CN102844883A - 用于制造光电池和微电子器件的半导体衬底的双面可重复使用的模板 - Google Patents

用于制造光电池和微电子器件的半导体衬底的双面可重复使用的模板 Download PDF

Info

Publication number
CN102844883A
CN102844883A CN2011800185892A CN201180018589A CN102844883A CN 102844883 A CN102844883 A CN 102844883A CN 2011800185892 A CN2011800185892 A CN 2011800185892A CN 201180018589 A CN201180018589 A CN 201180018589A CN 102844883 A CN102844883 A CN 102844883A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon
layer
porous silicon
porous
thin films
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011800185892A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102844883B (zh
Inventor
M·M·穆斯利赫
K·J·克拉默
D·X·王
P·卡普尔
S·纳格
G·卡米安
J·亚西伊
T·米原隆夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Bank Of Banks
BL & S: Sao Li Sai asset LLC
OB Real Estate Co.,Ltd.
Trutag Technologies Inc
Original Assignee
Solexel Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Solexel Inc filed Critical Solexel Inc
Publication of CN102844883A publication Critical patent/CN102844883A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102844883B publication Critical patent/CN102844883B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02441—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/0245—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02494—Structure
    • H01L21/02513—Microstructure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

本发明提供了用于在可重复使用的半导体模板的两面制造TFSS的制造方法和设备，从而有效地提高衬底的产量并降低其制造成本。对于给定的模板重复使用循环次数，这种方法可将每一个制造出的衬底(TFSS)所分摊的起始模板成本降低一半。

