CN1129103C - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供这样一种显示装置，在该装置中改进了在基板上构成的象素和共同供电线的布局，扩展了象素的发光区域，能提高显示的品位。在该装置中，将具备场致发光元件或LED元件那样的发光元件(40)的象素(7A、7B)配置在共同供电线(com)的两侧，可减少共同供电线(com)的数目。此外，在象素(7A、7B)之间使流过发光元件(40)的驱动电流的极性反转，可减小流过共同供电线(com)的电流。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及使用了通过使驱动电流流过有机半导体膜而发光的EL(场致发光)元件或LED(发光二极管)元件等的发光元件和控制该发光元件的发光工作的薄膜晶体管(以下称为TFT)有源矩阵型的显示装置。更详细地说，涉及改进该显示特性用的布局的最优化技术。
背景技术
已提出了使用EL元件或LED元件等的电流控制型发光元件的有源矩阵型的显示装置。由于该类型的显示装置中使用的发光元件都是自身发光的，故与液晶显示装置不同，不需要背照光源，此外，还具有视野角依存性少等的优点。
图22示出了使用电荷注入型的有机薄膜EL元件的有源矩阵型的显示装置的框图，作为这样的显示装置的一例。在该图中示出的显示装置1A中，在透明基板上构成了多条扫描线gate、在与这些扫描线gate的延伸方向交叉的方向上延伸的多条数据线sig、与这些数据线sig并列的多条共同供电线com以及与数据线sig和扫描线gate的交叉点对应的象素7。相对于数据线sig，构成了具备移位寄存器、电平移动器、视频线、模拟以开关的数据侧驱动电路3。相对于扫描线，构成了具备移位寄存器和电平移动器的扫描侧驱动电路4。此外，每一个象素7中构成了通过扫描线将扫描信号供给栅电极的第1TFT20、保持通过该第1TFT20由数据线sig供给的图象信号的保持电容cap、将由该保持电容cap保持的图象信号供给栅电极的第2TFT30和在通过该第2TFT30与共同供电线com进行导电性连接时由共同供电线com流入驱动电流的发光元件40。
即，如图23(A)、(B)中所示，在任一个象素7中都利用2个岛状的半导体膜形成第1TFT20和第2TFT30，通过第1层间绝缘膜51的接触孔将中继电极35导电性地连接到第2TFT30的源-漏区上，通过第2层间绝缘膜52的接触孔将象素电极41导电性地连接到该中继电极35上。该象素电极41的上层一侧层叠了空穴注入层42、有机半导体膜43、对置电极op。在此，对置电极op跨过数据线sig等并遍及多个象素7而形成。再有，通过接触孔将共同供电线com导电性地连接到第2TFT30的源-漏区上。
与此不同，在第1TFT20中，导电性地连接到该源-漏区上的电位保持电极st与栅电极31的延伸部分310进行导电性连接。相对于该延伸部分310，在其下层一侧通过栅绝缘膜50对置了半导体膜400，该半导体膜400由导入到其中的杂质而被导电化，故延伸部分310与栅绝缘膜50一起构成了保持电容cap。在此，通过第1层间绝缘膜51的接触孔将共同供电线com导电性地连接到半导体膜400上。因而，由于保持电容cap保持通过第1TFT20由数据线sig供给的图象信号，故即使第1TFT20关断，第2TFT30的栅电极31也保持于相当于图象信号的电位。因此，由于驱动电流由共同供电线com继续流入到发光元件40中，故发光元件40继续发光。
但是，在上述的显示装置1A中，与液晶显示装置比较，由于必须有第2TFT30和共同供电线com，象素7变窄，故存在不能提高显示品位的问题。
因此，本发明的课题在于提供这样一种显示装置，其中改进了在基板上构成的象素和共同供电线com的布局，扩展了象素的发光区域，从而能提高显示的品位。
发明内容
为了解决上述问题，在本发明中，显示装置在基板上具有：多条扫描线；在与该扫描线的延伸方向交叉的方向上延伸的多条数据线；与该数据线并列的多条共同供电线；以及由上述数据线和上述扫描线形成为矩阵状的象素，在该象素的每一个中具有：在第1栅电极上通过上述扫描线接受扫描信号的第1薄膜晶体管；保持通过该第1薄膜晶体管由上述数据线供给的图象信号的保持电容；在第2栅电极上接受由该保持电容保持的上述图象信号的第2薄膜晶体管；以及发光元件，该发光元件具备有机半导体膜，该有机半导体膜在上述象素的每一个中形成的象素电极与相对于该象素电极的对置电极的层间并在上述象素电极通过上述第2薄膜晶体管与上述共同供电线进行导电性连接时，利用在上述象素电极与上述对置电极之间流动的驱动电流而发光，该显示装置的特征在于：在上述共同供电线的两侧配置象素，上述驱动电流在该象素与该共同供电线之间通过，上述数据线通过对于该象素来说与上述共同供电线相对的一侧。
即，在本发明中，由于以数据线、与其连接的象素组、1条共同供电线、与其连接的象素组、和将象素信号供给该象素组的数据线为1个单位，将其在扫描线的延伸方向上重复地排列，故用1条共同供电线来驱动2列部分的象素。因而，由于与在1列的象素组的每一个中形成共同供电线的情况相比可使共同供电线的形成区域变窄，故可相应地扩展象素的发光区域。于是，可提高亮度、对比度等的显示性能。
在以这种方式构成时，例如在以夹住上述共同供电线的方式而配置的2个象素之间，最好将上述第1薄膜晶体管、上述第2薄膜晶体管和上述发光元件以该共同供电线为中心配置成线对称。
