CN1750260A - 具有传感芯片和电路芯片的电容式物理量传感器 - Google Patents
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Abstract
一种电容式物理量传感器，其包括传感芯片(100)和电路芯片(200)。该传感芯片(100)包括：支承基片(11，13)；半导体层(12)；可动电极(24)；以及固定电极(31，41)。传感芯片(100)层叠在电路芯片(200)上，以使得可动电极(24)和固定电极(31，41)面对电路芯片(200)。可动电极(24)在层叠方向上具有一厚度(a)。传感芯片(100)具有可动电极(24)和电路芯片(200)之间的第一距离(b)以及可动电极(24)和支承基片(11，13)之间的第二距离(c)。可动电极(24)的厚度(a)大于第一距离(b)和第二距离(c)。
Description
技术领域
本发明涉及电容式物理量传感器(capacitance type physical quantitysensor)。
背景技术
电容式物理量传感器装置通过层叠电路芯片和传感芯片而制成，以基于可动电极和固定电极之间的电容变化检测物理量，该物理量(例如加速度传感器、角速度传感器等)被施加于该电容式物理量传感器装置上。
传感芯片以如此方式制造，以使得一可动电极和一固定电极形成于一半导体层上。该半导体层经由一绝缘层形成于一支承基片的一平面侧上。可动电极可以响应于所施加的物理量沿着与支承基片的所述平面平行的方向位移。
在该传感芯片中，当例如加速度等物理量沿着与基片平面平行的方向施加于其上时，可动电极和固定电极之间的距离响应于物理量的施加而变化，并且因此，基于限定在可动电极和固定电极之间的电容变化来检测物理量，该电容变化由上述距离变化而引起。
在这种情况下，传感芯片通过采用这样一种叠层基片制造，以使得半导体层经由绝缘层层叠在支承基片、例如SOI(绝缘膜上硅)基片等上。
例如，从半导体层的前表面开始执行光蚀刻处理步骤，以形成沟槽。这些形成的沟槽用于限定可动电极和固定电极的图案。此后，从支承基片开始执行蚀刻处理，以形成达至绝缘层的开口部分。
随后，对接触可动电极的绝缘层进行蚀刻，以将其移除，因此可动电极被带入释放状态。由此，传感芯片可根据这种方法制造。
然后，这种传感芯片被层叠在支承基片侧面的电路芯片上，并且传感芯片和电路芯片通过粘合膜等彼此固定。而且，传感芯片借助于接合线(焊线)与电路芯片电连接。
另一方面，对于具有可动电极的传感芯片，例如在日本专利申请公开No.2002-151703中已经传统地推荐了一种具有以下结构的电容式加速度传感器，其中用于限制可动电极的过大位移的玻璃罩覆盖在传感芯片上。
但是，在这种传统电容式物理量传感器装置中，当过大的冲击沿着传感芯片的厚度方向、即沿着传感芯片和电路芯片的叠层方向施加时，可动电极便有可能超过其沿着上述方向位移的厚度范围并且因此该可动电极将会运动到邻近的固定电极上。
尤其是，通常，构成传感芯片的支承基片的厚度比可动电极的厚度、即半导体层的厚度厚很多。
那么，在传感芯片中，由于开口部分已经在位于可动电极下面的支承基片中形成，可动电极便可以很容易且幅度很大程度地沿着向上方向和向下方向、即传感芯片的厚度方向移动，并且因此，如前所述，可动电极便可很容易地移动到固定电极上。
对于该技术难题，可以构想一种解决思路。即，将一罩覆盖在传感芯片上，以限制可动电极(主体)的大量位移。在这种构思中，存在着罩元件需要分开的问题，并且由于形成了该罩，传感器装置的结构变得复杂并且需要繁琐的制造工艺。
发明内容
考虑到上述问题，本发明的目的是提供一种具有电路芯片和传感芯片的电容式物理量传感器。
一种电容式物理量传感器，其包括：用于检测物理量的传感芯片；以及用于对从传感芯片输出的信号进行处理的电路芯片。该传感芯片包括：支承基片；置于所述基片的一侧上的半导体层；置于所述半导体层中并可根据所述物理量在平行于所述基片的方向上位移的可动电极；以及置于所述半导体层中并面对所述可动电极的固定电极。传感芯片可基于形成于可动电极和固定电极之间的电容器的电容变化来检测物理量。电容变化通过所述可动电极根据所述物理量的位移而提供。传感芯片以这样的方式层叠在电路芯片上，以使可动电极和固定电极面对电路芯片。传感芯片与电路芯片电连接。可动电极在传感芯片的层叠方向上具有一厚度。传感芯片具有可动电极和电路芯片之间的第一距离以及可动电极和支承基片之间的第二距离。可动电极的厚度大于该第一距离和该第二距离。
在以上传感器中，当可动电极沿传感芯片的层叠方向位移时，支承基片和电路芯片用作限制可动电极位移的止动器。因而，可动电极的位移范围限制在可动电极的厚度范围内。因此，防止了可动电极运动到、即撞击到固定电极上。
优选地，传感芯片通过凸块电极(bump electrode)与电路芯片电连接。更优选地，凸块电极在传感芯片的层叠方向上具有一厚度，并且凸块电极的厚度等于所述第一距离。更优选地，传感芯片还包括一布置在传感芯片的一部分上的凹部。凸块电极具有一可插入所述凹部的部分。凸块电极的其它部分从所述凹部凸出。凸块电极的其它部分沿传感芯的层叠方向具有一厚度，凸块电极的其它部分的厚度等于所述第一距离。
优选地，电路芯片包括一布置在电路芯片的一侧上的保护薄膜，并且保护薄膜面对可动电极，以使得保护薄膜的一表面和可动电极之间的距离提供所述第二距离。更优选地，保护薄膜可保护电路芯片的所述一侧。
优选地，传感芯片还包括一布置在支承基片和半导体层之间的绝缘层，并且所述第二距离形成于可动电极和绝缘层之间。更优选地，可动电极通过所述绝缘层以这样的方式支承在基片上，以使得可动电极与基片以所述第二距离分开，并且可动电极具有一位移范围，其限制在绝缘层和电路芯片的所述一侧之间。
附图说明
从以下结合附图的详细描述中，本发明的以上和其它目的、特征和优点将会更加明显。在附图中：