Description

用于制造光电池和微电子器件的半导体衬底的双面可重复使用的模板
相关申请的交叉引用
本申请要求2010年2月12日提交的美国临时专利申请序列号61/304340的优先权，其全文通过引用并入到本文中。其它具有共同发明人和/或所有权的相关申请在整个说明书中也被提到，其全文也通过引用并入到本文中。
技术领域
本发明大体上涉及光伏和微电子领域，更具体地涉及薄膜(或薄箔)晶体(单晶、多晶)半导体衬底的制造工艺和制造设备，在一些实施例中，薄膜或薄箔的厚度范围在大约1微米到100微米之间。本发明提供了这种低成本和高产出的生产。
背景技术
目前，晶体硅在光伏(PV)产业的市场份额最大，占整个PV市场的80%以上。尽管制造更薄的晶体硅太阳能电池长期以来被认为是降低PV成本最有效的方法之一(因为太阳能电池中使用的晶体硅片相对较高的材料成本占了PV模块总成本的一部分)，但是由于衬底尺寸较大较薄，以及薄结构中一定程度上的光捕获问题（由于硅是一种间接带隙的半导体材料)，这使得使用较薄的晶体的过程中存在很多机械破损问题。要实现成本效益，PV制造工厂的产量必须要很高，因此高机械产量和降低晶片破损率的要求更加困难。对于无支撑的独立式晶体硅太阳能电池而言，比当前的厚度范围140μm-250μm再稍微降低一点也会在制造过程中严重危害到机械产量。因此，任何处理非常薄的太阳能电池结构的方案必须是在整个电池工艺中电池完全由主载体支撑，或者是采用新颖的自支撑、独立、利用具有结构创新的衬底。
使用薄膜半导体衬底(TFSS)作为活性材料以低成本制造太阳能电池的创新制造工艺已在相关申请中公开。在一些实施例中，TFSS包括晶体半导体(更具体地，在一些实施例中为硅)。这种技术平台使用可重复使用的半导体模板制造太阳能电池。在某些实施例中，模板表面具有周期性排列的预结构化的三维(3-D)结构。基于太阳能电池的3-D TFSS的例子包括，但不局限于，棱形蜂巢和倒金字塔型空腔，其在具有共同发明人和/或所有权的早期申请中已描述过。以下是相关申请的例子。美国专利US2008/0157283Al、US2008/0289684Al、US2010/0148318Al、US2010/0300518；序列号为13/057104的美国专利申请；序列号为PCT/US 10/60591，PCT/US 10/62614的PCT申请。
如以上文件公开的那样，外延衬底在可重复使用的模板的顶部生长，之后被移除。在一个实施例中，模板和衬底都包括单晶硅。之后，可重复使用的模板可被重复使用几次，重整或不重整均可，以生长更多外延衬底。可重复使用的模板具有平坦的顶部表面或具有预先形成的3-D微结构，比如六角形的蜂巢空腔或倒金字塔型空腔的顶部表面。3-D TFSS的分离通过使用中间牺牲层来实现。牺牲层应满足两个重要的标准。第一，其需将来自可重复使用模板的有关结晶性的信息传递到外延层。第二，与衬底和可重复使用的模板相比，其应能够被选择性地去除。牺牲层的一个具体例子是多孔硅，其孔隙率可被调整以便获得上述两个重要功能。
如以上文件所公开的那样，制造平面或3-D的TFSS并将其从一面，即可重复使用的模板的顶部表面，分离。换句话说，在每一个重复使用周期利用可重复使用的模板制造一个太阳能衬底。在那些发明中，模板和衬底的制造设备、多孔硅的形成和外延硅增长设备只能在硅模板的一个面上进行处理。该设备可以批量处理的方式一次处理多个晶片，但是每个模板只有一面可用。
与半导体工艺相比，制造太阳能电池需要更高的生产力而成本却低得多。因此，开发制造工艺以及能够同时在可重复使用模板的两面制造薄半导体衬底的设备是有利的。
发明内容
为了降低薄膜晶体半导体(比如硅)衬底的制造成本并提高生产量，本发明提供用于在可重复使用的半导体模板的两面制造TFSS(或薄半导体，比如硅箔片)的制造方法和设备，从而有效地增加衬底的制造产量并减低制造成本。对于给定的模板重复使用的次数而言，这种方法也将每一个制造出的衬底(TFSS)的分摊的起始模板成本降低了大约一半。
根据本发明，制备具有平坦表面或预结构化的3-D结构的双面半导体(比如硅)晶片，以将其作为可重复使用的模板(或可重复使用的微模具）使用。可对平面模板的表面进行抛光或对其进行结构化使其表面为随机或规则排列的粗糙表面。3-D模板具有3-D结构，比如在模板两面制造的蜂巢式棱柱或倒金字塔型空腔。模板正面和背面的表面结构可以相同或不同。例如，与正面结构相比，背面结构可不必对齐以确保模板的机械强度能够增强。在另一种示例中，模板的正面可由3-D结构组成，而其背面可为平面；然而，两面均可有效地用于制造TFSS。在再另一种示例中，模板的两面可以是不带有任何预结构化的3D图案的平面以制造TFSS(或薄硅箔片)。
根据本发明，在模板的两面形成合适的薄牺牲层，比如多孔硅层，用于衬底分离。可使用一个批量处理工具来形成这些牺牲层(尽管牺牲层可通过在一个或两个多孔硅形成处理工具中按顺序使用两个分开的顺序步骤在两个面上形成)。多孔硅层被用作种子层用于外延硅生长，也用作机械薄弱层以加速外延硅层(即，TFSS)在空间上与模板选择性地分离(正面和背面，从而有效地使生产量加倍）。
根据本发明，通过使用化学汽相沉积(CVD)，在单次外延工艺中在模板的两面同时生长薄外延硅层。
根据本发明，由外延硅层制造的TFSS在将掩埋的多孔硅层从模板边缘暴露后与模板的两面分离。从两面分离的TFSS薄膜或箔片(或晶片)的物理结构可以相同或不同然而，无论其形状和尺寸如何，从模板的正面和背面分离的TFSS部分可用于制造太阳能电池(或微型电子器件)。
根据本发明，TFSS从模板的每一个面分离后，可按需要对该模板进行修整和清洗，紧接着进行下一次循环使用。在本发明中的每一个模板都可多次循环使用，直到其变得太薄而无法处理或失去结构性能。在那些情况，可回收使用过的模板。
附图说明
通过以下结合附图进行的详细描述，本发明的特征、性质和优点将会变得显而易见，其中相似的标号表示相似的特征，其中：
图1A和1B分别出示了双面平面模板在其TFSS分离前和分离后的剖面示意图；
图2A出示了具有六角形蜂巢互连沟槽的双面可重复使用的模板的前视图；
图2B出示了具有棱形蜂巢3-D结构以及TFSS已从模板两面分离的双面模板的剖面示意图；
图3A出示了具有倒金字塔型空腔的双面可重复使用的模板的前视示意图；
图3B出示了具有倒金字塔型3-D结构以及TFSS已从模板两面分离的双面模板的剖面示意图；
图4图示了使用双面可重复使用的模板制造平面TFSS的框图；
图5A-5E出示了主要处理步骤之后，使用双面可重复使用的模板制造平面TFSS的过程的剖面示意图；
图6图示了用于制造具有六角形蜂巢式沟槽的双面可重复使用的模板的主要制造工艺步骤；
图7图示了用于制造具有倒金字塔型空腔的双面可重复使用的模板的主要制造工艺步骤；
图8出示了批量工艺中用于在硅模板的两面形成多孔硅层的设备的概念性剖面图；和
图9出示了批量工艺中用于在硅模板的两面生长外延硅层的设备的概念性剖面图。
具体实施方式
尽管参考具体实施例对本发明进行描述，但是本领域的技术人员无需进行过度的实验便可将此处讨论的原理应用到其它地方和/或实施例。
图1A和图1B出示了在TFSS12从两面分离前后，双面平面模板10的剖面示意图。如图1A所图示的那样，通过外延硅生长工艺，在一些实施例中同时地，在平面模板的两侧以及模板正面和背面表面上的多孔硅层14的顶部形成外延生长硅层。模板可由表面抛光的单晶硅晶片制成(尽管表面未抛光的晶片和/或多晶硅晶片也可用作模板)。晶片直径可在大约150至450毫米的范围内，晶片厚度可在大约0.5至1毫米的范围内。可使用更厚的晶片，其厚度可达几毫米。模板可以是圆形、正方形/矩形，或带有圆角的近似正方形/近似矩形。多孔硅层可由单层、具有不同孔隙率的双层或多层，或具有分等级的孔隙率的层组成。例如，多孔硅接触模板的子层比接触外延层的子层具有更高孔隙率。总的外延层厚度可在大约1至100微米的范围内，其可由不同掺杂类型和级别的层组成。例如，对于太阳能电池的应用而言，与掩埋的多孔硅层接触的薄层16可以是n+(磷)掺杂以形成太阳能电池的正表面场(FSF)；中间层18可以是n(磷)掺杂以形成太阳能电池的基极区域；外部外延层20可以是p+(硼)掺杂以形成太阳能电池的太阳能电池发射机区域(或选择性地对于基极为p-型的太阳能电池可用相反的掺杂极性)。
可除去晶片边缘的外延层(如图1B所示)来暴露掩埋的多孔硅层以便将外延层与模板分离。选择性地，可通过机械遮蔽和/或氢气流清除清洗来避免外延层在模板边缘生长。在另一种可替代的方法中，TFSS边缘由激光沟槽切割限定，切割深度不大于外延层的厚度。在这种方法中，在TFSS与模板分离后，通过对模板边缘进行研磨、磨削或抛光可除去模板边缘剩余的外延硅层。如图1B中所图示的那样，将外延层与模板分离以形成具有可选择的增强/支撑板22的TFSS。薄硅增强或支撑板可临时或永久地安装在TFSS上以提高其在后续太阳能电池工艺步骤中的可处理性。如在相关申请中所公开的那样，增强板可由太阳能等级玻璃、聚合物，或其它材料制造。也可以存在太阳能等级粘着层，用于形成增强板和TFSS之间的永久性结合。在外延层的厚度大于大约50微米而TFSS的直径小于大约150毫米的情况下，可不需要增强板。TFSS分离后，可清洗，修整模板(按此顺序或按照相反的顺序，先修整再清洗)，然后重新使用。然后，TFSS经历随后的太阳能电池制作过程，包括，但不局限于，表面清洗、掺杂、钝化和触点制造步骤，如在相关申请中公开的那样。
图2A和2B图示了具有六角形蜂巢式三维结构的双面模板和在可重复使用的模板两面制造的TFSS。图2A图示了模板的部分前视示意图。模板可由单晶硅晶片制成，虽然多晶硅晶片也可用作模板。模板具有预结构化的正面和背面表面。更具体地，在硅模板两面上制造侧壁为锥形的六角形蜂巢式沟槽30。图2B图示了TFSS34分离后模板的剖面示意图(沿着A-A切割方向)(附图尺寸未按比例示出）。如图所示，沟槽侧壁32为锥形且锥角可从几度到十几度（在一些实施例中大约为3到10度)。沟槽高度大约为50至300微米，或更具体地在一些实施例中大约为75至150微米。顶部沟槽宽度大约为10至100微米，或更具体地在一些实施例中大约为20至50微米。背面结构可不与正面结构对齐以确保模板增强的机械强度。模板晶片直径在大约150至450毫米的范围内，晶片厚度大约在0.5至1毫米以上的范围内(也可使用更厚的晶片，其厚度可达到几毫米）。多孔硅层(未示出)最初是在模板表面的两面上形成的，如在平面TFSS的情况下讨论的那样。然后在模板两面上的多孔硅层的顶部形成外延生长硅层。外延层的厚度大约在1至100微米的范围内，且在其整个深度内，其由各种的掺杂类型和掺杂等级组成，如在平面TFSS的情况下所解释的那样。示意图出于简单的目的，掺杂类型和等级并未在图2B中示出。为了将外延层从模板上分离，将晶片边缘的外延层除去以暴露掩埋的多孔硅层。
选择性地，通过机械遮蔽可避免在模板边缘的外延生长。在另一种可替代的方法中，TFSS边缘由激光沟槽切割限定，切割深度不大于外延层的厚度。在这种方法中，在TFSS与模板分离后，通过对模板边缘进行研磨、磨削或抛光可除去模板边缘剩余的外延硅层。如图2B中所图示的那样，将外延层与模板分离以形成独立，不需要增强板的TFSS。TFSS分离后，可清洗，修整模板，然后再次使用。TFSS经历随后的太阳能电池制作过程，包括，但不局限于，表面清洗、掺杂、钝化和触点制造步骤，如在相关申请中公开的那样。
图3A和3B图示了具有倒金字塔型3-D结构的双面模板和在可重复使用的模板两面制造的TFSS。图3A出示了模板的部分前视示意图。模板可由单晶硅晶片制成，尽管多晶硅晶片也可用作模板。模板具有预结构化的正面和背面表面。更具体地，在硅模板两面上制造倒金字塔型空腔40。为了促进金字塔型图案形成，模板可以为单晶硅晶片(100)。倒金字塔型空腔被对准到(100)的方向，且其侧壁被蚀刻至单晶硅的晶体平面(111)。侧壁与顶部横向平面呈54.7°角。空腔顶部开口大约在50至500微米的范围内，深度大约在50至250微米的范围内。图3B出示了TFSS42分离后模板的剖面示意图(沿着A-A切割方向)(附图尺寸未按比例示出）。背面结构可不与正面结构对齐以确保模板增强的机械强度。模板晶片直径可在大约150至450毫米的范围内，晶片厚度可大约在0.5至1毫米以上的范围内(或甚至几毫米）。如以上描述的，一个或者多个多孔硅层可在模板的两面上形成。然后在模板两面上的多孔硅层的顶部形成外延生长硅层。外延层的厚度大约在1至100微米的范围内，且在其整个深度内，其由各种的掺杂类型和掺杂级别组成，如在平面TFSS的情况下所解释的那样。示意图出于简单的目的，掺杂类型和等级并未在图3B中示出。为了将外延层从模板上分离，将晶片边缘的外延层除去以暴露掩埋的多孔硅层。
