CN1345087A - 接触构件及其生产方法以及采用该接触构件的探针接触组件 - Google Patents

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Abstract

一种用于与接触目标建立电连接的接触构件。该接触构件由一个接触基片和数个接触器构成,该接触器具有:一个尖部,突出在垂直方向,以形成一个接触点;一个基部,以这样的方式插入接触基片上的一个通孔中,以致于接触器的一端在接触基片的一个表面上,为电连接起一个接触垫的作用;和一个弹簧部,位于尖部和基部之间,当接触器被压向接触目标时,它产生一个接触力。

Description

接触构件及其生产方法以及采用该接触构件的探针接触组件
                      发明领域
本发明涉及一种接触构件及其生产方法以及采用该接触构件的探针接触组件。更具体地说，本发明涉及一种在垂直方向具有大量接触器的接触构件。本发明进一步涉及一种方法，该方法用于在水平方向的半导体晶片上生产大量的接触器，并从晶片上去除以垂直方向安装在基片上的接触器，以形成一种接触构件，例如，接触探针组件，探针卡，IC芯片，或者其它的接触机构。
                    发明的背景
在测试高密度和高速电子器件如LSI(大规模集成电路)和VLSI(超大规模集成电路)时，必须用高性能的接触构件，如具有大量接触器的探针卡。在其它的应用中，接触构件可以用于IC封装，作导线或者引线。本发明涉及这类接触构件，用于测试LSI和VLSI芯片，半导体晶片，半导体晶片和小片的老化，封装的半导体器件，印刷电路板等的测试和老化。本发明还有其它用途，例如IC芯片的导线或者引线头，IC封装或者其它的电子器件。然而，为了便于说明，本发明主要参照半导体晶片的测试而进行说明。
在被测半导体器件是半导体晶片形式的情况下，半导体测试系统如IC测试仪通常连接到基片支承架，如自动晶片探测器，以自动地测试半导体晶片。图1中给出了这样一个例子，其中，半导体测试系统有一个测试头100，它通常处于一个单独的箱体中，并通过一束电缆110电连接到测试系统。测试头100和基片支承架400通过马达510驱动的操纵器500互相机械连接和电连接在一起。被测半导体晶片由基片支承架400自动地提供到测试头100的测试位置。
在测试头100上，由半导体测试系统产生的测试信号提供给被测半导体晶片。由被测半导体晶片(形成在半导体晶片上的IC电路)产生的最终输出信号传送到半导体测试系统。在半导体测试系统中，输出信号与期望信号比较，以确定半导体晶片上的IC电路是否正常地工作。
在图2中，测试头100和基片支承架400通过一接口元件140连接，接口元件140由操作板120、同轴电缆、弹簧针和连接器组成，操作板120是一印刷电路板，其电路连接部分与测试头的电连接件一一对应连接。测试头100包括一组与半导体测试系统的测试槽(测试针)的数目相应的印刷电路板150。每一印刷电路板150都有一个连接器160，以接受操作板120的相应接触端子121。“蛙状”环130装在操作板120上，以精确地确定对应于基片支承架400的接触位置。蛙状环130有大量的接触针141，如ZIF连接器或弹簧针，通过同轴电缆124连接到接触端子121。
如图2所示，测试头100放在基片支承架400的上面，并通过接口元件140机械连接和电连接到基片支承架上。在基片支承架400中，被测半导体晶片装在卡盘180上。在本例中，探针卡170装在被测半导体晶片300的上面。探针卡170具有大量的探针接触器(如悬臂或针)190与接触目标如被测半导体晶片300上的IC电路的电路端子或接触垫接触。
探针头170的电端子或接触座(接触垫)与蛙状环130上的接触针141电连接。接触针141还通过同轴电缆124与操作板120的接触端子121连接，每一接触端子121连接到测试头100的印刷电路板150。而且，印刷电路板150通过电缆110与半导体测试系统连接，电缆110具有比如几百根内部电缆。
在这种结构下，探针接触器190接触卡盘180上的半导体晶片300的表面(接触目标)，施加测试信号到半导体晶片300，并接收来自晶片300的最终输出信号。将来自被测半导体晶片300的最终输出信号与由半导体测试系统产生的期望数据进行比较，从而确定半导体晶片300上的IC电路是否正常工作。
图3是图2中探针卡170的底视图。在本例中，探针卡170有一环氧树脂环，上面装有多个探针接触器190，也称针或悬臂。当图2中装有半导体晶片300的卡盘180向上移动时，悬臂190的尖端接触晶片300上的垫或突起(接触目标)。悬臂190的端部与导线194连接，导线194再与形成在探针卡170中的传输线(未示出)连接，传输线与多个电极(接触垫)197连接，这些电极与图2中的弹簧针141连通。
通常，探针卡170由多层聚酰亚胺基片构成，基片具有接地层、电源层，在许多层上的信号传输线。如本技术领域所公知的那样，每一信号传输线设计成具有一特征阻抗如50欧姆，以在探针卡170中平衡分布参数，即聚酰亚胺的介电常数和磁导率、信号通路的电感和电容。这样，信号线就是建立高频传输带宽的阻抗匹配线路，以提供稳态电流给晶片300，以及由器件的输出切换产生瞬态高电流峰值。为了消除噪音，电源层和接地层之间的探针卡170上安装了电容器193和195。
图4中给出了探针卡170的等效电路，以说明在图3的探针卡中高频性能的局限性。如图4A和4B所示，探针卡170上的信号传输线从电极197、阻抗匹配的条状线196、导线194和针或悬臂(接触构件)190上伸出。由于导线194和针190不是阻抗匹配的，这些部分在图4C中所示的高频带上起电感L的作用。因为导线194和针190的总长度约为20-30毫米，在测试被测器件的高频性能时，该电感将导致明显的局限性。
其它限制探针卡170中的频率带宽的因素存在于图4D和4E所示的电源和接地针中。因为用于供电(图4D)的串联连接的导线194和针190、以及用于把电源和信号(图4E)接地的串联连接导线194和针190与上面提到的电感器是等效的，高频电流受到严重限制。
而且，为了滤除电源线中的噪音或脉冲，以保证被测器件的适当性能，在电源层和接地层之间安装了电容器193和195。电容器193具有相当大的值，比如10μF，并且如果需要，能通过开关从电源线上断开。电容器195具有相当小的电容值，比如0.01μ，并且与被测器件(DUT)紧密地固定连接在一起。这些电容器在电源线上起高频去耦作用。换言之，电容器限制了探针接触器的高频性能。
因此，上面提到的、应用最广泛的探针卡限于大约200MHz的频率带宽，对测试现在的半导体器件来说这是不够的。在工业上，一般认为在不久的将来需要与测试器的容量相匹配的频率带宽，目前该带宽大约是1GHz或更高。而且，工业上期待探针卡能够以平行的方式处理大量的半导体器件，尤其是存储器，比如32个或更多，以提高测试数量。
在传统技术中，探针卡，如图3所示，是手工制作的，导致质量不一致。这种不一致的质量包括尺寸、频率带宽、接触力和电阻等方面的波动。在传统的探针接触器中，另一个使接触性能不可靠的因素是温度变化，因为探针接触器和被测半导体晶片具有不同的温度膨胀系数。这样，在温度变化时，它们之间的接触位置变化了，这反过来影响接触力、接触电阻和带宽。因此，就需要一种新概念的接触构件，它能够满足下一代半导体测试技术的要求。
                      发明的概述
因此，本发明的目的是提供一种接触构件，它具有大量的接触器，用于与接触目标电接触，具有高频带宽、高引脚数和高接触性能以及高可靠性。
本发明的另一个目的是提供一种接触构件，比如探针卡，为测试半导体器件等建立电连接，具有甚高频带宽，以满足下一代半导体测试技术的测试要求。
本发明的又一个目的是提供一种接触构件，在比如测试半导体器件的应用中建立电连接，它适合同时平行地测试大量的半导体器件。
本发明的再一个目的是提供一种接触构件及其组件机构，以组装多个接触构件，形成期望尺寸的探针接触组件，具有期望数量的接触器安装在探针接触组件上。
本发明还有一个目的是提供一种方法，该方法在硅基片上以二维方式生产大量接触器，从基片上去除接触器，将接触器以三维方式安装在一个接触基片上，以形成一个接触构件。
本发明再有一个目的是提供一种方法，该方法在硅基片上以二维方式生产大量接触器，将接触器转移到粘合剂带上，并从粘合剂带上取下接触器，并将该接触器垂直安装在接触基片上，以形成接触构件。
在本发明中，一种用于测试被测器件的接触构件是在硅基片的平面上形成的大量接触器，这些接触器是利用半导体制造工艺中使用的光刻方法制成的。本发明的接触构件还能够用作电子器件的某一部分，比如IC引线和引脚。
本发明的第一个方面是，接触构件与接触目标建立电连接。接触构件是由接触基片和多个接触器形成的，基片上的每个接触器实质上是直线形状的。接触器包括：一个尖部，该尖部是在垂直方向突出的，以形成接触点；一个基部，该基部插入接触基片上的通孔中，以致于接触器的一端在接触基片的底表面上，当电连接时，起接触垫的作用；以及一个在尖部和基部之间的弹簧部，它在接触器压向接触目标时产生一个弹性接触力。
本发明的另一个方面是一种方法，该方法在硅基片上以二维方式生产接触器，从基片上去除接触器，从而形成接触构件。该生产方法包括下列步骤：
(a)在硅基片的表面上形成一个牺牲层；
(b)在牺牲层上形成一个光致抗蚀剂层；
(c)对齐在光致抗蚀剂层上的光掩模，并通过光掩模用紫外光使光致抗蚀剂层曝光，光掩模具有接触器的图形；
(d)显影，在光致抗蚀剂层的表面上形成接触器的图形；
(e)利用电镀工艺，在光致抗蚀剂层的图形内，形成接触器的第一层，接触器由导电材料制成；