图1是平面图，示出了根据本发明第一实施例的电容式加速度传感器装置的传感芯片；
图2是横截面图，示出了沿着图1中的II-II线剖开的传感芯片；
图3是横截面图，示出了沿着图1中的III-III线剖开的传感芯片；
图4是横截面图，示出了根据第一实施例的电容式加速度传感器装置；
图5是电路图，示出了根据第一实施例的装置的检测电路；
图6是横截面图，示出了根据本发明第二实施例的电容式加速度传感器装置；
图7是横截面图，示出了根据本发明第三实施例的电容式加速度传感器装置；以及
图8是横截面图，示出了根据第一至三实施例的一比较例的后表面处理式物理量传感器。
具体实施方式
(第一实施例)
图8是示意性地示出了一通用电容式物理量传感器装置的剖面结构的视图，该装置作为本发明第一实施例的一比较例制造。
图8所示传感芯片J100以如此方式制造，以使得可动电极24以及与该可动电极24相对地布置的固定电极31形成于半导体层12上。该半导体层12通过/经由绝缘层13设置于支承基片11的一平侧面上。可动电极24可沿着与支承基片11的平面平行的方向响应于所施加的物理量而位移。
在这种传感芯片J100中，当例如加速度等物理量沿着与基片平面平行的方向、例如沿着图8中的左右方向施加于其上时，可动电极24和固定电极31之间的距离响应于该物理量的施加而变化，并且因而基于限定于可动电极24和固定电极31之间的电容变化而检测该物理量，这种电容变化由上述距离变化而引起。
在这种情况下，图8所示传感芯片J100通过采用一叠层基片制造，以使得半导体层12通过绝缘层13层叠在支承基片11、例如SOI(绝缘膜上硅)基片等上。
例如，从半导体层12的前表面开始执行光蚀刻处理步骤，以形成沟槽。这些形成的沟槽用于限定可动电极24和固定电极31的图案。此后，从支承基片11开始执行蚀刻处理，以形成一达至绝缘层13的开口部分11a。
随后，对于接触可动电极24的绝缘层13进行蚀刻，以将其移除，因此可动电极24被带入释放状态。因此，传感芯片J100可根据这种方法制造。
然后，这种传感芯片J100层叠在支承基片11的侧面上的电路芯片200上，并且传感芯片J100和电路芯片200通过粘合膜250等彼此固定。而且，传感芯片J100借助于接合线(焊线)260与电路芯片200电连接。
用于限制可动电极过大位移的玻璃罩(未示出)覆盖在传感芯片J100上。
但是，在这种如图8所示的传统电容式物理量传感器装置中，当过大的冲击沿着传感芯片J100的厚度方向、即沿着传感芯片J100和电路芯片200的叠层方向施加时，可动电极24有可能超过其沿着上述方向位移的厚度范围，并且该可动电极24可运动到邻近的固定电极31上。
尤其是，如图8所示，通常，构成传感芯片J100的支承基片11的厚度“d”比可动电极24的厚度“a”、即半导体层12的厚度“a”厚得多。
那么，在图8所示的传感芯片J100中，由于开口部分11a已经在位于可动电极24下面的支承基片11中形成，可动电极24便可以很容易且很大程度地沿着向上方向和向下方向、即传感芯片J100的厚度方向移动，并且因此，如前所述，可动电极24便可很容易地移动到固定电极31上。
对于该技术难题，一罩(未示出)覆盖在传感芯片J100上，以限制可动电极(主体)24的大位移。在这种情况下，罩元件需要分开，并且由于形成了这种类型的罩，传感器装置的结构变得复杂并且需要繁琐的制造工艺。
本发明的第一实施例模式通过将本发明应用于作为电容式物理量传感器装置的差动电容式半导体加速度传感器装置(电容式加速度传感器装置)而实现。
这种电容式加速度传感器装置可应用于不同种类的传感器，例如用于汽车的加速度传感器和陀螺传感器，其用于控制例如气囊、ABS和VSC的动作。
图1是示意性地示出应用于根据本发明第一实施例模式的电容式加速度传感器装置“S1”中的传感芯片100的平面图。此外，图2是示意性地示出沿着图1中的II-II线剖开的传感芯片100的剖面图。图3是示意性地示出沿着图1中的III-III线剖开的传感芯片100的剖面图。
另外，图4是示意性地表示图1所示的传感芯片100已经安装到电路芯片200上时的剖面图，即示意性地示出根据该第一实施例模式的电容式加速度传感器装置S1的剖面图。
首先，将结合图1至图3描述传感芯片100。该传感芯片100可通过相对于半导体基片10实施公知的微机械加工工艺制造。
在本例子子中，如图2和图3所示，构成传感芯片100的半导体基片10相当于矩形SOI(绝缘膜上硅)基片10，其具有一氧化膜13，该氧化膜13作为用作第一半导体层的第一硅基片11和用作第二半导体层的第二硅基片12之间的绝缘层。这里，第一硅基片11用作支承基片。
现在，在该第一实施例模式中，包含氧化膜13的第一硅基片11构造为一支承基片。换言之，第一硅基片11的一面构造为氧化膜13，并且用作半导体层的第二硅基片12设置在对应于该支承基片的第一硅基片11的一侧。
由于沟槽14以如此方式形成于第二硅基片12中，以使得沟槽14沿着其厚度方向贯穿该硅基片12，在第二硅基片12上便形成了由沟槽14分段的图案，即在第二硅基片12中形成了具有由可动单元20以及固定单元30和40布置形成的梳齿形状的梁结构体。
而且，第二硅基片12内相应于上述梁结构体20至40的形成区域的部分、即图1中由矩形虚线部分15所表示的部分被制得较薄，以使得该部分15与氧化膜13分开(参加图2和图3)。
还假定该矩形部分15的该部分相当于形成于第二硅基片12中的薄壁矩形部分15。换言之，该薄壁矩形部分15通过一个间隙相对于用作支承基片的第一硅基片11的一个面(即氧化膜13)进行布置。
这种传感芯片100根据下述方式制造。在应用光刻技术时，形状与梁结构体一致的掩膜形成于绝缘膜上硅体基片10的第二硅基片12上。
此后，通过干蚀刻工艺等进行沟槽蚀刻工序，同时采用CF4或SF6气体，以形成沟槽14，以便成批地形成梁结构体20至40的图案。
