CN1647278A - 形成非易失可变电阻器件的方法以及形成包含硒化银的结构的方法 - Google Patents

形成非易失可变电阻器件的方法以及形成包含硒化银的结构的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1647278A
CN1647278A CNA038076551A CN03807655A CN1647278A CN 1647278 A CN1647278 A CN 1647278A CN A038076551 A CNA038076551 A CN A038076551A CN 03807655 A CN03807655 A CN 03807655A CN 1647278 A CN1647278 A CN 1647278A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silver
exposure
pattern block
selenium
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA038076551A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100375284C (zh
Inventor
T·L·吉尔顿
K·A·坎贝尔
J·T·穆尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Micron Technology Inc
Original Assignee
Micron Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Micron Technology Inc filed Critical Micron Technology Inc
Publication of CN1647278A publication Critical patent/CN1647278A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100375284C publication Critical patent/CN100375284C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
    • H10N70/041—Modification of the switching material, e.g. post-treatment, doping
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
    • H10N70/061—Patterning of the switching material
    • H10N70/063—Patterning of the switching material by etching of pre-deposited switching material layers, e.g. lithography
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
    • H10N70/061—Patterning of the switching material
    • H10N70/066—Patterning of the switching material by filling of openings, e.g. damascene method
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
    • H10N70/24—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies
    • H10N70/245—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies the species being metal cations, e.g. programmable metallization cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/821—Device geometry
    • H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881—Switching materials
    • H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
    • H10N70/8825—Selenides, e.g. GeSe

Abstract

一种形成非易失性可变电阻器件的方法，包括在衬底上形成包含银元素的图案块。在衬底上形成包含硒元素的层，包括在包含银元素的图案块上。所述衬底暴露于这样的条件下，用于仅使硒元素的一些与银元素反应，以形成包含硒化银的图案块。未反应的硒元素从衬底去除。第一导电电极设置为与包含硒化银的图案块的一部分电连接。包含硒化锗的材料设置为与包含硒化银的图案块的另一部分电连接。第二导电电极设置为与包含硒化锗的材料电连接。

