CN1551694A - 蓝色电致发光聚合物和使用它的有机电致发光器件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种在聚芳撑聚合物主链上含有一个吲哚并咔唑单元的蓝色电致发光聚合物，以及使用它的有机电致发光器件。
Description
发明背景
1.发明领域
本发明涉及一种蓝色电致发光聚合物和使用它的有机电致发光器件，更尤其涉及一种在聚芳撑聚合物主链上有一个吲哚并咔唑单元的蓝色电致发光聚合物，以及使用该聚合物制成的具有高发光效率和色纯度的有机电致发光器件。
2.相关领域说明
有机电致发光(称为有机EL)器件是一种利用下述现象的有源驱动型发射显示器，该现象是，当把电流施加到荧光或磷光有机化合物层(下文中称为有机层)上时，电子和空穴在有机层中结合，于是发光。有机EL器件有轻便、组件简单、制作方法简易、宽范围的高亮度色彩等的许多优点。有机EL器件还能高色纯度地实现移动图片的逼真显示，同时还具有适合于低功率消耗和低驱动电压的可移动电子器件的电性质。
这些有机EL器件依据其材料的不同可以分为低分子量有机EL器件和聚合物有机EL器件。
低分子量有机EL器件的优点是比较容易合成发光化合物，也较容易纯化到高纯度，并且能轻松获得色象素。然而低分子量有机EL器件在实际应用时，仍存在改进量子效率和色纯度的空间，并且需要防止薄层的结晶。
在聚合物有机EL器件中，可以通过旋涂或印刷比较方便地形成薄层，所以可以以简单的方式低成本地制造这类聚合物有机EL器件。并且，在制造聚合物有机EL器件中形成的有机层显现出良好的机械性质。
然而，这类聚合物有机EL器件存在一些问题，包括色纯度低，驱动电压高和发射效率低。为了克服这些问题，大量的研究工作正在进行。已经提出来了一些改善聚合物有机EL器件的电致发光特性的方法，包括如美国专利号6169163和Sythetic Metal，Vol.106，pp.115-119，1999中公开的含芴聚合物的共聚，以及Applied Physics Letter，Vol.76，No.14，p.1810,2000中公开的含芴聚合物的共混，但是得到的改进并没有达到满意的程度。
发明概述
本发明提供了一种能够容易地移动电荷并具有高发光效率的化合物，以及用此化合物得到的具有高的色纯度和发射效率的有机EL器件。
根据本发明的一个方面，提供了一种如式1所示的聚合物：
<式1>
其中Ar选自取代或未取代的C6-30的芳基和取代或未取代的C2-30的杂芳基；R1，R2，R3和R4独立地是氢原子、取代或未取代的C1-30的烷基、取代或未取代的C1-30的烷氧基、取代或未取代的C6-30的芳基、取代或未取代的C6-30的芳烷基、取代或未取代的C6-30的芳氧基、取代或未取代的C2-30的杂芳基、取代或未取代的C2-30的杂芳烷基、取代或未取代的C2-30的杂芳氧基、取代或未取代的C5-20的环烷基、以及取代或未取代的C5-30的杂环烷基；n是0.01-0.99之间的实数。
依照本发明的另外一个方面，提供了一种在一对电极之间含有一个有机层的有机EL器件，该有机层含有如上所述的聚合物。
附图的简要说明
参考附图，通过详述所列举的实施方案，本发明上述以及其它特征和优点会变得更加清楚，其中：
图1是阐明本发明中制备例1-3的吲哚并咔唑单体和用它合成聚二辛基芴-共-吲哚并咔唑的示意图；
图2A-2F是说明本发明实施例制造的有机电致发光(EL)器件的层状结构示意图；
图3是根据本发明制备例1中的化合物(E)的1H-NMR谱图；
图4是根据本发明制备例3的聚二辛基芴-共-吲哚并咔唑的1H-NMR谱图；
图5A是根据本发明实施例1制造的有机EL器件的电压对电流密度的曲线图；
