,防止液体成分流入到真空系74的问题。
在液体1从吸附孔66浸入的场合,由于存在基板P的保持等产生问题的可能性,所以,在管路69或气液分离器75与液体回收部73之间配置流量计、由该流量计检测到液体从吸附孔66的浸入的场合,判断为异常事态,实施上述那样的液体供给动作的停止、供电停止、从吸气口的吸气的停止中的至少1个。
对于在与吸附孔66连接的管路69未设有气液分离器75的场合,当检测到液体回收机构20或回收装置60的回收动作的异常时,为了防止液体1流入到吸附孔(吸气口),也可停止真空系74(吸引系)的驱动,停止从吸附孔66的吸气。
如以上说明的那样,当检测到液体1泄漏或浸入那样的异常时,停止由液体供给机构10向基板P上供给液体1,所以,可防止液体1的泄漏或防止泄漏的扩大或浸水等。另外,即使在液体1泄漏或浸入那样的异常发生的场合,通过停止向构成曝光装置EX的线性电动机47、48等电气设备的供电,从而可防止漏电的发生和漏电导致的损失的扩大。另外,为了吸附保持空气轴承42的吸气口42A或基板P,停止从与设于基板托盘PH的吸附孔66等真空系连通的各吸气口的吸气,从而可防止液体1流入到与该吸气口连接的真空系这样的问题的发生。另外,当从回收管嘴21或回收口61或吸附孔66等吸引口回收液体和其周围的气体时,用气液分离器对从吸引口吸入的液体和气体进行气液分离,并用干燥器对由气液分离器分离后的气体进行干燥,从而可防止液体成分(湿的气体等)流入到真空系,可减小液体对真空系的影响。另外,本实施形式为从吸引口与其周围的气体一起回收液体的构成,但通过对由气液分离器回收的液体和气体进行分离,从而可正确地测量回收的液体量。
在上述实施形式中,作为液体回收机构20回收动作的异常,以真空系25的故障(动作异常)为例进行了说明,但除了真空系25的故障外,例如还可列举出气液分离器22的动作异常。即,即使可通过回收管嘴21回收基板P上的液体1,气液分离器22也不能充分地分离从回收管嘴21回收的液体与气体,产生由流量计27测量的液体量比预定值少的状况。在该场合,流入到真空系25的液体成分增多,所以,导致真空系25的故障等,为此,控制装置CONT停止液体供给机构10的液体供给动作,同时,停止液体回收机构20(真空系25)的液体回收动作,从而可防止液体1的泄漏,并可防止真空系25的故障。
在本实施形式中,控制装置CONT分别控制液体供给机构10和液体回收机构20,使得供给到基板P上的液体量与从基板P上的液体回收量大体相同。为此,如正常地分别进行液体供给机构10的液体供给动作和液体回收机构20的液体回收动作,则上述求出的差大体为零,上述容许值与其相应地预先设定为较小的值。另一方面,例如在使用的液体1具有高挥发性的场合,即使液体供给机构10的液体供给动作和液体回收机构20的液体回收动作分别正常地进行,在基板P上液体1挥发,也可能使得液体回收机构20的流量计27获得的测量值比由液体供给机构10的流量计12获得的测量值小。因此,控制装置CONT最好相应于使用的液体1(挥发性)或基板P所处的环境,预先设定上述容许值,根据设定的容许值与上述求出的差的比较结果,控制阀13。
另外,在上述实施形式中,比较液体供给机构10的液体供给量与液体回收机构20的液体回收量,检测液体1的流通状态的异常,但也可仅根据液体供给机构10的供给量或仅根据液体回收机构20的回收量分别检测异常。另外,不限于液体的流量,在检测到液体供给机构10或液体回收机构20的机械或电异常的场合,控制装置CONT也可采取停止液体供给机构10的液体供给动作、停止供电、停止从吸气口的吸气动作等措施。
在本实施形式中,从回收管嘴21与液体1一起对其周围的气体也进行回收,所以,为了测量更正确的液体回收量,使用气液分离器22将回收的液体与气体也分离,用流量计27测量分离的液体量。为此,气液分离器22的气液分离能力也可能使由流量计27测量的液体量变动。因此,控制装置CONT也可相应于使用的气液分离器22(气液分离能力)设定上述容许值。
在本实施形式中,当检测出液体回收机构20的液体回收动作的异常时,液体供给机构10的液体供给动作的停止、向电气设备供电的停止、及从吸气口的吸气动作的停止都进行,但也可实施至少任一个。
在本实施形式中,从液体回收机构20的回收管嘴21与液体1一起将其周围的气体也回收,所以,为了按更好的精度用流量计27测量回收的液体量,使用气液分离器22分离成液体与气体,但在液体回收机构20从回收管嘴21仅回收液体1的构成的场合,不用气液分离器22分离液体与气体,通过测定回收的液体的量,可求出液体回收量。
可是,在本实施形式中,也可形成这样的构成,即,当检测到液体回收机构20的回收动作的异常时,停止液体供给机构10的液体供给动作,或停止向电气设备供电,或停止从吸气口的吸气动作,但当检测到可保持着基板P进行移动的基板台(可动构件)PST与投影光学系PL的位置关系的异常时,实施液体供给动作的停止、供电的停止、及从吸气口的吸气动作的停止中的至少任一个。在这里,基板台PST与投影光学系PL的异常位置关系为不能在投影光学系PL的下面保持液体1的状态,包含Z轴方向和XY方向中的至少一方的位置关系的异常。即,即使液体供给机构10的供给动作和液体回收机构20的回收动作正常,例如当基板台PST的动作产生异常、基板台PST配置到从相对于投影光学系PL的所期望的位置沿XY方向偏移的位置,在该场合,产生在投影光学系PL与保持于基板台PST的基板P间不能良好地形成液体1的液浸区域AR2的状态(在投影光学系PL的下面不能保持液体1的状态)。在该场合,液体1泄漏到基板P的外侧、基板托盘PH的外侧,或基板台PST(基板托盘PH)的移动镜45浸水。这样,液体回收机构20由于不能回收预定量的液体1,所以,液体回收机构20的流量计27将比预定值小的值的测量结果输出到控制装置CONT。控制装置CONT根据该流量计27的测量结果可检测发生液体1的泄漏等那样的基板台PST的位置的异常。然后,控制装置CONT在检测到其异常时,实施液体供给动作的停止、供电的停止、及从吸气口的吸气动作的停止等。
另外,液浸区域AR2将投影光学系PL与基板P间的距离设定为可由液体1的表面张力形成液浸区域AR2的程度的预定距离(0.1mm~1mm左右),但例如在基板台PST关于Z轴方向在位置控制产生问题的场合,投影光学系PL与基板台PST上的基板P的距离增大,可能产生不能在投影光学系PL的下面保持液体1的状况。在该场合,液体1泄漏到基板P的外侧或基板台PST(基板托盘PH)的外侧等,液体回收机构20不能回收预定量的液体1,液体回收机构20的流量计27将比预定值小的值的测量结果输出到控制装置CONT。控制装置CONT根据该流量计27的测量结果,可检测出液体1的泄漏发生那样的基板台PST的位置异常。控制装置CONT检测到该异常时,实施液体供给动作的停止、供电的停止、及从吸气口的吸气动作的停止等。
为了检测基板台PST相对投影光学系PL的位置关系的异常,不使用液体回收机构20的流量计27的测量结果,例如由激光干涉仪46检测出基板台PST的XY方向的位置,根据其位置检测结果,可检测出位置关系的异常。控制装置CONT也可比较激光干涉仪46获得的基板台位置检测结果与预先设定的容许值,当激光干涉仪46的台位置检测结果超过上述容许值时,实施液体1的供给动作的停止等。另外,也可由聚焦检测系56检测基板台PST的Z轴方向的位置,比较由调焦(focus)检测系56获得的台位置检测结果与预先设定的容许值,当聚焦检测系56的检测结果超过容许值时,控制装置CONT实施液体1的供给动作的停止等。这样,控制装置CONT根据包含激光干涉仪46和聚焦检测系56的基板台位置检测装置的检测结果,检测投影光学系PL与基板台PST的位置关系的异常,当检测出异常时,实施液体供给动作的停止、相对电气设备的供电的停止、及从吸气口的吸气动作的停止等。
另外,也可形成这样的构成,即,当激光干涉仪46发生错误时,控制装置CONT停止液体供给机构10的液体供给动作。在这里,激光干涉仪46的错误包含由于激光干涉仪46自身的故障或在干涉仪的测定光的光路上配置有异物等某种原因使得不能进行基板台PST的位置测量的状态。当激光干涉仪46发生错误时,控制装置CONT不能把握基板台PST的位置,不能同时控制基板台PST的位置。在该场合,在投影光学系PL与基板台PST的位置关系产生异常,存在液体1泄漏和流出的危险。因此,当激光干涉仪46发生错误时,通过停止由液体供给机构10供给液体,从而可防止液体1泄漏的问题。
同样,在用于控制基板台PST的Z轴方向的位置的测量系(在本实施形式中聚焦检测系56)发生错误的场合,在投影光学系PL与基板台PST的位置关系产生异常,存在液体1的泄漏·流出的危险,所以,在聚焦检测系56发生错误的场合,控制装置CONT停止液体供给机构10的液体供给动作。
基板台PST(基板托盘PH)与投影光学系PL的Z轴方向的位置关系的异常不限于聚焦检测系56,也可使用静电容量传感器等非光学式的检测系。
另外,也可使用干涉仪管理投影光学系PL的像面与基板台PST(基板P)的表面的位置关系。使用干涉仪进行投影光学系PL的像面与基板台PST(基板P)表面的位置关系的管理的内容例如公开于美国专利6,202,964,在由本国际申请指定或选择的国家的法令所容许的范围,引用其公开的内容作为本文记载的一部分。
另外,在上述实施形式中,说明了在曝光动作中产生异常的场合,但不进行基板P的曝光时发生异常的场合也相同。
另外,在上述实施形式中,当在液体供给中检测到异常时,停止液体的供给,但当开始液体的供给时,即使在检测到投影光学系PL与基板台PST的位置关系等的异常的场合,也可停止液体的供给开始。
下面,说明本发明的曝光装置EX的第2实施形式。在以下的说明中,对与上述实施形式相同或同等的构成部分采用相同的符号,简化或省略其说明。在本实施形式中,使用包含光纤的检测器光学地检测液体1朝基板P或基板台PST(基板托盘PH)的外侧等的泄漏,当检测到液体1的泄漏或浸入时,实施由液体供给机构10供给液体的动作、向电气设备的供电的停止、及从吸气口的吸气动作的停止中的至少1个。
下面参照图6和图7说明检测液体1的泄漏的检测器的检测原理。在本实施形式中,作为检测器使用光纤。图6为示出一般的光纤的示意构成图。在图6中,光纤80′具有传递光的芯部81和设于芯部81周围、具有比芯部81小的折射率的包层部分82。在光纤80′中,光被封入到具有比包层部分82高的折射率的芯部81进行传递。
图7为示出本实施形式的光纤80的示意构成图。在图7中,光纤80为具有传递光的芯部81、在其周围未设有包层部分的光纤(无包层光纤)。光纤80的芯部81具有比其周围的气体(在本实施形式中为空气)的折射率na高的折射率nc,而且具有比液体(在本实施形式中为纯水)1的折射率nw低的折射率(na<nc<nw)。为此,在光纤80的周围由空气充满的场合,只要光的入射角θ0满足sinθ0>na/nc,则光被封入到具有比空气高的折射率nc的芯部81进行传递。即,从光纤80的射端部入射的光不产生大的衰减地从出射端部出射其光量。可是,在液体(纯水)1附着于光纤80的表面的场合,由于为nc<nw,所以,在附着了水的部位,所有的入射角都不能满足全反射条件sinθ0=nw/nc,在该液体1与光纤80的界面不发生全反射,所以,光从光纤80的液体附着部分泄漏到外部。因此,从光纤80的入射端部入射的光的光量在从出射端部出射时减少。因此,在曝光装置EX的预定位置设置该光纤80,通过测量该光纤80的出射端部的光量,从而可由控制装置CONT检测液体1是否附着于光纤80,即液体1是否泄漏。空气的折射率为1左右,水的折射率为1.4~1.6左右,所以,芯部81例如最好由具有1.2左右的折射率的材料(石英、特定组成的玻璃等)构成。
另外,根据从光纤80的出射端部出射的光的衰减量,可求出附着于光纤80的液体1的量。即,光衰减量依存于液体1附着于光纤的部分的面积,在少量的液体1附着于光纤80的周围的场合,出射端部的光的衰减量小,在大量的液体1附着的场合,衰减量大。因此,可考虑液体1附着的部分的面积依存于液体泄漏量,所以,通过测量光纤80的出射端部的光量,从而可求出液体1的泄漏量。另外,将光纤出射端部的光量的测量值与预先设定的多个阈值(基准值)相比,在超过各阈值的场合,分别发出特定的信号,从而可分级地检测出液体1的泄漏量。
图8为示出将上述检测器的光纤80配置于基板台PST(基板托盘PH)的周围的状态的侧面图,图9为平面图。如图8和图9所示那样,光纤80卷绕基板台PST(基板托盘PH)的周围地配置。在光纤80的入射端部,连接可相对光纤80入射光的投光部分83,在光纤80的出射端部连接受光部分84,该受光部分84可接收在光纤80中传递、从出射端部出射的光。控制装置CONT根据从投光部分83入射到光纤80的光的光量和由受光部分84接收到的光的光量,求出光纤80的出射端部相对入射端部的光衰减率,根据该求出的结果,判断液体1是否附着于光纤80,即液体1是否泄漏到基板台PST(基板托盘PH)的外侧。控制装置CONT当判断液体1泄漏时,实现由液体供给机构10进行的液体供给动作的停止、对电气设备的供电的停止、及从吸气口的吸气动作的停止等。