随后，进一步实施沟槽蚀刻工序，并且通过侧面蚀刻工艺进一步移除第二硅基片12的下部，以便形成上述薄壁矩形部分15。这样，便释放了可动单元20，因此可以通过上述制造方式制造出传感芯片100。
在这种传感芯片100中，用作薄壁矩形部分15的可动单元20以如此方式布置，以使得细长矩形平衡单元21的两个边缘部分通过弹簧单元22结合至处于一整体中的锚定单元23a和另一锚定单元23b。
如图3所示，这些锚定单元23a和23b固定在氧化膜13上，并且通过该氧化膜13支承在用作支承基片的第一硅基片11上。于是，相应于薄壁矩形部分15的平衡单元21和弹簧单元22被带入这样的状态，以使得平衡单元21和弹簧单元22与氧化膜13分开。
在本例子中，如图1所示，弹簧单元22以如下方式形成：即两组平行梁构成通过将这些梁的边缘彼此结合而形成的矩形框架形状，并且弹簧单元22具有弹簧作用，由此该弹簧单元22沿着与两个梁的纵向正交的方向位移。
具体地说，当弹簧单元22沿着图1所示的箭头“X”方向接收到包含加速度分量的加速度时，该弹簧单元22可导致平衡单元21沿着箭头“X”方向在基片平面的水平方向上位移，并且该弹簧单元22可响应于所施加的加速度的消失而恢复至其原始状态。
于是，通过该弹簧单元22结合至SOI基片10的可动单元20可沿着上述箭头“X”方向在基片平面的水平方向上在氧化膜13、即相应于支承基片的第一硅基片11之上位移。
而且，如图1所示，可动单元20装设有用作薄壁矩形部分15的梳齿状可动电极24。可动电极24以如此方式形成，以使得多个梁状可动电极沿着相反方向从平衡单元21的两个侧面沿着与平衡单元21的纵向(箭头“X”方向)正交的方向伸长。
换言之，现在假定平衡单元21的纵向被定义为一排列方向，多组可动电极24沿着这种排列方向以梳齿状排列。该纵向相应于弹簧单元22的位移方向、即箭头“X”方向。
在图1中，总计有八组可动电极24以如此方式形成，以使得四组可动电极24分别在平衡单元21的右侧和左侧突出。从剖面中看，每个可动电极24形成矩形梁状，并且处于如此状态，以使得可动电极24与氧化膜13分开。
由于每个可动电极24整体地形成有弹簧单元22和平衡单元21，每个可动电极24可在基片平面的水平方向内沿着箭头“X”方向位移。
而且，如图1至图3所示，在薄壁矩形部分14的外周边部分内的一组相对边缘部分的外周边部分中，固定单元30和40均已固定到氧化膜13上，锚定单元23a和23b并不由上述外周边部分支承。那么，固定单元30和40均通过氧化膜13支承在第一硅基片11上。
如图1所示，位于平衡单元21左侧的固定单元30由左侧固定电极31和左侧固定电极配线单元32所构成。另一方面，在图1中，位于平衡单元21右侧的固定单元40由右侧固定电极41和右侧固定电极配线单元42所构成。
在本例子中，如图1所示，在左侧固定电极31和右侧固定电极41中的每一个对应于薄壁矩形部分15的同时，这些右侧和左侧固定电极31和41中的多个已经以如此方式呈梳齿状布置，以使得这些多个固定电极可与形成于可动电极24中的梳齿之间的间隙啮合。
在这种情况下，在图1中，左侧固定电极31相对于平衡单元21左侧的每个可动电极24沿着箭头“X”方向提供于上侧。另一方面，右侧固定电极41相对于平衡单元21右侧的每个可动电极24而沿着箭头“X”方向提供于下侧。
在相应的固定电极31和41相对于各自的可动电极24彼此相对地在基片平面的水平方向上布置的同时，用来检测电容的检测间隔在可动电极24的侧平面(即检测平面)之间形成，并且固定电极31和41的侧平面(即检测平面)在每个相对间隔中形成。
而且，左侧固定电极31和右侧固定电极41在电学上彼此独立。那么，每个固定电极31和41以矩形梁的形状形成(从其剖面看)，其基本上与可动电极24平行地延长。
左侧固定电极31和右侧固定电极41均被置于这样的状态，以使得这些固定电极31和41悬垂至相应的固定电极配线单元32和42，这些配线单元通过氧化膜13固定至第一硅基片11上。那么，各固定电极31和41便被置于这些固定电极31和41与氧化膜13分开的状态。
对于左侧固定电极31和右侧固定电极41，多个电极在相应的配线单元32和42处彼此组合，这些配线单元通常提供电能。
而且，左侧固定电极焊盘30a和右侧固定电极焊盘40a分别形成于左侧固定电极配线单元32和右侧固定电极配线单元42上的预定位置处。
而且，可动电极配线单元25在如此条件下形成，以使得该可动电极配线单元25整体地结合至一锚定单元23b上，而可动电极焊盘25a形成于该配线单元25上的一预定位置处。上述电极焊盘25a、30a、40a通过溅射或气相沉积形成，并且例如由铝制成。
如图4所示，具有上述结构的传感芯片100在如此条件下布置在电路芯片200上，以使得该电路芯片200定位为与传感芯片100中的第一硅基片11的一平面(13)侧相对。
换言之，传感芯片100和电路芯片200在如此条件下层叠成组，以使得形成于传感芯片100中的第一硅基片11的一平面(13)侧上的可动电极24及固定电极31和41定位为与电路芯片200相对。
该电路芯片200相当于形成有用于对来自传感芯片100的输出信号进行处理的检测电路(参考随后将描述的图5)以及用于检测的电路的电路芯片。例如，电路芯片200相当于将MOS晶体管元件等通过采用半导体工艺形成于半导体基片(例如硅基片)上从而构成电路的半导体芯片。
随后，传感芯片100通过其相对的平面与电路芯片200电连接。换言之，应用于传感芯片100中的第二硅基片12的前表面与电路芯片200中与上述前表面相对布置的平面电连接。
与各固定电极31和41相连的固定电极焊盘30a和40a、可动电极焊盘25a以及电路芯片200上的电极(在此附图中未示出)彼此通过凸块电极(bump electrode)300电连接。至于该凸块电极300，可以采用常规凸块，例如焊料凸块(solder bump)。
