CN1361556A - 以介质磷光粉作光变换的发光二极管 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种发光二极管(LED),包括发光构件及介质磷光粉(dielectric phosphor powder,DPP),此介质磷光粉吸收一部分由发光构件所放射的光并放射出波长不同于吸收光的光。根据本发明优选的实施例,LED包含作为发光构件的晶质半导体晶粒。介质磷光粉由晶质磷光颗粒及能隙大于3eV的近似球型介质颗粒混合物所制成(其不吸收蓝光)。DPP也可以包含磷光颗粒及气泡(或孔隙)以替代介质颗粒。DPP的气泡的能隙大于3eV,其不吸收蓝光。根据本发明优选实施例所示范的LED结构包括:封胶于环氧树的晶质半导体晶粒;连接至半导体晶片的接线;连接至接线的金属引线架;及覆盖介质磷光粉的环氧树脂封胶。此DPP由近似球型的介质颗粒及晶质磷光颗粒混合物嵌埋于环氧树脂所制成。

Description

以介质磷光粉作光变换的发光二极管
                         发明领域
本发明涉及一种发光二极管(LED)，特别是有关于一种利用介质磷光粉(dielectric phosphor powder，DPP)作光波长变换的发光二极管的制造。
                        相关技术说明
发光二极管(LED)是熟知的固态发光装置，已广泛应用于指示器、显示器及光源。如同半导体元件，LED的特征在于具有良好的烧毁率(burn-outrate)、耐振性及持久的反覆开关(ON/OFF)操作。
传统的LED一般发出光谱中的红光部分。就光波长变换来说，例如使用不同的杂质掺杂于LED以改变所放射出红光的波长。然而，上述利用杂质掺杂于LED的熟知技术无法有效地放射出所有可见光谱范围的光。
相对于红光，蓝光属于可见光谱的短波长部分。目前已开发出的技术，从LED产生较大范围的放射光以开发光谱中的蓝光部分。波长较短的蓝光，其容许从蓝色LED的放射光改变成光谱中其他颜色的放射光，包含白光。此可经由荧光或光波长变换来完成，其为吸收波长较短的光并重新放射波长较长的光的过程。
图1a示出了熟知的利用光波长变换的LED。此LED包含半导体晶粒1、接线2及3、引线架4及5、波长变换物质6以及环氧树脂封胶7。当电流经由电性连接至引线架4及5的接线2及3而施加至作为LED的发光构件的半导体晶粒1时，产生一次光(primary light)。含有特定磷光质的波长变换物质6，覆盖发光构件(即半导体晶粒1)并模制于树脂中。半导体晶粒1的n电极及p电极通过接线2及3分别连接至引线架4及5。
对于光波长变换而言，LED的有效元件为光波长变换物质6，其从半导体晶粒1部分吸收初始光并产生二次光(secondary light)。从半导体晶粒1产生光的部分(以下称作LED光)激发内含于光变换物质6中的磷光质以产生与LED光不同波长的荧光。由磷光质所放射出的荧光与LED光(其输出没有磷光质的激发)混合并放射输出。因此，LED输出具有与经由发光构件(即半导体晶粒1)放射的LED光不同波长的光。
包含于波长变换物质6中的磷光质可以是熟知的荧光材料或熟知中有用的石榴石荧光材料的微晶体。就紫外线(UV)一次光放射而言，波长转换物质6包含稠密的磷光粉。图1b示出了配合图1a中使用稠密磷光粉的熟知具有光波长变换的LED。磷光粉埋置于环氧树脂9中并稠密地沉积成薄的覆盖层于发光构件(即半导体晶粒1)的表面。就蓝色的一次光放射而言，波长转换物质6包含稀释的磷光粉。图1c示出了配合图1a中使用稀释磷光粉的熟知具有光波长变换的LED。磷光粉埋置于环氧树脂9中并以稀释比例沉积于发光构件表面，如同厚的敷层、模糊球面或平面层，或如同镜片模制于半导体晶粒1。
就光波长变换而言，熟知的LEDs(例如，公开于图1a、图1b及图1c的LED)在放射光色彩均匀性的控制上有问题。半导体晶粒1所产生的一次光会由于晶粒1的电极而被局部阻隔，使得光的每个方向或角度的放射不均匀而造成特别的放射图案。然而，光波长变换物质6中所含的磷光粉则使光均匀的放射。在放射均一性中的两冲突现象，导致经由放射角度或方向控制光色彩均一性的困难度，其导致无法控制光放射的色彩差异。
因此，在此技术中需要一种改善熟知具有光波长变换的改良式LED，特别是可以克服熟知问题的LED。
                       发明概述
本发明提供一种发光二极管(LED)，包括：发光构件以放射光和介质磷光粉(DPP)，此DPP吸收一部分通过发光构件所放射的光并放射出波长不同于吸收光的光。在LED中光散射媒介或散布媒介的运用，例如介质颗粒(任何具有能隙大于3eV的颗粒，其不会吸收光谱中的蓝光)，改善了通过LED放射光的光均一性。
在本发明的优选实施例中，LED包含晶质的半导体晶粒，作为发光构件。介质磷光粉是由近似球型的微介质颗粒与磷光颗粒混合物所制成。此球型介质微颗粒也可以由宽能隙半导体或透明介质所制成。此DPP形成散射光媒介，其折射指数、散射特性及光变换特性是由折射指数及介质颗粒半径所控制的。与没有DPP作光变换的传统LED相比，在LED中使用DPP容许LED发光构件(例如，晶质半导体晶粒)的有效的光引出、有效的光波长变换以及全部放射角的大体均匀的色彩分布和通过具有DPP的LED所产生的较宽的光放射角。
此DPP也可以包含磷光颗粒及气泡(或孔隙)以替代介质颗粒。此DPP的气泡能隙大于3eV，其不吸收光谱中的蓝光。此气泡可以是空气气泡、氮气气泡和惰性气体气泡。再者，此DPP也可以为气泡、介质颗粒及磷光颗粒的混合物。
根据另一实施例，本发明提供一种发光二极管(LED)，包括：发光构件(例如，晶质半导体晶粒)，以及介质磷光粉(DPP)，其由晶质磷光颗粒及近似球型的微介质颗粒的混合物所制成。
又根据另一实施例，本发明提供一种发光二极管(LED)，包括：发光构件(例如，一氮化铝铟镓(AlInGaN)晶质半导体晶粒)，封胶于介质磷光粉(DPP)。此DPP由微晶质氮化铝(AlN)的近似球型的微介质颗粒的混合物所制成。根据此实施例的LED也可以是白色的LED。
再根据另一实施例，本发明提供一种发光二极管(LED)，包括：发光构件，例如氮化铟镓(InGaN)半导体晶粒，封胶于介质磷光粉(DPP)。此DPP由半径在50到5000nm之间的非晶质氮化硅(Si3N4)的近似球型的微介质颗粒及半径在1000到10000nm之间的石榴石荧光材料的微晶体的混合物所制成。根据此实施例的LED也可以是白色的LED。
根据另外一个实施例，本发明提供一种发光二极管(LED)，包括：发光构件，例如氮化铟镓(InGaN)半导体晶粒，封胶于介质磷光粉(DPP)。此DPP由半径在50到5000nm之间的非晶质二氧化硅(SiO2)的近似球型的微介质颗粒及半径在1000到10000nm之间的石榴石荧光材料的微晶体的混合物所制成。根据此实施例的LED也可以是白色的LED。
又根据另外一个实施例，本发明提供一种发光二极管(LED)，包括：发光构件，例如氮化铝铟镓(AlInGaN)半导体晶粒，封胶于介质磷光粉(DPP)。此DPP由半径在50到5000nm之间的非晶质氮化镓(GaN)的近似球型的微介质颗粒及半径在1000到10000nm之间的石榴石荧光材料的微晶体的混合物所制成。根据此实施例的LED也可以是白色的LED。