(f)在接触器的第一层上重复上面的步骤(b)-(e)，形成接触器的第二层或更多层；
(g)剥掉光致抗蚀剂层；
(h)利用蚀刻工艺去除牺牲层，这样接触器与硅基片分离；和
(i)将接触器安装在一个具有通孔的接触基片上，所述的通孔用来接受接触器的端部，这样每个接触器的至少一端为电连接起接触垫的作用。
本发明的再一个方面是另一种生产方法，该方法在硅基片上以二维方式生产接触器，再将接触器转移到粘合剂带上，并从粘合剂带上取下接触器，从而形成接触构件。该生产方法包括下列步骤：
(a)在硅基片的表面上形成一个牺牲层；
(b)在基片的牺牲层上形成一个光致抗蚀剂层；
(c)对齐在光致抗蚀剂层上的光掩模，并通过光掩模用紫外光使光致抗蚀剂层曝光，光掩模具有接触器的图形；
(d)显影，在光致抗蚀剂层的表面上形成接触器的图形；
(e)利用电镀工艺，在光致抗蚀剂层的图形内，形成接触器的第一层，接触器由导电材料制成；
(f)在接触器的第一层上重复上面的步骤(b)-(e)，形成接触器的另一层；
(g)剥掉光致抗蚀剂层；
(h)将粘合剂带放置在接触器上，以致于使接触器的上表面附着在粘合剂带上；
(i)通过蚀刻工艺去除牺牲层，以致于使粘合剂带上的接触器与硅基片分离；和
(j)将接触器安装在一个具有通孔的接触基片上，所述的通孔接受接触器的端部，其中，每个接触器的至少一端为电连接起接触垫的作用。
本发明的又一个方面是又一种生产方法，该方法在硅基片上以二维方式生产接触器，将接触器转移到粘合剂带上，并从粘合剂带上取下接触器，从而形成接触构件。该生产方法包括下列步骤：
(a)在介电基片上形成一个导电基片，该导电基片由导电材料制成；
(b)在导电基片上形成一个光致抗蚀剂层；
(c)对齐在光致抗蚀剂层上的光掩模，并通过光掩模用紫外光使光致抗蚀剂层曝光，光掩模具有接触器的图形；
(d)显影，在光致抗蚀剂层的表面上形成接触器的图形；
(e)利用电镀工艺，在光致抗蚀剂层的图形内，形成接触器的第一层，接触器由导电材料制成；
(f)在接触器的第一层上重复上面的步骤(b)-(e)，形成接触器的另一层；
(g)剥掉光致抗蚀剂层；
(h)将具有接触器的导电基片从介电基片上剥去；
(i)将粘合剂带放置在导电基片的接触器上，以致于使接触器的上表面附着在粘合剂带上，其中，接触器与粘合剂带之间的粘合强度大于接触器与导电基片之间的强度；
(i)剥去导电基片，以致于使粘合剂带上的接触器与导电基片分离；和
(k)将接触器安装在一个具有通孔的接触基片上，这样，接触器的一端从接触基片的相对表面上突出来。
本发明再有一个方面是一个包括本发明接触构件的探针接触组件。该探针接触组件这样构成：一个接触基片，在该接触基片上安装有多个接触器；一个探针卡，用于安装接触基片，并且在接触器和探针卡上的电极之间建立电连接；和一个引脚块，其上具有多个接触引脚，当引脚块固定到探针卡时，作为接口安装在探针卡和半导体测试系统之间。
接触器垂直安装在一个接触基片的水平表面上，每个接触器实质上为直线形状。每个接触器包括：一个尖部，该尖部是在垂直方向突出的，以形成接触点；一个基部，该基部插入接触基片上的通孔中，这样，接触器的一端在接触基片的底表面上，当电连接时，起接触垫的作用；以及一个在尖部和基部之间的弹簧部，它在接触器压向接触目标时产生一个弹性接触力。弹簧部分具有一个弯曲的、倾斜的弯折形或为Z字形，以产生接触力，基部的上表面从接触基片的表面突出来，在与外部元件的电连接时，起接触垫的作用。
根据本发明，接触构件具有一个甚高频带宽，以满足下一代半导体技术的测试要求。由于大量的接触器不用手工处理，同时产生在基片上，有可能实现在接触性能方面一致的质量、高可靠性和长寿命以及低成本。而且，因为接触器组装在与被测器件的基片相同的基片材料上，所以能够补偿温度变化引起的位置误差。
再有，根据本发明，生产工艺能够通过采用相当简单的技术在硅基片的水平方向上生产大量的接触器。这样的接触器能从基片上取下，并以垂直方向安装在一个接触基片上。按本发明生产的接触构件成本低、效率高，并具有高的机械强度和可靠性。
                   附图的简要说明
图1是示意图，表示基片支承架和带有测试头的半导体测试系统之间的结构关系。
图2是一个示意图，表示通过接口元件把半导体测试系统的测试头连接到基片支承架的详细结构的一个例子。
图3是探针卡的一个例子的底视图，该探针卡有一环氧树脂环，用于安装多个传统技术的探针接触器(针或悬臂)。
图4A-4E是图3中探针卡的等效电路的电路图。
图5是一个示意图，表示采用在水平方向产生在硅基片上的接触器并垂直安装在接触基片上的本发明接触构件的一个例子。
图6是示意图，表示采用在水平方向产生在硅基片上的接触器并垂直安装在接触基片上的本发明接触构件的另一个例子。
图7是示意图，表示采用在水平方向产生在硅基片上的接触器并垂直安装在接触基片上的本发明接触构件的再一个例子。
图8A和8B是示意图，表示本发明的生产方法的基本构思，其中，大量的接触器形成在一个硅基片的平面上，并由后续工艺从其上去除。
图9A-9I是示意图，表示在本发明的生产工艺中所生产的和用在本发明的接触构件中的接触器的形状的例子。
图10A和10B是示意图，表示本发明的接触器的特别例子，其中，图10A是接触器的正视图，图10B是接触器的侧视图。
图11A和11B是示意图，表示本发明的接触器的另一个特别例子，其中，图11A是接触器的正视图，图11B是接触器的侧视图。
图12A和12B是示意图，表示表示本发明的接触器的再一个特别例子，其中，图12A是接触器的正视图，图12B是接触器的侧视图。
图13A和13B是示意图，表示表示本发明的接触器的还有一个特别例子，其中，图13A是接触器的正视图，图13B是接触器的侧视图。
图14A-14L是示意图，表示本发明的生产接触器的生产工艺的一个例子。
图15A-15D是示意图，表示本发明的生产接触器的生产工艺的另一个例子。
图16A-16N是示意图，表示在基片的水平方向生产接触构件并转移接触器到中间板的工艺的一个例子。
图17A和17B是示意图，表示在一个基片比如多层硅基片上拾起和放置接触器以生产本发明的接触构件的拾起和放置机构和其工艺的一个例子。
图18是一个剖面图，表示探针接触组件的一个例子，其中采用本发明的接触构件作为被测半导体器件和半导体测试系统的测试头之间的接口。
图19是一个剖面图，表示探针接触组件的另一个例子，其中采用本发明的接触构件作为被测半导体器件和半导体测试系统的测试头之间的接口。
图20是一个剖面图，表示探针接触组件的再一个例子，其中采用本发明的接触构件作为被测半导体器件和半导体测试系统的测试头之间的接口。
图21是一个示意图，表示具有多层标准硅基片的本发明的接触构件和通过本发明的生产工艺生产的接触器的一个例子。
图22是一个透视图，表示本发明的多个接触构件，每个具有多个接触器，相互组装以构成一个期望尺寸的探针接触组件。
图23是一个本发明接触构件的透视图，其中，数个接触基片相互连接，以建立一个具有期望尺寸、形状和接触器数目的探针接触组件。
                优选实施例的详细描述
图5-7表示本发明的接触构件的例子。每个接触构件由一个接触基片20和接触器30所构成。在图5的例子中，每个接触器301实质上在垂直方向延伸，并被形成：一个基部，该基部连接到接触基片20；一个接触点，最好是尖的；和一个在基部和接触点之间的弯折形部分，以起一个接触弹簧的作用。
在图6的例子中，每一接触器302实质上在垂直方向延伸，并被形成：一个基部，与接触基片20连接；一个接触点，它被分成两个或更多的点，并最好成尖形；和一个在基部和接触点之间的Z字形部分，以起一个接触弹簧的作用。
在图7的例子中，每个接触器303实质上在垂直方向延伸，具有一个钩形，并被形成：一个基部，与接触基片20连接；一个接触点，最好成尖形，并定位在水平方向；和一个在基部和接触点之间的弯曲部分，以起一个接触弹簧的作用。
图5-7中的每个接触器，当接触构件压向半导体晶片或印刷电路板300上的接触垫320时，通过一个弹簧力产生接触力，该弹簧力主要来自水平弯曲部分，即接触器的弯折形，Z字形或弯曲部分。接触压力还在靠着接触垫320的接触器(接触点)的端部产生一种摩擦效果。这样一种摩擦效果当接触点摩擦接触垫的氧化物表面时，促进接触性能的改善，从而，与氧化物表面下的接触垫320导电材料电接触。
应当注意到：接触器301，302和303能根据本发明被相互交换地使用和生产，尽管接触构件及其生产方法将只是相对于接触器的一个或者两个而被描述。而且，本发明的接触器的其它不同类型还将参考图9-13在下面描述，尽管将只对接触器的有限类型作出详细的描述。由于表示在图5-7和9-13中的本发明的接触器是垂直地、而不是以倾斜方式被安装在接触基片的水平表面上，所以大量的接触器能被安装在接触基片的有限空间内。
图8A和8B表示本发明生产这种接触器的基本思想。在本发明中，如图8A所示，接触器30在水平方向，即以一种两维方式产生在一个基片40的平面上，该基片是一个硅基片或其它介电基片。然后，接触器30从该基片30上去除，并以垂直方向，即以一种三维方式安装在图5-7中的接触基片20上，比如一种印刷电路板、IC芯片、或其它接触机构。
在图8的例子中，以水平方向在一个硅或其它介电基片的平面上产生的接触器30从基片40转移到一个粘合剂构件90，比如一种粘合剂带，粘合剂膜或粘合剂板(以下通称“粘合剂带”或“中间板”)。在粘合剂带上的接触器30从其上去除，并以垂直方向，即以一种三维方式，采用拾起和放置机构安装在图5-7中的一个接触基片上，比如一种印刷电路板、IC芯片、或其它接触机构。