Description

形成非易失可变电阻器件的方法以及 形成包含硒化银的结构的方法
技术领域
本发明涉及形成非易失可变电阻器件的方法以及形成包含硒化银的结构的方法。
背景技术
半导体制造继续努力使得单独的电子器件越来越小，导致更密集的集成电路。一类集成电路包括其中信息以二进制数据形式储存的存储电路。电路可被这样制造，使得数据是易失的或非易失的。易失性存储器在电力中断时导致数据丢失。非易失性存储电路即使在电力中断时也保持储存的数据。
本发明主要是对Kozicki等人的No.5,761,115、5,896,312、5,914,893和6,084,796美国专利中披露的存储电路的设计和操作的改进，其最终源于在1996年5月30日提交的美国专利申请序列号08/652,706(披露了什么是可编程金属单元)。这种单元包括绝缘介电材料介于其间的相对电极。包含在介电材料内的是可变电阻材料。这种材料的电阻可在低电阻和高电阻状态之间改变。在其通常的高电阻状态下，为了执行写操作，将电压电势施加给某个电极，同时其它电极保持零电压或接地。电压施加于此的电极起阳极的作用，而保持零电压或接地的电极起阴极的作用。可变电阻材料的特性是这样的，它在特定的外加电压下经历变化。当这样的电压被施加时，在该材料内诱发低电阻状态，从而在顶部和底部电极之间发生导电。
一旦这种情况发生，当电压电势去除时保持低电阻状态。这可有效地造成位于电极之间的可变电阻材料的电阻下降1,000倍。通过使阳极和阴极之间的电压电势反向，这种材料可返回其高电阻状态。另一方面，一旦去除反向电压电势，则保持高电阻状态。因此，这种器件举例来说可起存储电路的可编程存储单元的作用。
包含在电极之间的优选可变电阻材料典型地并优选包括其中散布有金属离子的硫族化物材料。一个具体实例包括一个或多个其中散布有银离子的硒化锗层和一个或多个其中散布有过多的银离子的硒化银层。然而，难以形成富含银的硒化银。
尽管本发明主要致力于解决上述问题，但并不受此限制。本领域的技术人员将理解，本发明也能够解决上述没有涉及的其它问题，本发明仅由所附的权利要求书及其等价物所限定，而不受限于说明书的内容。
发明内容
本发明包括形成非易失性可变电阻器件的方法以及形成包含硒化银的结构的方法。在一种实施方式中，形成非易失性可变电阻器件的方法包括在衬底上形成包括银元素的图案块(mass)。包括硒元素的层在衬底上形成，且包括包含银元素的图案块。衬底暴露在对仅使硒元素的一些与银元素反应有效的条件下，以形成包含硒化银的图案块。未反应的硒元素从衬底去除。提供与包含硒化银的图案块的一部分电连接的第一导电电极。提供与包含硒化银的图案块的另一部分电连接的包含硒化锗的材料。提供与包含硒化锗的材料电连接的第二导电电极。
在一种实施方式中，形成包含硒化银的结构的方法包括形成包含第一外部和第二外部的衬底。第一外部包括包含银元素的图案块。第二外部不包括银元素包含硒元素的层在第一和第二外部上形成。衬底暴露于对以下两个都有效的氧化条件下，a)使在第一部分上接收的硒元素与银元素反应，以形成包含硒化银的图案块，和b)从衬底去除第二外部上的层的硒元素。
附图说明
下面将参看附图描述本发明的优选实施例。
图1是根据本发明的一方面加工中的半导体晶片片段/部分的透视图。
图2是在图1所述步骤之后的加工步骤中的图1所示晶片片段的图示。
图3是在图2所述步骤之后的加工步骤中的图2所示晶片片段的图示。
图4是在图3所述步骤之后的加工步骤中的图3所示晶片片段的图示。
图5是在图3所述步骤之后的加工步骤中的图3所示晶片片段的图示。
图6是在图4所述步骤之后的加工步骤中的图4所示晶片片段的图示。
图7是在图6所述步骤之后的加工步骤中的图6所示晶片片段的图示。
图8是在图3所述步骤之后的加工步骤中的图3所示晶片片段的图示。
图9是根据本发明的一方面加工中的可选实施例半导体晶片片段/部分的透视图。
图10是图9所示步骤之后的加工步骤中的图9所示晶片片段的图示。
图11是图10所示步骤之后的加工步骤中的图10所示晶片片段的图示。
图12是根据本发明的一方面加工中的另一可选实施例半导体晶片片段/部分的透视图。
图13是图12所示步骤之后的加工步骤中的图12所示晶片片段的图示。
图14是图13所示步骤之后的加工步骤中的图13所示晶片片段的图示。
图15是图14所示步骤之后的加工步骤中的图14所示晶片片段的图示。
优选实施例详细描述
本发明所披露的内容是为了促进美国专利法的根本目的，即“为了促进科学和工艺的进步”(第1条第8段)而提交。
首先参看图1至图8描述形成非易失性可变电阻器件的示范性实施例。图1描述了衬底片段10，包括底部衬底12和形成在其上的第一导电电极材料14。底部衬底12可包括任何适合的支承衬底，例如，包含体单晶硅(bulk monocrystalline Silicon)的半导体衬底。在本文档的上下文中，术语“半导体衬底”或“半导电衬底”定义为是指包含半导电材料的任何构造，包括但不限于例如半导电晶片等体半导电材料(独立地或在其上包含其它材料的组件中)和半导电材料层(独立地或在其上包含其它材料的组件中)。术语“衬底”是指任何支承结构，包括但不限于上述的半导电衬底。同样，在本文档的上下文中，除非另外说明，术语“层”包含单层或多层。层14的示范性优选材料是元素钨。
绝缘材料16在第一导电电极材料14上形成。这种材料通过任何适合的图案化方法(即，平版印刷术，例如光刻等)图案化，以形成穿过此处到第一导电电极材料14的开口18。开口18包括正在制造的器件的可设定最终电阻的结构的至少部分的某一想要的形状，这将在继续描述中将会清楚。
参看图2，开口18已经用与第一导电电极材料14电连接的包含银元素的材料20填充。用于材料20的示范性优选材料包括至少50克分子百分比银元素，更优选地至少95克分子百分比银元素，甚至更优选地大于99克分子百分比银元素。在所示出的优选实例中，绝缘材料16具有大致平坦的最外表面最近开口18，开口18中的图案块/包含银元素的材料20具有与绝缘材料外表面共面的最外表面。而且，图案块20可被认为具有某一最大第一厚度，示范性厚度在约50埃到约2000埃的范围内。
产生图2所示结构的一个实例方法在衬底上覆盖地淀积一层包含银的材料，然后使至少向回平坦化到外部绝缘层16顶部。仅作为实例，这种淀积通过化学或物理装置进行。而且，通过抗蚀剂深蚀刻、化学抛光、机械抛光、或其任何组合、或通过任何其它现有的或待研制的方法进行抛光或平坦化。而且，可选地或仅作为实例，通过在所示开口内无电或以其它方式淀积银包含材料20，以便材料20有效地仅淀积在其中并向上生长，且生长优选在材料20大致抵达绝缘材料16的上表面的地方停止，形成图2所示构造。无论如何，图2仅示出一个在衬底上形成包含银元素的图案块的实例。
参看图3，包含硒元素的层22在衬底10上形成，包括在包含银元素的图案块20上。层22优选包括至少90克分子百分比的硒元素，更优选包括至少95克分子百分比的硒元素，甚至更优选包括大于99克分子百分比的硒元素。
