CN1849034A - 等离子体处理装置、狭缝天线和等离子体处理方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供利用液体的冷却介质冷却电介质的等离子体处理装置、狭缝天线以及等离子体处理方法。微波等离子体处理装置(100)由处理容器(10)、导波管(22)、狭缝天线(23)、电介质(24)、第一冷却部(60)和第二冷却部(80)构成。第一冷却部(60)通过使液体的冷却介质在设在狭缝天线(23)上的流路(61)中流动，冷却电介质(24)。此外，第二冷却部(80)通过使气体从设在导波管(22)上的气体入口流到气体出口，冷却电介质(24)。由此，通过一边冷却电介质(24)，一边利用经由导波管(22)、狭缝天线(23)而透过电介质(24)的微波使处理气体等离子体化，由此基板(W)被等离子体处理。结果，在等离子体处理中可以防止电介质(24)上产生裂纹。

Description

等离子体处理装置、狭缝天线和等离子体处理方法

技术领域

本发明涉及等离子体处理装置的冷却方法。

背景技术

近年来，为了对大型的基板进行高速等离子体处理，往往将大功率的微波投入到等离子体处理装置中。特别是，在CVD(Chemical VaporDeposition：化学气相沉积法)处理等处理过程中，往往长时间地将大功率的微波投入到等离子体处理装置中。

如果像这样大功率的微波被投入到等离子体处理装置中，则通过微波在处理容器内发生强等离子体。由此，位于发生强等离子体的部分附近的电介质急剧地被显著加热。此外，如果将微波长时间(例如，1小时)投入到装置中，则电介质被发生的等离子体或所射入的微波长时间加热。

在等离子体处理中发生这种状态的情况，电介质因为热传导较差而容易保存热量，所以不仅总体上成为高温，而且局部上成为非常高温。特别是，在发生的等离子体不均匀的情况，电介质内的温度分布加大，发生热应力，电介质产生裂纹。

对此问题，以往提出有由空气等冷却气体进行气冷电介质的技术(例如，参照专利文献1)。

【专利文献1】日本专利特开平10-60657号公报

发明内容

但是，在上述技术中，为了冷却电介质需要大量的冷却气体而成本提高。此外，近年来，因为随着等离子体处理装置的大型化，电介质也随之大型化，所以仅靠气冷电介质的技术，无法充分地冷却电介质，无法避免在处理过程中电介质上产生裂纹。

本发明鉴于上述问题，其目的在于提供用液体的冷却介质冷却电介质的等离子体处理装置、狭缝天线以及等离子体处理方法。

为了解决上述课题的至少一个问题，利用本发明的一个观点，提供一种等离子体处理装置，具有：传播微波的导波部；使在上述导波部中传播的微波透过的电介质；和利用透过上述电介质的微波使处理气体等离子体化，对基板进行等离子体处理的处理容器，其特征在于，具有利用液体的冷却介质冷却上述电介质的第一冷却部。

如前所述，如果将大功率的微波长时间投入到等离子体处理装置中，则位于因微波而发生强等离子体的部分附近的电介质急剧地被显著加热。因此，电介质不仅总体上成为高温，而且局部上成为非常高温。结果，电介质内的温度分布加大，发生热应力，电介质产生裂纹。

但是，根据本发明，在处理过程中，利用液体的冷却介质冷却电介质。由此，可以降低处理过程中电介质的温度，可以抑制电介质的热膨胀。由此，可以减小电介质上发生的热应力。结果，可以防止电介质在处理过程中产生裂纹。

此外，等离子体处理装置也可以具有利用气体的冷却介质冷却上述电介质的第二冷却部。

由此，电介质不仅可以用液体来冷却而且还可以用气体来冷却。可以进一步减小电介质上发生的热应力。结果，可以进一步减小电介质在处理过程中产生裂纹的可能性。

此外，上述导波部具有：传播从微波发生器发生的微波的导波管；和使在上述导波管中传播的微波通过狭缝传播到电介质的狭缝天线(slot antenna)，上述第一冷却部在上述狭缝天线上设有流路，可以使液体在该流路中流动以便冷却上述电介质。

因此，通过使液体流过设在狭缝天线上的流路，电介质可以直接被冷却。通常，狭缝天线位于导波管与电介质之间，贴紧电介质而设置。此外，狭缝天线由例如铝等金属形成，导热好。因而，根据本发明，在导热好、且贴紧电介质的狭缝天线上设有流路，通过使液体流过该流路，可以有效地冷却电介质。

