CN1611095A - 感应加热装置以及用于可控地加热物品的方法 - Google Patents

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J·J·苏马克里斯
M·J·派斯利
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Abstract

一种用于可控地加热物品的加热装置限定了一用于保持物品的处理室，并且包括一外壳和一EMF发生器。外壳包括一围绕着至少一部分处理室的基座部分，和一介于基座部分与处理室之间的传导部分。EMF发生器可以操作以在基座部分中感应产生涡流，以便使得传导部分中基本上不会感应产生涡流。传导部分可以操作以便将热从基座部分传导至处理室。加热装置还可以包括一母盘和一限定于传导部分中的开口，其中开口介于基座部分与母盘之间。

Description

感应加热装置以及用于可控地加热物品的方法
关于政府支持的说明
本发明至少部分地根据编号为No.F33615-00-C-5403的空军研究实验室合同得到政府支持。美国政府可对本发明拥有某些权益。
技术领域
本发明涉及用于可控地加热物品的方法和设备，更具体而言，涉及用于感应加热的方法和设备。
背景技术
碳化硅(SiC)作为一种用于电子装置中的有效半导体材料得到日益增长地承认。SiC拥有许多使得其对需要在高温、高能和/或高频下工作的装置的应用场合特别有吸引力的属性。SiC具有高效的热传递能力，并且能够耐受高电场。
已经证明，热壁化学汽相沉积(CVD)反应器可以提供带有优于冷壁系统的组织形态与掺杂情况的SiC外延层。例如，请参看授予Kordina等人的美国专利No.5,695,567，其公开内容在此引入作为参考。在某些过程中，例如外延生长过程中，对于邻近衬底的热型面的处理可能极为重要。温度梯度可显著影响许多生长参数和合成层的质量。在衬底置于与周围基座相分离的母盘上(例如，以便转动)并且采用感应加热的情况下，母盘可能显著地比基座内表面要冷得多。更具体而言，基座可以通过一RF场直接加热，而母盘只能或者主要通过来自基座的热传导和辐射作用加热。衬底甚至可能比母盘更冷。结果，在衬底生长表面与基座内表面之间就可呈现一显著的热梯度。热梯度可能还会由于通过基座的处理气体流的冷却效应的影响而进一步加剧。
上述温度梯度可能带来许多问题。这些问题可包括在热基座壁上形成松散的沉积物(例如SiC)。这种沉积物可能落于衬底上并且合并入外延层中。而且，由于温度梯度中的变化不可控制并且过程窗口狭窄，因此温度梯度可能造成难以控制材料的属性。
上述问题可能也存在于其它类型的过程中，例如其它类型的沉积过程和退火过程。
发明内容
根据本发明的实施例，一种用于可控地加热物品的加热装置限定了一用于保持物品的处理室，并且包括一外壳和一EMF发生器。外壳包括一围绕着至少一部分处理室的基座部分，和一介于基座部分与处理室之间的传导部分。可以操作EMF发生器以在基座部分中感应产生涡流，以便使得传导部分中基本上不会感应产生涡流。传导部分可以操作以便将热从基座部分传导至处理室。加热装置还可以包括一母盘和一限定于传导部分中的开口，其中开口介于基座部分与母盘之间。
根据本发明的实施例，感应加热装置所用的外壳组件限定了一处理室，并包括一围绕着至少一部分处理室的基座。一热传导衬垫介于基座与处理室之间。衬垫与基座分开形成。
基座可以包括一母盘区域，并且外壳组件还可以包括：一母盘和一开口，母盘适用于支承放置在处理室中的物品并覆盖着母盘区域，而开口限定于衬垫中并且介于母盘区域与母盘之间。