参看图4，衬底10暴露于这样的条件下，用于使在块20的银元素上接收的硒元素22反应以形成包含硒化银25的填充的开口/图案块的至少部分。在所描述的优选实施例中，暴露于这种条件下仅使包含硒元素的层22的一些反应而在绝缘材料16上形成的部分实质上未反应是有效的。在图4所示的优选实施例中，所示出的暴露用于形成完全包含硒化银材料25的图案块。无论如何，这种暴露优选形成图案块的部分，该部分被改变以包含至少50克分子百分比的硒化银，更优选至少80克分子百分比的硒化银，进一步优选地，所形成的部分理想地是同质的。
图5描述了可选实施例10a。适当的地方使用与第一实施例相似的标号，区别之处在于添加后缀“a”。图5描述了形成包含硒化银的图案块的最外部分25a，而图案块的最内部分20a保持为最初形成的包含淀积银的材料。仅作为例子，最内部分20a的剩余厚度优选为从所示出的图案块的总厚度的0％到10％。图4和图5都仅示出一个实施例，其中所述暴露形成包含硒化银的填充的开口的二分之一以上。可选地，仅作为例子，可填充二分之一或不到二分之一。而且，在所示出的优选实施例中，暴露形成具有大于最大第一厚度的最大第二厚度的图案块。
一个用于所述暴露的实例优选工艺包括在从约30mTorr到760Torr的压力下以从约40℃到约100℃的温度使衬底退火从约1小时到约3小时。较高的温度通常产生较高的退火速度。可控制条件和时间以获得改变为包含硒化银的材料的块的理想量。而且，仅作为例子，在适合的氧化空气下退火也是可能的，如下面更充分地描述的。
参看图6，未反应的硒元素22已经从衬底去除。如所示出的，优选去除是从衬底去除所有剩余的未反应硒元素。去除的一个例子包括化学蚀刻，优选以相对于硒化银包含材料25有选择地去除硒元素包含材料16的可选方式。执行上述的实例湿蚀刻包括举例来说以从室温到50℃和环境压力使用过氧化氢。实例干式工艺包括使用CF4的等离子蚀刻。进一步仅作为实例，去除未反应的硒元素的可选工艺包括将衬底温度提高到接近硒的熔化温度，即从200℃到250℃)，以大气压力从10分钟到一小时，用于使未反应的硒从衬底蒸发。
参看图7，硒化锗材料层26(即，优选40克分子百分比锗和60克分子百分比硒)形成在硒化银包含材料25上并与之电连接。第二导电电极材料28在其上形成，从而通过材料26与硒化银25电连接。第二导电电极材料28可以与第一导电电极材料14相同或不同。在所描述的实施例中用于电极28的示范性优选材料是银元素。无论如何，在优选实施例中，这种材料提供了示范性加工工艺：提供与包含硒化银的图案块25的一部分电连接的第一导电电极，提供与包含硒化银的图案块的另一部分电连接的包含硒化锗的材料，以及提供与包含硒化锗的材料电连接的第二导电电极。
上述示范性优选实施例工艺以不同的或单独的加工步骤进行暴露和去除。本发明也设想了以相同或单个共同的加工步骤进行暴露和去除。图8描述了可选实施例10c，该实施例10c描述了图3所示晶片的可选加工工艺，该加工工艺产生对图4所描述的构造稍作修改的构造。在图8中，暴露和去除发生在包括至少100℃和通过氧化去除未反应的硒元素的空气的共同加工步骤中。优选地，氧化空气使用弱氧化剂或稀释的氧化剂，例如小于或等于5体积百分比的氧化剂，优选为小于或等于1％。实例优选氧化空气包括N2O、NOx、O3、F2和Cl2。仅作为实例，优选条件包括从40℃到250℃的高温、从30毫托到760托的压力、和从30分钟到2小时。
如上所示，优选选择充分稀释的或弱的氧化条件和空气，以防止在驱动(物理地或通过反应)硒元素进入图案块20之前包含硒的材料22在图案块20上完全氧化，以便形成有效的硒化银块25c。然而，由于在氧化期间在图案块上的硒元素包含层22的最外部分处氧化，这种氧化通常导致去除一些硒元素。在这个或任一实施例中更优选的是，暴露驱动图案块上接收的硒元素部分的至少大部分进入图案块。
本发明还设想了形成任一包含硒化银的结构的方法(无论是否用在非易失性可变电阻器件中)。这种方法设想了形成包含第一外部和第二外部的衬底，同时构成图案块的第一外部包含银元素，而第二部分不包含银元素。仅作为例子并参看图2和图3，包含银元素的图案块20的最外部包括示范性第一外部，同时绝缘材料16的最外部构成示范性第二外部。包含硒元素的层形成在第一和第二外部上。衬底暴露于氧化条件下，仅作为例子，例如上面所述的，用于a)使在第一部分上接收的硒元素与银元素反应，以形成包含硒化银的图案块，b)从衬底去除第二外部上的层的硒元素。优选地，暴露将所有未反应的硒从衬底去除。而且，根据上述优选实施例，这种暴露往往会将第一部分上的层的硒元素的一些从衬底去除，但是仍优选驱动在第一部分上接收的硒元素部分的至少大部分进入图案块，更优选至少80克分子百分比。而且，这种暴露优选形成具有大于暴露前的最大第一厚度的最大第二厚度的图案块。
上述所描述的实施例示出这样的工艺，其中开口18内的材料的至少大部分和在一种情形下基本上全部被形成以包含银元素。图9至图11示出可选实施例10d。适当的地方使用与第一实施例相似的标号，不同之处在于添加后缀“d”或用不同的标号。图9描述了在开口18内接收的可选包含银元素的材料20d。这包括下部示范性硒化锗部分21(即优选40％锗和60％硒)和上覆的优选为＞99％(99 Percent-plus)的纯银元素区域23。仅作为实例，这可通过相对于绝缘层16的适当淀积或平坦化形成。包含硒的层22d形成在其上。
参看图10，衬底10d已经经历优选的暴露和去除加工工艺(一起或在不同的步骤中)，用于形成硒化银块25d和从衬底去除未反应的硒元素的至少一些，优选全部。
参看图11，另一硒化锗层26d和第二电极28d形成在其上。
上述实施例描述了形成包含银元素的图案块的示范性方法。这些实施例描述了在衬底上的绝缘材料内形成图案化开口，并用包含银元素的材料至少部分填充开口。然而，本发明设想了形成包含银元素的图案块的任一方法。仅作为例子，参看图12至图15描述了一个这样的可选工艺。
图12描述了另一可选实施例10e，适当的地方使用与第一实施例相似的标号，不同之处添加后缀“e”或用不同的标号。图1 2描述了包含银的材料20e的淀积。材料20e举例来说已经通过光图案化(photopattern)作图，然后在图案化后进行负(subtractive)蚀刻。也可设想其它图案化，例如激光图案化或任何其它的图案化方法，无论其是存在的还是将研制的。
参看图13，硒元素包含层22e在图案块20e上形成。
参看图14，衬底暴露于这样的条件，用于使硒元素22e的一些与银元素反应，以形成包含硒化银的图案块25e。可设想上述加工工艺中的任一，包括在暴露期间从该工艺去除22e的氧化工艺，当然仅作为优选例子。
参看图15，优选的硒化锗层26e和优选的第二电极28e形成在其上。
优选有效地制造上述构造，以在存储和其它集成电路上形成可编程的金属单元。
依照相关法律，已经用或多或少具体文字描述了本发明的结构和方法特点。然而，应当理解，本文中披露的装置仅包含了实施本发明的优选形式，本发明不限于所示出和描述的具体特点。因此，本发明的任何形式的修改或改变均在所附的权利要求及其等价物的范围内。