选择性地，通过机械遮蔽可避免在模板边缘生长外延层。在另一种可替代的方法中，TFSS边缘由激光沟槽切割限定，切割深度不大于外延层的厚度。在这种方法中，在TFSS 与模板分离后，通过对模板边缘进行研磨、磨削或抛光可除去模板边缘剩余的外延硅层。
如图3B中所图示的那样，将外延层与模板分离以形成独立的、不需要增强板的TFSS。TFSS分离后，可清洗，修整模板，然后再次使用。TFSS经历随后的太阳能电池制作过程，包括，但不局限于，表面清洗、掺杂、钝化和触点制造步骤，如在相关申请中公开的那样。
图4概括了在一个实施例中使用本发明的双面可重复使用的模板的方法来制造平面TFSS的工艺流程的主要处理步骤。制造工艺始于步骤50，从一个大体上是平面的模板开始，其可以是单晶硅晶片(100)。起始的晶片可以是圆形、正方形或矩形或多角形的形状。模板表面的两面，就其表面处理而言，可以相同或不同。在一个实施例中，正面和背面表面没有被结构化或抛光。在另一种实施例中，在模板表面的两面形成很浅（例如小于大约10微米)且随机的纹理。硅晶片(100)表面结构化工艺已为现有技术所知，且通常通过稀释的碱性化学方法进行，比如KOH或NaOH硅蚀刻。
在步骤52中，通过对模板表面的正面和背面的硅进行电化学阳极HF蚀刻，在该模板上形成多孔硅层。在HF/IPA(或HF/醋酸)溶液中形成多孔硅的过程中，周期性地将电流极性在正电流和负电流之间转换，使得每一个模板面/表面都能被顺序地蚀刻，以在模板的正面和背面形成双层或多层多孔硅结构。除了周期性的电流极性转换，电流强度也以一种受控的方式被改变以形成由所希望的不同(低和高)孔隙率组成的多孔硅层。第一薄多孔硅层在顶部，且首先从块状硅晶片制成。第一薄层优选地具有较低的孔隙率，其孔隙率在15%到30%之间。第二薄多孔硅层直接从块状硅上生长，且位于第一薄多孔硅层下面。第二薄多孔硅层可具有较高的孔隙率，其孔隙率在大约40%到80%的范围内。顶部较低孔隙率多孔硅层用作为晶体种子层，以获得高质量的外延硅生长，下面的较高孔隙率多孔硅层由于其物理连接(在外延硅和块状硅界面之间)密度较低以及机械强度弱，因此被用于促进TFSS的分离。
选择性地，也可使用孔隙率从顶部到底部逐渐增大的单孔隙率分离层。在这种情况下，多孔硅层顶部的孔隙率较低，大约在15%到30%之间，而多孔硅层下部的孔隙率较高，大约在40%以80%之间，二者之间有一个孔隙率分等级的区域。
在步骤54中，在外延硅生长之前，将晶片放入外延硅沉积反应器内，在高温(大约950度到1200度，且更具体地在一些实施例中，在1050度到1150度的范围内)氢环境下烘焙以便在较高孔隙率掩埋的多孔硅层内形成烧结结构(空隙相对较大)，同时在孔隙率较低的多孔硅层顶部形成连续的晶体硅表面种子层。
接下来，在步骤56中，同时在模板的两面沉积单晶外延硅层，优选地在生产量高，批量大的外延火炉中进行。外延层可原位掺杂。例如，对于太阳能电池的应用，外延层的块状基极可以是n(磷)掺杂，内层可以是n+(磷)掺杂以形成FSF，且外层可以是p(硼)掺杂以形成太阳能电池的发射极区域。外延层的厚度在1到100微米的范围内。
在可选择的步骤58中，薄氧化层在外延表面热生长。薄氧化层可用于太阳能电池表面钝化或用于后续选择性表面开口的掩蔽层。
在可选择的步骤60中，临时性或永久性增强板被安装在硅表面的正面和背面。增强板可作为载体以允许使用商业上可获得的太阳能电池制造设备对薄TFSS进行加工和处理，如在序列号为PCT/US10/60591和PCT/US10/62614的PCT申请中所公开的那样。
接下来，在步骤62中，可通过对模板边缘进行研磨、磨削或抛光来除去晶片边缘的外延层以暴露掩埋的多孔硅层以便外延层与模板分离。选择性地，可通过机械遮蔽来避免外延在模板边缘生长。在另一种可替代的方法中，如在相关申请中公开的那样，TFSS边缘由激光沟槽切割限定，切割深度不大于外延层的厚度。
在步骤64中，被强化（可选地）的外延硅层与模板分离/分开，分离的外延硅层因此被称作薄膜硅衬底。相关申请公开了分离外延层以形成TFSS的详细方法。在一个公开的方法中，TFSS在超声Dl-水浴中被分离。在另一种公开的方法中，在晶片背面和顶部外延层被真空吸紧的情况下，通过直接拉拔来分离该TFSS。
在步骤66中，通过使用KOH或TMAH溶液进行浅硅蚀刻来清洁分离的TFSS背面表面以便去除硅碎屑并完整地或局部地去除伪单晶硅(QMS)层。与此同时，且在边缘外延硅层从模板上被去除后，使用稀释的HF和稀释的湿硅蚀刻溶液清洁模板，比如使用TMAH和/或KOH去除剩余的多孔硅层和硅微粒。然后用传统硅晶片清洗方法，比如SCI和SC2湿法净化(或所谓的RCA清洗工艺)进一步清洗模板以去除可能的有机和金属污染。最后，用去离子水进行适当的冲洗且进行N2干燥后，该模板便可用于另一个重复使用循环。
图5A-5E出示了主要处理步骤后，使用双面可重复使用的模板制作平面TFSS的过程的剖面示意图。这些附图中的尺寸未按比例示出。图5A图示了具有大体上是平面的正面和背面表面的起始模板70。
图5B图示了在其正面和背面表面形成多孔硅72后的模板。然而，在正面和背面表面上的多孔硅层并未连接，因为在模板的最边缘或斜角区域内未形成多孔硅。
图5C图示了模板正面和背面表面上生长的外延层74。在本示例中外延层74包括n+掺杂的FSF层76、n掺杂的基极78和p+掺杂的发射极80。根据外延生长室内模板的夹持配置，模板表面的最边缘或斜角区域上可有或没有薄外延硅层生长。
图5D图示了安装增强板82并在TFSS的边缘制造边界限定沟槽84后的步骤。可在TFSS分离之前或之后除去边缘外延层86。
图5E图示了具有增强板的TFSS 88的分离。TFSS 88与模板表面的分离在掩埋的多孔硅层发生。TFSS分离后，TFSS和模板表面上剩余的多孔硅层和/或QMS薄层通过湿化学蚀刻，比如稀释的KOH或NaOH溶液(或选择性地使用HF-硝酸-醋酸(HNA)溶液)被蚀刻掉。在下一个模板重复使用循环之前，同样将模板边缘剩余的外延硅层和QMS硅层除去或蚀刻掉。
图6示出工艺流程且图示了经过用于制造具有六角形蜂巢式沟槽的双面可重复使用的模板的主要制造工艺步骤后的模板。这种3-D模板用于制造蜂巢式TFSS。
模板制造工艺从使用单晶(100)硅晶片的步骤90开始。在步骤92中，将光致抗蚀剂层93覆盖在模板的正面表面和背面表面并进行图案化。选择性地，可丝网印刷阻挡层。
接下来，在步骤94中，使用硅蚀刻气体，比如SF6，以深反应离子蚀刻(DRIE)或反应离子蚀刻(RIE)工艺对正面和背面硅槽进行蚀刻。在DRIE工艺中，使用C4F8气体进行周期性表面钝化以控制侧壁表面。沟槽蚀刻受时间控制。沟槽蚀刻之后，在步骤96除去剩余的阻挡层，且在步骤98彻底清洗所有暴露的硅表面。可选择地，对沟槽侧壁粗糙的表面略微进行蚀刻以使其平滑一些。在步骤100，可重复使用的模板被完成。
除了在TFSS分离前可能不需要增强板之外，使用双面蜂巢式模板的3-D TFSS制造工艺与平面TFSS的制作过程大体相同。为了简单化，3-D TFSS制作过程未在图中示出。
图7图示了用于制造具有倒金字塔型空腔的双面可重复使用的模板的主要制造工艺步骤。这种3-D模板用于制造金字塔型TFSS。模板制造工艺从使用单晶硅晶片(100)的步骤110开始。晶片厚度大约在0.5至1毫米(或甚至几毫米)的范围内。在步骤112中，热生长的氧化层，其厚度大约为0.5至1.5微米，被用作硬掩膜层113。硅氧化层覆盖整个晶片表面，包括边缘。晶片边缘上的氧化物未示出。
接下来，在步骤114，光刻限定的或丝网印刷的光致抗蚀剂图案被施加到晶片的正面表面和背面表面。光刻工艺包括光致抗蚀剂涂覆、烘焙、曝光、显影和后烘焙。光刻图案由参差不齐的大正方形开口和小正方形开口组成。在正面表面上将正方形开口图案精确地对准到晶片<100>方向很重要。
然后图案化的阻挡图案在步骤116被转移到硬掩蔽层，即，正面氧化层。图案从光致抗蚀剂层转移到氧化层是通过在缓冲HF溶液中控制氧化物蚀刻来实现的。在HF湿蚀刻过程中，同时对正面和背面氧化物开口进行蚀刻，且边缘氧化层受到完整保护，并保持原来的厚度。晶片表面的氧化物图案也由参差不齐的、对准到结晶方向<100>的大小正方形开口组成。
图案转移后，在步骤118，通过湿法或干法光致抗蚀剂去除方法除去剩余的光致抗蚀剂层。接下来，在步骤120，硅各向异性蚀刻通过受时间控制的KOH、NaOH或TMAH蚀刻(其结果是形成大金字塔型硅空腔)来进行。蚀刻温度大约可在50°C至80°C的范围内。对正面和背面暴露的硅表面同时进行蚀刻，且晶片边缘表面受到未图案化的氧化层的全面保护。KOH蚀刻受时间控制以便使金字塔型空腔达到一定深度。选择性地，当金字塔型(111)的四个侧壁在底部相遇时，KOH蚀刻可自行结束。
KOH蚀刻之后，由于氧化物在KOH或TMAH溶液中也受到一定程度的蚀刻，虽然其蚀刻速率比硅蚀刻要慢很多，但是剩余的氧化层较之前要薄一些。然后在步骤122将剩余的氧化层在稀释的HF溶液中除去，接着在SC2和SC2中进行标准晶片清洗、DI水冲洗和N2干燥。在步骤124，可重复使用的金字塔型双面模板被完成。
除了在TFSS分离前可能不需要增强板之外，使用双面金字塔型模板的3-D TFSS制造工艺与平面TFSS的制作过程相同。为了简单化，3-D TFSS制作过程未在图中示出。
图8出示了下述设备的一种可能的实施例的概念剖面图，该设备用于在批量电化学阳极蚀刻工艺中在硅模板两面形成多孔硅层。模板130被批量装入蚀刻室且各自在其边缘通过封条132被支撑和密封。因此在模板的最边缘表面没有形成多孔硅层。装入的模板在蚀刻室中被均匀地隔开，且模板之间的电解液体(HF、IPA和DI水混合液）具有一致的浓度和体积。可灵活地控制液体温度，且工艺过程中产生的气泡通过外部液体循环和气泡提取被及时地除去。电源134将有电流强度控制、时间控制和极性转换能力的电能提供给电极136。周期性地转换电流极性以便每一个模板面都能被连续不断积累地蚀刻。除了周期性的电流极性转换，电流强度也以一种受控的方式被改变，以形成可由两个或多个具有不同孔隙率或孔隙率分等级的薄层组成的多孔硅层。普通的技术人员知道不同的电解液体积和浓度、蚀刻室尺寸，相邻模板之间的距离、电流大小和极性可用于图8所示的实施例中。电流的流过产生多孔硅层138。
图9出示了用于在批量工艺中在硅模板的两面同时生长外延硅层的设备的概念性剖面图。如以上描述的，多孔硅层在硅模板的两面，除了边缘的地方形成。模板被批量装入外延反应室内，并且从没有多孔硅层的边缘处对模板分别进行支撑。
这种边缘支撑的方法可避免破损的多孔硅碎屑在模板装卸工艺中积累。装入的模板在反应室内被均匀地隔开。有了这种分布式气体注入布局，反应气体可均匀地从气体注射器144中释放到所有暴露的硅表面，并通过排气装置146被排出，使得在单晶片内和晶片之中进行均匀的外延生长。在此工艺过程中，反应室被加热到950°C至1200°C的高温范围内。出于简单说明的目的，加热及其控制功能未在图9中示出。
本领域的技术人员将认识到除了以上描述的具体示例，本公开的实施例涉及的领域很宽泛。
提供上述示例性实施例的描述是为了使本领域的任何技术人员制造或使用所请求保护的主题。这些实施例的各种修改对本领域中的技术人员来说是很明显的，且此处确定的基本原则可应用于其它实施例，无需创造性劳动。因此，所要求保护的主题不是要限于此处展示的实施例，而是要覆盖与此处公开的原理和新颖特征相一致的最广的范围。
本发明内容的意图是将所有包含在本说明书内的那些其它的系统、方法、特征和优点都在权利要求的范围内。

