CN1614509A - 适用于液体浸润式微影中的具抗腐蚀层的接物透镜 - Google Patents
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 title description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 88
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 40
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 12
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 12
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 9
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 8
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical group [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 5
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 5
- -1 monox Chemical compound 0.000 claims description 5
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 claims description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 3
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims description 2
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims 1
- 230000008447 perception Effects 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 abstract 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 10
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 10
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N argon hydrofluoride Chemical compound F.[Ar] ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MZJUGRUTVANEDW-UHFFFAOYSA-N bromine fluoride Chemical compound BrF MZJUGRUTVANEDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012204 lemonade/lime carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
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- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
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- G02B1/113—Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only
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- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
- G02B1/113—Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only
- G02B1/115—Multilayers
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/14—Protective coatings, e.g. hard coatings
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
Abstract
本发明揭露一种适用于液体浸润式微影制程的接物透镜以及制造此种接物透镜的方法。在一个实施例中，此接物透镜具有多个透镜组件，其中一个组件包括透明基材与抗腐蚀层。此抗腐蚀层形成且邻接于透明基材之上，并且位于微影制程所使用于的液体与透明基材之间，以保护透明基材免于液体的损害。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于微影系统的透镜，特别涉及适用于液体浸润式微影制程的接物透镜。
背景技术
半导体积集电路产业历经了快速的成长。由于积集电路在材料与设计上的进步，已经创造出了许多不同代的积集电路，而且每一个代都比先前代具有更复杂的电路。然而这些进步也增加了积集电路制造与制程的复杂性，同样地，积集电路的制造与制程需要有相同程度的发展以实现以上所述的进步。
半导体积集电路产业的成长由摩尔定律所驱动，内容提到「最小组件的复杂度每年以大约2的比率增加」。在此一积集电路的演进过程中，功能密度(例如，每单位芯片面积中内连线组件的数量)逐渐增加，而特征尺寸(例如，使用建构制程所能创造出的最小组件与线路)逐渐降低。此缩小化的制程一般会提供生产效率增加与成本降低的好处。
微影制程的进步以及其更小尺寸的印刷能力是促使特征尺寸持续不断缩小化的因素之一。在光微影系统的中微小化特征尺寸某个程度决定于与光绕射有关的波长以及光所穿过的介质。因此降低特征尺寸与增加分辨率的方法之一就是使用短波长的光。另一个方法是在基材与透镜之间使用其它介质而非空气。由于介质的折射率(以n表示)大于1，在介质中光的波长就会以n的比率变短。由此可改进解析效果。
使用非空气介质以增进解析效果的方法被称为浸润式微影。依据置入的介质种类，浸润式微影可以区分为固体浸润式微影与液体浸润式微影。然而，在液体浸润式微影中，微影制程所使用的光学透镜与所使用的浸润液体之间会有化学作用产生。此化学作用可能会损害光学系统并且降低系统的分辨率。
发明内容
本发明提供一种适用于液体浸润式微影制程中接受一给定波长的光线照射的一透镜，该透镜至少包括：
一透明基材；以及
一抗腐蚀层，形成并邻接于该透明基材，其中该抗腐蚀层位于该液体浸润式微影制程所使用的液体与该透明基材之间，以保护透明基材免受浸润液体的腐蚀。
本发明还提供一种建构适用于液体浸润微影制程中具有抗腐蚀层的接物透镜的方法，该方法至少包括：
制备第一透镜组件的一表面；
以用于液体浸润式微影制程所使用的液体为考量基准，选择一材料以用于抗腐蚀层，其中该抗腐蚀层与该液体的化学反应速率每小时小于10-5；
在该第一透镜组件的该第一表面形成该抗腐蚀层；以及
组装该第一透镜组件与其它透镜组件形成该接物透镜。
本发明还提供一种在液体浸润式微影制程中使用具有抗腐蚀层的接物透镜图案化半导体基材的方法，该方法至少包括：
以用于液体浸润式微影制程中所使用的液体作为选择基准，选择具有特殊抗腐蚀层的一接物透镜；
在该接物透镜与该下方基材中间注入该选定的该液体，其中安装该接物透镜以使抗腐蚀层刚好与该液体接触；以及
照射该接物透镜，用以在该下方基材上执行微影制程。
附图说明
由以下详细的细节描述配合相关的图例可以清楚理解本发明所揭露的内容。必须强调的是，根据此一产业的标准常规，所有图标都未依照比例绘示。事实上，为了清楚标示起见，不同图标都有可能被任意放大或缩小。
图1绘示使用具有抗腐蚀表层的接物透镜的液体浸润式微影系统的范例结构示意图；
图2是根据图1的具有抗腐蚀表层的接物透镜的实施例所绘示的结构示意图；
图3是根据图1的另一实施例所绘示的结构示意图，其中接物透镜具有抗腐蚀层位于一表面并且具有一反反射层位于抗腐蚀表层的反面；
