CN1068950C - 磁传感器和磁盘记录系统 - Google Patents

磁传感器和磁盘记录系统 Download PDF

Info

Publication number
CN1068950C
CN1068950C CN96111157A CN96111157A CN1068950C CN 1068950 C CN1068950 C CN 1068950C CN 96111157 A CN96111157 A CN 96111157A CN 96111157 A CN96111157 A CN 96111157A CN 1068950 C CN1068950 C CN 1068950C
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
ferromagnetic material
material layers
magnetic
hierarchy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN96111157A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1148710A (zh
Inventor
哈德亚尔·S·基尔
布鲁斯·A·格内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of CN1148710A publication Critical patent/CN1148710A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1068950C publication Critical patent/CN1068950C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/012—Recording on, or reproducing or erasing from, magnetic disks
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
    • G11B5/3945—Heads comprising more than one sensitive element
    • G11B5/3948—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
    • G11B5/3945—Heads comprising more than one sensitive element
    • G11B5/3948—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements
    • G11B5/3951—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged on several parallel planes
    • G11B5/3954—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged on several parallel planes the active elements transducing on a single track
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B2005/3996—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices

Abstract

一种磁电阻(MR)传感器包括两个不同的自旋阀结构。每个自旋阀包括由一个非磁性材料薄膜层隔开的第一(自由)和第二(钉扎)铁磁材料层。各个自旋阀中铁磁材料钉扎层的磁化方向是固定的，它们的磁化置为相互是逆平行的。产生电流流过该MR传感器，并感测由于自由铁磁材料层中磁化的转动而导致的作为所感测磁场函数的MR传感器磁电阻的变化而造成的MR传感器两端的电压变化。