在本发明中，最好在沿上述扫描线的延伸方向上邻接的任一象素之间使上述有机半导体膜的形成区域的中心的间距相等。如果以这种方式来构成，则在从喷墨头喷出有机半导体膜的材料以形成有机半导体膜方面是较为方便的。即，由于有机半导体膜的形成区域的中心的间距相等，故从喷墨头以相等的间隔喷出有机半导体膜的材料即可。由此，喷墨头的移动控制机构变得简单，同时也提高了位置精度。
此外，较为理想的是，上述有机半导体膜的形成区域被比上述有机半导体膜厚的绝缘膜构成的堤(bank)层包围，同时这样来构成该堤层，使其以相同的宽度尺寸来覆盖上述数据线和上述共同供电线。如果这样来构成，则由于在用喷墨法形成有机半导体膜时堤层防止有机半导体膜向周围溢出，故可在预定区域内形成有机半导体膜。此外，由于该堤层以相同的宽度尺寸来覆盖上述数据线和上述共同供电线，故在沿扫描线的延伸方向上邻接的任一个象素之间使上述有机半导体膜的形成区域的中心的间距相等方面是合适的。在此，对置电极至少在象素区域上的大致整个面上、或者以条状遍及很宽的区域而形成，它处于与数据线对置的状态。因而，在原有的状态下，相对于数据线而产生大的寄生电容。但在本发明中，由于在数据线与对置电极之间介入了堤层，故可防止在与对置电极之间形成的电容寄生到数据线上。其结果，由于可降低数据侧驱动电路的负载，故可谋求降低功耗或提高显示工作的速度。
在本发明中，最好在相对于上述象素相当于通过上述共同供电线的相对一侧的2条数据线之间的位置上形成布线层。如果2条数据线并列，则存在这些数据线之间发生串扰(crosstalk)的担心。但在本发明中，由于在2条数据线之间通过另外的布线层，故通过在图象的至少1个水平扫描期间内将这样的布线层置于固定电位，可防止上述的串扰。
此时，在上述多条数据线中，最好在相邻的2条数据线之间以相同的定时进行图象信号的取样。如果这样来构成，则由于在2条数据线之间取样时的电位变化同时发生，故可更可靠地防止在这些数据线之间发生串扰。
在本发明中，最好在上述驱动电流通过象素与相同的上述共同供电线之间的多个象素中包含数目大致相同的利用极性反转的驱动电流进行上述发光元件的驱动的2种象素。
如果这样来构成，则从共同供电线流到象素的驱动电流和从象素流到共同供电线的驱动电流被抵消，可减小流到共同供电线的驱动电流。因而，由于可相应地使共同供电线变细，故可扩展相对于屏外形的显示面积。此外，可消除因驱动电流的差而产生的亮度不均匀。
例如这样来构成，在上述数据线的延伸方向上各象素中的驱动电流的极性是相同的，在上述扫描线的延伸方向上各象素中的驱动电流的极性每1个象素或每2个象素发生反转。或者，也可这样来构成，在上述扫描线的延伸方向上各象素中的驱动电流的极性是相同的，在上述数据线的延伸方向上各象素中的驱动电流的极性每1个象素或每2个象素发生反转。在这些形态中，在构成为驱动电流的极性每2个象素发生反转的情况下，关于流过相同极性的驱动电流的象素，由于在相邻的象素之间能使对置电极成为共同的，故可减少对置电极的缝隙数。即，不会增加大电流流过的对置电极的电阻值，可实现极性反转。
此外，也可这样来构成，在上述扫描线的延伸方向和在上述数据线的延伸方向的任一方向上，各象素中的驱动电流的极性每1个象素发生反转。
附图说明
图1是示意性地示出应用了本发明的显示装置和在其中形成的堤层的形成区域的说明图。
图2是示出应用了本发明的显示装置的基本结构的框图。
图3是将与本发明的实施形态1有关的显示装置的象素放大后示出的平面图。
图4是图3的A-A’线的剖面图。
图5是图3的B-B’线的剖面图。
图6(A)是图3的C-C’线的剖面图，图6(B)是在覆盖中继电极之前不扩展堤层的形成区域的结构的剖面图。
图7是示出在图1中示出的显示装置中使用的发光元件的I-V特性的图。
图8是示出应用了本发明的显示装置的制造方法的工序剖面图。
图9是示出图1中示出的显示装置的改进例的框图。
图10(A)是示出在图9中示出的显示装置中形成的虚设布线层的剖面图，图10(B)是其平面图。
图11是示出图3中示出的显示装置的变形例的框图。
图12(A)将图11中示出的显示装置中形成的象素放大后示出的平面图，图12(B)是其剖面图。
图13是示出在与本发明的实施形态2有关的显示装置中构成的驱动电流反转了的2个象素的结构的等效电路图。
图14是驱动图13中示出的2个象素中的1个象素用的各信号的波形图。
图15是驱动图13中示出的2个象素中的另1个象素用的各信号的波形图。
图16是示出在图13中示出的2个象素中构成的发光元件的结构的剖面图。
图17是示出在图13中示出的显示装置中的象素的配置的说明图。
图18是示出与本发明的实施形态3有关的显示装置中的象素的配置的说明图。
图19是示出与本发明的实施形态4有关的显示装置中的象素的配置的说明图。
图20是示出与本发明的实施形态5有关的显示装置中的象素的配置的说明图。
图21是示出与本发明的实施形态6有关的显示装置中的象素的配置的说明图。
图22是现有的显示装置的框图。
图23(A)是将图22中示出的显示装置中形成的象素放大后示出的平面图，图23(B)是其剖面图。
[符号的说明]
1显示装置
2显示部
3数据侧驱动电路
4扫描侧驱动电路
5检查电路
6安装用焊区
7、7A、7B象素
10透明基板
20第1TFT
21第1TFT的栅电极
30第2TFT
31第2TFT的栅电极
40、40A、40B发光元件
41象素电极
42空穴注入层
43有机半导体膜
45薄的含有锂的铝电极
46ITO膜层
50栅色缘膜
51第1层间绝缘膜
52第2层间绝缘膜
DA虚设布线层
bank堤层
cap保持电容
cline电容线
com共同供电线
gate、gateA、gateB扫描线
op、opA、opB对置电极
sig、sigA、sigB数据线
st、stA、stB电位保持电极
具体实施方式
参照附图说明本发明的实施形态。
[实施形态1]
(有源矩阵基板的整体结构)
图1是示意性地示出显示装置的整体布局的框图，图2是在其中构成的有源矩阵的等效电路图。
如该图中所示，在本形态的显示装置1中，作为该基体的透明基板10的中央部分作为显示部2。在透明基板10的外周部分中，在数据线sig的两端构成输出图象信号的数据侧驱动电路3和检查电路5，在扫描线gate的两端构成输出扫描信号的扫描侧驱动电路4。在这些驱动电路3、4中，由N型的TFT和P型的TFT构成互补型TFT，该互补型TFT构成了移位寄存器、电平移动器、模拟开关等。再有，在透明基板10上，在数据侧驱动电路3与外周区域之间形成了作为输入图象信号及各种电位、脉冲信号用的端子组的安装用焊区6。
(共同供电线和象素的配置)
在显示装置1中，与液晶显示装置的有源矩阵基板相同，在透明基板10上构成多条扫描线gate和在与该扫描线gate的延伸方向交叉的方向上延伸的多条数据线sig，如图2中所示，由这些数据线sig和扫描线gate构成了以矩阵状形成的象素7。
在这些象素7的任一个中都构成了通过扫描线gate将扫描信号供给栅电极21(第1栅电极)的第1TFT20。该TFT20的源-漏区的一方导电性地连接到数据线sig上，另一方导电性地连接到电位保持电极st上。相对于扫描线gate并列地配置电容线cline，在该电容线cline与电位保持电极st之间形成了保持电容cap。因而，如果由扫描信号进行选择、使笫1TFT20变成导通状态，则从数据线sig通过第1TFT20将图象信号写入到保持电容cap中。
第2TFT30的栅电极31(第2栅电极)导电性地连接到电位保持电极st上。该TFT30的源-漏区的一方导电性地连接到共同供电线com上，而另一方导电性地连接到发光元件40的一个电极(后述的象素电极)上。共同供电线com保持于恒定电位。因而，在第2TFT30变成导通状态时，共同供电线com的电流通过该TFT流到发光元件40中，使发光元件40发光。
在本形态中，在共同供电线com的两侧配置多个象素7，在该象素7与该共同供电线之间供给驱动电流，2条数据线sig通过对于该象素7来说与上述共同供电线相对的一侧。即，以数据线sig、与其连接的象素组、1条共同供电线com、与其连接的象素组、和将象素信号供给该象素组的数据线sig为1个单位，将其在扫描线gate的延伸方向上重复地排列，用1条共同供电线com对2列部分的象素7供给驱动电流。因此，在本形态中，以夹住共同供电线com的方式而配置的2个象素7之间，将第1TFT20、第2TFT30和发光元件40以该共同供电线com为中心配置成线对称，使这些元件与各布线层的导电性连接变得容易。
这样，在本形态中，由于用1条共同供电线com来驱动2列部分的象素，故与在1列的象素组的每一个中形成共同供电线com的情况相比，共同供电线com的数目为1/2即可，同时不需要确保在同一的层间形成的共同供电线com与数据线sig之间的间隙。因此，由于在透明基板10上可使布线用的区域变窄，故相应地可提高在各象素区域中的发光面积的比例，可提高亮度、对比度等的显示性能。
再有，由于以这种方式作成2列部分的象素连接到1条共同供电线com上的结构，故数据线sig处于每2条并列的状态，结果对各个列的象素组供给图象信号。
(象素的结构)
参照图3至图6(A)详细地叙述以这种方式构成的显示装置1的各象素7的结构。
图3是将与本形态的显示装置1中形成的多个象素7中的3个象素7放大后示出的平面图，图4、图5和图6(A)分别是其A-A’线的剖面图，B-B’线的剖面图，和C-C’线的剖面图。
首先，如图4中所示，在相当于图3的A-A’线的位置上，在透明基板10上在各象素7的每一个中形成了用于形成第1TFT20的岛状的硅膜200，在其表面上形成了栅绝缘膜50。此外，在栅绝缘膜50的表面上形成栅电极21(扫描线gate的一部分)，相对于该栅电极21以自对准的方式形成了源-漏区22、23。在栅绝缘膜50的表面一侧形成第1层间绝缘膜51，通过在该层间绝缘膜中形成的接触孔61、62，数据线sig和电位保持电极st分别导电性地连接到源-漏区22、23上。
在与扫描线gate或栅电极21相同的层间(在栅绝缘膜50与笫1层间绝缘膜51之间)形成了电容线cline，以便在各象素7中与扫描线gate并列，电位保持电极st的延伸部分st1通过第1层间绝缘膜51与电容线cline重叠。因此，电容线cline和电位保持电极st的延伸部分st1构成了以第1层间绝缘膜51为电解质膜的保持电容cap。再有，在电位保持电极st和数据线sig的表面一侧形成了第2层间绝缘膜52。
如图5中所示，在相当于图3中的B-B’的位置上，在透明基板10上形成的第1层间绝缘膜51和第2层间绝缘膜52的表面上，与各象素7对应的数据线sig处于2条并列的状态。
如图6(A)中所示，在相当于图3中的C-C’的位置上，形成了用于形成第2TFT30的岛状的硅膜300，在其表面上形成了栅绝缘膜50，使其跨越在透明基板10上夹住共同供电线com的2个象素7。在栅绝缘膜50的表面上，在各象素7的每一个中分别形成栅电极31，使其夹住共同供电线com，以对该栅电极31进行自对准的方式形成了源—漏区32、33。在栅绝缘膜50的表面一侧形成第1层间绝缘膜51，中继电极35通过在该层间绝缘膜中形成的接触孔63导电性地连接到源一漏区32上。另一方面，共同供电线com通过第1层间绝缘膜51的接触孔64，与在硅膜300的中央部分并在2个象素7中成为共同的源—漏区33的部分进行导电性连接。在这些共同供电线com和中继电极35的表面一侧形成了第2层间绝缘膜52。在第2层间绝缘膜52的表面一侧形成了由ITO膜构成的象素电极41。该象素电极41通过在第2层间绝缘膜52中形成的接触孔65导电性地连接到中继电极35上，通过该中继电极35导电性地连接到第2TFT30的源-漏区82上。
在此，象素电极41构成了发光元件40的一个电极。即，在象素电极41的表面上层叠空穴注入层42和有机半导体膜43，再在有机半导体膜43的表面上形成了由含有锂的铝、钙等的金属膜构成的对置电极op。该对置电极op是至少在象素区域上、或以条状形成的共同电极，它保持恒定的电位。
在以这种方式构成的发光元件40中，将对置电极op和象素电极41分别作为正极和负极施加电压，如图7中所示，在施加电压超过阈值电压Vth的区域内流过有机半导体膜43的电流(驱动电流)急剧增大。其结果，发光元件40作为场致发光元件或LED元件来发光，发光元件40的光被对置电极op反射，透过透明的象素电极41和透明基板10而射出。
由于进行这样的发光用的驱动电流流过由对置电极op、有机半导体膜43、空穴注入层42、象素电极41、第2TFT30和共同供电线com构成的电流路径，故如果第2TFT30变成关断状态，则不流过电流。在本形态的显示装置1中，如果被扫描信号选择、第1TFT20变成导通状态，则图象信号从数据线sig通过第1TFT20写入到保持电容cap中。因而，由于即使第1TFT20变成关断状态，第2TFT30的栅电极也因保持电容cap而保持相当于图象信号的电位，故第2TFT30是原有的导通状态。因此，驱动电流继续流到发光元件40中，该象素是原有的点亮状态。该状态一直维持到新的图象数据被写入到保持电容cap中、第2TFT30变成关断状态。
(显示装置的制造方法)
在以这种方式构成的显示装置1的制造方法中，到在透明基板10上制造第1TFT20和第2TFT30为止的工序与制造液晶显示装置1的有源矩阵基板的工序大致相同，故参照图8说明其概要。
图8是示意性地示出形成显示装置1的各构成部分的过程的工序剖面图。
即，如图8(A)中所示，对于透明基板10，根据需要，以TEOS(四乙氧基硅烷)及氧气体等作为原料气体，利用等离子CVD法形成由厚度约为2000～5000埃的氧化硅膜构成的基底保护膜(图中未示出)。其次，将基板的温度设定约为350℃，利用等离子CVD法在基底保护膜的表面上形成由厚度约为300～700埃的非晶硅膜构成的半导体膜100。其次，对于由非晶硅膜构成的半导体膜100继续进行激光退火或固相生长法等结晶化工序，将半导体膜100结晶化成为多晶硅膜。在激光退火法中，例如，采用受激准分子激光器，使用光束形状的长边尺寸为400mm的线光束，其输出强度例如为200mJ/cm2。关于线光束，这样来扫描线光束，使得相当于该短边尺寸方向上的激光强度的峰值的90％的部分在每个区域中重叠。
其次，如图8(B)中所示，对半导体膜100进行图形刻蚀，作成岛状的半导体膜200、300，对于其表面，以TEOS(四乙氧基硅烷)及氧气体等作为原料气体，利用等离子CVD法形成由厚度约为600～1500埃的氧化硅膜或氮化硅膜构成的栅绝缘膜50。
其次，如图8(C)中所示，在利用溅射法形成了由铝、钽、钼、钛、钨等金属膜构成的导电膜之后，进行图形刻蚀，形成作为扫描线gate的一部分的栅电极21、31。在该工序中也形成电容线cline。再有，图中310是栅电极31的延伸部分。
在该状态下注入高浓度的磷离子或硼离子，在硅薄膜200、300中对于栅电极21、31以自对准的方式形成源—漏区22、23、32、33。再有，不导入杂质的部分成为沟道区27、37。
其次，如图8(D)中所示，在形成了第1层间绝缘膜51之后，形成接触孔61、62、63、64、69，形成数据线sig、具备重叠在电容线cline和栅电极31的延伸部分310上的延伸部分st1的电位保持电极st、共同供电线com和中继电极35。其结果，电位保持电极st通过接触孔69和延伸部分310导电性地连接到栅电极31上。这样就形成第1TFT20和第2TFT30。此外，由电容线cline和电位保持电极st的延伸部分st1形成保持电容cap。
其次，如图8(E)中所示，形成第2层间绝缘膜52，在该层间绝缘膜中，在相当于中继电极35的部分中形成接触孔65。其次，在第2层间绝缘膜52的整个表面上形成了ITO膜之后，进行图形刻蚀，形成通过接触孔65导电性地连接到第2TFT30的源—漏区)32上的象素电极41。
其次，如图8(F)中所示，在第2层间绝缘膜52的表面一侧形成黑色的抗蚀剂层之后，留下该抗蚀剂，使其包围应形成发光元件40的空穴注入层42和有机半导体膜43的区域，形成堤层bank。在此，不管是在每个象素中独立地形成有机半导体膜43的情况、还是沿数据线sig形成为条状的情况等的哪一种形状，通过将堤层bank形成为与其对应的形状，都可应用与本形态有关的制造方法。
其次，从喷墨头IJ对堤层bank的内侧区域喷出构成空穴注入层42用的液状的材料(前体)，在堤层bank的内侧区域形成空穴注入层42。同样，从喷墨头IJ对堤层bank的内侧区域喷出构成有机半导体膜43用的液状的材料(前体)，在堤层bank的内侧区域形成有机半导体膜43。在此，由于堤层bank由抗蚀剂构成，故是憎水性的。与此不同，由于有机半导体膜43的前体主要使用亲水性的溶剂，故有机半导体膜43的涂敷区域由堤层bank可靠地确定，不会溢出到邻接的象素中。
在以这种方式利用喷墨法形成有机半导体膜43及空穴注入层42的情况下，为了提高其操作效率及射出位置精度，在本形态中如图3中所示，在沿扫描线gate的延伸方向上邻接的任一象素7之间使上述有机半导体膜43的形成区域的中心的间距P相等。因而，如箭头Q所示，由于沿扫描线gate的延伸方向在等间隔的位置上从喷墨头IJ喷出有机半导体膜43的材料等即可，故具有操作效率高的优点。此外，喷墨头IJ的移动控制机构变得简单，同时也提高了浇灌的位置精度。
在这之后，如图8(G)中所示，在透明基板10的表面一侧形成对置电极op。在此，对置电极op至少在象素区域的整个面上、或以条状形成，但在以条状形成对置电极op的情况下，在透明基板10的整个表面上形成了金属膜之后，对其进行图形刻蚀，成为条状。
再有，关于堤层bank，由于它由黑色的抗蚀剂构成，故原封不动地留下，如以下所说明的那样，作为黑色矩阵BM和降低寄生电容用的绝缘层来利用。
在图1中示出的数据侧驱动电路3及扫描侧驱动电路4中也形成TFT，但这些TFT可援用在上述的象素7中形成TFT的工序的全部或一部分来进行。因此，结果构成驱动电路的TFT也在与象素7的TFT的相同的层间形成。
此外，关于上述第1TFT20和第2TFT30，两者是N型、两者是P型、一者是N型而另一者是P型的任一种情况都可以，但由于即使是这样的任一种的组合，也可用众所周知的方法来形成TFT，故省略其说明。
(堤层的形成区域)
在本形态中，对于图1中示出的透明基板10的周边区域的整体，形成上述的堤层bank(在形成区域中附以斜线)。因而，数据侧驱动电路3及扫描侧驱动电路4都被堤层bank所覆盖。因此，即使对置电极op对于这些驱动电路的形成区域处于重叠状态，在驱动电路的布线层与对置电极op之间也介入堤层bank。因此，由于可防止电容寄生在驱动电路3、4中，故可降低驱动电路3、4的负载，可谋求降低功耗或提高显示工作的速度。
此外，在本形态中，如图3至图5中所示，形成了堤层bank，使其重叠在数据线sig上。因而，由于在数据线sig与对置电极op之间介入堤层bank，故可防止电容寄生在数据线sig中。其结果，由于可降低数据侧驱动电路3的负载，故可谋求降低功耗或提高显示工作的速度。
在此，与数据线sig不同，驱动发光元件40用的大电流流到共同供电线com中，而且，对于2列部分的象素供给驱动电流。因此，关于共同供电线com，将其线宽设定成比数据线sig的线宽要宽，使共同供电线com的单位长度的电阻值比数据线sig的单位长度的电阻值小。在这样的设计条件下，在本形态中，形成堤层bank使其也重叠在共同供电线com上，在确定有机半导体膜43的形成区域时使在其中形成的堤层bank的宽度与重叠在2条数据线sig上的堤层bank的宽度尺寸相同，由此，如以上所述，成为适合于在沿扫描线gate的延伸方向上邻接的任一象素7之间也使上述有机半导体膜43的形成区域的中心的间距P相等的结构。
再者，在本形态中，如图3、图4和图6(A)中所示，在象素电极41的形成区域中，在第1TFT20的形成区域与第2TFT30的形成区域重叠的区域中也形成堤层bank。即，如图6(B)中所示，如果在与中继电极35重叠的区域中不形成堤层bank，则例如即使驱动电流在与对置电极op之间流动，有机半导体膜43发光，该光也被中继电极35和对置电极op夹住而不射出，故对显示没有贡献。在这样的对显示没有贡献的部分中流动的驱动电流从显示这方面来看，可以说是无效电流。而在本形态中，由于在这样的无效电流理应流过的部分中形成堤层bank，防止了驱动电流在该处流动，故可防止无用的电流流到共同供电线com中。因此，可相应地使共同供电线com变窄。
此外，如果如上所述留下由黑色的抗蚀剂构成的堤层bank，则堤层bank起到黑色矩阵的作用，可提高亮度、对比度等的显示品位。即，由于在与本形态有关的的显示装置1中对置电极op在透明基板10的表面一侧的整个面上、或遍及很宽的区域以条状来形成，故被对置电极op反射的光使对比度下降。而在本形态中，由于在确定有机半导体膜43的同时用黑色的抗蚀剂来构成具有抑制寄生电容的功能的堤层bank，故堤层bank也起到黑色矩阵的功能，它遮住来自对置电极op的反射光，故具有对比度高的优点。此外，由于能利用堤层bank以自对准的方式来确定发光区域，故不需要在不使用堤层bank作为黑色矩阵而是使用另外的金属层等作为黑色矩阵时成为问题的与发光区域的对准裕量。
[上述形态的改进例]
在上述形态中，在共同供电线com的两侧分别配置象素7，驱动电流在该象素7与该共同供电线com之间流动，2条数据线sig并列地通过相对于该象素7与上述共同供电线com相对的一侧。因而，存在2条数据线sig之间发生串扰的担心。因此，在本形态中，如图9、图10(A)、(B)中所示，在相当于2条数据线sig间的位置上形成虚设布线层DA。作为该虚设布线层DA，例如可利用与象素电极41同时形成的ITO膜DA1。此外，作为该虚设布线层DA，也可在2条数据线sig间构成来自电容线cline的延伸部分DA2。也可将这两者作为虚设布线层DA来使用。
