CN1302173A - 薄膜成形设备及方法 - Google Patents
薄膜成形设备及方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1302173A CN1302173A CN00137513A CN00137513A CN1302173A CN 1302173 A CN1302173 A CN 1302173A CN 00137513 A CN00137513 A CN 00137513A CN 00137513 A CN00137513 A CN 00137513A CN 1302173 A CN1302173 A CN 1302173A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chamber
- evaporation source
- evaporation
- substrate
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 72
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 128
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 128
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 92
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 90
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims description 98
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 98
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 4
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 description 31
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 21
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 19
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical group [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSSYLTMKCUORDA-UHFFFAOYSA-N barium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Ba+2] CSSYLTMKCUORDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- -1 if use said method Substances 0.000 description 2
- 239000008141 laxative Substances 0.000 description 2
- 230000002475 laxative effect Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 210000004180 plasmocyte Anatomy 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/32—Processes for applying liquids or other fluent materials using means for protecting parts of a surface not to be coated, e.g. using stencils, resists
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/40—Distributing applied liquids or other fluent materials by members moving relatively to surface
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D5/00—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
- B05D5/12—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures to obtain a coating with specific electrical properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
- C23C14/044—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks using masks to redistribute rather than totally prevent coating, e.g. producing thickness gradient
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
Abstract
提供了一种用于形成膜厚非常均匀的薄膜的设备。使用的是一个蒸发源,在蒸发源中有一个或多个具有纵向的蒸发单元,而通过沿与蒸发源的纵向垂直的方向移动蒸发源,就可以在基片上沉积薄膜。通过增大蒸发源的长度,可以提高纵向上膜厚的均匀度。移动蒸发源,在整个基片上进行薄膜成形,因而整个基片上的膜厚均匀度就可以提高。
Description
本发明涉及一种形成薄膜的设备或方法,所形成的薄膜用于制造一种具有包括一个阳极、一个阴极以及用来实现电致发光的夹在阳极和阴极之间的发光材料、特别是一种自发光有机材料(下文中称做有机自发光材料)的结构的电致发光元件。
电致发光显示设备有两种,即无源(简单矩阵)电致发光显示设备和有源(有源矩阵)电致发光显示设备。对这两种类型的开发工作都非常热门,特别是,目前有源矩阵电致发光设备正是焦点所在。另外,作为电致发光元件的发光层的电致发光材料既有有机材料,也有无机材料,而有机材料又分为低分子量(单体)有机电致发光材料和高分子量(聚合体)有机电致发光材料。这两种材料的研究都非常热,但是由低分子量有机电致发光材料制得的薄膜主要通过蒸发而成,而由高分子量聚合体有机电致发光材料构成的薄膜则主要通过涂敷而成。
为制造彩色显示电致发光显示设备,需要形成每个像素都能发出不同颜色的电致发光材料薄膜。然而,一般说来,电致发光材料易受水和氧气的影响,并且不能通过影印法形成图案。因此需要在图案形成的同时形成薄膜。
最一般的方法是形成一个障板的方法,其中障板位于在其上面形成有薄膜的基片和一个蒸发源之间、由金属板或玻璃板制成、并带有一个开口部分。在这种情况下,从蒸发源蒸发而来的电致发光材料仅仅通过开口部分,从而选择性地形成薄膜,因此就可以形成一个薄膜形成和图案形成可同时进行的电致发光层。
利用传统的蒸发设备,从蒸发源中呈放射状分列发出的电致发光材料在基片上不断积聚,并形成一层薄膜,因此,考虑到电致发光材料所走过的距离,就产生了一种定位基片的方法。例如,可以使用将基片固定于圆锥形基片座上并使从蒸发源到基片的距离全部相等的方法。
然而,在采用在一个大型基片上制造多个板的多斜角方法时,如果使用上述方法,基片座就会过大,从而导致薄膜成形设备的机身过大。此外,基片为平面,当采用单薄片方法时也是如此,因此在基片的表面中离蒸发源的距离就会不同,这就会存在一个问题,即:难以按均匀的薄膜厚度沉积。
除此以外,当使用大型基片时,如果蒸发源与荫罩之间的距离没有变得更大的话,所蒸发的电致发光材料就不会充分扩散,因此就难以在整个基片表面上形成均匀的薄膜。而保持这个距离还会使得设备尺寸过大。
本发明考虑到了上述问题,并且本发明的一个目的是提供一种薄膜成形设备,它能够高产量地形成膜厚非常均匀的薄膜。另外,本发明的一个目的是提供一种利用本发明的薄膜成形设备形成薄膜的方法。
本发明所利用的蒸发源中,有一个具有纵向(待蒸发的薄膜材料所放置的部分)的蒸发单元或多个蒸发单元。通过沿与蒸发源的纵向垂直的方向移动蒸发源,就可以形成薄膜。要注意的是,“具有纵向的”是指又长又薄的矩形,又长又薄的椭圆形或直线形。对于本发明而言,更好的是沿纵向的长度大于基片一侧的长度,因为处理过程可在一次扫掠中完成。特别是,长度可介于300毫米至1200毫米之间(通常介于600至800毫米之间)。
本发明的蒸发源与基片之间的位置关系如图1A至1C所示。图1A为上视图,图1B为沿线段A-A′剖开的图1A的剖面图,而图1C是沿线段B-B′剖开的图1A的剖面图。要注意的是在图1A至1C中使用了共同的标号。
如图1A所示,荫罩102置于基片101下方。此外,带有排成一条直线的多个蒸发单元103的矩形蒸发源104置于荫罩102下方。要注意的是,在本文中,基片一词包括基片和基片上所形成的薄膜。此外,基片表面一词指的是在上面形成薄膜的基片表面。
蒸发源104的纵向长度大于基片101的一侧的长度,并且还备有一个用于沿箭头所示的方向(与蒸发源104的纵向垂直的方向)移动蒸发源104的机构。通过移动蒸发源104,就可在基片的整个表面上形成薄膜。要注意的是,当纵向的长度小于基片一侧的长度时,可通过重复进行多次扫掠而形成薄膜。此外,可通过重复移动蒸发源104而形成相同薄膜的层叠结构。
从每个蒸发单元103蒸发的薄膜材料沿向上方向散射,穿过荫罩102中的开口部分(图中未示出),并在基片101上累积。这样薄膜就可以选择性地沉积在基片101上。从一个蒸发单元103散射而出的薄膜材料所形成的薄膜的区域覆盖在从相邻蒸发单元103散射而出的薄膜材料所形成的薄膜的区域上方。通过薄膜沉积区域的相互重叠,形成矩形区域的薄膜。
利用本发明,通过使用具有排成一行的多个蒸发单元的蒸发源并且从一条直线散射而非传统的从一点散射,就可以大大提高薄膜厚度的均匀度。此外,通过移动基片表面下方的矩形蒸发源,就可以高产量地进行薄膜成形过程。
另外,对于本发明而言,并不一定要使蒸发源104与荫罩102之间的距离变长,而蒸发过程也可以在非常靠近的情况下进行,这是因为有多个成一直线排列的蒸发单元,因而即使薄膜材料的散射距离较短,薄膜的形成也可以在从基片的中央部分到边缘部分的各个部分上同时进行。蒸发单元103沿直线排列的密度越高,这种效果就越大。
从蒸发源104到荫罩102的距离并没有特别的限制,因为它随蒸发单元103的排列密度而不同。然而,如果距离太近,就难以在中央部分到边缘部分之间形成均匀的薄膜,而如果距离太远,与通过从一点散射的传统的蒸发过程相比就没有变化。因此,如果蒸发单元103之间的间距用“a”来表示,那么蒸发源104与荫罩102之间的距离优选为2a至100a(更优选为5a至50a)。
利用具有上述结构的本发明的薄膜成形设备,矩形、椭圆形或直线形区域的薄膜的膜厚分布的均匀度就可以利用蒸发源得以保持,并且通过在该区域上方移动蒸发源,就可以在基片的整个表面上形成高度均匀的薄膜。此外,这里并非从一点散射蒸发,因此蒸发源与基片之间的距离可以更短,而膜厚的均匀度可以进一步提高。
另外,在本发明的薄膜成形设备中的一个小室内增加用于产生等离子体的装置将会非常有效。通过利用氧气进行等离子过程或者利用含氟气体进行等离子过程,沉积在室壁上的薄膜就可以被除掉,而室内的清洁工作就可以完成。在小室内可带有平行板电极,等离子可以在起到产生等离子作用的装置的各板之间产生。
在附图中:
图1A至1C示出了一种蒸发源的结构;
图2A和2B示出了一种蒸发室的结构;
图3示出了一种蒸发室的结构;
图4示出了一种薄膜成形设备的结构;
图5示出了一种薄膜成形设备的结构;
图6示出了一种薄膜成形设备的结构;
图7示出了一种薄膜成形设备的结构;以及
图8示出了一种薄膜成形设备的结构。
本发明的薄膜成形设备中备有的一个蒸发室的结构如图2A和2B所示。图2A为蒸发室的顶视图,而图2B为剖面图。要注意共同的部分使用了共同的符号。另外,在实施方式中,示出了一个形成一种薄膜-电致发光膜的实例。
在图2A中,标号201指的是小室,而标号202指的是基片传送开口,基片从该开口传送至小室201内部。所传送的基片203被安放在基片座204中,并通过传送导轨205a传送至薄膜成形部分206,如箭头205b所示。
当基片203被传送至薄膜成形部分206时,固定于罩座207上的荫罩208靠近基片203。要注意在本实施方式中,用金属板来做荫罩208的材料。(参看图2B)此外,在本实施方式中,荫罩208中的开口部分209为矩形、椭圆形或直线形。当然并没有限制开口部分的形状,它也可以为矩阵状或网状。
此外,在本实施方式中,它为一种其中有一个电磁铁210靠近基片203的结构,如图2B所示。当由电磁铁210形成电磁场时,荫罩208被拉向基片203,并保持预定间距。间距通过荫罩208上的多个凸起30得以保证,如图3所示。
当基片203为超过300毫米的大型基片时,这种类型的结构特别有效。如果基片203尺寸较大,就会由于基片自身的重量而发生偏斜(翘曲)。然而,基片203也可被拉向电磁铁210,并且只要荫罩208由电磁铁210拉向基片203,弯曲现象就可以消除。要注意的是,如图4所示,更好的是在电磁铁210上带有凸起401以便保持基片203与电磁铁210之间的间距。
当基片203与荫罩208之间的间距得以保证时,带有具有纵向的蒸发单元211的蒸发源212随后就沿箭头213的方向移动。在蒸发单元内部的电致发光材料通过一边移动一边加热就会蒸发,并在薄膜成形部分206的小室内散射。要注意到对于本发明的情况来说,蒸发源212和基片203之间的距离可以非常短,因此电致发光材料粘接在小室内驱动部分(用于驱动蒸发源、基片座或罩座的部分)的粘附力就会降至最小。
蒸发源212从基片203的一端向另一端扫掠。如图2A所示,在本实施方式中,蒸发源212的纵向的长度足够长,因此扫掠一次它就能够移过基片203的整个表面。
在如上所述由红、绿或蓝色电致发光材料(此处为红色)形成薄膜之后,电磁铁210的磁场关闭,罩座207落下,因而荫罩208和基片203之间的距离就会增大。然后基片座204移动一个象素部分,罩座207再次抬高,因而使荫罩208和基片203距离变近。此外,通过电磁铁210形成磁场,而荫罩208和基片203的偏斜(翘曲)就得以消除。然后改换蒸发单元,由红色、绿色或蓝色电致发光材料(此处为绿色)形成薄膜。
要注意到,此处所示的结构中,基片座204移动一个象素部分,然而也可以使罩座204移动一个象素部分。
在通过重复进行这种过程从而完成红色、绿色和蓝色电致发光材料的薄膜成形之后,最后将基片203传送至基片传送开口202,并通过机械手(图中未示出)将其从小室201中移走。这样利用本发明所进行的电致发光膜的薄膜成形过程就已完成。
实施方案1
利用图5对本发明的一种薄膜成形设备进行了说明。在图5中,标号501所指的是传送室。在传送室中安装有传送机构502,从而完成基片503的传送。传送室501中气压已降低,并通过一个闸门与每个处理室相连。当闸门打开时,利用传送机构502将基片传送至每个处理室。另外,可以利用真空泵如油封回转泵、机械增压泵、涡轮分子泵和低温泵来降低传送室501中的压力,但优选使用能有效除掉湿气的低温泵。
下面给出关于每个处理室的说明。要注意传送室501的气压已降低,因此在直接与传送室501相连的每个处理室中都备有真空泵(图中未示出)。真空泵可使用上述的油封回转泵、机械增压泵、涡轮分子泵和低温泵。
首先,标号504所指的是用于进行基片安装的装载室,同时它也是卸载室。装载室504通过闸门500a与传送室501相连,并且其中有一个上面可以安装基片503的托架(图中未示出)。要注意的是,装载室504也可分成一个基片装载室和一个基片卸载室。另外,装载室504中备有上述的真空泵以及一根用于引入高纯度氮气或惰性气体的清洗管。
要注意在实施方案1中,用作基片503的是在其上面进行了整个透明的导电膜的形成过程的基片,而透明的导电膜是电致发光元件的一个阳极。基片503安放于托架上,在其上面形成薄膜的表面朝下。这是为了在以后利用蒸发过程进行成膜时使得朝下法(也称做向上沉积法)更易于进行。朝下法指的是在该法中进行成膜时,上面形成薄膜的基片表面朝下,并且利用这种方法可以抑制废物(污物)之类的粘附。
其次,标号505所指的是用于处理电致发光元件的阳极或阴极(在实施方案1中为阳极)的表面的处理室,并且处理室505通过闸门500b与传送室501相连。处理室可以根据电致发光元件的制造方法进行不同的改变,而在实施方案1中,可在照射紫外线的同时在氧气中100至120℃之间对由透明导电膜构成的阳极表面进行热处理。当处理电致发光元件的阳极表面时,这种类型的处理比较有效。
其次,标号506所指的是用于通过蒸发过程进行有机电致发光材料的薄膜沉积的蒸发室,也被称做蒸发室(A)。蒸发室(A)506通过闸门500C与传送室501相连,在实施方案1中,用作蒸发室(A)506的是具有图2A和2B中所示结构的蒸发室。
