CN1524100A - 电活性芴共聚物和用这种共聚物制造的器件 - Google Patents

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Abstract

本发明一般涉及芴的共聚物。它还涉及用这共聚物制造的器件。

Description

电活性芴共聚物和用这种共聚物制造的器件
发明背景
发明的领域
本发明涉及电活性的芴共聚物。本发明还涉及其中活性层与包括这种聚合材料的电子器件。
有关技术的说明
有机电子器件,比如发光的器件,如组成显示器的发光二极管,存在于许多不同类型的电子设备中。在所有这些器件中,光活性层被夹在两层电接触层之间。至少一层电接触层是透光的,因此,光可通过电接触层。在横跨电接触层通电时,光活性层发出的光通过透光的电接触层。
众所周知用有机的电致发光化合物作为发光二极管中的活性组分。已知简单的有机分子,如蒽、噻二唑衍生物和香豆素衍生物显示电致发光性。也已公开了几类发光聚合物。它们包括例如,聚(1,4-亚苯基亚乙烯基)和衍生物;聚噻吩,具体为聚(3-烷基噻吩)和聚(对-亚苯基)。聚芴的烷基和二烷基衍生物还在美国专利5708130和5900327中已公开。
对具有改进效率的光活性化合物及其制备方法仍有需求。
发明的概述
本发明涉及一种共聚物,它包含至少一种第一单体单元和至少一种第二单体单元,其中,至少一种第一单体单元具有图1所示的结构式I,至少一种第二单体单元选自:(1)具有图2所示的结构式II的芳族基团,(2)具有图6所示的结构式III的6元环杂芳族基团,(3)具有图7所示的结构式IV的5元环杂芳族基团,(4)具有图8所示的结构式V的芳族基团,(5)具有图9所示的结构式VI、图10中所示的结构式VII和图11所示的结构式VIII-XI的稠环芳族基团,和(6)它们的组合,其中:
在各结构式I、II、III、IV、V、VI、VII、VIII-XI中:
R在各自存在时可以相同或不同,是碳原子上的取代基,选自:氢、烷基、芳基、杂烷基、杂芳基、F、-CN、-OR1、-CO2R1、CψHθFλ、-OCψHθFλ、-SR1、-N(R1)2、-P(R1)2、-P(R1)2、-SOR1、-SO2R1、-NO2,具有图12所示的结构式XII并且如以下“结构式XII”进一步所描述的β-二羰基;或邻接的R基团一起可形成5-或6-元环烷基、芳基、或杂芳基环,其中:
R1在各自存在时可以相同或不同,是杂原子上的取代基,选自烷基、芳基、杂烷基和杂芳基;
ψ是1-20的整数,θ和λ是满足下面等式A1的整数:
            θ+λ=2ψ+1;          (等式A1);
在各结构式II、III、IV、V、VI、VII、VIII和XI中:
E在各自存在时可以是相同或不同的,是单键或选自亚芳基和亚杂芳基的连接基团;
在结构式IV中:
A在各自存在时分别为C或N,γ是0或选自1或2的整数,这样,如果两个A是N,则γ是0;或者如果一个A是N,一个A是C,则γ是1;或者如果两个A是C,则γ是2;
Q是O、S、SO2或NR1,其中:
R1在各自存在时可以相同或不同,是杂原子上的取代基,选自烷基、芳基、杂烷基和杂芳基;
在结构式V中:
Q1是羰基、O、S、SO2或NR1,其中:
R1在各自存在时可以相同或不同,是杂原子上的取代基,选自烷基、芳基、杂烷基和杂芳基;
W是H、烷基或杂烷基;或两个W一起可代表单键;
在结构式VI中:
两个E是在1,4-,1,5-,1,8-,2,3-或2,6-位;
在结构式VII中:
两个E是在1,4-,1,5-,1,8-,2,3-,2,6-或9,10-位;
在结构式VIII中:
第一个E是在1,2或3位;第二个E是在6,7或8位;
在结构式IX中:
第一个E是在2,3或4位;第二个E是在7,8或9位;
在结构式XII中:
R2选自氢、烷基、芳基、杂烷基和杂芳基;
δ是0或1-12整数。
本发明还针对有机电子器件,它具有至少一层包括上述共聚物的电活性层。
本文使用的术语“烷基”意指衍生自脂肪烃的基团,包括直链的、支链的和环状基团,它可以是未取代的或取代的。术语“杂烷基”意指衍生自具有至少一个杂原子在主链上的脂肪烃基团,该基团可以是未取代的或取代的。术语“芳基”意指衍生自芳烃的基团,它可以是未取代的或取代的。术语“杂芳基”意指衍生自含有至少一个杂原子的芳族基团,该基团可以是未取代的或取代的。术语“亚芳基”意指衍生自芳烃的、具有两连接点的基团,该基团可以是未取代的或取代的。术语“亚杂芳基”意指衍生自芳烃的、具有至少一个杂原子和具有两连接点的基团,该基团可以是未取代的或取代的。短语“邻接于”,当用于表示器件中的层时,不一定指:一层紧靠另一层。另一方面,短语“邻接的R基团”,用于表示化学式(即,多个R基团用键连接在多个原子上)中互相邻近的R基团。术语“光活性的”与任何显示电致发光和/或光敏性的材料有关。术语“电活性”涉及显示空穴输运/注入性质,电子输运/注入性质,电致发光和/或光敏性的任何材料。术语“单体单元”指聚合物中的重复单元。另外,通篇使用IUPAC编号体系,其中来自周期表的族,从左到右编号为1-18(化学和物理的CRC手册,第81版,2000年)。