Claims (51)

1.一种形成非易失性可变电阻器件的方法，包括：
在衬底上形成包含银元素的图案块；
在所述衬底上形成包含硒元素的层，包括包含银元素的图案块上；
将所述衬底暴露于这样的条件下，所述条件用于仅使所述硒元素的一些与所述银元素反应，以形成包含硒化银的图案块；
将未反应的硒元素从所述衬底去除；
提供与包含硒化银的图案块的一部分电连接的第一导电电极；
提供与包含硒化银的图案块的另一部分电连接的包含硒化锗的材料；以及
提供与包含硒化锗的材料电连接的第二导电电极。
2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述暴露之前所述图案块包括至少50克分子百分比的银元素。
3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述暴露之前所述图案块包括至少95克分子百分比的银元素。
4.根据权利要求1所述的方法，其中在所述暴露之前所述包含硒元素的层包括至少90克分子百分比的硒元素。
5.根据权利要求1所述的方法，其中在所述暴露之前所述包含硒元素的层包括至少95克分子百分比的硒元素。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述暴露和所述去除发生在同一加工步骤中。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述暴露和所述去除发生在不同的加工步骤中。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述暴露和所述去除发生在同一加工步骤中，所述加工步骤包括至少40℃和通过氧化去除未反应的硒元素的空气。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述去除未反应的硒元素包括在所述暴露之后的化学蚀刻。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述去除未反应的硒元素包括在所述暴露之后的蒸发。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述暴露形成包括至少50克分子百分比硒化银的图案块。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述暴露形成包括至少80克分子百分比硒化银的图案块。
13.根据权利要求1所述的方法，其中所述暴露驱动所述图案块上接收的硒元素部分的至少大部分进入所述图案块。
14.根据权利要求1所述的方法，其中在所述暴露之前所述图案块包括大于50克分子百分比的银元素，所述暴露形成包含大于50克分子百分比硒化银的图案块的最外部分，同时所述图案块的最内部分保持大于50克分子百分比的银元素。
15.根据权利要求1所述的方法，其中在所述暴露之前所述图案块包括大于90克分子百分比的银元素，所述暴露形成包含大于90克分子百分比硒化银的图案块的最外部分，同时所述图案块的最内部分保持大于90克分子百分比的银元素。
16.根据权利要求1所述的方法，其中在所述暴露之前形成的图案块具有最大的第一厚度，所述暴露形成具有大于所述最大的第一厚度的最大第二厚度的图案块。
17.根据权利要求1所述的方法，其中所述去除从所述衬底去除所有未反应的硒元素。
18.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述包含银元素的图案块包括淀积银元素包含材料、将其光电图案化、并在所述光电图案化后对其减蚀刻。
19.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述包含银元素的图案块包括在所述衬底上的绝缘材料内形成图案化开口，并用银元素包含材料至少部分填充所述开口。
20.一种形成非易失性可变电阻器件的方法，包括：
在衬底上形成包含至少90克分子百分比银元素的图案块并达到第一最大厚度；
在所述衬底上形成包含至少90克分子百分比硒元素的层，包括在包含银元素的图案块上；
将所述衬底暴露于这样的条件下，所述条件用于仅使所述硒元素的一些与银元素反应，以形成包含硒化银的图案块，所述暴露形成富含银的硒化银，并形成具有大于最大第一厚度的最大第二厚度的图案块，所述暴露形成包含至少80克分子百分比硒化银的图案块，所述暴露驱动在所述图案块上接收的硒元素的部分的至少大部分进入所述图案块；
将所有未反应的硒元素从所述衬底去除；
提供与包含硒化银的图案块的一部分电连接的第一导电电极；
提供与包含硒化银的图案块的另一部分电连接的包含硒化锗的材料；以及
提供与包含硒化锗的材料电连接的第二导电电极。
21.一种形成非易失性可变电阻器件的方法，包括：
在衬底上形成第一导电电极材料；
在所述第一导电电极材料上形成绝缘材料，并且形成穿过该绝缘材料到所述第一导电电极材料的开口，所述开口包括所述器件的最终电阻可设定结构的至少部分的理想形状；
用与所述第一导电电极材料电连接的银元素包含材料填充所述开口；
在所述绝缘材料上和所述开口内的包含银元素的材料上形成包含硒元素的层；
将所述衬底暴露于这样的条件下，所述条件用于使在所述银元素上接收的硒元素反应，以形成包含硒化银的所述填充的开口的至少部分；
将所述绝缘材料上接收的未反应的硒元素从所述衬底去除；以及
提供与所述硒化银电连接的包含硒化锗的材料；以及
提供与包含硒化锗的材料电连接的第二导电电极。
22.根据权利要求21所述的方法，其中所述暴露形成所述填充的开口的至少大部分，以包含硒化银。
23.根据权利要求21所述的方法，其中所述暴露形成所述填充的开口的不足二分之一，以包含硒化银。
24.根据权利要求21所述的方法，其中在所述暴露之前所述银元素包含材料包括至少50克分子百分比的银元素。
25.根据权利要求21所述的方法，其中在所述暴露之前所述包含银元素的材料包括至少95克分子百分比银元素。
26.根据权利要求21所述的方法，其中在所述暴露之前所述包含硒元素的层包括至少90克分子百分比的硒元素。
27.根据权利要求21所述的方法，其中在所述暴露之前所述包含硒元素的层包括至少95克分子百分比的硒元素。
28.根据权利要求21所述的方法，其中所述暴露和所述去除发生在同一加工步骤中。
29.根据权利要求21所述的方法，其中所述暴露和所述去除发生在不同的加工步骤中。
30.根据权利要求21所述的方法，其中所述暴露和所述去除发生在同一加工步骤中，所述加工步骤包括至少40℃和通过氧化去除未反应的硒元素的空气。
31.根据权利要求21所述的方法，其中所述去除未反应的硒元素包括在所述暴露之后的化学蚀刻。
32.根据权利要求21所述的方法，其中所述去除未反应的硒元素包括在所述暴露之后的蒸发。
33.根据权利要求21所述的方法，其中所述暴露形成所述填充的开口的至少80％，以包含硒化银。
34.根据权利要求21所述的方法，其中所述暴露驱动所述银元素上接收的硒元素部分的至少大部分进入包含银元素的材料。
35.根据权利要求21所述的方法，其中在所述暴露之前所述填充的开口包括大于50克分子百分比银元素，所述暴露形成包含大于50克分子百分比硒化银的填充的开口的最外部分，同时所述填充的开口的最内部分保持大于50克分子百分比银元素。
36.根据权利要求21所述的方法，其中在所述暴露之前所述填充的开口包括大于90克分子百分比银元素，所述暴露形成包含大于90克分子百分比硒化银的填充的开口的最外部分，同时所述填充的开口的最内部分保持大于90克分子百分比银元素。
37.根据权利要求21所述的方法，其中所述绝缘材料具有靠近所述开口的大致平坦的最外表面，且在所述暴露之前在所述填充的开口内的包含银元素的材料具有与所述绝缘材料外表面共面的最外表面，在所述暴露之前在所述开口内的银元素包含材料具有最大第一厚度，所述暴露形成具有大于所述最大第一厚度的最大第二厚度的图案块。
38.根据权利要求21所述的方法，其中所述去除从所述衬底去除所有未反应的硒元素。
39.一种形成包含硒化银的结构的方法，包括：
形成包含第一外部和第二外部的衬底，所述第一外部包括包含银元素的图案块，所述第二外部不包含银元素；
在所述第一外部和第二外部上形成包含硒元素的层；以及
将所述衬底暴露于这样的氧化条件下，所述条件用于a)使所述第一部分上接收的硒元素与银元素反应，以形成包含硒化银的图案块，和b)从所述衬底去除所述第二外部上的层的硒元素。
40.根据权利要求39所述的方法，其中所述暴露从所述衬底去除所述第一部分上的层的一些硒元素。
41.根据权利要求39所述的方法，其中所述暴露使在所述第一部分上接收的硒元素部分的至少大部分进入所述图案块。
42.根据权利要求39所述的方法，其中所述暴露使在所述第一部分上接收的硒元素部分的至少80克分子百分比进入所述图案块。
43.根据权利要求39所述的方法，其中所述暴露包括从约40℃到约250℃的温度。
44.根据权利要求39所述的方法，其中所述氧化条件包括包含N2O、NOX、O3、F2、和Cl2的至少一个的空气。
45.根据权利要求39所述的方法，其中所述暴露从所述衬底去除所述第二外部上的层的所有硒元素。
46.根据权利要求39所述的方法，其中所述暴露从所述衬底去除所有未反应的硒元素。
47.根据权利要求39所述的方法，其中在所述暴露之前所述图案块包括至少95克分子百分比的银元素。
48.根据权利要求39所述的方法，其中在所述暴露之前所述包含硒元素的层包括至少95克分子百分比硒元素。
49.根据权利要求39所述的方法，其中在所述暴露之前形成的图案块具有最大第一厚度，所述暴露形成具有大于所述最大第一厚度的最大第二厚度的图案块。
50.根据权利要求39所述的方法，其中形成所述包含银元素的图案块包括淀积包含银元素的材料、对其进行光图案化、和在所述光图案化后对其负蚀刻。
51.根据权利要求39所述的方法，其中形成所述包含银元素的图案块包括在所述衬底上在绝缘材料内形成图案化开口，并用包含银元素的材料至少部分填充所述开口。
CNB038076551A 2002-01-31 2003-01-21 形成非易失可变电阻器件的方法以及形成包含硒化银的结构的方法 Expired - Fee Related CN100375284C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/061,825 US20030143782A1 (en) 2002-01-31 2002-01-31 Methods of forming germanium selenide comprising devices and methods of forming silver selenide comprising structures
US10/061,825 2002-01-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1647278A true CN1647278A (zh) 2005-07-27
CN100375284C CN100375284C (zh) 2008-03-12

Family

ID=27610193

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB038076551A Expired - Fee Related CN100375284C (zh) 2002-01-31 2003-01-21 形成非易失可变电阻器件的方法以及形成包含硒化银的结构的方法

Country Status (10)

Country Link
US (2) US20030143782A1 (zh)
EP (1) EP1470589B1 (zh)
JP (1) JP2005516418A (zh)
KR (1) KR100660245B1 (zh)
CN (1) CN100375284C (zh)
AT (1) ATE392714T1 (zh)
AU (1) AU2003212814A1 (zh)
DE (1) DE60320373T2 (zh)
TW (1) TWI251263B (zh)
WO (1) WO2003065456A2 (zh)

