CN1802603A - 用于高级微电子应用的平面化薄膜及其生产装置和方法 - Google Patents

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Abstract

本文中披露了一种平面化组合物，其包括：a)结构组分；和b)溶剂体系，其中该溶剂体系与结构组分相容并且降低了平面化组合物的至少一种分子间力分量或表面力分量。还披露了一种包括该平面化组合物的薄膜。另外，本文中披露了另一种平面化组合物，其包括：a)基于甲酚的聚合物化合物；和b)包含至少一种醇和至少一种基于醚乙酸酯的溶剂的溶剂体系。还披露了一种包括该平面化组合物的薄膜。本文中还披露了一种层状元件，其包括：a)具有表面形貌的基质；和b)例如本文中所述的那些的平面化组合物或薄膜，其中该组合物被偶合到基质上。本文中还披露了形成平面化组合物的方法，其包括：a)提供一种结构组分；b)提供一种溶剂体系，其中该溶剂体系与结构组分相容并且降低了平面化组合物的至少一种分子间力分量或表面力分量；和c)将结构组分和溶剂体系共混以形成平面化组合物。还披露了形成薄膜的方法，其包括：a)提供一种例如本文中所披露的那些的平面化组合物；和b)将至少部分溶剂体系蒸发以形成薄膜。

Description

用于高级微电子应用的平面化薄膜 及其生产装置和方法
本申请要求了2003年7月17日提交的美国临时申请序列号60/488484的优先权。
主题领域
本主题的领域是用于微电子和半导体应用的平面化组合物和薄膜，包括它们的生产方法。
背景
为了满足较快的性能要求，已经连续降低了集成电路设备特征体的特征尺寸。具有较小特征尺寸的设备的生产在许多常规用于半导体制造的工艺中带来新的挑战。生产微电子设备和将它们用于各种应用的其中一个挑战是将具有非平面的表面形貌的表面全面平面化。
表面的平面化通常包括利用两种不同作用的其中一种或两种：a)增加表面，或b)减少表面。减少表面的作用通常是指将表面抛光或者另外物理性或化学性蚀刻以除去任何不需要的表面形貌并且将任何间隙减少到最少/除去。增加表面的作用通常是指将另一个层加入到表面形貌中以填充任何间隙并且产生光滑的表面。
借助于增加的平面化并不令人满意，其中在开放的范围区域测量的薄膜厚度显著大于在表面形貌上测量的薄膜厚度。如果在形貌与开放的范围区域之间的薄膜厚度差异太大，则在最后的设备开发中有高的产量损失风险。另外，如果平面化组合物不能充分地填充表面上的间隙尤其是形成于基面上的小的通道和凹槽，并且实际上留下了完全没有被平面化组合物填充而是相反填充有空气或另一种大气的小的通道，那么借助于增加的平面化不令人满意或者不是所希望的。
为此，理想的是形成并且采用这样一种平面化组合物：该组合物能够a)提供当在开放的范围区域测量时薄膜厚度不显著大于在表面形貌上测量的薄膜厚度；b)在狭窄的凹槽和通道内充分的间隙填充；c)采用常规的结构组分和溶剂组分形成；d)承受其他的组成-改性组分例如表面活性剂的加入；和e)将表面或基质平面化以形成可以容易地结合到电子或半导体应用中的元件。
主题概述
本文中披露了一种平面化组合物，其包括：a)结构组分；和b)溶剂体系，其中该溶剂体系与结构组分相容并且降低了平面化组合物分子间力或表面力分量的至少一种。还披露了一种包括该平面化组合物的薄膜。
另外，本文中披露了另一种平面化组合物，其包括：a)基于甲酚的聚合物化合物；和b)包含至少一种醇和至少一种基于醚乙酸酯的溶剂的溶剂体系。还披露了一种包括该平面化组合物的薄膜。
本文中还披露了一种层状元件，其包括：a)具有表面形貌的基质；和b)例如本文中所述的那些的平面化组合物或薄膜，其中该组合物被偶合到基质上。
本文中还披露了形成平面化组合物的方法，其包括：a)提供一种结构组分；b)提供一种溶剂体系，其中该溶剂体系与结构组分相容并且降低了平面化组合物分子间力或表面力分量的至少一种；和c)将结构组分和溶剂体系共混以形成平面化组合物。
还披露了形成薄膜的方法，其包括：a)提供一种例如本文中所披露的那些的平面化组合物；和b)将至少部分溶剂体系蒸发以形成薄膜。
附图简述
图1表示两种所构思的平面化组合物的流体性能比较。
图2表示所构思的平面化组合物的结构信息。
图3表示所构思的平面化组合物的结构信息。
图4表示所构思的平面化组合物的平面化性能。
图5表示所构思的平面化组合物的平面化性能。
图6表示所构思的平面化组合物的平面化性能。
图7表示所构思的平面化组合物的平面化性能。
图8表示所构思的平面化组合物的等离子体蚀刻速率。
图9表示所构思的平面化组合物的填充和平面化数据。
图10表示所构思的平面化组合物的填充和平面化数据。
图11表示所构思的平面化组合物的表面光度计结果。
详述
如本文中所述，已经开发并且使用了包括至少一个以下目的和优点的平面化组合物：a)提供当在开放的范围区域测量时薄膜厚度不显著大于在表面形貌上测量的薄膜厚度；b)在狭窄的凹槽和通道内充分的间隙填充；c)采用常规的结构组分和溶剂组分形成；d)承受其他的组成-改性组分例如表面活性剂的加入；和e)将表面或基质平面化以形成可以容易地结合到电子或半导体应用中的元件。
在所构思的实施方案中，平面化组合物包括结构组分和溶剂体系，其中该溶剂体系与结构组分相容并且有效地降低了平面化组合物的至少一种分子间力分量或表面力分量。在另一个所构思的实施方案中，平面化组合物可以进一步包括组成-改性组分例如表面活性剂。
该平面化组合物的结构组分可以包括适合作为用于电子和半导体应用的平面化材料的任意合适的单体、聚合物、部分或化合物。这些单体、聚合物、部分或化合物可以包括有机、无机或有机金属部分。所构思的无机化合物的例子是硅酸盐、硅氧烷、硅氮烷、铝酸盐和含有过渡金属的化合物。有机化合物的例子包括聚亚芳基醚、聚酰亚胺、金刚烷分子、支化的金刚烷结构、基于酚醛清漆的聚合物和聚酯。所构思的有机金属化合物的例子包括聚(二甲基硅氧烷)、聚(乙烯基硅氧烷)和聚(三氟丙基硅氧烷)。
如本文中所使用的，术语“单体”是指能够与其自身或者化学性质不同的化合物以重复的方式形成共价键的任意化学上的化合物。单体之间重复的键形成可以得到线型、支化、超支化或三维的产品。此外，单体可以本身包括重复结构单元，并且当被聚合时，由这些单体形成的聚合物则被称作“嵌段聚合物”。该单体可以隶属于各种化学类别的分子，包括有机、有机金属或无机分子。单体的分子量可以在约40道尔顿-20000道尔顿之间极大地变化。然而尤其当单体包括重复结构单元时，单体可以具有甚至更高的分子量。单体也可以包括另外的基团，例如用于交联的基团。
当将在开放的范围区域测量的薄膜厚度与在表面形貌上测量的薄膜厚度相比时遇到了一些问题的其中一种平面化组合物是包括有基于酚醛清漆的聚合物的平面化组合物。本文中所构思的基于酚醛清漆的聚合物溶液是披露于美国已发表的专利：6,506,831；6,506,441；6,517,951；美国专利申请序列号：10/299,127和相关以及相应的外国和PCT申请，包括PCT/US99/30296中的那些，所有这些专利在本文中以它们的整体引入并且共同属于和指定给Honeywell InternationalInc。其他所构思的基于酚醛清漆的聚合物溶液是披露于以下参考文献中的那些：Rahman等(US5,853,954和US5,910,559)；Malik等(US6,027,853)；Allen等(SPIE 2438卷，250-260页)；Tsiartas等(SPIE 2438卷，261-271卷)或Sizensky等(US5,413,894)，所有这些在本文中引入作为参考。在本文中所构思的另一类组合物是可溶酚醛树脂型的酚醛树脂。应该理解的是在本文中所讨论的任意一种平面化组合物可以互相结合以形成另一种平面化组合物。例如，基于酚醛清漆的聚合物可以与可溶酚醛树脂型的酚醛树脂结合以形成平面化组合物。应该理解的是作为分子结构改进的平面化实现了线型或直链的结构。支化或交联的分子和化合物可用于平面化组合物，但是应该理解的是由于这些分子和化合物变得更大(从分子量观点出发)并且更复杂(从支化/交联的观点出发)，因此表面可以开始经历成功的表面化。
也可以将有机氢化硅氧烷和有机硅氧烷树脂的溶液用于形成平面化组合物以及用于生产各种电子设备、微电子设备特别是半导体集成电路以及各种用于电子和半导体元件的层状材料，包括硬掩模层、介电层、蚀刻停止层和掩蔽蚀刻停止层。这些有机氢化硅氧烷树脂层与可用于层状材料和设备的其他材料例如基于金刚烷的化合物、基于金刚烃的化合物、硅-芯化合物、有机电介质和纳米多孔电介质十分地相容。与本文中所构思的有机氢化硅氧烷树脂平面化层显著相容的化合物披露于2001年10月17日提交的PCT申请PCT/US01/32569；2001年12月31日提交的PCT申请PCT/US01/50812；美国申请序列号09/538276；美国申请序列号09/544504；美国申请序列号09/587851；美国专利6,214,746；美国专利6,171,687；美国专利6,172,128；美国专利6,156,812；2002年1月15日提交的美国申请序列号60/350187；和2002年1月8日提交的US60/347195中，所有这些在本文中以它们的整体引入作为参考。
本文中所使用的有机氢化硅氧烷树脂具有以下通式：
[H-Si1.5]n[R-SiO1.5]m                   式(1)
[H0.5-Si1.5-1.8]n[R0.5-1.0-SiO1.5-1.8]m    式(2)
[H0-1.0-Si1.5]n[R-SiO1.5]m               式(3)
[H-Si1.5]x[R-SiO1.5]y[SiO2]z         式(4)
其中：
n和m的总和，或者x、y和z的总和为约8-约5000，并且m或y以使得含碳组分以小于约40％的量(低有机含量＝LOSP)或者以大于约40％的量(高有机含量＝HOSP)存在的方式来选择；R选自取代和未取代的正构和支化的烷基(甲基、乙基、丁基、丙基、戊基)、链烯基(乙烯基、烯丙基、异丙烯基)、环烷基、环链烯基、芳基(苯基、苄基、萘基、蒽基和菲基)，及它们的混合物；并且其中含碳组分的特定摩尔百分比是起始原料的数量的比例的函数。在一些LOSP实施方案中，借助于含碳组分的摩尔百分比处于约15mol％-约25mol％的范围内而得到了特别有利的结果。在一些HOSP实施方案中，借助于含碳组分的摩尔百分比处于约55mol％-约75mol％的范围内而得到了特别有利的结果。
术语“笼形结构”、“笼形分子”和“笼形化合物”可交替使用并且是指这样的分子：其排列了至少10个原子以使得至少一个桥共价连接环体系的两个或多个原子。换句话说，笼形结构、笼形分子或笼形化合物包括多个由共价连接的原子形成的环，其中该结构、分子或化合物确定了体积，以使得用该体积定位的点不能留下没有通过环的体积。桥和/或环体系可以包括一个或多个杂原子，并且可以是芳族、部分饱和或不饱和的。另外的所构思的笼形结构包括富勒烯和具有至少一个桥的冠醚。例如，金刚烷或金刚烃被认为是笼形结构，然而萘或芳族螺环化合物在该定义的范围内不被认为是笼形结构，因为萘或芳族螺环化合物不具有一个或者超过一个的桥。
所构思的笼形化合物不必限于仅由碳原子所组成，而是还可以包括杂原子例如N、S、O、P等。杂原子可以有利地引入非-四角形的键角结构。关于笼形化合物的取代基和衍生，应该认为许多的取代基和衍生是合适的。例如，在笼形化合物相对为憎水性的情况下，可以引入亲水性取代基以提高在亲水性溶剂中的溶解度，或者反之亦然。作为选择，在需要极性的情况下，可以将极性侧基加入到笼形化合物中。进一步构思的是合适的取代基还可以包括热不稳定基团、亲核性和亲电子性基团。还将理解的是可以将官能团用于笼形化合物(例如以促进交联反应、衍生反应等)。在使笼形化合物衍生化的情况下，尤其构思的是衍生包括笼形化合物的卤化，并且特别优选的卤素是氟。
如在本文中详细描述的笼形分子或化合物还可以是连接到聚合物主链上的基团，并且因此能够形成纳米多孔材料，其中笼形化合物形成一类空隙(分子内的)并且其中至少一部分主链与其自身或另一个主链的交联可以形成另一类空隙(分子间的)。另外的笼形分子、笼形化合物和这些分子和化合物的变型详细描述于2001年10月18日提交的PCT/US01/32569中，其以它的整体在本文中引入作为参考。
为了提高包括单体或其他非聚合物种类和/或聚合物组分的组合物的间隙填充和平面化能力，应该将组合物改性以改进平面化组合物的粘度、表面力分量和/或分子间力分量，例如组合物的表面能。在几种情况下，有利的是降低粘度和分子间力分量以使得间隙填充和平面化性能最优化。将平面化组合物改性的一种方法是改性和/或替换溶剂体系，其中将与结构组分相容并且降低了平面化组合物的至少一种分子间力分量或表面力分量的体系加入到溶剂体系中。在一些所构思的实施方案中，该溶剂体系包括至少两种溶剂。
例如在基于酚醛清漆的聚合物溶液中，强氢键的溶剂被用于溶解被加入聚合物溶液的表面活性剂。在一种情况下，强氢键的溶剂是乳酸乙酯，而表面活性剂是氟代脂族聚酯表面活性剂。对于这种情况，强氢键的溶剂可以被包含醇的共溶剂体系例如2-丙醇和丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)代替。利用Hildebrand和Hansen溶解度参数，我们认为氟代脂族聚酯表面活性剂在2-丙醇中的溶解度与PGMEA相似，然而优于乳酸乙酯。另外，2-丙醇具有较弱的分子间力并且表面张力低于乳酸乙酯。在狭窄的凹槽内的毛细流动受到分子结构和相关的电荷的影响。中度极性的2-丙醇的表观粘度在狭窄的凹槽范围内从其额定值中减少-这代表了表面力的整体作用，其中乳酸乙酯的表观粘度与额定粘度之间的比例大于2-丙醇的该比例。在用于表面活性剂的共溶剂体系中将PGMEA加入到2-丙醇中降低了2-丙醇与用于甲酚-酚醛清漆树脂稀释的大体积PGMEA之间的蒸发率。在所构思的实施方案中，溶剂体系将表观粘度降低至少约10％。在另一个所构思的实施方案中，溶剂体系将表观粘度降低至少约20％。在仍然另一个所构思的实施方案中，溶剂体系将表观粘度降低至少约30％。
本文中所使用的术语“表观粘度”是指流体所固有的对流动的抵抗特性，并且其等于应力与应变率的比例。在亚微米凹槽中，表观粘度代表了表面力的整体作用并且由于其中表面力与体积力之间的比例大的位置的尺寸效应而从额定粘度中降低。同样在本文中所使用的术语“额定粘度”是指作为由可商购获得的粘度计例如Brookfield粘度计测量的大体积流体性能的粘度，并且由当流体是牛顿流体时所测量的力和流速计算。
所构思的将用于溶剂体系中的溶剂是早先与包括任意合适的纯的有机分子或者有机分子混合物的那些一起提及的那些，这些有机分子在所希望的温度下挥发和/或容易将所选的表面活性剂、聚合物和/或本文中所讨论的其他分子溶剂化。所构思的溶剂还是能够单独或者组合地改进溶液的粘度、分子间力和表面能以提高间隙填充和平面化性能的那些溶剂。这些溶剂还可以包括任意合适的纯的极性和非-极性化合物或者这些化合物的混合物。本文中所使用的术语“纯的”是指组分具有恒定的组成。例如，纯水单独由H2O组成。本文中所使用的术语“混合物”是指组分不是纯的，包括盐水。本文中所使用的术语“极性”是指分子或化合物这样的特性：在分子或化合物的一个点或者沿着分子或化合物产生了不相等的电荷、局部电荷或者自发的电荷分布。本文中所使用的术语“非极性”是指分子或化合物这样的特性：在分子或化合物的一个点或者沿着分子或化合物产生了相等的电荷、局部电荷或者自发的电荷分布。
在一些所构思的实施方案中，溶剂或溶剂混合物可以包括不被认为是烃溶剂系列的化合物的一部分的那些溶剂，例如酮如丙酮、二乙酮、甲乙酮等，醇(支链和直链的，例如2-丙醇或1-丙醇)，酯、醚、醚乙酸酯和胺。在仍然另一些所构思的实施方案中，溶剂或溶剂混合物可以包括在本文中所提及的任意一种溶剂的组合。
在其他所构思的实施方案中，溶剂或溶剂混合物(包含至少两种溶剂)包括被认为是烃系列溶剂的一部分的那些溶剂。烃溶剂是含有碳和氢的那些溶剂。应该理解的是大部分的烃溶剂是非极性的；然而有少数的烃溶剂可以被认为是极性的。烃溶剂通常分为三类：脂族、环状和芳族。脂族烃溶剂可以包括直链化合物和支化并且可能交联的化合物，然而，脂族烃溶剂不被认为是环状的。环状烃溶剂是包括至少三个位于环结构中的碳原子、性质类似于脂族烃溶剂的那些溶剂。芳族烃溶剂是通常包括三个或多个不饱和键与通过共有的键连接的单环或多环和/或稠合在一起的多环的那些溶剂。所构思的烃溶剂包括甲苯、二甲苯、对二甲苯、间二甲苯、莱、溶剂石脑油H、溶剂石脑油A、链烷例如戊烷、己烷、异己烷、庚烷、壬烷、辛烷、十二烷、2-甲基丁烷、十六烷、十三烷、十五烷、环戊烷、2，2，4-三甲基戊烷，石油醚、卤代烃例如氯代烃，硝化烃、苯、1，2-二甲苯、1，2，4-三甲苯、石油溶剂油、煤油、异丁苯、甲基萘、乙基甲苯、轻石油。特别构思的溶剂包括，但不限于，戊烷、己烷、庚烷、环己烷、苯、甲苯、二甲苯和其混合物或其组合。
如本文中所使用的术语“分子间力”是指键接或非键接力的那些，例如范德华力、静电力、位阻力、库仑力、氢键力、离子力、共价力、偶极-偶极力、分散力、磁引力及其组合，其出现在两个或多个部分的物质或组分，例如平面化组合物与表面、平面化组合物与另一个材料层、构成平面化组合物的分子，其组合等的之间。当降低平面化组合物的分子间力时，重要的是使用“标准”平面化组合物，例如上述由基于酚醛清漆的聚合物、乳酸乙酯和表面活性剂所组成的一种。当标准平面化组合物的溶剂体系被例如上述包含2-丙醇和PGMEA的代替时，分子间力被降低以及平面化组合物是有利的并且牢固地连接到基质的表面或者连接到其他分子上。在这种情况下，平面化组合物自由地迁移到构成表面形貌的狭窄的间隙和凹槽中。应该理解的是标准组合物可以包括结构组分和溶剂体系的任意组合。应该进一步理解的是无论选择何种标准平面化组合物，采用本文中的披露内容可以容易地开发出相容的溶剂体系以降低组合物的分子间力分量。
在一些实施方案中，表面力分量例如界面张力由平面化组合物和平面化组合物与表面、基质或晶片的相互作用所产生。当与层状材料领域中的普通技术人员所公知的常规平面化组合物相比时，本文中所构思的溶剂体系可以将界面张力降低至少约10％。在一些实施方案中，当与常规的平面化组合物相比时，该溶剂体系可以将界面张力降低至少约20％。在仍然另一个实施方案中，当与常规的平面化组合物相比时，该溶剂体系可以将界面张力降低至少约30％。
如早先所提及的那样，在另一些所构思的实施方案中，平面化组合物可以进一步包括至少一种组成-改性组分，例如表面活性剂。所构思的表面活性剂包括基于烃的(非氟代的)和基于碳氟化合物的表面活性剂或其组合。正如所构思的那样，至少一种碳氟化合物型的表面活性剂可以包括至少一种氟代脂族聚酯表面活性剂。合适的非氟代的表面活性剂是在由Hacker等发表的美国已发表的专利5,858,547和6,517,951中找到的那些，这些专利在本文中被共有、指定并且以它们的整体引入作为参考。取决于薄膜、元件和/或卖主的需要和规格，另外的组成-改性组分可以包括至少一种粘合促进剂、pH调节剂、成孔剂或任意其他合适的组成-改性剂。
合适的平面化薄膜有几种特性是本文中所希望并且构思的。所构思的组合物特性是组合物的多分散度。多分散度是重均分子量(Mw)与数均分子量(Mn)的比例。因此，重均分子量越接近于数均分子量，则多分散度越接近于1，这是可能的最低多分散度值。由于多分散度接近于1，因此组合物中的组分的分子量更接近，组合物中的分子量范围极少变化。已经发现相同或者接近于相同的分子量的组分作为结构组分可以极大地影响薄膜和结合到该薄膜中的组分的性能。例如，组合物中低分子量组分(小于350amu)的存在可以在薄膜的烘焙和固化时造成发烟和/或冒烟以及薄膜降解。在所构思的实施方案中，多分散度小于约3。在另一个所构思的实施方案中，多分散度小于约2.5。在仍然另一个所构思的实施方案中，多分散度小于约2。并且在另一个所构思的实施方案中，多分散度小于约1.5。
本文中所述的平面化组合物可以用于形成薄膜。形成薄膜的一种方法包括：a)提供至少一种本文中所披露的平面化组合物，其中该平面化组合物包括溶剂体系；和b)将至少部分溶剂体系蒸发以形成薄膜。可以使用由所共有的专利申请PCT/US96/08678和美国专利6,042,994；6,080,526；6,177,143和6,235,353教导的任意合适的工序或条件来除去或者至少部分除去溶剂体系，这些包括连续的源例如热源、溶于溶剂中，优选蚀刻，暴露于辐射、电磁辐射例如紫外线、X-射线，点源例如激光或者红外辐射；机械能例如超声波或物理性压力；或粒子辐射例如γ射线、α粒子、中子束或电子束，上述这些专利被共有并且以它们的整体在本文中引入作为参考。
作为所构思的用途或应用，在本文中还构思了一种层状元件，并且其包括：具有表面形貌的基质；如本文中所述的平面化溶液和/或薄膜，其中该薄膜和/或材料被偶合到基质上；和任选的至少一个另外的材料层或薄膜层。可使用的所构思的涂覆材料、涂覆溶液和薄膜可用于生产各种电子设备、微电子设备，特别是半导体集成电路和各种用于电子和半导体元件的层状材料，包括硬掩模层、介电层、蚀刻停止层和掩蔽蚀刻停止层。这些涂覆材料、涂覆溶液和薄膜与可用于层状材料和设备的其他材料例如基于金刚烷的化合物、基于金刚烃的化合物、硅-芯化合物、有机电介质和纳米多孔电介质十分地相容。与本文中所构思的涂覆材料、涂覆溶液和薄膜显著相容的化合物披露于2001年10月17日提交的PCT申请PCT/US01/32569；2001年12月31日提交的PCT申请PCT/US01/50812；美国申请序列号09/538276；美国申请序列号09/544504；美国申请序列号09/587851；美国专利6,214,746；美国专利6,171,687；美国专利6,172,128；美国专利6,156,812；2002年1月15日提交的美国申请序列号60/350187；和2002年1月8日提交的US60/347195中，所有这些在本文中以它们的整体引入作为参考。