图9A-9I表示本发明的接触器的不同形状安装在如图5-7所示方式中的接触基片上的例子。在图9A-9E的例子中，具有一个在一端的扁平基部和一个在另一端的接触尖端，所述的基部从图5-7中接触基片20的上表面突出。图9A-9E的接触端具有不同的形状，以与接触目标的表面实现低接触阻力地接触。图9D的例子具有一个弹簧状的接触尖端，以在垂直方向取得弹性。在形成一个探针组件中，当接触器接触接触目标时，导电弹性体最好被用来在垂直方向产生一个有弹性的弹簧力或弹性，这将参考图19来描述。
在图9F-9I的例子中，具有一个在基部上的三角形顶部，该顶部从图5-7的接触基片的上表面突出来。图9A-9I的每个接触器作为一个整体实质上是直线形的，并相对于接触基片的水平表面来说实质上是被垂直安装。与图9A-9E的例子相似，图9F-9I的接触尖部具有不同的形状，以与接触目标的表面实现低接触阻力地接触。在形成一个探针组件过程中，当接触器接触接触目标时，一个导电弹性体最好被用来在垂直方向产生一个缓冲弹簧力或弹性，这将参考图19来描述。
图10A和10B表示本发明的接触器的特别例子，其中，图10A是其正视图，图10B是其侧视图。图10的接触器具有：一个带上端的基部，当安装在基部时，该上端从图5-7中的接触器基片20的上表面突出；一个在下端的接触部，该下端具有一个接触点，以与接触目标的表面接触；以及一个在基部和接触部之间的直线体部，它将插入图5-7的接触基片中。接触部是弯折形或Z字形，以在压着接触目标时起一种弹簧的作用。
在图10A的正视图中，基部向左和右方向延伸。在图10B的侧视图中，接触部比直线体部或基部更细，以容易变形，因而当压着接触目标时产生弹性弹簧力。因为两者厚度不同，即接触部较薄，体部和基部较厚，所以导电材料被沉积两次或两次以上，以便在接触器的生产过程中形成两层或两层以上。在图10的接触器中，例如尺寸为：a＝1050.00μm，b＝330.00μm，c＝200.00μm，d＝50.00μm，e＝150.00μm，f＝20.00μm，g＝50.00μm，和h＝20.00μm。
图11A和11B是示意图，表示本发明的接触器的另一个特别例子，其中，图11A是其正视图，图11B是其侧视图。图11的接触器具有：一个带上端的基部，当安装在基部时，该上端从图5-7中的接触基片20的上表面突出；一个在下端的接触部，该下端具有一个接触点，以与接触目标的表面接触；以及一个在基部和接触部之间的直线体部，它将插入图5-7的接触基片中。接触部是弯折形或Z字形，以在压着接触目标时起一种弹簧的作用。
在图11B的侧视图中，基部的厚度最大，以增加顶部面积，并接触外部元件，例如图18-20所示的探针卡。还有，在图11B的侧视图中，接触部的大小比直线体部或基部更薄，以容易变形，因而当压着接触目标时产生弹性弹簧力。因为包含三种不同厚度，即接触部的第一厚度，体部的第二厚度，和基部的第三厚度，所以导电材料在接触器生产过程中要沉积三次或三次以上。在图11的接触器中，例如尺寸为：a＝1000.00μm，b＝1,330.00μm，c＝200.00μm，d＝50.00μm，f＝20.00μm，g＝80.00μm，h＝20.00μm，i＝50.00μm。
图12A和12B是示意图，表示本发明的接触器的再一个特别例子，其中，图12A是其正视图，图12B是其侧视图。图12的接触器具有：一个带上端的基部，当安装在基部时，该上端从图5-7中的接触基片20的上表面突出；一个在下端的接触部，该下端具有一个接触点，以与接触目标的表面接触；以及一个在基部和接触部之间的直线体部，它将插入图5-7的接触基片20中。接触部是弯折形或Z字形，以在压着接触目标时起一种弹簧的作用。
在图12A的正视图中，基部向左和右方向延伸。在图12B的侧视图中，接触部比直线体部或基部更细，以容易变形，因而当压着接触目标时产生弹性弹簧力。本例的接触器的厚度比图10和11的例子的接触器的厚度要小得多。因为包含两种不同的厚度，即导电材料能被沉积两次或两次以上，从而在接触器的生产过程中形成两层或两层以上。在图12的接触器中，例如尺寸为：a＝1050.00μm，b＝330.00μm，c＝200.00μm，d＝50.00μm，e＝150.00μm，f＝10.00μm，g＝50.00μm，和h＝10.00μm。
图13A和13B是示意图，表示本发明的接触器的还有一个特别例子，其中，图13A是其正视图，图13B是其侧视图。图13的接触器具有：一个带上端的基部，当安装在基部时，该上端从图5-7中的接触器基片20的上表面突出；一个在下端的接触部，该下端具有一个接触点，以与接触目标的表面接触；以及一个在基部和接触部之间的直线体部，它将插入图5-7的接触基片20中。接触部具有带两个类似弹簧的环的独特形状，以在压着接触目标时产生一种接触力。
在图13A的正视图中，基部向左和右方向延伸。在图13B的侧视图中，接触部比直线体部或基部更细，以容易变形，因而当压着接触目标时产生弹性弹簧力。因为包含两种不同的厚度，所以导电材料可以被沉积两次或两次以上，以便在接触器的生产过程中产生不同的厚度。在图13的接触器中，例如尺寸为：a＝1050.00μm，b＝500.00μm，c＝200.00μm，d＝50.00μm，e＝150.00μm，f＝20.00μm，g＝50.00μm，和h＝20.00μm。
图14A-14L是示意图，表示为生产本发明的接触器30(比如图7的接触器303)的生产工艺的一个例子。在图14A中，一牺牲层42形成在一个基片40上，该基片通常是一个硅基片。其它的介电基片也是可行的，比如玻璃基片和陶瓷基片。牺牲层42，比如由二氧化硅(SiO2)通过沉积工艺，比如化学气相沉积(CVD)而制成。牺牲层42是为了在生产工艺的后续步骤将接触器30与硅基片分离。粘附促进层44通过比如一种蒸发工艺形成在牺牲层42上，如图14B所示。粘附促进层44的材料的例子包括铬(Cr)和钛(Ti)，其厚度比如大约是200-1,000埃。粘附促进层44是有利于图14C的导电层46粘附在硅基片40上。导电层46由比如厚度大约为例如1,000-5,000埃的铜(Cu)或镍(Ni)形成的。导电层46是为后续步骤的电镀工艺建立电传导性。
在下一步工艺中，在导电层46上形成光致抗蚀剂层48，在该导电层46的上面，一个光掩模50精确地被对准，以在紫外(UV)光下曝光，如图14D所示。光掩模50上具有一个接触器30的二维图形，该图形将被显影在光致抗蚀剂层48上。众所周知，在本领域中，正和负的光致抗蚀剂都能用于这种目的。如果使用正片抗蚀剂，则由掩模50的不传导部分覆盖的光致抗蚀剂在曝光后将变硬(固化)。光致抗蚀剂材料例如包括酚醛树脂(M-甲酚-甲醛)、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、SU-8和光敏聚酰亚胺。在显影工艺中，抗蚀剂的曝光部分能被溶解和洗掉，留下图14E的光致抗蚀剂层48具有一个开口或图形“A”。这样，图14F的顶视图表示在光致抗蚀剂层48上的图形或开口“A”，该抗蚀剂层具有接触器303的图形(形状)。
在前面的光刻工艺中，替代UV光，在现有技术中还可用电子束或X射线曝光光致抗蚀剂层48。而且，还可用直接写电子束、X射线或光源(激光)通过曝光光致抗蚀剂层48将接触构件的图形直接写在光致抗蚀剂层48上。
接触器材料比如铜(Cu)、镍(Ni)、铝(Al)、铑(Rh)、钯(Pd)、钨(W)或其它金属，镍-钴(NiCo)或其它合金组合物被沉积(电镀)在光致抗蚀剂层48的图形“A”上，以形成接触器30，如图14G所示。最好是，接触材料不同于导电层46的材料，应该被用来区分相互的蚀刻特性，这将在后面描述。在图14G中的接触器30的多镀部分在图14H的磨削(平面化)工艺中被去除。
为了生产比如图10-13中所示的接触器，通过形成两层或两次以上的导电层，而具有不同的厚度，重复上面所述的工艺。换句话说，在形成接触器(导电材料)的第一层之后，如果必要，重复图14D-14H的工艺，以在接触器的第一层上形成第二层或更多层。
在下一步工艺中，光致抗蚀剂层48在抗蚀剂剥离工艺中被去除，如图14I所示。通常是，该抗蚀剂层48通过湿式化学工艺被去除。剥离的其它例子是丙酮基剥离和等离子氧气剥离。在图14J中，牺牲层42被蚀刻掉，这样接触器30与硅基片40分离。进行另一种蚀刻工艺，以致于粘附促进层44和导电层46从接触器30上被去除，如图14K所示。
可以选择蚀刻条件，以致于只蚀刻促进层和导电层44和46，而不会蚀刻接触器30。换言之，只蚀刻导电材料46，而不会蚀刻接触器30，如上所述，用于接触器30的导电材料必须不同于导电层46的材料。最后，接触器30与任何其它材料分离，如图14L的透视图所示。尽管在图14A-14L中的生产工艺表示只有一个接触器30，但在实际生产工艺中，如图8A和8B中所示，可同时生产大量的接触器。
图15A-15D是示意图，表示生产本发明的接触器的生产工艺的一个例子。在这一例子中，粘合剂带(中间板)90在生产工艺中被结合在一起，以便将接触器30从硅基片转移到粘合剂带90上。图15A-15D只表示生产工艺的后面部分，其中，包含了粘合剂带90。
图15A表示一种与图14I中的工艺等效的工艺，其中，光致抗蚀剂层48在抗蚀剂剥离工艺中被去除。然后，还是在图15A的工艺中，粘合剂带(中间板)90被放置在接触器30的上表面上，这样，接触器30粘附到粘合剂带90上。如上所述，参考图8B，在本发明的范围内，粘合剂带(中间板)90包括粘合剂元件的其它类型，比如粘合剂膜和粘合剂板等。粘合剂带90还包括任何吸引接触器30的元件，比如磁铁板或带，带电板或带等。
在图15B所示的工艺中，牺牲层42被蚀刻掉，这样在粘合剂带90上的接触器30与硅基片40分离。另一种蚀刻工艺被进行，这样粘附促进层44和导电层46就从接触器30上去除，如图15C所示。
