CN1871689A - 投影机曝光装置、曝光方法以及元件制造方法 - Google Patents

投影机曝光装置、曝光方法以及元件制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1871689A
CN1871689A CNA2004800314145A CN200480031414A CN1871689A CN 1871689 A CN1871689 A CN 1871689A CN A2004800314145 A CNA2004800314145 A CN A2004800314145A CN 200480031414 A CN200480031414 A CN 200480031414A CN 1871689 A CN1871689 A CN 1871689A
Authority
CN
China
Prior art keywords
aforementioned
light
illumination light
birefringence
optical system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2004800314145A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100481325C (zh
Inventor
白石直正
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=34510324&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CN1871689(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Publication of CN1871689A publication Critical patent/CN1871689A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100481325C publication Critical patent/CN100481325C/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/28Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70566Polarisation control
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/28Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
    • G02B27/286Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising for controlling or changing the state of polarisation, e.g. transforming one polarisation state into another
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/30Polarising elements
    • G02B5/3083Birefringent or phase retarding elements
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70108Off-axis setting using a light-guiding element, e.g. diffractive optical elements [DOEs] or light guides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/7015Details of optical elements
    • G03F7/70158Diffractive optical elements
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70191Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7095Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
    • G03F7/70958Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
    • G03F7/70966Birefringence
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70341Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply

Abstract

提供一种照明光学装置及投影曝光装置,在以所定偏光(optical polarization)状态的照明光照明罩幕(mask)之际,可使光量损失减少。具有照明光学系统ILS与投影光学系统PL。照明光学系统ILS以照明光IL照射光栅(reticle)R,投影光学系统PL将光栅R的图案像投影于晶圆(wafer)W上。在照明光学系统ILS,来自曝光光源1以直线偏光状态所射出的照明光IL通过进相轴的方向不同的第一及第二双折射构件12、13,大略在特定环带状的领域,在以光轴为中心的圆周方向转换成实质上直线偏光的偏光状态后,经蝇眼透镜14等以环带照明条件照明光栅R。

