CN104685656B - 光电子器件和用于制造光电子器件的方法 - Google Patents
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Abstract
在不同的实施例中提供一种光电子器件,所述光电子器件具有:玻璃衬底(102);在玻璃衬底(102)上的玻璃层(504);封装件(126,504),所述封装件具有玻璃料(504),其中玻璃料(504)设置在玻璃层(504)上;其中玻璃料(504)借助于玻璃层(502)固定在玻璃衬底(102)上。
Description
技术领域
在不同的实施方式中,提供一种光电子器件和一种用于制造光电子器件的方法。
背景技术
有机基础上的光电子器件(例如,有机发光二极管(Organic Light EmittingDiode,OLED),例如白色的有机发光二极管(White Organic Light Emitting Diode,WOLED),太阳能电池等)的特征通常在于其机械的柔性和适度的制造条件。有机基础上的光电子器件例如有机发光二极管因此应用越来越广泛并且可以用于表面的照明。表面例如可以理解成桌子、墙壁或地板。
为了提高可以从有机光电子器件(例如有机发光二极管)中耦合输出的或者例如在有机太阳能电池的情况下耦合输入的电磁辐射的份额,有机光电子器件通常设有散射层。
目前为止存在两种用于提高光耦合输出的附加装置:外部的耦合输出装置和内部的耦合输出装置。
外部的耦合输出装置可以理解成下述设备,其中光从衬底以放射的光耦合输出。这种设备例如可以是具有散射颗粒或表面结构化部例如微透镜的薄膜。具有散射颗粒的薄膜例如施加到衬底外侧上。表面结构化部例如可以表示对衬底外侧的直接结构化或者将散射颗粒引入到衬底中,例如引入到玻璃衬底中。这些附加装置中的一些(例如散射薄膜)已经在OLED照明模块中使用或者展现出其高可缩放性。然而,外部的耦合输出装置会有两个显著缺点。在外部的耦合输出装置中,耦合输出效率会限制在衬底中传导的光的大约60%至大约70%。此外,在用于外部耦合输出的措施中,光电子器件的外观会受到显著影响。借助于施加的层或膜,例如可以在光电子器件中构成显现出乳白色的和/或漫反射的表面。
内部的耦合输出装置可以理解成下述设备,其中光被耦合输出,所述光在光电子器件的电有源区域例如有机功能层结构中引导和/或在电极例如透明导电氧化物层(transparent conductive oxide,TCO(透明导电氧化物))中引导。在其他光电子器件中,例如并非针对有机光电子器件,已知多种技术附加装置。在传统的用于光的内部耦合输出的设备中,可以将具有低折射率的光栅施加在光电子器件的电极中的一个电极上或上方,例如由铟锡氧化物构成的电极(indium tin oxide,ITO)。光栅具有结构化的区域,所述结构化的区域具有低折射率的材料。在另一个传统的用于光的内部耦合输出的设备中,可以将散射层施加在电极之上,例如铟锡氧化物阳极。散射层通常具有由聚合物构成的基质,在所述基质中分布有散射中心。基质通常具有大约为1.5的折射率而散射中心具有比基质高的折射率。由基质和散射中心构成的材料混合物通常以湿法化学的方式施加。
除了将光从有机光电子器件中耦合输出之外,有机光电子器件的封装是另一个问题。有机器件的有机组成部分例如有机发光二极管的有机功能层结构通常对有害环境影响敏感。有害环境影响可以理解成全部下述影响,所述影响会潜在地引起有机材料的或材料混合物的结构的退化或老化和/或改变并进而会限制有机器件的运行持续时间。出于所述原因,将光电子器件通常相对有害环境影响封装。
用于封装光电子器件的在钙钠衬底玻璃上或上方的电有源区域例如有机功能层结构的传统的方法是基于具有腔的玻璃盖(腔室玻璃)的封装,在其中引入所谓的吸取剂。电有源区域在玻璃衬底上或上方构成。腔室玻璃随后粘贴到玻璃衬底上,使得电有源区域设置在腔室玻璃的腔中。然而,借助于腔室玻璃的特定的制造工艺,腔室玻璃比普通的平板玻璃(钙钠硅酸盐玻璃)明显更贵。
另一种用于封装光电子器件的在钙钠衬底玻璃上或上方的电有源区域例如有机功能层结构的传统的方法是借助层压玻璃的薄膜封装或薄层封装。借助于施加适当的薄膜(薄层),可以将有机器件充分地相对于水和氧密封。例如可以将层压玻璃粘贴到薄膜封装件上以用于保护薄膜封装件免受机械损坏。可以对薄膜封装件提出极端的质量要求并且薄膜封装件的多个不同的层的沉积工艺会是非常耗费时间的。
在光电子器件例如OLED显示器中,构件的封装例如可以借助于玻璃料封装(英语为,glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding)实现。在玻璃料封装的情况下,将也称作为玻璃料的低熔点的玻璃用作玻璃衬底和玻璃盖之间的连接部。光电子器件的一部分例如电有源区域、例如有机功能层结构在玻璃衬底和玻璃盖之间构成。玻璃料与玻璃盖和玻璃衬底的连接部可以在玻璃料的区域中横向地保护有机功能层结构免受有害的环境影响。对于有机光电子器件、例如用于照明的OLED,这种类型的封装是令人感兴趣的替选方案。然而,在常规照明的大程度受成本导向的区段中,使用与在OLED显示器中不同的成本更适宜的衬底。在用于照明的有机光电子器件中,通常使用成本适宜的玻璃衬底,例如钙钠硅酸盐玻璃(soda-lime glass)。然而,在钙钠硅酸盐玻璃上,玻璃料封装目前是不可能的。出现的问题是在玻璃料在焊接部位上加热时钙钠硅酸盐玻璃的热膨胀的不兼容性。
发明内容
在不同的实施方式中,提供一种光电子器件和一种用于制造光电子器件的方法,借助其可能的是,提高电磁辐射例如光到有机光电子器件中/从有机光电子器件中的耦合输入和/或耦合输出并且附加地可以实现具有适宜的玻璃衬底的有机光电子器件的玻璃料封装。
光电子器件可以理解成半导体器件,所述半导体器件可以提供或接收电子辐射。
在本说明书的范围中,提供电磁辐射可以理解成发射电磁辐射。
在本说明书的范围中,接收电磁辐射可以理解成吸收电磁辐射。
在不同的实施例中,发射/吸收电磁辐射的器件可以是发射/吸收电磁辐射的半导体器件和/或构成为发射/吸收电磁辐射的二极管、构成为发射/吸收电磁辐射的有机二极管、构成为发射电磁辐射的晶体管或者构成为发射电磁辐射的有机晶体管。辐射例如可以是可见范围中的光、UV光和/或红外光。在本文中,发射/吸收电磁辐射的器件例如可以构成为发射/吸收光的二极管(light emitting diode,LED(发光二极管))、构成为发射/吸收光的有机二极管(organic light emitting diode,OLED)、构成为发射光的晶体管或者构成为发射光的有机晶体管。发射/吸收光的器件在不同的实施例中可以是集成电路的一部分。此外,可以设有多个发射光的器件,例如安置在共同的壳体中。
在本说明书的范围中,可以不考虑相应的聚集态将有机材料理解成以化学一致的形式存在的、特征在于特征性的物理和化学特性的碳化合物。此外,在本说明书的范围中,可以不考虑相应的聚集态将无机材料理解成以化学一致的形式存在的、特征在于特征性的物理和化学特性的不具有碳的化合物或简单碳化合物。在本说明书的范围中,可以不考虑相应的聚集态将有机-无机材料(杂化材料)理解成以化学一致的形式存在的、特征在于特征性的物理和化学特性的具有包含碳的化合物部分和不具有碳的化合物部分的化合物。在本说明书的范围中,术语“材料”包括全部上述材料,例如有机材料、无机材料和/或杂化材料。此外,在本说明书的范围中,例如可以如下理解材料混合物:组成部分由两种或更多种不同的材料构成,其组成部分例如非常精细地分布。将由一种或多种有机材料、一种或多种无机材料或一种或多种杂化材料组成的材料混合物或材料理解成作为材料类。术语“物质”可以与术语“材料”同义地使用。
在本说明书的范围中,可以将下述材料理解成发光材料,所述材料将一个波长的电磁辐射有损耗地转换成其他波长的电磁辐射,例如转换成更长波长的电磁辐射(斯托克斯位移)或更短波长的电磁辐射(反斯托克斯位移),例如借助于磷光性或荧光性进行转换。被吸收的电磁辐射和被发射的电磁辐射的能量差可以转换成光子、即热量和/或借助于发射具有作为能量差的函数的波长的电磁辐射进行转换。
形状稳定的材料可以借助于添加软化剂例如溶剂或提高温度变成可塑性变形、即液化。
可塑性变形的材料可以借助于交联反应和/或排出软化剂变成性状稳定、即固化。
材料或材料混合物的固化、即材料从可变形到形状稳定的过渡可以具有粘度的变化,例如粘度从第一粘度值提高到第二粘度值。第二粘度值可以比第一粘度值大数倍,例如在大约10至大约106的范围中。材料在第一粘度下是可变形的而在第二粘度下是形状稳定的。
材料或材料混合物的固化、即材料从可变形到形状稳定的过渡可以具有下述方法或工艺,其中将低分子的组成部分从材料或材料混合物中移除,例如将材料或材料混合物的低分子的未交联的组成部分或溶剂分子移除,例如对材料或材料混合物的干燥或化学交联。材料或材料混合物在可变形的状态下与在形状稳定的状态下相比具有低分子的材料占整个材料或材料混合物的较高的浓度。
第一本体与第二本体的连接可以是形状配合的、力配合的和/或材料配合的。连接可以以可松开的方式构成,即可逆地构成。在不同的设计方案中,可逆的、配合的连接例如可以实现为螺丝连接、维可牢搭扣、夹紧/使用夹子来实现。
然而,连接也可以不可松开地构成,即不可逆地构成。不可松开的连接在此仅可以借助于破坏连接机构来分开。在不同的设计方案中,不可逆的、配合的连接例如可以实现为铆接链接、粘接连接或钎焊连接。
在材料配合的连接的情况下,第一本体与第二本体可以借助于原子力和/或分子力连接。材料配合的连接通常不会是可松开的连接。在不同的设计方案中,材料配合的连接例如可以实现为粘接连接、焊料连接、例如玻璃焊料的或金属焊料的焊料连接、熔焊连接。
在本说明书的范围中,可以将有害的环境影响理解成下述影响,所述影响会潜在地引起有机材料或材料混合物的退化或老化并进而会限制有机器件的运行持续时间。
有害的环境影响例如可以是对有机材料或有机材料混合物有害的物质,例如氧、水和/或例如溶剂。
然而,有害的环境影响例如也可以是对有机材料或有机材料混合物有害的环境,例如为环境参数变化到临界值之上或之下。环境参数例如可以是温度和/或环境压力。由此,例如会出现有机材料或有机材料混合物的交联、退化和/或结晶等。
在不同的实施方式中,提供一种光电子器件,所述光电子器件具有:玻璃衬底;在玻璃衬底上的玻璃层;和封装件,所述封装件具有玻璃料,其中玻璃料设置在玻璃层上;其中玻璃料借助于玻璃层固定在玻璃衬底上。
在一个设计方案中,封装件可以具有玻璃盖,所述玻璃盖借助于玻璃料与玻璃层配合地连接,例如材料配合地固定。
借助于玻璃料的配合的连接可以理解成光电子器件的被封装的部分例如电有源区域对有害的环境影响的横向密封。
在一个设计方案中,玻璃盖可以具有与玻璃衬底相似的或相同的材料或者由其形成。
在一个设计方案中,在玻璃盖上或上方可以施加第二玻璃层,其中第二玻璃层可以与玻璃衬底上或上方的玻璃层相似地或相同地构建。例如,第二玻璃层可以构建成不具有散射中心的玻璃层。
第二玻璃层可以构建成用于玻璃盖上的玻璃料的增附剂。
在又一个设计方案中,光耦合输出层可以设置在玻璃层上或上方和/或玻璃层可以构建成光耦和输出层。
光耦和输出层例如可以与玻璃层相似地或相同地构建。例如,玻璃层可以不具有散射添加物,并且光耦和输出层可以具有散射添加物。然而,玻璃层例如可以具有与光耦和输出层不同的添加物和/或可以构建为用于光耦和输出层的增附层。
在一个设计方案中,玻璃衬底可以具有软玻璃或由其形成,例如硅酸盐玻璃,例如钙钠硅酸盐玻璃。
在一个设计方案中,玻璃层可以构建成用于在玻璃衬底上的玻璃料的增附剂。
换言之:玻璃层与玻璃衬底和玻璃料的粘附性可以比玻璃料与玻璃衬底的粘附性更强,例如大约大10%、例如大约大20%、例如大约大30%、例如大约大50%、例如大约大100%、例如大约大300%。
在一个设计方案中,玻璃层的热膨胀系数可以匹配于玻璃料的热膨胀系数,或者玻璃料的热膨胀系数可以匹配于玻璃层的热膨胀系数,关于玻璃料的热膨胀系数或玻璃层的热膨胀系数,例如在大约50%的范围之内、例如在大约40%的范围之内、例如在大约30%的范围之内、例如在大约20%的范围之内、例如在大约10%的范围之内、例如大致相等。
换言之:玻璃层和玻璃料可以具有大致相等的热膨胀系数。
在一个设计方案中,玻璃层的软化点可以匹配于玻璃料的软化点,或者玻璃料的软化点可以匹配于玻璃层的软化点,关于玻璃料的软化点或玻璃层的软化点,例如在大约50%的范围之内、例如在大约40%的范围之内、例如在大约30%的范围之内、例如在大约20%的范围之内、例如在大约10%的范围之内、例如大致相等、例如在小于大约100℃的温度范围之内、例如在小于大约70℃的温度范围之内、例如在小于大约50℃的温度范围之内、例如在小于大约20℃的温度范围之内。
换言之:玻璃层和玻璃料可以具有大致相同的软化点。
在一个设计方案中,玻璃层可以整面地设置在玻璃衬底上或上方。
在又一个设计方案中,玻璃层可以具有大于或大致等于层横截面中的其他层的折射率的平均折射率。
在一个设计方案中,玻璃层可以具有至少大约1.5的折射率、例如至少大约1.6的折射率、例如至少大约为1.65的折射率、例如大约1.7至大约2.5的范围的折射率。
在又一个设计方案中,玻璃层可以具有在大约1μm至大约100μm的范围中、例如在大约10μm至大约100μm的范围中、例如大约为25μm的厚度。
在又一个设计方案中,玻璃层可以构成为有机发光二极管和/或有机太阳能电池的剖平面中的层。
在一个设计方案中,玻璃层可以具有基质和在其中分布的添加物。
在又一个设计方案中,玻璃层的基质可以具有大于大约1.7的折射率。
在又一个设计方案中,玻璃层的基质可以无定形地构成。
在又一个设计方案中,玻璃层的基质可以具有选自下述玻璃体系组的材料或材料混合物或者由其形成:含PbO的体系:PbO-B2O3、PbO-SiO2、PbO-B2O3-SiO2、PbO-B2O3-ZnO2、PbO-B2O3-Al2O3,其中含PbO的玻璃料也可以具有Bi2O3;含Bi2O3的体系:Bi2O3-B2O3、Bi2O3-B2O3-SiO2、Bi2O3-B2O3-ZnO、Bi2O3-B2O3-ZnO-SiO2。
在又一个设计方案中,含Bi的玻璃层可以附加地具有选自下述材料组的材料或材料混合物:Al2O3、碱土金属氧化物、碱金属氧化物、ZrO2、TiO2、HfO2、Nb2O5、Ta2O5、TeO2、WO3、MO3、Sb2O3、Ag2O、SnO2、稀土元素氧化物。
在一个设计方案中,可以对基质的玻璃掺入吸收UV的添加物作为玻璃组分。例如,为了提高在玻璃熔融的工艺中的UV吸收,可以为低熔点的玻璃、例如含铅的玻璃作为玻璃配料组成部分添加具有Ce-、Fe-、Sn-、Ti-、Pr-、Eu-和/或V-化合物的材料或材料混合物。
玻璃的热液化即熔化可以理解成玻璃熔融的工艺。吸收UV的添加物可以作为组成部分在玻璃中溶解。紧接着玻璃熔融的工艺,玻璃可以粉末化地以覆层的方式施加到载体上并且随后借助于热处理来玻璃化。
在又一个设计方案中,基质的材料或材料混合物与玻璃衬底相比可以具有本征更小的UV透射率。
借助于基质的较小的UV透射率,在玻璃层上或上方可以构成用于层的UV保护。玻璃层的基质相对玻璃衬底的较小的UV透射率例如可以借助于对UV辐射的较高的吸收和/或反射构成。
在又一个设计方案中,玻璃层的基质的材料或材料混合物可以在达到最大大约600℃的温度下被液化。
在又一个设计方案中,基质可以具有至少一种类型的添加物。
在一个设计方案中,添加物可以具有无机材料或无机材料混合物或者由其形成。
在又一个设计方案中,至少一种类型的添加物可以具有选自下述材料组的材料或材料混合物或化学计量的化合物或者由其形成:TiO2、CeO2、Bi2O3、ZnO、SnO2、Al2O3、SiO2、Y2O3、ZrO2、发光材料、染料、以及吸收UV的玻璃颗粒、适当的吸收UV的金属纳米颗粒,其中发光材料例如可以吸收UV范围中的电磁辐射。
在又一个设计方案中,添加物可以作为颗粒、例如颗粒状的添加物构成。
在又一个设计方案中,添加物可以具有拱起的表面,例如与光学透镜相似或相同。
在又一个设计方案中,颗粒状的添加物可以具有选自下述形状组的几何形状和/或几何形状的一部分:球形的、非球形的、例如棱柱形的、椭圆形的、空心的、紧凑的、小板形的或小棒形的。
在一个设计方案中,颗粒状的添加物可以具有玻璃或由其形成。
在一个设计方案中,颗粒状的添加物可以具有在大约0.1μm至大约10μm的范围中、例如在大约0.1μm至大约1μm的范围中的平均粒度。
在又一个设计方案中,在玻璃层中的在玻璃衬底上或上方的添加物可以具有厚度大约为0.1μm至大约100μm的层片。
在又一个设计方案中,玻璃层的添加物可以具有在玻璃衬底上或上方相叠的多个层片,其中各个层片可以不同地构成。
在又一个设计方案中,在添加物的层片中,至少一种颗粒状的添加物的颗粒状的添加物的平均大小可以从玻璃衬底的表面开始减小。
在又一个设计方案中,添加物的各个层片可以具有不同的平均大小的颗粒状的添加物和/或对在至少一个波长范围中的电磁辐射具有不同的透射率,例如在波长小于大约400nm的情况下。
在又一个设计方案中,添加物的各个层片可以具有不同的平均大小的颗粒状的添加物和/或对电磁辐射具有不同的折射率。
在又一个设计方案中,玻璃层可以构建成散射层,即构建成光耦和输出层或光耦合输入层。
在一个设计方案中,玻璃层可以具有颗粒状的添加物,所述颗粒状的添加物构建成用于电磁辐射例如光的散射颗粒,其中散射颗粒可以在基质中分布。
换言之:基质可以具有至少一种类型的散射添加物,使得玻璃层附加地对入射的在至少一个波长范围中的电磁辐射构成散射作用,例如借助于散射颗粒或散射添加物的与基质不同的折射率和/或直径,所述直径大致对应于要散射的辐射的波长的大小。
散射作用可以涉及电磁辐射,所述电磁辐射由在玻璃层上或上方的有机功能层系统发射或吸收,例如以便提高光耦合输入或光耦合输出。
在又一个设计方案中,具有散射添加物的玻璃层可以具有散射添加物的折射率与基质的折射率的为大于大约0.05的差。
在一个设计方案中,添加物可以构建成染料。
在本说明书的范围中,可以将下述化学化合物或颜料理解成染料,所述化学化合物或颜料可以将其他的材料或材料混合物染色,即改变材料的或材料混合物的外部的外观。也可以将术语“染色”理解成借助于染料“变色”,其中可以将材料的外部的颜色变色,而不将材料染色,即材料的“变色”并非可以始终具有材料的“颜色”。
作为有机染料,下面的材料类和染料的衍生物可以是适当的:
吖啶、吖啶酮、蒽醌、蒽、菁、丹酰、方酸(Squaryllium)、螺吡喃、硼二吡咯(BODIPY)、二萘嵌苯、芘、萘、黄素、吡咯、卟吩和其金属络合物、二芳基甲烷、三芳基甲烷、硝基、亚硝基、酞菁和其金属络合物、醌、偶氮、靛酚、恶嗪、恶酮、噻嗪、噻唑、氧杂蒽、芴、荧光酮(flurone)、派若宁、若丹明、香豆素、金属茂络合物。
在一个设计方案中,染料可以具有选自下述无机染料类、无机染料衍生物或无机染料颜料组的无机材料或由其形成:过渡金属、稀土元素氧化物、硫化物、氰化物、氧化铁、硅酸锆、钒酸铋、氧化铬。
在一个设计方案中,染料可以具有纳米颗粒或由其构成例如碳、例如炭黑、金、银、铂。
在一个设计方案中,借助于染料可以改变玻璃层的光学外观。
在一个设计方案中,染料可以吸收应用特定的不相关、例如大于大约700nm的波长范围中的电磁辐射。
由此,可以改变玻璃层的光学外观,例如将玻璃层染色,而不使在对光电子器件的应用在技术上不相关的区域中的效率变差。
在一个设计方案中,玻璃层的添加物可以构建成一种吸收UV的添加物,其中吸收UV的相对基质的添加物和/或玻璃衬底减小对至少在一个波长范围中具有小于大约400nm的波长的电磁辐射的透射率。
具有相对玻璃衬底和/或基质的吸收UV的添加物的玻璃层的较小的UV透射率例如可以借助于通过吸收UV的添加物对UV辐射的较高的吸收和/或反射和/或散射来构成。
在一个设计方案中,一种吸收UV的添加物可以具有选自下述材料组的材料、材料混合物或化学计量的化合物或者由其形成:TiO2、CeO2、Bi2O3、ZnO、SnO2、发光材料、吸收UV的玻璃颗粒和/或适当的吸收UV的金属纳米颗粒,其中发光材料、玻璃颗粒和/或纳米颗粒例如可以吸收UV范围中的电磁辐射。
吸收UV的纳米颗粒可以不具有或具有在熔融的玻璃料中的低可溶解性和/或与其不反应或只是差地反应。此外,纳米颗粒不会引起或仅引起少量地散射电磁辐射,例如具有小于大约50nm的粒度的纳米颗粒,例如由TiO2、CeO2、ZnO或Bi2O3构成。
在一个设计方案中,玻璃层的添加物可以构成为转换波长的添加物、例如构成为发光材料。发光材料可以具有斯托克斯位移并且将入射电磁辐射以较长的波长发射或者具有反斯托克斯位移并且将入射电磁辐射以较短的波长发射。
在本说明书的范围中,发光材料例如可以具有Ce3+掺杂的石榴石、如YAG:Ce和LuAG、例如(Y,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce3+;Eu2+掺杂的氮化物、例如CaAlSiN3:Eu2+,(Ba,Sr)2Si5N8:Eu2+;Eu2+掺杂的硫化物、SIONe、SiAlON、正硅酸盐、例如(Ba,Sr)2SiO4:Eu2+;氯硅酸盐、氯磷酸盐、BAM(钡镁铝酸盐:Eu)和/或SCAP、卤化磷酸盐或者由其形成。
在又一个设计方案中,添加物可以散射电磁辐射、吸收UV辐射、转换电磁辐射的波长和/或将玻璃层染色。
例如可以散射电磁辐射并且不能吸收UV辐射的添加物例如可以具有Al2O3、SiO2、Y2O3或ZrO2或由其形成。
例如散射电磁辐射并且转换电磁辐射的波长的添加物例如可以构建成具有发光材料的玻璃颗粒。
在一个设计方案中,玻璃层可以结构化,例如在形貌上、例如横向地和/或竖直地机构化;例如借助于玻璃层的不同的材料组成结构化,例如横向地和/或竖直地例如借助至少一种添加物的不同的局部浓度结构化。
在一个设计方案中,玻璃层中的添加物在玻璃料的区域中的浓度小于或大于在玻璃层上或上方的光学有源区域中的浓度。光学有源区域例如可以大致对应于光电子器件的电有源区域。
在一个设计方案中,玻璃层可以在玻璃层与玻璃料连接的区域中结构化。
在一个设计方案中,玻璃层在与玻璃料物理接触的区域中的结构化部例如可以构建为提高玻璃料在玻璃层上或上方定位的精确性,例如构建凹陷部。
在一个设计方案中,玻璃层可以具有结构化的边界面。
结构化的边界面例如可以借助于在玻璃层的边界面中的一个边界面上构成图案或将边界面中的一个边界面粗糙化来构成。
在一个设计方案中,玻璃层的结构化的边界面可以由微透镜形成。
微透镜和/或边界面粗糙度例如可以理解成散射中心,例如以用于提高光耦合输入/光耦合输出。
在一个设计方案中,玻璃料可以具有与玻璃衬底上或上方的玻璃层相似的或相同的材料或由其形成。
然而,玻璃料的材料或材料混合物例如可以具有与玻璃衬底相比更高的软化点和/或更高的热膨胀。
在一个设计方案中,玻璃料可以具有在大约0.1μm至大约100μm的范围中、例如在大约1μm至大约20μm的范围中的厚度。
在不同的实施方式中,提供一种用于制造光电子器件的方法,所述方法具有:在玻璃衬底上或上方构成玻璃层;构成封装件,其中构成封装件具有:在玻璃层上或上方施加至少一种玻璃料,其中玻璃料借助于玻璃层与玻璃衬底配合地连接。
在方法的一个设计方案中,可以将至少一种玻璃料施加到玻璃衬底的至少一个区域上。
在方法的一个设计方案中,构成配合的连接可以具有:玻璃料的熔化和固化,使得配合的连接构成为横向的、气密密封的封装件。
在方法的一个设计方案中,方法还可以具有:在玻璃层上或上方构成光电子器件的层。
在方法的一个设计方案中,方法还可以具有:在至少一种玻璃料上或上方施加玻璃盖。
在方法的一个设计方案中,熔化的玻璃料可以将玻璃层和玻璃盖配合地彼此连接。
配合的连接可以构成为,使得玻璃料构成光电子器件对有害的环境影响的横向密封。
在方法的一个设计方案中,配合的连接可以构成为,使得构建光电子器件的层的气密密封的封装件。
换言之:玻璃盖、玻璃料和玻璃衬底可以对有害的环境影响气密地封闭、例如隔离由玻璃盖、玻璃料和玻璃衬底包围的层。
在方法的一个设计方案中,玻璃盖可以具有与玻璃衬底相似的或相同的材料或者由其形成。
在方法的一个设计方案中,在玻璃盖上或上方可以施加第二玻璃层,其中第二玻璃层可以与玻璃衬底上或上方的玻璃层相似地或相同地构建。
第二玻璃层例如可以构建成用于玻璃盖上的玻璃料的增附剂。
在方法的又一个设计方案中,可以在玻璃层上或上方构成光耦和输出层和/或玻璃层可以构成为光耦和输出层。
光耦和输出层例如可以与玻璃层相似地或相同地构建。例如,玻璃层可以不具有散射添加物并且光耦和输出层可以具有散射添加物。然而,玻璃层例如可以设计成具有与光耦和输出层不同的添加物和/或构建为用于光耦和输出层的增附层。
在方法的一个设计方案中,玻璃衬底可以具有软玻璃或由其形成,例如硅酸盐玻璃,例如钙钠硅酸盐玻璃。
在方法的一个设计方案中,玻璃层可以具有在玻璃衬底上或上方的熔化的玻璃焊料粉末或者由其形成,其中熔化的玻璃层与熔化的玻璃料相比具有与玻璃衬底较强的粘附性。
在方法的一个设计方案中,玻璃层的玻璃焊料粉末的材料或材料混合物可以具有选自下述玻璃体系组的材料或材料混合物或者由其形成:含PbO的体系:PbO-B2O3、PbO-SiO2、PbO-B2O3-SiO2、PbO-B2O3-ZnO2、PbO-B2O3-Al2O3,其中含PbO的玻璃焊料也可以具有Bi2O3;含Bi2O3的体系:Bi2O3-B2O3、Bi2O3-B2O3-SiO2、Bi2O3-B2O3-ZnO、Bi2O3-B2O3-ZnO-SiO2。
在方法的一个设计方案中,玻璃层的热膨胀系数可以匹配于玻璃料的热膨胀系数,例如借助与玻璃层的和/或玻璃料的材料组成例如在玻璃料与玻璃层物理接触的区域中的匹配。
例如,玻璃层可以横向串行地构成。换言之:玻璃层可以在玻璃衬底的边缘区域中以与光学有源区域不同的材料组成构成。
在方法的一个设计方案中,玻璃层的软化点可以匹配于玻璃料的软化点,例如借助于玻璃层和/或玻璃料的材料组成例如在玻璃料与玻璃层物理接触的区域中的匹配。
在方法的一个设计方案中,玻璃层可以整面地施加在玻璃衬底上或上方。
在方法的又一个设计方案中,玻璃层可以具有大于或大致等于光电子器件的层横截面中的其他层的折射率的平均折射率。
在方法的一个设计方案中,玻璃层可以具有至少大约1.5的折射率、例如至少大约1.6的折射率、例如至少大约1.65的折射率、例如大约1.7至大约2.5的范围中的折射率。
在方法的又一个设计方案中,玻璃层可以构成为具有在大约1μm至大约100μm的范围中、例如在大约10μm至大约100μm的范围中、例如大约为25μm的厚度。
在方法的又一个设计方案中,玻璃层可以构成为有机发光二极管或有机太阳能电池的剖平面中的层。
在方法的又一个设计方案中,玻璃层的基质可以具有大于大约1.7的折射率。
在方法的又一个设计方案中,玻璃层的基质可以无定形地构成。
在方法的又一个设计方案中,玻璃层的基质可以具有选自下述玻璃体系组的材料或材料混合物或者由其形成:含PbO的体系:PbO-B2O3、PbO-SiO2、PbO-B2O3-SiO2、PbO-B2O3-ZnO2、PbO-B2O3-Al2O3,其中含PbO的玻璃焊料也可以具有Bi2O3;含Bi2O3的体系:Bi2O3-B2O3、Bi2O3-B2O3-SiO2、Bi2O3-B2O3-ZnO、Bi2O3-B2O3-ZnO-SiO2。
在方法的又一个设计方案中,含Bi的玻璃层可以附加地具有选自下述材料组的材料或材料混合物:Al2O3、碱土金属氧化物、碱金属氧化物、ZrO2、TiO2、HfO2、Nb2O5、Ta2O5、TeO2、WO3、MO3、Sb2O3、Ag2O、SnO2、稀土元素氧化物。
在方法的一个设计方案中,可以对基质的玻璃掺入吸收UV的添加物作为玻璃组分。例如,为了提高在玻璃熔融的工艺中的UV吸收,可以为低熔点的玻璃、例如含铅的玻璃作为玻璃配料组成部分添加具有Ce-、Fe-、Sn-、Ti-、Pr-、Eu-和/或V-化合物的材料或材料混合物。
在方法的又一个设计方案中,玻璃层的基质的材料或材料混合物与玻璃衬底相比可以具有本征更小的UV透射率。
在方法的又一个设计方案中,玻璃层的基质的材料或材料混合物可以在达到最大大约600℃的温度下被液化。
在方法的又一个设计方案中,基质可以具有至少一种添加物。
在一个设计方案中,添加物可以具有无机材料或无机材料混合物或者由其形成。
在方法的又一个设计方案中,一种添加物可以具有选自下述材料组的材料或材料混合物或化学计量的化合物或者由其形成:TiO2、CeO2、Bi2O3、ZnO、SnO2、Al2O3、SiO2、Y2O3、ZrO2、发光材料、染料、以及吸收UV的玻璃颗粒、适当的吸收UV的金属纳米颗粒,其中发光材料例如可以吸收UV范围中的电磁辐射。
在方法的又一个设计方案中,添加物可以作为颗粒、例如颗粒状的添加物构成。
在方法的又一个设计方案中,添加物可以具有拱起的表面。
在方法的又一个设计方案中,散射添加物的几何形状可以具有选自下述形状组的几何形状和/或几何形状的一部分:球形的、非球形的、例如棱柱形的、椭圆形的、空心的、紧凑的、小板形的或小棒形的。
在方法的一个设计方案中,颗粒状的添加物可以具有玻璃或由其形成。
在方法的一个设计方案中,颗粒状的添加物可以具有在大约0.1μm至大约10μm的范围中、例如在大约0.1μm至大约1μm的范围中的平均粒度。
在方法的又一个设计方案中,在玻璃衬底上或上方的在玻璃层中的添加物可以具有厚度为大约5nm至大约100μm的层片。
在方法的又一个设计方案中,玻璃层的添加物可以作为多个层片相叠地在玻璃衬底上或上方施加,其中各个层片可以不同地构成。
在方法的又一个设计方案中,添加物的层片可以构成为,使得在添加物的层片中,至少一种添加物的颗粒状的添加物的平均大小可以从玻璃衬底的表面开始减小。
在方法的又一个设计方案中,添加物的各个层片可以具有不同的平均大小的颗粒状的添加物和/或对在至少一个波长范围中的电磁辐射的不同的透射率,例如在波长小于大约400nm的情况下。
在方法的又一个设计方案中,添加物的各个层片可以构成为具有不同的平均大小的颗粒状的添加物和/或对电磁辐射的不同的折射率。
在方法的一个设计方案中,玻璃层还可以构成成散射层。
在方法的一个设计方案中,添加物可以构建成散射颗粒,其中散射颗粒可以在基质中分布。
在方法的又一个设计方案中,具有散射添加物的玻璃层可以构成散射添加物的折射率与基质的折射率的为大于大约0.05的差。
在方法的一个设计方案中,添加物可以具有染料或构建成染料。
在方法的一个设计方案中,借助于染料可以改变玻璃层的光学外观。
在方法的一个设计方案中,染料可以吸收应用特定的不相关的、例如大于大约700nm的波长范围中的电磁辐射。
在方法的一个设计方案中,玻璃层的添加物可以构成至少一种吸收UV的添加物,其中吸收UV的添加物相对基质和/或玻璃衬底减小对至少在一个波长范围中的具有小于大约400nm的波长的电磁辐射的透射率。
在方法的一个设计方案中,一种吸收UV的添加物可以具有选自下述材料组的材料、材料混合物或化学计量的化合物或者由其形成:TiO2、CeO2、Bi2O3、ZnO、SnO2、发光材料、吸收UV的玻璃颗粒和/或适当的吸收UV的金属纳米颗粒,其中发光材料、玻璃颗粒和/或纳米颗粒构成为吸收UV范围中的电磁辐射。
在方法的一个设计方案中,玻璃层可以构成为具有转换波长的添加物、例如发光材料。
在方法的又一个设计方案中,添加物可以散射电磁辐射、吸收UV辐射和/或转换电磁辐射的波长。
在方法的一个设计方案中,颗粒状的添加物可以以层片形式构成或施加在玻璃衬底上或上方。
基质的材料的或材料混合物的玻璃焊料粉末可以在添加物的层片上或上方施加。
随后,可以将玻璃焊料粉末液化,使得液化的玻璃焊料的一部分在颗粒状的添加物之间向玻璃衬底的表面流动,以至于液化的玻璃的一部分仍留在添加的颗粒状的添加物之上。
玻璃层在颗粒状的添加物之上的部分可以具有等于或大于没有玻璃的颗粒状的添加物的最上面的层片的粗糙度的厚度,使得构成至少一个光滑的表面,即表面可以具有小的RMS粗糙度(root mean square,均方根),例如小于10nm。
对方法的所述设计方案重要的是:在施加添加物之后液化玻璃焊料。由此,可以设定颗粒状的添加物在玻璃层中的分布并且在玻璃层的基质的材料的或材料混合物的玻璃焊料的唯一的液化工艺中、例如在唯一的退火工艺中构成玻璃层的光滑的表面。
在该意义下,由基质的材料或材料混合物的玻璃焊料颗粒或借助基质的材料或材料混合物的玻璃焊料粉末制造悬浮物或膏并不理解成液化,因为玻璃颗粒的外观不因悬浮而发生改变。
在方法的另一个设计方案中,为了构成玻璃层,可以将基质的材料或材料混合物的玻璃焊料粉末与添加物混合并且作为膏或悬浮物借助于丝网或模板印刷施加到玻璃衬底上。这在玻璃化之后可以引起添加物在玻璃基质中的均匀的分布。
其他的用于由悬浮物或膏制造层的方法例如可以是刮涂或也还可以是喷涂法。
在方法的又一个设计方案中,基质的材料或材料混合物的玻璃焊料和/或颗粒状的添加物位于其中的悬浮物或膏除了基质的材料或材料混合物的玻璃焊料和/或颗粒状的添加物之外还可以具有液态的、蒸发的和/或有机的组成部分。
所述组成部分例如可以是不同的添加剂,例如溶剂、粘合剂、例如纤维素、纤维素衍生物、硝化纤维素、醋酸纤维素、丙烯酸酯,并且可以添加给颗粒状的添加物或玻璃焊料颗粒以用于设定用于相应的方法和相应追求的层厚度的粘度。
通常可以是液态的和/或挥发性的有机添加物可以以热学的方式从玻璃焊料层中移除,即层可以被热干燥。非挥发性的有机添加物可以借助于热解移除。提高温度可以实现或加速干燥或热解。
在方法的又一个设计方案中,基质的材料或材料混合物的玻璃焊料颗粒悬浮物或玻璃焊料颗粒膏和包含颗粒状的添加物(对于不同的膏或悬浮物的情况)的悬浮物或膏可以具有可彼此混合的液态的、蒸发的和/或有机的组分。由此,可以防止在包含颗粒状的添加物的干燥的悬浮物或膏或包含颗粒状的添加物的干燥的玻璃层悬浮物或膏之内添加物的沉淀或相分离。
在方法的又一个设计方案中,基质的材料或材料混合物的玻璃焊料颗粒悬浮物或玻璃焊料颗粒膏和/或包含颗粒状的添加物的膏可以借助于蒸发的组成部分干燥。
在方法的又一个设计方案中,借助于提高温度可以将有机的组成部分(粘合剂)从颗粒状的添加物的干燥的层和/或从干燥的玻璃焊料粉末层中基本上完全移除。
在方法的又一个设计方案中,借助于将温度提高到第二值上,其中第二温度比干燥的第一温度高得多,玻璃焊料或玻璃焊料粉末可以被软化,使得其可以流动,例如变成液态。
用于基质的玻璃粉末层的液化或玻璃化的第二温度值的最大值可以与具体的玻璃衬底相关。温度状况(温度和时间)可以选择成,使得玻璃衬底不变形,但是基质的玻璃粉末层的玻璃焊料已经具有一定粘度,使得其平滑地运行,即流动并且可以构成非常光滑的玻璃状的表面。
基质的玻璃粉末层的玻璃可以具有第二温度、即玻璃化温度,例如在玻璃衬底的转变点之下(玻璃衬底的粘度大约为η=1014.5dPa·s),并且最大在玻璃衬底的软化温度(玻璃衬底的粘度大约为η=107.6dPa·s)处,例如在软化温度之下并且大约在上部的冷却点(玻璃衬底的粘度大约为η=1013.0dPa·s)处。
在方法的又一个设计方案中,基质的材料或材料混合物的玻璃焊料粉末构成为玻璃粉末并且在达到最大大约600℃的温度下玻璃化,即基质的材料或材料混合物的玻璃焊料粉末软化,使得可以构成光滑的表面。
换言之:玻璃层的基质的材料或材料混合物的玻璃焊料粉末在将钙钠硅酸盐玻璃用作为玻璃衬底的情况下在达到最大大约600℃的温度下例如在大约500℃下玻璃化。
玻璃衬底的材料或材料混合物例如钙钠硅酸盐玻璃在基质的材料或材料混合物的玻璃焊料粉末的玻璃化温度下应当是热稳定的,即具有不变的层横截面。
在方法的又一个设计方案中,借助于在颗粒状的添加物之间的液化的玻璃,可以构成玻璃衬底与在颗粒状的添加物之上的基质的液化的玻璃的至少一个无间隙的连续的玻璃连接。
在方法的又一个设计方案中,在颗粒状的添加物之上的基质的液化的玻璃的表面可以在固化之后借助于局部加热再次附加地光滑化。
在方法的又一个设计方案中,局部加热可以借助于等离子体或激光辐射构成。
在又一个设计方案中,可以将基质的材料或材料混合物的玻璃焊料膜施加到玻璃衬底上,例如铺设或卷开到玻璃衬底上。
在一个设计方案中,可以将所施加的玻璃焊料膜与玻璃衬底配合地连接。
在玻璃焊料膜与玻璃衬底配合地连接时,配合的连接可以借助于层压、例如借助于玻璃化在达到大约600℃的温度下构成。
在方法的一个设计方案中,玻璃层可以结构化,例如在形貌上结构化,例如横向地和/或竖直地结构化;例如借助于玻璃层的不同的成分,例如横向地和/或竖直地结构化,例如借助至少一种添加物的不同的局部浓度来结构化。
在方法的一个设计方案中,在玻璃层中添加物在玻璃料的区域中的浓度与在光学有源区域的区域中相比可以更大或更小,例如大约为在玻璃层上或上方的电有源区域的浓度。
在方法的一个设计方案中,玻璃层可以在配合的连接的区域中结构化。
在方法的一个设计方案中,玻璃层在与玻璃料物理接触的区域中的结构化可以构建成用于玻璃料在玻璃层上或上方的定位,例如作为凹陷部。
在方法的一个设计方案中,玻璃层可以具有结构化的边界面。
在方法的一个设计方案中,玻璃层的结构化的边界面可以构成为微透镜。
在方法的一个设计方案中,玻璃料可以具有与玻璃衬底上或上方的玻璃层相似或相同的材料或者由其形成,例如与玻璃层的基质的材料或材料混合物相似或相同。
在一个设计方案中,可以将玻璃料的材料或材料混合以玻璃焊料膏形式施加到玻璃层上或上方。
玻璃料的玻璃焊料膏例如可以构建成与基质的玻璃焊料膏的设计方案中的一个设计方案相似或相同。
换言之:在将玻璃盖施加到玻璃料上时玻璃料的材料或材料混合物可以是可变形的,使得玻璃料可以与玻璃盖构成形状配合的连接。
在一个设计方案中,玻璃料可以作为玻璃化的玻璃料颗粒施加到玻璃层上或上方。
在方法的一个设计方案中,借助于玻璃料构成玻璃盖与玻璃层的配合的连接可以借助于玻璃料的熔化来构成。
在方法的一个设计方案中,玻璃料的材料或材料混合物可以借助于用光子轰击来熔化,例如直至将温度提高到大约高于玻璃料的软化温度。
在方法的又一个设计方案中,玻璃料的材料或材料混合物在达到最大大约600℃的温度下可以被液化。
用光子轰击例如可以构成为波长在大约200nm至大约1700nm的范围中、例如在大约700nm至大约1700nm的范围中的激光,例如以聚焦的方式(例如焦点直径在大约10μm至大约2000μm的范围中),例如以脉冲的方式(例如脉冲持续时间在大约100fs至大约0.5ms的范围中,例如功率为大约50mW至大约1000mW,例如功率密度为大约100kW/cm2至大约10GW/cm2,并且例如重复率在大约100Hz至大约1000Hz的范围中)。
在方法的一个设计方案中,玻璃料可以构成为具有在大约0.1μm至大约100μm的范围中、例如在大约1μm至大约20μm的范围中的厚度。
附图说明
在附图中,类似的附图标记通常表示在不同的视图中的相同的部件。附图不必是合乎比例的,而是通常将重点放在阐明所公开的实施例的原理。在下文中,通过参考以下附图来说明多个实施例,其中:
图1示出根据不同的实施例的光电子器件的示意横截面图;
图2示出有机光电子器件的两个封装件的示意横截面图;
图3示出有机光电子器件的另一个封装件的示意横截面图。
图4示出根据不同的实施例的用于制造光电子器件的方法的图表;以及
图5示出根据不同的实施例的光电子器件的示意横截面图。
具体实施方式
在下面详细的描述中参考附图,所述附图形成所述描述的一部分,并且在所述附图中示出可以实施本发明的具体的实施方式以用于说明。在此方面,相关于所描述的一个(多个)附图的定向而使用方向术语例如“上”、“下”、“前”、“后”、“前部”、“后部”等等。因为实施方式的组成部分可以以多个不同的定向来定位,所以方向术语用于说明而绝无限制作用。要理解的是,可以使用其他的实施方式并且可以进行结构上的或逻辑上的改变,而不偏离本发明的保护范围。要理解的是,只要没有特殊地另外说明,就可以将在此描述的不同的示例性的实施方式的特征互相组合。因此,下面详细的描述不能理解为受限制的意义,并且本发明的保护范围通过附上的权利要求来限定。
在本说明书的范围内,术语“连接”、“联接”以及“耦联”用于描述直接的和间接的连接、直接的或间接的联接以及直接的或间接的耦联。在附图中,只要是适当的,相同的或相似的元件就设有相同的附图标记。
图1示出根据不同实施例的光电子器件的示意横截面图。
在没有限制普遍性的情况下将根据不同的设计方案的光电子器件作为提供电磁辐射的光电子器件描述。
然而,也可以将光电子器件的示出的设计方案用于吸收电磁辐射的光电子器件。
光电子器件100例如提供电磁辐射的有机电子器件100、例如发光有机器件100、例如以有机发光二极管100的形式的发光有机器件100可以具有玻璃衬底102。
玻璃衬底102例如可以用作用于电子元件或层、例如用于发光元件的载体元件。
例如,玻璃衬底102可以具有玻璃、例如软玻璃、例如硅酸盐玻璃、例如钙钠玻璃或任意其他适当的材料或由其形成。
玻璃衬底102可以构成为是半透明的或甚至是透明的。
术语“半透明”或“半透明层”在不同的实施例中可以理解为:层对于光是可穿透的,例如对于由发光器件所产生的例如一个或多个波长范围的光是可穿透的,例如对于可见光的波长范围内的光是可穿透的(例如至少在380nm至780nm的波长范围的子范围内)。例如,术语“半透明层”在不同的实施例中理解为:耦合输入到结构(例如层)中的全部光量基本上也从该结构(例如层)中耦合输出,其中光的一部分在此可以被散射。
术语“透明”或“透明层”在不同的实施例中可以理解为:层对于光是可穿透的(例如至少在380nm至780nm的波长范围的子范围内),其中耦合输入到结构(例如层)中的光基本上在没有散射或光转换的情况下也从该结构(例如层)中耦合输出。因此,“透明”在不同的实施例中可以视作为“半透明”的特殊情况。
对于例如应当提供单色发光的或在发射光谱上受限的电子器件的情况而言足够的是:光学半透明的层结构至少在期望的单色光的波长范围的子范围内或者对于受限的发射光谱是半透明的。
在不同的实施例中,有机发光二极管100(或还有根据在上文中或还要在下文中描述的实施例的发光器件)可以构建成所谓的顶部和底部发射器。顶部和底部发射器也可以称作为光学透明器件,例如透明有机发光二级管。
在不同的实施例中,可以可选地在玻璃衬底102上或上方设置有阻挡层104。阻挡层104可以具有下述材料中的一种或多种材料或者由其构成:氧化铝、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化钽、氧化镧、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝掺杂的氧化锌、以及它们的混合物和合金。此外,阻挡层104在不同的实施例中可以具有在大约0.1nm(原子层)至大约5000nm的范围内的层厚度,例如在大约10nm至大约200nm的范围内的层厚度,例如为大约40nm的层厚度。
在阻挡层104上或上方,或者如果阻挡层104是可选的:在玻璃衬底102上或上方,可以施加根据不同的设计方案的玻璃层504。
玻璃层504的其他详细说明可以从说明书和/或对图4和图5的描述中获得。
在玻璃层504上或上方,可以设置发光器件100的电有源区域106。电有源区域106可以理解为发光器件100的其中有用于驱动发光器件100的电流流动的区域。
在不同的实施例中,电有源区域106可以具有第一电极110、第二电极114和有机功能层结构112,如其在下面更详细阐述的那样。
因此,在不同的实施例中,在玻璃层504上或上方可以施加有第一电极110(例如以第一电极层110的形式)。第一电极110(在下文中也称为下部电极110)可以由导电材料形成或者是导电材料,例如由金属或透明导电氧化物(transparent conductive oxide,TCO)形成或由相同金属的或不同金属的和/或相同TCO的或不同TCO的多个层的层堆来形成。透明导电氧化物是透明导电材料,例如金属氧化物,例如氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟或铟锡氧化物(ITO)。除了二元金属氧化物例如ZnO、SnO2或In2O3以外,三元金属氧化物例如AlZnO、Zn2SnO4、CdSnO3、ZnSnO3、Mgln2O4、GaInO3、Zn2In2O5或In4Sn3O12或不同的透明导电氧化物的混合物也属于TCO族并且可以在不同的实施例中使用。此外,TCO并不一定符合化学计量的组分并且还可以是p型掺杂的或n型掺杂的。
在不同的实施例中,第一电极110可以具有金属;例如Ag、Pt、Au、Mg、Al、Ba、In、Ca、Sm或Li、以及这些材料的化合物、组合或合金。
在不同的实施例中,可以由在TCO层上的金属层的组合的层堆形成第一电极110,或者反之。一个示例是施加在铟锡氧化物层(ITO)上的银层(ITO上的Ag)或ITO-Ag-ITO复层。
在不同的实施例中,替选于或附加于上述材料,第一电极110可以具有下述材料中的一种或多种:由金属的纳米线(例如由Ag构成)和纳米微粒构成的网络;由碳纳米管构成的网络;石墨微粒和石墨层;由半导体纳米线构成的网络。
此外,第一电极110可以具有导电聚合物或过渡金属氧化物或导电透明氧化物。
在不同的实施例中,第一电极110和玻璃衬底102可以构成为是半透明的或透明的。在第一电极110具有金属或由其形成的情况下,第一电极110例如可以具有小于或等于大约25nm的层厚度、例如小于或等于大约20nm的层厚度、例如小于或等于大约18nm的层厚度。此外,第一电极110例如可以具有大于或等于大约10nm的层厚度、例如大于或等于大约15nm的层厚度。在不同的实施例中,第一电极110可以具有在大约10nm至大约25nm范围内的层厚度、例如在大约10nm至大约18nm范围内的层厚度、例如在大约15nm至大约18nm范围内的层厚度。
此外,对于第一电极110具有透明导电氧化物(TCO)或由其形成的情况而言,第一电极110例如可以具有在大约50nm至大约500nm范围内的层厚度、例如在大约75nm至大约250nm范围内的层厚度、例如在大约100nm至大约150nm范围内的层厚度。
此外,对于第一电极110例如由可与导电聚合物组合的金属的纳米线(如由Ag构成)构成的网络形成、由可与导电聚合物组合的碳纳米管构成的网络形成或者由石墨层和复合材料形成的情况而言,第一电极110例如可以具有在大约1nm至大约500nm范围内的层厚度、例如在大约10nm至大约400nm范围内的层厚度、例如在大约40nm至大约250nm范围内的层厚度。
第一电极110可以构成为阳极、即构成为注入空穴的电极,或者构成为阴极、即构成为注入电子的电极。
第一电极110可以具有第一电接触垫,第一电势(由能量源(未示出)、例如由电流源或电压源提供)可以施加到所述第一电接触垫上。替选地,第一电势可以施加到玻璃衬底102上或者是施加到玻璃衬底102上的,并且然后经由此间接地施加到第一电极110上或者是施加到第一电极110上的。第一电势例如可以是接地电势或者是不同地预设的参考电势。
此外,发光器件100的电有源区域106可以具有有机功能层结构112,所述有机功能层结构是施加在第一电极110上或上方的或者构成在第一电极110上或上方。
有机功能层结构112可以具有一个或多个发射器层118、例如具有发荧光的和/或发磷光的发射器的发射器层,以及一个或多个空穴传导层116(也称作空穴传输层120)。
在不同的实施例中,替选地或附加地,可以设有一个或多个电子传导层116(也称作电子传输层116)。
可以在根据不同实施例的发光器件100中用于发射器层118的发射器材料的实例包括:有机的或有机金属的化合物,如聚芴、聚噻吩和聚亚苯基的衍生物(例如2-或2,5-取代的聚对苯乙炔);以及金属络合物,例如铱络合物,如发蓝色磷光的FIrPic(双(3,5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基)-铱III)、发绿色磷光的Ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)铱III)、发红色磷光的Ru(dtb-bpy)3*2(PF6)(三[4,4’-二-叔-丁基-(2,2’)-联吡啶]钌(III)络合物)、以及发蓝色荧光的DPAVBi(4,4-双[4-(二-对-甲苯氨基)苯乙烯基]联苯)、发绿色荧光的TTPA(9,10-双[N,N-二-(对-甲苯基)-氨基]蒽)和发红色荧光的DCM2(4-二氰亚甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃)作为非聚合物发射器。这种非聚合物发射器例如可以借助于热蒸镀来沉积。此外,可以使用聚合物发射器,所述聚合物发射器尤其可以借助于湿法化学法、例如旋涂法(也称作Spin Coating)来沉积。
发射器材料可以以适合的方式嵌在基质材料中。
需要指出的是,在其他的实施例中同样设有其他适合的发射器材料。
发光器件100的一个或多个发射器层118的发射器材料例如可以选择为,使得发光器件100发射白光。一个或多个发射器层118可以具有多种发射不同颜色(例如蓝色和黄色或者蓝色、绿色和红色)的发射器材料,替选地,一个或多个发射器层118也可以由多个子层构成,如发蓝色荧光的发射器层118或发蓝色磷光的发射器层118、发绿色磷光的发射器层118和发红色磷光的发射器层118。通过不同颜色的混合,可以得到具有白色色彩印象的光的发射。替选地,也可以设计为,在通过这些层产生的初级发射的光路中设置有转换器材料,所述转换器材料至少部分地吸收初级辐射并且发射其他波长的次级辐射,使得从(还不是白色的)初级辐射通过将初级辐射和次级辐射组合得到白色色彩印象。
有机功能层结构112通常可以具有一个或多个电致发光层。一个或多个电致发光层可以具有有机聚合物、有机低聚物、有机单体、非聚合物的有机小分子(“小分子(smallmolecules)”)或这些材料的组合。例如,有机功能层结构112可以具有构成为空穴传输层120的一个或多个电致发光层,使得例如在OLED的情况下可以实现将空穴有效地注入到进行电致发光的层或进行电致发光的区域中。替选地,在不同的实施例中,有机功能层结构112可以具有构成为电子传输层116的一个或多个功能层,使得例如在OLED中可以实现将电子有效地注入到进行电致发光的层或进行电致发光的区域中。例如可以使用叔胺、咔唑衍生物、导电的聚苯胺或聚乙烯二氧噻吩作为用于空穴传输层120的材料。在不同的实施例中,一个或多个电致发光层可以构成为进行电致发光的层。
在不同的实施例中,空穴传输层120可以施加例如沉积在第一电极110上或上方,并且发射器层118可以施加例如沉积在空穴传输层120上或上方。在不同的实施例中,电子传输层116可以施加例如沉积在发射器层118上或上方。
在不同的实施例中,有机功能层结构112(即例如空穴传输层120和发射器层118和电子传输层116的厚度的总和)具有最大为大约1.5μm的层厚度、例如最大为大约1.2μm的层厚度、例如最大为大约1μm的层厚度、例如最大为大约800nm的层厚度、例如最大为大约500nm的层厚度、例如最大为大约400nm的层厚度、例如最大为大约300nm的层厚度。在不同的实施例中,有机功能层结构112例如可以具有多个直接相叠设置的有机发光二极管(OLED)的堆,其中每个OLED例如可以具有最大为大约1.5μm的层厚度、例如最大为大约1.2μm的层厚度、例如最大为大约1μm的层厚度、例如最大为大约800nm的层厚度、例如最大为大约500nm的层厚度、例如最大为大约400nm的层厚度、例如最大为大约300nm的层厚度。在不同的实施例中,有机功能层结构112例如可以具有两个、三个或四个直接彼此相叠设置的OLED的堆,在此情况下,有机功能层结构112例如可以具有最大为大约3μm的层厚度。
发光器件100可选地通常可以具有另外的有机功能层,所述另外的有机功能层例如设置在一个或多个发射器层118上或上方或者设置在一个或多个电子传输层116上或上方,其用于进一步改进发光器件100的功能性并由此进一步改进效率。
在有机功能层结构110上或上方或者必要时在一个或多个另外的有机功能层结构上或上方可以施加有第二电极114(例如以第二电极层114的形式)。
在不同的实施例中,第二电极114可以具有与第一电极110相同的材料或者由其形成,其中在不同的实施例中金属是特别适合的。
在不同的实施例中,第二电极114(例如对于金属的第二电极114的情况而言)例如可以具有例如小于或等于大约50nm的层厚度、例如小于或等于大约45nm的层厚度、例如小于或等于大约40nm的层厚度、例如小于或等于大约35nm的层厚度、例如小于或等于大约30nm的层厚度、例如小于或等于大约25nm的层厚度、例如小于或等于大约20nm的层厚度、例如小于或等于大约15nm的层厚度、例如小于或等于大约10nm的层厚度。
第二电极114通常可以以与第一电极110相似的或不同的方式构成或者是这样构成的。第二电极114在不同的实施例中可以由材料中的一种或多种并且以相应的层厚度构成或者是这样构成的,如在上面结合第一电极110所描述的那样。在不同的实施例中,第一电极110和第二电极114这两者都透明地或半透明地构成。因此,在图1中示出的发光器件100可以构建成顶部和底部发射器(换言之作为透明的发光器件100)。
第二电极114可以构成为阳极、即构成为注入空穴的电极,或者构成为阴极、即构成为注入电子的电极。
第二电极114可以具有第二电端子,由能量源提供的第二电势(所述第二电势与第一电势不同)可以施加到所述第二电端子上。第二电势例如可以具有一定数值,使得与第一电势的差具有在大约1.5V至大约20V范围内的数值、例如在大约2.5V至大约15V范围内的数值、例如在大约3V至大约12V范围内的数值。
在第二电极114上或上方并进而在电有源区域106上或上方可选地还可以形成或形成有封装件108,例如阻挡薄层/薄层封装件108的形式的封装件。
“阻挡薄层”108或“阻挡薄膜”108在本申请的范围内例如可以理解成下述层或层结构,所述层或层结构适合于形成对化学杂质或大气物质、尤其对水(湿气)和氧的阻挡。换言之:阻挡薄层108构成为,使得其不可以或至多极其少部分被损坏OLED的物质例如水、氧或溶剂穿过。
根据一个设计方案,阻挡薄层108可以构成为单独的层(换言之,构成为单层)。根据一个替选的设计方案,阻挡薄层108可以具有多个彼此相叠构成的子层。换言之:根据一个设计方案,阻挡薄层108可以构成为层堆(Stack)。阻挡薄层108或阻挡薄层108的一个或多个子层例如可以借助于适合的沉积方法来形成,例如根据一个设计方案借助于原子层沉积方法(Atomic Layer Deposition(ALD))来形成,例如为等离子体增强的原子层沉积方法(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition(PEALD))或无等离子体的原子层沉积方法(Plasma-less Atomic Layer Deposition(PLALD)),或根据另一个设计方案借助于化学气相沉积方法(Chemical Vapor Deposition(CVD))来形成,例如为等离子体增强的气相沉积方法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition(PECVD))或无等离子体的气相沉积方法(Plasma-less Chemical Vapor Deposition(PLCVD)),或者替选地借助于另外适合的沉积方法来形成。
通过应用原子层沉积方法(ALD)可以沉积极其薄的层。尤其地,可以沉积层厚度在原子层范围内的层。
根据一个设计方案,在具有多个子层的阻挡薄层108中,可以借助于原子层沉积方法形成全部子层。仅具有ALD层的层序列也可以称作为“纳米叠层(Nanolaminat)”。
根据一个替选的设计方案,在具有多个子层的阻挡薄层108中,可以借助于不同于原子层沉积方法的沉积方法来沉积阻挡层108的一个或多个子层,例如借助于气相沉积方法来沉积。
阻挡层108根据一个设计方案可以具有大约0.1nm(一个原子层)至大约1000nm的层厚度,例如根据一个设计方案为大约10nm至大约100nm的层厚度、例如根据一个设计方案为大约40nm的层厚度。
根据阻挡薄层108具有多个子层的设计方案,全部子层可以具有相同的层厚度。根据另一个设计方案,阻挡薄层108的各个子层可以具有不同的层厚度。换言之:子层中的至少一个子层可以具有不同于子层中的一个或多个其他子层的层厚度。
根据一个设计方案,阻挡薄层108或阻挡薄层108的各个子层可以构成为半透明的或透明的层。换言之:阻挡薄层108(或阻挡薄层108的各个子层)可以由半透明的或透明的材料(或半透明的或透明的材料混合物)构成。
根据一个设计方案,阻挡薄层108或(在具有多个子层的层堆的情况下)阻挡薄层108的子层中的一个或多个子层具有下述材料中的一种或由下述材料中的一种构成:氧化铝、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化钽、氧化镧、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝掺杂的氧化锌、以及它们的混合物和合金。在不同的实施例中,阻挡薄层108或(在具有多个子层的层堆的情况下)阻挡薄层108的子层中的一个或多个子层具有一种或多种高折射率的材料,换言之具有一种或多种具有高折射率的材料,例如具有至少为2的折射率的材料。
在一个设计方案中,例如由玻璃构成的覆盖件126例如可以借助于通过玻璃焊料的玻璃料连接(英语为,glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding)施加到有机光电子器件100的具有阻挡薄层108的几何的边缘区域中。
在不同的实施例中,可以在阻挡薄层108上或上方设有粘接剂和/或保护漆124,借助于所述粘接剂和/或保护漆例如将覆盖件126(例如玻璃覆盖件126)固定例如粘贴在阻挡薄层108上。在不同的实施例中,由粘接剂和/或保护漆124构成的光学半透明层可以具有大于1μm的层厚度,例如数微米的层厚度。在不同的实施例中,粘接剂可以具有层压粘接剂或是层压粘接剂。
在不同的实施例中,还可以将散射光的颗粒状的添加物嵌入到粘接剂的层(也称作粘接层)中,所述添加物可以引起进一步改进色角畸变(Farbwinkelverzugs)和耦合输出效率。在不同的实施例中,例如可以将介电的散射颗粒设为散射光的颗粒状的添加物,例如金属氧化物,如氧化硅(SiO2)、氧化锌(ZnO)、氧化锆(ZrO2)、铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)、氧化镓(Ga2Oa)、氧化铝或氧化钛。其他颗粒状的添加物也可以是适合的,只要其具有与半透明的层结构的基质的有效折射率不同的折射率,例如为气泡、丙烯酸盐或玻璃空心球。此外,例如可以将金属的纳米颗粒,金属如金、银,铁纳米颗粒等设为散射光的颗粒状的添加物。
在不同的实施例中,在第二电极114和由粘接剂和/或保护漆124构成的层之间还可以施加或施加有电绝缘层(未示出),例如为SiN,例如具有在大约300nm至大约1.5μm范围内的层厚度,例如具有在大约500nm至大约1μm范围内的层厚度,以便例如在湿法化学工艺期间保护电学不稳定的材料。
在不同的实施例中,粘接剂可以构建为,使得其自身具有小于覆盖件126的折射率的折射率。这样的粘接剂例如可以是低折射率的粘接剂,例如为具有大约为1.3的折射率的丙烯酸盐。此外,可以设有多种不同的粘接体,所述多种不同的粘接体形成粘接剂层序列。
还需要指出的是,在不同的实施例中也可以完全地弃用粘接剂124,例如在将由玻璃构成的覆盖件126借助于例如等离子体喷射而施加到阻挡薄层108上的实施例中。
在不同的实施例中,覆盖件126和/或粘接剂124具有1.55的折射率(例如在633nm的波长的情况下)。
此外,在不同的实施例中,可以在发光器件100中附加地设有一个或多个抗反射层(例如与封装件108、如阻挡薄层108组合)。
图2示出有机光电子器件的两个封装件的示意横截面图。
用于封装在玻璃衬底102例如钙钠硅酸盐玻璃102上或上方的光电子器件的电有源区域106的(在图200中示出的)方法构建为基于具有腔206的玻璃盖204的封装,在所述腔中引入所谓的吸取剂208。
吸取剂208可以理解成吸收剂208,所述吸收剂可以吸收有害物质,例如水和/或氧。
腔206例如可以由惰性的材料或材料混合物、例如惰性气体或惰性液体填充。
腔室玻璃204例如可以由钙钠硅酸盐玻璃形成。
腔室玻璃204借助于粘接剂202粘贴到玻璃衬底102上。
借助于腔室玻璃204的、例如腔室玻璃204的腔206的特定的制造工艺,然而,腔室玻璃204明显贵于普通的平板玻璃(钙钠硅酸盐玻璃)。
在图210中示出用于封装钙钠硅酸盐玻璃102上或上方的光电子器件100的电有源区域106的另一个方法。
可以将用于保护薄膜封装件212免受机械损坏的层压玻璃216借助于层压粘接剂214粘贴到薄膜封装件212上。
层压玻璃216例如可以由钙钠硅酸盐玻璃形成。
借助于施加适当的薄膜212(薄层),有机器件100可以对水和氧得到充分密封。
可以对薄膜封装件提出极端的质量要求并且薄膜封装件的许多不同的层的沉积工艺会是非常耗费时间的。
图3示出有机光电子器件的另一个封装件的示意横截面视图。
在光电子器件300例如OLED显示器300中,光电子器件的封装例如可以借助于玻璃料302、即玻璃料封装(英语为,glass frit bonding/glass soldering/seal glassbonding)实现。
在玻璃料封装的情况下,将也称作为玻璃料302的低熔点的玻璃302用作为玻璃衬底304和玻璃盖之间的连接部。
光电子器件的一部分例如电有源区域106可以在玻璃衬底304和玻璃盖之间构成。
玻璃料302与玻璃盖和玻璃衬底304的连接部可以在玻璃料302的区域中横向地保护电有源区域106免受有害的环境影响,例如免受进入的水和/或氧。
对于用于照明的有机光电子器件100例如OLED,这种封装是令人感兴趣的替选方案。然而,在利用OLED的常规照明的大程度受成本导向的区段中,将其他的玻璃衬底102例如用在OLED显示器300中,例如为显示器玻璃304,例如为铝硅酸盐玻璃。
在用于照明的有机光电子器件100中,通常使用成本适宜的玻璃衬底102,例如钙钠硅酸盐玻璃102(soda-lime glass)。
然而,在钙钠硅酸盐玻璃102上,玻璃料封装到目前是不可能的。
出现的问题是在焊接部位上的玻璃料302加热时、例如在玻璃化时玻璃衬底102的钙钠硅酸盐玻璃的热膨胀的不兼容性。
图4示出根据不同实施例的用于制造光电子器件的方法的流程图400。
示意地示出用于制造如例如在图5中示出的光电子器件的方法的流程。
方法(400)具有:制备402玻璃衬底102;构成404玻璃层504;构成406光电子器件的层;施加408玻璃料502;施加410玻璃盖126;构成412玻璃层504、玻璃料502和玻璃盖126之间的配合的连接。
折射率大约为1.5的玻璃衬底102(没有示出)、例如钙钠硅酸盐玻璃的制备402例如可以具有:施加阻挡层104、例如SiO2层;清洁玻璃衬底102的或阻挡层104的表面;设定玻璃衬底102或阻挡层104的表面302上的化学基团或表面粗糙度,例如作为湿法化学的清洁,或者是可选的。
在制备402玻璃衬底102之后,方法可以具有构成404玻璃层504。
构成404玻璃层504例如可以借助于不同的方法构成。
下面,在不限制普遍性的情况下,示出用于构成404玻璃层504的不同的设计方案。
在用于构成404玻璃层504的一个设计方案中,可以借助丝网印刷或模板印刷将玻璃层前体施加到玻璃衬底102上,例如所述玻璃层前体具有玻璃焊料粉末悬浮物或玻璃焊料粉末膏,所述玻璃焊料粉末悬浮物或玻璃焊料粉末膏可以具有由硼酸铋玻璃颗粒或硼硅酸铋玻璃构成的粉末,所述玻璃层前体例如具有大约大于1.5、例如大于大约1.6、例如大于大约1.65、例如在大约1.7和大约2.5的范围中的折射率。
玻璃焊料粉末悬浮物或玻璃焊料粉末膏可以具有市售的丝网印刷介质(例如,乙酸乙酯中的硝化纤维素或乙二醇醚中的纤维素衍生物)。
硼酸铋玻璃颗粒或硼硅酸铋玻璃颗粒例如可以具有大约为1μm的粒度分布D50并且对大约50℃至大约350℃的温度范围具有大约为8.5·10-61/K的热膨胀系数。
替选地,也可以选择铋锌硼酸盐玻璃颗粒或铋锌硼硅酸盐玻璃颗粒,其具有大约为7μm的粒度分布D50并且对在大约50℃至大约300℃的温度范围具有大约10·10-61/K的热膨胀系数。
在施加玻璃层前体之后,可以将玻璃层前体干燥,以便移除挥发性的组成部分,例如在70℃下干燥3小时。
在干燥玻璃层前体之后,干燥的玻璃层前体中的非挥发性的有机组成部分可以借助于移除非挥发性的有机组成部分以热学的方式移除,例如借助于热解。
丝网印刷介质应当选择成,使得在玻璃焊料粉末软化之前,排除脱粘。
因为使用的硼硅酸铋从大约500℃起可以开始软化,所以两个上述粘合剂溶剂体系良好地适合于所述玻璃,因为他们根据体系在大约200℃至大约400℃之间已经可以燃尽。
在移除非挥发性的有机组成部分之后,可以将玻璃层前体液化。
在上述硼硅酸铋玻璃作为玻璃粉末层的情况下,玻璃化可以在大约500℃以上的温度下进行。
在钙钠硅酸盐玻璃作为上部的冷却温度为大约550℃的玻璃衬底的情况下,上部的温度极限为了将玻璃衬底102的变形保持得小或避免玻璃衬底102的变形可以根据加热法具有大约600℃的值。
在玻璃化时,玻璃层前体的或玻璃焊料颗粒的粘度下降。由此,玻璃层前体或玻璃焊料颗粒可以构成玻璃衬底102的表面上的玻璃层504。所述工艺过程也称作为玻璃化。
如果玻璃化在玻璃衬底102的转变温度之下进行,那么在所述玻璃衬底中不构建热应力。两个连接配对物的热膨胀系数、即玻璃衬底102和玻璃层的基质的玻璃焊料的热膨胀系数不应相差过大,以避免玻璃衬底102和保护层106之间的强的连接应力并且由此确保持久的连接。
因为玻璃层504可以类似于阻挡层起作用,所以可以弃用阻挡薄层104,例如当玻璃层504的基质506的材料或材料混合物无碱时如此。
借助于玻璃化,玻璃层504的厚度可以相对于玻璃层前体的厚度借助于填充玻璃焊料颗粒之间的中间空间来减小,例如减小到在大约1μm至大约100μm的范围中、例如在大约10μm至大约50μm的范围中的厚度,例如减小至大约25μm。
在液化玻璃层前体和形成玻璃层504的轮廓之后,基质506的玻璃焊料可以固化,例如借助于冷却,例如被动地冷却。
借助于玻璃层504的基质506的玻璃的固化,可以构成玻璃层504。
在玻璃层504的固化之后,可以设定玻璃层504的表面特性,例如抛光、即使玻璃层504的表面光滑,例如借助于短时局部提高温度,例如借助于定向的等离子体,例如作为火焰抛光或也作为激光抛光。
在玻璃层504的一个设计方案中,玻璃层504可以具有玻璃基质506和在其中分布的添加物508。
构成404具有基质506和添加物508的玻璃层504可以以不同的方式进行。
在方法的一个设计方案中,颗粒状的添加物可以以层片形式构成或施加在玻璃衬底102上或上方。基质506的材料或材料混合物的玻璃焊料粉末大致可以在颗粒状的添加物508的层片上或上方施加。随后,可以将玻璃焊料粉末液化,使得液化的玻璃焊料的一部分在颗粒状的添加物508之间朝向玻璃衬底的表面流动,使得液化的玻璃的一部分仍留在颗粒状的添加物508之上。
玻璃层504在颗粒状的添加物508之上的部分应具有等于或大于没有玻璃的颗粒状的添加物508的最上面的层片的粗糙度的厚度,使得构成玻璃层的至少一个光滑的表面,即表面具有小的RMS粗糙度(root mean square,均方根),例如小于10nm。
在一个设计方案中,玻璃层504的表面的粗糙度可以构建成或理解成散射中心。借助于玻璃层504的粗糙度,例如可以提高从电有源区域106耦合输出或耦合输入到电有源区域106中的电磁辐射的份额。
对方法的所述设计方案重要的是:在施加颗粒状的添加物508之后液化玻璃焊料。由此,可以设定颗粒状的添加物508在玻璃层504中的分布并且在玻璃层504的基质506的材料的或材料混合物的玻璃焊料的唯一的液化工艺中、例如在唯一的退火工艺中构成玻璃层504的光滑的表面。
在该意义中,由基质506的材料或材料混合物的玻璃焊料颗粒或借助基质506的材料或材料混合物的玻璃焊料粉末制造悬浮物或膏不能理解成液化,因为玻璃焊料颗粒的外观不通过悬浮而发生改变。
在方法的另一个设计方案中,为了构成玻璃层504,可以将基质506的材料或材料混合物的玻璃焊料粉末与添加物508混合并且作为膏或悬浮物借助于丝网或模板印刷施加到玻璃衬底上。这可以在玻璃化之后引起添加物在玻璃基质中的均匀的分布。其他的用于由悬浮物或膏制造层的方法例如可以是刮涂或也可以是喷涂法。
添加物可以不同地构成,例如作为颗粒或分子,和/或具有不同的作用或功能,如在下文中描述的那样。
在一个设计方案中,添加物可以具有无机材料或无机材料混合物或由其形成。
在又一个设计方案中,一种添加物可以具有选自下述材料组的材料或材料混合物或化学计量的化合物或者由其形成:TiO2、CeO2、Bi2O3、ZnO、SnO2、Al2O3、SiO2、Y2O3、ZrO2、发光材料、染料、以及吸收UV的玻璃颗粒、适当的吸收UV的金属纳米颗粒,其中发光材料例如可以吸收UV范围中的电磁辐射。
在又一个设计方案中,颗粒状的添加物可以具有拱起的表面,例如类似于光学透镜。
在又一个设计方案中,颗粒状的添加物可以具有选自下述形状组的几何形状和/或几何形状的一部分:球形的、非球形的、例如棱柱形的、椭圆形的、空心的、紧凑的、小板形的或小棒形的。
在一个设计方案中,颗粒状的添加物可以具有玻璃或由其形成。
在一个设计方案中,颗粒状的添加物可以具有在大约0.1μm至大约10μm的范围中、例如在大约0.1μm至大约1μm的范围中的平均粒度。
在又一个设计方案中,在玻璃衬底上或上方的在玻璃层中的添加物可以具有厚度大约为0.1μm至大约100μm的层片。
在又一个设计方案中,玻璃层的添加物可以具有在玻璃衬底上或上方相叠的多个层片,其中各个层片可以不同地构成。
在又一个设计方案中,在添加物的层片中,至少一种颗粒状的添加物的颗粒状的添加物的平均大小可以从玻璃衬底的表面开始减小。
在又一个设计方案中,添加物的各个层片可以具有不同的平均大小的颗粒状的添加物和/或对在一个波长范围中的数个波长的电磁辐射具有不同的透射率,例如波长小于大约400nm。
在又一个设计方案中,添加物的各个层片可以具有不同的平均大小的颗粒状的添加物和/或对电磁辐射具有不同的折射率。
在一个设计方案中,玻璃层可以具有颗粒状的添加物,所述颗粒状的添加物构建成用于电磁辐射的散射颗粒,其中散射颗粒可以在基质中分布。
换言之:基质可以具有至少一种散射添加物,使得玻璃层附加地对至少一个波长范围中的入射电磁辐射构成散射作用,例如借助于与基质不同的折射率和/或直径,所述直径大致对应于要散射的辐射的波长的大小。
散射作用可以涉及如下电磁辐射,所述电磁辐射由在保护层上或上方的有机功能层系统发射,例如以便提高光耦合输出。
在又一个设计方案中,具有散射添加物的玻璃层可以具有散射添加物的折射率与基质的折射率的为大于大约0.05的差。
在一个设计方案中,添加物可以构建成染料。
在一个设计方案中,借助于染料可以改变玻璃层的光学外观。
在一个设计方案中,染料可以吸收应用特定的不相关的、例如大于大约700nm的波长范围中的电磁辐射。
由此,可以改变玻璃层的光学外观,例如将玻璃层染色,而不使光电子器件的效率变差。
在一个设计方案中,玻璃层的添加物可以具有至少一种吸收UV的添加物,其中吸收UV的添加物相对基质和/或玻璃衬底减小具有至少在一个波长范围中的小于大约400nm的波长的电磁辐射的透射率。
具有吸收UV的添加物的玻璃层相对玻璃衬底和/或基质的较小的UV透射率例如可以借助于通过吸收UV的添加物对UV辐射的较高的吸收和/或反射和/或散射来构成。
在一个设计方案中,一种吸收UV的添加物可以具有选自下述材料组的材料、材料混合物或化学计量的化合物或者由其形成:TiO2、CeO2、Bi2O3、ZnO、SnO2、发光材料、吸收UV的玻璃颗粒和/或适当的吸收UV的金属纳米颗粒,其中发光材料、玻璃颗粒和/或纳米颗粒例如可以吸收UV范围中的电磁辐射。
吸收UV的纳米颗粒可以不具有或具有在熔融的玻璃焊料中的低可溶解性和/或与其不反应或只是差地反应。此外,纳米颗粒不会引起或仅会引起少量地散射电磁辐射,例如具有小于大约50nm的粒度的纳米颗粒,例如由TiO2、CeO2、ZnO或Bi2O3构成。
在一个设计方案中,玻璃层的添加物可以构成为转换波长的添加物,例如发光材料。
发光材料可以具有斯托克斯位移并且将入射电磁辐射以较长的波长发射或者具有反斯托克斯位移并且将入射电磁辐射以较短的波长发射。
在又一个设计方案中,添加物可以散射电磁辐射,吸收UV辐射和/或转换电磁辐射的波长。
例如可以散射电磁辐射并且不能吸收UV辐射的添加物例如可以具有Al2O3、SiO2、Y2O3或ZrO2或由其形成。
例如散射电磁辐射并且转换电磁辐射的波长的添加物例如可以构建成具有发光材料的玻璃颗粒。
在方法的又一个设计方案中,基质的材料或材料混合物的玻璃焊料和/或颗粒状的添加物位于其中的悬浮物或膏除了基质的材料或材料混合物的玻璃焊料和/或颗粒状的添加物之外还可以具有液态的、蒸发的和/或有机的组成部分。
所述组成部分例如可以是不同的添加剂,例如溶剂、粘合剂、例如纤维素、纤维素衍生物、硝化纤维素、醋酸纤维素、丙烯酸酯并且可以添加给颗粒状的添加物或玻璃焊料颗粒以用于设定用于相应的方法和相应所追求的层厚度的粘度。
通常可以是液态的和/或挥发性的有机添加物可以以热学的方式从玻璃焊料层中移除,即层可以热干燥。非挥发性的有机添加物可以借助于热解移除。提高温度可以实现或加速干燥或热解。
在方法的又一个设计方案中,基质的材料或材料混合物的玻璃焊料颗粒悬浮物或玻璃焊料颗粒膏和包含颗粒状的添加物(对于不同的膏或悬浮物的情况)的悬浮物或膏可以具有可彼此混合的液态的、蒸发的和/或有机的成分。由此,可以防止在包含颗粒状的添加物的干燥的悬浮物或膏或包含颗粒状的添加物的干燥的玻璃层悬浮物或膏之内添加物的沉淀或相分离。
在方法的又一个设计方案中,基质的材料或材料混合物的玻璃焊料颗粒悬浮物或玻璃焊料颗粒膏和/或包含颗粒状的添加物的膏可以借助于蒸发的组成部分来干燥。
在方法的又一个设计方案中,借助于提高温度可以将有机的组成部分(粘合剂)从颗粒状的添加物的干燥的层和/或从干燥的玻璃焊料粉末层中基本上完全移除。
在方法的又一个设计方案中,借助于将温度提高到第二值上,其中第二温度比干燥的第一温度高得多,玻璃焊料或玻璃焊料粉末可以软化,使得其可以流动,例如变成液态。
用于基质的玻璃粉末层的液化或玻璃化的第二温度值的最大值可以与具体的玻璃衬底相关。温度状况(温度和时间)可以选择成,使得玻璃衬底不变形,但是基质的玻璃粉末层的玻璃焊料已经具有一定粘度,使得其平滑地运行,即流动并且可以构成非常光滑的玻璃状的表面。
基质的玻璃粉末层的玻璃可以具有第二温度、即玻璃化温度,例如在玻璃衬底的转变点之下(玻璃衬底的粘度大约为η=1014.5dPa·s),并且最大在玻璃衬底的软化温度(玻璃衬底的粘度大约为η=107.6dPa·s)处,例如在软化温度之下并且大约在上部的冷却点(玻璃衬底的粘度大约为η=1013.0dPa·s)处。
在方法的又一个设计方案中,基质的材料或材料混合物的玻璃焊料粉末可以构成为玻璃粉末并且在达到最大大约600℃的温度下玻璃化,即基质的材料或材料混合物的玻璃焊料粉末软化,使得可以构成光滑的表面。
换言之:在将钙钠硅酸盐玻璃用作为玻璃衬底的情况下,玻璃层的基质的材料或材料混合物的玻璃焊料粉末在达到最大大约600℃的温度下、例如在大约500℃下玻璃化。
玻璃衬底的材料或材料混合物、例如钙钠硅酸盐玻璃在基质的材料或材料混合物的玻璃焊料粉末的玻璃化温度下应当是热稳定的,即具有不变的层横截面。
在方法的又一个设计方案中,借助于在颗粒状的添加物之间的液化的玻璃,可以构成玻璃衬底与在颗粒状的添加物之上的基质的液化的玻璃的至少一个无间隙的连续的玻璃连接。
在方法的又一个设计方案中,在颗粒状的添加物之上的基质的液化的玻璃的表面在固化之后可以借助于局部加热再次附加地光滑化。
在方法的又一个设计方案中,局部加热可以借助于等离子体或激光辐射构成。
在用于构成404玻璃层504的一个设计方案中,可以将玻璃层504的材料或材料混合物的玻璃焊料膜施加到玻璃衬底102上,例如铺设或卷开到玻璃衬底102上。
在一个设计方案中,玻璃焊料膜可以构建成在材料方面与用于构成玻璃层504的方法的在上文中示出的设计方案的玻璃焊料膏相似或相同。
在一个设计方案中,可以将所施加的玻璃焊料膜与玻璃衬底配合地连接。
在玻璃焊料膜与玻璃衬底配合地连接的设计方案中,配合的连接可以借助于玻璃膜与玻璃衬底的层压例如借助于玻璃化在达到最大大约600℃的温度下构成。
在玻璃层504上或上方可以构成电有源区域106,例如根据图1的描述的设计方案的电有源区域。
构成406电有源区域106例如可以借助于沉积法、例如借助于光刻工艺构建。
在构成406电有源区域106之后,可以在玻璃衬底102的几何形状的边缘区域510中在玻璃层504上或上方施加或构成一个或多个玻璃料502。
在将至少一个玻璃料502施加408到玻璃层504上之前,玻璃层504可以在玻璃衬底102的边缘区域510中露出。
换言之:在施加408至少一个玻璃料502之前,可以将电有源区域106在边缘区域510中从玻璃层504移除或者不在边缘区域510中构成。
在一个设计方案中,几何形状的边缘区域510可以结构化,例如具有凹陷部,例如在所述凹陷部中可以至少部分地施加玻璃料,以便提高玻璃料502在玻璃层504上或上方的定位的精度。
玻璃料502可以与玻璃层504的基质506的材料或材料混合物相似地或相同地构建。
在一个设计方案中,玻璃料502可以与玻璃层504的基质506的材料或材料混合物的玻璃焊料膏相似地或相同地构建成玻璃焊料膏。
在一个设计方案中,玻璃料502可以与玻璃层504的基质506的材料或材料混合物的玻璃化的玻璃焊料相似地或相同地构建成玻璃化的玻璃焊料。
玻璃料502例如可以施加到玻璃层502上,使得电有源区域106由玻璃层504上的玻璃料502包围,例如环绕或围绕。
玻璃料502可以具有大约大于电有源区域的高度,例如在大约1μm至大约50μm的范围中。
玻璃料502的宽度可以是任意的,因为借助于玻璃盖126和玻璃层502通过玻璃料502的连续的配合的连接已经可以实现电有源区域106的气密密封的、横向的封装。
然而,玻璃料502的材料或材料混合物与玻璃衬底102相比可以具有较高的软化点和/或较高的热膨胀。
在施加408玻璃料502之后,可以将玻璃盖126施加到电有源区域106和玻璃料502上或上方。
玻璃盖126例如可以具有软玻璃、例如硅酸盐玻璃、例如钙钠硅酸盐玻璃或由其形成。
在钙钠硅酸盐玻璃126上或上方例如可以施加第二玻璃层(没有示出)作为用于与玻璃料502连接的增附剂。第二玻璃层例如可以与玻璃衬底102上或上方的玻璃层504相似地或相同地构建和/或构成。
玻璃盖126、玻璃料502、玻璃层504和电有源区域106之间的空间例如可以用惰性的材料或材料混合物填充或是用其填充的,例如吸取剂材料、硅树脂、环氧化物、硅氮烷、粘接剂等。
施加410玻璃盖126例如可以借助于施加玻璃盖126或卷开玻璃盖膜126进行。
构成412玻璃盖126、玻璃料502和玻璃层504之间的配合的连接可以借助于将玻璃料502加热到玻璃料502的材料或材料混合物的软化温度之上进行。
在方法的一个设计方案中,玻璃料502的材料或材料混合物可以借助于用光子轰击来熔化,即液化,使得实现将温度提高到大约高于玻璃料502的软化温度。
在方法的又一个设计方案中,玻璃料的材料或材料混合物在达到最大大约600℃的温度下可以被液化。
用光子轰击例如可以构成为波长在大约200nm至大约1700nm的范围中、例如在大约700nm至大约1700nm的范围中的激光,例如以聚焦的方式(例如焦点直径在大约10μm至大约2000μm的范围中),例如以脉冲的方式(例如脉冲持续时间在大约100fs至大约0.5ms的范围中,例如功率为大约50mW至大约1000mW,例如功率密度为大约100kW/cm2至大约10GW/cm2,并且例如重复率在大约100Hz至大约1000Hz的范围中)。
图5示出根据不同的实施例的光电子器件的示意横截面图。
在示意横截面图500中示出根据不同的设计方案的光电子器件100的封装。
示出玻璃衬底102,在所述玻璃衬底上或上方施加例如构成玻璃层504。
构成玻璃层504例如可以与图4的描述的方法相似地或相同地构建。
在玻璃层504上或上方可以构成或构建例如根据图1的描述的光电子器件100的电有源区域106。
在几何形状的边缘区域510中,玻璃层504可以露出。换言之:在光电子器件的几何形状的边缘区域510中,电有源区域106不可以润湿玻璃层504。
在玻璃层504的露出的区域510上或上方,可以施加和/或构成玻璃料502。
玻璃料502例如可以与图4的描述的设计方案中的一个设计方案相似地或相同地构建。
在玻璃料502和电有源区域106上或上方,可以施加玻璃盖126。
根据图4的描述的设计方案中的一个设计方案,玻璃料502可以将玻璃盖126与玻璃层504配合地连接。
玻璃盖126、玻璃料502和在玻璃衬底102上或上方的玻璃层504可以对有害的环境影响为电有源区域106形成气密密封的腔。
玻璃料504根据不同的设计方案可以具有基质506,添加物508在所述基质中分布。添加物508例如可以提高电磁辐射从电有源区域106中的耦合输出。
玻璃衬底102和玻璃盖126例如可以具有成本适当的玻璃,例如软玻璃、例如硅酸盐玻璃、例如钙钠硅酸盐玻璃。
在不同的实施方式中,提供一种光电子器件和一种用于制造光电子器件的方法,借助其可能的是,提高电磁辐射例如光到有机光电子器件中的耦合输入和/或从有机光电子器件中的耦合输出,并且附加地可以实现对具有适宜的玻璃衬底的有机光电子器件的玻璃料封装。
虽然已经参照具体实施例对所公开的实施例进行了具体展示和说明,但是本领域技术人员应理解:可以在形式和细节上做出各种变化而不会偏离所公开实施例的构思和范围。所公开的实施例的范围因而旨在涵盖这些实施例等同形式的意义和范围之内的全部变化。
Claims (19)
1.一种光电子器件(100),其具有:
玻璃衬底(102);
在所述玻璃衬底(102)上的玻璃层(504),其中所述玻璃层(504)被结构化以包括凹陷部;和
封装件,所述封装件具有玻璃料(502),其中所述玻璃料(502)设置在所述玻璃层(504)上的所述凹陷部中;
其中所述玻璃料(502)借助于所述玻璃层(504)固定在所述玻璃衬底(102)上,并且
其中所述玻璃层(504)构建成用于在所述玻璃衬底(102)上的所述玻璃料(502)的增附剂;并且
其中所述玻璃料(502)构成为,使得借助于所述玻璃料(502)构成对所述光电子器件(100)的横向气密密封的密封件。
2.根据权利要求1所述的光电子器件(100),
其中所述玻璃层(504)的热膨胀系数匹配于所述玻璃料(502)的热膨胀系数。
3.根据权利要求1所述的光电子器件(100),
其中所述玻璃层(504)的软化点匹配于所述玻璃料(502)的软化点。
4.根据权利要求1所述的光电子器件(100),
其中所述玻璃层(504)还构建成散射层。
5.根据权利要求4所述的光电子器件(100),
其中所述玻璃层(504)具有散射颗粒(508)。
6.根据权利要求4或5所述的光电子器件(100),
其中所述玻璃层(504)是结构化的。
7.根据权利要求1所述的光电子器件(100),
其中所述玻璃层(504)整面地设置在所述玻璃衬底(102)上。
8.根据权利要求1所述的光电子器件(100),
其中所述玻璃层(504)具有在10μm至100μm的范围中的层厚度。
9.根据权利要求1所述的光电子器件(100),
其中所述玻璃层(504)具有至少为1.5的折射率。
10.根据权利要求1所述的光电子器件(100),
其中所述玻璃衬底(102)具有软玻璃或者由其形成。
11.根据权利要求1所述的光电子器件(100),
其中所述封装件具有玻璃盖(126),所述玻璃盖借助于所述玻璃料(502)与所述玻璃层(504)配合地连接。
12.根据权利要求1所述的光电子器件,
其中所述玻璃层具有至少为1.6的折射率。
13.根据权利要求1所述的光电子器件,
其中所述玻璃层具有至少为1.65的折射率。
14.根据权利要求1所述的光电子器件,
其中所述玻璃衬底包括硅酸盐玻璃或者由其形成。
15.根据权利要求1所述的光电子器件,
其中所述玻璃衬底包括钙钠硅酸盐玻璃或者由其形成。
16.一种用于制造光电子器件(100)的方法(400),所述方法(400)具有:
在玻璃衬底(102)的整个表面上方构成玻璃层(504),其中所述玻璃层(504)被结构化为构成凹陷部;以及
构成封装件,其中构成封装件包括:在玻璃层(504)上的所述凹陷部中施加至少一个玻璃料(502),其中所述玻璃料(502)借助于所述玻璃层(504)在所述玻璃衬底(102)上配合地连接;
其中所述玻璃层(504)构建成用于在所述玻璃衬底(102)上的所述玻璃料(502)的增附剂;并且
其中所述玻璃料(502)构成为,使得借助于所述玻璃料(502)构成横向气密密封。
17.根据权利要求16所述的方法,
其中构成(412)配合的连接具有:熔化和固化所述玻璃料(502),使得所述配合的连接构成为横向的、气密密封的封装件。
18.根据权利要求17所述的方法,
其中所述玻璃料(502)借助于用光子进行轰击来熔化。
19.根据权利要求17所述的方法,
其中所述玻璃料借助于激光熔化。
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---|---|---|---|---|
US6833668B1 (en) * | 1999-09-29 | 2004-12-21 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electroluminescence display device having a desiccant |
FR2815374B1 (fr) * | 2000-10-18 | 2003-06-06 | Saint Gobain | Vitrage feuillete et ses moyens d'etancheification peripherique |
TW517356B (en) * | 2001-10-09 | 2003-01-11 | Delta Optoelectronics Inc | Package structure of display device and its packaging method |
US7012363B2 (en) * | 2002-01-10 | 2006-03-14 | Universal Display Corporation | OLEDs having increased external electroluminescence quantum efficiencies |
KR100581850B1 (ko) * | 2002-02-27 | 2006-05-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치와 그 제조 방법 |
US7648925B2 (en) * | 2003-04-11 | 2010-01-19 | Vitex Systems, Inc. | Multilayer barrier stacks and methods of making multilayer barrier stacks |
US20050116245A1 (en) * | 2003-04-16 | 2005-06-02 | Aitken Bruce G. | Hermetically sealed glass package and method of fabrication |
CN1961613B (zh) * | 2004-03-26 | 2011-06-29 | 松下电工株式会社 | 有机发光器件 |
WO2005115740A1 (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 面発光体 |
FR2871651A1 (fr) * | 2004-06-09 | 2005-12-16 | Thomson Licensing Sa | Capot en verre et boitier d'encapsulation de composants electroniques dote d'un tel capot |
JPWO2005122645A1 (ja) * | 2004-06-11 | 2008-04-10 | 三洋電機株式会社 | 表示パネルの製造方法および表示パネル |
WO2005124887A2 (en) * | 2004-06-14 | 2005-12-29 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Led with improved light emission profile |
KR100603350B1 (ko) * | 2004-06-17 | 2006-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 발광 디스플레이 장치 |
US8038495B2 (en) * | 2006-01-20 | 2011-10-18 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and manufacturing method of the same |
KR100635514B1 (ko) * | 2006-01-23 | 2006-10-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
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JP4633674B2 (ja) * | 2006-01-26 | 2011-02-16 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
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US20070267972A1 (en) * | 2006-05-22 | 2007-11-22 | Menegus Harry E | Method for forming a temporary hermetic seal for an OLED display device |
JP5536977B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2014-07-02 | パナソニック株式会社 | 面発光体 |
EP1992478A1 (de) * | 2007-05-18 | 2008-11-19 | LYTTRON Technology GmbH | Verbundglaselement, bevorzugt Verbundsicherheitsglaselement, mit integrierter Elektrolumineszenz (EL)-Leuchtstruktur |
EP2178343B2 (en) * | 2007-07-27 | 2020-04-08 | AGC Inc. | Translucent substrate, method for manufacturing the translucent substrate and organic led element |
CN101978781A (zh) * | 2008-03-18 | 2011-02-16 | 旭硝子株式会社 | 电子器件用基板、有机led元件用层叠体及其制造方法、有机led元件及其制造方法 |
US20090289349A1 (en) * | 2008-05-21 | 2009-11-26 | Spatial Photonics, Inc. | Hermetic sealing of micro devices |
JP2010033780A (ja) * | 2008-07-25 | 2010-02-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の発光色調整方法 |
WO2011126097A1 (ja) * | 2010-04-08 | 2011-10-13 | 旭硝子株式会社 | 有機led素子、透光性基板、および有機led素子の製造方法 |
US20110317397A1 (en) * | 2010-06-23 | 2011-12-29 | Soraa, Inc. | Quantum dot wavelength conversion for hermetically sealed optical devices |
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