如上所述，为了蚀刻导电层46，而不蚀刻接触器30，接触器30所用的导电材料必须与导电层的材料不同。尽管在图15A-15C中的生产工艺只示出了一个接触器，但在实际生产工艺中，大量的接触器同时被生产。这样，大量的接触器30被转移到粘合剂带90上，并与硅基片和其它材料分离，如图15D的顶视图所示。
图16A-16N是示意图，表示生产被转移到粘合剂带或中间板的接触器30的生产工艺的另一个例子。在图16A中，电镀种子(seed)(导电)层342形成在一个基片340上，该基片通常是硅或玻璃基片。种子层342由比如铜(Cu)或(Ni)制成，厚度比如大约是1,000-5,000埃。铬-铬镍铁合金层344比如通过溅射工艺形成在种子层342上，如图16B所示。
在图16C所示的下一步工艺中，导电基片346形成在铬-铬镍铁合金层344上。导电基片346由比如镍-钴(NiCo)制成，厚度大约是100-130μm。在钝化导电基片346之后，厚度大约是100-120μm的光致抗蚀剂层348形成在图16D中的导电基片346上，并且一个光掩模350被精确地对准，这样，用紫外(UV)光使光致抗蚀剂层348曝光，如图16E所示。光掩模35上具有接触器30的二维图形，该图形将被显影在光致抗蚀剂层348的表面上。
在显影工艺中，该抗蚀剂的曝光部分能被溶解并洗掉，留下图16F所示的光致抗蚀剂层348具有从光掩模350转移的电镀图形，该光掩模具有接触器30(比如图7的接触器303)的图形(形状)。在图16G的步骤中，接触器材料被电镀在光致抗蚀剂层348上，形成电镀图形，其厚度大约是50-60μm。导电材料的一个例子是镍-钴(NiCo)。该镍-钴接触器材料将不会牢固地粘附到镍-钴制成的导电基片346上。
可以重复上述工艺，通过形成两层或两次以上的导电层，而生产如图10-13所示的具有不同厚度的接触器。换句话说，在形成接触器的第一层之后，如果必要，重复图16D-16G的工艺，以在接触器的第一层上形成第二层或更多层。
在下一步工艺中，光致抗蚀剂层348在抗蚀剂剥离工艺中被去除，如图16H所示。在图16I中，导电基片346从基片340上的铬-铬镍铁合金层344上剥去。导电基片346是一个薄的基片，在它的上面，安装的接触器30只有相当弱的粘附强度。具有接触器30的导电基片346的顶部表示在图16J中。
图16K表示一种工艺，在该工艺中，一种粘合剂带(中间板)90被放置在接触器30的上表面上。粘合剂带90和接触器30之间的粘合强度大于接触器30和导电基片346之间的粘合强度。因此，当从柔性导电基片346上去除粘合剂带90时，接触器30从基片346上被转移到粘合剂带90上，如图16L所示。图16M表示粘合剂带90的顶视图，其上具有接触器30，而图16N是一个粘合剂带90的截面视图，其上具有接触器30。
图17A和17B是示意图，表示从一个粘合剂带(中间板)90拾起接触器30并将接触器放置在接触基片20上的工艺的一个例子。图17A和17B的拾起和放置机构有利于应用到通过本发明的生产工艺所生产的接触器，这些包含粘合剂带，描述可参考图15A-15D和图16A-16N。图17A是拾起和放置机构80的主视图，表示拾起和放置操作的前一半工艺过程。图17B是拾起和放置机构80的主视图，表示拾起和放置操作的后一半工艺过程。
在这一例子中，该拾起和放置机构80包括：一个转移机构84，以拾起和放置接触器30；活动臂86和87，以使转移机构能够在X、Y和Z方向运动；台面81和82，其位置在X、Y和Z方向是可调的；以及一个监视摄像机78，其中，具有比如一个CCD图形传感器。该转移机构84包括一个吸入臂85，它完成接触器30的吸入(拾起)操作和吸入释放(放置)操作。该吸入力比如通过负压如真空来产生。该吸入臂85按一个预定的角度比如90度旋转。
在操作中，具有接触器30的粘合剂带90和具有粘接位置32(或通孔)的接触基片被定位在该拾起和放置机构80的各自台面81和82上。如图17A所示，该转移机构80通过吸入臂85的吸入力从粘合剂带90拾起接触器30。在拾起接触器30之后，该吸入臂85，比如旋转90度，如图17B所示。这样，接触器30的方向就从水平方向向垂直方向变化。这种定向机构只是一个例子，并且本领域的技术人员知道多种其它的方法改变接触器的方向。然后，该转移机构80将接触器30放置在基片20的粘接位置32(或通孔)上。该接触器通过粘接到该表面或插入该通孔而固定到接触基片20上。
图18是一个截面视图，表示采用本发明的接触构件形成一个探针接触组件的总的组合结构的一个例子。该探针接触组件用作一个被测器件(DUT)和测试头之间的接口，如图2所示。在这一例子中，该探针接触组件包括：一个探针卡(路由板)260和一个弹簧针块(蛙状环)130，它们依次设置在接触构件的上面，如图18所示。该接触构件由数个安装在接触基片20上的接触器301所构成。每个接触器的基部35在接触基片20的上表面突出，起一个接触垫的作用。
探针卡260、弹簧块130和接触构件相互机械地和电子地连接在一起，因而形成一个探针接触组件。这样，从接触器301的接触点到测试头100，通过电缆124和操作板120(图2)形成电通路。因此，当半导体晶片300和探针接触组件相互压在一起时，在被测器件(在晶片300上的接触垫320)和测试系统之间将建立电连接。
弹簧针块(蛙状环)130与图2所示的是相同的，具有大量弹簧针作为探针卡260和操作板120之间的接口。在弹簧针的上端，电缆124，比如同轴电缆被连接，以通过操作板120将信号传输到测试头100中的印刷电路板(针电子卡)150，见图2。该探针卡260具有在其上下表面的大量电极262和265。当组装时，接触器30的基部35接触电极262。电极262和265通过内连接线263连接，扩开接触构件的间距，以满足弹簧针块130中的弹簧针的间距。
图19是一个截面视图，表示采用本发明的接触构件的探针接触组件的另一个例子。该探针接触组件用作被测器件(DUT)和测试头之间的接口，如图2所示。这个例子中，该探针接触组件包括：一个导电弹性体250，一个探针卡260，以及一个弹簧针块(蛙状环)130，它们设置在接触构件的上面。
导电弹性体250位于在接触构件和探针卡260之间。当组装时，接触器30的基部35接触导电弹性体250。导电弹性体250是通过补偿二者之间的平整度或垂直间隙的不规则来保证接触器301的基部35和探针卡260的电极262的电连接。导电弹性体250是一个在垂直方向具有大量导电线的弹性板。例如，导电弹性体250包括：一个硅橡胶板和多排金属丝。该金属丝(导线)被设置在图19的垂直方向，即与该导电弹性体250的水平板垂直。金属丝之间的间距的一个例子是0.05毫米或更小，硅橡胶板的厚度大约是0.2毫米。这样的导电弹性体由日本的Shin-Etsu Polymer Co.Ltd公司生产，能在市场上买到。
图20是一个截面视图，表示采用本发明的接触构件的探针接触组件的另一个例子。该探针接触组件基本上与图19的相同，但接触构件由数个接触构件(基片)块形成。而且，该接触基片块由数个标准基片组合在一起而形成。比如，图20的接触构件由两个接触构件(基片)块201和202，每个接触构件(基片)块由三个硅标准基片221，222和223构成。
尽管只示出了其中的一个，但数个接触器301以每个接触器301的一端插入基片22的一个通孔25(图21)的方式固定到接触基片20上。通常，接触基片22由硅晶片制成，但是其它的介电材料比如陶瓷，玻璃，聚酰亚胺等也是可行的。在优选的实施例中，接触基片22是一种具有多个标准硅晶片比如三个晶片221，222和223的多层基片，它们相互组合和粘接在一起。采用多个硅晶片的主要原因是获得接触构件的充足厚度，而不会增加机械尺寸的公差。这样，硅晶片的数目就能被自由地被选择一个或者一个以上，取决于设计中的特殊要求。标准硅晶片具有相同的厚度，但是外部形状不同，以产生啮合机构，比如齿和凹槽，如图23所示。
图21是一个截面视图，表示本发明的接触构件与图20的探针接触组件结合在一起的细节。具有弯折形或钩形的接触器301以接触器301的一端插入通孔25的方式固定到接触基片20上。在这个例子中，接触基片20是一种具有三个标准硅晶片221，222和223的多层基片，这些晶片相互组合并熔化粘接在一起。硅晶片221-223中的每个的厚度的例子是大约0.5毫米。接触器301的端部从接触基片20的底表面突出，以形成接触垫35。例如，接触垫35的大小是其宽度为0.5毫米。该接触器301具有一个凸缘状的部分34，以与通孔25中的一个台阶相配合。在接触器301的尖部的接触点最好是变尖，以促进在接触目标的表面上的清洁效果。
如图21所示，形成三层基片20并且在其上形成通孔的工艺将在下面简单地说明。首先，第二晶片222和第三晶片223比如通过硅熔化粘接被直接地粘接。然后，晶片222和223的前面和后面都被抛光，并且利用蚀刻工艺来产生穿过晶片222和223的通孔。这样的深沟蚀刻，比如采用反应气体等离子，通过反应离子蚀刻来实现。如图21所示，在第二和第三晶片222和223上通孔的大小必须比接触器30的凸缘状部分34更小，以在通孔中形成台肩。
然后，第一晶片221的前面和后面被抛光，并且利用上面所述的深沟蚀刻而形成穿过第一晶片221的通孔25。第一晶片221的通孔的尺寸比第二和第三晶片222和223的通孔大，以接受上面所述的接触器30的凸缘状部分34。第一晶片221被对齐并熔化粘接到第二和第三晶片222和223上。为了绝缘，比如，至少1微米的硅氧化物层最好生长在以这种方式生产的接触基片的整个暴露表面上。然后，接触器30被插入通孔25中，并且如果必要，利用粘合剂将接触器30固定在其中。
