CN1692469A - 制造用于白炽光源的纳米结构的辐射体的工艺方法 - Google Patents

Abstract

在一种制造光源用的能因通过电流而导致白炽化的辐射体(10)的工艺方法中，一层阳极化的多孔氧化铝(1)用作用于构造辐射体(10)的至少一部分的结构的牺牲元件。

Description

制造用于白炽光源的 纳米结构的辐射体的工艺方法

本发明涉及一种制造光源用的纳米结构的辐射体元件的工艺方法，该辐射体工艺方法可因通过电流而导致白炽化。

具有按照特定的形状或几何尺寸配置的纳米表面结构或凸起的金属部件当前用于某些技术领域如微电力-机械系统或MEMS中，从而获得衍射光学装置、医药器件、微涡轮机等。

本发明是以纳米结构灯丝能在白炽灯领域中找到重要用途的知识为基础的。在所述光源中，本发明的目标是提出一种以简单而经济的方式来制造具有纳米凸起或结构的用于白炽光源的灯丝或类似辐射体的新工艺方法。

所述目标是按照本发明通过一种制造上述辐射体的工艺方法而达到的，其特征在于，该工艺方法使用一层阳极化的多孔氧化铝作为用于选择地构造该辐射体的牺牲元件。

使用上述氧化铝层能够获得在该辐射体的至少一个表面上的多个凸起或在该辐射体内的多个空腔。所述纳米的凸起或空腔设置在按照一个预定几何形状的辐射体上。

按照本发明的该工艺方法的优选特征可参考作为本发明的一个整体部分的附属的权利要求书。

从仅作为例示的不起限制作用的例子的下列详细描述和附图，可以清楚本发明的其它目的、特征和优点，附图中：

图1是一种多孔氧化铝膜的一部分的示意透视图；

图2～5是表示一种用于作为图1中所示膜的氧化铝膜的薄膜制造工艺方法的一些步骤的示意图；

图6是一种可以按照本发明制成的第一纳米结构的辐射体的一部分的示意透视图；

图7是一种可以按照本发明制成的第二纳米结构的辐射体的一部分的示意透视图；

图8、9、10是表示按照本发明工艺方法的三种不同的可能实施方案的示意区段，它们可以用于制造如图6中所示的纳米结构的辐射体；

图11、12、13是表示按照本发明工艺方法的三种不同的可能实施方案的示意区段，它们可以用于制造如图7中所示的纳米结构的辐射体；

图14表示按照本发明工艺方法的另一种可能实施方案的示意区段，它可以用于制造如图6中所示的纳米结构的辐射体；

图15表示按照本发明工艺方法的另一种可能实施方案的示意区段，它可以用于制造如图7中所示的纳米结构的辐射体；

图16表示按照本发明工艺方法的另一种可能实施方案的示意区段，它可以用于制造如图6中所示的纳米结构的辐射体；

图17表示按照本发明工艺方法的另一种可能实施方案的示意区段，它可以用于制造如图7中所示的纳米结构的辐射体。

在其所有可能的实施方案中，按照本发明的工艺方法设想使用一个由阳极化多孔氧化铝制成的高度规则的薄膜作为牺牲元件或模板；取决于该情况，所述氧化铝层直接用于获得所要的纳米结构的辐射体，或间接地制造获得上述辐射体所要的另一个牺牲元件。

多孔氧化铝薄膜在过去已引人注意地用于氧化铝电容器中的介电薄膜、阻滞有机涂层的薄膜和用于保护氧化铝衬底。

多孔氧化铝的结构可以理想地示意看作浸润在氧化铝基质中的空心柱。多孔氧化铝可以通过对高纯氧化铝片或玻璃、石英、硅、钨等衬底上的铝薄膜进行阳极化而获得。

图1例示一种总的用标号1表示的多孔氧化铝薄膜的一部分，它是通过在方便的衬底2上阳极氧化氧化铝薄膜而得到的。可以看到，氧化铝层1包括一系列彼此直接紧靠的基本上六边形的晶粒3，每个晶粒有一形成孔4的直线中心孔穴，基本上垂直于衬底2的表面。安置在衬底2上的每个晶粒3的端部有一带有基本上半球形的闭合部分，所有闭合部分在一起形成一个薄膜1的非多孔部分，或阻挡层5。