图4是根据图1的又一实施例所绘示的结构示意图，其中接物透镜具有抗腐蚀层与反反射层位于同一表面；
图5是根据图1的再一个实施例所绘示的结构示意图，其中接物透镜具有抗腐蚀层与第一反反射层位于同一表面并且具有第二反反射层位于抗腐蚀层与第一反反射层的反面；
图6是绘示一制造具有抗腐蚀层的透镜组件的方法流程图；以及
图7是绘示一使用具有抗腐蚀层的透镜的方法流程图。
具体实施方式
本发明揭露使用在微影系统中的光学透镜，特别是用于液体浸润式微影制程的接物透镜。然而值得注意的是，为了展现本发明不同的样貌，以下所揭露的内容将提供许多不同的实施例与范例。而组织与安排的特定案例是为了简单地揭露本发明的内容。这些都只作为范例并不用来限制本发明。除此之外，本发明的内容之中会在不同的案例中会重复相同的参照号码或字母。重复参照这些号码与字母是为了简单清楚地叙述起见，并不用来限定文中所讨论的不同实施例与构造之间的关系。
请参照图1，在本发明的一个实施例中，液体浸润式微影系统100包括光源110，照射系统120(例如聚光器)，光罩130以及接物透镜140。可以在浸润式微影系统100中使用浸润液体150以协助形成半导体基材160上图案。
光源110可以是任何一种合适的光源，例如光源110可以是具有波长436nm或365nm的水银灯；波长248nm的氟化氪准分子雷射；波长193nm的氟化氩准分子雷射；波长157nm的氟准分子雷射；或者是其它具有波长小于大约100nm的光源。
在波长小于157nm的微影系统之中，不同的系统零件显现出高度的吸旋旋光性，这些问题可以运用反射光学技术加以解决。然而这些光学技术又会引发其它的挑战。在微影制程中，当解决了有关波长小于157nm的一些问题之后，便可以使用浸润式微影来缩小特征尺寸。必须注意的是，以上所述的光源都个别具有特定的波长分布与线宽而非切确的单一波长。例如，水银灯I-line(例如，365nm)的波长并非确实为365nm，而是波长在大于或小于356nm的范围之内，而波长范围的中心位置为365nm。此范围可以用来决定微影制程中可能的最小线宽，较小变异的指定波长365nm会形成较小的线宽。
照射系统120(例如聚光器)包括单一透镜或包括具有多个透镜或其它透镜零件的透镜系统。例如，照射系统包括微小透镜数组(Microlens Array)，荫蔽屏蔽(Shadow Mask)，或其它设计用来将光线由光源110导入光罩130之上的辅助结构。
光罩130包括透明基材和吸收层。透明基材用相对无瑕疵的熔融二氧化硅，例如高硼硅酸盐玻璃与碳酸钙玻璃。吸收层则由数个不同材料经由不同的制程所形成，例如沉积氧化铬与氧化铁金属层，或者沉积硅化钼、硅酸锆、氮化硅与/或氮化钛等无机层。将吸收层图案化使其具有一个或多个开口，光线可以穿过此开口而不被吸收层所吸收。
接物透镜140包括单一透镜或多个透镜组件绘示如170、172、174。每一个透镜组件包括透明基材，以及在每一个透镜组件上至少有一个表面具有反反射层。此透明基材可以是传统的接物透镜材料，也可以是由熔融的二氧化硅、氟化钙、氟化锂或氟法钡所组成。每一个透镜组件的材料的选择都是以微影制程中所使用的光线的波长作为选择基准以减少透镜组件对光的吸收与散射。
至少会有一个透镜组件同时具有抗腐蚀层，以降低或防止接物透镜140在浸润液体150之中遭到腐蚀。假如浸润液体150具有腐蚀性，透镜组件170则需具有非对称的抗腐蚀层。例如，透镜组件170在一表面上具有反反射层并在邻接或接触浸润液体150的表面具有抗腐蚀层。在这一个实施例之中，接物透镜140的透镜组件170可以直接与浸润液体150接触。依照光学品质以及与半导体基材160的兼容性来选择浸润液体150。例如选择可以将化学作用、光学散射与光吸收最小化，且在微影制程中相对低气泡以及热稳定的浸润液体150。如同及其它液体，纯水可以是选项之一。
半导体基材160可以是包括基本半导体、混合半导体以及合金半导体或其它如上述材料的混合物的晶圆，其中基本半导体包括例如结晶硅、多晶硅、非晶硅、锗以及钻石；混合半导体包括，例如碳化硅、砷化镓；以及合金半导体包括，例如硅锗、磷砷化镓、砷化铝镓、砷化铟铝以及砷化铟镓。
请参照图2，图2是根据图1中透镜组件170的实施例所绘示的透明基材210以及抗腐蚀层220。透明基材210可以是传统的接物透镜材料，也可以是包括熔融的二氧化硅、氟化钙、氟化锂、氟法钡或其它材料。在一些实施例中材料的选择是以微影制程中所用的光线的波长作为考量基准。
抗腐蚀层220可以直接形成于透明基材210之上或只与基材210邻接(假如有中介层存在)。选择可以完全贴附于透明基材210之上，且可以让微影制程中所使用的光线穿过，并在浸润液体150之中具有稳定的化学性质者作为形成抗腐蚀层220的材料。值得注意的是，此材料可以依照个别微影制程所使用的浸润液体的种类加以改变。在此案例之中，所谓化学稳定度是指抗腐蚀层220与浸润液体150之间的反应速率小于每小时10-5，而所谓的化学反应速率的定义为抗腐蚀层每小时的厚度减少量。抗腐蚀层220在浸润液体150中的化学稳定度可使抗腐蚀层保护接物透镜140的透镜组件170免于浸润液体的损害。因此当延长接物透镜140的寿命可以保持微影制程的分辨率。
在一个实施例中，当透明基材由氟化钙、氟化锂或氟化溴所组成时，可以使用二氧化硅当作抗腐蚀层220。而二氧化硅适合以水当作浸润液体150。其它可以用于抗腐蚀层220的材料包括氧化铟锡、聚合物以及光阻剂的非光敏感树脂。
在本实施例中，抗腐蚀层220的厚度小于1,000μm，而且抗腐蚀层220的表面平坦度必须控制在表面变异程度低于微影制程中所使用的光线的波长的一半。在一些实施例中，抗腐蚀层220的厚度范围可以增加到接近1mm，使抗腐蚀层220同时具有反反射与抗腐蚀的双重功能。抗腐蚀层220的沉积可以使用旋涂法、化学气相沉积法、原子层沉积法、物理气相沉积法，例如溅镀与蒸镀或磊晶生长来加以完成。
请参照图3，图3是根据透镜组件170的另一个实施例绘示透明基材210、抗腐蚀层220以及反反射层310。在本实施例中，反反射层310邻接于透明基材210上，且位于抗腐蚀层220反面的位置。反反射层310具有多层结构或渐层结构，其折射系数会逐渐改变以符合相邻物质的折射系数。反反射层310可以使用有机物、复合物以及金属材料或上述材料的混合物加以涂装，其中有机物至少包含一个氢、碳与氧；复合物包括，氟化镁、氧化硅、氧化铬、氧化铟锡、二氧化硅、氮化硅、氧化钽、氧化铝、氮化钛与氧化锆；金属材料包括，例如铝、银、铜与铟。
请参照图4，图4是根据透镜组件170的再一实施例绘示透明基材210、抗腐蚀层220以及反反射层410。在本实施例中，反反射层410位于透明基材210与抗腐蚀层220之间。反反射层410具有多层结构或渐层结构，其折射系数会逐渐改变以符合相邻物质的折射系数。反反射层410可以使用有机物、复合物以及金属材料或上述材料的混合物加以涂装，其中有机物至少包含一个氢、碳与氧；复合物包括，氟化镁、氧化硅、氧化铬、氧化铟锡、二氧化硅、氮化硅、氧化钽、氧化铝、氮化钛与氧化锆；金属材料包括，例如铝、银、铜与铟。
请参照图5，图5是根据透镜组件170的又一实施例绘示透明基材210、抗腐蚀层220以及两个反反射层310、410。在本实施例中，反反射层310邻接于透明基材210之上，且位于抗腐蚀层220的反面位置，而反反射层410位于透明基材210与抗腐蚀层220之间。反反射层310、410两者或两者其中之一具有多层结构或渐层结构，其折射系数会逐渐改变以符合相邻物质的折射系数。且反反射层310、410两者或两者其中之一可以使用有机物、复合物以及金属材料或上述材料的混合物加以涂装，其中有机物至少包含一个氢、碳与氧；复合物包括，氟化镁、氧化硅、氧化铬、氧化铟锡、二氧化硅、氮化硅、氧化钽、氧化铝、氮化钛与氧化锆；金属材料包括，例如铝、银、铜与铟。
请参照图6，在另一个实施例中，使用方法600以建构图1所绘示的接物透镜140或透镜组件，例如图2至图5所绘示的透镜组件170。在本实施例中，方法600是绘示图3相关的透镜组件170。步骤610制备透镜组件170的一表面。制备过程包括一系列的研磨、清洁程序并且可能使用机械、化学与/或其它表面处理的方法。
在步骤620之中，抗腐蚀层(例如，图3的抗腐蚀层220)材料的选择，是以浸润透镜组件170的浸润液体以及透镜组件170的材料两者或两者之一为选择基准。例如，假如透镜组件170包括氟化钙、氟化锂或氟化溴，且用水来当作浸润液体，可以选择二氧化硅当作抗腐蚀层。其它可以用于抗腐蚀层的材料包括氧化铟锡、聚合物以及光阻剂的非光敏感树脂。
在步骤630之中，抗腐蚀层形成于透镜组件170之上，抗腐蚀层可以直接形成于透明基材之上或只与透明基材邻接(假如有中介层存在)。选择可以完全贴附于透明基材之上，且可以让微影制程中所使用的光线穿过，并在浸润液体150中具有稳定的化学性质者作为形成抗腐蚀层的材料。值得注意的是，此材料会依照个别微影制程所使用的浸润液体不同而有所改变。在此实施例中，所谓化学性质稳定表示抗腐蚀层与浸润液体之间的反应速率小于每小时10-5，而所谓的化学反应速率的定义为每小时反反射层厚度所减少的量。
在本实施例之中，抗腐蚀层220的厚度小于1,000μm，而且抗腐蚀层220的表面平坦度必须控制在表面变异程度低于微影制程所使用的光线波长的一半。在一些实施例中，抗腐蚀层220的厚度范围可以增加到接近1mm，使抗腐蚀层220具有反反射与抗腐蚀的双重功能。采用例如研磨制程平面化所形成的抗腐蚀层。
在步骤640中，反反射层(如图3所绘示的反反射层310)形成于接物透镜的透镜组件170上，与抗腐蚀层位置相反的表面。反反射层具有多层结构或渐层结构，其折射系数会逐渐改变以符合相邻物质的折射系数。反反射层包括有机物、复合物以及金属材料或上述材料的混合物，其中有机物至少包含一个氢、碳与氧；复合物包括，例如氟化镁、氧化硅、氧化铬、氧化铟锡、二氧化硅、氮化硅、氧化钽、氧化铝、氮化钛与氧化锆；金属材料包括，例如铝、银、铜与铟。值得注意的是，反反射层可以不使用于透镜组件170上或者可能在形成抗腐蚀层之前就先形成于相同的表面上(如图4所绘示)。
在步骤650中，组合具有抗腐蚀层与反反射层的透镜组件170以及其它透镜组件以形成接物透镜。值得注意的是，此组合步骤并不一定为必要。例如，透镜组件可以单独使用，或在抗腐蚀层与反反射层两者或其之一在形成时已经是接物透镜的一部分。另外与透镜组件170一起使用的其它透镜组件可以也可不用具备反反射层或抗腐蚀层。
请参照图7，方法700绘示图1至图5所绘示的接物透镜170在浸润式微影制程中的使用范例。在步骤710中，至少某一程度以浸润式微影制程中所使用的液体作为考量基准，以选择具有合适抗腐蚀层的接物透镜。由于抗腐蚀层能保护或减少透镜受到浸润液体腐蚀，因此形成抗腐蚀层的材料也成为一个选择接物透镜的考量因素。在一个实施例中，浸润液体具有大于1的折射系数，在给定的波长，例如193μm范围中具有相对较低的光吸收能力并且能与运用在半导体基材的光阻兼容。加上此浸润液体化学性质相对稳定、均一、无污染、不起泡以及热稳定。例如，纯水可以用来当作浸润液体。更由于温度会影响浸润液体的折射系数的飘移，因此需控制浸润液体的温度。
在步骤720中，在要图案化的基材与接物透镜间注入浸润液体，将具有抗腐蚀层的接物透镜接近或接触浸润液体。在一些实施例中，接物透镜至少有一部份会被浸润液体的表面张力所支撑而固定不动。
在步骤730中，描述在基材上以接物透镜执行微影制程。照射光线来自于波长436nm(G-line)或365nm(I-line)的水银灯；波长248nm的氟化氪准分子雷射；波长193nm的氟化氩准分子雷射；波长157nm的氟准分子雷射。例如，波长193nm的氟化氩准分子雷射可以用于液体浸润式微影制程以增加图案的分辨率。
Claims (17)
1、一种适用于液体浸润式微影制程中接受一给定波长的光线照射的一透镜，其特征在于，该透镜至少包括：
一透明基材；以及
一抗腐蚀层，形成并邻接于该透明基材，其中该抗腐蚀层位于该液体浸润式微影制程所使用的液体与该透明基材之间，以保护透明基材免受浸润液体的腐蚀。
2、根据权利要求1所述的适用于液体浸润式微影制程中接受一给定波长的光线照射的透镜，其特征在于：该透明基材是氟化钙、二氧化硅、氟化锂或及氟化钡。
3、根据权利要求1所述的适用于液体浸润式微影制程中接受一给定波长的光线照射的透镜，其特征在于：该抗腐蚀层包括二氧化硅、氧化铟或与一光阻的非光敏感性树脂。
4、根据权利要求1所述的适用于液体浸润式微影制程中接受一给定波长的光线照射的透镜，其特征在于：该给定光线的波长的中心范围是248nm或193nm。
5、根据权利要求1所述的适用于液体浸润式微影制程中接受一给定波长的光线照射的透镜，其特征在于：该给定光线的波长小于100nm。
6、根据权利要求1所述的适用于液体浸润式微影制程中接受一给定波长的光线照射的透镜，其特征在于：该抗腐蚀层表面平坦度的变化小于该给定光线的波长的一半。
7、根据权利要求1所述的适用于液体浸润式微影制程中接受一给定波长的光线照射的透镜，其特征在于：该抗腐蚀层与该液体之间具有一化学反应，该反应速率每小时小于10-5。
8、根据权利要求1所述的适用于液体浸润式微影制程中接受一给定波长的光线照射的透镜，其特征在于：该抗腐蚀层具有被选择用来抗腐蚀与反反射的一厚度，其中该厚度小于1000μm。
9、根据权利要求1所述的适用于液体浸润式微影制程中接受一给定波长的光线照射的透镜，其特征在于：该透镜包含一反反射层，该反反射层包括多层结构以及渐层结构。
10、根据权利要求9所述的适用于液体浸润式微影制程中接受一给定波长的光线照射的透镜，其特征在于：该反反射层的材料包括有机材料；以及选自于一群由氟化镁、氧化硅、氧化铬、氧化铟锡、二氧化硅、氮化硅、氧化钽、氮化钛与氧化锆以及上述材料的任意组合所组合而成的复合材料。
11、根据权利要求9所述的适用于液体浸润式微影制程中接受一给定波长的光线照射的透镜，其特征在于：该反反射层邻接于该透明基材之上，相对于该抗腐蚀层的反面表层；
12、根据权利要求9所述的适用于液体浸润式微影制程中接受一给定波长的光线照射的透镜，其特征在于：该反反射层位于透明基材与抗腐蚀层之间。
13、一种建构适用于液体浸润微影制程中具有抗腐蚀层的接物透镜的方法，其特征在于，该方法至少包括：
制备第一透镜组件的一表面；
以用于液体浸润式微影制程所使用的液体为考量基准，选择一材料以用于抗腐蚀层，其中该抗腐蚀层与该液体的化学反应速率每小时小于10-5；
在该第一透镜组件的该第一表面形成该抗腐蚀层；以及
组装该第一透镜组件与其它透镜组件形成该接物透镜。
14、根据权利要求13所述的适用于液体浸润微影制程中具有抗腐蚀层的接物透镜的方法，其特征在于：该方法包括在该第一透镜组件的第二表面形成一反反射层；以及在该接物透镜的另一个透镜组件上形成一反反射层。
15、根据权利要求13所述的适用于液体浸润微影制程中具有抗腐蚀层的接物透镜的方法，其特征在于：该抗腐蚀层的形成包括沉积一预定厚度的抗腐蚀层材料到，使其具有抗腐蚀及反射的功能。
16、根据权利要求13所述的适用于液体浸润微影制程中具有抗腐蚀层的接物透镜的方法，其特征在于：形成该抗腐蚀层的方式包括旋涂制程、溅镀制程、化学气相沉积制程、原子层沉积制程、蒸镀制程以及磊晶制程。
17、一种在液体浸润式微影制程中使用具有抗腐蚀层的接物透镜图案化半导体基材的方法，其特征在于，该方法至少包括：
以用于液体浸润式微影制程中所使用的液体作为选择基准，选择具有特殊抗腐蚀层的一接物透镜；
在该接物透镜与该下方基材中间注入该选定的该液体，其中安装该接物透镜以使抗腐蚀层刚好与该液体接触；以及
照射该接物透镜，用以在该下方基材上执行微影制程。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/702,664 | 2003-11-06 | ||
| US10/702,664 US7924397B2 (en) | 2003-11-06 | 2003-11-06 | Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1614509A true CN1614509A (zh) | 2005-05-11 |
| CN1289965C CN1289965C (zh) | 2006-12-13 |
Family
ID=34551708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2004100902878A Expired - Fee Related CN1289965C (zh) | 2003-11-06 | 2004-11-05 | 液体浸润式微影制程中具有抗腐蚀层的透镜及其应用 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7924397B2 (zh) |
| CN (1) | CN1289965C (zh) |
| SG (1) | SG112019A1 (zh) |
| TW (1) | TWI247341B (zh) |
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20061213 |
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