在蒸发室(A)506的薄膜成形部分507中,首先在整个基片表面上沉积一个孔注入层,然后形成一个发出红色光的发光层,随后形成一个发出绿色光的发光层,最后形成一个发出蓝色光的发光层。要注意的是,所有已知的材料都可用作孔注入层、红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层。
蒸发室(A)506具有一个能根据薄膜成形蒸发源的有机材料的类型而进行转换的结构。也就是说,用于存贮多种类型的蒸发源的预备室508与蒸发室(A)506相连,而蒸发源的转换通过一个内部传送机构而进行。因此当薄膜成形所用的有机电致发光材料改变时,蒸发源就会改变。另外,只要薄膜成形所用的有机电致发光材料转换,荫罩的同一障板就会移动一个象素部分。
要注意的是,关于在蒸发室(A)506中进行的薄膜成形过程,可以参看图2A和2B。
其次,标号509所指的是用于通过蒸发过程进行作为电致发光元件的一个阳极或阴极的导电膜(在实施方案1中是形成为一个阴极的金属膜)的薄膜成形过程的蒸发室,也被称做蒸发室(B)。蒸发室(B)509通过闸门500d与传送室501相连。在实施方案1中,用作蒸发室(B)509的是一个具有图2A和2B中所示结构的蒸发室。在蒸发室(B)509内的薄膜成形部分510中,Al-Li合金膜(铝和锂的合金膜)作为形成电致发光元件阴极的导电膜沉积而成。
要注意的是,也可以同时蒸发位于周期表的族1或族2中的一种元素和铝。同时蒸发指的是各单元同时加热而不同材料在薄膜成形阶段组合起来的蒸发过程。
其次,标号511所指的是一个密封室(也称做封闭室或密闭操作箱),它通过闸门500e与装载室504相连。在密封室511中,对电致发光元件进行最后的密封处理过程。在这种处理过程中,要保护所形成的电致发光元件免受氧气和水分的影响,并且所利用的是用于通过密封材料进行机械密封的装置或者用于通过热硬化树脂或紫外线硬化树脂进行密封的装置。
密封材料可以使用玻璃、陶瓷、塑料和金属,但当光照射到密封材料一侧时,这种材料必须透明。另外,当密封材料和上面形成有上述电致发光元件的基片利用热硬化树脂或紫外线硬化树脂连接起来时,通过热处理或通过紫外线照射处理使树脂硬化,从而形成一个气密的空间。另外在气密空间内形成一种干燥剂、通常是氧化钡也比较有效。
此外,也可以利用热硬化树脂或紫外线硬化树脂来填充密封材料与上面形成有电致发光元件的基片之间的空间。在这种情况中,在热硬化树脂或紫外线硬化树脂内加入干燥剂,通常是氧化钡会比较有效。
用于照射紫外线的机构(下文中称作紫外线照射机构)512位于密封室511内部,并且图5中所示的薄膜成形设备具有一个结构,在这种结构中,紫外线硬化树脂通过由紫外线照射机构512发出的紫外线进行硬化。另外,也可以通过安装一个真空泵来降低密封室511内部的压力。当利用机器人操作来机械地完成以上密封处理时,通过在低压下进行处理就可以防止氧气和水分混入。此外,也可以向密封室511内部增压。在这种情况下,增压在清洗的同时利用高纯度氮气或惰性气体进行,从而可以防止污物如氧气从大气中进入。
其次,输送室(传输箱)513与密封室511相连。输送室513中有传送机构(B)514,其上已在密封室511中完全密封着电致发光元件的基片被传送至输送室513。也可以通过安装一个真空泵来使输送室513降低压力。输送室513的作用在于使密封室511不会直接暴露于大气中,并且基片在此处被拆除。
因此可以利用图5中所示的薄膜成形设备来制造高可靠性的电致发光显示设备,因为整个加工过程可以在电致发光元件完全密封在气密空间中时完成,而不会暴露于大气中。
实施方案2
利用图6对多室法(也称做设备组法)中利用本发明的薄膜成形设备的情况进行说明。在图6中,标号601所指的是传送室。在传送室601中安装有传送机构(A)602,从而完成基片603的传送。传送室601中气压已降低,并通过一个闸门与每个处理室相连。当闸门打开时,利用传送机构(A)602将基片传送至每个处理室。另外,可以利用真空泵如油封回转泵、机械增压泵、涡轮分子泵和低温泵来降低传送室601中的压力,但优选使用能有效除掉湿气的低温泵。
下面给出关于每个处理室的说明。要注意传送室601的气压已降低,因此在直接与传送室601相连的每个处理室中都备有真空泵(图中未示出)。真空泵可使用上述的油封回转泵、机械增压泵、涡轮分子泵和低温泵。
首先,标号604所指的是用于进行基片安装的装载室,同时它也被称作卸载室。装载室604通过闸门600a与传送室601相连,并且其中有一个上面可以安装基片603的托架(图中未示出)。要注意的是,装载室604也可分成一个基片装载室和一个基片卸载室。另外,装载室604中备有上述的真空泵以及一根用于引入高纯度氮气或惰性气体的清洗管。
其次,标号605所指的是用于处理电致发光元件的阳极或阴极(在实施方案2中为阳极)的表面的预处理室,并且预处理室605通过闸门600b与传送室601相连。预处理室可以根据电致发光元件的制造方法进行不同的改变,而在实施方案2中,可在照射紫外线的同时在氧气中100至120℃之间对由透明导电膜构成的阳极表面进行热处理。当处理电致发光元件的阳极表面时,这种类型的处理比较有效。
其次,标号606所指的是用于通过蒸发过程进行有机电致发光材料的薄膜沉积的蒸发室,也被称作蒸发室(A)。蒸发室(A)606通过闸门600C与传送室601相连,在实施方案2中,用作蒸发室(A)606的是具有图2A和2B中所示结构的蒸发室。
在蒸发室(A)606的薄膜成形部分607中,首先在整个基片表面上沉积一个孔注入层,然后形成一个发出红色光的发光层。相应地,蒸发源和荫罩均有两种类型,分别与形成孔注入层和红色发光层的有机材料相对应,并且其结构使其可以转换。要注意的是,可用已知的材料来作孔注入层和红色发光层。
其次,标号608所指的是用于通过蒸发过程进行有机电致发光材料的薄膜形成过程的蒸发室,也被称作蒸发室(B)。蒸发室(B)608通过闸门600d与传送室601相连。在实施方案2中,用作蒸发室(B)608的是具有图2A和2B中所示结构的蒸发室。在实施方案2中的蒸发室(B)608内的薄膜成形部分609中,沉积一个用于发出绿色光的发光层。要注意的是,在实施方案2中,可用一种已知的材料来作为用于发出绿色光的发光层。
其次,标号610所指的是用于通过蒸发过程进行有机电致发光材料的薄膜形成过程的蒸发室,也被称作蒸发室(C)。蒸发室(C)610通过闸门600e与传送室601相连。在实施方案2中,用作蒸发室(C)610的是具有图2A和2B中所示结构的蒸发室。在实施方案2中的蒸发室(C)610内的薄膜成形部分611中,沉积一个用于发出蓝色光的发光层。要注意的是,在实施方案2中,可用一种已知的材料来用作用于发出蓝色光的发光层。
其次,标号612所指的是用于通过蒸发过程进行导电膜(在实施方案2中是成为一个阴极的金属模)的薄膜成形过程的蒸发室,也被称作蒸发室(D),该导电膜形成为电致发光元件的一个阳极或阴极。蒸发室(D)612通过闸门600f与传送室601相连。在实施方案2中,用作蒸发室(D)612的是一个具有图2A和2B中所示结构的蒸发室。在蒸发室(D)612内的薄膜成形部分613中,Al-Li合金膜(铝和锂的合金膜)作为形成为电致发光元件阴极的导电膜沉积而成。要注意的是,也可以同时蒸发位于周期表的族1或族2中的一种元素和铝。
其次,标号614所指的是一个密封室,它通过闸门600g与装载室604相连。关于密封室614的说明请参照实施方案1。另外,与实施方案1相似,在密封室614内部有一个紫外线照射机构615。此外,传送室616与密封室615相连。在输送室616中有一个传送机构(B)617,其上已在密封室614中完全密封着电致发光元件的基片被传送至输送室616。关于输送室616的说明可参看实施方案1。
因此,可以利用图6中所示的薄膜成形设备来制造高可靠性的电致发光显示设备,因为整个加工过程可以在电致发光元件完全密封在气密空间中时完成,而不会暴露于大气中。
实施方案3
利用图7对采用顺序法利用本发明的薄膜成形设备的情况进行说明。在图7中,标号701所指的是一个装载室,在此处进行基片的传送。在装载室701中安装有一个真空系统700a,真空系统700a具有一个包括第一阀71、涡轮分子泵72、第二阀73和回转泵(油封回转泵)74的结构。
第一阀71为主阀,并且存在它还兼有一个电导阀的情况,并且还存在使用蝶形阀的情况。第二阀73为一个压力阀,并且第二阀73首先打开,然后装载室701利用回转泵74大致地降压。接着第一阀71打开,利用涡轮分子泵72降低压力直至达到高度真空。要注意的是可以利用机械增压泵或低温泵来代替涡轮分子泵,而低温泵在除掉水分方面特别有效。
其次,标号702所指的是用于处理电致发光元件的阳极或阴极(在实施方案3中为阳极)的表面的预处理室,并且预处理室702中装有真空系统700b。另外,它通过图中未示出的闸门与装载室701密封隔绝。预处理室702可以根据电致发光元件的制造方法进行不同的改变,而在实施方案3中,可以在照射紫外线的同时在氧气中100至120℃之间对由透明导电膜构成的阳极表面进行热处理。
其次,标号703所指的是用于通过蒸发过程进行有机电致发光材料的薄膜沉积的蒸发室,也被称作蒸发室(A)。另外,它通过图中未示出的闸门与预处理室702密封隔绝。蒸发室(A)703中装有真空系统700c。在实施方案3中,用作蒸发室(A)703的是具有图2A和2B中所示结构的蒸发室。
传送至蒸发室(A)703中的基片704和蒸发室(A)703中备有的蒸发源705分别沿箭头方向移动,从而进行薄膜成形过程。要注意的是关于蒸发室(A)703的详细操作,可参看图2A和2B。在实施方案3的蒸发室(A)703中沉积一个孔注入层。可用一种已知的材料来作孔注入层。
其次,标号706所指的是通过蒸发过程进行有机电致发光材料的薄膜形成过程的蒸发室,也被称作蒸发室(B)。蒸发室(B)706中备有真空系统700d。另外,它通过图中未示出的闸门与真空室(A)703密封隔开。在实施方案3中,用作蒸发室(B)706的是具有图2A和2B中所示结构的蒸发室。因此关于蒸发室(B)706的详细操作可参看对图2A和2B的说明。另外,在蒸发室(B)706中沉积一个发出红色光的发光层。可用一种已知的材料来作发出红色光的发光层。
其次,标号707所指的是通过蒸发过程进行有机电致发光材料的薄膜形成过程的蒸发室,又被称作蒸发室(C)。蒸发室(C)707中备有真空系统700e。另外,它通过图中未示出的闸门与真空室(B)706密封隔开。在实施方案3中,用作蒸发室(C)707的是具有图2A和2B中所示结构的蒸发室。因此关于蒸发室(C)707的详细操作可参看对图2A和2B的说明。另外,在蒸发室(C)707中沉积一个发出绿色光的发光层。可用一种已知的材料来作为发出绿色光的发光层。
其次,标号708所指的是通过蒸发过程进行有机电致发光材料的薄膜形成过程的蒸发室,又被称作蒸发室(D)、蒸发室(D)708中备有真空系统700f。另外,它通过图中未示出的闸门与真空室(C)707密封隔开。在实施方案3中,用作蒸发室(D)708的是具有图2A和2B中所示结构的蒸发室。因此关于蒸发室(D)708的详细操作可参看对图2A和2B的说明。另外,在蒸发室(D)708中沉积一个发出蓝色光的发光层。可用一种已知的材料来作发出蓝色光的发光层。
其次,标号709所指的是一个用于通过蒸发过程进行形成为电致发光元件之一个阳极或阴极的导电膜(在实施方案3中为成为一个阴极的金属膜)的薄膜成形过程的蒸发室,又被称作蒸发室(E)。蒸发室(E)709中备有真空系统700g。另外,它通过图中未示出的闸门与真空室(D)708密封隔绝。在实施方案3中,用做蒸发室(E)709的是具有图2A和2B中所示结构的蒸发室。因此关于蒸发室(E)709的详细操作可参看对图2A和2B的说明。
在蒸发室(E)709中,Al-Li合金膜(铝和锂的合金膜)作为形成为电致发光元件阴极的导电膜沉积而成。要注意的是,也可以同时蒸发位于周期表的族1和族2中的一种元素和铝。
其次,标号710所指的是一个密封室,并且它备有一个真空系统700h。另外,它通过图中未示出的闸门与真空室(E)709密封隔绝。关于密封室710的说明可参看实施方案1。另外,与实施方案1相似,在密封室710的内部带有一个紫外线照射机构。
最后,标号711所指的是一个卸载室,并且它备有一个真空系统700i。上面形成了电致发光元件的基片在此处被拆除。
因此,可以利用图7中所示的薄膜成形设备来制造高可靠性的电致发光显示设备,因为整个加工过程可以在电致发光元件完全密封在气密空间中时完成,而不会暴露于大气中。另外根据顺序法可以高产量地制造电致发光显示设备。
实施方案4
利用图8对采用顺序法利用本发明的薄膜成形设备的情况进行说明。在图8中,标号801所指的是一个装载室,在此处进行基片的传送。在装载室801中安装有一个真空系统800a,而真空系统800a具有包括第一阀81、涡轮分子泵82、第二阀83和回转泵(油封回转泵)84的结构。
其次,标号802所指的是用于处理电致发光元件的阳极或阴极(在实施方案4中为阳极)的表面的预处理室,并且预处理室802中装有真空系统800b。另外,它通过图中未示出的闸门与装载室801密封隔绝。预处理室802可以根据电致发光元件的制造方法而进行不同的改变,而在实施方案4中,可以在照射紫外线的同时在氧气中100至120℃之间对由透明导电膜构成的阳极表面进行热处理。
其次,标号803所指的是用于通过蒸发过程进行有机电致发光材料的薄膜沉积的蒸发室,并且蒸发室803中备有一个真空系统800c。在实施方案4中,用做蒸发室803的是具有图2A和2B中所示结构的蒸发室。传送至蒸发室803中的基片804和蒸发室803中备有的蒸发源805分别沿箭头方向移动,从而进行薄膜成形过程。
在实施方案4中,为了形成作为孔注入层、红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层或阴极的导电膜,优选当在蒸发室803中进行薄膜沉积时转换蒸发源805或荫罩(图中未示出)。在实施方案4中,蒸发室803与储备室806相连,而储备室806中储备着可适当转换的蒸发源和荫罩。
其次,标号807所指的是一个密封室,并且它备有一个真空系统800d。另外,它通过图中未示出的闸门与真空室803密封隔绝。关于密封室807的说明可参看实施方案1。另外,与实施方案1相似,在密封室807的内部带有一个紫外线照射机构(图中未示出)。
最后,标号808所指的是一个卸载室,并且它备有一个真空系统800e。上面形成了电致发光元件的基片在此处被拆除。
因此,可以利用图8中所示的薄膜成形设备来制造高可靠性的电致发光显示设备,因为整个加工过程可以在电致发光元件完全密封在气密空间中时完成,而不会暴露于大气中。另外按照顺序法可以高产量地制造电致发光显示设备。
通过利用本发明的薄膜成形设备,就可以高产量地在基片表面上进行膜厚非常均匀的薄膜的成形。
Claims (20)
1.一种薄膜成形设备,包括:
一个具有纵向的蒸发源;以及
一个用于沿与蒸发源的纵向垂直的方向移动蒸发源的机构。
2.权利要求1的设备,起特征在于,蒸发源带有一个具有纵向的蒸发单元。
3.权利要求1的设备,其特征在于,蒸发源带有多个蒸发单元。
4.一种薄膜成形设备,包括:
一个具有纵向的蒸发源;
一个用于沿与蒸发源的纵向垂直的方向移动蒸发源的机构;以及
位于该机构上方的电磁铁。
5.权利要求4的设备,其特征在于,蒸发源带有一个具有纵向的蒸发单元。
6.权利要求4的设备,其特征在于,蒸发源带有多个蒸发单元。
7.一种薄膜成形设备,包括:
一个装载室;
一个与装载室相连的传送室;以及
一个与传送室相连的蒸发室,
其中蒸发室中包括一个具有纵向的蒸发源和一个用于沿与蒸发源的纵向垂直的方向移动蒸发源的机构。
8.权利要求7的设备,其特征在于,蒸发源带有一个具有纵向的蒸发单元。
9.权利要求7的设备,其特征在于,蒸发源带有多个蒸发单元。
10.一种薄膜成形设备,包括:
一个装载室;
一个与装载室相连的传送室;以及
一个与传送室相连的蒸发室,
其中蒸发室中包括一个具有纵向的蒸发源、一个用于沿与蒸发源的纵向垂直的方向移动蒸发源的机构以及一个位于该机构上方的电磁铁。
11.权利要求10的设备,其特征在于,蒸发源带有一个具有纵向的蒸发单元。
12.权利要求10的设备,其特征在于,蒸发源带有多个蒸发单元。
13.一种薄膜成形设备,包括
一个装载室;
一个卸载室;以及
一个蒸发室,
其中所述装载室、所述卸载室及所述蒸发室顺序相连,并且
其中蒸发室中包括一个具有纵向的蒸发源以及一个用于沿与蒸发源的纵向垂直的方向移动蒸发源的机构。
14.权利要求13的设备,其特征在于,蒸发源带有一个具有纵向的蒸发单元。
15.权利要求13的设备,其特征在于,蒸发源带有多个蒸发单元。
16.一种薄膜成形设备,包括:
一个装载室;
一个卸载室;以及
一个蒸发室,
其中所述装载室、所述卸载室及所述蒸发室顺序相连,并且
其中蒸发室中包括一个具有纵向的蒸发源、一个用于沿与蒸发源的纵向垂直的方向移动蒸发源的机构,以及一个位于该机构上方的电磁铁。
17.权利要求16的设备,其特征在于,蒸发源带有一个具有纵向的蒸发单元。
18.权利要求16的设备,其特征在于,蒸发源带有多个蒸发单元。
19.一种在沿与具有一个纵向的蒸发源的该纵向垂直的方向上移动蒸发源的同时在基片上形成薄膜的方法。
20.一种在沿与具有一个纵向的蒸发源的该纵向垂直的方向上移动蒸发源的同时在基片上形成薄膜的方法,其中基片和由金属构成的荫罩在一块电磁铁的作用下处于接触状态。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP371349/99 | 1999-12-27 | ||
JP37134999 | 1999-12-27 | ||