此外，上述第二冷却部也可以在上述导波管上设置气体入口和气体出口，通过使上述气体从上述气体入口进入上述导波管内和使上述气体从上述气体出口流出上述导波管外，以使气体在上述导波管中流动。

因此，通过使气体从设在导波管上的气体入口向气体出口流通，电介质间接地被冷却。为了使微波经由狭缝传播到电介质上，导波管被设在电介质附近。由此，通过冷却导波管，可以间接地冷却电介质。

此外，本发明的另一个观点提供一种狭缝天线，其特征在于，设有使微波传播到电介质的狭缝，和用来使液体的冷却介质流动以便冷却上述电介质的流路。

此时，设在上述狭缝天线上的流路位于上述狭缝的附近。

通常，在上述狭缝天线上开口的狭缝，设在传播到处理容器内的微波的电磁场强度为最强的位置。由此，等离子体在狭缝的下方最强地发生。借此，位于狭缝下方的电介质急剧地被显著加热，在与除此以外的部分之间产生温度差。

但是，根据本发明，流路设在狭缝附近，通过使液体在该流路上循环，狭缝附近的电介质部分被特别冷却。借此，不仅可以冷却电介质全体，而且可以重点地冷却局部地被加热的狭缝下方的电介质的部分。借此，可以有效地减小电介质上发生的热应力。结果，可以避免电介质在处理过程中发生裂纹。

此外，本发明的另一个观点提供一种等离子体处理方法，其特征在于，包括：使微波传播到导波部的工序；一边使液体的冷却介质在设在狭缝天线上的流路中流动以便冷却电介质，一边使在上述导波部中传播的微波在电介质上透过的工序；利用透过上述电介质的微波使处理气体等离子体化，在处理容器内对基板进行等离子体处理的工序。

因此，通过使液体的冷却介质在设在狭缝天线上的流路中流动，一边冷却上述电介质，一边使在上述导波部中传播的微波在电介质上透过。借此可以降低处理过程中的电介质的温度。可以减小电介质上发生的热应力。结果，可以防止电介质在处理过程中发生裂纹。

如上述说明，本发明可以提供利用液体的冷却介质冷却电介质的等离子体处理装置和狭缝天线以及等离子体处理方法。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式的微波等离子体处理装置的截面图。

图2是放大图1的微波等离子体处理装置的一部分的图。

图3是说明电介质局部加热与电介质发生裂纹的关系的图。

图4是表示设在电介质上的温度传感器的位置的图。

图5是表示第一冷却部(流路)的图。

图6是沿1-1’面处切断图5的截面图。

图7是说明第一冷却部效果的图。

图8是表示第二冷却部的图。

图9是表示在等离子体处理中冷却电介质的情况的实验结果图。

图10是表示其他形状的流路的图。

图11是表示其他形状的流路的图。

图12是表示第二冷却部另一个例子的图。

标号说明

10  处理容器                11  基座

20  盖体                    22a～22f  放射用导波管

23a～23f  狭缝天线          24a～24f  电介质

33  微波发生器              28a、28b  第二电介质

29  梁                      30a～30g  气体导入管

32  气体供给源              60  第一冷却部

61  流路                    62a、62b  法兰盘

80  第二冷却部              81、85、86、87  气体入口

82、83、84、88  气体出口    100  微波等离子体处理装置

具体实施方式

下面参照附图就本发明的最佳实施方式详细进行说明。再者，在本说明书和附图中，就具有实质上同一功能构成的构成要素而言，赋予同一符号而省略重复说明。

(微波等离子体处理装置的构成)

首先，参照图1，就本发明的一个实施方式的微波等离子体处理装置，说明其构成。图1是用平行于x轴方向和z轴方向的面切断微波等离子体处理装置100的截面图。微波等离子体处理装置100是等离子体处理装置的一个例子。

微波等离子体处理装置100具有由处理容器10和盖体20组成的框体。处理容器10具有上部开口的有底立方体形状，被接地。处理容器10由例如铝(Al)等金属形成。在处理容器10的内部，在大致中央处，设有作为放置例如玻璃基板W(以下称为“基板”)的放置台的基座11。基座11由例如氮化铝形成。