Claims (25)

1.一种用于制造一对单晶薄膜硅衬底的方法，所述方法包括：
提供单晶硅晶片；
用具有六角形图案的阻挡层将所述单晶硅晶片的第一表面和第二表面图案化；
蚀刻所述单晶硅晶片，从而在所述第一表面和所述第二表面上制作一组结构性表面形貌特征，所述结构性表面形貌特征包括多个独立的六角形支柱；
将所述阻挡层从所述单晶硅晶片上除去；和
清洗所述单晶硅晶片的第一表面和第二表面，所述单晶硅晶片包括双面可重复使用的模板；
通过阳极蚀刻工艺在所述双面可重复使用的模板的第一表面上制作第一多孔硅层，在其第二表面上制作第二多孔硅层，所述多孔硅层具有与所述双面可重复使用的模板一致的结晶性；
在所述第一多孔硅层上外延沉积第一单晶薄膜硅衬底，在所述第二多孔硅层上外延沉积第二单晶薄膜硅衬底，所述单晶薄膜硅衬底具有与所述多孔硅层一致的结晶性；
将所述第一和第二单晶薄膜硅衬底从所述第一和第二多孔硅层分离。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一多孔硅层包括具有至少两个不同孔隙率的第一多孔硅双层，所述第二多孔硅层包括具有至少两个不同孔隙率的第二多孔硅双层。
3.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一多孔硅层包括第一孔隙率分级层，所述第二多孔硅层包括第二孔隙率分级层。
4.如权利要求1所述的方法，其中，所述单晶薄膜硅衬底包括原位掺杂的单晶薄膜硅衬底。
5.如权利要求4所述的方法，其中，每一个所述原位掺杂的单晶薄膜硅衬底包括用于光伏太阳能电池的前表面场层和基极层。
6.如权利要求4所述的方法，其中，每一个所述原位掺杂的单晶薄膜硅衬底包括用于光伏太阳能电池的前表面场层、基极层和发射极层。
7.如权利要求1所述的方法，进一步包括，在原位制作所述第一和第二多孔硅层后且在所述外延沉积步骤之前，在氢气环境中加热所述双面可重复使用的模板的步骤。
8.一种用于制造一对单晶薄膜硅衬底的方法，所述方法包括：
提供单晶硅晶片；
在所述单晶硅晶片的第一表面和第二表面上制作热生长的硅氧化层；
用包括大正方形和小正方形的阻挡层对所述单晶硅晶片的第一表面和第二表面进行图案化，所述大小正方形被对准到所述单晶硅晶片<110>的方向；
将所述大正方形和小正方形图案转移到所述硅氧化层；
对所述单晶硅晶片进行各向异性蚀刻，从而在所述第一表面和所述第二表面上制作一组结构性表面形貌特征，所述结构性表面形貌特征包括多个正方形金字塔型空腔；
将所述阻挡层从所述单晶硅晶片上除去；和
清洗所述单晶硅晶片的第一表面和第二表面，所述单晶硅晶片包括双面可重复使用的模板；
通过阳极蚀刻工艺在所述双面可重复使用的模板的第一表面上制作第一多孔硅层，在其第二表面上制作第二多孔硅层，所述多孔硅层具有与所述双面可重复使用的模板一致的结晶性；
在所述第一多孔硅层上外延沉积第一单晶薄膜硅衬底，在所述第二多孔硅层上外延沉积第二单晶薄膜硅衬底，所述单晶薄膜硅衬底具有与所述多孔硅层一致的结晶性；
将所述第一和第二单晶薄膜硅衬底从所述第一和第二多孔硅层分离。
9.如权利要求8所述的方法，其中，所述第一多孔硅层包括具有至少两个不同孔隙率的第一多孔硅双层，所述第二多孔硅层包括具有至少两个不同孔隙率的第二多孔硅双层。
10.如权利要求8所述的方法，其中，所述第一多孔硅层包括第一孔隙率分级层，所述第二多孔硅层包括第二孔隙率分等层。
11.如权利要求8所述的方法，其中，所述单晶薄膜硅衬底包括原位掺杂的单晶薄膜硅衬底。
12.如权利要求11所述的方法，其中，每一个所述原位掺杂的单晶薄膜硅衬底包括前表面场层、基极层和发射极层。
13.如权利要求8所述的方法，进一步包括，在制作所述第一和第二多孔硅层后，在氢气环境中加热所述双面可重复使用的模板的步骤。
14.一种用于制造一对单晶薄膜硅衬底的方法，所述方法包括：
提供单晶硅晶片；
对所述单晶硅晶片的第一表面和第二表面进行抛光、研磨，或除去其锯伤。
清洗所述单晶硅晶片的第一表面和第二表面，所述单晶硅晶片包括双面可重复使用的模板；
通过阳极蚀刻工艺在所述双面可重复使用的模板的第一表面上制作第一多孔硅层，在其第二表面上制作第二多孔硅层，所述多孔硅层具有与所述双面可重复使用的模板一致的结晶性；
在所述第一多孔硅层上外延沉积第一单晶薄膜硅衬底，在所述第二多孔硅层上外延沉积第二单晶薄膜硅衬底，所述单晶薄膜硅衬底具有与所述多孔硅层一致的结晶性；
将所述第一和第二单晶薄膜硅衬底从所述第一和第二多孔硅层分离。
15.如权利要求14所述的方法，其中，所述第一多孔硅层包括具有至少两个不同孔隙率的第一多孔硅双层，所述第二多孔硅层包括具有至少两个不同孔隙率的第二多孔硅双层。
16.如权利要求14所述的方法，其中，所述第一多孔硅层包括第一孔隙率分级层，所述第二多孔硅层包括第二孔隙率分等层。
17.如权利要求14所述的方法，其中，所述单晶薄膜硅衬底包括原位掺杂的单晶薄膜硅衬底。
18.如权利要求17所述的方法，其中，每一个所述原位掺杂的单晶薄膜硅衬底至少包括前表面场层、基极层或发射极层其中之一。
19.如权利要求14所述的方法，进一步包括，在制作所述第一和第二多孔硅层后，在氢气环境中加热所述双面可重复使用的模板的步骤。
20.一种用于制造一对晶体薄膜硅衬底的方法，所述方法包括：
提供晶体半导体晶片；
以随机的纹理或规则图案对所述单晶硅晶片的第一表面和第二表面进行预结构化，从而在所述第一表面和第二表面上制作一组结构化表面形貌特征，所述结构化表面形貌特征包括多个形貌特征；和
清洗所述单晶硅晶片的第一表面和第二表面，所述单晶硅晶片用作双面可重复使用的模板；
通过阳极蚀刻工艺在所述双面可重复使用的模板的第一表面上制作第一多孔半导体层，在其第二表面上制作第二多孔半导体层，所述多孔半导体层具有与所述双面可重复使用的模板一致的结晶性；
在所述第一多孔半导体层上沉积第一晶体薄膜半导体衬底，在所述第二多孔半导体层上沉积第二晶体薄膜半导体衬底，所述晶体薄膜半导体衬底具有与所述可重复使用的模板一致的结晶性；
将所述第一和第二单晶薄膜半导体衬底从所述第一和第二多孔半导体层分离。
21.一种用于制造一对晶体薄膜硅衬底的方法，所述方法包括：
提供晶体硅晶片；
以随机的纹理对所述晶体硅晶片的第一表面和第二表面同时进行预结构化，从而在所述第一表面和第二表面上制作一组结构化表面形貌特征，所述结构化表面形貌特征包括多个形貌特征；和
清洗所述晶体硅晶片的第一表面和第二表面，所述晶体硅晶片用作双面可重复使用的模板；
通过阳极蚀刻工艺在所述双面可重复使用的模板的第一表面上制作第一多孔硅层，在其第二表面上制作第二多孔硅层，所述多孔硅层具有与所述双面可重复使用的模板一致的结晶性；
在所述第一多孔硅层上沉积第一晶体薄膜硅衬底，在所述第二多孔硅层上沉积第二晶体薄膜硅衬底，晶体薄膜硅衬底具有与所述多孔硅层和所述可重复使用的模板一致的结晶性；
将所述第一和第二单晶薄膜半导体衬底从所述第一和第二多孔半导体层分离。
22.一种用于制造一对晶体薄膜硅衬底的方法，所述方法包括：
提供晶体硅晶片；
以三维纹理对所述单晶硅晶片的第一表面和第二表面进行预结构化，从而在所述第一表面和第二表面上制作一组结构化表面形貌特征，所述结构化表面形貌特征包括多个创立非平面结构的形貌特征；
和清洗所述单晶硅晶片的第一表面和第二表面，所述单晶硅晶片用作双面可重复使用的模板；
通过阳极蚀刻工艺在所述双面可重复使用的模板的第一表面上制作第一多孔硅层，在其第二表面上制作第二多孔硅层，所述多孔硅层具有与所述双面可重复使用的模板一致的结晶性；
在所述第一多孔硅层上外延沉积第一单晶薄膜硅衬底，在所述第二多孔硅层上外延沉积第二单晶薄膜硅衬底，所述单晶薄膜硅衬底具有与所述多孔硅层和所述可重复使用的模板一致的结晶性；
将所述第一和第二单晶薄膜硅衬底从所述第一和第二多孔硅层分离。
23.一种用于制造一对单晶薄膜硅衬底的方法，所述方法包括：
提供单晶半导体晶片；
同时清洗所述单晶硅晶片的第一表面和第二表面，所述单晶硅晶片用作双面可重复使用的模板；
通过阳极蚀刻工艺在所述双面可重复使用的模板的第一表面上制作第一多孔硅层，在其第二表面上制作第二多孔硅层，所述多孔硅层具有与所述双面可重复使用的模板一致的结晶性；
在所述第一多孔硅层上外延沉积第一单晶薄膜硅衬底，在所述第二多孔硅层上外延沉积第二单晶薄膜硅衬底，所述单晶薄膜硅衬底具有与所述多孔硅层和所述可重复使用的模板一致的结晶性；
将所述第一和第二单晶薄膜硅衬底从所述第一和第二多孔硅层分离。
24.一种用于以批量电化学阳极蚀刻工艺在多个硅模板的至少两个表面上形成多孔硅层的设备，所述设备包括：
多个边缘密封模板架，在所述架内设有多个模板，所述多个架工作时可避免在所述模板边缘形成多孔硅；
电解液，其设置在所述多个模板之中；
电解液温度控制器；
气泡抽出器，其工作时通过循环所述电解液去除来自所述多个模板的气泡；和
电源，其工作时可转换极性、改变电流强度并控制蚀刻时间以制作所述多孔硅层。
25.一种用于在多个硅模板的至少两个表面同时生长外延硅层的设备，所述设备包括：
多个均匀隔开的竖直边缘夹持模板架；
多个均匀隔开的孔，其工作时可注入并排出气体来沉积所述外延硅层。
CN201180018589.2A 2010-02-12 2011-02-12 用于制造光电池和微电子器件的半导体衬底的双面可重复使用的模板 Expired - Fee Related CN102844883B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US30434010P 2010-02-12 2010-02-12
US61/304,340 2010-02-12
PCT/US2011/024670 WO2011100647A2 (en) 2010-02-12 2011-02-12 Double-sided reusable template for fabrication of semiconductor substrates for photovoltaic cell and microelectronics device manufacturing