附图说明
图1为本发明中使用的第一单体单元的结构式I和结构式I(a)。
图2为本发明中使用的第二单体单元的结构式II。
图3为本发明中使用的第二单体单元的结构式II(a)-II(j)。
图4为本发明中使用的第二单体单元的结构式II(k)-II(s)。
图5为本发明中使用的第二单体单元的结构式II(t)-II(z)。
图6为本发明中使用的第二单体单元的结构式III和结构式III(a)-II(g)。
图7为本发明中使用的第二单体单元的结构式IV和结构式IV(a)-II(h)。
图8为本发明中使用的第二单体单元的结构式V和结构式V(a)-II(e)。
图9为本发明中使用的第二单体单元的结构式VI和结构式VI(a)-II(d)。
图10为本发明中使用的第二单体单元的结构式VII和结构式VII(a)。
图11为本发明中使用的第二单体单元的结构式VIII-结构式IX。
图12为本发明中使用的第二单体单元取代基的结构式XII。
图13是可装有本发明共聚物的电子器件示意图。
较佳实例的详细说明
本发明的共聚物含有上述至少一种第一单体单元和至少一种第二单体单元。
在第一优选实例中,共聚物不包括亚乙烯基单体单元。在第二优选的实例中,共聚物的组成为:任选适合的封端基团和至少一种结构式I的第一单体单元及至少一种第二单体单元,该第二单体单元选自结构式II、结构式III、结构式IV、结构式V、结构式VI、结构式VII、结构式VIII、结构式XI、结构式X、和结构式XI。
在第三优选实例中,在各个结构式I、结构式II、结构式III、结构式IV、结构式V、结构式VI、结构式VII、结构式VIII、结构式XI、结构式X、和结构式XI中的每个R基团选自:
氢;
烷基;
芳基;
杂烷基;
杂芳基;
F;
-CN;
-P(R1)2、-SOR1,其中R1在各自存在时可以相同或不同,是杂原子上的取代基,选自烷基、芳基、杂烷基和杂芳基;
-NO2
具有图12所示结构式XII的β-二羰基,并如上进一步所述;
-CψHθFλ
-OCψHθFλ
-OR1、-CO2R1、-SR1、-N(R1)2和-SO2R1,其中R1是直链或支链的、1-20个碳原子的烷基,或者直链或支链的杂烷基;或者邻接的R基团一起可形成选自环烷基环、芳环和杂芳环的5-或6-元环。在邻接的R基团一起形成选自芳环和杂芳环的5或6-元环的实例中,芳环和杂芳环优选未取代的。
第一单体单元
第一单体单元是图1中所示结构式I的芴基单元。优选的R基团是具有1-30个碳原子的烷基,具有1-30个碳原子的的一个或多个杂原子S、N、或O的杂烷基,具有6-20个碳原子的芳基,具有2-20个碳原子和一个或多个杂原子S、N或O的杂芳基。适合的R基团的例子包括正丁基和异丁基、各种戊基,直链的或支链的;各种己基,各种辛基,包括2-乙基己基,直至十六烷基以上,可带有或不带有烯烃不饱和度;苯基,噻吩,咔唑,烷氧基,苯氧基和氰基。芴单体单元的9-位碳原子上更优选的R基团是直链和支链的C6-C12烷基。芴单体单元的苯基环上更优选的R基团是H,C6-C12烷氧基、苯氧基、C6-C12烷基、苯基或氰基。
适合的第一单体单元的例子在图1中如结构式I(a)所示。
第二单体单元
第二单体单元可选自如下所述的结构式II-XI。
结构式II:
第二单体单元可选自具有图2中结构式II所示结构的芳基。R基团优选选自:
氢;
烷基;
芳基;
杂烷基;
杂芳基;
F;
-CN;
-NO2
具有图12中所示结构式XII的β-二羰基,并如上进一步所述;
-CψHθFλ
-OCψHθFλ
-P(R1)2、-SOR1,-OR1、-CO2R1、-SR1、-N(R1)2和-SO2R1,其中R1是直链或支链的、1-20个碳原子的烷基,或者直链或支链的杂烷基;或者邻接的R基团一起可形成选自环烷基环、芳环和杂芳环的5-或6-元环。
或者,结构式II中的R基团可选自:
部分或全部氟化的具有1-12个碳原子的烷基,尤其CF3
具有1-12个碳原子的烷氧基;具有3-15个碳原子的酯;
-SR1、-N(R1)2、-P(R1)2、-SOR1、-SO2R1,其中R1是具有1-12个碳原子的烷基;
-NO2