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6638820B2 (en) 2001-02-08 2003-10-28 Micron Technology, Inc. Method of forming chalcogenide comprising devices, method of precluding diffusion of a metal into adjacent chalcogenide material, and chalcogenide comprising devices
US7102150B2 (en) * 2001-05-11 2006-09-05 Harshfield Steven T PCRAM memory cell and method of making same
US6951805B2 (en) * 2001-08-01 2005-10-04 Micron Technology, Inc. Method of forming integrated circuitry, method of forming memory circuitry, and method of forming random access memory circuitry
US6881623B2 (en) * 2001-08-29 2005-04-19 Micron Technology, Inc. Method of forming chalcogenide comprising devices, method of forming a programmable memory cell of memory circuitry, and a chalcogenide comprising device
US6955940B2 (en) 2001-08-29 2005-10-18 Micron Technology, Inc. Method of forming chalcogenide comprising devices
US6646902B2 (en) 2001-08-30 2003-11-11 Micron Technology, Inc. Method of retaining memory state in a programmable conductor RAM
US7109056B2 (en) * 2001-09-20 2006-09-19 Micron Technology, Inc. Electro-and electroless plating of metal in the manufacture of PCRAM devices
US6791859B2 (en) 2001-11-20 2004-09-14 Micron Technology, Inc. Complementary bit PCRAM sense amplifier and method of operation
US6909656B2 (en) * 2002-01-04 2005-06-21 Micron Technology, Inc. PCRAM rewrite prevention
US6867064B2 (en) * 2002-02-15 2005-03-15 Micron Technology, Inc. Method to alter chalcogenide glass for improved switching characteristics
US6791885B2 (en) 2002-02-19 2004-09-14 Micron Technology, Inc. Programmable conductor random access memory and method for sensing same
US7151273B2 (en) 2002-02-20 2006-12-19 Micron Technology, Inc. Silver-selenide/chalcogenide glass stack for resistance variable memory
US6864500B2 (en) * 2002-04-10 2005-03-08 Micron Technology, Inc. Programmable conductor memory cell structure
US6858482B2 (en) * 2002-04-10 2005-02-22 Micron Technology, Inc. Method of manufacture of programmable switching circuits and memory cells employing a glass layer
US6731528B2 (en) * 2002-05-03 2004-05-04 Micron Technology, Inc. Dual write cycle programmable conductor memory system and method of operation
US6825135B2 (en) 2002-06-06 2004-11-30 Micron Technology, Inc. Elimination of dendrite formation during metal/chalcogenide glass deposition
US6890790B2 (en) * 2002-06-06 2005-05-10 Micron Technology, Inc. Co-sputter deposition of metal-doped chalcogenides
TWI233204B (en) * 2002-07-26 2005-05-21 Infineon Technologies Ag Nonvolatile memory element and associated production methods and memory element arrangements
US7010644B2 (en) 2002-08-29 2006-03-07 Micron Technology, Inc. Software refreshed memory device and method
US7364644B2 (en) 2002-08-29 2008-04-29 Micron Technology, Inc. Silver selenide film stoichiometry and morphology control in sputter deposition
US6864521B2 (en) 2002-08-29 2005-03-08 Micron Technology, Inc. Method to control silver concentration in a resistance variable memory element
US7022579B2 (en) * 2003-03-14 2006-04-04 Micron Technology, Inc. Method for filling via with metal
US6903361B2 (en) * 2003-09-17 2005-06-07 Micron Technology, Inc. Non-volatile memory structure
US7583551B2 (en) 2004-03-10 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Power management control and controlling memory refresh operations
US7326950B2 (en) 2004-07-19 2008-02-05 Micron Technology, Inc. Memory device with switching glass layer
US7354793B2 (en) 2004-08-12 2008-04-08 Micron Technology, Inc. Method of forming a PCRAM device incorporating a resistance-variable chalocogenide element
US7365411B2 (en) 2004-08-12 2008-04-29 Micron Technology, Inc. Resistance variable memory with temperature tolerant materials
DE102004047630A1 (de) 2004-09-30 2006-04-13 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines CBRAM-Halbleiterspeichers
US7374174B2 (en) 2004-12-22 2008-05-20 Micron Technology, Inc. Small electrode for resistance variable devices
US20060131555A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Micron Technology, Inc. Resistance variable devices with controllable channels
US7317200B2 (en) 2005-02-23 2008-01-08 Micron Technology, Inc. SnSe-based limited reprogrammable cell
US7427770B2 (en) 2005-04-22 2008-09-23 Micron Technology, Inc. Memory array for increased bit density
US7709289B2 (en) 2005-04-22 2010-05-04 Micron Technology, Inc. Memory elements having patterned electrodes and method of forming the same
JP2007019305A (ja) * 2005-07-08 2007-01-25 Elpida Memory Inc 半導体記憶装置
US7274034B2 (en) 2005-08-01 2007-09-25 Micron Technology, Inc. Resistance variable memory device with sputtered metal-chalcogenide region and method of fabrication
US7332735B2 (en) 2005-08-02 2008-02-19 Micron Technology, Inc. Phase change memory cell and method of formation
US7579615B2 (en) 2005-08-09 2009-08-25 Micron Technology, Inc. Access transistor for memory device
US7251154B2 (en) 2005-08-15 2007-07-31 Micron Technology, Inc. Method and apparatus providing a cross-point memory array using a variable resistance memory cell and capacitance
US7560723B2 (en) 2006-08-29 2009-07-14 Micron Technology, Inc. Enhanced memory density resistance variable memory cells, arrays, devices and systems including the same, and methods of fabrication
WO2008088599A2 (en) 2006-10-19 2008-07-24 Boise State University Forced ion migration for chalcogenide phase change memory device
US8238146B2 (en) * 2008-08-01 2012-08-07 Boise State University Variable integrated analog resistor
US8467236B2 (en) 2008-08-01 2013-06-18 Boise State University Continuously variable resistor
US7825479B2 (en) 2008-08-06 2010-11-02 International Business Machines Corporation Electrical antifuse having a multi-thickness dielectric layer
US20110079709A1 (en) * 2009-10-07 2011-04-07 Campbell Kristy A Wide band sensor
US8284590B2 (en) 2010-05-06 2012-10-09 Boise State University Integratable programmable capacitive device
JP5348108B2 (ja) * 2010-10-18 2013-11-20 ソニー株式会社 記憶素子
US9478419B2 (en) 2013-12-18 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Sulfur-containing thin films
US9245742B2 (en) 2013-12-18 2016-01-26 Asm Ip Holding B.V. Sulfur-containing thin films
US9461134B1 (en) 2015-05-20 2016-10-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming source/drain contact structure with chalcogen passivation
US10490475B2 (en) 2015-06-03 2019-11-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for semiconductor passivation by nitridation after oxide removal
US9711350B2 (en) 2015-06-03 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Methods for semiconductor passivation by nitridation
US9711396B2 (en) 2015-06-16 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal chalcogenide thin films on a semiconductor device
US9741815B2 (en) 2015-06-16 2017-08-22 Asm Ip Holding B.V. Metal selenide and metal telluride thin films for semiconductor device applications