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102844883A true CN102844883A (zh) 2012-12-26
CN102844883B CN102844883B (zh) 2016-01-20

Family

ID=44368484

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201180018589.2A Expired - Fee Related CN102844883B (zh) 2010-02-12 2011-02-12 用于制造光电池和微电子器件的半导体衬底的双面可重复使用的模板

Country Status (4)

Country Link
US (2) US8241940B2 (zh)
EP (1) EP2534700A4 (zh)
CN (1) CN102844883B (zh)
WO (1) WO2011100647A2 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI489647B (zh) * 2012-02-16 2015-06-21 Ind Tech Res Inst 製作具有織化表面之半導體層之方法、製作太陽能電池之方法
CN110112256A (zh) * 2019-04-29 2019-08-09 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 一种背接触电池用干法开槽方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8399331B2 (en) 2007-10-06 2013-03-19 Solexel Laser processing for high-efficiency thin crystalline silicon solar cell fabrication
US8193076B2 (en) 2006-10-09 2012-06-05 Solexel, Inc. Method for releasing a thin semiconductor substrate from a reusable template
EP2356675B1 (en) 2008-11-13 2016-06-01 Solexel, Inc. Three dimensional thin film solar cell and manufacturing method thereof
US9076642B2 (en) 2009-01-15 2015-07-07 Solexel, Inc. High-Throughput batch porous silicon manufacturing equipment design and processing methods
US8906218B2 (en) 2010-05-05 2014-12-09 Solexel, Inc. Apparatus and methods for uniformly forming porous semiconductor on a substrate
US9318644B2 (en) 2009-05-05 2016-04-19 Solexel, Inc. Ion implantation and annealing for thin film crystalline solar cells
EP2534700A4 (en) 2010-02-12 2015-04-29 Solexel Inc DOUBLE-SIDED REUSABLE SHAPE FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATES FOR MANUFACTURING PHOTOVOLTAIC CELLS AND MICROELECTRONIC DEVICES
KR101172178B1 (ko) * 2010-09-01 2012-08-07 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
US9748414B2 (en) 2011-05-20 2017-08-29 Arthur R. Zingher Self-activated front surface bias for a solar cell
KR101372305B1 (ko) * 2012-09-21 2014-03-14 영남대학교 산학협력단 태양전지 셀 및 이의 제조방법
US9012912B2 (en) * 2013-03-13 2015-04-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafers, panels, semiconductor devices, and glass treatment methods
US9523158B2 (en) * 2014-02-07 2016-12-20 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for forming semiconductor
US9450007B1 (en) 2015-05-28 2016-09-20 Stmicroelectronics S.R.L. Integrated circuit with reflective material in trenches and related methods
DE102015121636A1 (de) * 2015-12-11 2017-06-14 Nexwafe Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum einseitigen Ätzen einer Halbleiterschicht
US10424441B2 (en) 2017-07-05 2019-09-24 Honeywell International Inc. Ultra-high charge density electrets and method of making same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02154343A (ja) * 1988-12-05 1990-06-13 Ricoh Co Ltd 両面型スタンパの製造方法
US6805966B1 (en) * 2002-06-28 2004-10-19 Seagate Technology Llc Method of manufacturing a dual-sided stamper/imprinter, method of simultaneously forming magnetic transition patterns and dual-sided stamper/imprinter
CN1841676A (zh) * 2005-03-28 2006-10-04 东京毅力科创株式会社 使用原子层沉积法的氮化硅膜的形成方法
JP2007224375A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Nuflare Technology Inc 気相成長装置

