CN1094630C - 具有多个管理区的信息记录盘的写入管理方法 - Google Patents

具有多个管理区的信息记录盘的写入管理方法 Download PDF

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CN1094630C
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Abstract

一种光盘，一边按多种转速(N1-N4)中的任一速度N2旋转，一边进行信息记录。该光盘具有：数据区DA2，用于在光盘按转速N2旋转时进行信息记录，设置成相对于旋转中心呈同心状或螺旋状；以及管理区MA2，用于在光盘按转速N2旋转时在数据区DA2内写入的情况下，与该写入有关的管理信息仍按原有转速N2进行记录。该管理区MA2设置成相对于光盘旋转中心呈同心状或螺旋状，而且其位置比数据区DA2离光盘旋转中心更远。

Description

具有多个管理区的信息记录盘的写入管理方法
本发明涉及区(段)CLV(每次改变记录轨迹区段时角速度随之改变，在每个区(段)内角速度保持一定)或改进的CAV(随着记录轨迹位置的变化，角速度分档变化，在各档内角速度保持一定)型信息记录盘中的记录信息管理的方法。
在记录轨迹区(段：Zone)线速度恒定(以下称为ZCLV，CLV表示线速度恒定)方式中，在每个区(段)内把角速度控制为一定值(CAV，CAV表示角速度恒定)，当记录轨迹区改变时，通过控制转速来改变角速度，使各个区的平均记录密度基本保持一定。也就是说，按照ZCLV方式，各区内的角速度是一定的，当区改变时角速度随着改变。
另一方面，按照区CAV(ZCAV)或改进型CAV(MCAV)，所有的区全部都是CAV，但是，当区改变时读写的调制速度随着改变。
ZCLV方式的信息记录盘，由于各区内的角速度是一定的，所以在各区内不需要切换信息记录盘的旋转伺服机构，在这一部分，存取性能可以达到CAV方式信息记录盘的水平。同时，按照ZCLV方式，当区改变时角速度随着改变(在信息记录盘外圆侧的区降低角速度)，使信息记录盘内外圆上的平均线速度不发生大的变化，以防止信息记录盘外侧记录密度下降。这样，可以使ZCLV信息记录盘的存储容量达到CLV的水平；使存取性能达到CAV的水平。
CLV、CAV、ZCLV中的任一种方式的可写信息记录盘，在记录信息时都需要有管理信息，以便表示写入的文件被记录在信息记录盘的哪个位置上及其数量多少。这种管理信息一般称为文件分配表(FAT)，并且作为一个整体被记录在信息记录盘的特定区(1个位置或2个位置，当在2个位置上时，其1个位置作为备用)内。
该FAT在信息记录盘上读写数据时被逐一引用(参照、查阅)。因为在CAV方式的信息记录盘(硬盘等)中，信息记录盘的旋转速度是一定的，所以，在每次读写数据时即使进入FAT引用(查阅)动作也不需要切换信息记录盘旋转伺服机构(改变主轴马达转速)，可以顺利地进行读写处理。
与此相反，在ZCLV的情况下，由于在数据读写区和FAT区，信息记录盘转速不同，所以每次引用FAT时必须改变主轴马达的转速，从而降低了读写存取速度。(激光检测器在非同一转速区之间每次进行往返动作时要切换旋转伺服机构，所以，每次的区间往返都将出现伺服机构稳定于转速目标值之前的时间滞后。)
本发明的目的在于提供一种在读写信息时能提高文件管理的处理速度的信息记录信息记录盘写入管理方法。
为了达到上述目的，本发明对每个同一转速区(同一角速度区内)分别设置文件管理区。
在同一角速度区内设置文件管理区的方法有以下三个：
(1)在同一角速区内设置在靠近信息记录盘内侧；
(2)在同一角速度区内设置在靠近信息记录盘外侧；
(3)在同一角速度区内设置在任意位置(例如同一角速度区内的中间位置)
上述第(1)种方法时(图5)，使该信息记录盘按照多种转速旋转，当所述信息记录盘按照第一转速旋转时在所述信息记录盘上的多个区域的第一区域记录信息，当所述信息记录盘按照一个相应转速旋转时存取所述多个区域中的相应区域，该相应转速与所述多个区域的任何其他区域的相应转速不同，所述管理方法包括：
仅仅用第一管理区对第一数据区域执行写入信息管理；以及
仅仅用第二管理区对第二数据区域执行写入信息管理，其中：
形成所述多个区域的所述第一区域，包括：
    形成第一数据区，使其相对于该所述信息记录盘的旋转中心
呈同心状或螺旋状，当所述信息记录盘按第一转速旋转时，在该区
域中记录信息，以及
    形成第一管理区，使其相对于该所述信息记录盘旋转中心呈
同心状或螺旋状，并且其位置处于比所述第一数据区更靠近所述信
息记录盘的旋转中心一侧，在所述信息记录盘按第一转速旋转过程
中，当在所述第一数据区内执行写入时，在所述第一管理区中记录
与该写入有关的管理信息，以及
    形成所述多个区域的所述第二区域，包括：
形成第二数据区，使其相对于该所述信息记录盘的旋转中心
呈同心状或螺旋状，当所述信息记录盘按第二转速旋转时，在该区
域中记录信息，以及
形成第二管理区，使其相对于该所述信息记录盘旋转中心呈同心状或螺旋状，并且其位置处于比所述第二数据区更靠近所述信息记录盘的旋转中心一侧，在所述信息记录盘按第二转速旋转过程中，当在所述第二数据区内执行写入时，在所述第二管理区中记录与该写入有关的管理信息。
上述第(2)种方法时(图6)，使该信息记录盘按照多种转速旋转，当所述信息记录盘按照第一转速旋转时在所述信息记录盘上的多个区域的第一区域记录信息，当所述信息记录盘按照一个相应转速旋转时存取所述多个区域中的相应区域，该相应转速与所述多个区域的任何其他区域的相应转速不同，所述管理方法包括：
仅仅用第一管理区对第一数据区域执行写入信息管理；以及
仅仅用第二管理区对第二数据区域执行写入信息管理，其中：
形成所述多个区域的所述第一区域，包括：
    形成第一数据区，使其相对于该所述信息记录盘的旋转中心
呈同心状或螺旋状，当所述信息记录盘按第一转速旋转时，在该区
域中记录信息，以及
    形成第一管理区，使其相对于该所述信息记录盘旋转中心呈
同心状或螺旋状，并且其位置处于比所述第一数据区更远离所述信
息记录盘的旋转中心一侧，在所述信息记录盘按第一转速旋转过程
中，当在所述第一数据区内执行写入时，在所述第一管理区中记录
与该写入有关的管理信息，以及
形成所述多个区域的所述第二区域，包括：
    形成第二数据区，使其相对于该所述信息记录盘的旋转中心
呈同心状或螺旋状，当所述信息记录盘按第二转速旋转时，在该区
域中记录信息，以及
    形成第二管理区，使其相对于该所述信息记录盘旋转中心呈
同心状或螺旋状，并且其位置处于比所述第二数据区更远离所述信
息记录盘的旋转中心一侧，在所述信息记录盘按第二转速旋转过程
中，当在所述第二数据区内执行写入时，在所述第二管理区中记录
与该写入有关的管理信息。
上述第(3)种方法时(图7)，使该信息记录盘按照多种转速旋转，当所述信息记录盘按照第一转速旋转时在所述信息记录盘上的多个区域的第一区域记录信息，当所述信息记录盘按照一个相应转速旋转时存取所述多个区域中的相应区域，该相应转速与所述多个区域的任何其他区域的相应转速不同，所述管理方法包括：
仅仅用第一管理区对第一数据区域执行写入信息管理；以及
仅仅用第二管理区对第二数据区域执行写入信息管理，其中：
形成所述多个区域的所述第一区域，包括：
    形成第一数据区，使其相对于该所述信息记录盘的旋转中心
呈同心状或螺旋状，当所述信息记录盘按第一转速旋转时，在该区
域中记录信息，以及
    形成第一管理区，使其相对于该所述信息记录盘旋转中心呈
同心状或螺旋状，并且其位置处于所述第一数据区内部，在所述信
息记录盘按第一转速旋转过程中，当在所述第一数据区内执行写入
时，在所述第一管理区中记录与该写入有关的管理信息，以及
形成所述多个区域的所述第二区域，包括：
    形成第二数据区，使其相对于该所述信息记录盘的旋转中心
呈同心状或螺旋状，当所述信息记录盘按第二转速旋转时，在该区
域中记录信息，以及