根据本发明的方法实施例，一种用于可控地加热物品的方法包括将物品放置于一处理室中。将一电磁场应用于环绕着处理室的外壳上，以便使得在外壳的外侧基座部分之内感应产生涡流，并且使得在外壳的内侧传导部分中基本上不会感应产生涡流。将热通过传导部分从基座部分传导至处理室。
通过阅读下图和以下关于优选实施例的详细描述，本发明所属领域的普通技术人员应当理解本发明的目的，其中这些描述仅用于对本发明进行示例说明。
附图说明
图1为根据本发明实施例的一外壳组件的部件分解透视图；
图2为图1中的外壳组件的透视图；
图3为根据本发明实施例的一反应器组件的透视图，其包括图1中的外壳组件；
图4为图3中的反应器组件的端视图；
图5为形成了图1中外壳组件的一部分的底部基座构件的俯视图；
图6为图5中的底部基座构件的侧视图；
图7为图5中的底部基座构件沿图5中的线7-7剖开的剖视图；
图8为形成了图1中外壳组件的一部分的顶部基座构件沿图1中的线8-8剖开的剖视图；
图9为形成了图1中外壳组件的一部分的侧面基座构件沿图1中的线9-9剖开的剖视图；
图10为形成了图1中外壳组件的一部分的底部衬垫的底视图；
图11为图10中底部衬垫的侧视图；
图12为形成了图10中的底部衬垫的一部分的后衬垫构件的端视图；
图13为图14中的底部衬垫沿图10中的线13-13剖开的剖视图；
图14为形成了图1中外壳组件的一部分的顶部衬垫的底视图；
图15为图14中的顶部衬垫的侧视图；
图16为图14中的顶部衬垫沿图14中的线16-16剖开的剖视图；以及
图17为形成了图1中的外壳组件的一部分的母盘沿图1中的线17-17剖开的剖视图。
具体实施方式
现在将参照示出了本发明优选实施例的附图，在下文中对本发明进行更充分地描述。然而，本发明可以具体表现为许多不同的形式，而不应当理解为限定于本文中所述的实施例；相反地，所提供的这些实施例将使得本公开内容详尽而完整，并且将向本发明所属领域的普通技术人员充分传达本发明的范围。
参看图1-4，其中示出了根据本发明实施例的一外壳组件100和一包括该外壳组件100的加热装置或反应器组件10。为了进行描述，外壳组件100具有一前端104A和一后端106A(图2)。参看图3和4，反应器组件10还包括围绕着外壳组件100的绝缘外罩16、18。所提供的电磁场(EMF)发生器11包括一围绕着外罩16、18的导电线圈14和一电源12，下面将对此进行更详细的描述。反应器组件10用作用于利用大气或者处理气体IG流(图2)来处理衬底5(图1)，例如半导体晶片的热壁CVD反应器的一部分。
转向外壳组件100对其进行更详细地描述，外壳组件100包括一底部基座构件110、一顶部基座构件120以及一对侧面基座构件130，它们通过销139连接起来并设置形成了一在相对两端开口的箱子。一底部传导构件或衬垫150安装于底部基座构件110上。底部衬垫150包括一前衬垫构件154和一后衬垫构件152，这二者可以互相分离并一起限定了一个位于其间的开口156。开口156位于底部基座构件110上的母盘区域112上方并将其露出。母盘140覆盖着母盘区域112并且容放于开口156中。母盘140可以以枢轴销149为中心转动。一顶部传导件或衬垫160覆盖着母盘140。顶部衬垫160由凸缘部分163支承，凸缘部分163介于顶部基座构件120与位于外壳组件100任一侧的侧面基座构件130之间。
参看图2，外壳组件100限定了一处理室或通路102，其完全延伸穿过外壳组件100并且与入口104和出口106相连通。更具体而言，通路102由底部衬垫150、顶部衬垫160、侧面基座构件130以及母盘140的内表面限定。