可将光纤80配置到基板台PST(基板托盘PH)的上面,特别是回收口61的周围,也可为了检查移动镜45的浸水(浸液),配置到移动镜45或其周围。
图10为示出将光纤80配置到设于基板台PST的下面的空气轴承42的周围和可移动地支承基板台PST的基板底板(底座构件)41的周围的例子。光纤80由于可任意地弯曲,所以,可卷绕到基板台PST(基板托盘PH)、空气轴承42、及基板底板41等液体1容易泄漏的任意位置地安装,可自由布置地按任意的形式配置。特别是通过将光纤80安装于空气轴承42的周围,从而可良好地检测出液体1是否附着(泄漏)到空气轴承42近旁,事先防止液体1流入到空气轴承42的吸气口42A的问题。
可是,在上述光纤80中,当从入射端到出射端的距离长时,有时难以确定液体1附着于光纤80的位置,即液体1的泄漏位置。因此,如图11所示那样,通过将多个光纤80按矩阵状进行2维配置,从而可确定液体1的泄漏位置。在图11中,检测器90具有第1光纤80A和第2光纤80B;该第1光纤80A以第1方向(Y轴方向)为长度方向,沿与第1方向直交的第2方向(X轴方向)设置多个;该第2光纤80B以第2方向为长度方向,沿第1方向设置多个。这些多个第1、第2光纤80A、80B按矩阵状(网目状)配置。多个第1光纤80A的各入射端部集合,其集合部分与集合光纤85A的出射端部连接。集合光纤85A的入射端部连接于投光部分83A。另一方面,多个第1光纤80A的出射端部例如连接于由1维CCD线传感器等构成的受光部分84A。同样多个第2光纤80B的各入射端部集合,其集合部分与集合光纤85B的出射端部连接。集合光纤85B的入射端部连接于投光部分83B。另一方面,多个第2光纤80B的各出射端部例如连接到由1维CCD线传感器等构成的受光部分84B。
从投光部分83A出射的光在沿集合光纤85A传输后,分别分支到多个第1光纤80A。分别从第1光纤80A的入射端部入射的光在第1光纤80A传输后,从出射端部出射,由受光部分84A受光。受光部分84A分别检测分别从多个第1光纤80A的出射端部出射的光的光量。在这里,如图11所示那样,在液体1附着到多个第1光纤80A中的特定的第1光纤80AL上的场合,该第1光纤80AL的出射端部的光量下降。受光部分84A的受光结果输出到控制装置CONT。同样,从投光部分83B出射的光在集合光纤85B传输后,分别分支到多个第2光纤80B。分别从第2光纤80B的入射端部入射的光在第2光纤80B传输后,从出射端部出射,由受光部分84B受光。受光部分84B分别检测从多个第2光纤80B的各出射端部出射的光的光量。在这里,如图11所示那样,在液体1附着于多个第2光纤80B中的特定的第2光纤80BL上的场合,在该第2光纤80BL的出射端部的光量下降。受光部分84B的受光结果输出到控制装置CONT。控制装置CONT根据受光部分84A、84B的各受光结果,可确定液体1的泄漏位置(泄漏的液体1相对检测器90附着的位置)为第1光纤80AL与第2光纤80BL的交点附近。
图12为示出具有按矩阵状配置的光纤80A、80B的检测器90配置到作为驱动基板台PST的电磁驱动源的线性电动机47(定子47A)的例子的图。通过将检测器90配置到线性电动机47,从而可确定泄漏到基板台PST的外侧、附着到线性电动机47上的液体1的位置。通过确定泄漏的液体1的位置,从而可按良好的效率进行泄漏的液体1的除去作业。
在液体1为水、除去该泄漏的液体(水)的场合,通过使用无水酒精进行除去作业(擦拭作业),从而可良好地除去水,另外,由于酒精立即挥发,所以,可顺利地进行除去作业。
如图13所示示意图那样,通过使脉冲光从光纤80的入射端部入射,从而可确定附着于光纤80表面的液体1的位置。在液体1附着于光纤80的表面的场合,从光纤80的入射端部入射的脉冲光L1在液体1的附着位置反射,产生其反射光L2再次返回到入射端部侧的现象。因此,在入射侧设置偏振光束分离器等光学元件,用光学元件将反射光引导至受光器进行检测。从检测结果,根据脉冲光L1入射到光纤80的时刻与反射光L2由入射端部受光的时刻的时间差及在光纤80中传输的光速度,可求出入射端部与液体1的附着位置的距离,从而可确定液体1的附着位置(液体1的泄漏位置)。在光纤80传输的光速度相应于光纤80(芯部81)的形成材料产生变化,所以,可根据该光纤80的形成材料求出。
下面,说明本发明的曝光装置EX的第3实施形式。在本实施形式中,当使用包含棱镜(光学元件)的检测器光学地检测出液体1的泄漏、检测出液体1的泄漏时,实施液体供给机构10的液体供给动作的停止、电气设备的供电停止、及从吸气口的吸气动作的停止中的至少1个。
下面参照图14和图15说明检测液体1的泄漏的检测器的检测原理。在本实施形式中使用棱镜。图14为示出使用棱镜的检测器100的示意构成的图。在图14中,检测器100具有棱镜101,安装于棱镜101的第1面101A、相对棱镜101投射光的投光部分102,及安装于棱镜101的第2面101B、接收从投光部分102出射的光在棱镜101的第3面101C的反射光的受光部分103。第1面101A与第2面101B大体成为直角。
棱镜101具有比其周围的气体(在本实施形式中为空气)高的折射率,而且具有比液体(在本实施形式中为纯水)1低的折射率。在棱镜101的周围由空气充满的场合,从投光部分102投射到第3面101C的光由第3面101C进行全反射地选定棱镜折射率。为此,从投光部分102出射的光不衰减很多光量地由受光部分103受光。
图15为示出液体1附着于检测器100的棱镜101的第3面101C的状态的图。在图15中,从投光部分102投射到第3面101C的光由于液体1的存在面不由第3面101C进行全反射,一部分(或全部)的光成分从棱镜101的液体附着部分泄漏到外部。为此,从投光部分102出射的光中的到达第2面101B的光成分的光量衰减,所以,受光部分103根据受光的光量(光信息),可检测出液体1是否附着到棱镜101的第3面101C。因此,通过在曝光装置EX的预定位置设置具有该棱镜101的检测器100,从而可由CONT根据受光部分103的受光结果检测液体1是否附着于棱镜101,即液体1是否泄漏。
图16为示出将具有上述棱镜101的检测器100配置到基板台PST的周围的例子的平面图。在图16中,检测器100在棱镜101的第3面101C朝上侧的状态下按预定间隔在基板台PST(基板托盘PH)的周围安装多个。控制装置CONT根据从各检测器100投光部分102入射到棱镜101时的光的光量和由受光部分103接收的光的光量,求出出射光量相对在棱镜101的入射光量的衰减率,根据其求出的结果,判断液体1是否附着于棱镜101,即液体1是否泄漏到基板台PST(基板托盘PH)的外侧。当控制装置CONT判断液体1泄漏时,实施液体供给机构10的液体的供给动作的停止、向电气设备的供电的停止、及从吸气口的吸气动作的停止等。
在本实施形式中,控制装置CONT根据多个检测器100的各检测结果和该检测器100的安装位置信息,可容易地确定液体1的泄漏位置。另外,棱镜101由于较小,所以,可容易地安装到曝光装置EX的任意的位置,设置作业也良好。
上述检测器100也可适用于水位计(液位计)。图17为示出在可收容液体(水)1的箱110的壁面沿高度方向(Z轴方向)排列多个地安装检测器100的示意图。箱110的壁面透明,检测器100接触于箱110的壁面地安装棱镜101的第3面101C。多个检测器100中的、检测到箱110内的液体1的检测器100(受光部分103)的受光信号示出比未检测到液体1的检测器100(受光部分103)的受光信号低的值,所以,控制装置CONT根据多个检测器100的各检测结果(受光结果)和该多个检测器100的分别相对箱110的安装位置信息,可求出箱110内的液体1的液位(水位),这样,可求出箱110内的液体量。
图18为示出将具有构成水位计的检测器100的箱110适用于液体回收机构20的一部分的例子的示意构成图。图18所示液体回收机构20具有回收管嘴21、通过回收管24连接于回收管嘴21的真空系25、及设于回收管24途中的气液分离器22和干燥器23。由气液分离器22分离的液体1通过第2回收管26收容到具有检测器100的箱110。即,在本实施形式中,设置箱110代替参照图3说明的液体回收机构20的流量计27。检测器100的检测结果输出到控制装置CONT,控制装置CONT根据检测器100的检测结果求出通过回收管嘴21回收的液体量。控制装置CONT通过比较从回收管嘴21回收的液体量和从液体供给机构10供给的液体量,从而可检测出液体回收机构20的回收动作的异常。另外,在箱110通过管路28A连接液体回收部分28,在该管路28A的途中设有阀28B。控制装置CONT当箱110被充满到预定量或其以上时(或定期地)使阀28B作动,开放流路28A,用液体回收部分28回收箱110内的液体1。
另外,在图18所示实施形式中,在供给管15和回收管24分别安装检测器100。在这里,供给管15和回收管24分别由透明材料形成,在其管外表面使检测器100的检测面100c紧密接触地安装检测器100。根据安装于供给管15的检测器100的受光部分103的受光结果,控制装置CONT可检测到液体1是否流通到供给管15。即,与液体1未流通到供给管15的场合相比,流通的场合的受光部分103的受光信号的值变小,所以,控制装置CONT根据受光部分103的受光结果可检测液体1是否流通到供给管15,即液体供给机构10的供给动作是否正常地进行。同样,控制装置CONT可根据安装于回收管24的检测器100的受光部分103的受光结果,检测到液体1是否流通到回收管24,即液体回收机构20的回收动作是否正常地进行。这样,检测器100也可用作光学地检测液体1是否流通到供给管或回收管的液体有无传感器。
另外,通过将具有棱镜101的检测器100安装到例如投影光学系PL的前端附近(光学元件2的附近),从而也可使用该检测器100检测液体1是否充满到投影光学系PL与基板P之间。
在上述实施形式中,虽然使用光纤80或棱镜101光学地检测液体1的泄漏或液体1的有无地进行检测,但也可使用静电容量传感器等按电的方式检测。
另外,在液体1为水的场合,也可由漏水传感器按电的方式检测出液体1的泄漏或液体1的有无,该漏水传感器由离开一定间隔的2根电线构成,通过该2根电线间的导通的有无检测液体1的泄漏。在本实施形式中,液体1使用水,所以,可使用上述构成的漏水传感器。在液体1使用超纯水的场合,超纯水由于没有导电性,所以,不能由漏水传感器检测液体1的有无。在该场合,如在离开的2根电线的覆层中预先含有电解物质,则可在超纯水浸润的时刻获得导电性,所以,可用上述构成的漏水传感器检测作为超纯水的液体1。
当然可组合上述各实施形式的特征部分进行使用。例如,在线性电动机的周边铺设光纤80,在基板台PST(基板托盘PH)配置具有棱镜101的检测器100。
另外,光纤或棱镜也可不设置到上述所有的位置,只要根据需要设置到基板台PST的内部或光电检测器或压电元件等执行机构的附近即可。
另外,如参照图8~图10所示那样,可卷绕到基板台PST的周围或基板底板41的周围地配置光纤80,但当然也可如图19(b)的侧面图所示那样,在基板台PST的周围设置第1光纤80C,在基板底板41的周围设置第2光纤80D。另外,光纤80(80E)也可配置到设于基板台PST上的回收口61的内部。与上述实施形式同样,在图19中,基板台PST具有围住保持于基板托盘PH的基板P的周围形成的辅助板43和设于其外侧的回收口61。辅助板43具有设于保持在基板托盘PH的基板P的周围、与该基板P的表面大致相同平面的平坦面(平面部分)43A。平坦面43A围住基板P的周围设成环状。另外,在辅助板43(平坦面43A)的外侧设有回收口61。回收口61为围住辅助板43(基板P)地形成的环状的槽部。在本实施形式中,在回收口61的内侧未配置液体吸收构件(62)。如图19(a)的平面图所示那样,光纤80E沿形成为环状的回收口61的全周配置。在回收口61的内部设有检测液体1的有无的光纤80E,这样,即使液体1从基板P泄漏,在泄漏的液体1扩散之前,可由光纤80E检测出泄漏的液体1。因此,控制装置CONT当光纤80E检测到液体1的存在时,采取使用阀13停止液体供给机构10的液体供给动作等适当的措施,从而可防止液体1的扩散或从基板台PST的泄漏。当将光纤80E配置到回收口61的内部时,也可将液体吸收构件(62)配置到该回收口61。
另外,如图19(b)所示那样,在检测液体1的有无的光纤80分别设于曝光装置EX(基板台PST)的多个预定位置的场合,相应于这些多个光纤80的检测结果,控制装置CONT控制曝光装置EX的动作。例如,控制装置CONT相应于多个光纤80中的对液体1进行检测的光纤80的位置,选择液体供给机构10的液体供给的停止和电气设备的供电的停止中的至少一方的动作。
