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Brevets

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Numéro de publicationCN1614767 A
Type de publicationDemande
Numéro de demandeCN 200410098272
Date de publication11 mai 2005
Date de dépôt17 nov. 1999
Date de priorité17 nov. 1998
Autre référence de publicationCN1218375C, CN1257307A, CN1614782A, CN100339995C, CN100524694C, EP1003223A2, EP1003223A3, EP2259292A2, EP2259292A3, EP2259292B1, US6909114, US7172928, US7439543, US8049275, US8680532, US8957422, US9627460, US20050104068, US20050110016, US20060051906, US20120040501, US20140287562, US20150228703
Numéro de publication200410098272.6, CN 1614767 A, CN 1614767A, CN 200410098272, CN-A-1614767, CN1614767 A, CN1614767A, CN200410098272, CN200410098272.6
Inventeurs山崎舜平
Déposant株式会社半导体能源研究所
Exporter la citationBiBTeX, EndNote, RefMan
Liens externes:  SIPO, Espacenet
制造半导体器件的方法
CN 1614767 A
Description  disponible en Chinois
Revendications(46)  disponible en Chinois
Référencé par
Brevet citant Date de dépôt Date de publication Déposant Titre
CN104900708A *28 mai 20159 sept. 2015福州大学一种改善漏极电流的薄膜晶体管
CN104900708B *28 mai 201517 nov. 2017福州大学一种改善漏极电流的薄膜晶体管
Classifications
Classification internationaleH01L27/12, H01L21/336, H01L21/84, H01L29/786, H01L29/423, H01L21/28, H01L21/77
Classification coopérativeH01L2029/7863, H01L27/1222, H01L27/3244, H01L27/3248, H01L29/78675, H01L29/78696, H01L27/3262, H01L29/66492, H01L51/5256, H01L2227/32, H01L29/66598, H01L27/1214, H01L29/42384, H01L29/66757, H01L29/78627, H01L29/78621, H01L27/12, H01L21/28114
Classification européenneH01L29/66M6T6F11B3B, H01L29/66M6T6F15A2, H01L29/786B4B4, H01L27/12T, H01L27/12, H01L21/28E2B20, H01L29/786B4B, H01L29/423D2B8
Événements juridiques
DateCodeÉvénementDescription
11 mai 2005C06Publication
13 juil. 2005C10Entry into substantive examination
5 août 2009C14Grant of patent or utility model