在基座11的内部，设有给电部11a和加热器11b。在给电部11a上经由匹配器12a(例如电容器)连接高频电源12b。此外，在给电部11a上经由线圈13a连接高压直流电源13b。匹配器12a、高压电源12b、线圈13a和高压直流电源13b设在处理容器10的外部，高频电源12b和高压直流电源13b被接地。

给电部11a通过从高频电源12b所输出的高频电力将规定的偏置电压施加到处理容器10的内部。此外，给电部11a通过从高压直流电源13b所输出的直流电流静电吸附基板W。

在加热器11b上连接有设在处理容器10的外部的交流电源14，通过从交流电源14所输出的交流电流将基板W保持规定的温度。

处理容器10的底面开口为筒状，波纹管15的一端朝向处理容器10的外部装设在开口的外周附近。在波纹管15的另一端上固定着升降板16。这样一来，处理容器10底面的开口部分由波纹管15和升降板16封闭。

基座11支撑在配置在升降板16上的筒体17上，与升降板16和筒体17成为一体地升降。借此，基座11对应处理过程可调节其高度。

在基座11的周围设置有用来将处理容器10内的气体流动控制为良好状态的整流板18。此外，在处理容器10的底面上，设有连接于未图示的真空泵的气体排出管19。真空泵将处理容器10内排气到期望的真空度。

盖体20在处理容器10的上方配置成封闭处理容器10。盖体20与处理容器10同样，由例如铝(Al)等金属形成。此外，盖体20与处理容器10同样被接地。

在盖体20上设有盖主体21、导波管22a～导波管22f、狭缝天线23a～狭缝天线23f、以及电介质24a～电介质24f。

处理容器10和盖主体20，通过配置在盖主体21的下面外周部与处理容器10的上面外周部之间的O形圈25，被固定以保持气密性，在盖主体21的下部形成有导波管22a～导波管22f。

导波管22由垂直于各自轴向的断面的形状为矩形的矩形导波管形成，连接于微波发生器33(参照图8)。例如，在TE10模式(TE波：transverse electric wave横向电波；磁场具有微波的行进方向分量的波)的情况，导波管22的宽的管壁成为平行于磁场的H面，窄的管壁成为平行于电场的E面。如何配置在垂直于导波管22轴向(纵长方向)的方向上切断的面的长边方向(导波管的宽度)与短边方向，因模式(导波管内的电磁场分布)而变化。

狭缝天线23a～狭缝天线23f分别设在导波管22a～导波管22f的下部。狭缝天线23a～狭缝天线23f由例如铝(Al)等金属形成。在狭缝天线23a～狭缝天线23f上分别设有多个狭缝(开口)。再者，导波管22和狭缝天线23相当于传播微波的导波部。

在狭缝天线23a～狭缝天线23f的下部，分别设有电介质24a～电介质24f。电介质24由例如石英、氧化铝(Al₂O₃)等形成，以便透过微波。

电介质24a～电介质24f由金属的梁29分别支撑其两端。在梁29的内部设有气体导入管30a～气体导入管30g。在气体导入管30a～气体导入管30g经由气体流路31连接处理气体供给源32。

处理气体供给源32由阀32a1、质量流量控制器32a2、阀32a3、氩气供给源32a4、阀32b1、质量流量控制器32b2、阀32b3和硅烷气体供给源32b4构成。

处理气体供给源32通过控制阀32a1、阀32a3、阀32b1和阀32b3的开闭，有选择地将氩气或硅烷气体供给到处理容器10内。此外，质量流量控制器32a2和质量流量控制器32b2分别通过控制供给的处理气体的流量使气体成为想要的浓度。

通过这种构成，微波等离子体处理装置100将从微波发生器33所输出的、例如2.45GHz的微波经由导波管22传播到狭缝天线23，通过切断狭缝天线23的狭缝传播到电介质24。然后，微波等离子体处理装置100通过透过电介质24而放射到处理容器10内的微波，由供给到处理容器10内的处理气体发生等离子体，通过所发生的等离子体，对配置于处理容器10的基板W进行等离子体处理。

(等离子体的发生状态)

接下来，就在微波等离子体处理装置100的处理容器10内基板W被等离子体处理时等离子体变得不均匀的三个原因进行说明。

如前所述，微波在导波管22内传播，通过狭缝天线23的狭缝，透过电介质24而传播到处理容器10内。处理气体从气体导入管30供给。例如，在图2的处理容器10内，通过狭缝23a，透过电介质24a的微波被放射到处理容器10内，通过该微波的功率，在电介质24a的下方，由处理气体发生等离子体(P)。