Family Cites Families (198)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4082570A (en) 1976-02-09 1978-04-04 Semicon, Inc. High intensity solar energy converter
US4070206A (en) 1976-05-20 1978-01-24 Rca Corporation Polycrystalline or amorphous semiconductor photovoltaic device having improved collection efficiency
US4043894A (en) 1976-05-20 1977-08-23 Burroughs Corporation Electrochemical anodization fixture for semiconductor wafers
US4165252A (en) 1976-08-30 1979-08-21 Burroughs Corporation Method for chemically treating a single side of a workpiece
US4348254A (en) 1978-12-27 1982-09-07 Solarex Corporation Method of making solar cell
US4251679A (en) 1979-03-16 1981-02-17 E-Cel Corporation Electromagnetic radiation transducer
US4249959A (en) 1979-11-28 1981-02-10 Rca Corporation Solar cell construction
US4361950A (en) 1980-03-24 1982-12-07 Exxon Research & Engineering Co. Method of making solar cell with wrap-around electrode
US4427839A (en) 1981-11-09 1984-01-24 General Electric Company Faceted low absorptance solar cell
US4479847A (en) 1981-12-30 1984-10-30 California Institute Of Technology Equilibrium crystal growth from substrate confined liquid
US4409423A (en) 1982-03-09 1983-10-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Hole matrix vertical junction solar cell
US4430519A (en) 1982-05-28 1984-02-07 Amp Incorporated Electron beam welded photovoltaic cell interconnections
US4461922A (en) 1983-02-14 1984-07-24 Atlantic Richfield Company Solar cell module
US4626613A (en) 1983-12-23 1986-12-02 Unisearch Limited Laser grooved solar cell
US4672023A (en) 1985-10-21 1987-06-09 Avantek, Inc. Method for planarizing wafers
DE3537483C1 (de) 1985-10-22 1986-12-04 Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl plattenfoermiger Mikrostrukturkoerper aus Metall
US5024953A (en) 1988-03-22 1991-06-18 Hitachi, Ltd. Method for producing opto-electric transducing element
US4922277A (en) 1988-11-28 1990-05-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Silicon wafer photoresist developer
US5208068A (en) 1989-04-17 1993-05-04 International Business Machines Corporation Lamination method for coating the sidewall or filling a cavity in a substrate
GB8927709D0 (en) 1989-12-07 1990-02-07 Secretary Of The State For Def Silicon quantum wires
US5073230A (en) 1990-04-17 1991-12-17 Arizona Board Of Regents Acting On Behalf Of Arizona State University Means and methods of lifting and relocating an epitaxial device layer
US5420067A (en) 1990-09-28 1995-05-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of fabricatring sub-half-micron trenches and holes
US5248621A (en) 1990-10-23 1993-09-28 Canon Kabushiki Kaisha Method for producing solar cell devices of crystalline material
US5112453A (en) 1990-10-31 1992-05-12 Behr Omri M Method and apparatus for producing etched plates for graphic printing
DE4141083A1 (de) 1991-12-13 1993-06-17 Raetz Karlheinz Saegezahn-tandem-solarzelle
JP3337705B2 (ja) 1992-01-23 2002-10-21 キヤノン株式会社 陽極化成装置及び方法
JPH0690014A (ja) 1992-07-22 1994-03-29 Mitsubishi Electric Corp 薄型太陽電池及びその製造方法，エッチング方法及び自動エッチング装置，並びに半導体装置の製造方法
JP3110178B2 (ja) 1992-11-09 2000-11-20 キヤノン株式会社 半導体基板の作製方法及び陽極化成装置
US5458755A (en) 1992-11-09 1995-10-17 Canon Kabushiki Kaisha Anodization apparatus with supporting device for substrate to be treated
US5316593A (en) 1992-11-16 1994-05-31 Midwest Research Institute Heterojunction solar cell with passivated emitter surface
JPH088370B2 (ja) 1993-03-05 1996-01-29 株式会社日立製作所 太陽電池用光閉じ込め構造体
DE4310206C2 (de) 1993-03-29 1995-03-09 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle aus einer Substratscheibe
US5689603A (en) 1993-07-07 1997-11-18 Huth; Gerald C. Optically interactive nanostructure
EP1094527A3 (de) 1993-07-29 2007-06-20 Gerhard Dr. Willeke Flaches Bauelement mit einem Gitternetz von Durchgangslöchern
US5476578A (en) 1994-01-10 1995-12-19 Electroplating Technologies, Ltd. Apparatus for electroplating
JP2820024B2 (ja) * 1994-03-04 1998-11-05 信越半導体株式会社 シリコン半導体素子製造用基板の製造方法
US5645684A (en) 1994-03-07 1997-07-08 The Regents Of The University Of California Multilayer high vertical aspect ratio thin film structures
US5660680A (en) 1994-03-07 1997-08-26 The Regents Of The University Of California Method for fabrication of high vertical aspect ratio thin film structures
US5538564A (en) 1994-03-18 1996-07-23 Regents Of The University Of California Three dimensional amorphous silicon/microcrystalline silicon solar cells
JP3186482B2 (ja) 1994-12-27 2001-07-11 日産自動車株式会社 半導体基板の電解エッチング方法
US5899360A (en) 1995-06-09 1999-05-04 Colgate - Palmolive Company Multi-chamber refillable dispenser
US5882988A (en) 1995-08-16 1999-03-16 Philips Electronics North America Corporation Semiconductor chip-making without scribing
CN1155107C (zh) 1995-10-05 2004-06-23 埃伯乐太阳能公司 具有自对准局域深扩散发射极的太阳能电池及其制造方法
US5616185A (en) 1995-10-10 1997-04-01 Hughes Aircraft Company Solar cell with integrated bypass diode and method
US5681392A (en) 1995-12-21 1997-10-28 Xerox Corporation Fluid reservoir containing panels for reducing rate of fluid flow
US5935653A (en) 1996-01-18 1999-08-10 Micron Technology, Inc. Methods for coating a substrate
JPH09255487A (ja) * 1996-03-18 1997-09-30 Sony Corp 薄膜半導体の製造方法
EP0797258B1 (en) 1996-03-18 2011-07-20 Sony Corporation Method for making thin film semiconductor, solar cell, and light emitting diode
US6399143B1 (en) 1996-04-09 2002-06-04 Delsys Pharmaceutical Corporation Method for clamping and electrostatically coating a substrate
US6058945A (en) 1996-05-28 2000-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Cleaning methods of porous surface and semiconductor surface
US6091021A (en) 1996-11-01 2000-07-18 Sandia Corporation Silicon cells made by self-aligned selective-emitter plasma-etchback process
AUPO347196A0 (en) 1996-11-06 1996-12-05 Pacific Solar Pty Limited Improved method of forming polycrystalline-silicon films on glass
JP3376258B2 (ja) 1996-11-28 2003-02-10 キヤノン株式会社 陽極化成装置及びそれに関連する装置及び方法
US6756289B1 (en) 1996-12-27 2004-06-29 Canon Kabushiki Kaisha Method of producing semiconductor member and method of producing solar cell
US20030039843A1 (en) 1997-03-14 2003-02-27 Christopher Johnson Photoactive coating, coated article, and method of making same
US7176111B2 (en) 1997-03-28 2007-02-13 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method for depositing polycrystalline SiGe suitable for micromachining and devices obtained thereof
DE19715788C1 (de) 1997-04-16 1998-10-08 Eurocopter Deutschland Solargenerator für Satelliten
JP3985065B2 (ja) 1997-05-14 2007-10-03 忠弘 大見 多孔質シリコン基板の形成方法及び多孔質シリコン基板の形成装置
JP3740251B2 (ja) 1997-06-09 2006-02-01 キヤノン株式会社 太陽電池モジュールの製造方法
US6645833B2 (en) 1997-06-30 2003-11-11 Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E. V. Method for producing layered structures on a substrate, substrate and semiconductor components produced according to said method
US6114046A (en) 1997-07-24 2000-09-05 Evergreen Solar, Inc. Encapsulant material for solar cell module and laminated glass applications
JP3501642B2 (ja) 1997-12-26 2004-03-02 キヤノン株式会社 基板処理方法
JPH11243076A (ja) 1998-02-26 1999-09-07 Canon Inc 陽極化成方法及び陽極化成装置並びに半導体基板の製造方法
DE59915079D1 (de) 1998-03-13 2009-10-22 Willeke Gerhard Solarzellenanordnung und verfahren zur herstellung einer solarzellenanordnung
DE19811878C2 (de) 1998-03-18 2002-09-19 Siemens Solar Gmbh Verfahren und Ätzlösung zum naßchemischen pyramidalen Texturätzen von Siliziumoberflächen
US6126808A (en) 1998-03-23 2000-10-03 Pioneer Metal Finishing Method and apparatus for anodizing objects
US6416647B1 (en) 1998-04-21 2002-07-09 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition cell for face-up processing of single semiconductor substrates
US6331208B1 (en) 1998-05-15 2001-12-18 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing solar cell, process for producing thin-film semiconductor, process for separating thin-film semiconductor, and process for forming semiconductor
AUPP437598A0 (en) 1998-06-29 1998-07-23 Unisearch Limited A self aligning method for forming a selective emitter and metallization in a solar cell
JP2000022185A (ja) 1998-07-03 2000-01-21 Sharp Corp 太陽電池セル及びその製造方法
EP0969499A3 (en) 1998-07-03 2001-10-24 Canon Kabushiki Kaisha Crystal growth process for a semiconductor device
US6096229A (en) 1998-07-30 2000-08-01 Lucent Technologies Inc. Method of making alignment grooves in an optical connector support member
US6197654B1 (en) 1998-08-21 2001-03-06 Texas Instruments Incorporated Lightly positively doped silicon wafer anodization process
CA2246087A1 (en) 1998-08-28 2000-02-28 Northern Telecom Limited Method of cleaving a semiconductor wafer
US6313397B1 (en) * 1998-08-31 2001-11-06 Sharp Kabushiki Kaisha Solar battery cell
US6143629A (en) 1998-09-04 2000-11-07 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing semiconductor substrate
EP0989593A3 (en) * 1998-09-25 2002-01-02 Canon Kabushiki Kaisha Substrate separating apparatus and method, and substrate manufacturing method
