CN103777471B - 照明光学设备、曝光设备、照明方法、曝光方法和装置制造方法 - Google Patents

照明光学设备、曝光设备、照明方法、曝光方法和装置制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103777471B
CN103777471B CN201410019498.6A CN201410019498A CN103777471B CN 103777471 B CN103777471 B CN 103777471B CN 201410019498 A CN201410019498 A CN 201410019498A CN 103777471 B CN103777471 B CN 103777471B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
polarization
region
illumination
parts
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201410019498.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103777471A (zh
Inventor
谷津修
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Publication of CN103777471A publication Critical patent/CN103777471A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103777471B publication Critical patent/CN103777471B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0927—Systems for changing the beam intensity distribution, e.g. Gaussian to top-hat
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V13/00—Producing particular characteristics or distribution of the light emitted by means of a combination of elements specified in two or more of main groups F21V1/00 - F21V11/00
    • F21V13/02—Combinations of only two kinds of elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V14/00—Controlling the distribution of the light emitted by adjustment of elements
    • F21V14/003—Controlling the distribution of the light emitted by adjustment of elements by interposition of elements with electrically controlled variable light transmissivity, e.g. liquid crystal elements or electrochromic devices
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V9/00—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
    • F21V9/14—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters for producing polarised light
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0938—Using specific optical elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/10—Beam splitting or combining systems
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/10—Beam splitting or combining systems
    • G02B27/1086—Beam splitting or combining systems operating by diffraction only
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/10—Beam splitting or combining systems
    • G02B27/12—Beam splitting or combining systems operating by refraction only
    • G02B27/126—The splitting element being a prism or prismatic array, including systems based on total internal reflection
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/28—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
    • G02B27/286—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising for controlling or changing the state of polarisation, e.g. transforming one polarisation state into another
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70566—Polarisation control

Abstract

一种照明光学设备具有光学单元(3)。所述光学单元具有：分光器(35)，用以使入射射束分裂成两个射束；第一空间光调制器(33)，其可布置于第一射束的光学路径中；第二空间光调制器(34)，其可布置于第二射束的光学路径中；和光组合器(36)，其将已通过所述第一空间光调制器的射束与已通过所述第二空间光调制器的射束组合；所述第一空间光调制器和所述第二空间光调制器中的每一者具有二维地布置且个别地被控制的多个光学元件(33a、34a)。