Description

投影机曝光装置、曝光方法以及元件制造方法
技术领域
本发明是有关于制造例如半导体集成电路(LSI等)、摄影元件、或液晶显示器等的各种元件的光刻(L:thography)制程所使用的一种曝光技术,更详细是关于以所定的偏光状态的光照明罩幕图案(mask pattern)的曝光技术。又,本发明是有关于使用此曝光技术的元件制造技术。
背景技术
在形成半导体集成电路或液晶显示器等的电子元件的微细图案之际,使用将要形成的图案以4~5倍程度比例放大所描绘的罩幕(mask)的光栅(reticle)(或光罩(photomask)等)的图案以通过投影光学系统缩小在被曝光基板(感光体)的晶圆(wafer)(或玻璃板等)上的曝光转印方法。在其曝光转印之际,使用步进机(stepper)等的静止曝光型及扫描步进机(scanning stepper)等的扫描曝光型的投影曝光装置。投影光学系统的解像度,是比例于将曝光波长除以投影光学系统的开口数(NA)所得到的值。投影光学系统的开口数(NA),是将曝光用的照明光向晶圆的最大入射角的正弦(Sin)乘上其光束通过的媒质的折射率者。
因此,为对应于半导体集成电路等的微细化,投影曝光装置的曝光波长,是更短波长化。现在曝光波长虽是以KrF准分子激光(excimer laser)的248nm为主流,更短波长的ArF准分子激光的193nm也正要进入实用化的阶段,然而,也进行使用更再短波长的波长的157nm的F2激光和波长126nm的波长的Ar2激光等的所谓真空紫外域的曝光光源的投影曝光装置的提案。又不仅在短波长化,由投影光学系统的大开口数化(大NA化)也可以进行高解像度化的关系,正在进行使投影光学系统更再大NA化的开发,现在的最先端的投影光学系统的NA是为0.8程度。
一方面,虽然使用同一曝光波长,同一NA的投影光学系统,对于提升所转印的图案的解像度,使用所谓相位移位光栅(Shift reticle)的方法或使照明光的向光栅的入射角度分布控制于所定分布的环带照明、二极照明、及四极照明等所谓超解像技术也正在实用化。
此等之中,环带照明是将照明光的向光栅的入射角度范围限制于所定角度,亦即藉由将照明光学系统的瞳面的照明光分布限定于以照明光学系统的光轴为中心的环带领域内,而可以发挥使解像度及焦点深度提升的效果(参照例如日本专利特开昭61-91662号公报)。一方面,二极照明、四极照明,是并非仅在入射角度范围,在光栅上的图案具有特定方向性的图案的场合,对于照明光的入射方向也藉由限定于其图案的方向性所对应的方向,以大幅度提升解像度及焦点深度(参照例如日本专利特开平4-101148号公报或对应其的美国专利第6233041号说明书、日本专利特开平4-225357号公报或对应其的美国专利第6211944号说明书)。
尚且,对于光栅上的图案方向使照明光的偏光状态为最佳化,以提升解像度及焦点深度的尝试也已被提案。此种方法是藉由使照明光在直交于图案的周期方向的方向,即在平行于图案长度方向的方向具有偏光方向(电场方向)的直线偏光光,以提升转印像的对比(Contrast)等。例如,参照专利文献1、非专利文献1)。
又,在环带照明中,在照明光学系统的瞳面于照明光被分布的环带领域中,使照明光的偏光方向与其圆周方向一致,以提升投影像的解像度和对比等的尝试也已被提案。
【专利文献1】日本专利特开平5-109601公报。
【非专利文献1】Thimothy A.Brunner,et al.:“High NA Lithographicimaging at Brewster’s Angel”,SPIE
(美国Vol.4691,pp.1~24(2002)。
如在上述的习知技术,在进行环带照明的场合,于照明光学系统的瞳面,如使照明光的偏光状态以实质上成为一致于环带领域的圆周方向的直线偏光时,照明光量的损失变多,有照明效率低降的问题。
关于此的详述时,从近年来主流的狭带化KrF准分子激光光源所射出的照明光是为一样的直线偏光。如将此以保持原样的偏光状态导向光栅时,由于光栅是以一样的直线偏光光照明的关系,不消说,不能实现一致于如上述的照明光学系统的瞳面的环带领域的圆周方向的直线偏光光。
因此,为实现上述的偏光状态,使从光源所射出的直线偏光光以一次转换于任意(random)偏光的光后,在其环带领域的各部分,使用偏光滤光器(filter)或偏光射束分裂器(beam splitter)等的偏光选择元件,有必要采用从任意偏光所构成的照明光选择所期望的偏向成分的方法等。在此方法,任意偏光的照明光的能量(energy)中仅以所定直线偏光成分所含的能量,即大略仅一半的能量可作为向光栅的照明光使用的关系,照明光量的损失大,进而向晶圆的曝光能力(power)的损失大,有曝光装置的处理能力(throughtput)低降的问题。
以同样,在使用二极照明或四极照明等的多极照明的场合,在照明光学系统的瞳面,于二极或四极的领域的照明光的偏光状态如要设定于所定状态时,也有照明效率低降的问题。
发明内容
本发明是鉴于此等课题所进行者,本发明的第一目的是提供一种曝光技术可减少将光栅等的罩幕以所定偏光状态的照明光照明之际的光量损失。
更且本发明的第二目的是提供一种曝光技术将照明光学系统的瞳面上的环带、二极、或四极等的领域的照明光的偏光状态设定于所定状态之际,可减少照明光量的低降,其结果几乎不使处理能力低降能提升解像度等。
又,本发明的目的也可提供一种元件制造技术是使用上述曝光技术以高处理能力制造高性能元件。
在以下的本发明的各构件后的带有刮号的符号,为对应本发明之实施例的构成。因此,各符号只不过是该构件的例示,各构件并不是限定于各实施例的构成。
依照本发明的第一投影曝光装置是包括照明光学系统(ILS)与投影光学系统(25)的投影曝光装置,其中,照明光学系统(ILS)将来自光源(1)的照明光照射于第一物体(R),投影光学系统(25)将在第一物体上的图案像投影于第二物体(W)上,其光源在实质上以单一的偏光状态产生照明光,其照明光学系统具有沿其照明光的进行方向配置的多个双折射构件(12,13),并且其多个双折射构件之中的至少一个双折射构件的进相轴的方向是与其他双射构件的进相轴的方向不同,其照明光中,使以特定的入射角度范围照射于第一物体的特定照明光成为以S偏光为主成份的偏光状态的光。
依照本发明的第一照明光学装置是将来自光源(1)的照明光照射于第一物体(R)的照明光学装置,其具有沿其照明光的进行方向配置的多个双折射构件(12,13),并且其多个双折射构件之中的至少一个双折射构件的进相轴的方向是与其他双射构件的进相轴的方向不同,在从其光源供给的实质上为单一的偏光状态的照明光装,使以特定的入射角度范围照射于第一物体的特定照明光成为以S偏光为主成份的偏光状态的光。
依照如此的本发明时,例如藉由将其多个双折射构件的厚度分布各设于所定分布,可使从其光源所射出的照明光通过其多个双折射构件后的偏光状态,例如在以光轴为中心的环带状领域可使偏光于以其光轴为中心的圆周方向的状态成为主成分。于是,将其多个双折射构件的射出面藉由例如配置于接近照明光学系统的瞳面的位置时,通过其环带状领域的照明光(特定照明光)以几乎无光量损失的状态,可于S偏光为主成份的所定偏光状态照明第一物体。
此种场合,也可具有光束限制构件(9a、9b)将照射于第一物体的照明光限制在其特定照明光。藉此,其第一物体是以大概为环带照明的条件下被照明。在此环带照明,藉由使第一物体上的照明光大概成为S偏光时,在其第一物体上的任意方向以微细间距所排列的线·和·空间(Line.and.space)图案的投影像是以主要偏光方向由平行于线图案的长度方向的照明光来结像的关系,可改善对比、解像度、焦点深度的结像特性。
又,其光束限制构件,更再将照射于第一物体的照明光的入射方向也可限制于特定的实质上的离散的多个方向。藉此,以二极照明或四极照明等进行照明的关系,可改善在所定方向以微细间距所排列的线.和.空间图案的结像特性。
其次,依照本发明的第二投影曝光装置是包括照明光学系统(ILS)与投影光学系统(25)的投影曝光装置,其中,照明光学系统(ILS)是使来自光源(1)的照明光照射于第一物体(R),投影光学系统(25)是将在第一物体上的图案像投影于第二物体(W)上,其光源是在实质上以单一的偏光状态产生照明光,其照明光学系统是具有沿其照明光的进行方向所配置的多个双折射构件(12,13),并且其多个双折射构件之中的至少一个双折射构件的进相轴的方向是与其他双折射构件的进相轴的方向不同,在其照明光学系统中的瞳面或在其附近的面内,通过以其照明光学系统的光轴为中心的所定环带领域的特定环带领域(36)内的至少一部分领域的照明光,成为以其特定环带领域的圆周方向为偏光方向的以直线偏光为主成分的偏光状态。
依照如此的发明时,例如藉由将其多个双折射构件的厚度分布各设于所定分布,从其光源所射出的照明光中通过其特定环带领域的照明光的至少一部分的偏光状态,是以几乎无光量损失的状态,成为以其特定环带领域的圆周方向为偏光方向的以直线偏光为主成分的状态(所定偏光状态)。
此种场合,也可具有光束限制构件(9a、9b)将照射于第一物体的照明光在实质上限制于在特定环带领域内所分布的光束。又,其光束限制构件也可将其光束更限制在其特定环带领域内的实质上的离散的多个领域内。此等场合,以几乎不使照明光量低佭,可实现环带照明、二极照明或四极照明等。
又,其光束限制构件的一例,是包含在光源(1)与多个双折射构件(12,13)之间所配置的衍射光学元件。藉由使用衍射光学元件,可更减少光量损失。
又,作为一例,其多个双折射构件中至少一构件,是在透射光中平行于进相轴的直线偏光成分与平行于迟相轴的直线偏光成分间所给与的相位差的偏光间相位差,对于其构件的位置以非线形变化的不均一波长板(12,13)。藉此,可将通过其多个双折射构件后的照明光的偏光状态以高精度控制于所定状态。
此种场合,其不均一波长板,对于其特定照明光或分布于其特定环带领域的照明光,也可包含以其照明光学系统的光轴为中心给与具有二次旋转对称性的偏光间相位差的第一不均一波长板(12)。
又,其不均一波长板,对于其特定照明光或分布于其特定环带领域的照明光,也可更包含以其照明光学系统的光轴为中心给与具有一次旋转对称性的偏光间相位差的第二不均一波长板(13)。
又,作为一例,其第一及第二不均一波长板,是其进相轴的方向,以其照明光学系统的光轴为旋转中心,互相离开45°者。藉此,可容易控制通过两个不均一波长板后的照明光的偏光状态。
又,也可更包含配置于其多个双折射构件与其第一物体间的光学积分器(optical intergrator)(14)。藉此,可提升第一物体上的照度分布的均一性。
又,可更包含配置于其多个双折射构件与其光学积分器间的变焦距(zoom)光学系统,间隔可变的圆锥棱镜群(41,42),或多面体棱镜群。按照其第一物体上的图案间距等使用其变焦距光学系统等可控制其特环带领域(或环带状领域或者其中的实质上的离散的部分领域)大小和位置,藉此,可提升曝光种种间距图案时的结像特性。
又,其光学积分器,是以蝇眼透镜(fly-eye lens)为其一例。
又,也可具有配置于其光源与其多个双折射构件间以变换从其光源的照明光的偏光状态的偏光控制构件(4)。藉此,可将从其光源的照明光的偏光状态以无光量损失的状态,变换为适合于多个双折射构件的偏光状态。
又,也可具有以其照明光学系统的光轴为中心,使其多个双折射构件的一部分或全部可旋转的旋转机构,藉此,可将从其光源的照明光,以适合于其双折射构件的偏光状态供给于其双折射构件。
又,也可具有双折射交换机构,双折射交换机构是具有多组的多个双折射构件,将其多组的多个双折射构件以可交换方式配置于其照明光学系统内。以此可对应于转印对象的种种图案。
依照本发明的第三投影曝光装置是包括照明光学系统(ILS)与投影光学系统(25)的投影曝光装置,其中,照明光学系统(ILS)将来自光源(1)的照明光照射于第一物体(R),投影光学系统(25)将在第一物体上的图案像投影于第二物体(W)上,其光源在实质上以单一的偏光状态产生照明光,其照明光学系统具有沿其照明光的进行方向配置的衍射光学元件(9a、9b)与双折射构件(12,13)。
依照本发明的第二照明光学装置是将来自光源(1)的照明光照射于第一物体(R)的照明光学装置,其具有沿其照明光的进行方向配置的衍射光学元件与双折射构件。
依照如此的本发明时,藉由使用双折射构件,可于例如S偏光为主成份的所定偏光状态有效率的照明第一物体。而且,藉由将使用其衍射光学元件而入射于双折射构件的照明光的光亮分布限制成环带状,可以使光量损失极小。
在本发明中,作为一例,其衍射光学元件将照射于前述第一物体的照明光,以特定的入射角度范围实质上限制在照射于前述第一物体的特定照明光,而且双折射构件使前述特定照明光成为以S偏光为主成分的偏光状态的光。
又,其衍射光学元件更将照射于前述第一物体的前述照明光的入射方向限制于特定实质上的离散的多个方向。
又,其衍射光学元件使前述照明光实质上限制为在前述照明光学系统中的瞳面内的,分布于以前述照明光学系统的光轴为中心的所定环带领域的特定环带领域内的光束,而且双折射构件使前述光束成为以圆周方向为偏光方向的直线偏光为主成分的偏光状态。
又,其衍射光学元件也可以使前述光束限制在前述特定环带领域内实质上的离散的多个领域内。
其次,依照本发明的曝光方法,是使用本发明的投影曝光装置,以其第一物体的光罩(R)的图案像使作为第二物体的感光体(W)曝光。由本发明,可使其第一物体以环带照明、二极照明、或四极照明等照明的同时,可使入射于其第一物体的照明光的偏光状态大略以S偏光为主成分。因此,可几乎以无光量损失的状态,以良好的结像特性转印光罩上在所定方向以微细间距所形成的图案。
又,依照本发明的元件制造方法,是包含光刻(lithography)制程的元件制造方法,在其光刻制程以使用本发明的曝光方法将图案转印于感光体。依照本发明时,可以高处理能力,并且以高结像特性能将图案转印。
依照本发明时,使用多个双折射构件控制照明光的偏光状态的关系,可减少将第一物体(光罩)以所定偏光状态的照明光照明之际的光量损失。
又,藉由更再使用光束限制构件,在将第一物体以环带照明、二极照明、或四极照明等照明之际,以几乎不使照明光量低降,可将通过特定环带领域的至少一部分领域的照明光的偏光状态设定于以平行于其特定环带领域的圆周方向的直线偏光为主成分的状态。
此种场合,在沿其第一物体上的直线偏光的方向具有长度方向的线图案以微细间隔所配置的图案曝光之际的结像特性可提升。因此,可提供能实现结像特性的提升,处理能力无降低的照明光学装置、投影曝光装置及曝光方法。
为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附图式,作详细说明如下。
附图说明
图1是将表示本发明的实施形态的一例的投影曝光装置的概略结构切开的剖面图。
图2A是向+Y方向所见图1中的双折射构件12的图,图2B是沿图2A的AA’线的断面图。
图3A是向+Y方向所见图1中的双折射构件13的图,图3B是沿图3A的BB’线的断面图。
图4A是表示在第一双折射构件12的偏光间相位差ΔP1与位置X的关系的一例的图,图4B是表示在第二双折射构件13的偏光间相位差ΔP2与位置XZ的关系的一例的图,图4C是表示从第二双折射构件13所射出的照明光的偏光状态的一例的图。
图5是表示从第一双折射构件12所射出的照明光的偏光状态的一例的图。
图6A是表示在第一双折射构件12的偏光间相位差ΔP1与位置X的关系的其他例的图,图6B是在第二双折射构件13的偏光间相位差ΔP2与位置XZ的关系的其他例的图,图6C是表示从双折射构件13所射出的照明光的偏光状态的其他例的图。
图7A是表示在图1光栅R上所形成的微细周期图案PX的一例的平面图,图7B是表示将图7A的图案以所定条件照明的场合在投影光学系统的瞳面26内所形成的衍射光分布图,图7C是表示照明图7A的图案PX的环带照明的条件的图。
图8A是将图1的照明光学系统ILS的瞳面15与光栅R的关系以简单表示的斜视图,图8B是图8A的一部分向+Y方向所见的图,图8C是将图8A的一部分向-X方向所见的图。
图9是在本发明的实施形态的一例,为使特定环带领域的半径成为可变,表示可在图1的双折射构件12、13与蝇眼透镜14间所配置的多个圆锥棱镜的图。
图10表示可配置于图1的偏光控制构件4的位置的偏光控制光学系统的一例的图。
图11是表示使用本发明的实施形态的投影曝光装置制造半导体元件的光刻制程的一例的图。
R:光栅
W:晶圆
ILS:照明光学系统
AX2:照明系统光轴
nf:进相轴
ns:迟相轴
1:曝光光源
4:偏光控制构件
9a、9b:衍射光学元件
12:第一双折射构件
13:第二双折射构件
14:蝇眼透镜
25:投影光学系统
36:特定环带领域
41、42:圆锥棱镜
具体实施方式
【实施方式】
以下,参照图面对于本发明的较佳实施形态的一例进行说明。本例是由步进扫描(step and scan)方式所构成的扫描曝光型的投影曝光装置(scanning stepper)进行曝光的场合适用本发明者。
图1是表示将本例的投影曝光装置的概略构成的一部分切开的剖面图,在此图1,本例的投影曝光装置包括照明光学系统ILS与投影光学系统25。前者的照明光学系统ILS包括沿从曝光光源1(光源)至聚焦透镜(condenserlens)20的光轴(照明系统光轴)AX1、AX2、AX3所配置的多个光学构件(详细后述),用来自曝光光源1的曝光光束(beam)作为曝光用的照明光(曝光光)IL以均一照度分布照明对于罩幕的光栅R的图案面(光栅面)的照射视野。后者的投影光学系统25,是在其照明光之下,将光栅R的照明视野内的图案以投影倍率M(M是例如为1/4、1/5等的缩小倍率)缩少的像,投影于被曝光基板(基板)或作为感光体的涂布光刻胶(photoresist)的晶圆W上的一摄影(shoot)领域上的曝光领域。光栅R及晶圆W是各可视为第一物体及第二物体。晶圆W例如为半导体(硅等)或绝缘体上硅晶片SOI(silicon on insulator)等的直径200~300mm程度的圆板状基板。本例的投影光学系统25虽是例如为折射光学系统,也可使用反射折射系统。
以下,在图1,关于投影光学系统25、光栅R、及晶圆W,是在平行于投影光学系统25的光轴AX4取为Z轴,垂直于Z轴的平面(XY平面)内以沿扫描曝光时的光栅R及晶圆W的扫描方向(平行于图1的纸面的方向)取为Y轴,以沿非扫描方向(垂直于图1的纸面的方向)取为X轴来进行说明。此种场合,光栅R的照明视野是在非扫描方向的X方向的细长领域,晶圆W上的曝光领域是与其照明视野为共轭的细长领域。又,投影光学系统25的光轴AX4是与光栅R上的照明系统光轴AX3为一致。
首先,要曝光转印的形成图案的光栅R吸附保持于光栅机台(reticlestage)21上,光栅机台21是在光栅基部(reticle base)22上以一定速度移动于Y方向的同时,以补正同步误差的方式在X轴方向、Y轴方向、Z轴的周围的旋转方向微动,进行光栅R的扫描。光栅机台21的X方向、Y方向的位置,及旋转角是由设在此上面的移动镜23及激光干涉仪(Laserinterferometer)24来计测。依据此计测值及从主控制系统34的控制资讯,光栅机台驱动系统32通过线性马达等的驱动机构(未图示)控制光栅机21的位置及速度。在光栅R的周边部的上方配置有光栅定位(reticlealignment)用的光栅定位显微镜(未图示)。
一方面,晶圆是通过晶圆保持器(未图示)吸附保持于晶圆机台27上,晶圆机台27是在晶圆基部(wafer base)30上以一定速度可移动于Y方向的同时,能在X方向、Y方向以步进(step)移动的方式载置。又,晶圆机台27也组装有Z水准(leveling)机构,以依据未图示的光聚焦感应器(photofocus sensor)的计测值,使晶圆W的表面与投影光学系统25的像面一致。晶圆机台27的X方向、Y方向位置及旋转角是由设在其上面的移动镜28及激光干涉仪29来计测。依据此计测值及从主控制系统34的控制资讯、晶圆机台驱动系统33通过线性马达等的驱动机构(未图示)控制晶圆机台27的位置及速度。又,在投影光学系统25的附近,为了晶圆定位,配置有以离轴(off-axis)方式例如场影像定位(Field Image Alignment)方式的定位感应器(alignment sensor)31,以检测在晶圆W上的位置对准用的标识的位置。
在依据本例的投影曝光装置,在曝光之前,由上述光栅定位显微镜进行光栅R的定位,藉由定位感应器31检测在晶圆W上由以前的曝光制程与电路图案一起所形成的位置对准用标识的位置,以进行晶圆W的定位。其后,在光栅R上的照明视野以照明光IL照射的状态,驱动光栅机台21及晶圆机台27,将光栅R与晶圆W上的一个摄影领域在Y方向以同步扫瞄的动作,与使照明光1L的发光停止,驱动晶圆机台27将晶圆W以步进移动于X方向、Y方向的动作,重复上述两项动作。其同步扫描时的光栅机台21与晶圆机台27的扫描速度比,为了保持通过投影光学系统25的光栅R与晶圆W的结像关系,而等于投影光学系统25的投影倍率M。由此等动作,以步进扫瞄方式在晶圆W上的全部摄影领域曝光转印光栅R的图案像。
其次,对本发明的照明光学系统ILS的构成进行详细说明。在图1,对于本例的曝光光源1是使用ArF(氩氟)准分子激光(波长193nm)。尚且,对于曝光光源1是也可使用其他的KrF(氪氟)准分子激光(波长248nm)、F2(氟分子)激光(波长157nm)、或kr2(氪分子)激光(波长146nm)等的激光光源等。此等激光光源(包含曝光光源1)是为狭带化的激光或选择波长的激光,从曝光光源1所射出的照明光IL由于上述狭带化或波长选择,是成为以直线偏光为主成分的偏光状态。以下,在图1,刚从曝光光源1所射出的照明光IL,是以偏光方向(电场方向)与图1中的X方向一致的以直线偏光光为主成分者来说明。
从曝光光源1所发出的照明光IL沿照明系统光轴AX1通过中继透镜(relay lens)2、3入射于偏光控制机构的偏光控制构件4(详细后述)。从偏光控制机构4所发出的照明光IL经过组合凹透镜5与凸透镜6所构成的变焦距(zoom)光学系统(5、6),在光路弯曲用的镜面7被反射,沿照明系统光轴AX2入射于衍射光学元件(DOE:Diffractive Optical Element)9a,衍射光学元件9a是由相位型的衍射格子所构成,入射的照明光IL是衍射于所定方向前进。
如在后述,从光束限制构件的衍射光学元件9a的各衍射光的衍射角及方向是对应于照明光学系统ILS的瞳面15上的照明光IL的位置和照明光IL的向光栅R的入射角及方向。又,衍射光学元件9a及具有与其不同的衍射作用的别的衍射光学元件9b等多个排列在小塔(turret)状的构件8上。然而,例如以在主控制系统34的控制下由交换机构10驱动构件8,将构件8上的任意位置的衍射光学系统藉由填装于照明光学系统光轴AX2上的位置,按照光栅R的图案,使向光栅R的照明光的入射角度范围及方向(或至瞳面15的照明光的位置)可以设定于所期望的范围的方式而构成。又,其入射角度范围是将构成上述变焦距光学系统(5、6)的凹透镜5及凸透镜6藉由各移动于照明光学系统光轴AX1的方向,可进行补助上的微调。
射出衍射光学系统9a的照明光(绕射光)IL沿照明系统光轴AX2经过中继透镜11,以顺次入射于本发明的多个双折射构件的第一双折射构件12及第二双折射构件13。对于此等双折射构件的详细情形将于后述。在本实施形态,在双折射构件13之后配置光学积分器(optical integrator)(照度均一化构件)的蝇眼透镜(fly-eye lens)14。射出蝇眼透镜14的照明光IL经过视野光圈17及聚焦透镜18至光程(optical pass)弯曲用的镜面19,在此反射的照明光IL沿照明系统光轴AX3经过中继透镜20而照明光栅R。以如此照明的光栅R上的图案,由如上所述的投影光学系统25投影、转印于晶圆W上。
尚且,按照需要使视野光圈17为扫描型,也可以同步于光栅机台21及晶圆机台27的扫描而进行扫描。此种场合,也可将其视野光圈分为固定视野光圈与可动视野光圈而构成。
在此种构成,蝇眼透镜14的射出侧面是位置于照明光学系统ILS的瞳面15的附近。瞳面15是通过从瞳面15至光栅R的照明光学系统ILS中的光学构件(中继透镜16、视野光圈17、聚焦透镜18、20及镜面19),对于光栅R的图案面(光栅面)作为光学傅里叶(Fourier)变换面的作用。即,射出瞳面15的一点的照明光是大概成为平行光束以所定入射角及入射方向照射光栅R。其入射角度及入射方向是按照其光束的在瞳面15上的位置有所决定。
尚且,光程弯曲用的镜面7、19在光学性能上虽是并非必需,如将照明光学系统配置于一直线上时,曝光装置的全高(z方向的高度)会增大的关系,以省空间化为目的而配置于照明光学系统ILS内的适当处者。照明系统光轴AX1是由镜面7的反射与照明系统光轴AX2一致,更且照明系统光轴AX2是由镜面19的反射与照明系统光轴AX3一致。
以下,参照图2~图5,对于图1中的第一及第二双折射构件12、13的第一实施例进行说明。
第一双折射构件12是由一轴结晶等的双折射材料所构成的圆板状构件,其光学轴是在其面内方向(与垂直于照明光学系统光轴AX2的平面平行),然而,其第一双折射构件12的在其面内的大小(直径)是比配置该双折射构件12的位置的照明光IL的光束径较大。
图2A是将图1的双折射构件12沿照明系统光轴AX2向+Y方向所见的图,如图2A所示,在双折射构件12中,对于具有与此平行的偏光方向的直线偏光光使折射率为最低的轴方向的进相轴nf,是在与图1相同座标轴的xz座标向从各座标(x轴及z轴)旋转45°的方向。又,对于具有与此平行的偏光方向的直线偏光光使折射率为最高的轴方向的迟相轴ns,是当然与上述进相轴nf直交,也向从x轴及z轴的双方旋转45°的方向。
第一双折射构件12的厚度在平行于图2A的纸面的面内是非同样,按照X座标(X方向的位置)而变化。图2B是沿图2A的AA’线的双折射构件12的断面图,如图2B所示,双折射构件12是在X方向以中心(照明系统光轴)较薄在周边为较厚。一方面,第一双折射构件12的厚度在图2A的z方向是为一样,双折射构件12是以全体成为如负的圆柱透镜(cylinderlens)的形状。
以透射如此的双折射构件的光束,一般是在其偏光方向(即“光的电场的振动方向”,以下也相同。)一致于进相轴nf的方向的直线偏光成分与一致于迟相轴ns的方向的直线偏光成分之间产生光程差(偏光间相位差)。对平行于进相轴nf的直线偏光光其双折射构件的折射率为低,因此同偏光光的进行速度是为较快,一方面,对于平行于迟相轴ns的直线偏光光的双折射构件的折射率为高,因此同偏光光的进行速度为较迟的关系,在两偏光光间产生光程差(偏光间相位差)。因此,第一双折射构件12发挥作为以按照场所给与透射光有不同偏光间相位差的第一不均一波长板的作用。
可是,藉由将第一双折射构件12的厚度最佳化,将由双折射构件12所产生的上述光程差成为波长的整数倍时,两光束的相位在实质上是不能区别,以形成无光程差的状态。在本例,将双折射构件12的中心部的厚度T1设定为此种厚度。在以下,如图2B所示,以X轴的原点(X=0)为双折射构件12的中心(照射系统光轴)。
一方面,对于第一双折射构件12的中心向X方向离开±1的位置(1是基准长度,在第一双折射构件12的外径的内侧),仅以产生偏光间相位差0.5(单位是照明光的波长)的方式设定其双折射构件12的形状。以此种形状,在本例是将双折射构件12的厚度TA,对于X方向的位置X,为以下函数所表示的厚度。
TA=T1+α×(1.7×X4-0.7×X2)......(1)
在此α是比例系数,α值是与中心部分的厚度T1同样,由所使用的双折射材料的上述进相轴与迟相轴的折射率差等而不同。
对于构成第一双折射构件12的复折射材料以使用一轴结晶的水晶时,水晶的折射率,在波长193nm的ArF准分子激光光的常光线折射率为1.6638,异常光线的折射率为1.6774。藉此进相轴是为常光线的偏向方向,迟相轴是为异常光线的偏光方向。
在水晶中的常光线、异常光线的波长是将真空中的波长(193nm)以各折射率所相除者的关系,各为116.001nm、115.056nm,在水晶中每进行一波长分时,在两光束间形成0.945nm的光程差。因此,当进行122.7(=166.001/0.945)波长分时,在两光束间形成一波长分的光程差。确实光程差刚好为一波长分或整数波长分时,两光束是在实质上与无光程差为同价。122.7波长分的水晶厚度是相当于由122.7×193/1.6638的计算的14239nm,即14.239μm。以同样,如在常光线与异常光线形成半波长的光程差时,水晶的厚度以上述的一半的7.12μm即可。
藉此,以水晶形成第一不均一波长板的第一双折射构件12时,将上述(1)式的中心部的厚度T1设定于14.239μm的整数倍,在周边附近的基准位置(X=1)的厚度,各加厚7.12μm即可,即使上述比例系数设定为7.12μm即可。
此时,由第一双折射构件12所形成的偏光间相位差ΔP1是以X方向的位置X的函数如下表示。
ΔP1=0.5×(1.7×X4-0.7×X2)............(2)
尚且,对于第一双折射构件12的厚度为其入射面12a与射出面12b的间隔,如满足形成上述相位差的上述厚度与X方向的位置关系时,入射面12a与射出面12b的各形状也可为任意。但,面形成的加工上,是以任何一面为平面时加工成为容易的关系,实际上是如图2B所示,期望使出射面12b为平面。此种场合以射出面12b的厚度TA值为0之际的入射面12a的厚度TA值是成为如以(1)式所求的的TA。当然,也可使入射面12a为平面。
图4A是表示以(2)式所表示的偏光间相位差ΔP1(单位是照明光的波长)与位置X的关系图。又图5是表示从本例的第一双折射构件12所射出的照明光的偏光状态图,在图5,分布于XZ座标上的各位置的照明光的偏光状态是以各位置为中心的线段、圆和椭圆表示。又,图5的X轴及Z轴的原点(X=0、Z=0)是设定于双折射构件12的中心,X方向Z方向的比例尺是以X=±、Z=±1的位置(共由从原点X=0、Z=0离开基准长度的位置)以位置于图5中的四个角落的方式设定。
在图5的以各XZ座标所识别的位置,以线段所表示的位置其照明光是以直线偏光为主成分的偏光状态,线段的方向表示其偏光方向。又,在以椭圆所表示的位置其照明光是成为以椭圆偏光为主成分的偏光状态,椭圆的长边方向是表示其椭圆偏光所含的直线偏光成分成为最大的方向。又,在以圆所表示的位置其照明光是成为以圆偏光为主成分的偏光状态。
如图4A所示,在从中心向X方向离开±1的位置,第一双折射构件12作为所谓1/2波长板发挥机能。在此,从图1的曝光光源所发出的照明光IL是如前所述以偏光于X方向的直线偏光光为主成分,此1/2波长板,是以其进相轴nf及迟相轴ns对于入射光的(照明光的)偏光方向的X方向旋转45°者。因此,如图5所示,在第一双折射构件12中从由中心向X方向离开±1(基准长度)位置附近所透射的照明光的偏向状态,是由此1/2波长板的作用,变换于以Z方向的直线偏光为主成分的偏光状态。
又,由图4A,对于在第一双折射构件12之中从中心向X方向离开±0.6位置附近所透射的照明光,偏光间相位差Δ1是为0.25,第一双折射构件12作为所谓1/4波长板发挥机能。因此,透射此部分的照明光成为变换于以圆偏光为主成分的偏光状态。
一方面,对于X方向透射中心的光束,在进相轴nf方向及迟相轴ns方向的各直线偏光间不产生光程差的关系,透射光的偏光状态无变换的情形。因此,在对X方向的中心入射于双折射构件12的光束,以如原样保持X方向的直线偏光状态为主成分从双折射构件12射出。然而,在上述X=0、±0.6、±1的各位置以外的位置所透射的光束,是按照位置成为形状不同的椭圆偏光为主成分的偏光状态,透射第一双折射构件12。此偏向状态是如图5所示。
在图1,按照透射第一双折射构件12的场所其偏光状态不同的照明光IL,是入射于第二双折射构件13。第二双折射构件13也由双折射材料所构成的圆板状构件。
图3A是沿照明系统光轴AX2向+Y方向所见的图1的第二双折射构件13的图,当上述的第一双折射构件12不同,如图3A所示,第二双折射构件13的进相轴nf是设定于与图1同座标轴的XZ座标的Z轴平行,迟相轴ns是设定于与X轴平行。对于第二双折射构件13,其面内方向的大小(直径)也比在该第二双折射构件13所配置的照明光IL的光束径较大。
又,第二双折射构件13其厚度也非一样,其厚度是按照图3A中的XZ座标是的函数Z=X的方向,即图3A中的BB’线方向(以下,称此为“XZ方向”。)的位置变化。图3B,是沿图3A的BB’线的第二双折射构件13的断面图。如图3B所示,双折射构件13是在左端部(B的附近)为较薄右端部(B’的附近)为较厚的形状。一方面,第二双折射构件13的厚度在直交于XZ方向的方向,是为一样。因此,第二双折射构件13也作为按照场所给与不同偏光间相位差的第二不均一波长板发挥机能。
在本例将第二双折射构件13的厚度TB,对于XZ方向的位置XZ,用以下函数表示,尚且,如图3B所示,以XZ方向的原点(XZ=0)为双折射构件13的中心(照明系统光轴),以其中心的厚度为T2。
TB=T2+β×(2.5×XZ5-1.5×XZ3).....(3)
在此,β是比例常数,与中心部的厚度T2同样,β值是由所使用的双折射材料的上述进相轴与迟相轴的折射率差等而异,在此,中心部的厚度T2,是使第二双折射构件13的偏光间相位差ΔP2为0.25(单位是照明光的波长)的方式,即设定于中心部以1/4波长板发挥机能。
又,在双折射构件13,在向XZ方向离开+1(基准长度)及-1的位置,是以偏光间相位差ΔP2各为+0.75及-0.25的方式设定。此是与中心之间,以形成各为+0.5及-0.5的偏光间相位差的差的意思。