KR100271772B1 (ko) 1998-09-29 2001-02-01 윤종용 반도체 습식 식각설비
US6555443B1 (en) 1998-11-11 2003-04-29 Robert Bosch Gmbh Method for production of a thin film and a thin-film solar cell, in particular, on a carrier substrate
US6461932B1 (en) 1998-12-14 2002-10-08 National Semiconductor Corporation Semiconductor trench isolation process that utilizes smoothening layer
EP1024523A1 (en) 1999-01-27 2000-08-02 Imec (Interuniversity Microelectronics Center) VZW Method for fabricating thin film semiconductor devices
US6417069B1 (en) 1999-03-25 2002-07-09 Canon Kabushiki Kaisha Substrate processing method and manufacturing method, and anodizing apparatus
JP2000277478A (ja) 1999-03-25 2000-10-06 Canon Inc 陽極化成装置、陽極化成システム、基板の処理装置及び処理方法、並びに基板の製造方法
DE19914905A1 (de) 1999-04-01 2000-10-05 Bosch Gmbh Robert Elektrochemische Ätzanlage und Verfahren zur Ätzung eines Ätzkörpers
US6881644B2 (en) 1999-04-21 2005-04-19 Silicon Genesis Corporation Smoothing method for cleaved films made using a release layer
JP3619053B2 (ja) 1999-05-21 2005-02-09 キヤノン株式会社 光電変換装置の製造方法
US6664169B1 (en) * 1999-06-08 2003-12-16 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing semiconductor member, process for producing solar cell, and anodizing apparatus
JP2001007362A (ja) 1999-06-17 2001-01-12 Canon Inc 半導体基材および太陽電池の製造方法
JP5079959B2 (ja) 1999-08-26 2012-11-21 ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー． デュアル・ダマシンプロセス用の改良された充填物質
US6602767B2 (en) 2000-01-27 2003-08-05 Canon Kabushiki Kaisha Method for transferring porous layer, method for making semiconductor devices, and method for making solar battery
AU781761B2 (en) 2000-03-09 2005-06-09 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum (Imec) Method for the formation and lift-off of porous silicon layers
US6964732B2 (en) 2000-03-09 2005-11-15 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method and apparatus for continuous formation and lift-off of porous silicon layers
US6294725B1 (en) 2000-03-31 2001-09-25 Trw Inc. Wireless solar cell array electrical interconnection scheme
JP2001284622A (ja) 2000-03-31 2001-10-12 Canon Inc 半導体部材の製造方法及び太陽電池の製造方法
US6518172B1 (en) 2000-08-29 2003-02-11 Micron Technology, Inc. Method for applying uniform pressurized film across wafer
US6551908B2 (en) 2000-10-02 2003-04-22 Canon Kabushiki Kaisha Method for producing semiconductor thin films on moving substrates
JP2002184709A (ja) 2000-10-02 2002-06-28 Canon Inc 半導体薄膜の製造方法及びその製造装置
US7632434B2 (en) 2000-11-17 2009-12-15 Wayne O. Duescher Abrasive agglomerate coated raised island articles
NL1016779C2 (nl) 2000-12-02 2002-06-04 Cornelis Johannes Maria V Rijn Matrijs, werkwijze voor het vervaardigen van precisieproducten met behulp van een matrijs, alsmede precisieproducten, in het bijzonder microzeven en membraanfilters, vervaardigd met een dergelijke matrijs.
US6602760B2 (en) 2000-12-21 2003-08-05 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method of producing a semiconductor layer on a substrate
WO2002055760A1 (en) 2001-01-09 2002-07-18 Telephus, Inc. Anodic reactor and reaction unit thereof
JP4903314B2 (ja) 2001-03-30 2012-03-28 京セラ株式会社 薄膜結晶質Ｓｉ太陽電池
US6969472B2 (en) 2001-04-19 2005-11-29 Lsi Logic Corporation Method of fabricating sub-micron hemispherical and hemicylidrical structures from non-spherically shaped templates
US6524880B2 (en) 2001-04-23 2003-02-25 Samsung Sdi Co., Ltd. Solar cell and method for fabricating the same
JP2002353423A (ja) 2001-05-25 2002-12-06 Canon Inc 板部材の分離装置及び処理方法
JP2003052185A (ja) 2001-05-30 2003-02-21 Canon Inc 電力変換器およびそれを用いる光起電力素子モジュール並びに発電装置
US7431903B2 (en) 2001-10-30 2008-10-07 Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. Tubular titanium oxide particles and process for preparing same
US7109517B2 (en) 2001-11-16 2006-09-19 Zaidi Saleem H Method of making an enhanced optical absorption and radiation tolerance in thin-film solar cells and photodetectors
JP4873820B2 (ja) * 2002-04-01 2012-02-08 株式会社エフティーエル 半導体装置の製造装置
JP2004055803A (ja) 2002-07-19 2004-02-19 Renesas Technology Corp 半導体装置
US6995032B2 (en) 2002-07-19 2006-02-07 Cree, Inc. Trench cut light emitting diodes and methods of fabricating same
US20040217005A1 (en) 2002-07-24 2004-11-04 Aron Rosenfeld Method for electroplating bath chemistry control
EP1385199A1 (en) 2002-07-24 2004-01-28 IMEC vzw, Interuniversitair Microelectronica Centrum vzw Method for making thin film devices intended for solar cells or SOI application
AU2003252952A1 (en) 2002-08-06 2004-02-23 Avecia Limited Organic electronic devices
JP3827627B2 (ja) 2002-08-13 2006-09-27 株式会社荏原製作所 めっき装置及びめっき方法
KR100465877B1 (ko) 2002-08-23 2005-01-13 삼성전자주식회사 반도체 식각 장치
US20060105912A1 (en) 2002-08-23 2006-05-18 Johannes Konle Microstructured catalyst body and method for production thereof
WO2004038811A1 (ja) 2002-10-25 2004-05-06 Nakajima Glass Co., Inc. 太陽電池モジュールの製造方法
JP2004172496A (ja) * 2002-11-21 2004-06-17 Tdk Corp 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
GB0227902D0 (en) 2002-11-29 2003-01-08 Ingenia Holdings Ltd Template
NL1022155C2 (nl) 2002-12-12 2004-06-22 Otb Group Bv Werkwijze, alsmede inrichting voor het behandelen van een oppervlak van ten minste één substraat.
US7312440B2 (en) 2003-01-14 2007-12-25 Georgia Tech Research Corporation Integrated micro fuel processor and flow delivery infrastructure
US7402448B2 (en) 2003-01-31 2008-07-22 Bp Corporation North America Inc. Photovoltaic cell and production thereof
US7374646B2 (en) 2003-01-31 2008-05-20 Ebara Corporation Electrolytic processing apparatus and substrate processing method
US6911379B2 (en) 2003-03-05 2005-06-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of forming strained silicon on insulator substrate
US20040175893A1 (en) 2003-03-07 2004-09-09 Applied Materials, Inc. Apparatuses and methods for forming a substantially facet-free epitaxial film
JP4761706B2 (ja) 2003-12-25 2011-08-31 京セラ株式会社 光電変換装置の製造方法
JP3982502B2 (ja) 2004-01-15 2007-09-26 セイコーエプソン株式会社 描画装置
EP1560272B1 (en) 2004-01-29 2016-04-27 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Solar cell module
US7335555B2 (en) 2004-02-05 2008-02-26 Advent Solar, Inc. Buried-contact solar cells with self-doping contacts
US7144751B2 (en) 2004-02-05 2006-12-05 Advent Solar, Inc. Back-contact solar cells and methods for fabrication
WO2005090648A2 (en) 2004-03-19 2005-09-29 Ebara Corporation Electrolytic processing apparatus and electrolytic processing method
US7244682B2 (en) 2004-05-06 2007-07-17 Micron Technology, Inc. Methods of removing metal-containing materials
US20060021565A1 (en) 2004-07-30 2006-02-02 Aonex Technologies, Inc. GaInP / GaAs / Si triple junction solar cell enabled by wafer bonding and layer transfer
WO2006031798A2 (en) 2004-09-10 2006-03-23 Jx Crystals Inc. Solar photovoltaic mirror modules
JP4464240B2 (ja) 2004-10-06 2010-05-19 キヤノン株式会社 部材の処理装置及び処理方法
WO2006058034A2 (en) 2004-11-22 2006-06-01 Intermolecular, Inc. Molecular self-assembly in substrate processing
US8637340B2 (en) 2004-11-30 2014-01-28 Solexel, Inc. Patterning of silicon oxide layers using pulsed laser ablation
US8399331B2 (en) 2007-10-06 2013-03-19 Solexel Laser processing for high-efficiency thin crystalline silicon solar cell fabrication
US20120225515A1 (en) 2004-11-30 2012-09-06 Solexel, Inc. Laser doping techniques for high-efficiency crystalline semiconductor solar cells
US9508886B2 (en) 2007-10-06 2016-11-29 Solexel, Inc. Method for making a crystalline silicon solar cell substrate utilizing flat top laser beam
US8420435B2 (en) 2009-05-05 2013-04-16 Solexel, Inc. Ion implantation fabrication process for thin-film crystalline silicon solar cells
US8129822B2 (en) 2006-10-09 2012-03-06 Solexel, Inc. Template for three-dimensional thin-film solar cell manufacturing and methods of use
JP4340246B2 (ja) 2005-03-07 2009-10-07 シャープ株式会社 薄膜太陽電池およびその製造方法
US7402523B2 (en) 2005-03-31 2008-07-22 Tokyo Electron Limited Etching method
US20060266916A1 (en) 2005-05-25 2006-11-30 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography template having a coating to reflect and/or absorb actinic energy
US7349140B2 (en) 2005-05-31 2008-03-25 Miradia Inc. Triple alignment substrate method and structure for packaging devices
US20060283495A1 (en) 2005-06-06 2006-12-21 Solaria Corporation Method and system for integrated solar cell using a plurality of photovoltaic regions
US7648927B2 (en) 2005-06-21 2010-01-19 Applied Materials, Inc. Method for forming silicon-containing materials during a photoexcitation deposition process
US7259102B2 (en) 2005-09-30 2007-08-21 Molecular Imprints, Inc. Etching technique to planarize a multi-layer structure
KR100699348B1 (ko) 2005-10-11 2007-03-23 삼성전자주식회사 포토레지스트 용액을 효율적으로 사용하는 분사식포토레지스트 코팅 장치 및 방법
JP2007297657A (ja) 2006-04-28 2007-11-15 Canon Inc 吸着パット及び基板処理装置
US7786376B2 (en) 2006-08-22 2010-08-31 Solexel, Inc. High efficiency solar cells and manufacturing methods
US8937243B2 (en) 2006-10-09 2015-01-20 Solexel, Inc. Structures and methods for high-efficiency pyramidal three-dimensional solar cells
