CN1115562A - 电磁透明度和反射性低的电磁干扰抑制体及其电子装置 - Google Patents

电磁透明度和反射性低的电磁干扰抑制体及其电子装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1115562A
CN1115562A CN95100245A CN95100245A CN1115562A CN 1115562 A CN1115562 A CN 1115562A CN 95100245 A CN95100245 A CN 95100245A CN 95100245 A CN95100245 A CN 95100245A CN 1115562 A CN1115562 A CN 1115562A
Authority
CN
China
Prior art keywords
conductive
electromagnetic interference
soft
supporting element
powder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN95100245A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1075339C (zh
Inventor
佐藤光晴
吉田荣吉
佐藤忠邦
稻部敏久
户川齐
堀田幸雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokin Corp
Original Assignee
Tokin Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP00486494A external-priority patent/JP3401650B2/ja
Priority claimed from JP14496594A external-priority patent/JPH0818271A/ja
Priority claimed from JP19239994A external-priority patent/JP3528255B2/ja
Application filed by Tokin Corp filed Critical Tokin Corp
Publication of CN1115562A publication Critical patent/CN1115562A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1075339C publication Critical patent/CN1075339C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073—Shielding materials
    • H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
    • H05K9/0088—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a plurality of shielding layers; combining different shielding material structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H05K1/023—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference using auxiliary mounted passive components or auxiliary substances
    • H05K1/0233—Filters, inductors or a magnetic substance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • H05K1/0373—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement containing additives, e.g. fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/08—Magnetic details
    • H05K2201/083—Magnetic materials
    • H05K2201/086—Magnetic materials for inductive purposes, e.g. printed inductor with ferrite core
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10689—Leaded Integrated Circuit [IC] package, e.g. dual-in-line [DIL]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/20—Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
    • H05K2201/2036—Permanent spacer or stand-off in a printed circuit or printed circuit assembly
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles

Abstract

为抑制非需要电磁波干扰的防干扰体，该物体包括导电支承元件和设在至少一面上的非导电软磁层。该防干扰体可用于包含电路板与装在其上的有源元件的电子设备中，并置于电路板与有源元件之间以防有源元件产生的感应噪声。该防干扰体还可用于有装在一电路板上的有源与无源元件的混合集成电路元件。该集成电路元件被非导电层覆盖和密封，而将该防干扰体覆盖非导电层的一个外表面。