即,在本例的第二双折射构件13,以下式表示偏光间相位差ΔP2的方式设定其厚度。
ΔP2=0.25+0.5×(2.5×XZ5-1.5×XZ3)....(4)
又,对于第二双折射构件13也以与上述的例同样由水晶形成的场合,以中心部的厚度T2是为14.239μm的(整数+1/4)倍,比例常数β为7.12μm即可。图4B,是表示(4)式的偏光间相位差ΔP2与位置XZ的关系的图。
在图1中,按照透射第一双折射构件12的场所其偏光状态不同的照明光,是由第二双折射构件13,再度,以其偏光状态按照场所变换。在图4C表示从第二双折射构件13所射出的照明光IL的偏光状态。
图4C的表示方法与前述的图5的表示方法为同样,在图4C中,在XZ座标上的各位置所分布的照明光的偏光状态,以各位置为中心的线段(直线偏光),或以椭圆(椭圆偏光)表示。又,图4C的X轴及Z轴的原点(X=0、Z=0)也设定于双折射构件13的中心。
尚且,如图1所示,在本实施形态,第一双折射构件12与第二双折射构件13是配置于蝇眼透镜14的刚前方,并且蝇眼透镜14的射出侧面是配置于照明光学系统ILS中的瞳面15的附近。因此,第一双折射构件12与第二双折射构件13,是在实质上配置于大概与照明光学系统ILS中的瞳面15为等价的场所。
因此,透射第一双折射构件12与第二双折射构件13的照明光IL以按照其位置所决定的入射角度及入射方向,入射于光栅R。即,图4C中在原点(X=0、Y=0的位置)上所分布的光束是以垂直入射于光栅R,从原点离开所定距离位置所分布的光束,是以与此距离大概成比例的入射角以倾斜入射于光栅R。又,其入射方向,是等于其点的从原点的方位角的方向。
在图4C及图5所示外圆C1及内圆C2,是对于光栅R为构成所定环带照明的照明光分布的境界。各圆C1、C2的半径,是以决定上述第一双折射构件12与第二双折射构件13的厚度形状(厚度分布)所使用的基准长度为单位,以外圆C1的半径为1.15、内圆C2的半径为0.85。即,对于环带照明的环带比(内圆的半径/外圆的半径)是设想为0.74。此是虽设想为一般所使用的所谓“3/4环带照明(内半径∶外半径=3∶4)”者,当然适用于本发明的环带照明的条件,是非限定于此。
从图4C可明瞭,从第二双折射构件13所射出的照明光,在外圆C1及内圆C2所围绕的环带领域的特定环带领域36内,变成将其特定领域36的圆周方向为偏光方向的以直线偏光为主成分的偏光状态。
从图4C及图5比较时,X轴上及Y轴上的照明光的偏光状态是大概相等。但是,以原点为中心从各轴离开45°程度的位置(在图4C及图5中,右上、左上、左下、右下的位置)的偏光状态,对于图5大概为圆偏光,在图4C是变换于特定环带领域的圆周方向的直线偏光。此是由于第二双折射构件13的作用所引起者,第二双折射构件13藉由在图4C中的左上及右下的领域作为1/4波长板发挥机能,在左下及右上的领域各作为-1/4波长板及其等价的3/4波长板发挥机能。
尚且,在实际上的曝光装置,其特定环带领域36的外圆C1的实际半径,是由图1的投影光学系统25的光栅R侧的开口数(NA)、照明光学系统ILS中的中继透镜16及集焦透镜18、19所构成的光学系统的焦点距离,并且由设定的相干系数(coherence factor)(照明σ)的值决定,内圆C2的半径是由更再设定的环带比所决定的值。然而,对于此环带照明的条件,不消说,在其特定环带领域36所分布的照明光的偏光方向,以与在各位置的环带领域的圆周方向一致的方式决定第一双折射构件12与第二双折射构件13的厚度形状。
在此,对于决定第一双折射构件12与第二双折射构件13的厚度形状,是使其形状在XZ面内以比例扩大或比例缩小,对于Y方向(光的进行方向)不变化其凹凸量的意思。
以上,对于第一与第二双折射构件12、13的第一实施例,是由不使光束减光的第一及不二不均一波长板,以无照明光束的光量损失的状态,可使特定环带领域所分布的照明光的偏光方向,与在各位置的环带领域的圆周方向成为一致。在此种场合,其照明光中,通过其特定环带领域36照射于光栅R的照明光,即以特定入射角度范围照射于光栅R的特定照明光,是变成为其偏光方向对于入射面以垂直方向的S偏光为主成分的偏光状态的光。藉此,由转印对象的图案的周期性等,有提升转印像的对比(contrast)、解像度,及焦点深度等的场合(详细后述)。
其次,参照图6A~6C对于图1的照明光学系统ILS中的第一及第二双折射构件12、13的第二实施例进行说明。
在本例,第一双折射构件12与第二双折射构件13的构成结构,是基本上也与上述第一实施例所示者同样。即,第一双折射构件12,是如图2A及图2B所示具有进相轴方向及厚度形状,第二双折射构件13,是如图3A及图3B所示具有进相轴方向及厚度形状。但,在本例是变更关于两双折射构件12、13的厚度函数的形式。
图6A是对应于图4A,在此第二实施例表示对于第一双折射构件12所形成的偏光间相位差ΔP1的X方向位置的特性。图6A的偏光间相位差ΔP1,是如下以包含关于γ位置X的三角函数的函数。
ΔP1=0.265{1-cos(π×X2)}....(5)
此种偏光间相位差ΔP1,是将第一双折射构件12的厚度TA,对于X方向的位置藉由以下函数的表示而可实现。
TA=T1+γ×{1-cos(π×X2)}....(6)
在此,γ是比例系数。与第一实施例同样,以水晶形成第一双折射构件12的场合,使中心的厚度T1设定于14.239μm的整数倍,将比例系数γ设定为3.77μm即可。3.77μm,是给予1波长分的偏光间相位差的水晶的厚度14.239μm,以上述(5)式的系数倍的0.265倍的值。
图6B,是表示在本第二实施例的第二双折射构件13所形成的偏光间相位差ΔP2的对于XZ方向的位置的特性。图6B的偏光间相位差ΔP2,是可如以下以包含关于位置XZ的三角函数的函数表示。
ΔP2=0.25+0.5×sin(0.5×π×XZ3)....(7)
此种偏光间相位差ΔP2,是以第二双折射构件13的厚度TB,对于XZ方向的位置XZ藉由以下函数表示而可实现。
TB=T2+δ×sin(0.5×π×XZ3)....(8)
在此,δ是比例系数。以水晶为第二双折射构件13时,将中心的厚度T2设定为14.239μm的(整数+1/4)倍,使比例系数设定为7.12μm即可。
在本例,第一双折射构件12与第二双折射构件13作为给予透射光的偏光间相位差也按照各场所而异的以第一及第二不均一波长板而发挥机能。然而,将入射于第一双折射构件12的偏光于X方向的直线偏光光,变换成如图6C所示的偏光分布,再从第二双折射构件13射出。
将图6C与图4C比较时可明瞭,以本第二实施例的第一双折射构件12及第二双折射构件13的一方,比上述在第一实施例所示者,可将外圆C1及内圆C2所围绕的特定环带领域36内所分布的照明光的偏光状态,较接近于成为平行于其圆周方向的直线偏光。此是,本第二实施例的第一双折射构件12与第二双折射构件13采用以三角函数的高次函数所定的厚度形状(即面形状)的关系,可进行较高精度的偏光控制。
但,在第一实施例所示的第一双折射构件12及第二双折射构件13,是以至五次的高次函数构成的关系,在偏光控制特性上虽稍差,因加工容易可使制造成本控制为低廉的优点。
尚且,为更再抑制第一、第二双折射构件12、13的制造成本,例如也可将第一双折射构件12的表面形状成为圆筒状的(cylindrical)面(对于X方向的断面成为圆形的面),使第二双折射构件13的表面形状成为锥形(taper)面(倾斜面)。此种场合的偏光控制特性,是虽比第一实施形态者稍差,对于投影曝光装置的用途可得充分效果,一面可图谋上述的低廉制造成本,一面可实现高性能的曝光装置。
以如此使第二双折射构件13的表面形状成为锥形面,是透射第二双折射构件13的光束的偏光间相位差可按照第二双折射构件13的面内位置以线形(一次函数)决定的意思。
可是,图1的第一双折射构件12与第二双折射构件13的形状是并非限定于上述的第一及第二实施例所示的形状,只要其透射光的上述特定环带领域内的偏光状态,在其各部分,可一致于其圆周方向的形状时,任何形状均可。
例如,第一双折射构件12及第二双折射构件13的形状,是并非以上述的连续并且微分连续的函数所表示的形状,也可在所定位置以阶段性的形状变化的阶段状的形状。又,在此种阶段状的形状的形成,以替代机械或机械化学的研磨方法,适合于由蚀刻加以形成。
尚且,为实现此种偏光状态,如入射于第一双折射构件12的光束的偏光状态以直线偏光为主成分的单一偏光状态所构成的照明光的场合,第一双折射构件12,是以照明系统光轴AX2为中心可给予具有二次旋转对称(symmetry of revolution)性的偏光间相位差者为宜。此是,不消说,如在上述第一及第二实施例所示,包含对X方向具有偶函数,对于Y方向具有一定厚度的不均一波长板。
又,第二双折射构件13,是以照明系统光轴AX2为中心可给予具有一次旋转对称性的偏光间相位差的不均一波长板为宜。一次旋转对称性,是偏光间相位差的分布,对于直交于照明系统光轴AX2的两条轴中的一方轴大概为对称,对于他方轴大概为反对称。反对称,一般是对于座标轴的反转其绝对值虽为相等其符号则为反转的函数,在此,是包含在一般性的反对称函数,加上常数补偿(offset)的函数。此是,不消说,如在上述的第一及第二实施例所示,包含对于XZ方向具有以附上补偿的奇函数所决定的厚度,对于与此直交的方向具有一定厚度的不均一波长板。
又,在本实施形态,特别,使上述的特定环带领域所分布的照明光设定于所定的偏光状态较为重要的关系,对于第一双折射构件12及第二双折射构件13的形状,在不对应于上述特定环带领域的场所,不消说,虽然其形状不满足上述条件时也并无有特别的问题。
尚且,对于第一双折射构件12及第二双折射构件13的块数或进相轴方向,也并非限定于上述第一、第二实施例所示者。即,也可使三块以上的双折射构件沿照明光的进行方向(沿照明系统光轴AX2)以串联排列,以其进相轴方向的光轴AX2为中心的旋转关系也并非限于45°。又,在将三块以上的多个双折射构件沿照明光的进行方向串联配置的场合,在上述特定环带领域的至少一部分领域,最好大致在其全周的领域,为使照明光的偏光状态成为大略平行于圆周方向的直线偏光起见其多个双折射构件中的至少一个双折射构件的进相轴方向与其他双折射构件的进相轴方向不同即可。
以同样,双折射构件12、13的材质也不限于上述的水晶,也可使用其他双折射材料,也可利用萤石的真性双折射(Intrinsic Birefringnce)形成。又,也可将本来无双折射的合成石英等的材料加上应力等使具有双折射性者,作为双折射构件12、13等使用。
更且,对于双折射构件12、13,也可使用在无双折射性的透射性基板上贴合具有双折射性材料者。此种场合,上述的厚度是不消说指具有双折射性的材料的厚度。在此贴合,是不仅以粘着、压接等的机械方式的接合,也可使用在透射性基板上的蒸镀的手段使具有双折射性的薄膜成膜形成的方法。如上所述,上述第一、第二实施例所示的第一双折射构件12及第二双折射构件13的厚度形状等,虽是由所使用材料的双折射的大小而有所变化,不消说,虽然在使用水晶以外的材料的场合,也可适用上述的形状决定方法,以决定其形状。
在此,在上述的环带照明,对于分布于环带领域内的照明光的偏光状态,以一致于其环带领域的圆周方向的照明光的优点,以参照图7A、7B、7C及图8A、8B、8C进行简单说明。
图7A是表示在图1的光栅R上所形成的微细周期图案PX的一例。周期图案PX,是在与图1同一XYZ座标是的X方向具有周期性的图案,其间距PT,是考虑到图1的投影光学系统25的投影倍率换算于晶圆W上的比例尺值为140nm。图7B是将此图案,使用波长193nm的照明光,以相干系数(照明σ)为0.9,环带比为0.74的环带照明来照明的场合,表示在晶圆侧的开口数(NA)为0.90的投影光学系统25的瞳面26(参照图1)内所形成的衍射光(diffracted light)的分布。
图7C是表示照明其图案PX的环带照明的条件的图,在图1的照明光学系统ILS的瞳面15中,从满足上述环带照明的条件的环带领域IL0的照明光照明其图案PX。从周期图案PX的图7B的0次衍射光D0,是其全部分布于瞳面26内,透射投影光学系统25到达晶圆W,一次衍射光D1R及D1L,是仅以一部分,可能透射瞳面26及投影光学系统25。光栅R的图案PI的像,是虽以0次衍射光D0与一次衍射光D1R、D1L的干涉条纹(moiréfringe)形成于晶圆W上,形成干涉条纹者,是限于在照明光学系统ILS的瞳面15从同一位置所发的照明光所产生的0次衍射光的对偶(pair)。
在图7B中位置于瞳面26的左端部的一次衍射光D1L,是与0次衍射光D0中位置于右端部的部分成为对偶者,此等衍射光,是从图7C中的环带领域IL0中的右端部分领域ILR所照明的照明光。一方面,位置于图7B中的瞳面26的右端部的一次衍射光D1R,是与0次衍射光D0中的位置于左端部的部分成为对偶者,此等衍射光,是从图7C中的环带领域IL0中的左端部分领域ILL所照射的照明光。
即,在进行如此种在X方向具有微细间距的图案PX的曝光时,从照明光学系统ILS的瞳面15上的环带领域IL0所发的照明光中,有贡献于图案PX的结像的光束,是限于部分领域ILR及部分领域ILL,从环带领IL0内的其他领域所发的照明光,是为不贡献于图案PX的结像的照明光。
可是,在进行如图案PX在X方向具有周期性,在Y方向具有长度方向的图案的曝光之际,如在光栅R上以具有Y方向的偏光方向的直线偏光照明时,可提升投影像的对比乙节,已在上述的非专利文献1(Thimothy A.Brunner,el al.:“High NA Lithographic imaging at Brewsten’s angel”,SPIE Vol.4691,pp1~24(2001)等被报告。
因此,将图7C的部分领域及部分领域ILL内所分布的照明光,使成为各偏光于图7C中的平行于Z方向的PR方向及PL方向(考虑图1中的镜面19的作用时在光栅R上是对应于Y方向)的直线偏光光时,有效于图案PX的投影像的对比提升,进而解像度及焦点深度的提升。
其次,光栅图案与图7A的图案PX旋转90°,在Y方向具有微细间距的周期图案的场合,在图7B所示的衍射光分布也成为旋转90°。此结果,有贡献于周期图案的像形成的照明光所通过部分领域也配置于将在图7C所示的部分领域ILR及部分领域ILL旋转90°的位置(即,图7C中的上端及下端),并且好偏光状态,是成为偏光方向一致于X方向的直线偏光。由以上,如使共同包含在X方向具有微细周期性的图案PX,与在Y轴方向具有微细的图案PY的光栅R曝光之际,是以使用具有如图8A~8C所示的偏光状态的照明光为较有效。
图8A是将图1的照明光学系统ILS的瞳面15与光栅R的关系以简单表示的斜视图,图1中的中继透镜16、聚焦透镜18、20等,是以从略。如上所述,分布于图8A中的环带领IL0内的照明光,为提升在X方向具有周期性图案PX的结像性能,是在其X方向的端部ILL、ILR以Y方向(图8A的穿过纸面的方向)的直线偏光为宜,为提升在Y方向具有周期性图案PY的结像性能,是在Y方向的端部ILU、ILD以X方向的直线偏光为宜。即,以使用其偏光方向大概一致于环带领域IL0的圆周方向的直线偏光为宜。
更且,在光栅R,不仅为X方向及Y方向在包含其中间方向(45°及135°方向)的图案的场合,也考虑到此等图案的方向性,是以使用其偏光方向与环带领域的圆周方向完全一致的直线偏光为宜。
可是,上述的偏光状态,对于与适合于环带领域IL0内各部分的偏光状态的方向性图案直交的图案,并不一定实现有效的偏光状态。例如,从部分领域ILU向X方向偏光的照明光,对在X方向具有周期性在Y方向具有长度方向的图案PX的结像,是为不好的偏光方向。但,从图7C可明瞭图7C是表示有贡献于在X方向具有微细间距的图案的结像的光源,在图7C相当于环带领域IL0的上端的部分领域ILU,是为究竟对在X方向具有微细间距的图案的结像无任何贡献的光源的关系,不管部分领域ILU的偏光状态为任何者,完全不会使其结像特性恶化。
尚且,如图8A所示,在照明光学系统ILS的瞳面15大略与环带领域IL0的圆周方向一致的直线偏光,是对于光栅R以所谓S偏光入射,S偏光,是对于光束入射于物体的入射面(包含物体的法线与光束的平面)为直交的直线偏光的意思。即,从与环带领域IL0的圆周方向一致的方向的直线偏光所构成的部分领域ILL的照明光ILL1,是如图8B所示,偏光方向EF1对于入射面(图8B的纸面)以垂直的S偏光入射于光栅R。又,对于同样的部分领域ILD上的照明光ILD1,如图8C所示,偏光方向EF2也对于入射面(图8C的纸面)以垂直的S偏光入射于光栅R。
理所当然,从上述部分领域ILL、ILD与对于照明光学系统的光轴AX41成为对称位置的部分领域ILR、ILU的照明光,也在部分领域ILR、ILU上各照明光具有一致于环带领域IL0的圆周方向的偏光方向的关系,从对称性也同样成为S偏光入射于光栅R。对于环带照明的一般性质,在环带领域IL0上所分布的照明光的向光栅R的入射角度,是成为从照明光学系统的光轴AX41(即对于光栅R的垂线)以角度φ为中心的所定角度范围。将以此入射角度照射于光栅R的光束,在以下称为“特定照明光”。此角度φ及角度范围以依据照明光的波长和光栅R的应转印的图案的间距等决定为宜。
可是,上述的第一、第二双折射构件12、13,虽是将从其构件固有的形状所决定的所定外半径(外圆C1)与内半径(内圆C2)间的特定环带领域内所分布的照明光的偏光状态,变换于平行于该特定环带领域的圆周方向的直线偏光为主成分的偏光状态,其半径(C2、C1)是不容易变更。
于是,如上所述,在有必要将所期望的环带领域依据应转印于光栅R上的图案的间距等变更的场合,在图1的第一、第二双折射构件12、13与蝇眼透镜14等的光学积分器之间,如图9所示,加设变焦距型的多个圆锥棱镜41、42,以使上述的特定环带领域的半径成为可变为宜。在图9,变焦距型的多个圆锥棱镜者,是将具有凹型圆锥面41b的凹圆锥棱镜41与具有凸型圆锥面42a的凸圆锥棱镜42,以其间隔D0为可变沿照明系统光轴AX2配置者。
在此种场合,透射第一、第二双折射构件12、13分布于以平均半径RI为中心的特定环带领域的照明光,是由变焦距型的圆锥棱镜41、42,在蝇眼透镜14的入射面及其射出面的照明光学系统的瞳面15,扩大为半径R0。此半径R0是藉由扩大两圆锥棱镜41、42间隔DD而可扩大,藉由缩小其间隔DD而可缩小。
藉此,在照明光学系统的瞳面15,可将由平行于其圆周方向的直线偏光所构成的照明光所分布的特定环带领域,能以任何半径形成,可将环带照明的照明条件,按照应转印的光栅R的图案来变更。
尚且,以替代上述变焦距型棱镜41、42,当然也可使用变焦距光学系统。
虽然,在以上的实施形态以形成于图1的照明光学系统ILS的瞳面15的照明光量分布为环带领域,即以适用于环带照明的前提来说明,由图1的投影曝光装置可实现的照明条件,并非必定限定于环带照明。即,图1的双折射构件12、13和图9的变焦距型圆锥棱镜41、42,是使分布于照明光学系统的瞳面15内的特定环带领域内的照明光的偏光状态,设定于上述的所期望的偏光状态的关系,虽然将照明光的分布限定于其特定环带领域内的更再特定的部分领域内的场合,即,例如虽限定于图7C中的部分领域ILL、ILR的场合,不消说,可将分布于其部分领域的圆周方向的偏光方向的直线偏光为主成分的照明光。
以如此,如要使照明光仅聚光于特定环带领域内的更再特定领域内时,交换图1中的衍射光学元件9a,将从其他衍射光学元件所产生的衍射光(照明光)集中于第一双折射构件12、第二双折射构件13上的特定环带领域中的更再特定离散的领域即可。使照明光集中的场所,虽然例如在图7C中为部分领域ILL、ILR的两场所,不限于此,也可集中于特定环带领域中的任意场所,其个数也可为四个。其选定是按照光栅R上的曝光对象的图案形状来决定即可。
尚且,以如此使照明光集中于特定领域内的更再特定领域的场合,以替代上述的变焦距型的圆锥棱镜41、42,也可使用将金字塔型等的凸型多面体棱镜与凹型的多面体棱镜,以可变更间隔的同一方式所组合的光学构件群。
尚且,分布于此等特定领域以外的照明光,是不适于上述曝光对象的图案曝光的关系,在实质上也有使其光量分布成为0时为较好的场合。一方面,由于衍射光学元件9a等的制造误差等,从衍射光学元件9a等向所期望方向的外也产生衍射光(以下称为“误差光”。),在上述的部分领域以外也有照明光分布的可能性。于是,例如在图1的蝇眼透镜14的入射面侧或在射出面侧加设光圈,以构成为使此误差光遮光的结构。由此上述的多个特定领域的照明光量分布是完全成为离散者。但是,在光栅R上也有上述曝光对象的图案以外的图案存在,上述误差光,也具有有效于此等对象外的图案结像的场合的关系,也有并不一定必要使特定领域以外的照明光量分布为0的场合。
可是,着眼于照明光的向光栅R的入射,将瞳面15上的照明光量分布,限定于特定环带领域内的更再特定领域内者,加上由环带照明的入射角度范围的限制,对于其入射方向也成为仅从上述的实质上离散的多个方向来限制。当然,将本发明适用于环带照明的场合,也可构成为将分布于特定环带领域以外的误差光,以在蝇光透镜14的入射面侧或射出面侧设光圈以遮光的结构。
尚且,在以上的实施形态,虽然以使用蝇眼透镜14为光学积分器,对于光学积分器也可使用内面反射型积分器(例如玻璃棒(glass rod))。此种场合,玻璃棒的射出面是并非在照明光学系统的瞳面14,配置于与光栅R的共轭面。
又,在以上的实施形态,对于曝光光源1的激光光源,虽是为偏光于X方向的直线偏光光所射出者,依据激光光源的形态,也有偏光于图1中的Z方向的直线偏光或以其他偏光状态的光束所出射的场合。图1中的曝光光源1,以直线偏光于Y方向的光,即,在双折射构件12、13的位置以直线偏光于Z方向的光射出的场合,是将上述的第一及第二实施例所示的双折射构件12、13,以照明系统光轴A×2为旋转中心藉由90°旋转,可得与图4C及图6C所示的偏光状态大略同样偏光状态的照明光(正确是将两图所示状态以90°旋转状态的照明光)。
或者,也可藉由图1中的偏光控制构件4(偏光控制机构),将从曝光光1所射出的Y方向的直线偏光变换于X方向的直线偏光。此种偏光控制元件4由所谓1/2波长板可容易的实现。尚且,曝光光源1在射出圆偏光或椭圆偏光的场合,也以同样藉由使用1/2波长板或1/4波长板为偏光控制构件4,可变换于所期望的Z方向的直线偏光。
但是,偏光控制构件4,是并非可将从曝光光源1所照射的任意偏光状态的光束,以无光量损失变换于Z方向的偏光。因此,曝光光源1,是有必要产生直线偏光、圆偏光、椭圆偏光等,具有单一偏光状态的光束(由波长板等可以无光量损失变换为直线偏光的光束)。但是,对于照明光的全体强度,在上述单一偏光状态以外的光束强度在并非大如某种程度的场合,单一偏光状态以外的光束的对结像特性的恶影响变为轻微的关系,只要到某程度(例如为全光量的20%以下程度),从曝光光源1所照射的光束,是可包含上述单一偏光状态以外的光束。
尚且,考虑上述实施形态的投影曝光装置的使用状态时,使照明光的偏光状态以经常将分布于上述特定环带领域的照明光成为大概平行于其环带领域的圆周方向的直线偏光,或设定上述特定照明光对于光栅R以S偏光入射,并非以限于此为最佳。即,依照应曝光的光栅R的图案。并非以环带照明也有以采用通常照明(在照明光学系统的瞳面15,具有圆形照明光量分布的照明)为较佳的场合,此种场合,是也有以不使用具有上述实施形态的偏光状态的照明光为较佳的场合的关系。
于是,为对应于此种使用状态,对于图1的偏光控制构件4,采用可将从激光等的光源所射出的光束的偏光状态,能按照需要可变换于任意偏光等的元件或光学系统即可。此可由例如图10所示的两个偏光射束分裂器(beam splitter)4b、4c等来实现。
图10是表示在图1的偏光控制构件4的位置所设置的偏光控制光学系统,在此图10,例如由直线偏光所构成的照明光束IL0(对应于图1的照明光IL)入射于由1/2波长板或1/4波长板所构成的旋转波长板4a。藉此变换于图10的纸面倾斜45°方向的直线偏光或圆偏光的照明光IL1是由最初的偏光射束分裂器4b对于分裂面分裂为由P偏光成分所构成的光束IL2及由S偏光成分所构成的IL3,一方的光束IL2是以经棱镜4b直进于图10中的上方,他方的光束IL3是反射于图10中的右方。
直进的光束IL2虽然入射于其次的偏光射束分裂器4C,从其偏光特性,其光束IL2是在偏光射束分裂器4C内直进,成为光束IL4前进于图10中的上方。一方面,反射的光束IL3由镜面4d、4e经反射后入射于偏光射束分裂器4C,在此经再反射的光束IL3与上述的直进光束IL4再度合流。此时,偏光射束分裂器4b及4c与镜面4d及4e的间隔各为DL时,在合流的两光束IL3、IL4之间形成2×DL的光程长差。然而,使此光程长差2×DL设定比照明光束的相干(coherent)长较长时,两光束间的可干涉性消失的关系,可使合流的光束在实质上成为任意偏光。
尚且,将此种偏光控制光学系统装填于图1的照明光学系统ILS中时,透射此的照明光IL是经常成为任意偏光,为实现上述实施形态不能说不成为障害。但是,在图10所示的光学系统藉由旋转波长板4a的旋转,使透射旋转波长板4a的照明光IL1的偏光状态,可将其全部变换于透射最初的射束分裂器4b的直线偏光的关系,在原理上是不产生上述的障害。但是,由于在偏光射束分裂器4b、4c的吸收,和在镜面4d、4e的反射损失等产生某种光量损失为不能回避的关系,在不需要将照明光任意偏光化的场合,也可设将射束分裂器4b、4c及旋转波长板4a避让于照明光学系统的光程外的机构。
可是,即使不使用此种偏光射束分裂器,由以下的简便方法也可得大概与任意偏光照明同样的效果。此是,将入射于图1的第一双折射构件12的照明光IL的偏光状态,成为从图1中的X方向及Y方向离开45°的方向,藉由使分布于上述特定环带领域的照明光变换于大概圆偏光而可实现。因此,将本实施形态的投影曝光装置,在可将圆偏光视为近似于任意偏光的用途使用的场合,即所要求的结像性能,以比较不严用途所使用的场合,使图1中的偏光控制构件4例如以1/2波长板构成,藉由将入射于第一双折射构件12的照明光的偏光状态,成为如上所述从X轴及Y轴倾斜45°的方向时,也可得与任意偏光照明大概同样的效果。又,以同样使遍光控制构件4例如以1/4波长板构成,藉由将入射于第一双折射构件12的照明光的偏光状态,成为圆偏光时,也可得与任意偏光照明同样的效果。
或者,将图1中的第一双折射构件12及第二双折射构件13,以照明光学系统ILS的光轴的照明系统光轴AX2为中心由作为总括可旋转的机构,使两双折射构件12、13与照明光的直线偏光的方向的关系,例如藉由旋转45°,也可得与任意偏光照明同样的效果。
可是,在上述的通常照明中,也有将其偏光状态以设定于向所定的一方向的直线偏光为较好的场合。在上述的实施形态的投影曝光装置,如要对应于此种照明条件时,将图1中的第一双折射构件12及第二双折射构件13等的各双折射构件,各为独立以照明系统光轴AX2为中心设以总括可旋转的机构,以各双折射构件的进相轴(或迟相轴)与照明光的直线偏光的方向成为平行的方式设定各双折射构件的旋转方向即可。此种场合,照明光虽然进行于各双折射构件也完全不受偏光状态的变换作用,以一如保持入射时的直线光的原样出射。
尚且,在向所定的一方向的直线偏光状态的设定之际,藉由将第一双折射构件12及第二双折射构件13等以总括避让于照明光学系统的光程外,也可对应。即,设置交换机构,也可藉由总括交换双折射构件等以对应于向所定的一方向的直线偏光状态。又,如要设交换机构时,也可构成为可设定交换机构中的多组的双折射构件群,将此等以可交换的方式可配置于照明是光轴AX2上的位置上的结构。此种场合,不消说,各双折射构件群是在各具有不同的外半径、内半径的特定环带领域,以具有使照明光变换以沿其周方向的直线偏光的特性为宜。
可是,以使用如上述的向所定的一方向的直线偏光的照明光为宜者,例如是将图案的方向齐全的空间频率调制型的相位移位光栅曝光的场合。然而,在此种场合,为更提升被曝光转印的图案的解像度及焦点深度起见,照明光的相干系数(σ值),是以0.4程度以下者为宜。
在此,对于依照本发明的双折射构件(第一双折射构件12及第二双折射构件13)的作用,以参照图4C及图6C再考究时,如各在两图所示,共同于第一双折射构件12及第二双折射构件13的第一实施例(图4C)与第二实施例(图6C),可知,以照明光学系统的光轴(X=0、Y=0)为中心,在特定环带领域的外半径C1的半径的一半程度为半径的圆(未图示)内侧所分布的照明光的偏光状态,几乎不受影响。
外半径C1的半径,以照明σ(σ值)例如为相当于0.9时,在照明σ=0.45的照明光束的范围内,第一双折射构件12及第二双折射构件13将入射的X方向的直线偏光,大概以保持原样的偏光状态射出。又,在第一双折射构件12入射Z方向的直线偏光(Z偏光)时,从第二双折射构件13所射出的光束中,可使上述照明σ=0.45程度的照明光束的偏光状态为Z偏光。
因此,如要使用如上述第一及第二实施例的双折射构件(第一双折射构件12及第二双折射构件13)时,不需将此避让于照明光学系统的光程外,将向双折射构件的入射光的偏光方向,藉由切换上述的偏光控制构件4等而可实现适合于向上述的空间频率调制型相位移位光栅的照明,且照明σ为0.4程度以下的照明光束,并且在X方向或Z方向的偏光(在图1的光栅R上各为X方向或Y方向的偏光)的照明光。
当然,在此种场合,也要使照明σ限制于0.4程度时,不消说,以使用所产生的衍射光的方向特性成为可对应于此的角度分布的衍射光学元件9a为宜。藉此,不需要设上述总括交换机构也可形成各种实用上的偏光状态的照明光束乙节,也为本发明的优点。
其次,对于使用上述的实施形态的投影曝光装置的半导体元件的制造制程的一例以参照图11进行说明。
图11是表示半导体元件的制造制程的一例,在此图11,首先从硅半导体等制造晶圆W。其后,在晶圆W涂布光刻胶(photoresist)(步骤S10),在其次的步骤S12,在上述实施形态(图1)的投影曝光装置的光栅机台上装设光栅(假定为R1),在晶圆机台上装设晶圆W,以扫描曝光方式将光栅R1的图案(以符号A表示)转印(曝光)于晶圆W上的全部摄影领域SE。此时按照需要进行双重曝光。尚且,晶圆W是例如为直径300mm的晶圆(12英时晶圆),摄影领域SE的大小的一例非扫描方向的宽度为25mm扫描方向的宽度为33mm的矩形领域。其次,在步骤S14,藉由进行显像及蚀刻和离子注入等,在晶圆W的各摄影领域SE形成所定的图案。
其次,在步骤S16,在晶圆W上涂布光刻胶,其后在步骤S18,在上述实施形态(图1)的投影曝光装置的光栅机台上装设光栅(假定为R2),在晶圆机台上装设晶圆W,以扫描曝光方式将光栅R2的图案(以符号B表示)转印(曝光)于晶圆W上的各摄影领域SE。然而,在步骤S20,藉由进行晶圆W的显像及蚀刻和离子注入等,在晶圆W的各摄影领域形成所定的图案。
以上的曝光制程~图案形成制程(步骤S16~步骤S20),是以重复制造所期望的半导体元件所需要的次数。然而,藉由经过将晶圆W上的各晶片CP以一个一个切离的切割(dicing)制程(步骤S22)和结合(bonding)制程及组装(packaging)制程等(步骤S24),以制造成为制品的半导体元件SP。
依照本例的元件制造方法时,用上述的实施形态的投影曝光装置进行曝光的关系,在曝光制程,在提升照明光(曝光光束)的利用效率的状态以所定的偏光状态可照明光栅。因此,微细间距的周期性图案等的解像度等有提升的关系,可以更高集积度将高性能的半导体集成电路,能以高处理能力(throughput)廉价的制造。
又,上述实施形态的投影曝光装置可藉由将由多个透镜所构成的照明光学系统、投影光学系统组装于曝光装置机体经光学调整,将由多数机械构件所构成的光栅机台和晶圆机台组装于曝光装置机体并接连配线和配管,更藉由综合调整(电调整、动作确认等)来制造。尚且,其投影曝光装置的制造,是以在温度及清洁度等经管理的清洁室(clean room)进行为宜。
又,本发明,是不仅在扫描曝光型的投影曝光装置,也可适用于曝光装置等的总括曝光型的投影曝光装置。又,所使用的投影光学系统的倍率,是不仅为缩小倍率,也可为等倍或扩大倍率者。更且,本发明,是也可适用于例如国际公报(WO)第99/49504号等所提示的液浸型曝光装置。
又,对于本发明的投影曝光装置的用途,并非限定于半导体元件制造用的曝光装置,也可广加适用于例如在角型玻璃基板所形成的液晶显示元件,或者电浆显示器等的显示装置用的曝光装置和摄影元件(CCD等)、微机械(micro machine)、薄膜磁头、及DNA晶片等的制造各种元件的罩幕图案的光罩(包含X线罩幕的光罩、光栅等)以使用光刻制程制造时的曝光制程(曝光装置)。
又,不消说,上述的实施形态所示的投影曝光装置所含的照明光学系统2~20,是也可适用为照明光栅R等的第一物体的照明光学装置。
尚且,本发明,是并非限定于上述的实施形态,在不脱离本发明的要旨的范围当然可取得种种构成结构。在2003年10月28日提出的日本专利申请特愿2003-367-963号案中所含有的说明书、权利要求的范围、图式及摘要的所有揭露内容全部都直接引用而并入本案中。
依照本发明的元件制造方法时,可提高曝光光束(照明光)的利用效率的同时,能以高精度形成所定图案。因此,可将半导体集成电路等的各种元件能以高精度,并且以高处理能力制造。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上,然其并非用以限定本发明,任何熟习此技艺者,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许的更动与润饰,因此本发明的保护范围当视后附的权利要求范围所界定者为准。