具体地说,控制装置CONT在设于基板台PST的第1光纤80C检测到液体1的存在时,停止液体供给机构10的液体供给动作,当设于基板底板41的第2光纤80D检测到液体1的存在时,停止向预定的电气设备的供电。在这里,预定的电气设备可列举出驱动基板台PST的线性电动机47、48或对基板底板41进行防振支承的防振单元9等。
当设于基板台PST的第1光纤80C检测到液体1的存在、设于基板底板41的第2光纤80D未检测到液体1的存在时,控制装置CONT判断泄漏的液体1未波及到驱动基板台PST的线性电动机47、48或防振单元9。即,控制装置CONT判断泄漏的液体1的扩散范围为较窄的范围。在该场合,控制装置CONT实施液体供给机构10的液体供给动作的停止,但继续向线性电动机47、48或防振单元9供电。另一方面,当设于基板底板41的第2光纤80D检测到液体1的存在时,控制装置CONT判断泄漏的液体1波及到线性电动机47、48或防振单元9。即,控制装置CONT判断泄漏的液体1的扩散范围为较宽的范围。在该场合,控制装置CONT停止液体供给机构10的液体供给动作,同时,停止线性电动机47、48和防振单元9中的至少一方的供电。当第2光纤80D检测到液体1的存在时,最好控制装置CONT停止向线性电动机47、48或防振单元9供电,但不停止向曝光装置EX整体的供电。当停止向曝光装置EX整体供电时,此后的恢复作业和稳定化需要较长时间。
这样,相应于设在相互不同的位置的第1光纤80C和第2光纤80D的检测结果,控制曝光装置EX的动作,所以,可采取与泄漏的液体1的扩散范围相应的适当措施或对策。因此,可缩短液体1泄漏发生后的恢复作业所需要的时间,可防止曝光装置EX的运动率的降低。当设于基板台PST的第1光纤80C检测到液体1的存在时,控制装置CONT停止由液体供给机构10进行液体供给,继续向电气设备供电,从而可将恢复作业或稳定化所需要的时间抑制到最小限度。另一方面,当设于基板底板41的第2光纤80D检测到液体1的存在时,控制装置CONT停止向驱动基板台PST的线性电动机47、48或防振单元9的供电。这样,即使泄漏到宽范围的液体扩散,也可防止漏电或故障等这样的损害发生。
另外,控制装置CONT也可相应于由光纤80检测出的液体1的量,控制曝光装置EX的动作。例如,控制装置CONT相应于由光纤80检测出的液体1的量,选择液体供给机构10的液体供给动作的停止和向电气设备的供电的停止的至少一方的动作。
具体地说,控制装置CONT在第1光纤80C和第2光纤80D中的至少一方检测到大于等于预先设定的第1基准值的量的液体1时,停止液体供给机构10的液体供给动作,当检测到大于等于第2基准值的量的液体1时,停止驱动基板台PST的线性电动机47、48和对基板底板41进行防振支承的防振单元9等电气设备的供电。在这里,第2基准值为比第1基准值大的值。
控制装置CONT在判断由第1光纤80C和第2光纤80D中的至少一方检测出的液体1的量大于等于第1基准值、不到第2基准值时,判断泄漏的液体1的量为较少量。在该场合,控制装置CONT停止液体供给机构10的液体供给动作,继续线性电动机47、48和防振单元9的供电。另一方面,当判断由第1光纤80C和第2光纤80D中的至少一方检测出的液体1的量大于等于第2基准值时,控制装置CONT判断泄漏的液体1的量为较多量。在该场合,控制装置CONT停止液体供给机构10的液体供给动作,同时,停止向线性电动机47、48和防振单元9中的至少一方的供电。当光纤80C、80D检测到大于等于第2基准值的量的液体1时,最好控制装置CONT停止线性电动机47、48或防振单元9的供电,但不停止向曝光装置EX整体的供电。这是因为,当停止向曝光装置EX整体供电时,此后的恢复作业和稳定化需要较长时间。
这样,可相应于由光纤80检测的液体1的量,控制曝光装置EX的动作,在该场合,可采取与泄漏的液体1的量相应的适当的措施。因此,可缩短液体1的泄漏发生后的恢复作业所需要的时间,防止曝光装置EX的运行率的下降。
在上述实施形式中,围住基板台PST和基板底板41的周围配置1根光纤80,但也可由多个光纤围住基板台PST和基板底板41的周围。例如,可在基板底板41的4边各配置1根光纤80,用共计4根光纤80围住基板底板41的周围。这样,在其中的1根光纤检测出液体1的场合,通过调查哪个光纤反应,从而可容易地确定液体1的泄漏场所。
另外,如上述那样,当投影光学系PL与基板台PST的位置关系变得异常时等,不能在投影光学系PL的下面保持液体1,产生液体1泄漏的问题。因此,为了防止液体1的泄漏,也可限制基板台PST的移动范围。下面参照图20进行说明。
在图20中,基板台PST具有作为平坦区域第1区域LA1,该第1区域LA1包含保持于基板托盘PH的基板P(或假基板DP)表面和与该基板P表面处于相同面的辅助板43的平坦面43A。另外,在与该第1区域LA1相对的位置,设有作为平坦区域的第2区域LA2,该第2区域LA2包含投影光学系PL的像面侧前端面(下面)2a和与该下面2a处于相同面的板构件2P的下面的一部分。在这里,液体1保持在基板台PST上的第1平坦面和第2平坦面之间,形成液浸区域AR2,该第2平坦面包含投影光学系PL的前端面2a,与上述第1平坦面相对。因此,上述基板台PST的第1区域LA1和与该第1区域LA1相对、包含投影光学系PL的前端面2a的第2区域LA2为可保持液体的区域。液体1保持于第1区域LA1的一部分与第2区域LA2之间,形成液浸区域AR2。第1区域LA1和第2区域LA2不一定非要为平坦面,如可保持液体1,则在表面也可具有曲面或凹凸。
在本实施形式中,液浸区域AR2的液体1也接触到配置于投影光学系PL的前端部分的光学元件2的周围的、具有液体供给口14K的供给管嘴14和具有液体回收口21K的回收管嘴21的一部分。即,可保持液体1的第2区域LA2包含供给管嘴14和回收管嘴21的液体接触面地构成。
在本实施形式中,控制装置CONT相应于第1区域LA1与第2区域LA2的位置关系,限制基板台PST的移动。具体地说,如图20(a)所示那样,在将液体1保持于第1区域LA1与第2区域LA2之间的场合,可将液体1保持到图20(b)所示那样的第1区域LA1与第2区域LA2的位置关系。然而,在使基板台PST比图20(b)所示位置关系更朝+X方向移动的场合,液浸区域AR2的一部分比起第1区域LA1伸出到更外侧,发生不能将液体1保持到第1区域LA1与第2区域LA2之间的状况。此时,控制装置CONT判断在第1区域LA1与第2区域LA2的位置关系产生异常,限制基板台PST的移动。具体地说,控制装置CONT停止基板台PST的移动。这样,可防止液体1的流出等问题。
在这里,控制装置CONT根据激光干涉仪46的测量结果判断在第1区域LA1与第2区域LA2的位置关系是否产生异常。控制装置CONT由激光干涉仪46检测出基板台PST的XY方向的位置,根据该位置检测结果,求出相对第2区域LA2的、第1区域LA1的位置信息即第1区域LA1与第2区域LA2的位置关系。关于第1区域LA1和第2区域LA2的大小的信息预先存储于控制装置CONT。另外,关于形成于第1区域LA1与第2区域LA2间的液浸区域AR2的大小的信息也例如通过实验或模拟预先求出,存储于控制装置CONT。另外,在控制装置CONT预先求出关于第1区域LA1与第2区域LA2的位置关系的异常值,存储于控制装置CONT。在这里,上述异常值为成为不能将液体1保持于第1区域LA1与第2区域LA2间的位置关系的值(相对距离),当第1区域LA1相对第2区域LA2超过上述异常值时,在第1区域LA1与第2区域LA2间不能保持液体1。
控制装置CONT根据激光干涉仪46的测量结果,在第1区域LA1相对第2区域LA2的位置超过上述异常值时,限制(停止)基板台PST的移动。这样,可防止液体1的流出等问题。
另外,控制装置CONT根据激光干涉仪46的测量结果,当第1区域LA1相对第2区域LA2的位置超过上述异常值时,也可不停止基板台PST的移动,而是改变基板台PST的移动方向。具体地说,在图20中,通过基板台PST朝+X方向移动,当第2区域LA2相对第1区域LA1成为异常的位置关系时,控制装置CONT使基板台PST例如朝-X方向移动。这样,也可防止液体1的流出等问题。
另外,控制装置CONT也可形成这样的构成,即,在第1区域LA1与第2区域LA2的位置关系产生异常、第1区域LA1相对第2区域LA2的位置超过上述异常值时,限制液体供给机构(10)的动作。具体地说,控制装置CONT当在第1区域LA1与第2区域LA2的位置关系产生异常时,停止由液体供给机构(10)的液体供给动作。这样,可防止液体1的流出等问题。或者,当第2区域LA2相对第1区域LA1成为异常位置关系时,控制装置CONT降低液体供给机构(10)的液体供给量(每单位时间的液体供给量)。或者,控制装置CONT也可形成这样的构成,即,当第1区域LA1与第2区域LA2的位置关系产生异常时停止线性电动机(47、48)或防振装置(9)的供电,或停止从吸气口(42A)的吸气。
另一方面,例如在基板P的液浸曝光结束后,停止由液体供给机构(10)供给液体,在由液体回收机构(20)回收基板P上(基板台PST)上的液体1后,在第1区域LA1与第2区域LA2之间不保持液体1。在该场合,控制装置CONT解除基板台PST的移动限制。即,控制装置CONT在液体供给机构(10)供给液体1期间,将基板台PST的移动范围限制为可将液体1保持于第1区域LA1与第2区域LA2之间的第1范围,在液体供给机构(10)停止液体1的供给的期间,限制为比上述第1范围宽的第2范围。即,在将液体1保持于投影光学系PL与基板台PST(基板P)之间的场合,控制装置CONT将基板台PST的移动范围限制于第1范围,在未将液体1保持于投影光学系PL与基板台PST(基板P)间的场合,容许在比第1范围宽的第2范围内的基板台PST的移动。这样,例如在基板P的曝光过程中,可在投影光学系PL与基板台PST(基板P)之间良好地持续保持液体1,例如可顺利地进行此后的动作,即基板台PST移动到基板P的装载·卸载位置的动作等预定动作。
图21为示出本发明别的实施形式的图,图21(a)为侧面图,图21(b)为从上方观看基板台的平面图。在图21(a)中,在投影光学系PL的光学元件2的周围,设置具有液体供给口14K和液体回收口21K的管嘴构件18。在本实施形式中,管嘴构件18为在基板P(基板台PST)的上方围住光学元件2的侧面地设置的环状构件。在管嘴构件18与光学元件2间设有间隙,从光学元件2的振动隔离开来地由预定的支承机构支承管嘴构件18。
管嘴构件18设于基板P(基板台PST)的上方,具有与该基板P表面相对地配置的液体供给口14K。在本实施形式中,管嘴构件18具有2个液体供给口14K。液体供给口14K设于管嘴构件18的下面18a。
另外,管嘴构件18设于基板P(基板台PST)的上方,具有与该基板P表面相对地配置的液体回收口21K。在本实施形式中,管嘴构件18具有2个液体回收口21K。液体回收口21K设于管嘴构件18的下面18a。
液体供给口14K、14K设于夹住投影光学系PL的投影区域AR1的X轴方向两侧的各位置,液体回收口21K、21K相对投影光学系PL的投影区域AR1与液体供给口14K、14K相比设于更外侧。本实施形式的投影光学系PL的投影区域AR1设定为以Y轴方向为纵向、X轴方向为横向的在平面视图的矩形。
管嘴构件18的下面(朝基板P侧的面)18a大体为平坦面,光学元件2的下面(液体接触面)2a也为平坦面,管嘴构件18的下面18a与光学元件2的下面2a大体处于相同平面。这样,可在宽范围良好地形成液浸区域AR2。可保持液体1的第2区域LA2成为光学元件2的下面2a和管嘴构件18的下面18a中比起回收口21K更内侧的区域。
在基板台PST上设有凹部55,基板托盘PH配置于凹部55。基板台PST中的凹部55以外的上面57成为与保持于基板托盘PH的基板P的表面大体相同高度(同一平面)的那样的平坦面(平坦部分)。可保持液体1的第1区域LA1成为包含基板P表面和上面57的区域。
如图21(b)所示那样,在平面视图中呈矩形的基板台PST的相互垂直的2个边缘部分配置移动镜45。另外,在基板台PST上,将基准构件300配置到基板P的外侧的预定位置。在基准构件300,按预定的位置关系设置由图中未示出的基板调准系检测出的基准标记PFM和由掩模调准系检测出的基准标记MFM。在本实施形式的基板调准系中,例如采用公开于日本特开平4-65603号公报的那样的FIA(场图像调准)方式,该FIA方式使基板台PST静止,将来自卤素灯的白色光等照明光照射到标记上,由摄像元件在预定的摄像视野内对获得的标记的图像进行摄像,通过图像处理对标记的位置进行测量。另外,在本实施形式的标记调准系中,例如采用公开于日本特开平7-176468号公报的那样的VRA(直观标线片调准)方式,该VRA方式将光照射到标记,对由CCD摄像机等摄像获得的标记图像数据进行图像处理,检测标记位置。基准构件300的上面301A大体成为平坦面,设于与保持于基板台PST的基板P表面和基板台PST的上面57大体相同高度(同一平面)。基准构件300的上面301A可起到作为聚焦检测系56的基准面的作用。