形成第二管理区，使其相对于该所述信息记录盘旋转中心呈同心状或螺旋状，并且其位置处于所述第二数据区内部，在所述信息记录盘按第二转速旋转过程中，当在所述第二数据区内执行写入时，在所述第二管理区中记录与该写入有关的管理信息。
附图的简单说明
图1是涉及本发明的一实施形态的粘合型双层光盘从激光接受面侧观看的俯视图。
图2是沿图1的(II)-(II)线的部分断面变形图。
图3是表示图1双层光盘(只读)数据记录部分(按区段CAV或改进型CAV进行记录)变形的部分断面图。
图4是表示图1的双层光盘(相变型读写两用)的数据记录部分(按区段CAV或改进型CAV进行记录)变形的部分断面图。
图5是图4的双层光盘数据记录轨迹结构例1(替换·管理区被分配在各数据区的内侧的结构)说明图。
图6是图4的双层光盘数据记录轨迹结构例2(替换·管理区被分配在各数据区的外侧的结构)说明图。
图7是图4的双层光盘数据记录轨迹结构例3(替换·管理区被分配在各数据区的中间的结构)说明图。
图8是图5或图6所示的数据记录轨迹结构的光盘中对各光盘的转速(N1-N4)的轨迹组(#001-#100；#101-#200；#201-#300；#301-#400)如何分配数据区(DA1-DA4)和替换·管理区(MA1-MA4)的说明图。
图9是说明图5或图6所示数据记录轨迹结构的光盘中写入处理的流程图。
图10是说明图5或图6所示数据记录轨迹结构的光盘中读出处理的流程图。
图11是说明图5或图6所示数据记录轨迹结构的光盘中替换处理的流程图。
图12是举例表示图1的光盘的引入区(内周)结构、和引出区(外周)结构、以及夹在其中间的数据区的图。
图13是说明图12的引入区结构的图。
图14是说明位于图13中的凸凹数据区内的控制数据区结构的图。
图15是说明图14中的物理格式信息结构的图。
图16是说明图15中的“书型和篇版本”的数据结构图。
图17是说明图15中的“光盘尺寸和最低读出速率”的数据结构的图。
图18是说明图15中的“光盘结构”的数据结构的图。
图19是说明图15中的“记录密度”的数据结构的图。
图20是说明图15中的“数据区分配”的数据结构的图。
图21是说明图15中的“突发切断区(BCA)”的数据结构的图。
图22是说明图15中的“光盘形式识别符”的数据结构的图。
图23是说明图15中的“速度1”时数据结构的图。
图24是说明图15中的“速度1时读取功率”的数据结构的图。
图25是说明图15中的“速度1时停放轨迹上的峰值功率”的数据结构的图。
图26是说明图15中的“速度1时停放轨迹上的偏压功率1”的数据结构的图。
图27是说明图15中的“速度1时的停放轨迹上的第1脉冲开始时间”的数据结构的图。
图28是说明图15中的“速度1时停放轨迹上的第1脉冲结束时间”的数据结构的图。
图29是说明图15中的“速度1时停放轨迹上的多脉冲持续时间”的数据结构的图。
图30是说明图15中的“速度1时的停放轨迹上的最终脉冲开始时间”的数据结构的图。
图31是说明图15中的“速度1时停放轨迹上的最终脉冲结束时间”的数据结构的图。
图32是说明图15中的“速度1时停放轨迹上的偏压功率2持续时间”的数据结构的图。
图33是说明图15中的“速度1时组轨迹上的峰值功率”的数据结构的图。
图34是说明图15中的“速度1时组轨迹上的偏压功率1”的数据结构的图。
图35是说明图15中的“速度1时组轨迹上的第1脉冲开始时间”的数据结构的图。
图36是说明图15中的“速度1时组轨迹上的最终脉冲开始时间”的数据结构的图。
图37是图15中的“速度1时组轨迹上的多脉冲持续时间”的数据结构的图。
图38是说明图15中的“速度1时组轨迷上的最终脉冲开始时间”的数据结构的图。
图39是说明图15中的“速度1时组轨迹上的最终脉冲结束时间”的数据结构的图。
图40是说明图15中的“速度1时组轨迹上的偏压功率2持续时间”的数据结构的图。
图41是说明图15中的“速度2-速度24时对读入条件予约”的数据区结构的图。
发明的实施形态
以下参照附图来说明涉及本发明一实施形态的信息记录光盘以及使用该光盘的信息管理方法。并且，为了避免重复说明，对于在多个附图中功能上通用的部分采用通用的参考符号。
图1-图8是说明涉及本发明的一实施形态的信息记录光盘。图9-图11是说明涉及本发明的一实施形态的信息记录光盘的信息管理方法的图。图12-图41是说明涉及本发明的一实施形态的信息记录光盘格式的图。
图1是作为本发明的双张粘合信息记录媒体之一例的双层光盘从读取激光接受面一侧观看的平面图。该光盘，直径为120mm，具有内径15mm的中心孔70，两块0.6mm厚的基片粘合在一起的总厚度为1.2mm。在被粘合的基片上分别形成了圆环状的信息记录膜(下述数据区和替换·管理区)(图1所示仅仅是一块基片的第1信息记录膜)。这些圆环状信息记录膜的内径约为45mm，其外径最大约117mm。
图2表示图1的双层光盘沿(II)-(II)线的部分断面变形放大图。该光盘从读取激光RL(例如波长650mm的半导体激光)入射方向看去，具有以下结构部分：
第1信息记录膜支承用聚碳酸酯基片30(厚度约0.6mm)；
第1信息记录膜10(半透明膜，厚度为10nm-1000nm)，用于记录以压纹状坑形成的第1信息(光盘表面信息)；
对激光RL透明的粘合剂膜50(紫外线固化性树脂等)；
第2信息记录膜(光反射膜，厚度例如为100nm左右)，用于记录以压纹状坑形成的第2信息(光盘背面信息)；以及
第2信息记录膜支承用聚碳酸酯基片40。
而且，在读取激光RL接受面30的反面一侧的基片面40上，根据需要粘贴标签，标签上印刷了与记录信息(上述第1、第2信息)有关的信息(文字、画、花样等肉眼可见的图形信息)。
图3是表示图2的双层光盘(只读)数据记录部分(压纹状坑)变形的部分断面图。其中，第1信息记录膜10采用极薄(10nm-20nm)的全膜或折射率n约为4的硅(Si)(厚度为10nm-1000nm)。该信息记录膜10也可采用具有半透明性的其他金属膜或者折射率大于聚碳酸酯基片30的折射率(1.6)的其他无机介质半透明膜(例如折射率约为2.0的氮化硅Si3N4薄膜)。
在这里，信息记录膜(无机介质半透明膜)10的折射率要大于基片30的折射率是因为要使在记录膜10上聚焦并射入的激光RL在记录层10和基片30的介面(折射率急剧变化的面)上进行反射。(若记录膜10和基片30的折射率相同，则从激光RL来看，记录膜10和基片30在光学上是均匀的物质，激光在其界面上不能反射。于是，几乎不能从记录膜10产生反射光RL10，无法读出在记录膜10上记录的第1信息。)
在信息记录膜10是金等金属薄膜时，不需要考虑折射率。但其厚度的控制很重要。(若记录膜10过厚，则来自第2信息记录膜20的反射光大量被记录膜10遮挡，记录膜20的读取C/N比(载波噪块比)减小而变差；若记录膜10太薄，则来自信息记录膜10的反射光减弱。其读取C/N比减小而变差)。
图4是表示图1的双层粘合光盘作为读写两用光盘时数据记录部变形的部分断面图。其中，利用硫化锌(ZnS)和二氧化硅(SiO2)的混合物(ZnS·SiO2)来代替图3中的硅，形成厚度例如为20nm的信息记录膜10。
再者，在采用铝(A1)、铝钼合金(A1、M0)的光反射膜20和紫外线固化性树脂粘合膜50之间，利用两层硫化锌、二氧化硅混合物ZnS、SiO2(92、94)把相变记录材料膜90(Ge2Sb2Te5)夹在中间形成三层结构(90-94)。铝反射膜20的厚度选择为例如100nm左右；ZnS、SiO2混合物膜94的厚度选择为例如20mm左右；Ge2Sb2Te5相变记录材料膜90的厚度选择为例如20nm左右；ZnS·SiO2混合物膜92的厚度选择为例如180nm。
而且，在基片30上以凸凹状(压纹状坑)信号形式记录只读信息，而在读写用基片40上，不制作这种凸凹状信号，而制作连续的沟槽。在这种沟槽内设置相变记录材料膜90。
下述数据区设置在图3的记录膜10和20上或者图4的记录膜10和相变化记录材料膜90上。另外，下述替换·管理区设置在图4的膜90上。