Claims (42)

1.一种投影曝光装置,包括将来自光源的照明光照射于第一物体的照明光学系统与将前述第一物体上的图案像投影于第二物体上的投影光学系统,其特征在于:
前述光源,在实质上以单一的偏光状态产生前述照明光;
前述照明光学系统,包括沿前述照明光的进行方向配置的多个双折射构件;
并且前述多个双折射构件中的至少一个双折射构件的进相轴方向与其他双折射构件的进相轴方向不同;以及
前述照明光中,使以特定入射角度范围照射于前述第一物体的特定照明光成为以S偏光为主成分的偏光状态的光。
2.根据权利要求1所述的投影曝光装置,其特征在于,包括光束限制构件,以使照射于前述第一物体的前述照明光限制在前述特定照明光。
3.根据权利要求2所述的投影曝光装置,其特征在于,前述光束限制构件,更使照射于前述第一物体的前述照明光的入射方向限制于特定的实质上的离散的多个方向。
4.一种投影曝光装置,包括将来自光源的照明光照射于第一物体的照明光学系统与将前述第一物体上的图案像投影于第二物体上的投影光学系统,其特征在于:
前述光源,在实质上以单一的偏光状态产生前述照明光;
前述照明光学系统,包括沿前述照明光的进行方向配置的多个双折射构件;
并且前述多个双折射构件中的至少一个双折射构件的进相轴方向与其他双折射构件的进相轴方向不同;以及
在前述照明光学系统中的瞳面或其附近的面内,使通过以前述照明光学系统的光轴为中心的所定环带领域的特定环带领域内的至少一部分领域的前述照明光,成为以前述特定环带领域的圆周方向为偏光方向的直线偏光为主成分的偏光状态。
5.根据权利要求4所述的投影曝光装置,其特征在于,包括光束限制构件,将照射于前述第一物体的前述照明光限制成实质上分布于前述特定环带领域内的光束。
6.根据权利要求5所述的投影曝光装置,其特征在于,前述光束限制构件,将前述光束更限制于前述特定环带领域内的实质上的离散的多个领域内。
7.根据权利要求2、3、5或6任一项所述的投影曝光装置,其特征在于,前述光束限制构件,包括在前述光源与前述多个双折射构件之间配置的衍射光学元件。
8.根据权利要求1至6任一项所述的投影曝光装置,其特征在于,前述多个双折射构件的至少一个构件,其为使透射光中在平行于进相轴的直线偏光成分与平行于迟相轴的直线偏光成分之间给与相位差的偏光间相位差,对于前述构件的位置非线性变化的不均一波长板。
9.根据权利要求8所述的投影曝光装置,其特征在于,前述不均一波长板,包括第一不均一波长板,对于前述特定照明光或分布于前述特定环带区域的照明光,以前述照明光学系统的光轴为中心给与具有二次旋转对称性的偏光间相位差。
10.根据权利要求9所述的投影曝光装置,其特征在于,前述不均一波长板,包括第二不均一波长板,对于前述特定照明光或分布于前述特定环带区域的照明光,以前述照明光学系统的光轴为中心给与具有一次旋转对称性的偏光间相位差。
11.根据权利要求10所述的投影曝光装置,其特征在于,前述第一不均一波长板及前述第二不均一波长板,其前述进相轴以前述照明光学系统的光轴为中心,彼此离开45°。
12.根据权利要求1至6任一项所述的投影曝光装置,其特征在于,更包括光学积分器,配置于前述多个双折射构件与前述第一物体之间。
13.根据权利要求12所述的投影曝光装置,其特征在于,更包括于前述多个双折射构件与前述光学积分器之间配置的变焦距光学系统,间隔可变的圆锥棱镜群或多面体棱镜群。
14.根据权利要求12或13所述的投影曝光装置,其特征在于,前述光学积分器为蝇眼透镜。
15.根据权利要求1至6任一项所述的投影曝光装置,其特征在于,包括偏光控制机构,配置在前述光源与前述多个双折射构件之间,以变换来自前述光源的前述照明光的偏光状态。
16.根据权利要求1至6任一项所述的投影曝光装置,其特征在于,包括旋转机构,以前述照明光学系统的光轴为中心,可使前述多个双折射构件的一部分或全部能够旋转。
17.根据权利要求1至6任一项所述的投影曝光装置,其特征在于,具备有多组前述多个双折射构件,且包括双折射交换机构,使前述多组的前述多个双折射构件,以能够交换的方式配置于前述照明光学系统内。
18.一种曝光方法,其特征在于:使用权利要求1至6任一项所述的投影曝光装置,以作为前述第一物体的罩幕图案,使作为前述第二物体的感光体曝光。
19.一种元件制造方法,包括光刻制程,其特征在于:
在前述光刻制程中,使用权利要求18所述的曝光方法,将图案转印于感光体。
20.一种曝光方法,其特征在于:
使用权利要求7所述的投影曝光装置,以作为前述第一物体的罩幕图案像,使作为前述第二物体的感光体曝光。
21.一种元件制造方法,包括光刻制程,其特征在于:
在前述光刻制程中,使用权利要求20所述的曝光方法,将图案转印于感光体。
22.一种投影曝光装置,包括将来自光源的照明光照射于第一物体的照明光学系统与将前述第一物体上的图案像投影于第二物体上的投影光学系统,其特征在于:
前述光源,在实质上以单一的偏光状态产生前述照明光;
前述照明光学系统,包括沿前述照明光的进行方向依序配置的衍射光学元件与双折射构件。
23.根据权利要求22所述的投影曝光装置,其特征在于:
前述衍射光学元件,使照射于前述第一物体的前述照明光实质上限制为以特定的入射角度范围照射于前述第一物体的特定照明光;以及
前述双折射构件,使前述特定照明光成为以S偏光为主成分的偏光状态的光。
24.根据权利要求23所述的投影曝光装置,其特征在于,前述衍射光学元件,更将照射于前述第一物体的前述照明光的入射方向限制在特定的实质上的离散的多个方向。
25.根据权利要求22所述的投影曝光装置,其特征在于:
前述衍射光学元件,使前述照明光实质上限制为在前述照明光学系统中的瞳面内的,分布于以前述照明光学系统的光轴为中心的所定环带领域的特定环带领域内的光束;以及
前述双折射构件,使前述光束成为以圆周方向为偏光方向的直线偏光为主成分的偏光状态。
26.根据权利要求25所述的投影曝光装置,其特征在于,前述衍射光学元件,更使前述光束限制在前述特定环带领域内实质上的离散的多个领域内。
27.一种曝光方法,其特征在于,使用权利要求22至26任一项所述的投影曝光装置,以作为前述第一物体的罩幕图案像,使作为前述第二物体的感光体曝光。
28.一种元件制造方法,包括光刻制程,其特征在于:
在前述光刻制程中,使用权利要求27所述的曝光方法,将图案转印于感光体。
29.一种照明光学装置,将来自光源的照明光照射于第一物体,其特征在于,包括:
多个双折射构件,沿前述照明光的进行方向被配置;以及
前述多个双折射构件中的至少一个双折射构件的进相轴方向,与其他双折射构件的进相轴方向不同;其中
从前述光源所供给的实质上单一偏光状态的前述照明光中,使以特定入射角度范围照射于前述第一物体的特定照明光成为以S偏光为主成分的偏光状态的光。
30.根据权利要求29所述的照明光学装置,其特征在于包括光束限制构件,将照射于前述第一物体的前述照明光限制在前述特定照明光。
31.根据权利要求30所述的照明光学装置,其特征在于,前述光束限制构件,更将照射于前述第一物体的前述照明光的入射方向限制于特定的实质上离散的多个方向。
32.根据权利要求30或31所述的照明光学装置,其特征在于,前述光束限制构件包括衍射光学元件。
33.根据权利要求29至31任一项种所述的照明光学装置,其特征在于,前述多个双折射构件中至少一个构件,其为使透射光中在平行于进相轴的直线偏光成分与平行于迟相轴的直线偏光成分之间给予相位差的偏光间相位差,对于前述构件的位置非线性变化的不均一波长板。
34.根据权利要求33所述的照明光学系统装置,其特征在于,前述不均一波长板,包括第一不均一波长板,对于前述特定照明光或分布于前述特定环带领域的照明光,给与以前述照明光学系统的光轴为中心具有二次旋转对称性的偏光间相位差。
35.根据权利要求34所述的照明光学装置,其特征在于,前述不均一波长板,更包括第二不均一波长板,对于前述特定照明光或分布于前述特定环带领域的照明光,给与以前述照明光学系统的光轴为中心具有一次旋转对称性的偏光间相位差。
36.根据权利要求35所述的照明光学装置,其特征在于,前述第一不均一波长板及前述第二不均一波长板,其前述进相轴的方向,以前述照明光学系统的光轴为旋转中心,彼此离开45°。
37.根据权利要求29至30任一项所述的照明光学装置,其特征在于更包含光学积分器,其配置于前述多个双折射构件与前述第一物体之间。
38.根据权利要求30或第31所述的照明光学装置,其特征在于:
前述光束限制构件为衍射光学元件;以及
包括光学积分器,配置于前述多个双折射构件与前述第一物体之间。
39.一种照明光学装置,将来自光源的照明光照射于第一物体,其特征在于,包括:衍射光学元件与双折射构件,沿前述照明光的进行方向依序被配置。
40.根据权利要求39所述的照明光学装置,其特征在于:
前述衍射光学元件,将照射于前述第一物体的前述照明光,以特定的入射角度范围实质上限制在照射于前述第一物体的特定照明光;以及
前述双折射构件,使前述特定照明光成为以S偏光为主成分的偏光状态的光。
41.根据权利要求40所述的照明光学装置,其特征在于,前述衍射光学元件,更将照射于前述第一物体的前述照明光的入射方向限制于特定实质上的离散的多个方向。
42.根据权利要求39至41任一项所述的照明光学装置,其特征在于,包括光学积分器,配置于前述双折射构件与前述第一物体之间。
CNB2004800314145A 2003-10-28 2004-10-26 投影机曝光装置、曝光方法以及元件制造方法 Active CN100481325C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP367963/2003 2003-10-28
JP2003367963 2003-10-28

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200910126047A Division CN101526758A (zh) 2003-10-28 2004-10-26 投影机曝光装置、曝光方法以及元件制造方法
CN200810211496.1A Division CN101387754B (zh) 2003-10-28 2004-10-26 投影机曝光装置、曝光方法以及元件制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1871689A true CN1871689A (zh) 2006-11-29
CN100481325C CN100481325C (zh) 2009-04-22

Family

ID=34510324

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200910126047A Pending CN101526758A (zh) 2003-10-28 2004-10-26 投影机曝光装置、曝光方法以及元件制造方法
CN200810211496.1A Expired - Fee Related CN101387754B (zh) 2003-10-28 2004-10-26 投影机曝光装置、曝光方法以及元件制造方法
CNB2004800314145A Active CN100481325C (zh) 2003-10-28 2004-10-26 投影机曝光装置、曝光方法以及元件制造方法

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200910126047A Pending CN101526758A (zh) 2003-10-28 2004-10-26 投影机曝光装置、曝光方法以及元件制造方法
CN200810211496.1A Expired - Fee Related CN101387754B (zh) 2003-10-28 2004-10-26 投影机曝光装置、曝光方法以及元件制造方法

Country Status (8)