JP371349/1999 | 1999-12-27 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2005101286859A Division CN100517798C (zh) | 1999-12-27 | 2000-12-27 | 显示装置的制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1302173A true CN1302173A (zh) | 2001-07-04 |
CN1240250C CN1240250C (zh) | 2006-02-01 |
Family
ID=18498560
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2005101286859A Expired - Lifetime CN100517798C (zh) | 1999-12-27 | 2000-12-27 | 显示装置的制造方法 |
CNB00137513XA Expired - Lifetime CN1240250C (zh) | 1999-12-27 | 2000-12-27 | 薄膜成形设备及方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2005101286859A Expired - Lifetime CN100517798C (zh) | 1999-12-27 | 2000-12-27 | 显示装置的制造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US8119189B2 (zh) |
EP (1) | EP1113087B1 (zh) |
JP (9) | JP3833066B2 (zh) |
KR (2) | KR100827760B1 (zh) |
CN (2) | CN100517798C (zh) |
TW (1) | TW490714B (zh) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100354452C (zh) * | 2002-02-25 | 2007-12-12 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光器件制作系统和制作方法 |
CN100405529C (zh) * | 2002-06-03 | 2008-07-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 气相淀积设备 |
CN100459220C (zh) * | 2002-09-20 | 2009-02-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 制造系统以及发光元件的制作方法 |
CN101962749A (zh) * | 2009-07-21 | 2011-02-02 | 株式会社日立高新技术 | 镀膜装置及镀膜方法 |
CN101962750A (zh) * | 2009-07-24 | 2011-02-02 | 株式会社日立高新技术 | 真空蒸镀方法及其装置 |
CN1621555B (zh) * | 2003-04-10 | 2011-06-15 | 株式会社半导体能源研究所 | 掩模、容器和制造装置 |
CN103255371A (zh) * | 2012-02-17 | 2013-08-21 | 三星显示有限公司 | 有机层沉积设备和利用其制造有机发光显示设备的方法 |
CN103374700A (zh) * | 2012-04-11 | 2013-10-30 | 株式会社日立高新技术 | 真空蒸镀装置 |
US9209427B2 (en) | 2002-04-15 | 2015-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating light-emitting device and apparatus for manufacturing light-emitting device |
CN105177510A (zh) * | 2015-10-21 | 2015-12-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒸镀设备及蒸镀方法 |
CN106574357A (zh) * | 2014-07-15 | 2017-04-19 | 埃西勒国际通用光学公司 | 一种用于在多个基底的表面上物理气相沉积材料层的方法 |
CN109881179A (zh) * | 2019-04-19 | 2019-06-14 | 江苏可润光电科技有限公司 | 一种全包裹派瑞林镀膜工艺及镀膜装置 |
Families Citing this family (177)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100330748A1 (en) | 1999-10-25 | 2010-12-30 | Xi Chu | Method of encapsulating an environmentally sensitive device |
TW490714B (en) * | 1999-12-27 | 2002-06-11 | Semiconductor Energy Lab | Film formation apparatus and method for forming a film |
CN1264387C (zh) * | 2000-03-22 | 2006-07-12 | 出光兴产株式会社 | 有机el显示装置的制造装置以及使用其制造有机el显示装置的方法 |
TW484238B (en) * | 2000-03-27 | 2002-04-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and a method of manufacturing the same |
US20020011205A1 (en) | 2000-05-02 | 2002-01-31 | Shunpei Yamazaki | Film-forming apparatus, method of cleaning the same, and method of manufacturing a light-emitting device |
US7517551B2 (en) * | 2000-05-12 | 2009-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light-emitting device |
JP2002175878A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-06-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 層の形成方法及びカラー発光装置の製造方法 |
JP4906018B2 (ja) * | 2001-03-12 | 2012-03-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜方法、発光装置の作製方法及び成膜装置 |
DE10128091C1 (de) | 2001-06-11 | 2002-10-02 | Applied Films Gmbh & Co Kg | Vorrichtung für die Beschichtung eines flächigen Substrats |
JP4078813B2 (ja) * | 2001-06-12 | 2008-04-23 | ソニー株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
JP4707271B2 (ja) * | 2001-06-29 | 2011-06-22 | 三洋電機株式会社 | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP2003017254A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
JP2003017255A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
JP4865165B2 (ja) | 2001-08-29 | 2012-02-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
TW529317B (en) * | 2001-10-16 | 2003-04-21 | Chi Mei Electronic Corp | Method of evaporating film used in an organic electro-luminescent display |
US20030101937A1 (en) * | 2001-11-28 | 2003-06-05 | Eastman Kodak Company | Thermal physical vapor deposition source for making an organic light-emitting device |
KR100422487B1 (ko) * | 2001-12-10 | 2004-03-11 | 에이엔 에스 주식회사 | 전자석을 이용한 유기전계발광소자 제작용 증착장치 및그를 이용한 증착방법 |
SG114589A1 (en) | 2001-12-12 | 2005-09-28 | Semiconductor Energy Lab | Film formation apparatus and film formation method and cleaning method |
KR100637127B1 (ko) * | 2002-01-10 | 2006-10-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 증착 방법 및 그 장치 |
TWI275319B (en) * | 2002-02-05 | 2007-03-01 | Semiconductor Energy Lab | Manufacturing method and method of operating a manufacturing apparatus |
TWI286044B (en) * | 2002-02-22 | 2007-08-21 | Semiconductor Energy Lab | Light-emitting device and method of manufacturing the same, and method of operating manufacturing apparatus |
JP3877613B2 (ja) * | 2002-03-05 | 2007-02-07 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
TW589919B (en) * | 2002-03-29 | 2004-06-01 | Sanyo Electric Co | Method for vapor deposition and method for making display device |
US8808457B2 (en) | 2002-04-15 | 2014-08-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
JP2004006311A (ja) * | 2002-04-15 | 2004-01-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法および製造装置 |
US8900366B2 (en) | 2002-04-15 | 2014-12-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
US6749906B2 (en) * | 2002-04-25 | 2004-06-15 | Eastman Kodak Company | Thermal physical vapor deposition apparatus with detachable vapor source(s) and method |
JP4634698B2 (ja) * | 2002-05-17 | 2011-02-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 蒸着装置 |
TWI336905B (en) | 2002-05-17 | 2011-02-01 | Semiconductor Energy Lab | Evaporation method, evaporation device and method of fabricating light emitting device |
US20040035360A1 (en) * | 2002-05-17 | 2004-02-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing apparatus |
JP4954434B2 (ja) * | 2002-05-17 | 2012-06-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 製造装置 |
KR100468792B1 (ko) * | 2002-05-28 | 2005-01-29 | 주식회사 야스 | 기판과 쉐도우 마스크 고정장치 |
US6943066B2 (en) * | 2002-06-05 | 2005-09-13 | Advantech Global, Ltd | Active matrix backplane for controlling controlled elements and method of manufacture thereof |
US20040007183A1 (en) * | 2002-07-11 | 2004-01-15 | Ulvac, Inc. | Apparatus and method for the formation of thin films |
KR100471358B1 (ko) * | 2002-07-19 | 2005-03-15 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전자 발광층의 증착 장치 |
US7025832B2 (en) | 2002-07-19 | 2006-04-11 | Lg Electronics Inc. | Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers |
US20040040504A1 (en) * | 2002-08-01 | 2004-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing apparatus |
JP3690380B2 (ja) * | 2002-08-02 | 2005-08-31 | セイコーエプソン株式会社 | 材料の配置方法、電子装置の製造方法、電気光学装置の製造方法 |
JP4515060B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2010-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 製造装置および有機化合物を含む層の作製方法 |
TWI277363B (en) | 2002-08-30 | 2007-03-21 | Semiconductor Energy Lab | Fabrication system, light-emitting device and fabricating method of organic compound-containing layer |
JP2004146369A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-05-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 製造装置および発光装置の作製方法 |
US7067170B2 (en) * | 2002-09-23 | 2006-06-27 | Eastman Kodak Company | Depositing layers in OLED devices using viscous flow |
JP4139186B2 (ja) * | 2002-10-21 | 2008-08-27 | 東北パイオニア株式会社 | 真空蒸着装置 |
WO2004054325A1 (ja) * | 2002-12-12 | 2004-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 発光装置、製造装置、成膜方法、およびクリーニング方法 |