Family Cites Families (160)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1131740A (en) 1912-04-11 1915-03-16 Otto C Schwarz Building-block.
US3271591A (en) 1963-09-20 1966-09-06 Energy Conversion Devices Inc Symmetrical current controlling device
US3450967A (en) * 1966-09-07 1969-06-17 Vitautas Balio Tolutis Selenium memory cell containing silver up to 2 atomic percent adjacent the rectifying contact
US3622319A (en) 1966-10-20 1971-11-23 Western Electric Co Nonreflecting photomasks and methods of making same
GB1131740A (en) * 1967-08-24 1968-10-23 Inst Fysiki I Mat Semi-conductor devices
US3868651A (en) 1970-08-13 1975-02-25 Energy Conversion Devices Inc Method and apparatus for storing and reading data in a memory having catalytic material to initiate amorphous to crystalline change in memory structure
US3743847A (en) 1971-06-01 1973-07-03 Motorola Inc Amorphous silicon film as a uv filter
US4267261A (en) 1971-07-15 1981-05-12 Energy Conversion Devices, Inc. Method for full format imaging
US3961314A (en) 1974-03-05 1976-06-01 Energy Conversion Devices, Inc. Structure and method for producing an image
US3966317A (en) 1974-04-08 1976-06-29 Energy Conversion Devices, Inc. Dry process production of archival microform records from hard copy
US4177474A (en) 1977-05-18 1979-12-04 Energy Conversion Devices, Inc. High temperature amorphous semiconductor member and method of making the same
JPS5565365A (en) 1978-11-07 1980-05-16 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Pattern forming method
DE2901303C2 (de) 1979-01-15 1984-04-19 Max Planck Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E.V., 3400 Goettingen Festes Ionenleitermaterial, seine Verwendung und Verfahren zu dessen Herstellung
US4312938A (en) 1979-07-06 1982-01-26 Drexler Technology Corporation Method for making a broadband reflective laser recording and data storage medium with absorptive underlayer
US4269935A (en) 1979-07-13 1981-05-26 Ionomet Company, Inc. Process of doping silver image in chalcogenide layer
US4350541A (en) * 1979-08-13 1982-09-21 Nippon Telegraph & Telephone Public Corp. Doping from a photoresist layer
US4316946A (en) 1979-12-03 1982-02-23 Ionomet Company, Inc. Surface sensitized chalcogenide product and process for making and using the same
JPS6024580B2 (ja) 1980-03-10 1985-06-13 日本電信電話株式会社 半導体装置の製法
US4499557A (en) 1980-10-28 1985-02-12 Energy Conversion Devices, Inc. Programmable cell for use in programmable electronic arrays
US4405710A (en) 1981-06-22 1983-09-20 Cornell Research Foundation, Inc. Ion beam exposure of (g-Gex -Se1-x) inorganic resists
US4410421A (en) 1982-02-08 1983-10-18 Electric Power Research Institute Process for nitrogen removal from hydrocarbonaceous materials
US4737379A (en) 1982-09-24 1988-04-12 Energy Conversion Devices, Inc. Plasma deposited coatings, and low temperature plasma method of making same
US4545111A (en) 1983-01-18 1985-10-08 Energy Conversion Devices, Inc. Method for making, parallel preprogramming or field programming of electronic matrix arrays
US4608296A (en) 1983-12-06 1986-08-26 Energy Conversion Devices, Inc. Superconducting films and devices exhibiting AC to DC conversion
US4795657A (en) 1984-04-13 1989-01-03 Energy Conversion Devices, Inc. Method of fabricating a programmable array
US4769338A (en) 1984-05-14 1988-09-06 Energy Conversion Devices, Inc. Thin film field effect transistor and method of making same
US4668968A (en) 1984-05-14 1987-05-26 Energy Conversion Devices, Inc. Integrated circuit compatible thin film field effect transistor and method of making same
US4843443A (en) 1984-05-14 1989-06-27 Energy Conversion Devices, Inc. Thin film field effect transistor and method of making same
US4673957A (en) 1984-05-14 1987-06-16 Energy Conversion Devices, Inc. Integrated circuit compatible thin film field effect transistor and method of making same
US4670763A (en) 1984-05-14 1987-06-02 Energy Conversion Devices, Inc. Thin film field effect transistor
US4678679A (en) 1984-06-25 1987-07-07 Energy Conversion Devices, Inc. Continuous deposition of activated process gases
US4646266A (en) 1984-09-28 1987-02-24 Energy Conversion Devices, Inc. Programmable semiconductor structures and methods for using the same
US4637895A (en) 1985-04-01 1987-01-20 Energy Conversion Devices, Inc. Gas mixtures for the vapor deposition of semiconductor material
US4664939A (en) 1985-04-01 1987-05-12 Energy Conversion Devices, Inc. Vertical semiconductor processor
US4710899A (en) 1985-06-10 1987-12-01 Energy Conversion Devices, Inc. Data storage medium incorporating a transition metal for increased switching speed
US4671618A (en) 1986-05-22 1987-06-09 Wu Bao Gang Liquid crystalline-plastic material having submillisecond switch times and extended memory
US4766471A (en) 1986-01-23 1988-08-23 Energy Conversion Devices, Inc. Thin film electro-optical devices
US4818717A (en) 1986-06-27 1989-04-04 Energy Conversion Devices, Inc. Method for making electronic matrix arrays
US4728406A (en) 1986-08-18 1988-03-01 Energy Conversion Devices, Inc. Method for plasma - coating a semiconductor body
US4845533A (en) 1986-08-22 1989-07-04 Energy Conversion Devices, Inc. Thin film electrical devices with amorphous carbon electrodes and method of making same
US4809044A (en) 1986-08-22 1989-02-28 Energy Conversion Devices, Inc. Thin film overvoltage protection devices
US4788594A (en) 1986-10-15 1988-11-29 Energy Conversion Devices, Inc. Solid state electronic camera including thin film matrix of photosensors
US4853785A (en) 1986-10-15 1989-08-01 Energy Conversion Devices, Inc. Electronic camera including electronic signal storage cartridge
US4847674A (en) 1987-03-10 1989-07-11 Advanced Micro Devices, Inc. High speed interconnect system with refractory non-dogbone contacts and an active electromigration suppression mechanism
US4800526A (en) 1987-05-08 1989-01-24 Gaf Corporation Memory element for information storage and retrieval system and associated process
US4775425A (en) 1987-07-27 1988-10-04 Energy Conversion Devices, Inc. P and n-type microcrystalline semiconductor alloy material including band gap widening elements, devices utilizing same
US4891330A (en) 1987-07-27 1990-01-02 Energy Conversion Devices, Inc. Method of fabricating n-type and p-type microcrystalline semiconductor alloy material including band gap widening elements
US5272359A (en) 1988-04-07 1993-12-21 California Institute Of Technology Reversible non-volatile switch based on a TCNQ charge transfer complex
GB8910854D0 (en) 1989-05-11 1989-06-28 British Petroleum Co Plc Semiconductor device
US5159661A (en) 1990-10-05 1992-10-27 Energy Conversion Devices, Inc. Vertically interconnected parallel distributed processor
US5314772A (en) 1990-10-09 1994-05-24 Arizona Board Of Regents High resolution, multi-layer resist for microlithography and method therefor
JPH0770731B2 (ja) 1990-11-22 1995-07-31 松下電器産業株式会社 電気可塑性素子
US5406509A (en) 1991-01-18 1995-04-11 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory elements and arrays fabricated therefrom
US5536947A (en) 1991-01-18 1996-07-16 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory element and arrays fabricated therefrom
US5414271A (en) 1991-01-18 1995-05-09 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable memory elements having improved set resistance stability
US5335219A (en) 1991-01-18 1994-08-02 Ovshinsky Stanford R Homogeneous composition of microcrystalline semiconductor material, semiconductor devices and directly overwritable memory elements fabricated therefrom, and arrays fabricated from the memory elements
US5166758A (en) 1991-01-18 1992-11-24 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable phase change memory
US5341328A (en) 1991-01-18 1994-08-23 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable memory elements having reduced switching current requirements and increased write/erase cycle life
US5596522A (en) 1991-01-18 1997-01-21 Energy Conversion Devices, Inc. Homogeneous compositions of microcrystalline semiconductor material, semiconductor devices and directly overwritable memory elements fabricated therefrom, and arrays fabricated from the memory elements
US5534711A (en) 1991-01-18 1996-07-09 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory elements and arrays fabricated therefrom
US5534712A (en) 1991-01-18 1996-07-09 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable memory elements characterized by reduced current and improved thermal stability
US5296716A (en) 1991-01-18 1994-03-22 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory elements and arrays fabricated therefrom
US5128099A (en) 1991-02-15 1992-07-07 Energy Conversion Devices, Inc. Congruent state changeable optical memory material and device
US5219788A (en) 1991-02-25 1993-06-15 Ibm Corporation Bilayer metallization cap for photolithography
US5177567A (en) 1991-07-19 1993-01-05 Energy Conversion Devices, Inc. Thin-film structure for chalcogenide electrical switching devices and process therefor
US5359205A (en) 1991-11-07 1994-10-25 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable memory elements characterized by reduced current and improved thermal stability
US5238862A (en) 1992-03-18 1993-08-24 Micron Technology, Inc. Method of forming a stacked capacitor with striated electrode
US5512328A (en) 1992-08-07 1996-04-30 Hitachi, Ltd. Method for forming a pattern and forming a thin film used in pattern formation
US5350484A (en) 1992-09-08 1994-09-27 Intel Corporation Method for the anisotropic etching of metal films in the fabrication of interconnects
BE1007902A3 (nl) 1993-12-23 1995-11-14 Philips Electronics Nv Schakelelement met geheugen voorzien van schottky tunnelbarriere.
US5500532A (en) 1994-08-18 1996-03-19 Arizona Board Of Regents Personal electronic dosimeter
JP2643870B2 (ja) 1994-11-29 1997-08-20 日本電気株式会社 半導体記憶装置の製造方法
US5543737A (en) 1995-02-10 1996-08-06 Energy Conversion Devices, Inc. Logical operation circuit employing two-terminal chalcogenide switches
US5869843A (en) 1995-06-07 1999-02-09 Micron Technology, Inc. Memory array having a multi-state element and method for forming such array or cells thereof
US6420725B1 (en) * 1995-06-07 2002-07-16 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for forming an integrated circuit electrode having a reduced contact area
US5789758A (en) 1995-06-07 1998-08-04 Micron Technology, Inc. Chalcogenide memory cell with a plurality of chalcogenide electrodes
US5751012A (en) 1995-06-07 1998-05-12 Micron Technology, Inc. Polysilicon pillar diode for use in a non-volatile memory cell
US5879955A (en) 1995-06-07 1999-03-09 Micron Technology, Inc. Method for fabricating an array of ultra-small pores for chalcogenide memory cells