Country Link
US (8) US9140992B2 (zh)
EP (7) EP1681710B1 (zh)
JP (14) JP4543331B2 (zh)
KR (13) KR101699827B1 (zh)
CN (3) CN101526758A (zh)
HK (6) HK1130091A1 (zh)
TW (9) TW201834020A (zh)
WO (1) WO2005041277A1 (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101802715B (zh) * 2007-09-14 2012-12-19 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻投射曝光设备的照明系统
CN103454865A (zh) * 2013-09-05 2013-12-18 中国科学院光电技术研究所 一种深紫外光刻照明系统
CN102356353B (zh) * 2009-03-19 2014-06-11 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻投射曝光设备的照明系统
CN104054024A (zh) * 2012-01-17 2014-09-17 Asml荷兰有限公司 光刻设备和装置制造方法
CN104094091A (zh) * 2012-03-27 2014-10-08 日本先锋公司 半导体发光元件用测定装置
TWI561327B (en) * 2013-10-16 2016-12-11 Asm Tech Singapore Pte Ltd Laser scribing apparatus comprising adjustable spatial filter and method for etching semiconductor substrate
CN111656252A (zh) * 2018-01-23 2020-09-11 卡尔蔡司Smt有限责任公司 投射光刻的照明光学装置
CN112630879A (zh) * 2020-12-25 2021-04-09 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种相位延迟元件及相位延迟装置

Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170018113A (ko) 2003-04-09 2017-02-15 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
TW201834020A (zh) * 2003-10-28 2018-09-16 日商尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
TWI612338B (zh) * 2003-11-20 2018-01-21 尼康股份有限公司 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法
US7292315B2 (en) * 2003-12-19 2007-11-06 Asml Masktools B.V. Optimized polarization illumination
US8270077B2 (en) 2004-01-16 2012-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Polarization-modulating optical element
US20070019179A1 (en) 2004-01-16 2007-01-25 Damian Fiolka Polarization-modulating optical element
KR101099847B1 (ko) 2004-01-16 2011-12-27 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 편광변조 광학소자
TWI395068B (zh) 2004-01-27 2013-05-01 尼康股份有限公司 光學系統、曝光裝置以及曝光方法
TWI379344B (en) 2004-02-06 2012-12-11 Nikon Corp Polarization changing device, optical illumination apparatus, light-exposure apparatus and light-exposure method
DE102004035595B4 (de) * 2004-04-09 2008-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Justage eines Projektionsobjektives
US7324280B2 (en) 2004-05-25 2008-01-29 Asml Holding N.V. Apparatus for providing a pattern of polarization
JP2009508170A (ja) 2005-09-14 2009-02-26 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー マイクロリソグラフィ露光システムの光学システム
EP1953805A4 (en) * 2005-11-10 2010-03-31 Nikon Corp OPTICAL LIGHTING SYSTEM, EXPOSURE SYSTEM AND EXPOSURE METHOD
JP2007258575A (ja) 2006-03-24 2007-10-04 Canon Inc 照明装置、当該照明装置を有する露光装置及びデバイス製造方法
KR20090029686A (ko) * 2006-06-16 2009-03-23 가부시키가이샤 니콘 가변슬릿장치, 조명장치, 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
DE102006032810A1 (de) 2006-07-14 2008-01-17 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage, Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, mikrolithografisches Herstellungsverfahren für Bauelemente sowie mit diesem Verfahren hergestelltes Bauelement
DE102006032878A1 (de) * 2006-07-15 2008-01-17 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102007010650A1 (de) * 2007-03-02 2008-09-04 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
US7952685B2 (en) * 2007-03-15 2011-05-31 Carl Zeiss Smt Ag Illuminator for a lithographic apparatus and method
DE102007019831B4 (de) 2007-04-25 2012-03-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
US8451427B2 (en) * 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
US20090091730A1 (en) * 2007-10-03 2009-04-09 Nikon Corporation Spatial light modulation unit, illumination apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8715909B2 (en) 2007-10-05 2014-05-06 Infineon Technologies Ag Lithography systems and methods of manufacturing using thereof
JP5267029B2 (ja) 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
CN101681123B (zh) 2007-10-16 2013-06-12 株式会社尼康 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法
EP2179329A1 (en) * 2007-10-16 2010-04-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5326259B2 (ja) * 2007-11-08 2013-10-30 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
JP5751470B2 (ja) * 2008-08-20 2015-07-22 国立大学法人東北大学 形状・傾斜検知及び/又は計測光学装置及び方法並びにその関連装置
JP5365641B2 (ja) 2008-12-24 2013-12-11 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
TW201102765A (en) 2009-07-01 2011-01-16 Nikon Corp Grinding device, grinding method, exposure device and production method of a device
US20110037962A1 (en) * 2009-08-17 2011-02-17 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
DE102011003035A1 (de) * 2010-02-08 2011-08-11 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Polarisationsbeeinflussende optische Anordnung, sowie optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
US9389519B2 (en) 2010-02-25 2016-07-12 Nikon Corporation Measuring method and measuring apparatus of pupil transmittance distribution, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
US20110205519A1 (en) * 2010-02-25 2011-08-25 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2011114810A1 (ja) * 2010-03-19 2011-09-22 宇部興産株式会社 繊維束用無機繊維及びその製造方法、その繊維束用無機繊維から構成される複合材料用無機繊維束、並びにその繊維束で強化されたセラミックス基複合材料
DE102010029905A1 (de) 2010-06-10 2011-12-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
JP2012004465A (ja) * 2010-06-19 2012-01-05 Nikon Corp 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
US20120212722A1 (en) 2011-02-21 2012-08-23 Nikon Corporation Fast Illumination Simulator Based on a Calibrated Flexible Point Spread Function
JP5807761B2 (ja) * 2011-06-06 2015-11-10 株式会社ニコン 照明方法、照明光学装置、及び露光装置
KR101961893B1 (ko) * 2012-02-21 2019-03-26 삼성디스플레이 주식회사 노광기 및 노광기 제어 방법
DE102012212864A1 (de) * 2012-07-23 2013-08-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
EP2720072A1 (en) * 2012-10-12 2014-04-16 Vision Engineering Limited Optical instrument with diffractive element
DE102013204453B4 (de) * 2013-03-14 2019-11-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur mikrolithographischen Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente
US9995850B2 (en) 2013-06-06 2018-06-12 Kla-Tencor Corporation System, method and apparatus for polarization control
US10088756B2 (en) * 2014-07-08 2018-10-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
JP6632252B2 (ja) 2015-08-21 2020-01-22 キヤノン株式会社 検出装置、インプリント装置、物品の製造方法及び照明光学系
KR102411536B1 (ko) * 2017-10-11 2022-06-22 삼성디스플레이 주식회사 증착 마스크 제조방법 및 제조장치
AT520794B1 (de) 2017-12-20 2019-11-15 Prinoth Ag Schneefahrzeug
JP7148295B2 (ja) 2018-07-04 2022-10-05 キヤノン株式会社 制御装置、露光装置及び物品の製造方法
US10942135B2 (en) 2018-11-14 2021-03-09 Kla Corporation Radial polarizer for particle detection
JP7240162B2 (ja) * 2018-12-14 2023-03-15 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法及び物品の製造方法
US10948423B2 (en) 2019-02-17 2021-03-16 Kla Corporation Sensitive particle detection with spatially-varying polarization rotator and polarizer
JP7257853B2 (ja) * 2019-04-02 2023-04-14 キヤノン株式会社 位置検出装置、露光装置および物品製造方法
TWI725827B (zh) 2020-04-24 2021-04-21 力晶積成電子製造股份有限公司 影像感測模組
US11853845B2 (en) * 2020-09-02 2023-12-26 Cognex Corporation Machine vision system and method with multi-aperture optics assembly
JP2022131148A (ja) * 2021-02-26 2022-09-07 株式会社島津製作所 フーリエ変換赤外分光光度計
KR20230138188A (ko) 2022-03-23 2023-10-05 숭실대학교산학협력단 차량통과 높이판별 장치 및 그 제어방법