US20040144321A1 (en) * | 2003-01-28 | 2004-07-29 | Eastman Kodak Company | Method of designing a thermal physical vapor deposition system |
US7211461B2 (en) * | 2003-02-14 | 2007-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing apparatus |
DE10312641B4 (de) * | 2003-03-21 | 2009-11-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer OLED-Anzeige |
JP4346336B2 (ja) * | 2003-04-02 | 2009-10-21 | 三洋電機株式会社 | 有機el表示装置の製造方法 |
US20040206307A1 (en) * | 2003-04-16 | 2004-10-21 | Eastman Kodak Company | Method and system having at least one thermal transfer station for making OLED displays |
JP4493926B2 (ja) * | 2003-04-25 | 2010-06-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 製造装置 |
JP2004353082A (ja) | 2003-05-08 | 2004-12-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 蒸発装置 |
JP2004353084A (ja) | 2003-05-08 | 2004-12-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 蒸発装置の固定部材 |
JP2004353083A (ja) | 2003-05-08 | 2004-12-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 蒸発装置 |
JP3915734B2 (ja) * | 2003-05-12 | 2007-05-16 | ソニー株式会社 | 蒸着マスクおよびこれを用いた表示装置の製造方法、ならびに表示装置 |
JP4015064B2 (ja) * | 2003-05-28 | 2007-11-28 | トッキ株式会社 | 蒸着装置 |
JP4447256B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2010-04-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
US7211454B2 (en) * | 2003-07-25 | 2007-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of a light emitting device including moving the source of the vapor deposition parallel to the substrate |
JP4522777B2 (ja) * | 2003-07-25 | 2010-08-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
US20050022743A1 (en) * | 2003-07-31 | 2005-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Evaporation container and vapor deposition apparatus |
US8123862B2 (en) * | 2003-08-15 | 2012-02-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Deposition apparatus and manufacturing apparatus |
JP4685404B2 (ja) * | 2003-10-15 | 2011-05-18 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機電界発光素子の垂直蒸着方法,その装置,及び有機電界発光素子の垂直蒸着装置に使用される蒸着源 |
US20050244580A1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-03 | Eastman Kodak Company | Deposition apparatus for temperature sensitive materials |
JP4545504B2 (ja) * | 2004-07-15 | 2010-09-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 膜形成方法、発光装置の作製方法 |
CN100502050C (zh) * | 2004-08-13 | 2009-06-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件的制造方法 |
KR20060018746A (ko) * | 2004-08-25 | 2006-03-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기물 증착 장치 |
KR100700840B1 (ko) | 2005-01-05 | 2007-03-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 섀도우마스크 부착방법 |
US9530968B2 (en) * | 2005-02-15 | 2016-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
US7948171B2 (en) * | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
EP1715075B1 (de) * | 2005-04-20 | 2008-04-16 | Applied Materials GmbH & Co. KG | Magnetische Maskenhalterung |
JP4789551B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2011-10-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機el成膜装置 |
US7485580B2 (en) * | 2005-09-20 | 2009-02-03 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for removing organic electroluminescent residues from a substrate |
US7531470B2 (en) * | 2005-09-27 | 2009-05-12 | Advantech Global, Ltd | Method and apparatus for electronic device manufacture using shadow masks |
JP4974504B2 (ja) * | 2005-10-13 | 2012-07-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜装置、発光装置の作製方法 |
KR20070043541A (ko) * | 2005-10-21 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 증착장치 및 이를 이용한 박막 증착방법 |
JP5064810B2 (ja) * | 2006-01-27 | 2012-10-31 | キヤノン株式会社 | 蒸着装置および蒸着方法 |
KR100836471B1 (ko) * | 2006-10-27 | 2008-06-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 마스크 및 이를 이용한 증착 장치 |
KR100842183B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2008-06-30 | 두산메카텍 주식회사 | 증발원 스캐닝 장치 |
JP2008221532A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Oshima Denki Seisakusho:Kk | 成膜装置 |
KR100977971B1 (ko) * | 2007-06-27 | 2010-08-24 | 두산메카텍 주식회사 | 증착 장치 |
KR100830839B1 (ko) | 2008-02-12 | 2008-05-20 | 문대규 | 증발원 |
KR100964224B1 (ko) | 2008-02-28 | 2010-06-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 증착 장치 및 박막 형성 방법 |
JP5416987B2 (ja) | 2008-02-29 | 2014-02-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜方法及び発光装置の作製方法 |
US20090218219A1 (en) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing Apparatus |
JP5238544B2 (ja) * | 2008-03-07 | 2013-07-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜方法及び発光装置の作製方法 |
US8409672B2 (en) * | 2008-04-24 | 2013-04-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing evaporation donor substrate and method of manufacturing light-emitting device |
KR101517020B1 (ko) * | 2008-05-15 | 2015-05-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치의 제조장치 및 제조방법 |
EP2135970A1 (en) * | 2008-06-20 | 2009-12-23 | Applied Materials, Inc. | Processing system and method for processing a substrate |
JP2010111916A (ja) * | 2008-11-06 | 2010-05-20 | Ulvac Japan Ltd | 真空蒸着装置、蒸着源、成膜室、蒸着容器交換方法 |
JP5620146B2 (ja) * | 2009-05-22 | 2014-11-05 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 薄膜蒸着装置 |
JP5623786B2 (ja) * | 2009-05-22 | 2014-11-12 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 薄膜蒸着装置 |
US8882920B2 (en) * | 2009-06-05 | 2014-11-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
US8882921B2 (en) * | 2009-06-08 | 2014-11-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
US8802200B2 (en) | 2009-06-09 | 2014-08-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Method and apparatus for cleaning organic deposition materials |
US9174250B2 (en) | 2009-06-09 | 2015-11-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Method and apparatus for cleaning organic deposition materials |
KR101074792B1 (ko) * | 2009-06-12 | 2011-10-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 |
KR101097311B1 (ko) * | 2009-06-24 | 2011-12-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이를 제조하기 위한 유기막 증착 장치 |
KR101117719B1 (ko) * | 2009-06-24 | 2012-03-08 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 |
KR101117720B1 (ko) * | 2009-06-25 | 2012-03-08 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 소자 제조 방법 |
KR20110014442A (ko) * | 2009-08-05 | 2011-02-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
US20110033621A1 (en) * | 2009-08-10 | 2011-02-10 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus including deposition blade |
KR101127575B1 (ko) * | 2009-08-10 | 2012-03-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 증착 가림막을 가지는 박막 증착 장치 |
JP5676175B2 (ja) * | 2009-08-24 | 2015-02-25 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法 |
KR101127578B1 (ko) * | 2009-08-24 | 2012-03-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
JP5328726B2 (ja) | 2009-08-25 | 2013-10-30 | 三星ディスプレイ株式會社 | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法 |
US8486737B2 (en) * | 2009-08-25 | 2013-07-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
JP5677785B2 (ja) * | 2009-08-27 | 2015-02-25 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法 |
JP5611718B2 (ja) * | 2009-08-27 | 2014-10-22 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法 |
US8696815B2 (en) | 2009-09-01 | 2014-04-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
US20110052795A1 (en) * | 2009-09-01 | 2011-03-03 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
CN105161543A (zh) * | 2009-09-24 | 2015-12-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