此时，在相同过程条件，也就是，处理过程中处理容器10内的压力或入射的微波的功率的条件相同的情况下，因从气体导入管30在A方向上所供给的气体的种类，有时在电介质24中传播的表面波难以扩展。这样一来如果表面波难以扩展则等离子体P变得不均匀。

接下来，就等离子体变得不均匀的第二个原因进行说明。如图3的左侧中所示，在贴紧于电介质24a的上部而设置的狭缝天线23a上切割着多个狭缝。此狭缝中，中央的狭缝23a11～狭缝23a15以管内波长的1/2的间隔设置。此外，左侧的狭缝23a21～狭缝23a24和右侧的狭缝23a31～狭缝23a34相对y轴方向分别设置在狭缝23a11～狭缝23a15的几乎中央处(管内波长的1/4的部分)。

通过像这样设置狭缝，成为在图2的导波管22a中传播的微波的驻波波腹(波峰和波谷)位于中央的狭缝23a11～23a15的上部，驻波的波节(波交叉的部分)位于左侧的狭缝23a21～23a24和右侧的狭缝23a31～23a34的上部。借此，强的微波从各狭缝透过电介质24a传播到图2的区域B。借此，在B区域处发生的等离子体变得比除此以外的区域处发生的等离子体要强。结果，等离子体P变得不均匀。

最后，就等离子体变得不均匀的第三个原因进行说明。电介质24a的两端由梁29支撑。在此梁29与电介质24a的两端之间存在着图2中所示的间隙D。透过电介质24a的微波作为表面波在电介质24a下面传播。传播的微波进入该间隙D，存在于间隙D期间，在间隙D内继续反射。这样一来通过由在间隙D中反射的微波，在区域C处不稳定地发生等离子体，产生异常放电。通过这种现象，在电介质24a的下方产生的等离子体P的状态振荡。结果，等离子体P变得不均匀。

(电介质的裂纹)

如此，等离子体P为不均匀时，电介质24a在强烈发生等离子体的部分被特别地加热，成为高温(例如，图3的狭缝下部)。另外，电介质24a周边部由于可以沿着作为导体的梁29等使热量导出，成为低温。由此，在电介质24a内部，强烈发生等离子体的区域附近的部分比周边部成为高温，其结果，电介质24a在其内部具有温度差。

如上，电介质24a的内部产生温度差时，在电介质24a上发生裂纹。其理由如下所述。

例如，如图3的左侧所示，在电介质24a的中央处电介质24a成为最高温的情况，电介质24a在中央处热膨胀最大。与此相反，电介质24a本身，保持至今为止的形状以便对其进行抵抗。这样一来，在电介质24a的中央处，向电介质24a的中心在y轴方向上产生压缩应力。

另一方面，在电介质24a的x轴方向的两端处，相对y轴方向，向电介质24a的外侧产生拉伸应力以便抵抗发生的压缩应力。但是，电介质24a的x轴方向的两端，与电介质24a的中央附近相比是低温。结果，电介质24a的两端无法像电介质24a的中央那样热膨胀。结果，电介质24a上产生应变，最终在电介质24a的两端处产生裂纹。

再者，在以上的说明中，着眼于电介质24的平面方向(xy平面方向)的温度差。但是，电介质24内的温度差，在电介质24的厚度方向(z轴方向)上也发生。由此，实际上，因电介质24的平面方向的温度差与厚度方向的温度差而在电介质24上产生应变，在该应变最大的部分，在电介质24上发生裂纹。

(用燃烧器加热电介质的实验结果)

为了调查以上说明的电介质24的裂纹的实际发生状态，发明者们用燃烧器进行以下这种加速实验。也就是说，首先，如图4中所示，发明者们以电介质24下面作为电介质24的表，以电介质24上面作为电介质24的里，以微波入射侧的电介质24一端作为电介质的端面里，在电介质24的中央表上设置温度传感器CH1，在电介质24的里上设置温度传感器CH2，在电介质24的端面里上设置温度传感器CH3，在电介质24的中央里的端部设置温度传感器CH4。温度传感器CH2与温度传感器CH4的间隔取为38mm。