其中可动单元20的形成平面侧构成一平面的传感芯片100在面朝下的情况下安装在电路芯片200上，而固定电极31和41、可动电极25以及电路芯片200通过凸块电极300彼此电连接。
在这种电容式加速度传感器装置S1中，如图4所示，现在假定可动电极24沿着传感芯片100和电路芯片200的叠层方向的厚度为“a”；可动电极24和电路芯片200之间的间隙的距离为“b”；可动电极24和支承基片11的一平面13之间的间隙的距离为“c”，则距离“b”和“c”均小于厚度“a”。
尤其是，在传感芯片100通过凸块电极300与电路芯片200电连接时，由于凸块电极300的厚度被制得很薄，以使得凸块电极300的厚度可变得等于距离“b”，该距离“b”便可变得小于厚度“a”。
通过将传感芯片100和电路芯片200装配起来而布置的电容式加速度传感器装置S1可以这样的方式装配，例如，将一焊料凸块供给到电路芯片200的电极上，并且此后，将传感芯片100安装到电路芯片200上并实施回流焊接工艺。
接着，描述根据第一实施例模式的电容式加速度传感器装置S1的检测操作。基于响应于加速度的施加所产生的可动电极24与固定电极31和41之间的静电电容的变化对加速度进行检测。
在传感芯片100中，各固定电极31和41的侧平面(即检测平面)与每个可动电极24的侧平面(即检测平面)相对地提供。因此，在这些可动电极24及固定电极31和41的侧平面的各相对间距中，形成用来检测静电电容的检测间距。
在这种情况下，假定第一电容“CS1”形成为左侧固定电极31和可动电极24之间间距中的检测电容，并且另一方面，第二电容“CS2”形成为右侧固定电极41和可动电极24之间间距中的检测电容。
那么，当加速度沿着图1所示箭头“X”方向在传感芯片100中基片平面的水平方向内施加时，由于弹簧单元22的弹性作用，可动单元200除了锚定单元23a和23b之外的所有部分均沿着箭头“X”方向位移，并且因此，第一和第二电容CS1和CS2响应于可动电极24沿着箭头“X”方向的位移而变化。
例如，在图1中，考虑以下检测操作：即当可动单元20沿着箭头“X”方向向下位移时，执行以下检测操作。此时，左侧固定电极31和可动电极24之间的间距变宽，并且另一方面，右侧固定电极41和可动电极24之间的间距变窄。
于是，该电容式加速度传感器装置S1可基于由于可动电极24及固定电极31和41所产生的电容差(CS1-CS2)变化而检测沿着箭头X方向的加速度。基于该电容差(CS1-CS2)所产生的信号作为传感器输出信号从传感芯片100输出。然后，该传感器输出信号由电路芯片200进行处理，以便被最终输出。
图5是-电路图，其示出了用于在该电容式加速度传感器装置S1中检测加速度的检测电路400的一个例子。
在该检测电路400中，开关电容器电路(SC电路)410装设有电容为“Cf”的电容器411、开关412以及差分放大电路413。该开关电容器电路410将进入的电容差(CS1-CS2)转换成电压。
那么，在该电容式加速度传感器装置S1中，例如，具有振幅Vcc的载波波-I从左侧固定电极焊盘30a输入，并且另一载波波-II从右侧固定电极焊盘40a输入，该载波的相位与载波波-I的相位偏移180度，并且SC电路410的开关412以预定的定时开关。
那么，沿着箭头“X”方向施加的加速度作为电压值“V输出”输出，该电压值用下述公式No.1表示：
(公式No.1)
V输出＝(CS1-CS2)·Vcc/Cf
因而，可对加速度进行检测。
另一方面，对于下述装设有传感芯片100和电路芯片200的电容式加速度传感器装置S1，可提供具有下述特征点的传感器装置S1。在电容式加速度传感器装置S1的传感芯片100中，可动电极24以及布置为与可动电极24相对的固定电极31和41形成于用作半导体层的第二硅基片12上，第二硅基片12设在支承基片11的平面13一侧上，即第一硅基片11的氧化膜13一侧上，同时可动电极24可响应于加速度的施加而沿着与基片平面平行的方向位移。那么，响应于加速度的施加，该传感芯片100基于可动电极24与固定电极31和41之间的电容变换对加速度进行检测。电路芯片200对来自传感芯片100的输出信号进行处理。
以下给出传感器装置S1的特征点：
传感芯片100和电路芯片200在这样的状态下层叠，即传感芯片100中所采用的可动电极24及固定电极31和41布置为与电路芯片200相对。传感芯片100在传感芯片100布置为在与电路芯片200相对的相对平面上与电路芯片200电连接。
而且，当可动电极24沿着传感芯片100和电路芯片200的叠层方向的厚度为“a”；可动电极24和电路芯片200之间间隙的距离为“b”；以及可动电极24和支承基片11的平面13之间的间隙的距离为“c”时，使距离“b”和“c”均小于上述厚度“a”。第一实施例模式的电容式加速度传感器装置S1具有这些特征点。
于是，当可动电极24试图沿着其厚度方向(图2和图3中所示的“z”方向)、即沿着传感芯片100的厚度方向、也就是说沿着传感芯片100和电路芯片200的叠层方向(图4所示的上/下方向)位移时，第一硅基片11和电路芯片200的一平面13可构成一止动器。
换言之，可动电极24向着芯片叠层方向的位移受到第一硅基片11和电路芯片200的一平面13的限制，并且因此，可被限制在可动电极24的厚度“a”的范围内。于是，可以避免可动电极24运动到固定电极31和41上。
于是，在通过层叠电路芯片200和传感芯片100以基于可动电极24与固定电极31和41之间的电容变化而检测加速度的电容式加速度传感器装置S1中，可以避免可动电极24沿着传感芯片100和电路芯片200的叠层方向位移和运动到固定电极31和41上。
在这种情况下，电容式加速度传感器装置S1具有传感芯片100和电路芯片200通过由焊料、金等制成的凸块电极300彼此电连接的特征点。