JP3363154B2 (ja) 1995-06-07 2003-01-08 ミクロン テクノロジー、インコーポレイテッド 不揮発性メモリセル内のマルチステート材料と共に使用するスタック／トレンチダイオード
US5714768A (en) 1995-10-24 1998-02-03 Energy Conversion Devices, Inc. Second-layer phase change memory array on top of a logic device
US5694054A (en) 1995-11-28 1997-12-02 Energy Conversion Devices, Inc. Integrated drivers for flat panel displays employing chalcogenide logic elements
US5591501A (en) 1995-12-20 1997-01-07 Energy Conversion Devices, Inc. Optical recording medium having a plurality of discrete phase change data recording points
US6653733B1 (en) 1996-02-23 2003-11-25 Micron Technology, Inc. Conductors in semiconductor devices
US5687112A (en) 1996-04-19 1997-11-11 Energy Conversion Devices, Inc. Multibit single cell memory element having tapered contact
US5852870A (en) 1996-04-24 1998-12-29 Amkor Technology, Inc. Method of making grid array assembly
US5761115A (en) 1996-05-30 1998-06-02 Axon Technologies Corporation Programmable metallization cell structure and method of making same
US5789277A (en) 1996-07-22 1998-08-04 Micron Technology, Inc. Method of making chalogenide memory device
US5998244A (en) 1996-08-22 1999-12-07 Micron Technology, Inc. Memory cell incorporating a chalcogenide element and method of making same
US6087674A (en) 1996-10-28 2000-07-11 Energy Conversion Devices, Inc. Memory element with memory material comprising phase-change material and dielectric material
US5825046A (en) 1996-10-28 1998-10-20 Energy Conversion Devices, Inc. Composite memory material comprising a mixture of phase-change memory material and dielectric material
US5846889A (en) 1997-03-14 1998-12-08 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Infrared transparent selenide glasses
US5998066A (en) 1997-05-16 1999-12-07 Aerial Imaging Corporation Gray scale mask and depth pattern transfer technique using inorganic chalcogenide glass
US5933365A (en) 1997-06-19 1999-08-03 Energy Conversion Devices, Inc. Memory element with energy control mechanism
US6051511A (en) 1997-07-31 2000-04-18 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for reducing isolation stress in integrated circuits
EP1044452B1 (en) 1997-12-04 2003-03-19 Axon Technologies Corporation Programmable sub-surface aggregating metallization structure and method of making same
JP3149937B2 (ja) * 1997-12-08 2001-03-26 日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
US6011757A (en) 1998-01-27 2000-01-04 Ovshinsky; Stanford R. Optical recording media having increased erasability
US6141241A (en) 1998-06-23 2000-10-31 Energy Conversion Devices, Inc. Universal memory element with systems employing same and apparatus and method for reading, writing and programming same
US6297170B1 (en) 1998-06-23 2001-10-02 Vlsi Technology, Inc. Sacrificial multilayer anti-reflective coating for mos gate formation
US5912839A (en) 1998-06-23 1999-06-15 Energy Conversion Devices, Inc. Universal memory element and method of programming same
US6388324B2 (en) 1998-08-31 2002-05-14 Arizona Board Of Regents Self-repairing interconnections for electrical circuits
US6469364B1 (en) 1998-08-31 2002-10-22 Arizona Board Of Regents Programmable interconnection system for electrical circuits
US6487106B1 (en) 1999-01-12 2002-11-26 Arizona Board Of Regents Programmable microelectronic devices and method of forming and programming same
US6825489B2 (en) 2001-04-06 2004-11-30 Axon Technologies Corporation Microelectronic device, structure, and system, including a memory structure having a variable programmable property and method of forming the same
US6635914B2 (en) 2000-09-08 2003-10-21 Axon Technologies Corp. Microelectronic programmable device and methods of forming and programming the same
US6177338B1 (en) 1999-02-08 2001-01-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Two step barrier process
JP2002536840A (ja) 1999-02-11 2002-10-29 アリゾナ ボード オブ リージェンツ プログラマブルマイクロエレクトロニックデバイスおよびその形成およびプログラミング方法
US6072716A (en) 1999-04-14 2000-06-06 Massachusetts Institute Of Technology Memory structures and methods of making same
US6143604A (en) 1999-06-04 2000-11-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method for fabricating small-size two-step contacts for word-line strapping on dynamic random access memory (DRAM)
US6350679B1 (en) 1999-08-03 2002-02-26 Micron Technology, Inc. Methods of providing an interlevel dielectric layer intermediate different elevation conductive metal layers in the fabrication of integrated circuitry
US6501111B1 (en) 2000-06-30 2002-12-31 Intel Corporation Three-dimensional (3D) programmable device
WO2002021542A1 (en) 2000-09-08 2002-03-14 Axon Technologies Corporation Microelectronic programmable device and methods of forming and programming the same
US6563164B2 (en) 2000-09-29 2003-05-13 Ovonyx, Inc. Compositionally modified resistive electrode
US6404665B1 (en) 2000-09-29 2002-06-11 Intel Corporation Compositionally modified resistive electrode
US6339544B1 (en) 2000-09-29 2002-01-15 Intel Corporation Method to enhance performance of thermal resistor device
US6555860B2 (en) 2000-09-29 2003-04-29 Intel Corporation Compositionally modified resistive electrode
US6567293B1 (en) 2000-09-29 2003-05-20 Ovonyx, Inc. Single level metal memory cell using chalcogenide cladding
US6429064B1 (en) 2000-09-29 2002-08-06 Intel Corporation Reduced contact area of sidewall conductor
US6649928B2 (en) 2000-12-13 2003-11-18 Intel Corporation Method to selectively remove one side of a conductive bottom electrode of a phase-change memory cell and structure obtained thereby
US6696355B2 (en) 2000-12-14 2004-02-24 Ovonyx, Inc. Method to selectively increase the top resistance of the lower programming electrode in a phase-change memory
US6569705B2 (en) 2000-12-21 2003-05-27 Intel Corporation Metal structure for a phase-change memory device
US6437383B1 (en) 2000-12-21 2002-08-20 Intel Corporation Dual trench isolation for a phase-change memory cell and method of making same
US6646297B2 (en) 2000-12-26 2003-11-11 Ovonyx, Inc. Lower electrode isolation in a double-wide trench
US6534781B2 (en) 2000-12-26 2003-03-18 Ovonyx, Inc. Phase-change memory bipolar array utilizing a single shallow trench isolation for creating an individual active area region for two memory array elements and one bipolar base contact
US6531373B2 (en) 2000-12-27 2003-03-11 Ovonyx, Inc. Method of forming a phase-change memory cell using silicon on insulator low electrode in charcogenide elements
US6687427B2 (en) 2000-12-29 2004-02-03 Intel Corporation Optic switch
US6727192B2 (en) 2001-03-01 2004-04-27 Micron Technology, Inc. Methods of metal doping a chalcogenide material
US6348365B1 (en) 2001-03-02 2002-02-19 Micron Technology, Inc. PCRAM cell manufacturing
US6818481B2 (en) 2001-03-07 2004-11-16 Micron Technology, Inc. Method to manufacture a buried electrode PCRAM cell
DE60220912T2 (de) 2001-05-07 2008-02-28 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Speichervorrichtung mit einem sich selbst einbauenden polymer und verfahren zur herstellung derselben
US6480438B1 (en) 2001-06-12 2002-11-12 Ovonyx, Inc. Providing equal cell programming conditions across a large and high density array of phase-change memory cells
US6589714B2 (en) 2001-06-26 2003-07-08 Ovonyx, Inc. Method for making programmable resistance memory element using silylated photoresist
US6613604B2 (en) 2001-08-02 2003-09-02 Ovonyx, Inc. Method for making small pore for use in programmable resistance memory element
US6462984B1 (en) 2001-06-29 2002-10-08 Intel Corporation Biasing scheme of floating unselected wordlines and bitlines of a diode-based memory array
US6570784B2 (en) 2001-06-29 2003-05-27 Ovonyx, Inc. Programming a phase-change material memory
US6487113B1 (en) 2001-06-29 2002-11-26 Ovonyx, Inc. Programming a phase-change memory with slow quench time
US6511867B2 (en) 2001-06-30 2003-01-28 Ovonyx, Inc. Utilizing atomic layer deposition for programmable device
US6673700B2 (en) 2001-06-30 2004-01-06 Ovonyx, Inc. Reduced area intersection between electrode and programming element
US6514805B2 (en) 2001-06-30 2003-02-04 Intel Corporation Trench sidewall profile for device isolation
US6511862B2 (en) 2001-06-30 2003-01-28 Ovonyx, Inc. Modified contact for programmable devices
US6642102B2 (en) 2001-06-30 2003-11-04 Intel Corporation Barrier material encapsulation of programmable material
US6605527B2 (en) 2001-06-30 2003-08-12 Intel Corporation Reduced area intersection between electrode and programming element
US6951805B2 (en) 2001-08-01 2005-10-04 Micron Technology, Inc. Method of forming integrated circuitry, method of forming memory circuitry, and method of forming random access memory circuitry
US6590807B2 (en) 2001-08-02 2003-07-08 Intel Corporation Method for reading a structural phase-change memory
US20030047765A1 (en) * 2001-08-30 2003-03-13 Campbell Kristy A. Stoichiometry for chalcogenide glasses useful for memory devices and method of formation
US6507061B1 (en) 2001-08-31 2003-01-14 Intel Corporation Multiple layer phase-change memory
JP4214055B2 (ja) 2001-09-01 2009-01-28 エナージー コンバーション デバイセス インコーポレイテッド 青色レーザおよび／またはプラズモンレンズを用いて光データ記憶検索システムにおいて増大されたデータ記憶
US6545287B2 (en) 2001-09-07 2003-04-08 Intel Corporation Using selective deposition to form phase-change memory cells
US6586761B2 (en) 2001-09-07 2003-07-01 Intel Corporation Phase change material memory device
US7109056B2 (en) * 2001-09-20 2006-09-19 Micron Technology, Inc. Electro-and electroless plating of metal in the manufacture of PCRAM devices
US6690026B2 (en) 2001-09-28 2004-02-10 Intel Corporation Method of fabricating a three-dimensional array of active media
WO2003032392A2 (en) 2001-10-09 2003-04-17 Axon Technologies Corporation Programmable microelectronic device, structure, and system, and method of forming the same
US6566700B2 (en) 2001-10-11 2003-05-20 Ovonyx, Inc. Carbon-containing interfacial layer for phase-change memory
US6545907B1 (en) 2001-10-30 2003-04-08 Ovonyx, Inc. Technique and apparatus for performing write operations to a phase change material memory device
US6576921B2 (en) 2001-11-08 2003-06-10 Intel Corporation Isolating phase change material memory cells
US6667900B2 (en) 2001-12-28 2003-12-23 Ovonyx, Inc. Method and apparatus to operate a memory cell
US6625054B2 (en) 2001-12-28 2003-09-23 Intel Corporation Method and apparatus to program a phase change memory
US6512241B1 (en) 2001-12-31 2003-01-28 Intel Corporation Phase change material memory device
US6671710B2 (en) 2002-05-10 2003-12-30 Energy Conversion Devices, Inc. Methods of computing with digital multistate phase change materials
US6918382B2 (en) 2002-08-26 2005-07-19 Energy Conversion Devices, Inc. Hydrogen powered scooter

