CN1186643C - 测试集成电路晶片和晶片测试器间信号通路的方法和设备 - Google Patents

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    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/3167Testing of combined analog and digital circuits

Abstract

通过使用互连结构连接参考晶片上相同排列的测试点测试连接集成电路(IC)测试器的输入/输出(I/O)端和晶片上IC芯片测试点的互连结构内的信号通路的连续性、短路和电阻。参考晶片内的导体将测试点群互相连接。测试器可随后通过在那些在参考晶片内的信号通路和互连导体的端口对之间发送测试信号来测试通过互连结构的信号通路的连续性。测试器内的参数测试单元也可通过将通过其I/O端口对上电压降大小与其在I/O端口对之间发送的电流大小进行比较来判定通过互连结构的信号通路的阻抗。

Description

测试集成电路晶片和晶片测试器间信号通路的方法和设备
发明背景
发明领域
本发明总的来说,涉及晶片级集成电路(IC)测试器,更确切地说,是涉及一种通过将IC测试器和要测试的IC晶片互相连接的结构来检验信号通路的方法。
相关技术的描述
当IC还是半导体晶片上的芯片形式时,有许多集成电路(IC)测试器测试IC。典型的晶片测试器包括被称为“测试头”的底盘,它包含实现测试晶片的电路的印刷电路板。测试电路通常组成一系列类似的“信道”,每个信道包括向晶片上的一个测试点产生测试信号输入以及监测在该测试点产生的任何晶片输出信号所需要的所有电路系统。每个信道通常有一个单独的双向输入/输出(I/O)端口,信道通过该端口与晶片测试点进行通讯,虽然一些信道用两个不定向的端口。
处于测试头和晶片之间的互连结构在信道的I/O端口和晶片上测试点之间提供了信号通路。互连结构以多种方式与测试头I/O端口和晶片测试点相接触。比如处于互连结构上面的测试头,信道的I/O端口可以通过一组从测试头向下延伸的弹簧管脚连接器连接互连结构上表面的接触片。互连结构可通过一组小探针依次连接IC芯片的测试点。当晶片被移到互连结构下面的位置时,探针可连接到互连结构的下表面并且可以接触晶片上表面的引线点。另外,探针可被用作在晶片本身表面上形成的弹簧触点,弹簧触点的尖端连接互连结构下表面的接触片。
由于测试头相对较大,测试器信道的I/O端口分布在一个水平区域上,该水平区域比它们必须连接的相对较小的IC芯片上的测试点宽得多。从而不管怎样实现互连结构,都必须提供大量在水平和垂直方向上延伸的信号通路以将信道I/O端口与晶片上的测试点互相连接。因此,互连结构经常是包括一个以上互连信号布线层的相对复杂的结构。该通过互连结构的信号通路也可包括诸如小电阻或电容之类的元件。
在测试晶片之前,我们希望确认互连结构是否能在测试头和晶片之间提供必要的信号通路。可能会发生连接的失败,比如,由于没有将弹簧管脚或探针与它们预定的接触点对准,断裂、掉落或被损坏的弹簧管脚、探针或接触片,互连结构内层中接触结构之间没有对准,互连结构内或测试头内导体之间的开路或短路故障,或在通过互连结构的信号通路中的分立元件损坏或丢失。在许多应用中,我们也希望检验每个测试头I/O端口和晶片上对应测试点之间的信号通路的电阻是否在可接收的范围内。通常设计接触组件以提供具有特定电阻的信号通路,且预期电阻的任何变化,比如由于在接触片或探针尖端或弹簧管脚上的腐蚀或损坏,会使测试结果失真。
通常使用传统电阻及通过小探针连接信号通路的相对端的连接头测试设备在制备工艺过程中测试互连结构中信号通路的短路、连续性和电阻。然而探针组件中的信号通路,当用于集成电路测试器时会随后被破坏,而定时地将探针组件从测试器移去并手工测试其信号通路的连续性和电阻是困难且不方便的。通常可检测或至少怀疑到信号通路的开路和短路破坏,因为它们通常导致IC出现测试失败的特征图案。但是,当信号通路具有的电阻正好在可接收的范围以外,则晶片测试的失败将不能展示清晰的图案,此时,尽管失败的源头事实上是互连结构,仍会因测试失败而可能将芯片不正确地弃用。
我们需要的是一种方便的方法,该方法在不必将它从其工作环境移走的条件下,迅速测试通过互连结构的信号通路的短路、连续性和电阻。
发明内容
互连结构通常在集成电路(IC)测试器的输入/输出(I/O)端口和要测试的IC晶片的测试点之间提供多个信号通路。根据本发明的一方面,将IC测试器的I/O端口与晶片测试点连接的互连结构的能力首先通过使用将这些I/O端口与参考晶片上测试点的类似排列进行互相连接的互连结构来检验。
与被测试晶片的大小和形状都相同的参考晶片,包括连接多组测试点的导体。当测试器在其一个I/O端口产生测试信号时,该信号穿过互连系统到达参考晶片上的测试点。晶片内的导体随后向另一测试点传送测试信号。该测试信号随后通过互连结构从该参考点返回到IC测试器的另一I/O端口。由此,可通过对测试器编程,从而通过该I/O端口向参考晶片传送测试信号并在该信号通过另一I/O端口返回时查找该信号,来测试从任何测试器I/O端口到参考晶片上一测试点的信号通路的连续性。
通过连接那些信号通路及参考晶片的I/O端口之间的已知电流的传输信号并测量两个I/O端口之间的电压降,来测量通过互连结构的信号通路的电阻。另外,测试器可通过两个连接的I/O端口设置已知的电压并测量在它们之间通过的电流。在任何一种情况下,两个端口之间信号通路的系统电阻都随后通过测试信号电压和电流进行计算。当重复该工序以测量在多种端口组合之间的电阻时,在每个测试器I/O端口和它所连接的晶片测试点之间的通路电阻都可从该结果中计算出。
通过去除参考晶片、对一个测试器信道编程以向所选信号通路施加测试信号以及对其它的测试器信道编程以查找在其它信号通路上该信号的出现,可测试在所选信号通路和任何其它通过互连结构的信号通路之间的短路。
因此本发明的一个目的是提供一种方法以检验互连系统能否在IC测试器端口和在被测试晶片上的测试点之间提供连续的信号通路。
本发明的另一个目的是提供一种装置以测量通过连接IC测试器端口和被测试晶片上测试点的互连结构的信号通路的电阻。
本说明书的总结部分特别指出并清楚地提出了本发明的主题。然而,那些熟悉本专业的技术人员,通过参考附图(其中,相同的标号表示相同的部件)来阅读说明书的其余部分,会充分理解本发明的构成和操作方法,以及其它的优点和目的。