本文中所构思的表面可以包括任何显著所希望的固体材料，例如基质、晶片或其他合适的表面。一些所构思的表面包括非平面的表面形貌，并且另一些所构思的表面已经被平面化。特别所希望的基质层将包括薄膜、玻璃、陶瓷、塑料、金属或涂布的金属或者复合材料。表面层和/或基质层包括至少一个层并且在某些情况下包括多个层。在优选实施方案中，基质包括砷化硅或砷化锗硬模或者晶片表面，例如在铜、银、镍或金电镀的引线框中发现的封装表面，例如在电路板或封装互连迹线中发现的铜表面，转接壁或硬化界面(“铜”包括所考虑到的裸铜和其氧化物)，例如在基于聚酰亚胺的柔性包装中发现的基于聚合物的包装或板界面，铅或其他金属合金焊球表面、玻璃和聚合物例如聚酰亚胺。在更优选的实施方案中，基质包括在集成电路工业以及包装和电路板工业中所共有的材料，例如硅、铜、玻璃和其他聚合物。本文中所构思的合适的表面还可以包括另一个预先形成的层状叠层、其他的层状元件或者完全是其他的元件。其例子可以是其中介电材料和CVD阻隔层首先被铺设而作为层状叠层-这被认为是用于随后被旋涂上的层状元件的“表面”。
至少一个层被偶合到表面或基质上。如本文中所使用的术语“偶合”是指将表面和层或者两个层彼此物理性连接，或者在物质或元件的两部分之间有物理引力，包括键合力例如共价和离子键力，和非键合力例如范德华力、静电力、库仑力、氢键力和/或磁引力。同样，如本文中所使用的术语偶合是指包括这样的情况：将表面和层或者两个层彼此直接连接，但是该术语也是指包括这样的情况：将表面和层或者多个层彼此间接连接-例如这样的情况：在表面与层之间有粘合促进剂层或者在表面与层或者多个层之间完全有另一个层。
所构思的电介质或低电介质材料包括基于无机材料的化合物，例如在共同指定的美国专利6,143,855和2002年2月19日提交的悬而未决的美国序列号10/078919中所披露的基于硅的化合物；(例如Honeywell NANOGLASS和HOSP产品)、基于镓的、基于锗的、基于砷的、基于硼的化合物或其组合，以及基于有机材料的化合物，例如在共同指定的美国专利6,124,421中所披露的聚醚、聚亚芳基醚(例如Honeywell FLARETM产品)、聚酰亚胺、聚酯和在共同指定的WO01/78110和WO01/08308中所披露的基于金刚烷或基于笼形物质的化合物(例如Honeywell GX-3TM产品)。电介质和低电介质材料可以通过以下方式涂覆：将材料旋涂到表面上、将材料滚压在表面上、将材料滴注在表面上和/或将材料铺展在表面上。
也可以将介电常数为1.5-约3.8的纳米多孔二氧化硅电介质薄膜作为至少一个层。本文中所构思的纳米多孔二氧化硅化合物是在以下美国已授权的专利中发现的那些化合物：6,022,812；6,037,275；6,042,994；6,048,804；6,090,448；6,126,733；6,140,254；6,204,202；6,208,041；6,318,124和6,319,855。将这些种类的薄膜作为基于硅的前体而铺设、在水的存在下老化或者冷凝，并且充分加热以基本除去所有的成孔剂和在薄膜中形成孔隙。基于硅的前体组合物包括具有下式的单体或预聚物：Rx-Si-Ly，其中R独立地选自烷基、芳基、氢和其组合，L是负电性部分，例如烷氧基、羧基、氨基、酰氨基、卤化物、异氰酸根和其组合，x是0-约2的整数，y是约2-约4的整数。其他的纳米多孔化合物和方法可以在美国已授权的专利6,156,812；6,171,687；6,214,746；6,313,185；6,380,347和6,380,270中找到，这些专利以它们的整体在本文中引入。
本文中所构思的层状元件还可以包括扩散阻隔材料，其不以层的形式存在于元件上，而是用于“阻隔”任何单独的孔隙/空隙并且不会覆盖整个底层。在一些实施方案中，扩散阻隔材料将与底层低k值电介质材料或层反应，并且在另一些实施方案中，扩散阻隔材料将不会与底层低k值电介质材料或层反应。在其他实施方案中，所构思的扩散阻隔层状元件可以由致密的低k值材料层所组成，或者包含以阻隔物类的扩散这样的方式密实化的相分离的低k值材料元件。扩散阻隔材料例如本文中所构思的那些可以在2002年6月3日提交的所共有的美国临时申请60/385482中找到，其以它的整体在本文中引入。
可以将其他的旋涂材料用于层状元件的另外的层。几种所构思的旋涂材料描述于以下已授权的专利和悬而未决的申请中，这些以它们的整体在本文中引入作为参考：(2000年6月8日提交的PCT/US00/15772；1999年6月10日提交的美国申请序列号09/330248；1999年6月10日提交的美国申请序列号09/491166；2002年4月2日发表的US 6,365,765；2001年7月31日发表的US 6,268,457；2001年11月10日提交的美国申请序列号10/001143；2000年1月26日提交的美国申请序列号09/491166；1999年1月7日提交的PCT/US00/00523；2001年1月23日授权的US 6,177,199；2002年3月19日授权的US 6,358,559；2001年4月17日授权的US 6,218,020；2002年3月26日授权的US 6,361,820；2001年4月17日授权的US6,218,497；2002年3月19日授权的US 6,359,099；2000年11月7日授权的US 6,143,855；和1998年3月20日提交的美国申请序列号09/611528)。
如本文中所使用的术语“金属”是指在元素周期表的d区和f区中的那些元素，以及具有类似金属的性质的那些元素例如硅和锗。如本文中所使用的术语“d区”是指含有填充了元素的核周围的3d、4d、5d和6d轨道的电子的那些元素。如本文中所使用的术语“f区”是指含有填充了元素的核周围的4f和5f轨道的电子的那些元素，包括镧系和锕系。优选的金属包括铟、银、铜、铝、锡、铋、镓和其合金，银涂布的铜以及银涂布的铝。术语“金属”还包括合金、金属/金属复合材料、金属陶瓷复合材料、金属聚合物复合材料以及其他的金属复合材料。如本文中所使用的术语“化合物”是指具有可以通过化学方法分裂成元素的恒定组成的物质。
可以将另一个材料层偶合到层状元件上以连续构造层状元件或印制电路板。所构思的是该另一个层将包括类似于已经在本文中所描述的那些的材料，包括金属、金属合金、复合材料、聚合物、单体、有机化合物、无机化合物、有机金属化合物、树脂、粘合剂和光波导材料。
取决于元件所要求的规格，可以将层状材料或包覆材料的一层偶合到层状界面材料上。层压制品通常被认为是纤维增强的树脂电介质材料。包覆材料是当将金属和其他材料例如铜结合到层压制品中而制得的层压制品的副类。(Harper，Charles A.，电子包装和互连手册，第二版，McGraw-Hill(纽约)，1997。)
也可以将旋涂层和旋涂材料加入到层状界面材料或后面的层中。旋涂的堆积薄膜由Michael E.Thomas，“用于低keff电介质的旋涂堆积薄膜(Spin-On Stacked Film for Low Keff Dielectrics)”， 固态技术(Solid State Technology)(2001年7月)所教导，其以它的整体在本文中结合作为参考。
其他的另一个材料层的例子包括金属(例如可用于形成通道填充物或印制电路的那些以及包括在美国专利No.5,780,755；6,113,781；6,348,139和6,332,233中的那些，所有这些专利以它们的整体在本文中结合)、金属扩散层、掩模层、抗反射涂层、粘合促进剂层等。
可以将本文中所述的化合物、涂料、薄膜、材料等用于变成电子元件和/或半导体元件的一部分、形成电子元件和/或半导体元件的一部分或者形成电子元件和/或半导体元件。如本文中所使用的术语“电子元件”也是指可用于电路中以获得一些所希望的导电作用的设备或部件。本文中所构思的电子元件可以不同的方式分类，包括分类成有源元件和无源元件。有源元件是能够起到一些动态作用例如放大、振动或者信号控制的电子元件，其操作通常需要电源。例子是双极晶体管、场效应晶体管和集成电路。无源元件是静态操作，即通常不能放大或者振动的电子元件，并且它们的特征化操作通常不需要动力源。例子是常规的电阻器、电容器、感应器、二极管、整流器和保险丝。
本文中所构思的电子元件还可以分为导体、半导体或绝缘体。这里，导体是允许电荷载体(例如电子)容易在电流中在原子之间移动的元件。导体元件的例子是包含金属的电路迹线和通道。绝缘体是其功能与材料对电流传导极度抵抗的能力显著相关的元件，例如用于将其他元件电分离的材料，而半导体是具有介于导体与绝缘体之间的天然抵抗性、其功能与材料传导电流的能力显著相关的元件。半导体元件的例子是晶体管、二极管、一些激光器、整流器、半导体开关元件和光敏元件。
本文中所构思的电子元件还可以分为电源或耗电器。电源元件被通常用于对其他元件供电，并且包括电池、电容器、线圈和燃料电池。耗电器元件包括电阻器、晶体管、集成电路(ICs)、传感器等。
再进一步地，本文中所构思的电子元件还可以分为离散的或集成的。离散的元件是集中在电路中的一个位置提供一种特定的电性能的设备。例子是电阻器、电容器、二极管和晶体管。集成的元件是能够在电路中的一个位置提供多重电性能的元件的组合。例子是其中将多个元件和连接迹线组合以起到多重或者复杂的作用例如逻辑性的集成电路。
实施例
实施例1
在室温和环境压力下将约1g氟代脂族聚酯表面活性剂溶于约4.5g丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)和约4.5g 2-丙醇的共溶剂中。在环境条件下将约10g低分子量的基于甲酚酚醛清漆的树脂(MW＝约1500，Mn＝800)溶于约15g丙二醇单甲醚乙酸酯中。将约5wt％的该氟代脂族聚酯表面活性剂溶液的进料加入到低分子量、低多分散度的基于甲酚酚醛清漆的树脂溶液中，并且进一步用约10g丙二醇单甲醚乙酸酯稀释。通过旋涂将所配制的混合物涂覆到有图案的基质上。
在将丙二醇单甲醚乙酸酯表面调节之后，使喷嘴从晶片边缘移动到中心并且将溶液放射状地涂覆到基质上，然后在约100RPM-约2500RPM的逐渐增加的速度下旋转。将经涂覆的基质置于两个各自温度约为160℃和约200℃的加热板中约90秒。
通过使用这些改性的聚合物溶液，在形貌与开放的范围区域之间的厚度差值已经显著降低，并且实现了对薄膜平面化性能的50％改进。
实施例2
将约106.2g低分子量(1500amu)的邻-甲酚酚醛清漆聚合物溶于159.4g丙二醇甲醚乙酸酯中以得到265.6g甲酚酚醛清漆溶液。在环境条件下将1.66g分子量约为5500-8500amu的氟代脂族聚酯表面活性剂溶液和7.47g丙二醇甲醚乙酸酯以及7.47g 2-丙醇加入到265.5g甲酚酚醛清漆聚合物溶液中。然后使所得的聚合物溶液分散在有图案的测试晶片上-从晶片边缘分散到中心，并且在100RPM-2500RPM的逐渐增加的速度下旋转。将经涂覆的基质置于两个温度约为160℃和约200℃的加热板中约90秒。
测量的平均薄膜厚度为2.03微米，标准偏差为28纳米(平均厚度的0.68％)。测量所得的涂覆晶片在晶片中心600纳米处的形貌与开放区域之间的厚度均匀度和厚度差值。
实施例3(比较)
将约106.2g低分子量(1500amu)的邻-甲酚酚醛清漆聚合物溶于159.4g丙二醇甲醚乙酸酯中以得到265.6g甲酚酚醛清漆溶液。在环境条件下将1.66g分子量约为5500-8500amu的氟代脂族聚酯表面活性剂溶液和14.9g乳酸乙酯加入到265.5g甲酚酚醛清漆聚合物溶液中。然后使所得的聚合物溶液分散在有图案的测试晶片上-从晶片边缘分散到中心，并且在100RPM-2500RPM的逐渐增加的速度下旋转。将经涂覆的基质置于两个温度约为160℃和约200℃的加热板中约90秒。
测量的平均薄膜厚度为2.05微米，标准偏差为18纳米(平均厚度的0.44％)。测量所得的涂覆晶片在晶片中心1200纳米处的形貌与开放区域之间的厚度均匀度和厚度差值。
实施例4(比较)
将约106.2g低分子量(1500amu)的邻-甲酚酚醛清漆聚合物溶于159.4g丙二醇甲醚乙酸酯中以得到265.6g甲酚酚醛清漆溶液。在环境条件下将1.66g分子量约为5500-8500amu的氟代脂族聚酯表面活性剂溶液和14.9g丙二醇甲醚乙酸酯加入到265.5g甲酚酚醛清漆聚合物溶液中。然后使所得的聚合物溶液分散在有图案的测试晶片上-从晶片边缘分散到中心，并且在100RPM-2500RPM的逐渐增加的速度下旋转。将经涂覆的基质置于两个温度约为160℃和约200℃的加热板中约90秒。
测量的平均薄膜厚度为2.06微米，标准偏差为19纳米(平均厚度的0.46％)。测量所得的涂覆晶片在晶片中心750纳米处的形貌与开放区域之间的厚度均匀度和厚度差值。
实施例5
将约106.2g低分子量(950amu)的酚醛清漆聚合物溶于159.4g丙二醇甲醚乙酸酯中以得到265.6g甲酚酚醛清漆溶液。在环境条件下将1.66g分子量约为5500-8500amu的氟代脂族聚酯表面活性剂溶液和7.47g丙二醇甲醚乙酸酯以及7.47g 2-丙醇加入到265.5g甲酚酚醛清漆聚合物溶液中。然后使所得的聚合物溶液分散在有图案的测试晶片上-从晶片边缘分散到中心，并且在100RPM-2500RPM的逐渐增加的速度下旋转。将涂覆的基质置于两个温度约为160℃和约200℃的加热板中约90秒。
测量所得的涂覆晶片在晶片中心830纳米处的形貌与开放区域之间的厚度均匀度和厚度差值。
实施例6(比较)
将约106.2g低分子量(950amu)的酚醛清漆聚合物溶于159.4g丙二醇甲醚乙酸酯中以得到265.6g甲酚酚醛清漆溶液。在环境条件下将1.66g分子量约为5500-8500amu的氟代脂族聚酯表面活性剂溶液和14.9g乳酸乙酯加入到265.5g甲酚酚醛清漆聚合物溶液中。然后使所得的聚合物溶液分散在有图案的测试晶片上-从晶片边缘分散到中心，并且在100RPM-2500RPM的逐渐增加的速度下旋转。将经涂覆的基质置于两个温度约为160℃和约200℃的加热板中约90秒。
测量所得的涂覆晶片在晶片中心900纳米处的形貌与开放区域之间的厚度均匀度和厚度差值。
实施例7
将约106.2g低分子量(1300amu)的酚醛清漆聚合物溶于159.4g丙二醇甲醚乙酸酯中以得到265.6g甲酚酚醛清漆溶液。在环境条件下将1.66g分子量约为5500-8500amu的氟代脂族聚酯表面活性剂溶液和7.47g丙二醇甲醚乙酸酯以及7.47g 2-丙醇加入到265.5g甲酚酚醛清漆聚合物溶液中。然后使所得的聚合物溶液分散在有图案的测试晶片上-从晶片边缘分散到中心，并且在100RPM-2500RPM的逐渐增加的速度下旋转。将经涂覆的基质置于两个温度约为160℃和约200℃的加热板中约90秒。
实施例7(比较)
将约106.2g低分子量(1300amu)的酚醛清漆聚合物溶于159.4g丙二醇甲醚乙酸酯中以得到265.6g甲酚酚醛清漆溶液。在环境条件下将1.66g分子量约为5500-8500amu的氟代脂族聚酯表面活性剂溶液和14.9g乳酸乙酯加入到265.5g甲酚酚醛清漆聚合物溶液中。然后使所得的聚合物溶液分散在有图案的测试晶片上-从晶片边缘分散到中心，并且在100RPM-2500RPM的逐渐增加的速度下旋转。将经涂覆的基质置于两个温度约为160℃和约200℃的加热板中约90秒。
测量所得的涂覆晶片在晶片中心900纳米处的形貌与开放区域之间的厚度均匀度和厚度差值。
实施例8(与实施例2比较)
将约106.2g低分子量(1500amu)的邻-甲酚酚醛清漆聚合物溶于159.4g丙二醇甲醚乙酸酯中以得到265.6g甲酚酚醛清漆溶液。在环境条件下将3.32g分子量约为5500-8500amu的氟代脂族聚酯表面活性剂溶液和14.9g丙二醇甲醚乙酸酯以及14.9g 2-丙醇加入到265.5g甲酚酚醛清漆聚合物溶液中。然后使所得的聚合物溶液分散在有图案的测试晶片上-从晶片边缘分散到中心，并且在100RPM-2500RPM的逐渐增加的速度下旋转。将经涂覆的基质置于两个温度约为160℃和约200℃的电热板中约90秒。
测量的平均薄膜厚度为2.03微米，标准偏差为15纳米(平均厚度的0.37％)。测量所得的涂覆晶片在晶片中心200纳米处的形貌与开放区域之间的厚度均匀度和厚度差值。
实施例9(与实施例2比较)
将约106.2g低分子量(1500amu)的邻-甲酚酚醛清漆聚合物溶于159.4g丙二醇甲醚乙酸酯中以得到265.6g甲酚酚醛清漆溶液。在环境条件下将1.66g分子量约为5500-8500amu的氟代脂族聚酯表面活性剂溶液和9.7g丙二醇甲醚乙酸酯以及5g 2-丙醇加入到265.5g甲酚酚醛清漆聚合物溶液中。然后使所得的聚合物溶液分散在有图案的测试晶片上-从晶片边缘分散到中心，并且在100RPM-2500RPM的逐渐增加的速度下旋转。将经涂覆的基质置于两个温度约为160℃和约200℃的加热板中约90秒。
测量的平均薄膜厚度为2.1微米，标准偏差为15纳米(平均厚度的0.36％)。测量所得的涂覆晶片在晶片中心480纳米处的形貌与开放区域之间的厚度均匀度和厚度差值。
实施例10
实施例10表示在基于酚醛清漆的聚合物组合物例如本文中所述的那些(AccufloTM2025)与同样类似于本文中所述的那些(AccufloTM2027和/或T2027)的第二种基于酚醛清漆的聚合物组合物之间的比较研究。连同基于酚醛清漆的聚合物(结构组分)一起，AccufloTM 2025包括90％的PGMEA和10％的乳酸乙酯作为溶剂体系。另外，连同基于酚醛清漆的聚合物(结构组分)一起，AccufloTM 2027包括92％的PGMEA和8％的2-丙醇。
图1表示在大约室温(RT)和约40℃下两种组合物的溶液的流体性能比较。可以在该图中看出，由于溶剂体系中微小的组成变化，AccufloTM 2027组合物表观粘度降低约25％。
图2和3以及表l表示一旦起始组合物已经被沉积到表面或者晶片上并且烘焙和/或固化时组合物的结构信息。在大约室温和约40℃下进行老化实验。对于AccufloTM 2027而言，当该组合物在空气中在约160℃-200℃下烘焙约120秒时，计算Cauchy系数。对于波长(λ)范围约3500-约10,000有效的系数如下：
A(n)＝1.552
B(n)＝1.76E+62
C(n)＝1.90E+124
采用下式在有效的波长范围内计算折射率：
n(λ)＝A(n)+B(n)/λ2+C(n)/λ4
AccufloTM 2027的厚度约为20347。在该比较研究中AccufloTM 2025的厚度被测量约为19782。在该比较研究中，对于AccufloTM 2025有效的系数如下：
A(n)＝1.588
B(n)＝1.24E+62
C(n)＝2.34E+124
图4和5以及表2-7表示在两个不同的实验室中测试的AccufloTM2025组合物的平面化性能。图6和7以及表8-13表示在两个不同的实验室中测试的AccufloTM2027组合物的平面化性能。
表14表示当在环境空气中在约160℃-约230℃下烘焙约90秒时，AccufloTM 2027的TMAH溶剂抗性。出于所有的实际目的，该溶剂抗性与AccufloTM 2025的溶剂抗性相同。
图8表示AccufloTM 2025和AccufloTM 2027具有可比较的等离子体蚀刻速率。这两种组合物之间的平面化比较示于表15中。
图9和10表示对于AccufloTM 2027所收集的填充和平面化数据。图9表示扫描路径900，形貌-深的凹槽阵列910和边缘920。图10表示晶片中心1010和晶片边缘1020的图示。表面光度计扫描路径和两个晶片位置被用于该评价。使用两个晶片。在三个位置进行SEM横截面分析：中心、晶片中部和边缘。图11表示表面光度计结果。表16表示SEM横截面结果，表17表示该相同组合物的BOE蚀刻结果。在所研究的所有烘焙条件下，AccufloTM 2027实现了完全对BOE的抗性(500∶1)。为了当使用浓缩的HF蚀刻剂时进一步使聚合物薄膜交联，160℃(100秒)-190℃(100秒)-200℃(210秒)的高烘焙温度是优选的实施方案。
可以从该实施例中得出几个结论，包括以下这些：
√借助于标准的旋转方法，由于降低的粘度和界面张力，AccufloTM2027与AccufloTM 2025相比呈现出优良的平面化性能。
√在对AccufloTM 2025的工艺开发之后，已经对AccufloTM 2027进行了所构思的方法以将凹槽填充性能最大化，这包括借助于和不借助于放射状分散方法和采用PGMEA的表面调节而逐渐增加旋转方法。已经实现了局部和全面的平面化大于70％的增强。凹槽阵列与支承区域之间的厚度偏差在晶片中心已经被降低至250nm，在晶片边缘被降低至150nm。
√已经对AccufloTM 2027和AccufloTM 2025进行了总体薄膜特征分析。已经观察了在这两种组合物之间可比较的结构(分子特征)、物理、工艺(溶剂抗性和等离子体蚀刻性能)和光学性能。
√可以通过在空气环境中采用所构思的借助于约160℃(约90秒)-约220℃(约90秒)的烘焙温度的旋转方法涂覆AccufloTM 2027来实现在深的凹槽阵列/缓冲电容器区域中优良的全面和局部的平面化。另一个在空气环境中最佳的烘焙范围是约160℃(约90秒)-约180℃(约90秒)，这得到了中度的交联，和约160℃(约100秒)-约180℃(约100秒)，这得到了高度的交联。
从而已经披露了改性的平面化组合物的形成方法和应用。然而，对于本领域那些技术人员而言将明显看出的是，除了已经描述的那些之外的许多更多的改进是可能的，只要不偏离本文中的发明构思。因此，本发明的主题仅受限于本文中的披露内容的精神。此外，在说明书和权利要求书的解释中，所有的术语应该以与上下文一致的可能最宽的方式来解释。特别地，术语“包括”和“包含”应该被理解为以非排他性的方式表示元素、组分或步骤，这表明所参考的元素、组分或步骤可以存在，或者被使用，或者与没有被明确参考的其他元素、组分或步骤相结合。

Claims (75)

1.一种平面化组合物，包括：
结构组分；和
溶剂体系，其中该溶剂体系与结构组分相容并且降低了平面化组合物分子间力或表面力分量的至少一种。
2.权利要求1的平面化组合物，其中所述结构组分包括聚合物。
3.权利要求2的平面化组合物，其中所述聚合物包括基于酚醛清漆的聚合物、可溶酚醛树脂型的酚醛树脂或它们的组合。