接着，发明者们一边用燃烧器加热电介质24的中央表附近，一边用温度传感器CH2和温度传感器CH4监视所检测的温度时，在所检测的温度差成为50℃左右的时刻在电介质24上产生裂纹。结果，可知为了在电介质24上产生裂纹，需要在电介质24全体的内部产生50℃左右的温度差。

实际上，等离子体处理中的电介质24，有时成为100℃以上的高温，即使是相同温度差，电介质24全体越是高温，与电介质24全体为低温的情况相比，电介质24产生裂纹的可能性变得越高。由此，发明者们彻底可知作为在电介质24上产生裂纹的条件应是在电介质24的内部产生规定温度以上的温度差，而且，该规定温度依存于电介质24全体保持的温度(例如，电介质24的平均温度)，电介质24的温度越高则规定温度以上的温度差越小。

(水冷机构)

因此，如图5中所示，发明者们考虑通过在狭缝天线23上设置第一冷却部60，利用液体冷却电介质24。具体地说，第一冷却部60由流路61、和利用法兰盘62a和法兰盘62b连接的管以及第一冷却装置(都未图示)来构成。如用图5的1-1’切断的截面图的图6中所示，流路61通过焊接厚度1cm的金属板D与设置有深度3cm的凹部(槽部)的厚度4cm的金属板E，以嵌入狭缝天线23内的状态形成。

第一冷却装置用来控制经由管、在流路61中循环的冷却介质(例如，Galden(氟类惰性化学液)等液体)。通过这种构成，第一冷却部60由冷却介质水冷电介质24。另外，如前所述，狭缝天线23由金属等导体形成。由此，通过使液体的冷却介质在流路61内循环，可以经由容易传热的狭缝天线23散逸电介质24保持的热量。借此，电介质24有效地被冷却(水冷)。

发明者们一边利用上述冷却机构(第一冷却部60)冷却电介质24，一边用燃烧器对电介质24中央表进行过热的实验结果示于图7。由此，则电介质24里的温度差(CH2-CH3)成为最大为30℃这样的结果。如前所述，在由燃烧器加热的情况，在电介质24的温度差成为50℃左右的时刻在电介质24上产生裂纹。如果根据该事实，则可知利用上述冷却机构(第一冷却部60)在等离子体处理中冷却电介质24时，等离子体处理中就可以避免电介质24因热量而被破坏。

(气冷机构)

此外，如图8中所示，发明者们考虑通过在导波管22上设置第二冷却部80而冷却电介质24。第二冷却部80具有设在与微波发生器33连接的导波管22上的气体入口81，和设在盖体20内部的导波管22上的气体出口82～气体出口84。在气体入口81、气体出口82～气体出口84上网状地设有小孔。这些孔具有小于微波的自由空间中的波长λ(＝122mm)的直径。由此，在导波管22中传播的微波不会经由这些孔从导波管22外漏。

气体入口81吸入例如空气等气体。吸入的空气在导波管22中流动，从气体出口82～气体出口84排出。这样，第二冷却部80通过使空气等气体在导波管22内的流动，对导波管22下方的电介质24进行冷却。

这样，发明者们用上述两个冷却机构(第一冷却部60和第二冷却部80)，在等离子体处理中冷却电介质24的情况的实验结果示于图9。T1～T4示出在等离子体处理中，温度传感器CH2(电介质24的中央里)检测的温度。具体地说，T1示出完全没有冷却电介质24的情况，T2示出由第二冷却部80进行冷却(气冷)的情况，T3示出由第一冷却部60进行冷却的情况，T4示出由第一冷却部60进行冷却同时由第二冷却部80进行冷却的情况。

由此，可知水冷电介质24的情况(T3)与气冷电介质24的情况(T2)相比，电介质24的冷却效果非常好。此外，水冷和气冷电介质24的情况(T4)，虽然与水冷电介质24的情况(T3)相比，冷却电介质24的效果提高，但是与气冷电介质24的情况和水冷电介质24的情况的效果之差相比，其效果降低。

由此，发明者们得到利用第一冷却部60水冷电介质24时效果非常大这样的结论。结果，通过利用第一冷却部60水冷电介质24，在电介质24上不产生裂纹，可以1小时以上的长时间，进行投入大功率的微波的等离子体处理。此外，通过一边利用第一冷却部60水冷电介质24，一边利用第二冷却部80气冷电介质24，进而，可以一边将在电介质24上产生裂纹的概率抑制得很低，一边进行等离子体处理。