此外，在其中传感芯片100通过凸块电极300与电路芯片200电连接的电容式加速度传感器装置S1中，具有另一特征点：由于凸块电极300的厚度较薄，以使得凸块电极300的厚度变得等于距离“b”，该距离“b”便变得小于厚度“a”。
可以很容易地通过控制焊料的供应量、通过在焊料回流时控制高度或者通过控制凸块的形状来对凸块电极300的厚度(即高度)进行控制。
(第二实施例)
图6是剖面图，其示意性地示出了根据本发明第二实施例模式的电容式加速度传感器装置“S2”，并且示出了传感芯片100安装在电路芯片200上时的状态。
根据第一实施例模式，在传感芯片10已经通过凸块电极300与电路芯片200电连接的传感器布置中，由于使得凸块电极300的厚度很薄，以使得该凸块电极300的厚度变得等于距离“b”，该距离“b”变得小于厚度“a”。
与第一实施例模式相对照，如图6所示，在该第二实施例模式的电容式加速度传感器装置S2中，薄膜210形成于电路芯片200内的一部分上，其定位为于传感芯片100的相对平面内的可动电极(24)相对。该薄膜210被构造为电路芯片200的前表面。
那么，由于使得该薄膜210的前表面和可动电极24之间的距离等于可动电极24和电路芯片200之间的间隙的距离“b”，便使得该距离“b”小于可动电极24的厚度“a”。
在这种情况下，构造为电路芯片200的前表面的薄膜210可布置成作为可保护电路芯片200的前表面的保护薄膜210。该保护薄膜210可设在普通电路芯片200的最前平面上，并且可以由例如聚酰亚胺薄膜制成。
那么，与如第一实施例模式中所述的凸块电极300的厚度利用不同，第二实施例模式的传感器装置S2可通过利用该保护薄膜210的厚度来避免可动电极24运动到固定电极31和41上。当保护薄膜210通过旋涂法等形成保护薄膜210时，可很容易地进行保护薄膜210的厚度的控制。
根据该电容式加速度传感器装置S2，第一硅基片11和电路芯片200的薄膜210的一平面13可构成一止动器，因此可动电极24沿着叠层方向(即沿着图2和图3所示的“z”方向，以及沿着图4所示的上/下方向)的位移可限制在可动电极24的厚度“a”的范围内。
于是，在通过层叠电路芯片200和传感芯片100以基于可动电极24与固定电极31和41之间的电容变化来检测加速度的电容式加速度传感器装置S2中，同样可避免可动电极24沿着传感芯片100和电路芯片200的叠层方向位移并从而运动到固定电极31和41上。
(第三实施例)
图7是剖面图，其示意性地示出了根据本发明第三实施例模式的电容式加速度传感器装置“S3”，并且示出了传感芯片100安装在电路芯片200上时的状态。
在第一实施例模式中，由于使得凸块电极300的厚度很薄，以使得该凸块电极300的厚度变得等于可动电极24和电路芯片200之间间隙的距离“b”，该距离“b”变得小于可动电极24的厚度“a”。
如图7所示，与第一实施例模式相对照，在该第三实施例模式的电容式加速度传感器装置S3中，凹部12a设在传感芯片100内提供凸块电极30的部分处。凸块电极300的一部分进入该凹部12a。
那么，由于使得凸块电极300从凹部12a凸出的该部分的厚度等于可动电极24和电路芯片200之间间隙的距离“b”，便使得该距离“b”小于可动电极24的厚度“a”。
在这种情况下，凹部12a设在用作传感芯片10中的半导体层的第二硅基片12的前表面中。该凹部12a可以借助于干蚀刻工艺等通过蚀刻该第二硅基片12而很容易地形成。
那么，根据该电容式加速度传感器装置S3，第一硅基片11和电路芯片200的一平面13可构成一止动器，因此可动电极24沿着芯片叠层方向(即沿着图2和图3所示的“z”方向，以及沿着图4所示的上/下方向)的位移可限制在可动电极24的厚度“a”的范围内。
于是，在通过层叠电路芯片200和传感芯片100以基于可动电极24与固定电极31和41之间的电容变化来检测加速度的电容式加速度传感器装置S3中，可以避免可动电极24沿着传感芯片100和电路芯片200的叠层方向位移并从而运动到固定电极31和41上。
而且，由于凹部12a的深度受到控制并且凸块电极300进入该凹部12a中，可以很容易地实现使距离“b”小于可动电极24的厚度“a”。尤其是，还具有凸块电极300的形状无需变化以及无需变薄的优点。
另一方面，在图7所示的例子中，凹部12a形成于传感芯片100的侧面上。相反地，凹部12a可以可选地设在电路芯片200内布置凸块电极300的部分中。而且，凹部12a可以可选地设在传感芯片100和电路芯片20的两侧中。
(变型)
应当理解，在上述实施例模式中，传感芯片100和电路芯片200通过位于其相互面对的平面处的凸块电极300彼此电连接。传感芯片100和电路芯片200之间的电连接可以仅仅在其相互面对的平面处进行。可选地，这种电连接也可以通过除上述凸块电极300之外的例如导电粘合剂、压接方式等方式进行。
而且，在上述实施例模式中，氧化膜13留在SOI基片10的整个区域上，薄壁矩形部分15形成于第二硅基片15中，从而释放可动单元20。可选地，如本技术领域所公知，由于可通过施加氧化膜13作为牺牲层来在SOI基片10中进行蚀刻工艺，可以释放可动单元20。
在应用这种牺牲层蚀刻工艺的情况下，对于第二硅基片12的厚度，其整个区域可变得基本上均匀。然后，在图1所示矩形形状15的部分中移除氧化膜13，因此可动单元20可从支承基片11中释放。
而且，在这种情况下，第一硅基片11被构造作为支承基片。在这种情况下，移除了位于可动单元20下面的氧化膜13，因此第一硅基片11中与第二硅基片12相对的平面本身可布置作为支承基片的一平面。那么，可动电极24和支承基片11的一平面之间的间隙的距离“c”可几乎等于氧化膜13的厚度。
而且，在上述实施例模式中，SOI基片10已经用作构造传感芯片100的基片。如果这样的基片在支承基片的一平面侧上可具有半导体层并且可动电极和固定电极可形成于该半导体层上，SOI基片10之外的任何其它基片也可以可选地用作构造传感芯片100的基片。
还应当说明的是，如前面在实施例模式中所述，需要采用前表面处理型物理量传感器作为传感芯片，并且消除了如图8所示的后表面处理型物理量传感器。
换言之，作为传感芯片，需要下述传感芯片。即，当可动电极形成于支承基片上时，支承基片相对于可动电极具有正好位于可动电极下面的间隙。
而且，本发明的电容式物理量传感器装置并非明显地仅仅限于上述加速度传感器，相反，本发明可应用于其它物理量传感器，例如，除了加速度传感器之外，可检测作为物理量的角速度的角速度传感器。
总之，电容式物理量传感器装置具有以下主要特征点。即，在这种通过层叠电路芯片和检测芯片以基于形成于支承基片的一平面上的可动电极和固定电极之间的电容变化来检测加速度的电容式物理量传感器装置中，传感芯片和电路芯片均在使得用于传感芯片中的可动电极和固定电极均布置为与电路芯片相对的情况下彼此层叠。而且，在这些传感和电路芯片在其相对的平面处彼此电连接时，可动电极和电路芯片之间的间隙的距离“b”以及可动电极和支承基片的一平面之间的间隙的距离“c”均小于可动电极沿着电路芯片和传感芯片的叠层方向的厚度“a”。这种电容式物理量传感器装置的其它细节部分可适当地修改。
虽然已经参考优选实施例描述了本发明，但是应当理解，本发明并不限于这些优选的实施例和构造。本发明将涵盖各种变型和等同布置。另外，虽然已经描述了优选的各种组合和结构，其它包括更多、更少或仅仅一个单一元件的组合和结构也落在本发明的精神和范围内。
Claims (8)
1.一种电容式物理量传感器，包括：
用于检测物理量的传感芯片(100)；以及
用于对从传感芯片(100)输出的信号进行处理的电路芯片(200)，其中，
所述传感芯片(100)包含：
支承基片(11，13)；
置于所述基片(11，13)的一侧上的半导体层(12)；
置于所述半导体层(12)中并可根据所述物理量在平行于所述基片(11，13)的方向上位移的可动电极(24)；以及
置于所述半导体层(12)中并面对所述可动电极(24)的固定电极(31，41)，
所述传感芯片(100)可基于一位于所述可动电极(24)和所述固定电极(31，41)之间的电容器的电容变化来检测所述物理量，
所述电容变化通过所述可动电极(24)根据所述物理量的位移而提供，
所述传感芯片(100)以这样的方式层叠在所述电路芯片(200)上，以使得所述可动电极(24)和所述固定电极(31，41)面对所述电路芯片(200)，
所述传感芯片(100)与所述电路芯片(200)电连接，
所述可动电极(24)在所述传感芯片(100)的层叠方向上具有一厚度(a)，
所述传感芯片(100)具有所述可动电极(24)和所述电路芯片(200)之间的第一距离(b)以及所述可动电极(24)和所述支承基片(11，13)之间的第二距离(c)，以及
所述可动电极(24)的厚度(a)大于所述第一距离(b)和所述第二距离(c)。
2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，
所述传感芯片(100)通过一凸块电极(300)与所述电路芯片(200)电连接。
3.根据权利要求2所述的传感器，其特征在于，
所述凸块电极(300)在所述传感芯片(100)的层叠方向上具有一厚度，以及
所述凸块电极(300)的厚度等于所述第一距离(b)。
4.根据权利要求2或3所述的传感器，其特征在于，
所述传感芯片(100)还包括一布置在所述传感芯片(100)的一部分上的凹部(12a)，
所述凸块电极(300)具有一插入所述凹部(12a)的部分，
所述凸块电极(300)的其它部分从所述凹部(12a)凸出，
所述凸块电极(300)的其它部分在所述传感芯片(100)的层叠方向上具有一厚度，以及
所述凸块电极(300)的其它部分的厚度等于所述第一距离(b)。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的传感器，其特征在于，
所述电路芯片(200)包括一布置在所述电路芯片(200)的一侧上的保护薄膜(210)，以及
所述保护薄膜(210)面对所述可动电极(24)，以使得所述保护薄膜(210)的一表面和所述可动电极(24)之间的距离提供所述第一距离(b)。
6.根据权利要求5所述的传感器，其特征在于，
所述保护薄膜(210)可保护所述电路芯片(200)的所述一侧。
7.根据权利要求1-3中任一项所述的传感器，其特征在于，
所述传感芯片(100)还包括一布置在所述支承基片(11，13)和所述半导体层(12)之间的绝缘层(13)，以及
所述第二距离(c)形成于所述可动电极(24)和所述绝缘层(13)之间。
8.根据权利要求7所述的传感器，其特征在于，
所述可动电极(24)通过所述绝缘层(13)以这样的方式支承在所述基片(11，13)上，以使得所述可动电极(24)与所述基片(11，13)以所述第二距离(c)分开，以及
所述可动电极(24)具有一位移范围，其限制在所述绝缘层(13)和所述电路芯片(200)的所述一侧之间。
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101451860B (zh) * | 2007-12-04 | 2012-07-18 | 松下电器产业株式会社 | 电子器件及其制造方法 |
| CN108508230A (zh) * | 2017-02-27 | 2018-09-07 | 川崎重工业株式会社 | 加速度传感器组装体 |
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Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP4636187B2 (ja) * | 2008-04-22 | 2011-02-23 | 株式会社デンソー | 力学量センサの製造方法および力学量センサ |
| JP5442277B2 (ja) * | 2008-09-22 | 2014-03-12 | アルプス電気株式会社 | Ｍｅｍｓセンサ及びその製造方法 |
| JP5314979B2 (ja) * | 2008-09-22 | 2013-10-16 | アルプス電気株式会社 | Ｍｅｍｓセンサ |
| US9923105B2 (en) | 2013-10-09 | 2018-03-20 | Skorpios Technologies, Inc. | Processing of a direct-bandgap chip after bonding to a silicon photonic device |
| US11181688B2 (en) | 2009-10-13 | 2021-11-23 | Skorpios Technologies, Inc. | Integration of an unprocessed, direct-bandgap chip into a silicon photonic device |
| WO2011075708A2 (en) * | 2009-12-18 | 2011-06-23 | K&Y Corporation | Patient fluid management system |
| CN102782485A (zh) * | 2011-02-25 | 2012-11-14 | 松下电器产业株式会社 | 用置换式溶出伏安法定量测定化学物质的方法及所使用的传感芯片 |
| US9751433B2 (en) | 2011-10-06 | 2017-09-05 | Thorley Industries Llc | Child restraint system with user interface |
| US8950809B2 (en) | 2011-10-06 | 2015-02-10 | Thorley Industries Llc | Child restraint system with user interface |
| JP5929645B2 (ja) * | 2012-09-06 | 2016-06-08 | 株式会社デンソー | 物理量センサ |
| JP2015011002A (ja) * | 2013-07-02 | 2015-01-19 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 複合センサ |
| EP3101107B1 (en) | 2015-06-05 | 2019-04-24 | The Procter and Gamble Company | Compacted liquid laundry detergent composition |
| EP3101100B1 (en) | 2015-06-05 | 2018-02-07 | The Procter and Gamble Company | Compacted liquid laundry detergent composition |
| EP3101102B2 (en) | 2015-06-05 | 2023-12-13 | The Procter & Gamble Company | Compacted liquid laundry detergent composition |
| JP2019215269A (ja) * | 2018-06-13 | 2019-12-19 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、複合センサー、慣性計測ユニット、移動体測位装置、携帯型電子機器、電子機器、移動体、走行支援システム、および表示装置 |
| JP7212482B2 (ja) * | 2018-09-10 | 2023-01-25 | Koa株式会社 | 傾斜センサ |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06347475A (ja) * | 1993-06-08 | 1994-12-22 | Murata Mfg Co Ltd | 加速度センサおよびその製造方法 |
| JP3385688B2 (ja) * | 1993-12-13 | 2003-03-10 | 株式会社デンソー | 半導体ヨーレートセンサおよびその製造方法 |
| DE19537814B4 (de) * | 1995-10-11 | 2009-11-19 | Robert Bosch Gmbh | Sensor und Verfahren zur Herstellung eines Sensors |
| JP3644205B2 (ja) | 1997-08-08 | 2005-04-27 | 株式会社デンソー | 半導体装置及びその製造方法 |
| CN1069972C (zh) * | 1997-11-11 | 2001-08-22 | 李韫言 | 双电极单晶硅电容加速度传感器及其制造方法 |
| US6065341A (en) * | 1998-02-18 | 2000-05-23 | Denso Corporation | Semiconductor physical quantity sensor with stopper portion |