图5B是根据本发明实施例1制造的有机EL器件的电流密度对亮度的曲线图；以及
图6是根据本发明实施例1制造的有机EL器件的亮度对效率的曲线图。
发明详述
下面将对本发明作详细描述。
本发明式1所示的聚合物包括在它的聚芳撑主链上含有一个吲哚并咔唑单元，该聚合物可以显示良好的电荷迁移能力，尤其是空穴迁移能力和电致发蓝光性质：
<式1>
其中Ar选自取代或未取代的C6-30的芳基和取代或未取代的C2-30的杂芳基；R1，R2，R3和R4独立地是氢原子、取代或未取代的C1-30的烷基、取代或未取代的C1-30的烷氧基、取代或未取代的C6-30的芳基、取代或未取代的C6-30的芳烷基、取代或未取代的C6-30的芳氧基、取代或未取代的C2-30的杂芳基、取代或未取代的C2-30的杂芳烷基、取代或未取代的C2-30的杂芳氧基、取代或未取代的C5-20的环烷基、以及取代或未取代的C5-30的杂环烷基；n是0.01-0.99之间的实数。
蓝色电致发光聚合物主链上的亚芳基(Ar)单元优选具有下式所示的基团：
其中R5和R6独立地选自氢原子、取代或未取代的C1-12的烷基、取代或未取代的C1-12的烷氧基、以及取代或未取代的氨基。
本发明的蓝色电致发光聚合物主链上的亚芳基(Ar)单元更优选具有如式1k或式1m所示的烷基芴结构。芴结构与其它芳香结构相比具有较好的荧光性质，并且可以容易地在其9，9’位置上引入各种取代基，包括烷基，作为增溶部分，因此有较好的化学适应性。
式1所示化合物的一个例子是式2所示的聚合物：
<式2>
其中，R1，R2，R7和R8独立地是C1-12的烷基，n是0.01-0.99之间的实数。
式2所示的聚合物有作为亚芳基单元而引入的9，9’-二辛基芴，及其合成路线如图1所示。
发光聚合物的重均分子量是决定用此聚合物形成的薄膜的性质和器件寿命的一个重要因素。在前面所述的内容中，本发明的蓝色电致发光聚合物优选的重均分子量大约在10,000-200,000之间。如果本发明的蓝色电致发光聚合物的重均分子量小于10,000，在器件的制造和驱动过程中薄膜就可能会结晶。如果本发明的蓝色电致发光聚合物的重均分子量大于200,000，则很难在通常的制备条件下使用Pd(O)或Ni(O)介导的芳基偶合反应制造聚合物，并且用该聚合物的有机EL器件就可能会显现不理想的电致发光特性。
大家知道，从电致发光特性(尤其是器件的寿命)考虑，发光聚合物分子量分布(MWD)较窄是有利的。根据本发明的蓝色电致发光聚合物的MWD优选在1.5-5之间。
本发明化合物中未取代的C1-30的烷基作为取代基的例子有甲基，乙基，丙基，异丁基，仲丁基，戊基，异戊基，己基等，其中烷基基团中的至少一个氢原子可以被如下基团取代：卤原子，羟基，硝基，氰基，取代或未取代的氨基(如-NH2，-NH(R)或-N(R’)(R”)，其中R’和R”独立地是C1-10的烷基)，脒基，肼，腙，羧基，磺酸基，磷酸基，C1-20的烷基，C1-20的卤代烷基，C1-20的链烯基，C1-20的炔基，C1-20的杂烷基，C6-20的芳基，C6-20的芳烷基，C6-20的杂芳基，C6-20的杂芳烷基等。
本发明化合物中作为取代基的芳基是指含有至少一个环的C6-30碳环的芳香体系，其中这些环可以以侧基方式联接在一起，或可稠合。这些芳基的例子包括芳香体系，如苯基，萘基，四氢化萘基等。芳基的至少一个氢原子可以被如上文所述的适合于C1-30的烷基的任何取代基取代。
本发明化合物中作为取代基的杂芳基是指包含一个、两个或三个选自于N，O，P及S杂原子的5-30个原子的芳香环的体系，并且该芳香环体系至少有一个环，其中这些环可以以侧基方式联接在一起，或可稠合。杂芳基的至少一个氢原子可以被如上文所述的适合于C1-30的烷基的任何取代基取代。