参看图5和6，底部基座构件110包括用于容放销139或其它紧固件的孔110A。母盘区域112可适于为母盘140提供气体驱动的转动方式，例如，如序号为No.09/756,548的美国专利申请中所公开，该专利申请由发明者Paisley等人于2001年1月8日提交，其名称为《用于形成碳化硅层的气体驱动式转动设备及方法》，其公开内容在此全部引入作为参考。一环形、直立的脊114围绕着母盘区域112。一直立的接头110B邻近底部基座构件110的后端放置。
参看图7，底部基座构件110包括一芯115和一围绕层或涂层117。优选地，涂层117完全包围着芯115。形成芯115的材料具有高纯度，能够耐受高温(例如，熔点大于1800℃)，具有低化学反应性并且具有可以接受的低电阻。优选地，形成芯115的材料的电阻系数不超过大约100×10-6欧姆米。优选地，芯115由石墨形成(优选高纯度石墨)。
形成涂层117的材料具有高纯度，能够耐受高温(例如，熔点大于1800℃、化学反应性低并且电阻低至可以接受)。优选地，形成涂层117的材料的电阻系数低于芯115的电阻系数。更优选地，形成涂层117的材料的电阻系数不超过芯115的电阻系数的20％。优选地，形成涂层117的材料的电阻系数不超过大约20×10-6欧姆米。优选地，涂层117由SiC或者耐熔金属碳化物形成，更优选地，由TaC、NbC和/或TiC形成。最优选地，涂层117由碳化钽(TaC)形成。涂层117可以通过任何适用的方法涂敷于芯115上。优选地，涂层117为一种致密、不透性的涂层。优选地，涂层117的厚度至少为大约10微米。
参看图1和8，顶部基座构件120包括用于容放销139或其它紧固件的孔120A。参看图8，顶部基座构件120包括一芯125和一围绕层或涂层127。优选地，涂层127完全包围着芯125。芯125可以由与以上关于芯115所述相同的材料形成，并且优选材料也相同。涂层127可以由与以上关于涂层117所述相同的材料形成并且尺寸相同，而且优选的材料和尺寸也均相同，并可以按照与上述相同的方式涂敷于芯125上。
参看图1和9，每个侧面基座构件130包括用于容放销139或其它紧固件的孔130A。参看图9，侧面基座构件130包括一芯135和一围绕层或涂层137。优选地，涂层137完全包围着芯13 5。芯135可以由与以上关于芯115所述相同的材料形成，并且优选的材料也相同。优选地，涂层137由不透性材料形成。更优选地，涂层137由SiC(优选不透且孔隙率为0％的致密SiC)形成。涂层137可以通过任何适用的方式或方法涂敷于芯135上。优选地，涂层137的厚度至少为100微米。
参看图10-13，为清楚起见，其中示出的底部衬垫150的衬垫构件152和154分离。后衬垫构件152包括一适于容放底部基座构件110的接头110B的端槽152B。后衬垫构件152和前衬垫构件154分别限定了相对的半圆形凹槽156B和156A。另外，半圆形、朝下的凹槽152C和154C沿着凹槽156A和156B形成于衬垫构件152和154中。
参看图13，后衬垫构件152包括一芯155和一围绕层或涂层157。优选地，涂层157完全包围着芯155。形成芯155的材料具有高纯度，能够耐受高温(例如，熔点大于1800℃、化学反应性低并且电阻低至可以接受)。优选地，芯115由石墨形成。芯155可以按照与以上对芯115所述相同的方式形成。优选地，芯155的厚度至少为0.15英寸。在使用时，芯优选地适于提供一与母盘140基本上同平面的上表面(即母盘140浮起)。
涂层157由一种低化学反应性的材料形成。优选地，涂层157由SiC或者与SiC相容的耐熔金属碳化物形成。更优选地，涂层157由SiC(优选不透且孔隙率为0％的致密SiC)形成。涂层157可以通过任何适用的方式或方法应用于芯155上。优选地，涂层157的厚度至少为大约10微米。前衬垫构件154的构造方式与后衬垫构件152相同，并且具有一与芯155相应的芯(未示出)和一与涂层157相应的涂层。
参看图14-16，顶部衬垫160包括适于容放销139或其它紧固件的孔160A。顶部衬垫160的楔形部分162沿顶部衬垫160的后端的方向厚度逐渐增加。楔形部分162可以用于逐步减少流过通路和出口106的处理气体的边界层，以便促进反应物从处理气体传递至衬底表面上。
参看图16，顶部衬垫160包括一芯165和一围绕层或涂层167。优选地，涂层167完全包围着芯165。芯165可以由与以上关于芯155所述相同的材料形成。涂层167可由与以上关于涂层157所述相同的材料形成，并且可以按照上述方式应用于芯165上。优选地，芯155的标称厚度至少为大约0.15英寸。
参看图17，母盘140包括多个适于保持晶片5的位于其上侧上的凹槽。一用于容放销149的销槽144形成于母盘140的下侧中。母盘140包括一芯145和一围绕层或涂层147。优选地，涂层147完全包围着芯145。芯145可以由与以上关于侧壁基座130所述相同的材料形成。涂层147可由与以上关于涂层137所述相同的材料形成并且尺寸相同，而且优选的材料和尺寸也相同，并可以按照上述方式涂敷于芯145上。另外，母盘140另外也可由实心SiC或实心SiC合金形成。
绝缘外罩16、18可以由任何适用的材料形成以便使得外壳组件100保持热绝缘。优选地，形成绝缘外罩16、18的材料具有高纯度、低化学反应性，并且在真空中的热传导率小于约2W/m/K。
适用作EMF发生器11的EMF发生器包括可从德国HuettingerElectronic公司买到的BIG。线圈14和电源12保持电连接以便使得电源12可提供选定频率或频率范围中的通过线圈14的A/C电流。优选地，电源12可以提供频率在至少5kHz和1MHz之间或这一频率范围的子集中的通过线圈14的电流。优选地，电源12可在至少20kW至150kW之间的范围中提供能量。
外壳组件100可以按照如下方法进行装配。将侧面基座构件130安装于底部基座构件110上。将后衬垫构件152置于底部基座构件110上，以便使得接头110A容放于狭槽152B中并且脊114容放于狭槽152C中。按照这种方式，衬垫构件152就肯定地位于且固定于底部基座构件110上的适当位置。将前衬垫构件154置于底部基座构件110上以便使得脊114容放于狭槽154C中。在安放衬垫构件152、154中任一个或两个之前或之后，将母盘140在母盘区域112上放置于销149上，并且置于开口156中。将顶部衬垫160与顶部基座构件120安装于侧面基座构件130上。
在使用中，将一个或更多衬底5置于母盘140上的通路102中。电源12按照已知的方式工作以便提供通过线圈的交流电的功率级和频率，从而产生一电磁场。电流频率选择成使得在基座构件110、120、130中产生涡流。芯115、125、135和涂层117、127、137的电阻将至少部分涡流转化成热量，因此使得基座构件110、120、130中产生热量。然而，电流频率的选择使得衬垫150、160或母盘140中基本上没有涡流产生。相反地，基本上所有由外壳组件100从线圈14吸收的能量都由基座构件110、120、130衰减掉。优选地，基座构件110、120、130衰减了至少90％的能量，更优选地至少95％，而最优选地为100％。因此，在衬垫150、160或母盘140中没有或者基本没有热量感应生成。