4.权利要求1的平面化组合物，其中所述溶剂体系包括至少两种溶剂。
5.权利要求4的平面化组合物，其中所述溶剂体系包括基于醇的溶剂。
6.权利要求5的平面化组合物，其中基于醇的溶剂包括1-丙醇或2-丙醇。
7.权利要求4的平面化组合物，其中所述溶剂体系包括丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)、乳酸乙酯、丙二醇甲醚、二乙二醇、丙酮或它们的组合。
8.权利要求1的平面化组合物，其中所述分子间力分量包括氢键相互作用力、静电力、位阻力、偶极-偶极相互作用力、分散力、范德华力或它们的组合。
9.权利要求1的平面化组合物，其中该平面化组合物包括表观粘度。
10.权利要求9的平面化组合物，其中所述表面力分量包括界面张力。
11.权利要求9的平面化组合物，其中所述溶剂体系将表观粘度降低至少约10％。
12.权利要求11的平面化组合物，其中所述溶剂体系将表观粘度降低至少30％。
13.权利要求10的平面化组合物，其中所述溶剂体系将界面张力降低至少约10％。
14.权利要求13的平面化组合物，其中所述溶剂体系将界面张力降低至少约20％。
15.权利要求1的平面化组合物，其中该组合物进一步包括表面活性剂。
16.权利要求15的平面化组合物，其中所述表面活性剂包括至少一种烃型表面活性剂、至少一种碳氟化合物型表面活性剂或其组合。
17.权利要求16的平面化组合物，其中至少一种碳氟化合物型表面活性剂包括至少一种氟代脂族聚酯表面活性剂。
18.一种平面化组合物，包括：
基于甲酚的聚合物化合物；和
包含至少一种醇和至少一种基于醚乙酸酯的溶剂的溶剂体系。
19.权利要求18的平面化组合物，其中基于甲酚的聚合物化合物包括酚醛清漆聚合物。
20.权利要求18的平面化组合物，其中至少一种醇包括支链醇。
21.权利要求20的平面化组合物，其中所述支链醇包括2-丙醇。
22.权利要求18的平面化组合物，其中至少一种基于醚乙酸酯的溶剂包括PGMEA。
23.权利要求18的平面化组合物，其中该组合物进一步包括表面活性剂。
24.权利要求23的平面化组合物，其中所述表面活性剂包括至少一种烃型表面活性剂、至少一种碳氟化合物型表面活性剂或其组合。
25.权利要求24的平面化组合物，其中至少一种碳氟化合物型表面活性剂包括至少一种氟代脂族聚酯表面活性剂。
26.一种包括权利要求1或18其中一项的平面化组合物的薄膜，其中至少一些溶剂体系被除去。
27.一种包括权利要求15或23其中一项的平面化组合物的薄膜，其中至少一些溶剂体系被除去。
28.一种层状元件，包括：
具有表面形貌的基质；和
权利要求1的平面化组合物，其中该组合物被偶合到基质上。
29.权利要求28的层状元件，进一步包括至少一个另外的材料层或薄膜层。
30.一种层状元件，包括：
具有表面形貌的基质；和
权利要求18的平面化组合物，其中该组合物被偶合到基质上。
31.权利要求30的层状元件，进一步包括至少一个另外的材料层或薄膜层。
32.一种层状元件，包括：
具有表面形貌的基质；和
包括权利要求26的薄膜的层，其中该层被偶合到基质上。
33.权利要求32的层状元件，进一步包括至少一个另外的材料层或薄膜层。
34.一种层状元件，包括：
具有表面形貌的基质；和
包括权利要求27的薄膜的层，其中该层被偶合到基质上。
35.权利要求34的层状元件，进一步包括至少一个另外的材料层或薄膜层。
36.一种形成平面化组合物的方法，包括：
提供一种结构组分；
提供一种溶剂体系，其中该溶剂体系与结构组分相容并且降低了平面化组合物分子间力或表面力分量的至少一种；和
将结构组分和溶剂体系共混以形成平面化组合物。
37.权利要求36的方法，其中提供结构组分包括提供一种聚合物。
38.权利要求37的方法，其中该聚合物包括基于酚醛清漆的聚合物、可溶酚醛树脂型的酚醛树脂或它们的组合。
39.权利要求36的方法，其中所述溶剂体系包括至少两种溶剂。
40.权利要求39的方法，其中所述溶剂体系包括基于醇的溶剂。
41.权利要求38的方法，其中基于醇的溶剂包括1-丙醇或2-丙醇。
42.权利要求39的方法，其中所述溶剂体系包括丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)、乳酸乙酯、丙二醇甲醚、二乙二醇、丙酮或它们的组合。
43.权利要求36的方法，其中所述分子间力分量包括氢键相互作用力、静电力、位阻力、偶极-偶极相互作用力、分散力、范德华力或它们的组合。
44.权利要求36的方法，其中所述表面力分量包括界面张力。
45.权利要求44的方法，其中所述溶剂体系将界面张力降低至少约10％。
46.权利要求45的方法，其中所述溶剂体系将界面张力降低至少约20％。
47.权利要求36的方法，其中所述平面化组合物包括表观粘度。
48.权利要求47的方法，其中所述溶剂体系将表观粘度降低至少约10％。
49.权利要求48的方法，其中所述溶剂体系将表观粘度降低至少30％。
50.权利要求36的方法，其中该组合物进一步包括表面活性剂。
51.权利要求50的方法，其中表面活性剂包括至少一种烃型表面活性剂、至少一种碳氟化合物型表面活性剂或它们的组合。
52.权利要求51的方法，其中至少一种碳氟化合物型表面活性剂包括至少一种氟代脂族聚酯表面活性剂。
53.一种形成薄膜的方法，包括：
提供权利要求1的平面化组合物；和
将至少部分溶剂体系蒸发以形成薄膜。
54.权利要求53的方法，其中将至少部分溶剂体系蒸发包括将连续的源施加给平面化组合物。
55.权利要求54的方法，其中所述连续的源包括热源。
56.权利要求55的方法，其中所述连续的源包括红外线源、紫外线源、电子束源及它们的组合。
57.一种平面化组合物，包括：
结构组分；和
溶剂体系，其中该溶剂体系与结构组分相容并且降低了平面化组合物的至少一种分子间力分量或表面力分量，并且其中该组合物的多分散度小于约2.5。
58.权利要求57的平面化组合物，其中所述结构组分包括聚合物。
59.权利要求58的平面化组合物，其中所述聚合物包括基于酚醛清漆的聚合物、可溶酚醛树脂型的酚醛树脂或它们的组合。
60.权利要求57的平面化组合物，其中所述溶剂体系包括至少两种溶剂。
61.权利要求60的平面化组合物，其中所述溶剂体系包括基于醇的溶剂。
62.权利要求61的平面化组合物，其中基于醇的溶剂包括1-丙醇或2-丙醇。
63.权利要求60的平面化组合物，其中所述溶剂体系包括丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)、乳酸乙酯、丙二醇甲醚、二乙二醇、丙酮或它们的组合。
64.权利要求57的平面化组合物，其中所述分子间力分量包括氢键相互作用力、静电力、位阻力、偶极-偶极相互作用力、分散力、范德华力或其组合。
65.权利要求57的平面化组合物，其中所述表面力分量包括界面张力。
66.权利要求57的平面化组合物，其中所述平面化组合物包括表观粘度。
67.权利要求66的平面化组合物，其中所述溶剂体系将表观粘度降低至少约10％。
68.权利要求67的平面化组合物，其中所述溶剂体系将表观粘度降低至少30％。
69.权利要求65的平面化组合物，其中所述溶剂体系将界面张力降低至少约10％。
70.权利要求69的平面化组合物，其中所述溶剂体系将界面张力降低至少约20％。
72.权利要求57的平面化组合物，其中所述该组合物进一步包括表面活性剂。
73.权利要求72的平面化组合物，其中所述表面活性剂包括至少一种烃型表面活性剂、至少一种碳氟化合物型表面活性剂或它们的组合。
74.权利要求73的平面化组合物，其中至少一种碳氟化合物型表面活性剂包括至少一种氟代脂族聚酯表面活性剂。
75.权利要求57的平面化组合物，其中多分散度小于约2。
76.权利要求75的平面化组合物，其中多分散度小于约1.5。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4723822B2 (ja) * 2003-08-22 2011-07-13 旭有機材工業株式会社 摺動部品製造用フェノール樹脂成形材料及び樹脂製摺動部品
US9910523B2 (en) * 2015-12-28 2018-03-06 Lg Display Co., Ltd. Display device with connection interface for common signal lines placed under planarization layer

Family Cites Families (630)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3930868A (en) 1973-05-23 1976-01-06 The Richardson Company Light sensitive arylglyoxyacrylate compositions
JPS5421089B2 (zh) 1973-05-29 1979-07-27
US3935339A (en) 1973-07-16 1976-01-27 Exxon Production Research Company Method for coating particulate material thereof
US4092296A (en) 1973-08-13 1978-05-30 Skiff Russell A Epoxy resin compositions
SU548037A1 (ru) 1973-10-08 1984-05-15 Предприятие П/Я Г-4059 Композици дл получени пенопласта
US3986991A (en) 1974-01-30 1976-10-19 The Upjohn Company Novel polyisocyanate trimerization catalyst
US4011180A (en) 1974-01-30 1977-03-08 The Upjohn Company Novel cocatalyst system for trimerizing polyisocyanates
US4259430A (en) 1974-05-01 1981-03-31 International Business Machines Corporation Photoresist O-quinone diazide containing composition and resist mask formation process
US3933677A (en) 1974-05-24 1976-01-20 E. I. Du Pont De Nemours & Company Preparation of aqueous dispersions of blocked aromatic polyisocyanates
US3954684A (en) 1974-07-09 1976-05-04 The Upjohn Company Foam process using tertiary amine/quaternary ammonium salt catalyst
US4058403A (en) 1975-11-12 1977-11-15 Hooker Chemicals & Plastics Corporation Refractory compositions
US4065314A (en) 1975-06-09 1977-12-27 The Richardson Company Photoreactive compositions comprising polymers containing alkoxyaromaticglyoxy groups
US4199651A (en) 1975-11-03 1980-04-22 General Electric Company Novel polyetheramide-imide phenolic resin blends
US4118535A (en) 1975-11-03 1978-10-03 General Electric Company Novel polyetheramide-imide epoxy resin blends
US4039487A (en) 1976-01-19 1977-08-02 The Upjohn Company Cellular isocyanurate polymer
US4066628A (en) 1976-08-02 1978-01-03 Mitsubishi Chemical Industries Ltd. Oxazolidone catalyst
US4101465A (en) 1976-10-06 1978-07-18 The Upjohn Company A cocatalyst system for trimerizing isocyanates
US4074760A (en) 1976-11-01 1978-02-21 The Dow Chemical Company Method for forming a consolidated gravel pack
US4081030A (en) 1976-11-01 1978-03-28 The Dow Chemical Company Aqueous based slurry with chelating agent and method of forming a consolidated gravel pack
US4075139A (en) 1977-02-22 1978-02-21 The Upjohn Company Process of making a cured resole foam and product produced therefrom
US4151219A (en) 1977-05-11 1979-04-24 The Dow Chemical Company Vinyl ester resins containing polyoxyalkylene low profile additives
US4254006A (en) 1977-08-12 1981-03-03 Ford Motor Company Adhesion of vinyl plastisol coatings
JPS6044137B2 (ja) 1977-11-14 1985-10-02 株式会社ブリヂストン 積層体
US4268608A (en) 1977-11-25 1981-05-19 The Richardson Company Device for use in photochemical and photomechanical processes
US4338232A (en) 1977-12-27 1982-07-06 The Dow Chemical Company Radiation-curable resins
US4165413A (en) 1978-03-15 1979-08-21 Koppers Company, Inc. Process for producing phenolic foams with a uniform appearance
US4288565A (en) 1978-06-22 1981-09-08 Ciba-Geigy Corporation Storable, solid mixture for the preparation of plastics which are based on epoxide resin and are stable to hydrolysis, the use of this mixture for the preparation of such plastics and plastics obtained in this way
JPS5852492B2 (ja) 1978-08-18 1983-11-22 株式会社ブリヂストン 耐火性積層体
JPS5852491B2 (ja) 1978-08-18 1983-11-22 株式会社ブリヂストン 耐火性積層体
CH645410A5 (de) 1979-01-12 1984-09-28 Akzo Nv Verfahren zur herstellung von wasserhaltigen fasern.
DE3008699C2 (de) 1979-03-06 1986-07-24 Bridgestone Tire Co. Ltd., Tokio/Tokyo Feuerbeständiges Laminat
US4604436A (en) 1979-06-12 1986-08-05 Occidental Chemical Corporation Process for metal modified phenolic novolac resin
US4304700A (en) 1979-08-27 1981-12-08 Celanese Corporation Two component aqueous based coating composition
US4323658A (en) 1980-09-02 1982-04-06 Texaco Inc. Polyisocyanurates from diols modified with epoxy resins
US4588419A (en) 1980-10-08 1986-05-13 Carborundum Abrasives Company Resin systems for high energy electron curable resin coated webs
US4332923A (en) 1980-10-23 1982-06-01 Dow Corning Corporation Composition for coating heat sensitive substrates
US4460674A (en) 1981-01-16 1984-07-17 Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. Posi-type quinone diazide photosensitive composition with sensitizer therefor
DE3104991A1 (de) 1981-02-12 1982-08-19 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Anionische grenzflaechenaktive verbindungen auf basis oxalkylierter naphthol-novolake und deren verwendung
JPS57192952A (en) 1981-05-25 1982-11-27 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Composition of developing solution
GB2109392B (en) 1981-11-03 1985-06-26 Sericol Group Ltd Photopolymerisable materials for use in producing screen printing stencils
US4788236A (en) 1981-12-29 1988-11-29 Union Carbide Corporation Process for producing particulate novolac resins and aqueous dispersions
US4499171A (en) 1982-04-20 1985-02-12 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Positive type photosensitive resin composition with at least two o-quinone diazides
JPS58190952A (ja) 1982-04-30 1983-11-08 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性印刷版の現像液
JPS59152A (ja) 1982-06-25 1984-01-05 Hitachi Chem Co Ltd 画像形成性樹脂組成物
US4855333A (en) 1982-06-28 1989-08-08 International Business Machines Corp. Multiple wire photosensitive adhesive for wire embedment
US4544801A (en) 1982-06-28 1985-10-01 International Business Machines Corporation Circuit board including multiple wire photosensitive adhesive
US4451550A (en) 1982-07-29 1984-05-29 James River Graphics, Inc. Vesicular film and composition with phenoxy resin matrix
US4530948A (en) 1982-08-16 1985-07-23 The Dow Chemical Company Room temperature coating compositions containing hydrolyzed epoxy novolac resins
US4553596A (en) 1982-10-27 1985-11-19 Santrol Products, Inc. Well completion technique