附图简述
图1是通过传统互连结构连接在测试中的晶片的典型现有技术的集成电路(IC)测试器的测试头的简化局部正视图;
图2是一部分典型晶片的简化局部平面图;
图3以简化框图的形式表示了借助图1的通过互连结构连接IC晶片的引线点的测试头来实现的现有技术测试器信道;
图4是根据本发明互连结构下表面一部分的简化平面图;
图5是根据本发明参考晶片的简化平面图;
图6以简化框图形式示出了根据本发明的通过互连结构连接IC晶片上引线点的一对测试器信道;
图7示出了当测量通路电阻时信号所通过的一组路径;以及
图8以示意图的形式示出了根据本发明参考晶片一部分的可替换实施例。
较佳实施例的描述
本发明涉及测试通过任何类型互连结构的信号通路的方法和设备,其中的互连结构用以在晶片级集成电路(IC)测试器的输入/输出(I/O)端和要测试的IC晶片上的测试点之间传送信号。由于本发明的特性最好从IC测试器的来龙去脉理解,故以下简单地描述典型的IC测试器结构。
集成电路测试器
图1是通过传统互连结构14连接测试中的晶片12的测试点的典型现有技术集成电路(IC)测试器的测试头10的简化局部正视图。图2是晶片12一部分的平面图,图3是表示安装在图1测试头10中测试器电路的简化框图。参考图1-3,测试头10具有一组电路板,该电路板有在以晶片12的芯片20的形式实现的IC上进行数字和模拟测试的电路。为了简化,图2示出的每个芯片20只有四个测试点21,但典型的IC芯片有多得多的测试点。测试头10的I/O端口9通过一组弹簧管脚连接器16连接互连结构14上表面的引线点。
互连结构14通过一组探针18连接晶片12上的测试点21并在测试点21和探针18之间提供信号通路。测试点21可以,例如,是在晶片12表面上的导电片,且在这种情况下,探针18连接互连结构14的下表面,并且探针18具有与晶片12上表面引线点接触的尖端,以作为测试点21。或者,如另一个例子,探针18可以是与晶片12本身表面上引线点接触的弹簧触点,且在这种情况下,探针尖端本身成为由互连结构14下表面的引线点接触的“测试点”。
如图3所示,测试头10具有几个电路板,以提供一组测试器信道22,以连接晶片12的测试点21。每个信道22可包括用于向对应的测试点21发送数字测试信号的三态驱动器24以及用于接收在该引线点产生的IC输出信号的比较器28。在数字测试中,在每个信道22中的可编程控制电路26向三态控制提供信号(三态和驱动)并驱动驱动器24的输入以设置向测试点21发送的测试信号的状态(高、低或三态)。控制电路26也可向比较器28的输入提供参考电压(REF)。比较器28向控制电路提供输出信号(状态),IC输出信号在电压上是高于REF信号还是低于,从而指示IC输出信号的逻辑状态。
每个信道22也可包括用于在IC测试点执行模拟测试的参数测试电路30,诸如漏电流测试。由控制数据(MODE)控制的一对继电器32,可在数字测试中将驱动器和比较器24和28连接于信道的I/O端口9,或可在参数测试中将参数测试电路30连接于I/O端口9。在一些测试器结构中,一个单独的参数测试电路可被几个信道共享。
互连测试装置
由于弹簧管脚16比探针18分布的水平面积更加宽,所以互连结构14必须向互连弹簧管脚16和探针18提供在水平和垂直方向上都延伸的信号通路。互连结构14也可将诸如分立电阻或电容之类的元件加入到那些信号通路中。这样互连结构14可为具有一个以上互连层和元件的相对复杂的仪器。在测试晶片12之前,我们希望确认,互连结构14将能够在每个测试头I/O端口9和它要连接的晶片12上的测试点21之间提供电阻合适的信号通路。
根据本发明,为了测试通过互连结构14的信号通路,我们首先提供在大小和形状上与要测试的晶片相同的参考晶片,参考晶片提供了其表面上测试点的图案,该图案模仿了晶片12表面上测试点的图案。当参考晶片位于互连结构14的下方时,若假定探针被正确排列,则探针18的每一个都接触参考晶片对应的测试点。在某些情况下,如下面所述,参考晶片也可包括在其表面上的附加的测试点(“参考点”)。在参考晶片内应用的导体将参考晶片的测试点群彼此相连以及与任何所提供的参考点连接。当需要时,互连结构14也可加以改进以包括附加探针18和将参考晶片上每个参考点连接到测试头10中的备用上的信号通路。
为了测试在第一测试器信道和在参考晶片表面上测试点之间的单一信号通路的连续性,对第一测试器信道编程以在其I/O端口发送测试信号,比如方波信号。该测试信号随后通过互连结构14上的通路传送到测试点。参考晶片内的导体随后将测试信号转送到晶片上的另一个测试点或参考点。该测试信号随后通过互连结构14传送到一个第二测试器信道的I/O端口,其中该第二测试器信道用于被编程以检测信号是否在I/O端口出现。这样,我们可通过判定第二测试器信道是否已检测到返回信号来判定互连结构14是否已在第一测试器信道和其对应的测试点之间提供了信号通路。如以下详细描述的那样,测试器内的参数测试电路也可被用来测量测试器和参考晶片之间各种信号通路的电阻。
图4是互连结构14下表面一部分的简化平面图,互连结构14包括用于接触参考晶片上测试点的探针18(由小圆圈表示)。根据本发明,已改进了互连结构14以使它包括一组用于接触参考晶片上附加参考点的探针36(在图4中由小方块表示)。通过互连结构14的一组信号通路(TP,I/O和BUS)将探针18和36连接到互连结构14上表面上的接触片(弹簧管脚片)39,该互连结构14通过弹簧管脚被测试器信道连接。在每个测试器信道和每个探针18之间的信号通路的电阻在图4中用符号表示为电阻42。每个I/O通路在单独的测试器信道I/O端口和连接晶片上普通测试点的对应探针18之间传送信号。从而,连接I/O线的测试器信道只连接了在被测试晶片上的单独测试点。每个附加的通路(TP)都将备用的测试器信道连接到探针36中的一个以连接参考晶片上的参考点。互连结构14也可提供将一个测试器信道连接于几个探针18的“总线通路”(BUS),从而测试器信道可通过一个BUS通路同时连接晶片上的几个测试点。在图4中出现了两个这样的BUS通路。
图5是参考晶片38的简化平面图,它包括一组由图4的探针18接触的测试点41,设置引线点41以模仿被测试晶片12(图2)表面上接触测试点21的分布。参考晶片38还包括被图4的探针36连接的一组附加的参考点46。参考晶片38内的一组导体48连接参考点和测试点群。在图5中还用虚线显示了通过互连结构14伸向互连结构14表面上引线点39的信号通路(I/O,TP和BUS)。虽然每个导体可将大量的测试点41连接于给定的参考点46,但导体被设置得使被公共BUS通路连接的测试点41与分开的参考点46相连。
连续性的测试
参考图1和图5,我们希望测试在连接于特定弹簧管脚片(片52)的测试器信道端口和特定晶片测试点41(点54)之间的特定I/O信号通路50的连续性。注意的是,导体48中的一个(导体55)将测试点54连接到一个参考点46(点56),且该参考点56连接到另一弹簧管脚片58。为了测试在连接于弹簧管脚片52的测试器信道和测试点54之间通路的连续性,我们对IC测试器编程以三态驱动器24(图1)连接到导体48而不把特定驱动器24连接到弹簧管脚片52。该驱动器被编程以产生在高逻辑电平和低逻辑电平之间反复的方波测试信号。如果管脚片52和54之间的通路50是连续的,则将在管脚片54出现测试信号。导体55将向参考点56传送测试信号,后者将随后把测试信号传送到连接弹簧管脚片58的一个剩余测试器信道。对该剩余的测试器信道编程以查找输入的以预期方式在高逻辑电平和低逻辑电平之间反复的方波测试信号。由于它可通过使用多个测试器信道来同时连接几个参考点46,所以测试器可以这种方式同时测试几个信号通路。但是,连接于同一参考点46的信号通路必须一个个顺序地被测试。
连续性的测试会错误地指示在测试器和测试点41之间的I/O信号通路有故障,但事实上此时是测试器和参考点46之间的TP信号通路有故障。然而,这种连续性的出错的根源将是明显的,因为有故障的TP信号通路将使连接到同一TP信号通路的所有I/O和BUS信号通路都呈现为有故障。
当有一个以上的BUS通路时,较佳为每个通过BUS通路连接的测试点41提供分开的导体48和参考点46,从而使所有的BUS通路都彼此隔离。这使BUS通路的连续性可以以测试I/O通路连续性的相同方式被同时测试。但是,当有许多BUS通路时,也许不能实现为通过BUS通路连接的每个测试点41提供分开的导体48和参考点46。在这种情况下,分开的BUS通路所连接的测试点41可以与同一导体48连接。然而,当我们那样做时,我们必须通过对测试器信道编程而使所有的导体48接地而非其连续性被测试的相关特殊BUS通路的一个导体接地,从而将BUS通路彼此隔离。我们对连接该特定相关BUS通路的测试器信道编程以便在该BUS通路上设置测试信号,并通过测试点46对连接非接地导体48的那个备用的测试器信道进行编程以查找返回的测试信号。由于其它的导体48是接地的,测试信号除了通过其连续性被测试的通路以外无法找到通向非接地导体的路径。因此,虽然BUS通路连接的连续性可使用该方法进行测试,但它们必须顺次地而不是同时去完成。
阻抗测试
当测试通过互连结构14的每个信号通路的电阻42(图4)时,参考晶片同样有用。该通路电阻包括形成通路的导体的固有电阻,但也可以包括被插入到互连结构14内信号通路中的分立电阻器。
图6示出了与图2现有技术的测试器信道22类似的一组三个的测试器信道22A-22C。互连结构14通过通路50B和50C将信道22B和22C与参考晶片38上的测试点54和60相连,通过通路50A将信道22A与参考点56相连。参考晶片38内的导体55将所有三个管脚片54、56和60互相连接。
为了测量通路50B的电阻RB,设置信道22A的继电器32A以将驱动器24A连接于I/O端口9A,并且设置输入到信道22A的驱动器24A的DRIVE信号以驱使它的低输出,以使输出端口9A有效地接地。设置信道22B的继电器32B以将信道的参数测试电路30B与其I/O端口9B连接。随后参数测试电路30B在端口9B产生一电压已知的DC信号并测量通过端口9B的所得电流。另外,参数测试电路30B可通过端口9B发送大小已知的电流并在端口9B测量得到的电压。在任何一种情况下,假设当DRIVE信号设置得使其输出减小时,驱动器24A对地的电阻可忽略时,信号电压除以信号电流都基本等于在端口9B和地之间的总信号通路电阻RA+RB。当驱动器24A的对地电阻不可忽略而是已知的时候,可从计算的电阻减去它以得到通路电阻RA+RB。另外,在测量中,可提供附加的继电器32A以使终端9A直接接地,从而对驱动器24A的电阻设旁路。当通路50B包括明显大于返回通路50A的固有电阻RA的嵌入电阻器RB时,计算的通路电阻值RA+RB将非常接近于电阻器RB的电阻,这时,RB可作为该通路电阻的电阻值。
另一方面,当通路50A的电阻RA不可忽略的时候,我们可用附加的工序以单单判定电阻器RB的大小。假设如图7中所示的,我们将以上概括的电阻测量工序使用三次以测量信号通路50A和50C的总电阻R1、通路50B和50C的总电阻R2以及通路50A和50B的总电阻R3。现在我们有三个等式,在其中有三个未知量(RA、RB和Rc):
RA+RC=R1
RB+RC=R2
RA+RB=R3
求解RA、RB和RC,我们得到,
RA=(+R1-R2+R3)/2
RB=(-R1+R2+R3)/2
RC=(+R1+R2-R3)/2。
因此,只要参考晶片38连接的所有测试点或参考点群至少有三个,我们就能使用上述的工序和计算来判定在测试器信道的I/O端口和其连接的在参考晶片上的测试点或参考点之间的电阻。
注意的是,不必为了测试互连结构信号通路的连续性和电阻而在参考晶片38上提供参考点36,只要参考晶片38内的导体42将每个测试点41连接于其它的测试点41就可以了。在这种情况下,当测试到其它测试点通路的测试信号通路连续性或电阻时,一个测试点41可起到参考点的作用。
只要没有其它的BUS通路连接到同一导体48,在测试器信道和连接到导体48的任何测试点41之间的BUS通路的阻抗就可以如上所述地进行测试。
带工作电路的参考晶片
图8以示意图的形式示出了参考晶片68一部分的可替换实施例,它还具有以类似于被互连结构连接的测试器件上的测试点排列的方式排列的测试点41。测试点41被晶片68内的导体48连接。参考晶片68包括通过低阻抗通路与外部地电势连接的测试点71以及一组通过晶体管70,每个晶体管通过测试点71连接于一个导体48和地之间。可通过互连结构由一个剩余的测试器信道连接的附加测试点72连接于控制通过晶体管70栅的一组驱动器74的每一个输入端。
晶片68还包括向一组具有连接导体48的输出的三态驱动器78供应作为输入的测试信号(TEST)的振荡器76。反相器80将测试点72与驱动器78的三态控制输入进行耦合。当备用的信道在测试点72确认控制信号时,驱动器74打开晶体管70,驱动器78被三态驱动。当备用的信道在测试点72不确认控制信号时,驱动器74关闭晶体管70,且三态驱动器78缓冲在导体48上振荡器76的TEST信号输出。
为了测试通过互连结构将测试点41与IC测试器信道连接的信号通路的连续性,备用的测试器信道使驱动器74将通过晶体管70关闭,从而它们不会使导体48接地。备用的测试器信道还打开驱动器78,从而它们将缓冲在导体48上的振荡TEST信号。TEST信号通过测试点41和互连结构的信号通路返回到测试器信道。对每个测试器信道进行编程以监测其本身的I/O端口,由此判定TEST信号是否被接收到,从而确认通过互连结构的信号通路的连续性。
为了测量通过互连结构的不同信号通路的电阻,备用的测试器信道三态驱动器78和信号驱动器74打开通过晶体管70,从而它们使导体48接地。测试器信道内的参数测试单元可随后直接测量每个信道输出端口和地之间的总通路电阻。当必要时,每个通过晶体管70的估算的电阻和从点71到地的估算电阻可从每次电阻测量中减去,从而估算每个通过互连结构的信号通路的电阻。
当只测试通过互连结构的信号通路的连续性,而不测量通路电阻时,驱动器74和通过晶体管70可从参考晶片38中省略。由于驱动器78不需要三态驱动器,所以测试点72和反相器80也可省略。
当只测量信号通路电阻,而不测试连续性时,导体48可永久地接地。在这种情况下,测试点72、驱动器74和78、振荡器76以及反相器80将从晶片38中省略。
短路测试
通过除去参考晶片从而所有的信号通路都是开路、对测试器信道编程以向所选信号通路施加测试信号、以及对其它的测试器信道编程以查找在任何其它信号通路上信号的出现,能检测在任何所选信号通路和任何其它通过互连结构14的信号通路之间的短路。
因此显示描述了一种系统,该系统用于测试通过任何种类互连结构将集成电路测试器的端口与测试中的IC晶片的点进行连接的信号通路的连续性和电阻。虽然上述的说明书已描述了本发明的较佳实施例,但本专业的熟练人士仍可在主要方面不脱离本发明的条件下对较佳实施例作出许多修改。因此,所附的权利要求旨在覆盖所有这样的落在本发明真实范围和精神之内的修改。

Claims (40)

1.一种测试互连结构内信号通路的方法,其中的互连结构用于将集成电路测试器的端口与设置在被测试IC晶片上的第一测试点互相连接,该方法包括以下步骤:
提供一参考晶片,在该晶片上有多个第二测试点,它们以与在所述IC晶片上所述第一测试点的排列方式相同的方式排列,且有与所述第二测试点互连的导体;
用所述的互连结构将每一个所述第二测试点与所述端口中的一个分开的端口互相连接;以及
对所述的集成电路测试器编程,使它通过在所述互连结构内的所述信号通路和所述导体从一个所述的端口向另一个所述的端口发送测试信号。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包含对所述集成电路测试器编程以判定所述测试信号是否已到达所述另一端口的步骤。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述测试信号的幅度是上下波动的。
4.根据权利要求3的方法,其特征在于,还包含对所述集成电路测试器编程以判定所述测试信号的幅度是否在所述另一端口上下波动的步骤。
5.根据权利要求1的方法,其特征在于,还包含在所述一个端口测量所述测试信号电压的步骤。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,还包含计算所述测试信号的所述电压与所述测试信号的电流比的步骤。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包含在所述一个端口测量所述测试信号电流的步骤。
8.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,还包含计算所述测试信号的电压与所述测试信号的电流的比的步骤。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包含步骤:
将另一所述端口接地;
测量所述测试信号的幅度;以及
根据所测的所述测试信号的幅度计算通路电阻。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的IC晶片和所述的参考晶片在大小和形状上是相似的。
11.一种测量互连结构内信号通路电阻的方法,其中的互连结构用于将集成电路测试器的端口与至少三个设置在被测试IC晶片上的第一测试点互相连接,该方法包括以下步骤:
提供一参考晶片,在该晶片上至少有三个与在所述IC晶片上所述的至少三个第一测试点排列方式相同的第二测试点,且在至少三个第二测试点上有互连的导体;
用所述的互连结构将每一个所述的至少三个第二测试点与所述端口中的一个分开的端口互相连接;以及
在所述至少三个端口的至少三对唯一的端口之间传送测试信号。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,还包含下列步骤:
测量每个所述测试信号的幅度;以及
根据所测的所述测试信号的幅度计算所述信号通路的电阻。
13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,还包含当在所述至少三个端口的三对独一无二的端口之间传送所述测试信号时将所述的每一对中的一个端口接地的步骤。
14.一种测量互连结构内信号通路的方法,其中的互连结构用于将集成电路测试器的端口与设置在被测试IC晶片上的第一测试点互相连接,该方法包括下列步骤:
提供一参考晶片,在该晶片上有多个与在所述IC晶片上的所述第一测试点排列方式相同的第二测试点,且具有一参考点,并具有将所述第二测试点与所述参考点互相连接的导体;
用所述的互连结构将每一个所述的第二测试点以及所述的参考点与所述端口中一个分开的端口互相连接;以及
对所述的集成电路测试器编程,以通过在所述互连结构内的所述信号通路以及所述导体从与所述的第二测试点中的一个互连的所述端口中的一个向连接到所述参考点的另一个所述端口发送测试信号。
15.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,还包含对所述集成电路测试器编程以判定所述测试信号是否已到达所述另一端口的步骤。
16.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,所述的测试信号在高逻辑电平和低逻辑电平之间切换。
17.根据权利要求16所述的方法,其特征在于,还包含对所述集成电路测试器编程以判定所述测试信号是否在所述另一端口切换于所述高逻辑电平和低逻辑电平之间。
18.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,还包含在所述端口中的一个测量所述测试信号电压的步骤。
19.根据权利要求18所述的方法,其特征在于,还包含计算所述测试信号电压与所述测试信号电流的比的步骤。
20.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,还包含测量所述测试信号电流的步骤。
21.根据权利要求20所述的方法,其特征在于,还包含计算所述测试信号的电压与测得的所述测试信号电流的比率的步骤。
22.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,还包含以下步骤:
将另一所述端口接地;
测量所述测试信号的幅度;以及
根据所测得的所述测试信号的幅度计算通路电阻。
23.一种测量互连结构内信号通路的方法,其中的互连结构用于将集成电路测试器的端口与设置在被测试IC晶片上的第一测试点互相连接,该方法包括下列步骤:
提供一参考晶片,在该晶片上有多个与在所述IC晶片上所述的第一测试点排列方式相同的第二测试点,且有在所述第二测试点产生测试信号的装置;
用所述的互连结构将每一个所述的第二测试点与所述端口中一个分开的端口互相连接;以及
对所述的集成电路测试器编程,以监测所述的端口从而判定所述测试信号是否已到达所述端口。
24.根据权利要求23所述的方法,其特征在于,所述的测试信号的幅度是上下波动的。
25.根据权利要求24所述的方法,其特征在于,还包含对所述集成电路测试器编程以判定所述测试信号的幅度是否在所述另一端口上下波动的步骤。
26.一种测量互连结构内信号通路电阻的方法,其中的互连结构用于将集成电路测试器的端口与设置在被测试IC晶片上的第一测试点互相连接,该方法包括下列步骤:
提供一参考晶片,在该晶片上有多个与在所述IC晶片上所述的第一测试点排列方式相同的第二测试点,以及将所述测试点接地的装置;
用所述的互连结构将每一个所述的第二测试点与所述端口中一个分开的端口互相连接;以及
对所述的集成电路测试器编程,以测量在所述接地的第二测试点的所述端口之间的信号通路电阻。
27.一种设备,用于当集成电路测试器测试IC晶片时在集成电路测试器和排列在IC晶片上的第一测试点之间提供信号通路,当集成电路测试器不测试IC晶片时使该集成电路测试器测量信号通路的电阻,该设备包括:
互连结构,它包含触点,当集成电路测试器测试IC晶片时设置该触点以接触该IC晶片的第一测试点,且该互连结构包含将集成电路测试器的端口与所述触点互连的导体,其中该导体和触点形成所述信号通路,以及
参考晶片,其尺寸和形状与所述要测试的IC晶片相同,在所述参考晶片上具有多个以与所述IC晶片上所述第一测试点的排列方式相同的方式排列的第二测试点,当集成电路测试器测试IC晶片时所述触点接触第一测试点,当集成电路测试器测量所述信号通路的电阻时所述触点接触第二测试点。
28.根据权利要求27所述的设备,其特征在于,所述的参考晶片还包含连接所述第二测试点群的导体。
29.根据权利要求27所述的设备,其特征在于,所述参考晶片还包含用于选择性地将所述第二测试点接地以响应作为输入提供给所述参考晶片的信号的电路装置。
30.根据权利要求27所述的设备,其特征在于,所述参考晶片还包含用于在所述第二测试点上产生测试信号的电路装置。
31.根据权利要求27所述的设备,其特征在于,所述参考晶片还包含选择性地将所述第二测试点接地并在所述第二测试点上产生测试信号以响应作为输入提供给所述参考晶片的控制信号的电路装置。
32.一种测量互连结构内信号通路的电阻的设备,其中的互连结构用于将集成电路测试器的端口与设置在被测试IC晶片上的第一测试点互相连接,该设备包括:
一参考晶片,其大小和形状与所述被测试的IC晶片相同,在所述的参考晶片上有多个与在所述IC晶片上所述的第一测试点排列方式相同的第二测试点,
其中,所述参考晶片还包括在所述第二测试点上产生测试信号的电路装置,且其中,
所述测试信号的幅度是上下波动的。
33.一种测量互连结构内信号通路的电阻的设备,其中的互连结构用于将集成电路测试器的端口与设置在被测试IC晶片上的第一测试点互相连接,该设备包括:
一参考晶片,其大小和形状与所述被测试的IC晶片相同,在所述的参考晶片上有多个与在所述IC晶片上所述的第一测试点排列方式相同的第二测试点,
其中,所述参考晶片还包含选择性地将所述第二测试点接地并在所述第二测试点上产生测试信号以响应作为输入提供给所述参考晶片的控制信号的电路装置,且其中,
所述测试信号的幅度是上下波动的。
34.一种测量互连结构内信号通路的电阻的设备,其中的互连结构用于将集成电路测试器的端口与设置在被测试IC晶片上的第一测试点互相连接,该设备包括:
一参考晶片,其大小和形状与所述被测试的IC晶片相同,在所述的参考晶片上有多个与在所述IC晶片上所述的第一测试点排列方式相同的第二测试点,以及
通过所述互连结构内的信号通路耦连于所述第二测试点的装置,用于测量由信号通路传送的信号的幅度和通过所测量的信号的幅度计算信号通路的电阻。
35.根据权利要求34所述的设备,其特征在于,所述的参考晶片还包含连接所述第二测试点群的导体。
36.根据权利要求34所述的设备,其特征在于,所述参考晶片还包含用于选择性地将所述第二测试点接地以响应作为输入提供给所述参考晶片的信号的电路装置。
37.根据权利要求34所述的设备,其特征在于,所述参考晶片还包含用于在所述第二测试点上产生测试信号的电路装置。
38.根据权利要求37所述的设备,其特征在于,所述测试信号的幅度是上下波动的。
39.根据权利要求34所述的设备,其特征在于,所述参考晶片还包含选择性地将所述第二测试点接地并在所述第二测试点上产生测试信号以响应作为输入提供给所述参考晶片的控制信号的电路装置。
40.根据权利要求39所述的设备,其特征在于,所述测试信号的幅度是上下波动的。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104160289A (zh) * 2012-03-08 2014-11-19 罗森伯格高频技术有限及两合公司 用于测量电子组件的装置

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5914613A (en) 1996-08-08 1999-06-22 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system with local contact scrub
US6256882B1 (en) 1998-07-14 2001-07-10 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US6724209B1 (en) * 2000-04-13 2004-04-20 Ralph G. Whitten Method for testing signal paths between an integrated circuit wafer and a wafer tester
DE10056882C2 (de) * 2000-11-16 2003-06-05 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Kalibrieren eines Testsystems für Halbleiterbauelemente und Testsubstrat
DE10143173A1 (de) 2000-12-04 2002-06-06 Cascade Microtech Inc Wafersonde
DE10114291C1 (de) * 2001-03-23 2002-09-05 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Überprüfen von lösbaren Kontakten an einer Mehrzahl von integrierten Halbleiterbausteinen auf einem Wafer
US6982954B2 (en) * 2001-05-03 2006-01-03 International Business Machines Corporation Communications bus with redundant signal paths and method for compensating for signal path errors in a communications bus
AU2002327490A1 (en) 2001-08-21 2003-06-30 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US6779170B1 (en) * 2002-12-11 2004-08-17 Nvidia Corporation Method and apparatus for performing logic emulation
US7057404B2 (en) 2003-05-23 2006-06-06 Sharp Laboratories Of America, Inc. Shielded probe for testing a device under test
US7183787B2 (en) * 2003-11-26 2007-02-27 Lsi Logic Corporation Contact resistance device for improved process control
US7427868B2 (en) 2003-12-24 2008-09-23 Cascade Microtech, Inc. Active wafer probe
US7595629B2 (en) * 2004-07-09 2009-09-29 Formfactor, Inc. Method and apparatus for calibrating and/or deskewing communications channels
US7420381B2 (en) 2004-09-13 2008-09-02 Cascade Microtech, Inc. Double sided probing structures
US7656172B2 (en) 2005-01-31 2010-02-02 Cascade Microtech, Inc. System for testing semiconductors
US7535247B2 (en) 2005-01-31 2009-05-19 Cascade Microtech, Inc. Interface for testing semiconductors
US7583087B2 (en) * 2005-02-22 2009-09-01 Integrated Device Technology, Inc. In-situ monitor of process and device parameters in integrated circuits
US7594149B2 (en) * 2005-02-22 2009-09-22 Integrated Device Technology, Inc. In-situ monitor of process and device parameters in integrated circuits
US7474114B2 (en) * 2005-09-08 2009-01-06 Sitronic Corporation System and method for characterizing silicon wafers
US7723999B2 (en) 2006-06-12 2010-05-25 Cascade Microtech, Inc. Calibration structures for differential signal probing
US7403028B2 (en) 2006-06-12 2008-07-22 Cascade Microtech, Inc. Test structure and probe for differential signals
US7764072B2 (en) 2006-06-12 2010-07-27 Cascade Microtech, Inc. Differential signal probing system
US7876114B2 (en) 2007-08-08 2011-01-25 Cascade Microtech, Inc. Differential waveguide probe
CN101393243B (zh) * 2007-09-18 2011-02-16 京元电子股份有限公司 具有自我检测功能的测试系统与方法
US8073996B2 (en) * 2008-01-09 2011-12-06 Synopsys, Inc. Programmable modular circuit for testing and controlling a system-on-a-chip integrated circuit, and applications thereof
US7924035B2 (en) * 2008-07-15 2011-04-12 Formfactor, Inc. Probe card assembly for electronic device testing with DC test resource sharing
US7888957B2 (en) 2008-10-06 2011-02-15 Cascade Microtech, Inc. Probing apparatus with impedance optimized interface
US8410806B2 (en) 2008-11-21 2013-04-02 Cascade Microtech, Inc. Replaceable coupon for a probing apparatus
CN101770967A (zh) * 2009-01-03 2010-07-07 上海芯豪微电子有限公司 一种共用基底集成电路测试方法、装置和系统
JP5202401B2 (ja) * 2009-03-16 2013-06-05 株式会社アドバンテスト 試験装置およびキャリブレーション方法
CN107340466B (zh) * 2016-04-28 2019-11-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 模拟信号检测系统和模拟信号检测方法
US10295588B2 (en) * 2016-12-22 2019-05-21 Xcelsis Corporation Wafer testing without direct probing
US11011087B2 (en) * 2017-03-07 2021-05-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. IC, driver IC, display system, and electronic device
CN107192940A (zh) * 2017-04-27 2017-09-22 中国石油天然气股份有限公司 一种检测电路板工作状态的装置
DE102018217406B4 (de) * 2018-06-18 2020-07-23 ATEip GmbH Verfahren und Vorrichtung zum elektrischen Prüfen einer elektrischen Baugruppe
WO2020048381A1 (en) 2018-09-03 2020-03-12 Changxin Memory Technologies, Inc. Chip test device and method
CN110907796B (zh) * 2018-09-14 2022-02-08 长鑫存储技术有限公司 集成电路量测结果图像化分析方法及系统
CN110954804B (zh) * 2019-12-19 2021-11-02 上海御渡半导体科技有限公司 一种批量精确诊断cBit阵列故障的装置和方法
CN113687219A (zh) * 2021-09-15 2021-11-23 上海华岭集成电路技术股份有限公司 测试板的在线检测方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6278842A (ja) * 1985-10-01 1987-04-11 Oki Electric Ind Co Ltd プロ−ブカ−ドの検査方法
US5103557A (en) * 1988-05-16 1992-04-14 Leedy Glenn J Making and testing an integrated circuit using high density probe points
US5225771A (en) * 1988-05-16 1993-07-06 Dri Technology Corp. Making and testing an integrated circuit using high density probe points
JPH01318245A (ja) * 1988-06-20 1989-12-22 Nec Corp プローブカード検査用治具
US5086271A (en) 1990-01-12 1992-02-04 Reliability Incorporated Driver system and distributed transmission line network for driving devices under test
US5559444A (en) * 1991-06-04 1996-09-24 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for testing unpackaged semiconductor dice
US5262716A (en) 1992-04-21 1993-11-16 Hewlett-Packard Company Tester calibration procedure which includes fixturing
US5648661A (en) * 1992-07-02 1997-07-15 Lsi Logic Corporation Integrated circuit wafer comprising unsingulated dies, and decoder arrangement for individually testing the dies
US5442282A (en) * 1992-07-02 1995-08-15 Lsi Logic Corporation Testing and exercising individual, unsingulated dies on a wafer
US5414351A (en) 1993-10-22 1995-05-09 United Microelectronics Corporation Method and apparatus for testing the reliability of semiconductor terminals
US6577148B1 (en) * 1994-08-31 2003-06-10 Motorola, Inc. Apparatus, method, and wafer used for testing integrated circuits formed on a product wafer
US5600257A (en) * 1995-08-09 1997-02-04 International Business Machines Corporation Semiconductor wafer test and burn-in
US5736850A (en) 1995-09-11 1998-04-07 Teradyne, Inc. Configurable probe card for automatic test equipment
US5726920A (en) * 1995-09-29 1998-03-10 Advanced Micro Devices, Inc. Watchdog system having data differentiating means for use in monitoring of semiconductor wafer testing line
US5838161A (en) 1996-05-01 1998-11-17 Micron Technology, Inc. Semiconductor interconnect having test structures for evaluating electrical characteristics of the interconnect
US5828226A (en) 1996-11-06 1998-10-27 Cerprobe Corporation Probe card assembly for high density integrated circuits
JPH11101849A (ja) 1997-09-29 1999-04-13 Ando Electric Co Ltd 機能チェックボード
US6163759A (en) 1997-11-21 2000-12-19 Advantest Corporation Method for calibrating variable delay circuit and a variable delay circuit using the same
US6192496B1 (en) 1997-11-26 2001-02-20 Agilent Technologies, Inc. System for verifying signal timing accuracy on a digital testing device
US6181144B1 (en) 1998-02-25 2001-01-30 Micron Technology, Inc. Semiconductor probe card having resistance measuring circuitry and method fabrication
US6064948A (en) 1998-03-02 2000-05-16 Tanisys Technology, Inc. Tester systems
JP3616247B2 (ja) 1998-04-03 2005-02-02 株式会社アドバンテスト Ic試験装置におけるスキュー調整方法及びこれに用いる疑似デバイス
DE19817763C2 (de) 1998-04-21 2001-02-15 Texas Instruments Deutschland Verfahren zum Kalibrieren einer Meßvorrichtung
DE19922907B4 (de) 1998-05-19 2006-08-10 Advantest Corp. Kalibrierverfahren zum Kalibrieren einer Ausgabezeit eines Prüfsignals, Kalibrierverfahren zum Kalibrieren einer Zeitverschiebung und Halbleiterprüfeinrichtung

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104160289A (zh) * 2012-03-08 2014-11-19 罗森伯格高频技术有限及两合公司 用于测量电子组件的装置

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Publication number Publication date
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WO2001079863A2 (en) 2001-10-25
AU2001249578A1 (en) 2001-10-30

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