基座构件110、120、130中感应生成的热量或热能通过衬垫150、160和母盘140从基座构件110、120、130热传导至通路102。因此，衬底5通过传导(通过母盘140)、辐射以及对流而被加热。优选地，衬底5被加热至一大约1400至1800℃之间的温度。特别地，优选地，母盘140直接覆盖着底部基座构件110的母盘区域112而没有一部分衬垫150介于其间。衬垫150、160的涂层157、167可以提供从基座构件110、120开始的热突变区，从而进一步提高热均匀性。
按照这种方式，外壳组件100的内表面(即与通路102保持流体连通的表面)就保持以空间上更均匀的温度，因此减少了在衬底附近的热梯度。在此重申，可以在通路102中为衬底5建立更等温的环境，以便使得与衬底5接触的外壳组件100的这部分(即母盘140)的温度与限定通路102的其他表面(即衬垫150、160和侧面基座构件130的内表面)基本上处于相同的温度。因此，衬底5自身基本上与限定通路102的表面温度相同。这样，就可以减少与热梯度太大相关的上述问题。例如，可以消除或减少松散沉积物的形成。过程(例如外延过程)可以得到更准确的控制。
在反应过程中，处理气体IG(图2)可以通过开口104流入通路102中。处理气体IG可以包括原始气体例如由净化氢气(H2)的载体所引入和输送的硅烷(SiH4)和丙烷(C3H8)。处理气体IG穿过通路102。当处理气体IG穿过由EMF发生器所生成的热区时，就在衬底5上发生SiC沉积反应。处理气体IG的残留物OG通过开口106而从通道102中排出。优选地，处理气体IG以至少10slmp的速率流过通路102。
可能需要拆下或更换母盘140。例如，在处理过程之后，可能需要拆下一个或多个衬底5并用新衬底取代它们以便进行处理。同样，可能需要将母盘140拆下以便进行清洁或更换新母盘。通过首先拆下前衬垫构件154然后拆下母盘140，就可以方便地拆下母盘140。也可能需要拆下衬垫构件152、154中任一个或者将它们两个全部拆下。这些程序中的每一个均可在不拆卸外壳组件100的其余部分或者不将外壳组件100从反应器组件10上拆下的情况下进行。
外壳组件100可以提供给一种更有效、方便和耐用的加热装置，尤其是在将TaC用于涂层117、127而将SiC用于涂层130、140、150、160的情况下。TaC涂层117、127、137可以用于减少热辐射损耗，并且防止或减少SiC涂层发生不必要的升华。底部基座110的母盘区域112中的TaC涂层可以为转动母盘140提供更耐用的平台。提供位于衬底附近并与通道102保持流体连通的SiC涂层，就可以利用沉积于SiC涂层上的附加SiC沉积物的粘附特性，以及SiC涂层和SiC衬底5的化学、热学、机械和结构相似性。位于侧面基座构件130上的SiC涂层137可以有助于减少由于感应加热而对侧面基座的加热作用。
衬垫150、160与基座构件110、120、130分开形成可以容许延长外壳组件100的使用寿命并且减少使用成本和停机时间。当衬垫150、160到达其使用寿命的终点时，在不需要更换外壳组件100的其余部分的情况下，就可以节省成本地对其进行更换。而且，在不需要将外壳组件100从反应器组件10上拆下或者拆卸外壳组件100的其余部分的情况下，可以拆下衬垫构件152、154以便于清洁(例如，以便于刮落附加沉积物)。
衬垫的设计(例如尺寸、材料和/或位置)可以选择、改动或者互换，以便于形成或控制处理室中的温度梯度。例如，可将另外附加的衬垫沿着侧面基座构件130放置，或者可以改变一个或更多的衬垫的厚度或材料。衬垫可为一体式(例如：作为一单式套筒)。衬垫可以与一个或多个基座构件形成一体。优选地，一个或多个衬垫包括一与用于容放母盘的开口156相对应的开口。
衬垫可以选择或互换以便得到所需的气流特性。尤其是，顶部衬垫160可以拆下，然后用具有不同形状的楔部分162或者不带楔部分的顶部衬垫来替换。