图22是一个透视图，表示本发明的接触构件(基片)块的一个例子，每个接触构件(基片)块具有大量的通过图8A和8B所示的工艺生产的接触器30。这个例子表示数个接触构件块20相互组装在一起，以构造一个期望大小和期望接触器数目的接触构件。在图22中，尽管每个接触构件块包括组装在一行中的接触器，但本发明的接触构件块可以包括两行或两行以上对齐的接触器，即，矩阵方式。
如上所述，本发明的特征之一是结合数个接触构件块20而生产整个接触器的尺寸大和数目多的接触构件(探针接触组件)的能力。在图22的例子中，四个接触构件20被制备并相互连接起来。尽管在图22的例子中未示出，但每个接触基片22都具有连接或啮合机构，比如，在其外缘的齿。
图23是一个由本发明的数个接触构件块形成的接触构件的透视图。在这个例子中，五个接触基片相互连接在一起，产生一个接触构件，它的整个大小是接触构件块大小的整数倍。为说明简单起见，接触器在接触基片22上未示出。通过以这样的方式结合接触基片22，所构成的接触组件的大小可以是所期望的，比如与12英寸半导体晶片的大小相当。
在这个例子中，接触基片的左和右边缘设有啮合齿55和凹槽65。齿55和凹槽65的大小与左和右边缘的大小相同，但是，齿55和凹槽65的位置按一个单位位移。这样，接触基片22的左边缘与另一个接触基片22的右边缘配合。尽管在图23中未示出，但一个突起被设置在接触基片22的远端，以插入另一个接触基片22的近端的沟槽70中。也可以不用突起和沟槽，而采用比如上面描述的在左边缘和右边缘上的齿和凹槽。接触器30将以图22所示的方式安装在基片22上的通孔25中。
根据本发明，该接触构件具有甚高频带宽，以满足下一代半导体技术的测试要求。因为大量的接触器同时产生在基片上，而不用手工处理，所以可以在接触性能方面取得一致的质量、高可靠性和长寿命。而且，因为接触器组装在与被测器件的材料相同的基片材料上，所以可以补偿温度变化引起的位置误差。还有，可以通过采用相当简单的技术在硅基片上的水平方向生产大量的接触器。通过本发明生产的接触构件成本低、效率高，并机械强度高和可靠性高。用本发明的方法生产的接触构件有利于应用于半导体晶片、封装LSI、多芯片模块的测试以及其它包括烧毁在内的测试等。
尽管只是具体地说明和描述了优选实施例，但是可以理解，根据上述教导，以及在后面所附的权利要求的范围内，对本发明可以作出多种改形和变化，而不会脱离本发明的精神和范围。

Claims (26)

1.一种用于与接触目标建立电连接的接触构件，包括：
一个接触基片，具有穿过上、下表面的通孔；和
数个接触器，由导电材料制成，并垂直安装在接触基片的水平表面上，每个接触器实质上为直线形状，并包括：一个尖部，定位在垂直方向，以形成一个接触点；一个基部，插入接触基片上的一个对应的通孔中；和一个弹簧部，位于尖部和基部之间，当接触构件被压向接触目标时，产生一个接触力；以及
其中，弹簧部具有弯曲的、倾斜的弯折或为Z字形，以产生接触力，而且基部的上表面从接触基片的表面突起，在与外部元件电连接时，起接触垫的作用。
2.根据权利要求1所述的用于与接触目标建立电连接的接触构件，其中，接触基片由单个或数个介电基片构成，并相互粘接在一起，接触基片上的通孔是通过蚀刻工艺制成的。
3.根据权利要求1所述的用于与接触目标建立电连接的接触构件，其中，每个接触器在其底部设有一个凸缘，以插入接触基片上的通孔中。
4.根据权利要求1所述的用于与接触目标建立电连接的接触构件，其中，接触基片由单个半导体晶片构成，晶片上产生有通孔，以安装穿过其中的接触器。
5.根据权利要求1所述的用于与接触目标建立电连接的接触构件，其中，接触基片由第一半和第二半粘接在一起的导体晶片构成，晶片上产生有通孔，以安装穿过其中的接触器。
6.根据权利要求1所述的用于与接触目标建立电连接的接触构件，其中，接触基片由三层粘接在一起的半导体晶片构成，晶片上产生有通孔，以安装穿过其中的接触器。
7.根据权利要求6所述的用于与接触目标建立电连接的接触构件，其中，接触基片的三层由第一、第二和第三半导体晶片构成，其中，第二和第三半导体晶片被粘接，通过蚀刻工艺而形成的第二通孔穿过第二和第三半导体晶片，第一通孔比第二通孔大，形成在第一半导体晶片上，以及第一半导体晶片被对齐，以匹配通孔的位置，并且第一半导体晶片粘接到第二半导体晶片上。
8.根据权利要求1所述的用于与接触目标建立电连接的接触构件，其中，接触器以水平方向产生在一个扁平基片的平面上，并从扁平基片上去除，再以垂直方向安装在接触基片上。
9.根据权利要求1所述的用于与接触目标建立电连接的接触构件，其中，接触基片的其外缘具有啮合机构，用于在任何所期望的边缘上连接其它接触基片，以形成一种任意尺寸的接触器组件。
10.根据权利要求9所述的用于与接触目标建立电连接的接触构件，其中，啮合机构包括齿和凹槽，以这样的方式设置在接触基片的外边缘：一个边缘的啮合齿和凹槽与其它接触基片的相对边缘上的啮合齿和凹槽配合，因而组装数个接触基片，以便使所获得的接触器组件具有所期望的尺寸、形状和所期望的数目的接触器。
11.根据权利要求1所述的用于与接触目标建立电连接的接触构件，其中，接触基片由硅制成。
12.根据权利要求1所述的用于与接触目标建立电连接的接触构件，其中，接触基片由包括聚酰亚胺、陶瓷和玻璃在内的介电材料制成。
13.一种生产接触构件的方法，包括下列步骤：
(a)在一个基片的表面上形成一个牺牲层；
(b)在基片上的牺牲层上形成一个光致抗蚀剂层；
(c)对齐在光致抗蚀剂层上的光掩模，并通过光掩模用紫外光使光致抗蚀剂层曝光，光掩模具有接触器的图形；
(d)显影，在光致抗蚀剂层的表面上形成接触器的图形；
(e)利用电镀工艺，在光致抗蚀剂层的图形内，形成接触器的第一层，接触器由导电材料制成；
(f)在接触器的第一层上重复上面的步骤(b)-(e)，形成接触器的另一层；
(g)剥掉光致抗蚀剂层；
(h)通过蚀刻工艺去除牺牲层和导电层，从而接触器与硅基片分离；以及
(i)将接触器安装在一个具有通孔的接触基片上，所述的通孔接受接触器的端部，从而至少每个接触器的一端为电连接起接触垫的作用。
14.一种生产接触基片的方法，包括下列步骤：
(a)在一个基片的表面上形成一个牺牲层；
(b)在基片的牺牲层上形成一个光致抗蚀剂层；
(c)对齐在光致抗蚀剂层上的光掩模，并通过光掩模用紫外光使光致抗蚀剂层曝光，光掩模具有接触器的图形；
(d)显影，在光致抗蚀剂层的表面上形成接触器的图形；
(e)利用电镀工艺，在光致抗蚀剂层的图形内，形成接触器的第一层，接触器由导电材料制成；
(f)在接触器的第一层上重复上面的步骤(b)-(e)，形成接触器的第二层或另一层；
(g)剥掉光致抗蚀剂层；
(h)将粘合剂带放置在接触器上，以致于使接触器的上表面附着在粘合剂带上；
(i)通过蚀刻工艺去除牺牲层和导电层，这样在粘合剂带上的接触器与硅基片分离；和
(j)将接触器安装在一个具有通孔的接触基片上，所述的通孔接受接触器的端部，其中，每个接触器的至少一端为电连接起接触垫的作用。
15.一种生产接触构件的方法，包括下列步骤：
(a)在介电基片上形成一个导电基片，该导电基片由导电材料制成；
(b)在导电基片上形成一个光致抗蚀剂层；
(c)对齐在光致抗蚀剂层上的光掩模，并通过光掩模用紫外光使光致抗蚀剂层曝光，光掩模具有接触器的图形；
(d)显影，在光致抗蚀剂层的表面上形成接触器的图形；
(e)利用电镀工艺，在光致抗蚀剂层的图形内，形成接触器的第一层，接触器由导电材料制成；
(f)在接触器的第一层上重复上面的步骤(b)-(e)，形成接触器的第二层或另一层；
(g)剥掉光致抗蚀剂层；
(h)将其上具有接触器的导电基片从介电基片上剥去；
(i)将粘合剂带放置在导电基片的接触器上，以致于使接触器的上表面附着在粘合剂带上，其中，在接触器和粘合剂带之间的粘合强度大于接触器和导电基片之间的强度；
(j)剥去导电基片，这样在粘合剂带上的接触器与导电基片分离；以及
(k)将接触器安装在一个具有通孔的接触基片上，以致于接触器的一端从与接触基片的相对表面突出来。
16.一种用于与接触目标建立电连接的探针接触组件，包括：
一个接触基片，在它的一个表面上安装有数个接触器；
一个探针卡，用于安装接触基片，并且在接触器和探针卡上的电极之间建立电连接；以及
一个针块，具有数个接触针，当针块固定到探针卡时，作探针卡和半导体测试系统之间的接口；
其中，接触器垂直地安装在接触表面的水平表面上，在那里，每个接触器实质上为直线形状，并且包括：一个尖部，突出在垂直方向，以形成一个接触点；一个基部，插入接触基片上的一个对应通孔中；和一个弹簧部，位于尖部和基部之间，当接触构件被压向接触目标时，产生一个接触力；以及
其中，弹簧部具有弯曲的、倾斜的弯折或为Z字形，以产生接触力，而且基部的上表面从接触基片的表面突起，在与外部元件电连接时，起接触垫的作用。
17.根据权利要求16所述的用于与接触目标建立电连接的探针接触组件，进一步包括：一个导电弹性体，设置在接触基片和探针卡之间，该探针卡用于实现接触器的基部的上表面和探针卡的电极之间的电连接。
18.根据权利要求16所述的用于与接触目标建立电连接的探针接触组件，其中，接触基片由单个或数个相互粘接在一起的半导体晶片构成，接触基片上的通孔是通过蚀刻工艺而形成的。
19.根据权利要求16所述的用于与接触目标建立电连接的探针接触组件，其中，每个接触器的底部设有一个凸缘，以插入接触基片上的通孔中。
20.根据权利要求16所述的用于与接触目标建立电连接的探针接触组件，其中，接触基片由单个半导体晶片构成，晶片上产生有通孔，以安装穿过其中的接触器。