US8876975B2 (en) | 2009-10-19 | 2014-11-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
KR101146982B1 (ko) | 2009-11-20 | 2012-05-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 및 유기 발광 디스플레이 장치 제조 방법 |
US8590338B2 (en) | 2009-12-31 | 2013-11-26 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Evaporator with internal restriction |
KR101084184B1 (ko) * | 2010-01-11 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 |
KR101174875B1 (ko) * | 2010-01-14 | 2012-08-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101193186B1 (ko) * | 2010-02-01 | 2012-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101156441B1 (ko) | 2010-03-11 | 2012-06-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 |
KR101202348B1 (ko) | 2010-04-06 | 2012-11-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
US8894458B2 (en) | 2010-04-28 | 2014-11-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
KR101223723B1 (ko) | 2010-07-07 | 2013-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101673017B1 (ko) | 2010-07-30 | 2016-11-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법 |
KR20120012638A (ko) | 2010-08-02 | 2012-02-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 형성 장치 |
JP5607470B2 (ja) * | 2010-09-14 | 2014-10-15 | 公益財団法人かずさDna研究所 | 基材表面親水化処理方法及び被処理物の製造装置 |
KR20120029166A (ko) | 2010-09-16 | 2012-03-26 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101678056B1 (ko) | 2010-09-16 | 2016-11-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR20120039944A (ko) * | 2010-10-18 | 2012-04-26 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 기판 증착 시스템 및 증착 방법 |
US20130199445A1 (en) * | 2010-10-19 | 2013-08-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vapor deposition device, vapor deposition method, and method for producing organic electroluminescence display device |
KR101723506B1 (ko) | 2010-10-22 | 2017-04-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
KR101738531B1 (ko) | 2010-10-22 | 2017-05-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR20120045865A (ko) | 2010-11-01 | 2012-05-09 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기층 증착 장치 |
KR20120065789A (ko) | 2010-12-13 | 2012-06-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기층 증착 장치 |
JP2012140671A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Canon Tokki Corp | 成膜装置 |
KR101760897B1 (ko) | 2011-01-12 | 2017-07-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치 |
US9722212B2 (en) * | 2011-02-14 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting device, light-emitting device, and manufacturing method and manufacturing apparatus thereof |
JP2012178278A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Ulvac Japan Ltd | 光透過性金属酸化物膜の形成方法 |
JP5902515B2 (ja) | 2011-03-14 | 2016-04-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 連続成膜装置及び連続成膜方法 |
WO2012126016A2 (en) * | 2011-03-17 | 2012-09-20 | Kateeva, Inc. | Apparatus and methods for depositing one or more organic materials on a substrate |
KR101923174B1 (ko) | 2011-05-11 | 2018-11-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 정전 척, 상기 정전 척을 포함하는 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR101840654B1 (ko) | 2011-05-25 | 2018-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
KR101857992B1 (ko) | 2011-05-25 | 2018-05-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치 |
KR101852517B1 (ko) | 2011-05-25 | 2018-04-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
KR101857249B1 (ko) | 2011-05-27 | 2018-05-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치 |
KR101826068B1 (ko) | 2011-07-04 | 2018-02-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 |
KR20130004830A (ko) | 2011-07-04 | 2013-01-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR20130010730A (ko) | 2011-07-19 | 2013-01-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 소스 및 이를 구비한 증착 장치 |
KR20130015144A (ko) | 2011-08-02 | 2013-02-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착원어셈블리, 유기층증착장치 및 이를 이용한 유기발광표시장치의 제조 방법 |
JP5812753B2 (ja) * | 2011-08-11 | 2015-11-17 | 株式会社アルバック | 成膜装置及び成膜方法 |
KR20130069037A (ko) | 2011-12-16 | 2013-06-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치 |
US9055654B2 (en) | 2011-12-22 | 2015-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film formation apparatus and film formation method |
KR102015872B1 (ko) | 2012-06-22 | 2019-10-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
US9461277B2 (en) | 2012-07-10 | 2016-10-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus |
KR101959974B1 (ko) | 2012-07-10 | 2019-07-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
CN103545460B (zh) | 2012-07-10 | 2017-04-12 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置、有机发光显示设备及其制造方法 |
KR102013315B1 (ko) | 2012-07-10 | 2019-08-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101632298B1 (ko) | 2012-07-16 | 2016-06-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판 표시장치 및 그 제조방법 |
KR101968664B1 (ko) * | 2012-08-06 | 2019-08-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 형성 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR102013318B1 (ko) | 2012-09-20 | 2019-08-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치 |
KR101994838B1 (ko) | 2012-09-24 | 2019-10-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR20140050994A (ko) | 2012-10-22 | 2014-04-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
KR102052069B1 (ko) | 2012-11-09 | 2019-12-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR102075525B1 (ko) | 2013-03-20 | 2020-02-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR20140118551A (ko) | 2013-03-29 | 2014-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치 |
KR102073765B1 (ko) * | 2013-04-04 | 2020-02-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 제조방법 및 이에 사용될 수 있는 증착장치 |
KR102037376B1 (ko) | 2013-04-18 | 2019-10-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 패터닝 슬릿 시트, 이를 구비하는 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조방법 및 유기발광 디스플레이 장치 |
KR102081284B1 (ko) | 2013-04-18 | 2020-02-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치 |
KR102086550B1 (ko) * | 2013-05-31 | 2020-03-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치 |
KR102107104B1 (ko) | 2013-06-17 | 2020-05-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
KR102108361B1 (ko) | 2013-06-24 | 2020-05-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착률 모니터링 장치, 이를 구비하는 유기층 증착 장치, 증착률 모니터링 방법, 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
CN103726019B (zh) * | 2013-12-13 | 2015-10-28 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 改善球面光学元件镀膜均匀性的挡板的设计方法 |
KR102162797B1 (ko) | 2013-12-23 | 2020-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
WO2015182279A1 (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-03 | シャープ株式会社 | 蒸着装置および蒸着方法 |
CN104593731B (zh) * | 2015-02-04 | 2017-05-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 蒸镀换料一体化设备及其使用方法 |
CN105154832B (zh) * | 2015-10-15 | 2018-06-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒸镀设备和蒸镀方法 |
CN109072401B (zh) | 2016-03-10 | 2021-05-11 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 蒸镀掩膜、蒸镀装置、蒸镀方法及有机el显示装置的制造方法 |
JP2017036512A (ja) * | 2016-11-07 | 2017-02-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜装置 |
JP6580105B2 (ja) * | 2017-10-26 | 2019-09-25 | キヤノントッキ株式会社 | 測定装置 |
JP7362693B2 (ja) * | 2021-06-01 | 2023-10-17 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置及び電子デバイスの製造装置 |
Family Cites Families (167)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2351536A (en) | 1941-04-25 | 1944-06-13 | Spencer Lens Co | Method of treating surfaces |
US2435997A (en) * | 1943-11-06 | 1948-02-17 | American Optical Corp | Apparatus for vapor coating of large surfaces |
US3110620A (en) * | 1960-06-28 | 1963-11-12 | Ibm | Method of making plural layer thin film devices |
US3235647A (en) | 1963-06-06 | 1966-02-15 | Temescal Metallurgical Corp | Electron bombardment heating with adjustable impact pattern |
US3312190A (en) | 1964-02-25 | 1967-04-04 | Burroughs Corp | Mask and substrate alignment apparatus |
US3420977A (en) | 1965-06-18 | 1969-01-07 | Air Reduction | Electron beam apparatus |
US3391490A (en) * | 1966-02-23 | 1968-07-09 | David H. Evans | Remotely controlled vehicle system |
US3543717A (en) | 1968-04-25 | 1970-12-01 | Itek Corp | Means to adjust collimator and crucible location in a vapor deposition apparatus |
US3636305A (en) | 1971-03-10 | 1972-01-18 | Gte Sylvania Inc | Apparatus for metal vaporization comprising a heater and a refractory vessel |
US3710072A (en) | 1971-05-10 | 1973-01-09 | Airco Inc | Vapor source assembly |
US3756193A (en) | 1972-05-01 | 1973-09-04 | Battelle Memorial Institute | Coating apparatus |
JPS5315466B2 (zh) | 1973-04-28 | 1978-05-25 | ||
FR2244014B1 (zh) * | 1973-09-17 | 1976-10-08 | Bosch Gmbh Robert | |
US3971334A (en) | 1975-03-04 | 1976-07-27 | Xerox Corporation | Coating device |
US4023523A (en) | 1975-04-23 | 1977-05-17 | Xerox Corporation | Coater hardware and method for obtaining uniform photoconductive layers on a xerographic photoreceptor |
US4187801A (en) * | 1977-12-12 | 1980-02-12 | Commonwealth Scientific Corporation | Method and apparatus for transporting workpieces |
JPS5828812Y2 (ja) | 1978-02-26 | 1983-06-23 | ナショナル住宅産業株式会社 | 反り止め装置 |
JPS54127877A (en) | 1978-03-28 | 1979-10-04 | Ricoh Co Ltd | Preparation of thin film |
US4233937A (en) | 1978-07-20 | 1980-11-18 | Mcdonnell Douglas Corporation | Vapor deposition coating machine |
DE2834806A1 (de) | 1978-08-09 | 1980-02-14 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Verfahren und vorrichtung zum vakuumaufdampfen duenner schichten, insbesondere bei der herstellung von bildschirmen von katodenstrahlroehren |
US4225805A (en) | 1978-12-22 | 1980-09-30 | Gte Products Corporation | Cathode ray tube getter sealing structure |
JPS6032361Y2 (ja) | 1980-03-17 | 1985-09-27 | 三国工業株式会社 | 多連装式気化器のスタ−タ操作機構 |
JPS57123973A (en) | 1981-01-22 | 1982-08-02 | Fuji Electric Co Ltd | Container for vacuum-depositing material |
JPS6214379Y2 (zh) | 1981-01-27 | 1987-04-13 | ||
JPS57172060A (en) | 1981-04-17 | 1982-10-22 | Mitsui Keikinzoku Kako | Upstair |
JPS57172060U (zh) * | 1981-04-20 | 1982-10-29 | ||
US4446357A (en) * | 1981-10-30 | 1984-05-01 | Kennecott Corporation | Resistance-heated boat for metal vaporization |
US4469719A (en) * | 1981-12-21 | 1984-09-04 | Applied Magnetics-Magnetic Head Divison Corporation | Method for controlling the edge gradient of a layer of deposition material |
JPS58177463A (ja) | 1982-04-12 | 1983-10-18 | Hitachi Ltd | 積層薄膜成膜装置 |
US4405487A (en) | 1982-04-29 | 1983-09-20 | Harrah Larry A | Combination moisture and hydrogen getter |
JPS58177463U (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-28 | 株式会社日本ロツク | 電子ロツク錠式チエンロツク |
CH651592A5 (de) | 1982-10-26 | 1985-09-30 | Balzers Hochvakuum | Dampfquelle fuer vakuumbedampfungsanlagen. |
WO1984003992A1 (en) | 1983-03-31 | 1984-10-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin-film integrated device |
JPS59203238A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-17 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
JPS6032361A (ja) | 1983-08-03 | 1985-02-19 | Hitachi Ltd | 半導体装置用電極配線の製造方法 |
DE3330092A1 (de) * | 1983-08-20 | 1985-03-07 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Verfahren zum einstellen der oertlichen verdampfungsleistung an verdampfern in vakuumaufdampfprozessen |
GB8332394D0 (en) | 1983-12-05 | 1984-01-11 | Pilkington Brothers Plc | Coating apparatus |
JPS60121616A (ja) | 1983-12-06 | 1985-06-29 | セイコーエプソン株式会社 | 透明導電膜の製造方法 |
JPS60121616U (ja) | 1984-01-25 | 1985-08-16 | 三菱電機株式会社 | 負荷時タツプ切換装置 |
US5259881A (en) | 1991-05-17 | 1993-11-09 | Materials Research Corporation | Wafer processing cluster tool batch preheating and degassing apparatus |
US4672265A (en) | 1984-07-31 | 1987-06-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Electroluminescent device |
US4600160A (en) | 1984-09-20 | 1986-07-15 | Oscar Mayer Foods Corporation | Chopper blade assembly |
JPH0246667B2 (ja) | 1986-09-20 | 1990-10-16 | Anelva Corp | Hakumakujochakusochi |
US4897290A (en) | 1986-09-26 | 1990-01-30 | Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. | Method for manufacturing the substrate for liquid crystal display |
JPS6379959U (zh) | 1986-11-14 | 1988-05-26 | ||
US4951601A (en) | 1986-12-19 | 1990-08-28 | Applied Materials, Inc. | Multi-chamber integrated process system |
US4885211A (en) | 1987-02-11 | 1989-12-05 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with improved cathode |
JPS63186763U (zh) * | 1987-02-16 | 1988-11-30 | ||
US4769292A (en) | 1987-03-02 | 1988-09-06 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone |
JPS63297549A (ja) | 1987-05-29 | 1988-12-05 | Komatsu Ltd | 真空蒸着装置 |
JPS6442392A (en) | 1987-08-07 | 1989-02-14 | Nec Corp | Apparatus for molecular beam epitaxy |
JPS6442392U (zh) | 1987-09-03 | 1989-03-14 | ||
JP2832836B2 (ja) * | 1988-12-26 | 1998-12-09 | 株式会社小松製作所 | 真空成膜装置 |
US5111022A (en) | 1989-08-23 | 1992-05-05 | Tfi Telemark | Cooling system for electron beam gun and method |
JP2672680B2 (ja) * | 1990-02-09 | 1997-11-05 | 沖電気工業株式会社 | 薄膜の製造方法及びこれに用いる蒸発源 |
US5310410A (en) | 1990-04-06 | 1994-05-10 | Sputtered Films, Inc. | Method for processing semi-conductor wafers in a multiple vacuum and non-vacuum chamber apparatus |
JP2913745B2 (ja) | 1990-04-10 | 1999-06-28 | 松下電器産業株式会社 | 真空蒸着装置 |
JPH0423523A (ja) * | 1990-05-17 | 1992-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 衛星受信用チューナ |
JPH04116169A (ja) | 1990-09-05 | 1992-04-16 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | 多層成膜用の真空蒸着装置 |
US5167984A (en) * | 1990-12-06 | 1992-12-01 | Xerox Corporation | Vacuum deposition process |
US5258325A (en) * | 1990-12-31 | 1993-11-02 | Kopin Corporation | Method for manufacturing a semiconductor device using a circuit transfer film |
JP3181611B2 (ja) | 1991-02-22 | 2001-07-03 | コニカ株式会社 | 蒸着装置 |
JP3125279B2 (ja) * | 1991-02-25 | 2001-01-15 | 東海カーボン株式会社 | 真空蒸着用黒鉛ルツボ |
JPH04116169U (ja) | 1991-03-28 | 1992-10-16 | 株式会社島津製作所 | レーザ装置 |
JP2784615B2 (ja) | 1991-10-16 | 1998-08-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学表示装置およびその駆動方法 |
US5429884A (en) * | 1992-01-17 | 1995-07-04 | Pioneer Electronic Corporation | Organic electroluminescent element |
JP2688555B2 (ja) | 1992-04-27 | 1997-12-10 | 株式会社日立製作所 | マルチチャンバシステム |
JP3257056B2 (ja) | 1992-09-04 | 2002-02-18 | 石川島播磨重工業株式会社 | 真空蒸着装置 |
JP3482969B2 (ja) * | 1993-01-19 | 2004-01-06 | 石川島播磨重工業株式会社 | 連続真空蒸着装置 |
ES2090893T3 (es) | 1993-01-28 | 1996-10-16 | Applied Materials Inc | Aparato de tratamiento en vacio que tiene una capacidad de produccion mejorada. |
JP3059972B2 (ja) | 1993-03-12 | 2000-07-04 | 工業技術院長 | 有機系光学薄膜の製造法とその装置 |
JP2821347B2 (ja) | 1993-10-12 | 1998-11-05 | 日本電気株式会社 | 電流制御型発光素子アレイ |
JP2770299B2 (ja) | 1993-10-26 | 1998-06-25 | 富士ゼロックス株式会社 | 薄膜el素子及びその製造方法、並びにそのために使用するスパッタ用ターゲット |
KR100291971B1 (ko) | 1993-10-26 | 2001-10-24 | 야마자끼 순페이 | 기판처리장치및방법과박막반도체디바이스제조방법 |
JP2734965B2 (ja) | 1993-12-20 | 1998-04-02 | 双葉電子工業株式会社 | 電界放出素子とその製造方法 |
JPH07192866A (ja) | 1993-12-26 | 1995-07-28 | Ricoh Co Ltd | 有機薄膜型電界発光素子 |