如果这样来构成，则由于在并列的2条数据线sig间通过了与其不同的另外的布线层DA，故通过将这样的布线层DA(DA1、DA2)在图象的至少1个水平扫描期间内置于固定电位，可防止上述的串扰。即，由于第1层间绝缘膜51和第2层间绝缘膜52的膜厚大致为1微米，而2条数据线sig间的间隔约为2微米以上，故与各数据线sig与虚设布线层DA(DA1、DA2)之间构成的电容相比，2条数据线sig之间构成的电容足够小，可以忽略。因此，由于从数据线sig漏出的高频信号被虚设布线层DA1和DA2所吸收，故可防止2条数据线sig间的串扰。
此外，在多条数据线sig中，在邻接的2条数据线sig间，最好以相同的定时来进行图象信号的取样。如果这样来构成，则由于在2条数据线sig间取样时的电位变化同时发生，故能更可靠地防止在这2条数据线sig间的串扰。
[保持电容的另外的构成例]
再有，在上述形态中，在构成保持电容cap中形成了电容线cline，但如在现有技术中所说明的那样，也可利用构成TFT用的的多晶硅膜来构成保持电容cap。
此外，如图11中所示，也可在共同供电线com与电位保持电极st之间构成保持电容cap。此时，如图12(A)、(B)中所示，使导电性地连接电位保持电极st与栅电极31用的栅电极31的延伸部分310扩展到共同供电线com的下层一侧，将位于该延伸部分310与共同供电线com之间的第1层间绝缘膜51作为电介质膜来构成保持电容cap。
[实施形态2]
在上述的实施形态1中，在任一个象素7中都用相同极性的驱动电流来驱动发光元件40，但如以下所说明的那样，也可这样来构成：驱动电流在该象素7与相同的共同供电线com之间通过的多个象素7中，包含数目相同的由极性反转的驱动电流进行发光元件40的驱动的2种象素7。
参照图13至图17说明这样的构成例。图13是构成了由极性反转的驱动电流驱动发光元件40的2种象素的形态的框图。图14和图15分别是用极性反转的驱动电流驱动发光元件40时的扫描信号、图象信号、共同供电线的电位和电位保持电极的电位的说明图。
如图13中所示，在本形态和下述的形态的任一种形态中，在用极性反转的驱动电流i驱动发光元件40时，如箭头E所示那样，在驱动电流从共同供电线com流过来的象素7A中，用n沟道型来构成第1TFT20，如箭头F所示那样，在驱动电流流向共同供电线com的象素7B中，用p沟道型来构成第1TFT20。因此，在这2种象素7A、7B的每一个中构成扫描线gateA、gateB。此外，在本形态中，用p沟道型来构成象素7A的第2TFT30，而用n沟道型来构成象素7B的第2TFT30，在任一个象素7A、7B中，都使第1TFT20与第2TFT30的导电型相反。因而，关于通过与象素7A对应的数据线sigA和与象素7B对应的数据线sigB分别供给的图象信号，如下面所述那样，也使其极性反转。
再者，在各象素7A、7B中，因为用极性反转的驱动电流i分别驱动发光元件40，故如下面所述那样，关于对置电极op的电位，在以共同供电线com的电位作为基准时，也必须构成为反极性的。因而，关于对置电极op，其构成是这样的：将极性相同的驱动电流i流动的象素7A、7B相互间连接起来，分别施加预定的电位。
因此，在图14和图15的每一个图中，对于象素7A、7B，将通过扫描线gateA、gateB供给的扫描信号的波形、通过数据线sigA、sigB供给的图象信号的波形、对置电极op的电位和电位保持电极stA、stB的电位以共同供电线com的电位为基准来表示，将各信号在象素7A、7B之间设定为在点亮期间和熄灭期间的任一期间都成为反极性的。
此外，如图16(A)、(B)中所示，在各象素7A、7B中构成具有不同结构的发光元件40A、40B。即，在象素7A中形成的发光元件40A从下层一侧朝向上层一侧按下述顺序层叠了由ITO膜构成的象素电极41、空穴注入层42、有机半导体膜43、对置电极opA。与此不同，在象素7B中形成的发光元件40B从下层一侧朝向上层一侧按下述顺序层叠了由ITO膜构成的象素电极41、薄到具有透光性的含有锂的铝电极45、有机半导体层43、空穴注入层42、ITO膜层46、对置电极opB。因而，即使在发光元件40A、40B之间分别流过反极性的驱动电流，由于空穴注入层42和有机半导体层43直接相接的电极层的结构是相同的，故发光元件40A、40B的发光特性是相同的。
在形成这样的2种发光元件40A、40B时，由于有机半导体膜43和空穴注入层42这两者都利用喷墨法在堤层bank的内侧形成，故即使上下位置相反制造工序也不会变得复杂。此外，在发光元件40B中，与发光元件40A相比，附加了薄到具有透光性的含有锂的铝电极45和ITO膜层46，尽管如此，即使含有锂的铝电极45成为在与象素电极41相同的区域中层叠的结构，对显示也没有妨碍，即使ITO膜层46成为在与对置电极opB相同的区域中层叠的结构，对显示也没有妨碍。因此，可以分别对含有锂的铝电极45和象素电极41进行图形刻蚀，但也可一并地用相同的抗蚀剂掩模进行图形刻蚀。同样，可以分别对ITO膜层46和对置电极opB进行图形刻蚀，但也可一并地用相同的抗蚀剂掩模进行图形刻蚀。当然也可只在堤层bank的内侧区域形成含有锂的铝电极45和ITO膜层46。
以这种方式能在各象素7A、7B中用极性反转的驱动电流来驱动发光元件40A、40B，在此基础上，如图17中所示配置上述的2种象素7A、7B。在该图中，附以符号(-)的象素相当于在图13、图14、图16中已说明的象素7A，附以符号(+)的象素相当于在图13、图15、图16中已说明的象素7B。再有，在图17中，省略了扫描线gateA、gateB和数据线sigA、sigB的图示。
如图17中所示，在本形态中，在数据线sigA、sigB的延伸方向上各象素中的驱动电流的极性是相同的，在扫描线gateA、gateB的延伸方向上各象素中的驱动电流的极性每一个象素发生反转。再有，如用一点划线分别示出对应于各象素的对置电极opA、opB的形成区域那样，任一个对置电极opA、opB都这样来构成：将极性相同的驱动电流流过的象素7A、7B相互间连接起来。即，对置电极opA、opB沿数据线sigA、sigB的延伸方向分别形成为条状，在以共同供电线com的电位作为基准时，在对置电极opA、opB的每一个中施加负电位和正电位。
因而，结果在各象素7A、7B与共同供电线com之间分别流过在图13中以箭头E、F示出的方向的驱动电流i。因此，由于实质上流过共同供电线com的电流在极性不同的驱动电流i间抵消，故可减小流过共同供电线com的电流。因而，由于相应地可使共同供电线com变细，故可提高在象素7A、7B中象素区域的发光区域的比例，可提高亮度、对比度等的显示性能。
[实施形态3]
再有，如果从将象素配置成驱动电流在该象素与相同的共同供电线com之间以相反的极性流动这样的观点来看，也可将各象素如图18中所示那样来配置。再有，在本形态中，由于各象素7A、7B的结构等与实施形态2相同，故省略其说明，在图18和以下说明的用于说明各形态的图19至图21中，用符号(-)表示相当于在图13、图14、图16中已说明的象素7A，用符号(+)表示相当于在图13、图15、图16中已说明的象素7B。
如图18中所示，在本形态中这样来构成：在数据线sigA、sigB的延伸方向上各象素7A、7B中的驱动电流的极性是相同的，在扫描线gateA、gateB的延伸方向上各象素7A、7B中的驱动电流的极性每2个象素发生反转。
在以这种方式来构成的情况下，结果在各象素7A、7B和共同供电线com之间分别流过在图13中以箭头E、F示出的方向的驱动电流i。因此，由于流过共同供电线com的电流在极性不同的驱动电流i间抵消，故可减小流过共同供电线com的驱动电流。因而，由于相应地可使共同供电线com变细，故可提高在象素7A、7B中象素区域的发光区域的比例，可提高亮度、对比度等的显示性能。除此以外，在本形态中，由于在扫描线gateA、gateB的延伸方向上驱动电流的极性每2个象素发生反转，故即使是用相同极性的驱动电流驱动的象素之间，也可对于相邻的2列象素将共同的对置电极opA、opB形成为条状。因此，可将对置电极opA、opB的条数减少到1/2。此外，与每一个象素的条相比，可减少对置电极opA、opB的电阻，故可减轻对置电极opA、opB的电压降的影响。
[实施形态4]
此外，如果从将象素配置成驱动电流在该象素与相同的共同供电线com之间以相反的极性流动这样的观点来看，也可将各象素如图19中所示那样来配置。
如图19中所示，在本形态中这样来构成：在扫描线gateA、gateB的延伸方向上各象素7A、7B中的驱动电流的极性是相同的，在数据线sigA、sigB的延伸方向上各象素7A、7B中的驱动电流的极性每1个象素发生反转。
在以这种方式来构成的情况下，也与实施形态2或3相同，由于流过共同供电线com的电流在极性不同的驱动电流间抵消，故可减小流过共同供电线com的驱动电流。因而，由于相应地可使共同供电线com变细，故可提高在象素7A、7B中象素区域的发光区域的比例，可提高亮度、对比度等的显示性能。
[实施形态5]
此外，如果从将象素配置成驱动电流在该象素与相同的共同供电线com之间以相反的极性流动这样的观点来看，也可将各象素如图20中所示那样来配置。
如图20中所示，在本形态中这样来构成：在扫描线gateA、gateB的延伸方向上各象素7A、7B中的驱动电流的极性是相同的，在数据线sigA、sigB的延伸方向上各象素7A、7B中的驱动电流的极性每2个象素发生反转。
在以这种方式来构成的情况下，与实施形态3相同，由于流过共同供电线com的电流在极性不同的驱动电流间抵消，故可减小流过共同供电线com的驱动电流。因而，由于相应地可使共同供电线com变细，故可提高在象素7A、7B中象素区域的发光区域的比例，可提高亮度、对比度等的显示性能。除此以外，在本形态中，由于在扫描线gateA、gateB的延伸方向上驱动电流的极性每2个象素发生反转，故即使是用相同极性的驱动电流驱动的象素之间，也可对于相邻的2列象素将共同的对置电极opA、opB形成为条状。因此，可将对置电极opA、opB的条数减少到1/2。此外，与每一个象素的条相比，可减少对置电极opA、opB的电阻，故可减轻对置电极opA、opB的电压降的影响。
[实施形态6]
此外，如果从将象素配置成驱动电流在该象素与相同的共同供电线com之间以相反的极性流动这样的观点来看，也可将各象素如图21中所示那样来配置。
如图21中所示，在本形态中这样来构成：在扫描线gateA、gateB的延伸方向和数据线sigA、sigB的延伸方向任一方向上，各象素7A、7B中的驱动电流的极性都是每1个象素发生反转。
在以这种方式来构成的情况下，也与实施形态2至4相同，由于流过共同供电线com的电流在极性不同的驱动电流间抵消，故可减小流过共同供电线com的驱动电流。因而，由于相应地可使共同供电线com变细，故可提高在象素7A、7B中象素区域的发光区域的比例，可提高亮度、对比度等的显示性能。
如果以这种方式来配置象素7A、7B，则条状的对置电极opA、opB不能与其对应，但尽管如此，每个象素7A、7B中形成对置电极opA、opB的同时，用布线层将各对置电极opA、opB相互间连接起来即可。
发明的利用可能性
如以上所说明的那样，在与本发明有关的显示装置中，在由于在共同供电线的两侧配置象素，驱动电流在该象素与该共同供电线之间通过，故对于2列部分的象素用1条共同供电线即可。因此，由于与对每一列象素组形成共同供电线的情况相比可使共同供电线的形成区域变窄，故可提高在象素中发光区域的比例，可提高亮度、对比度等的显示性能。
此外，在驱动电流在象素与相同的上述共同供电线之间通过的多个象素中，包含由极性反转的驱动电流进行上述发光元件的驱动的2种象素的情况下，由于在1条共同供电线中，从共同供电线流到发光元件的驱动电流和与其反向地从发光元件流到共同供电线的驱动电流抵消，故可减小流到共同供电线的驱动电流。因而，由于相应地可使共同供电线变细，故可提高在象素中发光区域的比例，可提高亮度、对比度等的显示性能。

Claims (13)

1.一种显示装置，该显示装置在基板上具有：多条扫描线；在与该扫描线的延伸方向交叉的方向上延伸的多条数据线；与该数据线并列的多条共同供电线；以及由上述数据线和上述扫描线形成为矩阵状的象素，在该象素的每一个中具有：在第1栅电极上通过上述扫描线接受扫描信号的第1薄膜晶体管；保持通过该第1薄膜晶体管由上述数据线供给的图象信号的保持电容；在第2栅电极上接受由该保持电容保持的上述图象信号的第2薄膜晶体管；以及发光元件，该发光元件具备有机半导体膜，该有机半导体膜在上述象素的每一个中形成的象素电极与相对于该象素电极的对置电极的层间并在上述象素电极通过上述第2薄膜晶体管与上述共同供电线进行导电性连接时，利用在上述象素电极与上述对置电极之间流动的驱动电流而发光，该显示装置的特征在于：
在上述共同供电线的两侧配置象素，上述驱动电流在该象素与该共同供电线之间通过，上述数据线通过对于该象素来说与上述共同供电线相对的一侧。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
在以夹住上述共同供电线的方式而配置的2个象素之间，将上述第1薄膜晶体管、上述第2薄膜晶体管和上述发光元件以该共同供电线为中心配置成线对称。
3.如权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于：
在沿上述扫描线的延伸方向上邻接的任意象素之间都使上述有机半导体膜的形成区域的中心的间距相等。
4.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于：
上述有机半导体膜的形成区域被由比上述有机半导体膜厚的绝缘膜构成的堤层包围，同时这样来构成该堤层，使其以相同的宽度尺寸来覆盖上述数据线和上述共同供电线。
5.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于：
上述有机半导体膜是利用喷墨法在由上述堤层包围的区域内形成的膜，上述堤层是在利用喷墨法形成上述有机半导体膜时防止上述有机半导体膜的溢出用的膜。
6.如权利要求1、2、4和5中的任一项所述的显示装置，其特征在于：
在相当于通过对于该象素来说与上述共同供电线相对的一侧的2条数据线之间的位置上形成布线层。
7.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于：
在上述多条数据线中，在相邻的2条数据线之间以相同的定时进行图象信号的取样。
8.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
在上述驱动电流在该象素与相同的上述共同供电线之间通过的多个象素中，包含利用极性反转的驱动电流进行上述发光元件的驱动的2种象素。
9.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于：
在上述数据线的延伸方向上各象素中的驱动电流的极性是相同的，在上述扫描线的延伸方向上各象素中的驱动电流的极性每1个象素发生反转。
10.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于：
在上述数据线的延伸方向上各象素中的驱动电流的极性是相同的，在上述扫描线的延伸方向上各象素中的驱动电流的极性每2个象素发生反转。
11.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于：
在上述扫描线的延伸方向上各象素中的驱动电流的极性是相同的，在上述数据线的延伸方向上各象素中的驱动电流的极性每1个象素发生反转。
12.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于：
在上述扫描线的延伸方向上各象素中的驱动电流的极性是相同的，在上述数据线的延伸方向上各象素中的驱动电流的极性每2个象素发生反转。
13.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于：
在上述扫描线的延伸方向和在上述数据线的延伸方向的任一方向上，各象素中的驱动电流的极性每1个象素发生反转。
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