Family Cites Families (1006)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3293882B2 (ja) 1992-03-27 2002-06-17 株式会社東芝 投影露光装置
GB856621A (en) 1956-07-20 1960-12-21 Nat Res Dev Improvements in or relating to polarising microscopes
US3146294A (en) 1959-02-13 1964-08-25 American Optical Corp Interference microscope optical systems
US3180216A (en) 1962-08-13 1965-04-27 American Optical Corp System and apparatus for variable phase microscopy
JPS444993Y1 (zh) 1964-05-28 1969-02-24
US3758201A (en) * 1971-07-15 1973-09-11 American Optical Corp Optical system for improved eye refraction
US3892469A (en) 1974-02-01 1975-07-01 Hughes Aircraft Co Electro-optical variable focal length lens using optical ring polarizer
US3892470A (en) 1974-02-01 1975-07-01 Hughes Aircraft Co Optical device for transforming monochromatic linearly polarized light to ring polarized light
FR2385241A1 (fr) 1976-12-23 1978-10-20 Marie G R P Convertisseurs de mode de polarisation pour faisceaux laser et generateurs de plasma les utilisant
US4103260A (en) 1977-01-03 1978-07-25 Hughes Aircraft Company Spatial polarization coding electro-optical transmitter
US4198123A (en) 1977-03-23 1980-04-15 Baxter Travenol Laboratories, Inc. Optical scrambler for depolarizing light
FR2413678A1 (fr) 1977-12-28 1979-07-27 Marie G R P Convertisseurs de mode d'une onde non confinante en une onde confinante dans l'infrarouge lointain
US4286843A (en) 1979-05-14 1981-09-01 Reytblatt Zinovy V Polariscope and filter therefor
JPS5857066B2 (ja) 1979-06-29 1983-12-17 古河電気工業株式会社 リニアモ−タ
EP0023231B1 (de) 1979-07-27 1982-08-11 Tabarelli, Werner, Dr. Optisches Lithographieverfahren und Einrichtung zum Kopieren eines Musters auf eine Halbleiterscheibe
FR2465241A1 (fr) 1979-09-10 1981-03-20 Thomson Csf Dispositif illuminateur destine a fournir un faisceau d'eclairement a distribution d'intensite ajustable et systeme de transfert de motifs comprenant un tel dispositif
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57117238A (en) 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
JPS57152129A (en) 1981-03-13 1982-09-20 Sanyo Electric Co Ltd Developing method of resist
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS5849932A (ja) 1981-09-21 1983-03-24 Ushio Inc 照度分布パタ−ンの調整器
JPS5845502U (ja) 1981-09-21 1983-03-26 株式会社津山金属製作所 広角反射器
JPS58115945A (ja) 1981-12-29 1983-07-09 Toyoda Gosei Co Ltd ハンドル部への電力伝送と信号送受方法
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
DD206607A1 (de) 1982-06-16 1984-02-01 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD242880A1 (de) 1983-01-31 1987-02-11 Kuch Karl Heinz Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS59226317A (ja) 1983-06-06 1984-12-19 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 照明装置
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
JPS59155843A (ja) 1984-01-27 1984-09-05 Hitachi Ltd 露光装置
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6144429A (ja) 1984-08-09 1986-03-04 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 位置合わせ方法、及び位置合せ装置
JPS6145923A (ja) 1984-08-10 1986-03-06 Aronshiya:Kk 反射式ロ−タリ−エンコ−ダ−用回転デイスクの製作方法
JPH0682598B2 (ja) 1984-10-11 1994-10-19 日本電信電話株式会社 投影露光装置
JPS61217434A (ja) 1985-03-20 1986-09-27 Mitsubishi Chem Ind Ltd 搬送用装置
JPS6194342U (zh) 1984-11-27 1986-06-18
JPS61156736A (ja) 1984-12-27 1986-07-16 Canon Inc 露光装置
JPS61196532A (ja) 1985-02-26 1986-08-30 Canon Inc 露光装置
JPS61251025A (ja) 1985-04-30 1986-11-08 Canon Inc 投影露光装置
JPS61270049A (ja) 1985-05-24 1986-11-29 Toshiba Corp テ−ブル装置
JPS622540A (ja) 1985-06-28 1987-01-08 Canon Inc ライトインテグレ−タとそれを含むケ−ラ−照明系
JPS622539A (ja) 1985-06-28 1987-01-08 Canon Inc 照明光学系
DE3523641C1 (de) 1985-07-02 1986-12-18 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V., 3400 Göttingen Einrichtung zum Selektieren von rotationssymmetrischen Polarisationskomponenten einesLichtbuendels und Verwendung einer solchen Einrichtung
US4683420A (en) 1985-07-10 1987-07-28 Westinghouse Electric Corp. Acousto-optic system for testing high speed circuits
JPS6217705A (ja) 1985-07-16 1987-01-26 Nippon Kogaku Kk <Nikon> テレセントリツク光学系用照明装置
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS62100161A (ja) 1985-10-23 1987-05-09 Shin Etsu Chem Co Ltd 平面モ−タ
JPS62120026A (ja) 1985-11-20 1987-06-01 Fujitsu Ltd X線露光装置
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPH07105323B2 (ja) 1985-11-22 1995-11-13 株式会社日立製作所 露光方法
JPS62153710A (ja) 1985-12-27 1987-07-08 Furukawa Alum Co Ltd ロ−タリエンコ−ダ用反射基板の製造方法
US4744615A (en) 1986-01-29 1988-05-17 International Business Machines Corporation Laser beam homogenizer
JPH0782981B2 (ja) 1986-02-07 1995-09-06 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置
JPS62188316A (ja) 1986-02-14 1987-08-17 Canon Inc 投影露光装置
JPS62203526A (ja) 1986-02-28 1987-09-08 トヨタ自動車株式会社 無線電力伝送装置
JPH0666246B2 (ja) 1986-05-14 1994-08-24 キヤノン株式会社 照明光学系
JP2506616B2 (ja) 1986-07-02 1996-06-12 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いた回路の製造方法
JPS6336526A (ja) 1986-07-30 1988-02-17 Oki Electric Ind Co Ltd ウエハ露光装置
JPS6344726A (ja) * 1986-08-12 1988-02-25 Norihisa Ito エキシマレ−ザを用いたステツパの照明光学装置
JPH0695511B2 (ja) 1986-09-17 1994-11-24 大日本スクリ−ン製造株式会社 洗浄乾燥処理方法
JPS63128713A (ja) 1986-11-19 1988-06-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 走査型露光装置のデイスト−シヨン補正方法
JPS63131008A (ja) 1986-11-20 1988-06-03 Fujitsu Ltd 光学的アライメント方法
JPS63141313A (ja) 1986-12-03 1988-06-13 Hitachi Ltd 薄板変形装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JPS63160192A (ja) 1986-12-23 1988-07-02 株式会社明電舎 高周波加熱装置の接続導体
JPS63231217A (ja) 1987-03-19 1988-09-27 Omron Tateisi Electronics Co 移動量測定装置
JPH0718699B2 (ja) 1987-05-08 1995-03-06 株式会社ニコン 表面変位検出装置
JPS6426704A (en) 1987-05-11 1989-01-30 Jiei Shirinian Jiyon Pocket structure of garment
JPS63292005A (ja) 1987-05-25 1988-11-29 Nikon Corp 走り誤差補正をなした移動量検出装置
JPH07117371B2 (ja) 1987-07-14 1995-12-18 株式会社ニコン 測定装置
JPS6468926A (en) 1987-09-09 1989-03-15 Nikon Corp Measurement of image distortion in projection optical system
US4981342A (en) 1987-09-24 1991-01-01 Allergan Inc. Multifocal birefringent lens system
JPH0191419A (ja) 1987-10-01 1989-04-11 Canon Inc 露光装置
JPH01115033A (ja) 1987-10-28 1989-05-08 Hitachi Ltd ガス放電表示装置
JPH01147516A (ja) 1987-12-04 1989-06-09 Canon Inc ビーム位置制御装置
JP2728133B2 (ja) 1987-12-09 1998-03-18 株式会社リコー デジタル画像形成装置
JPH01202833A (ja) 1988-02-09 1989-08-15 Toshiba Corp 高精度xyステージ装置
JPH0831513B2 (ja) 1988-02-22 1996-03-27 株式会社ニコン 基板の吸着装置
JPH0545102Y2 (zh) 1988-02-24 1993-11-17
JPH01255404A (ja) 1988-04-05 1989-10-12 Toshiba Corp 浮上用電磁石装置
US4952815A (en) 1988-04-14 1990-08-28 Nikon Corporation Focusing device for projection exposure apparatus
JPH01276043A (ja) 1988-04-28 1989-11-06 Mitsubishi Cable Ind Ltd 導波路型液体検知器
JPH01278240A (ja) 1988-04-28 1989-11-08 Tokyo Electron Ltd 半導体製造装置用無停電電源
JPH01286478A (ja) 1988-05-13 1989-11-17 Hitachi Ltd ビーム均一化光学系おゆび製造法
JPH01292343A (ja) 1988-05-19 1989-11-24 Fujitsu Ltd ペリクル
JPH01314247A (ja) 1988-06-13 1989-12-19 Fuji Plant Kogyo Kk プリント基板の自動露光装置
JPH0831514B2 (ja) 1988-06-21 1996-03-27 株式会社ニコン 基板の吸着装置
JPH0242382A (ja) 1988-08-02 1990-02-13 Canon Inc 移動ステージ構造
JPH0265149A (ja) 1988-08-30 1990-03-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2729058B2 (ja) 1988-08-31 1998-03-18 山形日本電気株式会社 半導体装置の露光装置
JPH0297239A (ja) 1988-09-30 1990-04-09 Canon Inc 露光装置用電源装置
JP2682067B2 (ja) 1988-10-17 1997-11-26 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JP2697014B2 (ja) 1988-10-26 1998-01-14 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JPH02139146A (ja) 1988-11-15 1990-05-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 一段6自由度位置決めテーブル
JP2940553B2 (ja) 1988-12-21 1999-08-25 株式会社ニコン 露光方法
US5253110A (en) 1988-12-22 1993-10-12 Nikon Corporation Illumination optical arrangement
JPH07104442B2 (ja) 1989-04-06 1995-11-13 旭硝子株式会社 フッ化マグネシウム膜及び低反射膜の製造方法
DE3907136A1 (de) 1989-03-06 1990-09-13 Jagenberg Ag Vorrichtung zum verbinden von materialbahnen
JPH02261073A (ja) 1989-03-29 1990-10-23 Sony Corp 超音波モータ
JPH02287308A (ja) 1989-04-03 1990-11-27 Mikhailovich Khodosovich Vladimir 光学ユニットのマウント内のレンズの中心合わせの方法
JPH02285320A (ja) 1989-04-27 1990-11-22 Olympus Optical Co Ltd 内視鏡の絞装置
JP2527807B2 (ja) 1989-05-09 1996-08-28 住友大阪セメント株式会社 光学的連想識別装置
JPH02298431A (ja) 1989-05-12 1990-12-10 Mitsubishi Electric Corp 放電加工装置
JPH02311237A (ja) 1989-05-25 1990-12-26 Fuji Electric Co Ltd 搬送装置
JPH0757992B2 (ja) 1989-07-10 1995-06-21 株式会社伊藤製作所 親綱張設方法
JPH0341399A (ja) 1989-07-10 1991-02-21 Nikon Corp 多層膜反射鏡の製造方法
JPH0364811A (ja) 1989-07-31 1991-03-20 Okazaki Seisakusho:Kk 中空心線miケーブルと中空心線miケーブルの製造方法
JPH0368607A (ja) 1989-08-08 1991-03-25 Asahi Chem Ind Co Ltd 立体規則性アクリロニトリル重合体を製造する方法
JPH0372298A (ja) 1989-08-14 1991-03-27 Nikon Corp 多層膜反射鏡の製造方法
JPH0394445A (ja) 1989-09-06 1991-04-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウエハ搬送システム
JPH03132663A (ja) 1989-10-18 1991-06-06 Fujitsu Ltd ペリクル
JPH03134341A (ja) 1989-10-20 1991-06-07 Fuji Photo Film Co Ltd ダンパ機構、防振機構およびこのダンパ機構等を組み込む光ビーム走査装置
JP2784225B2 (ja) 1989-11-28 1998-08-06 双葉電子工業株式会社 相対移動量測定装置
JP3067142B2 (ja) 1989-11-28 2000-07-17 富士通株式会社 ホトマスクの検査装置及びホトマスクの検査方法
JPH03211812A (ja) 1990-01-17 1991-09-17 Canon Inc 露光装置
JPH03263810A (ja) 1990-03-14 1991-11-25 Sumitomo Heavy Ind Ltd 半導体露光装置の振動制御方法
JPH0710897B2 (ja) 1990-04-27 1995-02-08 日本油脂株式会社 プラスチックレンズ
JPH0432154A (ja) 1990-05-25 1992-02-04 Iwasaki Electric Co Ltd メタルハライドランプ装置
JP2897355B2 (ja) 1990-07-05 1999-05-31 株式会社ニコン アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置
JP3077176B2 (ja) 1990-08-13 2000-08-14 株式会社ニコン 露光方法、装置、及び素子製造方法
US7656504B1 (en) 1990-08-21 2010-02-02 Nikon Corporation Projection exposure apparatus with luminous flux distribution
JP3049774B2 (ja) 1990-12-27 2000-06-05 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
JP2995820B2 (ja) 1990-08-21 1999-12-27 株式会社ニコン 露光方法及び方法,並びにデバイス製造方法
JPH04130710A (ja) 1990-09-21 1992-05-01 Hitachi Ltd 露光装置
JP2548834B2 (ja) 1990-09-25 1996-10-30 三菱電機株式会社 電子ビーム寸法測定装置
JPH04133414A (ja) 1990-09-26 1992-05-07 Nec Yamaguchi Ltd 縮小投影露光装置
JPH04152512A (ja) 1990-10-16 1992-05-26 Fujitsu Ltd ウエハチャック
DE4033556A1 (de) 1990-10-22 1992-04-23 Suess Kg Karl Messanordnung fuer x,y,(phi)-koordinatentische
US5072126A (en) 1990-10-31 1991-12-10 International Business Machines Corporation Promixity alignment using polarized illumination and double conjugate projection lens
JPH04179115A (ja) 1990-11-08 1992-06-25 Nec Kyushu Ltd 縮小投影露光装置
US6710855B2 (en) 1990-11-15 2004-03-23 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method
US6252647B1 (en) 1990-11-15 2001-06-26 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
JP3094439B2 (ja) 1990-11-21 2000-10-03 株式会社ニコン 露光方法
JPH0480052U (zh) 1990-11-27 1992-07-13
JPH04235558A (ja) 1991-01-11 1992-08-24 Toshiba Corp 露光装置
JP3084760B2 (ja) 1991-02-28 2000-09-04 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置
JP3255168B2 (ja) 1991-02-28 2002-02-12 株式会社ニコン 露光方法及びその露光方法を用いたデバイス製造方法、及び露光装置
JP3084761B2 (ja) 1991-02-28 2000-09-04 株式会社ニコン 露光方法及びマスク
JP2860174B2 (ja) 1991-03-05 1999-02-24 三菱電機株式会社 化学気相成長装置
JP3200894B2 (ja) 1991-03-05 2001-08-20 株式会社日立製作所 露光方法及びその装置
JPH04280619A (ja) 1991-03-08 1992-10-06 Canon Inc ウエハ保持方法およびその保持装置
JPH04282539A (ja) 1991-03-11 1992-10-07 Hitachi Ltd 反射・帯電防止膜の形成方法
JPH05259069A (ja) 1991-03-13 1993-10-08 Tokyo Electron Ltd ウエハ周辺露光方法
JPH04211110A (ja) 1991-03-20 1992-08-03 Hitachi Ltd 投影式露光方法
JPH04296092A (ja) 1991-03-26 1992-10-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd リフロー装置
JP2602345Y2 (ja) 1991-03-29 2000-01-11 京セラ株式会社 静圧軸受装置
US5251222A (en) 1991-04-01 1993-10-05 Teledyne Industries, Inc. Active multi-stage cavity sensor
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JP3200874B2 (ja) 1991-07-10 2001-08-20 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH04330961A (ja) 1991-05-01 1992-11-18 Matsushita Electron Corp 現像処理装置
FR2676288B1 (fr) 1991-05-07 1994-06-17 Thomson Csf Collecteur d'eclairage pour projecteur.
JPH04343307A (ja) 1991-05-20 1992-11-30 Ricoh Co Ltd レーザー調整装置
JP2884830B2 (ja) 1991-05-28 1999-04-19 キヤノン株式会社 自動焦点合せ装置
US5541026A (en) * 1991-06-13 1996-07-30 Nikon Corporation Exposure apparatus and photo mask
JPH0590128A (ja) 1991-06-13 1993-04-09 Nikon Corp 露光装置
JPH0545886A (ja) 1991-08-12 1993-02-26 Nikon Corp 角形基板の露光装置
US5272501A (en) 1991-08-28 1993-12-21 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系
KR950004968B1 (ko) 1991-10-15 1995-05-16 가부시키가이샤 도시바 투영노광 장치
JPH05109601A (ja) 1991-10-15 1993-04-30 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JPH05129184A (ja) 1991-10-30 1993-05-25 Canon Inc 投影露光装置
JPH05127086A (ja) 1991-11-01 1993-05-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光強度の均一化方法およびそれを用いた露光装置
JP3203719B2 (ja) 1991-12-26 2001-08-27 株式会社ニコン 露光装置、その露光装置により製造されるデバイス、露光方法、およびその露光方法を用いたデバイス製造方法
JPH05199680A (ja) 1992-01-17 1993-08-06 Honda Motor Co Ltd 電源装置
JPH0794969B2 (ja) 1992-01-29 1995-10-11 株式会社ソルテック 位置合せ方法及びその装置
JP3194155B2 (ja) 1992-01-31 2001-07-30 キヤノン株式会社 半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置
JPH05217837A (ja) 1992-02-04 1993-08-27 Toshiba Corp Xy移動テーブル
JP2796005B2 (ja) 1992-02-10 1998-09-10 三菱電機株式会社 投影露光装置及び偏光子
JPH05241324A (ja) 1992-02-26 1993-09-21 Nikon Corp フォトマスク及び露光方法
JP3153372B2 (ja) 1992-02-26 2001-04-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JPH05243364A (ja) 1992-03-02 1993-09-21 Hitachi Ltd 半導体ウェハの除電方法およびそれを用いた半導体集積回路製造装置
JP3278896B2 (ja) * 1992-03-31 2002-04-30 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
US5312513A (en) 1992-04-03 1994-05-17 Texas Instruments Incorporated Methods of forming multiple phase light modulators
JPH05304072A (ja) 1992-04-08 1993-11-16 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JP3242693B2 (ja) 1992-05-15 2001-12-25 富士通株式会社 ペリクル貼り付け装置
JP2673130B2 (ja) 1992-05-20 1997-11-05 株式会社キトー 走行用レールの吊下支持装置
JP2946950B2 (ja) 1992-06-25 1999-09-13 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた露光装置
JPH0629204A (ja) 1992-07-08 1994-02-04 Fujitsu Ltd レジスト現像方法及び装置
JP3246615B2 (ja) * 1992-07-27 2002-01-15 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、及び露光方法
JPH06188169A (ja) 1992-08-24 1994-07-08 Canon Inc 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法
JPH07318847A (ja) 1994-05-26 1995-12-08 Nikon Corp 照明光学装置
JPH06104167A (ja) 1992-09-18 1994-04-15 Hitachi Ltd 露光装置及び半導体装置の製造方法
US6404482B1 (en) 1992-10-01 2002-06-11 Nikon Corporation Projection exposure method and apparatus
JP2599827Y2 (ja) 1992-10-01 1999-09-20 株式会社ニコン ペリクルフレーム
JP2884947B2 (ja) 1992-10-01 1999-04-19 株式会社ニコン 投影露光装置、露光方法および半導体集積回路の製造方法
JPH06118623A (ja) 1992-10-07 1994-04-28 Fujitsu Ltd レチクル及びこれを用いた半導体露光装置
JP2724787B2 (ja) 1992-10-09 1998-03-09 キヤノン株式会社 位置決め装置
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JPH06124872A (ja) 1992-10-14 1994-05-06 Canon Inc 像形成方法及び該方法を用いて半導体装置を製造する方法
US5459000A (en) 1992-10-14 1995-10-17 Canon Kabushiki Kaisha Image projection method and device manufacturing method using the image projection method
JP3322274B2 (ja) 1992-10-29 2002-09-09 株式会社ニコン 投影露光方法及び投影露光装置
JPH06148399A (ja) 1992-11-05 1994-05-27 Nikon Corp X線用多層膜ミラーおよびx線顕微鏡
JPH06163350A (ja) 1992-11-19 1994-06-10 Matsushita Electron Corp 投影露光方法および装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JPH06177007A (ja) 1992-12-01 1994-06-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 投影露光装置
JP2866267B2 (ja) 1992-12-11 1999-03-08 三菱電機株式会社 光描画装置およびウェハ基板の光描画方法
JP2698521B2 (ja) * 1992-12-14 1998-01-19 キヤノン株式会社 反射屈折型光学系及び該光学系を備える投影露光装置
JPH06181157A (ja) 1992-12-15 1994-06-28 Nikon Corp 低発塵性の装置
JPH06186025A (ja) 1992-12-16 1994-07-08 Yunisun:Kk 三次元測定装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
JP3201027B2 (ja) 1992-12-22 2001-08-20 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法
JP3316833B2 (ja) 1993-03-26 2002-08-19 株式会社ニコン 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法
JP2765422B2 (ja) 1992-12-28 1998-06-18 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法
JPH06204121A (ja) 1992-12-28 1994-07-22 Canon Inc 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP2786070B2 (ja) 1993-01-29 1998-08-13 セントラル硝子株式会社 透明板状体の検査方法およびその装置
US5739898A (en) * 1993-02-03 1998-04-14 Nikon Corporation Exposure method and apparatus
JPH07245258A (ja) 1994-03-08 1995-09-19 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JPH06241720A (ja) 1993-02-18 1994-09-02 Sony Corp 変位量の測定方法及び変位計
JPH06244082A (ja) 1993-02-19 1994-09-02 Nikon Corp 投影露光装置
JP3412704B2 (ja) 1993-02-26 2003-06-03 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに露光装置
JP3747958B2 (ja) 1995-04-07 2006-02-22 株式会社ニコン 反射屈折光学系
JP3291818B2 (ja) 1993-03-16 2002-06-17 株式会社ニコン 投影露光装置、及び該装置を用いる半導体集積回路製造方法
JP3537843B2 (ja) 1993-03-19 2004-06-14 株式会社テクノ菱和 クリーンルーム用イオナイザー
JPH0777191B2 (ja) 1993-04-06 1995-08-16 日本電気株式会社 露光光投射装置
JP3309871B2 (ja) 1993-04-27 2002-07-29 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法
JPH06326174A (ja) 1993-05-12 1994-11-25 Hitachi Ltd ウェハ真空吸着装置
JP3265503B2 (ja) 1993-06-11 2002-03-11 株式会社ニコン 露光方法及び装置
JP3291849B2 (ja) 1993-07-15 2002-06-17 株式会社ニコン 露光方法、デバイス形成方法、及び露光装置
US6304317B1 (en) 1993-07-15 2001-10-16 Nikon Corporation Projection apparatus and method
US5677757A (en) 1994-03-29 1997-10-14 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
JP3463335B2 (ja) 1994-02-17 2003-11-05 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH0757993A (ja) 1993-08-13 1995-03-03 Nikon Corp 投影露光装置
JPH0757992A (ja) 1993-08-13 1995-03-03 Nikon Corp 投影露光装置
JP3844787B2 (ja) 1993-09-02 2006-11-15 日産化学工業株式会社 フッ化マグネシウム水和物ゾルとその製造法
JP3359123B2 (ja) 1993-09-20 2002-12-24 キヤノン株式会社 収差補正光学系
JPH07167988A (ja) 1993-09-20 1995-07-04 Hitachi Ltd 沸騰水型熱中性子炉及び沸騰水型熱中性子炉の運転方法
KR0153796B1 (ko) 1993-09-24 1998-11-16 사토 후미오 노광장치 및 노광방법
JP3099933B2 (ja) 1993-12-28 2000-10-16 株式会社東芝 露光方法及び露光装置
JPH07122469A (ja) 1993-10-20 1995-05-12 Nikon Corp 投影露光装置
KR0166612B1 (ko) 1993-10-29 1999-02-01 가나이 쓰토무 패턴노광방법 및 그 장치와 그것에 이용되는 마스크와 그것을 이용하여 만들어진 반도체 집적회로
JP3376045B2 (ja) 1993-11-09 2003-02-10 キヤノン株式会社 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法
JP3339144B2 (ja) 1993-11-11 2002-10-28 株式会社ニコン 走査型露光装置及び露光方法
JPH07134955A (ja) 1993-11-11 1995-05-23 Hitachi Ltd 表示装置およびその反射率調整方法
JP3278303B2 (ja) 1993-11-12 2002-04-30 キヤノン株式会社 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法
JPH07147223A (ja) 1993-11-26 1995-06-06 Hitachi Ltd パターン形成方法
DE69434108T2 (de) 1993-12-01 2006-02-02 Sharp K.K. Display für dreidimensionale Bilder
JPH07161622A (ja) 1993-12-10 1995-06-23 Nikon Corp 投影露光装置
JPH07167998A (ja) 1993-12-15 1995-07-04 Nikon Corp レーザープラズマx線源用標的
JP3487517B2 (ja) 1993-12-16 2004-01-19 株式会社リコー 往復移動装置
JPH07183201A (ja) * 1993-12-21 1995-07-21 Nec Corp 露光装置および露光方法
JP3508190B2 (ja) 1993-12-21 2004-03-22 セイコーエプソン株式会社 照明装置及び投写型表示装置
JPH07190741A (ja) 1993-12-27 1995-07-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 測定誤差補正法
US5602673A (en) * 1993-12-29 1997-02-11 Lucent Technologies Inc. Optical isolator without polarization mode dispersion
JPH07220989A (ja) 1994-01-27 1995-08-18 Canon Inc 露光装置及びこれを用いたデバイス製造方法
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JP2715895B2 (ja) 1994-01-31 1998-02-18 日本電気株式会社 光強度分布シミュレーション方法
JP3372633B2 (ja) 1994-02-04 2003-02-04 キヤノン株式会社 位置合わせ方法及びそれを用いた位置合わせ装置
US5559583A (en) * 1994-02-24 1996-09-24 Nec Corporation Exposure system and illuminating apparatus used therein and method for exposing a resist film on a wafer
JP2836483B2 (ja) 1994-05-13 1998-12-14 日本電気株式会社 照明光学装置
JPH07239212A (ja) 1994-02-28 1995-09-12 Nikon Corp 位置検出装置
JPH07243814A (ja) 1994-03-03 1995-09-19 Fujitsu Ltd 線幅測定方法
JPH07263315A (ja) 1994-03-25 1995-10-13 Toshiba Corp 投影露光装置
US20020080338A1 (en) 1994-03-29 2002-06-27 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US6333776B1 (en) 1994-03-29 2001-12-25 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
JPH07270122A (ja) * 1994-03-30 1995-10-20 Canon Inc 変位検出装置、該変位検出装置を備えた露光装置およびデバイスの製造方法
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
US5528118A (en) 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
JPH07283119A (ja) 1994-04-14 1995-10-27 Hitachi Ltd 露光装置および露光方法
JPH088177A (ja) 1994-04-22 1996-01-12 Canon Inc 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP3193567B2 (ja) 1994-04-27 2001-07-30 キヤノン株式会社 基板収容容器
JP3555230B2 (ja) 1994-05-18 2004-08-18 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH07335748A (ja) 1994-06-07 1995-12-22 Miyazaki Oki Electric Co Ltd 半導体素子の製造方法
EP0687956B2 (de) 1994-06-17 2005-11-23 Carl Zeiss SMT AG Beleuchtungseinrichtung
US5473465A (en) 1994-06-24 1995-12-05 Ye; Chun Optical rotator and rotation-angle-variable half-waveplate rotator
JP3800616B2 (ja) 1994-06-27 2006-07-26 株式会社ニコン 目標物移動装置、位置決め装置及び可動ステージ装置
JP3205663B2 (ja) 1994-06-29 2001-09-04 日本電子株式会社 荷電粒子ビーム装置
JP3090577B2 (ja) 1994-06-29 2000-09-25 浜松ホトニクス株式会社 導電体層除去方法およびシステム
JPH0822948A (ja) 1994-07-08 1996-01-23 Nikon Corp 走査型露光装置
JP3205468B2 (ja) 1994-07-25 2001-09-04 株式会社日立製作所 ウエハチャックを備えた処理装置および露光装置
JPH0846751A (ja) 1994-07-29 1996-02-16 Sanyo Electric Co Ltd 照明光学系
JP3613288B2 (ja) 1994-10-18 2005-01-26 株式会社ニコン 露光装置用のクリーニング装置
WO1996013752A1 (fr) 1994-10-26 1996-05-09 Seiko Epson Corporation Dispositif a cristaux liquides et appareil electronique
JPH08136475A (ja) 1994-11-14 1996-05-31 Kawasaki Steel Corp 板状材の表面観察装置
JPH08151220A (ja) 1994-11-28 1996-06-11 Nippon Sekiei Glass Kk 石英ガラスの成形方法
JPH08162397A (ja) 1994-11-30 1996-06-21 Canon Inc 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JPH08171054A (ja) 1994-12-16 1996-07-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH08203803A (ja) 1995-01-24 1996-08-09 Nikon Corp 露光装置
JP3521544B2 (ja) 1995-05-24 2004-04-19 株式会社ニコン 露光装置
JP3312164B2 (ja) 1995-04-07 2002-08-05 日本電信電話株式会社 真空吸着装置
JPH08297699A (ja) 1995-04-26 1996-11-12 Hitachi Ltd 製造不良解析支援システム、製造システム、および製造不良解析支援方法
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US5663785A (en) * 1995-05-24 1997-09-02 International Business Machines Corporation Diffraction pupil filler modified illuminator for annular pupil fills
US5631721A (en) 1995-05-24 1997-05-20 Svg Lithography Systems, Inc. Hybrid illumination system for use in photolithography
US5680588A (en) 1995-06-06 1997-10-21 International Business Machines Corporation Method and system for optimizing illumination in an optical photolithography projection imaging system
JP3531297B2 (ja) 1995-06-19 2004-05-24 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
KR0155830B1 (ko) 1995-06-19 1998-11-16 김광호 변형노광장치 및 노광방법
KR100474578B1 (ko) 1995-06-23 2005-06-21 가부시키가이샤 니콘 노광장치와그제조방법,조명광학장치와그제조방법,노광방법,조명광학계의제조방법및반도체소자의제조방법
JP3561556B2 (ja) 1995-06-29 2004-09-02 株式会社ルネサステクノロジ マスクの製造方法
JP3637639B2 (ja) 1995-07-10 2005-04-13 株式会社ニコン 露光装置
JPH09108551A (ja) 1995-08-11 1997-04-28 Mitsubishi Rayon Co Ltd 浄水器
JPH0961686A (ja) 1995-08-23 1997-03-07 Nikon Corp プラスチックレンズ
JPH0982626A (ja) 1995-09-12 1997-03-28 Nikon Corp 投影露光装置
JP3487527B2 (ja) 1995-09-14 2004-01-19 株式会社東芝 光屈折装置
JPH0992593A (ja) 1995-09-21 1997-04-04 Nikon Corp 投影露光装置
US5815247A (en) 1995-09-21 1998-09-29 Siemens Aktiengesellschaft Avoidance of pattern shortening by using off axis illumination with dipole and polarizing apertures
DE19535392A1 (de) 1995-09-23 1997-03-27 Zeiss Carl Fa Radial polarisationsdrehende optische Anordnung und Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage damit
JP3433403B2 (ja) 1995-10-16 2003-08-04 三星電子株式会社 ステッパのインタフェース装置
JPH09134870A (ja) 1995-11-10 1997-05-20 Hitachi Ltd パターン形成方法および形成装置
JPH09148406A (ja) 1995-11-24 1997-06-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送装置
JPH09151658A (ja) 1995-11-30 1997-06-10 Nichibei Co Ltd 移動間仕切壁のランナ連結装置
JPH09160004A (ja) 1995-12-01 1997-06-20 Denso Corp 液晶セル及びその空セル
JP3406957B2 (ja) 1995-12-06 2003-05-19 キヤノン株式会社 光学素子及びそれを用いた露光装置
JPH09162106A (ja) 1995-12-11 1997-06-20 Nikon Corp 走査型露光装置
JPH09178415A (ja) 1995-12-25 1997-07-11 Nikon Corp 光波干渉測定装置
JPH09184787A (ja) 1995-12-28 1997-07-15 Olympus Optical Co Ltd 光学レンズ用解析評価装置
JP3232473B2 (ja) 1996-01-10 2001-11-26 キヤノン株式会社 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP3189661B2 (ja) 1996-02-05 2001-07-16 ウシオ電機株式会社 光源装置
JP3576685B2 (ja) 1996-02-07 2004-10-13 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JPH09232213A (ja) 1996-02-26 1997-09-05 Nikon Corp 投影露光装置
JPH09227294A (ja) 1996-02-26 1997-09-02 Toyo Commun Equip Co Ltd 人工水晶の製造方法
JP3782151B2 (ja) 1996-03-06 2006-06-07 キヤノン株式会社 エキシマレーザー発振装置のガス供給装置
JPH09243892A (ja) 1996-03-06 1997-09-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学素子
JP3601174B2 (ja) 1996-03-14 2004-12-15 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JPH09281077A (ja) 1996-04-16 1997-10-31 Hitachi Ltd キャピラリ−電気泳動装置
RU2084941C1 (ru) 1996-05-06 1997-07-20 Йелстаун Корпорейшн Н.В. Адаптивный оптический модуль
JP2691341B2 (ja) 1996-05-27 1997-12-17 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH09326338A (ja) 1996-06-04 1997-12-16 Nikon Corp 製造管理装置
JPH09325255A (ja) 1996-06-06 1997-12-16 Olympus Optical Co Ltd 電子カメラ
JPH103039A (ja) 1996-06-14 1998-01-06 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH102865A (ja) 1996-06-18 1998-01-06 Nikon Corp レチクルの検査装置およびその検査方法
JPH1020195A (ja) 1996-06-28 1998-01-23 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH1032160A (ja) 1996-07-17 1998-02-03 Toshiba Corp パターン露光方法及び露光装置
JP3646415B2 (ja) 1996-07-18 2005-05-11 ソニー株式会社 マスク欠陥の検出方法
JPH1038517A (ja) 1996-07-23 1998-02-13 Canon Inc 光学式変位測定装置
JP3646757B2 (ja) 1996-08-22 2005-05-11 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置
JPH1079337A (ja) * 1996-09-04 1998-03-24 Nikon Corp 投影露光装置
JPH1055713A (ja) 1996-08-08 1998-02-24 Ushio Inc 紫外線照射装置
JPH1062305A (ja) 1996-08-19 1998-03-06 Advantest Corp Ccdカメラの感度補正方法およびccdカメラ感度補正機能付lcdパネル表示試験システム
JPH1082611A (ja) 1996-09-10 1998-03-31 Nikon Corp 面位置検出装置
JPH1092735A (ja) 1996-09-13 1998-04-10 Nikon Corp 露光装置
JP2914315B2 (ja) 1996-09-20 1999-06-28 日本電気株式会社 走査型縮小投影露光装置及びディストーション測定方法
KR200153240Y1 (ko) 1996-09-30 1999-08-02 전주범 후면투사형 텔레비젼의 리어커버 구조
JPH10104427A (ja) 1996-10-03 1998-04-24 Sankyo Seiki Mfg Co Ltd 波長板およびそれを備えた光ピックアップ装置
JPH10116760A (ja) 1996-10-08 1998-05-06 Nikon Corp 露光装置及び基板保持装置
JP3572083B2 (ja) 1996-10-08 2004-09-29 シチズン時計株式会社 光ディスク装置
JPH10116778A (ja) 1996-10-09 1998-05-06 Canon Inc スキャン露光装置
JPH10116779A (ja) 1996-10-11 1998-05-06 Nikon Corp ステージ装置
JP3955985B2 (ja) 1996-10-16 2007-08-08 株式会社ニコン マーク位置検出装置及び方法
KR100191329B1 (ko) 1996-10-23 1999-06-15 윤종용 인터넷상에서의 원격교육방법 및 그 장치.
JP3991166B2 (ja) 1996-10-25 2007-10-17 株式会社ニコン 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JPH10135099A (ja) 1996-10-25 1998-05-22 Sony Corp 露光装置及び露光方法
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
ATE404906T1 (de) 1996-11-28 2008-08-15 Nikon Corp Ausrichtvorrichtung und belichtungsverfahren
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
JP3624065B2 (ja) 1996-11-29 2005-02-23 キヤノン株式会社 基板搬送装置、半導体製造装置および露光装置
JPH10169249A (ja) 1996-12-12 1998-06-23 Ohbayashi Corp 免震構造
JPH10189700A (ja) 1996-12-20 1998-07-21 Sony Corp ウェーハ保持機構
DE69717975T2 (de) 1996-12-24 2003-05-28 Asml Netherlands Bv In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät
US5841500A (en) 1997-01-09 1998-11-24 Tellium, Inc. Wedge-shaped liquid crystal cell
JP2910716B2 (ja) 1997-01-16 1999-06-23 日本電気株式会社 光強度計算のパラメトリック解析方法
JPH10206714A (ja) 1997-01-20 1998-08-07 Canon Inc レンズ移動装置
JP2926325B2 (ja) 1997-01-23 1999-07-28 株式会社ニコン 走査露光方法
JPH10209018A (ja) 1997-01-24 1998-08-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> X線マスクフレームおよびx線マスクの保持方法
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JPH10294268A (ja) 1997-04-16 1998-11-04 Nikon Corp 投影露光装置及び位置合わせ方法
JP3747566B2 (ja) * 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JPH118194A (ja) 1997-04-25 1999-01-12 Nikon Corp 露光条件測定方法、投影光学系の評価方法及びリソグラフィシステム
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JPH113856A (ja) 1997-06-11 1999-01-06 Canon Inc 投影露光方法及び投影露光装置
JPH113849A (ja) 1997-06-12 1999-01-06 Sony Corp 可変変形照明フィルタ及び半導体露光装置
JPH1114876A (ja) 1997-06-19 1999-01-22 Nikon Corp 光学構造体、その光学構造体を組み込んだ投影露光用光学系及び投影露光装置
JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
JPH1140657A (ja) 1997-07-23 1999-02-12 Nikon Corp 試料保持装置および走査型露光装置
US6829041B2 (en) * 1997-07-29 2004-12-07 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system and projection exposure apparatus having the same
JP3264224B2 (ja) 1997-08-04 2002-03-11 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP3413074B2 (ja) 1997-08-29 2003-06-03 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JPH1187237A (ja) 1997-09-10 1999-03-30 Nikon Corp アライメント装置
JP4164905B2 (ja) 1997-09-25 2008-10-15 株式会社ニコン 電磁力モータ、ステージ装置および露光装置
JP2000106340A (ja) 1997-09-26 2000-04-11 Nikon Corp 露光装置及び走査露光方法、並びにステージ装置
JPH11111819A (ja) 1997-09-30 1999-04-23 Asahi Kasei Micro Syst Co Ltd ウェハーの固定方法及び露光装置
JPH11111818A (ja) 1997-10-03 1999-04-23 Oki Electric Ind Co Ltd ウェハ保持装置及びウェハ保持具
JPH11111601A (ja) 1997-10-06 1999-04-23 Nikon Corp 露光方法及び装置
JPH11195602A (ja) 1997-10-07 1999-07-21 Nikon Corp 投影露光方法及び装置
JP3097620B2 (ja) 1997-10-09 2000-10-10 日本電気株式会社 走査型縮小投影露光装置
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
JPH11142556A (ja) 1997-11-13 1999-05-28 Nikon Corp ステージ制御方法、ステージ装置、及び該装置を備えた露光装置
JPH11150062A (ja) 1997-11-14 1999-06-02 Nikon Corp 除振装置及び露光装置並びに除振台の除振方法
JPH11283903A (ja) 1998-03-30 1999-10-15 Nikon Corp 投影光学系検査装置及び同装置を備えた投影露光装置
JPH11162831A (ja) 1997-11-21 1999-06-18 Nikon Corp 投影露光装置及び投影露光方法
AU1175799A (en) 1997-11-21 1999-06-15 Nikon Corporation Projection aligner and projection exposure method
JPH11163103A (ja) 1997-11-25 1999-06-18 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法および製造装置
JPH11159571A (ja) 1997-11-28 1999-06-15 Nikon Corp 機械装置、露光装置及び露光装置の運転方法
JPH11166990A (ja) 1997-12-04 1999-06-22 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置並びに走査型露光装置
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
AU1504799A (en) 1997-12-16 1999-07-05 Nikon Corporation Aligner, exposure method and method of manufacturing device
JP3673633B2 (ja) 1997-12-16 2005-07-20 キヤノン株式会社 投影光学系の組立調整方法
US6208407B1 (en) 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
TW449672B (en) 1997-12-25 2001-08-11 Nippon Kogaku Kk Process and apparatus for manufacturing photomask and method of manufacturing the same
AU1689899A (en) 1997-12-26 1999-07-19 Nikon Corporation Exposure method and exposure apparatus
JPH11204390A (ja) 1998-01-14 1999-07-30 Canon Inc 半導体製造装置およびデバイス製造方法
JPH11219882A (ja) 1998-02-02 1999-08-10 Nikon Corp ステージ及び露光装置
JP3820728B2 (ja) 1998-02-04 2006-09-13 東レ株式会社 基板の測定装置
JPH11288879A (ja) 1998-02-04 1999-10-19 Hitachi Ltd 露光条件決定方法とその装置ならびに半導体装置の製造方法
JPH11233434A (ja) 1998-02-17 1999-08-27 Nikon Corp 露光条件決定方法、露光方法、露光装置、及びデバイスの製造方法
DE19807120A1 (de) 1998-02-20 1999-08-26 Zeiss Carl Fa Optisches System mit Polarisationskompensator
JP4207240B2 (ja) 1998-02-20 2009-01-14 株式会社ニコン 露光装置用照度計、リソグラフィ・システム、照度計の較正方法およびマイクロデバイスの製造方法
JPH11239758A (ja) 1998-02-26 1999-09-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH11260791A (ja) 1998-03-10 1999-09-24 Toshiba Mach Co Ltd 半導体ウエハの乾燥方法および乾燥装置
JPH11260686A (ja) 1998-03-11 1999-09-24 Toshiba Corp 露光方法
JPH11264756A (ja) 1998-03-18 1999-09-28 Tokyo Electron Ltd 液面検出器および液面検出方法、ならびに基板処理装置
AU2747899A (en) 1998-03-20 1999-10-18 Nikon Corporation Photomask and projection exposure system
EP1069600A4 (en) 1998-03-24 2002-11-20 Nikon Corp ILLUMINATOR, EXPOSURE METHOD AND APPARATUS, METHOD FOR MANUFACTURING SAID DEVICE
WO1999049504A1 (fr) * 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
EP1083462A4 (en) 1998-03-26 2003-12-03 Nikon Corp EXPOSURE METHOD AND SYSTEM, PHOTOMASK, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, MICROELEMENT, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
DE69931690T2 (de) * 1998-04-08 2007-06-14 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat
JPH11307610A (ja) 1998-04-22 1999-11-05 Nikon Corp 基板搬送装置及び露光装置
US6238063B1 (en) 1998-04-27 2001-05-29 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
JPH11312631A (ja) 1998-04-27 1999-11-09 Nikon Corp 照明光学装置および露光装置
US6597430B1 (en) 1998-05-18 2003-07-22 Nikon Corporation Exposure method, illuminating device, and exposure system
JP4090115B2 (ja) 1998-06-09 2008-05-28 信越ポリマー株式会社 基板収納容器
JP3985346B2 (ja) * 1998-06-12 2007-10-03 株式会社ニコン 投影露光装置、投影露光装置の調整方法、及び投影露光方法
AU4167199A (en) 1998-06-17 2000-01-05 Nikon Corporation Method for producing mask
JP2000012453A (ja) 1998-06-18 2000-01-14 Nikon Corp 露光装置及びその使用方法、露光方法、並びにマスクの製造方法
JP2000021748A (ja) 1998-06-30 2000-01-21 Canon Inc 露光方法および露光装置
JP2000021742A (ja) 1998-06-30 2000-01-21 Canon Inc 露光方法および露光装置
DE19829612A1 (de) * 1998-07-02 2000-01-05 Zeiss Carl Fa Beleuchtungssystem der Mikrolithographie mit Depolarisator
JP2000032403A (ja) 1998-07-14 2000-01-28 Sony Corp データ伝送方法、データ送信装置及び受信装置
JP2000029202A (ja) 1998-07-15 2000-01-28 Nikon Corp マスクの製造方法
JP2000036449A (ja) 1998-07-17 2000-02-02 Nikon Corp 露光装置
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
AU4930099A (en) 1998-08-18 2000-03-14 Nikon Corporation Illuminator and projection exposure apparatus
JP2000081320A (ja) 1998-09-03 2000-03-21 Canon Inc 面位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP2000092815A (ja) 1998-09-10 2000-03-31 Canon Inc ステージ装置および該ステージ装置を用いた露光装置
JP4132397B2 (ja) 1998-09-16 2008-08-13 積水化学工業株式会社 光硬化性樹脂組成物、液晶注入口封止剤及び液晶表示セル
JP2000097616A (ja) 1998-09-22 2000-04-07 Nikon Corp 干渉計
US6031658A (en) * 1998-09-25 2000-02-29 University Of Central Florida Digital control polarization based optical scanner
JP4065923B2 (ja) * 1998-09-29 2008-03-26 株式会社ニコン 照明装置及び該照明装置を備えた投影露光装置、該照明装置による投影露光方法、及び該投影露光装置の調整方法
JP2000121491A (ja) 1998-10-20 2000-04-28 Nikon Corp 光学系の評価方法
JP2001176766A (ja) * 1998-10-29 2001-06-29 Nikon Corp 照明装置及び投影露光装置
JP2000147346A (ja) 1998-11-09 2000-05-26 Toshiba Corp モールドレンズの取付機構
DE19856575A1 (de) * 1998-12-08 2000-09-14 Zeiss Carl Fa Projektions-Mikrolithographiegerät
JP2000180371A (ja) 1998-12-11 2000-06-30 Sharp Corp 異物検査装置および半導体工程装置
EP1014196A3 (en) 1998-12-17 2002-05-29 Nikon Corporation Method and system of illumination for a projection optical apparatus
JP4051473B2 (ja) * 1998-12-17 2008-02-27 株式会社ニコン 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
US6563567B1 (en) * 1998-12-17 2003-05-13 Nikon Corporation Method and apparatus for illuminating a surface using a projection imaging apparatus
US6406148B1 (en) 1998-12-31 2002-06-18 Texas Instruments Incorporated Electronic color switching in field sequential video displays
JP4207389B2 (ja) 1999-01-06 2009-01-14 株式会社ニコン 投影光学系、その製造方法、及びそれを用いた投影露光装置
JP4146952B2 (ja) 1999-01-11 2008-09-10 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JP2000208407A (ja) 1999-01-19 2000-07-28 Nikon Corp 露光装置
JPH1198U (ja) 1999-02-08 1999-07-21 株式会社ニコン ペリクルフレ―ム
JP2000243684A (ja) 1999-02-18 2000-09-08 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JP2000240717A (ja) 1999-02-19 2000-09-05 Canon Inc 能動的除振装置
JP2000252201A (ja) 1999-03-02 2000-09-14 Nikon Corp 面位置検出方法および装置、これらを用いた投影露光方法および装置、半導体デバイス製造方法
JP2000286176A (ja) 1999-03-31 2000-10-13 Hitachi Ltd 半導体基板処理装置における処理状況の表示方法及び半導体基板処理装置
JP2000283889A (ja) 1999-03-31 2000-10-13 Nikon Corp 投影光学系の検査装置及び検査方法、露光装置、並びに、マイクロデバイスの製造方法
JP2001174615A (ja) 1999-04-15 2001-06-29 Nikon Corp 回折光学素子、該素子の製造方法、該素子を備える照明装置、投影露光装置、露光方法、及び光ホモジナイザー、該光ホモジナイザーの製造方法
WO2000067303A1 (fr) * 1999-04-28 2000-11-09 Nikon Corporation Procede et appareil d'exposition
DE19921795A1 (de) * 1999-05-11 2000-11-23 Zeiss Carl Fa Projektions-Belichtungsanlage und Belichtungsverfahren der Mikrolithographie
US6498869B1 (en) 1999-06-14 2002-12-24 Xiaotian Steve Yao Devices for depolarizing polarized light
JP2000003874A (ja) 1999-06-15 2000-01-07 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP2001007015A (ja) 1999-06-25 2001-01-12 Canon Inc ステージ装置
AU4395099A (en) 1999-06-30 2001-01-22 Nikon Corporation Exposure method and device
US6769273B1 (en) 1999-07-05 2004-08-03 Nikon Corporation Method of manufacturing silica glass member and silica glass member obtained by the method
JP2001020951A (ja) 1999-07-07 2001-01-23 Toto Ltd 静圧気体軸受
JP2001023996A (ja) 1999-07-08 2001-01-26 Sony Corp 半導体製造方法
DE10029938A1 (de) 1999-07-09 2001-07-05 Zeiss Carl Optisches System für das Vakuum-Ultraviolett
JP2001037201A (ja) 1999-07-21 2001-02-09 Nikon Corp モータ装置、ステージ装置及び露光装置
JP2001100311A (ja) 1999-07-23 2001-04-13 Seiko Epson Corp プロジェクタ
JP2001044097A (ja) 1999-07-26 2001-02-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置
US6280034B1 (en) 1999-07-30 2001-08-28 Philips Electronics North America Corporation Efficient two-panel projection system employing complementary illumination
JP3110023B1 (ja) 1999-09-02 2000-11-20 岩堀 雅行 燃料放出装置
AU6865300A (en) 1999-09-10 2001-04-17 Nikon Corporation Light source and wavelength stabilization control method, exposure apparatus andexposure method, method for producing exposure apparatus, and device manufactur ing method and device
JP2001083472A (ja) 1999-09-10 2001-03-30 Nikon Corp 光変調装置、光源装置、及び露光装置
JP4362857B2 (ja) 1999-09-10 2009-11-11 株式会社ニコン 光源装置及び露光装置
US6940582B1 (en) 1999-09-20 2005-09-06 Nikon Corporation Parallel link mechanism, exposure system and method of manufacturing the same, and method of manufacturing devices
WO2001023935A1 (fr) 1999-09-29 2001-04-05 Nikon Corporation Procede et dispositif d'exposition par projection, et systeme optique de projection
WO2001023933A1 (fr) 1999-09-29 2001-04-05 Nikon Corporation Systeme optique de projection
JP2001097734A (ja) 1999-09-30 2001-04-10 Toshiba Ceramics Co Ltd 石英ガラス製容器およびその製造方法
CN1260772C (zh) 1999-10-07 2006-06-21 株式会社尼康 载物台装置、载物台驱动方法和曝光装置及曝光方法
JP2001110707A (ja) 1999-10-08 2001-04-20 Orc Mfg Co Ltd 周辺露光装置の光学系
JP2001118773A (ja) 1999-10-18 2001-04-27 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2001135560A (ja) * 1999-11-04 2001-05-18 Nikon Corp 照明光学装置、該照明光学装置を備えた露光装置、および該露光装置を用いたマイクロデバイス製造方法
AU1301801A (en) 1999-11-09 2001-06-06 Nikon Corporation Illuminator, aligner, and method for fabricating device