另外,基板调准系也检测出形成于基板P上的调准标记AM。如图21(b)所示那样,在基板P上形成多个曝光区域S1~S24,调准标记AM对应于多个曝光区域S1~S24在基板P上设置多个。
另外,在基板台PST上的、基板P外侧的预定位置配置例如公开于日本特开昭57-117238号公报的那样的照度不均传感器400作为测量用传感器。照度不均传感器400具有在平面视图中呈矩形的上板401。上板401的上面401A大体成为平坦面,设于与由基板台PST保持的基板P表面和基板台PST的上面57大体相同高度(同一平面)。在上板401的上面401A设有可透过光的针孔部分470。上面401A中的针孔部分470以外由铬等遮光性材料覆盖。
另外,在基板台PST上的、基板P外侧的预定位置,设置例如公开于日本特开2002-14005号公报那样的空间图像测量传感器500作为测量用传感器。空间图像测量传感器500具有在平面视图中呈矩形的上板501。上板501的上面501A大体成为平坦面,设于与保持于基板台PST的基板P表面和基板台PST的上面57大体相同高度(同一面)。在上板501的上面501A设有可通过光的狭缝部分570。上面501A中的狭缝部分570以外由铬等遮性材料覆盖。
另外,在基板台PST上,也设有例如公开于日本特开平11-16816号公报那样的照射量传感器(照度传感器)600,该照射量传感器600的上板601的上面601A设于与保持于基板台PST的基板P表面或基板台PST的上面57大体相同高度(同一平面)。
另外,在基板台PST的侧面,围住该基板台PST地设置导水管构件89。导水管构件89可回收(可保持)从基板P上或基板台PST上漏出的液体1,设于基板台PST的上面(平坦面)57的外侧。另外,在该导水管构件89的内部配置有可检测液体1的有无的光纤80。当导水管构件89的光纤80检测到液体1的存在时,控制装置CONT与上述实施形式同样地采取停止液体供给机构(10)的液体供给动作等适当的措施。
在本实施形式中,当对基板P进行曝光时当然在基板P形成液浸区域AR2,当测量基准构件300的例如基准标记MFM时,使用传感器400、500、600进行测量处理时,也分别在上板301、401、501、601上形成液浸区域AR2。然后,进行通过液体1的测量处理。例如,当通过液体1对例如基准构件300上的基准标记MFM进行测量时,第1区域LA1中的、包含基准构件300的上面301A的区域与第2区域LA2相对,在该第1区域LA1的一部分与第2区域LA2之间充满液体1。当使用照度不均传感器400进行通过液体1的测量处理时,第1区域LA1中的包含上板401的上面401A的区域与第2区域LA2相对,在该第1区域LA1的一部分与第2区域LA2之间充满液体1。同样,当使用传感器500、600进行通过液体1的测量处理时,第1区域LA1中的包含上板501、601的上面501A、601A的区域与第2区域LA2相对,在该第1区域LA1的一部分与第2区域LA2之间充满液体1。
在为了在基板台PST上(第1区域LA1上)形成液浸区域AR2而由液体供给机构(10)供给液体1期间,控制装置CONT将基板台PST的移动范围限制到图21(b)所示第1范围SR1。在图21(b)中,符号LA2a示出在可保持液体1的范围中第2区域LA2配置到第1区域LA1中的最+Y侧和最-X侧时的位置。在这里,在图21(b)中,为了简化说明,说明投影光学系PL的光轴AX(第2区域LA2)相对基板台PST(第1区域LA1)移动的场合。同样,符号LA2b示出第2区域LA2配置到第1区域LA1中的最+Y侧和最+X侧时的位置。第2区域LA2c示出第2区域LA2配置到第1区域LA1中的最-Y侧和最+X侧时的位置。符号LA2d示出第2区域LA2配置到第1区域LA1中的最-Y侧和最-X侧时的位置。
连接各第2区域LA2a~LA2d的各中心(在这里,投影光学系PL的光轴AX)的内侧的区域为第1范围SR1。这样,在液体供给机构(10)供给液体1期间,通过将基板台PST的移动范围限制为第1范围SR1,从而可时常将液体1保持于第1区域LA1与第2区域LA2之间,防止液体1的漏出等问题。
另一方面,在液体供给机构(10)未供给液体1期间,控制装置CONT将基板台PST的移动范围限制为比第1范围SR1更宽的第2范围SR2。在这里,第1范围SR1包含于第2范围SR2。这样,在液体供给机构(10)停止液体1的供给的期间,通过限制为比上述第1范围SR1宽的第2范围SR2,从而可顺利地进行基板台PST移动到基板P的装载·卸载位置的动作等预定的动作。
以上,具体地说明了本发明各实施形式,但在本发明中,当由设于曝光装置的控制装置检测到异常时,控制装置控制曝光装置的适当的机构或装置,事先防止漏水等导致的漏电、漏水吸引等。在这里,图23的框图集中示出检测异常的检测部位、控制装置、及由控制装置控制的被控制部分的关系。曝光装置的控制装置与设于曝光装置内部的各种检测装置连接,这些检测装置如上述那样例如有根据供给侧流量计或回收侧流量计的单独或其流量差检测到异常(液体流通)的异常的供给侧/回收侧流量计,测量基板台的台位置以检测台位置异常(由此导致漏水发生)的台干涉仪,检测基板台的调焦状态、检测出台位置异常(由此导致漏水发生)的聚焦检测系,检测出附着于设在基板台或底座板的光纤或棱镜的漏水(异常)的泄漏检测器700、701,及根据回收箱的水位检测回收量的异常的水位计等各种检测系。控制装置可从这些检测系接收异常信号。此时,控制装置比较预定的基准信号与从各检测器接收的信号,可判定是为正常的信号或异常的信号。
曝光装置的控制装置还与曝光装置外部的各种相关装置例如液体(纯水)制造装置、液体(纯水)温度调节装置、显影装置、基板输送装置等连接,可接收通知这些相关装置的异常的信号。另外,曝光装置的控制装置还可接收通知设置了曝光装置的车间的异常的信号。另外,设置了曝光装置的车间等的异常可列举出配置了曝光装置的洁净室的异常、供给到曝光装置的纯水或电力等的容量的异常、地震或火灾等。控制装置也可比较预定的基准信号与从各相关装置接收到的信号,判定是为正常的信号还是异常的信号。
曝光装置的控制装置还可如上述各实施形式说明的那样与被控制装置,例如液体供给机构、液体回收机构、台装置,特别是台空气轴承、台线性电动机、基板托盘吸附系、光电倍增管(フオトマル)等传感器、防振单元、执行机构等各种组成部分连接,可接收通知各组成部分的异常的信号。另外,在没有用于检测地震的传感器的场合,
控制装置从该地震传感器也可接收异常信号。另外,在具有用于测定液体1的质量(温度、溶解氧浓度、有机物等杂质的比例)的水质传感器的场合,从该水质也可接收异常信号。
下面,参照图24简单地说明控制装置的控制动作。控制装置从曝光装置内部的检测系或曝光装置的外部的相关装置1~4等接收示出异常的信号。示出异常的信号例如为对为了液浸曝光而供给(进而回收)的液体的流通产生影响的信号。此时,控制装置也可比较接收到的信号与基准信号,判断接收到的信号为异常信号。接着,控制装置根据异常信号确定产生了异常的部位。此时,控制装置也可由警报装置发出警报。然后,控制装置与产生异常的部位相应地判断应控制哪个装置,将控制信号送到该装置,对异常的状况采取措施。例如,在由设于基板台的泄漏检测器(光纤等)检测到液体泄漏的场合,控制装置相应于检测信号分别停止向由液体供给机构进行的液体供给、由台控制系进行的台移动、由台空气轴承和基板托盘吸附系进行的吸气、及台线性电动机、基板托盘吸附系、传感器、防振单元、执行机构的供电,另一方面,可仅使液体回收机构的液体回收继续进行。停止哪个装置的动作,由控制装置根据液体泄漏的场所和其程度(信号的大小)进行判断。根据检测信号的大小,使台线性电动机或传感器等电气设备继续工作,可仅停止液体供给机构的动作。
如上述那样,本实施形式的液体1使用纯水。纯水在半导体制造车间等容易大量获得,同时,具有不对基板P上的光刻胶和光学元件(透镜)等产生不良影响的优点。另外,纯水对环境的不良影响少,并且杂质的含有量极低,所以,还具有清洗基板P的表面和设于投影光学系PL的前端面的光学元件的表面的作用。
另外,纯水(水)对波长193nm左右的曝光用光EL的折射率n大体为1.44,所以,在使用ArF受激准分子激光(波长193nm)作为曝光用光EL的光源的场合,在基板P上短波长化为1/n,即约134nm,可获得高析像度。另外,由于焦深与在空气中相比扩大约n倍,即约1.44倍,所以,在只要确保与在空气中使用的场合相同程度的焦深即可的场合,可进一步增加投影光学系PL的数值孔径,由此也使析像度提高。
在本实施形式中,将光学元件2安装于投影光学系PL的前端,但安装于投影光学系PL前端的光学元件也可为用于调整投影光学系PL的光学特性例如像差(球差、慧差等)的光学板,或为可透射曝光用光EL的平行平面板。另外,使与液体1接触的光学元件为比透镜廉价的平行平面板,这样,即使在曝光装置EX的运送、组装、调整时等有导致投影光学系PL的透射率、在基板P上的曝光用光EL的照度、及照度分布的均匀性下降的物质(例如硅系有机物等)附着于其平行平面板,只需要在即将供给液体1之前更换该平行平面板,相比于与液体1接触的光学元件为透镜的场合,具有其更换成本降低的优点。即,曝光用光EL的照射从光刻胶产生的飞散粒子或液体1中的杂质的附着等将与液体1接触的光学元件的表面污染,所以,需要定期地更换该光学元件,但通过使该光学元件为廉价的平行平面板,从而与透镜相比,更换部件的成本低,而且可缩短更换所需要的时间,可抑制维护成本(运行成本)的上升和处理能量的下降。
本实施形式的液体1为水,但也可为水以外的液体,例如在曝光用光EL的光源为F2激光的场合,由于该F2激光不透过水,所以,在该场合,作为液体1,可使用可透射F2激光的例如氟系油或过氟化聚酯(PFPE)等氟系的液体。另外,作为液体1,也可使用对曝光用光EL存在透射性、折射率尽可能高、相对投影光学系PL和涂覆于基板P表面的光刻胶稳定的液体(例如雪松油)。
在上述各实施形式中,上述管嘴的形状不特别限定,例如也可关于投影区域AR1的长边由2对管嘴进行液体1的供给或回收。而且,在该场合,从+X方向或-X方向都可进行液体1的供给和回收,所以,也可沿上下排列地配置供给管嘴和回收管嘴。
作为上述各实施形式的基板P,不仅可适用半导体器件制造用的半导体晶片,而且也可适用显示器件用的玻璃基板、薄膜磁头用的陶瓷晶片、或在曝光装置使用的掩模或标线片的原版(合成石英、硅晶片)等。
另外,在上述各实施形式中,采用投影光学系PL与基板P间局部地由液体充满的曝光装置,但本发明也可适用于在液槽中使保持着曝光对象的基板的台移动的液浸曝光装置,或在台上形成预定深度的液体槽、在其中保持基板的液浸曝光装置。在液槽中使保持着曝光对象的基板的台移动的液浸曝光装置的构造和曝光动作例如详细地记载于日本特开平6-124873号公报,另外,在台上形成预定深度的液体槽,在其中保持基板的液浸曝光装置的构造和曝光动作例如详细地记载于日本特开平10-303114号公报或美国专利5,825,043,只要本国际申请指定或选择的国家的法令容许,这些文献记载的内容被引用作为本文记载的一部分。
作为曝光装置EX,除了同步移动掩模M和基板P、对掩模M的图形进行扫描曝光的分步扫描方式的扫描型曝光装置(步进扫描曝光装置)外,也可适用于在使掩模M和基板P静止的状态下对掩模M的图形一起进行曝光、依次使基板P分步移动的分步重复方式的投影曝光装置(步进曝光装置)。另外,本发明也可适用于在基板P上部分地至少重合2个图形进行转印的分步缝合方式的曝光装置。
另外,本发明也可适用于双台型的曝光装置,该双台型的曝光装置具有2个台,该2个台可分别载置晶片等被处理基板朝XY方向独立地移动。双台型的曝光装置的构造和曝光动作例如公开于日本特开平10-163099号和日本特开平10-214783号(与美国专利6,341,007、6,400,441、6,549,269及6,590,634对应)、日本特表2000-505958号(与美国专利5,969,441对应)或美国专利6,208,407,只要本国际申请指定或选择的国家的法令容许,这些文献记载的内容被引用作为本文记载的一部分。
另外,如公开于日本特开平11-135400号公报那样,本发明可适用于具有基板台和测量台的曝光装置,该基板台保持基板P,该测量台具有各种测量构件或传感器等。在该场合,在投影光学系与测量台的上面之间可保持液体,在该测量台可实施上述漏水检测器等对策。
作为曝光装置EX的种类,不限于将半导体元件图形曝光到基板P的半导体制造用的曝光装置,也可广泛地适用到液晶显示元件制造用或显示器制造用的曝光装置、用于制造薄膜磁头、摄像元件(CCD)或标线片或掩模等的曝光装置等。