21.根据权利要求16所述的用于与接触目标建立电连接的探针接触组件，其中，接触基片由第一半和第二半粘接在一起的半导体晶片构成，晶片上产生有通孔，以安装穿过其中的接触器。
22.根据权利要求16所述的用于与接触目标建立电连接的探针接触组件，其中，接触基片由三层粘接在一起的半导体晶片构成，晶片上产生有通孔，以安装穿过其中的接触器。
23.根据权利要求22所述的用于与接触目标建立电连接的探针接触组件，其中，接触基片的三层由第一、第二和第三半导体晶片构成，其中，第二和第三半导体晶片被粘接，通过蚀刻工艺而形成的第二通孔穿过第二和第三半导体晶片，第一通孔比第二通孔大，形成在第一半导体晶片上，以及第一半导体晶片被对齐，以匹配通孔的位置，并且第一半导体晶片粘接到第二半导体晶片上。
24.根据权利要求16所述的用于与接触目标建立电连接的探针接触组件，其中，接触器以水平方向产生在一个扁平基片的平面上，并从扁平基片上除去，再以垂直方向安装在接触基片上。
25.根据权利要求16所述的用于与接触目标建立电连接的探针接触组件，其中，接触基片的外缘具有啮合机构，用于与任何所期望的边缘的其它接触基片连接，以形成一种任意尺寸的接触器组件。
26.根据权利要求25所述的用于与接触目标建立电连接的探针接触组件，其中，啮合机构包括齿和凹槽，以这样的方式设置在接触基片的外边缘：在一个边缘的啮合齿和凹槽与在其它接触基片的相对边缘上的啮合齿和凹槽配合，因而组装数个接触基片，以便使所获得的接触器组件具有所期望的尺寸、形状和所期望的数目的接触器。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101315391B (zh) * 2007-05-28 2011-11-23 旺矽科技股份有限公司 拉伸式折叠探针
CN102998612A (zh) * 2011-09-09 2013-03-27 德州仪器公司 具有多引脚装置触点的接触器
CN104347448A (zh) * 2014-10-30 2015-02-11 南通富士通微电子股份有限公司 半导体测试治具的形成方法
CN105483805A (zh) * 2014-09-16 2016-04-13 深南电路有限公司 一种无引线电镀的装置和方法
CN107567668A (zh) * 2015-03-31 2018-01-09 精炼金属股份有限公司 制造至少一个弹簧触点针或弹簧触点针组件的方法和相应的装置
CN110888039A (zh) * 2018-09-11 2020-03-17 三星电子株式会社 探针和包括该探针的探针卡

Families Citing this family (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030038356A1 (en) * 2001-08-24 2003-02-27 Derderian James M Semiconductor devices including stacking spacers thereon, assemblies including the semiconductor devices, and methods
JP2004085261A (ja) * 2002-08-23 2004-03-18 Tokyo Electron Ltd プローブピン及びコンタクタ
US6773938B2 (en) * 2002-08-29 2004-08-10 Micron Technology, Inc. Probe card, e.g., for testing microelectronic components, and methods for making same
DE10300532B4 (de) * 2003-01-09 2010-11-11 Qimonda Ag System mit mindestens einer Test-Sockel-Vorrichtung zum Testen von Halbleiter-Bauelementen
SG124273A1 (en) * 2004-03-08 2006-08-30 Tan Yin Leong Non-abrasive electrical test contact
KR100573089B1 (ko) * 2003-03-17 2006-04-24 주식회사 파이컴 프로브 및 그 제조방법
US7628617B2 (en) * 2003-06-11 2009-12-08 Neoconix, Inc. Structure and process for a contact grid array formed in a circuitized substrate
US7244125B2 (en) * 2003-12-08 2007-07-17 Neoconix, Inc. Connector for making electrical contact at semiconductor scales
US7113408B2 (en) * 2003-06-11 2006-09-26 Neoconix, Inc. Contact grid array formed on a printed circuit board
US8584353B2 (en) * 2003-04-11 2013-11-19 Neoconix, Inc. Method for fabricating a contact grid array
US20050120553A1 (en) * 2003-12-08 2005-06-09 Brown Dirk D. Method for forming MEMS grid array connector
US7114961B2 (en) * 2003-04-11 2006-10-03 Neoconix, Inc. Electrical connector on a flexible carrier
US20100167561A1 (en) * 2003-04-11 2010-07-01 Neoconix, Inc. Structure and process for a contact grid array formed in a circuitized substrate
US7758351B2 (en) * 2003-04-11 2010-07-20 Neoconix, Inc. Method and system for batch manufacturing of spring elements
US7597561B2 (en) * 2003-04-11 2009-10-06 Neoconix, Inc. Method and system for batch forming spring elements in three dimensions
US7056131B1 (en) * 2003-04-11 2006-06-06 Neoconix, Inc. Contact grid array system
US20070020960A1 (en) * 2003-04-11 2007-01-25 Williams John D Contact grid array system
JPWO2005024994A1 (ja) * 2003-09-01 2006-11-16 康幸 尾崎 電磁コンタクト導波体とその組立体及びその製造方法並びに記録媒体
US20050227510A1 (en) * 2004-04-09 2005-10-13 Brown Dirk D Small array contact with precision working range
JP4592292B2 (ja) * 2004-01-16 2010-12-01 株式会社日本マイクロニクス 電気的接続装置
US7137831B2 (en) * 2004-03-16 2006-11-21 Alps Electric Co., Ltd. Substrate having spiral contactors
US7025601B2 (en) * 2004-03-19 2006-04-11 Neoconix, Inc. Interposer and method for making same
US20050205988A1 (en) * 2004-03-19 2005-09-22 Epic Technology Inc. Die package with higher useable die contact pad area
TWI309094B (en) * 2004-03-19 2009-04-21 Neoconix Inc Electrical connector in a flexible host and method for fabricating the same
US7347698B2 (en) * 2004-03-19 2008-03-25 Neoconix, Inc. Deep drawn electrical contacts and method for making
US7090503B2 (en) * 2004-03-19 2006-08-15 Neoconix, Inc. Interposer with compliant pins
US7199397B2 (en) * 2004-05-05 2007-04-03 Au Optronics Corporation AMOLED circuit layout
US9097740B2 (en) * 2004-05-21 2015-08-04 Formfactor, Inc. Layered probes with core