如以上说明，在本实施方式中，则通过利用第一冷却部60水冷电介质24，可以显著地降低等离子体处理中在电介质24上产生裂纹的可能性。此外，通过一边利用第一冷却部60水冷电介质24，再利用第二冷却部80进行气冷，可以进一步降低等离子体处理中在电介质24上产生裂纹的可能性。

再者，在上述实施方式中，构成第一冷却部60的流路61在狭缝天线23上U字形地设置。但是，本发明的第一冷却部60的流路61的形状不限于此，只要是流路61的表面积加大以便可以有效地冷却电介质24的形状就可以了。例如，流路61可以如图10所示以W字形的形状设在狭缝天线23上，也可以如图11所示以并列设置多个W的文字的方式，以蛇行的形状设在狭缝天线23上。

如前所述，等离子体在狭缝(特别是，中央的狭缝)下方最强地发生。因此，电介质通过因该强等离子体发生的等离子体热量在狭缝附近处特别成为高温。因此，特别是，如图10和图11所示，优选是在狭缝附近(特别是，中央的狭缝附近)在狭缝天线23上蛇行地设置流路61以便流路61的表面积变得更大。由此，则通过使液体的冷却介质在设在狭缝附近的流路中流动，可以有效地降低狭缝附近的电介质的温度。因为可以减小狭缝附近的电介质24的部分与除此以外的部分的温度差，故可以有效地抑制在狭缝附近处发生的可能性高的电介质的热膨胀。结果，可以进一步避免电介质在处理过程中产生裂纹。

以上，参照附图对本发明的优选实施方式进行说明，但是本发明当然不限定于这些例子。在本发明权利要求的范围内，可以想到得各种变形例或修正例对本领域的技术人员来说是显而易见，应该指出有关这些也当然属于本发明的技术范围。

例如，在上述实施方式中，电介质24利用第一冷却部60进行冷却(水冷)的同时利用第二冷却部80进行冷却(气冷)。但是，本发明不限于此，电介质24可以仅由第一冷却部60来冷却，也可以仅由第二冷却部80来冷却。

此外，设在狭缝天线23上的流路61，即使不嵌入狭缝天线23，例如，也可以贴紧电介质24而设置。

此外，在上述实施方式中，第二冷却部80从气体入口81导入气体，从气体出口82～气体出口84排出。但是本发明的第二冷却部80不限于此，如图12中所示，也可以将气体入口85～气体入口87设在盖体20内部的导波管22上，将气体出口88设在连接于微波发生器33的导波管22上，从气体入口85～气体入口87导入气体，从气体出口88排出。

产业上的可利用性

本发明可以适用于利用液体的冷却介质冷却电介质的等离子体处理装置、狭缝天线以及等离子体处理方法。

Claims (7)

1.一种等离子体处理装置，具有：传播微波的导波部；使在所述导波部中传播的微波透过的电介质；和利用透过所述电介质的微波使处理气体等离子体化，对基板进行等离子体处理的处理容器，其特征在于：

具有利用液体的冷却介质冷却所述电介质的第一冷却部。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

还具有利用气体的冷却介质冷却所述电介质的第二冷却部。

3.如权利要求1或2中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述导波部，具有：

传播从微波发生器发生的微波的导波管；和

使在所述导波管中传播的微波通过狭缝传播到电介质的狭缝天线，

所述第一冷却部在所述狭缝天线上设有流路，使液体在所述流路中流动以便冷却所述电介质。

4.如权利要求3中所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第二冷却部在所述导波管上设有气体入口和气体出口，通过使所述气体从所述气体入口进入所述导波管内和使所述气体从所述气体出口流出所述导波管外，使气体在所述导波管中流动。

5.一种狭缝天线，其特征在于：

设有使微波传播到电介质的狭缝，和用来使液体的冷却介质流动以便冷却所述电介质的流路。

6.如权利要求5所述的狭缝天线，其特征在于：

设在所述狭缝天线上的流路位于所述狭缝的附近。

7.一种等离子体处理方法，其特征在于，包括：

使微波在导波部传播的工序；

一边使液体的冷却介质在设在狭缝天线上的流路中流动以便冷却电介质，一边使在所述导波部中传播的微波在所述电介质上透过的工序；

利用透过所述电介质的微波使处理气体等离子体化，在处理容器内对基板进行等离子体处理的处理工序。

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