具有图12中所示结构式XII的β-二羰基,其中:
在结构式XII中:
R是具有1-12个碳原子的烷基,δ是0,1,或2。
具有结构式II的合适的第二单体单元的例子是图3-5中如结构式II(a)-II(z)所示,其中:
在结构式II(v)-II(y)中:
R是如上面对各个结构式I、II、III、IV、V、VI、VII、VIII-XI所描述。
结构式III:
或者,第二单体单元可以是具有如图6中结构式III所示结构的二价6元环杂芳族基团。优选的R基团是氢、C6-C12烷基,C6-C20芳基、C2-C20杂芳基。合适的E连接基团的例子包括亚吡啶基(pyridinediyl,-C5H4N-)和亚联吡啶基(bipyridinediyl,-C5H4N-C5H4N-)。
具有结构式III的第二单体单元的例子如图6中所示的结构式III(a)-III(g)。
结构式IV:
或者,第二单体单元可以是具有如图7中结构式IV所示结构的5元环杂芳族基团。优选的R基团是氢、C1-C12烷基(或者,C1-C5烷基或C6-C12烷基),C6-C20芳基、C2-C20杂芳基、更优选C6-C12芳基。合适的E连接基团的例子包括亚吡咯基(pyrrolediyl,-C4H3N-)和亚噻吩基(thiophenediyl,-C4H3S-)。
合适的具有结构式IV的第二单体单元的例子是图7所示结构式IV(a)-IV(h),这里:
在结构式IV(a)中:
R是如上面对各个结构式I、II、III、IV、V、VI、VII、VIII-XI所描述。
在结构式IV(h)中:
R1在各自存在时可以相同或不同,是杂原子上的取代基,选自烷基,芳基,杂烷基,和杂芳基。
结构式V:
或者,第二单体单元可以是具有如图8中结构式V所示结构的芳族基团。R基团优选是氢、C1-C12烷基(或者,C1-C4烷基或C6-C12烷基),C6-C20芳基、C2-C20杂芳基。优选两个W代表单键。
合适的这种类型的第二单体单元的例子是具有结构式V(a)-V(e)的结构的单元,这里:
在结构式V(a),V(b)中:
R是如上面对各个结构式I、II、III、IV、V、VI、VII、VIII-XI所描述的。
在结构式V(e)中:
R1在各自存在时可以相同或不同,是杂原子上的取代基,选自烷基,芳基,杂烷基,和杂芳基。
结构式VI-结构式XI:
或者,第二单体单元可以是具有如图9中结构式VI、图10结构式VII、图11结构式VIII-XI所示结构的二价稠合芳族基团。优选的R基团是氢、C6-C12烷基C6-C20芳基和C2-C20杂芳基。
在结构式VI中,E优选在1,4-,1,5-,1,8-,2,3-,或2,6-位。合适的具有结构式VI的第二单体单元的例子示于图9结构式VI(a)-VI(d)。
在结构式VII中,E优选在1,4-,1,5-,1,8-,2,3-,2,6-或9,10-位。合适的具有结构式VII的第二单体单元的例子示于图10结构式VII(a)。
在本发明的共聚物中,R基团基本上是聚合物主链之外的侧链。因此,R基团的最后选择应考虑这些侧链在最后聚合物性质中所起的作用。这些性质包括电子性能,溶解性,加工性,成膜性,增强或降低链间的相互作用,导致在有机溶剂中的溶解性,导致在掺混物中与主聚合物的相容性,引起高介电常数使离子溶剂化,增强离子的迁移性等。另外,在R基团被取代时,这些取代基的空间影响应在取代基选择时予以考虑。
在本发明的共聚物中,一种以上的第二单体单元可与第一单体单元一起存在。第一单体单元对至少一种第二单体单元的相对摩尔比可从99.9∶0.1到1∶99或99.5∶0.5到10∶90;或99∶1到20∶80,或99∶1到50∶50。在生成聚合物时单体的结合可以是无规的或控制的,结果是共聚物包括,但不限于,无规共聚物,交替共聚物和嵌段共聚物。
合成
本发明的共聚物一般可通过三条已知的合成途径制备。在第一种合成方法中,如Yamamoto在聚合物科学的进展,第17卷,1153页(1992)中所述,单体单元的二卤衍生物与化学计量的零价镍化合物,如双(1,5-环辛二烯)镍(O)反应。在第二种方法中,如Colon等在聚合物科学杂志,部分A,聚合物化学版,28卷,367页(1990)中所述。单体单元的二卤衍生物与催化量的Ni(II)化合物在化学计量的可将二价镍离子还原成零价镍的物质的存在下反应。合适的物质包括锌、镁、钙和锂。在第三种合成方法中,如美国专利5962631和发表的PCT申请WO00/53565中所述,在零价钯催化剂下,如四(三苯基膦)Pd的存在下,一种单体单元的二卤衍生物与具有两个反应基团的另一种单体单元的衍生物反应,该反应基团选自硼酸、硼酸酯和硼烷。