Description

磁传感器和磁盘记录系统
本发明一般地涉及用于读出存储在磁介质上的信息信号的磁传感器，尤其涉及一种采用双自旋阀(spin valve)结构的改进型磁电阻读传感器。
现有技术公开称为磁电阻(MR)传感器或磁头的磁读出传感器表现出从磁表面上以大线密度读出数据的能力。通过磁性材料制成的读出元件的磁电阻变化MR传感器检测磁场信号，该磁电阻变化是读出元件感测的磁通强度和方向的函数。新近，一种不同的、更显著的磁电阻效应已见诸描述，在这种效应中层状磁传感器的磁电阻变化归因于磁性层之间经过非磁性层的与自旋有关的传导电子的发射以及伴随的与自旋有关的散射。这种磁电阻效应有时称为“巨磁电阻”效应，或者简称为“巨磁电阻”。
共同转让的美国专利5,206,590号公开一种MR传感器，其中由一层非磁性层隔开的二层不耦合铁磁体层之间的磁电阻观察为按这两层磁化的夹角的余弦变化并且在其中一层铁磁体层的磁化方向是固定的。这种MR传感器称为“自旋阀”并且基于巨磁电阻效应。
共同转让的美国专利5,287,238号说明一种具有多层双自旋阀结构的MR传感器。这种结构包括两层其磁性具有固定方向的外铁磁体材料层和一层其磁性响应外部施加的磁场自由转动的中间铁磁体材料层。
本发明的主要目的是提供一种双元件磁电阻(MR)传感器，它在共模激励下产生相反极性的信号，从而排除共模噪音。
按照本发明，一种双MR传感器包括第一和第二分层结构。每个分层结构由被一层非磁性材料薄膜层隔开的第一和第二铁磁体材料薄膜层构成。第一层中的磁化方向响应外加磁场自由转动。第二层中的磁化方向保持固定的位置并且在向该MR传感器施加外磁场时其方向不转动。各个分层结构进而包括在各分层结构中固定第二铁磁体材料层(“钉扎层”)的磁化方向的装置。第一分层结构中铁磁体材料钉扎层的磁化方向固定为在方向上和第二分层结构中铁磁体材料钉扎层的磁化方向逆平行。通过提供通过MR传感器的感测电流，由于各分层结构中第一铁磁体材料层(“自由层”)磁化的转动可以感测出MR传感器响应外磁场时电阻率的变化。
第一和第二分层结构各包括自旋阀结构，并且，在第一实施方式中，各自旋阀中的铁磁体材料的自由层是MR结构的外层。在备择的实施方式中，铁磁体材料的自由层是MR传感器的中央部分。两个自旋阀结构由一层相对厚的非磁性隔离层隔开，该隔离层还用作为双MR传感器的读出间隙。
图1是包含本发明的磁盘存储系统的简化方块图；
图2是按照本发明的原理的双磁电阻传感器的透视分解图；
图3a、3b和3c是从图2中所示的双磁电阻传感器的最佳实施方式的传感器空气轴承表面看过去的端面图；
图4是一个方块图，表示采用图3a、3b和3c中所示的双磁电阻传感器的差分检测电路；
图5是按照本发明的原理的另一种双磁电阻传感器的实施方式的透视分解图；
图6是从图5中所示的双磁电阻传感器的实施方式的传感器空气轴承表面看过去的端面图；
图7是一组三个相关的曲线图，表示图5和图6中所示的双磁电阻传感器中的计算出的传感器电流密度与传感器上位置之间的函数关系；
图8是图7中所示的曲线图的一部分的放大图；
图9是按照本发明的原理的双磁电阻传感器的另一种实施方式的透视分解图；
图10是从图9中所示的双磁电阻传感器的实施方式的传感器空气轴承看过去的端面图；以及
图11是一组三条相关的曲线图，表示图9和图10所示的双磁电阻传感器中计算出的传感器电流密度和传感器的位置之间的函数关系。
现参见图1，尽管本发明被描述成实施于如图1所示的磁盘存储系统中，很清楚本发明还可应用于其它的例如象磁带记录系统的磁记录系统，或者可用于其它采用传感器检测磁场的应用中。一个磁盘存储系统包括至少一个可旋转的磁盘12，磁盘12由主轴14支承并由盘驱动马达18旋转。各盘上磁记录介质的形式为盘12上同心数据磁道(未示出)构成的环状模式。
在盘12上至少设置一个浮动块13，每个浮动块13支持一个或多个通常称为读/写磁头的磁读/写传感器21。当磁盘12旋转时，浮动块13径向地沿磁表面22往返移动，从而磁头21可以访问盘上记录着所需数据的不同部位。各个浮动块13借助悬架15和致动器臂19连接。悬架15具有细微的弹簧力，该力使浮动块13偏向盘面22。每个致动器臂19和一个致动器装置27连接。图1中所示的致动器装置例如可以是一个音圈马达(VCM)。该音圈马达包括一个可在固定磁场中移动的线圈，线圈移动的方向和速度由控制器提供的马达电流信号控制。
在磁盘存储系统的运行期间，盘12的旋转在浮动块13和盘表面22之间产生在浮动块上施加向上力或升力的空气轴承。这样该空气轴承抵消悬架15的轻微弹簧力并且在运行期间支承浮动块13离开盘表面并以一个小的基本恒定的间隔略处于盘表面的上方。
在运行中磁盘存储系统的各部件由控制单元29产生的控制信号(例如存取控制信号和内部时钟信号)控制。典型地，控制单元29包括，例如，逻辑控制电路、存储装置和一个微处理器。控制单元29产生控制信号，以便控制各种系统操作，诸如线23上的驱动马达控制信号和线28上的磁头定位及查找控制信号。线28上的控制信号提供所需的电流曲线，以便最佳地把选定的浮动块13移动及定位到相关磁盘12上的所需数据磁道上。通过记录通道25向和从读/写磁头21通信读和写信号。
上述对典型磁盘存储系统的描述以及图1的相应图示仅用于说明目的。应该清楚磁盘存储系统可以包括大量的浮动块。
现参见图2，按照本发明的双磁电阻(MR)读传感器30包括第一和第二分层结构，每个分层结构包含一个自旋阀结构32、34，在自旋阀结构中第一或“自由的”铁磁体层31、39通过一个薄的非磁性间隔层33、41和磁化方向固定的第二或“钉扎的”铁磁体层35、43隔开。相邻于钉扎铁磁体层35、43淀积一层反铁磁材料层37、45,并且该反铁磁层和钉扎铁磁体层接触，从而通过交换耦合来固定(即钉扎)钉扎层中的磁化方向。这两个自旋阀结构是构造在一个基片上的并且通过薄绝缘材料层47相互分开。两个钉扎层35、43中的磁化方向(如箭头38、44所示)置成逆平行，从而磁电阻传感器30响应外磁场的电阻率变化可以因各分层结构的自由层31、39中的磁化的转动而不同地感测。基于自旋阀效应的其中传感器读元件包括铁磁体/非磁性/铁磁体分层结构的MR传感器在上面提及的专利5,206,590中得到详细说明，该专利这里作为参考文献。
铁磁体材料自由层31、39的磁化方向相互平行，即在同一方向上，并且在不存在外加磁场的情况下相对于铁磁体钉扎层35、43的磁化方向大约成90°夹角，如箭头36和42所示。铁磁体材料钉扎层35、43的磁化方向固定为逆平行，如箭头38和44所示。这样，在铁磁材料钉扎层35、43的磁化方向保持固定的同时，铁磁材料自由层31、39的磁化响应外加磁场(例如图2中所示的磁场h)自由转动它们的方向，如图2中自由层31和39上的虚箭头所示。
在不存在外加磁场的情况下，最好使铁磁材料自由层31和39的磁化如图2中所示在方向上和铁磁材料钉扎层35和43的磁化基本上成90°。鉴于图2中虚箭头所示的两个磁化转动方向的偏移相同，这种定向使MR传感器产生最大的灵敏度。为了产生这种定向就必须平衡影响自由层31和39中磁化方向的三个对抗磁场。这三个磁场中的一个是从钉扎层到达自由层的磁场，另一个是钉扎层和自由层之间的层间耦合磁场，而第三个磁场是因感测电流Is流经传感器(如图4中所示)而造成的磁场。需要以这样的方式选择各层的材料和厚度：即为达到自由层和钉扎层之间基本上90°取向的所需感测电流的值另一方面也适应传感器的应用环境。
现参照图3a、3b和3c，图中表示图2的双MR传感器的一种最佳实施方式。双MR传感器30包括构造在适当基片50上的第一分层结构32和第二分层结构34，每个分层结构32、34包括一个自旋阀结构。自旋阀结构32、34由电气上隔离两个自旋阀结构的一层相对厚的绝缘材料隔离层47离开。两个自旋阀结构32、34构造在两个绝缘材料间隙层G1、G2之间，反过来，两个间隙层又构造在两个磁材料的磁屏蔽层S1、S2之间。双MR传感器30利用众所周知的真空淀积和电镀方法制成例如，第一屏蔽层49可能镀在基片50的表面上。然后，例如通过溅镀淀积第一间隙层51、包括第一自旋阀32的各层、绝缘层47、包括第二自旋阀34的各层以及第二间隙层53。最后，在第二间隙层53上镀上第二磁屏蔽层55。
第一自旋阀结构32包括第一铁磁材料薄膜层(自由层)31、第一非导磁材料薄膜层33和第二铁磁材料薄膜层35。在图3a中所示的特定实施方式中，固定第二铁磁材料薄膜层(钉扎层)35的磁化方向的装置包括第一反铁磁材料薄膜层37。第二铁磁层35中磁化通过反铁磁/铁磁交换耦合得到固定。在淀积第一铁磁层31之前淀积籽晶层61以促进自旋阀32的随后各层的适当生长。在自旋阀结构的相对两端处构造的电引线导体57提供与外部电路的连接并且定义自旋阀32的中央激活区。
第二自旋阀结构34包括第三铁磁材料薄膜层(自由层)39、第二非导磁材料薄膜层41和第四铁磁材料薄膜层(钉扎层)43。在图3a、3b和3c所示的特定实施方式中，固定第四铁磁材料薄膜层43的磁化方向的装置包括第二反铁磁材料薄膜层45。通过反铁磁/铁磁交换耦合固定第四铁磁层中的磁化。如上面对第一自旋阀结构32所作出的说明一样，在淀积第三铁磁层39之前淀积第二籽晶层63。相类似，在自旋阀34的相对两端上构造电引线导体59。
为提供一个自旋阀对另一个自旋阀的电绝缘，两个自旋阀结构32、34被一个非磁绝缘材料隔离层47所隔开。如氧化铝(Al2O3)或氧化硅(SiO2)的材料适用于该用途。非磁隔离层47用于对两个自旋阀结构32、34的自由层31、39磁去耦。隔离层47还用作双MR传感器30的读出间隔。