US8035028B2 (en) 2006-10-09 2011-10-11 Solexel, Inc. Pyramidal three-dimensional thin-film solar cells
US8293558B2 (en) 2006-10-09 2012-10-23 Solexel, Inc. Method for releasing a thin-film substrate
US8193076B2 (en) 2006-10-09 2012-06-05 Solexel, Inc. Method for releasing a thin semiconductor substrate from a reusable template
US8853521B2 (en) 2007-10-06 2014-10-07 Solexel, Inc. Truncated pyramid structures for see-through solar cells
US8512581B2 (en) 2006-10-09 2013-08-20 Solexel, Inc. Methods for liquid transfer coating of three-dimensional substrates
US20100304521A1 (en) 2006-10-09 2010-12-02 Solexel, Inc. Shadow Mask Methods For Manufacturing Three-Dimensional Thin-Film Solar Cells
US7999174B2 (en) 2006-10-09 2011-08-16 Solexel, Inc. Solar module structures and assembly methods for three-dimensional thin-film solar cells
US7745313B2 (en) 2008-05-28 2010-06-29 Solexel, Inc. Substrate release methods and apparatuses
US8084684B2 (en) 2006-10-09 2011-12-27 Solexel, Inc. Three-dimensional thin-film solar cells
US20080264477A1 (en) 2006-10-09 2008-10-30 Soltaix, Inc. Methods for manufacturing three-dimensional thin-film solar cells
US20080128641A1 (en) 2006-11-08 2008-06-05 Silicon Genesis Corporation Apparatus and method for introducing particles using a radio frequency quadrupole linear accelerator for semiconductor materials
US20080173238A1 (en) * 2006-12-12 2008-07-24 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and reaction vessel
US7954449B2 (en) 2007-05-08 2011-06-07 Palo Alto Research Center Incorporated Wiring-free, plumbing-free, cooled, vacuum chuck
US20120125256A1 (en) 2007-10-06 2012-05-24 Solexel, Inc. Apparatus and method for repeatedly fabricating thin film semiconductor substrates using a template
US20120167819A1 (en) 2007-10-06 2012-07-05 Solexel, Inc. Method for reconstructing a semiconductor template
US9455362B2 (en) 2007-10-06 2016-09-27 Solexel, Inc. Laser irradiation aluminum doping for monocrystalline silicon substrates
US8198528B2 (en) 2007-12-14 2012-06-12 Sunpower Corporation Anti-reflective coating with high optical absorption layer for backside contact solar cells
US20090199901A1 (en) 2008-02-08 2009-08-13 Applied Materials, Inc. Photovoltaic device comprising a sputter deposited passivation layer as well as a method and apparatus for producing such a device
EP2195853B1 (en) 2008-04-17 2015-12-16 LG Electronics Inc. Solar cell and method of manufacturing the same
US20100144080A1 (en) 2008-06-02 2010-06-10 Solexel, Inc. Method and apparatus to transfer coat uneven surface
US8288195B2 (en) 2008-11-13 2012-10-16 Solexel, Inc. Method for fabricating a three-dimensional thin-film semiconductor substrate from a template
EP2356675B1 (en) 2008-11-13 2016-06-01 Solexel, Inc. Three dimensional thin film solar cell and manufacturing method thereof
MY160251A (en) 2008-11-26 2017-02-28 Solexel Inc Truncated pyramid -structures for see-through solar cells
US8906218B2 (en) 2010-05-05 2014-12-09 Solexel, Inc. Apparatus and methods for uniformly forming porous semiconductor on a substrate
US8926803B2 (en) 2009-01-15 2015-01-06 Solexel, Inc. Porous silicon electro-etching system and method
US9890465B2 (en) 2009-01-15 2018-02-13 Trutag Technologies, Inc. Apparatus and methods for uniformly forming porous semiconductor on a substrate
US9076642B2 (en) 2009-01-15 2015-07-07 Solexel, Inc. High-Throughput batch porous silicon manufacturing equipment design and processing methods
MY162405A (en) 2009-02-06 2017-06-15 Solexel Inc Trench Formation Method For Releasing A Thin-Film Substrate From A Reusable Semiconductor Template
US8828517B2 (en) 2009-03-23 2014-09-09 Solexel, Inc. Structure and method for improving solar cell efficiency and mechanical strength
WO2010120850A1 (en) 2009-04-14 2010-10-21 Solexel, Inc. High efficiency epitaxial chemical vapor deposition (cvd) reactor
US9099584B2 (en) 2009-04-24 2015-08-04 Solexel, Inc. Integrated three-dimensional and planar metallization structure for thin film solar cells
WO2010129719A1 (en) 2009-05-05 2010-11-11 Solexel, Inc. High-productivity porous semiconductor manufacturing equipment
US8445314B2 (en) 2009-05-22 2013-05-21 Solexel, Inc. Method of creating reusable template for detachable thin film substrate
US8551866B2 (en) 2009-05-29 2013-10-08 Solexel, Inc. Three-dimensional thin-film semiconductor substrate with through-holes and methods of manufacturing
EP2534700A4 (en) 2010-02-12 2015-04-29 Solexel Inc DOUBLE-SIDED REUSABLE SHAPE FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATES FOR MANUFACTURING PHOTOVOLTAIC CELLS AND MICROELECTRONIC DEVICES
US20120192789A1 (en) 2010-04-14 2012-08-02 Solexel, Inc. Deposition systems and processes
WO2011133965A2 (en) 2010-04-23 2011-10-27 Solexel, Inc. Passivation methods and apparatus for achieving ultra-low surface recombination velocities for high-efficiency solar cells
KR20130051013A (ko) 2010-06-09 2013-05-16 솔렉셀, 인크. 고생산성 박막 증착 방법 및 시스템
WO2013055307A2 (en) 2010-08-05 2013-04-18 Solexel, Inc. Backplane reinforcement and interconnects for solar cells
WO2012040688A2 (en) 2010-09-24 2012-03-29 Solexel, Inc. High-throughput batch porous silicon manufacturing equipment design and processing methods
WO2013126033A2 (en) 2010-11-03 2013-08-29 Solexel, Inc. Apparatus and methods for uniformly forming porous semiconductor on a substrate
US8992746B2 (en) 2010-12-02 2015-03-31 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Anodizing apparatus
US8882972B2 (en) 2011-07-19 2014-11-11 Ecolab Usa Inc Support of ion exchange membranes
JP5908266B2 (ja) 2011-11-30 2016-04-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 陽極化成装置及びそれを備えた陽極化成システム並びに半導体ウエハ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02154343A (ja) * 1988-12-05 1990-06-13 Ricoh Co Ltd 両面型スタンパの製造方法
US6805966B1 (en) * 2002-06-28 2004-10-19 Seagate Technology Llc Method of manufacturing a dual-sided stamper/imprinter, method of simultaneously forming magnetic transition patterns and dual-sided stamper/imprinter
CN1841676A (zh) * 2005-03-28 2006-10-04 东京毅力科创株式会社 使用原子层沉积法的氮化硅膜的形成方法
JP2007224375A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Nuflare Technology Inc 気相成長装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI489647B (zh) * 2012-02-16 2015-06-21 Ind Tech Res Inst 製作具有織化表面之半導體層之方法、製作太陽能電池之方法
CN110112256A (zh) * 2019-04-29 2019-08-09 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 一种背接触电池用干法开槽方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2534700A2 (en) 2012-12-19
EP2534700A4 (en) 2015-04-29
US8241940B2 (en) 2012-08-14
WO2011100647A3 (en) 2012-01-05
CN102844883B (zh) 2016-01-20
US9401276B2 (en) 2016-07-26
WO2011100647A2 (en) 2011-08-18
US20110256654A1 (en) 2011-10-20
US20130171808A1 (en) 2013-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102844883B (zh) 用于制造光电池和微电子器件的半导体衬底的双面可重复使用的模板
US9869031B2 (en) High-productivity porous semiconductor manufacturing equipment
US8278192B2 (en) Trench formation method for releasing a thin-film substrate from a reusable semiconductor template
US8168465B2 (en) Three-dimensional semiconductor template for making high efficiency thin-film solar cells
CN102782827B (zh) 用于薄晶片的可移动静电载具
US8420435B2 (en) Ion implantation fabrication process for thin-film crystalline silicon solar cells
US10829864B2 (en) Apparatus and methods for uniformly forming porous semiconductor on a substrate
CN102782869B (zh) 背结背触点三维薄太阳能电池及其制造方法
US8288195B2 (en) Method for fabricating a three-dimensional thin-film semiconductor substrate from a template
US20130288418A1 (en) Method for fabricating a three-dimensional thin-film semiconductor substrate from a template
US20170372887A1 (en) Trench formation method for releasing a substrate from a semiconductor template
CN106796963A (zh) 用于形成多孔硅层的方法和装置
US20090152663A1 (en) Perforated silicon plate assembly for forming and transferring of silicon thin film solar cells
US20120282726A1 (en) Method for forming thin semiconductor layer substrates for manufacturing solar cells
WO2012162704A2 (en) Method and apparatus for reconditioning a carrier wafer for reuse

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20180808

Address after: Hawaii

Patentee after: TRUTAG TECHNOLOGIES, Inc.

Address before: American Pennsylvania

Patentee before: BL & S: Sao Li Sai asset LLC

Effective date of registration: 20180808

Address after: American Pennsylvania

Patentee after: BL & S: Sao Li Sai asset LLC

Address before: California, USA

Patentee before: OB Real Estate Co.,Ltd.

Effective date of registration: 20180808

Address after: California, USA

Patentee after: OB Real Estate Co.,Ltd.

Address before: California, USA

Patentee before: Bank of the banks

Effective date of registration: 20180808

Address after: California, USA

Patentee after: Bank of the banks

Address before: California, USA

Patentee before: Solexel, Inc.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20160120

Termination date: 20200212