如从先有技术中已知，薄膜1可以通过合适选择电解液与工艺方法的物理和电化学参数而发展具有受控的表面形态：在酸性电解液中(如磷酸、草酸和硫酸)和在合适的工艺方法条件下(电压、电流、搅拌和温度)，可以获得高度有规则的多孔薄膜。为了所述目的，晶粒3的大小和密度、孔4的直径和薄膜1的高度可以变化；例如通常孔4的为50～500nm的直径可以通过化学处理而增减。

如图2中示意地所示，当制造多孔氧化铝膜1时，第一步是在例如用硅或钨制成的衬底2上沉积铝层6。所述操作需要沉积厚1～30微米的高纯物质。层3的优选沉积技术是通过e束的热蒸发和溅射。

包括沉积铝层6的步骤后随对所述层阳极化的步骤。层6的阳极化工艺方法可以利用根据孔4的所要尺寸和距离而不同的电解液来完成。

如果电解液相同，那么浓度、电流密度和温度是更大地影响孔4直径的参数。为了获得具有相应的阳极工艺方法均匀度的电场轮廓线的正确分布，电解质晶粒的构型也是重要的。

图3示意表示衬底2上铝层6的第一次阳极化的结果；如示意指出的，通过层6的第一次阳极化而获得的氧化铝膜1A不能得到规则的结构。为了获得如图1中用标号1所示的高度规则的结构，需要进行接连的阳极化工艺方法，尤其是至少：

i)第一次阳极化工艺方法，其结果可从图3中看出；

ii)通过利用酸性溶液(如H₂CrO₄和H₃PO₄)进行蚀刻不规则氧化铝膜6的还原步骤；图4示意表示在所述蚀刻步骤后的衬底2；

iii)对没有通过蚀刻除去的部分氧化铝膜1A进行第二次阳极化。

ii)中的蚀刻步骤很重要，它在残余的氧化铝部分1A上限定用于第二次阳极化中氧化铝生长的优先区域。

通过进行数次包括蚀刻和阳极化的接连操作，结构得到改善，直到其变成均匀，如图5中示意地示出，其中氧化铝膜1现已变成规则化。

如下面将看到的，在按照本发明的工艺方法的某些实施过程中，在获得规则的多孔氧化铝膜1后，进行一个包括全部或局部除去阻挡层5的步骤。阻挡层5隔开氧化铝结构并保护下面的衬底2：因而层5的减少是基本的，以便在需要时进行要求电接触的接连的电沉积工艺方法和蚀刻工艺方法，如果应当在衬底2上直接获得三维纳米结构的话。

上述涉及除去或减少阻挡层5的工艺方法可以包括两个接连的阶段：

拓宽孔4，在如先前的阳极化中同样的电极液中进行，不通过电流；

减少阻挡层5，利用在如先前的阳极化中同样的电解液中通过非常小的电流来进行；在该阶段没有达到典型的阳极化平衡，因此有利于有关氧化铝构造过程的蚀刻工艺方法。

如上所述，按照本发明，通过上述工艺方法产生的氧化铝薄膜1用作纳米结构的模板，也即用作制作复制同一氧化铝型式的结构的基础。如将要见到的，取决于所选择的实施方案，因此可以制作反面的纳米结构(也即对氧化铝基本上互补的，因此在薄膜1的孔上有柱)或正面的纳米结构(也即基本上与氧化铝相同，因此在薄膜1的孔4上有空腔)。