Description

照明光学设备、曝光设备、照明方法、曝光方法和装置制造方法
本申请是申请号:200880100940.0，申请日:2008年10月23日，发明名称:“光学单元、照明光学设备、曝光设备和装置制造方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及光学单元、照明光学设备、曝光设备和装置制造方法。更明确地说，本发明涉及一种照明光学设备，其适用于通过光刻法来制造例如半导体装置、成像装置、液晶显示装置和薄膜磁头之类的装置的曝光设备。
背景技术
在此类型的典型曝光设备中，从光源发出的光束行进而穿过作为光学积分器的蝇眼(fly eye)透镜以形成二次光源(大体上，照明光瞳上预定的光强度分布)作为由大量光源组成的实质表面发光体。照明光瞳上的光强度分布在下文中将被称作“照明光瞳亮度分布”。将照明光瞳定义为通过照明光瞳与照明目标表面(在曝光设备的情况下为掩膜或晶片)之间的光学系统的作用而使得照明目标表面变成照明光瞳的傅立叶(Fourier)变换表面的位置。
来自二次光源的射束由聚光透镜聚集以重叠地照明上面形成有预定图案的掩膜。穿过掩膜的光行进而穿过投影光学系统以聚焦于晶片上，借此使掩膜图案投影(或转印)到晶片上以实现其曝光。由于形成于掩膜上的图案为高度整合的图案，所以必须在晶片上获得均匀的照度分布以便将此精细图案准确地转印到晶片上。
存在一种常规提出的照明光学设备，其能够在不使用变焦光学系统的情况下连续地改变照明光瞳亮度分布(且因此改变照明条件)(请参考日本专利特许公开申请案第2002-353105号)。特许公开申请案第2002-353105号中所揭露的照明光学设备使用由大量微镜面元件组成的可移动多(multi)镜面，所述微镜面元件布置成阵列形式，且其倾斜角度和倾斜方向个别地受到驱动控制，且所述照明光学设备经配置以使得入射射束分成对应于镜面元件的反射表面的小单元的射束，所述小单元的射束由多镜面折叠以将入射射束的横截面转换成所要形状或所要大小，且又实现所要的照明光瞳亮度分布。
发明内容
本发明的目标为提供一种照明光学设备，其能够实现在照明光瞳亮度分布的形状和大小方面具有较大变化的照明条件。本发明的另一目标为提供一种曝光设备，其能够使用可实现具有大变化的照明条件的照明光学设备，在根据图案特性而实现的适当照明条件下执行良好曝光。
为了实现上述目标，本发明的第一方面提供一种照明光学设备，使照明光对于形成有图案的掩膜进行照明，所述照明光学设备包括：
空间光调制器，含有：反射所述照明光的多个反射表面，将所述多个反射表面的朝向进行个别设定，而在所述照明光学设备的照明光瞳中形成所述照明光的强度分布；以及
偏振单元，配置于所述照明光的光路中，对于具有线性偏振状态的所述照明光的偏振方向进行变换；
其中，所述偏振单元是：以通过所述照明光瞳的所述照明光以S偏光作为主成分的偏振状态而照射到所述掩膜的方式，而变换所述照明光的偏振方向。
本发明的第二方面提供一种曝光设备，将形成在掩膜的图案曝光到基板，所述曝光设备包括：上述的照明光学设备，对所述掩膜进行照明。
本发明的第三方面提供一种装置制造方法，使用上述的曝光设备，将被形成在掩膜的图案曝光到基板上；以及使所述图案被曝光的所述基板进行显影。
本发明的第四方面提供一种照明方法，使照明光对于形成有图案的掩膜进行照明，所述照明方法包括：
利用含有能够个别控制的多个反射表面的空间光调制器，来反射所述照明光，而在照明光瞳中形成所述照明光的强度分布；以及
利用配置于所述照明光的光路中的偏振单元，对于具有线性偏振状态的所述照明光的偏振方向进行变换；
其中，所述照明光是：以通过所述照明光瞳的所述照明光以S偏光作为主成分的偏振状态而照射到所述掩膜的方式，而变换偏振方向。
本发明的第五方面提供一种曝光方法，将形成在掩膜的图案曝光到基板，所述曝光方法使用上述的照明方法，利用所述照明光来对所述图案进行照明。
本发明的第六方面提供一种装置制造方法，使用上述的曝光方法，将被形成在掩膜的图案曝光到基板上；以及使所述图案被曝光的所述基板进行显影。
本发明的照明光学设备能够实现在照明光瞳亮度分布的形状和大小方面具有较大变化的照明条件。本发明的曝光设备能够使用可实现具有大变化的照明条件的照明光学设备，在根据掩膜M的图案特性而实现的适当照明条件下执行良好曝光且因此制造良好装置。
附图说明
图1为示意性地展示根据本发明的实施例的曝光设备的配置的图式。
图2为示意性地展示空间光调制单元的配置的图式。
图3为示意性地展示圆柱形微蝇眼透镜的配置的立体图。
图4为示意性地展示在实施例中在无焦透镜的光瞳平面上形成的四极形状的光强度分布的图式。
图5为示意性地展示在实施例中形成五极形状的照明光瞳亮度分布的实例的图式。
图6为示意性地展示根据一修改实例的空间光调制单元的配置的图式，其中分光器和光组合器包括共同偏振射束分裂器。
图7为示意性地展示根据具有透射空间光调制器的另一修改实例的空间光调制单元的配置的图式。
图8为示意性地展示根据具有偏振控制单元的修改实例的曝光设备的配置的图式。
图9为示意性地展示使用衍射光学元件作为分光器的修改实例的主要配置的图式。
图10为示意性地展示图9中所示的空间光调制单元的配置的图式。
图11为图9中所示的空间光调制单元中的空间光调制器的部分立体图。
图12为示意性地展示使用棱镜单元作为分光器的修改实例的主要配置的图式。
图13为展示半导体装置的制造步骤的流程图。
图14为展示液晶装置(例如，液晶显示装置)的制造步骤的流程图。
具体实施方式
将在附图的基础上描述本发明的实施例。图1为示意性地展示根据本发明的实施例的曝光设备的配置的图式。图2为示意性地展示空间光调制单元的配置的图式。在图1中，Z轴沿着感光性基底即晶片W的法线方向而设置，Y轴沿着平行于图1的平面的方向而在晶片W的表面中设置，且X轴沿着垂直于图1的平面的方向而在晶片W的表面中设置。
参看图1，本实施例的曝光设备具备用于供应曝光光线(照明光线)的光源1。光源1可为(例如)供应波长为193nm的光线的ArF准分子激光光源，或供应波长为248nm的光线的KrF准分子激光光源。从光源1发出的光线由整形光学系统2扩展成具有所需截面形状的射束，且接着所述经扩展的射束入射到空间光调制单元3。
如图2所示，空间光调制单元3具有一对棱镜部件31和32和一对空间光调制器33和34。沿着光轴AX入射到空间光调制单元3中的棱镜部件31的入射面31a中的光线在棱镜部件31内部传播且然后照射到形成于棱镜部件31与32之间的偏振分离膜35上。由偏振分离膜35反射的S偏振光在棱镜部件31内部传播且然后照射到第一空间光调制器33上。
第一空间光调制器33具有二维地布置的多个镜面元件(大体上为光学元件)33a和个别地控制和驱动各镜面元件33a的姿势的驱动单元33b(未展示于图1中)。类似地，第二空间光调制器34具有二维地布置的多个镜面元件34a和个别地控制和驱动各镜面元件34a的姿势的驱动单元34b(未展示于图1中)。驱动单元33b、34b根据来自未描绘的控制单元的命令来个别地控制和驱动镜面元件33a、34a的姿势。
由第一空间光调制器33的镜面元件33a反射的光线在棱镜部件31内部传播，且然后以S偏振状态入射到形成于棱镜部件31与32之间的偏振分离膜36。已行进通过第一空间光调制器33而在偏振分离膜36上反射的光线在棱镜部件31内部传播，且接着从棱镜部件31的出射面31b发出到空间光调制单元3外。在第一空间光调制器33中的所有镜面元件33a的反射表面是沿着XY平面而定位的标准状态中，已沿着光轴AX行进到空间光调制单元3中且接着通过第一空间光调制器33的光线是沿着光轴AX而从空间光调制单元3发出。
另一方面，已穿过偏振分离膜35的P偏振光在棱镜部件32内部传播，且在棱镜部件32与气体(空气或惰性气体)37之间的界面32a上完全反射。其后，完全反射的光线入射到第二空间光调制器34。由第二空间光调制器34中的镜面元件34a反射的光线在棱镜部件32内部传播，且在棱镜部件32与气体37之间的界面32b上完全反射。然后，完全反射的光线以P偏振状态而入射到形成于棱镜部件31与32之间的偏振分离膜36。
已行进而通过第二空间光调制器34且已由偏振分离膜36透射的光线在棱镜部件31内部传播，且接着从棱镜部件31的出射面31b发出到空间光调制单元3外。在第二空间光调制器34中的所有镜面元件34a的反射表面是沿着XY平面而定位的标准状态中，已沿着光轴AX行进到空间光调制单元3中且接着通过第二空间光调制器34的光线是沿着光轴AX而从空间光调制单元3发出。
在空间光调制单元3中，如上所述，形成于棱镜部件31与32之间的偏振分离膜35构成分光器以将入射射束分裂成两个射束(大体上多个射束)。形成于棱镜部件31与32之间的偏振分离膜36构成光组合器以将已行进而通过第一空间光调制器33的射束与已行进而通过第二空间光调制器34的射束组合。
从空间光调制单元3发出的光线接着入射到无焦透镜4。无焦透镜4为经设置以使得以下情况出现的无焦系统(无焦光学系统)：其前焦点与第一空间光调制器33的镜面元件33a的位置大致重合且与第二空间光调制器34的镜面元件34a的位置大致重合，且其后焦点与在图式中由虚线指示的预定平面5的位置大致重合。
因此，已行进而通过第一空间光调制器33的S偏振射束在无焦透镜4的光瞳平面上形成(例如)具有Z方向上的两极形状的光强度分布，所述两极形状由在Z方向上间隔开的中心在光轴AX上的两个圆形光强度分布区域组成，且然后所述S偏振射束以两极(dipolar)角度分布而从无焦透镜4发出。另一方面，已行进而通过第二空间光调制器34的P偏振射束在无焦透镜4的光瞳平面上形成(例如)具有X方向上的两极形状的光强度分布，所述两极形状由在X方向上间隔开的中心在光轴AX上的两个圆形光强度分布区域组成，且然后所述P偏振射束以两极角度分布而从无焦透镜4发出。
圆锥形转向镜系统6布置于无焦透镜4的光瞳平面的位置处或无焦透镜4的前透镜单元4a与后透镜单元4b之间的光学路径中靠近所述光瞳平面位置的位置处。稍后将描述圆锥形转向镜系统6的配置和作用。已穿过无焦透镜4的射束行进而穿过变焦透镜7以致使σ值变化(σ值=照明光学设备的掩膜侧数值孔径/投影光学系统的掩膜侧数值孔径)且接着进入圆柱形微蝇眼透镜8。
如图3所示，圆柱形微蝇眼透镜8由布置于光源侧上的第一蝇眼部件8a和布置于掩膜侧上的第二蝇眼部件8b组成。在X方向上成阵列的圆柱形透镜群8aa和8ba分别在第一蝇眼部件8a的光源侧表面中和在第二蝇眼部件8b的光源侧表面中各自以间距p1形成。在Z方向上成阵列的圆柱形透镜群8ab和8bb分别在第一蝇眼部件8a的掩膜侧表面中和在第二蝇眼部件8b的掩膜侧表面中各自以间距p2(p2＞p1)形成。
在关注圆柱形微蝇眼透镜8的X方向上的折射作用(也就是，XY平面中的折射作用)时，沿着光轴AX入射的平行射束的波阵面(wave-front)以间距p1沿着X方向由形成于第一蝇眼部件8a的光源侧上的圆柱形透镜群8aa分割，经分割的射束由圆柱形透镜群的折射面聚集，经聚集的射束接着由形成于第二蝇眼部件8b的光源侧上的圆柱形透镜群8ba中的相应圆柱形透镜的折射面聚集，且经聚集的射束会聚于圆柱形微蝇眼透镜8的后焦平面上。
在关注圆柱形微蝇眼透镜8的Z方向上的折射作用(也就是，YZ平面中的折射作用)时，沿着光轴AX入射的平行射束的波阵面以间距p2而沿着Z方向由形成于第一蝇眼部件8a的掩膜侧上的圆柱形透镜群8ab分割，经分割的射束由圆柱形透镜群的折射面聚集，经聚集的射束接着由形成于第二蝇眼部件8b的掩膜侧上的圆柱形透镜群8bb中的相应圆柱形透镜的折射面聚集，且经聚集的射束会聚于圆柱形微蝇眼透镜8的后焦平面上。
如上所述，圆柱形微蝇眼透镜8由第一蝇眼部件8a和第二蝇眼部件8b组成，在其每一者中圆柱形透镜群布置于其两个侧面上，且所述圆柱形微蝇眼透镜8实施与在水平方向和垂直方向上且密集地整体地形成在X方向上具有大小p1且在Z方向上具有大小p2的矩形形状的大量微折射面的微蝇眼透镜相同的光学功能。圆柱形微蝇眼透镜8能够实现由于微折射面的表面形状的变化而造成的失真(distortion)中的较小改变，且(例如)使由通过蚀刻而整体形成的大量微折射面的制造误差造成的对照度分布的影响保持较小。
预定平面5的位置位于变焦透镜7的前焦点附近，且圆柱形微蝇眼透镜8的入射表面位于变焦透镜7的后焦点附近。换句话说，变焦(zoom)透镜7使预定平面5和圆柱形微蝇眼透镜8的入射表面大体上成傅立叶变换关系，且因此使无焦透镜4的光瞳平面与圆柱形微蝇眼透镜8的入射表面保持大致光学共轭。
因此，举例来说，四极照明场形成于圆柱形微蝇眼透镜8的入射表面上(与在无焦透镜4的光瞳平面上一样)，所述四极照明场是由在Z方向上间隔开的中心在光轴AX上的两个圆形光强度分布区域和在X方向上间隔开的中心在光轴AX上的两个圆形光强度分布区域组成。此四极照明场的整个形状取决于变焦透镜7的焦距而类似地变化。在圆柱形微蝇眼透镜8中作为波阵面分割单元的矩形微折射面具有类似于将形成于掩膜M上的照明场的形状(且因此类似于将形成于晶片W上的曝光区的形状)的矩形形状。
入射到圆柱形微蝇眼透镜8的射束经二维地分割以在其后焦平面上或附近(且因此在照明光瞳上)形成一种光强度分布与由入射射束形成的照明场大致相同的二次光源，也就是，由在Z方向上间隔开的中心在光轴AX上的两个圆形实质表面发光体和在X方向上间隔开的中心在光轴AX上的两个圆形实质表面发光体组成的四极形状(四极照明光瞳亮度分布)的二次光源。来自形成于圆柱形微蝇眼透镜8的后焦平面上或附近的二次光源的射束接着入射到位于其附近的孔径光阑(aperture stop)9。
孔径光阑9具有对应于形成于圆柱形微蝇眼透镜8的后焦平面上或附近的四极形状的二次光源的四极孔径(光透射部分)。孔径光阑9经配置以便相对于照明光学路径可拆卸，且可与具有不同大小和形状的孔径的多个孔径光阑切换。切换孔径光阑的方法可为(例如)已知转塔(turret)方法或滑动方法。孔径光阑9布置于与稍后描述的投影光学系统PL的入射光瞳平面大致成光学共轭的位置处，且界定对照明有贡献的二次光源的范围。
来自受孔径光阑9限制的二次光源的射束行进而穿过聚光光学系统10以重叠地照明掩膜遮板(blind)11。以此方式，根据作为圆柱形微蝇眼透镜8的波阵面分割单元的矩形微折射面的形状和焦距的矩形形状的照明场形成于作为照明场光阑的掩膜遮板11上。已穿过掩膜遮板11的矩形孔径(光透射部分)的射束由成像光学系统12聚集以重叠地照明上面形成有预定图案的掩膜M。就是，成像光学系统12在掩膜M上形成该掩膜遮板11的矩形孔径的影像。
已穿过固持于掩膜台MS上的掩膜M的射束行进而穿过投影光学系统PL以在固持于晶片台WS上的晶片(感光性基底)W上形成掩膜图案的影像。以此方式，通过执行单次(one-shot)曝光或扫描曝光以同时在垂直于投影光学系统PL的光轴AX的平面(XY平面)中二维地驱动和控制晶片台WS且因此同时二维地驱动和控制晶片W，使掩膜M的图案顺序地转印到晶片W上的曝光区中的每一者中。
圆锥形转向镜(conical axicon)系统6由以从光源侧开始以指定的次序而布置的以下部件组成：第一棱镜部件6a，一平面在光源侧上且凹入的圆锥形形状的折射表面在掩膜侧上；和第二棱镜部件6b，一平面在掩膜侧上且凸起的圆锥形形状的折射表面在光源侧上。第一棱镜部件6a的凹入的圆锥形折射表面与第二棱镜部件6b的凸起的圆锥形折射表面是互补地形成以便能够彼此接触。第一棱镜部件6a和第二棱镜部件6b中的至少一部件经配置以可沿着光轴AX而移动，借此使第一棱镜部件6a的凹入的圆锥形折射表面与第二棱镜部件6b的凸起的圆锥形折射表面之间的间隔可变。为更易于理解，将着重于四极或环形(annular)形状的二次光源来描述圆锥形转向镜系统6的作用和变焦透镜7的作用。
在第一棱镜部件6a的凹入的圆锥形折射表面与第二棱镜部件6b的凸起的圆锥形折射表面彼此接触的状态下，圆锥形转向镜系统6充当平面平行板且不对所形成的四极或环形形状的二次光源产生影响。然而，在第一棱镜部件6a的凹入的圆锥形折射表面与第二棱镜部件6b的凸起的圆锥形折射表面彼此分离开时，在使四极或环形二次光源的宽度(外接于四极二次光源的圆形的直径(外径)与内切于四极二次光源的圆形的直径(内径)之间的差异的一半；环形二次光源的外径与内径之间的差异的一半)保持恒定的同时，四极或环形二次光源的外径(内径)发生变化。也就是，四极或环形二次光源的环形比(内径/外径)和大小(外径)发生变化。
变焦透镜7具有类似地(或各向同性地)放大或缩小四极或环形二次光源的总体形状的功能。举例来说，在变焦透镜7的焦距从最小值增加到预定值时，四极或环形二次光源的总体形状类似地放大。换句话说，通过变焦透镜7的作用，二次光源的宽度和大小(外径)均发生变化，而四极或环形二次光源的环形比不改变。以此方式，可通过圆锥形转向镜系统6和变焦透镜7的作用来控制四极或环形二次光源的环形比和大小(外径)。
在本实施例中，将使用的空间光调制器33、34可为(例如)连续地改变二维地布置的镜面元件33a、34a的定向中的每一者的空间光调制器。此类空间光调制器可选自(例如)揭露于以下各案中的空间光调制器：日本专利特许公开申请案(PCT申请案的翻译)第10-503300号和其相应的欧洲专利申请公开案EP779530、日本专利特许公开申请案第2004-78136和其相应的美国专利第6,900,915号、日本专利特许公开申请案(PCT申请案的翻译)第2006-524349号和其相应的美国专利第7,095,546号，和日本专利特许公开申请案第2006-113437号。也有可能以多个离散步骤来控制二维地布置的镜面元件33a、34a的定向。
在第一空间光调制器33中，通过根据来自控制单元的控制信号操作的驱动单元33b的作用，镜面元件33a的姿势中的每一者发生变化，借此使每一镜面元件33a设置为预定的定向。如图4所示，由第一空间光调制器33的镜面元件33a以各别预定角度反射的S偏振光在无焦透镜4的光瞳平面上形成(例如)在Z方向上间隔开的中心在光轴AX上的两个圆形光强度分布区域41a和41b。形成光强度分布区域41a和41b的光线具有沿着X方向的偏振方向，如在图式中由双向箭头所指示者。
类似地，在第二空间光调制器34中，通过根据来自控制单元的控制信号操作的驱动单元34b的作用，镜面元件34a的姿势中的每一者发生变化，借此使每一镜面元件34a设置为预定的定向。如图4所示，由第二空间光调制器34的镜面元件34a以各别预定角度反射的p偏振光在无焦透镜4的光瞳平面上形成(例如)在X方向上间隔开的中心在光轴AX上的两个圆形光强度分布区域41c和41d。形成光强度分布区域41c和41d的光线具有沿着Z方向的偏振方向，如在图式中由双向箭头所指示者。在入射到空间光调制单元3中的射束的偏振状态为圆形偏振或偏振方向与X轴和Z轴成45°角的线性偏振(其在下文将被称作“45°线性偏振”)时，四个光强度分布区域41a到41d的光强度变成彼此相等。
在无焦透镜4的光瞳平面上形成四极光强度分布41的光线在圆柱形微蝇眼透镜8的入射表面上和在圆柱形微蝇眼透镜8的后焦平面上或在其附近的照明光瞳(布置孔径光阑9的位置)上形成具有对应于光强度分布区域41a到41d的四极形状的光强度分布。也就是，无焦透镜4、变焦透镜7和圆柱形微蝇眼透镜8构成一种分布形成光学系统，所述分布形成光学系统基于已行进而通过第一空间光调制器33和第二空间光调制器34的射束而在照明光学设备(2-12)的照明光瞳上形成预定的光强度分布。此外，具有对应于光强度分布区域41a到41d的四极形状的光强度分布也形成于与孔径光阑9成光学共轭的其它照明光瞳位置处，也就是，在成像光学系统12的光瞳位置处和投影光学系统PL的光瞳位置处。
曝光设备根据图案特性而在适当照明条件下执行曝光，以便高度准确地且忠实地将掩膜M的图案转印到晶片W上。在本实施例中，将形成的照明光瞳亮度分布为对应于图4所示的四极光强度分布41的四极照明光瞳亮度分布，且穿过此四极照明光瞳亮度分布的射束设定于圆周偏振状态。在基于圆周偏振状态下的四极照明光瞳亮度分布的圆周偏振四极照明中，照射到作为最终照明目标表面的晶片W上的光线处于主分量为S偏振光的偏振状态下。
此处，S偏振光为偏振方向沿着垂直于入射平面的方向的线性偏振光(其为电向量在垂直于入射平面的方向上振动的偏振光)。入射平面被定义为包括媒介的边界表面(照明目标表面：晶片W的表面)上照射有光线的点且包括该点处由边界表面的法线和光线的入射方向所形成的平面。结果，圆周偏振四极照明实现投影光学系统的光学性能(景深和其它)的改进，借此而在晶片(感光性基底)上获得具有高对比度的良好掩膜图案影像。
由于本实施例使用具有一对(pair)空间光调制器33、34(其中镜面元件33a、34a的姿势各自被个别地改变)的空间光调制单元3，所以自由且快速地改变由通过第一空间光调制器33的作用而以S偏振状态形成于照明光瞳上的第一光强度分布和通过第二空间光调制器34的作用而以P偏振状态形成于照明光瞳上的第二光强度分布组成的照明光瞳亮度分布为可行的。换句话说，本实施例能够通过改变处于相互不同的偏振状态下的第一光强度分布和第二光强度分布的形状和大小中的每一者来实现在照明光瞳亮度分布的形状、大小和偏振状态方面具有大变化的照明条件。
如上所述，在本实施例中，用以在来自光源1的光线的基础上对作为照明目标表面的掩膜M进行照明的照明光学设备(2-12)能够实现在照明光瞳亮度分布的形状、大小和偏振状态方面具有大变化的照明条件。此外，本实施例的曝光设备(1-WS)能够使用可实现具有大变化的照明条件的照明光学设备(2-12)在根据掩膜M的图案特性而实现的适当照明条件下执行良好曝光。
在本实施例中，在空间光调制器33和34处于标准状态下时，入射到充当分光器的偏振分离膜35的射束的行进方向是与从充当光组合器的偏振分离膜36出射的射束的行进方向平行(或重合)。换句话说，在空间光调制器33和34的标准状态下，入射到空间光调制单元3的射束和从空间光调制单元3出射的射束的行进方向是与照明光学设备的光轴AX重合(或平行)。由于空间光调制单元3上游和下游的光学路径为同轴的(或平行的)，所以可(例如)与使用衍射光学元件来形成照明光瞳亮度分布的常规照明光学设备共享所述光学系统。
在本实施例中，第一空间光调制器33的镜面元件33a布置于棱镜部件31附近，且第二空间光调制器34的镜面元件34a布置于棱镜部件32附近。在此种情况下，棱镜部件31、32充当镜面元件33a、34a的遮盖部件，此可增强空间光调制器33、34的耐久性。
在本实施例中，空间光调制单元3可经设计以使得光线到形成于棱镜部件31与32之间的偏振分离膜35的入射角度θ(参看图2)接近于布鲁斯特(Brewster’s)角。此配置可减少P偏振光在偏振分离膜35上的反射并增加偏振效率。偏振分离膜35、36不限于由介电多层膜制成的偏振分离膜，而是可为(例如)具有“周期光栅(grating)结构的偏振分离层”的偏振分离膜。此类型的“周期光栅结构的偏振分离层”可为线栅型(wire grid)偏振分离元件，其中与第一方向平行的多个金属光栅周期性地布置于正交于第一方向的第二方向上。此技术揭露(例如)于日本专利特许公开申请案第2005-77819号和其相应的美国专利第7,116,478号中。
在上述实施例中，空间光调制单元3由一对棱镜部件31和32和一对空间光调制器33和34组成。然而，不必限于此，可涵盖用于空间光调制单元3的特定配置的各种形式。
在前述实施例中，无焦透镜4、圆锥形转向镜系统6和变焦透镜7布置于空间光调制单元3与圆柱形微镜蝇眼透镜8之间的光学路径中。然而，不必限于此，这些光学部件可(例如)由充当傅立叶变换透镜的聚光光学系统来替换。
在前述实施例中，已穿过充当分光器的偏振分离膜35的P偏振光通过在棱镜部件32与气体37之间作为第一折叠表面的界面32a上的全反射(total reflection)而折向第二空间光调制器34。同样，已行进而通过第二空间光调制器34的P偏振光通过在棱镜部件32与气体37之间的界面32b上的全反射而折向充当光组合器的偏振分离膜36。然而，不必限于此，也可在界面32a、32b上提供反射膜。
在上文的描述中，四极照明光瞳亮度分布是通过以下步骤来形成：通过第一空间光调制器33的作用而形成Z方向上的两极光强度分布区域41a、41b，和通过第二空间光调制器34的作用而形成X方向上的两极光强度分布区域41c、41d。然而，在本实施例中，如上所述，可涵盖关于照明光瞳亮度分布的形状、大小和偏振状态的各种形式。以下将参看图5而示意性地描述形成五极照明光瞳亮度分布的实例。
在此实例中，如图5中的左侧视图所示，举例来说，通过第一空间光调制器33的作用，在无焦透镜4的光瞳平面上形成Z方向上间隔开的中心在光轴AX上的两个圆形光强度分布区域42a和42b和中心在光轴AX上的圆形光强度分布区域42c′。形成光强度分布区域42a、42b和42c′的光线具有沿着X方向的偏振方向，如在图式中由双向箭头所指示者。另一方面，如图5中的中间视图所示，举例来说，通过第二空间光调制器34的作用，在无焦透镜4的光瞳平面上形成X方向上间隔开的中心在光轴AX上的两个圆形光强度分布区域42d和42e和中心在光轴AX上的圆形光强度分布区域42c″。形成光强度分布区域42d、42e和42c″的光线具有沿着Z方向的偏振方向，如在图式中由双向箭头所指示者。
结果，如图5中的右侧视图所示，在无焦透镜4的光瞳平面上形成五极形状的光强度分布区域42a到42e。通过光强度分布区域42c′和42c″的重叠而形成中心在光轴AX上的圆形光强度分布区域42c。在行进而通过第一空间光调制器33到无焦透镜4的光瞳平面的S偏振光与行进而通过第二空间光调制器34到无焦透镜4的光瞳平面的P偏振光之间提供不小于光源1的时间相干(temporal coherence)长度的光学路径长度差异时，偏振方向沿着Z方向的射束和偏振方向沿着X方向的射束(如由图式中的双向箭头所指示者)穿过光强度分布区域42c的区。
相对照下，在行进而通过第一空间光调制器33到无焦透镜4的光瞳平面的S偏振光与行进而通过第二空间光调制器34到无焦透镜4的光瞳平面的P偏振光之间不存在路径长度差异时，穿过光强度分布区域42c的区的射束的偏振状态与入射到空间光调制单元3的射束的偏振状态一致。在入射到空间光调制单元3的射束的偏振状态为圆形偏振或45°线性偏振时，四个周围光(surrounding light)强度分布区域42a、42b、42d、42e的光强度彼此相等，且中央光强度分布区域42c的光强度为其它区域的光强度的两倍。
作为另一实例，可使已穿过半波片(wave plate)的光线入射到充当分光器的偏振分离膜35。可通过使布置于光源侧上的半波片相对于偏振分离膜35而绕着光轴旋转来控制由偏振分离膜35分离的S偏振光与P偏振光的强度的比。就是，控制到达无焦透镜4的光瞳平面的S偏振光与P偏振光的强度的比为可行的。也有可能(例如)通过以下各者来仅使S偏振光或P偏振光到达无焦透镜4的光瞳平面：控制半波片的旋转角度以使S偏振光入射到偏振分离膜35或通过控制半波片的旋转角度以使P偏振光入射到偏振分离膜35。此准许两极光强度分布(例如，图4中的光强度分布区域41a、41b)形成于无焦透镜4的光瞳平面上。
在前述实施例中，位于光分裂表面上的偏振分离膜35充当分光器，且位于光组合表面上在与偏振分离膜35的位置不同的位置处的偏振分离膜36充当光组合器。然而，不必限于此，也有可能采用一修改实例，其中分光器和光组合器具有共同偏振射束分裂器51(例如，如图6所示)。在图6的修改实例中所示的空间光调制单元3A中，在沿着光轴AX入射到偏振射束分裂器51的光线中，在偏振分离膜51a上反射的S偏振光行进而穿过四分之一波片52而变成圆形偏振光，且所述圆形偏振光入射到第一空间光调制器53。
由第一空间光调制器53的多个镜面元件反射的光线行进而穿过四分之一波片52后变成P偏振光，且所述P偏振光返回到偏振射束分裂器51。已行进而通过第一空间光调制器53且进入偏振射束分裂器51的P偏振光穿过偏振分离膜51a而从偏振射束分裂器51发出。在第一空间光调制器53的标准状态下，已沿着光轴AX行进到空间光调制单元3A中且接着行进而通过第一空间光调制器53的光线沿着光轴AX从空间光调制单元3A发出。
另一方面，穿过偏振射束分裂器51的偏振分离膜51a的P偏振光行进穿过四分之一波片54而变成圆形偏振的光，且所述圆形偏振的光入射到第二空间光调制器55。由第二空间光调制器55的多个镜面元件反射的光线行进穿过四分之一波片54而变成S偏振光，且所述S偏振光返回到偏振射束分裂器51。已行进通过第二空间光调制器55且已进入偏振射束分裂器51的S偏振光由偏振分离膜51a反射，且所述反射光从偏振射束分裂器51发出。在第二空间光调制器55的标准状态下，已沿着光轴AX行进到空间光调制单元3A中且接着行进通过第二空间光调制器55的光线沿着光轴AX而从空间光调制单元3A发出。
在上文的描述中，具有二维地布置且经个别地控制的多个光学元件的空间光调制器是二维地布置的反射表面的定向(角度：倾角)可加以个别地控制的空间光调制器。然而，不必限于此，也有可能(例如)使用二维地布置的反射表面的高度(位置)可加以个别地控制的空间光调制器。适用于本文的此类型的空间光调制器可选自(例如)揭露于以下各者中的空间光调制器：日本专利特许公开申请案第6-281869号和其相应的美国专利第5,312,513号，和日本专利特许公开申请案(PCT申请案的翻译)第2004-520618号和其相应的美国专利第6,885,493号的图1d中。这些空间光调制器能够通过形成二维高度分布而对入射光施加与衍射表面相同的作用。可(例如)根据日本专利特许公开申请案(PCT申请案的翻译)第2006-513442号和其相应的美国专利第6,891,655号中的揭露内容或根据日本专利特许公开申请案(PCT申请案的翻译)第2005-524112号和其相应的美国专利公开申请案第2005/0095749号中的揭露内容，修改具有二维地布置的多个反射表面的上述空间光调制器。
在上文的描述中，所使用的空间光调制器是具有多个镜面元件的反射空间光调制器，但不必限于此，也有可能(例如)使用揭露于美国专利第5,229,872号中的透射空间光调制器。图7示意性地展示根据具有透射空间光调制器的修改实例的空间光调制单元的配置。在图7的修改实例中所示的空间光调制单元3B中，在沿着光轴AX入射到充当分光器的偏振射束分裂器61的光中，由偏振分离膜61a反射的S偏振光入射到第一空间光调制器62。
已穿过第一空间光调制器62的多个光学元件(棱镜元件或其类似者)的光线由路径折叠镜63折叠，且然后所述经折叠的光入射到充当光组合器的偏振射束分裂器64。已行进通过第一空间光调制器62且已进入偏振射束分裂器64的S偏振光由偏振分离膜64a反射，且所述反射光从偏振射束分裂器64发出。在第一空间光调制器62的标准状态下，已沿着光轴AX行进到空间光调制单元3B中且接着行进穿过第一空间光调制器62的光线沿着光轴AX从空间光调制单元3B发出。
已穿过偏振射束分裂器61的偏振分离膜61a的P偏振光入射到第二空间光调制器65中。已穿过第二空间光调制器65的多个光学元件的光线由路径折叠镜66折叠，且所述经折叠的光入射到偏振射束分裂器64。已行进通过第二空间光调制器65且已进入偏振射束分裂器64的P偏振光行进穿过偏振分离膜64a且从偏振射束分裂器64发出。在第二空间光调制器65的标准状态下，已沿着光轴AX行进到空间光调制单元3B中且接着行进穿过第二空间光调制器65的光线沿着光轴AX而从空间光调制单元3B发出。
在上文的描述中，光学系统经配置，以使得来自供应有线性偏振光为主分量的偏振状态下的光线的光源1的光线被导向空间光调制单元(3；3A；3B)，同时大体上维持所述光线的偏振状态，但也有可能(例如)采用一修改实例，在所述修改实例中，用于使现有光线的偏振状态可变的偏振控制单元13提供于光学路径中空间光调制单元3的光源1侧上(如图8所示)。在图8中，具有与图1中相同的功能性的部件由相同参考符号来指示。
图8的修改实例中所示的偏振控制单元13从光源1接收已穿过整形光学系统2和路径折叠镜的光线，且朝空间光调制单元3发出处于所要偏振状态的光线。偏振控制单元13(例如)由布置成可绕着光轴或绕着平行于光轴的轴线而旋转的半波片13a和旋转地驱动半波片13a的旋转驱动单元13b组成。
举例来说，通过用旋转驱动单元13b旋转地调整半波片13a，可将偏振方向(电场的方向)在XZ平面中沿着与X轴或Z轴成45°的方向的线性偏振光供应给空间光调制单元3。此时，由空间光调制单元3的偏振分离膜分离的S偏振光(朝第一空间光调制器33行进的光线)的光通量和P偏振光(朝第二空间光调制器34行进的光线)的光通量变成大致相等。
通过对偏振控制单元13中的半波片13a的旋转调整，将由空间光调制单元3的偏振分离膜分离的S偏振光(朝第一空间光调制器33行进的光线)与P偏振光(朝第二空间光调制器34行进的光线)的光通量的比设置为任何光通量比为可行的。举例来说，在形成如图4所示的四极光强度分布区域41a到41d的情况下，在Z方向上间隔开的中心在光轴AX上的两个光强度分布区域41a、41b的光强度与在X方向上间隔开的中心在光轴AX上的两个光强度分布区域41c、41d的光强度的比可设置为所要光通量比。
在图8所示的修改实例中，设备可经布置，以使得由光瞳偏振分布测量装置14来测量照明光瞳偏振分布且根据测量的结果来控制该偏振控制单元13。在此种情况下，在场合需要时，可控制空间光调制单元中的每一空间光调制器。此光瞳偏振分布测量装置14为提供于用于固持晶片W的晶片台WS中或与晶片台WS分离地提供的测量台中且测量入射到晶片W上的照明光线(曝光光线)在光瞳(或孔径)中的偏振状态的装置。光瞳偏振分布测量装置14的详细配置和作用揭露于(例如)日本专利特许公开申请案第2005-5521号中。
此配置为有效的，如下所述：举例来说，甚至在布置于照明光学系统或投影光学系统中的每一路径折叠镜的偏振之间存在反射差异时，都可防止由此引起的不利影响。在图8的修改实例中，由偏振控制单元13来调整向空间光调制单元3的偏振的方向，但也可通过使光源1自身或空间光调制单元3绕着光轴旋转来实现相同效果。此偏振控制单元13也可应用于图6和图7所示的修改实例。
在前述实施例和图6到图8的修改实例中，分光器和光组合器具有偏振分离膜(35、36；51a；61a、64a)，但不必限于此，也有可能采用分光器和光组合器具有分离膜以实现射束的振幅分割的配置。在此种情况下，通过第一空间光调制器的作用而在照明光瞳上形成的第一光强度分布与通过第二空间光调制器的作用而在照明光瞳上形成的第二光强度分布具有相同偏振状态，但通过改变第一光强度分布和第二光强度分布的形状和大小中的每一者来实现在照明光瞳亮度分布的形状和大小方面具有大变化的照明条件变成可行的。
在前述实施例和图6到图8的修改实例中，使用偏振分离膜(35；51a；61a)来将入射射束分裂成两个射束，但不必限于此，也有可能(例如)采用使用衍射光学元件将入射射束分裂成两个射束的配置。图9为示意性地展示使用衍射光学元件作为分光器的修改实例的主要配置的图式。图9的修改实例具有图1的实施例中的空间光调制单元3由衍射光学元件71、聚光透镜72、一对半波片73A、73B和一对空间光调制单元74A、74B来替换的配置。
在图9的修改实例中，来自光源1的已行进穿过整形光学系统2的射束沿着光轴AX入射到作为分光器的衍射光学元件71。衍射光学元件71具有使得以下情况出现的功能：(例如)在具有矩形横截面的平行射束沿着光轴AX入射到其上时，其在其远场(或夫琅和费(Fraunhofer)衍射区)中形成Z方向上间隔开的中心在光轴AX上的两个矩形光强度分布区域。换句话说，衍射光学元件71起作用以将入射光分裂成两个射束。
由衍射光学元件71分裂的两个射束中的第一射束行进穿过充当傅立叶变换透镜的聚光透镜72且接着进入可绕着第一射束的光学路径的光轴AXa或绕着平行于光轴AXa的轴线而旋转的半波片73A。已穿过半波片73A的处于线性偏振状态下的光线行进通过空间光调制单元74A且然后行进穿过无焦透镜4的前透镜单元4a以到达无焦透镜4的光瞳平面4c。另一方面，由衍射光学元件71分裂的两个射束中的第二射束行进穿过聚光透镜72且进入可绕着第二射束的光学路径的光轴AXb或绕着平行于光轴AXb的轴线而旋转的半波片73B。已穿过半波片73B的处于线性偏振状态下的光线行进通过空间光调制单元74B且然后行进穿过无焦透镜4的前透镜单元4a以到达光瞳平面4c。无焦透镜4的前透镜单元4a为在光瞳平面4c上叠加已通过空间光调制单元74A中的空间光调制器的射束和已通过空间光调制单元74B中的空间光调制器的射束且充当光组合器的光学系统。
为描述上的简短起见，在下文中假定布置于第一射束的光学路径中的空间光调制单元74A和布置于第二射束的光学路径中的空间光调制单元74B具有相同组态。也假定，偏振方向沿着与Z方向和X方向成45°的方向的处于线性偏振状态下的平行射束入射到衍射光学元件71，偏振方向沿着X方向的处于X方向的线性偏振状态(横向偏振状态)下的光线由于半波片73A的作用而入射到空间光调制单元74A，且偏振方向沿着Z方向的处于Z方向的线性偏振状态(垂直偏振状态)下的光线由于半波片73B的作用而入射到空间光调制单元74B。
将在下文参看图10和图11来描述空间光调制单元74A的特定配置和作用。由于空间光调制单元74B基本上具有与空间光调制单元74A相同的配置，所以省略关于空间光调制单元74B的特定配置和作用的冗余描述。如图10所示，空间光调制单元74A具有由光学材料(例如，萤石)制成的棱镜23b和接近地(in proximity)附接到棱镜23b的平行于XY平面的侧面23ba的反射空间光调制器23a。用于制造棱镜23b的光学材料不必限于萤石，而是根据从光源1供应的光线的波长而定，可为硅石或任何其它光学材料。
棱镜23b具有通过用压成V形的侧面23bb和23bc来替换矩形平行六面体的一个侧面(与空间光调制器23a接近地附接到的侧面23ba相反的侧面)而获得的形式，且也由于沿着YZ平面的截面形状而被称为K棱镜。棱镜23b中压成V形的侧面23bb和23bc是由以钝角相交的两个平面PN1和PN2来界定。两个平面PN1和PN2均正交于YZ平面且沿着YZ平面而形成V形。
沿着两个平面PN1与PN2之间的相交线(在X方向上延伸的直线)P3而相接触的两个侧面23bb和23bc的内部表面充当反射表面Rl和R2。即，反射表面Rl位于平面PN1上，反射表面R2位于平面PN2上，且反射表面Rl与R2之间的角度为钝角。作为实例，可如下地确定角度：反射表面Rl与R2之间的角度为120°；棱镜23b的垂直于光轴AXa的入射表面IP与反射表面Rl之间的角度为60°；棱镜23b的垂直于光轴AXa的出射表面OP与反射表面R2之间的角度为60°。
在棱镜23b中，空间光调制器23a接近地附接到的侧面23ba平行于光轴AXa；且反射表面Rl位于光源1侧上(在曝光设备的上游侧上；在图10中的左侧上)，且反射表面R2位于无焦透镜4侧上(在曝光设备的下游侧上；在图10的右侧上)。更具体来说，反射表面Rl相对于光轴AXa而倾斜地布置，且反射表面R2相对于光轴AXa而倾斜地布置且相对于通过相交线P3且平行于XZ平面的平面而与反射表面R1对称。如下所述，棱镜23b的侧面23ba为与布置有空间光调制器23a的多个镜面元件SE的表面相对的光学表面。
棱镜23b的反射表面R1使穿过入射表面IP而入射的光线朝着空间光调制器23a反射。空间光调制器23a位于反射表面R1与反射表面R2之间的光学路径中，且使通过反射表面R1而入射的光线反射。棱镜23b的反射表面R2使通过空间光调制器23a而入射的光线反射以穿过出射表面OP将反射光导向无焦透镜4的前透镜单元4a。在图10中，为更易于理解其描述，将光学路径扩展，以使得光轴AXa在空间光调制单元74A的后侧上线性地延伸。图10展示棱镜23b是由一个光学区块整体地制成的实例，但棱镜23b可使用多个光学区块构成。
空间光调制器23a根据光线的入射位置而将空间调制施加于通过反射表面R1入射的光线。如图11所示，空间光调制器23a具备二维地布置的多个微镜面元件(光学元件)SE。为更易于描述和说明，图10和图11展示空间光调制器23a具有4×4矩阵的十六个镜面元件SE的配置实例，但空间光调制器实际上具有比十六个元件大得多的数目的镜面元件。
参看图10，在沿着平行于光轴AXa的方向而入射到空间光调制单元23中的一束射线中，射线L1入射到多个镜面元件SE中的镜面元件SEa，且射线L2入射到不同于镜面元件SEa的镜面元件SEb。类似地，射线L3入射到不同于镜面元件SEa、SEb的镜面元件SEc，且射线L4入射到不同于镜面元件SEa到SEc的镜面元件SEd。镜面元件SEa到SEd分别根据其位置而将各别空间调制施加于射线L1到L4。
空间光调制单元23经配置，以使得在空间光调制器23a的所有镜面元件SE的反射表面被设置为与XY平面平行的标准状态下，沿着平行于光轴AXa的方向而入射到反射表面R1的射线行进通过空间光调制器23a且然后由反射表面R2向平行于光轴AXa的方向反射。此外，空间光调制单元23经配置，以使得自棱镜23b的入射表面IP通过镜面元件SEa到SEd到出射表面OP的空气当量长度等于在光学路径中无棱镜23b的情况下自对应于入射表面IP的位置到对应于出射表面OP的位置的空气当量长度。本文中的空气当量长度是通过将光学系统中的光学路径长度转换成在具有折射率1的空气中的光学路径长度而获得，且在具有折射率n的媒介中的空气当量长度是通过使其中的光学路径长度乘以1/n而获得。
以阵列形式形成有空间光调制器23a的多个镜面元件SE的表面位于聚光透镜72的后焦点处或附近且位于无焦透镜4的前焦点处或附近。因此，具有根据衍射光学元件71的特性的形状(例如，矩形形状)的横截面的射束入射到空间光调制器23a。由空间光调制器23a的镜面元件SEa到SEd反射且具备预定角度分布的光线在无焦透镜4的光瞳平面4c上形成预定的光强度分布区域SP1到SP4。就是，无焦透镜4的前透镜单元4a将由空间光调制器23a的镜面元件SEa到SEd给予出射光的角度转换成空间光调制器23a的远场区(夫琅和费衍射区)即平面4c上的位置。
参看图1，圆柱形微蝇眼透镜8的入射表面位于与无焦透镜4的光瞳平面4c(未展示于图1中)成光学共轭的位置处或附近。因此，由圆柱形微蝇眼透镜8形成的二次光源的光强度分布(亮度分布)为根据由空间光调制器23a和无焦透镜4的前透镜单元4a形成于光瞳平面4c上的光强度分布区域SP1到SP4的分布。空间光调制器23a为包括镜面元件SE的可移动多(multi)镜面，镜面元件SE为沿着一个平面规则地且二维地布置的大量微反射元件，其中平面形状的反射表面向上，如图11所示。
每一镜面元件SE为可移动的，且由根据来自控制单元(未图示)的命令来操作的驱动单元23c(未展示于图11中)的作用而独立地控制每一镜面元件SE的反射表面的倾斜(也就是，反射表面的倾斜角度和方向)。每一镜面元件SE可绕着沿着彼此正交且平行于反射表面的两个方向(X方向和Y方向)的每一旋转轴而连续地或离散地旋转所要旋转角度。就是，可二维地控制各别镜面元件SE的反射表面的倾斜。
在每一镜面元件SE的反射表面离散地旋转的情况下，优选的切换控制会使得旋转角度在多个级(例如，…、-2.5°、-2.0°、…、0°、+0.5°、…、+2.5°…)中进行切换。图11展示具有正方形形状的轮廓的镜面元件SE，但镜面元件SE的轮廓不限于正方形。然而，从光利用效率的观点来看，所述轮廓可为准许实现具有尽可能小的间隙的镜面元件SE的布置的形状(准许最紧密装填的形状)。此外，从光利用效率的观点来看，两个相邻镜面元件SE之间的间隔可为所必需的最小者。
在空间光调制器23a中，通过根据来自控制单元的控制信号来操作的驱动单元23c的作用，改变各别镜面元件SE的姿势，借此使每一镜面元件SE设置为预定的定向。由空间光调制器23a的镜面元件SE以各别预定角度反射的射线行进穿过无焦透镜4和变焦透镜7以在圆柱形微蝇眼透镜8的后焦点上或其附近的照明光瞳上形成多极形状(四极、五极、……)或另一形状的光强度分布(照明光瞳亮度分布)。通过变焦透镜7的作用，此照明光瞳亮度分布类似地(各向同性地)变化。
具体来说，由空间光调制单元74A中的空间光调制器23a的镜面元件SE以各别预定角度反射的横向偏振光在无焦透镜4的光瞳平面4c上形成(例如)在Z方向上间隔开的中心在光轴AX上的两个圆形光强度分布区域41a和41b，如图4所示。形成光强度分布区域41a和41b的光线具有沿着X方向的偏振方向，如在图式中由双向箭头所指示。
类似地，由空间光调制单元74B中的空间光调制器的镜面元件以各别预定角度反射的垂直偏振光在无焦透镜4的光瞳平面4c上形成(例如)在X方向上间隔开的中心在光轴AX上的两个圆形光强度分布区域41c和41d，如图4所示。形成光强度分布区域41c和41d的光线具有沿着Z方向的偏振方向，如在图式中由双向箭头所指示。
在无焦透镜4的光瞳平面4c上形成四极光强度分布41的光线在圆柱形微蝇眼透镜8的入射表面上和在圆柱形微蝇眼透镜8的后焦平面上或在其附近的照明光瞳(布置孔径光阑9的位置)上形成对应于光强度分布区域41a到41d的四极光强度分布区域。此外，对应于光强度分布区域41a到41d的四极光强度分布区域也形成于与孔径光阑9成光学共轭的其它照明光瞳位置处，也就是，在成像光学系统12的光瞳位置处和投影光学系统PL的光瞳位置处。
在另一实例中，如图5中的左侧视图所示，空间光调制单元74A用以(例如)在无焦透镜4的光瞳平面4c上形成两个在Z方向上间隔开且中心在光轴AX上的圆形光强度分布区域42a和42b和一个中心在光轴AX上的圆形光强度分布区域42c′。形成光强度分布区域42a、42b、42c′的光线具有沿着X方向的偏振方向，如在图式中由双向箭头所指示。另一方面，如图5中的中间视图所示，空间光调制单元74B用以(例如)在无焦透镜4的光瞳平面4c上形成两个在X方向上间隔开且中心在光轴AX上的圆形光强度分布区域42d和42e和一个中心在光轴AX上的圆形光强度分布区域42c″。形成光强度分布区域42d、42e、42c″的光线具有沿着Z方向的偏振方向，如在图式中由双向箭头所指示。
结果，如图5中的右侧视图所示，在无焦透镜4的光瞳平面4c上形成五极形状的光强度分布区域42a到42e。通过重叠光强度分布区域42c′和42c″而形成中心在光轴AX上的圆形光强度分布区域42c。在已行进通过空间光调制单元74A到达无焦透镜4的光瞳平面4c的水平偏振光与已行进通过空间光调制单元74B到达无焦透镜4的光瞳平面的垂直偏振光之间提供不小于光源1的时间相干(temporal coherence)长度的光学路径长度差异时，偏振方向沿着Z方向的射束和偏振方向沿着X方向的射束穿过光强度分布区域42c的区，如由图式中的双向箭头所指示。
在图9的修改实例中，如上所述，使由通过空间光调制单元74A中的空间光调制器的作用而形成于光瞳平面上的处于横向偏振状态下的第一光强度分布和通过空间光调制单元74B中的空间光调制器的作用而形成于光瞳平面上的处于垂直偏振状态下的第二光强度分布所组成的照明光瞳亮度分布自由地且快速地改变为可行的。换句话来说，如在图1的实施例中，图9的修改实例也能够通过改变处于相互不同的偏振状态下的第一光强度分布和第二光强度分布的形状和大小中的每一者来实现在照明光瞳亮度分布的形状、大小和偏振状态方面具有大变化的照明条件。
由于图9的修改实例使用衍射光学元件71作为分光器，所以其具有在入射到空间光调制单元74A、74B中的空间光调制器的光线的强度的均匀性方面作出改进的优点。由于甚至在入射到衍射光学元件71的射束的位置变化时紧接衍射光学元件71后的射束的角度都无变化，所以此修改实例具有入射到空间光调制单元74A、74B中的空间光调制器的射束的位置不太可能变化的优点。
在图9的修改实例中，在具有矩形横截面的射束入射到衍射光学元件71的情况下，可在矩形横截面的短边方向上分裂入射射束，以便使棱镜23b小型化且因此使空间光调制单元74A和74B小型化。换句话来说，可在空间光调制单元74A、74B中的空间光调制器的有效区的纵向方向即为法线的平面中分裂入射射束。大体上，在入射光具有沿着入射到衍射光学元件71的射束的横截面中的第一方向的长度小于沿着垂直于第一方向的第二方向的长度的截面形状的情况下，可通过沿着第一方向分裂入射射束来使空间光调制单元74A和74B紧凑化。
在图9的修改实例中，使用衍射光学元件71来将入射射束分裂成两个射束。然而，不必限于此，也有可能采用通过使用具有一对棱镜部件76a和76b(例如，如图12所示)的棱镜单元76使入射射束分裂成两个射束的配置。图12的修改实例具有类似于图9的修改实例的配置，但与图9的修改实例的不同之处仅在于布置棱镜单元76而非衍射光学元件71和聚光透镜72。在图12中，与图9中所示的构成元件具有相同功能性的元件由与图9中的参考符号相同的参考符号表示。由于图12中所示的修改实例使用具有一对棱镜部件76a和76b的棱镜单元76来将入射射束分裂成两个射束，所以使设备小型化变成可行的。
充当图12的修改实例中的分光器的棱镜单元76由以从光源侧(从图式中的左侧)开始指定的次序布置的以下部件组成：第一棱镜部件76a，一平面在光源侧上，一凹入且成V形的折射表面在掩膜侧上(在图式的右侧上)；和第二棱镜部件76b，一平面在掩膜侧上，一凸起且成V形的折射表面在光源侧上。第一棱镜部件76a的凹入的折射表面由两个平面组成，且其间的相交线(脊线)沿着X方向延伸。第二棱镜部件76b的凸起的折射表面经形成以与第一棱镜部件76a的凹入的折射表面互补。具体来说，第二棱镜部件76b的凸起的折射表面也由两个平面组成，且其间的相交线(脊线)沿着X方向延伸。在图12的修改实例中，作为分光器的棱镜单元76由一对棱镜部件76a和76b组成，但也有可能构造至少一棱镜的分光器。此外，有可能涵盖分光器的特定配置的各种形式。
在图9的修改实例和图12的修改实例中，半波片73A和73B中的每一者提供于聚光透镜72与空间光调制单元74A和74B之间的光学路径中。然而，不必限于此，半波片73A和73B也可位于由衍射光学元件71或由棱镜单元76分裂的两个射束中的第一射束的光学路径中的另一适当位置处及第二射束的光学路径中的另一适当位置处。
在图9的修改实例和图12的修改实例中，可绕着预定轴线旋转的半波片73A提供于第一射束的光学路径中，且可绕着预定轴线旋转的半波片73B提供于第二射束的光学路径中。然而，不必限于此，也有可能采用将半波片提供于至少一光学路径中以便可绕着预定轴线旋转或为固定的配置，或将不同于半波片的偏振器或光学旋转器提供于至少一光学路径中以便可绕着预定轴线旋转或为固定的配置。
半波片(大体上为偏振器或光学旋转器)可布置为可从光学路径拆卸，使得在不需要时可将其从光学路径缩回，此可延长半波片的寿命。类似地，半波片(大体上为偏振器或光学旋转器)可布置为可用具有相同路径长度的玻璃基底来替换，此也可延长半波片的寿命。
在除了半波片外还布置可绕着预定轴线旋转的四分之一波片时，可控制椭圆形偏振光使之成为所要的线性偏振光。除了半波片外还可使用消偏振器(消偏振元件)或可使用消偏振器(depolarizer)替代半波片，借此可获得处于所要非偏振状态下的光线。举例来说，也有可能在一个光学路径中插入所需厚度的平面平行板以便如上所述在第一射束与第二射束之间提供不小于时间相干长度的路径长度差异，借此可使穿过照明光瞳上的同一区域的射束消偏振(depolarized)。此外，当在第一射束与第二射束之间提供不小于时间相干长度的光学路径长度差异时，可使斑点减少约
由于根据实施例和多个修改实例的照明光学设备使用具有一对空间光调制器(其中镜面元件的姿势被个别地变化)的光学单元(空间光调制单元)，所以自由地且快速地改变由通过第一空间光调制器的作用而形成于照明光瞳上的处于第一偏振状态下的第一光强度分布和通过第二空间光调制器的作用而形成于照明光瞳上的处于第二偏振状态下的第二光强度分布所组成的照明光瞳亮度分布为可行的。换句话来说，通过改变处于相互不同的偏振状态下的第一光强度分布和第二光强度分布的形状和大小中的每一者，实现在照明光瞳亮度分布的形状、大小和偏振状态方面具有大变化的照明条件为可行的。
以此方式，根据实施例和多个修改实例的照明光学设备能够实现在照明光瞳亮度分布的形状、大小和偏振状态方面具有大变化的照明条件。此外，根据实施例和多个修改实例的曝光设备能够使用可实现具有大变化的照明条件的照明光学设备在根据掩膜M的图案特性而实现的适当照明条件下执行良好曝光，且因此制造良好装置。
在上述实施例和每一修改实例中，所述设备也可经配置如下：在借助于空间光调制单元以形成照明光瞳亮度分布期间使用光瞳亮度分布测量装置来测量照明光瞳亮度分布，且根据测量结果来控制空间光调制单元中的每一空间光调制器。此类技术揭露于(例如)日本专利特许公开申请案第2006-54328号，以及日本专利特许公开申请案第2003-22967号和其相应的美国专利公开申请案第2003/0038225号中。
在前述实施例中，掩膜可由在预定电子数据的基础上形成预定图案的可变图案形成装置来替换。此可变图案形成装置的使用使对同步准确性的影响最小化，甚至在图案表面为垂直时也如此。可适用于本文的可变图案形成装置可为(例如)基于预定电子数据驱动的包括多个反射元件的DMD(数字微镜装置)。使用DMD的曝光设备揭露于(例如)日本专利特许公开申请案第2004-304135号和国际公开案WO2006/080285和其相应的美国专利公开申请案第2007/0296936号中。除了像DMD的非发射类型的反射空间光调制器外，也有可能使用透射式空间光调制器或使用自发射(self-emission)类型的影像显示装置。可变图案形成装置也可用于图案表面为水平的情况中。
通过组装如本申请案中的权利要求书的范畴中所陈述的含有其各别组件的各种子系统以便维持预定的机械准确性、电气准确性和光学准确性来制造根据前述实施例的曝光设备。为确保这些不同的准确性，可在组装之前和之后进行以下调整：用于实现各种光学系统的光学准确性的调整；用于实现各种机械系统的机械准确性的调整；用于实现各种电气系统的电气准确性的调整。将各种子系统组装成曝光设备的步骤包括各种子系统之间的机械连接、电路的线连接、气动线路的管道连接等等。不出意料地，在将各种子系统组装成曝光设备的步骤之前存在个别子系统的组装步骤。在完成将各种子系统组装成曝光设备的步骤后，进行总体调整以确保整个曝光设备的各种准确性。理想地，在控制温度、清洁度等等的净室中执行曝光设备的制造。
以下将描述使用上述实施例的曝光设备的装置制造方法。图13为展示半导体装置的制造步骤的流程图。如图13所示，半导体装置的制造步骤包括：在晶片W上沉积金属膜以变成用于半导体装置的基底(步骤S40)；以及将光阻作为感光性基底以施加到所沉积的金属膜上(步骤S42)。后续步骤包括使用上述实施例的投影曝光设备将形成于掩膜(光罩)M上的图案转印到晶片W上的每一照射区域中(步骤S44：曝光步骤)；和在完成转印后执行晶片W的显影，也就是，已转印有图案的光阻的显影(步骤S46：显影步骤)。其后的步骤为通过使用步骤S46中在晶片W的表面上制成的抗蚀剂图案作为掩膜来进行蚀刻或以类似过程来处理晶片W的表面(步骤S48：处理步骤)。
本文中的抗蚀剂图案为光阻层，在所述光阻层中以对应于由上述实施例的投影曝光设备转印的图案的形状形成凸出和凹陷，且所述凹陷穿透所述光阻层。在步骤S48中，穿过此抗蚀剂图案来处理晶片W的表面。在步骤S48中进行的处理包括(例如)蚀刻晶片W的表面或沉积金属膜或其类似者中的至少任一者。在步骤S44中，上述实施例的投影曝光设备使用涂布有光阻的晶片W作为感光性基底或板P来执行图案的转印。
图14为展示液晶装置(例如，液晶显示装置)的制造步骤的流程图。如图14所示，液晶装置的制造步骤包括顺序地进行图案形成步骤(步骤S50)、彩色滤光片形成步骤(步骤S52)、单元组装步骤(步骤S54)和模块组装步骤(步骤S56)。
步骤S50的图案形成步骤将使用上述实施例的投影曝光设备在作为板P的涂布有光阻的玻璃基底上形成预定图案(例如，电路图案和电极图案)。此图案形成步骤包括：借助于上述实施例的投影曝光设备将图案转印到光阻层上的曝光步骤；在图案的转印后显影该板P的显影步骤，也就是，使玻璃基底上的光阻层显影，以制成形状对应于所述图案的光阻层；和穿过经显影的光阻层来处理玻璃基底的表面的处理步骤。
步骤S52的彩色滤光片形成步骤将形成处于以下组态中的彩色滤光片：大量的成组的对应于R(红)、G(绿)和B(蓝)的三个点以矩阵图案形成阵列的组态，或多个R、G和B的三种条带滤光片的组在水平扫描方向上形成阵列的组态。
步骤S54的盒组装步骤将使用步骤S50中的上面具有预定图案的玻璃基底和步骤S52中形成的彩色滤光片来组装液晶面板(液晶单元)。具体来说，(例如)通过将液晶倾注于玻璃基底与彩色滤光片之间来形成液晶面板。步骤S56的模块组装步骤将各种组件(例如，用于此液晶面板的显示操作的电路和背光元件)附接到步骤S54中组装的液晶面板。
本发明不限于应用于用于制造半导体装置的曝光设备，而是也可广泛地应用于(例如)用于显示装置(例如，用矩形玻璃板形成的液晶显示装置或等离子显示器)的曝光设备，和应用于用于制造各种装置(例如，成像装置(CCDs或其类似者)、微电机、薄膜磁头和DNA芯片)的曝光设备。此外，本发明也可应用于通过光刻法来制造具有各种装置的掩膜图案的掩膜(光掩膜、光罩等等)过程中的曝光步骤(曝光设备)。
前述实施例使用ArF准分子激光光线(波长：193nm)或KrF准分子激光光线(波长：248nm)作为曝光光线，但曝光光线不必限于这些光线：本发明也可应用于任何其他适当激光光源，例如，供应波长为157nm的激光光线的F2激光光源。
在前述实施例中，也有可能应用由具有大于1.1的折射率的媒介(通常，液体)来填充投影光学系统与感光性基底之间的光学路径内部的技术，其为所谓的液体浸没(immersion)法。在此种情况下，有可能采用以下技术中的一者作为用液体填充投影光学系统与感光性基底之间的光学路径内部的技术：用液体局部地填充光学路径的技术，如国际公开案WO99/49504中所揭露；在液池(bath)中移动用来固持将曝光的基底的台的技术，如日本专利特许公开申请案第6-124873号中所揭露；在台上形成预定深度的液池且将基底固持于其中的技术，如日本专利特许公开申请案第10-303114号中所揭露；等等。
前述实施例为本发明用于照明光学设备中以对曝光设备中的掩膜进行照明的应用，但不必限于此，本发明也可应用于任何常用的照明光学设备以对不同于掩膜的照明目标表面进行照明。
应注意，仅为易于理解本发明而非为限制本发明来描述上文所解释的实施例。因此，实施例中所揭露的每一元件意欲包含属于本发明的技术范畴的所有设计改变和等效物。上述实施例中的构成元件和其他者中的每一者可以任何组合的形式或其类似形式来应用。