在本发明的一些实施例中,共聚物可与封端化合物反应,将活性端基转化成非活性端基。封端化合物一般加到预制的聚合物中,并终止聚合反应。封端化合物一般是具有单一活性基团的芳族化合物,如具有单一卤化物基团或硼酸或硼酸酯基团的芳环。合适的封端化合物的例子包括9-溴蒽,4-溴-1,2-二甲氧基苯,1-溴芘,碘苯,溴苯,2-溴-9-芴酮,和苯硼酸。封端基团也可设计成增加功能性,如电荷迁移性和色移。它也可影响链间聚集。
电子器件
本发明还涉及包括至少一层光活性层的电子器件,该层位于两个电接触层之间,其中器件的至少一层电活性层包括本发明的共聚物。如图13所示,典型的器件100具有阳极层110和阴极层150,以及阳极110和阴极150之间的电活性层120、130及任选的140。邻接于阳极的是空穴注入/输运层120。邻接于阴极的是任选的包括电子注入/输运材料的层140。在空穴注入/输运层120和阴极(或任选电子输运层)之间是光活性层130。本发明的共聚物可用在空穴注入/输运层120和/或光活性层130和/或任选的电子注入/输运层140。
器件一般还包括邻接于阳极或阴极的支承(未显示)。通常支承邻接阳极。支承可以是柔性的或刚性的,有机的或无机的。通常,玻璃或柔性有机薄膜可用作支承。阳极110是对注入或收集正电荷载流等特别有效的电极。阳极优选由包含金属、混合的金属、合金、金属氧化物或混合的金属氧化物的材料制造。合适的金属包括第11族金属,在第4、5和6族中的金属,以及第8-10族过渡金属。如果阳极是透光-的,则通常使用第12、13和14族的混合金属氧化物,如铟-锡氧化物。阳极110也可包括有机金属,如“Flexiblelight-emittingdiodes made from soluble conducting polymer”,Nature vol.357,pp477-479(1992年6月11日)中所述的聚苯胺。
阳极层110,一般用物理蒸汽淀积的方法或旋转浇铸的方法施涂。术语“物理蒸汽淀积”指的是涉及在真空中进行的各种淀积方法。例如,物理蒸汽淀积包括所有形式的溅射,包括离子束溅射,以及所有形式的蒸汽淀积,如电子束蒸发和电阻蒸发。有用的物理蒸汽淀积的具体形式是射频磁控管溅射。
本发明的共聚物可起层120中的空穴输运材料的作用。其他有利于空穴输运的材料包括:N,N’-二苯基-N,N’-双(3-甲基苯基)-[1,1’-联苯基]-4,4’-二胺(TPD)和双[4-(N,N’-二乙基氨基)-2-甲基苯基](4-甲基苯基)甲烷(MPMP),孔穴输运聚合物,如聚乙烯基咔唑(PVK),(苯基甲基)聚硅烷,聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(PEDOT),聚苯胺(PANI);电子和空穴输运材料,如4,4-N,N’-二咔唑联苯(BCP);或具有良好电子和空穴输运性质的发光材料,比螯合的oxinoid化合物,如三(8-羟基喹啉(quinolato))铝(Alq3)。
可使用常规的方法涂布空穴注入/输运层120,包括:旋转涂布、浇铸和印刷,如凹版印刷。层的涂布,也可以通过喷墨印刷、热布线图案形成或物理蒸汽淀积。
通常,阳极110和空穴注入/输运层120是有图案的。可以理解,该图案可按要求变化。可通过例如在涂布第一电接触层材料前,用位于第一柔性复合阻挡结构上的有图案的掩模或光刻胶的图案对上述层进行涂布。或者上述层可作为整体层涂布,随后用例如光刻胶和湿化学蚀刻来形成图案。空穴注入/输运层也可以喷墨印刷、平版印刷或热转移印刷图案涂布。
根据器件100的应用,光活性层130可以是通过施加电压而被激活(如在发光二极管或发光电化学电池中的)发光层,响应辐射能并在施加或不施加偏电压下产生信号的材料层(比如,在光电探测器中)。光电探测器的例子包括光电导管、光敏电阻器、光控开关、光敏晶体管、光电管和光伏电池,它们的术语按照在markus,John,Electronics and Nucleonics Dictionary,470 and476(McGraw-Hill,Inc.1966)中描述的。
在器件100是发光器件时,光活性层130在足够的偏压施加到电接触层时会发光。本发明的共聚物可用在发光活性层130中。其他已知的发光材料包括小分子材料,如Tang,美国专利4356429;Van Slyke等,美国专利4539507中描述的材料,它们的相关部分结合在此供参考。或者,这些材料可以是聚合材料,如Friend等在美国专利5247190中,Heeger等在美国专利5408109中,Nakano等在美国专利5317169中描述的材料,它们的相关部分结合在此供参考。发光材料可分散在另一种材料的基质中,可有或没有添加剂,但优选单独地形式层。活性有机层一般的厚度在50-500纳米的范围内。