JPH07216539A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-15 | Toray Ind Inc | 製膜装置およびこれを用いた薄膜の製造方法 |
JP2599569B2 (ja) | 1994-03-09 | 1997-04-09 | 工業技術院長 | 複合型光学薄膜の製造方法とその製造装置 |
US5701055A (en) * | 1994-03-13 | 1997-12-23 | Pioneer Electronic Corporation | Organic electoluminescent display panel and method for manufacturing the same |
DE4422697C1 (de) | 1994-06-29 | 1996-01-25 | Zsw | Verdampferquelle für eine Aufdampfanlage und ihre Verwendung |
US5534314A (en) | 1994-08-31 | 1996-07-09 | University Of Virginia Patent Foundation | Directed vapor deposition of electron beam evaporant |
JPH08111285A (ja) | 1994-10-07 | 1996-04-30 | Tdk Corp | 有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法及びその装置 |
US5972183A (en) | 1994-10-31 | 1999-10-26 | Saes Getter S.P.A | Getter pump module and system |
US5550066A (en) | 1994-12-14 | 1996-08-27 | Eastman Kodak Company | Method of fabricating a TFT-EL pixel |
US5945967A (en) | 1995-01-18 | 1999-08-31 | I-O Display Systems, Llc | Speckle depixelator |
EP0732731A3 (en) | 1995-03-13 | 1997-10-08 | Applied Materials Inc | Treatment of a layer of titanium nitride to improve resistance to high temperatures |
JPH0916960A (ja) * | 1995-06-30 | 1997-01-17 | Hitachi Maxell Ltd | 情報記録媒体の製造装置 |
US5935395A (en) | 1995-11-08 | 1999-08-10 | Mitel Corporation | Substrate processing apparatus with non-evaporable getter pump |
JPH09209127A (ja) | 1996-02-05 | 1997-08-12 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 真空蒸着装置およびその真空蒸着装置を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JPH09256142A (ja) | 1996-03-15 | 1997-09-30 | Sony Corp | 成膜装置 |
TW320687B (zh) * | 1996-04-01 | 1997-11-21 | Toray Industries | |
JP3539125B2 (ja) | 1996-04-18 | 2004-07-07 | 東レ株式会社 | 有機電界発光素子の製造方法 |
JPH1050478A (ja) * | 1996-04-19 | 1998-02-20 | Toray Ind Inc | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
JP3113212B2 (ja) | 1996-05-09 | 2000-11-27 | 富士通株式会社 | プラズマディスプレイパネルの蛍光体層形成装置および蛍光体塗布方法 |
US6280861B1 (en) | 1996-05-29 | 2001-08-28 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic EL device |
US5902688A (en) | 1996-07-16 | 1999-05-11 | Hewlett-Packard Company | Electroluminescent display device |
US5817366A (en) * | 1996-07-29 | 1998-10-06 | Tdk Corporation | Method for manufacturing organic electroluminescent element and apparatus therefor |
US5844363A (en) | 1997-01-23 | 1998-12-01 | The Trustees Of Princeton Univ. | Vacuum deposited, non-polymeric flexible organic light emitting devices |
JPH10162954A (ja) | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 有機el素子の製造方法 |
JP4059946B2 (ja) | 1996-12-06 | 2008-03-12 | 株式会社アルバック | 有機薄膜形成装置及び有機材料の再利用方法 |
JP3483719B2 (ja) | 1997-01-09 | 2004-01-06 | 株式会社アルバック | 有機材料用蒸発源及びこれを用いた有機薄膜形成装置 |
JP3162313B2 (ja) | 1997-01-20 | 2001-04-25 | 工業技術院長 | 薄膜製造方法および薄膜製造装置 |
US5904961A (en) | 1997-01-24 | 1999-05-18 | Eastman Kodak Company | Method of depositing organic layers in organic light emitting devices |
JPH10214682A (ja) | 1997-01-30 | 1998-08-11 | Mitsubishi Chem Corp | 有機電界発光素子の製造装置及び製造方法 |
US6049167A (en) | 1997-02-17 | 2000-04-11 | Tdk Corporation | Organic electroluminescent display device, and method and system for making the same |
JP2848371B2 (ja) * | 1997-02-21 | 1999-01-20 | 日本電気株式会社 | 有機el表示装置及びその製造方法 |
JP2845856B2 (ja) | 1997-03-10 | 1999-01-13 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JPH10270164A (ja) | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法およびその製造装置 |
DE29707686U1 (de) * | 1997-04-28 | 1997-06-26 | Balzers Prozess Systeme Vertri | Magnethalterung für Folienmasken |
EP0987700B1 (en) | 1997-05-08 | 2004-08-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Device and method for manufacturing an optical recording medium |
US5906857A (en) | 1997-05-13 | 1999-05-25 | Ultratherm, Inc. | Apparatus, system and method for controlling emission parameters attending vaporized in a HV environment |
JPH10335062A (ja) | 1997-05-30 | 1998-12-18 | Tdk Corp | 有機el素子の製造装置および製造方法 |
AUPO712097A0 (en) * | 1997-05-30 | 1997-06-26 | Lintek Pty Ltd | Vacuum deposition system |
US6011904A (en) | 1997-06-10 | 2000-01-04 | Board Of Regents, University Of Texas | Molecular beam epitaxy effusion cell |
JP3508484B2 (ja) | 1997-07-14 | 2004-03-22 | 松下電器産業株式会社 | 機能性薄膜の形成方法及び形成装置 |
JPH1145779A (ja) | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Tdk Corp | 有機el素子の製造方法および装置 |
JPH1161386A (ja) * | 1997-08-22 | 1999-03-05 | Fuji Electric Co Ltd | 有機薄膜発光素子の成膜装置 |
US6124215A (en) | 1997-10-06 | 2000-09-26 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Apparatus and method for planarization of spin-on materials |
IT1295340B1 (it) | 1997-10-15 | 1999-05-12 | Getters Spa | Pompa getter ad elevata velocita' di assorbimento di gas |
EP0955791B1 (en) | 1997-10-15 | 2005-08-31 | Toray Industries, Inc. | Process for manufacturing an organic electroluminescent device |
JP4058149B2 (ja) * | 1997-12-01 | 2008-03-05 | キヤノンアネルバ株式会社 | 真空成膜装置のマスク位置合わせ方法 |
TW466266B (en) | 1997-12-18 | 2001-12-01 | Central Glass Co Ltd | Gas for removing deposit and removal method using same |
JP3014368B2 (ja) | 1997-12-18 | 2000-02-28 | セントラル硝子株式会社 | クリーニングガス |
IT1297013B1 (it) | 1997-12-23 | 1999-08-03 | Getters Spa | Sistema getter per la purificazione dell'atmosfera di lavoro nei processi di deposizione fisica da vapore |
JP3453290B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2003-10-06 | 松下電器産業株式会社 | 蒸着用電極構造、蒸着装置、蒸着方法および有機発光素子の製造方法 |
JPH11229123A (ja) | 1998-02-12 | 1999-08-24 | Casio Comput Co Ltd | 蒸着装置 |
US6251233B1 (en) | 1998-08-03 | 2001-06-26 | The Coca-Cola Company | Plasma-enhanced vacuum vapor deposition system including systems for evaporation of a solid, producing an electric arc discharge and measuring ionization and evaporation |
US6284052B2 (en) | 1998-08-19 | 2001-09-04 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | In-situ method of cleaning a metal-organic chemical vapor deposition chamber |
JP2000068055A (ja) | 1998-08-26 | 2000-03-03 | Tdk Corp | 有機el素子用蒸発源、この有機el素子用蒸発源を用いた有機el素子の製造装置および製造方法 |
US6132805A (en) | 1998-10-20 | 2000-10-17 | Cvc Products, Inc. | Shutter for thin-film processing equipment |
JP3782245B2 (ja) | 1998-10-28 | 2006-06-07 | Tdk株式会社 | 有機el表示装置の製造装置及び製造方法 |
US6214631B1 (en) | 1998-10-30 | 2001-04-10 | The Trustees Of Princeton University | Method for patterning light emitting devices incorporating a movable mask |
WO2000027802A1 (en) | 1998-11-12 | 2000-05-18 | Ariad Pharmaceuticals, Inc. | Bicyclic signal transduction inhibitors, compositions containing them & uses thereof |
JP3019095B1 (ja) | 1998-12-22 | 2000-03-13 | 日本電気株式会社 | 有機薄膜elデバイスの製造方法 |
US6328815B1 (en) | 1999-02-19 | 2001-12-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Multiple chamber vacuum processing system configuration for improving the stability of mark shielding process |
JP2000348859A (ja) | 1999-06-03 | 2000-12-15 | Chisso Corp | 有機el素子 |
US6469439B2 (en) | 1999-06-15 | 2002-10-22 | Toray Industries, Inc. | Process for producing an organic electroluminescent device |
TW504941B (en) | 1999-07-23 | 2002-10-01 | Semiconductor Energy Lab | Method of fabricating an EL display device, and apparatus for forming a thin film |
JP4472056B2 (ja) | 1999-07-23 | 2010-06-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | エレクトロルミネッセンス表示装置及びその作製方法 |
US6660409B1 (en) | 1999-09-16 | 2003-12-09 | Panasonic Communications Co., Ltd | Electronic device and process for producing the same |
JP4140674B2 (ja) | 1999-09-27 | 2008-08-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 多孔質アモルファス膜の観察方法及びその観察装置 |
JP4187367B2 (ja) | 1999-09-28 | 2008-11-26 | 三洋電機株式会社 | 有機発光素子、その製造装置およびその製造方法 |
JP2003513169A (ja) | 1999-10-22 | 2003-04-08 | カート・ジェイ・レスカー・カンパニー | 真空で基板を被覆するための方法及び装置 |
KR20010047128A (ko) | 1999-11-18 | 2001-06-15 | 이경수 | 액체원료 기화방법 및 그에 사용되는 장치 |
US6537607B1 (en) | 1999-12-17 | 2003-03-25 | Texas Instruments Incorporated | Selective deposition of emissive layer in electroluminescent displays |
TW490714B (en) * | 1999-12-27 | 2002-06-11 | Semiconductor Energy Lab | Film formation apparatus and method for forming a film |
US6244212B1 (en) * | 1999-12-30 | 2001-06-12 | Genvac Aerospace Corporation | Electron beam evaporation assembly for high uniform thin film |
US6633121B2 (en) | 2000-01-31 | 2003-10-14 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device and method of manufacturing same |
US6237529B1 (en) | 2000-03-03 | 2001-05-29 | Eastman Kodak Company | Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers |
JP2001279429A (ja) | 2000-03-30 | 2001-10-10 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 素子用薄膜層の成膜方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US20020011205A1 (en) | 2000-05-02 | 2002-01-31 | Shunpei Yamazaki | Film-forming apparatus, method of cleaning the same, and method of manufacturing a light-emitting device |
US7517551B2 (en) | 2000-05-12 | 2009-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light-emitting device |
EP1167566B1 (en) | 2000-06-22 | 2011-01-26 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Apparatus for and method of vacuum vapor deposition |
JP2002075638A (ja) | 2000-08-29 | 2002-03-15 | Nec Corp | マスク蒸着方法及び蒸着装置 |
JP2002175878A (ja) | 2000-09-28 | 2002-06-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 層の形成方法及びカラー発光装置の製造方法 |
JP2002105622A (ja) | 2000-10-04 | 2002-04-10 | Sony Corp | 蒸着用治具及び蒸着方法 |
TW463522B (en) | 2000-11-07 | 2001-11-11 | Helix Technology Inc | Manufacturing method for organic light emitting diode |
US6641674B2 (en) | 2000-11-10 | 2003-11-04 | Helix Technology Inc. | Movable evaporation device |
TW550672B (en) | 2001-02-21 | 2003-09-01 | Semiconductor Energy Lab | Method and apparatus for film deposition |
US20030015140A1 (en) | 2001-04-26 | 2003-01-23 | Eastman Kodak Company | Physical vapor deposition of organic layers using tubular sources for making organic light-emitting devices |
JP4704605B2 (ja) | 2001-05-23 | 2011-06-15 | 淳二 城戸 | 連続蒸着装置、蒸着装置及び蒸着方法 |
JP2003002778A (ja) | 2001-06-26 | 2003-01-08 | International Manufacturing & Engineering Services Co Ltd | 薄膜堆積用分子線セル |
JP4707271B2 (ja) | 2001-06-29 | 2011-06-22 | 三洋電機株式会社 | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP2003113466A (ja) | 2001-07-31 | 2003-04-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | 真空蒸着装置 |
US20030101937A1 (en) | 2001-11-28 | 2003-06-05 | Eastman Kodak Company | Thermal physical vapor deposition source for making an organic light-emitting device |
US7655397B2 (en) * | 2002-04-25 | 2010-02-02 | The United States Of America As Represented By The Department Of Health And Human Services | Selections of genes and methods of using the same for diagnosis and for targeting the therapy of select cancers |
KR100490537B1 (ko) | 2002-07-23 | 2005-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 가열용기와 이를 이용한 증착장치 |
-
2000
- 2000-12-02 TW TW089125706A patent/TW490714B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-12-22 US US09/747,731 patent/US8119189B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-12-26 JP JP2000394259A patent/JP3833066B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-27 EP EP00128521.2A patent/EP1113087B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-27 CN CNB2005101286859A patent/CN100517798C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-27 CN CNB00137513XA patent/CN1240250C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-27 KR KR1020000082591A patent/KR100827760B1/ko active IP Right Grant
-
2003
- 2003-01-23 JP JP2003014594A patent/JP4782978B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-01-24 KR KR1020070007411A patent/KR100794292B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-05-18 US US12/467,497 patent/US8968823B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-01-18 JP JP2011008084A patent/JP5315361B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-04-24 JP JP2013091020A patent/JP5589115B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-07-29 JP JP2013156330A patent/JP5856110B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-07-29 JP JP2013156332A patent/JP2013249543A/ja not_active Withdrawn
-
2015
- 2015-02-27 US US14/633,750 patent/US9559302B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-07-07 JP JP2015135869A patent/JP2016000859A/ja not_active Withdrawn
-
2016
- 2016-11-22 JP JP2016226685A patent/JP6371820B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2017
- 2017-01-27 US US15/418,091 patent/US20170137930A1/en not_active Abandoned
-
2018
- 2018-01-18 JP JP2018006284A patent/JP2018066066A/ja not_active Withdrawn
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100354452C (zh) * | 2002-02-25 | 2007-12-12 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光器件制作系统和制作方法 |
US9209427B2 (en) | 2002-04-15 | 2015-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating light-emitting device and apparatus for manufacturing light-emitting device |
CN100405529C (zh) * | 2002-06-03 | 2008-07-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 气相淀积设备 |
CN100459220C (zh) * | 2002-09-20 | 2009-02-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 制造系统以及发光元件的制作方法 |
CN1621555B (zh) * | 2003-04-10 | 2011-06-15 | 株式会社半导体能源研究所 | 掩模、容器和制造装置 |
CN102174688A (zh) * | 2003-04-10 | 2011-09-07 | 株式会社半导体能源研究所 | 掩模、容器和制造装置 |
CN101962749A (zh) * | 2009-07-21 | 2011-02-02 | 株式会社日立高新技术 | 镀膜装置及镀膜方法 |
CN101962750A (zh) * | 2009-07-24 | 2011-02-02 | 株式会社日立高新技术 | 真空蒸镀方法及其装置 |
CN103255371A (zh) * | 2012-02-17 | 2013-08-21 | 三星显示有限公司 | 有机层沉积设备和利用其制造有机发光显示设备的方法 |
CN103374700A (zh) * | 2012-04-11 | 2013-10-30 | 株式会社日立高新技术 | 真空蒸镀装置 |
CN106574357A (zh) * | 2014-07-15 | 2017-04-19 | 埃西勒国际通用光学公司 | 一种用于在多个基底的表面上物理气相沉积材料层的方法 |
CN106574357B (zh) * | 2014-07-15 | 2019-12-20 | 依视路国际公司 | 一种用于在多个基底的表面上物理气相沉积材料层的方法 |
CN105177510A (zh) * | 2015-10-21 | 2015-12-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒸镀设备及蒸镀方法 |
CN105177510B (zh) * | 2015-10-21 | 2018-04-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒸镀设备及蒸镀方法 |
US10494711B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-12-03 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Evaporation apparatus and evaporation method |
CN109881179A (zh) * | 2019-04-19 | 2019-06-14 | 江苏可润光电科技有限公司 | 一种全包裹派瑞林镀膜工艺及镀膜装置 |
CN109881179B (zh) * | 2019-04-19 | 2023-07-25 | 江苏可润光电科技有限公司 | 一种全包裹派瑞林镀膜工艺及镀膜装置 |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1240250C (zh) | 薄膜成形设备及方法 | |
KR101003404B1 (ko) | 제조 시스템 및 발광장치의 제조방법 | |
KR101167546B1 (ko) | 증착 장치 | |
KR101863853B1 (ko) | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
CN1867215A (zh) | 转移方法和转移装置 | |
TW200814392A (en) | Deposition apparatus | |
CN1828969A (zh) | 有机发光器件和白光发射器件 | |
US20130340680A1 (en) | Vapor deposition particle projection device and vapor deposition device | |
CN1395450A (zh) | 电场发光显示装置的制造方法 | |
CN1188919C (zh) | 制作有机光发射装置的方法 | |
CN1744778A (zh) | 激光感热成像装置 | |
CN109234685A (zh) | 微波镀膜方法、母板和微波镀膜装置 | |
CN208917283U (zh) | 一种真空蒸镀源 | |
CN114975803A (zh) | 一种量子点发光器件、显示面板、显示装置和制作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20060201 |
|
CX01 | Expiry of patent term |