Claims (28)

1.一种照明光学设备，使照明光对于形成有图案的掩膜进行照明，所述照明光学设备的特征在于包括：
蝇眼透镜，配置在所述照明光的光路中；
空间光调制器，含有：沿预定表面布置且设置在所述蝇眼透镜的入射侧的所述照明光的光路中的多个反射表面，将所述多个反射表面的朝向进行个别设定，而使所述照明光学设备的照明光瞳中的所述照明光分布在从所述照明光学设备的光轴离开的区域；以及
偏振单元，配置于所述空间光调制器的入射侧的所述照明光的光路中，对于所述照明光的偏振状态进行变换；
其中，所述蝇眼透镜以所述蝇眼透镜的后侧焦点位置与所述照明光瞳一致的方式配置在所述光路中，
所述空间光调制器使所述照明光中的、入射到所述多个反射表面中的一部分反射表面的第1光束及入射到另一部分反射表面的第2光束分别分布于所述照明光瞳的第1区域及第2区域，所述第1区域及所述第2区域是所述照明光瞳上的互相不同的区域，
所述偏振单元包含第1部件，该第1部件被设置成相对于入射到所述一部分反射表面的所述第1光束的光路可拆卸、且使所述第1光束的偏振方向旋转，
所述第1部件使在以偏振方向为预定一方向的线性偏振光作为主成分的偏振状态下入射到所述第1部件的所述第1光束在所述第1区域成为圆周偏振状态的方式，使所述第1光束的偏振方向旋转。
2.根据权利要求1所述的照明光学设备，其特征在于，
所述第1部件包含半波片或光学旋转器。
3.根据权利要求1所述的照明光学设备，其特征在于，
所述偏振单元包含第2部件，该第2部件设置在入射到所述另一部分反射表面的所述第2光束的光路中、且使所述第2光束的偏振方向旋转，
所述第2部件使在以偏振方向为所述预定一方向的线性偏振光作为主成分的偏振状态下入射到所述第2部件的所述第2光束在所述第2区域成为圆周偏振状态的方式，使所述第2光束的偏振方向旋转。
4.根据权利要求3所述的照明光学设备，其特征在于，
所述第2部件以使所述第2区域中的所述第2光束的偏振方向相对于所述第1区域中的所述第1光束的偏振方向成为正交方向的方式，使所述第2光束的偏振方向旋转。
5.根据权利要求3所述的照明光学设备，其特征在于，
所述第2部件被设置成相对于所述第2光束的光路可拆卸。
6.根据权利要求5所述的照明光学设备，其特征在于，
所述第2部件能够用路径长度与所述第2部件相等的玻璃基底来替换。
7.根据权利要求3所述的照明光学设备，其特征在于，
所述第2部件包含半波片或光学旋转器。
8.根据权利要求1所述的照明光学设备，其特征在于，
含有偏振控制部件，该偏振控制部件被设置成：能够在所述偏振单元的入射侧的所述照明光的光路中改变所述照明光的偏振状态。
9.根据权利要求8所述的照明光学设备，其特征在于，
所述偏振控制部件含有半波片，该半波片被设置成能够相对于与所述光轴平行的轴旋转。
10.根据权利要求1所述的照明光学设备，其特征在于，
所述第1区域与所述第2区域是：被包含在所述照明光瞳中的多极状区域或环形形状区域。
11.根据权利要求10所述的照明光学设备，其特征在于，
所述第1区域包含：以所述照明光瞳中的所述光轴作为中心、而在第1方向上隔开间隔的两个区域；
所述第2区域包含：以所述照明光瞳中的所述光轴作为中心、而在与所述第1方向不同的第2方向上隔开间隔的两个区域。
12.根据权利要求1所述的照明光学设备，其特征在于，
所述空间光调制器以使所述照明光在所述蝇眼透镜的入射表面被分布成多极状或环形形状的方式，而设定所述多个反射表面的朝向。
13.一种曝光设备，将形成在掩膜的图案曝光到基板，所述曝光设备的特征在于包括：
能够移动的台，支持所述基板；
权利要求1到12中任一权利要求所述的照明光学设备，对所述掩膜进行照明；以及
投影光学系统，将使用所述照明光学设备而被照明的所述图案的像，形成到被支持在所述台的所述基板上。
14.一种装置制造方法，其特征在于包括：
使用权利要求13所述的曝光设备，将被形成在掩膜的图案曝光到基板上；以及
使所述图案被曝光的所述基板进行显影。
15.一种照明方法，使照明光对于形成有图案的掩膜进行照明，所述照明方法的特征在于包括：
利用含有沿预定表面布置且能够个别控制的多个反射表面的空间光调制器，来反射所述照明光，经由蝇眼透镜使所述照明光分布于照明光瞳上的从光轴离开的区域；以及
利用配置于所述照明光的光路中的偏振单元，对于所述照明光的偏振状态进行变换；
所述蝇眼透镜以所述蝇眼透镜的后侧焦点位置与所述照明光瞳一致的方式配置在所述光路中，
所述空间光调制器使所述照明光中的、入射到所述多个反射表面中的一部分反射表面的第1光束及入射到另一部分反射表面的第2光束分别分布于所述照明光瞳的第1区域及第2区域，所述第1区域及所述第2区域是所述照明光瞳上的互相不同的区域，
所述偏振单元包含第1部件，该第1部件被设置成相对于入射到所述一部分反射表面的所述第1光束的光路可拆卸、且使所述第1光束的偏振方向旋转，利用所述第1部件使在以偏振方向为预定一方向的线性偏振光作为主成分的偏振状态下入射到所述第1部件的所述第1光束在所述第1区域成为圆周偏振状态的方式，使所述第1光束的偏振方向旋转。
16.根据权利要求15所述的照明方法，其特征在于，
所述第1部件包含半波片或光学旋转器。
17.根据权利要求15所述的照明方法，其特征在于，
所述偏振单元包含第2部件，该第2部件设置在入射到所述另一部分反射表面的所述第2光束的光路中、且使所述第2光束的偏振方向旋转，利用所述第2部件使在以偏振方向为所述预定一方向的线性偏振光作为主成分的偏振状态下入射到所述第2部件的所述第2光束在所述第2区域成为圆周偏振状态的方式，使所述第2光束的偏振方向旋转。
18.根据权利要求17所述的照明方法，其特征在于，
所述偏振单元利用所述第2部件以使所述第2区域的所述第2光束的偏振方向成为相对于所述第1区域的所述第1光束的偏振方向正交的方向的方式，使所述第2光束的偏振方向旋转。
19.根据权利要求17所述的照明方法，其特征在于，
所述第2部件被设置成相对于所述第2光束的光路可拆卸。
20.根据权利要求19所述的照明方法，其特征在于，
所述第2部件能够用路径长度与所述第2部件相等的玻璃基底来替换。
21.根据权利要求17所述的照明方法，其特征在于，
所述第2部件包含半波片或光学旋转器。
22.根据权利要求15所述的照明方法，其特征在于，
利用设置在所述偏振单元的入射侧的所述照明光的光路中的偏振控制部件来控制所述照明光的偏振状态。
23.根据权利要求22所述的照明方法，其特征在于，
所述偏振控制部件含有半波片，该半波片被设置成能够相对于与所述光轴平行的轴旋转。
24.根据权利要求15所述的照明方法，其特征在于，
所述第1区域与所述第2区域是：被包含在所述照明光瞳中的多极状区域或环形形状区域。
25.根据权利要求24所述的照明方法，其特征在于，
所述第1区域包含：以所述照明光瞳中的所述光轴作为中心、而在第1方向上隔开间隔的两个区域；
所述第2区域包含：以所述照明光瞳中的所述光轴作为中心、而在与所述第1方向不同的第2方向上隔开间隔的两个区域。
26.根据权利要求15所述的照明方法，其特征在于，
所述多个反射面被控制成：所述照明光在所述蝇眼透镜的入射表面被分布成多极状或环形形状。
27.一种曝光方法，将形成在掩膜的图案曝光到基板，所述曝光方法的特征在于包括：
利用能够移动的台支持所述基板；
使用权利要求15到26中任一权利要求所述的照明方法，利用所述照明光来对所述图案进行照明；以及
将利用所述照明光而被照明的所述图案的像，经由投影光学系统而形成到被所述台支持的所述基板上。
28.一种装置制造方法，其特征在于包括：
使用权利要求27所述的曝光方法，将被形成在掩膜的图案曝光到基板上；以及
使所述图案被曝光的所述基板进行显影。
CN201410019498.6A 2007-10-24 2008-10-23 照明光学设备、曝光设备、照明方法、曝光方法和装置制造方法 Expired - Fee Related CN103777471B (zh)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US96099607P 2007-10-24 2007-10-24
US60/960,996 2007-10-24
US644608P 2008-01-14 2008-01-14
US61/006,446 2008-01-14
US12/245,021 US8379187B2 (en) 2007-10-24 2008-10-03 Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US12/245,021 2008-10-03
CN200880100940.0A CN101765799B (zh) 2007-10-24 2008-10-23 光学单元、照明光学设备、曝光设备和装置制造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200880100940.0A Division CN101765799B (zh) 2007-10-24 2008-10-23 光学单元、照明光学设备、曝光设备和装置制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103777471A CN103777471A (zh) 2014-05-07
CN103777471B true CN103777471B (zh) 2016-08-17