图6和图7以部分和示意的方式表示两种用作白炽灯光源的灯丝，它们具有上面提到的可以按照本发明实施的两种类型的结构；图6中的灯丝10具有上述负面结构，其特征是有一基底部分11，其上开始上述柱12；图7中的灯丝13具有上述正面结构，其特征是有一主体14，其中形成上述空腔15。

建议制造图6和图7中的构型的灯丝10、13的技术可以十分不同尤其可以包括增加技术(如蒸发、溅射、化学气化物沉积、丝网印刷和电沉积)、减扣技术(蚀刻)和中间技术(在氧化铝下面的金属的阳极化)。

为此，下面描述本发明工艺方法的一些可能的实施方案。

第一实施方案

图8示意表示按照本发明的制造图6中作为灯丝10之一的负面结构的工艺方法的第一实施方案的一些步骤。

该工艺方法的头四个步骤包括如前面参照图2～5所述的对一个合适衬底上的相应的铝层至少进行第一次和第二次阳极化；衬底2例如可以用硅制成，而用于阳极化工艺方法的铝层可以用溅射或e束沉积。

在获得有一规则的氧化铝结构的薄膜1(如可从图5中见到)之后，成为纳米结构的物质通过溅射作为薄膜沉积在氧化铝上；因此，如作为例子在图8的部分a)中示出，氧化铝1的孔填充了沉积物质20，例如是钨。

这之后通过蚀刻除去氧化铝1及其衬底2，如图8的部分b)中所示，从而获得所要的带有负面纳米结构(此处用钨制成)的灯丝10。

溅射技术在于沉积厚1～30微米的高纯物质的薄膜，但不能以理想方式复制具有高纵横比的结构；因此，当氧化铝孔4的直径处在其最大值时才使用上述实施方案。

因此，代替溅射，可以通过化学气化物沉积(或CVD)来进行物质20的沉积，该法被看作是制造高纯或方便地掺杂的金属的结构的最合适的技术。该技术的主要特点是使用一个包含还原气体的反应室，该反应室能使金属穿入氧化铝空心孔中和将一连续层沉淀在该表面上。这保证准确地复制高纵横比的结构。

第二实施方案

如以前情况那样，该实施方案在于制造负面结构作为图6中灯丝10之一；该实施方案基本上包括第一实施方案的同样初始步骤，直到将铝层6沉积在衬底2上(图2)、第一次阳极化(图3)和随后的蚀刻(图4)。这里进行第二次阳极化(图5)，以便制成比第一实施方案中更厚的多孔氧化铝膜1。

然后除去厚氧化铝膜1的衬底2而在其底部处开口，从而以已知方式除去阻挡层5。形成的没有阻挡层的薄膜1的结构可以在图9的部分a)中看到。

如图9的部分b)中的后随步骤为将一个导电的金属膜21热沉积或通过溅射沉积在氧化铝1上。然后将钨合金22电沉积在这样获得的结构上，如图9中部分c)所示，该钨合金充满氧化铝1的孔。然后除去氧化铝1及其上结合的金属膜21，从而获得所要的由钨合金制成的纳米结构的灯丝10，如可从图9的部分d)中看到的。

第三实施方案

该实施方案在于制造负面结构作为图6中灯丝10之一，其最初步骤与先前的实施方案中(图2～5)相同。

如图10中部分a)所示，后随于第二次阳极化的步骤是将绢网印花的糊剂23沉积在多孔氧化铝1上，从而充满其孔。

该步骤后的步骤是将所述糊剂23烧结，如图10中部分b)中所示，然后除去氧化铝1及其衬底2，从而获得如图10中部分c)的结构10。

该实施方案能够使用低成本的技术并保证材料选择的灵活性。绢网印花糊剂的制备是该工艺方法的第一步骤；为了获得用于不同类型的衬底2的具有理想的颗粒性能和流变性能的糊剂，正确选择例如包括钨、溶剂和结合剂的金属纳米粉是基本的。

第四实施方案

按照本发明的工艺方法的该实施方案的目标是制造如图7的灯丝13之一的正面结构，从按照先前的实施方案所获得的模板开始。

因此，基本上，首先利用先前的实施方案之一来获得一种具有如灯丝10之一的同样结构的衬底；在图11的部分a)中的所述衬底10A上，而后通过溅射或CVD沉积一层获得最终成分所需的材料24如钨，如图11的部分b)中所示；于是材料24覆盖上述衬底10A的柱12A而用作模板。

然后通过选择蚀刻除去衬底10A，从而获得设有相应空腔15的带正面纳米多孔结构的灯丝13，如图11的部分c)中所见。

按照上述头三个实施方案获得的衬底10A不一定必须用钨制成。在一种可能的变化方案中，如在图8～9中获得的衬底10A上，沉积一种如图12的部分a)和b)中的金属绢网印花糊剂25，然后对其烧结，如图12中部分c)。而后通过选择蚀刻除去衬底10A，从而得到带有正面纳米多孔结构的灯丝13，如可从图12的部分d)中看到的。

第五实施方案

按照本发明工艺方法的该实施方案的目标也是实现正面的纳米结构来作为一种灯丝13，该方案包括如图2～5中所示的同样的最初步骤，即通过溅射或e束而在钨衬底2上沉积铝层6(图2)，随后进行铝6的第一次阳极化(图3)和蚀刻步骤(图4)，从而提供带有在第二次阳极化期间用于氧化铝1的生长的优先区域的衬底2(图5)。

然后除去氧化铝1的阻挡层5，从而露出孔4，如图13的部分a)中可见。随后进行反应离子蚀刻(RIE)的步骤，该步骤允许在衬底2中在氧化铝1的孔4的开口底部上选择地“挖掘”，如可在图13的部分b)中看到的。

最终除去残余的氧化铝1，使得钨衬底形成一个带有规则的纳米空腔15的主体14，从而获得所要的灯丝13。

如果需要，该反应离子蚀刻步骤可用一个选择湿法蚀刻步骤或电化学蚀刻步骤代替。

第六实施方案

本工艺方法的该实施方案的目标是制造作为图6的灯丝10之一的负面结构，而且最初的步骤与先前的实施方案中相同。因此，在相应的钨衬底2上获得规则的氧化铝1的薄膜后(图5)，除去阻挡层5，从而露出衬底2上的孔4，如图14的部分a)中所见。随后用脉冲电流电化学沉积钨合金26，如图14的部分b)中示意地示出，并最终除去残余的氧化铝1及其衬底2，从而获得所要的灯丝10，如可从图14的部分c)中所见。

第六实施方案的工艺方法首先在于制备用于将钨沉积到氧化铝1的孔4中的浓电解液；该电解液对于正确填充孔是非常重要的，因为它保证溶液中充分的离子浓度。该脉冲电流步骤能够完成具有高纵横比的结构的复制件，随后包括：

i)通过施加正电流而沉积钨合金；这导致由氧化铝1及其衬底2形成的阴极附近的溶液的一定缺失；

ii)一个松弛时间，不施加电流，从而让溶液在阴极附近重新混合；

iii)施加负电流，设计来除去先前沉积在阴极上的合金26的一部分，从而能够更好地整平沉积的表面。

每一步持续几微秒的步骤i)、ii)、iii)周期地重复，直到获得所要的结构。

第七实施方案

该实施方案的目标是制造作为灯丝13之一的正面纳米结构，从通过先前的实施方案获得的具有负面结构的衬底开始，虽然不一定用钨制成；上述用作模板的具有负面结构的衬底用图15的部分a)中的标号10A表示。

通过CVD或溅射将钨层27沉积在所述衬底10A上，如从图15的部分b)中所见。这一步后随选择蚀刻步骤，从而除去衬底10A，因而获得带有钨纳米多孔结构的所要灯丝13，如可从图15的部分c)中所见。

第八实施方案

该实施方案的目标是制造作为图6的灯丝10之一的负面纳米结构，而其最初的步骤与图2～5中示出的相同，包括通过溅射或e束将铝层6沉积在钨衬底2上(图2)，后随铝层6的第一次阳极化(图3)和蚀刻步骤(图4)从而提供在第二次阳极化期间具有用于生长氧化铝1的优先区的衬底2(图5)。

后随的步骤包括对钨衬底2进行阳极化，从而诱导在氧化铝1的孔4下面产生的钨的局部生长。如图16的部分a)中所示，所述步骤基本上包括形成衬底2的表面凸起2A，这首先导致氧化铝1的阻挡层5破裂，然后保持在氧化铝孔4中的生长。

然后通过利用钨/氧化钨的选择蚀刻来除去氧化铝，从而获得如图16的部分b)中的具有负面纳米结构的所要灯丝10。

应当注意到，该实施方案是以某些金属(如钨和钽)在与铝相同的化学和电学条件下阳极化的典型特点为基础的；如上所述，所述阳极化发生在氧化铝1的孔4的下部中，从而直接形成衬底2的表面结构。

第九实施方案

该实施方案的目标是完成作为图7的灯丝13之一的正面纳米孔结构，从一个具有如通过先前的实施方案而获得的负面结构的衬底开始；用作模板的所述衬底的标号是图17的部分a)中的10A。

通过电化学沉积法、CVD或溅射将钨合金27沉积在所述衬底10A上，如图17的部分b)中所示。然后通过选择蚀刻除去衬底10A，从而获得具有正面的或纳米孔的结构的所要灯丝13。

从上面的描述可以推论，在所有描述的实施方案中，按照本发明的工艺方法包括使用一个氧化铝层1，该层1取决于情况而直接用作模板，从而获得所要的具有纳米结构10的灯丝，或者该层1用于获得一个用于随后制造所要灯丝13的结构的模板10A。

本发明证明特别有利于制造用于白炽灯光源的灯丝的结构，而更普遍地有利于相对于能够通过电流导致白炽的灯丝的不同形式的元件。应当注意到，一种按照本发明制造的辐射体也可以通过多个层而形成，这些多个层是利用按照上述技术的多孔氧化铝以叠合结构层的形式而构造的。

已描述的工艺方法能够例如在一个或多个例如由钨制成的灯丝表面上容易地形成一个包括多个微型凸起的防反射微结构，从而使从灯丝射入可见光谱的电磁辐射最大化。本发明也能有利地用于例如在由钨或其它其特征为存在系列有规则微空腔的合适材料制成的结构中制造其它光子晶体结构，这些晶体结构包含一种其折射系数不同于钨或其它所用材料的介质。

显然，尽管本发明的基本思想保持不变，但其构造细节和实施例能够相对于仅作为例子已被描述和图示的作广泛地变化。

Claims (29)

1.制造一种能够借助于通过电流而导致白炽化的光源用的辐射体(10；13)的工艺方法，其特征在于，一个由阳极化多孔氧化铝(1)制成的层被用作用于构造该辐射体(10；13)的至少一部分的牺牲元件。

2.按照权利要求1的工艺方法，其特征在于，所述构造步骤包括获得下列两项中的至少一项：

按照一种基本上预定的几何尺寸而在该辐射体(10)的至少一个表面上配置多个纳米凸起(12)；

按照一种基本上预定的几何尺寸而在该辐射体(13)内配置的多个纳米空腔(15)。

3.按照权利要求2的工艺方法，其特征在于，氧化铝层(2)是通过对沉积在一相应衬底(2)的表面上的铝膜(6)进行接续的阳极化直到获得一个规则的氧化铝结构而得到的，该氧化铝结构限定多个基本上垂直于衬底(2)的所述表面的孔(4)，该氧化铝层(2)在各自的衬底(2)附近有一非多孔部分(5)。

4.按照权利要求3的工艺方法，其特征在于，该氧化铝层(1)或者用在作所述构造期间的牺牲模板，或者用作获得用于所述构造的另一牺牲模板(10A)的中间模板。

5.按照权利要求2的工艺方法，其特征在于，所述构造步骤包括一个通过蒸发、溅射、化学气化物沉积、丝网印刷或电沉积而沉积物质的步骤。

6.按照权利要求2的工艺方法，其特征在于，所述构造步骤包括一个蚀刻步骤。

7.按照权利要求2的工艺方法，其特征在于，所述构造步骤包括一个对氧化铝层(1)下面的一种金属进行阳极化的步骤。

8.按照权利要求4的工艺方法，其特征在于，所述构造步骤包括下列步骤：

用来制作具有多个凸起(12；12A)的所需要的部件(10；10A)的材料(20)作为一层薄膜被沉积在氧化铝层(1)上，所述材料(20)的一部分填充所述孔(4)；以及

然后除去氧化铝层(1)及其衬底(2)，从而获得所需要的部件(10；10A)，其凸起(12；12A)由所述材料(20)的填充所述孔(4)的部分组成。

9.按照权利要求8的工艺方法，其特征在于，所述材料(20)通过溅射或化学气化物沉积到氧化铝层(1)上。

10.按照权利要求4的工艺方法，其特征在于，所述构造步骤包括下列步骤：

将氧化铝层(1)从其衬底(2)上除去，并露出其底部，除去其非孔部分(5)；

在氧化铝层(1)上沉积一层导电的金属膜(21)；

用来制作具有多个凸起(12；12A)的所需要的部件(10；10A)的材料(22)被电沉积在由金属膜(21)和氧化铝层(1)的残余部分所形成的结构上，所述材料(22)的一部分填充所述孔(4)；

然后除去氧化铝层(1)的残余部分和金属膜(21)，从而获得所需要的部件(10；10A)，其凸起(12，12A)由所述材料(22)的填充所述孔(4)的部分组成。

11.按照权利要求4的工艺方法，其特征在于，所述构造步骤包括下列步骤：

用来制作具有多个凸起(12；12A)的所需要的部件(10；10A)的材料(23)作为绢网印花的糊剂被沉积在氧化铝层(1)上，所述糊剂(23)的一部分填充所述孔(4)；

烧结所述糊剂(23)；以及

然后除去氧化铝层(1)及其衬底(2)，从而获得所需要的部件(10；10A)，其凸起(12；12A)由所述材料(23)的填充所述孔(4)的部分组成。

12.按照权利要求4的工艺方法，其特征在于，所述构造步骤包括下列步骤：

除去氧化铝层(1)的非孔部分(5)的局部部分，从而露出其衬底(2)上的所述孔(4)；

用来制作具有多个凸起(12；12A)的所需要的部件(10；10A)的材料(26)通过电化学法被沉积在氧化铝层(1)的残余部分上的，所述材料(26)的一部分填充所述孔(4)，并与其衬底(2)接触；以及

然后除去氧化铝层(1)的残余部分及其衬底(2)，从而获得所需要的部件(10；10A)，其凸起(12；12A)由所述材料(26)的填充所述孔(4)的部分组成。

13.按照权利要求4的工艺方法，其特征在于，所述构造步骤包括下列步骤：

对氧化铝层(1)的衬底(2)进行阳极化，从而诱导所述孔(4)下面的衬底(2)的生长，所述生长导致形成衬底(2)的表面凸出部(2A)，这些凸出部(2)首先使氧化铝层(1)的非孔部分(5)的一些部分破裂，然后在所述孔(4)内保持生长；以及

通过选择的蚀刻工步除去氧化铝层(1)，从而由衬底(2)形成具有多个凸起(12)的所需要的部件(10)，所述表面凸出部(1A)形成所述凸起(12)。

14.按照权利要求8、10、11、12、13中的一项的工艺方法，其特征在于，所述所需要的部件是所述辐射体(10)。

15.按照权利要求8、10、11、12、13中的一项的工艺方法，其特征在于，所述所需要的部件是所述另一个模板(10A)。

16.按照权利要求15的工艺方法，其特征在于，所述构造步骤包括下列步骤：

用来制作所述辐射体(13)的一层材料(24，25)被沉积在所述另一个模板(10A)上；以及

除去所述另一个模板(10A，13A)，从而获得所述辐射体(13)。

17.按照权利要求15的工艺方法，其特征在于，所述构造步骤包括下列步骤：

用来制作所述辐射体(13)的一层材料被沉积在所述另一个模板(10A，13A)上；以及

除去所述另一个模板(10A，13A)，从而获得所述辐射体(13)。

18.按照权利要求15的工艺方法，其特征在于，所述构造步骤包括下列步骤：

用来制作所述辐射体(13)的一层材料被沉积在所述另一个模板(10A，13A)上；以及

除去所述另一个模板(10A，13A)，从而获得所述辐射体(13)。

19.按照权利要求16、17或18中的一项所述的工艺方法，其特征在于，用来制作所述辐射体(13)的材料(24)通过溅射或化学气化物沉积被沉积到所述另一个模板(10A，13A)上的，而所述另一个模板(10A，13A)通过选择的蚀刻步骤被除去。

20.按照权利要求16、17或18中的一项所述的工艺方法，其特征在于，用来制作所述辐射体(13)的材料(24，25)呈绢网印花糊剂(25)形式，该糊剂在沉积于所述另一个模板(10A，13A)上之后烧结，然后通过选择的蚀刻步骤除去模板。

21.按照权利要求5的工艺方法，其特征在于，所述构造步骤包括下列步骤：

除去氧化铝层(1)的非孔部分(5)的至少一部分，从而使所述孔(4)在其衬底(2)上露出；

该衬底在所述孔(4)上的相应的开口区域中有选择地受到挖掘；

除去氧化铝层(1)的残余部分，该衬底从而制成所述辐射体(13)，衬底(2)的受挖掘区域制成所述空腔(15)。

22.按照权利要求21的工艺方法，其特征在于，衬底(2)通过反应离子蚀刻或选择的湿法蚀刻或电化学蚀刻而在所述开口区域上受到挖掘。

23.光源尤其是灯丝用的辐射体，可以用借助于电流流过而导致白炽化，该辐射体利用权利要求1～22中的一项或多项的工艺方法而获得，具有下列两项中的至少一项：

按照辐射体(10)的至少一个表面上的基本上预定的几何形状配置的多个纳米凸起(12)；

按照辐射体(13)内的一种基本上预定的几何形状配置的多个纳米空腔(15)。

24.按照权利要求23的辐射体，其特征在于，所述凸起(12)形成一种防反射微结构，从而使从辐射体进入可见光谱的电磁辐射最大化。

25.按照权利要求23的辐射体，其特征在于，所述空腔(15)是一种光子晶体结构的一部分。

26.利用阳极化的多孔氧化铝(1)作为用于构造光源辐射体(10；13)的至少一部分的牺牲元件，该辐射体可以借助于通过电流而导致白炽化。

27.按照权利要求26的用途，其特征在于，氧化铝(1)被用作在所述构造期间的模板。

28.按照权利要求26的用途，其特征在于，氧化铝(1)被用作用于获得在所述构造期间所使用的另一模板(10A，13A)的模板。

29.按照权利要求26的用途，其特征在于，所述构造步骤允许获得下列两项中的至少一项：

按照辐射体(10)的至少一个表面上的基本上预定的几何形状配置的多个纳米凸起(12)；

按照辐射体(13)内的一种基本上预定的几何形状配置的多个纳米空腔(15)。

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