| DE19961578A1 (de) * | 1999-12-21 | 2001-06-28 | Bosch Gmbh Robert | Sensor mit zumindest einer mikromechanischen Struktur und Verfahren zur Herstellung |
| JP2001227902A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP3666370B2 (ja) * | 2000-07-06 | 2005-06-29 | 株式会社村田製作所 | 外力検知センサ |
| JP4416934B2 (ja) * | 2000-11-13 | 2010-02-17 | 三菱電機株式会社 | 容量式加速度センサの製造方法 |
| JP2002365306A (ja) | 2001-06-06 | 2002-12-18 | Denso Corp | 力学量センサ |
| JP2003166999A (ja) * | 2001-12-03 | 2003-06-13 | Denso Corp | 半導体力学量センサ |
| JP2003240798A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-08-27 | Denso Corp | 容量式力学量センサ |
| JP4117450B2 (ja) * | 2002-03-18 | 2008-07-16 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
| JP2003344445A (ja) * | 2002-05-24 | 2003-12-03 | Mitsubishi Electric Corp | 慣性力センサ |
| JP4000936B2 (ja) * | 2002-07-26 | 2007-10-31 | 株式会社デンソー | 容量式力学量センサを有する検出装置 |
| JP2004069349A (ja) | 2002-08-02 | 2004-03-04 | Denso Corp | 容量式加速度センサ |
| JP3966155B2 (ja) * | 2002-10-22 | 2007-08-29 | 株式会社デンソー | 可動部を有する構造体の製造方法 |
| JP2004157067A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-03 | Denso Corp | 容量式センサの検査方法 |
| JP2004226362A (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Denso Corp | 容量式加速度センサ |
| JP2004271312A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Denso Corp | 容量型半導体センサ装置 |
| JP2004340608A (ja) * | 2003-05-13 | 2004-12-02 | Denso Corp | 容量式力学量センサ装置 |
| JP4134853B2 (ja) * | 2003-09-05 | 2008-08-20 | 株式会社デンソー | 容量式力学量センサ装置 |
-
2004
- 2004-09-16 JP JP2004269542A patent/JP2006084327A/ja not_active Withdrawn
-
2005
- 2005-09-14 DE DE102005043906A patent/DE102005043906B4/de not_active Expired - Fee Related
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- 2005-09-16 CN CNB2005101096854A patent/CN100416826C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101451860B (zh) * | 2007-12-04 | 2012-07-18 | 松下电器产业株式会社 | 电子器件及其制造方法 |
| CN108508230A (zh) * | 2017-02-27 | 2018-09-07 | 川崎重工业株式会社 | 加速度传感器组装体 |
| CN111164401A (zh) * | 2017-07-26 | 2020-05-15 | 罗伯特·博世有限公司 | 微机械设备和用于制造微机械设备的方法 |
| US11486782B2 (en) | 2017-07-26 | 2022-11-01 | Robert Bosch Gmbh | Micromechanical device and method for manufacturing a micromechanical device |
| CN112444273A (zh) * | 2019-08-28 | 2021-03-05 | 株式会社东芝 | 传感器 |
| CN112444275A (zh) * | 2019-08-28 | 2021-03-05 | 株式会社东芝 | 传感器 |
| CN112444273B (zh) * | 2019-08-28 | 2023-01-13 | 株式会社东芝 | 传感器 |
| CN112444275B (zh) * | 2019-08-28 | 2023-07-07 | 株式会社东芝 | 传感器 |
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