根据本发明优选实施例所示范的LED结构包括：晶质半导体晶粒，封胶于环氧树脂；接线，连接至半导体晶片；金属引线架，连接至接线；以及环氧树脂封胶，覆盖介质磷光粉(DPP)。此DPP由近似球型的介质颗粒及晶质磷光颗粒混合物嵌埋于环氧树脂所制成。
                        附图简述
为使上述及本发明的其他优点与特征更明显易懂，以下特举优选实施例并参照附图作详细的说明。其中：
图1a是熟知具有光波长变换的发光二极管的示意图；
图1b是配合图1使用稠密磷光粉的熟知具有光波长变换的发光二极管的示意图；
图1c是配合图1使用稀释磷光粉的熟知具有光波长变换的发光二极管的示意图。
图1d是根据本发明的使用介质磷光粉(DPP)的光波长变换的示意图；
图2a及图2b是根据本发明另一实施例的使用介质磷光粉(DPP)的具有光波长变换的发光二极管的示意图；以及
图3a及图3b是根据本发明又一实施例的使用介质磷光粉(DPP)的具有光波长变换的发光二极管的示意图。
                        符号说明
1、10、31～半导体晶粒；
2、3、20、30、32、33～接线；
4、5、34、35、40、50～金属引线架；
6、36、60～波长变换物质；
7、37、70～封胶；
8d、120、312～石榴石荧光材料微晶体；
9、39、90～环氧树脂；
10d、110、311～介质颗粒。
                   较佳实施例的详细说明
图1d是根据本发明的使用介质磷光粉(DPP)的光波长变换的示意图，以应用于图1a的LED。图1a的波长变换物质6被介质磷光粉或DPP所取代。根据本发明的DPP是由近似球型的微介质颗粒与晶质的磷光颗粒混合物嵌埋于环氧树脂9d所制成。在LED中光散射媒介或散布媒介的运用，例如介质颗粒(任何具有能隙大于3eV的颗粒)，改善了通过LED放射光的光均匀性。嵌埋于环氧树脂9d的晶质磷光颗粒重量或体积浓度取决于环氧树脂层的厚度及磷光颗粒的尺寸及分布。磷光颗粒的浓度一般为介质磷光粉(DPP)总体积的2％到25％。根据本发明的磷光颗粒包含钆(Gd)、钇(Y)、铈(Ce)及钕(Nd)基磷光质。
介质磷光粉(DPP)是由近似球型的微介质颗粒及磷光颗粒混合物所制成。球形介质微颗粒可由宽能隙半导体或透明介质所制成。此DPP形成散射光媒介，其折射指数、散射特性及光变换特性是由折射指数及介质颗粒半径所控制。与没有DPP作光变换的传统LED相比，在LED中使用DPP容许LED发光构件(例如，晶质半导体晶粒)的有效的光引出、有效的光波长变换以及全部放射角的大体均匀的色彩分布和由具有DPP的LED所产生的较宽的光放射角。
此DPP也可以包含磷光颗粒及气泡(或孔隙)以替代介质颗粒。此DPP的气泡能隙大于3eV。气泡因其表面张力而自然地成球型，其作用是用作本发明光波长变换的光散射媒介。此气泡可为空气气泡、氮气(N2)气泡及惰性气体气泡。此气泡通过在环氧树脂9d模制期间注入对应气泡的气体而设置于环氧树脂9d上。再者，此DPP也可以为气泡、介质颗粒及磷光颗粒的混合物。
根据本发明特定实施例的LED结构，包含：晶质半导体晶粒、由近似球型的微介质颗粒及晶质磷光颗粒的混合物嵌埋于环氧树脂9d所制成介质磷光粉(DPP)，接线，连接至半导体晶粒、金属引线架，连接至接线以传输电流至半导体晶粒以及环氧树脂封胶，覆盖介质磷光粉或DPP。
在本发明的另一实施例中，此DPP是由近似球型的微晶质氮化铝(AlN)的微介质颗粒所制成。又根据本发明另一实施例，此DPP是由半径在50到5000nm之间的非晶质氮化硅(Si3N4)的近似球型的微介质颗粒及半径在1000到10000nm之间的石榴石荧光材料的微晶体的混合物所制成。在另外的实施例中，此DPP是由半径在50到5000nm之间的非晶质二氧化硅(SiO2)的近似球型的微介质颗粒10d及半径在1000到10000nm之间的石榴石荧光材料的微晶体8d的混合物嵌埋于环氧树脂9d所制成。又根据另外实施例，此DPP是由半径在50到5000nm之间的非晶质氮化镓(GaN)的近似球型的微介质颗粒10d及半径在1000到10000nm之间的石榴石荧光材料的微晶体8d的混合物嵌埋于环氧树脂9d所制成。
图2a及图2b是根据本发明另一实施例的使用介质磷光粉(DPP)的具有光波长变换的发光二极管的示意图。本发明提供一种LED，包括：发光构件及介质磷光粉(DPP)，其吸收一部分由发光构件所放射的光并放射出波长不同于吸收光的光。在本发明优选的实施例中，此LED包含一晶质半导体晶粒(氮化铟镓(InGaN)晶质半导体晶粒10)，作为发光构件。此DPP是由近似球型的介质颗粒及晶质磷光颗粒混合物嵌埋于环氧树脂70所制成。嵌埋于环氧树脂封胶90的晶质磷光颗粒重量或体积浓度取决于环氧树脂层的厚度及磷光颗粒的尺寸及分布。磷光颗粒的浓度可为体积的2％到25％。根据本发明的磷光颗粒的使用，包含钆(Gd)、钇(Y)、铈(Ce)及钕(Nd)基磷光质。特别地，此DPP波长变换物质60是由半径在50到5000nm之间的非晶质氮化硅(Si3N4)的近似球型的微介质颗粒110及半径在1000到10000nm之间的石榴石荧光材料的微晶体120的混合物嵌埋于环氧树脂90所制成。半导体晶粒10，作为LED中的发光构件，当电流经由电性连接至金属引线架40及50的接线20及30而施加于晶粒10时，产生一次光。含有DPP的波长变换物质60，覆盖发光构件(即半导体晶粒10)并模制于树脂中。半导体晶粒10的n电极及p电极通过接线20及30分别电性地连接至金属引线架40及50。
此DPP也可以包含磷光颗粒、且以气泡(或孔隙)替代介质颗粒，此DPP的气泡能隙大于3eV。气泡因其表面张力而自然地成球型，其作用是用作本发明光波长变换的光散射媒介。此气泡可为空气气泡、氮气(N2)气泡及惰性气体气泡。此气泡通过在环氧树脂90模制期间注入对应气泡的气体而设置于环氧树脂90上。再者，此DPP也可以为气泡、介质颗粒及磷光颗粒的混合物。
根据本发明特定实施例的LED结构，包含：晶质半导体晶粒10，封胶于介质磷光粉(DPP)，其由近似球型的微介质颗粒及晶质磷光颗粒的混合物嵌埋于环氧树脂90所制成，接线20及30，连接至半导体晶粒10、金属引线架40及50，连接至接线以传输电流至半导体晶粒以及环氧树脂封胶90，覆盖介质磷光粉或DPP。
用于LED中的发光构件是一氮化镓化合物半导体，能够有效激发DPP中的石榴石荧光材料。LED中的发光构件是由在半导体制备过程中的基底上形成氮化铟镓(InGaN)光放射层所制成。发光构件的结构可为同质结构(homostructure)、异质结构(heterostructure)或双异质结构(doubleheterostructure)。
在本发明特定实施例中，当电流施加于晶质半导体晶粒10时，产生波长λp在400到500nm之间的一次蓝绿光。此DPP波长变换物质60吸收此一次蓝绿光并产生波长λs在550到660nm之间的二次黄橘光。结果具有DPP的LED所出现的光是蓝绿光波长λp与黄橘光波长λs的总和，其出现人类肉眼的白光。
白光的色彩品质取决于一次蓝绿光及二次黄橘光强度比率的全部放射角的分布，并由DPP波长变换物质60来控制。DPP波长变换物质60是由半径Rs在Rs＝50到1000nm之间的非晶质氮化硅(Si3N4)的近似球型的微介质颗粒110及半径Rm在Rm＝1000到10000nm之间的石榴石荧光材料的微晶体120的混合物嵌埋于环氧树脂90所制成。Si3N4的近似球型的微介质颗粒的光散射特性强烈地取决于Rs，其中Rs＝λp/2λne，且ne＝1.3到1.5，其为环氧树脂封胶70的折射指数。此容许一次蓝绿光及二次黄橘光强度比率的角度分布及由控制非晶质Si3N4的近似球型的微介质颗粒半径Rs的LED所放射的白光品质的控制。