电子器件100是光电探测器时合,光活性层130响应辐射能,并在有或没有偏压下产生信号。响应辐射能并能在无偏压下产生信号的材料(如在光电导管,光敏电阻器,光控开关、光敏晶体管、光电管的情况中)包括,例如许多共轭的聚合物和电致发光材料。响应辐射能并能在偏压下产生信号的材料(如在光电导管或光伏电池的情况中)包括对光起化学反应并由此产生信号的材料。这些光敏的化学反应性材料例如包括许多共轭的聚合物和电致和光致发光材料。具体的例子包括,但不限于,MEH-PPV(“Optocoupler made fromsemiconducting polymers”,G.Yu,K.Pakbaz,和A.J.Heeger,Journal ofElectronic materials,Vol.23,pp925-928(1994));和MEH-PPV Compositeswith CN-PPV(“Efficient Photodiodes from Interpenetrating PolymerNetworks’,J.J.M.Halls等。(Cambridge group)Nature Vol.376,pp498-500,1995)。
含活性有机材料的光活性层130,可从溶液通过常用的方法,包括旋涂,浇铸和印刷进行涂布。根据材料的性质,活性有机材料可直接通过蒸汽淀积方法涂布。也可涂布活性聚合物前体,然后一般通过加热转化成聚合物。
阴极150是对注入,或者收集电子或负电荷载流子特别有效的电极。阴极可以是具有比第一电接触层(在这情况中,阳极)低的工作功能的任何金属或非金属。第二接触层的材料可选自第1族的碱金属(例如Li,,Cs),第2族(碱土金属)金属,第12族金属,稀土金属,镧系元素和锕系元素。也可使用如铝、铟、钙,钡和镁及其组合。
阴极层150经常通过物理蒸汽淀积方法涂布。一般,阴极层是印刷图案的,如上面关于阳极层110和导电聚合物层120所讨论的。可用类似的加工方法使阴极层形成图案。
任选层140可起便于电子输运的作用,也可用作防止在层界面外骤冷作用的缓冲层或密封层。该层优选地促进电子迁移性和减少骤冷作用。任选层140的电子输运材料的例子包括金属螯合的8-羟基喹啉(oxinoid)化合物,如三(8-羟基喹啉)铝(Alq3),菲咯啉基化合物,如2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10菲咯啉(DDPA)或4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(DPA),吡咯化合物,如2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-氧杂二唑(PBD)和3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(TAZ)。
已知在有机电子器件中有其他层。例如,在导电的聚合物层120和活性层130之间可以有一层(未显示),以便于正电荷输运和/或层的带隙匹配,或起保护层的作用。类似地,在活性层130和阴极层150之间可存在额外层,以便于负电荷输运和/或层间的带隙匹配,或起保护层的作用。可使用技术上已知的层。另外,上述任何层可由二层或三层组成。或者,一些或所有无机阳极层110,导电聚合物层120,活性层130,和阴极层150,可以表面处理,增加电荷载流子输运效率。每层构成层的材料选择宜通过权衡,提供有高器件效率的器件的目标来确定。
器件100可通过在合适的基片上顺序淀积各层制备。可使用的基物如玻璃和聚合膜。在大多数情况下,将阳极涂布到基片上,并从那里形成各层。然而,可首先将阴极涂布到基片,并以相反的次序加上各层。一般,不同的层具有下面的厚度范围:无机阳极110,500-5000埃,优选1000-2000埃;导电聚合物层,50-2500埃,优选200-2000埃;发光层130,10-1000埃,优选100-800埃;任选电子输运层140,50-1000埃,优选200-800埃;阴极150,200-10000埃,优选300-5000埃。
实施例
下面的实施例阐明本发明的某些特性和优点。它们是发明的说明,而不是限制。除非另行说明,所有的百分率按重量计。
实施例1-5和实施例1A-A5
实施例1-5说明用二卤单体和零价镍制备本发明的共聚物。共聚物通过核磁共振(NMR)和凝胶渗透色谱法(GPC)测定的数均分子量(Mn)表征。
实施例1