在基板台PST或掩模台MST使用线性电动机的场合,使用空气轴承的空气悬浮型和使用洛伦兹力或电抗力的磁悬浮型中的哪一种都可使用。另外,各台PST、MST可为沿导向构件移动的类型,也可为不设置导向构件的无导向构件类型。在台使用线性电动机的例子,公开于美国专利5,623,853和5,528,118,只要本国际申请指定或选择的国家的法令容许,这些文献记载的内容被引用作为本文记载的一部分。
作为各台PST、MST的驱动机构,也可使用平面电动机,该平面电动机使2维配置磁铁的磁铁单元与2维地配置线圈的电枢单元相对,由电磁力驱动各台PST、MST。在该场合,只要将磁铁单元和电枢单元中的任一方连接于台PST、MST、将磁铁单元和电枢单元的另一方设于台PST、MST的移动面侧即可。
通过基板台PST的移动产生的反力也可不传递到投影光学系PL地使用机架构件机械地逃逸到地板(大地)。该反力的处理方法例如详细公开于美国专利5,528,118(日本特开平8-166475号公报),只要本国际申请指定或选择的国家的法令容许,这些文献记载的内容被引用作为本文记载的一部分。
基板台PST的移动产生的反力也可不传递到投影光学系PL地使用机架构件机械地逃逸到地板(大地)。该反力的处理方法例如详细公开于美国专利5,874,820(日本特开平8-330224号公报),只要本国际申请指定或选择的国家的法令容许,这些文献记载的内容被引用作为本文记载的一部分。
本申请的实施形式的曝光装置EX通过保持预定的机械精度、电精度、光学精度地组装包含本申请权利要求所列举的各构成要素的各种子系统而制造。为了确保这些各种精度,在该组装的前后,对各种光学系进行用于达到光学精度的调整,对各种机械系进行用于达到机械精度的调整,对各种电气系进行用于达到电精度的调整。从各种子系统到曝光装置的组装工序包含各种子系统相互的机械连接、电路的配线连接、气压回路的配管连接等。在该从各种子系统在曝光装置的组装工序之前,当然也存在各子系统分别的组装工序。一旦各种子系统在曝光装置的组装工序结束,则进行综合调整,确保作为曝光装置整体的各种精度。曝光装置的制造最好在温度和洁净度等得到管理的洁净室进行。
半导体器件等的微器件如图12所示那样,经过进行微器件的功能·性能设计的步201、制作基于该设计步的掩模的步202、制造作为器件的基材的基板的步203、由上述实施形式的曝光装置EX将掩模的图形曝光到基板的曝光处理步204、器件组装步(包含切割工序、粘接工序、封装工序)205、检测步206等进行制造。
产业上利用的可能性
按照本发明,可检测对液浸曝光产生影响的曝光装置的内部装置或外部的相关装置的异常,可抑制或减小曝光用的液体的泄漏或浸入对周边装置·构件或曝光动作的影响,所以,可维持昂贵的曝光装置的良好的状态,进行良好精度的液浸曝光处理。这样,可制造具有所期望性能的器件。

Claims (32)

1.一种曝光装置,透过液体对基板照射曝光用光以使该基板曝光,其特征在于,具备:
投影光学系统,将图案像透影至该基板上;
液体供应机构,对该投影光学系统与该基板之间供应液体;以及
液体回收机构,从该供应的液体所形成的液浸区域回收液体;
该液体供应机构,在检测出该液体未被该液体回收机构回收而从该液浸区域泄漏的异常时,停止对该投影光学系统下的液体的供应。
2.如权利要求1所述的曝光装置,其中,该液体回收机构将该液浸区域的液体与气体一起回收;
该异常包含该液体回收机构的回收动作的异常。
3.如权利要求2所述的曝光装置,其中,根据以该液体回收机构回收的液体的回收量检测该回收动作的异常。
4.如权利要求3所述的曝光装置,其中,根据该回收量与从该液体供应机构供应的液体的供应量检测该回收动作的异常。
5.如权利要求2所述的曝光装置,其具有测量以该液体回收机构回收的液体的量的流量计;
使用该流量计检测该回收动作的异常。
6.如权利要求2所述的曝光装置,其具有将以该液体回收机构回收的该气体与该液体分离的分离器。
7.如权利要求6所述的曝光装置,其中,该回收动作的异常为该分离器的异常。
8.如权利要求2所述的曝光装置,其中,该液体回收机构连接于真空系;
该回收动作的异常为该真空系的异常。
9.如权利要求1所述的曝光装置,其具有:
测量从该液体供应机构供应的液体量的流量计;以及
测量以该液体回收机构回收的液体量的流量计;
使用该液体供应机构的流量计与该液体回收机构的流量计检测该异常。
10.如权利要求1所述的曝光装置,其中,该异常包含该液体供应机构的供应动作的异常。
11.如权利要求10所述的曝光装置,其中,根据从该液体供应机构供应的液体的供应量检测该供应动作的异常。
12.如权利要求10所述的曝光装置,其具有测量从该液体回收机构回收的液体的量的流量计;
使用该流量计检测该液体回收机构的回收动作的异常。
13.如权利要求1所述的曝光装置,其具有支承该基板并移动的可动构件;
藉由该可动构件的动作的异常引起泄漏。
14.如权利要求13所述的曝光装置,其具有测量该可动构件的位置的位置检测装置;
该位置检测装置的检测结果为异常时停止对该投影光学系统下的液体的供应。
15.如权利要求14所述的曝光装置,其中,该位置检测装置测量在与该投影光学系统的光轴正交方向的该可动构件的位置。
16.如权利要求14所述的曝光装置,其中,该位置检测装置测量在该投影光学系统的光轴方向的该可动构件的位置。
17.如权利要求1所述的曝光装置,其中,该异常包含在该曝光装置外部产生的异常。
18.如权利要求17所述的曝光装置,其中,在该曝光装置外部产生的异常包含配置有该曝光装置的洁净室的异常、地震或火灾。
19.如权利要求17所述的曝光装置,其中,在该曝光装置外部产生的异常包含在与该曝光装置连接的外部相关装置产生的异常。
20.如权利要求1所述的曝光装置,其具有支承该基板并移动的可动构件;
该异常包含该液体往该可动构件所支承的该基板外侧的泄漏。
21.如权利要求1所述的曝光装置,其具有支承该基板并移动的可动构件;
该异常包含该液体往该可动构件外侧的泄漏。
22.如权利要求1所述的曝光装置,其具有:
可动构件,支承该基板并移动;以及
基座构件,可移动地配置有该可动构件;
该异常包含该泄漏的液体附着于该基座构件。
23.如权利要求1所述的曝光装置,其具有:
可动构件,支承该基板并移动;以及
驱动机构,驱动该可动构件;
该异常包含该泄漏的液体附着于该驱动机构的一部分。
24.如权利要求23所述的曝光装置,其中,该驱动机构具有设在该可动构件的可动子、及一部分与该可动子对向配置的定子;
该驱动机构的一部分包含该定子。
25.如权利要求23所述的曝光装置,其中,该驱动机构包含平面电动机。
26.如权利要求1所述的曝光装置,其具有:
可动构件,具有上面,以该上面的一部分支承该基板并移动;以及
回收装置,回收未被该液体回收机构回收的该可动构件的液体。
27.如权利要求26所述的曝光装置,其中,该泄漏的液体为该液体回收机构与该回收装置无法回收的液体。
28.如权利要求26所述的曝光装置,其中,该回收装置回收从该可动构件所支承的基板与该上面的间隙流入的液体。
29.如权利要求26所述的曝光装置,其中,该回收装置回收该上面的液体。
30.如权利要求26所述的曝光装置,其中,该回收装置将气体与该可动构件的液体一起回收。
31.如权利要求1所述的曝光装置,其具备电气机器;
与对该投影光学系统下的液体供应停止同时停止对该电气机器的电力供应。
32.如权利要求1所述的曝光装置,其具备吸气口;
与对该投影光学系统下的液体供应停止同时停止从该吸气口的吸气。
CN201110268975.9A 2003-07-28 2004-07-26 液浸曝光装置及其制造方法、曝光装置、器件制造方法 Expired - Fee Related CN102323724B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003-281183 2003-07-28
JP2003281183 2003-07-28
JP2004045104 2004-02-20
JP2004-045104 2004-02-20

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004800218561A Division CN100452293C (zh) 2003-07-28 2004-07-26 曝光装置及其控制方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102323724A CN102323724A (zh) 2012-01-18
CN102323724B true CN102323724B (zh) 2014-08-13

Family

ID=34106918

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010240704.8A Expired - Fee Related CN102012641B (zh) 2003-07-28 2004-07-26 曝光装置、器件制造方法
CN201110268975.9A Expired - Fee Related CN102323724B (zh) 2003-07-28 2004-07-26 液浸曝光装置及其制造方法、曝光装置、器件制造方法
CN201110022027.7A Expired - Fee Related CN102043350B (zh) 2003-07-28 2004-07-26 曝光装置、器件制造方法、及曝光装置的控制方法
CN201410333238.6A Expired - Fee Related CN104122760B (zh) 2003-07-28 2004-07-26 曝光装置、器件制造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010240704.8A Expired - Fee Related CN102012641B (zh) 2003-07-28 2004-07-26 曝光装置、器件制造方法

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110022027.7A Expired - Fee Related CN102043350B (zh) 2003-07-28 2004-07-26 曝光装置、器件制造方法、及曝光装置的控制方法
CN201410333238.6A Expired - Fee Related CN104122760B (zh) 2003-07-28 2004-07-26 曝光装置、器件制造方法

Country Status (8)

Country Link
US (7) US8451424B2 (zh)
EP (4) EP1653501B1 (zh)
JP (13) JP5088389B2 (zh)
KR (10) KR101403117B1 (zh)
CN (4) CN102012641B (zh)
HK (5) HK1090175A1 (zh)
TW (8) TW201834019A (zh)
WO (1) WO2005010962A1 (zh)

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE449982T1 (de) 2003-04-11 2009-12-15 Nikon Corp Reinigungsverfahren für optik in immersionslithographie
SG194264A1 (en) 2003-04-11 2013-11-29 Nikon Corp Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly
TWI518742B (zh) 2003-05-23 2016-01-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
TWI515769B (zh) 2003-06-19 2016-01-01 尼康股份有限公司 An exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method
WO2005010962A1 (ja) 2003-07-28 2005-02-03 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法
US7779781B2 (en) * 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101475995B1 (ko) 2003-08-21 2014-12-23 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
TWI622083B (zh) * 2003-08-29 2018-04-21 Nikon Corp Exposure apparatus, liquid removal method, and component manufacturing method
EP1670039B1 (en) 2003-08-29 2014-06-04 Nikon Corporation Exposure apparatus and device producing method
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1672681B8 (en) 2003-10-08 2011-09-21 Miyagi Nikon Precision Co., Ltd. Exposure apparatus, substrate carrying method, exposure method, and method for producing device
JP2005159322A (ja) * 2003-10-31 2005-06-16 Nikon Corp 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101276392B1 (ko) 2004-02-03 2013-06-19 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
EP1727188A4 (en) 2004-02-20 2008-11-26 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE, FEEDING METHOD AND RECOVERY METHOD, EXPOSURE METHOD AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005103404A2 (en) * 2004-04-16 2005-11-03 George Mason Intellectual Properties, Inc. Wavelet maxima curves of surface latent heat flux
US8520184B2 (en) * 2004-06-09 2013-08-27 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with measuring device
CN102736446B (zh) 2004-06-10 2014-09-17 尼康股份有限公司 曝光装置及元件制造方法
US8717533B2 (en) 2004-06-10 2014-05-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101202230B1 (ko) 2004-07-12 2012-11-16 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP3870207B2 (ja) * 2004-08-05 2007-01-17 キヤノン株式会社 液浸露光装置及びデバイス製造方法
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP3306647A1 (en) 2004-10-15 2018-04-11 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
JPWO2006062096A1 (ja) * 2004-12-07 2008-06-12 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP4605219B2 (ja) * 2005-03-30 2011-01-05 株式会社ニコン 露光条件の決定方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US7433016B2 (en) 2005-05-03 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8253924B2 (en) * 2005-05-24 2012-08-28 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus and device manufacturing method
JP4125315B2 (ja) * 2005-10-11 2008-07-30 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US20080073596A1 (en) * 2006-08-24 2008-03-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US20080094592A1 (en) * 2006-08-31 2008-04-24 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
WO2008026732A1 (fr) 2006-08-31 2008-03-06 Nikon Corporation Système d'entraînement de corps mobile et procédé d'entraînement de corps mobile, appareil et procédé de mise en forme de motif, appareil et procédé d'exposition, procédé de fabrication de dispositif et procédé de décision
TWI590005B (zh) 2006-08-31 2017-07-01 尼康股份有限公司 Exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
TW201809913A (zh) 2006-09-01 2018-03-16 日商尼康股份有限公司 曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法
KR20180085820A (ko) 2006-09-01 2018-07-27 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 디바이스 제조 방법, 그리고 캘리브레이션 방법
JP4366407B2 (ja) * 2007-02-16 2009-11-18 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
CN101611470B (zh) * 2007-03-05 2012-04-18 株式会社尼康 移动体装置、图案形成装置及图案形成方法、设备制造方法、移动体装置的制造方法以及移动体驱动方法
JP2008256155A (ja) * 2007-04-06 2008-10-23 Canon Inc 除振装置、演算装置、露光装置及びデバイス製造方法
SG151198A1 (en) * 2007-09-27 2009-04-30 Asml Netherlands Bv Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus
JP2009094255A (ja) 2007-10-05 2009-04-30 Canon Inc 液浸露光装置およびデバイス製造方法
JP2009094254A (ja) * 2007-10-05 2009-04-30 Canon Inc 液浸露光装置およびデバイス製造方法
US8115906B2 (en) * 2007-12-14 2012-02-14 Nikon Corporation Movable body system, pattern formation apparatus, exposure apparatus and measurement device, and device manufacturing method
NL1036835A1 (nl) * 2008-05-08 2009-11-11 Asml Netherlands Bv Lithographic Apparatus and Method.
JP5001343B2 (ja) * 2008-12-11 2012-08-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 流体抽出システム、液浸リソグラフィ装置、及び液浸リソグラフィ装置で使用される液浸液の圧力変動を低減する方法
NL2003854A (en) * 2008-12-22 2010-06-23 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2004820A (en) * 2009-06-30 2011-01-04 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a method of measuring flow rate in a two phase flow.
US8722288B2 (en) 2009-11-06 2014-05-13 Hodogaya Chemical Co., Ltd. Diphenylnaphthylamine derivatives
US10061214B2 (en) 2009-11-09 2018-08-28 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, exposure apparatus maintenance method, exposure apparatus adjustment method and device manufacturing method
NL2005528A (en) * 2009-12-02 2011-06-07 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP5849505B2 (ja) * 2011-08-05 2016-01-27 大日本印刷株式会社 半導体製造システム
JP6155581B2 (ja) * 2012-09-14 2017-07-05 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、デバイス製造方法
EP2947679A4 (en) * 2012-11-20 2017-02-08 Nikon Corporation Exposure device, mobile device, and device manufacturing method
JP6107453B2 (ja) * 2013-06-13 2017-04-05 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置の製造方法
JP6990701B2 (ja) * 2017-06-05 2022-01-12 ギガフォトン株式会社 レーザ装置、及びeuv光生成システム
JP6418281B2 (ja) * 2017-06-07 2018-11-07 株式会社ニコン 露光装置
CN110637357A (zh) * 2017-06-21 2019-12-31 惠普印迪格公司 真空工作台
EP3695276A1 (en) 2017-10-12 2020-08-19 ASML Netherlands B.V. Substrate holder for use in a lithographic apparatus
JP7015147B2 (ja) * 2017-11-06 2022-02-02 キヤノン株式会社 インプリント装置および物品製造方法
CN115335773A (zh) * 2020-04-07 2022-11-11 Asml荷兰有限公司 差异测量系统

Family Cites Families (265)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US656670A (en) * 1899-08-25 1900-08-28 Farbenfabriken Of Elberfeld Company Blue anthrarufin dye and process of making same.
SU560683A1 (ru) * 1975-12-23 1977-06-05 Ордена Трудового Красного Знамени Научно-Исследовательский Институт Технологии Автомобильной Промышленности Устройство дл выталкивани поковок
CA1154117A (en) * 1978-06-12 1983-09-20 Masaya Tanaka Liquid leakage detection system
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57117238A (en) 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
JPS5919912A (ja) * 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD221563A1 (de) * 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
US4672271A (en) * 1985-04-15 1987-06-09 Omniprise, Inc. Apparatus and method for automatic operation of a high pressure mercury arc lamp
JPS6265326A (ja) * 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JPH01276043A (ja) 1988-04-28 1989-11-06 Mitsubishi Cable Ind Ltd 導波路型液体検知器
JPH0336940U (zh) 1989-08-22 1991-04-10
JPH0449614A (ja) * 1990-06-19 1992-02-19 Canon Inc X線露光装置
JP2885845B2 (ja) * 1989-10-02 1999-04-26 キヤノン株式会社 X線露光装置
DE69033002T2 (de) 1989-10-02 1999-09-02 Canon Kk Belichtungsvorrichtung
JP2897355B2 (ja) 1990-07-05 1999-05-31 株式会社ニコン アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置
JP2830492B2 (ja) 1991-03-06 1998-12-02 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JPH04305915A (ja) * 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH0590351U (ja) 1991-05-20 1993-12-10 株式会社ツーデン 漏液センサ
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系
JPH05173639A (ja) * 1991-12-20 1993-07-13 Fujitsu Ltd 位置制御装置及びその制御方法
JP3246615B2 (ja) 1992-07-27 2002-01-15 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、及び露光方法
JPH06188169A (ja) 1992-08-24 1994-07-08 Canon Inc 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法
US5559582A (en) * 1992-08-28 1996-09-24 Nikon Corporation Exposure apparatus
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP3412704B2 (ja) 1993-02-26 2003-06-03 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに露光装置
JPH06288915A (ja) * 1993-03-30 1994-10-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液検出装置
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
US7365513B1 (en) 1994-04-01 2008-04-29 Nikon Corporation Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
US5528118A (en) 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
US6989647B1 (en) 1994-04-01 2006-01-24 Nikon Corporation Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device
JP3555230B2 (ja) * 1994-05-18 2004-08-18 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH0886612A (ja) * 1994-09-19 1996-04-02 Canon Inc 光ヘテロダイン干渉を利用した位置ずれ検出装置
US5623853A (en) 1994-10-19 1997-04-29 Nikon Precision Inc. Precision motion stage with single guide beam and follower stage
US6008500A (en) 1995-04-04 1999-12-28 Nikon Corporation Exposure apparatus having dynamically isolated reaction frame
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316124A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JP3137174B2 (ja) 1995-09-08 2001-02-19 横河電機株式会社 Icテスタのテストヘッド
KR100228036B1 (ko) * 1996-02-09 1999-11-01 니시무로 타이죠 표면에너지 분포측정장치 및 측정방법
US5885134A (en) * 1996-04-18 1999-03-23 Ebara Corporation Polishing apparatus
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
CN1244020C (zh) 1996-11-28 2006-03-01 株式会社尼康 曝光装置
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
KR100512450B1 (ko) 1996-12-24 2006-01-27 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 두개의물체홀더를가진이차원적으로안정화된위치설정장치와이런위치설정장치를구비한리소그래픽장치
US5815246A (en) 1996-12-24 1998-09-29 U.S. Philips Corporation Two-dimensionally balanced positioning device, and lithographic device provided with such a positioning device
JP3626504B2 (ja) * 1997-03-10 2005-03-09 アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ 2個の物品ホルダを有する位置決め装置
JPH10335236A (ja) 1997-05-28 1998-12-18 Nikon Corp 露光装置、その光洗浄方法及び半導体デバイスの製造方法
DE69817663T2 (de) 1997-04-23 2004-06-24 Nikon Corp. Optischer Belichtungsapparat und optisches Reinigungsverfahren
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
US6268904B1 (en) 1997-04-23 2001-07-31 Nikon Corporation Optical exposure apparatus and photo-cleaning method
JPH10335235A (ja) 1997-05-28 1998-12-18 Nikon Corp 露光装置、その光洗浄方法及び半導体デバイスの製造方法
JP3377165B2 (ja) * 1997-05-19 2003-02-17 キヤノン株式会社 半導体露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
JPH1131647A (ja) * 1997-07-11 1999-02-02 Oki Electric Ind Co Ltd 投影露光装置
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
JP4208277B2 (ja) * 1997-11-26 2009-01-14 キヤノン株式会社 露光方法及び露光装置
US6020964A (en) 1997-12-02 2000-02-01 Asm Lithography B.V. Interferometer system and lithograph apparatus including an interferometer system
JPH11176727A (ja) * 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
US6897963B1 (en) 1997-12-18 2005-05-24 Nikon Corporation Stage device and exposure apparatus
US6208407B1 (en) 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
JPH11204390A (ja) * 1998-01-14 1999-07-30 Canon Inc 半導体製造装置およびデバイス製造方法
JPH11264756A (ja) * 1998-03-18 1999-09-28 Tokyo Electron Ltd 液面検出器および液面検出方法、ならびに基板処理装置
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
JP2000058436A (ja) * 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
AU1179200A (en) * 1998-11-18 2000-06-05 Nikon Corporation Exposure method and device
EP1018669B1 (en) 1999-01-08 2006-03-01 ASML Netherlands B.V. Projection lithography with servo control
US6566770B1 (en) * 1999-06-15 2003-05-20 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor manufacturing apparatus and device manufacturing method
DE69930398T2 (de) * 1999-09-20 2006-10-19 Nikon Corp. Belichtungssystem mit einem parallelen Verbindungsmechanismus und Belichtungsverfahren
WO2001035168A1 (en) 1999-11-10 2001-05-17 Massachusetts Institute Of Technology Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams
EP1107067B1 (en) * 1999-12-01 2006-12-27 ASML Netherlands B.V. Positioning apparatus and lithographic apparatus comprising the same
US6995930B2 (en) * 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7187503B2 (en) * 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
JP2001203145A (ja) * 2000-01-20 2001-07-27 Nikon Corp 露光装置
TW588222B (en) * 2000-02-10 2004-05-21 Asml Netherlands Bv Cooling of voice coil motors in lithographic projection apparatus
JP2001308003A (ja) * 2000-02-15 2001-11-02 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US6472643B1 (en) 2000-03-07 2002-10-29 Silicon Valley Group, Inc. Substrate thermal management system
JP2002014005A (ja) 2000-04-25 2002-01-18 Nikon Corp 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置
US20020041377A1 (en) 2000-04-25 2002-04-11 Nikon Corporation Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2001345245A (ja) * 2000-05-31 2001-12-14 Nikon Corp 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法
JP2002015978A (ja) * 2000-06-29 2002-01-18 Canon Inc 露光装置
JP3469537B2 (ja) 2000-07-21 2003-11-25 サンクス株式会社 漏液センサ
TW591653B (en) * 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
US6852988B2 (en) * 2000-11-28 2005-02-08 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Gap adjustment apparatus and gap adjustment method for adjusting gap between two objects
KR100866818B1 (ko) * 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
JP2002305140A (ja) * 2001-04-06 2002-10-18 Nikon Corp 露光装置及び基板処理システム
US20020163629A1 (en) 2001-05-07 2002-11-07 Michael Switkes Methods and apparatus employing an index matching medium
JP2002365809A (ja) * 2001-06-12 2002-12-18 Nsk Ltd 分割逐次露光装置
TW569288B (en) * 2001-06-19 2004-01-01 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus, liquid processing apparatus and liquid processing method
KR20030002514A (ko) 2001-06-29 2003-01-09 삼성전자 주식회사 웨이퍼가 장착될 척을 냉각시키기 위한 냉매 경로에서의냉매 누설을 감지할 수 있는 냉각 시스템
TWI226077B (en) * 2001-07-05 2005-01-01 Tokyo Electron Ltd Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP2003022958A (ja) * 2001-07-09 2003-01-24 Canon Inc 露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法
TW529172B (en) * 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
JP2003037051A (ja) * 2001-07-25 2003-02-07 Canon Inc 露光装置及びその制御方法、並びに半導体デバイスの製造方法
JP3869306B2 (ja) * 2001-08-28 2007-01-17 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法および現像液塗布装置
JP2003142366A (ja) * 2001-10-31 2003-05-16 Canon Inc 投影露光装置および該装置に用いるガス状態監視方法
JP3880480B2 (ja) * 2001-12-06 2007-02-14 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP3990148B2 (ja) * 2001-12-17 2007-10-10 東京エレクトロン株式会社 処理システム
TWI236944B (en) 2001-12-17 2005-08-01 Tokyo Electron Ltd Film removal method and apparatus, and substrate processing system
US7154676B2 (en) 2002-03-01 2006-12-26 Carl Zeiss Smt A.G. Very-high aperture projection objective
DE10229249A1 (de) 2002-03-01 2003-09-04 Zeiss Carl Semiconductor Mfg Refraktives Projektionsobjektiv mit einer Taille
US7190527B2 (en) 2002-03-01 2007-03-13 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
DE10229818A1 (de) 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
US7092069B2 (en) * 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
KR20040104691A (ko) 2002-05-03 2004-12-10 칼 짜이스 에스엠테 아게 높은 개구를 갖는 투영 대물렌즈
JP2004072076A (ja) * 2002-06-10 2004-03-04 Nikon Corp 露光装置及びステージ装置、並びにデバイス製造方法
TWI307526B (en) * 2002-08-06 2009-03-11 Nikon Corp Supporting device and the mamufacturing method thereof, stage device and exposure device
JP2005536775A (ja) 2002-08-23 2005-12-02 株式会社ニコン 投影光学系、フォトリソグラフィ方法および露光装置、並びに露光装置を用いた方法
US7383843B2 (en) * 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US7093375B2 (en) * 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US6988326B2 (en) * 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US6954993B1 (en) * 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US6788477B2 (en) * 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
EP1420298B1 (en) 2002-11-12 2013-02-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
DE60335595D1 (de) * 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
CN101382738B (zh) * 2002-11-12 2011-01-12 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
SG135052A1 (en) * 2002-11-12 2007-09-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110081B2 (en) * 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100588124B1 (ko) * 2002-11-12 2006-06-09 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치 및 디바이스제조방법
SG131766A1 (en) * 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10253679A1 (de) * 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
DE10258718A1 (de) * 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
AU2003289237A1 (en) * 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
KR20120127755A (ko) 2002-12-10 2012-11-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
US6992750B2 (en) * 2002-12-10 2006-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
AU2003302831A1 (en) * 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus and method for manufacturing device
CN100370533C (zh) 2002-12-13 2008-02-20 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于照射层的方法和用于将辐射导向层的装置
EP1732075A3 (en) 2002-12-19 2007-02-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
US7010958B2 (en) * 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
EP1579435B1 (en) 2002-12-19 2007-06-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
US6781670B2 (en) * 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
US7090964B2 (en) * 2003-02-21 2006-08-15 Asml Holding N.V. Lithographic printing with polarized light
US7206059B2 (en) 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US6943941B2 (en) * 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7029832B2 (en) * 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
US20050164522A1 (en) 2003-03-24 2005-07-28 Kunz Roderick R. Optical fluids, and systems and methods of making and using the same
WO2004093159A2 (en) 2003-04-09 2004-10-28 Nikon Corporation Immersion lithography fluid control system
EP2921905B1 (en) 2003-04-10 2017-12-27 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
KR101323993B1 (ko) 2003-04-10 2013-10-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
KR20180089562A (ko) 2003-04-10 2018-08-08 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템
WO2004090633A2 (en) 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus
WO2004092830A2 (en) 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
ATE449982T1 (de) 2003-04-11 2009-12-15 Nikon Corp Reinigungsverfahren für optik in immersionslithographie
SG194264A1 (en) * 2003-04-11 2013-11-29 Nikon Corp Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly
WO2004095135A2 (en) 2003-04-17 2004-11-04 Nikon Corporation Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography
JP4146755B2 (ja) 2003-05-09 2008-09-10 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4025683B2 (ja) 2003-05-09 2007-12-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法及び露光装置
TWI295414B (en) * 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI518742B (zh) 2003-05-23 2016-01-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
TWI282487B (en) 2003-05-23 2007-06-11 Canon Kk Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
TWI442694B (zh) * 2003-05-30 2014-06-21 Asml Netherlands Bv 微影裝置及元件製造方法
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1486827B1 (en) * 2003-06-11 2011-11-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317504B2 (en) 2004-04-08 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1489461A1 (en) 2003-06-11 2004-12-22 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4084710B2 (ja) 2003-06-12 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4054285B2 (ja) 2003-06-12 2008-02-27 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP4084712B2 (ja) 2003-06-23 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4029064B2 (ja) 2003-06-23 2008-01-09 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4343597B2 (ja) * 2003-06-25 2009-10-14 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005019616A (ja) * 2003-06-25 2005-01-20 Canon Inc 液浸式露光装置
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
JP3862678B2 (ja) * 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
DE60308161T2 (de) 2003-06-27 2007-08-09 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
EP1498778A1 (en) * 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1494074A1 (en) * 2003-06-30 2005-01-05 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1639391A4 (en) 2003-07-01 2009-04-29 Nikon Corp USE OF FLUIDS SPECIFIED ISOTOPICALLY AS OPTICAL ELEMENTS
US7128024B2 (en) * 2003-07-15 2006-10-31 Doyle Ii John Conan System and method for measuring animals
US7738074B2 (en) * 2003-07-16 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
EP1500982A1 (en) * 2003-07-24 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7006209B2 (en) * 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7326522B2 (en) * 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
US7175968B2 (en) * 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
JP4492239B2 (ja) 2003-07-28 2010-06-30 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法
EP1503244A1 (en) * 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
WO2005010962A1 (ja) * 2003-07-28 2005-02-03 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法
JP4492600B2 (ja) 2003-07-28 2010-06-30 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US7779781B2 (en) * 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7579135B2 (en) * 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7700267B2 (en) * 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7061578B2 (en) 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7085075B2 (en) * 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
US7070915B2 (en) * 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
US6954256B2 (en) * 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US7014966B2 (en) * 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
KR101238114B1 (ko) 2003-09-03 2013-02-27 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
JP4378136B2 (ja) * 2003-09-04 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US6961186B2 (en) * 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
US7369217B2 (en) * 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
JP2005136374A (ja) * 2003-10-06 2005-05-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法
US7678527B2 (en) * 2003-10-16 2010-03-16 Intel Corporation Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids
TWI361450B (en) 2003-10-31 2012-04-01 Nikon Corp Platen, stage device, exposure device and exposure method
JP2005159322A (ja) * 2003-10-31 2005-06-16 Nikon Corp 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法
WO2005050324A2 (en) 2003-11-05 2005-06-02 Dsm Ip Assets B.V. A method and apparatus for producing microchips
US7924397B2 (en) * 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
US7545481B2 (en) * 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8854602B2 (en) 2003-11-24 2014-10-07 Asml Netherlands B.V. Holding device for an optical element in an objective
US7125652B2 (en) * 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
JP2005175016A (ja) * 2003-12-08 2005-06-30 Canon Inc 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
WO2005059617A2 (en) 2003-12-15 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective having a high aperture and a planar end surface
US7385764B2 (en) 2003-12-15 2008-06-10 Carl Zeiss Smt Ag Objectives as a microlithography projection objective with at least one liquid lens
US20050185269A1 (en) * 2003-12-19 2005-08-25 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
JP5102492B2 (ja) 2003-12-19 2012-12-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ
US7460206B2 (en) 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7589818B2 (en) 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7119884B2 (en) 2003-12-24 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050147920A1 (en) * 2003-12-30 2005-07-07 Chia-Hui Lin Method and system for immersion lithography
US7088422B2 (en) * 2003-12-31 2006-08-08 International Business Machines Corporation Moving lens for immersion optical lithography
JP4371822B2 (ja) * 2004-01-06 2009-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
JP4429023B2 (ja) * 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US20050153424A1 (en) * 2004-01-08 2005-07-14 Derek Coon Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography
CN102169226B (zh) * 2004-01-14 2014-04-23 卡尔蔡司Smt有限责任公司 反射折射投影物镜
KR101233879B1 (ko) 2004-01-16 2013-02-15 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 편광변조 광학소자
WO2005069078A1 (en) 2004-01-19 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens
KR101204157B1 (ko) 2004-01-20 2012-11-22 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 마이크로 리소그래픽 투영 노광 장치 및 그 투영 렌즈를 위한 측정 장치
US7026259B2 (en) * 2004-01-21 2006-04-11 International Business Machines Corporation Liquid-filled balloons for immersion lithography
US7391501B2 (en) * 2004-01-22 2008-06-24 Intel Corporation Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography
KR101276392B1 (ko) * 2004-02-03 2013-06-19 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
EP1723467A2 (en) 2004-02-03 2006-11-22 Rochester Institute of Technology Method of photolithography using a fluid and a system thereof
WO2005076084A1 (en) 2004-02-09 2005-08-18 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
US7050146B2 (en) * 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1714192A1 (en) 2004-02-13 2006-10-25 Carl Zeiss SMT AG Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
JP2007523383A (ja) 2004-02-18 2007-08-16 コーニング インコーポレイテッド 深紫外光による大開口数結像のための反射屈折結像光学系
EP1727188A4 (en) * 2004-02-20 2008-11-26 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE, FEEDING METHOD AND RECOVERY METHOD, EXPOSURE METHOD AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
JP2005259789A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Nikon Corp 検知システム及び露光装置、デバイス製造方法
US20050205108A1 (en) * 2004-03-16 2005-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for immersion lithography lens cleaning
JP2005268700A (ja) 2004-03-22 2005-09-29 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
US7027125B2 (en) * 2004-03-25 2006-04-11 International Business Machines Corporation System and apparatus for photolithography
US7084960B2 (en) * 2004-03-29 2006-08-01 Intel Corporation Lithography using controlled polarization
US7034917B2 (en) * 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7227619B2 (en) * 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7295283B2 (en) * 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005098504A1 (en) 2004-04-08 2005-10-20 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system with mirror group
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7271878B2 (en) 2004-04-22 2007-09-18 International Business Machines Corporation Wafer cell for immersion lithography
US7244665B2 (en) 2004-04-29 2007-07-17 Micron Technology, Inc. Wafer edge ring structures and methods of formation
US20050243392A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-03 Fujifilm Electronic Imaging Ltd. Method of controlling the motion of a spinner in an imaging device
US7379159B2 (en) 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005111722A2 (en) 2004-05-04 2005-11-24 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US20060244938A1 (en) 2004-05-04 2006-11-02 Karl-Heinz Schuster Microlitographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore
US7091502B2 (en) 2004-05-12 2006-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
KR101376931B1 (ko) 2004-05-17 2014-03-25 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101368523B1 (ko) 2004-06-04 2014-02-27 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 광학적 결상 시스템의 결상 품질을 측정하기 위한 시스템
WO2005119369A1 (en) 2004-06-04 2005-12-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection system with compensation of intensity variatons and compensation element therefor
US7481867B2 (en) * 2004-06-16 2009-01-27 Edwards Limited Vacuum system for immersion photolithography
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP3306647A1 (en) 2004-10-15 2018-04-11 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2002-15978A 2002.01.18
JP特开平11-204390A 1999.07.30

Also Published As

Publication number Publication date
KR101599649B1 (ko) 2016-03-14
JP2011160001A (ja) 2011-08-18
JP5664740B2 (ja) 2015-02-04
JP2010109393A (ja) 2010-05-13
US20170363972A1 (en) 2017-12-21
US20190121246A1 (en) 2019-04-25
JP5088389B2 (ja) 2012-12-05
WO2005010962A1 (ja) 2005-02-03
TW201705213A (zh) 2017-02-01
EP2264535A2 (en) 2010-12-22
JP2019049740A (ja) 2019-03-28
JP2010109392A (ja) 2010-05-13
EP1653501A1 (en) 2006-05-03
TWI547971B (zh) 2016-09-01
JP6020653B2 (ja) 2016-11-02
CN104122760A (zh) 2014-10-29
TW201403667A (zh) 2014-01-16
TWI490914B (zh) 2015-07-01
CN102043350B (zh) 2014-01-29
TWI490915B (zh) 2015-07-01
HK1090175A1 (en) 2006-12-15
HK1200922A1 (zh) 2015-08-14
KR101403117B1 (ko) 2014-06-03
TW200509212A (en) 2005-03-01
TW201834019A (zh) 2018-09-16
KR101298864B1 (ko) 2013-08-21
JP2013214761A (ja) 2013-10-17
EP2264534A3 (en) 2011-04-20
US20060146305A1 (en) 2006-07-06
KR101935709B1 (ko) 2019-01-04
JP5170126B2 (ja) 2013-03-27
EP2264533A2 (en) 2010-12-22
JP2010118689A (ja) 2010-05-27
KR20170117232A (ko) 2017-10-20
KR20060052882A (ko) 2006-05-19
TW201403669A (zh) 2014-01-16
US9760026B2 (en) 2017-09-12
TW201205644A (en) 2012-02-01
CN102012641A (zh) 2011-04-13
HK1151105A1 (en) 2012-01-20
US9494871B2 (en) 2016-11-15
EP1653501A4 (en) 2008-05-21
TWI575563B (zh) 2017-03-21
TWI490916B (zh) 2015-07-01
JP2010118690A (ja) 2010-05-27
EP2264533A3 (en) 2011-04-20
CN102043350A (zh) 2011-05-04
HK1151106A1 (en) 2012-01-20
US20140233002A1 (en) 2014-08-21
KR20160088447A (ko) 2016-07-25
US20170038694A1 (en) 2017-02-09
EP2264535A3 (en) 2011-04-20
EP2264534B1 (en) 2013-07-17
KR20120066054A (ko) 2012-06-21
JP2012151493A (ja) 2012-08-09
KR20140119832A (ko) 2014-10-10
EP2264534A2 (en) 2010-12-22
KR101642670B1 (ko) 2016-07-25
CN102323724A (zh) 2012-01-18
JP2016170437A (ja) 2016-09-23
US20060132737A1 (en) 2006-06-22
KR101414896B1 (ko) 2014-07-03
TW201403666A (zh) 2014-01-16
KR20110117207A (ko) 2011-10-26
JP2017194723A (ja) 2017-10-26
US8749757B2 (en) 2014-06-10
US8451424B2 (en) 2013-05-28
CN102012641B (zh) 2015-05-06
KR20150092349A (ko) 2015-08-12
US10185232B2 (en) 2019-01-22
TWI424463B (zh) 2014-01-21
TWI633581B (zh) 2018-08-21
TW201403668A (zh) 2014-01-16
JP6292252B2 (ja) 2018-03-14
JP5594399B2 (ja) 2014-09-24
KR20130086635A (ko) 2013-08-02
EP1653501B1 (en) 2012-09-19
JP2014017527A (ja) 2014-01-30
US7505115B2 (en) 2009-03-17
US20130135597A1 (en) 2013-05-30
EP2264533B1 (en) 2012-09-19
KR101343720B1 (ko) 2013-12-20
JP5423829B2 (ja) 2014-02-19
KR101785707B1 (ko) 2017-11-06
KR101641011B1 (ko) 2016-07-19
EP2264535B1 (en) 2013-02-13
KR20140027560A (ko) 2014-03-06
HK1151107A1 (en) 2012-01-20
KR20190002749A (ko) 2019-01-08
CN104122760B (zh) 2017-04-19
JP2014140079A (ja) 2014-07-31
JP2015172772A (ja) 2015-10-01
JP5287926B2 (ja) 2013-09-11
JP5776818B2 (ja) 2015-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102323724B (zh) 液浸曝光装置及其制造方法、曝光装置、器件制造方法
JP2005268742A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法
JP2007005830A (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
CN101644900B (zh) 曝光装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20140813

Termination date: 20200726