US4885355A (en) 1982-12-09 1989-12-05 The Dow Chemical Company Water-insoluble polymers from cyclic sulfonium compounds
US4797456A (en) 1982-12-09 1989-01-10 The Dow Chemical Company Aqueous-dispersible cyclic sulfonium compounds that cure to form water-insoluble polymers
DE3400164A1 (de) 1983-01-14 1984-07-19 Sandoz-Patent-GmbH, 7850 Lörrach Fluessigkeitsverluste vermindernde additive fuer bohrlochbearbeitungsfluessigkeiten
GB2139369B (en) 1983-05-06 1987-01-21 Sericol Group Ltd Photosensitive systems showing visible indication of exposure
US4533713A (en) 1983-05-06 1985-08-06 Minnesota Mining And Manufacturing Company Fluoroaliphaticsulfonamides containing oxirane groups and/or N-β-hydroxyalkylene groups
US4526856A (en) 1983-05-23 1985-07-02 Allied Corporation Low striation positive diazoketone resist composition with cyclic ketone(s) and aliphatic alcohol as solvents
GB8329881D0 (en) 1983-11-09 1983-12-14 Shell Int Research Preparation of binders for coatings
GB8315230D0 (en) 1983-06-03 1983-07-06 Shell Int Research Polyglycidyl ethers
GB8405139D0 (en) 1984-02-28 1984-04-04 Shell Int Research Binders for thermosetting coating compositions
US4661436A (en) 1983-06-17 1987-04-28 Petrarch System, Inc. Process of forming high contrast resist pattern in positive photoagent material using alkalai developer with fluorocarbon surfactant
US4557979A (en) 1984-02-17 1985-12-10 Monsanto Company Process for deposition of resin dispersions on metal substrates
US4507428A (en) 1984-02-17 1985-03-26 Monsanto Company Aqueous dispersions of polyamines and poly(dihydrobenzoxazines)
US4513060A (en) 1984-02-08 1985-04-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Chlorosulfonated polyethylene coating composition
US4686248A (en) 1984-02-28 1987-08-11 Shell Oil Company Preparation of binders for coatings, thermosetting coating compositions and their use
US5188924A (en) 1984-05-14 1993-02-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Pattern forming method utilizing material with photoresist film underlayer and contrast enhancement overlayer containing photosensitive diazonium salt
US4572870A (en) 1984-08-09 1986-02-25 E. I. Du Pont De Nemours And Company Chlorosulfonated ethylene vinyl acetate polymer coating composition
US4539347A (en) 1984-09-20 1985-09-03 Celanese Corporation Novolac based epoxy resin curing agents for use in aqueous systems
US4613561A (en) 1984-10-17 1986-09-23 James Marvin Lewis Method of high contrast positive O-quinone diazide photoresist developing using pretreatment solution
US4946733A (en) 1984-10-25 1990-08-07 Amoco Corporation Electric carrier devices and methods of manufacture
US4759970A (en) 1984-10-25 1988-07-26 Amoco Corporation Electronic carrier devices and methods of manufacture
DE3609687A1 (de) 1985-03-29 1986-10-02 Nisshinbo Industries, Inc., Tokio/Tokyo Duroplastisches harz und verfahren zu seiner erzeugung
US4617165A (en) 1985-05-13 1986-10-14 Tsang Peter H S Molded brake pad
US4626474A (en) 1985-06-21 1986-12-02 Stauffer Chemical Company Polyimide film/metal foil lamination
US5418271A (en) 1985-07-05 1995-05-23 The Dow Chemical Company Coating composition comprising solids having reversible stress-induced fluidity
US4822722A (en) 1985-07-18 1989-04-18 Petrarch Systems, Inc. Process of using high contrast photoresist developer with enhanced sensitivity to form positive resist image
DE3681366D1 (de) 1985-07-31 1991-10-17 Du Pont Optische beschichtungszusammensetzung.
US4650743A (en) 1985-07-31 1987-03-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Optical coating composition
JPS6231859A (ja) 1985-08-01 1987-02-10 Fuji Photo Film Co Ltd 製版方法
JPS6232453A (ja) 1985-08-06 1987-02-12 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト用現像液
US4784937A (en) 1985-08-06 1988-11-15 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Developing solution for positive-working photoresist comprising a metal ion free organic base and an anionic surfactant
US4929536A (en) 1985-08-12 1990-05-29 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working O-napthoquinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing
US5256522A (en) 1985-08-12 1993-10-26 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working O-naphthoquinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing
US4621042A (en) 1985-08-16 1986-11-04 Rca Corporation Absorptive planarizing layer for optical lithography
SU1364051A1 (ru) * 1985-11-20 1996-07-20 Л.Ф. Котлова Позитивный фоторезист
US4624998A (en) 1985-12-30 1986-11-25 Dow Corning Corporation Silicone-modified epoxy resins having improved impact resistance
US4710449A (en) 1986-01-29 1987-12-01 Petrarch Systems, Inc. High contrast low metal ion positive photoresist developing method using aqueous base solutions with surfactants
US4732702A (en) 1986-02-13 1988-03-22 Hitachi Chemical Company, Ltd. Electroconductive resin paste
GB8607938D0 (en) 1986-04-01 1986-05-08 Shell Int Research Aqueous paint composition
US4699931A (en) 1986-04-25 1987-10-13 Olin Corporation Oxazolidone-modified isocyanurate foams and a composition and method for their production
JPS62257880A (ja) 1986-05-02 1987-11-10 Kureha Chem Ind Co Ltd 感圧記録紙用染料溶剤及びその溶剤を用いた感圧記録紙
JPS62257879A (ja) 1986-05-02 1987-11-10 Kureha Chem Ind Co Ltd 感圧記録紙用染料溶剤及びその溶剤を用いた感圧記録紙
US4774136A (en) 1986-05-02 1988-09-27 Kureha Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Solvent for the chromogenic dye-precursor material for a pressure-sensitive recording paper sheet and a pressure-sensitive recording paper sheet prepared by using the solvent
US4785884A (en) 1986-05-23 1988-11-22 Acme Resin Corporation Consolidation of partially cured resin coated particulate material
US4690955A (en) 1986-06-30 1987-09-01 Union Carbide Corporation Polyether silicone copolymers with mixed hydroxy alkoxy capping for stabilizing high solid content, molded, flexible urethane foam
GB8616162D0 (en) 1986-07-02 1986-08-06 Shell Int Research Cationic coating compositions
JPH07113773B2 (ja) 1986-07-04 1995-12-06 株式会社日立製作所 パタ−ン形成方法
JPH0638159B2 (ja) 1986-07-18 1994-05-18 東京応化工業株式会社 ポジ型ホトレジスト用現像液
GB8621491D0 (en) 1986-09-05 1986-10-15 Shell Int Research Cationic coating compositions
JPS63103099A (ja) 1986-10-17 1988-05-07 Kao Corp 有機高分子複合亜鉛および亜鉛合金めつき皮膜およびその製造方法
US4769437A (en) 1986-12-22 1988-09-06 Blount David H Process for the production of phenolic resins
US4711911A (en) 1986-12-22 1987-12-08 Blount David H Process for the production of phenolic resins
US5128230A (en) 1986-12-23 1992-07-07 Shipley Company Inc. Quinone diazide containing photoresist composition utilizing mixed solvent of ethyl lactate, anisole and amyl acetate
GB8701057D0 (en) 1987-01-16 1987-02-18 Shell Int Research Preparation of carboxylated amide binders
US5364731A (en) 1987-01-30 1994-11-15 Konica Corporation Multi-color transfer image forming method to form color proofs
US5236784A (en) 1987-02-09 1993-08-17 Kabushiki Kaisha Sankyo Seiki Seisakusho Bearing material and plastic bearing
EP0279630B1 (en) 1987-02-16 1993-10-13 Konica Corporation Developer for light-sensitive lithographic printing plate capable of processing commonly the negative-type and the positive type and developer composition for light-sensitive material
US6048799A (en) * 1987-02-27 2000-04-11 Lucent Technologies Inc. Device fabrication involving surface planarization
US4857566A (en) 1987-04-21 1989-08-15 The Dow Chemical Company Curable latex composition, films and foams formed therefrom and method for curing the composition
US5624978A (en) 1987-05-11 1997-04-29 Morton International, Inc. Conductive, internally lubricated barrier coating for metal
JPS6476965A (en) 1987-06-22 1989-03-23 Kureha Chemical Ind Co Ltd Carbonaceous cylindrical unit and production thereof
CA1329719C (en) 1987-07-31 1994-05-24 Tadao Toyama Lithographic printing plate and method of treating the same
US4766158A (en) 1987-08-03 1988-08-23 Olin Corporation Urethane-containing oxazolidone-modified isocyanurate foams and a composition and method for their production
JPS6451467A (en) 1987-08-21 1989-02-27 Toray Silicone Co Curable resin composition
US4769174A (en) 1987-09-29 1988-09-06 Union Carbide Corporation Polyether silicone copolymers with secondary or tertiary hydroxy terminated for stabilizing high resiliency urethane foam
US4746683A (en) 1987-09-29 1988-05-24 Union Carbide Corporation Polyether silicone copolymers with secondary or tertiary hydroxy termination for stabilizing high resiliency urethane foam
US4772407A (en) 1987-12-02 1988-09-20 Lord Corporation Electrorheological fluids
JPH01147449A (ja) 1987-12-03 1989-06-09 Konica Corp レーザー光源用ハロゲン化銀写真感光材料
JPH0791475B2 (ja) 1988-02-29 1995-10-04 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 硬化性樹脂組成物
US4885319A (en) 1988-02-29 1989-12-05 Gaf Corporation Solvent resistant irradiation curable coatings
JP2626992B2 (ja) 1988-05-10 1997-07-02 富士写真フイルム株式会社 感光性平版印刷版用現像液組成物及び現像方法
US5238771A (en) 1988-05-31 1993-08-24 Konica Corporation Lithographic printing plate utilizing aluminum substrate with photosensitive layer containing o-naphthoquinonediazide sulfonic acid ester, alkali soluble resin and select additive
US4976813A (en) 1988-07-01 1990-12-11 Amoco Corporation Process for using a composition for a solder mask
US5045141A (en) 1988-07-01 1991-09-03 Amoco Corporation Method of making solderable printed circuits formed without plating
DE68911786T2 (de) 1988-07-11 1994-05-05 Konishiroku Photo Ind Lichtempfindliche Zusammensetzung.