而且，在图3的只读光盘上不能设置供以后写入的替换·管理区，所以仅用图3的结构，不能实现本发明。但是，在同一光盘内同时并用图3的结构和图4的结构(例如，光盘内周侧的一部分具有图3的结构；外周侧的一部分具有图4的结构)，则可以实现本发明。
图5说明图4的双层光盘的数据记录轨迹结构例1(替换·管理区)被分配在数据区的内侧。
按照该实施形态，转速(转/分)为N1的替换·管理区MA1被设置成与转速为N1的数据数据区DA1呈同心状或螺旋状。替换·管理区MA1如果是与数据区DA1同一转速区，那么，无论设置在什么地方均可，但在这里是将其设置在光盘的内周侧。
同样，在数据区DA1的外侧，设置了转速为N2的数据区DA2以及与该区呈同心状或螺旋状的转速为N2的替换·管理区MA2；在数据区DA2的外侧，设置了转速N3的数据区DA3以及与该区呈同心状或螺旋状的转速N3的替换·管理区MA3；在数据DA3的外侧，设置了转速N4的数据区DA4以及与该区呈同心状或螺旋状的转速N4的替换·管理区MA4。
这种数据区分配结构，为了使各恒定转速区(DA1+MA1，DA2+MA2，DA3+MA3，DA4+MA4)之间的记录密度平均化(接近一致)，确保光盘整体具有较大的记录容量，各恒定转速区的转速被设定为：N1＞N2＞N3＞N4。
而且，在这里，为了避免复杂化，把数据区和替换·管理区的数量(恒定转速区的数量)划分成4个。但是实际的光盘也可以把该区数划分得更多。区数少于4个也能实现本发明。
在图5结构的光盘中，当向数据区DA1中写入时，只能用相同转速区的替换·管理区MA1来进行管理(数据被记录在数据区从何处始到何处止)；同样，在向数据区DA2内写入时，只能用相同转速区的替换·管理区MA2来进行管理；在向数据区DA3内写入时，只能用相同转速区的替换·管理区MA3来进行管理；在向数据区DA4写入时，只能用相同转速区的替换·管理区MA4进行管理。
因为这样做，在写入管理处理时就不需要切换光盘旋转速度，所以可提高写入处理速度。
另一方面，在图5结构的光盘中，当从数据区DA1中读出时，仅参照相同转速区的替换·管理区MA1进行管理(读出从数据区DA1的哪个位置至哪个位置的数据)。同样，在从数据区DA2中读出时仅参照相同转速区的替换·管理区MA2进行管理；在从数据区DA3中读出时仅参照相同转速区的替换·管理区MA3进行管理；在从数据区DA4中读出时仅参照相同转速区的替换·管理区MA4进行管理。
因为这样做在读出处理时就不需要切换光盘的转速，所以可提高读出处理速度。
再者，在图5结构的光盘中，当数据区DA1中出现写入错误时，仅利用相同转速区的替换管理区MA1来进行其替换处理。同样，在数据区DA2中出现写入错误时，仅利用相同转速区的替换·管理区MA2来进行其替换处理；在数据区DA3中出现写入错误时，仅利用相同转速区的替换·管理区MA3来进行其替换处理；在数据区DA4中出现写入错误时仅利用相同转速区的替换·管理区MA4进行其替换处理。
若这样处理，则由于在替换处理中不需要切换光盘旋转速度，所以能提高替换处理的速度。
图6说明图4双层光盘的数据记录轨迹结构例2(替换·管理区被设置在各数据区的外侧)。
该实施形态也设置了与转速为N1的数据区DA1呈同心状或螺旋状的、转速为N1的替换·管理区MA1。在这里，替换管理区MA1设置在同一转速区的外周侧。
也就是说，在转速为N1的数据区DA1的外侧，以同心状或螺旋状设置了转速为N1的替换·管理区MA1；在替换·管理区MA1的外侧，设置了转速为N1的数据区DA2以及与该区呈同心状或螺旋状的、转速为N2的替换·管理区MA2；在替换·管理区MA2的外侧，设置了转速为N3的数据区DA3以及与该区呈同心状或螺旋状的转速为N3的替换·管理区MA3；在替换·管理区MA3的外侧，设置了转速为N4的数据区DA4以及与该区呈同心状或螺旋状的转速为N4的替换·管理区MA4。
该数据区设置结构也是为了使各恒定旋转区(DA1+MA1；DA2+MA2；DA3+MA3；DA4+MA4)之间的记录密度达到平均化，确保光盘整体具有较大的记录容量，把各恒定转速区的转速设定为：N1＞N2＞N3＞N4。
而且，在这里也是为了避免复杂化而把数据区的数量(恒定转速区的数量)设定为4个。但是也可增加该区数，少于4个区也能实施本发明。
在图6结构的光盘中，当向数据区DA1写入时，只能用相同转速的替换·管理区MA1来进行管理、(数据被记录在数据区从何处始到何处止)。同样，在向数据区DA2中写入时，只能用同样转速区的替换·管理区MA2来进行管理；在向数据区DA3中写入时，只能用相同转速区的替换·管理区MA3来进行管理，在向数据区DA4中写入时，只能用相同转速区的替换·管理区MA4进行管理。
若这样进行管理，则由于在写入管理处理中不必切换光盘的旋转速度，所以可提高写入处理速度。
另一方面，在图6结构的光盘中，当从数据区DA1中读出时，只能参照相同转速区的替换·管理区MA1来进行管理(读出从数据区DA1的哪个位置到哪个位置的数据)。同样，
当从数据DAT2中读出时，只能参照相同转速区的替换·管理区MA2来进行管理；当从数据区DA3中读出时，只能参照相同转速区的替换·管理区MA3来进行管理；当从数据区DA4中读出时，只能参照相同转速区替换·管理区MA4来进行管理
若这样进行管理，则由于在读出处理中不需要切换光盘旋转速度，所以可提高读出处理速度。
再者，在图6结构的光盘中，当数据区DA1中出现写入错误时，只能用相同转速区的替换·管理区MA1来进行其替换处理。同样，在数据区DA2中出现写入错误时，只能用相同转速区的替换.管理区MA2来进行其替换处理；当数据区DA3中出现写入错误时，只能用相同转速区的替换·管理区MA3来进行其替换处理；当数据区DA4中出现写入错误时，只能用相同转速区的替换·管理区MA4来进行替换处理。
若这样进行处理，则由于在替换处理中不需要切换光盘速度，所以可提高替换处理速度。
图7说明图4的双层光盘的数据记录轨迹结构例3(替换·管理区设置在各数据区中间的结构)。
本实施形态也设置了与转速为N1的数据区DA1呈同心状或螺旋状的、转速为N1替换·管理区MA1。其中，替换·管理区MA1设置在同一转速区的中间(任意位置)。
也就是说，转速为N1的替换·管理区MA1以同心状或螺旋状设置在转速N1的数据区DA1的中间，在外周方向一侧的数据区DA1的再外侧，设置了转速N2的数据区DA2以及与该区呈同心状或螺为状的、转速N2的替换、管理区MA2。替换·管理区MA2的设置位置，这时在数据区DA2的中间。
这种数据区设置结构也是为了使各恒定转速区(DA1+MA1，DA2+MA2，)之间的记录密度达到平均化而把各恒定转速区的转速设定为：N1＞N2。
而且，在这里也是为了避免复杂化而把数据区和替换·管理区的数量(恒定转速区的数量)设定为2个，但是，也可设定更多的区。
在图7结构的光盘中，当向数据区DA1写入时，只能用相同转速的替换·管理区MA1来进行管理(写入的数据相当于从数据区DA1的什么位置到什么位置)。同样，当向数据区DA2内写入时，只能用相同转速区的替换·管理区MA2进行管理。
若这样进行管理，则在写入管理处理中不需要切换光盘的旋转速度，因此可提高写入处理速度。
另一方面，在图7结构的光盘中，当从数据区DA1中读出时，只能参照相同转速区的替换·管理区MA1来进行管理(读出从数据区DA1的什么位置到什么位置的数据)。同样，当从数据区DA2读出时，只能参照相同转速区的替换·管理区MA2来进行管理。
若这样进行管理，则由于在读出处理中不需要切换光盘的旋转速度，所以可提高读出处理速度。
再者，在图7结构的光盘中当数据区DA1中出现写入错误时，只能用相同转速区的替换·管理区MA1来进行其替换处理。同样，当在数据区DA2中出现写入错误时，只能用相同转速区的替换·管理区MA2来进行其替换处理。
若这样进行处理，则因在替换处理中不需要切换光盘旋转速度，所以可提高替换处理速度。
具有图6或图7存储区分配方案的光盘，在引入区和最初的数据区DA1之间没有替换·管理区MA1。这时，图中未示出的光盘重放装置从引入区开始读出各种光盘内容信息时，可以直接开始重放数据区DA1(激光检测头不需要跳越替换·管理区MA)。这一点是和图5的存储区分配方案的主要区别。