Also Published As

Publication number Publication date
AU2003212814A1 (en) 2003-09-02
CN100375284C (zh) 2008-03-12
US20030143782A1 (en) 2003-07-31
TWI251263B (en) 2006-03-11
TW200303040A (en) 2003-08-16
JP2005516418A (ja) 2005-06-02
US20040029351A1 (en) 2004-02-12
ATE392714T1 (de) 2008-05-15
EP1470589B1 (en) 2008-04-16
DE60320373D1 (de) 2008-05-29
WO2003065456A3 (en) 2003-12-04
KR100660245B1 (ko) 2006-12-20
DE60320373T2 (de) 2009-02-19
EP1470589A2 (en) 2004-10-27
KR20040083432A (ko) 2004-10-01
WO2003065456A2 (en) 2003-08-07
US6812087B2 (en) 2004-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100375284C (zh) 形成非易失可变电阻器件的方法以及形成包含硒化银的结构的方法
CN101789489B (zh) 相变存储器单元及形成的方法
CN1550048B (zh) 非易失性可调电阻器件和可编程存储单元的制造
US6955940B2 (en) Method of forming chalcogenide comprising devices
US7518212B2 (en) Graded GexSe100-x concentration in PCRAM
US7659205B2 (en) Amorphous carbon-based non-volatile memory
US7087454B2 (en) Fabrication of single polarity programmable resistance structure
KR100918168B1 (ko) Ｓｎｓｅ 기반의 제한적인 재프로그램 가능 셀
US20070166983A1 (en) Small electrode for resistance variable devices
CN1965418A (zh) 分层电阻可变存储装置和制造方法
CN1647292A (zh) 用于电阻可变存储器的硒化银/硫族化物玻璃叠层
US7663133B2 (en) Memory elements having patterned electrodes and method of forming the same
US7700422B2 (en) Methods of forming memory arrays for increased bit density

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20080312

Termination date: 20130121

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee