CN1445613A

CN1445613A - 光刻装置和器件的制作方法

Info

Publication number: CN1445613A
Application number: CN03128629A
Authority: CN
Inventors: M·M·T·M·迪里希斯
Original assignee: ASML Netherlands BV
Current assignee: ASML Netherlands BV
Priority date: 2002-03-18
Filing date: 2003-03-17
Publication date: 2003-10-01
Anticipated expiration: 2023-03-17
Also published as: US6771352B2; TW200307854A; DE60326063D1; JP4099423B2; TWI226976B; US20030227603A1; JP2004128449A; KR20040002463A; KR100576750B1; CN1273871C; SG121762A1

Abstract

在使用镜的照明系统中，场小平面镜的小平面将多个源图像聚焦在光瞳小平面镜的对应小平面上来实现积分器的功能。提供一种小平面掩模装置来有选择地遮蔽光瞳小平面镜的小平面。该小平面掩模装置具有可选择插入投射束内来提供中间照明设定的栅格。该栅格具有的间距小于源图像但大于投射束的波长，以便使衍射不存在。

Description

说明书光刻装置和器件的制作方法

技术领域

本发明涉及一种光刻投射装置，包括：

用来提供投射辐射束的辐射系统，含有反射光学元件，所述反射光学元件带有用来在第二小平面镜上产生数个源图像的第一小平面镜；

用来支撑一图案化装置的支承结构，该图案化装置用以根据所需图案来使投射光束组成图案；

用来固定一基片的基片台；和

用来将形成图案的射束投射在基片目标部分上的投射系统。

背景技术

此处使用的术语“图案化装置”应当广义地理解为涉及能够使入射辐射束具有图案横截面的装置，其中的图案横截面相当于在基片目标部分要产生的图案，术语“光阀”也用于本文中。一般地，所述图案相当于准备在目标部分中产生形成的器件(device)，例如集成电路或其它器件(见下文)，内的图案特定功能层。这类图案化装置的例子包括：

掩模。掩模的概念在光刻中是公知的，它包括例如双掩模型、交替相移掩模型、衰减移相掩模型，及各种混合掩模型。根据掩模上的图案，在辐射束中这类掩模的设置引起撞击在掩模上的辐射选择性透射(在透射性掩模的情形下)或反射(在反射性掩模的情形下)。在掩模的情形中，支承结构一般是一个掩模台，它确保掩模能够被固定在入射辐射束中的所需位置处，并且，如果需要，确保掩模能够相对于光束被移动。

可编程镜阵列。这类器件的一个例子是带有粘弹性控制层和和反射面的可寻址矩阵(matrix-addressable)面。这类装置的基本原理是(例如)反射面的寻址区域反射作为衍射光的入射光，而未寻址区域反射作为非衍射光的入射光。利用合适的滤光器，所述的该非衍射光能够被从反射束中滤除，只留下衍射光；这样，根据可寻址矩阵面的寻址图案，该射束就被组成图案。可编程镜阵列的一个可选择实例采用微镜的矩阵排列，其中的每一个微镜都被通过施加合适的局部电场或使用压电致动装置而分别相对一条轴线倾斜。再一次地强调，这些镜是矩阵可寻址的，从而寻址镜将沿不同于未寻址镜的方向反射入射辐射束；这样，反射的射束就被根据可寻址矩阵镜的寻址图案来形成图案。所需的矩阵寻址可以使用合适的电子装置来完成。在上述的两种情况中，图案化装置可以包括一个或多个可编程镜阵列。有关此处提到的镜阵列的更多信息可以例如从美国专利US5296891和US55231932及PCT专利申请WO98/38597和WO98/33096获得，这些文献在此被采用作参考。在可编程反射阵列的情形中，所述支承结构例如随需要可以具体化为被固定或可移动的框架或台。

可编程LCD阵列。在美国专利US5229872中给出这类构造的一个例子，其在此被采用作参考。同上，所述支承结构可以具体化为例如随需要被固定或可移动的框架或台。

为了简化的目的，在某些部分，本文其余内容本身具体把注意力贯注于包括掩模和掩模台的实例；但是，在这些例子中所讨论的一般原理应当被理解为在如上所述图案化装置的更宽范范围内。

光刻投射装置可以用在例如集成电路(ICs)的制造中。在这种情况中，图案化装置可生成相应于IC单个层的电路图案，此电路图案可成像在已经涂有辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基片(硅片)的目标部分(例如，包括一个或多个模具)上。一般说来，单个晶片将包含相邻目标部分的整个网络(network)，其中这些相邻的目标部分由投射系统一次一个的连续辐射。在当前的装置中，通过采用掩模在掩模台上的形成图案，就可以区别出两种不同类型的机器。在一种类型的光刻投影装置中，通过将整个掩模图案一下子暴露在该目标部分上，来照射每个目标部分；这类装置通常被称作晶片分档器。在一种可选择的装置——通常被称作连续扫描装置——中，通过在投射光束下以给定基准方向(“扫描”方向)渐进地扫描掩模图案，并同时沿平行于或逆平行于该给定参考方向同步地扫描基片台，来照射每个目标部分；一般说来，由于投射系统具有放大系数M(一般＜1)，因此基片台被扫描处的速度V是掩模台被扫描处速度的M倍。从例如结合在此处以作参考的US6046792可以收集到有关此处描述的光刻装置的更多信息。

在采用光刻投射装置的制作方法中，图案(例如，在掩模中)被成像在至少部分覆盖有辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基片上。在此成像步骤之前，基片可以接受各种工艺，例如涂底漆、涂覆抗示剂及软烤(softbake)。在曝光后，基片可以经受其它的工艺，例如后曝光烘烤(PEB)、显影、硬烤(hard bake)和成像形体的测量/检查。这组工艺被用作图案形成器件的单层例如IC单个层的基础。然后，这种图案层可以经受各种处理，像蚀刻、离子注入(掺杂)、喷镀金属、氧化、化学机械抛光等，所有的这些都是用来完成一个单个层。如果需要数层，那么对于每一新层，都得重复该整个过程或者其变型。最终，一组器件就出现在基片(晶片)上。然后，通过一种诸如切割或切片的操作技术将这些器件彼此分开，由此单个的器件就可安装在与插脚(pin)等相连的载体上。从例如结合在此处以作参考的书籍“微片制作：半导体加工的实用导引”，第三版，Peter van ant，McGraw Hill出版社，1997，ISBN0-07-067250-4，可以获得有关这种加工的进一步信息。

为了简化的目的，在下文中投射系统被称作“透镜”；但是，该术语应当被广泛地理解为包含各种类型的投射系统，例如包括折射光学、反射光学和反折射系统。辐射系统包括依照用来引导、形成或控制透射辐射束的任一设计类型进行操作的部件，这些部件也可以共同地或单个地称作“透镜”。此外，光刻装置可以是具有两个或多个基片台(和/或两个或多个掩模台)的类型。在这种“多级”器件中，可以平行地使用另外的工作台，或者在一个或多个工作台被用于曝光的同时在一个或多个工作台上进行预备的步骤。例如，在US5969441和WO98/40791中描述了双级光刻装置，其被结合在此以作参考。

在光刻装置中，很重要的是，图案化装置的照明在场分布和角度分布内是均匀的，而且对于像双极和四极照明这些照明模式，所有的极是相等的。为此，在照明系统中就设置一个积分器。在使用UV或DUV曝光辐射的光刻装置中，积分器采用石英棒或所谓蝇眼透镜的形式。蝇眼透镜是一种由处于一排的很多较小透镜组成的透镜，它在照明系统的光瞳面上产生相应多数目的源图像。这些图像充当虚光源或二次光源。然而，在使用EUV曝光辐射时，因为未知任何适合于形成EUV辐射的折射光学元件的材料，所以照明系统必须由镜构成。在这种照明系统中，采用小平面镜来提供等效于蝇眼透镜的功能，例如如在US6195201、US6198793和EP0939341A中所述，其内容被结合于此以作参考。这些文献描述了一个第一或场小平面镜，该第一或场小平面镜将数个图像聚焦到第二或光瞳小平面镜上，一个小平面一个，而该第二或光瞳小平面镜引导光来适当地填充(fill)投射系统的光瞳。已经从UV和DUV光刻术知道，可以通过控制照明设定例如投射系统光瞳的充填率(通常称作σ)或控制特定照明模式例如环形、双极或四极照明的供应来改进不同类型掩模图案的成像。有关照明设定的更多信息可以从例如EP0949541A和EP1109067A获得，这些文献被结合在此以作参考。在一种具有的蝇眼解译器(Interpreter)的EUV光刻装置中，这些照明设定可以通过有选择地遮蔽一定的光瞳小平面来控制。但是，因为每个小平面上的光源位置和尺寸并不精确知道和不稳定，所以就必须同时遮蔽所有的小平面，而不是部分的小平面。因此，仅能够相当粗略地的控制这些照明设定。同时，为了提供一环形照明设定，就必须遮蔽最内的光瞳小平面，而且当在内小平面上定位遮光叶片时很难避免部分地遮蔽一个或多个外小平面。

发明内容

本发明的一个任务是提供一种带有照明系统的光刻装置，该照明系统包括对照明设定提供改进控制的反射光学元件。

上述以及其他的任务是根据本发明在一种如开始段落所描述过的光刻装置中实现的，该装置的特征在于：

小平面掩模装置用来有选择地掩蔽所述第一和第二小平面镜其中之一的一个或多个小平面，并包括有选择地插入在所述投射束内的一个局部不透明遮光叶片，所述局部不透明遮光叶片具有不透明区域和透明区域的排列，该不透明区域和透明区域的排列具有充分大的间距，使得所述投射束的衍射可以忽略不计。

通过使用一个局部不透明遮光叶片来有选择地掩蔽一个或多个小平面，来自该小平面的部分辐射就可被遮蔽而不会引起图案化装置照明中令人不满意的不均匀性，不管源图像在光瞳小平面上的精确位置的事实是否已知。这样，就能够在掩蔽和未掩蔽整个小平面之间或小平面的环之间提供中间照明设定。

间距应当相对于源图象是小的，以便被遮蔽的辐射的比例不依赖于源位置，但间距不能小得引起投射束的衍射。最好对于将EUV用作辐射源的装置，依据小平面和照明区域的尺寸，间距介于1mm至500nm的范围。

该小平面掩模装置最好还包括用于调节被遮蔽小平面面积比例的装置，例如通过将多个局部不透明叶片有选择的插入所述投射束内来进行遮蔽。这就允许多个中间照明设定，从而提供进一步的多用性。

该小平面掩模装置最好被设置临近第二(光瞳)小平面镜，因为这提供了图案化装置的最均匀照明。

本发明的第二方面提供一种如开始段落所说明的光刻装置，其特征在于：

小平面掩模装置，用来有选择地掩蔽所述第一小平面镜的一个或多个小平面。

由于来自第一(场)小平面镜一个平面的所有辐射入射到第二小平面镜的一个小平面上，因此通过有选择地遮蔽场小平面，例如通过遮蔽光瞳小平面，就能够获得等效的照明控制。然而通常并不打算控制此位置处的照明设定，例如σ，这是由于其并不是光瞳面，从而预期在此位置有选择的遮蔽会引起图案化装置照明内的不均匀性。但是，因为场和光瞳镜是小平面的，所以就能够实现有选择的掩蔽整个场小平面而不会引起不令人满意的不均匀性的损失。

排列这些小平面以便场小平面在不同位置处照射光瞳小平面，例如靠近场小平面外侧的小平面可以将辐射引向光瞳小平面镜其多个中央定位的小平面。从而，环形照明模式可被更容易地设定，而不会部分遮蔽外光瞳小平面，而且需要掩蔽难接近光瞳小平面的照明模式可被设为0。

当然，本发明第二方面的小平面掩模装置可以与第一方面的相同，而且这两个方面可被结合以有选择的掩蔽场小平面和光瞳小平面。由此，就能够独立控制环形照明模式的内半径和外半径(σ_内和σ_外)。

依照本发明的又一方面，提供一种装置的制造方法，包括步骤：

提供至少部分被辐射敏感材料层覆盖的一基片；

使用一辐射系统来提供投射辐射束，该辐射系统含有用来提供投射辐射束的反射光学元件，所述反射光学元件带有第一小平面镜，用来在第二小平面镜上产生多个源图像；

使用图案化装置来使投射束在其横截面内具有一图案；

将形成图案的辐射束投射在辐射敏感材料层的一目标部分上；

其特征在于：

通过有选择地将一个局部不透明遮光叶片插入在所述投射束内，来有选择地掩蔽所述第一和第二小平面镜其中之一的一个或多个小平面，所述局部不透明遮光叶片具有不透明区域和透明区域的排列，该不透明区域和透明区域具有充分大的间距以便所述投射束的衍射可以忽略不计。

尽管在本文中具体引用了本发明的装置在ICs制作中的使用，显然，这种装置具有许多其它可能的应用。例如，它可以被采用在集成光学系统、磁畴存储器的引导和探测、液晶显示板、薄膜磁头等中。熟练的技术人员将会理解，在这类可选择应用的范围内，文中任一使用的术语“分划板”、“晶片”或“模具”都被认为是分别对更一般术语“掩模”、“基片”和“目标部分”的替代。

在本文中，术语“辐射”和“束”被用于包含所有类型的电磁辐射，包括紫外线辐射(例如，具有365、248、193、157或126nm的波长)和EUV(远紫外线辐射，例如具有5-20nm范围内的波长)，及粒子束，像离子束或电子束。

附图说明

现在，参照示意性附图来描述本发明的实施例，所采用的方式仅仅是举例，在附图中：

图1示出根据本发明实施例的光刻投射装置；

图2描绘图1装置中照明系统的某些部件；

图3至6描绘在不同位置处本发明第一实施例的小平面掩模装置；

图7描绘一种用在本发明第一实施例中的局部不透明遮光叶片；

图8描绘本发明第二实施例照明系统的某些部件；

图9描绘本发明第二实施例的场小平面镜。

在附图中，相应的参考符号表示对应的部件。

具体实施方式实施例1

图1示意性描绘一个依照本发明特定实施例的光刻投射装置。该装置包括：

辐射系统E_x、IL，用来提供投射的辐射束PB(例如EUV辐射)，在此具体情况中该系统也包括辐射源LA；

第一目标台(掩模台)MT，设置有固定掩模MA(例如分划板)的掩模固定器，并连接在用来相对于部件(item)PL精确定位掩模的第一定位装置上；

第二目标台(基片台)WT，设置有固定基片W(例如涂覆抗蚀剂的硅片)的基片固定器，并连接在用来相对于部件PL精确定位基片的第二定位装置PW上；

投射系统(“透镜”)PL(例如镜组)，用来将掩模MA的辐射部分成像在基片W的目标部分C(例如包括一个或多个模具)上。

如此处所说明的，该装置具有反射型(即具有反射掩模)的性质。然而，通常，它也可具有例如透射型的性质(具有透射掩模)。作为替代，该装置也可采用另一类图案化装置，例如上述类型的可编程镜阵列。

辐射源LA(例如激光产生源或反射等离子源)产生辐射束。该辐射束或者直接，或者在经过横向调节装置例如光束扩展器Ex后被引入照明系统(照明器)IL。照明器IL可以包括调整装置AM，用来设置辐射束中强度分布的最外和/或最内辐射范围(通常分别指σ-外和σ-内)。另外，它一般还包括各种其它的部件，像积分器IN和聚光镜CO。这样，打在掩模MA上的辐射束PB就具有横截面内理想的均匀性和强度分布。

对于图1，应当注意，辐射源LA可位于该光刻投射装置的外壳内(例如经常是在辐射源LA是水银灯的情况下)，但是该辐射源LA也可远离该光刻投射装置，其产生的辐射束被引入该装置内(例如在适当的引导镜的辅助下)；该后者的情况经常是辐射源LA是准分子激光器的情形。当前的发明和权利要求包含这两种情况。

辐射束PB随后与固定在掩模台MT上的掩模MA相交。在被掩模MA有选择地反射后，辐射束PB穿过将其聚焦在基片W目标部分C上的透镜PL。在第二定位装置(和干涉测量装置IF)的辅助下，基片台WT就能够被精确地移动，例如以定位辐射束PB路径中的不同目标部分C。类似地，第一定位装置可用来相对于辐射束PB的路径来精确定位掩模MA；例如，在掩模MA从掩模库(library)机械收回后，或者在扫描期间。一般地，在长冲击模块(粗定位)和单冲击模块(精定位)的辅助下可以实现目标台MT、WT的移动，这在图1中并未清楚的描绘。但是，在圆片分档器(与步进扫描装置相反)的情况中，掩模台MT可以仅仅与短冲击致动器相连，或被固定。

所述的装置可用在两种不同的模式中：

1.在步进模式中，掩模台基本上保持固定，整个掩模图像一下子(即一次“闪烁”)被投射在目标部分C。接着基片台WT沿x和/y方向移动，使得不同的目标部分C被射束PB照射。

2.在扫描模式中，基本上是相同的情况，除了给定目标部分C不是一次“闪烁”的曝光。作为替代，掩模台MT沿给定的方向(所谓的“扫描方向”，例如，y向)以速度v移动，使得促使投射束PB扫描整个掩模图像；同时，基片台WT同步地以V＝Mv的速度沿相同或相反方向移动，其中M是透镜PL的放大率(通常，M＝1/4或1/5)。这样，就可以曝光相当大的目标部分C，而不必在分辨率方面妥协。

如图2中所示，照明系统包括具有多个小平面11的的场小平面镜10，这些小平面11接收来自辐射源LA的辐射并在光瞳小平面镜22的对应小平面上形成辐射源LA的多个图像。光瞳小平面21和照明系统的其余部分一起改变辐射的方向，使得场小平面的图像交叠在图案化装置上。场小平面11的形状基本确定图案化装置上照明场的形状。

为了控制照射掩模的照明设定，设置小平面掩模装置22-25。小平面掩模装置22-25包括连接在各自致动器23、25上的局部不透明遮光叶片22和实心(solid)遮光叶片24，以便在各自光瞳小平面镜的小平面的前面可以有选择地和递增地封闭进入(closeable into)透射束PB。因为投射系统PL光瞳内的图像是一个光瞳小平面镜20的图像(处于一个共轭面上)，所以如果不存在衍射(在掩模处)，有选择地遮蔽最外的光瞳小平面21就允许控制σ、即投射系统光瞳充填的比率量。遮蔽最外的小平面可减小σ。

小平面掩模装置22、23、24、25和它们的操作被更详细地示出在图3至7中。虽然在这些附图中局部不透明的遮光叶片22被示作实心，但是它包括尽可能多的数量的孔和不透明区域，所述的孔和不透明区域受到如下这样的约束，即与投射束的波长及制作的实际考虑相比，孔与不透明区域的尺寸和间距必须大得不出现衍射。这些不透明区域最好具有总面积足以将由光瞳小平面反射的辐射缩减预定的百分率，优选的是50％。应当理解，投射束通常并不是完全入射到光瞳镜20上，如果小平面掩模装置完全与光瞳镜20隔开，作为其中一个小平面区域几分之一的局部不透明遮光叶片22的总不透明区域的百分率就略微小于待吸收投射束的预定百分率。

正如图3中可见，光瞳小平面21是正方形并被排成列。相应地，局部不透明和实心遮光叶片22、24被制作成为多个指状元件(finger)26、27，该指状元件26、27是每列光瞳小平面每种一个，可选择地并增长地延伸以覆盖光瞳小平面。最好是对每个指状元件26、27提供独立控制来，使照明设定具有更大灵活性，但在一些情形中，成对或成组的指状元件可被连接在一块。

局部不透明遮光叶片27也可被制作成为条栅格、杆栅格或线栅格，或者通过在一实心板上的适当图案内形成若干孔的方式制作。在图7中示出一个用数个棒29形成的局部不透明遮光叶片27。

通常，对于光瞳小平面的其它形状和设置，可以不同地来排列遮光叶片22、24。例如，对于按同心环设置的光瞳小平面，遮光叶片可以采用可变光阑的形式。作为对可调整叶片的一种替代，可以依照所需的照明设定来提供多个不透明和局部不透明的叶片，并根据需要有选择地将其插入射束中。这类固定叶片可被成形为带有适当开口和局部不透明(开孔的)区域的板，并被固定在插入射束内的暗盒(magazine)或转盘(carousel)中。

图3示出在灰色位置处的小平面掩模装置，打开的两个遮光叶片22、24(指状元件26、27)使光瞳小平面21清晰。这种设定给出最大的σ。为了使σ减小最小量，有效的是减少半阶(half step)，使局部不透明指状元件26延伸一阶(one step)，结果使得光瞳小平面的最外环21a被覆盖，如图4中所示。实心指状元件27保持完全地缩进，内光瞳小平面21b并未被覆盖。为了进一步减小σ，使实心指状元件27延伸一阶，完全遮蔽光瞳小平面21a的最外环，如图5中所示。内光瞳小平面21b再次保持不被覆盖。对σ的更进一步减小是通过更进一步地延伸指状元件26、27来实现，延伸实心指状元件27来整阶地(in whole steps)减小σ，而使局部不透明指状元件26多延伸一阶来提供对σ值的半阶缩减。局部不透明指状元件26比对实心指状元件27多延伸一阶以上就提供一种朝光瞳边缘逐渐减小的照明强度分布。注意，为了提供环形照明模式，最外的指状元件将移动来遮蔽整列的小平面，同时中央的指状元件前进仅仅一个小平面的宽度。当中央的指状元件再向内移动一小平面时，下一最外列将被遮蔽，等等。其目标是未遮蔽小平面的区域充分接近于圆形。

通过提供具有不同阻光比的多个局部不透明遮光叶片，就可得到σ值的较小增量。例如，在两个适当对准的局部不透明遮光叶片下，一个阻挡25％的辐射，另一个阻挡50％，就可提供四分之一阶(quarter step)的增量，25％遮光叶片比实心遮光叶片多延伸一阶则提供四分之一阶，50％遮光叶片多延伸一阶则给出半阶，这两个叶片都多延伸一阶则给出四分之三阶。

尽管所述的结构是旋转对称的，但这并不是经常需要或期望的。例如，可以通过仅在一个方向上覆盖小平面来产生一种椭圆光瞳结构，也可通过仅仅覆盖适当的小平面来产生多极结构。

在该第一实施例的变形中，采用四组小平面遮光叶片，设置在小平面镜的四侧周围。这示出在图6中，并且当小平面被设置在方格网上时，能够以指状元件最短的移动来提供圆形照明模式。实施例2

本发明的第二实施例如下所述示出在图8和9中，省略了与第一实施例相同的部分。

如图8中所示，该第二实施例具有靠近场小平面镜10的小平面掩模装置12、13。该小平面掩模装置12、13可如第一实施例那样包括一个局部不透明遮光叶片和一个实心遮光叶片或仅仅一个实心遮光叶片。将该小平面掩模装置放置在场小平面镜处而不是光瞳小平面镜处是有利的，即场小平面一般在一个方向上要大于光瞳小平面，使得有额外的空间来提供必需的机构，并且更容易以较大比例来构造局部不透明遮光叶片。然而，如果场小平面被设置用来充填光瞳小平面而不是光瞳镜内相应位置上的小平面，则可以得到另外的优点。例如，最外的场小平面11a可被设置来充填最内的光瞳小平面21b，反之亦然，如图8中所示。在那种情形下，封闭小平面掩模装置12、13来遮蔽最外场小平面11a就将照明从最内光瞳小平面21b移出，从而提供圆形照明模式。

图9示出与第一实施例相同的场小平面镜10。该场小平面镜10包括数个矩形的场小平面11，具有很大的长宽比并被成排和成列设置。该小平面掩模装置12可具体化为多个有选择可延伸的指状元件，如同在第一实施例的光瞳小平面掩模装置中那样，或者被具体化同时遮蔽整块场小平面11的简单叶片。

可以选择不同光瞳小平面和场小平面之间的对应以便场小平面镜10上相邻场小平面11的区域对应于光瞳小平面镜20上具体组的光瞳小平面21。例如，可以选择场小平面11的区域I来对应于光瞳小平面21的环，选择区域II来对应于光瞳小平面的另一个环，选择区域III来对应于光瞳小平面21的内环区域。区域I、II和III很容易被相应的遮光叶片遮蔽，而仅遮蔽相应光瞳小平面是非常困难的，从而能够选择不同的σ值或圆形照明。可以利用场和光瞳小平面间不同的对应设置来提供其它的照明模式，例如双极和四极结构，这些结构是对上述结构的补充。

当然，可以用第二实施例的小平面掩模装置结合第一实施例的小平面掩模装置来提供对圆形照明模式内半径和外半径(σ_内σ_外)的独立控制。

尽管上面已经描述了本发明的具体实施例，但是应当理解，本发明也可用其他的方式实施而不是如所述的。本说明无意限制本发明。

Claims

1.一种光刻投射装置，包括：

一含有反射光学元件的辐射系统，用来提供投射辐射束，所述反射光学元件带有第一小平面镜，用来在第二小平面镜上产生多个源图像；

一支承结构，用来支撑图案化装置，该图案化装置用以根据所需图案来对投射光束形成图案；

一基片台，用来固定基片；

一投射系统，用来将形成图案的光束投射在基片的目标部分上；

其特征在于：

小平面掩模装置用来有选择地掩蔽所述第一和第二小平面镜其中之一的一个或多个小平面，并包括有选择地插入在所述投射束内的至少一个局部不透明遮光叶片，所述局部不透明遮光叶片具有不透明区域和透明区域的规则周期排列，该不透明区域和透明区域具有充分大的间距以便所述投射束的衍射可以忽略不计，并且基本上覆盖整个小平面。

2.依照权利要求1的装置，其中所述间距相对于所述源图像是小的。

3.依照权利要求2的装置，所述间距介于1mm至500nm的范围内。

4.依照任一前述权利要求的装置，其中所述小平面被排列成行，所述局部不透明叶片包括多个沿相应的成行的小平面排列的、可选择延伸的局部不透明指状元件。

5.依照任一前述权利要求的装置，其中所述小平面掩模装置被设置接近于所述第二小平面镜。

6.依照任一前述权利要求的装置，其中所述小平面掩模装置还包括实心的掩模装置，该标实线的掩模装置可优选地插入在所述投射束内以基本上完全地掩蔽至少一个所述小平面。

7.依照任一前述权利要求的装置，其中所述小平面掩模装置还包括用来调整小平面被所述局部不透明遮光叶片遮蔽区域比例的装置。

8.依照权利要求7的装置，其中所述小平面掩模装置带有多个可有选择地插入在所述投射束内的局部不透明遮光叶片。

9.一种光刻投射装置，包括：

一基片台，用来固定基片；

其特征在于：

小平面掩模装置用来有选择地掩蔽所述第一小平面镜一个或多个小平面的全部。

10.依照权利要求9的装置，其中第一小平面镜的相邻小平面组被设置成将辐射引向第二小平面镜的一组小平面，该第二小平面镜的所述小平面组被排列成从下组选择的一种结构：

基本上环形结构；

多极结构；

基本上圆形结构；和

补充上述结构的结构。

11.依照权利要求9或10的装置，其中靠近第一小平面镜外侧的小平面被设置成将辐射引向第二小平面镜其多个中央定位的小平面。

12.一种器件的制造方法，包括步骤：

提供至少部分被辐射敏感材料层覆盖的一基片；

使用图案化装置来使投射束在其横截面内具有一图案；

其特征在于：

通过有选择地将至少一个局部不透明遮光叶片插入在所述投射束内，来有选择地掩蔽所述第一和第二小平面镜其中之一的一个或多个小平面，所述局部不透明遮光叶片具有不透明区域和透明区域的规则周期排列，该不透明区域和透明区域具有充分大的间距以便所述投射束的衍射可以忽略不计，并且基本上覆盖整个小平面。