在惰性条件下,将DMF(5毫升)加到装有搅拌条的50毫升Schlenck管中,管内含有双(1,5-环辛二烯)镍(O)(1.23克,4.48毫摩尔),2,2’-联吡啶(0.70克,4.48毫摩尔),和1,5-环辛二烯(0.48克,4.48毫摩尔)。在60℃搅拌随后的深蓝/紫色溶液30分钟,然后将第一单体,2,7-二碘-9,9-双(2-乙基己基)芴(1.08克,1.68毫摩尔)和第二单体,2,5-双(对溴苯基)-N-(对己基苯基)吡咯(0.30克,0.56毫摩尔)在甲苯(20毫升)中的溶液经注射器加入。反应混合物然后在75℃搅拌5天。混合物冷却至室温,并沉淀到甲醇(100毫升),丙酮(100毫升)和浓盐酸(5毫升)的溶液中。搅拌二小时后,过滤混合物。然后将固体残留物溶解在氯仿中,再沉淀到甲醇(100毫升),丙酮(100毫升)和浓盐酸(5毫升)的溶液中。搅拌1小时后,过滤混合物。最后,残留物依次用甲醇,水和甲醇洗涤,并真空干燥。分子量在下面的表1中给出。
实施例1A
重复实施例1的步骤,除了反应混合物在75℃搅拌24小时,而不是5天。另外,混合物过滤后,在残留物依次用甲醇,水和甲醇洗涤并真空干燥前,所得的固体再溶解在氯仿中,并沉淀在纯甲醇中。基本上得到下面表1中提供的相同分子量。
实施例2-5
用2,7-二溴-9,9-双(2-乙基己基)芴作为第一单体和不同的第二单体,并加入碘苯作为封端基团重复实施例1的步骤。无封端剂的反应混合物加热搅拌4天,加入碘苯封端剂,混合物再在75℃搅拌一天。共聚物在下面表1中总结。
实施例2A-5A
重复实施例2-5的步骤,除了加入溴苯,代替碘苯作为封端基团。加入溴苯封端剂前,反应混合物加热搅拌24小时而不是4天,并且混合物再搅拌一小时,而不是一天。得到的共聚物类似于下面表1中总结的共聚物。
                             表1芴共聚物
  实施例   第一单体r            第二单体     第一∶第二∶封端剂之比*   Mn
  1     二碘     2,5-双(对-溴苯基)-N-(对己基苯基)吡咯     3∶1∶0   47200
  2     二溴     3,5-二溴苯甲酸甲酯     10∶1∶1.1   68700
  3     二溴     2,5-二溴苯甲酸甲酯     10∶1∶1.1   98400
  4     二溴     2,5-双(4-溴苯基)氧杂二唑     10∶1∶1.1   67300
  5     二溴     2,7-二溴-9-芴酮     10∶1∶1.1   60900
*此比是原料的摩尔比
实施例6和6A
这实施例阐明用二卤单体、二硼酸酯单体和钯催化剂制备芴共聚物。
实施例6
在氩气气氛下,将甲苯(10毫升)加到50毫升装有搅拌条的Schlenck管中,管内含有2,7-二碘-9,9-双(2-乙基己基)芴(1.07克,1.66毫摩尔)和1,4-苯二硼酸双(新戊二醇)环酯(0.50克,1.66毫摩尔)。然后,将四(三苯基膦)钯(O)(19毫克,0.0166毫摩尔)和脱气的碳酸钾水溶液(2M,7.0毫升)加到管中。在强搅拌下,在100℃的油浴中加热溶液48小时。加入封端剂4-甲基苯硼酸(50毫克,0.33毫摩尔),再将混合物搅拌加热12小时。混合物冷却至室温,然后沉淀到甲醇(100毫升),丙酮(100毫升)和浓盐酸(5毫升)的溶液中。搅拌2小时后,过滤混合物。然后将固体残留物溶解在氯仿中,再沉淀到甲醇(100毫升),丙酮(100毫升)和浓盐酸(5毫升)的溶液中。搅拌1小时后,过滤混合物。最后,残留物依次用甲醇,水和甲醇洗涤,并真空干燥。所得的共聚物的分子量(Mn)为8800。
实施例6A
在氩气气氛下,将甲苯(10毫升)加到50毫升装有搅拌条的Schlenck管中,管内含有2,7-二碘-9,9-双(2-乙基己基)芴(1.07克,1.66毫摩尔)和1,4-苯二硼酸双(新戊二醇)环酯(0.50克,1.66毫摩尔)。然后,将四(三苯基膦)钯(O)(19毫克,0.0166毫摩尔)和脱气的碳酸钾水溶液(2M,7.0毫升)加到管中。在强搅拌下,在100℃的油浴中加热溶液48小时。加入第一封端剂,苯硼酸(50毫克,0.33毫摩尔),再将混合物搅拌加热1小时。加入第二封端剂溴苯(50毫克),再将混合物加热搅拌1小时。然后,混合物冷却至室温,并沉淀到甲醇溶液中。过滤混合物,残留物用甲醇洗涤,并真空干燥。所得的共聚物的分子量(Mn)为8800。
实施例7-17
上面实施例1-5的共聚物,作为具有图13中所示层的、用基片支承阳极改良的发光二极管中的发光体进行测试。使用的阳极是铟锡氧化物(ITO),由玻璃基片支承。空穴注入/输运层是旋涂在玻璃基片上的ITO上。空穴注入/输运层是聚(3,4-亚乙基二氧噻吩),PEDOT(BaytronP,购自Bayer,德国),厚度约2000埃,或PEDOT和聚乙烯基咔唑(PVK)的双层,总厚度约2000埃。共聚物溶解在甲苯中,形成2.0%(w/v)溶液,通过0.22微米过滤器过滤,并旋涂在空穴注入/输运层上。共聚物层的目标厚度是800埃,具有的实际厚度一般在500-1000埃的范围内。
对于阴极,在真空1×10-6乇下,钡和铝层顺序蒸汽淀积在EL层的上部。钡层的最后厚度是30埃;铝层的厚度是3000埃。器件性能在干箱内用校准的Si光电二极管进行测试。结果在下面表2中给出。
                                                    表2
  实施例 EL聚合物   空穴注入/输运 电压,在100坎/平方米   坎/安,在25毫安      坎/安,(在毫安)  坎/平方米(在伏)     QE%(在伏)
    7 实施例1     PEDOT   849(12伏) 0.18(12伏)
    8 实施例1     PEDOT/PVK   669(14伏) 0.11(14伏)
    9 实施例1     PVK   3970(14伏) 0.62(14伏)
    10 实施例2     PEDOT/PVK     8.6     0.76   0.86(34毫安)
    11 实施例2     PVK     6.6     0.06   0.068(55毫安)
    12 实施例3     PEDOT/PVK     9.1     1.19   1.22(35毫安)
    13 实施例3     PVK     6.9     0.2   0.22(20毫安)
    14 实施例4     PEDOT/PVK     >10     0.68   0.87(3毫安)
    15 实施例4     PVK     9.1     0.46   0.50(50毫安)
    16 实施例5     PEDOT/PVK     >10     1.14   3.74(0.04毫安)
    17 实施例5     PVK     >10     1.2   1.5(8毫安)
尽管本发明已对目前认为是优选的实例进行描述,但应理解本发明不限于公开的实例。相反,发明涵盖包括在所附权利要求书的精神和范围中的各种改良和等同的结构。下面权利要求书的范围给予最概括的解释,以包括所有这些改良和等同的阐述及功能。

Claims (14)

1.一种共聚物,所述共聚物包含至少一种第一单体单元和至少一种第二单体单元,其中,所述至少一种第一单体单元具有图1中所示结构式I,所述至少一种第二单体单元选自(1)具有图2所示的结构式II的芳族基团,(2)具有图6所示的结构式III的6元环杂芳族基团,(3)具有图7所示结构式IV的5元环杂芳族基团,(4)具有图8所示的结构式V的芳族基团,(5)具有图9所示的结构式VI、图10所示结构式VII和图11所示结构式VIII-XI的稠环芳族基团,以及(6)它们的组合,其中:
在各结构式I、II、III、IV、V、VI、VII、VIII-XI中:
R在各自存在时可以相同或不同,是碳原子上的取代基,选自氢、烷基、芳基、杂烷基、杂芳基、F、-CN、-OR1、-CO2R1、CψHθFλ、-OCψHθFλ、-SR1、-N(R1)2、-P(R1)2、-SOR1、-SO2R1、-NO2,具有图12所示的结构式XII并且如以下“结构式XII”进一步所描述的β-二羰基;或邻接的R基团一起可形成5-或6-元环烷基、芳基、或杂芳基环,其中:
R1在各自存在时可以相同或不同,是杂原子上的取代基,选自烷基、芳基、杂烷基和杂芳基;
ψ是1-20的整数,θ和λ是满足下面等式A1的整数:
            θ+λ=2ψ+1;        (等式A1);
在各结构式II、III、IV、V、VI、VII、VIII和IX中:
E在各自存在时可以是相同或不同的,是单键或选自亚芳基和亚杂芳基的连接基团;
在结构式IV中:
A在各自存在时分别为C或N,γ是0或选自1或2的整数,这样,如果两个A是N,则γ是0;或者,如果一个A是N,一个A是C,则γ是1;或者如果两个A是C时,那么γ是2;
Q是O、S、SO2或NR1,其中:
R1在各自存在时可以相同或不同,是杂原子上的取代基,选自烷基、芳基、杂烷基和杂芳基;
在结构式V中:
Q1是羰基、O、S、SO2或NR1,其中:
R1在各自存在时可以相同或不同,是杂原子上的取代基,选自烷基、芳基、杂烷基和杂芳基;
W是H、烷基或杂烷基;或两个W一起可代表单键;
在结构式VI中:
两个E是在1,4-,1,5-,1,8-,2,3-或2,6-位;
在结构式VII中:
两个E是在1,4-,1,5-,1,8-,2,3-,2,6-或9,10-位;
在结构式VIII中:
第一个E是在1,2或3位;第二个E是在6,7或8位;
在结构式IX中:
第一个E是在2,3或4位;第二个E是在7,8或9位;
在结构式XII中:
R2选自氢、烷基、芳基、杂烷基和杂芳基;
6是0或1-12整数。
2.如权利要求1所述的共聚物,其中,在至少一种第一单体单元的一种或多种单元中的多个R基团分别选自具有1-30个碳原子的烷基;具有1-30个碳原子和一个或多个杂原子S,N,或O的杂烷基;具有6-20个碳原子的芳基,具有2-20个碳原子和一个或多个杂原子S,N或O的杂芳基。
3.如权利要求1所述的共聚物,其特征在于,所述共聚物不含任何亚乙烯基单体单元。
4.如权利要求1所述的共聚物,其中,在各个结构式I、结构式II、结构式III、结构式IV、结构式V、结构式VI、结构式VII、结构式VIII、结构式IX、结构式X、和结构式XI中的每个R基团选自:
氢;
烷基;
芳基;
杂烷基;
杂芳基;
F;
-CN;
-P(R1)2、-SOR1,其中R1在各自存在时可以相同或不同,是杂原子上的取代基,并选自烷基、芳基、杂烷基和杂芳基;
-NO2
具有图12所示结构式XII的β-二羰基;
-CψHθFλ
-OCψHθFλ
-OR1、-CO2R1、-SR1、-N(R1)2和-SO2R1,其中,R1是直链或支链的、多于20个碳原子的烷基,或者,直链或支链的杂烷基。
5.如权利要求1所述的共聚物,其中,所述至少一种第一单体单元的一种或多种单元中的至少一个R基团分别选自直链和支链的正丁基;直链和支链的异丁基;直链和支链的戊基;带有或不带有烯烃不饱和度的己基和辛基;苯基,噻吩基团,咔唑基团,烷氧基,苯氧基和氰基。
6.如权利要求1所述的共聚物,其中,所述至少一种第一单体单元的一种或多种单元中的至少一个R基团分别选自H,C6-C12烷氧基、苯氧基、C6-C12烷基、苯基和氰基。
7.如权利要求1所述的共聚物,其中,所述至少一种第二单体单元的一种或多种单元选自结构式II(a)-II(z),III(a)-III(g),IV(a)-IV(h),V(a)-V(e),VI(a)-VI(d),和VII(a),其中:
在结构式II(v)-II(y),IV(a),V(a)和V(b)中:
R如上面对各个结构式I、II、III、IV、V、VI、VII、VIII-XI所描述;
在结构式IV(h):
R1在各自存在时可以相同或不同,是杂原子上的取代基,并选自烷基,芳基,杂烷基,和杂芳基;
在结构式V(e)中:
R1在各自存在时可以相同或不同,是杂原子上的取代基,并选自烷基,芳基,杂烷基,和杂芳基。
8.如权利要求1所述的共聚物,其中,所述至少一种第二单体单元的一种或多种单元具有结构式II,其中,R选自:
氢;
烷基;
芳基;
杂烷基;
杂芳基;
F;
-CN;
-NO2
具有图12所示的结构式XII的β-二羰基;
-CψHθFλ
-OCψHθFλ;和
-P(R1)2、-SOR1,-OR1、-CO2R1、-SR1、-N(R1)2和-SO2R1,其中R1是直链或支链的、1-20个碳原子的烷基,或者直链或支链的杂烷基。
9.如权利要求1所述的共聚物,其中至少一种第二单体单元的一种或多种单元具有结构式II,其中R选自:
部分或全部氟化的具有1-12个碳原子的烷基;
具有1-12个碳原子的烷氧基;
具有3-15个碳原子的酯;
SR1、-N(R1)2、-P(R1)2、-SOR1、-SO2R1,其中R1是具有1-12个碳原子的烷基;
-NO2;和
具有图12所示结构式XII的β-二羰基,其中:
在结构式XII中:
R是具有1-12个碳原子的烷基,6是0,1,或2。
10.一种电子器件,所述电子器件包括至少一层电活性层(120,130,140),所述电活性层包括权利要求1-9中任一项所述的共聚物。
11.一种电子器件,所述电子器件包括至少一层空穴注入/输运层,其特征在于所述至少一层空穴注入/输运层中的一层或多层包括权利要求1-9中任一项所述的共聚物。
12.一种电子器件,所述电子器件包括至少一层电子注入/输运层,其特征在于所述至少一层电子注入/输运层中的一层或多层包括权利要求1-9中任一项所述的共聚物。
13.权利要求1-9中任一项所述的共聚物,所述共聚物还包含含有芳基的封端基团。
14.如权利要求10所述的器件,其特征在于,所述器件选自发光器件、光电探测器和光伏器件。
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