CA1334897C (en) 1988-08-02 1995-03-28 Mamoru Seio Electrodeposition coating composition and image-forming method using the same
JP2585070B2 (ja) 1988-08-02 1997-02-26 日本ペイント株式会社 画像形成方法
DE3837500A1 (de) 1988-11-04 1990-05-23 Hoechst Ag Neue, strahlungsempfindliche verbindungen, hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches gemisch und aufzeichnungsmaterial
US5024922A (en) 1988-11-07 1991-06-18 Moss Mary G Positive working polyamic acid/imide and diazoquinone photoresist with high temperature pre-bake
US5138424A (en) 1988-11-07 1992-08-11 Brewer Science, Inc. Positive working polyamic acid/imide photoresist compositions and their use as dielectrics
EP0373510A3 (en) 1988-12-13 1990-07-11 Konica Corporation Process for preparing a light-sensitive lithographic printing plate
US5340888A (en) 1988-12-22 1994-08-23 Borden Inc. Phenolic resin composition
US4962165A (en) 1989-01-12 1990-10-09 Rohm And Haas Company Process for making silicone particles
US4933421A (en) 1989-03-30 1990-06-12 Shell Oil Company Epoxy resin composition containing metal tetrafluoroborate and boron ester
US4981882A (en) 1989-03-31 1991-01-01 Union Carbide Chemicals And Plastics Company Inc. Method for enhancing encapsulation efficiency in coating particles in aqueous dispersions
JP2788053B2 (ja) 1989-04-07 1998-08-20 関西ペイント株式会社 カチオン電着塗料
US5260161A (en) 1989-05-06 1993-11-09 Konica Corporation Photosensitive composition and photosensitive lithographic printing plate comprising in admixture a tetrapolymer and a diazo resin
US5391465A (en) 1989-06-20 1995-02-21 Rohm And Haas Company Method of using selected photoactive compounds in high resolution, acid hardening photoresists with near ultraviolet radiation wherein the photoresist comprise conventional deep UV photoacid generators
US5047275A (en) 1989-07-26 1991-09-10 Borden, Inc. Spray dried phenol-formaldehyde resin compositions
US5019618A (en) 1989-07-26 1991-05-28 Borden, Inc. Spray dried phenol-formaldehyde resin compositions
US4950433A (en) 1989-07-26 1990-08-21 Borden, Inc. Method of spray drying phenol-formaldehyde resin compositions
US5166038A (en) 1989-07-27 1992-11-24 International Business Machines Corporation Etch resistant pattern formation via interfacial silylation process
US5279922A (en) 1989-08-07 1994-01-18 Konica Corporation Light-sensitive coating liquid
US5207954A (en) 1989-09-25 1993-05-04 Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation Method of making coreactable powdered coatings
US5006575A (en) 1989-10-20 1991-04-09 E. I. Du Pont De Nemours And Company Die attach adhesive composition
JP2717602B2 (ja) 1990-01-16 1998-02-18 富士写真フイルム株式会社 感光性組成物
US5225309A (en) 1990-02-08 1993-07-06 Konica Corporation Light-sensitive litho printing plate with cured diazo primer layer, diazo resin/salt light-sensitive layer containing a coupler and silicone rubber overlayer
US5464913A (en) 1990-03-15 1995-11-07 Kansai Paint Co., Ltd. Cycloaliphatic epoxy and primary hydroxyl groups-containing cationic resin
US5252375A (en) 1990-03-22 1993-10-12 Interface, Inc. Permanent stain resistant treatment for polyamide fibers
US5188767A (en) 1990-04-27 1993-02-23 Hitachi Chemical Co., Ltd. Electroconductive resin paste containing mixed epoxy resin and electroconductive metal powder
EP0455228B1 (en) 1990-05-02 1998-08-12 Mitsubishi Chemical Corporation Photoresist composition
EP0459395B1 (en) 1990-05-29 1999-08-18 Sumitomo Bakelite Company Limited Positive photo-sensitive resin composition
US5066684A (en) 1990-06-08 1991-11-19 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Low density microcellular foams
US5116883A (en) 1990-06-08 1992-05-26 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Low density microcellular foams
DE69131647T2 (de) 1990-06-27 2000-05-18 Coates Brothers Plc Orpington Verfahren zur bilderzeugung
JPH0480758A (ja) 1990-07-23 1992-03-13 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物
US5089547A (en) 1990-08-06 1992-02-18 Eastman Kodak Company Cross-linked low surface adhesion additives for toner compositions
US5206349A (en) 1990-08-10 1993-04-27 Toyo Gosei Kogy Co., Ltd. Aromatic diazo compounds and photosensitive compositions using the same
US5284912A (en) 1990-08-16 1994-02-08 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Thermoset resin with polyunsaturated monomer-grafted seed particles
US5262449A (en) 1990-09-10 1993-11-16 Isp Investments Inc. Radiation curable coating compositions
DE4134526A1 (de) 1990-10-18 1992-05-14 Toyo Gosei Kogyo Kk Positive photoresist-zusammensetzung und mustererzeugungsverfahren unter verwendung dieser zusammensetzung
EP0483693B1 (en) 1990-10-29 1998-12-30 Toyo Gosei Kogyo Co., Ltd. Photosensitive colored resin composition, colored image formation method of color filter, and formation method of black matrix
US5102856A (en) 1990-11-07 1992-04-07 The Standard Register Company High solids self-contained printing ink
CA2083868A1 (en) 1990-11-14 1993-06-12 Chong Soo Lee Coated abrasive having a coating of an epoxy resin coatable from water
US5204385A (en) 1990-11-27 1993-04-20 Reichhold Chemicals, Inc. Water reducible epoxy resin curing agent
US5344856A (en) 1990-12-17 1994-09-06 The Dow Chemical Company Water-emulsifiable epoxy resin composition
US5236472A (en) 1991-02-22 1993-08-17 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive product having a binder comprising an aminoplast binder
JPH04274428A (ja) 1991-03-01 1992-09-30 Nippon Paint Co Ltd オフセット印刷用感光性組成物
EP0507271A3 (en) 1991-04-03 1993-04-21 The Dow Chemical Company Epoxy resin compositions for use in electrical laminates
US5316850A (en) 1991-04-12 1994-05-31 Peach State Labs, Inc. Permanently stain resistant textile fibers
US5403695A (en) 1991-04-30 1995-04-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Resist for forming patterns comprising an acid generating compound and a polymer having acid decomposable groups
US5180689A (en) 1991-09-10 1993-01-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Tapered opening sidewall with multi-step etching process
CA2078361A1 (en) 1991-09-17 1993-03-18 Seiji Arimatsu Method for directly making printing plates using ink-jet system
US5171722A (en) 1991-10-09 1992-12-15 University Of Florida SiC fibers having low oxygen content and methods of preparation
US5276126A (en) 1991-11-04 1994-01-04 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Selected novolak resin planarization layer for lithographic applications
US5370965A (en) 1991-12-10 1994-12-06 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive-working light-sensitive composition containing diazonium salt and novolak resin
US5215147A (en) 1991-12-19 1993-06-01 Mobil Oil Corporation Method for selectively closing an intermediate zone of a near wellbore area
US5364925A (en) 1992-01-27 1994-11-15 The Dow Chemical Company Epoxy resin advanced with a dihydric phenol and further chain extended with an additional dihydric phenol for use in electrical laminates
EP0578832B1 (en) 1992-01-31 1998-11-04 Kansai Paint Co., Ltd. Resin composition for water-base coating material
JP3391471B2 (ja) 1992-02-25 2003-03-31 住友化学工業株式会社 ポジ型レジスト組成物
JPH05249666A (ja) 1992-03-05 1993-09-28 Sumitomo Chem Co Ltd ポジ型レジスト組成物
JPH05295318A (ja) 1992-04-15 1993-11-09 Kansai Paint Co Ltd 水性塗料用樹脂組成物
US5260357A (en) 1992-04-30 1993-11-09 The Dexter Corporation Corrosion resistant waterbone adhesive primers
US5378740A (en) 1992-04-30 1995-01-03 The Dexter Corporation Waterborne epoxy derivative composition
JPH05323604A (ja) 1992-05-27 1993-12-07 Sumitomo Chem Co Ltd ポジ型レジスト組成物
US5756256A (en) 1992-06-05 1998-05-26 Sharp Microelectronics Technology, Inc. Silylated photo-resist layer and planarizing method
JP2790595B2 (ja) 1992-06-16 1998-08-27 株式会社日本触媒 樹脂粒子、その製造方法および用途
US5330883A (en) 1992-06-29 1994-07-19 Lsi Logic Corporation Techniques for uniformizing photoresist thickness and critical dimension of underlying features
US5198474A (en) 1992-06-30 1993-03-30 Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation Silicone surfactants having t-butyl terminated polyether pendants for use in high resilience polyurethane foam
US5444098A (en) 1992-07-13 1995-08-22 Recticel Mainly closed cell phenolic foam and process for producing this foam
US5266611A (en) 1992-07-21 1993-11-30 The Dexter Corporation Waterborne epoxy derived adhesive primers
JP3315757B2 (ja) 1992-07-24 2002-08-19 東洋合成工業株式会社 感光性多官能芳香族ジアゾ化合物およびそれを用いた感光性組成物
US5431777A (en) 1992-09-17 1995-07-11 International Business Machines Corporation Methods and compositions for the selective etching of silicon
DE69320827T2 (de) 1992-11-20 1999-01-21 Dow Chemical Co Verbesserte hochtemperaturstabilitätaufweisende polyharnstoffpolymere sowie verfahren zu deren herstellung
JPH06164102A (ja) 1992-11-25 1994-06-10 Nippon Paint Co Ltd 電着型感光性樹脂被膜の表面処理方法
JPH06204162A (ja) 1992-12-28 1994-07-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法および該方法に用いられるレジスト組成物
US5269890A (en) 1992-12-31 1993-12-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Electrochemical process and product therefrom
US5401606A (en) 1993-04-30 1995-03-28 E. I. Du Pont De Nemours And Company Laser-induced melt transfer process
US5395729A (en) 1993-04-30 1995-03-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Laser-induced thermal transfer process
US5413894A (en) 1993-05-07 1995-05-09 Ocg Microelectronic Materials, Inc. High ortho-ortho bonded novolak binder resins and their use in radiation-sensitive compositions
JPH0743522A (ja) 1993-05-28 1995-02-14 Nippon Oil Co Ltd 遮光層を有する基板の形成方法、遮光層を有する基板、白黒表示薄膜トランジスタ（ｔｆｔ）アレイ基板用対向電極基板及び白黒表示液晶ディスプレイ装置
US5886092A (en) 1993-06-21 1999-03-23 Comalco Aluminuim Limited Binder systems
JP3078153B2 (ja) 1993-07-08 2000-08-21 富士写真フイルム株式会社 感光性組成物
JP2950714B2 (ja) 1993-09-28 1999-09-20 シャープ株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
JP3318408B2 (ja) 1993-10-06 2002-08-26 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 粉状シリコーン硬化物およびその製造方法
US6037968A (en) 1993-11-09 2000-03-14 Markem Corporation Scanned marking of workpieces
US5757313A (en) 1993-11-09 1998-05-26 Markem Corporation Lacer-induced transfer printing medium and method
ES2131623T5 (es) 1993-12-21 2006-08-01 Basf Corporation Composicion de revestimiento endurecible de carbonatos ciclicos.
JP2715881B2 (ja) 1993-12-28 1998-02-18 日本電気株式会社 感光性樹脂組成物およびパターン形成方法
US5866304A (en) 1993-12-28 1999-02-02 Nec Corporation Photosensitive resin and method for patterning by use of the same
JP2776273B2 (ja) 1994-01-31 1998-07-16 日本電気株式会社 ビニル基を有する単量体
JP3434340B2 (ja) 1994-03-29 2003-08-04 東京応化工業株式会社 高感度ポジ型ホトレジスト組成物
US5480603A (en) 1994-05-19 1996-01-02 The Dow Chemical Company Method for preparing preforms for molding processes
JP3464527B2 (ja) 1994-05-27 2003-11-10 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 硬化性樹脂組成物および硬化樹脂
US6025059A (en) 1998-02-18 2000-02-15 Mobil Oil Corporation Coated plastic substrates having wet-scratch resistance
DE69525883T2 (de) 1994-07-04 2002-10-31 Fuji Photo Film Co Ltd Positiv-photoresistzusammensetzung
US5858547A (en) 1994-07-06 1999-01-12 Alliedsignal, Inc. Novolac polymer planarization films for microelectronic structures
US6060207A (en) 1994-07-11 2000-05-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Photosensitive material
US5858604A (en) 1994-07-11 1999-01-12 Konica Corporation Presensitized lithographic printing plate and method for preparing lithographic printing plate
JP2770740B2 (ja) 1994-07-14 1998-07-02 日本電気株式会社 橋かけ環式アルキル基を有するスルホニウム塩化合物および光酸発生剤
ES2130664T3 (es) 1994-10-31 1999-07-01 Tower Technologies Proprietary Procedimiento de preparacion de un material lignocelulosico para la fabricacion de un producto acabado.