Family

ID=40278898

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200880100940.0A Expired - Fee Related CN101765799B (zh) 2007-10-24 2008-10-23 光学单元、照明光学设备、曝光设备和装置制造方法
CN201410018301.7A Expired - Fee Related CN103777363B (zh) 2007-10-24 2008-10-23 照明光学设备、曝光设备、照明方法、曝光方法和装置制造方法
CN201410019498.6A Expired - Fee Related CN103777471B (zh) 2007-10-24 2008-10-23 照明光学设备、曝光设备、照明方法、曝光方法和装置制造方法
CN201410018304.0A Active CN103777345B (zh) 2007-10-24 2008-10-23 照明光学设备、曝光设备、照明方法、曝光方法和装置制造方法

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200880100940.0A Expired - Fee Related CN101765799B (zh) 2007-10-24 2008-10-23 光学单元、照明光学设备、曝光设备和装置制造方法
CN201410018301.7A Expired - Fee Related CN103777363B (zh) 2007-10-24 2008-10-23 照明光学设备、曝光设备、照明方法、曝光方法和装置制造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410018304.0A Active CN103777345B (zh) 2007-10-24 2008-10-23 照明光学设备、曝光设备、照明方法、曝光方法和装置制造方法

Country Status (9)

Country Link
US (5) US8379187B2 (zh)
EP (6) EP2620800A3 (zh)
JP (3) JP5141491B2 (zh)
KR (5) KR101680620B1 (zh)
CN (4) CN101765799B (zh)
HK (3) HK1141591A1 (zh)
SG (2) SG185334A1 (zh)
TW (6) TWI569106B (zh)
WO (1) WO2009054541A2 (zh)

Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2270597B1 (en) * 2003-04-09 2017-11-01 Nikon Corporation Exposure method and apparatus and device manufacturing method
TWI569308B (zh) 2003-10-28 2017-02-01 尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造 方法
TWI385414B (zh) * 2003-11-20 2013-02-11 尼康股份有限公司 光學照明裝置、照明方法、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
TWI395068B (zh) 2004-01-27 2013-05-01 尼康股份有限公司 光學系統、曝光裝置以及曝光方法
TWI609410B (zh) 2004-02-06 2017-12-21 尼康股份有限公司 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
TW200923418A (en) * 2005-01-21 2009-06-01 Nikon Corp Exposure device, exposure method, fabricating method of device, exposure system, information collecting device, and measuring device
US8451427B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
JP5267029B2 (ja) * 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
WO2009050976A1 (en) 2007-10-16 2009-04-23 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
CN101681125B (zh) 2007-10-16 2013-08-21 株式会社尼康 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9116346B2 (en) 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2009128293A1 (ja) * 2008-04-14 2009-10-22 株式会社ニコン 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
CN101910817B (zh) 2008-05-28 2016-03-09 株式会社尼康 照明光学系统、曝光装置以及器件制造方法
JP5353408B2 (ja) * 2009-04-23 2013-11-27 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2010272640A (ja) * 2009-05-20 2010-12-02 Nikon Corp 照明装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP5403244B2 (ja) * 2009-07-16 2014-01-29 株式会社ニコン 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP5327715B2 (ja) * 2009-08-17 2013-10-30 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
US20110037962A1 (en) * 2009-08-17 2011-02-17 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5553635B2 (ja) 2009-10-23 2014-07-16 キヤノン株式会社 補償光学装置、撮像装置および補償光学方法、撮像方法
JP2011108851A (ja) * 2009-11-17 2011-06-02 Canon Inc 露光装置及びデバイスの製造方法
WO2011078070A1 (ja) * 2009-12-23 2011-06-30 株式会社ニコン 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
KR101774607B1 (ko) 2010-02-03 2017-09-04 가부시키가이샤 니콘 조명 광학 장치, 조명 방법, 및 노광 방법 및 장치
WO2011102109A1 (ja) 2010-02-20 2011-08-25 株式会社ニコン 光源最適化方法、露光方法、デバイス製造方法、プログラム、露光装置、リソグラフィシステム、及び光源評価方法、並びに光源変調方法
US20110205519A1 (en) * 2010-02-25 2011-08-25 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
DE102010029905A1 (de) 2010-06-10 2011-12-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102010030089A1 (de) * 2010-06-15 2011-12-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Mikro-Lithografie sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
JP2012004465A (ja) 2010-06-19 2012-01-05 Nikon Corp 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
WO2012060083A1 (ja) * 2010-11-05 2012-05-10 株式会社ニコン 照明装置、露光装置、プログラムおよび照明方法
US10120283B2 (en) * 2011-06-06 2018-11-06 Nikon Corporation Illumination method, illumination optical device, and exposure device
US9599905B2 (en) * 2011-06-07 2017-03-21 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, device production method, and light polarization unit
TWI652508B (zh) * 2011-06-13 2019-03-01 尼康股份有限公司 照明方法
WO2013013947A2 (en) 2011-07-26 2013-01-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus, and microlithographic exposure method
DE102011079837A1 (de) 2011-07-26 2013-01-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren
WO2013061858A1 (ja) * 2011-10-24 2013-05-02 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
US9732934B2 (en) 2011-10-28 2017-08-15 Nikon Corporation Illumination device for optimizing polarization in an illumination pupil
EP2806262A4 (en) * 2012-01-18 2015-09-23 Nikon Corp STRUCTURED LIGHTING DEVICE, LIGHTED MICROSCOPE STRUCTURED DEVICE, AND STRUCTURED LIGHTING METHOD
US9201008B2 (en) * 2012-06-26 2015-12-01 Universite Laval Method and system for obtaining an extended-depth-of-field volumetric image using laser scanning imaging
TW201428431A (zh) * 2012-11-19 2014-07-16 尼康股份有限公司 照明光學系統、照明方法、曝光方法以及裝置
DE102012223217B9 (de) * 2012-12-14 2014-07-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
KR101988820B1 (ko) * 2012-12-18 2019-06-12 가부시키가이샤 니콘 기판 처리 장치, 디바이스 제조 시스템 및 디바이스 제조 방법
DE102013214459B4 (de) 2013-07-24 2015-07-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
EP2876499B1 (en) * 2013-11-22 2017-05-24 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
GB2522082B (en) * 2014-03-14 2016-02-24 Oclaro Technology Ltd Optical component
WO2016015987A1 (en) 2014-07-28 2016-02-04 Asml Netherlands B.V. Illumination system, inspection apparatus including such an illumination system, inspection method and manufacturing method
DE102015202800A1 (de) * 2015-02-17 2016-08-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe eines optischen Systems, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
JP2018518702A (ja) * 2015-05-13 2018-07-12 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影装置の照明系及びそのような系内の照射分布を調節する方法
WO2017011188A1 (en) * 2015-07-13 2017-01-19 Applied Materials, Inc. Quarter wave light splitting
KR102483322B1 (ko) 2015-09-30 2022-12-30 삼성디스플레이 주식회사 편광 모듈 및 이를 포함하는 레이저 조사 장치
KR102128488B1 (ko) * 2015-12-09 2020-07-01 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. 플렉시블 일루미네이터
JP6816099B2 (ja) * 2016-02-26 2021-01-20 ギガフォトン株式会社 ビーム伝送システム、露光装置および露光装置の照明光学系
JP6662102B2 (ja) * 2016-02-29 2020-03-11 富士ゼロックス株式会社 光学装置の製造方法、基板装置、光学装置及び光学装置の製造装置
DE102016204703B4 (de) 2016-03-22 2022-08-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung eines optischen Musters aus Bildpunkten in einer Bildebene
CN109416514B (zh) 2016-06-30 2020-12-04 Asml控股股份有限公司 用于套刻中光瞳照射的方法和装置以及临界尺寸传感器
JP6701136B2 (ja) * 2017-07-28 2020-05-27 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置、及び、物品製造方法
TWI667183B (zh) * 2017-08-03 2019-08-01 崴強科技股份有限公司 進紙狀態及紙張寬度的偵測方法
US20190129308A1 (en) * 2017-11-02 2019-05-02 Taiwan Green Point Enterprises Co., Ltd. Digital masking system, pattern imaging apparatus and digital masking method
EP3486706A1 (en) * 2017-11-16 2019-05-22 Carl Zeiss Microscopy GmbH Functional module and microscope equipped with the same
CN109521652B (zh) * 2018-12-11 2020-04-10 中国科学院光电技术研究所 一种基于棱台分光的超分辨光刻装置
DE102019201280A1 (de) * 2019-01-31 2020-08-06 Trumpf Laser Gmbh Anordnung und Verfahren zum Formen eines Laserstrahls
JP7341670B2 (ja) * 2019-02-15 2023-09-11 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像装置の制御方法、プログラム
CN111856745B (zh) * 2019-04-30 2023-03-17 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种光照射装置
TWI800063B (zh) * 2021-10-29 2023-04-21 佳世達科技股份有限公司 光源模組

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0208552A2 (en) * 1985-07-10 1987-01-14 Westinghouse Electric Corporation Acousto-optic system for testing high speed circuits
US6665119B1 (en) * 2002-10-15 2003-12-16 Eastman Kodak Company Wire grid polarizer
CN1550902A (zh) * 1998-03-02 2004-12-01 ���ܿ���ϵͳ���޹�˾ 改进的图形发生器反射镜结构