本发明化合物中作为取代基的未取代的C1-30的烷氧基的例子包括甲氧基，乙氧基，丙氧基，异丁基，仲丁氧基，戊氧基，异戊氧基，己氧基等，其中烷氧基的至少一个氢原子可以被如上文所述的适合于C1-30的烷基的任何取代基取代。
本发明化合物中作为取代基的芳烷基是指上文所定义的一些氢原子被低级烷基取代的芳基，该低级烷基如甲基、乙基、丙基等。芳烷基的例子包括苯甲基，苯乙基等。芳烷基的至少一个氢原子可以被如上文所述的适合于C1-30的烷基的任何取代基取代。
本发明化合物中作为取代基的杂芳基烷基是指一些氢原子被低级烷基取代的上文所定义的杂芳基。杂芳基烷基的例子包括苄氧基、苯基乙氧基等。杂芳基烷基的至少一个氢原子可以被如上文所述的适合于C1-30的烷基的任何取代基取代。
本发明化合物中作为取代基的环烷基是指C5-30的单价单环体系，其中环烷基中的至少一个氢原子可以被如上文所述的适合于C1-30的烷基的任何取代基取代。
本发明化合物中作为取代基的杂环烷基是指包含一个、两个或三个选自于N，O，P及S杂原子的5-30个原子的环状体系，并且该环状体系具有一些取代氢原子的低级烷基取代基。杂环烷基的至少一个氢原子可以被如上文所述的适合于C1-30的烷基的任何取代基取代。
现在描述利用本发明式1所示蓝色电致发光聚合物的一种有机电致发光(EL)器件及其制造方法。
图2A-2F是描述本发明实施例中制造的有机电致发光(EL)器件的层状结构示意图。
参照图2A，含有式1所示的蓝色电致发光聚合物的发光层12层压在第一电极10之上并在发光层12上面形成第二电极14。
参照图2B，在第一电极10之上层压的含有式1所示的蓝色电致发光聚合物的发光层12上面层压一个空穴阻滞层(hole blocking layer)(HBL)13，在HBL13上面形成第二电极14。
参照图2C，在第一电极10与发光层12之间形成一个空穴注入层(holeinjection layer)(HIL)(也称缓冲层)11。
图2D所示的有机EL器件的层状结构与图2C中所示的相同，不同的是在发光层12上面形成的是电子迁移层(electron transport layer)(ETL)15，而不是HBL13。
图2E所示的有机EL器件的层状结构与图2C相同，不同之处在于，在含有式1所示蓝色电致发光聚合物的发光层12上面形成的是依次层压HBL13和ETL15的双层，而不是HBL13。
图2F所示的有机EL器件的层状结构与图2E所示的相同，不同之处是在HIL11与发光层12之间还形成了一个空穴迁移层(HTL)16。这里HTL16的作用是阻止杂质从HIL11向发光层12渗透。
本发明的有机EL器件可以用常规方法来制造但不局限于常规方法。
现在就来描述根据本发明的优选实施方案制造有机EL器件的方法。
首先，使第一电极10在基质(未示出)上定型。基质是在常规的有机EL器件中使用的基质，优选玻璃基质或透明的塑料基质，该基质透明而且表面光滑，易于处理且防水。基质的例子包括玻璃基质，聚对苯二甲酸乙二酯基质，聚碳酸酯基质和聚酰亚胺基质。基质的厚度优选0.3-1.1mm。
此领域中常用的任何材料都可用于第一电极10。在第一电极10是阴极的情况下，它由很容易注空穴的导电金属或其氧化物组成。第一电极10的优选材料包括但不局限于ITO(铟锡氧化物)，IZO(铟锌氧化物)，镍(Ni)，铂(Pt)，金(Au)和铱(Ir)。
对含有第一电极10的基质进行清洗，然后进行UV/O3处理。在清洗基质时使用有机溶剂如异丙醇(IPA)或丙酮。
在清洗过的基质的第一电极10上选择性的形成空穴注入层11。以这种方式形成空穴注入层11增加了第一电极10和发光层12之间的接触电阻，同时提高了第一电极10对于发光层12的空穴迁移能力，因此改善了器件的驱动电压和使用寿命特性。此领域中常用的任何材料都适合空穴注入层11。空穴注入层11的优选材料包括但不局限于PEDOT{聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)}/PSS(聚苯乙烯磺酸盐)，星芒材料，酞菁铜，聚噻吩，聚苯胺，聚乙炔，聚吡咯，聚亚乙烯基苯，或者这些化合物的衍生物。将用于空穴注入层的材料旋涂在第一电极10上，然后干燥，由此形成空穴注入层11。空穴注入层11的厚度优选300-2000A，更优选500-1100A。如果空穴注入层11的厚度不在上述特定的范围内，空穴注入能力差，这是不合乎要求的。干燥的温度范围优选在100-250℃之间。
通过在空穴注入层11上旋涂，形成发光层的组合物，并干燥形成发光层12。形成发光层的组合物包括0.5-2.0重量份的作为发射材料的式1所示的聚合物和98.0-99.5重量份的溶剂。可以溶解发射材料的任何物质都可以用作溶剂，其例子包括甲苯和氯苯。
在一些情况下，形成发光层的组合物可以与掺杂剂(dopant)混合。掺杂剂的用量根据形成发光层的材料而变化，基于100重量份的发光层材料如式1所示聚合物的优选的量是30-80重量份。如果掺杂剂的用量不在上述范围内，EL器件的电致发光特性就会变劣，这是不合乎要求的。掺杂剂的例子包括聚苯乙烯，聚苯乙烯丁二烯共聚物，聚甲基丙烯酸甲酯，聚-α-甲基苯乙烯，苯乙烯甲基丙烯酸甲酯共聚物，聚丁二烯，聚碳酸酯，聚对苯二甲酸乙二酯，聚酯磺酸盐，聚磺酸酯，多芳基化合物，氟化聚酰亚胺，透明的氟基树脂，透明的丙烯醛基树脂，芳胺，peryls，吡咯，hydrozones，咔唑，二苯二烯，星芒，噁二唑等等。
发射层12的厚度在旋涂过程中通过调节形成发射层组合物的浓度和旋转速度来调节，优选调节到100-1000A范围，更优选500-1000A。如果发光层12的厚度小于100A，其发射效率就会降低。如果发光层12的厚度大于1000A，驱动电压就会增加，这是不合乎要求的。
可以在空穴注入层11和发光层12之间选择性地形成空穴迁移层16。可以使用任何有空穴迁移能力的材料，其例子包括聚三苯基胺以及类似物。空穴迁移层16的厚度优选在100-1000A之间。
空穴阻滞层13和/或电子迁移层15是可以通过蒸发或旋涂在发光层12上形成。空穴阻滞层13阻止所形成的激发子从发射材料迁入到电子迁移层15或者阻止空穴迁入到电子迁移层15。
形成空穴阻滞层13的材料的例子包括LiF，MgF2，菲咯啉基化合物，如UDC有限公司制造的BCP，咪唑，三唑，噁二唑，如PBD，和UDC有限公司制造的铝络合物，如下式所示的BAIq：
含菲咯啉的有机化合物
含咪唑的有机化合物
含三唑的有机化合物
含噁二唑的有机化合物
形成电子迁移层15的材料的例子包括噁唑，异噁唑，三唑，异噻唑，噁二唑，噻二唑，苝，铝络合物如Alq3(三(8-喹啉醇化)铝、BAlq、SAlq、或Almq3，以及镓络合物如Gaq’2OPiv、Gaq’2OAc或2(Gaq’2)。
苝化合物
空穴阻滞层13厚度范围优选为100-1000A，和电子迁移层15的厚度范围优选为100-1000A。如果空穴阻滞层13和电子迁移层15的厚度不在上述范围内，空穴阻滞能力和电子迁移能力就会变差，这是不合乎要求的。
接下来在所得的产物上形成第二电极14，然后封装，这样就得到了有机EL器件。
形成第二电极14的材料没有特别限制，使用具有低功函的金属如Li，Ca，Ca/Al，LiF/Ca，LiF/Al，Al，Mg，Mg合金沉积。第二电极14的厚度范围优选为50-3000A。
根据本发明式1所示的聚合物在制造有机EL器件时不仅可以用作形成发光层的材料，而且可以作为空穴迁移层的材料。同时该聚合物还可以用作制备生物材料的中间体。
下面将参照如下实施例对本发明作更详细的描述。下面的实施例是为了说明而不是限定本发明的范围。
制备例1：吲哚并咔唑单体的合成
1)化合物(C)的制备
在装有900ml醋酸的2L烧瓶中溶解30g(267.5mmol)环-1，4-二酮。往所得的溶液中缓慢地逐滴滴加57.9ml(2.2eq.，588.6mmol)苯基肼(B)。通过TLC来监测反应。当TLC确认环-1，4-二酮都被除去以后，将反应混合物冷却到约5℃。然后将142ml(10eq.，2.675mol)浓硫酸缓慢的逐滴加入到反应混合物中。滴加完毕后将反应混合物温热到约80℃，并反应一小时。
反应完毕后，将反应混合物冷却到室温，接着加入300ml乙醇和150ml蒸馏水，并搅拌一小时。上述过程获得的固体产物经乙醇重结晶后得到25.96g黄色的晶状化合物(C)，产率38％。通过1H-NMR确定化合物(C)的结构。
2)化合物(D)的制备
在2L的烧瓶中将22.8g(89mmol)化合物(C)溶解在1.2L N-甲基吡咯烷酮(pyrrolidinone)中。将混合物温热到约30℃，缓慢地逐滴滴加33.3g(186.8mmol)N-溴琥珀酰亚胺(NBS)，并搅拌约2小时。
反应结束后，向反应混合物中加入4L蒸馏水，并提取出沉淀物得到黄色固体。将黄色固体溶解到1.5L乙酸乙酯中，用MgSO4和活性炭处理，并用硅藻土填料过滤。减压蒸馏滤液，除去不反应的溶剂，用200ml二氯甲烷过滤得到15.5g黄色固体化合物(D)，产率42％。
3)化合物(E)的制备
将10g(24.1mmol)化合物(D)，3.25g(57.84mmol)碳酸钾，11.17g(1.2eq.57.84mmol)溴代辛烷溶解到150ml二甲基甲酰胺中，将反应混合物温热到150℃，并回流约16小时。
反应结束后，将反应混合物冷却至室温。将冷却的含水反应混合物逐滴滴加到300ml蒸馏水中，用氯仿萃取并用300ml蒸馏水洗涤。用MgSO4干燥萃取的氯仿层。将得到的产物过滤浓缩，并通过使用己烷作为洗脱剂的硅胶柱色谱法纯化后得到12.77g(20mmol)黄色固体化合物(E)，产率82.9％。通过1H-NMR确定化合物(E)的结构。图3显示的是化合物(E)的1H-NMR谱图。
1H-NMR(300MHz，CDCl3)：δ0.98(s，6H)，1.36(m，20H)，1.91(s，4H)，4.80(s，4H)，6.92-9.15(m，8H)
制备例2：9，9’-二辛基-2，7-二溴代芴(化合物F)的合成
将25g(77mmol)2，7--二溴代芴和辛基溴溶解到100ml甲苯中，并往其中加入1.25g(3.85ml)四丁基溴化铵(TBAB)。将31g(770mmol)NaOH溶解到50ml水中得到的NaOH水溶液加入到所得混合物中，并回流2天。
反应结束后，反应混合物用体积比为2∶1的水和三氯甲烷混合溶剂萃取，得到有机层。将得到的有机层用MgSO4干燥，并浓缩。通过使用正己烷作为洗脱剂的硅胶柱色谱法纯化产物。减压蒸馏洗脱剂，除去未反应的辛基溴，得到40g化合物(F)，产率95％。通过1H-NMR确定化合物(E)的结构。
1H-NMR(300MHz，CDCl3)：δ0.65(broad s，4H)，0.87(m，6H)，1.21(m，20H)，1.93(m，4H)，7.48(m，4H)，7.54(m，2H)
制备例3：聚(二辛基芴-共-吲哚并咔唑)(摩尔比90∶10)(PFIC 9)的合成
在将烧瓶抽真空并用氮气回流数次，完全除去其中的水分后，在手套箱内向烧瓶中转移880mg(3.2mmol)二(1，5-环辛二烯)镍(0)(用Ni(COD)表示)和500mg(3.2mmol)联吡啶(bipyridal)，将烧瓶抽真空并用氮气回流数次。往烧瓶中加入10ml无水二甲基甲酰胺(DMF)，346mg(3.2mmol)1，5-环辛二烯(COD)和10ml无水甲苯。在80℃下搅拌反应混合物30min，并向其中加入将102mg(0.16mmol)制备例1得到的化合物(E)与790mg(1.44mmol)制备例2中得到的化合物(F)在10ml甲苯中稀释后获得的溶液。然后向反应混合物中加入10ml甲苯将残留在烧瓶壁上的物质冲洗掉，并在80℃下搅拌4天，随后加入1ml一溴五氟代苯，再在80℃下搅拌1天。
搅拌结束后将反应液冷却到约60℃，然后倒入体积比为1∶1∶2的HCl∶丙酮∶甲醇混合溶剂中形成沉淀。将沉淀物溶于氯仿，然后向其中加入甲醇再沉淀，得到490mg如式3所示的聚(二辛基芴-共-吲哚并咔唑)，产率75％(见图1)。用凝胶渗透色谱仪(GPC)分析得到的产物，即聚(二辛基芴-共-吲哚并咔唑)。分析结果显示，该化合物的重均分子量为140,000，多分散系数2.71。图4显示的是聚(二辛基芴-共-吲哚并咔唑)的1H-NMR谱图。
<式3>
比较制备例1：聚(9，9’-二辛基-2，7-芴)的合成
将烧瓶抽真空并用氮气回流数次，完全除去其中的水分后，在手套箱中向烧瓶中转移880mg(3.2mmol)Ni(COD)和500mg(3.2mmol)联吡啶，烧瓶进一步抽真空并用氮气回流数次，然后在氮气流下加入10ml无水DMF，346mg(3.2mmol)COD和10ml无水甲苯。在80℃下搅拌反应混合物30min，并向其中加入将1.03g(1.28mmol)制备例2中得到的化合物(F)，即9，9’-二辛基-2，7-二溴代芴，在10ml甲苯中稀释后得到的溶液。然后向反应混合物中加入10ml甲苯，将残留在烧瓶壁上的物质冲洗掉，并在80℃下搅拌4天，随后加入1ml一溴五氟代苯，再在80℃下搅拌1天。
搅拌结束后，将反应液冷却到约60℃，然后倒入体积比为1∶1∶2的HCl∶丙酮∶甲醇混合溶剂中形成沉淀。将沉淀物用重力过滤器收集，然后溶于少量的氯仿中，然后加入甲醇再沉淀，得到450mg 9，9’-二辛基-2，7-芴，产率60％。
用GPC分析得到的产物。分析结果显示，该化合物的重均分子量为100,000，多分散系数2.64。
实施例1：有机EL器件的制造
将涂覆有铟-锡氧化物(ITO)的透明电极层洗净。ITO层用光刻胶树脂和刻蚀剂装饰成想要形状的图案，形成ITO电极图案，并清洗干净。将PEDOT(可以从Bayer公司购得，商品名为Batron P 4083)以500A的厚度涂覆到形成图案的ITO层上，并在180℃下烘烤约1小时就形成了空穴注入层。
取制备例3中制备的化合物0.015g，即聚(二辛基芴-共-吲哚并咔唑)，将它溶解在1g甲苯中得到EL层组合物。将EL层组合物旋涂在空穴注入层上，90℃下烘烤约2小时，并放置在真空烘箱中完全除去溶剂，从而形成了聚合的发光层，厚度大约为800A。这里，在旋涂之前，先用0.2mm的过滤器过滤EL层组合物。接下来在真空沉积室中在4×10-6torr或更低的真空度下将钙和铝依次沉淀在发光层上，这样就制造出了如图2A所示的有机EL器件。使用晶体传感器来控制在沉积过程中层的厚度和生长速度。得到的EL器件的发射面积为4mm2。
比较例：一种有机EL器件的制造
以与实施例1相同的方式制造有机EL器件，不同的是在形成发光层组合物时用的是比较例1中制备的聚(9，9’-二辛基-2，7-芴)，而不是制备例3中制备的聚(二辛基芴-共-吲哚并咔唑)。
评价实施例1和比较例1中有机EL器件的电致发光性质，结果见表1。为了评价电致发光性质，施加正向偏压作为直流(DC)驱动电压。
表1
| 实施例(PFIC9) | 比较例1 | |
| CIE(x，y)@100cd/m2 | (0.156，0.159) | (0.17，0.23) |
| 最大亮度 | 2300cd/m2 | 2300cd/m2 |
| 最大效率 | 0.37cd/A | 0.25cd/A |
| 驱动电压 | 3.4V | 3.4V |
如表1中所示，与比较例1中的有机EL器件相比，当维持相同水平的最大亮度和驱动电压时，实施例1中的有机EL器件在最大效率和色纯度上有所改善。
研究了实施例1和比较例1中的有机EL器件的电压-电流密度关系以及电流密度-亮度关系，结果见图5A，5B以及图6。
参照图5A，5B以及图6，实施例1和比较例1中的有机EL器件表现出了典型的整流二极管的特性。尤其是应用了实施例1中制备的聚合物的有机EL器件，甚至是在重复驱动循环后仍表现出良好的稳定性，也就是说，电压-电流密度特性维持在起初的水平。
如上文所述，根据本发明式1所示的聚合物可以在生物材料制备中用作中间体。同时，根据本发明式1所示的聚合物有良好的电荷迁移能力和蓝色电致发光性质。当根据本发明的蓝色电致发光聚合物用于有机层时，就可以制造出有改善的电致发光效率和色纯度的有机EL器件。
Claims (9)
1.一种式1所示的聚合物：
<式1>
其中Ar选自取代或未取代的C6-30的芳基和取代或未取代的C2-30的杂芳基；
R1，R2，R3和R4独立地是氢原子、取代或未取代的C1-30的烷基、取代或未取代的C1-30的烷氧基、取代或未取代的C6-30的芳基、取代或未取代的C6-30的芳烷基、取代或未取代的C6-30的芳氧基、取代或未取代的C2-30的杂芳基、取代或未取代的C2-30的杂芳烷基、取代或未取代的C2-30的杂芳氧基、取代或未取代的C5-20的环烷基、以及取代或未取代的C5-30的杂环烷基；n是0.01-0.99之间的实数。
2.如权利要求1所述的聚合物，其中在式1中，聚合物主链上的亚芳基(Ar)是如下式所示的基团：
其中R5和R6独立地选自氢原子、取代或未取代的C1-12的烷基、取代或未取代的C1-12的烷氧基、以及取代或未取代的氨基。
3.如权利要求1所述的聚合物，其中在聚合物主链上的亚芳基(Ar)具有如式1k或1m所示的烷基芴结构。
4.如权利要求1所述的聚合物，其中聚合物的重均分子量在10,000-200,000之间，分子量分布在1.5-5之间。
5.如权利要求1所述的聚合物，其中聚合物是如式2所示的化合物：
<式2>
其中，R1，R2，R7和R8独立地是C1-12的烷基，n是0.01-0.99之间的实数。
6.一种有机EL器件，包含在一对电极之间的一层有机层，该有机层含有如权利要求1所述的任一种聚合物。
7.如权利要求6所述的有机EL器件，其中有机层是发光层或空穴迁移层。
8.如权利要求6所述的有机EL器件，其中在式1中，聚合物主链上的亚芳基(Ar)是如下式所示的基团：
其中R5和R6独立地选自氢原子、取代或未取代的C1-12的烷基、取代或未取代的C1-12的烷氧基、以及取代或未取代的氨基。
9.如权利要求6所述的有机EL器件，其中聚合物是如式2所示的化合物：
<式2>
其中，R1，R2，R7和R8独立地是C1-12的烷基，n是0.01-0.99之间的实数。
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