US5508328A (en) 1994-11-17 1996-04-16 Alliedsignal Inc. Curing epoxy resins using dicy, imidazole and acid
JP2951554B2 (ja) 1994-11-29 1999-09-20 日本ペイント株式会社 フレキソ印刷版材用樹脂組成物
US5527839A (en) 1994-12-13 1996-06-18 Air Products And Chemicals, Inc. Self-emulsifying epoxy curing agent based on the reaction product of epoxy resin and polyether polyol
GB2296125B (en) 1994-12-16 1998-04-29 Moli Energy Pre-graphitic carbonaceous insertion compounds and use as anodes in rechargeable batteries
US6441122B1 (en) 1995-01-05 2002-08-27 Johns Manville International, Inc. Melamine in urea-extended phenol/formaldehyde fiberglass binders
JP2856116B2 (ja) 1995-01-26 1999-02-10 日本電気株式会社 ビニルモノマー、重合体、フォトレジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法
US5755910A (en) 1995-04-06 1998-05-26 Mitsubishi Chemical Corporation Method of transferring a color proof
GB2299585A (en) 1995-04-06 1996-10-09 Coates Brothers Plc Coating compositions
US5736619A (en) 1995-04-21 1998-04-07 Ameron International Corporation Phenolic resin compositions with improved impact resistance
US5534356A (en) 1995-04-26 1996-07-09 Olin Corporation Anodized aluminum substrate having increased breakdown voltage
US5605944A (en) 1995-04-27 1997-02-25 Union Camp Corporation Heat-resistant adhesive for use especially in making sterilizable packaging
US5556732A (en) 1995-05-30 1996-09-17 Xerox Corporation Processes for preparing toners with selectable gloss
US6750405B1 (en) 1995-06-07 2004-06-15 International Business Machines Corporation Two signal one power plane circuit board
US6204453B1 (en) 1998-12-02 2001-03-20 International Business Machines Corporation Two signal one power plane circuit board
JPH0966666A (ja) 1995-06-19 1997-03-11 Fuji Photo Film Co Ltd 記録材料
JPH0954203A (ja) 1995-08-17 1997-02-25 Nippon Oil Co Ltd 遮光層、遮光層の形成方法および基板の製造方法
US5872168A (en) 1995-09-13 1999-02-16 Katoot; Mohammad W. Polymer additives for forming objects
US5883164A (en) 1995-09-13 1999-03-16 Katoot; Mohammad W. Polymer additives for forming objects
US5693684A (en) 1995-10-24 1997-12-02 Jiffy Foam, Inc. Sprayable, foam-forming, phenolic resin compostion, method of spraying a foam-forming, phenolic resin composition, and a sprayed foam
US6528157B1 (en) 1995-11-01 2003-03-04 Borden Chemical, Inc. Proppants with fiber reinforced resin coatings
US5670571A (en) 1995-11-03 1997-09-23 Georgia-Pacific Resins, Inc. Process for producing a dispersed novolac resin and use in a binder system for thermal insulation
JPH09124954A (ja) 1995-11-06 1997-05-13 Nippon Oil Co Ltd 硬化性組成物
US5820932A (en) 1995-11-30 1998-10-13 Sun Chemical Corporation Process for the production of lithographic printing plates
JP2907144B2 (ja) 1995-12-11 1999-06-21 日本電気株式会社 酸誘導体化合物、高分子化合物、それを用いた感光性樹脂組成物およびパターン形成方法
JP2845225B2 (ja) 1995-12-11 1999-01-13 日本電気株式会社 高分子化合物、それを用いた感光性樹脂組成物およびパターン形成方法
US5698269A (en) 1995-12-20 1997-12-16 Ppg Industries, Inc. Electrostatic deposition of charged coating particles onto a dielectric substrate
US5830274A (en) 1995-12-20 1998-11-03 Ppg Industries, Inc. Electrostatic deposition of charged coating particles onto a dielectric substrate
US5681361A (en) 1996-01-11 1997-10-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of making an abrasive article and abrasive article produced thereby
US6383652B1 (en) 1996-01-30 2002-05-07 Tt Technologies, Inc. Weatherable building products
JP3589365B2 (ja) 1996-02-02 2004-11-17 富士写真フイルム株式会社 ポジ画像形成組成物
JP3591672B2 (ja) 1996-02-05 2004-11-24 富士写真フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物
US6245835B1 (en) 1996-02-29 2001-06-12 The Dow Chemical Company Polymeric amines and reactive epoxy polymer compositions
EP0793406B1 (en) 1996-02-29 2005-12-28 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Process for producing multilayer wiring boards
US6225376B1 (en) 1996-02-29 2001-05-01 The Dow Chemical Company In-situ emulsified reactive epoxy polymer compositions
US5695907A (en) 1996-03-14 1997-12-09 Minnesota Mining And Manufacturing Company Laser addressable thermal transfer imaging element and method
US5691098A (en) 1996-04-03 1997-11-25 Minnesota Mining And Manufacturing Company Laser-Induced mass transfer imaging materials utilizing diazo compounds
US5747217A (en) 1996-04-03 1998-05-05 Minnesota Mining And Manufacturing Company Laser-induced mass transfer imaging materials and methods utilizing colorless sublimable compounds
US5981144A (en) 1996-04-09 1999-11-09 Agfa-Gevaert, N.V. Heat sensitive imaging element and a method for producing lithographic plates therewith
US5993945A (en) 1996-05-30 1999-11-30 International Business Machines Corporation Process for high resolution photoimageable dielectric
US5886102A (en) 1996-06-11 1999-03-23 Shipley Company, L.L.C. Antireflective coating compositions
JP3645362B2 (ja) * 1996-07-22 2005-05-11 富士写真フイルム株式会社 ネガ型画像記録材料
US5866237A (en) 1996-08-23 1999-02-02 International Business Machines Corporation Organic electronic package and method of applying palladium-tin seed layer thereto
AU4093497A (en) 1996-09-02 1998-03-26 J.M. Huber Corporation Silane-treated clay production method, silane-treated clay and composition containing same
JPH1088028A (ja) 1996-09-02 1998-04-07 J M Huber Corp シラン処理クレー製品、その製法及びその組成物
US5705309A (en) 1996-09-24 1998-01-06 Eastman Kodak Company Photosensitive composition and element containing polyazide and an infrared absorber in a photocrosslinkable binder
US5705308A (en) 1996-09-30 1998-01-06 Eastman Kodak Company Infrared-sensitive, negative-working diazonaphthoquinone imaging composition and element
US6117610A (en) 1997-08-08 2000-09-12 Kodak Polychrome Graphics Llc Infrared-sensitive diazonaphthoquinone imaging composition and element containing non-basic IR absorbing material and methods of use
US5705322A (en) 1996-09-30 1998-01-06 Eastman Kodak Company Method of providing an image using a negative-working infrared photosensitive element
US5766826A (en) 1996-10-11 1998-06-16 Eastman Kodak Company Alkaline developing composition and method of use to process lithographic printing plates
US5888283A (en) 1996-11-05 1999-03-30 The Standard Register Company High solids direct thermal ink composition and method of making and using same
US5910358A (en) 1996-11-06 1999-06-08 The Dow Chemical Company PVC-free foamed flooring and wall coverings
US5919601A (en) 1996-11-12 1999-07-06 Kodak Polychrome Graphics, Llc Radiation-sensitive compositions and printing plates
US5782300A (en) 1996-11-13 1998-07-21 Schlumberger Technology Corporation Suspension and porous pack for reduction of particles in subterranean well fluids, and method for treating an underground formation
US6060222A (en) 1996-11-19 2000-05-09 Kodak Polcyhrome Graphics Llc 1Postitve-working imaging composition and element and method of forming positive image with a laser
JP3190967B2 (ja) 1996-12-16 2001-07-23 住友ベークライト株式会社 アルカリ性水溶液及び感光性樹脂組成物のパターン形成方法
US5853954A (en) 1996-12-18 1998-12-29 Clariant Finance (Bvi) Limited Fractionated novolak resin and photoresist composition therefrom
US5910559A (en) 1996-12-18 1999-06-08 Clariant Finance (Bvi) Limited Fractionated novolak resin from cresol-formaldehyde reaction mixture and photoresist composition therefrom
US6068963A (en) 1997-01-20 2000-05-30 Fuji Photo Film Co., Ltd. Negative-type image recording materials
US7268179B2 (en) 1997-02-03 2007-09-11 Cytonix Corporation Hydrophobic coating compositions, articles coated with said compositions, and processes for manufacturing same
US5853894A (en) 1997-02-03 1998-12-29 Cytonix Corporation Laboratory vessel having hydrophobic coating and process for manufacturing same
US6495624B1 (en) 1997-02-03 2002-12-17 Cytonix Corporation Hydrophobic coating compositions, articles coated with said compositions, and processes for manufacturing same
US6156389A (en) 1997-02-03 2000-12-05 Cytonix Corporation Hydrophobic coating compositions, articles coated with said compositions, and processes for manufacturing same
GB9702568D0 (en) 1997-02-07 1997-03-26 Horsell Graphic Ind Ltd Planographic printing
US5939236A (en) 1997-02-07 1999-08-17 Shipley Company, L.L.C. Antireflective coating compositions comprising photoacid generators
US6180696B1 (en) 1997-02-19 2001-01-30 Georgia Tech Research Corporation No-flow underfill of epoxy resin, anhydride, fluxing agent and surfactant
US6063544A (en) 1997-03-21 2000-05-16 Kodak Polychrome Graphics Llc Positive-working printing plate and method of providing a positive image therefrom using laser imaging
TW372337B (en) 1997-03-31 1999-10-21 Mitsubishi Electric Corp Material for forming micropattern and manufacturing method of semiconductor using the material and semiconductor apparatus
JP2943759B2 (ja) 1997-04-16 1999-08-30 日本電気株式会社 （メタ）アクリレート、重合体、フォトレジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP3798504B2 (ja) 1997-04-21 2006-07-19 富士写真フイルム株式会社 ネガ型画像記録材料
US6165676A (en) * 1997-04-22 2000-12-26 Konica Corporation Light sensitive composition, image forming material and image forming material manufacturing method
US6197378B1 (en) 1997-05-05 2001-03-06 3M Innovative Properties Company Treatment of fibrous substrates to impart repellency, stain resistance, and soil resistance
US6022670A (en) 1997-05-08 2000-02-08 International Business Machines Corporation Process for high resolution photoimageable dielectric
US5948591A (en) 1997-05-27 1999-09-07 Agfa-Gevaert, N.V. Heat sensitive imaging element and a method for producing lithographic plates therewith
US5811221A (en) 1997-05-30 1998-09-22 Kodak Polychrome Graphics, Llc Alkaline developing composition and method of use to process lithographic printing plates
US6083662A (en) 1997-05-30 2000-07-04 Kodak Polychrome Graphics Llc Methods of imaging and printing with a positive-working infrared radiation sensitive printing plate
US6136513A (en) 1997-06-13 2000-10-24 International Business Machines Corporation Method of uniformly depositing seed and a conductor and the resultant printed circuit structure
US5997997A (en) 1997-06-13 1999-12-07 International Business Machines Corp. Method for reducing seed deposition in electroless plating
JP3779444B2 (ja) 1997-07-28 2006-05-31 富士写真フイルム株式会社 赤外線レーザ用ポジ型感光性組成物
WO1999008321A1 (en) 1997-08-07 1999-02-18 Matsushita Electric Works, Ltd. Epoxy resin sealing material for molding semiconductor chip and method for manufacturing the same
JPH1159007A (ja) 1997-08-26 1999-03-02 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性平版印刷版
US6060217A (en) 1997-09-02 2000-05-09 Kodak Polychrome Graphics Llc Thermal lithographic printing plates
US6261740B1 (en) 1997-09-02 2001-07-17 Kodak Polychrome Graphics, Llc Processless, laser imageable lithographic printing plate
JP3486341B2 (ja) 1997-09-18 2004-01-13 株式会社東芝 感光性組成物およびそれを用いたパターン形成法
US5877240A (en) 1997-09-26 1999-03-02 Owens Corning Fiberglas Technology, Inc. Sizing composition for glass fibers for reinforcement of engineered thermoplastic materials
US5928836A (en) * 1997-09-29 1999-07-27 Clariant Finance (Bvi) Limited Fractionated novolak resin copolymer and photoresist composition therefrom
US6251563B1 (en) 1997-10-08 2001-06-26 Agfa-Gevaert, N.V. Method for making positive working printing plates from a heat mode sensitive image element
US6060218A (en) 1997-10-08 2000-05-09 Agfa-Gevaert, N.V. Method for making positive working printing plates from a heat mode sensitive image element
US6083663A (en) 1997-10-08 2000-07-04 Agfa-Gevaert, N.V. Method for making positive working printing plates from a heat mode sensitive image element
US6235451B1 (en) 1997-10-08 2001-05-22 Agfa-Gevaert Method for making positive working printing plates from a heat mode sensitive image element
US20010004490A1 (en) 1997-10-08 2001-06-21 Michael R. Wait Multiple layered waterproofing coating
US6165689A (en) 1997-10-08 2000-12-26 Agfa-Gevaert, N.V. Method for making positive working printing plates from a light sensitive imaging element
US6004728A (en) 1997-10-08 1999-12-21 Agfa-Gevaert, N.V. Method for making positive working printing plates from a heat mode sensitive image element
US5955413A (en) 1997-10-24 1999-09-21 3M Innovative Properties Company Carpet cleaning and reapplication system based on methacrylic acid polymer, sequestrant, and anionic surfactant
US6171774B1 (en) 1997-11-13 2001-01-09 Konica Corporation Silver halide photographic light-sensitive material
EP0918048A1 (en) 1997-11-19 1999-05-26 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. A novel monomer and a polymer obtained therefrom
US6143472A (en) 1998-11-18 2000-11-07 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Resist composition and a method for formation of a pattern using the composition
US6025057A (en) 1997-12-17 2000-02-15 International Business Machines Corporation Organic electronic package and method of applying palladium-tin seed layer thereto
US6824927B1 (en) 1997-12-26 2004-11-30 Kureha Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Polymer electrolyte containing a vinylidene fluoride copolymer and a nonaqueous electrolytic solution, and nonaqueous battery containing the polymer electrolyte
JP3189773B2 (ja) 1998-01-09 2001-07-16 三菱電機株式会社 レジストパターン形成方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置
US6027853A (en) 1998-01-16 2000-02-22 Olin Microelectronic Chemicals, Inc. Process for preparing a radiation-sensitive composition
US6511782B1 (en) 1998-01-23 2003-01-28 Agfa-Gevaert Heat sensitive element and a method for producing lithographic plates therewith
US6680440B1 (en) 1998-02-23 2004-01-20 International Business Machines Corporation Circuitized structures produced by the methods of electroless plating
GB2334727A (en) 1998-02-28 1999-09-01 Horsell Graphic Ind Ltd Planographic printing member
US6342336B2 (en) 1998-03-06 2002-01-29 Agfa-Gevaert Heat mode sensitive imaging element for making positive working printing plates
US6153353A (en) 1998-03-14 2000-11-28 Agfa-Gevaert, N.V. Method for making positive working printing plates from a heat mode sensitive imaging element
US6045963A (en) 1998-03-17 2000-04-04 Kodak Polychrome Graphics Llc Negative-working dry planographic printing plate
US6444393B2 (en) 1998-03-26 2002-09-03 Fuji Photo Film Co., Ltd. Anionic infrared-ray absorbing agent, photosensitive composition and planographic printing plate precursor using same
JP3853967B2 (ja) 1998-04-13 2006-12-06 富士写真フイルム株式会社 熱硬化性組成物およびこれを用いた平版印刷版用原版ならびにスルホン酸エステル化合物
US6447977B2 (en) 1998-04-15 2002-09-10 Agfa-Gevaert Heat mode sensitive imaging element for making positive working printing plates
US6192799B1 (en) 1998-04-15 2001-02-27 Agfa-Gevaert, N.V. Heat mode sensitive imaging element for making positive working printing plates
US6391517B1 (en) 1998-04-15 2002-05-21 Agfa-Gevaert Heat mode sensitive imaging element for making positive working printing plates
US6569594B2 (en) 1998-04-15 2003-05-27 Agfa-Gevaert Heat mode sensitive imaging element for making positive working printing plates
US6340815B1 (en) 1998-04-15 2002-01-22 Agfa-Gevaert Heat mode sensitive imaging element for making positive working printing plates
US6146556A (en) 1998-04-29 2000-11-14 Katoot; Mohammad W. Polymer additives for forming objects
US6221989B1 (en) 1998-05-14 2001-04-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers and positive resist compositions
US6258510B1 (en) 1998-05-21 2001-07-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. Photosensitive planographic printing plate precursor
US6152036A (en) 1998-05-28 2000-11-28 Agfa-Gevaert, N.V. Heat mode sensitive imaging element for making positive working printing plates
JP3796982B2 (ja) 1998-06-02 2006-07-12 住友化学株式会社 ポジ型レジスト組成物
JP3606738B2 (ja) 1998-06-05 2005-01-05 東京応化工業株式会社 アッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法
US6455476B1 (en) 1998-06-09 2002-09-24 Henkel Corporation Composition and process for lubricated plastic working of metals
US6016870A (en) 1998-06-11 2000-01-25 Halliburton Energy Services, Inc. Compositions and methods for consolidating unconsolidated subterranean zones
US5945493A (en) 1998-06-19 1999-08-31 E. I. Du Pont De Nemours And Company Fluorine-containing maleic acid terpolymer soil and stain resists
US6352811B1 (en) 1998-06-23 2002-03-05 Kodak Polychrome Graphics Llc Thermal digital lithographic printing plate
KR100572646B1 (ko) 1998-07-17 2006-04-24 제이에스알 가부시끼가이샤 폴리이미드계 복합체 및 이 복합체를 사용한 전자 부품, 및 폴리이미드계 수성 분산액
AR019461A1 (es) 1998-07-22 2002-02-20 Borden Chem Inc UNA PARTíCULA COMPUESTA, UN MÉTODO PARA PRODUCIRLA, UN MÉTODO PARA TRATAR UNA FRACTURA HIDRÁULICAMENTE INDUCIDA EN UNA FORMACIoN SUBTERRÁNEA, Y UN MÉTODO PARA LA FILTRACIoN DE AGUA.