并且，在图6的存储区分配方案中，也可把数据区DA1和DA3作为图3的只读结构；把数据区DA2和DA4作为图4的可读写结构。在此情况下，也可把替换·管理区MA1和MA2设置到转速N2区内，用于数据区DA2的替换·管理处理；把替换·管理区MA3和MA4设置在转速N4区内，用于数据区DA4的替换·管理处理。
图8说明在具有图5或图6所示的数据记录轨迹结构的光盘中，对各种光盘转速(N1-N4)的每个记录轨迹组，如何分配数据区(DA1-DA4)和替换·管理区(MA1-MA4)。
在这里，为便于理解，使各个恒定转速区均由100个记录轨迹构成(#001-#100，#101-#200，#201-300，#301-#400)。
当采用图5的存储区分配方案时，采用图8的记录映象(1)栏所示的结构。也就是说，较小的轨迹号(在转速N1区为#001、#002，在转速N2区为#101，#102，在转速N3区为#201，#202，在转速N4区为#301，#302)被分配给替换·管理区(MA1、MA2、MA3、MA4)；大的轨迹号(在转速N1区为#003-#100，在转速N2区为#103-#200，在转速N3区为#203-#300，在转速N4区为#303-#400)被分配给数据区(DA1、DA2、DA3、DA4)。
当采用图6的存储区分配方案时，采用图8的记录映象(2)栏所示的结构。也就是说，小的轨迹号(在转速区N1为#001-#098，在转速N2区为#101-#198，在转速N3区为#201-#298，在转速N4区为#301-#398)，被分配给数据区(DA1、DA2、DA3、DA4)；大的轨迹号(在转速N1区为#099-#100，在转速N2区为#199-#200，在转速N3区为#299-#300，在转速N4区为#399-#400)，被分配给替换·管理区(MA1、MA2、MA3、MA4)。
另外，下列内容在图8中未示出，即在采用图7的存储区分配方案时，可以这样分配：数据区DA1分配给轨迹#001-#100和轨迹#111-#200，替换·管理区MA1分配给轨迹#101-#110；数据区DA2分配给轨迹#201-#300和轨迹#311-#400，替换·管理区MA2轨迹#301-#310。
替换·管理区(MA1、MA2、MA3、MA4)中的管理区，用于记录在光盘上的数据的文件系统管理和该数据的记录重放条件管理等。文件系统管理的内容和记录重放条件管理的内容，在从光盘上读出后存放到主计算机的存储器内，在这里进行管理。文件系统如何构成，取决于主计算机的操作系统OS。
为了高速存取记录在光盘上的数据，要使主计算机方面预先了解光盘上的区(段)及其地址的关系等信息。这样，与仅用逻辑地址来管理记录在光盘上的数据时相比，可以进行更准确的光盘存取控制。
同样，记录重放条件也取决于光盘，因此，最好把光盘内部的结构存储到主计算机的存储器内。
光盘的记录区被分割成许区(段)，其构成部分包括：RAM区(读写区)、ROM区(只读区)、R区(可写区)等各种不同的区(段)。在此情况下对记录重放等条件可以采用以下管理方法。
也就是说，把RAM区/ROM区/R区等有关的所有信息都统一记录到光盘管理区内，根据该信息进行必要的处理。具有这种管理区的光盘，其用法如下。
也就是说，ROM区和R区的缺陷信息也作为RAM区的缺陷信息记录到光盘的管理区内。这样以来，ROM区或R区的部分受光盘损伤等影响而使其读取精度下降，逐渐接近无法纠错的状态时，可以用RAM区部分进行替换处理。
同一光盘内具有RAM区、ROM区、R区等的部分(Partial)光盘，其统一管理可以采用以下方法。也就是说，可反替换处理，使用频率管理和使用条件管理系统一汇总到例如RAM区部分内。
在这里，使用频率管理有以下办法。也就是说，把光盘中的用户使用频度高的ROM区部分存储到主计算机的存储器(RAM)内，由主计算机(像光盘高速缓冲存储器一样)使用这样存储的信息，于是可以高速存取光盘中的使用频度高的信息。
再者，使用条件管理，其方法是：对记录在ROM区中的信息设定通行字(口令字)，若不了解该通行字就不能存取该信息。利用这种管理方法，可以按以下方式提供应用软件允许使用权。也就是说，把有偿使用的应用软件存放到光盘的ROM区内，要使用该应用软件就必须从应用软件发行者方面购置通行字。在此情况下，允许使用的应用软件的通行字信息存储在RAM区内。这样，在结构体系上，RAM区、ROM区(R区)不是作为分别独立的区，而是通过RAM区进行联动。
图9是说明在具有图5或图6所示数据记录轨迹的光盘中进行写入处理的流程图。该流程的处理可以通过现有光盘写入装置的系统软件或固件来进行。
在这里，假定图6的光盘被安装在图中未示出的光盘写入装置内，用户向数据区DA1中的某一数据块发出了写入指令。由系统软件或固件检测出欲写入的文件的数据量(程序步ST30)，在检测出写入数据量之后，再对全部数据区(DA1-DA4)检查是否有相当于欲写入数据量的空闲空间(ST32)。无空闲空间，即写入文件的数据量大于实际空闲空间时(ST34的无)，输出出错消息(ST46)，写入处理结束。
若有空闲空间(ST34的有)，则把写入数据的文件代码、写入开始数据块和写入结束数据块号写入到与上述有空闲空间的数据区(例如DA2)具有相同转速N2的管理区(MA2)内(S36)。
而且，写入到管理区内的数据也可以是文件代码、写入开始数据块号和文件长度(所用数据块数)。
但是，当空闲空间分散在多个数据区内时，例如在数据区DA1中有900千字节的空闲空间；在数据区DA2中没有空闲空间；在数据区DA3中有1600千字节，而在该光盘内要写入文件量为2000千字节的数据时，可按下列方法进行管理。
也就是说，由写入装置的系统软件或固件把写入数据的最初900千字节写入到数据区DA1的空闲空间(900千字节)内；把写入数据的剩余1100千字节写入到数据区DA3的空闲空间(1600千字节)内。在这种情况下，在管理区MA1内记录写入数据的文件代码(其一)和写入数据的最初的900千字节的写入开始数据块号和写入结束数据块号；在管理区MA3内记录写入数据的文件代码(其2)，写入数据的剩余的1100千字节的写入开始数据块号和写入结束数据块号。
另外，当数据区DA1内有900千字节的空闲空间，数据区DA2内没有空闲空间，但数据区DA3内有2200千字节空闲空间时，不是把文件量2000千字节的数据分开写入到数据区DA1和DA3内，而是集中写入到数据区DA3的空闲空间(2200千字节)内。这时的管理数据(文件代码、写入开始数据块号和写入结束数据块号)只写入到管理区MA3内。
当上述管理区(MA2)的处理结束时，按数据块单位(例如以2千字节为单位)把写入数据取装到写入缓冲存储器(图中未示出)内(ST38)，按数据块单位把写入数据写入到相应的数据区(DA2)的空闲空间内(ST40)。这时，为了提高在以后读出数据时的纠错能力，也可进行交叉处理。
已写入数据区(DA2)内的数据，通过写后读来按数据块单位检查写入的质量，若查出错误，则适当重新检查写入质量，这时若仍然出现写入错误，则利用相同转速(N2)的替换区(MA2)进行替换处理(ST42)。
以上的写入·替换处理反复进行直到写入文件数据全部被写入到数据区(DA2)内为止(S44的否)。若写入文件的全部数据均已写完(ST44的是)，则图9的写入处理即告结束。
另外，当写入数据文件的量很大，要在许多个数据区(例如DA2-DA3)内进行写入时，其管理数据被写入到管理区MA2和/或MA3(通常仅MA2)内。这时，写入错误若出现在数据区DA2内，则由替换区MA2进行替换处理；写入错误若出现在数据区DA3内，则由替换区MA3进行替换处理。
图10是图5或图6所示数据记录轨迹的光盘中进行读出处理的流程图。
例如，当用户指定读出文件名称时，图中未示出的读出装置(光盘重放机)的系统软件或固件，以全部管理区(MA1-MA4)为对象，对指定的读出文件进行检索(S50)。未找到读出文件(ST52的无)，则输出出错消息(ST66)，读出处理即告结束。