由于Si3N4球型颗粒的折射指数ns＝2.05接近InGaN晶质半导体晶粒10折射指数(其中nc＝2.3到2.8)与环氧树脂封胶70(其中ne＝1.3到1.5)相乘的平方根，所以根据本发明在LED中使用DPP有效地改善半导体晶粒10的一次光引出。
根据另一实施例，本发明提供一种发光二极管(LED)，包括：发光构件(例如一氮化铝铟镓(AlInGaN)晶质半导体晶粒10)，封胶于介质磷光粉(DPP)。此DPP波长变换物质60由微晶质氮化铝(AlN)的近似球型的微介质颗粒的混合物嵌埋于环氧树脂90所制成。又根据另一实施例，本发明提供一种发光二极管(LED)，包括：发光构件，例如一氮化铝铟镓(AlInGaN)晶质半导体晶粒10，封胶于介质磷光粉(DPP)。此DPP波长变换物质60由半径在50到5000nm之间的非晶质氮化镓(GaN)及半径在1000到10000nm之间的石榴石荧光材料的微晶体的混合物嵌埋于环氧树脂90所制成。
图3a及图3b是根据本发明另一实施例的使用介质磷光粉(DPP)的具有光波长变换的发光二极管的示意图。本发明提供一种LED，包括：发光构件及介质磷光粉(DPP)，其吸收一部分由发光构件所放射的光并放射出波长不同于吸收光的光。在根据本发明另一优选实施例中，此LED包含晶质半导体晶粒(氮化铟镓(InGaN)晶质半导体晶粒31)，作为发光构件。此DPP是由近似球型的介质颗粒及晶质磷光颗粒混合物嵌埋于环氧树脂37所制成。嵌埋于环氧树脂39的晶质磷光颗粒重量或体积浓度取决于环氧树脂层的厚度及磷光颗粒的尺寸及分布。磷光颗粒的浓度可为体积的2％到25％。根据本发明的磷光颗粒的使用，包含钆(Gd)、钇(Y)、铈(Ce)及钕(Nd)基磷光质。特别地，此DPP波长变换物质36是由半径在50到5000nm之间的非晶质二氧化硅(SiO2)的近似球型的微介质颗粒311及半径在1000到10000nm之间的石榴石荧光材料的微晶体312的混合物嵌埋于环氧树脂39所制成。半导体晶粒31，作为LED中的发光构件，当电流经由电性连接至金属引线架34及35的接线32及33而施加于晶粒31时，产生一次光。含有DPP的波长变换物质36，覆盖发光构件(即半导体晶粒31)并模制于树脂中。半导体晶粒31的n电极及p电极藉由接线32及33分别电性连接至金属引线架34及35。
此DPP也可以包含磷光颗粒，且以气泡(或孔隙)以替代介质颗粒，此DPP的气泡能隙大于3eV。此DPP的气泡能隙大于3eV。气泡因其表面张力而自然地成球型，其作用是用作本发明光波长变换的光散射媒介。此气泡可为空气气泡、氮气(N2)气泡及惰性气体气泡。此气泡通过在环氧树脂39模制期间注入对应气泡的气体而设置于环氧树脂39上。再者，此DPP也可以为气泡、介质颗粒及磷光颗粒的混合物。
根据本发明特定实施例的LED结构，包含：晶质半导体晶粒31，封胶于一环氧树脂37、接线32及33，连接至半导体晶粒31、金属引线架34及35，连接至接线以传输电流至半导体晶粒31以及环氧树脂封胶39，覆盖介质磷光粉(DPP)，其由近似球型的微介质颗粒及晶质磷光颗粒混合物嵌埋于环氧树脂37所制成。
根据本发明特定实施例中，当电流施加于晶质半导体晶粒31时，产生波长λp在400到500nm之间的一次蓝绿光。此DPP波长变换物质36吸收此一次蓝绿光并产生波长λs在550到660nm之间的二次黄橘光。结果具有DPP的LED所出现的光是蓝绿光波长λp与黄橘光波长λs的总和，其出现人类肉眼的白光。
白光的色彩品质取决于一次蓝绿光及二次黄橘光强度比率的全部放射角的分布，并由DPP波长变换物质36来控制。DPP波长变换物质36是由半径Rs在Rs＝50到1000nm之间的非晶质二氧化硅(SiO2)的近似球型的微介质颗粒311及半径在Rm＝1000到10000nm之间的石榴石荧光材料的微晶体312的混合物嵌埋于环氧树脂39所制成。SiO2的近似球型的微介质颗粒的光散射特性强烈地取决于Rs，其中Rs＝λp/2λne，且ne＝1.3到1.5，其为环氧树脂封胶37的折射指数。此容许一次蓝绿光及二次黄橘光强度比率的角度分布及通过控制非晶质SiO2的近似球型的微介质颗粒半径Rs的LED所放射的白光品质的控制。
其他可用于石榴石荧光材料的材料(例如图2b的120及图3b的312)包含被铈活化的石榴石荧光材料磷光质，其包含至少一种选自：钇(Y)、镥(Lu)、钪(Sc)、镧(La)、钆(Gd)及钐(Sm)的元素与至少一种选自：铝(Al)、镓(Ga)及铟(In)的元素。举例而言，例如钇铝石榴石荧光材料(YAG磷光质)被铈活化，可用于本发明的DPP中。
虽然此处所讨论的是关于LED，然而可了解到根据本发明的方法也有益于其他光源(例如平面光源，镭射二极管)。再者，虽然此处的一些讨论是关于白色LED的，但是也可以了解到根据本发明的方法也有益于其他光波长发射体。根据本发明的具DPP的LED应用领域至少包含电子学、仪表安装、电子设备和户外型显示器之一，用于汽车、航空器的显示器，或任何其他照明设备。
虽然本发明已以优选实施例的方式详细说明如上，然其实施例并非用以限定本发明于本文所公开的确切形式，任何本领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作更改与修饰，同样地，本文所公开的任何制备步骤也可以被其他达到实质相同结果的步骤所替代，因此所有包含于本发明范围内的更动，当以所附的权利要求所界定者为准。

Claims (66)

1.一种发光二极管，包括：
发光构件以放射光，以及
介质磷光粉，其吸收一部分由上述发光构件所放射的光并放射出波长不同于上述吸收光的光；
其中上述的介质磷光粉是由晶质的磷光颗粒及近似球型的微介质颗粒的混合物所制成。
2.权利要求1的发光二极管，其中所述磷光颗粒的浓度为所述介质磷光粉总体积的2％到25％。
3.权利要求1的发光二极管，其中所述发光构件选自：晶质的半导体晶粒、氮化物半导体晶粒、氮化镓半导体、晶质氮化铟镓半导体晶粒以及晶质氮化铝铟镓半导体晶粒中的一种。
4.权利要求1的发光二极管，其中通过所述介质磷光粉所放射的光是白光。
5.权利要求1的发光二极管，其中所述介质颗粒的能隙大于3eV。
6.权利要求1的发光二极管，其中所述介质颗粒不会吸收蓝光。
7.权利要求1的发光二极管，其中所述介质颗粒选自：微晶质氮化铝、非晶质氮化硅、非晶质氮化镓及非晶质二氧化硅。
8.权利要求1的发光二极管，其中所述介质颗粒选自：半径在50到5000nm之间的非晶质氮化硅、半径在50到5000nm之间的非晶质二氧化硅及半径在50到5000nm之间的非晶质氮化镓。
9.权利要求1的发光二极管，其中所述磷光颗粒是半径在1000到10000nm之间的石榴石荧光材料的微晶体。
10.权利要求1的发光二极管，其中所述磷光颗粒选自：钆、钇、铈及钕基磷光质。
11.权利要求1的发光二极管，其中所述磷光颗粒包括含有至少一种选自：钇、镥、钪、镧、钆及钐元素与至少另一种选自：铝、镓及铟元素的被铈活化的石榴石荧光材料。
12.权利要求1的发光二极管，其中所述介质磷光粉混合物还包括能隙大于3eV的气泡。
13.权利要求12的发光二极管，其中所述介质磷光粉混合物还包括不吸收蓝光的气泡。
14.权利要求1的发光二极管，其中所述磷光粉混合物还包括选自：空气气泡、氮气气泡及惰性气体气泡的孔隙。
15.一种发光二极管，包括：
发光构件以放射光，以及
介质磷光粉，其吸收一部分由所述发光构件所放射的光并放射出波长不同于所述吸收光的光；
其中该介质磷光粉是由晶质磷光颗粒及光散射媒介颗粒的混合物所制成，该光散射媒介颗粒的能隙大于3eV。
16.权利要求15的发光二极管，其中所述的媒介颗粒不吸收蓝光。
17.权利要求15的发光二极管，其中所述的媒介颗粒是介质颗粒。
18.权利要求15的发光二极管，其中所述磷光颗粒的浓度为所述介质磷光粉总体积的2％到25％。
19.权利要求15的发光二极管，其中所述发光构件选自：晶质的半导体晶粒、氮化物半导体晶粒、氮化镓半导体、晶质氮化铟镓半导体晶粒以及晶质氮化铝铟镓半导体晶粒中的一种。
20.权利要求15的发光二极管，其中由上述介质磷光粉所放射的光是白光。
21.权利要求15的发光二极管，其中所述光散射媒介颗粒选自：微晶质氮化铝、非晶质氮化硅、非晶质氮化镓及非晶质二氧化硅。
22.权利要求15的发光二极管，其中所述光散射媒介颗粒选自：半径在50到5000nm之间的非晶质氮化硅、半径在50到5000nm之间的非晶质二氧化硅及半径在50到5000nm之间的非晶质氮化镓。
23.权利要求15的发光二极管，其中所述磷光颗粒是半径在1000到10000nm之间的石榴石荧光材料的微晶体。
24.权利要求15的发光二极管，其中所述磷光颗粒选自：钆、钇、铈及钕基磷光质。
25.权利要求15的发光二极管，其中所述磷光颗粒包括含有至少一种选自：钇、镥、钪、镧、钆及钐元素与至少另一种选自：铝、镓及铟元素的被铈活化的石榴石荧光材料。
26.权利要求15的发光二极管，其中所述介质磷光粉混合物还包括能隙大于3eV的气泡。
27.权利要求15的发光二极管，其中所述介质磷光粉混合物还包括不吸收蓝光的气泡。
28.权利要求15的发光二极管，其中所述介质磷光粉混合物还包括选自：空气气泡、氮气气泡及惰性气体气泡的孔隙。
29.权利要求15的发光二极管，其中所述光散射媒介颗粒还包括选自：空气气泡、氮气气泡及惰性气体气泡的孔隙。
30.权利要求29的发光二极管，其中所述气泡不吸收蓝光。
31.权利要求15的发光二极管，还包括：
晶质半导体晶粒，其中上述晶质磷光颗粒是嵌埋于环氧树脂；
接线，连接至所述半导体晶片；
金属引线架，连接至所述接线以将电流传输至所述半导体晶粒；以及
环氧树脂封胶，覆盖上述介质磷光粉。
32.权利要求15的发光二极管，还包括：
晶质半导体晶粒，封胶于所述介质磷光粉，其中所述晶质磷光颗粒是嵌埋于环氧树脂；
接线，连接至所述半导体晶片；
金属引线架，连接至所述接线以将电流传输至所述半导体晶粒；以及
环氧树脂封胶，覆盖所述介质磷光粉。
33.一种发光二极管，包括：
晶质半导体晶粒；
介质磷光粉，由近似球型的微介质颗粒及晶质的磷光颗粒混合物嵌埋于环氧树脂所制成；
接线，连接至所述半导体晶片；
金属引线架，连接至所述接线以将电流传输至所述半导体晶粒；以及
环氧树脂封胶，覆盖所述介质磷光粉。
34.权利要求33的发光二极管，其中所述磷光颗粒的浓度为所述介质磷光粉总体积的2％到25％。
35.权利要求33的发光二极管，其中上述半导体晶粒选自：氮化物半导体晶粒、氮化镓半导体、晶质氮化铟镓半导体晶粒以及晶质氮化铝铟镓半导体晶粒中的一种。
36.权利要求33的发光二极管，其中由所述介质磷光粉所放射的光是白光。
37.权利要求33的发光二极管，其中所述介质颗粒的能隙大于3eV。
38.权利要求33的发光二极管，其中所述介质颗粒不会吸收蓝光。
39.权利要求33的发光二极管，其中所述介质颗粒选自：微晶质氮化铝、非晶质氮化硅、非晶质氮化镓及非晶质二氧化硅。
40.权利要求33的发光二极管，其中所述介质颗粒选自：半径在50到5000nm之间的非晶质氮化硅、半径在50到5000nm之间的非晶质二氧化硅及半径在50到5000nm之间的非晶质氮化镓。
41.权利要求33的发光二极管，其中所述磷光颗粒是半径在1000到10000nm之间的石榴石荧光材料的微晶体。
42.权利要求33的发光二极管，其中所述磷光颗粒选自：钆、钇、铈及钕基磷光质。
43.权利要求33的发光二极管，其中所述磷光颗粒包括含有至少一种选自：钇、镥、钪、镧、钆及钐元素与至少另一种选自：铝、镓及铟元素的被铈活化的石榴石荧光材料。
44.权利要求33的发光二极管，其中所述介质磷光粉混合物还包括能隙大于3eV的气泡。
45.权利要求33的发光二极管，其中所述介质磷光粉混合物还包括不吸收蓝光的气泡。
46.权利要求33的发光二极管，其中所述介质磷光粉混合物还包括选自：空气气泡、氮气气泡及惰性气体气泡的孔隙。
47.一种发光二极管，包括：
晶质半导体晶粒，封胶于由近似球型的微介质颗粒及晶质的磷光颗粒混合物嵌埋于环氧树脂所制成的介质磷光粉；
接线，连接至所述半导体晶片；
金属引线架，连接至所述接线以将电流传输至所述半导体晶粒；以及
环氧树脂封胶，覆盖所述介质磷光粉。
48.权利要求47的发光二极管，其中所述磷光颗粒的浓度为所述介质磷光粉总体积的2％到25％。
49.权利要求47的发光二极管，其中所述半导体晶粒选自：氮化物半导体晶粒、氮化镓半导体、晶质氮化铟镓半导体晶粒以及晶质氮化铝铟镓半导体晶粒中的一种。
50.权利要求47的发光二极管，其中由所述介质磷光粉所放射的光是白光。
51.权利要求47的发光二极管，其中所述介质颗粒的能隙大于3eV。
52.权利要求47的发光二极管，其中所述介质颗粒不会吸收蓝光。
53.权利要求47的发光二极管，其中所述介质颗粒选自：微晶质氮化铝、非晶质氮化硅、非晶质氮化镓及非晶质二氧化硅。
54.权利要求47的发光二极管，其中所述介质颗粒选自：半径在50到5000nm之间的非晶质氮化硅、半径在50到5000nm之间的非晶质二氧化硅及半径在50到5000nm之间的非晶质氮化镓。
55.权利要求47的发光二极管，其中所述磷光颗粒是半径在1000到10000nm之间的石榴石荧光材料的微晶体。
56.权利要求47的发光二极管，其中所述磷光颗粒选自：钆、钇、铈及钕基磷光质。
57.权利要求47的发光二极管，其中所述磷光颗粒包括含有至少一种选自：钇、镥、钪、镧、钆及钐元素与至少另一种选自：铝、镓及铟元素的被铈活化的石榴石荧光材料。
58.权利要求47的发光二极管，其中所述介质磷光粉混合物还包括能隙大于3eV的气泡。
59.权利要求47的发光二极管，其中所述介质磷光粉混合物还包括不吸收蓝光的气泡。
60.权利要求47的发光二极管，其中所述介质磷光粉混合物还包括选自：空气气泡、氮气气泡及惰性气体气泡的孔隙。
61.一种发光二极管，包括：
发光构件以放射光，以及
磷光颗粒与孔隙的混合物，其中所述混合物吸收一部分由所述发光构件所放射的光并放射出波长不同于所述吸收光的光。
62.权利要求61的发光二极管，其中所述孔隙选自：空气气泡、氮气气泡及惰性气体气泡。
63.权利要求61的发光二极管，其中所述孔隙的能隙大于3eV。
64.权利要求61的发光二极管，其中所述孔隙不吸收蓝光。
65.权利要求61的发光二极管，还包括：
晶质半导体晶粒，其中所述磷光颗粒嵌埋于环氧树脂；
接线，连接至所述半导体晶片；
金属引线架，连接至所述接线以将电流传输至所述半导体晶粒；以及
环氧树脂封胶，覆盖所述混合物。
66.权利要求61的发光二极管，还包括：
晶质半导体晶粒，封胶于所述混合物，其中所述磷光颗粒嵌埋于环氧树脂；
接线，连接至所述半导体晶片；
金属引线架，连接至所述接线以将电流传输至所述半导体晶粒；以及
环氧树脂封胶，覆盖所述混合物。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100394622C (zh) * 2004-04-16 2008-06-11 华上光电股份有限公司 氮化镓系发光二极管
US7560741B2 (en) 2003-02-28 2009-07-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lighting module and method for the production thereof
CN101752492A (zh) * 2002-12-20 2010-06-23 丰田合成株式会社 发光体以及使用其的光学设备
CN1748326B (zh) * 2003-02-14 2010-09-29 克里公司 掺入发光材料的发光器件及其形成方法
CN101578714B (zh) * 2007-08-03 2011-02-09 松下电器产业株式会社 发光装置
CN102468415A (zh) * 2010-11-01 2012-05-23 三星Led株式会社 半导体发光器件
US8785127B2 (en) 2003-02-26 2014-07-22 Callida Genomics, Inc. Random array DNA analysis by hybridization

Families Citing this family (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6429583B1 (en) * 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
US6635987B1 (en) * 2000-09-26 2003-10-21 General Electric Company High power white LED lamp structure using unique phosphor application for LED lighting products
KR20010000545A (ko) * 2000-10-05 2001-01-05 유태경 펌핑 층이 집적된 다 파장 ＡｌＧａＩｎＮ계 반도체ＬＥＤ 소자 및 그 제조 방법
US20020084745A1 (en) * 2000-12-29 2002-07-04 Airma Optoelectronics Corporation Light emitting diode with light conversion by dielectric phosphor powder
US6686676B2 (en) * 2001-04-30 2004-02-03 General Electric Company UV reflectors and UV-based light sources having reduced UV radiation leakage incorporating the same
US6798136B2 (en) 2001-06-19 2004-09-28 Gelcore Llc Phosphor embedded die epoxy and lead frame modifications
TW511303B (en) * 2001-08-21 2002-11-21 Wen-Jr He A light mixing layer and method
KR100923804B1 (ko) 2001-09-03 2009-10-27 파나소닉 주식회사 반도체발광소자, 발광장치 및 반도체발광소자의 제조방법
US6734465B1 (en) * 2001-11-19 2004-05-11 Nanocrystals Technology Lp Nanocrystalline based phosphors and photonic structures for solid state lighting
US6734466B2 (en) * 2002-03-05 2004-05-11 Agilent Technologies, Inc. Coated phosphor filler and a method of forming the coated phosphor filler
TWI226357B (en) * 2002-05-06 2005-01-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength-converting reaction-resin, its production method, light-radiating optical component and light-radiating semiconductor-body
US6841802B2 (en) 2002-06-26 2005-01-11 Oriol, Inc. Thin film light emitting diode
US7800121B2 (en) 2002-08-30 2010-09-21 Lumination Llc Light emitting diode component
US7224000B2 (en) 2002-08-30 2007-05-29 Lumination, Llc Light emitting diode component
JP2004128273A (ja) * 2002-10-03 2004-04-22 Sharp Corp 発光素子
US7554258B2 (en) * 2002-10-22 2009-06-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light source having an LED and a luminescence conversion body and method for producing the luminescence conversion body
TW556844U (en) * 2002-12-20 2003-10-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Lightguide plate and surface-light source
DE10261908B4 (de) * 2002-12-27 2010-12-30 Osa Opto Light Gmbh Verfahren zur Herstellung eines konversionslichtemittierenden Elementes auf der Basis von Halbleiterlichtquellen
WO2004068603A2 (en) * 2003-01-27 2004-08-12 3M Innovative Properties Company Phosphor based light source component and method of making
US20040159900A1 (en) * 2003-01-27 2004-08-19 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having front illumination
US7210977B2 (en) 2003-01-27 2007-05-01 3M Innovative Properties Comapny Phosphor based light source component and method of making
US7091661B2 (en) * 2003-01-27 2006-08-15 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a reflective polarizer
US7091653B2 (en) 2003-01-27 2006-08-15 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector
US7118438B2 (en) * 2003-01-27 2006-10-10 3M Innovative Properties Company Methods of making phosphor based light sources having an interference reflector
US7245072B2 (en) * 2003-01-27 2007-07-17 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a polymeric long pass reflector
US7312560B2 (en) 2003-01-27 2007-12-25 3M Innovative Properties Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector and method of making
US20040145312A1 (en) * 2003-01-27 2004-07-29 3M Innovative Properties Company Phosphor based light source having a flexible short pass reflector
US6974229B2 (en) * 2003-05-21 2005-12-13 Lumileds Lighting U.S., Llc Devices for creating brightness profiles
EP1515368B1 (en) * 2003-09-05 2019-12-25 Nichia Corporation Light equipment
JP4232585B2 (ja) * 2003-09-17 2009-03-04 豊田合成株式会社 発光装置
EP1529807A3 (en) * 2003-10-16 2006-01-25 Nitto Denko Corporation Epoxy resin composition for encapsulating optical semiconductor element and optical semiconductor device using the same
JP4784966B2 (ja) * 2003-11-18 2011-10-05 シャープ株式会社 半導体レーザ装置および照明装置
JP2005167091A (ja) * 2003-12-04 2005-06-23 Nitto Denko Corp 光半導体装置
JP3931239B2 (ja) * 2004-02-18 2007-06-13 独立行政法人物質・材料研究機構 発光素子及び照明器具
US20050218801A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Schang-Jing Hon Replaceable light emitting diode package assembly
EP2803898B1 (en) * 2004-05-05 2020-08-19 Rensselaer Polytechnic Institute A light-emitting apparatus
US7837348B2 (en) * 2004-05-05 2010-11-23 Rensselaer Polytechnic Institute Lighting system using multiple colored light emitting sources and diffuser element
CA2567611A1 (en) * 2004-05-28 2005-12-08 Tir Systems Ltd. Luminance enhancement apparatus and method
US20080121918A1 (en) * 2006-11-15 2008-05-29 The Regents Of The University Of California High light extraction efficiency sphere led
US7553683B2 (en) * 2004-06-09 2009-06-30 Philips Lumiled Lighting Co., Llc Method of forming pre-fabricated wavelength converting elements for semiconductor light emitting devices
TWI308977B (en) * 2004-07-07 2009-04-21 Chi Mei Optoelectronics Corp Diffuser plate, manufacturing method of diffuser plate and direct-type back light module
CN100344005C (zh) * 2004-09-02 2007-10-17 刘士龙 一种白光二极管的制造方法及其结构
KR100610278B1 (ko) 2004-12-14 2006-08-09 알티전자 주식회사 고휘도 백색발광다이오드 및 그의 제조방법
TWI249867B (en) * 2005-03-24 2006-02-21 Lighthouse Technology Co Ltd Light-emitting diode package, cold cathode fluorescence lamp and photoluminescence material thereof
CN101228641B (zh) * 2005-04-26 2013-01-02 株式会社东芝 白色led和利用该白色led的背光源以及液晶显示装置
KR101266130B1 (ko) * 2005-06-23 2013-05-27 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 단파장 ｌｅｄ들 및 다운-컨버젼 물질들로 백색광을생성하기 위한 패키지 설계
US20100207139A1 (en) * 2005-08-11 2010-08-19 Holger Winkler Photonic material having regularly arranged cavities
DE102006020529A1 (de) * 2005-08-30 2007-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
KR100693463B1 (ko) * 2005-10-21 2007-03-12 한국광기술원 2 이상의 물질을 포함하는 봉지층을 구비한 광 확산 발광다이오드
JP2007123438A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Toyoda Gosei Co Ltd 蛍光体板及びこれを備えた発光装置
EP1843400A1 (en) * 2006-03-16 2007-10-10 Centro Ricerche Plast-Optica S.r.l. Light emission device and corresponding manufacturing process
US7717569B2 (en) * 2006-04-13 2010-05-18 Nokia Corporation Projector screen with one or more markers
US20080029720A1 (en) * 2006-08-03 2008-02-07 Intematix Corporation LED lighting arrangement including light emitting phosphor
US7703942B2 (en) * 2006-08-31 2010-04-27 Rensselaer Polytechnic Institute High-efficient light engines using light emitting diodes
US7842960B2 (en) * 2006-09-06 2010-11-30 Lumination Llc Light emitting packages and methods of making same
US20080101086A1 (en) * 2006-10-26 2008-05-01 K Laser Technology, Inc. Led backlight with bare chip led
EP2087563B1 (en) * 2006-11-15 2014-09-24 The Regents of The University of California Textured phosphor conversion layer light emitting diode
US20090121250A1 (en) * 2006-11-15 2009-05-14 Denbaars Steven P High light extraction efficiency light emitting diode (led) using glass packaging
US7889421B2 (en) 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof
JP5367218B2 (ja) 2006-11-24 2013-12-11 シャープ株式会社 蛍光体の製造方法および発光装置の製造方法
TWI460881B (zh) 2006-12-11 2014-11-11 Univ California 透明發光二極體
WO2008088306A2 (en) * 2006-12-20 2008-07-24 Solid State Cooling, Inc. Thermoenergy devices and methods for manufacturing same
TW200921929A (en) * 2007-11-02 2009-05-16 Innolux Display Corp Light emitting diode
US20100149222A1 (en) * 2008-07-10 2010-06-17 Corporation For Laser Optics Research Blue laser pumped green light source for displays
US8922106B2 (en) * 2009-06-02 2014-12-30 Bridgelux, Inc. Light source with optics to produce a spherical emission pattern
US20100301728A1 (en) * 2009-06-02 2010-12-02 Bridgelux, Inc. Light source having a refractive element
US8415692B2 (en) * 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
US8723409B2 (en) * 2010-04-07 2014-05-13 Nichia Corporation Light emitting device
US9546765B2 (en) 2010-10-05 2017-01-17 Intematix Corporation Diffuser component having scattering particles
JP6069205B2 (ja) 2010-10-05 2017-02-01 インテマティックス・コーポレーションＩｎｔｅｍａｔｉｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ フォトルミネッセンス波長変換を備える発光装置及び波長変換コンポーネント
US8957585B2 (en) 2010-10-05 2015-02-17 Intermatix Corporation Solid-state light emitting devices with photoluminescence wavelength conversion
US8610341B2 (en) 2010-10-05 2013-12-17 Intematix Corporation Wavelength conversion component
US8614539B2 (en) 2010-10-05 2013-12-24 Intematix Corporation Wavelength conversion component with scattering particles
US8604678B2 (en) 2010-10-05 2013-12-10 Intematix Corporation Wavelength conversion component with a diffusing layer
JP5695887B2 (ja) * 2010-11-18 2015-04-08 スタンレー電気株式会社 光源装置および照明装置
JPWO2012132232A1 (ja) * 2011-03-31 2014-07-24 パナソニック株式会社 半導体発光装置
JP2013162020A (ja) * 2012-02-07 2013-08-19 Seiko Epson Corp 波長変換素子、光源装置及びプロジェクター
JP2013162021A (ja) 2012-02-07 2013-08-19 Seiko Epson Corp 波長変換素子、光源装置、及びプロジェクター
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
US20140185269A1 (en) 2012-12-28 2014-07-03 Intermatix Corporation Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components
TWI627371B (zh) 2013-03-15 2018-06-21 英特曼帝克司公司 光致發光波長轉換組件
KR101561102B1 (ko) * 2014-07-01 2015-10-19 주식회사 이녹스 유기전자장치용 접착필름 및 이를 포함하는 유기전자장치용 봉지재
WO2016034469A1 (en) * 2014-09-02 2016-03-10 Koninklijke Philips N.V. Light source
WO2016047970A2 (ko) * 2014-09-25 2016-03-31 코닝정밀소재 주식회사 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자
CN107346859A (zh) * 2017-07-26 2017-11-14 江苏舒适照明有限公司 一种白光光源的制备方法
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69117781T2 (de) * 1990-03-14 1996-10-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd Licht-emittierender Dünnfilm und elektrolumineszente Dünnfilmvorrichtung
US5583394A (en) * 1995-05-23 1996-12-10 Astronics Corporation, Inc. Electroluminescent lamp with registration index feature and method of making the same
US5788881A (en) * 1995-10-25 1998-08-04 Micron Technology, Inc. Visible light-emitting phosphor composition having an enhanced luminescent efficiency over a broad range of voltages
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US5925897A (en) * 1997-02-14 1999-07-20 Oberman; David B. Optoelectronic semiconductor diodes and devices comprising same
US5813752A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue LED-phosphor device with short wave pass, long wave pass band pass and peroit filters
US5847507A (en) 1997-07-14 1998-12-08 Hewlett-Packard Company Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US6429583B1 (en) * 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
US6466135B1 (en) * 2000-05-15 2002-10-15 General Electric Company Phosphors for down converting ultraviolet light of LEDs to blue-green light
US6345903B1 (en) * 2000-09-01 2002-02-12 Citizen Electronics Co., Ltd. Surface-mount type emitting diode and method of manufacturing same
US20020084745A1 (en) * 2000-12-29 2002-07-04 Airma Optoelectronics Corporation Light emitting diode with light conversion by dielectric phosphor powder
US6991847B2 (en) * 2002-02-07 2006-01-31 Honeywell International Inc. Light emitting photonic crystals

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101752492A (zh) * 2002-12-20 2010-06-23 丰田合成株式会社 发光体以及使用其的光学设备
CN1748326B (zh) * 2003-02-14 2010-09-29 克里公司 掺入发光材料的发光器件及其形成方法
US8785127B2 (en) 2003-02-26 2014-07-22 Callida Genomics, Inc. Random array DNA analysis by hybridization
US7560741B2 (en) 2003-02-28 2009-07-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lighting module and method for the production thereof
CN100394622C (zh) * 2004-04-16 2008-06-11 华上光电股份有限公司 氮化镓系发光二极管
CN101578714B (zh) * 2007-08-03 2011-02-09 松下电器产业株式会社 发光装置
CN102468415A (zh) * 2010-11-01 2012-05-23 三星Led株式会社 半导体发光器件

Also Published As

Publication number Publication date
US20020084745A1 (en) 2002-07-04
JP2002246655A (ja) 2002-08-30
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