尽管上面已经对某些实施例进行了描述，但是应当理解根据本发明可以作出各种改动。例如，处理室可以在一端或者两端封闭，而非提供一通路102。根据本发明的外壳组件和加热装置可以用于其它类型的处理过程和材料系统，以及其它类型的沉积系统。尤其是，根据本发明的外壳组件和加热装置可以用于退火处理过程。对于半导体衬底以外的物品，也可以进行处理。
在其它实施例中，端绝缘可以置于外壳组件100的任一端或者两端上。如果存在的话，端绝缘可形成为具有与外罩16、18的直径相匹配的直径的短圆柱。可以提供通过端绝缘的通路以便容许处理气体IG自由地流过处理室。端绝缘中的通路可以带有保护衬垫，其优选地由涂敷着石墨的碳化硅制成，其将处理气体IG与可能污染处理气体的端绝缘材料隔开。
尽管上文中优选实施例参照“顶部”、“底部”等等进行了描述，但是根据本发明也可以使用其它的方位和构型。
上述内容是对本发明的示例说明，而并不应当理解成为对其进行限制。虽然已经对本发明的少数示例性实施例进行了描述，但本领域的普通技术人员应该理解，在不从本质上背离本发明的新型思想和优点的情况下，在示例性实施例中可以作出许多改动。相应地，所有这些改动都应当包括于本发明的范围之中。因此，应当理解，上述内容是对本发明的示例说明，而并不应当理解成限定于所公开的特定实施例，并且对所公开的实施例所作的改动以及其它实施例都应当包括于本发明的范围之内。

Claims (42)

1.一种用于可控地加热物品的加热装置，加热装置限定了一用于保持物品的处理室并且包括：
a)一外壳，包括：
一围绕着至少一部分处理室的基座部分；和
一介于基座部分与处理室之间的传导部分；以及
b)一EMF发生器，可以操作EMF发生器以在基座部分中感应产生涡流，以便使得传导部分中基本上不会感应产生涡流；
c)其中传导部分可以操作以便将热从基座部分传导至处理室。
2.根据权利要求1所述的加热装置，其中至少90％由外壳从EMF发生器吸收的能量由基座部分衰减掉。
3.根据权利要求1所述的加热装置，其中基座部分包括一第一材料的基座芯和一第二材料的基座涂层。
4.根据权利要求3所述的加热装置，其中第一材料为石墨。
5.根据权利要求3所述的加热装置，其中第二材料为SiC。
6.根据权利要求3所述的加热装置，其中第二材料选自耐熔金属碳化物。
7.根据权利要求6所述的加热装置，其中第二材料为TaC。
8.根据权利要求1所述的加热装置，其中与处理室保持流体连通的传导部分的基本上所有表面都由SiC形成。
9.根据权利要求8所述的加热装置，其中传导部分包括一第一材料的传导芯和一不同于第一材料的第二材料的传导涂层。
10.根据权利要求9所述的加热装置，其中第一材料为石墨。
11.根据权利要求9所述的加热装置，其中第二材料为一种耐熔金属碳化物。
12.根据权利要求9所述的加热装置，其中第二材料为SiC。
13.根据权利要求1所述的加热装置，其中：
d)基座部分包括置于处理室的相对两侧的第一基座部分和第二基座部分；
e)传导部分包括一置于第一基座部分和处理室之间的第一衬垫和一置于第二基座部分和处理室之间的第二衬垫。
14.根据权利要求13所述的加热装置，其中第二基座部分包括一母盘区域，加热装置还包括：
一适于支承置于处理室中的物品并且覆盖着母盘区域的母盘；以及
一限定于第二衬垫中、位于母盘区域上方并且介于母盘区域与母盘之间的开口。
15.根据权利要求14所述的加热装置，其中第二衬垫包括置于母盘的相对两侧并且各自限定了开口的一部分的第一和第二衬垫构件，其中第一和第二衬垫构件为可分离式。
16.根据权利要求15所述的加热装置，其中第一和第二衬垫构件中至少一个可与第二基座部分分离。
17.根据权利要求1所述的加热装置，包括一适于支承置于处理室中的物品的母盘。
18.根据权利要求17所述的加热装置，其中可操作EMF发生器以产生电磁场，以便使得：
电磁场基本上不会在母盘中感应产生涡流；以及
母盘从基座部分向处理室传导热量。
19.根据权利要求17所述的加热装置，包括一限定于传导部分中的开口，其中该开口介于基座部分与母盘之间。
20.根据权利要求17所述的加热装置，其中母盘适于相对于基座部分转动。
21.根据权利要求1所述的加热装置，包括一与处理室保持流体连通的入口和出口。
22.根据权利要求21所述的加热装置，包括供应对热呈反应性的处理气体以便沉积SiC。
23.根据权利要求1所述的加热装置，其中可操作EMF发生器以便将基座部分加热至至少为1400℃的温度。
24.一种感应加热装置所用的外壳组件，外壳组件限定了一处理室并包括：
f)一围绕着至少一部分处理室的基座；以及
g)一介于基座与处理室之间的热传导衬垫，其中衬垫与基座分开形成。
25.根据权利要求24所述的外壳组件，包括：
一置于处理室的相对两侧的第一基座部分和第二基座部分；
一置于第一基座部分和处理室之间的第一衬垫；以及
一置于第二基座部分和处理室之间的第二衬垫。
26.根据权利要求24所述的外壳组件，其中基座包括一母盘区域，外壳组件还包括：
一适于支承置于处理室中的物品并且覆盖着母盘区域的母盘；以及
一限定于衬垫中并且介于母盘区域与母盘之间的开口。
27.根据权利要求26所述的外壳组件，其中衬垫包括置于母盘的相对两侧并且各自限定了开口的一部分的第一和第二衬垫构件，其中第一和第二衬垫构件为可分离式。
28.根据权利要求27所述的外壳组件，其中第一和第二衬垫构件中至少一个可与基座分离。
29.根据权利要求24所述的外壳组件，包括用于将衬垫确定地以及可拆地相对于基座定位的装置。
30.根据权利要求24所述的外壳组件，其中衬垫的厚度沿至少其长度的一部分变化。
31.一种用于可控地加热物品的方法，这种方法包括：
h)将物品放置于一处理室中；
i)将一电磁场应用于环绕着处理室的外壳上，以便使得在外壳的外侧基座部分之内感应产生涡流，并且使得在外壳的内侧传导部分中基本上不会感应产生涡流；以及
j)将热通过传导部分从基座部分传导至处理室。
32.根据权利要求31所述的方法，其中至少90％由外壳吸收的电磁场的能量由基座部分衰减掉。
33.根据权利要求31所述的方法，包括使处理气体流穿过邻近物品的处理室。
34.根据权利要求33所述的方法，其中使处理气体流通过的步骤包括使处理气体流以至少20slpm的速率穿过处理室。
35.根据权利要求33所述的方法，其中处理气体包括选自SiH4和C3H8的化合物。
36.根据权利要求31所述的方法，其中物品为半导体材料的衬底。
37.根据权利要求36所述的方法，其中物品为SiC的衬底。
38.根据权利要求31所述的方法，包括在利用由传导部分从基座部分传导至处理室的热能加热物品的同时，将一外延层沉积于物品上。
39.根据权利要求31所述的方法，其中基座部分包括一母盘区域，并且传导部分在其中限定了一个开口，所述方法还包括：
将一母盘置于处理室中以便使得开口介于母盘区域与母盘之间；
以及
将物品置放于母盘上。
40.根据权利要求39所述的方法，其中传导部分包括在其间限定了开口的第一和第二衬垫部分，所述方法还包括：
将第一衬垫部分从处理室上拆下；以及
随后，将母盘从处理室上拆下。
41.根据权利要求31所述的方法，包括将物品置放于母盘上并且使母盘和物品相对于基座转动。
42.根据权利要求31所述的方法，包括将传导部分从基座部分上拆下。
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