若找到了读出文件(ST52的有)，则从存放已找到的文件的管理区(例如MA2)中抽取出读出文件的开始数据块号和结束数据块号(或使用数据块数)(ST54)。
如图9的写入处理的程序步S36所述，读出文件的数据被写在与上述管理区(MA2)相同转速(N2)的数据区(DA2)内。因此，从该数据区(DA2)内的开始数据块号位置的数据开始按数据块单位(2千字节单位)读出数据(ST56)。
在读出该数据时若检测出错误(ST58的是)，则进行纠错(ECC)处理(ST60)。(在读出时若进行交叉处理，则可利用积代码来进行高效率的纠错处理)。若纠错处理失败(ST62的否)，则输出出错消息(ST66)，读出处理结束。若纠错处理成功(ST62的是)，则同样地反复读取下面的数据块(ST64的否、ST56-ST62)。在读出时若未检测出错误(ST58的否)，则跳ST58-ST62。
若由ST54抽出的结束数据块号之前的读出均已完成(S64的是)，则图10的读出处理结束。
图11是在图5或图6所示的数据记录轨迹结构的光盘中，检测出读出错误时进行替换处理的流程图。(光盘读出装置可以采用一般的结构，故图示从略。该流程图的处理可以利用光盘读出装置的系统软件或固件来执行。)
假定图6的光盘已装入图中未示出的光盘读出装置内，用户已发出指令，要求写入到数据区DA1的某一数据块内。
这时，图中未示出的数据源(例如硬盘上的特定文件)按照特定的块单位(例如2千字节单位)被取装到光盘写入装置内(ST10)。被取装的文件数据暂时写入图中未示出的缓冲存储器内。
被取装的数据再写入到由光盘写入装置的固件指定的数据块(数据区DA1的某个位置)内(ST12)。之后立即对被写入的数据进行读出，并与缓冲存储器内的写入数据进行比较，检查其写入得是否正确(ST14)。
若写入数据和读出数据是一致的，则可判断为无写入错误(ST16的无)。若二者不一致，则检测出写入错误(ST16的有)。
这时，若尚未重写(ST18的否)，则缓冲存储器内的写入数据再次被写入到错误检测块内(ST20)。
若对上述重写(ST20)的数据再次检测出写入错误(ST16的有)，则由于已进行了重写(ST18的是)，所以把该错误检测块判断为不合格块(该不合格块由于已被光盘写入装置的固件或系统软件存储起来，所以，以后不能再用于写入)。
当上述不合格块被判定后，进行替换处理(ST22)。也就是说，在上述重写时失败的缓冲存储器内的写入数据，被写入到与检测出不合格块的数据区DA1相同转速N1的空闲块(对此，光盘写入装置的固件或系统软件已经知道)内。
对欲写入光盘内的全部文件数据，均进行以上处理(ST10-ST22)。若全部写完该数据文件(ST24的是)，则图11的处理结束。
上述说明也可适用于图6的数据区DA2-DA4以及替换·管理区MA2-MA4中的任一个。
再者，说明图6光盘的图11的处理也可适用于图5或图7的光盘。
另外，为了提高写入光盘内的数据的读出可靠性，也可设置图中未示出的管理数据后备区，用于存放管理区MA1-MA4的后备数据。(例如，对图5来说，可以在数据区DA4的外侧设置该后备区)。当具有这种后备区的光盘装入图中未示出的读出装置内时，装置的系统软件或固件对后备区的管理数据和分散的管理区MA1-MA4的管理数据进行比较。这种结构的作用是：当这些管理数据一致时可正常工作；当不一致时，可利用后备区的管理数据来对管理区MA1-MA4的内容进行修复。
图12举例表示图1光盘引入区(内周)结构和引出区(外周)结构。
〔缺陷管理区〕
在光盘内周侧引入区内适当地设置了多个缺陷管理区DMA1，DMA2和备用区。同样，在光盘外周侧引出区内适当地设置了多个缺陷管理区DMA3、DMA4和备用区。在引入区和引出区之间设置了数据区。
上述4个缺陷管理区DMA1-DMA4包含数据区的结构信息和缺陷管理的信息。各缺陷管理区DMA(1-4)由32个扇区构成，之后连接2个块的备用扇区。
各缺陷管理区DMA由2个ECC块构成，之后连接2个备用块。
在各缺陷管理区DMA的最初的ECC块内包含光盘定义结构(DDS：Disc definition Structure)和一次缺陷表(PDL：PrimaryDefect List)。二次缺陷表(SDL)包含在各缺陷管理区DMA的第二ECC块内。4个缺陷管理区DMA(1-4)的4个一次缺陷表(PDL)的内容是相同的，并且，4个缺陷管理区DMA(1-4)的4个二次缺陷表(SDL：Secondary Defect List)的内容也是相同的。这4个缺陷管理区DMA(1-4)的光盘定义结构(DDS)的内容，只有对各缺陷管理区DMA的PDL和SDL的指针不同，其他是相同的。
在这里，所谓DDS/PDL块是指包含DDS和PDL的ECC块；所谓SDL块是指包含SDL的ECC块。
对光盘进行初始化之后的各缺陷管理区(DMA)的内容如下。
(1)各DDS/PDL块的最初扇区包含DDS；
(2)各DDS/PDL块的第2个扇区包含PDL；
(3)各SDL块的最初的扇区包含SDL。
一次缺陷表PDL和二次缺陷表SDL的块长、分别由各自的项目(Entry)数决定。各缺陷管理区(DMA)的未使用扇区用数据OFFh画掉。并且，所有的备用扇区均用00h画掉。
〔光盘定义信息〕
定义信息结构DDS由1个扇区长的表构成。该DDS具有的内容是规定光盘的初始化方法和PDLSDL各自的开始地址。DDS在光盘初始化结束时记录在各缺陷管理区(DMA)的最初的扇区内。
〔分区〕
在光盘初始化过程中，数据区被划分成24个连续的组。各组，除缓冲区外完全覆盖一个区。
除最初的区0和最后的区23外，划分成的各区的开头内设置多个缓冲区(块)。
各组具有数据扇区的全区(块)以及与其相连接的备用扇区的全区。
〔备用扇区〕
各数据区内的缺陷扇区按照本发明的缺陷管理方法(检验、滑移替换、线性替换)被置换(替换)成正常扇区。该替换所用的备用区(块)其规定数，取为例如4087以下。
光盘在使用前进行初始化。该初始化不管有无检验均可执行。
缺陷扇区利用滑移替换处理(Slipping Replacementalgorithm)或线性替换处理(Lener Replacemet Algorithm)法进行处理。通过这些处理(Algorithm)而列入上述PDL和SDL内的项目数合计值作为规定值，例如4092以下。
〔初始化〕
在光盘初始化中，在该光盘的最初使用之前，预先记录4个缺陷记录区(DMA1-DMA4)。数据区划分成24组。各组包括数据扇区用的多个块区和与其相连接的多个备用块区。这些备用块区可用于替换缺陷扇区。初始化时也可进行各组的检验(检查有无缺陷)。这样，在初始化阶段发现的缺陷扇区被特别指定出来，在使用时跳越过缺陷扇区。
所有的定义信息结构DDS的参数被记录在4个DDS扇区内。
一次缺陷表PDL和二次缺陷表SDL被记录在4个缺陷管理区(DMA1-DMA4)内。在最初的初始化时，SDL内的更新计数器被设置于00h，所有的预约块区均用00h划掉。
〔检验：验证〕
当检验光盘时，对各组内的数据扇区和备用扇区进行检验。该检验可通过组内扇区的读写检查来进行。
在检验中发现的缺陷扇区通过滑移替换而进行处理。该缺陷扇区不能用于读写。
另外，在进行检验的过程中，当光盘区段内备用扇区用完时，该光盘被判定为不合格，以后，该光盘不能使用。
〔滑移替换处理：lipping Replacement Algorithm〕
当进行检验时，对数据区内的所有的组均挨个进行滑移替换处理。
在检验中发现的缺陷数据扇区被替换(置换)成继该缺陷扇区之后的最先正常扇区。这样，向该组的末端产生一个扇区的滑移。最后的数据扇区向该组的备用扇区滑移。
缺陷扇区的地址被写入一次缺陷清单(PDL)内。缺陷扇区不能用于用户数据记录。若在检验中未发现缺陷扇区，则PDL中什么也不写。
若超过最后数据扇区向备用扇区滑移，则在检验中发现缺陷的备用扇区的地址被写入到PDL内。这时，可用的备用扇区数减少。
若在检验中某一组的备用扇区被用完，则被视为检验失败。
〔线性替换处理：Linear Replacement Algorithm〕
线性替换处理可适用于检验后反复读写时发生的缺陷扇区和老化扇区两方面。进行该线性替换处理，以16个扇区为单位，即以块区为单位(若1个扇区为2千字节，则以32千字为单位)。
缺陷块区被替换(置换)成在该组内最先(初)可以使用的正常备用块区。若该组内没有剩余备用块区，即该组内剩余的扇区不足16个时，这种情况被记录到二次缺陷表(SDL)内。并且，缺陷块区被替换(置换)成在其他组内可以最先使用的正常备用块区。缺陷块区的地址及其最终替换(置换)块区的地址被写入到SDL内。
如上所述，在该组内没有备用块区时，这种情况被记录在SDL内。在组0内没有备用块区这一情况，通过在第29字节的第0位的内置“1”来表示。当该0位被置“0”时，表示组0内尚有剩余备用块区。该第29节字的第0位对应于组0。第29字节的第1位对应于组1。以下同样地，第28字节的第0位对应于组8。
检验后，若在数据块区内发现了缺陷，则将该块区视为缺陷块区，这一情况作为SDL的新项目引入表内。
引入SDL内的替换块区在以后被判明是缺陷块区时，利用直接指针法编入SDL内，用该直接指针法，把替换块区的地址从缺陷块区的更改成新的，即可使已编入被替换缺陷块区的SDL项目被修正。
当对上述二次缺陷清单SDL进行更新时，使SDL内的更新计数器增加1。
〔未检验的光盘〕
线性替换处理也可适用于在未检验的光盘中发现的缺陷扇区。进行该替换处理时从16个扇区为单位(即以1块区为单位)。
缺陷块区被替换(置换)成在相应组内可以最先使用的备用块区，若该组内没有剩余备用块区，则这一情况被记录在二次缺陷表(SDL)内。并且，缺陷块区被替换(置换)成在其他组内可以最先使用的正常备用块区。缺陷块区的地址及其最终替换(置换)块区的地址，被写入SDL内。
当在相应组内没有备用块区时，这一情况被记录在SDL内。在组0内没有备用块区这一情况，可以通过在第29字节的第0位内置“1”来表示。在该第0位内置“0”时，表示在组0内尚有剩余的备用块区。第29字节的第0位对应于组0。第29字节的第1位对应于组1。以下同样，第28字节的第0位对应于组8。
若在一次缺陷表(PDL)内存在缺陷扇区的地址表，则即使该光盘未经检验，也可以在使用光盘时跳过这些缺陷扇区。该处理与对已检验光盘的处理相同。
〔写入处理〕
当在某一组的扇区内写入数据时，跳过已编入一次缺陷表(PDL)内的缺陷扇区。根据上述滑移替换处理法，欲写入缺陷扇区内的数据被写入到下面来的数据扇区内。若写入对象块区被编入二次缺陷表(SDL)，则欲写入该块区内的数据，按照上述直线替换处理法被写入到由SDL指示的备用块区内。
〔一次缺陷表：PDL〕
一次缺陷表(PDL)虽经常是记录在光盘内的，但其内容能够是空的。
缺陷扇区的表也可以通过光盘检验以外的方法来获得。
PDL包括初始化时特定的全部缺陷扇区的地址。这些地址按由小到大的顺序列表。PDL按照需要的最低限度的扇区数进行记录。并且，PDL从最前扇区的最前用户字节开始。PDL的最终扇区中的全部未使用字节被置于OFFh。在该PDL中写入以下信息：
字节位置          PDL的内容
0          00h；PDL标识符
1          O1h；PDL标识符
2          PDL内的地址数；MSB
3          PDL内的地址数；LSB
4          最前缺陷扇区的地址(扇区号；MSB)
5          最前缺陷扇区的地址(扇区号)
6           最前缺陷扇区的地址(扇区号)
7           最前缺陷扇区的地址(扇区号；LSB)
X-3         最后缺陷扇区的地址(扇区号；MSB)
X-2         最后缺陷扇区的地址(扇区号)
X-1         最后缺陷扇区的地址(扇区号)
X           最后缺陷扇区的地址(扇区号：LSB)
*注：当第2字节和第3字节被置于00h时，第3字节变成PDL的末尾。
另外，在对多扇区的一次缺陷表(PDL)的情况下，缺陷扇区的地址表接在第2以后的后续扇区的最前字节之后。也就是说，PDL标识符和PDL地址数仅存在于最前的扇区内。
当PDL为空的时，第2字节和第3字节被置于OOh；第4字节-第2047字节被置于FFh。
再者，在DDS/PDL块区内的未使用扇区内，写入FFh。
〔二次缺陷表SDL〕
二次缺陷表(SDL)，在初始化阶段生成，用于检验之后。初始化时在所有光盘上都记录SDL。
该SDL，以缺陷数据块(区)的地址、以及与该缺陷块替换的备用块(区)的地址的形式，包含多个项目。SDL内的各个项目中分配了8个字节。也就是说，其中的4个字节被分配给缺陷块的地址，剩余的4个字节被分配给替换块的地址。
上述地址表包括缺陷块及其替换块的最前地址。缺陷块的地址按由小到大的顺序进行附加。
SDL按所需最小限度的扇区数进行记录，该SDL从最前扇区的最前用户数据字节开始。SDL的最终扇区中的全部未使用字节被置于OFFh。其后面的信息被分别记录在4个SDL中。
当编入SDL中的替换块区在以后被判明是缺陷块区时，利用直接指针法编入SDL内。利用该直接指针法，把替换块区的地址从缺陷块的更改成新的，即可使编入了替换缺陷块的SDL的项目被修正。这时，SDL内的项目数不会被退化扇区更改。
在该SDL中写入以下信息：
字节位置       SDL的内容
0          (00)；SDL标识符
1          (02)；SDL标识符
2          (00)
3          (01)
4          更新计数器；MSB
5          更新计数器
6          更新计数器
7          更新计数器；LSB
8-26       备用(00h)
27-29      表示区段内备用扇区已全部用完的标志
30         SDL内的项目数；MSB
31         SDL内的项目烽；LSB
32         最前缺陷块区的地址(扇区号；MSB)
33         最前缺陷块区的地址(扇区号)
34         最前缺陷块区的地址(扇区号)
35         最前缺陷块区的地址(扇区号；LSB)
36         最前替换块区的地址(扇区号；MSB)
37         最前替换块区的地址(扇区号)
38         最前替换块区的地址(扇区号)
39         最前替换块区的地址(扇区号；LSB)
Y-7        最后缺陷块区的地址(扇区号；MSB)
Y-6        最后缺陷块区的地址(扇区号)
Y-5        最后缺陷块区的地址(扇区号)
Y-4        最后缺陷块区的地址(扇区号；LSB)
Y-3        最后替换块区的地址(扇区号；MSB)
Y-2        最后替换块区的地址(扇区号)
Y-1       最后替换块区的地址(扇区号)
Y         最后替换块区的地址(扇区号：LSB)
*注：第30-第31字节的各个项目为8个字节长。
另外，在对应于多扇区的二次缺陷表(SDL)的情况下，缺陷块区和替换块区的地址表是继第2以后的后续扇区的最前字节之后的。也就是说，上述SDL的内容的第0字节-第31字节仅存在于最前扇区内。
并且，在SDL块区内的未使用扇区内，写入FFh。
图12的引入区，其结构如图13所示。也就是说，引入区是由压纹数据区(段)、镜象区和可改写区构成。
压纹数据区包括多个空白区、标准信号区和控制数据区。镜象区包括连接区。并且，可改写区包括：保护轨迹区、光盘测试区、驱动试验区、保护轨迹区、光盘ID区、缺陷管理区DMA1和DMA2以及数据区。
〔空白区〕
空白区包括压纹状数据字段。该数据字段包括压纹数据(00h)。
〔标准信号区〕
标准信号区包括压纹状数据字段。该数据字段包括标准代码的压纹数据。该标准代码由在引区内由从扇区号1925/2(2F000h)开始的一个ECC块(16个扇区)构成。
2048字节(2千字节)的各个主数据扇区可按下列方法决定。首先生成重复数据符号“172”的2048字节的主数据扇区。然后，在主数据扇区上加上加密编码数据，这样即可生成16扇区的标准代码。也就是说，在主数据扇区内加入加密编码数据的初始预置数“0”。但是，对扇区0的D0-D159部分，对加密编码数据进行掩蔽，不进行这种加法运算。
〔控制数据区〕
控制数据区包括压纹状数据字段。该数据字段包括控制数据的压纹数据。该控制数据在引入区内由从扇区号193024(2F200h)开始的192ECC块构成。各块内的16扇区的内容如图14所示，它重复192次。
如图14所示，各块在相对扇区号0内具有物理格式信息，在相对扇区号1内具有光盘制造信息，在相对扇区号2-15内具有内容提供者信息。
〔物理格式信息〕
图15说明图14中的物理格式信息的结构。
在图15的物理格式信息的字节位置“0”内，写入图16所示的内容，即书型和篇版本的信息(1个字节)。
在图15的物理格式信息的字节位置“1”内，写入图17所示的内容，即光盘尺寸和最低读出速率的信息(1个字节)。
在图15的物理格式信息的字节位置“2”内写入图18所示的内容，即光盘结构信息(1个字节)。这1个字节信息的第1-4位(b0-b3)用于描述记录膜的形式；第5位(b4)用于表示轨迹通路；第6-7位(b5-b6)用于表示记录膜层数；第8位(b7)被分配给予约位。
在图15的物理格式信息的字节位置“3”内写入图19所示的内容，即记录密度的信息(1个字节)。这一个字节信息的第1-4位(b0-b3)用于描述轨迹密度；第5-8位(b4-b7)用于描述线密度。
在图15的物理格式信息的字节位置“4-15”内写入图20所示的内容，即数据区分配的信息(12字节)。在这12个字节信息内第5-7字节内描述数据区的开始扇区号；在第9-11字节内描述数据区的结束扇区号。
在图15的物理格式信息的字节位置“16”内写入图21所示的内容，即突发切割区(BCA)的描述符(1个字节)。这1个字节描述符的第1-第7位(b0-b6)作为预约区；第8位(b7)用于表示是否存在BCA的标志位。
图15的物理格式信息的字节位置“17-31”的15个字节作为预约区。
在图15的物理格式信息的字节位置“32”上，写入图22所示的内容，即光盘型号ID(标识符)(1个字节)。当该ID为00000000b时，表示无盒的只读光盘型号。该ID＝00010000b时，表示预约无盒的可读写光盘型号。
图15的物理格式信息的字节位置“33-47”的15个字节作为预约区。
在图15的物理格式信息的字节位置“48”内，写入图23所示的内容，即线速度1数据(1个字节)。该数据字节规定所用光盘的中心线速度，例如，当其为00111100b时，表示6.0米/秒的线速度。实际的线速度等于把该数据字节的内容换算成十进制数，再乘上0.1米/秒所得的值。
在图15的物理格式信息的字节位置“49”上，写入图24所示的内容，即线速度1时的读出功率的数据(1个字节)。该数据字节规定出按线速度1重放的光盘的表面上的读出功率。例如，当其为00001010b时，表示1.0mw的读出功率。实际读出的功率等于把该数据字节的内容换算成10进制数再乘上0.1mw所得的值。
在图15的物理格式信息的字节位置“50”上，写入图25所示的内容，即线速度1时的停放轨迹上的峰值功率的数据(1个字节)。由该数据字节规定出在按线速度1在停放轨迹上进行记录的光盘的表面上的峰值功率。例如，当其为01101001b时，表示10.5mw的峰值功率。实际的峰值功率等于把该数据字节的内容换算成10进制数再乘上0.1mw所得的值。
在图15的物理格式信息的字节位置“51”上，写入图26所示的内容，即线速度1时的停放轨道上的偏压功率1的数据(1个字节)。由该数据字节规定出按线速度1在停放轨迹上进行记录的光盘表面上的偏压功率1。例如，当其为00101101b时，表示4.5mw的偏压功率1。实际的偏压功率1等于把该数据字节的内容换算成十进制数再乘上0.1mw所得的值。
在图15的物理格式信息的字节位置“52”上，写入图27所示的内容，即方向位(第8位b7)和线速度1时的停放轨迹上的最初脉冲开始时间的数据(第1-第7位b0-b6)。当第8位b7的方向位为0b时，表示最初的脉冲方向与激光束点扫描方向相同；当方向位为1b时，表示与激光束点扫描方向相反。并且，由第1-第7位b0-b6的开始时间数据规定出按线速度1在停放轨迹上进行记录的最初脉冲的开始时间(TSFP)。例如，当其为0010001b时，表示开始时间是17毫微秒(Tw/2)实际的开始时间等于把该7位数据的内容换算成10进制数再乘上1毫微秒所得的值。
在图15的物理格式信息的字节位置“53”上，写入图28所示的内容，即线速度1时在停放轨迹上的最初脉冲结束时间的数据(1个字节)。由该数据字节规定出按线速度1在停放轨迹上进行记录的最初脉冲结束时间(TEFP)。例如，当其为00110011b时，表示结束时间为51毫微秒(3Tw/2)。实际的结束时间等于把该字节数据的内容换算成10进制数再乘上1毫微秒所得的值。
在图15的物理格式信息的字节位置“54”上，写入图29所示的内容，即线速度1时在停放轨迹上的多脉冲持续时间的数据(1个字节)。由该数据字节规定出按线速度1在停放轨迹上进行记录的多脉冲持时间(TMP)。例如，当其为00010001b时表示持续时间为17毫微秒(Tw/2)。实际的持续时间等于把该字节数据的内容换算成十进制再乘上1毫微秒所得的值。
在图15的物理格式信息的字节位置“55”上，写入图30所示的内容，即方向位(第8位b7)和线速度1时在停放轨迹上的最后脉冲开始时间的数据(第1-第7位b0-b6)。当第8位b7的方向位为0b时，表示最后的脉冲方向与激光束点方向相同；当方向位为1b时表示与激光束点扫描方向相反。再者，由第1-第7位b0-b6的开始时间数据规定出按线速度1在停放轨迹上进行记录的最终脉冲开始时间(TSLP)。例如，当其为0000001b时表示开始时间为0毫微秒。实际的开始时间等于把该7位数据的内容换算成十进制再乘上1毫微秒所得的值。
在图15的物理格式信息的字节位置“56”上，写入图31所示的内容，即线速度1时在停放轨迹上的最后脉冲结束时间的数据(1个字节)。由该数据字节规定出按线速度1在停放轨迹上进行记录的最终脉冲结束时间(TELP)。例如当其为00100010b时，表示结束时间为34毫微秒(Tw)。实际的结束时间等于把该字节数据的内容换算成十进制数再乘上1毫微秒所得的值。
在图15的物理格式信息的字节位置“57”内，写入图32所示的内容，即按线速度1在停放轨迹上记录的偏压脉冲2的持续时间的数据(1个字节)。由该字节规定出按线速度1在停放轨迹上记录的偏压功率2的持续时间(TLE)。例如，当其为01000100b时，表示持续时间为68毫微秒(2Tw)。实际持续时间等于把该字节数据的内容换算成十进制数再乘上1毫微秒。
在图15的物理格式信息的字节位置“58”上，写入图33所示的内容，即按线速度1在沟槽轨迹上的峰值功率数据(1个字节)。由该数据字节规定出按线速度1在沟槽轨迹上记录的光盘表面上的峰值功率。例如，当其为01101001b时，表示10.5mw峰值功率。实际的峰值功率等于把该数据字节的内容换算成10进制数值再乘上0.1mw所得的值。
在图15的物理格式信息的字节位置“59”上、写入图34所示的内容，即按线速度1在沟槽轨迹上记录的偏压功率1的数据(1个字节)。由该数据字节规定出按线速度1在沟槽轨迹上记录的光盘表面上的偏压功率1。例如，当其为00101101b时，表示4.5mw的偏压功率1。实际的偏压功率1等于把该数据字节的内容换算成10进制数值再乘上0.1mw所得的值。
在图15的物理格式信息的字节位置“60”上，写入图35所示的内容，即方向位(第8位b7)和按线速度1在沟槽轨迹上的第1脉冲开始时间的数据(第1-第7位b0-b6)。当第8位b7的方向位为0b时，表示第1脉冲与激光束点扫描同方向；当方向位为1b时表示与激光束点扫描反方向。并且，由第1-第7位b0-b6的开始时间数据规定出按线速度1在沟槽轨迹上记录的第1脉冲开始时间(TSLP)。例如，当其为0010001b时，表示开始时间是17毫微秒(Tw/2)。实际的开始时间等于把这7位数据的内容换算成十进制数值再乘上1毫微秒所得的值。
在图15的物理格式信息的字节位置“61”内，写入图36所示的内容，即按线速度1在沟槽轨迹上记录的第1脉冲结束时间的数据(1个字节)。由该数据字节规定出按线速度1在沟槽轨迹上记录的第1脉冲结束时间(TEFP)。例如，当其为0011011b时，表示结束时间为51毫微秒(3Tw/2)。实际的结束时间等于把该字节数据的内容换算成10进制数值再乘上1毫微秒所得的值。
在图15的物理格式信息的字节位置“62”上，写入图37所示的内容，即按线速度1在沟槽轨迹上的多脉冲持续时间的数据(1个字节)。由该数据字节规定出按线速度1在沟槽轨道上记录的多脉冲持续时间(TMP)，例如当其为00010001b时，表示持续时间为17毫微秒(Tw/2)。实际的持续时间等于把该字节数据的内容换算成10进制数再乘上1毫微秒所得的值。
在图15的物理格式信息的字节位置“63”上，写入图38所示的内容，即方向位(第8位b7)、以及按线速度1在沟槽轨迹上的最终脉冲开始时间的数据(第1-第7位b0-b6)。当第8位b7的方向位为0b时，表示最后脉冲与激光束点扫描同方向，当方向位为1b时，表示与激光束点扫描反方向。并且，由第1-第7位b0-b6的开始时间数据来规定出按线速度1在沟槽轨迹上记录的最后脉冲开始时间(TSLP)。例如，当其为0000001b时开始时间为0毫微秒。实际的开始时间，等于把该7位数据的内容换算成10进制数值再乘上1毫微秒所得的值。
在图15的物理格式信息的字节位置“64”上，写入图39所示的内容，即按线速度1在沟槽轨迹上的最后脉冲结束时间的数据(1个字节)。由该数据字节来规定按线速度在沟槽轨迹上记录的最后脉冲结束时间(TELP)。例如，当其为00100010b时，表示结束时间为34毫微秒(Tw)。实际的结束时间等于把该字节数据的内容换算成10进制数值再乘上1毫微秒所得的值。
在图15的物理格式信息的字节位置“65”上，写入图40所示的内容，即线速度1时在沟槽轨迹上的偏压功率2的持续时间的数据(1个字节)。由该数据字节来规定按线速度1在沟槽轨迹上记录时的偏压功率2的持续时间(TLE)，例如，当其为01000100b时，表示持续时间为68毫微秒(2Tw)。实际的持续时间等于对该字节数据的内容换算成10进制数值再乘上1毫微秒所得的值。
在图15的物理格式信息的字节位置“66-479”上，写入图41所示的内容、“对速度2-速度24时的写入条件而预约”的数据区内容。在此，字节位置“66-479”全部填写00h。
并且，图15的物理格式信息的字节位置480-2047“为预约区，其中全部填写00h。
包括上述内容的物理格式信息(图15-图41)的数据块，被存放在图13的控制数据区内。这种控制数据区配置在图12的引入区内。该引入区，从图1的光盘来看，被配置在信息记录膜10的光盘内周侧。这样，适当地参照记录在光盘引入区内的物理格式信息(图15)，即可读写与该光盘对应的数据。
并且，包括上述物理格式信息的控制数据区，也可设置在图5-图6的MA1-MA4各区(或其一部分)内。
对图1的光盘在写入数据后又读出数据时，用户若进行文件读出的操作，则由光盘写入装置的固件或系统软件把数据区DA1的读出数据的管理数据从对应的管理区MA1中读出来。这时，由于光盘转速仍保持N1而不切换，所以，可高速进行读出处理。

Claims (3)

1.一种用于信息记录盘的写入管理方法，使该信息记录盘按照多种转速旋转，当所述信息记录盘按照第一转速旋转时在所述信息记录盘上的多个区域的第一区域记录信息，当所述信息记录盘按照一个相应转速旋转时存取所述多个区域中的相应区域，该相应转速与所述多个区域的任何其他区域的相应转速不同，所述管理方法包括：
仅仅用第一管理区对第一数据区域执行写入信息管理；以及
仅仅用第二管理区对第二数据区域执行写入信息管理，其中：
形成所述多个区域的所述第一区域，包括：
    形成第一数据区，使其相对于该所述信息记录盘的旋转中心
呈同心状或螺旋状，当所述信息记录盘按第一转速旋转时，在该区
域中记录信息，以及
    形成第一管理区，使其相对于该所述信息记录盘旋转中心呈
同心状或螺旋状，并且其位置处于比所述第一数据区更靠近所述信
息记录盘的旋转中心一侧，在所述信息记录盘按第一转速旋转过程
中，当在所述第一数据区内执行写入时，在所述第一管理区中记录
与该写入有关的管理信息，以及
形成所述多个区域的所述第二区域，包括：
    形成第二数据区，使其相对于该所述信息记录盘的旋转中心
呈同心状或螺旋状，当所述信息记录盘按第二转速旋转时，在该区
域中记录信息，以及
    形成第二管理区，使其相对于该所述信息记录盘旋转中心呈
同心状或螺旋状，并且其位置处于比所述第二数据区更靠近所述信
息记录盘的旋转中心一侧，在所述信息记录盘按第二转速旋转过程
中，当在所述第二数据区内执行写入时，在所述第二管理区中记录
与该写入有关的管理信息。
2.一种用于信息记录盘的写入管理方法，使该信息记录盘按照多种转速旋转，当所述信息记录盘按照第一转速旋转时在所述信息记录盘上的多个区域的第一区域记录信息，当所述信息记录盘按照一个相应转速旋转时存取所述多个区域中的相应区域，该相应转速与所述多个区域的任何其他区域的相应转速不同，所述管理方法包括：
仅仅用第一管理区对第一数据区域执行写入信息管理；以及
仅仅用第二管理区对第二数据区域执行写入信息管理，其中：
形成所述多个区域的所述第一区域，包括：
    形成第一数据区，使其相对于该所述信息记录盘的旋转中心
呈同心状或螺旋状，当所述信息记录盘按第一转速旋转时，在该区
域中记录信息，以及
    形成第一管理区，使其相对于该所述信息记录盘旋转中心呈
同心状或螺旋状，并且其位置处于比所述第一数据区更远离所述信
息记录盘的旋转中心一侧，在所述信息记录盘按第一转速旋转过程
中，当在所述第一数据区内执行写入时，在所述第一管理区中记录
与该写入有关的管理信息，以及
形成所述多个区域的所述第二区域，包括：
    形成第二数据区，使其相对于该所述信息记录盘的旋转中心
呈同心状或螺旋状，当所述信息记录盘按第二转速旋转时，在该区
域中记录信息，以及
    形成第二管理区，使其相对于该所述信息记录盘旋转中心呈
同心状或螺旋状，并且其位置处于比所述第二数据区更远离所述信
息记录盘的旋转中心一侧，在所述信息记录盘按第二转速旋转过程
中，当在所述第二数据区内执行写入时，在所述第二管理区中记录
与该写入有关的管理信息。
3.一种用于信息记录盘的写入管理方法，使该信息记录盘按照多种转速旋转，当所述信息记录盘按照第一转速旋转时在所述信息记录盘上的多个区域的第一区域记录信息，当所述信息记录盘按照一个相应转速旋转时存取所述多个区域中的相应区域，该相应转速与所述多个区域的任何其他区域的相应转速不同，所述管理方法包括：仅仅用第一管理区对第一数据区域执行写入信息管理；以及仅仅用第二管理区对第二数据区域执行写入信息管理，其中：形成所述多个区域的所述第一区域，包括：
形成第一数据区，使其相对于该所述信息记录盘的旋转中心呈同心状或螺旋状，当所述信息记录盘按第一转速旋转时，在该区域中记录信息，以及
形成第一管理区，使其相对于该所述信息记录盘旋转中心呈同心状或螺旋状，并且其位置处于所述第一数据区内部，在所述信息记录盘按第一转速旋转过程中，当在所述第一数据区内执行写入时，在所述第一管理区中记录与该写入有关的管理信息，以及形成所述多个区域的所述第二区域，包括：
形成第二数据区，使其相对于该所述信息记录盘的旋转中心呈同心状或螺旋状，当所述信息记录盘按第二转速旋转时，在该区域中记录信息，以及
形成第二管理区，使其相对于该所述信息记录盘旋转中心呈同心状或螺旋状，并且其位置处于所述第二数据区内部，在所述信息记录盘按第二转速旋转过程中，当在所述第二数据区内执行写入时，在所述第二管理区中记录与该写入有关的管理信息。
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