Description

电磁透明度和反射性低的 电磁干扰抑制体及其电子装置
本发明涉及用于抑制由任何无用或不希望有的电磁波或波群所引起的电磁干扰的电磁干扰抑制体，同时还涉及使用该电磁干扰抑制体的电子电路装置。
在数字和/或高频电子电路装置中，非常需要尺寸小和重量轻，因而需要将电子零部件安装到印刷电路板上以及高密度电子电路装置上。
当将电子部件和导线安装在电路板上时，由静电和/或电子元件和/或导线之间的磁耦合引起电磁干扰。加之，若将多个电路板彼此邻接安置，也会引起相邻电路板之间的电磁干扰。特别当将诸如半导体器件之类的有源元件安装在一个或多个电路板上时，由于有源元件辐射不希望的电磁波或感应噪声时，电磁干扰尤为严重。
就先有技术而言，试图抑制电磁干扰的手段是在电路板的每个输出端连接一个低通滤波器或噪声滤波器或使所述电路保持一段距离。然而，这种方案需要为安置一个或多个滤波器的空间和/或为给出一定距离的空间。因此，使这种装置尺寸大重量重。
为抑制相邻电路板间的电磁耦合，在电路板之间设置一导电屏蔽元件。然而，该屏蔽元件不能避免来自一个电路板的不希望的辐射的反射，因而该反射增强了电路板上元件之间的磁耦合。
作为高密度和小尺寸电子电路元件的混合集成电路元件是已知的并通常安装在电子电路装置中的一块或多块母板上。在此情况下，混合式集成电路元件也受到电磁干扰。
因此，本发明的一个目的是提供具有低电磁透明度(transparent level)和低电磁反射性能的电磁抑制体，该物体能对彼此邻近的电路板起到电磁屏蔽作用，以及抑制经该物体的不需要的反射辐射，从而即使在不采用低通滤波器或噪声滤波器的情况下和在元件间或电路板间距离不大的情况下仍能抑制同一电路板上元部件之间的耦合。
本发明的另一目的是提供一种电路装置，该装置包括具有设置在电子电路元件与电路板之间一空间中的低电磁透明度和低电磁反射性的电磁抑制体，从而抑制电路元件与延伸在电路板上的导线之间的耦合。
本发明的再一个目的是提供一种由一电磁抑制体包围的混合集成电路元件，该抑制体有低电磁透明度和低电磁反射性，能抑制由任何外部元件和由任何内部元件造成的电磁干扰。
根据本发明可获得用于抑制由不需要的电磁波引起的电磁干扰的电磁干扰抑制体，该抑制体包括一导电支承元件和一层敷设在该导电支承元件之至少一个表面上的非导电软磁层。
此外，根据本发明可获得一种电子设备，该设备包括一个其上有一有源元件的电路板，该有源元件产生感应噪声(inductive noise)，其中一个电磁干扰抑制体置于电路板和有源元件之间，该电磁干扰抑制体包括一导电支承元件和一层敷设在该导电支承元件的至少一个表面上的非导电软磁层。
再者，根据本发明还能获得一种混合集成电路元件，它有电路板和安装在该电路板上的有源元件和无源元件，它的特点在于：所述有源元件、无源元件和电路板均经由一绝缘层所包围和密封在一起，而包含软磁粉和有机粘合剂的非导电软磁层覆盖在绝缘层的外表面上。
图1是部分表示根据本发明第一实施例的电磁干扰抑制体的截面视图；
图2是以常见结构部分表示根据本发明第二和第三实施例的电磁干扰抑制体中一个导电支承元件的截面视图；
图3是部分表示按本发明第四实施例的电磁干扰抑制体的导电支承元件的截面视图；
图4是部分表示按本发明第五实施例的电磁干扰抑制体中的导电支承元件的截面视图；
图5是部分表示根据本发明第六实施例的电磁干扰抑制体的截面视图；
图6是部分表示按照本发明第七实施例的电磁干扰抑制体的截面视图；
图7是部分表示按照本发明第八实施例的电磁干扰抑制体的截面视图；
图8是概略表示按本发明置于电路板之间的电磁干扰抑制体的一个应用实例的截面视图；
图9是用于评价该电磁干扰抑制体，特别为测量贯穿的电磁透明度特性的评价系统的示意图；
图10是用于评价电磁干扰抑制体，特别用于测量电磁耦合度(coupling level)的特性的评价系统的示意图；
图11是表示利用图9所示评价系统测量对照例所得到的电磁透明度的频率特性图；
图12是表示用图10所示评价系统测量对照例所得到的电磁耦合度的频率特性图；
图13是表示用图9所示评价系统测量本发明实例所获得的电磁透明度的频率特性图；
图14是表示利用图10所示评价系统测量本发明实例所获得的电磁耦合度的频率特性图；
图15是用于表示在800MHz频率下，对照例与本发明实例的透明度和耦合度的图解；
图16是利用该电磁干扰抑制体的一个电子设备的截面视图；
图17是表示利用图9所示评价系统测量对照例所获得的透明度的频率特性图；
图18是表示利用图10所示评价系统测量对照例所获得的耦合度的频率特性图；
图19是表示利用图9所示评价系统测量本发明实例所获得的透明度的频率特性图；
图20是表示利用图10所示评价系统测量本发明实例所获得的耦合度的频率特性图；
图21是利用电磁干扰抑制体的混合集成电路的截面视图；
图22是表示利用图9所示评价系统测量本发明实例和对照例所获得的透明度的频率特性图；和
图23是表示利用图10所示评价系统测量对照例与本发明实例所获得的耦合度的频率特性图。
下面参照图1，描述根据本发明第一实施例的电磁干扰抑制体。图中所示电磁干扰抑制体100包括导电支承元件1和安装于其上或覆盖至少一个表面的非导电软磁层2(图1中在两表面上示出两层2)。非导电软磁层2包括其粒子各呈平坦状或针状的软磁粉3，和其中均匀地散布有软磁粉3的有机粘合剂4。
为用作导电支承元件1，例如从导电板，导电网格板，和导电纤维织物中选择一元件。该导电支承元件1能有软磁性能。为用作具有软磁性能的导电支承元件1，例如，也从软磁金属板，软磁金属网板，和软磁金属纤维织物中选择一种元件。
在图2所示按本发明第二实施例的电磁干扰抑制体100中，具有或没有软磁性能的导电支承元件1包括一个非导电或绝缘基底部件5和蒸敷在非导电基底部件5上的至少一个表面上形成的导电薄层6。虽然图2中示出两表面上的两层导电薄层6，但也可在非导电基底部件5的一个表面上形成一层导电薄层6。类似于图1所示层2的非导电软磁层2被设置成覆盖该导电薄层6。
在根据本发明第三实施例的电磁干扰抑制体100中，可用软磁薄金属层7替代图2中的导电层6。虽然软磁薄金属层7通过在非导电基底部件5的两表面的各面上蒸敷而成，但也可仅在其一个表面上形成单层软磁薄金属7。
在根据图3所示本发明第四实施例的电磁干扰抑制体100中，导电支承元件1包括有机粘合剂4和散布于其中的导电粉8。类似于图1所示层2的非导电软磁层2复盖导电支承体1的至少一个表面。
在根据图4所示本发明第五实施例的电磁干扰抑制体100中，导电支承元件1包括非导电基底部件5和复盖非导电基底部件5的至少一个表面的导电层9。类似于图1所示层2的非导电软磁层是为复盖导电支承体1的至少一个表面而设置的。
参考图5，本发明第六和第七实施例的电磁干扰抑制体100a包括导电支承元件1，复盖导电支承体1的至少一个表面的非导电软磁层2，和复盖非导电软磁层2的一个表面的电介质层10。非导电软磁层2包括软磁粉粒3，每一颗粒呈扁平或针状，以及有机粘合剂4。电介质层10包括电介质粉11和有机粘合剂4。
如图6中第七实施例所示电磁干扰抑制体100类似于图5中第六实施例，但不同点在于电介质层10被置于导电支承体1和非导电软磁层2之间。
参考图7，作为第八实施例所示的电磁干扰抑制体100包括导电支承元件1和复盖导电支承体1至少一个表面的非导电软磁层2。非导电软磁层2包括，各呈扁平状或针状的软磁粉粒3，电介质粉11和有机粘合剂4。
在上述实施例中，导电支承元件1选自导电板、导电网格板和导电纤维织物。此外，导电支承元件1可具有软磁性能并能选自软磁金属板、软磁金属网格板和软磁金属纤维编织物。
用作导电支承体1的实例如下：诸如薄铜板、不锈钢薄板和薄铝板之类的薄金属板，由这种薄金属板通过其冲压孔而制成的所谓穿孔金属，一种由这些薄金属板，通过它形成缝并此后被扩展而制成的所谓扩展金属板，以及一种通过将纤维导体加工成栅或网的金属栅或网。
该导电支承元件可具有软磁性能并由象坡莫合金或硅-铁钢之类材料制成上述类似形状。由于采用了这种导电支承元件1，予期可获得相对低频下的高度抗电磁干扰的抑制效果。
软磁粉3的典型材料是一种称之为“SENDUST”(商标)具有高频范围下的高导磁率的铁-铝-硅合金和镍铁合金(坡莫合金)。软磁粉3是在被粉碎成细粉和在其表面氧化的状态下使用的。此外，软磁粉3的纵横比最好要足够高，例如大于5∶1左右。
导电支承元件1也可由用诸如银粉和铜粉等金属粉，导电碳黑，或与有机粘合剂混合并分散于其中的导电氧化钛构成的板材制得。
此外，使用下述导电支承元件是可能的，该元件包括非导电基底部件5，例如由聚酰亚胺制成的基底部件，和一例如金属、磁金属、导电碳，有机导电材料以及其他材料的导电膜，该膜通过蒸敷形成在其至少一个表面上。
该导电支承元件1还由一板材制成，该板材通过用金属粉导电碳黑或导电的氧化钛和有机粘合剂4的混合物采用刮涂法，凹版涂布法和反向涂敷(reverse coating)法等类似方法涂敷聚酰亚胺基底部件5而形成。
至于有机粘合剂，推荐下列材料：诸如聚酯树脂，聚氯乙烯树脂，聚丁酸乙烯酯树脂，聚氨酯树脂，塞璐璐树脂，丁腈橡胶，丁苯橡胶等热塑性树脂，这些热塑性树脂或诸如环氧树脂，酚醛树脂，氨基树脂，酰亚胺树脂等热固性树脂的共聚物。
非导电基底部件5，例如是在一聚酰亚胺基底部件的一侧或两侧面上采用溅射，真空淀积或化学汽相淀积(CVD)之类方法淀积金属、磁金属、导电碳、有机导电体等等以形成一薄层而构成。
此外，如第六实施例中所述另一元件，介质层10，或用于非导电软磁层2的介质粉11最好在高频范围有高的介电系数并有较为平坦的频率特性曲线。例如，推荐采用钡钛系列的陶瓷，二氧化钛一氧化锆系列的陶瓷，钙钛酸铅(lead perovskite)系列的陶瓷等。
现将说明作为评价按本发明的电磁干扰抑制体100的性能测试。
参考图8，为该测试而假定应用电磁干扰抑制体100的一个实例。在该假想应用中，两电路板21和22被设置成彼此平行并留有一空间，而电磁干扰抑制体100设置在与各自电路板21和22有一预定距离的空间中。
两电路板21和22各配置如安装在那些电路板表面上的24，25和26处所示的多个电子元件，以致这些安装表面彼此面对。一个电路板上的电子元件24，25或26与另一电路板上相对的电子元件24—26之间的距离大约是2mm，但小于2mm。
图9和10示出用于评价如图8所示在假想应用中的本发明电磁干扰抑制体100性能的不同系统。图9表示用于测量电磁干扰抑制体100的电磁透明度(dB)的评价系统，而图10表示用于测量经由电磁干扰抑制体100的电磁耦合度(dB)的另一评价系统。每个系统均配置一电磁波发生器28和一电磁场测量仪(一种接收单元)29，该系统分别采用用于辐射电磁场的小型环形天线其环路直径小于2mm，以及一个用于接收电磁场的小型环形天线。采用一台频谱分析仪(未示出)，以测量透明度和耦合电平值。
以下详细说明经受评价测试的本发明电磁干扰抑制体100的诸样品。[第一样品]
具有图1结构的第一样品是将24目的不锈钢丝网用作导电支承元件1，在金属网两侧用刮涂法涂以具有下述第一组成的软磁膏以使其干燥和固化总厚度为1.2mm，并在85℃经24小时内进行固化而获得的。如此得到的第一样品通过采用振动磁力计和扫描电子显微镜分析并确认易磁化轴(magnetization easy axis)方向和磁粒子取向方向均处于该样品的表面上。[第一组成]扁平软磁粉                90重量份
组成：Fe-Al-Si合金
平均粒径：10μm
纵横比：＞5有机粘合剂
聚氨酯树脂：          8重量份
固化剂(异氰酸酯化合物)
                      2重量份
溶剂(环己烷和甲苯的混合物)
                      40重量份[第二样品]
以类似于获得第一样品的方式得到有图1结构的第二样品，只是作为导电支承体1采用了有软磁性能的24目坡莫合金(52Ni-Fe)丝网，而不用第一样品中的不锈钢丝网。[第三样品]
以类似于获得第一样品的方式得到图2结构的第三样品，只是采用的导电支承元件1包含75μm厚的聚酰亚胺薄膜和经溅射在该薄膜两表面上形成的3μm厚的铝层。[第四样品]
以获得第一样品的类似方式得到具有图2结构的第四样品，只是采用的导电支承元件1包含75μm厚的聚酰亚胺薄膜，和用具有下述第二组成的银膏借助刮刀法在聚酰亚胺薄膜的两个表面涂敷形成的银膜，该银膜干燥和固化后的厚度为6μm。<第二组成>银粉                  95重量份平均粒径              ：3μm有机粘合剂聚丁酸乙烯酯树脂      ：4重量份固化剂(异氰酸酯化合物)
                     1重量份溶剂(乙烷基溶纤剂)    35重量份[第五样品]
用24目不锈钢丝网作为导电支承元件1。在该不锈钢丝网两侧采用刮涂法涂敷具有下述第三组成的软磁胶，以使干燥固化后，涂层的总厚度为1.0mm。然后，在85℃下完成24小时的固化过程。用刮涂法在该软磁层上涂敷具有以下所述第四组成的电介质膏，使其干燥固化后的厚度为100μm。这样得到有图5结构的第五样品。
经用振动磁力计和扫描电子显微镜对第五样品的分析表明易磁化轴的方向和磁粒排列方向均在该样品的表面上。<第三组成>扁平软磁粉          90重量份
组成：Fe-Al-Si合金
平均粒径：1.0μm有机粘合剂
聚氨酯树脂：      8重量份
固化剂(异氰酸酯化合物)
                  2重量份溶剂(环己烷和甲苯的混合物)
                  40重量份<第四组成>
钡钛粉            90重量份
  平均粒径        ：7μm
  纵横比：＞5有机粘合剂
  聚氨酯树脂：    8重量份
  固化剂(异氰酸酯化合物)
                  2重量份
溶剂(环己烷和甲苯的混合物)
                  45重量份[第六样品]
采用24目不锈钢丝网作为导电支承元件1，将具有下述第五组成的软磁膏用刮涂法涂敷在该丝网两侧表面，使其干燥和固化后的总厚度为1.2mm，并完成85℃下24小时的固化过程，获得具有图7结构的第六样品。<第五组合物>扁平软磁粉            70重量份
组成：Fe-Al-Si；合金
平均粒径：          10μm
纵横比：＞5
钡钛粉              20重量份
平均粒径：          7μm有机粘合剂
聚氨酯树脂          8重量份
固化剂(异氰酸酯化合物)
                    2重量份
溶剂(环己烷和甲苯的混合物)
                    45重量份[第一对照样品]
将具有100μm厚的铜板用作第一对照样品[第七样品]
用以下过程获得具有图1结构的第七样品，即：用35μm厚的铜板作为导电支承元件1，用刮涂法将含第一组成的软磁膏涂敷在铜板两侧表面，使其总厚度达1mm，再在85℃温度下进行24小时固化。经用振动磁力计和扫描电子显微镜对该第七样品的分析表明：易磁化轴和磁粒排列的方向均在该样品的表面。[第八样品]
以与第一样品相似方式得到具有图1结构的第八样品，只足用作导电支承元件1的是120目不锈钢丝网，而不是用第一样品中的24目不锈钢丝网。[第二对照样品]
通过将80重量份的平均粒径为30μm的球状铁粉粒与20重量份的丁腈橡胶相混合，并对该混合物进行捏合并制成1.2mm厚的板，即得到第二对照样品。
第一至第八样品和第一至第二对照样品的电磁透明度和电磁耦合度是通过采用图9和10所示评价系统而测得的。测得数据示于图11，12，13和14中。图11表示第一和第二对照样品的电磁透明度的频率特性。此处，透明度的标准选为图9中29处测得的当图9不用电磁干扰抑制体100时的电磁场强度。图12表示第一和第二对照样品的耦合度的频率特性。这里，耦合度的标准选为图10中29处测得的当图10不用电磁干扰抑制体100时的电磁场强度。
图13表示第一至第八样品的电磁透明度的频率特性。这里，透明度的标准选为图9中29处测得的当图9不用电磁干扰抑制体100时的电磁场强度。图14表示第一至第八样品耦合度的频率特性。这里，耦合度的标准选为图10中29处测得的当图10不存在电磁干扰抑制体100时的电磁场强度。
图15表示第一至第八样品和第一至第二对照样品在800MHz频率下的透明度和耦合度。正如由图11，12和15所见，第一对照样品的导体(铜板)增强了耦合度，但降低了透明度。第二对照样品尽管有降低耦合度的倾向，但几乎不衰减穿透那里的电磁波。也就是说，第二对照样品在电磁干扰抑制性能方面是极其低的。
反之，根据本发明第一至第八样品的电磁干扰抑制体100，如图13，14和15所见，其透明度和耦合度方面均是足够低的。因此，由图8可见：其上安装多个电子部件24，25和26的两电路板21和23由于设置在两电路板21和23之间空间中的电磁干扰抑制体100而避免了彼此之间和各板的电子部件之间的电磁干扰。
应注意：该电磁干扰抑制体100能抑制包括移动通信设备的各种高频电子设备中的电磁干扰，因为它确保了对通过那里电磁透射的大量衰减同时又不增大对无用辐射的反射。
此外，从其结构上看可容易地使诸实施例中已述电磁干扰抑制体100具有如此灵活性，以致它可符合复杂形状、抗震或抗冲击等要求。
图16表示根据使用该电磁干扰抑制体100的另一实施例的电子设备。该电子设备具有安装在电路板41上的有源元件LSI42和印刷在板41另一侧上的接线导体43。接线导体43延伸至LSI42下面。大小与LSI42相同而厚度约为其一半的电磁干扰抑制体100安装在LSI42和电路板41之间。
在将LSI42安装在板41上之前，将电磁干扰抑制体100固定到LSI42和电路板41之一上。电磁干扰抑制体100通过降低LSI42和电路导体43之间的感应耦合而有效地抑制了接线导体43所产生的噪音，因为电磁干扰抑制体100吸收了由LSI42产生的高频电磁辐射的磁通。
假设图16中的电子设备，电磁干扰抑制体100的诸性能是用图9和10中所示系统评价的。
受到评价测试的样品是下述第九至第十一样品。[第九样品]
第九样品结构与图1所示相同并由下述方法获得：用120目不锈钢丝网作为导电支承元件1，用刮涂法将有上述第一组成的软磁膏涂敷丝网两侧使其在干燥和固化之后总厚度为0.5mm，进行85℃下24小时的固化。第九样品经用振动磁力计和扫描电子显微镜分析。这样确认：易磁化轴的方向和磁粒排列方向在该样品的表面上。[第十样品]
以类似于获得第九样品的方式得到有图2结构的第十样品，不同的是将带有经溅射在其两表面上形成3μm厚铝层的75μm厚的聚酰亚胺薄膜用作导电支承元件1。[第十一样品]
以类似于获得第九样品的方式得到有图2结构的第十一样品，只是其导电支承元件1是75μm厚的聚酰亚胺薄膜，其两表面上用刮涂法涂敷以具有上述第二组成的银膏——在干燥和固化以后有6μm厚。
第一和第二对照样品也被评价。通过采用图9和10所示评价系统测量第九至第十一样品以及第一至第二对照样品的电磁透明度和电磁耦合度。测得数据示于图17—20中。图17表示第一和第二对照样品的电磁透明度的频率特性。此处，透明度的标准选为图9中29处测得的当图9不用电磁干扰抑制体100时的电磁场强度。用18表示第一和第二对照样品的耦合度的频率特性。这里，耦合度标准选为图10中29处当图10不用电磁干扰抑制体100时的磁场强度。
图19表示第九到第十一样品的电磁透明度的频率特性。这里，透明度标准选为当图9不用电磁干扰抑制体100时在图9中29处测得的电磁场强度。图20表示第九至第十一样品耦合度的频率特性。这里，耦合度标准选为当图10不存在电磁干扰抑制体100时图10中29处测得的电磁场强度。
正如从图17和18所见，第一对照样品的导体(铜板)将耦合度的数值增大至+7dB，但降低了-50dB的透明度。第二对照样品的透明度约为-1dB而且几乎不衰减透过那里的电磁波，尽管它有将耦合度降至0dB的趋向。
与此相反，按照本发明的电磁干扰抑制体100的第九至第十一样品在约为-39dB的透明度和+1dB的耦合度情况下是够低的了，如从图19和20所见。
应指出：该电磁干扰抑制体100能在不受如图16所示电子部件被安装在印刷电路板的各种电子设备的不需要辐射影响的情况下抑制电磁干扰。再者，由于该电磁干扰抑制体100以薄型板的形式生产，故虽然它具有抗电磁干扰的抑制性能却能使电子设备的尺寸较小重量较轻，并且成本低廉。
用21表示一个使用电磁干扰抑制体100的混合集成电路元件的实施例。该混合集成电路单元包括电路板51，诸如安装在电路板51上的有源元件、无源元件之类的元部件52，和用以将元部件52连接到外部设备的连接引线53。该混合集成电路单元的外表面覆盖以诸如树脂之类的绝缘涂层54。在该混合集成电路单元中，绝缘涂层54的外表面被图3所示电磁干扰抑制体100所复盖而没有同引线53接触。该电磁干扰抑制体100包括一导电支承元件1，该元件被涂敷有分别在其两侧的第一非导电软磁层2a和第二非导电软磁层2b。
第一绝缘软磁层2a，导电支承元件1和第二非导电软磁层2b借助所谓淤浆浸渍法的方法形成，用此法时，将混合集成电路单元浸入软磁淤浆中，也可浸入导电淤浆(conductive slurry)中。软磁淤浆和导电淤浆是通过分别将软磁粉，和导电粉8同有机粘合剂混合并搅拌该混合物以使粉粒分散到粘合剂中而制成的。这里包含在第一和第二非导电软磁层2a和2b中的软磁粉3可使用称为“Sendust”(商标)铁-铝-硅合金，和铁-镍合金(坡莫合金)。此外，使用被研磨成细粉和表面氧化的软磁体粉3。这些粉末的纵横比最好要足够大(约大于5∶1)。再者，作为包含在导电支承元件1中的导电粉8，可采用诸如铜粉和银粉、导电碳黑粉或导电氧化钛粉之类的金属细粉。
此外，为实现最佳电磁状态，要确定非导电软磁层2a和2b的厚度以及导电支承元件1和构成材料，同时考虑混合集成电路单元的电路条件，待安装的电子元部件的布置和不需要的电磁场强度等。
假设图21中的混合式集成电路元件，该电磁干扰抑制体100的性能用图9和10中所示系统评价。以下第十二样品和第三对照样品经受该评价测试。[第十二样品]
含如下所述第六组成的第一和第二非导电软磁层2a和2b借助淤浆浸渍法在含有下述第七组成的导电支承元件1的两侧表面上形成，以产生具有图3结构的第十二样品。<第六组成>平软磁粉             90重量份
组成：Fe-A1-Si合金
平均粒径：10μm
纵横比：＞5
有机粘合剂
聚氨酯树脂：      8重量份
固化剂(异氰酸酯化合物)
                  2重量份
溶剂(环己烷和甲苯的混合物)
                  40重量份
乙基溶纤剂        45重量份<第七组成>
银粉              95重量份
    平均粒径：3μm
有机粘合剂
  聚丁酸乙烯酯树脂4重量份
  固化剂(异氰酸酯化合物)
                    1重量份
  溶剂(乙基溶纤剂)  75重量份[第三对照样品]
100μm厚的第三对照样品是采用下法获得的，即借助淤浆浸渍法将具有第七组成的银膏涂在75μm厚的聚酰亚胺薄膜的两侧和干燥并固化银膏而成。
图22和23表示了电磁透明度和电磁耦合度的测量结果。
从图22和23可见：第三对照样品的透明度足够低，但其耦合度高。与此相反，在第十二样品中，透明度足够低而耦合度并未增大而是低的。这意味着：根据该实施例的混合集成电路元件具有已在传统元件中见到的与涂有银膏而并不具有对电磁波反射特性的传统元件一样足够的抗电磁波的屏蔽效果。
现将说明一个对实际使用中的混合式集成电路的电磁抑制性能进行评价的测试。为测试起见，由树脂密封的该混合式集成电路元件的一个外表面被涂以第一非导电软磁层2a，采用淤浆浸渍法依次彼此叠合导电支承体1和第二非导电软磁层2b。将这些层固化或硬化后测得这三层的厚度为0.7mm。用振动磁力计和扫描电子显微镜分析第一和第二非导电软磁层2a和2b。易磁化轴的方向和磁粒排列方向在该样品表面上。
此外，将混合式集成电路元件安装在母板上并观测电子电路的工作。确认没有任何有害影响。
如上所述，涂有绝缘软磁层的混合式集成电路元件和导电支承元件当元件安装在母板上时既不受任何不需要的辐射影响，也不会增强由反射引起的电磁耦合。
根据本发明，其中在由树脂密封的混合式集成电路元件的外表面上涂敷以第一非导电软磁层，便可获得具有抵挡来自母板或安装在母板上的其他元部件的辐射体电磁波的足够屏蔽效果而并未增强内部部件之间或装在母板上的部件之间的电磁耦合也没有妨碍其自身工作的混合式集成电路元件。尤其是，将非导电软磁层2a，2b和导电支承元件1相组合是特别有利的。
虽然现已参照几个实施例描述了本发明，但不用多说，本发明自然并不限于上述实施例而是可能作出不脱离本发明精神的各种改型。

Claims (35)

1.用于抑制由不需要电磁波引起的电磁干扰的电磁干扰抑制体，包括一个导电支承元件和复盖所述导电支承元件至少一个表面的非导电软磁层。
2.如权利要求1所述的电磁干扰抑制体，其特征在于还包括一个复盖所述非导电软磁层的电介质层。
3.如权利要求1所述的电磁干扰抑制体，其特征在于还包括一个设置在所述导电支承元件和所述非导电软磁层之间的电介质层。
4.如权利要求1所述的电磁干扰抑制体，其特征在于所述非导电软磁层包括软磁粉，电介质粉和有机粘合剂。
5.如权利要求1或2或3所述的电磁干扰抑制体，其特征在于所述非导电软磁层包括软磁粉和有机粘合剂。
6.如权利要求2或3所述的电磁干扰抑制体，其特征在于所述电介质层包含电介质粉和有机粘合剂。
7.如权利要求4或5所述的电磁干扰抑制体，其特征在于所述软磁粉是散布在所述有机粘合剂中的扁平状和/或针状粉末。
8.如权利要求1所述电磁干扰抑制体，其特征在于所述导电支承元件是选自导电板、丝网导电板和导电纤维制成的编织物的一种元件。
9.如权利要求1所述的电磁干扰抑制体，其特征在于所述导电支承元件包括一个非导电基底部件和复盖所述非导电基底部件的至少一个表面的导电层。
10.如权利要求1所述的电磁干扰抑制体，其特征在于所述导电支承元件包括非导电基底部件和复盖所述非导电基底部件的至少一个表面的软磁性金属薄层。
11.如权利要求9或10所述的电磁干扰抑制体，其特征在于所述非导电基底部件是由权利要求1所述非导电软磁层与权利要求2或3中所述介质层之一构成的。
12.如权利要求1所述电磁干扰抑制体，其特征在于所述导电支承元件包括导电细粉与有机粘合剂。
13.如权利要求1所述电磁干扰抑制体，其特征在于所述导电支承元件包括一非导电基底部件和一复盖所述非导电基底部件的至少一个表面的导电层，所述导电层包括导电细粉和有机粘合剂。
14.如权利要求1所述电磁干扰抑制体，其特征在于所述导电支承元件是一种具有软磁性能的导电软磁支承元件。
15.如权利要求14所述电磁干扰抑制体，其特征在于所述导电软磁支承元件是选自软磁金属板、丝网金属板和软磁金属纤维制成的编织物的一种元件。
16.一种电子设备，包含其上有一有源元件的电路板，所述有源元件产生感应噪声，其中一个电磁干扰抑制体被置于所述电路板和所述有源元件之间，所述电磁干扰抑制体包括一导电支承元件和复盖所述导电支承元件的至少一个表面的非导电软磁层。
17.如权利要求16所述的电子设备，其特征在于所述电磁干扰抑制体还包括复盖所述非导电软磁层的电介质层。
18.如权利要求16所述的电子设备，其特征在于所述电磁干扰抑制体还包括置于所述导电支承元件和非导电软磁层之间的电介质层。
19.如权利要求16所述的电子设备，其特征在于所述非导电软磁层包括软磁粉、电介质粉和有机粘合剂。
20.如权利要求16、17或18所述的电子设备，其特征在于所述非导电软磁层包括软磁粉和有机粘合剂。
21.如权利要求17或18所述的电子设备，其特征在于所述电介质层包括电介质粉和有机粘合剂。
22.如权利要求19或20所述的电子设备，其特征在于所述软磁粉是散布在所述有机粘合剂中的扁平和/或针状粉末。
23.如权利要求16所述的电子设备，其特征在于所述导电支承元件是一种选自导电板、丝网导电板和导电纤维制成的编织物。
24.如权利要求16所述的电子设备，其特征在于所述导电支承元件包括一非导电基底部件和复盖所述非导电基底部件的至少一个表面的导电层。
25.如权利要求16所述的电子设备，其特征在于所述导电支承元件包括非导电基底部件和复盖所述非导电基底部件的至少一个表面的软磁金属薄层。
26.如权利要求24或25所述电子设备，其特征在于所述非导电基底部件是由权利要求16中所述非导电软磁层和权利要求17中所述介质层构成的。
27.如权利要求16所述的电子设备，其特征在于所述导电支承元件包括导电细粉和有机粘合剂。
28.如权利要求16所述电子设备，其特征在于所述导电支承元件包括非导电基底部件和复盖所述非导电基底部件的至少一个表面的导电层，所述导电层包括导电细粉和有机粘合剂。
29.如权利要求16所述的电子设备，其特征在于所述导电支承元件是一个具有软磁性能的导电软磁支承元件。
30.如权利要求16所述的电子设备，其特征在于所述导电软磁支承元件是选自软磁金属板、丝网金属板和软磁金属纤维制成的编织物的一种元件。
31.具有电路板，有源元件和装在该电路板上的无源元件的混合式集成电路，其特征在于所述有源元件、所述无源元件和所述电路板由一绝缘层复盖在一起并加以密封，一个非导电软磁层包含软磁粉和有机粘合剂并复盖所述绝缘层的外表面。
32.如权利要求31所述的混合式集成电路元件，其特征在于所述非导电软磁层包括第一和第二非导电软磁层段和一个置于其间的导电层，所述导电层包括导电粉和有机粘合剂。
33.如权利要求31所述的混合式集成电路元件，其特征在于所述软磁粉包括各有扁平或针状的软磁粒，所述粉粒被散布在所述有机粘合剂中。
34.一种用于制造混合集成电路元件的方法，该集成电路元件有一电路板，安装在电路板上的有源元件和无源元件，用于密封所述有源元件和无源元件的非导电层，在所述非导电层的一个外表面上形成的非导电软磁层，该方法的特征在于：所述非导电软磁层是通过将安装在所述电路板并由所述非导电层密封的所述有源和无源元件浸入软磁浆中而形成的。
35.一种用于制造混合集成电路元件的方法，该元件具有安装在一块电路板上的有源元件和无源元件，用于密封所述有源和无源元件的非导电层，非导电软磁层和形成在所述非导电层一个外表面上的导电层，该方法的特征在于所述非导电软磁层和所述导电层是通过将安装在所述电路板上并由所述非导电层密封的所述有源和无源元件分别浸入软磁浆和导电浆中形成的。
CN95100245A 1994-01-20 1995-01-18 电磁穿透性和反射性低的电磁干扰抑制体及其电子装置 Expired - Lifetime CN1075339C (zh)

Applications Claiming Priority (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP00486494A JP3401650B2 (ja) 1994-01-20 1994-01-20 電磁波干渉抑制体
JP4864/94 1994-01-20
JP4864/1994 1994-01-20
JP144965/94 1994-06-27
JP144965/1994 1994-06-27
JP14496594A JPH0818271A (ja) 1994-06-27 1994-06-27 電子装置およびそのノイズ抑制方法
JP192399/94 1994-08-16
JP192399/1994 1994-08-16
JP19239994A JP3528255B2 (ja) 1994-08-16 1994-08-16 混成集積回路素子及びその製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB011169109A Division CN1199545C (zh) 1994-01-20 2001-04-27 电磁穿透性和反射性低的电磁干扰抑制体及其电子装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1115562A true CN1115562A (zh) 1996-01-24
CN1075339C CN1075339C (zh) 2001-11-21

Family

ID=27276491

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN95100245A Expired - Lifetime CN1075339C (zh) 1994-01-20 1995-01-18 电磁穿透性和反射性低的电磁干扰抑制体及其电子装置
CNB011169109A Expired - Fee Related CN1199545C (zh) 1994-01-20 2001-04-27 电磁穿透性和反射性低的电磁干扰抑制体及其电子装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB011169109A Expired - Fee Related CN1199545C (zh) 1994-01-20 2001-04-27 电磁穿透性和反射性低的电磁干扰抑制体及其电子装置

Country Status (6)

Country Link
US (2) US5864088A (zh)
EP (1) EP0667643B1 (zh)
CN (2) CN1075339C (zh)
DE (1) DE69504377T2 (zh)
FI (1) FI117224B (zh)
MY (1) MY120407A (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6545212B1 (en) 1998-10-27 2003-04-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radiation noise suppressing component attachment structure
CN100403864C (zh) * 2000-04-21 2008-07-16 韦吾泽罗公司 印制电路板的emi和rfi屏蔽
CN101069461B (zh) * 2004-12-03 2010-12-08 新田股份有限公司 电磁干扰抑制体、天线装置及电子信息传输装置
CN1930643B (zh) * 2004-03-08 2011-06-08 Nec东金株式会社 电磁噪声抑制薄膜
CN102445675A (zh) * 2010-10-12 2012-05-09 深圳迈瑞生物医疗电子股份有限公司 电磁干扰抑制装置及采用该装置的磁共振成像设备
CN101509977B (zh) * 2008-02-12 2012-09-26 三星电子株式会社 X射线探测器及其制造方法
CN103597133A (zh) * 2011-04-08 2014-02-19 赛法股份公司 电极基层和平面的光电装置
CN105074838A (zh) * 2013-03-28 2015-11-18 日立金属株式会社 磁性片、使用该磁性片的电子设备及磁性片的制造方法

Families Citing this family (117)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6454276B2 (en) * 1992-08-19 2002-09-24 The Boeing Company Corrosion resistant gasket for aircraft
US6613978B2 (en) 1993-06-18 2003-09-02 Maxwell Technologies, Inc. Radiation shielding of three dimensional multi-chip modules
US5880403A (en) 1994-04-01 1999-03-09 Space Electronics, Inc. Radiation shielding of three dimensional multi-chip modules
US5920984A (en) * 1993-12-10 1999-07-13 Ericsson Ge Mobile Communications Inc. Method for the suppression of electromagnetic interference in an electronic system
US6455864B1 (en) 1994-04-01 2002-09-24 Maxwell Electronic Components Group, Inc. Methods and compositions for ionizing radiation shielding
US6720493B1 (en) 1994-04-01 2004-04-13 Space Electronics, Inc. Radiation shielding of integrated circuits and multi-chip modules in ceramic and metal packages
US6261508B1 (en) * 1994-04-01 2001-07-17 Maxwell Electronic Components Group, Inc. Method for making a shielding composition
US5811050A (en) * 1994-06-06 1998-09-22 Gabower; John F. Electromagnetic interference shield for electronic devices
JPH0935927A (ja) * 1995-07-20 1997-02-07 Tokin Corp 複合磁性体及びそれを用いた電磁干渉抑制体
JPH0993034A (ja) * 1995-09-22 1997-04-04 Tokin Corp 複合磁性体及びその製造方法ならびに電磁干渉抑制体
US6187120B1 (en) * 1996-09-03 2001-02-13 Tokin Corporation Method of manufacturing composite magnetic sheet
JPH1083911A (ja) * 1996-09-06 1998-03-31 Tokin Corp 複合磁性体及びそれを用いた電磁干渉抑制体
US6521140B2 (en) * 1996-09-06 2003-02-18 Nec Tokin Corp. Composite magnetic body and electromagnetic interference suppressing body using the same
KR100510921B1 (ko) 1996-09-09 2005-10-25 엔이씨 도낀 가부시끼가이샤 고열전도성복합자성체
US6566596B1 (en) * 1997-12-29 2003-05-20 Intel Corporation Magnetic and electric shielding of on-board devices
DE19916636A1 (de) * 1999-04-13 2000-06-29 Siemens Ag Halbleiterchip mit ferromagnetischer Abschirmung
US6208516B1 (en) 1999-05-11 2001-03-27 Apple Computer, Inc. Electromagnetic interference shield and gap filler for a circuit board
DE19947130C1 (de) * 1999-09-30 2000-11-02 Siemens Ag Elektrisches Gerät mit in einem Gehäuse angeordneten und nach außen elektromagnetisch abgeschirmten Komponenten
US6368899B1 (en) * 2000-03-08 2002-04-09 Maxwell Electronic Components Group, Inc. Electronic device packaging
JP4398056B2 (ja) * 2000-04-04 2010-01-13 Ｎｅｃトーキン株式会社 樹脂モールド体
FR2808164B1 (fr) * 2000-04-21 2002-06-07 Wavecom Sa Procede de blindage d'au moins la partie superieure d'un module de radiocommunication, et module de radiocommunication correspondant
JP2002064189A (ja) * 2000-08-21 2002-02-28 Tokin Corp マグネティック・ランダム・アクセス・メモリ
US6768654B2 (en) * 2000-09-18 2004-07-27 Wavezero, Inc. Multi-layered structures and methods for manufacturing the multi-layered structures
US6727781B2 (en) * 2000-09-18 2004-04-27 Daido Steel Co., Ltd. High frequency amplifier
US6534707B1 (en) * 2000-10-11 2003-03-18 Visteon Global Technologies, Inc. Method for absorbing active, external and dynamic magnetic fields using a ferrite encapsulated coating
JP2002198686A (ja) * 2000-12-27 2002-07-12 Sony Corp 電子部品用シートおよびその製造方法
US7995989B2 (en) * 2000-12-29 2011-08-09 Globalstar, Inc. Method and apparatus providing suppression of system access by use of confidence polygons, volumes and surfaces in a mobile satellite system
JP2002223094A (ja) * 2001-01-25 2002-08-09 Yokohama Rubber Co Ltd:The 電波吸収体の構造
JP3770096B2 (ja) * 2001-03-12 2006-04-26 株式会社村田製作所 チタン酸バリウム粉末の製造方法、誘電体セラミック、ならびに積層セラミックコンデンサ
JP3865601B2 (ja) * 2001-06-12 2007-01-10 日東電工株式会社 電磁波抑制体シート
AU2002368327A1 (en) * 2001-12-14 2004-06-07 Laird Technologies, Inc. Emi shielding including a lossy medium
US6906256B1 (en) * 2002-01-22 2005-06-14 Nanoset, Llc Nanomagnetic shielding assembly
US6846985B2 (en) 2002-01-22 2005-01-25 Nanoset, Llc Magnetically shielded assembly
US6864418B2 (en) * 2002-12-18 2005-03-08 Nanoset, Llc Nanomagnetically shielded substrate
JP3923368B2 (ja) * 2002-05-22 2007-05-30 シャープ株式会社 半導体素子の製造方法
US6621708B1 (en) * 2002-06-10 2003-09-16 Sun Microsystems, Inc. Electronics assembly including a protective shield
US6961248B2 (en) * 2002-06-10 2005-11-01 Sun Microsystems, Inc. Electronics assembly
US6833994B2 (en) * 2002-06-10 2004-12-21 Sun Microsystems, Inc. Electronics assembly
AU2003276809A1 (en) * 2002-06-14 2003-12-31 Laird Technologies, Inc. Composite emi shield
US6914183B2 (en) * 2002-09-25 2005-07-05 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Board for printed wiring
US7382043B2 (en) 2002-09-25 2008-06-03 Maxwell Technologies, Inc. Method and apparatus for shielding an integrated circuit from radiation
WO2004086837A1 (ja) * 2003-03-25 2004-10-07 Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. 電磁波ノイズ抑制体、電磁波ノイズ抑制機能付物品、およびそれらの製造方法
US7167140B2 (en) * 2003-07-02 2007-01-23 Nec Tokin Corporation Coil antenna
KR100704063B1 (ko) * 2003-07-07 2007-04-09 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 수지도장금속판(樹脂塗裝金屬板)
US7191516B2 (en) 2003-07-16 2007-03-20 Maxwell Technologies, Inc. Method for shielding integrated circuit devices
US20050183871A1 (en) * 2003-07-29 2005-08-25 Pon-Wei Hou Shielding material for preventing from outleakage and penetration of electromagnetic waves
US7027299B2 (en) * 2003-08-19 2006-04-11 Sun Microsystems, Inc. Electronics assembly with arrangement for air cooling
JP2005078442A (ja) * 2003-09-01 2005-03-24 Sony Corp Ｉｃカード及びその製造方法
JP2005128771A (ja) * 2003-10-23 2005-05-19 Fujitsu Ltd データファイルシステム、データアクセスサーバ、およびデータアクセスプログラム
JP4423462B2 (ja) * 2003-12-22 2010-03-03 富士電機システムズ株式会社 半導体パワーモジュール
CN100455178C (zh) * 2004-02-24 2009-01-21 信越聚合物株式会社 电磁波噪声抑制体、具有电磁波噪声抑制功能的结构体、以及其制造方法
US7371471B2 (en) 2004-03-08 2008-05-13 Nec Tokin Corporation Electromagnetic noise suppressing thin film
JP3964401B2 (ja) * 2004-04-27 2007-08-22 Ｎｅｃトーキン株式会社 アンテナ用コア、コイルアンテナ、時計、携帯電話機、電子装置
CN1838345A (zh) * 2005-03-22 2006-09-27 株式会社东芝 天线装置及用于制造天线装置的方法
EP1727201A1 (en) * 2005-05-27 2006-11-29 Hou, PonWei Shielding material for preventing outleakage and penetration of electromagnetic waves
JP4492454B2 (ja) * 2005-06-20 2010-06-30 富士電機システムズ株式会社 パワー半導体モジュール
JP3972951B2 (ja) * 2005-07-04 2007-09-05 オムロン株式会社 スイッチング電源、電源装置および電子機器
DE102005034166A1 (de) * 2005-07-21 2007-02-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein elektromagnetische Strahlung emittierendes optoelektronisches Bauelement, elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses oder eines Bauelements
CN102744398B (zh) * 2005-09-06 2015-01-14 株式会社三德 多孔铁粉、其制造方法及电波吸收体
TWI266597B (en) * 2005-09-27 2006-11-11 Delta Electronics Inc Electronic apparatus capable of dissipating heat uniformly
KR100724916B1 (ko) * 2006-01-02 2007-06-04 삼성전자주식회사 전자회로 패키지
CN101589443A (zh) * 2007-01-23 2009-11-25 国立大学法人东北大学 复合磁性体及其制造方法、使用复合磁性体的电路板以及使用复合磁性体的电子设备
US20090091907A1 (en) * 2007-10-09 2009-04-09 Huang Chung-Er Shielding structure for electronic components
CN101426331A (zh) 2007-10-31 2009-05-06 富葵精密组件(深圳)有限公司 多层电路板
JP5324105B2 (ja) * 2008-01-29 2013-10-23 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 構造化表面を有する感圧接着層を含む電磁干渉抑制シート
US7989928B2 (en) 2008-02-05 2011-08-02 Advanced Semiconductor Engineering Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8022511B2 (en) 2008-02-05 2011-09-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8350367B2 (en) * 2008-02-05 2013-01-08 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8212339B2 (en) * 2008-02-05 2012-07-03 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8410584B2 (en) * 2008-08-08 2013-04-02 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US20100110656A1 (en) 2008-10-31 2010-05-06 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Chip package and manufacturing method thereof
FR2940588B1 (fr) * 2008-12-19 2011-01-07 St Microelectronics Grenoble Ensemble multicomposant blinde a montage en surface
US8110902B2 (en) * 2009-02-19 2012-02-07 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Chip package and manufacturing method thereof
US8115117B2 (en) * 2009-06-22 2012-02-14 General Electric Company System and method of forming isolated conformal shielding areas
US8212340B2 (en) * 2009-07-13 2012-07-03 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Chip package and manufacturing method thereof
JP5501174B2 (ja) * 2009-09-17 2014-05-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8378466B2 (en) * 2009-11-19 2013-02-19 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Wafer-level semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8030750B2 (en) * 2009-11-19 2011-10-04 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8368185B2 (en) * 2009-11-19 2013-02-05 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
TWI497679B (zh) * 2009-11-27 2015-08-21 Advanced Semiconductor Eng 半導體封裝件及其製造方法
US8569894B2 (en) 2010-01-13 2013-10-29 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package with single sided substrate design and manufacturing methods thereof
TWI411075B (zh) 2010-03-22 2013-10-01 Advanced Semiconductor Eng 半導體封裝件及其製造方法
TWI540698B (zh) 2010-08-02 2016-07-01 日月光半導體製造股份有限公司 半導體封裝件與其製造方法
US9545043B1 (en) * 2010-09-28 2017-01-10 Rockwell Collins, Inc. Shielding encapsulation for electrical circuitry
JP2012124466A (ja) * 2010-11-18 2012-06-28 Nitto Denko Corp 半導体装置用接着フィルム、及び、半導体装置
US9406658B2 (en) 2010-12-17 2016-08-02 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Embedded component device and manufacturing methods thereof
KR101862370B1 (ko) * 2011-05-30 2018-05-29 삼성전자주식회사 반도체 소자, 반도체 패키지 및 전자 장치
JP6321540B2 (ja) * 2011-07-26 2018-05-09 グリセンス インコーポレイテッド 気密密閉された筐体を備える埋め込み型分析物センサおよび該センサを製造する方法
US9268017B2 (en) 2011-07-29 2016-02-23 International Business Machines Corporation Near-field millimeter wave imaging
DE102011087263A1 (de) * 2011-11-28 2013-05-29 Lenze Drives Gmbh Abschirmvorrichtung für elektrische Einheiten
TWI484897B (zh) * 2012-01-20 2015-05-11 Lite On Technology Corp 散熱結構與具有此散熱結構的電子裝置
US8704341B2 (en) 2012-05-15 2014-04-22 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor packages with thermal dissipation structures and EMI shielding
US8653634B2 (en) 2012-06-11 2014-02-18 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. EMI-shielded semiconductor devices and methods of making
US8944148B2 (en) * 2012-07-23 2015-02-03 King Fahd University Of Petroleum And Minerals Add-on heat sink
US10660550B2 (en) 2015-12-29 2020-05-26 Glysens Incorporated Implantable sensor apparatus and methods
US10561353B2 (en) 2016-06-01 2020-02-18 Glysens Incorporated Biocompatible implantable sensor apparatus and methods
DE202012104339U1 (de) * 2012-11-12 2014-02-14 Rehau Ag + Co Batteriegehäuseteil und Batteriegehäuse für eine Traktionsbatterie eines Elektrofahrzeugs
JP5904957B2 (ja) 2013-02-28 2016-04-20 キヤノン株式会社 電子部品および電子機器。
US9439307B2 (en) * 2014-02-06 2016-09-06 Tektronix, Inc. Laminated punched sheet metal electronic enclosure/shield with integrated gaskets
KR102251001B1 (ko) 2014-06-26 2021-05-12 삼성전자주식회사 반도체 패키지
FR3029386A1 (fr) * 2014-11-28 2016-06-03 Commissariat Energie Atomique Blindage magnetique ameliore
CN104470344A (zh) * 2014-12-17 2015-03-25 广州三星通信技术研究有限公司 电磁屏蔽复合材料及其制备方法
US10154175B2 (en) * 2015-05-14 2018-12-11 Sony Corporation Circuit board, imaging device, and electronic apparatus
KR20170123747A (ko) * 2016-04-29 2017-11-09 삼성전자주식회사 차폐 부재 및 그를 포함하는 전자 장치
US10638962B2 (en) 2016-06-29 2020-05-05 Glysens Incorporated Bio-adaptable implantable sensor apparatus and methods
JP6363687B2 (ja) * 2016-12-26 2018-07-25 デクセリアルズ株式会社 半導体装置
US10950555B2 (en) * 2017-03-30 2021-03-16 Intel Corporation Ultra-low profile package shielding technique using magnetic and conductive layers for integrated switching voltage regulator
US10638979B2 (en) 2017-07-10 2020-05-05 Glysens Incorporated Analyte sensor data evaluation and error reduction apparatus and methods
JP2019047080A (ja) * 2017-09-07 2019-03-22 セイコーエプソン株式会社 熱伝導部材、プリント回路板および電子機器
US11278668B2 (en) 2017-12-22 2022-03-22 Glysens Incorporated Analyte sensor and medicant delivery data evaluation and error reduction apparatus and methods
US11255839B2 (en) 2018-01-04 2022-02-22 Glysens Incorporated Apparatus and methods for analyte sensor mismatch correction
CN109041556A (zh) * 2018-07-16 2018-12-18 苏州微磁新材料有限公司 吸波材料及其制备方法和应用
JP7099949B2 (ja) * 2018-12-25 2022-07-12 トヨタ自動車株式会社 車両下部構造
US10856455B1 (en) * 2019-09-05 2020-12-01 The Boeing Company Electromagnetic interference shielding panels and associated methods
DE102019134888A1 (de) * 2019-12-18 2021-06-24 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Herstellungsverfahren eines Faserverbundbauteils mit einer Schutzbeschichtung
US11765872B2 (en) * 2019-12-24 2023-09-19 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Electromagnetic wave shielding housing, inverter part, air conditioner part, and automotive part
US11552006B2 (en) * 2020-07-22 2023-01-10 Texas Instruments Incorporated Coated semiconductor devices

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3133441C2 (de) * 1981-08-24 1984-02-02 Precitronic Gesellschaft für Feinmechanik und Electronic mbH, 2000 Hamburg Abschirmung gegen elektromagnetische Impulse
US4538151A (en) * 1982-03-31 1985-08-27 Nippon Electric Co., Ltd. Electro-magnetic wave absorbing material
US4783711A (en) * 1985-07-12 1988-11-08 Hitachi, Ltd. Magnetoresistive sensor having magnetic shields of ferrite
JPH0775279B2 (ja) * 1987-06-25 1995-08-09 イビデン株式会社 半導体装置
US4746389A (en) * 1987-08-04 1988-05-24 United Technologies Corporation Method for producing a clean, highly conductive surface for mating composite articles
US4890083A (en) * 1988-10-20 1989-12-26 Texas Instruments Incorporated Shielding material and shielded room
US4959752A (en) * 1988-10-24 1990-09-25 Digital Equipment Corporation Electronic module RFI/EMI shielding
US5275880A (en) * 1989-05-17 1994-01-04 Minnesota Mining And Manufacturing Company Microwave absorber for direct surface application
US5286318A (en) * 1990-04-04 1994-02-15 The Curran Company Method of forming EMI shielded enclosures, EMI shielded enclosures and EMI shields
US5207841A (en) * 1990-04-12 1993-05-04 Tdk Corporation Soft magnetic powder and magnetic shield composition
JPH0423485A (ja) * 1990-05-18 1992-01-27 Cmk Corp プリント配線板とその製造法
JPH04354103A (ja) * 1991-05-31 1992-12-08 Yoshiyuki Naito 広帯域電波吸収装置
CA2080177C (en) * 1992-01-02 1997-02-25 Edward Allan Highum Electro-magnetic shield and method for making the same
US5455117A (en) * 1992-10-27 1995-10-03 Kansai Paint Co., Ltd. Electromagnetic wave reflection-preventing material and electromagnetic wave reflection-preventing method

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6545212B1 (en) 1998-10-27 2003-04-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radiation noise suppressing component attachment structure
CN100403864C (zh) * 2000-04-21 2008-07-16 韦吾泽罗公司 印制电路板的emi和rfi屏蔽
CN1930643B (zh) * 2004-03-08 2011-06-08 Nec东金株式会社 电磁噪声抑制薄膜
CN101069461B (zh) * 2004-12-03 2010-12-08 新田股份有限公司 电磁干扰抑制体、天线装置及电子信息传输装置
CN101509977B (zh) * 2008-02-12 2012-09-26 三星电子株式会社 X射线探测器及其制造方法
CN102445675A (zh) * 2010-10-12 2012-05-09 深圳迈瑞生物医疗电子股份有限公司 电磁干扰抑制装置及采用该装置的磁共振成像设备
CN103597133A (zh) * 2011-04-08 2014-02-19 赛法股份公司 电极基层和平面的光电装置
CN103597133B (zh) * 2011-04-08 2015-12-02 赛法股份公司 电极基层和平面的光电装置
CN105074838A (zh) * 2013-03-28 2015-11-18 日立金属株式会社 磁性片、使用该磁性片的电子设备及磁性片的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
FI117224B (fi) 2006-07-31
CN1075339C (zh) 2001-11-21
EP0667643B1 (en) 1998-09-02
EP0667643A1 (en) 1995-08-16
CN1199545C (zh) 2005-04-27
US5864088A (en) 1999-01-26
CN1355670A (zh) 2002-06-26
DE69504377D1 (de) 1998-10-08
US6448491B1 (en) 2002-09-10
DE69504377T2 (de) 1999-02-25
MY120407A (en) 2005-10-31
FI950182A0 (fi) 1995-01-16
FI950182A (fi) 1995-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1075339C (zh) 电磁穿透性和反射性低的电磁干扰抑制体及其电子装置
CN1135574C (zh) 复合磁性材料及其制造方法和应用
CN1097270C (zh) 一种电磁干扰抑制磁性复合材料及其制造方法
KR100329677B1 (ko) 전자기파간섭억제체
US6972097B2 (en) Composite magnetic material and electromagnetic interference suppressor member using the same
CN1089543C (zh) 磁性预浸片及其制造方法和使用该预浸片的印刷电路板
CN1169164C (zh) 复合磁体和电磁干扰抑制体
CN104067389A (zh) 包括电磁吸收和屏蔽的半导体装置
CN1586098A (zh) 复合磁性体、片状物品的制法、电磁波吸收片材及其制法
CN1720637A (zh) 高效槽馈微带补片天线
CN1768559A (zh) 多层印刷电路板
US20070047278A1 (en) Wiring board, electronic device, and power supply unit
CN1154125C (zh) 抗电磁干扰元件及拥有该元件的有源器件
CN1717968A (zh) 电磁波噪声抑制体、具有电磁波噪声抑制功能的结构体、以及其制造方法
CN1258373A (zh) 复合元件及其制造方法
CN100336423C (zh) 由颗粒结构磁性薄膜构成的线路板
JPH09116289A (ja) ノイズ抑制型電子装置およびその製造方法
JPH02120040A (ja) 電波吸収用銅張積層板
JP3528257B2 (ja) プリント配線基板
JPH0856092A (ja) 混成集積回路素子及びその製造方法
WO2024004889A1 (ja) 電磁波シールド材、電子部品および電子機器
CN1893763A (zh) 电路基板、电子设备和电源装置
JP2000174483A (ja) 電子機器筐体及び不要輻射波低減方法
CN112391077A (zh) 绝缘软磁油墨、绝缘软磁膜及绝缘软磁膜积层电路板
CN1540732A (zh) 半导体模块及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: NEC TOKIN CORP.

Free format text: FORMER NAME OR ADDRESS: TOKIN CORPORATION

CP01 Change in the name or title of a patent holder

Patentee after: NEC Tokin Corp.

Patentee before: Tokin Corporation

C17 Cessation of patent right
CX01 Expiry of patent term

Expiration termination date: 20150118

Granted publication date: 20011121