Family Cites Families (913)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3293882B2 (ja) 1992-03-27 2002-06-17 株式会社東芝 投影露光装置
JPS444993Y1 (zh) 1964-05-28 1969-02-24
FR2450470A1 (fr) 1979-02-27 1980-09-26 Thomson Csf Systeme optique de projection en photorepetition
JPS5857066B2 (ja) 1979-06-29 1983-12-17 古河電気工業株式会社 リニアモ−タ
ATE1462T1 (de) 1979-07-27 1982-08-15 Werner W. Dr. Tabarelli Optisches lithographieverfahren und einrichtung zum kopieren eines musters auf eine halbleiterscheibe.
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57117238A (en) 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
JPS57152129A (en) 1981-03-13 1982-09-20 Sanyo Electric Co Ltd Developing method of resist
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS5849932A (ja) 1981-09-21 1983-03-24 Ushio Inc 照度分布パタ−ンの調整器
JPS5845502U (ja) 1981-09-21 1983-03-26 株式会社津山金属製作所 広角反射器
JPS58115945A (ja) 1981-12-29 1983-07-09 Toyoda Gosei Co Ltd ハンドル部への電力伝送と信号送受方法
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
DD206607A1 (de) 1982-06-16 1984-02-01 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD242880A1 (de) 1983-01-31 1987-02-11 Kuch Karl Heinz Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS59226317A (ja) 1983-06-06 1984-12-19 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 照明装置
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
JPS59155843A (ja) 1984-01-27 1984-09-05 Hitachi Ltd 露光装置
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS60229606A (ja) 1984-04-27 1985-11-15 株式会社日立製作所 ガス絶縁開閉装置
JPS6144429A (ja) 1984-08-09 1986-03-04 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 位置合わせ方法、及び位置合せ装置
JPS6145923A (ja) 1984-08-10 1986-03-06 Aronshiya:Kk 反射式ロ−タリ−エンコ−ダ−用回転デイスクの製作方法
JPH0682598B2 (ja) 1984-10-11 1994-10-19 日本電信電話株式会社 投影露光装置
JPS61217434A (ja) 1985-03-20 1986-09-27 Mitsubishi Chem Ind Ltd 搬送用装置
JPS6194342U (zh) 1984-11-27 1986-06-18
JPS61156736A (ja) 1984-12-27 1986-07-16 Canon Inc 露光装置
JPS61196532A (ja) 1985-02-26 1986-08-30 Canon Inc 露光装置
JPS61251025A (ja) 1985-04-30 1986-11-08 Canon Inc 投影露光装置
JPS61270049A (ja) 1985-05-24 1986-11-29 Toshiba Corp テ−ブル装置
JPS622539A (ja) 1985-06-28 1987-01-08 Canon Inc 照明光学系
JPS622540A (ja) 1985-06-28 1987-01-08 Canon Inc ライトインテグレ−タとそれを含むケ−ラ−照明系
JPS6217705A (ja) 1985-07-16 1987-01-26 Nippon Kogaku Kk <Nikon> テレセントリツク光学系用照明装置
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS62100161A (ja) 1985-10-23 1987-05-09 Shin Etsu Chem Co Ltd 平面モ−タ
JPS62120026A (ja) 1985-11-20 1987-06-01 Fujitsu Ltd Ｘ線露光装置
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPH07105323B2 (ja) 1985-11-22 1995-11-13 株式会社日立製作所 露光方法
JPS62153710A (ja) 1985-12-27 1987-07-08 Furukawa Alum Co Ltd ロ−タリエンコ−ダ用反射基板の製造方法
JPH0782981B2 (ja) 1986-02-07 1995-09-06 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置
JPS62188316A (ja) 1986-02-14 1987-08-17 Canon Inc 投影露光装置
JPS62203526A (ja) 1986-02-28 1987-09-08 トヨタ自動車株式会社 無線電力伝送装置
JP2506616B2 (ja) 1986-07-02 1996-06-12 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いた回路の製造方法
JPS6336526A (ja) 1986-07-30 1988-02-17 Oki Electric Ind Co Ltd ウエハ露光装置
JPH0695511B2 (ja) 1986-09-17 1994-11-24 大日本スクリ−ン製造株式会社 洗浄乾燥処理方法
JPS63128713A (ja) 1986-11-19 1988-06-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 走査型露光装置のデイスト−シヨン補正方法
JPS63131008A (ja) 1986-11-20 1988-06-03 Fujitsu Ltd 光学的アライメント方法
JPS63141313A (ja) 1986-12-03 1988-06-13 Hitachi Ltd 薄板変形装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JPS63160192A (ja) 1986-12-23 1988-07-02 株式会社明電舎 高周波加熱装置の接続導体
JPS63231217A (ja) 1987-03-19 1988-09-27 Omron Tateisi Electronics Co 移動量測定装置
JPH0718699B2 (ja) 1987-05-08 1995-03-06 株式会社ニコン 表面変位検出装置
JPS6426704A (en) 1987-05-11 1989-01-30 Jiei Shirinian Jiyon Pocket structure of garment
JPS63292005A (ja) 1987-05-25 1988-11-29 Nikon Corp 走り誤差補正をなした移動量検出装置
JPH07117371B2 (ja) 1987-07-14 1995-12-18 株式会社ニコン 測定装置
JPS6468926A (en) 1987-09-09 1989-03-15 Nikon Corp Measurement of image distortion in projection optical system
JPH0191419A (ja) 1987-10-01 1989-04-11 Canon Inc 露光装置
JPH01115033A (ja) 1987-10-28 1989-05-08 Hitachi Ltd ガス放電表示装置
JPH01147516A (ja) 1987-12-04 1989-06-09 Canon Inc ビーム位置制御装置
JPH01202833A (ja) 1988-02-09 1989-08-15 Toshiba Corp 高精度ｘｙステージ装置
JPH0831513B2 (ja) 1988-02-22 1996-03-27 株式会社ニコン 基板の吸着装置
JPH0545102Y2 (zh) 1988-02-24 1993-11-17
JPH01255404A (ja) 1988-04-05 1989-10-12 Toshiba Corp 浮上用電磁石装置
JPH01258990A (ja) 1988-04-08 1989-10-16 Dainippon Printing Co Ltd 熱転写シート
JPH01278240A (ja) 1988-04-28 1989-11-08 Tokyo Electron Ltd 半導体製造装置用無停電電源
JPH01276043A (ja) 1988-04-28 1989-11-06 Mitsubishi Cable Ind Ltd 導波路型液体検知器
JPH01286478A (ja) 1988-05-13 1989-11-17 Hitachi Ltd ビーム均一化光学系おゆび製造法
JPH01292343A (ja) 1988-05-19 1989-11-24 Fujitsu Ltd ペリクル
JPH01314247A (ja) 1988-06-13 1989-12-19 Fuji Plant Kogyo Kk プリント基板の自動露光装置
JPH0831514B2 (ja) 1988-06-21 1996-03-27 株式会社ニコン 基板の吸着装置
JPH0242382A (ja) 1988-08-02 1990-02-13 Canon Inc 移動ステージ構造
JPH0265149A (ja) 1988-08-30 1990-03-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2729058B2 (ja) 1988-08-31 1998-03-18 山形日本電気株式会社 半導体装置の露光装置
JPH0297239A (ja) 1988-09-30 1990-04-09 Canon Inc 露光装置用電源装置
JP2682067B2 (ja) 1988-10-17 1997-11-26 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JP2697014B2 (ja) 1988-10-26 1998-01-14 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JPH0636054B2 (ja) 1988-11-10 1994-05-11 株式会社東芝 燃料ペレット製造方法
JPH02139146A (ja) 1988-11-15 1990-05-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 一段６自由度位置決めテーブル
JP2940553B2 (ja) 1988-12-21 1999-08-25 株式会社ニコン 露光方法
JPH07104442B2 (ja) 1989-04-06 1995-11-13 旭硝子株式会社 フッ化マグネシウム膜及び低反射膜の製造方法
DE3907136A1 (de) 1989-03-06 1990-09-13 Jagenberg Ag Vorrichtung zum verbinden von materialbahnen
JPH02261073A (ja) 1989-03-29 1990-10-23 Sony Corp 超音波モータ
JPH02287308A (ja) 1989-04-03 1990-11-27 Mikhailovich Khodosovich Vladimir 光学ユニットのマウント内のレンズの中心合わせの方法
JPH02285320A (ja) 1989-04-27 1990-11-22 Olympus Optical Co Ltd 内視鏡の絞装置
JP2527807B2 (ja) 1989-05-09 1996-08-28 住友大阪セメント株式会社 光学的連想識別装置
JPH02298431A (ja) 1989-05-12 1990-12-10 Mitsubishi Electric Corp 放電加工装置
JPH02311237A (ja) 1989-05-25 1990-12-26 Fuji Electric Co Ltd 搬送装置
JPH0341399A (ja) 1989-07-10 1991-02-21 Nikon Corp 多層膜反射鏡の製造方法
JPH0364811A (ja) 1989-07-31 1991-03-20 Okazaki Seisakusho:Kk 中空心線ｍｉケーブルと中空心線ｍｉケーブルの製造方法
JPH0372298A (ja) 1989-08-14 1991-03-27 Nikon Corp 多層膜反射鏡の製造方法
JPH0394445A (ja) 1989-09-06 1991-04-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウエハ搬送システム
JPH03132663A (ja) 1989-10-18 1991-06-06 Fujitsu Ltd ペリクル
JPH03134341A (ja) 1989-10-20 1991-06-07 Fuji Photo Film Co Ltd ダンパ機構、防振機構およびこのダンパ機構等を組み込む光ビーム走査装置
JP2784225B2 (ja) 1989-11-28 1998-08-06 双葉電子工業株式会社 相対移動量測定装置
JP3067142B2 (ja) 1989-11-28 2000-07-17 富士通株式会社 ホトマスクの検査装置及びホトマスクの検査方法
JPH03211812A (ja) 1990-01-17 1991-09-17 Canon Inc 露光装置
JPH03263810A (ja) 1990-03-14 1991-11-25 Sumitomo Heavy Ind Ltd 半導体露光装置の振動制御方法
JPH0710897B2 (ja) 1990-04-27 1995-02-08 日本油脂株式会社 プラスチックレンズ
JPH0432154A (ja) 1990-05-25 1992-02-04 Iwasaki Electric Co Ltd メタルハライドランプ装置
US5153428A (en) 1990-06-15 1992-10-06 Hamamatsu Photonics K.K. Confocal laser scanning microscope having relay lens and a slit for removing stray light
JP2897355B2 (ja) 1990-07-05 1999-05-31 株式会社ニコン アライメント方法，露光装置，並びに位置検出方法及び装置
JP3077176B2 (ja) 1990-08-13 2000-08-14 株式会社ニコン 露光方法、装置、及び素子製造方法
JP3049774B2 (ja) 1990-12-27 2000-06-05 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
JP2995820B2 (ja) 1990-08-21 1999-12-27 株式会社ニコン 露光方法及び方法，並びにデバイス製造方法
JPH04130710A (ja) 1990-09-21 1992-05-01 Hitachi Ltd 露光装置
JP2548834B2 (ja) 1990-09-25 1996-10-30 三菱電機株式会社 電子ビーム寸法測定装置
JPH04133414A (ja) 1990-09-26 1992-05-07 Nec Yamaguchi Ltd 縮小投影露光装置
JPH04152512A (ja) 1990-10-16 1992-05-26 Fujitsu Ltd ウエハチャック
DE4033556A1 (de) 1990-10-22 1992-04-23 Suess Kg Karl Messanordnung fuer x,y,(phi)-koordinatentische
JPH04179115A (ja) 1990-11-08 1992-06-25 Nec Kyushu Ltd 縮小投影露光装置
JP3094439B2 (ja) 1990-11-21 2000-10-03 株式会社ニコン 露光方法
JPH0480052U (zh) 1990-11-27 1992-07-13
JPH04235558A (ja) 1991-01-11 1992-08-24 Toshiba Corp 露光装置
JPH04101148U (ja) 1991-01-31 1992-09-01 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 シリアルデータ送信装置
JP3084760B2 (ja) 1991-02-28 2000-09-04 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置
JP3084761B2 (ja) 1991-02-28 2000-09-04 株式会社ニコン 露光方法及びマスク
JP3255168B2 (ja) 1991-02-28 2002-02-12 株式会社ニコン 露光方法及びその露光方法を用いたデバイス製造方法、及び露光装置
JP2860174B2 (ja) 1991-03-05 1999-02-24 三菱電機株式会社 化学気相成長装置
JP3200894B2 (ja) 1991-03-05 2001-08-20 株式会社日立製作所 露光方法及びその装置
JPH04280619A (ja) 1991-03-08 1992-10-06 Canon Inc ウエハ保持方法およびその保持装置
JPH04282539A (ja) 1991-03-11 1992-10-07 Hitachi Ltd 反射・帯電防止膜の形成方法
JPH05259069A (ja) 1991-03-13 1993-10-08 Tokyo Electron Ltd ウエハ周辺露光方法
JPH04211110A (ja) 1991-03-20 1992-08-03 Hitachi Ltd 投影式露光方法
JPH04296092A (ja) 1991-03-26 1992-10-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd リフロー装置
JPH05275306A (ja) * 1991-03-29 1993-10-22 Hoya Corp 露光方法及び露光装置
JP2602345Y2 (ja) 1991-03-29 2000-01-11 京セラ株式会社 静圧軸受装置
US5251222A (en) 1991-04-01 1993-10-05 Teledyne Industries, Inc. Active multi-stage cavity sensor
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JP3200874B2 (ja) 1991-07-10 2001-08-20 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH04330961A (ja) 1991-05-01 1992-11-18 Matsushita Electron Corp 現像処理装置
FR2676288B1 (fr) 1991-05-07 1994-06-17 Thomson Csf Collecteur d'eclairage pour projecteur.
JPH04343307A (ja) 1991-05-20 1992-11-30 Ricoh Co Ltd レーザー調整装置
JP2884830B2 (ja) 1991-05-28 1999-04-19 キヤノン株式会社 自動焦点合せ装置
JPH0590128A (ja) 1991-06-13 1993-04-09 Nikon Corp 露光装置
JPH0513292A (ja) 1991-07-02 1993-01-22 Nikon Corp 露光装置
JPH0545886A (ja) 1991-08-12 1993-02-26 Nikon Corp 角形基板の露光装置
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるｌｓｉ製造縮小投影露光装置の光学系
JPH05100553A (ja) * 1991-10-11 1993-04-23 Sharp Corp 電子写真装置のスクリーン装置
JPH05109601A (ja) 1991-10-15 1993-04-30 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JPH05129184A (ja) 1991-10-30 1993-05-25 Canon Inc 投影露光装置
JPH05127086A (ja) 1991-11-01 1993-05-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光強度の均一化方法およびそれを用いた露光装置
JPH05141491A (ja) 1991-11-19 1993-06-08 Yoshinori Sugita 常時噛合ギヤ式変速機
JP3203719B2 (ja) 1991-12-26 2001-08-27 株式会社ニコン 露光装置、その露光装置により製造されるデバイス、露光方法、およびその露光方法を用いたデバイス製造方法
JPH05199680A (ja) 1992-01-17 1993-08-06 Honda Motor Co Ltd 電源装置
US5229872A (en) 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
JPH0794969B2 (ja) 1992-01-29 1995-10-11 株式会社ソルテック 位置合せ方法及びその装置
JP3194155B2 (ja) 1992-01-31 2001-07-30 キヤノン株式会社 半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置
JPH05217837A (ja) 1992-02-04 1993-08-27 Toshiba Corp Ｘｙ移動テーブル
JPH05241324A (ja) 1992-02-26 1993-09-21 Nikon Corp フォトマスク及び露光方法
JP3153372B2 (ja) 1992-02-26 2001-04-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JPH05243364A (ja) 1992-03-02 1993-09-21 Hitachi Ltd 半導体ウェハの除電方法およびそれを用いた半導体集積回路製造装置
JP3278896B2 (ja) 1992-03-31 2002-04-30 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
US5312513A (en) 1992-04-03 1994-05-17 Texas Instruments Incorporated Methods of forming multiple phase light modulators
JPH05304072A (ja) 1992-04-08 1993-11-16 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JP3242693B2 (ja) 1992-05-15 2001-12-25 富士通株式会社 ペリクル貼り付け装置
JP2673130B2 (ja) 1992-05-20 1997-11-05 株式会社キトー 走行用レールの吊下支持装置
JPH0629204A (ja) 1992-07-08 1994-02-04 Fujitsu Ltd レジスト現像方法及び装置
JP3246615B2 (ja) 1992-07-27 2002-01-15 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、及び露光方法
JPH06188169A (ja) 1992-08-24 1994-07-08 Canon Inc 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法
JPH07318847A (ja) 1994-05-26 1995-12-08 Nikon Corp 照明光学装置
JPH06104167A (ja) 1992-09-18 1994-04-15 Hitachi Ltd 露光装置及び半導体装置の製造方法
JP2884947B2 (ja) 1992-10-01 1999-04-19 株式会社ニコン 投影露光装置、露光方法および半導体集積回路の製造方法
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2724787B2 (ja) 1992-10-09 1998-03-09 キヤノン株式会社 位置決め装置
JPH06124872A (ja) 1992-10-14 1994-05-06 Canon Inc 像形成方法及び該方法を用いて半導体装置を製造する方法
JP3322274B2 (ja) 1992-10-29 2002-09-09 株式会社ニコン 投影露光方法及び投影露光装置
JPH06148399A (ja) 1992-11-05 1994-05-27 Nikon Corp Ｘ線用多層膜ミラーおよびｘ線顕微鏡
JPH06163350A (ja) 1992-11-19 1994-06-10 Matsushita Electron Corp 投影露光方法および装置
US5383000A (en) 1992-11-24 1995-01-17 General Signal Corporation Partial coherence varier for microlithographic system
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JPH06177007A (ja) 1992-12-01 1994-06-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 投影露光装置
JPH06181157A (ja) 1992-12-15 1994-06-28 Nikon Corp 低発塵性の装置
JPH06186025A (ja) 1992-12-16 1994-07-08 Yunisun:Kk 三次元測定装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
JP3201027B2 (ja) 1992-12-22 2001-08-20 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法
JP3316833B2 (ja) 1993-03-26 2002-08-19 株式会社ニコン 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法
JP2765422B2 (ja) 1992-12-28 1998-06-18 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法
JPH06204121A (ja) * 1992-12-28 1994-07-22 Canon Inc 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP2786070B2 (ja) 1993-01-29 1998-08-13 セントラル硝子株式会社 透明板状体の検査方法およびその装置
JPH07245258A (ja) 1994-03-08 1995-09-19 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JPH06241720A (ja) 1993-02-18 1994-09-02 Sony Corp 変位量の測定方法及び変位計
JPH06244082A (ja) 1993-02-19 1994-09-02 Nikon Corp 投影露光装置
JP3412704B2 (ja) 1993-02-26 2003-06-03 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに露光装置
JP3747958B2 (ja) 1995-04-07 2006-02-22 株式会社ニコン 反射屈折光学系
JP3291818B2 (ja) 1993-03-16 2002-06-17 株式会社ニコン 投影露光装置、及び該装置を用いる半導体集積回路製造方法
JP3537843B2 (ja) 1993-03-19 2004-06-14 株式会社テクノ菱和 クリーンルーム用イオナイザー
US5461410A (en) 1993-03-29 1995-10-24 Texas Instruments Incorporated Gray scale printing using spatial light modulators
JPH0777191B2 (ja) 1993-04-06 1995-08-16 日本電気株式会社 露光光投射装置
US5815248A (en) * 1993-04-22 1998-09-29 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and method having a wavefront splitter and an optical integrator
JP3309871B2 (ja) 1993-04-27 2002-07-29 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法
JPH06326174A (ja) 1993-05-12 1994-11-25 Hitachi Ltd ウェハ真空吸着装置
JP3265503B2 (ja) 1993-06-11 2002-03-11 株式会社ニコン 露光方法及び装置
JP3844787B2 (ja) 1993-09-02 2006-11-15 日産化学工業株式会社 フッ化マグネシウム水和物ゾルとその製造法
JP3359123B2 (ja) 1993-09-20 2002-12-24 キヤノン株式会社 収差補正光学系
JP3099933B2 (ja) * 1993-12-28 2000-10-16 株式会社東芝 露光方法及び露光装置
JPH07122469A (ja) 1993-10-20 1995-05-12 Nikon Corp 投影露光装置
JP3376045B2 (ja) 1993-11-09 2003-02-10 キヤノン株式会社 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法
JP3339144B2 (ja) 1993-11-11 2002-10-28 株式会社ニコン 走査型露光装置及び露光方法
JPH07134955A (ja) 1993-11-11 1995-05-23 Hitachi Ltd 表示装置およびその反射率調整方法
JP3278303B2 (ja) 1993-11-12 2002-04-30 キヤノン株式会社 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法
JPH07147223A (ja) 1993-11-26 1995-06-06 Hitachi Ltd パターン形成方法
DE69432283T2 (de) 1993-12-01 2004-01-22 Sharp K.K. Display für dreidimensionale Bilder
JPH07161613A (ja) * 1993-12-08 1995-06-23 Nikon Corp 投影露光装置
JPH07167998A (ja) 1993-12-15 1995-07-04 Nikon Corp レーザープラズマｘ線源用標的
JP3487517B2 (ja) 1993-12-16 2004-01-19 株式会社リコー 往復移動装置
JP3508190B2 (ja) 1993-12-21 2004-03-22 セイコーエプソン株式会社 照明装置及び投写型表示装置
JPH07183201A (ja) 1993-12-21 1995-07-21 Nec Corp 露光装置および露光方法
JPH07190741A (ja) 1993-12-27 1995-07-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 測定誤差補正法
JPH07220989A (ja) 1994-01-27 1995-08-18 Canon Inc 露光装置及びこれを用いたデバイス製造方法
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JP2715895B2 (ja) 1994-01-31 1998-02-18 日本電気株式会社 光強度分布シミュレーション方法
JP3372633B2 (ja) 1994-02-04 2003-02-04 キヤノン株式会社 位置合わせ方法及びそれを用いた位置合わせ装置
JP2836483B2 (ja) 1994-05-13 1998-12-14 日本電気株式会社 照明光学装置
JPH07239212A (ja) 1994-02-28 1995-09-12 Nikon Corp 位置検出装置
JPH07243814A (ja) 1994-03-03 1995-09-19 Fujitsu Ltd 線幅測定方法
JPH07263315A (ja) 1994-03-25 1995-10-13 Toshiba Corp 投影露光装置
US5528118A (en) 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
JPH07283119A (ja) 1994-04-14 1995-10-27 Hitachi Ltd 露光装置および露光方法
JP3193567B2 (ja) 1994-04-27 2001-07-30 キヤノン株式会社 基板収容容器
JP3555230B2 (ja) 1994-05-18 2004-08-18 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH07335748A (ja) 1994-06-07 1995-12-22 Miyazaki Oki Electric Co Ltd 半導体素子の製造方法
EP0687956B2 (de) * 1994-06-17 2005-11-23 Carl Zeiss SMT AG Beleuchtungseinrichtung
JP3800616B2 (ja) 1994-06-27 2006-07-26 株式会社ニコン 目標物移動装置、位置決め装置及び可動ステージ装置
JP3205663B2 (ja) 1994-06-29 2001-09-04 日本電子株式会社 荷電粒子ビーム装置
JP3090577B2 (ja) 1994-06-29 2000-09-25 浜松ホトニクス株式会社 導電体層除去方法およびシステム
JPH0822948A (ja) 1994-07-08 1996-01-23 Nikon Corp 走査型露光装置
JP3205468B2 (ja) 1994-07-25 2001-09-04 株式会社日立製作所 ウエハチャックを備えた処理装置および露光装置
JPH0846751A (ja) 1994-07-29 1996-02-16 Sanyo Electric Co Ltd 照明光学系
JP3613288B2 (ja) 1994-10-18 2005-01-26 株式会社ニコン 露光装置用のクリーニング装置
JPH08136475A (ja) 1994-11-14 1996-05-31 Kawasaki Steel Corp 板状材の表面観察装置
JPH08151220A (ja) 1994-11-28 1996-06-11 Nippon Sekiei Glass Kk 石英ガラスの成形方法
JPH08162397A (ja) 1994-11-30 1996-06-21 Canon Inc 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JPH08171054A (ja) 1994-12-16 1996-07-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH08195375A (ja) 1995-01-17 1996-07-30 Sony Corp 回転乾燥方法および回転乾燥装置
JPH08203803A (ja) 1995-01-24 1996-08-09 Nikon Corp 露光装置
JP3521544B2 (ja) 1995-05-24 2004-04-19 株式会社ニコン 露光装置
JP3312164B2 (ja) 1995-04-07 2002-08-05 日本電信電話株式会社 真空吸着装置
JPH08297699A (ja) 1995-04-26 1996-11-12 Hitachi Ltd 製造不良解析支援システム、製造システム、および製造不良解析支援方法
JPH08313842A (ja) 1995-05-15 1996-11-29 Nikon Corp 照明光学系および該光学系を備えた露光装置
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US5680588A (en) 1995-06-06 1997-10-21 International Business Machines Corporation Method and system for optimizing illumination in an optical photolithography projection imaging system
JP3531297B2 (ja) 1995-06-19 2004-05-24 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JP3561556B2 (ja) 1995-06-29 2004-09-02 株式会社ルネサステクノロジ マスクの製造方法
JP3637639B2 (ja) 1995-07-10 2005-04-13 株式会社ニコン 露光装置
JPH09108551A (ja) 1995-08-11 1997-04-28 Mitsubishi Rayon Co Ltd 浄水器
JPH0961686A (ja) 1995-08-23 1997-03-07 Nikon Corp プラスチックレンズ
JPH0982626A (ja) 1995-09-12 1997-03-28 Nikon Corp 投影露光装置
JP3487527B2 (ja) 1995-09-14 2004-01-19 株式会社東芝 光屈折装置
US5815247A (en) 1995-09-21 1998-09-29 Siemens Aktiengesellschaft Avoidance of pattern shortening by using off axis illumination with dipole and polarizing apertures
JPH0992593A (ja) 1995-09-21 1997-04-04 Nikon Corp 投影露光装置
DE19535392A1 (de) 1995-09-23 1997-03-27 Zeiss Carl Fa Radial polarisationsdrehende optische Anordnung und Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage damit
KR100505202B1 (ko) 1995-09-27 2005-11-25 칼 짜이스 에스엠테 아게 줌장치
JP3433403B2 (ja) 1995-10-16 2003-08-04 三星電子株式会社 ステッパのインタフェース装置
FR2740554A1 (fr) 1995-10-31 1997-04-30 Philips Electronique Lab Systeme de controle de la phase de decharge des cycles de charge-decharge d'une batterie rechargeable, et dispositif hote muni d'une batterie intelligente
JPH09134870A (ja) 1995-11-10 1997-05-20 Hitachi Ltd パターン形成方法および形成装置
JPH09148406A (ja) 1995-11-24 1997-06-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送装置
JPH09151658A (ja) 1995-11-30 1997-06-10 Nichibei Co Ltd 移動間仕切壁のランナ連結装置
JPH09160004A (ja) 1995-12-01 1997-06-20 Denso Corp 液晶セル及びその空セル
JP3406957B2 (ja) 1995-12-06 2003-05-19 キヤノン株式会社 光学素子及びそれを用いた露光装置
JPH09162106A (ja) 1995-12-11 1997-06-20 Nikon Corp 走査型露光装置
JPH09178415A (ja) 1995-12-25 1997-07-11 Nikon Corp 光波干渉測定装置
JPH09184787A (ja) 1995-12-28 1997-07-15 Olympus Optical Co Ltd 光学レンズ用解析評価装置
JP3232473B2 (ja) 1996-01-10 2001-11-26 キヤノン株式会社 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP3189661B2 (ja) 1996-02-05 2001-07-16 ウシオ電機株式会社 光源装置
JP3576685B2 (ja) 1996-02-07 2004-10-13 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JPH09227294A (ja) 1996-02-26 1997-09-02 Toyo Commun Equip Co Ltd 人工水晶の製造方法
JPH09232213A (ja) 1996-02-26 1997-09-05 Nikon Corp 投影露光装置
JP3782151B2 (ja) 1996-03-06 2006-06-07 キヤノン株式会社 エキシマレーザー発振装置のガス供給装置
JPH09243892A (ja) 1996-03-06 1997-09-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学素子
JPH09281077A (ja) 1996-04-16 1997-10-31 Hitachi Ltd キャピラリ−電気泳動装置
RU2084941C1 (ru) 1996-05-06 1997-07-20 Йелстаун Корпорейшн Н.В. Адаптивный оптический модуль
JP2691341B2 (ja) 1996-05-27 1997-12-17 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH09326338A (ja) 1996-06-04 1997-12-16 Nikon Corp 製造管理装置
JPH09325255A (ja) 1996-06-06 1997-12-16 Olympus Optical Co Ltd 電子カメラ
JPH103039A (ja) 1996-06-14 1998-01-06 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH102865A (ja) 1996-06-18 1998-01-06 Nikon Corp レチクルの検査装置およびその検査方法
JPH1020195A (ja) 1996-06-28 1998-01-23 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH1032160A (ja) 1996-07-17 1998-02-03 Toshiba Corp パターン露光方法及び露光装置
JP3646415B2 (ja) 1996-07-18 2005-05-11 ソニー株式会社 マスク欠陥の検出方法
JPH1038517A (ja) 1996-07-23 1998-02-13 Canon Inc 光学式変位測定装置
JP3646757B2 (ja) 1996-08-22 2005-05-11 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置
JPH1079337A (ja) 1996-09-04 1998-03-24 Nikon Corp 投影露光装置
JPH1055713A (ja) 1996-08-08 1998-02-24 Ushio Inc 紫外線照射装置
JPH1062305A (ja) 1996-08-19 1998-03-06 Advantest Corp Ｃｃｄカメラの感度補正方法およびｃｃｄカメラ感度補正機能付ｌｃｄパネル表示試験システム
JPH1082611A (ja) 1996-09-10 1998-03-31 Nikon Corp 面位置検出装置
JPH1092735A (ja) 1996-09-13 1998-04-10 Nikon Corp 露光装置
JP2914315B2 (ja) 1996-09-20 1999-06-28 日本電気株式会社 走査型縮小投影露光装置及びディストーション測定方法
JPH10104427A (ja) 1996-10-03 1998-04-24 Sankyo Seiki Mfg Co Ltd 波長板およびそれを備えた光ピックアップ装置
JPH10116760A (ja) 1996-10-08 1998-05-06 Nikon Corp 露光装置及び基板保持装置
JPH10116778A (ja) 1996-10-09 1998-05-06 Canon Inc スキャン露光装置
JPH10116779A (ja) 1996-10-11 1998-05-06 Nikon Corp ステージ装置
JP3955985B2 (ja) 1996-10-16 2007-08-08 株式会社ニコン マーク位置検出装置及び方法
KR100191329B1 (ko) 1996-10-23 1999-06-15 윤종용 인터넷상에서의 원격교육방법 및 그 장치.
JP3991166B2 (ja) 1996-10-25 2007-10-17 株式会社ニコン 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JPH10135099A (ja) 1996-10-25 1998-05-22 Sony Corp 露光装置及び露光方法
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
CN1244021C (zh) 1996-11-28 2006-03-01 株式会社尼康 光刻装置和曝光方法
JP3624065B2 (ja) 1996-11-29 2005-02-23 キヤノン株式会社 基板搬送装置、半導体製造装置および露光装置
JPH10169249A (ja) 1996-12-12 1998-06-23 Ohbayashi Corp 免震構造
JPH10189700A (ja) 1996-12-20 1998-07-21 Sony Corp ウェーハ保持機構
JP2910716B2 (ja) 1997-01-16 1999-06-23 日本電気株式会社 光強度計算のパラメトリック解析方法
JPH10206714A (ja) 1997-01-20 1998-08-07 Canon Inc レンズ移動装置
JP2926325B2 (ja) 1997-01-23 1999-07-28 株式会社ニコン 走査露光方法
JPH10209018A (ja) 1997-01-24 1998-08-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Ｘ線マスクフレームおよびｘ線マスクの保持方法
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JPH10294268A (ja) 1997-04-16 1998-11-04 Nikon Corp 投影露光装置及び位置合わせ方法
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JPH118194A (ja) 1997-04-25 1999-01-12 Nikon Corp 露光条件測定方法、投影光学系の評価方法及びリソグラフィシステム
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JPH113856A (ja) 1997-06-11 1999-01-06 Canon Inc 投影露光方法及び投影露光装置
JPH113849A (ja) 1997-06-12 1999-01-06 Sony Corp 可変変形照明フィルタ及び半導体露光装置
JP3233341B2 (ja) 1997-06-12 2001-11-26 船井電機株式会社 製パン機およびこれに用いられる記録媒体
JPH1114876A (ja) 1997-06-19 1999-01-22 Nikon Corp 光学構造体、その光学構造体を組み込んだ投影露光用光学系及び投影露光装置
JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
JPH1140657A (ja) 1997-07-23 1999-02-12 Nikon Corp 試料保持装置および走査型露光装置
JP3264224B2 (ja) 1997-08-04 2002-03-11 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP3413074B2 (ja) 1997-08-29 2003-06-03 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JPH1187237A (ja) 1997-09-10 1999-03-30 Nikon Corp アライメント装置
JP4164905B2 (ja) 1997-09-25 2008-10-15 株式会社ニコン 電磁力モータ、ステージ装置および露光装置
JP2000106340A (ja) 1997-09-26 2000-04-11 Nikon Corp 露光装置及び走査露光方法、並びにステージ装置
JPH11111819A (ja) 1997-09-30 1999-04-23 Asahi Kasei Micro Syst Co Ltd ウェハーの固定方法及び露光装置
JPH11111818A (ja) 1997-10-03 1999-04-23 Oki Electric Ind Co Ltd ウェハ保持装置及びウェハ保持具
JPH11111601A (ja) 1997-10-06 1999-04-23 Nikon Corp 露光方法及び装置
JPH11195602A (ja) 1997-10-07 1999-07-21 Nikon Corp 投影露光方法及び装置
JP3097620B2 (ja) 1997-10-09 2000-10-10 日本電気株式会社 走査型縮小投影露光装置
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
JPH11142556A (ja) 1997-11-13 1999-05-28 Nikon Corp ステージ制御方法、ステージ装置、及び該装置を備えた露光装置
JPH11150062A (ja) 1997-11-14 1999-06-02 Nikon Corp 除振装置及び露光装置並びに除振台の除振方法
WO1999027568A1 (fr) 1997-11-21 1999-06-03 Nikon Corporation Graveur de motifs a projection et procede de sensibilisation a projection
JPH11283903A (ja) 1998-03-30 1999-10-15 Nikon Corp 投影光学系検査装置及び同装置を備えた投影露光装置
JPH11162831A (ja) 1997-11-21 1999-06-18 Nikon Corp 投影露光装置及び投影露光方法
JPH11163103A (ja) 1997-11-25 1999-06-18 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法および製造装置
JPH11159571A (ja) 1997-11-28 1999-06-15 Nikon Corp 機械装置、露光装置及び露光装置の運転方法
JPH11166990A (ja) 1997-12-04 1999-06-22 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置並びに走査型露光装置
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
JP3673633B2 (ja) 1997-12-16 2005-07-20 キヤノン株式会社 投影光学系の組立調整方法
AU1504799A (en) 1997-12-16 1999-07-05 Nikon Corporation Aligner, exposure method and method of manufacturing device
TW449672B (en) 1997-12-25 2001-08-11 Nippon Kogaku Kk Process and apparatus for manufacturing photomask and method of manufacturing the same
JPH11204390A (ja) 1998-01-14 1999-07-30 Canon Inc 半導体製造装置およびデバイス製造方法
JPH11219882A (ja) 1998-02-02 1999-08-10 Nikon Corp ステージ及び露光装置
JP3820728B2 (ja) 1998-02-04 2006-09-13 東レ株式会社 基板の測定装置
JPH11288879A (ja) 1998-02-04 1999-10-19 Hitachi Ltd 露光条件決定方法とその装置ならびに半導体装置の製造方法
JPH11233434A (ja) 1998-02-17 1999-08-27 Nikon Corp 露光条件決定方法、露光方法、露光装置、及びデバイスの製造方法
JP4207240B2 (ja) 1998-02-20 2009-01-14 株式会社ニコン 露光装置用照度計、リソグラフィ・システム、照度計の較正方法およびマイクロデバイスの製造方法
JPH11239758A (ja) 1998-02-26 1999-09-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH11260791A (ja) 1998-03-10 1999-09-24 Toshiba Mach Co Ltd 半導体ウエハの乾燥方法および乾燥装置
JPH11260686A (ja) 1998-03-11 1999-09-24 Toshiba Corp 露光方法
JPH11264756A (ja) 1998-03-18 1999-09-28 Tokyo Electron Ltd 液面検出器および液面検出方法、ならびに基板処理装置
AU2747899A (en) 1998-03-20 1999-10-18 Nikon Corporation Photomask and projection exposure system
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
WO1999050712A1 (fr) 1998-03-26 1999-10-07 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition, photomasque et son procede de fabrication, micro-composant et son procede de fabrication
JPH11307610A (ja) 1998-04-22 1999-11-05 Nikon Corp 基板搬送装置及び露光装置
JPH11312631A (ja) 1998-04-27 1999-11-09 Nikon Corp 照明光学装置および露光装置
JP4090115B2 (ja) 1998-06-09 2008-05-28 信越ポリマー株式会社 基板収納容器
AU4167199A (en) 1998-06-17 2000-01-05 Nikon Corporation Method for producing mask
JP2000012453A (ja) 1998-06-18 2000-01-14 Nikon Corp 露光装置及びその使用方法、露光方法、並びにマスクの製造方法
JP2000021742A (ja) 1998-06-30 2000-01-21 Canon Inc 露光方法および露光装置
JP2000021748A (ja) 1998-06-30 2000-01-21 Canon Inc 露光方法および露光装置
DE19829612A1 (de) 1998-07-02 2000-01-05 Zeiss Carl Fa Beleuchtungssystem der Mikrolithographie mit Depolarisator
JP2000032403A (ja) 1998-07-14 2000-01-28 Sony Corp データ伝送方法、データ送信装置及び受信装置
JP2000029202A (ja) 1998-07-15 2000-01-28 Nikon Corp マスクの製造方法
JP2000036449A (ja) 1998-07-17 2000-02-02 Nikon Corp 露光装置
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
AU4930099A (en) 1998-08-18 2000-03-14 Nikon Corporation Illuminator and projection exposure apparatus
JP2000081320A (ja) 1998-09-03 2000-03-21 Canon Inc 面位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP2000092815A (ja) 1998-09-10 2000-03-31 Canon Inc ステージ装置および該ステージ装置を用いた露光装置
JP4132397B2 (ja) 1998-09-16 2008-08-13 積水化学工業株式会社 光硬化性樹脂組成物、液晶注入口封止剤及び液晶表示セル
JP2000097616A (ja) 1998-09-22 2000-04-07 Nikon Corp 干渉計
JP4065923B2 (ja) 1998-09-29 2008-03-26 株式会社ニコン 照明装置及び該照明装置を備えた投影露光装置、該照明装置による投影露光方法、及び該投影露光装置の調整方法
JP2000121498A (ja) 1998-10-15 2000-04-28 Nikon Corp 結像性能の評価方法及び装置
JP2000121491A (ja) 1998-10-20 2000-04-28 Nikon Corp 光学系の評価方法
US6466304B1 (en) 1998-10-22 2002-10-15 Asm Lithography B.V. Illumination device for projection system and method for fabricating
JP2001176766A (ja) 1998-10-29 2001-06-29 Nikon Corp 照明装置及び投影露光装置
JP2000147346A (ja) 1998-11-09 2000-05-26 Toshiba Corp モールドレンズの取付機構
JP2000180371A (ja) 1998-12-11 2000-06-30 Sharp Corp 異物検査装置および半導体工程装置
US6406148B1 (en) 1998-12-31 2002-06-18 Texas Instruments Incorporated Electronic color switching in field sequential video displays
JP4146952B2 (ja) 1999-01-11 2008-09-10 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JP2000208407A (ja) 1999-01-19 2000-07-28 Nikon Corp 露光装置
JPH1198U (ja) 1999-02-08 1999-07-21 株式会社ニコン ペリクルフレ―ム
JP2000243684A (ja) 1999-02-18 2000-09-08 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JP2000240717A (ja) 1999-02-19 2000-09-05 Canon Inc 能動的除振装置
JP2000252201A (ja) 1999-03-02 2000-09-14 Nikon Corp 面位置検出方法および装置、これらを用いた投影露光方法および装置、半導体デバイス製造方法
JP2000286176A (ja) 1999-03-31 2000-10-13 Hitachi Ltd 半導体基板処理装置における処理状況の表示方法及び半導体基板処理装置
JP2000283889A (ja) 1999-03-31 2000-10-13 Nikon Corp 投影光学系の検査装置及び検査方法、露光装置、並びに、マイクロデバイスの製造方法
AU4143000A (en) 1999-04-28 2000-11-17 Nikon Corporation Exposure method and apparatus
JP3839835B2 (ja) * 1999-04-30 2006-11-01 株式会社ルネサステクノロジ データ処理装置及びマイクロコンピュータ
DE19921795A1 (de) 1999-05-11 2000-11-23 Zeiss Carl Fa Projektions-Belichtungsanlage und Belichtungsverfahren der Mikrolithographie
JP2000003874A (ja) 1999-06-15 2000-01-07 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP2001007015A (ja) 1999-06-25 2001-01-12 Canon Inc ステージ装置
AU4395099A (en) 1999-06-30 2001-01-22 Nikon Corporation Exposure method and device
JP2001020951A (ja) 1999-07-07 2001-01-23 Toto Ltd 静圧気体軸受
JP2001023996A (ja) 1999-07-08 2001-01-26 Sony Corp 半導体製造方法
DE10029938A1 (de) 1999-07-09 2001-07-05 Zeiss Carl Optisches System für das Vakuum-Ultraviolett
JP2001037201A (ja) 1999-07-21 2001-02-09 Nikon Corp モータ装置、ステージ装置及び露光装置
JP2001044097A (ja) 1999-07-26 2001-02-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置
US6280034B1 (en) * 1999-07-30 2001-08-28 Philips Electronics North America Corporation Efficient two-panel projection system employing complementary illumination
JP3110023B1 (ja) 1999-09-02 2000-11-20 岩堀 雅行 燃料放出装置
JP4362857B2 (ja) 1999-09-10 2009-11-11 株式会社ニコン 光源装置及び露光装置
JP3779105B2 (ja) 1999-09-16 2006-05-24 株式会社ジェイテクト 磁気軸受の停電補償システム
DE69930398T2 (de) 1999-09-20 2006-10-19 Nikon Corp. Belichtungssystem mit einem parallelen Verbindungsmechanismus und Belichtungsverfahren
JP2001097734A (ja) 1999-09-30 2001-04-10 Toshiba Ceramics Co Ltd 石英ガラス製容器およびその製造方法
KR100625625B1 (ko) 1999-10-07 2006-09-20 가부시키가이샤 니콘 기판, 스테이지 장치, 스테이지 구동 방법, 노광 장치 및노광 방법
JP2001110707A (ja) 1999-10-08 2001-04-20 Orc Mfg Co Ltd 周辺露光装置の光学系
JP2001118773A (ja) 1999-10-18 2001-04-27 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2001135560A (ja) 1999-11-04 2001-05-18 Nikon Corp 照明光学装置、該照明光学装置を備えた露光装置、および該露光装置を用いたマイクロデバイス製造方法
JP2001144004A (ja) 1999-11-16 2001-05-25 Nikon Corp 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2001167996A (ja) 1999-12-10 2001-06-22 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
EP1109067B1 (en) 1999-12-13 2006-05-24 ASML Netherlands B.V. Illuminator
JP2002118058A (ja) 2000-01-13 2002-04-19 Nikon Corp 投影露光装置及び方法
JP2001203140A (ja) 2000-01-20 2001-07-27 Nikon Corp ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP3413485B2 (ja) 2000-01-31 2003-06-03 住友重機械工業株式会社 リニアモータにおける推力リップル測定方法
JP2005233979A (ja) 2000-02-09 2005-09-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
JP2001228404A (ja) 2000-02-14 2001-08-24 Nikon Engineering Co Ltd 落射型顕微鏡、プローブカードの検査装置、および、プローブカードの製造方法
JP4018309B2 (ja) 2000-02-14 2007-12-05 松下電器産業株式会社 回路パラメータ抽出方法、半導体集積回路の設計方法および装置
JP2001228401A (ja) 2000-02-16 2001-08-24 Canon Inc 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法
US6533842B1 (en) 2000-02-24 2003-03-18 Merck & Co., Inc. Adsorption powder for removing mercury from high temperature, high moisture gas streams
JP2002100561A (ja) 2000-07-19 2002-04-05 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2001313250A (ja) 2000-02-25 2001-11-09 Nikon Corp 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法
JP2001242269A (ja) 2000-03-01 2001-09-07 Nikon Corp ステージ装置及びステージ駆動方法並びに露光装置及び露光方法
DE10010131A1 (de) * 2000-03-03 2001-09-06 Zeiss Carl Mikrolithographie - Projektionsbelichtung mit tangentialer Polarisartion
US7301605B2 (en) 2000-03-03 2007-11-27 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices
JP2001267227A (ja) 2000-03-21 2001-09-28 Canon Inc 除振システム、露光装置およびデバイス製造方法
JP2001265581A (ja) 2000-03-21 2001-09-28 Canon Inc ソフトウエアの不正使用防止システムおよび不正使用防止方法
JP2001272764A (ja) 2000-03-24 2001-10-05 Canon Inc 投影露光用フォトマスク、およびそれを用いた投影露光方法
JP2001338868A (ja) 2000-03-24 2001-12-07 Nikon Corp 照度計測装置及び露光装置
JP4689064B2 (ja) 2000-03-30 2011-05-25 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JP2001282526A (ja) 2000-03-31 2001-10-12 Canon Inc ソフトウェア管理装置、方法、及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2001296105A (ja) 2000-04-12 2001-10-26 Nikon Corp 面位置検出装置、並びに該検出装置を用いた露光装置および露光方法
JP2001297976A (ja) 2000-04-17 2001-10-26 Canon Inc 露光方法及び露光装置
JP2001307983A (ja) 2000-04-20 2001-11-02 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP3514439B2 (ja) 2000-04-20 2004-03-31 キヤノン株式会社 光学要素の支持構造、および該支持構造を用いて構成された露光装置と、該装置によるデバイス等の製造方法
JP2001304332A (ja) 2000-04-24 2001-10-31 Canon Inc 能動制振装置
JP2002014005A (ja) 2000-04-25 2002-01-18 Nikon Corp 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置
KR100783669B1 (ko) 2000-04-25 2007-12-07 에이에스엠엘 유에스, 인크. 바이어스에 의해 유도된 레티클 회절을 제거한 광학 축소시스템
KR100894303B1 (ko) 2000-04-25 2009-04-24 에이에스엠엘 유에스, 인크. 조사 편광 제어부를 구비한 광학 축소 시스템
JP2002057097A (ja) 2000-05-31 2002-02-22 Nikon Corp 露光装置、及びマイクロデバイス並びにその製造方法
JP2002016124A (ja) 2000-06-28 2002-01-18 Sony Corp ウェーハ搬送アーム機構
JP2002015978A (ja) 2000-06-29 2002-01-18 Canon Inc 露光装置
JP2002043213A (ja) 2000-07-25 2002-02-08 Nikon Corp ステージ装置および露光装置
US7154684B2 (en) 2000-08-18 2006-12-26 Nikon Corporation Optical element holding apparatus
JP3645801B2 (ja) 2000-08-24 2005-05-11 ペンタックス株式会社 ビーム列検出方法および検出用位相フィルター
JP2002071513A (ja) 2000-08-28 2002-03-08 Nikon Corp 液浸系顕微鏡対物レンズ用干渉計および液浸系顕微鏡対物レンズの評価方法
JP4504537B2 (ja) 2000-08-29 2010-07-14 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置
JP2002093690A (ja) 2000-09-19 2002-03-29 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP2002093686A (ja) 2000-09-19 2002-03-29 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2002091922A (ja) 2000-09-20 2002-03-29 Fujitsu General Ltd アプリケーションソフトとコンテンツの配信管理方法と配信管理システム
JP4245286B2 (ja) 2000-10-23 2009-03-25 株式会社ニコン 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置
JP2002141270A (ja) 2000-11-01 2002-05-17 Nikon Corp 露光装置
US20020075467A1 (en) 2000-12-20 2002-06-20 Nikon Corporation Exposure apparatus and method
JP2002158157A (ja) 2000-11-17 2002-05-31 Nikon Corp 照明光学装置および露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法
JP2002170495A (ja) 2000-11-28 2002-06-14 Akira Sekino 隔壁一体型合成樹脂背面基板
JP2002231619A (ja) 2000-11-29 2002-08-16 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2002190438A (ja) 2000-12-21 2002-07-05 Nikon Corp 露光装置
JP2002198284A (ja) 2000-12-25 2002-07-12 Nikon Corp ステージ装置および露光装置
JP2002195912A (ja) 2000-12-27 2002-07-10 Nikon Corp 光学特性計測方法及び装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2002203763A (ja) 2000-12-27 2002-07-19 Nikon Corp 光学特性計測方法及び装置、信号感度設定方法、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2002202221A (ja) 2000-12-28 2002-07-19 Nikon Corp 位置検出方法、位置検出装置、光学特性測定方法、光学特性測定装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP3495992B2 (ja) 2001-01-26 2004-02-09 キヤノン株式会社 補正装置、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス
US6563566B2 (en) 2001-01-29 2003-05-13 International Business Machines Corporation System and method for printing semiconductor patterns using an optimized illumination and reticle
JP2002227924A (ja) 2001-01-31 2002-08-14 Canon Inc 制震ダンパ及び制震ダンパを備えた露光装置
SE0100336L (sv) 2001-02-05 2002-08-06 Micronic Laser Systems Ab Adresseringsmetod och apparat som använder densamma tekniskt område
CN1491427A (zh) 2001-02-06 2004-04-21 ������������ʽ���� 曝光装置、曝光法和器件制造法
US20020198765A1 (en) 2001-02-22 2002-12-26 Magrino Susan A. Human capital management performance capability matching system and methods
TWI285295B (en) 2001-02-23 2007-08-11 Asml Netherlands Bv Illumination optimization in lithography
DE10113612A1 (de) 2001-02-23 2002-09-05 Zeiss Carl Teilobjektiv in einem Beleuchtungssystem
JP2002258487A (ja) 2001-02-28 2002-09-11 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP4501292B2 (ja) 2001-03-05 2010-07-14 コニカミノルタホールディングス株式会社 被塗布基材及び塗布材の塗布方法並びに素子の製造方法
JP2002289505A (ja) 2001-03-28 2002-10-04 Nikon Corp 露光装置，露光装置の調整方法，マイクロデバイスの製造方法
WO2002080185A1 (fr) 2001-03-28 2002-10-10 Nikon Corporation Dispositif a etages, dispositif d'exposition et procede de fabrication du dispositif
JP2002365783A (ja) 2001-04-05 2002-12-18 Sony Corp マスクパターンの作成装置、高解像度マスクの作製装置及び作製方法、並びにレジストパターン形成方法
JP2002305140A (ja) 2001-04-06 2002-10-18 Nikon Corp 露光装置及び基板処理システム
WO2002084850A1 (fr) 2001-04-09 2002-10-24 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki Induit de moteur lineaire protege et moteur lineaire protege
JP2002324743A (ja) 2001-04-24 2002-11-08 Canon Inc 露光方法及び装置
JP2002329651A (ja) 2001-04-27 2002-11-15 Nikon Corp 露光装置、露光装置の製造方法、及びマイクロデバイスの製造方法
DE10124566A1 (de) 2001-05-15 2002-11-21 Zeiss Carl Optisches Abbildungssystem mit Polarisationsmitteln und Quarzkristallplatte hierfür
DE10124803A1 (de) 2001-05-22 2002-11-28 Zeiss Carl Polarisator und Mikrolithographie-Projektionsanlage mit Polarisator
JP2002353105A (ja) 2001-05-24 2002-12-06 Nikon Corp 照明光学装置，該照明光学装置を備えた露光装置，およびマイクロデバイスの製造方法
JP2002359174A (ja) 2001-05-31 2002-12-13 Mitsubishi Electric Corp 露光工程管理システム、露光工程管理方法、および露光工程を管理するためのプログラム
JP4622160B2 (ja) 2001-05-31 2011-02-02 旭硝子株式会社 回折格子一体型旋光子および光ヘッド装置
US6737662B2 (en) 2001-06-01 2004-05-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, control system, computer program, and computer program product
US7015491B2 (en) 2001-06-01 2006-03-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby, control system
JP4689081B2 (ja) 2001-06-06 2011-05-25 キヤノン株式会社 露光装置、調整方法、およびデバイス製造方法
JP3734432B2 (ja) 2001-06-07 2006-01-11 三星電子株式会社 マスク搬送装置、マスク搬送システム及びマスク搬送方法
JPWO2002101804A1 (ja) 2001-06-11 2004-09-30 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、並びに温度安定化流路装置
JP2002367523A (ja) 2001-06-12 2002-12-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマディスプレイパネルとプラズマディスプレイパネルの製造方法
KR20030036254A (ko) 2001-06-13 2003-05-09 가부시키가이샤 니콘 주사노광방법 및 주사형 노광장치 그리고 디바이스 제조방법
JP2002373849A (ja) 2001-06-15 2002-12-26 Canon Inc 露光装置
US6788385B2 (en) 2001-06-21 2004-09-07 Nikon Corporation Stage device, exposure apparatus and method
JP2003015040A (ja) 2001-07-04 2003-01-15 Nikon Corp 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置
JP2003017003A (ja) 2001-07-04 2003-01-17 Canon Inc ランプおよび光源装置
JP2003028673A (ja) 2001-07-10 2003-01-29 Canon Inc 光学式エンコーダ、半導体製造装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および半導体製造装置の保守方法
EP1280007B1 (en) 2001-07-24 2008-06-18 ASML Netherlands B.V. Imaging apparatus
TW529172B (en) * 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
JP2003045712A (ja) 2001-07-26 2003-02-14 Japan Aviation Electronics Industry Ltd 防水コイル及びその製造方法
JP4522024B2 (ja) 2001-07-27 2010-08-11 キヤノン株式会社 水銀ランプ、照明装置及び露光装置
JP2003043223A (ja) 2001-07-30 2003-02-13 Nikon Corp 結晶材料で形成されたビームスプリッターおよび波長板、並びにこれらの結晶光学部品を備えた光学装置、露光装置並びに検査装置
JP2003059803A (ja) 2001-08-14 2003-02-28 Canon Inc 露光装置
JP2003059286A (ja) 2001-08-20 2003-02-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2003068600A (ja) 2001-08-22 2003-03-07 Canon Inc 露光装置、および基板チャックの冷却方法
JP4183166B2 (ja) 2001-08-31 2008-11-19 京セラ株式会社 位置決め装置用部材
JP2003075703A (ja) 2001-08-31 2003-03-12 Konica Corp 光学ユニット及び光学装置
JP2003081654A (ja) 2001-09-06 2003-03-19 Toshiba Ceramics Co Ltd 合成石英ガラスおよびその製造方法
JPWO2003023832A1 (ja) 2001-09-07 2004-12-24 株式会社ニコン 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
SE0103006D0 (sv) 2001-09-10 2001-09-10 Micronic Lasersystems Ab Homogenization of a spatially coherent radiation beam and reading/writing of a pattern on a workpiece
US6819490B2 (en) 2001-09-10 2004-11-16 Micronic Laser Systems Ab Homogenization of a spatially coherent radiation beam and printing and inspection, respectively, of a pattern on a workpiece
JP2003084445A (ja) 2001-09-13 2003-03-19 Canon Inc 走査型露光装置および露光方法
JP4160286B2 (ja) 2001-09-21 2008-10-01 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 Ｌｓｉパターンの寸法測定箇所選定方法
JP3910032B2 (ja) 2001-09-25 2007-04-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板現像装置
JP4082160B2 (ja) 2001-10-01 2008-04-30 ソニー株式会社 プリズム及び投影装置
US6829090B2 (en) 2001-10-01 2004-12-07 Sony Corporation Prism, projection device and optical component
JP2003114387A (ja) 2001-10-04 2003-04-18 Nikon Corp 反射屈折光学系および該光学系を備える投影露光装置
JP4412450B2 (ja) 2001-10-05 2010-02-10 信越化学工業株式会社 反射防止フィルター
JP2003124095A (ja) 2001-10-11 2003-04-25 Nikon Corp 投影露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP3881865B2 (ja) * 2001-10-19 2007-02-14 株式会社 液晶先端技術開発センター 光学的な記録装置及び方法並びに露光装置及び方法
JP2003130132A (ja) 2001-10-22 2003-05-08 Nec Ameniplantex Ltd 除振機構
US6577379B1 (en) 2001-11-05 2003-06-10 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for shaping and/or orienting radiation irradiating a microlithographic substrate
CN1791839A (zh) * 2001-11-07 2006-06-21 应用材料有限公司 光点格栅阵列光刻机
JP4362999B2 (ja) 2001-11-12 2009-11-11 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US6900915B2 (en) 2001-11-14 2005-05-31 Ricoh Company, Ltd. Light deflecting method and apparatus efficiently using a floating mirror
JP4307813B2 (ja) 2001-11-14 2009-08-05 株式会社リコー 光偏向方法並びに光偏向装置及びその光偏向装置の製造方法並びにその光偏向装置を具備する光情報処理装置及び画像形成装置及び画像投影表示装置及び光伝送装置
JP3809095B2 (ja) 2001-11-29 2006-08-16 ペンタックス株式会社 露光装置用光源システムおよび露光装置
JP2003161882A (ja) 2001-11-29 2003-06-06 Nikon Corp 投影光学系、露光装置および露光方法
JP2003166856A (ja) 2001-11-29 2003-06-13 Fuji Electric Co Ltd 光学式エンコーダ
JP3945569B2 (ja) 2001-12-06 2007-07-18 東京応化工業株式会社 現像装置
JP2003249443A (ja) 2001-12-21 2003-09-05 Nikon Corp ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2003188087A (ja) 2001-12-21 2003-07-04 Sony Corp 露光方法および露光装置並びに半導体装置の製造方法
US6577429B1 (en) 2002-01-15 2003-06-10 Eastman Kodak Company Laser projection display system
TW200302507A (en) 2002-01-21 2003-08-01 Nikon Corp Stage device and exposure device
JP3809381B2 (ja) 2002-01-28 2006-08-16 キヤノン株式会社 リニアモータ、ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP2003229347A (ja) 2002-01-31 2003-08-15 Canon Inc 半導体製造装置
JP2003233001A (ja) 2002-02-07 2003-08-22 Canon Inc 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
JP2003240906A (ja) 2002-02-20 2003-08-27 Dainippon Printing Co Ltd 反射防止体およびその製造方法
JP2003258071A (ja) 2002-02-28 2003-09-12 Nikon Corp 基板保持装置及び露光装置
AU2003211559A1 (en) 2002-03-01 2003-09-16 Nikon Corporation Projection optical system adjustment method, prediction method, evaluation method, adjustment method, exposure method, exposure device, program, and device manufacturing method
TWI253105B (en) 2002-03-01 2006-04-11 Nikon Corp Projection optical system adjustment method, prediction method, evaluation method, adjustment method, exposure method, exposure device, recording medium, and device manufacturing method
JP3984841B2 (ja) 2002-03-07 2007-10-03 キヤノン株式会社 歪み計測装置、歪み抑制装置、及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2003263119A (ja) 2002-03-07 2003-09-19 Fuji Xerox Co Ltd リブ付き電極およびその製造方法
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
JP3975787B2 (ja) 2002-03-12 2007-09-12 ソニー株式会社 固体撮像素子
JP4100011B2 (ja) 2002-03-13 2008-06-11 セイコーエプソン株式会社 表面処理装置、有機ｅｌ装置の製造装置及び製造方法
JP4335495B2 (ja) 2002-03-27 2009-09-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 定圧チャンバ、それを用いた照射装置及び回路パターンの検査装置
JP2003297727A (ja) 2002-04-03 2003-10-17 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置および露光方法
EP1494267A4 (en) 2002-04-09 2008-01-30 Nikon Corp EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE DEVICE
JP2004006440A (ja) 2002-04-10 2004-01-08 Fuji Photo Film Co Ltd レーザ装置、露光ヘッド、及び露光装置
WO2003085457A1 (fr) 2002-04-10 2003-10-16 Fuji Photo Film Co., Ltd. Tete d'exposition, dispositif d'exposition et utilisation
US6960035B2 (en) 2002-04-10 2005-11-01 Fuji Photo Film Co., Ltd. Laser apparatus, exposure head, exposure apparatus, and optical fiber connection method
DE10310690A1 (de) 2002-04-12 2003-10-30 Heidelberger Druckmasch Ag Bogenführungseinrichtung in einer bogenverarbeitenden Maschine
JP2005524112A (ja) 2002-04-29 2005-08-11 フラウンホーファー−ゲゼルシャフト・ツール・フェルデルング・デル・アンゲヴァンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン チップの保護装置およびチップの作動方法
US20050095749A1 (en) 2002-04-29 2005-05-05 Mathias Krellmann Device for protecting a chip and method for operating a chip
TW200307179A (en) 2002-05-27 2003-12-01 Nikon Corp Lighting device, exposing device and exposing method
JP4324957B2 (ja) * 2002-05-27 2009-09-02 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
JP4037179B2 (ja) 2002-06-04 2008-01-23 東京エレクトロン株式会社 洗浄方法、洗浄装置
JP2004015187A (ja) 2002-06-04 2004-01-15 Fuji Photo Film Co Ltd 撮影補助システム、デジタルカメラ、及びサーバ
JP2004014876A (ja) 2002-06-07 2004-01-15 Nikon Corp 調整方法、空間像計測方法及び像面計測方法、並びに露光装置
DE60319462T2 (de) 2002-06-11 2009-03-12 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
JP2004022708A (ja) 2002-06-14 2004-01-22 Nikon Corp 結像光学系、照明光学系、露光装置及び露光方法
JP2004179172A (ja) 2002-06-26 2004-06-24 Nikon Corp 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法
JP4012771B2 (ja) 2002-06-28 2007-11-21 富士通エフ・アイ・ピー株式会社 ライセンス管理方法、ライセンス管理システム、ライセンス管理プログラム
JP2004039952A (ja) 2002-07-05 2004-02-05 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置の監視方法およびプラズマ処理装置
JP2004040039A (ja) 2002-07-08 2004-02-05 Sony Corp 露光方法の選択方法
JP2004045063A (ja) 2002-07-09 2004-02-12 Topcon Corp 光学式ロータリーエンコーダ板の製造方法および光学式ロータリーエンコーダ板
JP2004063847A (ja) 2002-07-30 2004-02-26 Nikon Corp 露光装置、露光方法、及びステージ装置
JP2004071851A (ja) 2002-08-07 2004-03-04 Canon Inc 半導体露光方法及び露光装置
JP2004085612A (ja) 2002-08-22 2004-03-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd ハーフトーン位相シフトマスク、その製造方法およびそれを用いたパターン形成方法
JP4095376B2 (ja) 2002-08-28 2008-06-04 キヤノン株式会社 露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法
JP4214547B2 (ja) 2002-08-29 2009-01-28 株式会社オーク製作所 ビーム成形光学素子およびそれを備えたパターン描画装置
JP2004095653A (ja) 2002-08-29 2004-03-25 Nikon Corp 露光装置
JP2004145269A (ja) 2002-08-30 2004-05-20 Nikon Corp 投影光学系、反射屈折型投影光学系、走査型露光装置及び露光方法
SE0202584D0 (sv) 2002-09-02 2002-09-02 Micronic Laser Systems Ab A Method and device for coherence reduction
EP1395049A1 (en) 2002-09-02 2004-03-03 Sony International (Europe) GmbH Illumination unit for a projection system
US20050141583A1 (en) 2002-09-02 2005-06-30 Torbjorn Sandstrom Method and device for coherence reduction
JP2004103674A (ja) 2002-09-06 2004-04-02 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
JP2004101362A (ja) 2002-09-10 2004-04-02 Canon Inc ステージ位置計測および位置決め装置
JP2004103858A (ja) 2002-09-10 2004-04-02 Sony Corp 露光装置
JP2004098012A (ja) 2002-09-12 2004-04-02 Seiko Epson Corp 薄膜形成方法、薄膜形成装置、光学素子、有機エレクトロルミネッセンス素子、半導体素子および電子機器
JP4269610B2 (ja) 2002-09-17 2009-05-27 株式会社ニコン 露光装置及び露光装置の製造方法
JP2004111579A (ja) * 2002-09-17 2004-04-08 Canon Inc 露光方法及び装置
KR100480620B1 (ko) 2002-09-19 2005-03-31 삼성전자주식회사 마이크로 미러 어레이를 구비한 노광 장치 및 이를 이용한노광 방법
JP2004119497A (ja) 2002-09-24 2004-04-15 Huabang Electronic Co Ltd 半導体製造設備と方法
JP4333866B2 (ja) 2002-09-26 2009-09-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
US6958867B2 (en) 2002-09-30 2005-10-25 Fuji Photo Film Co., Ltd. Illumination optical system, exposure device using the illumination optical system, and exposure method
JP2005018013A (ja) 2002-09-30 2005-01-20 Fuji Photo Film Co Ltd 照明光学系およびそれを用いた露光装置並びに露光方法
JP2004128307A (ja) 2002-10-04 2004-04-22 Nikon Corp 露光装置及びその調整方法
JP2004134682A (ja) 2002-10-15 2004-04-30 Nikon Corp 気体シリンダ、ステージ装置及び露光装置
JP2004140145A (ja) 2002-10-17 2004-05-13 Nikon Corp 露光装置
JP2004146702A (ja) 2002-10-25 2004-05-20 Nikon Corp 光学特性計測方法、露光方法及びデバイス製造方法
JP2004153096A (ja) 2002-10-31 2004-05-27 Nikon Corp 露光装置
JP2004153064A (ja) 2002-10-31 2004-05-27 Nikon Corp 露光装置
JP2004152705A (ja) 2002-11-01 2004-05-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2004165249A (ja) 2002-11-11 2004-06-10 Sony Corp 露光装置及び露光方法
JP2004163555A (ja) 2002-11-12 2004-06-10 Olympus Corp 落射顕微鏡及び落射顕微鏡用対物レンズ
SG121819A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2004165416A (ja) 2002-11-13 2004-06-10 Nikon Corp 露光装置及び建屋
JP2004172471A (ja) 2002-11-21 2004-06-17 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP4378938B2 (ja) 2002-11-25 2009-12-09 株式会社ニコン 露光装置、及びデバイス製造方法
US6844927B2 (en) 2002-11-27 2005-01-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for removing optical abberations during an optical inspection
TWI281099B (en) 2002-12-02 2007-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4314555B2 (ja) 2002-12-03 2009-08-19 株式会社ニコン リニアモータ装置、ステージ装置、及び露光装置
TW200412617A (en) 2002-12-03 2004-07-16 Nikon Corp Optical illumination device, method for adjusting optical illumination device, exposure device and exposure method
SG171468A1 (en) 2002-12-10 2011-06-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
JP4595320B2 (ja) 2002-12-10 2010-12-08 株式会社ニコン 露光装置、及びデバイス製造方法
KR20050085236A (ko) 2002-12-10 2005-08-29 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
SG150388A1 (en) 2002-12-10 2009-03-30 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
TW200421444A (en) 2002-12-10 2004-10-16 Nippon Kogaku Kk Optical device and projecting exposure apparatus using such optical device
US20040108973A1 (en) 2002-12-10 2004-06-10 Kiser David K. Apparatus for generating a number of color light components
CN100429748C (zh) 2002-12-10 2008-10-29 株式会社尼康 曝光装置和器件制造方法
AU2003302831A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus and method for manufacturing device
CN100446179C (zh) 2002-12-10 2008-12-24 株式会社尼康 曝光设备和器件制造法
WO2004053957A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2004301825A (ja) 2002-12-10 2004-10-28 Nikon Corp 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法
EP1571698A4 (en) 2002-12-10 2006-06-21 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
JP2004191660A (ja) 2002-12-11 2004-07-08 Fuji Photo Film Co Ltd 露光装置
JP2004193425A (ja) 2002-12-12 2004-07-08 Nikon Corp 移動制御方法及び装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2004198748A (ja) 2002-12-19 2004-07-15 Nikon Corp オプティカルインテグレータ、照明光学装置、露光装置および露光方法
US6738568B1 (en) 2002-12-20 2004-05-18 Eastman Kodak Company Camera frame assembly having shutter that slides forward and back with zoom lens
JP2004205698A (ja) 2002-12-24 2004-07-22 Nikon Corp 投影光学系、露光装置および露光方法
US6891655B2 (en) 2003-01-02 2005-05-10 Micronic Laser Systems Ab High energy, low energy density, radiation-resistant optics used with micro-electromechanical devices
JP2004221253A (ja) 2003-01-14 2004-08-05 Nikon Corp 露光装置
KR20050086953A (ko) 2003-01-15 2005-08-30 마이크로닉 레이저 시스템즈 에이비 결함 픽셀을 탐지하는 방법
JP2004228497A (ja) 2003-01-27 2004-08-12 Nikon Corp 露光装置及び電子デバイスの製造方法
JP2004224421A (ja) 2003-01-27 2004-08-12 Tokyo Autom Mach Works Ltd 製品供給装置
JP4280509B2 (ja) 2003-01-31 2009-06-17 キヤノン株式会社 投影露光用マスク、投影露光用マスクの製造方法、投影露光装置および投影露光方法
JP2004241666A (ja) 2003-02-07 2004-08-26 Nikon Corp 計測方法及び露光方法
JP2004007417A (ja) 2003-02-10 2004-01-08 Fujitsu Ltd 情報提供システム
JP4366948B2 (ja) 2003-02-14 2009-11-18 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
JP2004259828A (ja) 2003-02-25 2004-09-16 Nikon Corp 半導体露光装置
EP3301511A1 (en) 2003-02-26 2018-04-04 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP2004259985A (ja) 2003-02-26 2004-09-16 Sony Corp レジストパターン形成装置およびその形成方法、および、当該方法を用いた半導体装置の製造方法
JP4604452B2 (ja) 2003-02-26 2011-01-05 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP4305003B2 (ja) 2003-02-27 2009-07-29 株式会社ニコン Ｅｕｖ光学系及びｅｕｖ露光装置
JP2004260081A (ja) 2003-02-27 2004-09-16 Nikon Corp 紫外域用反射ミラー装置及びそれを用いた投影露光装置
SE0300516D0 (sv) 2003-02-28 2003-02-28 Micronic Laser Systems Ab SLM direct writer
KR20050110033A (ko) 2003-03-25 2005-11-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP2004294202A (ja) 2003-03-26 2004-10-21 Seiko Epson Corp 画面の欠陥検出方法及び装置
JP4265257B2 (ja) 2003-03-28 2009-05-20 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、フィルム構造体
JP4496711B2 (ja) 2003-03-31 2010-07-07 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JP2004304135A (ja) 2003-04-01 2004-10-28 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びマイクロデバイスの製造方法
JP4281397B2 (ja) 2003-04-07 2009-06-17 株式会社ニコン 石英ガラスの成形装置
JP4341277B2 (ja) 2003-04-07 2009-10-07 株式会社ニコン 石英ガラスの成形方法
JP4465974B2 (ja) 2003-04-07 2010-05-26 株式会社ニコン 石英ガラスの成形装置
WO2004091079A1 (ja) 2003-04-07 2004-10-21 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki キャンド・リニアモータ電機子およびキャンド・リニアモータ
JP4288413B2 (ja) 2003-04-07 2009-07-01 株式会社ニコン 石英ガラスの成形方法及び成形装置
KR101176817B1 (ko) 2003-04-07 2012-08-24 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
JP4374964B2 (ja) 2003-09-26 2009-12-02 株式会社ニコン 石英ガラスの成形方法及び成形装置
JP4428115B2 (ja) 2003-04-11 2010-03-10 株式会社ニコン 液浸リソグラフィシステム
JP2004319724A (ja) 2003-04-16 2004-11-11 Ses Co Ltd 半導体洗浄装置に於ける洗浄槽の構造
JPWO2004094940A1 (ja) 2003-04-23 2006-07-13 株式会社ニコン 干渉計システム、干渉計システムにおける信号処理方法、該信号処理方法を用いるステージ
US7095546B2 (en) 2003-04-24 2006-08-22 Metconnex Canada Inc. Micro-electro-mechanical-system two dimensional mirror with articulated suspension structures for high fill factor arrays
JP2004327660A (ja) 2003-04-24 2004-11-18 Nikon Corp 走査型投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
WO2004094301A1 (en) 2003-04-24 2004-11-04 Metconnex Canada Inc. A micro-electro-mechanical-system two dimensional mirror with articulated suspension structures for high fill factor arrays
JP2004335808A (ja) 2003-05-08 2004-11-25 Sony Corp パターン転写装置、パターン転写方法およびプログラム
JP2004335864A (ja) 2003-05-09 2004-11-25 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JP4487168B2 (ja) 2003-05-09 2010-06-23 株式会社ニコン ステージ装置及びその駆動方法、並びに露光装置
JP2004342987A (ja) 2003-05-19 2004-12-02 Canon Inc ステージ装置
TW200507055A (en) 2003-05-21 2005-02-16 Nikon Corp Polarized cancellation element, illumination device, exposure device, and exposure method
TW201806001A (zh) 2003-05-23 2018-02-16 尼康股份有限公司 曝光裝置及元件製造方法
TWI463533B (zh) 2003-05-23 2014-12-01 尼康股份有限公司 An exposure method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method
JP2004349645A (ja) 2003-05-26 2004-12-09 Sony Corp 液浸差動排液静圧浮上パッド、原盤露光装置および液侵差動排液による露光方法
KR20150036794A (ko) 2003-05-28 2015-04-07 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
JP2004356410A (ja) 2003-05-29 2004-12-16 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
DE10324477A1 (de) 2003-05-30 2004-12-30 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
KR101087516B1 (ko) 2003-06-04 2011-11-28 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 고정 방법, 노광 장치, 노광 방법, 및디바이스의 제조 방법
JP2005005295A (ja) 2003-06-09 2005-01-06 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2005005395A (ja) 2003-06-10 2005-01-06 Nikon Corp ガス給排気方法及び装置、鏡筒、露光装置及び方法
JP2005005521A (ja) 2003-06-12 2005-01-06 Nikon Corp 露光装置、露光方法、および偏光状態測定装置
JP2005011990A (ja) 2003-06-19 2005-01-13 Nikon Corp 走査型投影露光装置、走査型投影露光装置の照度キャリブレーション方法及び露光方法
KR101475634B1 (ko) 2003-06-19 2014-12-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP2005019628A (ja) 2003-06-25 2005-01-20 Nikon Corp 光学装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005026634A (ja) 2003-07-04 2005-01-27 Sony Corp 露光装置および半導体装置の製造方法
ATE513309T1 (de) 2003-07-09 2011-07-15 Nikon Corp Belichtungsvorrichtung und verfahren zur bauelementeherstellung
WO2005006418A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005032909A (ja) 2003-07-10 2005-02-03 Fuji Photo Film Co Ltd 照明光学系およびそれを用いた露光装置
JPWO2005008754A1 (ja) 2003-07-18 2007-09-20 株式会社ニコン フレア計測方法、露光方法、及びフレア計測用のマスク
JP4492239B2 (ja) 2003-07-28 2010-06-30 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法
JP4492600B2 (ja) 2003-07-28 2010-06-30 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2005051147A (ja) 2003-07-31 2005-02-24 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP2005055811A (ja) 2003-08-07 2005-03-03 Olympus Corp 光学部材、この光学部材を組み込む光学機器、及びその光学機器の組み立て方法
JP2005064210A (ja) 2003-08-12 2005-03-10 Nikon Corp 露光方法、該露光方法を利用した電子デバイスの製造方法及び露光装置
JP4262031B2 (ja) 2003-08-19 2009-05-13 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイスの製造方法
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4305095B2 (ja) 2003-08-29 2009-07-29 株式会社ニコン 光学部品の洗浄機構を搭載した液浸投影露光装置及び液浸光学部品洗浄方法
KR101477850B1 (ko) 2003-08-29 2014-12-30 가부시키가이샤 니콘 액체회수장치, 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4593894B2 (ja) 2003-09-01 2010-12-08 キヤノン株式会社 光学式エンコーダ
JP4218475B2 (ja) 2003-09-11 2009-02-04 株式会社ニコン 極端紫外線光学系及び露光装置
DE10343333A1 (de) 2003-09-12 2005-04-14 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
JP4717813B2 (ja) 2003-09-12 2011-07-06 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光設備のための照明系
JP2005091023A (ja) 2003-09-12 2005-04-07 Minolta Co Ltd 光学式エンコーダおよびそれを備えた撮像装置
JP2005093324A (ja) 2003-09-19 2005-04-07 Toshiba Corp 画像表示装置に用いるガラス基板、ガラス基板の製造方法、およびガラス基板の製造装置
JP2005093948A (ja) 2003-09-19 2005-04-07 Nikon Corp 露光装置及びその調整方法、露光方法、並びにデバイス製造方法
WO2005029559A1 (ja) 2003-09-19 2005-03-31 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP3693060B2 (ja) 2003-09-24 2005-09-07 セイコーエプソン株式会社 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
JP2005123586A (ja) 2003-09-25 2005-05-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 投影装置および投影方法
US7064880B2 (en) 2003-09-25 2006-06-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Projector and projection method
CA2581735A1 (en) 2003-09-26 2005-04-07 Tidal Photonics, Inc. Apparatus and methods relating to enhanced spectral measurement systems
JP4385702B2 (ja) 2003-09-29 2009-12-16 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JP4513299B2 (ja) 2003-10-02 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP4470433B2 (ja) 2003-10-02 2010-06-02 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2005114882A (ja) 2003-10-06 2005-04-28 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd 処理ステージの基板載置方法、基板露光ステージおよび基板露光装置
KR20060126949A (ko) 2003-10-08 2006-12-11 가부시키가이샤 니콘 기판 반송 장치와 기판 반송 방법, 노광 장치와 노광 방법,및 디바이스 제조 방법
JP2005116831A (ja) 2003-10-08 2005-04-28 Nikon Corp 投影露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2005136364A (ja) 2003-10-08 2005-05-26 Zao Nikon Co Ltd 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JPWO2005036619A1 (ja) 2003-10-09 2007-11-22 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
JPWO2005036620A1 (ja) 2003-10-10 2006-12-28 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
EP1524558A1 (en) 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005127460A (ja) 2003-10-27 2005-05-19 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 免震除振床システム
WO2005041276A1 (ja) 2003-10-28 2005-05-06 Nikon Corporation 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法
US7148952B2 (en) 2003-10-31 2006-12-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005140999A (ja) 2003-11-06 2005-06-02 Nikon Corp 光学系、光学系の調整方法、露光装置、および露光方法
JP4631707B2 (ja) 2003-11-13 2011-02-16 株式会社ニコン 照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
WO2005048325A1 (ja) 2003-11-17 2005-05-26 Nikon Corporation ステージ駆動方法及びステージ装置並びに露光装置
JP4470095B2 (ja) 2003-11-20 2010-06-02 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
JP4552428B2 (ja) 2003-12-02 2010-09-29 株式会社ニコン 照明光学装置、投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2005175177A (ja) 2003-12-11 2005-06-30 Nikon Corp 光学装置及び露光装置
JP2005175176A (ja) 2003-12-11 2005-06-30 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法
JP4720506B2 (ja) 2003-12-15 2011-07-13 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置、及び露光方法
JP3102327U (ja) 2003-12-17 2004-07-02 国統国際股▲ふん▼有限公司 可撓管の漏れ止め機構
JP4954444B2 (ja) 2003-12-26 2012-06-13 株式会社ニコン 流路形成部材、露光装置及びデバイス製造方法
WO2005067013A1 (ja) 2004-01-05 2005-07-21 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP4586367B2 (ja) 2004-01-14 2010-11-24 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置
JP4474927B2 (ja) 2004-01-20 2010-06-09 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法
JP2005209705A (ja) 2004-01-20 2005-08-04 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP4319189B2 (ja) 2004-01-26 2009-08-26 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US7580559B2 (en) 2004-01-29 2009-08-25 Asml Holding N.V. System and method for calibrating a spatial light modulator
KR101377815B1 (ko) 2004-02-03 2014-03-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR101166007B1 (ko) 2004-02-10 2012-07-17 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 메인터넌스 방법 및노광 방법
JP4370992B2 (ja) 2004-02-18 2009-11-25 株式会社ニコン 光学素子及び露光装置
US20080151200A1 (en) 2004-02-19 2008-06-26 Nikon Corporation Exposure Apparatus and Device Manufacturing Method
KR101106497B1 (ko) 2004-02-20 2012-01-20 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 공급 방법 및 회수 방법, 노광 방법, 및디바이스 제조 방법
JP4693088B2 (ja) 2004-02-20 2011-06-01 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、および露光方法
JP2005234359A (ja) 2004-02-20 2005-09-02 Ricoh Co Ltd 走査光学系光学特性測定装置、走査光学系光学特性測定装置校正方法、走査光学系及び画像形成装置
JP4333404B2 (ja) 2004-02-25 2009-09-16 株式会社ニコン 搬送装置、搬送方法、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2005243870A (ja) 2004-02-26 2005-09-08 Pentax Corp パターン描画装置
WO2005083512A2 (de) 2004-02-26 2005-09-09 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine mikrolithographie-projektionsbelichtungsanlage
JP2005243904A (ja) 2004-02-26 2005-09-08 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置及び露光方法
US6977718B1 (en) 2004-03-02 2005-12-20 Advanced Micro Devices, Inc. Lithography method and system with adjustable reflector
JP2005251549A (ja) 2004-03-04 2005-09-15 Nikon Corp マイクロスイッチ及びマイクロスイッチの駆動方法
JP2005257740A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Nikon Corp 投影光学系、露光装置、および露光方法
JP2005259789A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Nikon Corp 検知システム及び露光装置、デバイス製造方法
JP4778685B2 (ja) 2004-03-10 2011-09-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体デバイスのパターン形状評価方法及びその装置
JP2005268700A (ja) 2004-03-22 2005-09-29 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2005276932A (ja) 2004-03-23 2005-10-06 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005309380A (ja) 2004-03-26 2005-11-04 Fuji Photo Film Co Ltd 画像露光装置
JP2005302825A (ja) 2004-04-07 2005-10-27 Canon Inc 露光装置
JP4474979B2 (ja) 2004-04-15 2010-06-09 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置
WO2005104195A1 (ja) 2004-04-19 2005-11-03 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005311020A (ja) 2004-04-21 2005-11-04 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法
JP4569157B2 (ja) 2004-04-27 2010-10-27 株式会社ニコン 反射型投影光学系および該反射型投影光学系を備えた露光装置
JP2005340605A (ja) 2004-05-28 2005-12-08 Nikon Corp 露光装置およびその調整方法
JP5159027B2 (ja) 2004-06-04 2013-03-06 キヤノン株式会社 照明光学系及び露光装置
US7123348B2 (en) 2004-06-08 2006-10-17 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and method utilizing dose control
JP2006005197A (ja) 2004-06-18 2006-01-05 Canon Inc 露光装置
JP4419701B2 (ja) 2004-06-21 2010-02-24 株式会社ニコン 石英ガラスの成形装置
US7116403B2 (en) * 2004-06-28 2006-10-03 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006017895A (ja) 2004-06-30 2006-01-19 Integrated Solutions:Kk 露光装置
JP4444743B2 (ja) 2004-07-07 2010-03-31 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US7283209B2 (en) 2004-07-09 2007-10-16 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for microlithography
JP2006024819A (ja) 2004-07-09 2006-01-26 Renesas Technology Corp 液浸露光装置、及び電子デバイスの製造方法
US7259827B2 (en) 2004-07-14 2007-08-21 Asml Netherlands B.V. Diffuser unit, lithographic apparatus, method for homogenizing a beam of radiation, a device manufacturing method and device manufactured thereby
US20080012511A1 (en) 2004-07-15 2008-01-17 Nikon Corporation Planar Motor Device, Stage Device, Exposure Device and Device Manufacturing Method
JP2006032750A (ja) 2004-07-20 2006-02-02 Canon Inc 液浸型投影露光装置、及びデバイス製造方法
JP4411158B2 (ja) 2004-07-29 2010-02-10 キヤノン株式会社 露光装置
JP2006049758A (ja) 2004-08-09 2006-02-16 Nikon Corp 露光装置の制御方法、並びに、これを用いた露光方法及び装置
JP2006054328A (ja) 2004-08-12 2006-02-23 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
JP2006054364A (ja) 2004-08-13 2006-02-23 Nikon Corp 基板吸着装置、露光装置
JP4599936B2 (ja) 2004-08-17 2010-12-15 株式会社ニコン 照明光学装置、照明光学装置の調整方法、露光装置、および露光方法
JP4983257B2 (ja) 2004-08-18 2012-07-25 株式会社ニコン 露光装置、デバイス製造方法、計測部材、及び計測方法
JP2006073584A (ja) 2004-08-31 2006-03-16 Nikon Corp 露光装置及び方法並びにデバイス製造方法
EP1796143B1 (en) 2004-09-01 2011-11-23 Nikon Corporation Substrate holder, stage apparatus, and exposure apparatus
JP4772306B2 (ja) 2004-09-06 2011-09-14 株式会社東芝 液浸光学装置及び洗浄方法
JP2006080281A (ja) 2004-09-09 2006-03-23 Nikon Corp ステージ装置、ガスベアリング装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
KR20070048722A (ko) 2004-09-10 2007-05-09 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치 및 노광 장치
US8130362B2 (en) 2004-09-14 2012-03-06 Nikon Corporation Correction method and exposure apparatus
JP2006086141A (ja) 2004-09-14 2006-03-30 Nikon Corp 投影光学系、露光装置、および露光方法
EP1804279A4 (en) 2004-09-17 2008-04-09 Nikon Corp SUBSTRATE FOR EXPOSURE, EXPOSURE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
JP2006086442A (ja) 2004-09-17 2006-03-30 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
US7004214B1 (en) * 2004-09-17 2006-02-28 Adam Awad Hydraulic system line bleeding tool
WO2006035775A1 (ja) 2004-09-27 2006-04-06 Hamamatsu Photonics K.K. 空間光変調装置、光学処理装置、カップリングプリズム、及び、カップリングプリズムの使用方法
JP2006100363A (ja) 2004-09-28 2006-04-13 Canon Inc 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法。
JP4747545B2 (ja) 2004-09-30 2011-08-17 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置並びにデバイス製造方法
GB2419208A (en) 2004-10-18 2006-04-19 Qinetiq Ltd Optical correlation employing an optical bit delay
US7177012B2 (en) 2004-10-18 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4335114B2 (ja) 2004-10-18 2009-09-30 日本碍子株式会社 マイクロミラーデバイス
JP2006120985A (ja) 2004-10-25 2006-05-11 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置、および露光方法
JP2006128192A (ja) 2004-10-26 2006-05-18 Nikon Corp 保持装置、鏡筒、及び露光装置、並びにデバイス製造方法
WO2006049134A1 (ja) 2004-11-01 2006-05-11 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP4517354B2 (ja) 2004-11-08 2010-08-04 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
KR20070085214A (ko) 2004-11-11 2007-08-27 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 및 기판
JP2006140366A (ja) 2004-11-15 2006-06-01 Nikon Corp 投影光学系及び露光装置
US7333177B2 (en) 2004-11-30 2008-02-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2995997B1 (en) 2004-12-15 2017-08-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device fabricating method
JP2005150759A (ja) 2004-12-15 2005-06-09 Nikon Corp 走査型露光装置
JP2006170811A (ja) 2004-12-16 2006-06-29 Nikon Corp 多層膜反射鏡、ｅｕｖ露光装置、及び軟ｘ線光学機器
JP2006170899A (ja) 2004-12-17 2006-06-29 Sendai Nikon:Kk 光電式エンコーダ
EP1830456A1 (en) 2004-12-24 2007-09-05 Nikon Corporation Magnetic guiding apparatus, stage apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method
JP2006177865A (ja) 2004-12-24 2006-07-06 Ntn Corp 磁気エンコーダおよびそれを備えた車輪用軸受装置
JP4402582B2 (ja) 2004-12-27 2010-01-20 大日本印刷株式会社 大型フォトマスク用ケース及びケース交換装置
US20060138349A1 (en) 2004-12-27 2006-06-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4632793B2 (ja) 2005-01-12 2011-02-16 京セラ株式会社 ナビゲーション機能付き携帯型端末機
TW200923418A (en) 2005-01-21 2009-06-01 Nikon Corp Exposure device, exposure method, fabricating method of device, exposure system, information collecting device, and measuring device
EP1850464A4 (en) 2005-01-21 2017-03-15 Nikon Corporation Linear motor, stage apparatus, and exposure apparatus
EP1843204A1 (en) 2005-01-25 2007-10-10 Nikon Corporation Exposure device, exposure method, and micro device manufacturing method
JP2006208432A (ja) * 2005-01-25 2006-08-10 Fuji Photo Film Co Ltd 露光方法および装置
KR100664325B1 (ko) 2005-02-04 2007-01-04 삼성전자주식회사 광 터널 및 이를 포함하는 프로젝션 장치
JP2006216917A (ja) 2005-02-07 2006-08-17 Canon Inc 照明光学系、露光装置およびデバイス製造方法
WO2006085626A1 (ja) 2005-02-14 2006-08-17 Nikon Corporation 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
WO2006085524A1 (ja) 2005-02-14 2006-08-17 Nikon Corporation 露光装置
JP4650619B2 (ja) 2005-03-09 2011-03-16 株式会社ニコン 駆動ユニット、光学ユニット、光学装置、並びに露光装置
JP2006253572A (ja) 2005-03-14 2006-09-21 Nikon Corp ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法
US8081295B2 (en) 2005-03-15 2011-12-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection exposure method and projection exposure system therefor
AU2006224935B2 (en) 2005-03-18 2011-02-24 Danmarks Tekniske Universitet Optical manipulation system using a plurality of optical traps
WO2006100889A1 (ja) 2005-03-23 2006-09-28 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機ｅｌ層の形成方法
JP4561425B2 (ja) 2005-03-24 2010-10-13 ソニー株式会社 ホログラム記録再生装置およびホログラム記録再生方法
JP4858744B2 (ja) 2005-03-24 2012-01-18 株式会社ニコン 露光装置
US7548302B2 (en) 2005-03-29 2009-06-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317506B2 (en) 2005-03-29 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Variable illumination source
JP2006278820A (ja) 2005-03-30 2006-10-12 Nikon Corp 露光方法及び装置
JP4493538B2 (ja) 2005-03-31 2010-06-30 富士通株式会社 波長選択スイッチ
JP4546315B2 (ja) 2005-04-07 2010-09-15 株式会社神戸製鋼所 微細加工用型の製造方法
CN101156226B (zh) 2005-04-27 2012-03-14 株式会社尼康 曝光方法、曝光装置、组件制造方法、以及膜的评估方法
US7400382B2 (en) 2005-04-28 2008-07-15 Asml Holding N.V. Light patterning device using tilting mirrors in a superpixel form
US7724379B2 (en) 2005-05-12 2010-05-25 Technodream21, Inc. 3-Dimensional shape measuring method and device thereof
JP4771753B2 (ja) 2005-06-08 2011-09-14 新光電気工業株式会社 面光源制御装置および面光源制御方法
JP2006351586A (ja) 2005-06-13 2006-12-28 Nikon Corp 照明装置、投影露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法
JP4710427B2 (ja) 2005-06-15 2011-06-29 株式会社ニコン 光学素子保持装置、鏡筒及び露光装置並びにデバイスの製造方法
DE102005030839A1 (de) 2005-07-01 2007-01-11 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage mit einer Mehrzahl von Projektionsobjektiven
JP5104305B2 (ja) 2005-07-01 2012-12-19 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP4684774B2 (ja) 2005-07-05 2011-05-18 株式会社ナノシステムソリューションズ 露光装置
WO2007018127A1 (ja) 2005-08-05 2007-02-15 Nikon Corporation ステージ装置及び露光装置
JP2007048819A (ja) 2005-08-08 2007-02-22 Nikon Corp 面位置検出装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
JP2007048851A (ja) * 2005-08-09 2007-02-22 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置、およびデバイスの製造方法
JP2007043980A (ja) 2005-08-11 2007-02-22 Sanei Gen Ffi Inc 焼成和洋菓子用品質改良剤
JP2007087306A (ja) 2005-09-26 2007-04-05 Yokohama National Univ 目標画像指定作成方式
JP2007093546A (ja) 2005-09-30 2007-04-12 Nikon Corp エンコーダシステム、ステージ装置及び露光装置
JP4640090B2 (ja) 2005-10-04 2011-03-02 ウシオ電機株式会社 放電ランプ用ホルダー、および放電ランプ保持機構
JP2007113939A (ja) 2005-10-18 2007-05-10 Nikon Corp 計測装置及び計測方法、ステージ装置、並びに露光装置及び露光方法
JP2007120333A (ja) 2005-10-25 2007-05-17 Mitsubishi Heavy Ind Ltd ロケット用燃焼器の噴射管およびロケット用燃焼器
JP2007120334A (ja) 2005-10-25 2007-05-17 Denso Corp 車両駆動システムの異常診断装置
JP4809037B2 (ja) 2005-10-27 2011-11-02 日本カニゼン株式会社 黒色めっき膜およびその形成方法、めっき膜を有する物品
JPWO2007055237A1 (ja) 2005-11-09 2009-04-30 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2007150295A (ja) 2005-11-10 2007-06-14 Carl Zeiss Smt Ag ラスタ要素を有する光学装置、及びこの光学装置を有する照射システム
JPWO2007055373A1 (ja) 2005-11-14 2009-04-30 株式会社ニコン 液体回収部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
KR20080068006A (ko) 2005-11-15 2008-07-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치와, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JP2007142313A (ja) 2005-11-22 2007-06-07 Nikon Corp 計測工具及び調整方法
JP2007144864A (ja) 2005-11-29 2007-06-14 Sanyo Electric Co Ltd 積層構造体およびそれを用いた冷凍装置
EP1965414A4 (en) 2005-12-06 2010-08-25 Nikon Corp EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS
KR101704310B1 (ko) 2005-12-08 2017-02-07 가부시키가이샤 니콘 기판 보지 장치, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JP4800901B2 (ja) 2005-12-12 2011-10-26 矢崎総業株式会社 電圧検出装置及び絶縁インタフェース
US20070166134A1 (en) 2005-12-20 2007-07-19 Motoko Suzuki Substrate transfer method, substrate transfer apparatus and exposure apparatus
JP2007170938A (ja) 2005-12-21 2007-07-05 Sendai Nikon:Kk エンコーダ
JP2007207821A (ja) 2006-01-31 2007-08-16 Nikon Corp 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
JP2007258691A (ja) 2006-02-21 2007-10-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の作製方法
US7532378B2 (en) 2006-02-21 2009-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus, method of laser irradiation, and method for manufacturing semiconductor device
JP2007227637A (ja) 2006-02-23 2007-09-06 Canon Inc 液浸露光装置
US7525642B2 (en) * 2006-02-23 2009-04-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JPWO2007097198A1 (ja) 2006-02-27 2009-07-09 株式会社ニコン ダイクロイックフィルタ
JP2007234110A (ja) 2006-02-28 2007-09-13 Toshiba Corp 光情報記録装置および光情報記録装置の制御方法
EP1993120A1 (en) 2006-03-03 2008-11-19 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and device manufacturing method
JP4929762B2 (ja) 2006-03-03 2012-05-09 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2007280623A (ja) 2006-04-03 2007-10-25 Seiko Epson Corp 熱処理装置、薄膜形成装置及び熱処理方法
JP2007295702A (ja) 2006-04-24 2007-11-08 Toshiba Mach Co Ltd リニアモータ、および、ステージ駆動装置
JPWO2007132862A1 (ja) 2006-05-16 2009-09-24 株式会社ニコン 投影光学系、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4893112B2 (ja) 2006-06-03 2012-03-07 株式会社ニコン 高周波回路コンポーネント
JP4873138B2 (ja) 2006-06-21 2012-02-08 富士ゼロックス株式会社 情報処理装置及びプログラム
DE102006032810A1 (de) 2006-07-14 2008-01-17 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage, Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, mikrolithografisches Herstellungsverfahren für Bauelemente sowie mit diesem Verfahren hergestelltes Bauelement
WO2008015973A1 (fr) 2006-08-02 2008-02-07 Nikon Corporation Appareil de détection de défauts et procédé de détection de défauts
JP4883482B2 (ja) 2006-08-18 2012-02-22 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2008058580A (ja) 2006-08-31 2008-03-13 Canon Inc 画像形成装置、監視装置、制御方法、及びプログラム
JP2008064924A (ja) 2006-09-06 2008-03-21 Seiko Epson Corp 定着装置及び画像形成装置
JP5141979B2 (ja) 2006-09-29 2013-02-13 株式会社ニコン ステージ装置および露光装置
KR100855628B1 (ko) 2006-10-02 2008-09-03 삼성전기주식회사 광변조기 검사를 위한 장치 및 방법
US7804603B2 (en) 2006-10-03 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Measurement apparatus and method
JP2007051300A (ja) 2006-10-10 2007-03-01 Teijin Chem Ltd 難燃性樹脂組成物
JP4924879B2 (ja) 2006-11-14 2012-04-25 株式会社ニコン エンコーダ
WO2008061681A2 (de) 2006-11-21 2008-05-29 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die projektions-mikrolithografie sowie mess- und überwachungsverfahren für eine derartige beleuchtungsoptik
WO2008065977A1 (fr) 2006-11-27 2008-06-05 Nikon Corporation Procédé d'exposition, procédé de formation de motif, dispositif d'exposition, et procédé de fabrication du dispositif
JP2007274881A (ja) 2006-12-01 2007-10-18 Nikon Corp 移動体装置、微動体及び露光装置
JPWO2008075742A1 (ja) 2006-12-20 2010-04-15 株式会社ニコン メンテナンス方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP4910679B2 (ja) 2006-12-21 2012-04-04 株式会社ニコン 可変キャパシタ、可変キャパシタ装置、高周波回路用フィルタ及び高周波回路
WO2008078668A1 (ja) 2006-12-26 2008-07-03 Miura Co., Ltd. ボイラ給水用補給水の供給方法
EP2109133A4 (en) 2006-12-27 2011-12-28 Nikon Corp PLATTER APPARATUS, EXPOSURE APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE APPARATUS
WO2008090975A1 (ja) 2007-01-26 2008-07-31 Nikon Corporation 支持構造体及び露光装置
US8937706B2 (en) 2007-03-30 2015-01-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US9250536B2 (en) 2007-03-30 2016-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US20080259304A1 (en) 2007-04-20 2008-10-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
JP5345132B2 (ja) 2007-04-25 2013-11-20 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ露光装置においてマスクを照明するための照明系
KR101545361B1 (ko) 2007-05-09 2015-08-19 가부시키가이샤 니콘 포토마스크용 기판, 포토마스크용 기판의 성형 부재, 포토마스크용 기판의 제조 방법, 포토마스크, 및 포토마스크를 사용한 노광 방법
JP5184217B2 (ja) 2007-05-31 2013-04-17 パナソニック株式会社 画像撮影装置、付加情報提供サーバ及び付加情報フィルタリングシステム
US7573564B2 (en) 2007-06-26 2009-08-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Systems for doppler tracking using photonic mixing detectors
JP2010537414A (ja) 2007-08-30 2010-12-02 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー マイクロリソグラフィ投影露光装置においてマスクを照明するための照明システム
JP5194650B2 (ja) 2007-08-31 2013-05-08 株式会社ニコン 電子カメラ
DE102007043958B4 (de) 2007-09-14 2011-08-25 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
US8451427B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
US20090091730A1 (en) 2007-10-03 2009-04-09 Nikon Corporation Spatial light modulation unit, illumination apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5267029B2 (ja) 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
CN101681125B (zh) 2007-10-16 2013-08-21 株式会社尼康 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法
WO2009050976A1 (en) 2007-10-16 2009-04-23 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP4499774B2 (ja) 2007-10-24 2010-07-07 株式会社半導体エネルギー研究所 絶縁ゲイト型半導体装置
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2009060745A1 (ja) * 2007-11-06 2009-05-14 Nikon Corporation 制御装置、露光方法、及び露光装置
WO2009153925A1 (ja) 2008-06-17 2009-12-23 株式会社ニコン ナノインプリント方法及び装置
JP5467531B2 (ja) 2008-06-26 2014-04-09 株式会社ニコン 表示素子の製造方法及び製造装置
KR20110028473A (ko) 2008-06-30 2011-03-18 가부시키가이샤 니콘 표시 소자의 제조 방법 및 제조 장치, 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 제조 장치, 및 회로 형성 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0208552A2 (en) * 1985-07-10 1987-01-14 Westinghouse Electric Corporation Acousto-optic system for testing high speed circuits
CN1550902A (zh) * 1998-03-02 2004-12-01 ���ܿ���ϵͳ���޹�˾ 改进的图形发生器反射镜结构
US6665119B1 (en) * 2002-10-15 2003-12-16 Eastman Kodak Company Wire grid polarizer

Also Published As

Publication number Publication date
EP2203778B1 (en) 2016-09-14
US20180143444A1 (en) 2018-05-24
US8379187B2 (en) 2013-02-19
HK1193479A1 (zh) 2014-09-19
TW201447506A (zh) 2014-12-16
KR101680620B1 (ko) 2016-11-29
SG10201708650WA (en) 2017-12-28
TWI510868B (zh) 2015-12-01
CN103777363B (zh) 2017-05-10
EP2620799A3 (en) 2014-08-20
CN101765799B (zh) 2014-02-26
CN103777471A (zh) 2014-05-07
JP5630455B2 (ja) 2014-11-26
EP2620799A2 (en) 2013-07-31
CN103777345B (zh) 2017-05-10
HK1144322A1 (zh) 2011-02-11
EP2620801A2 (en) 2013-07-31
TW201316141A (zh) 2013-04-16
TWI464539B (zh) 2014-12-11
EP2273305A2 (en) 2011-01-12
EP2273304A1 (en) 2011-01-12
TW200935180A (en) 2009-08-16
CN103777363A (zh) 2014-05-07
US20150192859A1 (en) 2015-07-09
TW201812431A (zh) 2018-04-01
JP5141491B2 (ja) 2013-02-13
US20120202157A1 (en) 2012-08-09
US20160209664A1 (en) 2016-07-21
TW201447505A (zh) 2014-12-16
JP2015029128A (ja) 2015-02-12
US20090109417A1 (en) 2009-04-30
EP2620799B1 (en) 2017-10-18
US9057877B2 (en) 2015-06-16
EP2273305A3 (en) 2012-11-21
WO2009054541A2 (en) 2009-04-30
EP2273305B1 (en) 2017-08-02
EP2620800A2 (en) 2013-07-31
EP2203778A2 (en) 2010-07-07
HK1141591A1 (en) 2010-11-12
TWI554843B (zh) 2016-10-21
WO2009054541A3 (en) 2009-07-02
KR20130122808A (ko) 2013-11-08
TWI620036B (zh) 2018-04-01
EP2620801A3 (en) 2014-08-20
JP2012199552A (ja) 2012-10-18
CN103777345A (zh) 2014-05-07
TWI569106B (zh) 2017-02-01
SG185334A1 (en) 2012-11-29
JP5935852B2 (ja) 2016-06-15
KR20140111713A (ko) 2014-09-19
TW201712443A (en) 2017-04-01
US9341954B2 (en) 2016-05-17
KR20190025062A (ko) 2019-03-08
US9857599B2 (en) 2018-01-02
KR20160137679A (ko) 2016-11-30
CN101765799A (zh) 2010-06-30
EP2620800A3 (en) 2014-08-20
JP2009105396A (ja) 2009-05-14
KR20100084559A (ko) 2010-07-26
KR101624140B1 (ko) 2016-05-25
KR101563756B1 (ko) 2015-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103777471B (zh) 照明光学设备、曝光设备、照明方法、曝光方法和装置制造方法
WO2005050718A1 (ja) 光束変換素子、照明光学装置、露光装置、および露光方法
JP2010141091A (ja) 偏光制御ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2010258117A (ja) 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: DE

Ref document number: 1193479

Country of ref document: HK

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: GR

Ref document number: 1193479

Country of ref document: HK

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20160817

Termination date: 20201023