US6406789B1 (en) 1998-07-22 2002-06-18 Borden Chemical, Inc. Composite proppant, composite filtration media and methods for making and using same
US6582819B2 (en) 1998-07-22 2003-06-24 Borden Chemical, Inc. Low density composite proppant, filtration media, gravel packing media, and sports field media, and methods for making and using same
JP3365318B2 (ja) 1998-08-12 2003-01-08 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
AU757644B2 (en) 1998-09-09 2003-02-27 Kuraray Co., Ltd. Antifouling structure having effect of preventing attachment of aquatic organisms thereto
MY144574A (en) 1998-09-14 2011-10-14 Ibiden Co Ltd Printed circuit board and method for its production
US6066889A (en) 1998-09-22 2000-05-23 International Business Machines Corporation Methods of selectively filling apertures
US6204456B1 (en) 1998-09-24 2001-03-20 International Business Machines Corporation Filling open through holes in a multilayer board
JP3635203B2 (ja) 1998-10-06 2005-04-06 富士写真フイルム株式会社 平版印刷版用原版
US6489079B1 (en) 1998-10-26 2002-12-03 Agfa-Gevaert Heat mode sensitive imaging element for making positive working printing plates
US6274291B1 (en) 1998-11-18 2001-08-14 International Business Machines Corporation Method of reducing defects in I/C card and resulting card
US6195264B1 (en) 1998-11-18 2001-02-27 International Business Machines Corporation Laminate substrate having joining layer of photoimageable material
US6175087B1 (en) 1998-12-02 2001-01-16 International Business Machines Corporation Composite laminate circuit structure and method of forming the same
US6201194B1 (en) 1998-12-02 2001-03-13 International Business Machines Corporation Multi-voltage plane, multi-signal plane circuit card with photoimageable dielectric
US6399270B1 (en) 1998-12-04 2002-06-04 Konica Corporation Support for printing plate and printing plate
JP3328250B2 (ja) 1998-12-09 2002-09-24 岸本産業株式会社 レジスト残渣除去剤
US6528218B1 (en) 1998-12-15 2003-03-04 International Business Machines Corporation Method of fabricating circuitized structures
US6506831B2 (en) 1998-12-20 2003-01-14 Honeywell International Inc. Novolac polymer planarization films with high temperature stability
US6630274B1 (en) 1998-12-21 2003-10-07 Seiko Epson Corporation Color filter and manufacturing method therefor
JP3791735B2 (ja) 1998-12-22 2006-06-28 富士写真フイルム株式会社 感光性平版印刷用版材の現像方法
US6472119B1 (en) 1999-01-26 2002-10-29 Agfa-Gavaert Heat mode sensitive imaging element for making positive working printing plates
US6455229B1 (en) 1999-02-02 2002-09-24 Agfa-Gevaert Method for making positive working printing plates
US6458510B1 (en) 1999-02-02 2002-10-01 Agfa-Gevaert Method for making positive working printing plates
US6328106B1 (en) 1999-02-04 2001-12-11 Halliburton Energy Services, Inc. Sealing subterranean zones
US6271181B1 (en) 1999-02-04 2001-08-07 Halliburton Energy Services, Inc. Sealing subterranean zones
US6244344B1 (en) 1999-02-09 2001-06-12 Halliburton Energy Services, Inc. Methods and compositions for cementing pipe strings in well bores
US6090905A (en) 1999-02-12 2000-07-18 Calgon Corporation Compositions and methods for controlling stickies
US6234251B1 (en) 1999-02-22 2001-05-22 Halliburton Energy Services, Inc. Resilient well cement compositions and methods
JP3918369B2 (ja) 1999-03-05 2007-05-23 コニカミノルタホールディングス株式会社 ハロゲン化銀乳剤、ハロゲン化銀感光材料、熱現像感光材料及びこれを用いた画像記録方法及び画像形成方法、並びに熱現像感光材料の製造方法
US6258514B1 (en) * 1999-03-10 2001-07-10 Lsi Logic Corporation Top surface imaging technique using a topcoat delivery system
JP2000275828A (ja) 1999-03-25 2000-10-06 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物及びそれを用いた平版印刷版原版
JP4270708B2 (ja) 1999-04-23 2009-06-03 富士通株式会社 ケイ素含有ポリマ、その製造方法、それを用いたレジスト組成物、パターン形成方法および電子デバイスの製造方法
CA2371258A1 (en) 1999-04-23 2000-11-02 Scott Williams Coated transfer sheet comprising a thermosetting or uv curable material
TW550438B (en) 1999-04-26 2003-09-01 Jsr Corp Radiation-sensitive resin composition
US20040029395A1 (en) 2002-08-12 2004-02-12 Peng Zhang Process solutions containing acetylenic diol surfactants
US7521405B2 (en) 2002-08-12 2009-04-21 Air Products And Chemicals, Inc. Process solutions containing surfactants
US7129199B2 (en) 2002-08-12 2006-10-31 Air Products And Chemicals, Inc. Process solutions containing surfactants
US6383714B1 (en) 1999-05-31 2002-05-07 Fuji Photo Film Co., Ltd. Image recording material and planographic printing plate using same
TW552475B (en) 1999-06-09 2003-09-11 Wako Pure Chem Ind Ltd A resist composition
JP3931486B2 (ja) 1999-06-24 2007-06-13 住友化学株式会社 ポジ型レジスト組成物
ATE319122T1 (de) 1999-07-27 2006-03-15 Fuji Photo Film Co Ltd Bildaufzeichnungsmaterial
US6361923B1 (en) 1999-08-17 2002-03-26 International Business Machines Corporation Laser ablatable material and its use
US6746896B1 (en) 1999-08-28 2004-06-08 Georgia Tech Research Corp. Process and material for low-cost flip-chip solder interconnect structures
US6143479A (en) 1999-08-31 2000-11-07 Kodak Polychrome Graphics Llc Developing system for alkaline-developable lithographic printing plates
US6589889B2 (en) 1999-09-09 2003-07-08 Alliedsignal Inc. Contact planarization using nanoporous silica materials
US6479216B1 (en) 1999-09-15 2002-11-12 Agfa-Gevaert Method for obtaining a heat sensitive element by spray-coating
WO2001025856A1 (en) 1999-10-01 2001-04-12 Foto-Wear, Inc. Image transfer material with image receiving layer and heat transfer process using the same
JP4369570B2 (ja) 1999-10-15 2009-11-25 富士フイルム株式会社 平版印刷版の品質管理方法
US6232031B1 (en) 1999-11-08 2001-05-15 Ano-Coil Corporation Positive-working, infrared-sensitive lithographic printing plate and method of imaging
TWI224617B (en) 1999-11-08 2004-12-01 Kaneka Corp Copper foil with insulating adhesive
US6492432B1 (en) 1999-11-09 2002-12-10 American Foam Technologies, Inc. Novolac-epoxy resin foam, foamable composition for making novolac-epoxy resin foam and method of making novolac-epoxy resin foam
US6255042B1 (en) 1999-11-24 2001-07-03 Kodak Polychrome Graphics, Llc Developing system for alkaline-developable lithographic printing plates with different interlayers
FR2801602B1 (fr) * 1999-11-30 2002-02-08 Weber A Produit a base de resine phenolique presentant des caracteristiques de flexibilite ameliorees voisines des polyurethannes expanses, destine a l'injection pour la consolidation des terrains
JP3965547B2 (ja) 1999-12-01 2007-08-29 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP2001166462A (ja) 1999-12-10 2001-06-22 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版原版
US6723483B1 (en) 1999-12-27 2004-04-20 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Sulfonium salt compounds
US6740464B2 (en) 2000-01-14 2004-05-25 Fuji Photo Film Co., Ltd. Lithographic printing plate precursor
JP2001281856A (ja) 2000-01-24 2001-10-10 Fuji Photo Film Co Ltd 赤外線感応性画像形成材料
EP1122083A3 (en) 2000-01-31 2002-03-20 Mitsubishi Paper Mills, Ltd. Ink jet recording material for non-aqueous ink
DE60111283T2 (de) 2000-01-31 2006-05-11 Fuji Photo Film Co., Ltd., Minami-Ashigara Verfahren zum Nachfüllen von Entwickler in einem automatischen Entwicklungsgerät
JP2001220420A (ja) 2000-02-08 2001-08-14 Shin Etsu Chem Co Ltd 高分子化合物及びポジ型レジスト材料
US6423458B2 (en) 2000-02-08 2002-07-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Monitoring method of developing solution for lithographic printing plates
JP3743490B2 (ja) 2000-02-16 2006-02-08 信越化学工業株式会社 熱硬化性感光材料
JP3796564B2 (ja) 2000-02-23 2006-07-12 信越化学工業株式会社 リフトオフレジスト組成物
US7021666B2 (en) 2000-02-25 2006-04-04 Foto-Wear Inc. Transferable greeting cards
US6972893B2 (en) 2001-06-11 2005-12-06 Sipix Imaging, Inc. Process for imagewise opening and filling color display components and color displays manufactured thereof
JP2001266737A (ja) 2000-03-24 2001-09-28 Toshiba Corp 電子源装置、その製造方法、および電子源装置を備えた平面表示装置
US6440567B1 (en) 2000-03-31 2002-08-27 Isola Laminate Systems Corp. Halogen free flame retardant adhesive resin coated composite
US6331583B1 (en) 2000-04-04 2001-12-18 Air Products And Chemicals, Inc. Acid catalyzed polymerization of aqueous epoxy resin emulsions and uses thereof
DE60125450T2 (de) 2000-04-07 2007-10-04 Fujifilm Corp. Planographische Druckplatte
TWI282811B (en) 2000-04-10 2007-06-21 Sumitomo Bakelite Co Die-attaching paste and semiconductor device
JP2001357567A (ja) 2000-04-14 2001-12-26 Tdk Corp 光ディスク原盤の製造方法
US6635400B2 (en) 2000-04-17 2003-10-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
ATE391601T1 (de) 2000-04-20 2008-04-15 Fujifilm Corp Lithographische druckplattenvorläufer
US20040154489A1 (en) 2000-05-08 2004-08-12 Deutsch Albert S. Chemical imaging of a lithographic printing plate
US6691618B2 (en) 2000-05-08 2004-02-17 Pisces-Print Imaging Sciences, Inc. Chemical imaging of a lithographic printing plate
US6806031B2 (en) 2000-05-15 2004-10-19 Fuji Photo Film Co., Ltd. Support for lithographic printing plate and presensitized plate
JP4177952B2 (ja) 2000-05-22 2008-11-05 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物
US6506533B1 (en) 2000-06-07 2003-01-14 Kodak Polychrome Graphics Llc Polymers and their use in imagable products and image-forming methods
ATE289082T1 (de) 2000-06-13 2005-02-15 Asahi Glass Co Ltd Resistzusammensetzung
US20020040122A1 (en) 2000-06-19 2002-04-04 Mirasol Sol M. Water blown rigid polyurethane foam with improved fire retardancy
WO2001098834A1 (fr) 2000-06-21 2001-12-27 Asahi Glass Company, Limited Composition de reserve
CA2413146C (en) 2000-06-29 2007-08-21 Osaka Gas Company Limited Conductive composition for solid polymer type fuel cell separator, solid polymer type fuel cell separator, solid polymer type fuel cell and solid polymer type fuel cell system using the separator
JP3589160B2 (ja) 2000-07-07 2004-11-17 日本電気株式会社 レジスト用材料、化学増幅型レジスト及びそれを用いたパターン形成方法
TW526389B (en) 2000-07-12 2003-04-01 Mitsubishi Rayon Co Resin for resist and chemically amplified resist composition
JP4654544B2 (ja) 2000-07-12 2011-03-23 日産化学工業株式会社 リソグラフィー用ギャップフィル材形成組成物
US6548155B1 (en) 2000-07-19 2003-04-15 Johns Manville International, Inc. Fiber glass mat
US6777170B1 (en) 2000-08-04 2004-08-17 Massachusetts Institute Of Technology Stereolithographic patterning by variable dose light delivery
US6730256B1 (en) 2000-08-04 2004-05-04 Massachusetts Institute Of Technology Stereolithographic patterning with interlayer surface modifications
US6833234B1 (en) 2000-08-04 2004-12-21 Massachusetts Institute Of Technology Stereolithographic patterning with variable size exposure areas
JP3458096B2 (ja) 2000-08-11 2003-10-20 株式会社半導体先端テクノロジーズ レジスト組成物、及び半導体装置の製造方法
US6649324B1 (en) 2000-08-14 2003-11-18 Kodak Polychrome Graphics Llc Aqueous developer for lithographic printing plates
US6511790B2 (en) 2000-08-25 2003-01-28 Fuji Photo Film Co., Ltd. Alkaline liquid developer for lithographic printing plate and method for preparing lithographic printing plate
US6388204B1 (en) 2000-08-29 2002-05-14 International Business Machines Corporation Composite laminate circuit structure and methods of interconnecting the same
US6830646B2 (en) * 2000-08-30 2004-12-14 Lexmark International, Inc. Radiation curable resin layer
DE60133295T2 (de) 2000-08-30 2009-04-30 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Sulphoniumsalz-verbindung
JP2002079769A (ja) 2000-09-06 2002-03-19 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版用支持体およびその製造方法
JP3767676B2 (ja) 2000-09-12 2006-04-19 信越化学工業株式会社 オルガノシロキサン系高分子化合物及び光硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法及び基板保護用皮膜
EP1188580B1 (en) 2000-09-14 2008-08-13 FUJIFILM Corporation Aluminum support for planographic printing plate, process for its production, and planographic printing master place
EP1193558A3 (en) 2000-09-18 2002-08-14 JSR Corporation Radiation-sensitive resin composition
JP3772077B2 (ja) 2000-09-27 2006-05-10 株式会社東芝 パターン形成方法
US6548166B2 (en) 2000-09-29 2003-04-15 E. I. Du Pont De Nemours And Company Stretchable fibers of polymers, spinnerets useful to form the fibers, and articles produced therefrom
GB2368364B (en) 2000-10-12 2004-06-02 Mdf Inc Fire door and method of assembly
JP2002134379A (ja) 2000-10-19 2002-05-10 Sony Corp パターン形成方法
US6716567B2 (en) 2000-10-26 2004-04-06 Fuji Photo Film Co., Ltd. Supporting body for lithography block and original lithography block
US6436617B1 (en) 2000-10-30 2002-08-20 Eastman Kodak Company Protective epoxy overcoat for imaging elements
US6376160B1 (en) 2000-10-30 2002-04-23 Eastman Kodak Company Protective epoxy overcoat for photographic elements
US6346353B1 (en) 2000-10-30 2002-02-12 Eastman Kodak Company Protective epoxy overcoat for imaging elements
JP4034538B2 (ja) 2000-10-31 2008-01-16 株式会社東芝 フォトレジスト用高分子化合物、単量体化合物、感光性樹脂組成物、これを用いたパターン形成方法、および電子部品の製造方法
US6660362B1 (en) 2000-11-03 2003-12-09 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Deflection members for tissue production
US6391530B1 (en) 2000-11-03 2002-05-21 Kodak Polychrome Graphics, Llc Process for developing exposed radiation-sensitive printing plate precursors
DE60137398D1 (de) 2000-11-30 2009-03-05 Fujifilm Corp Lithographische Druckplattenvorläufer
JP2002169291A (ja) 2000-12-04 2002-06-14 Canon Inc 感光性樹脂組成物、レジスト組成物、パターン形成方法およびデバイス
US6525115B2 (en) 2000-12-05 2003-02-25 Eastman Kodak Company Method of making an aqueous dispersion of particles comprising an epoxy material for use in coatings
KR100531535B1 (ko) 2000-12-06 2005-11-28 미츠비시 레이온 가부시키가이샤 (메트)아크릴산 에스테르, 그 원료 알콜, 이들의 제조방법, 이 (메트)아크릴산 에스테르를 중합하여 수득되는중합체, 화학 증폭형 레지스트 조성물, 및 패턴 형성 방법
US6703324B2 (en) 2000-12-21 2004-03-09 Intel Corporation Mechanically reinforced highly porous low dielectric constant films
EP1219668B1 (en) 2000-12-28 2005-10-26 Fuji Photo Film Co., Ltd. Process for producing fine polymer particles and lithographic printing plate precursor containing the same
US6586483B2 (en) 2001-01-08 2003-07-01 3M Innovative Properties Company Foam including surface-modified nanoparticles
CN100470365C (zh) 2001-01-12 2009-03-18 富士胶片株式会社 正型成像材料
ATE344148T1 (de) 2001-01-24 2006-11-15 Fuji Photo Film Co Ltd Hydrophiles polymer mit endständiger silankupplungsgruppe und flachdruckplattenträger
JP2002221801A (ja) 2001-01-29 2002-08-09 Hitachi Ltd 配線基板の製造方法
CN1226752C (zh) 2001-01-29 2005-11-09 捷时雅株式会社 介电体用复合颗粒、超微颗粒复合树脂颗粒、介电体形成用组合物及其用途
US6623817B1 (en) 2001-02-22 2003-09-23 Ghartpak, Inc. Inkjet printable waterslide transferable media
US6927266B2 (en) 2001-02-22 2005-08-09 Nissan Chemical Industries, Ltd. Bottom anti-reflective coat forming composition for lithography
US6777102B2 (en) 2001-02-23 2004-08-17 Fuji Photo Film Co., Ltd. Curable composition and hardcoated article employing same
TWI245774B (en) 2001-03-01 2005-12-21 Shinetsu Chemical Co Silicon-containing polymer, resist composition and patterning process
JP4019645B2 (ja) 2001-03-12 2007-12-12 東洋インキ製造株式会社 重合性組成物
JP4225699B2 (ja) 2001-03-12 2009-02-18 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物
US6613494B2 (en) 2001-03-13 2003-09-02 Kodak Polychrome Graphics Llc Imageable element having a protective overlayer
JP3838053B2 (ja) 2001-03-19 2006-10-25 ブラザー工業株式会社 活性エネルギー線硬化型組成物及びインク
TWI226973B (en) 2001-03-19 2005-01-21 Fuji Photo Film Co Ltd Positive resist composition
US6806021B2 (en) 2001-04-02 2004-10-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for forming a pattern and method of manufacturing semiconductor device
US7118848B2 (en) 2001-04-03 2006-10-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. Support for lithographic printing plate and original forme for lithographic printing plate
US6656661B2 (en) 2001-04-04 2003-12-02 Kodak Polychrome Graphics, Llc Waterless imageable element with crosslinked silicone layer
JP4268345B2 (ja) 2001-04-20 2009-05-27 富士フイルム株式会社 平版印刷版用支持体
DE60238457D1 (de) 2001-04-23 2011-01-13 Fujifilm Corp Alkalischer Entwickler für eine lithographische Druckplatte und Verfahren zur Herstellung einer lithographischen Druckplatte
JP3988517B2 (ja) 2001-04-27 2007-10-10 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP3856425B2 (ja) 2001-05-02 2006-12-13 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法、半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
US7833701B2 (en) 2001-05-11 2010-11-16 Panasonic Corporation Biomolecule substrate, and test and diagnosis methods and apparatuses using the same
US6739260B2 (en) 2001-05-17 2004-05-25 Agfa-Gevaert Method for the preparation of a negative working printing plate
US20020187427A1 (en) 2001-05-18 2002-12-12 Ulrich Fiebag Additive composition for both rinse water recycling in water recycling systems and simultaneous surface treatment of lithographic printing plates
JP2002341536A (ja) * 2001-05-21 2002-11-27 Kodak Polychrome Graphics Japan Ltd ネガ型感光性組成物およびネガ型感光性平版印刷版
BR0102218B1 (pt) 2001-05-31 2012-10-16 produto sensìvel à radiação, e processo de impressão ou revelação de imagem utilizando o referido produto.
JP4431958B2 (ja) 2001-06-01 2010-03-17 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルタ及び電気光学装置
US6788452B2 (en) 2001-06-11 2004-09-07 Sipix Imaging, Inc. Process for manufacture of improved color displays
US6503694B1 (en) 2001-06-12 2003-01-07 Chi Mei Corporation Developer solution and edge bead remover composition
US7132212B2 (en) 2001-06-13 2006-11-07 Fuji Photo Film Co., Ltd. Presensitized plate
GB0114653D0 (en) 2001-06-15 2001-08-08 Enigma Nv Aqueous fire retardant
US6476174B1 (en) 2001-06-15 2002-11-05 Industrial Technology Research Institute Process for preparing a silica-based organic-inorganic hybrid resin and the organic-inorganic hybrid resin prepared therefrom
JP4240850B2 (ja) 2001-06-26 2009-03-18 コニカミノルタホールディングス株式会社 熱現像感光材料および画像記録方法
US6627691B2 (en) 2001-06-28 2003-09-30 Lord Corporation Aqueous resin adhesive composition having pre-bake resistance
US6908722B2 (en) 2001-06-29 2005-06-21 Jsr Corporation Acid generator, sulfonic acid, sulfonic acid derivatives and radiation-sensitive resin composition
KR100863984B1 (ko) 2001-07-03 2008-10-16 후지필름 가부시키가이샤 포지티브 레지스트 조성물
EP1273439B1 (en) 2001-07-06 2006-05-17 Fuji Photo Film Co., Ltd. Presensitized plate for use in making lithographic printing plate
US6893795B2 (en) 2001-07-09 2005-05-17 Fuji Photo Film Co., Ltd. Lithographic printing plate precursor and production method of lithographic printing plate
JP3696131B2 (ja) 2001-07-10 2005-09-14 株式会社東芝 アクティブマトリクス基板及びその製造方法
CA2454128A1 (en) 2001-07-13 2003-01-23 Foto-Wear, Inc. Sublimation dye thermal transfer paper and transfer method
EP1593522B1 (en) 2001-07-23 2008-02-27 FUJIFILM Corporation Lithographic printing plate precursor
JP3917422B2 (ja) 2001-07-26 2007-05-23 富士フイルム株式会社 画像形成材料
US6863859B2 (en) 2001-08-16 2005-03-08 Objet Geometries Ltd. Reverse thermal gels and the use thereof for rapid prototyping
US6752545B2 (en) 2001-08-16 2004-06-22 Nagase & Co., Ltd. Alkali-based treating liquid, treating liquid adjusting method and equipment, treating liquid supplying method and equipment
US7244549B2 (en) 2001-08-24 2007-07-17 Jsr Corporation Pattern forming method and bilayer film
US6524777B1 (en) 2001-08-30 2003-02-25 Eastman Kodak Company Method of activating a protective layer on a photographic element employing an organic solvent in the wash solution
US7198754B2 (en) 2001-08-31 2007-04-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Biological material detection element, biological material detection method and apparatus, charged material moving apparatus
US6593055B2 (en) 2001-09-05 2003-07-15 Kodak Polychrome Graphics Llc Multi-layer thermally imageable element
US6673514B2 (en) 2001-09-07 2004-01-06 Kodak Polychrome Graphics Llc Imagable articles and compositions, and their use
US20030049377A1 (en) 2001-09-11 2003-03-13 Chesnut W. Richard Machine and method for making a rotogravure printing medium
JP4216494B2 (ja) 2001-09-21 2009-01-28 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版
US7041427B2 (en) 2001-09-27 2006-05-09 Agfa Gevaert Heat-sensitive lithographic printing plate precursor
EP1300257B1 (en) 2001-10-05 2012-01-18 FUJIFILM Corporation Support for lithographic printing plate and presensitized plate and method of producing lithographic printing plate
JP2003119207A (ja) 2001-10-11 2003-04-23 Jsr Corp 光硬化性組成物、その硬化物、及び積層体
JP2003119344A (ja) 2001-10-12 2003-04-23 Shin Etsu Chem Co Ltd ハイブリッド化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
TWI291953B (zh) 2001-10-23 2008-01-01 Mitsubishi Rayon Co
US6855487B2 (en) 2001-10-26 2005-02-15 Kodak Polychrome Graphics, Llc Method and apparatus for refreshment and reuse of loaded developer
JP4238003B2 (ja) 2001-10-31 2009-03-11 三菱製紙株式会社 感光性組成物及び平版印刷版
US6716767B2 (en) * 2001-10-31 2004-04-06 Brewer Science, Inc. Contact planarization materials that generate no volatile byproducts or residue during curing
US6913694B2 (en) 2001-11-06 2005-07-05 Saehan Industries Incorporation Selective membrane having a high fouling resistance
US6632511B2 (en) 2001-11-09 2003-10-14 Polyclad Laminates, Inc. Manufacture of prepregs and laminates with relatively low dielectric constant for printed circuit boards
US6759185B2 (en) 2001-11-14 2004-07-06 Kodak Polychrome Graphics Llc Method for reuse of loaded developer
US6723490B2 (en) 2001-11-15 2004-04-20 Kodak Polychrome Graphics Llc Minimization of ablation in thermally imageable elements
US7189783B2 (en) 2001-11-27 2007-03-13 Fujitsu Limited Resist pattern thickening material, resist pattern and forming process thereof, and semiconductor device and manufacturing process thereof
US6977132B2 (en) 2001-12-07 2005-12-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Planographic printing plate precursor
US6699636B2 (en) 2001-12-12 2004-03-02 Kodak Polychrome Graphics Llc Imaging element comprising a thermally activated crosslinking agent
US6800426B2 (en) 2001-12-13 2004-10-05 Kodak Polychrome Graphics Llc Process for making a two layer thermal negative plate
US20030196685A1 (en) 2001-12-18 2003-10-23 Shipley Company, L.L.C. Cleaning composition and method
JP4123920B2 (ja) 2001-12-20 2008-07-23 Ｊｓｒ株式会社 共重合体、重合体混合物および感放射線性樹脂組成物
US6737225B2 (en) 2001-12-28 2004-05-18 Texas Instruments Incorporated Method of undercutting micro-mechanical device with super-critical carbon dioxide
US6677106B2 (en) 2002-01-03 2004-01-13 Kodak Polychrome Graphics Llc Method and equipment for using photo- or thermally imagable, negatively working patterning compositions
US6599676B2 (en) 2002-01-03 2003-07-29 Kodak Polychrome Graphics Llc Process for making thermal negative printing plate
US6668926B2 (en) 2002-01-08 2003-12-30 Halliburton Energy Services, Inc. Methods of consolidating proppant in subterranean fractures
JP3820160B2 (ja) 2002-01-23 2006-09-13 富士写真フイルム株式会社 感光性転写材料及びカラーフィルター
JP2003212965A (ja) 2002-01-28 2003-07-30 Brother Ind Ltd 活性エネルギー線硬化型組成物
US20030162911A1 (en) 2002-01-31 2003-08-28 Yue Xiao No flow underfill composition
US6624216B2 (en) 2002-01-31 2003-09-23 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation No-flow underfill encapsulant
JP2003302755A (ja) 2002-02-05 2003-10-24 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物
CN1441043A (zh) 2002-02-06 2003-09-10 希普利公司 清洁用组合物
JP4184813B2 (ja) 2002-02-19 2008-11-19 コダックグラフィックコミュニケーションズ株式会社 感光性組成物、感光性平版印刷版およびこれを用いた平版印刷版の作製方法
JP2003315987A (ja) 2002-02-21 2003-11-06 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版の製版方法
US20030221572A1 (en) 2002-02-26 2003-12-04 Fuji Photo Film Co., Ltd. Aluminum support for lithographic printing plate, method of preparing the same and presensitized plate using the same
CN100335268C (zh) 2002-02-26 2007-09-05 东丽株式会社 可直接成像型无水平版印刷版原版
US6830862B2 (en) 2002-02-28 2004-12-14 Kodak Polychrome Graphics, Llc Multi-layer imageable element with a crosslinked top layer
US7037399B2 (en) 2002-03-01 2006-05-02 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Underfill encapsulant for wafer packaging and method for its application
US20030164555A1 (en) 2002-03-01 2003-09-04 Tong Quinn K. B-stageable underfill encapsulant and method for its application
JP4557497B2 (ja) 2002-03-03 2010-10-06 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． シランモノマー及びポリマーを製造する方法及びそれを含むフォトレジスト組成物
JP2004038142A (ja) 2002-03-03 2004-02-05 Shipley Co Llc ポリシロキサンを製造する方法及びそれを含むフォトレジスト組成物
EP1343063A2 (en) 2002-03-06 2003-09-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. Wastewater treatment control system, terminal, computer program and accounting method
JP3811082B2 (ja) 2002-03-08 2006-08-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
EP1343048A3 (en) 2002-03-08 2004-01-14 JSR Corporation Anthracene derivative and radiation-sensitive resin composition
US6608162B1 (en) 2002-03-15 2003-08-19 Borden Chemical, Inc. Spray-dried phenol formaldehyde resins
US7531286B2 (en) 2002-03-15 2009-05-12 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition
JP3976598B2 (ja) 2002-03-27 2007-09-19 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 レジスト・パターン形成方法
US7510822B2 (en) 2002-04-10 2009-03-31 Fujifilm Corporation Stimulation sensitive composition and compound
WO2003087937A2 (en) 2002-04-11 2003-10-23 Schenectady International, Inc. Waterborne printed circuit board coating compositions
US6900003B2 (en) 2002-04-12 2005-05-31 Shipley Company, L.L.C. Photoresist processing aid and method
JP3901565B2 (ja) 2002-04-15 2007-04-04 富士フイルム株式会社 感熱性平版印刷版用原板
US6764552B1 (en) 2002-04-18 2004-07-20 Novellus Systems, Inc. Supercritical solutions for cleaning photoresist and post-etch residue from low-k materials
JP4007581B2 (ja) 2002-04-19 2007-11-14 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物
JP4019254B2 (ja) 2002-04-24 2007-12-12 信越化学工業株式会社 導電性樹脂組成物
US7232638B2 (en) 2002-05-02 2007-06-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
US6887654B2 (en) 2002-05-07 2005-05-03 Shipley Company, L.L.C. Residue and scum reducing composition and method
TW200307856A (en) 2002-05-07 2003-12-16 Shipley Co Llc Residue reducing stable concentrate
JP2003345014A (ja) 2002-05-28 2003-12-03 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物
US6939662B2 (en) 2002-05-31 2005-09-06 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive-working resist composition
US7153575B2 (en) 2002-06-03 2006-12-26 Borden Chemical, Inc. Particulate material having multiple curable coatings and methods for making and using same
EP1369231A3 (en) 2002-06-05 2009-07-08 FUJIFILM Corporation Infrared photosensitive composition and image recording material for infrared exposure
KR101001936B1 (ko) 2002-06-07 2010-12-17 후지필름 가부시키가이샤 염료 함유 경화성 조성물, 컬러필터 및 그 제조방법
US20040002019A1 (en) 2002-06-24 2004-01-01 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method for Preparing Lithographic Printing Plate
US6791839B2 (en) 2002-06-25 2004-09-14 Dow Corning Corporation Thermal interface materials and methods for their preparation and use
JP2004027145A (ja) 2002-06-28 2004-01-29 Tamura Kaken Co Ltd 塗工用硬化性樹脂組成物、多層プリント配線板、プリント配線板及びドライフィルム
US6919161B2 (en) 2002-07-02 2005-07-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicon-containing polymer, resist composition and patterning process
JP3912512B2 (ja) 2002-07-02 2007-05-09 信越化学工業株式会社 珪素含有高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
US6638853B1 (en) 2002-07-03 2003-10-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Method for avoiding photoresist resist residue on semioconductor feature sidewalls
US6902865B2 (en) 2002-07-22 2005-06-07 Gary Ganghui Teng Non-alkaline aqueous development of thermosensitive lithographic printing plates
US6841335B2 (en) 2002-07-29 2005-01-11 Kodak Polychrome Graphics Llc Imaging members with ionic multifunctional epoxy compounds
US20040023155A1 (en) 2002-08-01 2004-02-05 Eiji Hayakawa Composition for a thermal lithographic printing plate and lithographic printing plate comprising the composition
US6887643B2 (en) 2002-08-05 2005-05-03 Toray Industries, Inc. Photosensitive resin precursor composition
EP1388759A1 (en) 2002-08-06 2004-02-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive photoresist composition
US6893796B2 (en) 2002-08-20 2005-05-17 Kodak Polychrome Graphics Llc Flexographic element having an integral thermally bleachable mask layer
US6705400B1 (en) 2002-08-28 2004-03-16 Halliburton Energy Services, Inc. Methods and compositions for forming subterranean fractures containing resilient proppant packs
US20040265500A1 (en) 2003-06-27 2004-12-30 Kucera Helmut W. Coating process utilizing automated systems
ATE424309T1 (de) 2002-09-06 2009-03-15 Fujifilm Corp Lithographisches druckplattensubstrat und vorsensibilisierte platte
US20040109853A1 (en) 2002-09-09 2004-06-10 Reactive Surfaces, Ltd. Biological active coating components, coatings, and coated surfaces
EP1400851A3 (en) 2002-09-11 2006-09-06 Fuji Photo Film Co., Ltd. Polymerizable composition and planographic printing plate precursor using the same
JP2004106200A (ja) 2002-09-13 2004-04-08 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版用支持体、その製造方法および平版印刷版原版
US20040067435A1 (en) 2002-09-17 2004-04-08 Fuji Photo Film Co., Ltd. Image forming material
US7056642B2 (en) 2002-09-18 2006-06-06 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method of graft polymerization and variety of materials utilizing the same as well as producing method thereof
EP1406129B8 (en) 2002-10-02 2012-05-23 Canon Kabushiki Kaisha Silica fine particle, toner, two-component developer and image forming method
US6858359B2 (en) 2002-10-04 2005-02-22 Kodak Polychrome Graphics, Llp Thermally sensitive, multilayer imageable element
US7038328B2 (en) 2002-10-15 2006-05-02 Brewer Science Inc. Anti-reflective compositions comprising triazine compounds
FR2846467B1 (fr) 2002-10-25 2005-01-28 Cogema Logistics Materiau de blindage neutronique et de maintien de la sous-criticite, son procede de preparation et ses applications
US6737158B1 (en) 2002-10-30 2004-05-18 Gore Enterprise Holdings, Inc. Porous polymeric membrane toughened composites
US7056978B2 (en) 2002-11-06 2006-06-06 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Toughened epoxy-anhydride no-flow underfill encapsulant
US20040192876A1 (en) 2002-11-18 2004-09-30 Nigel Hacker Novolac polymer planarization films with high temparature stability
EP1434068A3 (en) 2002-12-02 2004-07-28 Shipley Company, L.L.C. Methods of forming waveguides that are rounded in cross section and waveguides formed therefrom
US6803167B2 (en) 2002-12-04 2004-10-12 Kodak Polychrome Graphics, Llc Preparation of lithographic printing plates
JP2004188848A (ja) 2002-12-12 2004-07-08 Konica Minolta Holdings Inc 印刷版材料
US6809269B2 (en) 2002-12-19 2004-10-26 Endicott Interconnect Technologies, Inc. Circuitized substrate assembly and method of making same
JP2004212681A (ja) 2002-12-27 2004-07-29 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性平版印刷版の自動現像方法及びその自動現像装置
JP2004219452A (ja) 2003-01-09 2004-08-05 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性平版印刷版用自動現像装置の現像補充方法
JP3944734B2 (ja) 2003-01-10 2007-07-18 信越化学工業株式会社 オルガノシロキサン系高分子化合物及び光硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法及び基板保護用皮膜
JP2004219261A (ja) 2003-01-15 2004-08-05 Fuji Photo Film Co Ltd 薄膜の解析方法
US7160667B2 (en) 2003-01-24 2007-01-09 Fuji Photo Film Co., Ltd. Image forming material
US7097956B2 (en) 2003-01-27 2006-08-29 Eastman Kodak Company Imageable element containing silicate-coated polymer particle
US6790590B2 (en) 2003-01-27 2004-09-14 Kodak Polychrome Graphics, Llp Infrared absorbing compounds and their use in imageable elements
JP4251612B2 (ja) 2003-01-30 2009-04-08 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． エポキシ含有物質を含むネガ型感光性樹脂組成物
JP2004297032A (ja) 2003-02-03 2004-10-21 Toshiba Corp 露光方法及びこれを用いた半導体装置製造方法
JP4397601B2 (ja) 2003-02-06 2010-01-13 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． フェノール−ビフェニレン樹脂を含むネガ型感光性樹脂組成物
US20040158008A1 (en) 2003-02-06 2004-08-12 Xiping He Room temperature printable adhesive paste
US6905589B2 (en) 2003-02-24 2005-06-14 Endicott Interconnect Technologies, Inc. Circuitized substrate and method of making same
JP2004264380A (ja) 2003-02-28 2004-09-24 Tdk Corp レジストパターン形成方法およびレジストパターン形成装置
EP1455237B1 (en) 2003-03-07 2011-05-25 Canon Kabushiki Kaisha Toner and two-component developer
US6902861B2 (en) 2003-03-10 2005-06-07 Kodak Polychrome Graphics, Llc Infrared absorbing compounds and their use in photoimageable elements
US7045269B2 (en) 2003-03-10 2006-05-16 Eastman Kodak Company Method for forming images using negative working imageable elements
JP2004271985A (ja) 2003-03-10 2004-09-30 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性平版印刷版用現像液及び平版印刷版の製版方法
JP2004272152A (ja) 2003-03-12 2004-09-30 Fuji Photo Film Co Ltd 感熱性平版印刷版用現像液及び平版印刷版の製版方法
US7229744B2 (en) 2003-03-21 2007-06-12 Eastman Kodak Company Method for preparing lithographic printing plates
TW200508286A (en) 2003-03-25 2005-03-01 Nippon Paint Co Ltd Method of producing oil-in-water type emulsoid containing internally crosslinked fine resin particle, oil-in-water type emulsoid containing internally crosslinked fine resin particle, cation electrodeposition coating composition and substance coated
US7114570B2 (en) 2003-04-07 2006-10-03 Halliburton Energy Services, Inc. Methods and compositions for stabilizing unconsolidated subterranean formations
US6908726B2 (en) 2003-04-07 2005-06-21 Kodak Polychrome Graphics Llc Thermally imageable elements imageable at several wavelengths
US20040214108A1 (en) 2003-04-25 2004-10-28 Ray Kevin B. Ionic liquids as dissolution inhibitors in imageable elements
US20040235996A1 (en) 2003-05-23 2004-11-25 Jayesh Shah Foamable underfill encapsulant
US6978836B2 (en) 2003-05-23 2005-12-27 Halliburton Energy Services, Inc. Methods for controlling water and particulate production
US7047633B2 (en) 2003-05-23 2006-05-23 National Starch And Chemical Investment Holding, Corporation Method of using pre-applied underfill encapsulant
US6855738B2 (en) 2003-06-06 2005-02-15 Dow Global Technologies Inc. Nanoporous laminates
JP4360844B2 (ja) 2003-06-16 2009-11-11 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物
US7267782B2 (en) 2003-06-19 2007-09-11 Owens-Corning Fiberglas Technology Ii, Llc Two-part combination of compositions for forming substantially colorless thermoplastic reinforcements
US7790231B2 (en) * 2003-07-10 2010-09-07 Brewer Science Inc. Automated process and apparatus for planarization of topographical surfaces

Also Published As

Publication number Publication date
US20060106160A1 (en) 2006-05-18
KR101020164B1 (ko) 2011-03-08
KR20060054318A (ko) 2006-05-22
WO2005017617A8 (en) 2006-06-01
AU2003286758A8 (en) 2005-03-07
AU2003286758A1 (en) 2005-03-07
WO2005017617A1 (en) 2005-02-24
JP2007521349A (ja) 2007-08-02
EP1649322A4 (en) 2007-09-19
TWI262130B (en) 2006-09-21
TW200503890A (en) 2005-02-01
EP1649322A1 (en) 2006-04-26
JP4426526B2 (ja) 2010-03-03
US7910223B2 (en) 2011-03-22

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