如上面参照图2所讨论的那样，自由层31、39的磁化垂直于钉扎层35、43的磁化，而且，钉扎层35、43的磁化必须是互相逆平行的。因为钉扎层35、43中的交换耦合场的方向或定向是通过把该结构加热到超过反铁磁材料的奈耳温度然后在具有所需方向的磁场下冷却该结构来设定的，从而必须使两个反铁磁层37、45的不同反铁磁材料分别具有明显不同的奈耳温度。对于图3a中所示的最佳实施方式，第一反铁磁层37的材料可以是例如具有相对低的奈耳温度的铁锰(FeMn)或氧化镍(NiO)而第二反铁磁层45的材料可以是例如具有相对高的奈耳温度的镍锰(NiMn)。
第二自旋阀34的钉扎层43里的交换耦合磁场的定向是通过在施加具有所需方向的磁场下从高于第二反铁磁层45的材料如NiMn的奈耳温度上冷却传感器30设定的。接着在高于第一反铁磁层37的材料的奈耳温度但又低于第二反铁磁层45的奈耳温度的温度上，同时施加与第一次退火过程所施加的磁场逆平行(180°)的磁场，对传感器30进行第二次退火。最好使钉扎层35、43的磁化垂直于传感器的空气轴承平面以及介质表面，并且在静状态(即不施加外磁场)下使自由层31、39的磁化平行于传感器的空气轴承表面和介质表面。
在最佳实施方式中，铁磁层32、35、39和43可以用任何适当的磁性材料制造，例如如钴(Co)、铁(Fe)、镍(Ni)以及它们的合金如镍铁(NiFe，通常称为玻莫合金)、镍钴(NiCo)和铁钴(FeCo)。传导隔离层33和41可以是任何适当的非磁性导电材料，例如如铜(Cu)、金(Au)和银(Ag)。传导引线57和59应该是低电阻率材料(即良导体)，并且具有硬度和好的抗蚀性，因为引线材料会暴露在传感器空气轴承表面上。例如，钽(Ta)是一种适用于引线导体57、59的材料。第一和第二间隙层51、53是非磁性绝缘材料，例如Al2O3或SiO2。磁屏蔽层49、55是高磁导率的磁性材料如NiFe或铁硅铝磁合金(AlSiFe)。在最佳实施方式中，第一屏蔽G1是NiFe或AlSiFe中的一种，而第二屏蔽G2是NiFe。图3a中所示双MR传感器30的特定实施例具有以下结构：Ta(50埃)/NiFe(90埃)/Cu(25埃)/Co(30埃)/FeMn(150埃)/Al2O3(500埃)/Ta(50埃)/NiFe(90埃)/Cu(25埃)/Co(30埃)/NiMn(300埃)。
继续参见图3b，其中表示了双MR传感器30的另一种实施方式。该实施方式和上面参照图3a说明的实施方式类似。图3b中所示的传感器30包括用非磁性绝缘隔离层47与第二自旋阀结构电隔离的第一自旋阀结构36。虽然第二自旋阀结构38和图3a中所示的第二自旋阀结构34相同，第一自旋阀结构3b和图3a中所示的第一自旋阀结构32的不同之处在于所采用的实现钉扎层65中磁化的装置。
第一自旋阀36包括籽晶层61、第一铁磁层(自由层)31、第一导电隔离层33和第二铁磁层(钉扎层)65。钉扎层65是一个分层结构，它具有第一铁磁材料层67、非磁性材料的反铁磁耦合层69和第二铁磁材料层71。隔离层47直接淀积在第二铁磁体层71上并和第二铁磁体层71接触，隔离层47是一层反铁磁材料。通过层71的铁磁材料和隔离层47的反铁磁材料之间的交换耦合，在钉扎层即第二铁磁体层71中感应一个有效磁场。因为第一铁磁钉扎层67是和第二铁磁钉扎层71是反铁磁地耦合的，这两层都和反铁磁间隙层47交换耦合，从而在铁磁层67中产生一个在中小外加磁场下固定的有效磁场。
在该最佳实施方式中，如所述，铁磁体层可以是任何适当的磁性材料而导电间隙层33及41可以是任何适当的非磁性导电材料。在第一自旋阀钉扎层65中，反铁磁耦合层69可以是任何适当的非磁性材料，如钌(Ru)、铬(Cr)、铑(Rh)、铱(Ir)或其它材料或者周知的可促进铁磁体层之间逆平行耦合的它们的合金。因为隔离层47还用于在电气上把第一自旋阀36和第二自旋阀38绝缘开，它除了是反铁磁材料外还必须是电绝缘材料，诸如NiO。
将分层的钉扎层65与反铁磁隔离层47一起使用。允许在比传感器中所使用的两个反铁磁材料的较高奈耳温度更高的温度下只用单个加热/冷却过程在第一和第二自旋阀36和38的钉扎层65及43中分别感应逆平行磁场。这样，当经交换耦合在第二铁磁钉扎层71中感应的磁场平行于钉扎层43中感应的磁场的同时，经静磁耦合在相邻导电隔离层33的第一铁磁钉扎层67中感应的磁场将相对于钉扎层43中的磁场是逆平行的。
图3b中所示的双MR传感器30的特定实施例具有如下结构：Ta(50埃)/NiFe(90埃)/Cu(25埃)/Co(30埃)/Ru(4埃)/Co(40埃)/NiO(400埃)/Ta(50埃)/NiFe(90埃)/Cu(25埃)/Co(30埃)/FeMn(150埃)。为了获得钉扎层65和43的磁化的所需逆平行定向，Ru反铁磁耦合层69的厚度应该在4-6埃的范围之内，而第一和第二Co层67和71在厚度上应该相差约10埃。在该最佳实施方式中，选择Ru耦合层69的4-6埃的厚度以提供Co层67和71之间的大反铁磁交换耦合。关于该过程的更详细说明，请参见作为本文参考文献的Parkin等的Phys.Rev.Lett,Vol.64,P.2034(1990)。两个Co层67和71之间的厚度差异决定钉扎层65的磁化和磁性异向，关于这一方面在本文的另一参考文献即共同转让的美国专利5,408,377中有更详细的说明。钉扎层65和43的净磁化量决定作用在传感器自由层31、39上的去磁场量。该去磁场与自由层和钉扎层31及35、39及43之间的铁磁耦合分别穿过非磁性隔离层33、41，并且由传感器偏置电流(感测电流)所产生的磁场决定静态偏置点(即，不存在外部磁场下的自由层磁化定向)。所以选择两个Co层的厚度差异以获得最佳偏置点。
继续参见图3c，它表示双MR传感器30的另一种最佳实施方式。该实施方式类似于上面参照图3b描述的实施方式，图3c中所示的传感器30包括借助非磁性绝缘隔离层47和第二自旋阀44在电气上隔离的第一自旋阀结构42，其中第一自旋阀42和图3b中的第一自旋阀结构36的不同之处在于所采用的在钉扎层73中提供交换耦合磁场的材料。
第一自旋阀42包括籽晶层61、第一铁磁体层(自由层)31、第一导电隔离层33、第二分层铁磁体层(钉扎层)73和第一反铁磁体层37。钉扎层73包括第一铁磁体层75、第二铁磁体层79和把第一及第二铁磁体层75、79隔开的去耦合层77。反铁磁体层37淀积在第二铁磁钉扎层79上并与其直接接触。通过和反铁磁体层37的交换耦合在第二铁磁体层79中感应有效的磁场。接着经过和第二铁磁钉扎层79的反铁磁耦合在第一铁磁钉扎层75感应有效的磁场，从而在中小外加磁场下固定铁磁体层75的磁化。
如参照图3b所描述的那样，分层的钉扎层73与第一反铁磁体材料37一起使用允许只用一个加热/冷却处理过程而在第一铁磁钉扎层75中和第二自旋阀44的钉扎层43中感应固定的逆平行磁场。
图3c中所示的双MR传感器30的一个特定的实施方式具有如下结构：Ta(50埃)/NiFe(90埃)/Cu(25埃)/Co(30埃)/Ru(4埃)/Co(40埃)/FeMn(150埃)/Al2O3(500埃)/Ta(50埃)/NiFe(90埃)/Cu(25埃)/Co(30埃)/FeMn(150埃)。采用单个退火处理设定钉扎层73、43中的磁化可消除对第一和第二反铁磁体层37、45采用具有不同的奈耳温度的不同材料的要求。因为在本实施方式中隔离层47只用来在电气上隔离二个自旋阀结构42、44，该隔离层可以是任何适当的绝缘材料，例如Al2O3或SiO2。
现在再参照图4，图4是一个方块图，它表示一个采用参照图3a、3b和3c所说明的双MR传感30的差分检测电路。电源81向1号自旋阀提供恒定偏置或感测电流Is。类似地，电源83向2号自旋阀提供恒定感测电流Is。电流以相同方向通过两个自旋阀。各个自旋阀的输出信号分别施加到差分放大器85的相反极性输入上。两个自旋阀中的钉扎层的逆平行磁化响应外加磁场(比如记录在磁盘上的磁数据信号)在两个自旋阀中提供相反的磁电阻变化。磁电阻变化及输出信号在差分检测器85上是增加，从而提供更大的灵敏度。采用差分检测还提供对诸如来自热不均的共模噪声的抑制。
现再参看图5，图中表示按照本发明的双MR传感器的另一种实施方式。该双MR传感器90包括被一个可以是电传导或电绝缘材料构成的非磁性间隔层99分隔的第一自旋阀结构92、第二自旋阀结构94。每个自旋阀92、94包括第一(自由)铁磁体层97、101，并通过非磁性电传导薄层95、103与第二(钉扎)铁磁体层93、105隔开。相邻钉扎铁磁体层93、105分别构造加锁层91、107，以便提供固定各钉扎层93、105中磁化方向的装置。如上面参照图2中所说明的那样，每个钉扎层93、105中的磁化方向是固定地彼此逆平行(分别地，箭头109、117)。每个自由铁磁体层97、101中的磁化方向置为和钉扎层93、105中的磁化方向相垂直，并且响应外部施加的磁场自由转动(分别地，箭头111、113)。
现再参照图6，图中表示图5的双MR传感器90的一个特定实施方式。第一和第二自旋阀结构92和94通过绝缘隔离层99被隔开并且用真空淀积技术构造绝缘层89上，而绝缘层89又构造在适当的基片87上。绝缘层89与图3a中所示的第一间隙层G1类似。
出于说明的目的，基片87包括技术上已知的任何附加层，例如图3a中所示的第一磁屏蔽层S1。第一自旋阀结构92包括由非磁性导电隔离层95分开的第一铁磁体层(自由层)97和第二铁磁体层93(钉扎层)。如上面参照图3b和3c所说明的那样，钉扎层93包括由薄非磁性去耦合层123隔开的第一和第二铁磁体层121和125。
绝缘层89是例如NiO的反铁磁体材料。第一铁磁体钉扎层121淀积在反铁磁绝缘层89的表面上并与其直接接触。通过和反铁磁绝缘层89的交换耦合在铁磁体层121中感应一个磁场，从而通过静磁耦合在第二铁磁体层125中提供一个磁场。第二自旋阀结构包括由非磁性导电隔离层103隔开的第一铁磁体层(自由层)101和第二铁磁体层(钉扎层)105。反铁磁体层107构造在第二铁磁体层105上并且与其接触以通过交换耦合在钉扎层105中提供一个磁场。本实施方式的一个特点是各自旋阀的自由层97、101淀积在和绝缘隔离层99的相对两个侧面相邻的传感器结构的中部上。隔离层99是一层非磁性(而且电绝缘)材料以分别在两个自旋阀92、94的自由层97、101之间提供磁去耦。
导电引线119构造在自旋阀92、94的相对两端上，在各端上把自旋阀92、94短路在一起并定义传感器90的中央激活区(即，传感器90响应所施加磁信号的部分)。传感器激活区还定义传感器的道宽。导电引线119把传感器90和外部电路如电流装置129和感测装置127连接起来。电流装置129向传感器90提供感测电流Is。感测装置127检测传感器响应外加磁场的输出信号。
按照本发明的该实施方式，铁磁体层93、97和101和105可以用任何适当的磁性材料例如如Co、Fe、Ni和它们的合金NiFe、NiCo及FeCo制造，并且分层铁磁体层93的结构如上所述。在图6中的特定实施方式中，铁磁体层93、97、101和105可以可选地包括一层例如NiFe的第一铁磁材料层和一层例如Co的称为“毫微层”的第二铁磁材料薄层。毫微层结构在作为本文的参考文献的共同转让的美国专利5,341,261中有说明。第二铁磁材料的毫微层淀积在第一铁磁材料层和非磁性间隔层之间的界面上。最佳铁磁体层是NiFe薄膜层93和厚约为7-20埃的Co毫微层93a。铁磁材料层97、97a、101、101a、105和105a也具有这种双层结构。这种双层结构在磁电阻上提供更大的变化并且提供低的矫顽磁性和低的磁性异向。此外，这种磁参数的结合是不能由两个铁磁材料层中的单层单独提供的。
非磁性间隔层33、38包括例如Cu，或者其它适当的导电金属如Ag、Au或它们的合金。导电引线119可以是任何适当的导电材料，如Ta。反铁磁材料层107例如可以是FeMn或MiMn。绝缘层89可以是任何反铁磁体并且电绝缘的材料，如NiO。在第一自旋阀92中采用分层的钉扎层93允许只利用单个加热/冷却过程没定层93和105里的磁方向置成彼此逆平行。备选地，可以通过采用邻接的硬磁层或者通过对钉扎层93、105使用具有足够高矫顽磁性的材料固定钉扎铁磁体层93、105的磁化方向。
图7中表示一组三个有关的曲线，这些曲线表示图5和6中所示的双MR传感器的计算出的传感器电流密度和经过传感器的各个位置之间的函数关系。双MR传感器90的该特定实施方式具有如下的结构：NiO(400埃)/Co(30埃)/Ru(6埃)/Co(40埃)/Cu(25埃)/Co(20埃)/NiFe(70埃)/Ta(500埃)/NiFe(70埃)/Co(20埃)/Cu(25埃)/Co(20埃)/NiFe(30埃)/FeMn(200埃)。在最上面的曲线图中，假定自由层和钉扎层之间是逆平行校准的。上旋曲线用虚线表示，下旋曲线用实线表示而总电流密度用点划线表示。中间的曲线图表示逆平行校准和平行校准二者的总电流密度，而最下面的曲线图表示中间曲线图所示的两条曲线之间的差。
图8是一个放大的曲线图，它表示图7实施方式的一个自旋阀结构的电流密度。该图从NiO层之后开始并且表示各层对自旋阀结构的总电流密度的贡献。图7和图8中所示的曲线是代表性的自旋阀，用于说明自旋阀传感器的运行。各特定实施方式的阀将作为自旋阀结构中不同层的厚度和材料的函数变化。
现参照图9和图10，其中表示了按照本发明的MR传感器的另一种最佳实施方式。双MR传感器130包括被绝缘隔离层137隔开的第一自旋阀结构142和第二自旋阀结构144。
在该双传感器实施方式中，自旋阀142、144的第一或自由铁磁材料层131、143淀积在该结构的端部(或顶端和底端)上，而第二或钉扎铁磁材料层135、139淀积在该分层结构的中央附近并和绝缘间隔层137的相对的两侧面相邻。绝缘间隔层137是反铁磁材料的，用于通过交换耦合固定钉扎层135、139中的磁化。如将在下面所讨论的那样，这种构局在传感器内造成更有效的电流分布。
自旋阀结构142和144淀积在适当的基片129和隔离层128上。在淀积第一铁磁体层131之前可以在隔离层128上淀积诸如Ta、Ru或CrV的适当的底基层。底基层145的用途是优化相继各层的结构、颗粒尺寸和形态。如果隔离层是由具有适当特性的材料构成的，可以省掉底基层145。第一非磁性导电间隔层133和第二铁磁体层135的淀积完成了第一自旋阀结构142。然后在第二铁磁体层135上淀积反铁磁体隔离层137，并且这两层相接触。在该实施方式中，借助交换耦合第二铁磁材料层135的磁化方向由反铁磁材料的隔离膜层137固定在适当位置上，如图9中的箭头134所示。
第二旋转结构144包括构造在反铁磁体隔离层137上并和该层137接触的第三铁磁材料层(钉扎层)139、第二非磁性导电材料薄膜间隔层141和第四铁磁材料层(自由层)143。在该实施方式中，通过借助和反铁磁体间隔层137的交换耦合将第三铁磁体材料层139的磁化方向固定，如图9中的箭头136所示。
如上面参照图6所说明的那样，第一自旋阀142的钉扎层135包括由薄非磁性去耦合层157隔开的第一和第二铁磁体层155、159。钉扎层135的这种结构允许利用单个反铁磁体层137以及利用单个加热/冷却过程在钉扎层135、139中获得所需的逆平行磁化方向。
铁磁体层131、135、139、143可以是任何适当的磁性材料，诸如Co、Fe、Ni以及它们的合金NiFe、NiCo和FeCo，其中分层钉扎层135的结构如上面所述。备选地，铁磁体层131、135、139、143可以包括一层上面参照图6说明的由不同的铁磁材料构成的毫微层。非磁性导电层133、141例如由Cu或者其它合适的导电金属比如Ag、Au或它们的合金构成。绝缘隔离层137由任何具有高电阻的适当反铁磁材料构成。
电导体引线149在双MR传感器130、电源153和感测装置151之间构成电路通路。如上面参照图6所说明的那样，导体引线149在各端上把两个自旋阀结构142、144短路起来并且定义传感器130的中央激活区和道宽。熟练的技术人员可以理解双MR传感器130还可以包括比如Ta盖层147的其他不同的层，以及比如纵向偏置层的偏置层(未示出)。
图9表示铁磁材料的自由层131、143的磁化在定向时是平行的，即是同一方向的，并且在不存在外加磁场的情况下它们的方向和箭头134及136所示的铁磁材料的钉扎层135、139的磁化方向大约成90°的角度。这样，在铁磁材料的钉扎层135、139的磁化方向保持固定的同时，响应外加磁场(例如图9中所示的磁场h)铁磁材料的自由层131、143的磁化自由地转动它们的方向，如分别由自由层131和143上的虚箭头132、138所示那样。
图11中表示一组三个有关的曲线图，它们表示图9和图10所示的MR传感器的计算的传感器电流密度和经过传感器的各个位置之间的函数关系。MR传感器的一个特定实施方式具有如下结构：
Ta(50埃)/NiFe(50埃)/Cu(25埃)/Co(40埃)/Ru(6埃)/Co(30埃)/NiO(400埃)/Co(50埃)/Cu(25埃)/NiFe(50埃)/Ta(50埃)。在最上面的曲线图中，假定自由层和钉扎层之间是逆平行校准的。上旋曲线用虚线表示，下旋曲线用实线表示，而总的电流密度在点划线中表示。中间的曲线圈表示逆平行校准(虚线)和平行校准(实线)两种情况的总电流密度，而最下面的曲线表示中间的曲线图中所示的两条曲线之间的差。
当自由层位于双MR传感器的中央附近(如图5和6所示)时和当自由层位于双MR传感器的边缘附近时(如图9和图10所示)传感器的操作上存在明显的不同。在这两种情况中运行期间由流过传感器的感测电流产生的磁场对自由层的作用是不同的。在确定用来适当地偏置传感器以获得最对称的运行以及最高信号输出的正确电流时，该磁场是要计算在内的(与钉扎层的静磁场和层间耦合以及其它任何作用在自由层上的有效的或实际的磁场一起)。
当自由层位于传感器的中央附近时，较多的感测电流流过各自由层的两侧。因为流经一给定自由层的一侧的电流所产生的磁场抵消了流过另一侧的电流所产生的磁场，当自由层位于MR结构的中央附近时电流产生较小的净磁场。当自由层位于传感器结构的外边缘附近时，由电流产生的作用在自由层上的磁场较大。这种或另一种实施方式是否为最佳取决于作用在自由层上其他磁场的总和。对于磁矩大于25埃厚的Ni80Fe20层的等效磁矩的钉扎层，或者对于自由层和钉扎层之间的铁磁耦合大于约100e的结构，图5和图6中所示的MR结构是最佳的。否则，图9和图10中所示的MR结构是最佳的。部分地，所使用的最佳结构是通过感测电流产生的总磁场确定的。传感器结构中电流密度可以如图7、8和11所示计算。对自由层右侧和左侧电流产生的磁场的平衡的一个简便的量度是“Q”，即如果所有电流在自由层的一侧的所出现的小部分磁场。“Q”的值是层厚度、材料选择和制备条件的函数。例如对于图9和图10中所示的典型结构可得到Q=0.85的值，而对于图5和图6中所示的典型结构可得到Q=0.36的值。如技术上周知那样，屏蔽对磁场平衡的影响也是重要的，并且必须包括在任何微磁模型中。
尽管本发明是参照它的最佳实施方式具体地表示和说明的，熟练的技术人员可以理解，在不违背本发明的实质、范围和原理的前提下在形式和细节上可以进行各种改变。从而，这里所公开的本发明被认为仅是示意性的并且在范围上仅受到附属权利要求书的规定的限制。

Claims (22)

1．一种磁盘记录系统，包括：
具有多条记录数据的磁道的磁存储介质；
一个磁传感器，在所述磁传感器和所述磁存储介质之间的相对运动期间，所述磁传感器相对于所述磁存储介质保持很小间距位置，所述磁传感器包含一个磁电阻读传感器，该磁电阻读传感器包括：
第一和第二分层结构，所述第一和第二分层结构由一个隔离层隔开，
各个所述分层结构包括由一层非磁性材料隔开的第一和第二铁磁体材料层，
在各个所述分层结构中固定所述第二铁磁材料层的磁化方向的装置，
所述第一分层结构中的所述第二铁磁材料层的所述磁化方向固定为和所述第二分层结构中的第二铁磁材料层的磁化方向逆平行，
产生流过所述磁电阻传感器的电流的装置，
由于各所述分层结构中所述第一铁磁材料层里磁化转动，所述磁电阻传感器对外部磁场作出响应产生电阻率的变化；
同所述磁传感器连接的致动器装置，用于把所述磁传感器移动到所述磁存储介质的选定磁道上；以及
同所述磁电阻读传感器连接的检测装置，用于感测所述磁电阻材料中对磁场起反应而产生的电阻率变化，这些磁场代表着由所述磁电阻传感器侦听的记录在所述磁存储介质中的数据位。
2．如权利要求1的磁盘记录系统，其特征在于，用于固定各所述第一和第二分层结构中所述第二铁磁材料层的磁化方向的所述装置包括一层和所述第二铁磁材料层接触的反铁磁材料层。
3．如权利要求2的磁盘记录系统，其特征在于，用于固定所述第一分层结构中所述第二铁磁材料层的磁化方向的所述装置包括所述隔离层，所述隔离层为具有高电阻率的反铁磁材料，所述隔离层和所述第一分层结构的所述第二铁磁材料层相接触。
4．如权利要求3的磁盘记录系统，其特征在于，所述隔离层包括氧化镍。
5．如权利要求2的磁盘记录系统，其特征在于，和所述第一分层结构中的所述第二铁磁材料层接触的所述反铁磁材料层包括第一反铁磁材料，并且和所述第二分层结构中的所述第二铁磁材料层接触的所述反铁磁材料层包括第二反铁磁材料，所述第一和第二反铁磁材料具有不同的奈耳温度。
6．如权利要求5的磁盘记录系统，其特征在于，所述第一反铁磁材料层由铁锰组成，而所述第二反铁磁材料层由氧化镍组成。
7．如权利要求2的磁盘记录系统，其特征在于，所述隔离层包括一层电绝缘材料层，各所述第一和第二分层结构进而包括构造在所述分层结构的相对两端上的用于把各所述第一和第二分层结构和所述产生电流的装置连接起来的电导体引线。
8．如权利要求7的磁盘记录系统，其特征在于，所述产生电流的装置包括分别和所述第一和第二分层结构连接的第一和第二恒电流源，各所述第一和第二分层结构和一个差分放大器电路的不同输入端子连接。
9．如权利要求2的磁盘记录系统，其特征在于，所述第一分层结构的所述第二铁磁材料层包括一个反铁磁耦合层隔开的第一和第二铁磁材料层，所述第一和第二铁磁材料层中的一层和所述反铁磁材料层接触，所述第一和第二铁磁材料层中的另一层和所述非磁性材料层接触。
10．如权利要示9的磁盘记录系统，其特征在于，所述第二铁磁材料层的第一和第二铁磁材料层由钴组成并且所述反铁磁耦合层由钌组成。
11．一种双磁电阻传感器，包括：
第一和第二分层结构，所述第一和第二分层结构被一个隔离层隔开；
各所述分层结构包括由一个非磁性材料层隔开的第一和第二铁磁材料层；
用于固定各所述分层结构中所述第二铁磁材料层的磁化方向的装置；
所述第一分层结构中所述第二铁磁材料层的所述磁化方向在方向上固定为和所述第二分层结构中所述第二铁磁材料层的所述磁化方向逆平行；
用于产生通过所述磁电阻传感器的电流的装置；以及
用于感测该磁电阻传感器的电阻率变化的装置，该电阻率变化是由于各所述分层结构中所述第一铁磁材料层的磁化转动响应外部磁场而造成的。
12．如权利要求11的双磁电阻传感器，其特征在于，用于固定各所述分层结构中所述第二铁磁材料层的磁化方向的所述装置包括一个和所述第二铁磁材料层接触的反铁磁材料层。
13．如权利要求12的双磁电阻传感器，其特征在于，用于固定所述第一分层结构的所述第二铁磁材料层中的磁化方向的所述装置包括所述隔离层，所述隔离层为具有高电阻率的反铁磁材料，所述隔离层为具有高电阻率的反铁磁材料，所述隔离层和所述第一分层结构的所述第二铁磁材料层接触。
14．如权利要求13的双磁电阻传感器，其特征在于所述隔离层包括氧化镍。
15．如权利要求12的双磁电阻传感器，其特征在于，和所述第一分层结构中的所述第二铁磁材料层接触的所述反铁磁材料层由第一反铁磁材料组成，并且和所述第二分层结构中的所述第二铁磁材料层接触的所述反铁磁材料层由第二反铁磁材料组成，所述第一和第二反铁磁材料具有不同的奈耳温度。
16．如权利要求15的双磁电阻传感器，其特征在于，所述第一反铁磁材料层由铁锰组成，所述第二反铁磁材料层由氧化镍组成。
17．如权利要求11的双磁电阻传感器，其特征在于，各所述铁磁材料层包括具有第一铁磁材料层和薄的与所述第一铁磁材料层接触的第二铁磁材料层的双层结构，所述薄的第二铁磁材料层淀积在所述铁磁材料层和所述非铁磁材料层之间的界面上。
18．如权利要求17的双磁电阻传感器，其特征在于，所述第一铁磁材料是镍铁，并且所述第二铁磁材料是钴。
19．如权利要求12的双磁电阻传感器，其特征在于，所述第一分层结构的所述第二铁磁材料层包括由一层反铁磁耦合层隔开的第一和第二铁磁材料层，所述第一和第二铁磁材料层中的一层和所述反铁磁材料层接触，所述第一和第二铁磁材料层中的另一层和所述非磁性材料接触。
20．如权利要求19的双磁电阻传感器，其特征在于，所述反铁磁耦合层是一种从一组包括着钌、铬、铑、铱以及它们的合金的材料中选择的材料。
21．如权利要求19的双磁电阻传感器，其特征在于，所述第一和第二铁磁材料层由钴组成并且所述反铁磁耦合层由钌组成。
22．如权利要求19的双磁电阻传感器，其特征在于，所述反铁磁耦合层具有范围在3埃至6埃的厚度。
CN96111157A 1995-09-11 1996-08-20 磁传感器和磁盘记录系统 Expired - Fee Related CN1068950C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US526648 1995-09-11
US08/526,648 US5701222A (en) 1995-09-11 1995-09-11 Spin valve sensor with antiparallel magnetization of pinned layers

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB001290746A Division CN1180400C (zh) 1995-09-11 2000-09-30 磁盘记录系统和双磁电阻读传感器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1148710A CN1148710A (zh) 1997-04-30
CN1068950C true CN1068950C (zh) 2001-07-25

Family

ID=24098185

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN96111157A Expired - Fee Related CN1068950C (zh) 1995-09-11 1996-08-20 磁传感器和磁盘记录系统
CNB001290746A Expired - Fee Related CN1180400C (zh) 1995-09-11 2000-09-30 磁盘记录系统和双磁电阻读传感器

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB001290746A Expired - Fee Related CN1180400C (zh) 1995-09-11 2000-09-30 磁盘记录系统和双磁电阻读传感器

Country Status (7)

Country Link
US (2) US5701222A (zh)
JP (1) JP3628454B2 (zh)
KR (1) KR100220141B1 (zh)
CN (2) CN1068950C (zh)
MY (1) MY113871A (zh)
SG (1) SG43377A1 (zh)
TW (1) TW299442B (zh)

Families Citing this family (120)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5764056A (en) * 1996-05-16 1998-06-09 Seagate Technology, Inc. Nickel-manganese as a pinning layer in spin valve/GMR magnetic sensors
US6026355A (en) * 1996-09-18 2000-02-15 Itron, Inc. Solid state watt-hour meter using GMR sensor
US5930062A (en) * 1996-10-03 1999-07-27 Hewlett-Packard Company Actively stabilized magnetoresistive head
US5768069A (en) * 1996-11-27 1998-06-16 International Business Machines Corporation Self-biased dual spin valve sensor
US6469873B1 (en) * 1997-04-25 2002-10-22 Hitachi, Ltd. Magnetic head and magnetic storage apparatus using the same
US5825595A (en) * 1997-05-13 1998-10-20 International Business Machines Corporation Spin valve sensor with two spun values separated by an insulated current conductor
US6350487B1 (en) 1997-09-24 2002-02-26 Alps Electric Co., Ltd. Spin-valve type thin film element and its manufacturing method
JP3227116B2 (ja) * 1997-09-24 2001-11-12 アルプス電気株式会社 スピンバルブ型薄膜素子およびその製造方法
US5880913A (en) * 1997-10-27 1999-03-09 International Business Machines Corporation Antiparallel pinned spin valve sensor with read signal symmetry
US5898549A (en) * 1997-10-27 1999-04-27 International Business Machines Corporation Anti-parallel-pinned spin valve sensor with minimal pinned layer shunting
DE69811458T2 (de) * 1997-11-17 2004-01-08 Matsushita Electronics Corp., Kadoma Dünnschicht mit Wechselkupplung, magnetoresistives Element, magnetoresistiver Kopf und Herstellungsverfahren
US6134090A (en) * 1998-03-20 2000-10-17 Seagate Technology Llc Enhanced spin-valve/GMR magnetic sensor with an insulating boundary layer
JPH11296832A (ja) * 1998-04-02 1999-10-29 Sony Corp 磁気記録媒体
US6269027B1 (en) 1998-04-14 2001-07-31 Honeywell, Inc. Non-volatile storage latch
US6356420B1 (en) 1998-05-07 2002-03-12 Seagate Technology Llc Storage system having read head utilizing GMR and AMr effects
US6175475B1 (en) * 1998-05-27 2001-01-16 International Business Machines Corporation Fully-pinned, flux-closed spin valve
JP3234814B2 (ja) * 1998-06-30 2001-12-04 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置
US7738220B1 (en) 1998-06-30 2010-06-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistance effect element, magnetic head, magnetic head assembly, magnetic storage system
DE19830344C2 (de) * 1998-07-07 2003-04-10 Ipht Jena Inst Fuer Physikalis Verfahren zum Einstellen der Magnetisierung der Biasschicht eines magneto-resistiven Sensorelements, demgemäß bearbeitetes Sensorelement sowie zur Durchführung des Verfahrens geeignetes Sensorsubstrat
US6221172B1 (en) * 1998-07-21 2001-04-24 Alps Electric Co., Inc. Manufacturing method of spin-valve magnetoresistive thin film element
JP2000057527A (ja) * 1998-08-04 2000-02-25 Alps Electric Co Ltd スピンバルブ型薄膜素子
US6219212B1 (en) * 1998-09-08 2001-04-17 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel junction head structure with insulating antiferromagnetic layer
KR20010085831A (ko) * 1998-09-28 2001-09-07 추후 쿼드-층 ｇｍｒ 샌드위치
US6128149A (en) * 1998-10-23 2000-10-03 International Business Machines Corporation Method and system for detecting common mode disturbances from a dual stripe magnetoresistive head
US6185079B1 (en) * 1998-11-09 2001-02-06 International Business Machines Corporation Disk drive with thermal asperity reduction circuitry using a magnetic tunnel junction sensor
US6181534B1 (en) 1998-11-09 2001-01-30 International Business Machines Corporation Antiparallel (AP) pinned spin valve sensor with specular reflection of conduction electrons
US6122150A (en) * 1998-11-09 2000-09-19 International Business Machines Corporation Antiparallel (AP) pinned spin valve sensor with giant magnetoresistive (GMR) enhancing layer
US6556388B1 (en) * 1998-11-20 2003-04-29 Seagate Technology Llc Differential VGMR sensor
US6633464B2 (en) 1998-12-09 2003-10-14 Read-Rite Corporation Synthetic antiferromagnetic pinned layer with Fe/FeSi/Fe system
US6185077B1 (en) 1999-01-06 2001-02-06 Read-Rite Corporation Spin valve sensor with antiferromagnetic and magnetostatically coupled pinning structure
US6197439B1 (en) 1999-01-28 2001-03-06 International Business Machines Corporation Laminated magnetic structures with ultra-thin transition metal spacer layers
US6801411B1 (en) * 1999-02-10 2004-10-05 Western Digital (Fremont), Inc. Dual stripe spin valve sensor without antiferromagnetic pinning layer
US6181533B1 (en) 1999-02-19 2001-01-30 Seagate Technology Llc Simultaneous fixation of the magnetization direction in a dual GMR sensor's pinned layers
US6268985B1 (en) * 1999-03-30 2001-07-31 International Business Machines Corporation Read head having spin valve sensor with improved capping layer
DE19924756A1 (de) * 1999-05-29 2000-11-30 Bosch Gmbh Robert Magnetoresistives Element
US6295187B1 (en) 1999-06-29 2001-09-25 International Business Machines Corporation Spin valve sensor with stable antiparallel pinned layer structure exchange coupled to a nickel oxide pinning layer
US7196880B1 (en) 1999-07-19 2007-03-27 Western Digital (Fremont), Inc. Spin valve sensor having a nonmagnetic enhancement layer adjacent an ultra thin free layer
JP3367477B2 (ja) * 1999-07-28 2003-01-14 日本電気株式会社 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド及び磁気抵抗検出システム並びに磁気記憶システム
US6219210B1 (en) * 1999-07-30 2001-04-17 International Business Machines Corporation Spin valve sensor with nickel oxide pinning layer on a chromium seed layer
US6308400B1 (en) * 1999-08-06 2001-10-30 Headway Technologies, Inc. Method for achieving anti-parallel exchange coupling with one biased layer having low coercivity
US6292336B1 (en) * 1999-09-30 2001-09-18 Headway Technologies, Inc. Giant magnetoresistive (GMR) sensor element with enhanced magnetoresistive (MR) coefficient
US6381105B1 (en) 1999-10-22 2002-04-30 Read-Rite Corporation Hybrid dual spin valve sensor and method for making same
US6178111B1 (en) 1999-12-07 2001-01-23 Honeywell Inc. Method and apparatus for writing data states to non-volatile storage devices
US6643103B1 (en) * 2000-01-05 2003-11-04 Seagate Technology Llc Very high linear resolution CPP differential dual spin valve magnetoresistive head
US6452761B1 (en) * 2000-01-14 2002-09-17 International Business Machines Corporation Magneto-resistive and spin-valve sensor gap with reduced thickness and high thermal conductivity
US6649254B1 (en) 2000-02-04 2003-11-18 Seagate Technology Llc Compensated crystalline superlattice ferrimagnets
US6411477B1 (en) 2000-02-08 2002-06-25 International Business Machines Corporation Antiparallel pinned spin valve read head with improved magnetoresistance and biasing
US6396671B1 (en) 2000-03-15 2002-05-28 Headway Technologies, Inc. Ruthenium bias compensation layer for spin valve head and process of manufacturing
US6583969B1 (en) * 2000-04-12 2003-06-24 International Business Machines Corporation Pinned layer structure having nickel iron film for reducing coercivity of a free layer structure in a spin valve sensor
US6473275B1 (en) * 2000-06-06 2002-10-29 International Business Machines Corporation Dual hybrid magnetic tunnel junction/giant magnetoresistive sensor
US6549382B1 (en) 2000-06-14 2003-04-15 International Business Machines Corporation Read head with asymmetric dual AP pinned spin valve sensor
US20020006021A1 (en) * 2000-07-13 2002-01-17 Beach Robert S. Spin valve sensor with an antiferromagnetic layer between two pinned layers
US6396733B1 (en) 2000-07-17 2002-05-28 Micron Technology, Inc. Magneto-resistive memory having sense amplifier with offset control
US6493258B1 (en) 2000-07-18 2002-12-10 Micron Technology, Inc. Magneto-resistive memory array
US6392922B1 (en) * 2000-08-14 2002-05-21 Micron Technology, Inc. Passivated magneto-resistive bit structure and passivation method therefor
US6363007B1 (en) 2000-08-14 2002-03-26 Micron Technology, Inc. Magneto-resistive memory with shared wordline and sense line
US6493259B1 (en) 2000-08-14 2002-12-10 Micron Technology, Inc. Pulse write techniques for magneto-resistive memories
US6724654B1 (en) * 2000-08-14 2004-04-20 Micron Technology, Inc. Pulsed write techniques for magneto-resistive memories
US6570745B1 (en) 2000-11-20 2003-05-27 International Business Machines Corporation Lead overlaid type of sensor with sensor passive regions pinned
US6888184B1 (en) * 2001-02-23 2005-05-03 Western Digital (Fremont), Inc. Shielded magnetic ram cells
US6563680B2 (en) * 2001-03-08 2003-05-13 International Business Machines Corporation Spin valve sensor with pinned layer and antiparallel (AP) pinned layer structure pinned by a single pinning layer
US7050274B2 (en) * 2001-03-15 2006-05-23 Seagate Technology Llc Multilayer permanent magnet films
US6650509B2 (en) 2001-03-20 2003-11-18 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Dual spin valve sensor with AP pinned layers
US6674616B2 (en) 2001-04-09 2004-01-06 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Spin valve sensor with a biasing layer ecerting a demagnetizing field on a free layer structure
US6667861B2 (en) * 2001-07-16 2003-12-23 International Business Machines Corporation Dual/differential GMR head with a single AFM layer
JP4780878B2 (ja) * 2001-08-02 2011-09-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 薄膜磁性体記憶装置
US6747852B2 (en) * 2001-08-17 2004-06-08 International Business Machines Corporation Magnetoresistance sensors with Pt-Mn transverse and longitudinal pinning layers and a decoupling insulation layer
US6485989B1 (en) 2001-08-30 2002-11-26 Micron Technology, Inc. MRAM sense layer isolation
US7587809B2 (en) * 2001-09-12 2009-09-15 Seagate Technology Llc Method for forming a MR reader with reduced shield topography and low parasitic resistance
US6541792B1 (en) 2001-09-14 2003-04-01 Hewlett-Packard Development Company, Llp Memory device having dual tunnel junction memory cells
KR100448990B1 (ko) * 2001-10-10 2004-09-18 한국과학기술연구원 열적 특성이 우수한 듀얼 스핀밸브 자기저항 박막 및 그제조방법
US6473337B1 (en) * 2001-10-24 2002-10-29 Hewlett-Packard Company Memory device having memory cells with magnetic tunnel junction and tunnel junction in series
US6483734B1 (en) 2001-11-26 2002-11-19 Hewlett Packard Company Memory device having memory cells capable of four states
JP3583102B2 (ja) 2001-12-27 2004-10-27 株式会社東芝 磁気スイッチング素子及び磁気メモリ
US6581272B1 (en) * 2002-01-04 2003-06-24 Headway Technologies, Inc. Method for forming a bottom spin valve magnetoresistive sensor element
SG118182A1 (en) * 2002-03-19 2006-01-27 Fuji Electric Co Ltd Method for producing a magnetic recording medium and a magnetic recording medium produced by the method
US6822838B2 (en) * 2002-04-02 2004-11-23 International Business Machines Corporation Dual magnetic tunnel junction sensor with a longitudinal bias stack
US7161771B2 (en) * 2002-04-02 2007-01-09 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Dual spin valve sensor with a longitudinal bias stack
US6783995B2 (en) * 2002-04-30 2004-08-31 Micron Technology, Inc. Protective layers for MRAM devices
US6680828B2 (en) * 2002-06-07 2004-01-20 International Business Machines Corporation Differential GMR head system and method using self-pinned layer
US6953601B2 (en) * 2002-06-11 2005-10-11 Headway Technologies, Inc. Synthetic free layer for CPP GMR
JP3648504B2 (ja) * 2002-09-06 2005-05-18 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気再生装置
US6714441B1 (en) * 2002-09-17 2004-03-30 Micron Technology, Inc. Bridge-type magnetic random access memory (MRAM) latch
US6927948B2 (en) * 2003-01-23 2005-08-09 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Differential CPP GMR sensor with free layers separated by metal gap layer
US6943994B2 (en) * 2003-02-13 2005-09-13 Headway Technologies, Inc. Design of canted synthetic pattern exchange spin valve head for improving stability and bias
US6977801B2 (en) * 2003-02-24 2005-12-20 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetoresistive device with exchange-coupled structure having half-metallic ferromagnetic Heusler alloy in the pinned layer
JP4469570B2 (ja) * 2003-07-24 2010-05-26 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気記録再生装置
CN100466646C (zh) * 2003-08-06 2009-03-04 华为技术有限公司 一种跟踪接口消息的实现方法和系统
US7116530B2 (en) * 2003-09-30 2006-10-03 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Thin differential spin valve sensor having both pinned and self pinned structures for reduced difficulty in AFM layer polarity setting
US7112454B2 (en) * 2003-10-14 2006-09-26 Micron Technology, Inc. System and method for reducing shorting in memory cells
JP4433820B2 (ja) * 2004-02-20 2010-03-17 Ｔｄｋ株式会社 磁気検出素子およびその形成方法ならびに磁気センサ、電流計
JP3896366B2 (ja) * 2004-04-21 2007-03-22 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置
JP3683577B1 (ja) * 2004-05-13 2005-08-17 Ｔｄｋ株式会社 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリおよび磁気ディスク装置
US7339818B2 (en) 2004-06-04 2008-03-04 Micron Technology, Inc. Spintronic devices with integrated transistors
US7242556B2 (en) * 2004-06-21 2007-07-10 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. CPP differential GMR sensor having antiparallel stabilized free layers for perpendicular recording
US7705586B2 (en) * 2004-09-27 2010-04-27 Nxp B.V. Magnetic sensor for input devices
US7589939B2 (en) * 2004-09-28 2009-09-15 Yamaha Corporation Magnetic sensor using giant magnetoresistive elements and method for manufacturing the same
JP4614061B2 (ja) * 2004-09-28 2011-01-19 ヤマハ株式会社 巨大磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサ及び同磁気センサの製造方法
US7382590B2 (en) * 2005-01-31 2008-06-03 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. MR sensor and thin film media having alloyed Ru antiparallel spacer layer for enhanced antiparallel exchange coupling
US7408747B2 (en) * 2005-02-01 2008-08-05 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Enhanced anti-parallel-pinned sensor using thin ruthenium spacer and high magnetic field annealing
JP3916636B2 (ja) * 2005-02-15 2007-05-16 Ｔｄｋ株式会社 磁気記録媒体、磁気記録再生装置
US7573684B2 (en) * 2005-04-13 2009-08-11 Seagate Technology Llc Current-in-plane differential magnetic tri-layer sensor
JP4296180B2 (ja) * 2006-02-17 2009-07-15 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子，磁気ヘッド，磁気再生装置，および磁気抵抗素子の製造方法
JP4575396B2 (ja) * 2007-01-24 2010-11-04 株式会社日立製作所 磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
JP2008243920A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Toshiba Corp 磁気抵抗効果再生素子、磁気ヘッド、および磁気再生装置
DE102007032867B4 (de) * 2007-07-13 2009-12-24 Infineon Technologies Ag Magnetoresistive Magnetfeldsensorstrukturen und Herstellungsverfahren
JP5027687B2 (ja) * 2008-02-14 2012-09-19 株式会社日立製作所 磁気記録再生ヘッドおよび磁気記録再生装置
US7974047B2 (en) * 2008-09-02 2011-07-05 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. Current perpendicular to plane differential magnetoresistance read head design using a current confinement structure proximal to an air bearing surface
JP5362340B2 (ja) * 2008-12-08 2013-12-11 株式会社日立製作所 磁気ヘッド
JP2010140524A (ja) * 2008-12-09 2010-06-24 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 差動型磁気抵抗効果ヘッド及び磁気記録再生装置
US9230578B2 (en) * 2013-12-23 2016-01-05 HGST Netherlands B.V. Multiple readers for high resolution and SNR for high areal density application
DE102014110438B4 (de) 2014-07-24 2020-11-12 Infineon Technologies Ag XMR-Sensorvorrichtung
CN104851975A (zh) * 2015-01-07 2015-08-19 内蒙古大学 一种以NiFe合金为磁性层的各向异性磁电阻材料及其制备方法
US10809320B2 (en) 2015-04-29 2020-10-20 Everspin Technologies, Inc. Magnetic field sensor with increased SNR
US9536549B1 (en) * 2015-08-14 2017-01-03 Seagate Technology Llc Multiple sensor magnetic reproducing device with reduced inter-sensor spacing
CN111615636B (zh) * 2018-01-17 2022-07-08 阿尔卑斯阿尔派株式会社 磁检测装置及其制造方法
JP6978518B2 (ja) * 2018-01-17 2021-12-08 アルプスアルパイン株式会社 磁気検出装置およびその製造方法
US10734443B2 (en) * 2018-08-27 2020-08-04 Allegro Microsystems, Llc Dual manetoresistance element with two directions of response to external magnetic fields
CN110412081B (zh) * 2019-07-16 2022-03-08 三峡大学 一种稀土（re）-过渡族金属（tm）合金中非共线反铁磁耦合原子磁矩间夹角测量方法
US11719771B1 (en) 2022-06-02 2023-08-08 Allegro Microsystems, Llc Magnetoresistive sensor having seed layer hysteresis suppression

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0596689A2 (en) * 1992-11-06 1994-05-11 International Business Machines Corporation Magnetoresistive Sensor

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4878140A (en) * 1988-06-21 1989-10-31 Hewlett-Packard Company Magneto-resistive sensor with opposing currents for reading perpendicularly recorded media
US5155643A (en) * 1990-10-30 1992-10-13 Mars Incorporated Unshielded horizontal magnetoresistive head and method of fabricating same
US5206590A (en) * 1990-12-11 1993-04-27 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect
US5315469A (en) * 1991-07-25 1994-05-24 Applied Magnetics Corporation Magnetic recording head which produces variable erase bands
US5266786A (en) * 1991-10-01 1993-11-30 Ncr Corporation Magnetoresistive head for reading magnetic ink characters
US5508868A (en) * 1993-01-25 1996-04-16 Read-Rite Corporation Dual element magnetoresistive sensing head having in-gap flux guide and flux closure piece with particular connection of magnetoresistive sensing elements to differential amplifier
US5576915A (en) * 1993-03-15 1996-11-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistive head with antiferromagnetic sublayers interposed between first and second spin-valve units to exchange bias inner magnetic films thereof
JP3243078B2 (ja) * 1993-09-13 2002-01-07 株式会社東芝 磁気抵抗効果型ヘッド
US5465185A (en) * 1993-10-15 1995-11-07 International Business Machines Corporation Magnetoresistive spin valve sensor with improved pinned ferromagnetic layer and magnetic recording system using the sensor
US5408377A (en) * 1993-10-15 1995-04-18 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor with improved ferromagnetic sensing layer and magnetic recording system using the sensor
US5406433A (en) * 1993-12-01 1995-04-11 Eastman Kodak Company Dual magnetoresistive head for reproducing very narrow track width short wavelength data
US5452163A (en) * 1993-12-23 1995-09-19 International Business Machines Corporation Multilayer magnetoresistive sensor
US5442508A (en) * 1994-05-25 1995-08-15 Eastman Kodak Company Giant magnetoresistive reproduce head having dual magnetoresistive sensor

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0596689A2 (en) * 1992-11-06 1994-05-11 International Business Machines Corporation Magnetoresistive Sensor

Also Published As

Publication number Publication date
CN1310440A (zh) 2001-08-29
TW299442B (en) 1997-03-01
MY113871A (en) 2002-06-29
JP3628454B2 (ja) 2005-03-09
KR100220141B1 (ko) 1999-09-01
CN1148710A (zh) 1997-04-30
US5701222A (en) 1997-12-23
CN1180400C (zh) 2004-12-15
US6055136A (en) 2000-04-25
SG43377A1 (en) 1997-10-17
JPH09147326A (ja) 1997-06-06
KR970017217A (ko) 1997-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1068950C (zh) 磁传感器和磁盘记录系统
JP3004005B2 (ja) 磁気トンネル接合素子及び読取りセンサ
US6292336B1 (en) Giant magnetoresistive (GMR) sensor element with enhanced magnetoresistive (MR) coefficient
US5422571A (en) Magnetoresistive spin valve sensor having a nonmagnetic back layer
US5898548A (en) Shielded magnetic tunnel junction magnetoresistive read head
JP4841112B2 (ja) Ｍｔｊセンサ及びディスク・ドライブ・システム
CN1058801C (zh) 电流偏置磁性自旋阀式传感元件
US6473275B1 (en) Dual hybrid magnetic tunnel junction/giant magnetoresistive sensor
US6674617B2 (en) Tunnel junction sensor with a multilayer free-layer structure
KR0139307B1 (ko) 고정 강자성체층을 갖는 스핀밸브 자기전기저항성 센서와 이 센서를 사용하는 자기기록시스템
US6538859B1 (en) Giant magnetoresistive sensor with an AP-coupled low Hk free layer
US6600638B2 (en) Corrosion resistive GMR and MTJ sensors
US6947264B2 (en) Self-pinned in-stack bias structure for magnetoresistive read heads
US6636389B2 (en) GMR magnetic transducer with nano-oxide exchange coupled free layers
EP0622781B1 (en) Granular multilayer magnetoresistive sensor
KR100379978B1 (ko) 자기 저항 효과 헤드 및 이를 이용한 자기 기억 장치
US20030011939A1 (en) Dual/differential GMR head with a singlel AFM layer
CN100378803C (zh) 磁阻效应元件、磁头及磁记录装置
US20070097560A1 (en) Magnetic layer with grain refining agent
US6927948B2 (en) Differential CPP GMR sensor with free layers separated by metal gap layer
US6788502B1 (en) Co-Fe supermalloy free layer for magnetic tunnel junction heads
US6473278B1 (en) Giant magnetoresistive sensor with a high resistivity free layer
CN101101756A (zh) 磁阻效应元件,磁头,磁记录/再现装置和磁存储器
JP2010098137A (ja) 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、情報記憶装置、および磁気メモリ

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20010725

Termination date: 20090921