US7733101B2 (en) * 2004-05-21 2010-06-08 Microprobe, Inc. Knee probe having increased scrub motion
US7759949B2 (en) * 2004-05-21 2010-07-20 Microprobe, Inc. Probes with self-cleaning blunt skates for contacting conductive pads
US7659739B2 (en) * 2006-09-14 2010-02-09 Micro Porbe, Inc. Knee probe having reduced thickness section for control of scrub motion
USRE43503E1 (en) 2006-06-29 2012-07-10 Microprobe, Inc. Probe skates for electrical testing of convex pad topologies
US8988091B2 (en) 2004-05-21 2015-03-24 Microprobe, Inc. Multiple contact probes
US9476911B2 (en) 2004-05-21 2016-10-25 Microprobe, Inc. Probes with high current carrying capability and laser machining methods
US20060000642A1 (en) * 2004-07-01 2006-01-05 Epic Technology Inc. Interposer with compliant pins
US7354276B2 (en) * 2004-07-20 2008-04-08 Neoconix, Inc. Interposer with compliant pins
US6998859B1 (en) 2004-08-25 2006-02-14 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Test probe with side arm
US7176703B2 (en) * 2004-08-31 2007-02-13 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Test probe with thermally activated grip and release
US20060068576A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Burdick William E Jr Lithography transfer for high density interconnect circuits
US7462800B2 (en) * 2004-12-03 2008-12-09 Sv Probe Pte Ltd. Method of shaping lithographically-produced probe elements
JP4700353B2 (ja) * 2005-01-13 2011-06-15 山一電機株式会社 プローブエレメントの製造方法
JP4216823B2 (ja) * 2005-03-04 2009-01-28 田中貴金属工業株式会社 プローブピン及び該ブロ−ブビンを備えたブロ−ブカ−ド
KR100653636B1 (ko) * 2005-08-03 2006-12-05 주식회사 파이컴 수직형 프로브, 그 제조 방법 및 프로브의 본딩 방법
US20070050738A1 (en) * 2005-08-31 2007-03-01 Dittmann Larry E Customer designed interposer
US7649367B2 (en) * 2005-12-07 2010-01-19 Microprobe, Inc. Low profile probe having improved mechanical scrub and reduced contact inductance
US7357644B2 (en) * 2005-12-12 2008-04-15 Neoconix, Inc. Connector having staggered contact architecture for enhanced working range
KR100741987B1 (ko) * 2006-01-03 2007-07-23 서승환 Ｆｐｃｂ 신뢰성 검사용 니들핀과 그 제조 방법
KR100827994B1 (ko) * 2006-02-14 2008-05-08 전자부품연구원 이종 도금 결합방식을 이용한 하이브리드형 고강도 탐침 구조물 및 그 제작 방법
US7312617B2 (en) 2006-03-20 2007-12-25 Microprobe, Inc. Space transformers employing wire bonds for interconnections with fine pitch contacts
DE102006020955B4 (de) * 2006-05-05 2010-12-02 Lumberg Connect Gmbh Andruckkontakt und Andruckverbinder
DE102006052832B4 (de) * 2006-05-05 2011-07-21 Lumberg Connect GmbH, 58579 Mäanderfeder zur Anordnung zwischen zwei Elementen
US7786740B2 (en) * 2006-10-11 2010-08-31 Astria Semiconductor Holdings, Inc. Probe cards employing probes having retaining portions for potting in a potting region
US8907689B2 (en) * 2006-10-11 2014-12-09 Microprobe, Inc. Probe retention arrangement
KR100875092B1 (ko) 2006-12-21 2008-12-23 주식회사 파이컴 평판표시장치를 테스트하기 위한 프로브 및 프로브 제조방법
US7851794B2 (en) * 2006-12-28 2010-12-14 Formfactor, Inc. Rotating contact element and methods of fabrication
KR100918683B1 (ko) * 2007-03-29 2009-09-22 티에스씨멤시스(주) 연결 구조물 및 이를 포함하는 전기 검사 장치
US7514948B2 (en) 2007-04-10 2009-04-07 Microprobe, Inc. Vertical probe array arranged to provide space transformation
US8723546B2 (en) * 2007-10-19 2014-05-13 Microprobe, Inc. Vertical guided layered probe
US7671610B2 (en) * 2007-10-19 2010-03-02 Microprobe, Inc. Vertical guided probe array providing sideways scrub motion
US8230593B2 (en) * 2008-05-29 2012-07-31 Microprobe, Inc. Probe bonding method having improved control of bonding material
US8073019B2 (en) * 2009-03-02 2011-12-06 Jian Liu 810 nm ultra-short pulsed fiber laser
KR101278713B1 (ko) * 2011-03-08 2013-06-25 (주)엠투엔 프로브 카드 및 제조방법
US8641428B2 (en) 2011-12-02 2014-02-04 Neoconix, Inc. Electrical connector and method of making it
US9680273B2 (en) 2013-03-15 2017-06-13 Neoconix, Inc Electrical connector with electrical contacts protected by a layer of compressible material and method of making it
KR101496081B1 (ko) * 2014-01-06 2015-03-02 양희성 인터포저 및 반도체 디바이스 검사용 마이크로 컨택 어레이 구조체의 제조방법
US9812804B2 (en) * 2014-03-27 2017-11-07 Intel Corporation Pogo-pins for high speed signaling
KR102466151B1 (ko) * 2015-11-30 2022-11-15 삼성전자주식회사 프로브 카드 및 그를 포함하는 테스트 장치
MY175281A (en) * 2016-02-02 2020-06-18 Jf Microtechnology Sdn Bhd Kelvin contact assembly in a testing apparatus for integrated circuits
TWI642940B (zh) * 2017-09-01 2018-12-01 中華精測科技股份有限公司 探針組件及其探針結構
US11821918B1 (en) 2020-04-24 2023-11-21 Microfabrica Inc. Buckling beam probe arrays and methods for making such arrays including forming probes with lateral positions matching guide plate hole positions
US11828775B1 (en) 2020-05-13 2023-11-28 Microfabrica Inc. Vertical probe arrays and improved methods for making using temporary or permanent alignment structures for setting or maintaining probe-to-probe relationships
US11340260B2 (en) * 2019-12-24 2022-05-24 Teradyne, Inc. Probe card pad geometry in automated test equipment

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55133550A (en) * 1979-04-03 1980-10-17 Yoshie Hasegawa Probe needle
US5917707A (en) * 1993-11-16 1999-06-29 Formfactor, Inc. Flexible contact structure with an electrically conductive shell
US5829128A (en) * 1993-11-16 1998-11-03 Formfactor, Inc. Method of mounting resilient contact structures to semiconductor devices
JPH02237047A (ja) * 1989-03-09 1990-09-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体試験装置
JPH03231438A (ja) * 1990-02-06 1991-10-15 Oki Electric Ind Co Ltd プローブカード及びこれを用いたプローブ装置
JPH0459487A (ja) * 1990-06-28 1992-02-26 Daihatsu Motor Co Ltd 四輪操舵装置の制御方法
FR2703839B1 (fr) * 1993-04-09 1995-07-07 Framatome Connectors France Connecteur intermédiaire entre carte de circuit imprimé et substrat à circuits électroniques.
US5772451A (en) 1993-11-16 1998-06-30 Form Factor, Inc. Sockets for electronic components and methods of connecting to electronic components
US5527766A (en) * 1993-12-13 1996-06-18 Superconductor Technologies, Inc. Method for epitaxial lift-off for oxide films utilizing superconductor release layers
US5800184A (en) * 1994-03-08 1998-09-01 International Business Machines Corporation High density electrical interconnect apparatus and method
JPH07335701A (ja) * 1994-06-10 1995-12-22 Advantest Corp プロービング装置
JP2978720B2 (ja) * 1994-09-09 1999-11-15 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
US5486483A (en) * 1994-09-27 1996-01-23 Trw Inc. Method of forming closely spaced metal electrodes in a semiconductor device
JP3838381B2 (ja) * 1995-11-22 2006-10-25 株式会社アドバンテスト プローブカード
JPH09219268A (ja) * 1996-02-07 1997-08-19 Toshiba Chem Corp Ｉｃソケット用コンタクトピン
US5919050A (en) 1997-04-14 1999-07-06 International Business Machines Corporation Method and apparatus for separable interconnecting electronic components
JPH11233216A (ja) 1998-02-16 1999-08-27 Nippon Denki Factory Engineering Kk テスト用ｉｃソケット
US6246245B1 (en) 1998-02-23 2001-06-12 Micron Technology, Inc. Probe card, test method and test system for semiconductor wafers
SG108210A1 (en) * 1998-06-19 2005-01-28 Advantest Corp Probe contactor formed by photolithography process
JP2000150598A (ja) * 1998-11-07 2000-05-30 Tokyo Electron Ltd コンタクタ及びその製造方法
JP2000131341A (ja) * 1998-10-29 2000-05-12 Micronics Japan Co Ltd プローブカード
US5989994A (en) * 1998-12-29 1999-11-23 Advantest Corp. Method for producing contact structures
SG75186A1 (en) * 1998-11-30 2000-09-19 Advantest Corp Method for producing contact structures
JP3392079B2 (ja) * 1999-08-09 2003-03-31 日本電子材料株式会社 プローブカード
US6252415B1 (en) * 1999-09-14 2001-06-26 Advantest Corp. Pin block structure for mounting contact pins

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101315391B (zh) * 2007-05-28 2011-11-23 旺矽科技股份有限公司 拉伸式折叠探针
CN102998612A (zh) * 2011-09-09 2013-03-27 德州仪器公司 具有多引脚装置触点的接触器
CN102998612B (zh) * 2011-09-09 2017-04-12 德州仪器公司 具有多引脚装置触点的接触器
CN105483805A (zh) * 2014-09-16 2016-04-13 深南电路有限公司 一种无引线电镀的装置和方法
CN104347448A (zh) * 2014-10-30 2015-02-11 南通富士通微电子股份有限公司 半导体测试治具的形成方法
CN104347448B (zh) * 2014-10-30 2018-08-10 通富微电子股份有限公司 半导体测试治具的形成方法
CN107567668A (zh) * 2015-03-31 2018-01-09 精炼金属股份有限公司 制造至少一个弹簧触点针或弹簧触点针组件的方法和相应的装置
CN110888039A (zh) * 2018-09-11 2020-03-17 三星电子株式会社 探针和包括该探针的探针卡

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