JP2001144004A (ja) 1999-11-16 2001-05-25 Nikon Corp 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
US6361909B1 (en) 1999-12-06 2002-03-26 Industrial Technology Research Institute Illumination aperture filter design using superposition
JP2001167996A (ja) 1999-12-10 2001-06-22 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2002118058A (ja) 2000-01-13 2002-04-19 Nikon Corp 投影露光装置及び方法
JP2001203140A (ja) 2000-01-20 2001-07-27 Nikon Corp ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP3413485B2 (ja) 2000-01-31 2003-06-03 住友重機械工業株式会社 リニアモータにおける推力リップル測定方法
JP2005233979A (ja) 2000-02-09 2005-09-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
JP2001228404A (ja) 2000-02-14 2001-08-24 Nikon Engineering Co Ltd 落射型顕微鏡、プローブカードの検査装置、および、プローブカードの製造方法
JP4018309B2 (ja) 2000-02-14 2007-12-05 松下電器産業株式会社 回路パラメータ抽出方法、半導体集積回路の設計方法および装置
JP3302965B2 (ja) 2000-02-15 2002-07-15 株式会社東芝 露光装置の検査方法
JP2001228401A (ja) 2000-02-16 2001-08-24 Canon Inc 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法
KR20010085493A (ko) * 2000-02-25 2001-09-07 시마무라 기로 노광장치, 그 조정방법, 및 상기 노광장치를 이용한디바이스 제조방법
JP2001313250A (ja) 2000-02-25 2001-11-09 Nikon Corp 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法
JP2002100561A (ja) 2000-07-19 2002-04-05 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2001242269A (ja) 2000-03-01 2001-09-07 Nikon Corp ステージ装置及びステージ駆動方法並びに露光装置及び露光方法
DE10010131A1 (de) * 2000-03-03 2001-09-06 Zeiss Carl Mikrolithographie - Projektionsbelichtung mit tangentialer Polarisartion
US7301605B2 (en) 2000-03-03 2007-11-27 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices
JP2001264696A (ja) 2000-03-16 2001-09-26 Canon Inc 照明光学系及びそれを備えた露光装置
JP2001265581A (ja) 2000-03-21 2001-09-28 Canon Inc ソフトウエアの不正使用防止システムおよび不正使用防止方法
JP2001267227A (ja) 2000-03-21 2001-09-28 Canon Inc 除振システム、露光装置およびデバイス製造方法
JP2001272764A (ja) 2000-03-24 2001-10-05 Canon Inc 投影露光用フォトマスク、およびそれを用いた投影露光方法
JP2001338868A (ja) 2000-03-24 2001-12-07 Nikon Corp 照度計測装置及び露光装置
JP4689064B2 (ja) 2000-03-30 2011-05-25 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JP2001282526A (ja) 2000-03-31 2001-10-12 Canon Inc ソフトウェア管理装置、方法、及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP3927753B2 (ja) * 2000-03-31 2007-06-13 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP4545874B2 (ja) * 2000-04-03 2010-09-15 キヤノン株式会社 照明光学系、および該照明光学系を備えた露光装置と該露光装置によるデバイスの製造方法
JP2001296105A (ja) 2000-04-12 2001-10-26 Nikon Corp 面位置検出装置、並びに該検出装置を用いた露光装置および露光方法
JP2001297976A (ja) 2000-04-17 2001-10-26 Canon Inc 露光方法及び露光装置
JP2001307983A (ja) 2000-04-20 2001-11-02 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP3514439B2 (ja) 2000-04-20 2004-03-31 キヤノン株式会社 光学要素の支持構造、および該支持構造を用いて構成された露光装置と、該装置によるデバイス等の製造方法
JP2001304332A (ja) 2000-04-24 2001-10-31 Canon Inc 能動制振装置
AU2001255612A1 (en) 2000-04-25 2001-11-07 Silicon Valley Group Inc Optical reduction system with control of illumination polarization
JP2002014005A (ja) 2000-04-25 2002-01-18 Nikon Corp 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置
EP1277088A1 (en) 2000-04-25 2003-01-22 Silicon Valley Group, Inc. Optical reduction system with elimination of reticle diffraction induced bias
JP2002057097A (ja) 2000-05-31 2002-02-22 Nikon Corp 露光装置、及びマイクロデバイス並びにその製造方法
JP2002016124A (ja) 2000-06-28 2002-01-18 Sony Corp ウェーハ搬送アーム機構
JP2002015978A (ja) 2000-06-29 2002-01-18 Canon Inc 露光装置
JP2002043213A (ja) 2000-07-25 2002-02-08 Nikon Corp ステージ装置および露光装置
US7154684B2 (en) 2000-08-18 2006-12-26 Nikon Corporation Optical element holding apparatus
JP3645801B2 (ja) 2000-08-24 2005-05-11 ペンタックス株式会社 ビーム列検出方法および検出用位相フィルター
JP2002071513A (ja) 2000-08-28 2002-03-08 Nikon Corp 液浸系顕微鏡対物レンズ用干渉計および液浸系顕微鏡対物レンズの評価方法
JP4504537B2 (ja) 2000-08-29 2010-07-14 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置
JP2002075835A (ja) 2000-08-30 2002-03-15 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
US6373614B1 (en) 2000-08-31 2002-04-16 Cambridge Research Instrumentation Inc. High performance polarization controller and polarization sensor
JP2002093686A (ja) 2000-09-19 2002-03-29 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2002093690A (ja) 2000-09-19 2002-03-29 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP2002091922A (ja) 2000-09-20 2002-03-29 Fujitsu General Ltd アプリケーションソフトとコンテンツの配信管理方法と配信管理システム
KR100870585B1 (ko) 2000-10-10 2008-11-25 가부시키가이샤 니콘 결상성능의 평가방법
JP4245286B2 (ja) 2000-10-23 2009-03-25 株式会社ニコン 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置
JP2002141270A (ja) 2000-11-01 2002-05-17 Nikon Corp 露光装置
US20020075467A1 (en) 2000-12-20 2002-06-20 Nikon Corporation Exposure apparatus and method
JP2002158157A (ja) 2000-11-17 2002-05-31 Nikon Corp 照明光学装置および露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法
JP2002162655A (ja) 2000-11-27 2002-06-07 Sony Corp 光学装置
JP2002170495A (ja) 2000-11-28 2002-06-14 Akira Sekino 隔壁一体型合成樹脂背面基板
JP2002231619A (ja) * 2000-11-29 2002-08-16 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2002190438A (ja) 2000-12-21 2002-07-05 Nikon Corp 露光装置
JP2002198284A (ja) 2000-12-25 2002-07-12 Nikon Corp ステージ装置および露光装置
JP2002195912A (ja) 2000-12-27 2002-07-10 Nikon Corp 光学特性計測方法及び装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2002203763A (ja) 2000-12-27 2002-07-19 Nikon Corp 光学特性計測方法及び装置、信号感度設定方法、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2002202221A (ja) 2000-12-28 2002-07-19 Nikon Corp 位置検出方法、位置検出装置、光学特性測定方法、光学特性測定装置、露光装置、及びデバイス製造方法
US6430260B1 (en) * 2000-12-29 2002-08-06 General Electric Company X-ray tube anode cooling device and systems incorporating same
JP3495992B2 (ja) 2001-01-26 2004-02-09 キヤノン株式会社 補正装置、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス
US6563566B2 (en) 2001-01-29 2003-05-13 International Business Machines Corporation System and method for printing semiconductor patterns using an optimized illumination and reticle
JP2002229215A (ja) 2001-01-30 2002-08-14 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP2002227924A (ja) 2001-01-31 2002-08-14 Canon Inc 制震ダンパ及び制震ダンパを備えた露光装置
SE0100336L (sv) 2001-02-05 2002-08-06 Micronic Laser Systems Ab Adresseringsmetod och apparat som använder densamma tekniskt område
WO2002063664A1 (fr) 2001-02-06 2002-08-15 Nikon Corporation Systeme et procede d'exposition et procede de production de dispositif
US6669805B2 (en) * 2001-02-16 2003-12-30 International Business Machines Corporation Drill stack formation
TWI285295B (en) 2001-02-23 2007-08-11 Asml Netherlands Bv Illumination optimization in lithography
DE10113612A1 (de) 2001-02-23 2002-09-05 Zeiss Carl Teilobjektiv in einem Beleuchtungssystem
US6611316B2 (en) 2001-02-27 2003-08-26 Asml Holding N.V. Method and system for dual reticle image exposure
JP2002258487A (ja) 2001-02-28 2002-09-11 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP4501292B2 (ja) 2001-03-05 2010-07-14 コニカミノルタホールディングス株式会社 被塗布基材及び塗布材の塗布方法並びに素子の製造方法
WO2002080185A1 (fr) 2001-03-28 2002-10-10 Nikon Corporation Dispositif a etages, dispositif d'exposition et procede de fabrication du dispositif
JP2002289505A (ja) * 2001-03-28 2002-10-04 Nikon Corp 露光装置,露光装置の調整方法,マイクロデバイスの製造方法
JP2002365783A (ja) 2001-04-05 2002-12-18 Sony Corp マスクパターンの作成装置、高解像度マスクの作製装置及び作製方法、並びにレジストパターン形成方法
JP2002305140A (ja) 2001-04-06 2002-10-18 Nikon Corp 露光装置及び基板処理システム
WO2002084850A1 (fr) 2001-04-09 2002-10-24 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki Induit de moteur lineaire protege et moteur lineaire protege
TW544547B (en) 2001-04-24 2003-08-01 Canon Kk Exposure method and apparatus
JP3937903B2 (ja) 2001-04-24 2007-06-27 キヤノン株式会社 露光方法及び装置
JP2002324743A (ja) 2001-04-24 2002-11-08 Canon Inc 露光方法及び装置
JP2002329651A (ja) 2001-04-27 2002-11-15 Nikon Corp 露光装置、露光装置の製造方法、及びマイクロデバイスの製造方法
JP2003050455A (ja) * 2001-05-11 2003-02-21 Nikon Corp マスクおよびその製造方法、光学素子およびその製造方法、並びに該光学素子を備えた照明光学装置および露光装置
DE10124566A1 (de) 2001-05-15 2002-11-21 Zeiss Carl Optisches Abbildungssystem mit Polarisationsmitteln und Quarzkristallplatte hierfür
JP2004526331A (ja) * 2001-05-15 2004-08-26 カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー フッ化物結晶レンズを含む対物レンズ
DE10123725A1 (de) * 2001-05-15 2002-11-21 Zeiss Carl Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie, Optisches System und Herstellverfahren
DE10124474A1 (de) * 2001-05-19 2002-11-21 Zeiss Carl Mikrolithographisches Belichtungsverfahren sowie Projektionsobjektiv zur Durchführung des Verfahrens
US7053988B2 (en) * 2001-05-22 2006-05-30 Carl Zeiss Smt Ag. Optically polarizing retardation arrangement, and microlithography projection exposure machine
DE10124803A1 (de) * 2001-05-22 2002-11-28 Zeiss Carl Polarisator und Mikrolithographie-Projektionsanlage mit Polarisator
JP2002353105A (ja) 2001-05-24 2002-12-06 Nikon Corp 照明光学装置,該照明光学装置を備えた露光装置,およびマイクロデバイスの製造方法
JP2002359176A (ja) 2001-05-31 2002-12-13 Canon Inc 照明装置、照明制御方法、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス
JP4622160B2 (ja) 2001-05-31 2011-02-02 旭硝子株式会社 回折格子一体型旋光子および光ヘッド装置
JP2002359174A (ja) 2001-05-31 2002-12-13 Mitsubishi Electric Corp 露光工程管理システム、露光工程管理方法、および露光工程を管理するためのプログラム
US6737662B2 (en) * 2001-06-01 2004-05-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, control system, computer program, and computer program product
JP4689081B2 (ja) 2001-06-06 2011-05-25 キヤノン株式会社 露光装置、調整方法、およびデバイス製造方法
JP3734432B2 (ja) 2001-06-07 2006-01-11 三星電子株式会社 マスク搬送装置、マスク搬送システム及びマスク搬送方法
JPWO2002101804A1 (ja) 2001-06-11 2004-09-30 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、並びに温度安定化流路装置
JP2002367523A (ja) 2001-06-12 2002-12-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマディスプレイパネルとプラズマディスプレイパネルの製造方法
WO2002103766A1 (fr) 2001-06-13 2002-12-27 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition au balayage, et procede de production d'un dispositif associe
JP2002373849A (ja) 2001-06-15 2002-12-26 Canon Inc 露光装置
US6788385B2 (en) 2001-06-21 2004-09-07 Nikon Corporation Stage device, exposure apparatus and method
US6831731B2 (en) 2001-06-28 2004-12-14 Nikon Corporation Projection optical system and an exposure apparatus with the projection optical system
WO2003003429A1 (fr) 2001-06-28 2003-01-09 Nikon Corporation Systeme de projection optique, systeme d'exposition et procede
JP2003015314A (ja) 2001-07-02 2003-01-17 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2003017003A (ja) 2001-07-04 2003-01-17 Canon Inc ランプおよび光源装置
JP2003015040A (ja) 2001-07-04 2003-01-15 Nikon Corp 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置
US6727992B2 (en) 2001-07-06 2004-04-27 Zygo Corporation Method and apparatus to reduce effects of sheared wavefronts on interferometric phase measurements
JP3507459B2 (ja) 2001-07-09 2004-03-15 キヤノン株式会社 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法
US6788389B2 (en) * 2001-07-10 2004-09-07 Nikon Corporation Production method of projection optical system
JP2003028673A (ja) 2001-07-10 2003-01-29 Canon Inc 光学式エンコーダ、半導体製造装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および半導体製造装置の保守方法
EP1280007B1 (en) 2001-07-24 2008-06-18 ASML Netherlands B.V. Imaging apparatus
JP2003045712A (ja) 2001-07-26 2003-02-14 Japan Aviation Electronics Industry Ltd 防水コイル及びその製造方法
JP4522024B2 (ja) 2001-07-27 2010-08-11 キヤノン株式会社 水銀ランプ、照明装置及び露光装置
JP2003043223A (ja) 2001-07-30 2003-02-13 Nikon Corp 結晶材料で形成されたビームスプリッターおよび波長板、並びにこれらの結晶光学部品を備えた光学装置、露光装置並びに検査装置
JP2003059799A (ja) 2001-08-10 2003-02-28 Nikon Corp 照明光学系、露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法
JP2003059803A (ja) 2001-08-14 2003-02-28 Canon Inc 露光装置
JP2003068600A (ja) 2001-08-22 2003-03-07 Canon Inc 露光装置、および基板チャックの冷却方法
JP2003068607A (ja) 2001-08-23 2003-03-07 Nikon Corp 露光装置および露光方法
TW554411B (en) 2001-08-23 2003-09-21 Nikon Corp Exposure apparatus
JP2003068604A (ja) 2001-08-23 2003-03-07 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
KR100654784B1 (ko) 2001-08-31 2006-12-08 캐논 가부시끼가이샤 레티클과 광학특성의 측정방법
JP4183166B2 (ja) 2001-08-31 2008-11-19 京セラ株式会社 位置決め装置用部材
JP2003075703A (ja) 2001-08-31 2003-03-12 Konica Corp 光学ユニット及び光学装置
JP2003081654A (ja) 2001-09-06 2003-03-19 Toshiba Ceramics Co Ltd 合成石英ガラスおよびその製造方法
WO2003023832A1 (fr) 2001-09-07 2003-03-20 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition, et procede de construction de dispositif associe
JP2003084445A (ja) 2001-09-13 2003-03-19 Canon Inc 走査型露光装置および露光方法
JP2003090978A (ja) 2001-09-17 2003-03-28 Canon Inc 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP4160286B2 (ja) 2001-09-21 2008-10-01 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 Lsiパターンの寸法測定箇所選定方法
JP3910032B2 (ja) 2001-09-25 2007-04-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板現像装置
JP2003114387A (ja) 2001-10-04 2003-04-18 Nikon Corp 反射屈折光学系および該光学系を備える投影露光装置
JP4412450B2 (ja) 2001-10-05 2010-02-10 信越化学工業株式会社 反射防止フィルター
JP2003124095A (ja) 2001-10-11 2003-04-25 Nikon Corp 投影露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2003130132A (ja) 2001-10-22 2003-05-08 Nec Ameniplantex Ltd 除振機構
US6970232B2 (en) 2001-10-30 2005-11-29 Asml Netherlands B.V. Structures and methods for reducing aberration in integrated circuit fabrication systems
JP2003202523A (ja) 2001-11-02 2003-07-18 Nec Viewtechnology Ltd 偏光ユニット、該偏光ユニットを用いた偏光照明装置及び該偏光照明装置を用いた投写型表示装置
US6577379B1 (en) 2001-11-05 2003-06-10 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for shaping and/or orienting radiation irradiating a microlithographic substrate
JP4362999B2 (ja) 2001-11-12 2009-11-11 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US6900915B2 (en) 2001-11-14 2005-05-31 Ricoh Company, Ltd. Light deflecting method and apparatus efficiently using a floating mirror
JP4307813B2 (ja) 2001-11-14 2009-08-05 株式会社リコー 光偏向方法並びに光偏向装置及びその光偏向装置の製造方法並びにその光偏向装置を具備する光情報処理装置及び画像形成装置及び画像投影表示装置及び光伝送装置
JP3809095B2 (ja) 2001-11-29 2006-08-16 ペンタックス株式会社 露光装置用光源システムおよび露光装置
JP2003161882A (ja) 2001-11-29 2003-06-06 Nikon Corp 投影光学系、露光装置および露光方法
JP2003166856A (ja) 2001-11-29 2003-06-13 Fuji Electric Co Ltd 光学式エンコーダ
JP3945569B2 (ja) 2001-12-06 2007-07-18 東京応化工業株式会社 現像装置
US20040035942A1 (en) * 2001-12-07 2004-02-26 Silverman Martin S. Dynamic virtual magnetic stripe
JP2003188087A (ja) * 2001-12-21 2003-07-04 Sony Corp 露光方法および露光装置並びに半導体装置の製造方法
JP2003249443A (ja) 2001-12-21 2003-09-05 Nikon Corp ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
TW200301848A (en) 2002-01-09 2003-07-16 Nikon Corp Exposure apparatus and exposure method
TW200302507A (en) 2002-01-21 2003-08-01 Nikon Corp Stage device and exposure device
JP3809381B2 (ja) 2002-01-28 2006-08-16 キヤノン株式会社 リニアモータ、ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP2003229347A (ja) 2002-01-31 2003-08-15 Canon Inc 半導体製造装置
JP2003233001A (ja) 2002-02-07 2003-08-22 Canon Inc 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
JP2003240906A (ja) 2002-02-20 2003-08-27 Dainippon Printing Co Ltd 反射防止体およびその製造方法
JP2003257812A (ja) 2002-02-27 2003-09-12 Nikon Corp 結像光学系の評価方法、結像光学系の調整方法、露光装置および露光方法
JP2003258071A (ja) 2002-02-28 2003-09-12 Nikon Corp 基板保持装置及び露光装置
WO2003075328A1 (fr) 2002-03-01 2003-09-12 Nikon Corporation Procede de reglage d'un systeme optique de projection, procede de prediction, procede d'evaluation, procede de reglage, procede d'exposition, dispositif d'exposition, programme et procede de fabrication dudit dispositif
JP2003263119A (ja) 2002-03-07 2003-09-19 Fuji Xerox Co Ltd リブ付き電極およびその製造方法
JP3984841B2 (ja) 2002-03-07 2007-10-03 キヤノン株式会社 歪み計測装置、歪み抑制装置、及び露光装置、並びにデバイス製造方法
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
JP3975787B2 (ja) 2002-03-12 2007-09-12 ソニー株式会社 固体撮像素子
JP4100011B2 (ja) 2002-03-13 2008-06-11 セイコーエプソン株式会社 表面処理装置、有機el装置の製造装置及び製造方法
US7085052B2 (en) 2002-03-14 2006-08-01 Optellios, Inc. Over-parameterized polarization controller
US20050094268A1 (en) * 2002-03-14 2005-05-05 Carl Zeiss Smt Ag Optical system with birefringent optical elements
JP4335495B2 (ja) 2002-03-27 2009-09-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 定圧チャンバ、それを用いた照射装置及び回路パターンの検査装置
JP2003297727A (ja) 2002-04-03 2003-10-17 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置および露光方法
TWI278721B (en) 2002-04-09 2007-04-11 Nikon Corp Exposure method, exposure apparatus, and manufacturing method of device
US6894712B2 (en) 2002-04-10 2005-05-17 Fuji Photo Film Co., Ltd. Exposure head, exposure apparatus, and application thereof
DE10310690A1 (de) 2002-04-12 2003-10-30 Heidelberger Druckmasch Ag Bogenführungseinrichtung in einer bogenverarbeitenden Maschine
JP3950732B2 (ja) 2002-04-23 2007-08-01 キヤノン株式会社 照明光学系、照明方法及び露光装置
JP4333078B2 (ja) 2002-04-26 2009-09-16 株式会社ニコン 投影光学系、該投影光学系を備えた露光装置および該投影光学系を用いた露光方法並びにデバイス製造方法
US20050095749A1 (en) 2002-04-29 2005-05-05 Mathias Krellmann Device for protecting a chip and method for operating a chip
EP1499560B1 (en) 2002-04-29 2005-12-14 Micronic Laser Systems Ab Device for protecting a chip and method for operating a chip
JP4324957B2 (ja) 2002-05-27 2009-09-02 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
JP4198528B2 (ja) 2002-05-31 2008-12-17 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 光学エレメントを組み立てる部品のキット、光学エレメントを組み立てる方法、光学エレメント、リソグラフィ装置、およびデバイス製造法
JP2004015187A (ja) 2002-06-04 2004-01-15 Fuji Photo Film Co Ltd 撮影補助システム、デジタルカメラ、及びサーバ
JP4037179B2 (ja) 2002-06-04 2008-01-23 東京エレクトロン株式会社 洗浄方法、洗浄装置
JP2004014876A (ja) 2002-06-07 2004-01-15 Nikon Corp 調整方法、空間像計測方法及び像面計測方法、並びに露光装置
JP3448812B2 (ja) 2002-06-14 2003-09-22 株式会社ニコン マーク検知装置、及びそれを有する露光装置、及びその露光装置を用いた半導体素子又は液晶表示素子の製造方法
JP2004022708A (ja) 2002-06-14 2004-01-22 Nikon Corp 結像光学系、照明光学系、露光装置及び露光方法
JP2004179172A (ja) 2002-06-26 2004-06-24 Nikon Corp 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法
JP4012771B2 (ja) 2002-06-28 2007-11-21 富士通エフ・アイ・ピー株式会社 ライセンス管理方法、ライセンス管理システム、ライセンス管理プログラム
JP2004039952A (ja) 2002-07-05 2004-02-05 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置の監視方法およびプラズマ処理装置
JP2004040039A (ja) 2002-07-08 2004-02-05 Sony Corp 露光方法の選択方法
JP2004045063A (ja) 2002-07-09 2004-02-12 Topcon Corp 光学式ロータリーエンコーダ板の製造方法および光学式ロータリーエンコーダ板
JP2004051717A (ja) 2002-07-17 2004-02-19 Mitsubishi Heavy Ind Ltd バイオマスのガス化装置
AU2003252135A1 (en) 2002-07-26 2004-02-16 Massachusetts Institute Of Technology Optical imaging using a pupil filter and coordinated illumination polarisation
JP2004063847A (ja) 2002-07-30 2004-02-26 Nikon Corp 露光装置、露光方法、及びステージ装置
JP2004063988A (ja) 2002-07-31 2004-02-26 Canon Inc 照明光学系、当該照明光学系を有する露光装置及びデバイス製造方法
JP2004071851A (ja) 2002-08-07 2004-03-04 Canon Inc 半導体露光方法及び露光装置
JP2004085612A (ja) 2002-08-22 2004-03-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd ハーフトーン位相シフトマスク、その製造方法およびそれを用いたパターン形成方法
JP4095376B2 (ja) 2002-08-28 2008-06-04 キヤノン株式会社 露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法
JP2004095653A (ja) 2002-08-29 2004-03-25 Nikon Corp 露光装置
JP2004145269A (ja) 2002-08-30 2004-05-20 Nikon Corp 投影光学系、反射屈折型投影光学系、走査型露光装置及び露光方法
US7293847B2 (en) 2002-08-31 2007-11-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Cabinet for recessed refrigerators
JP2004092833A (ja) 2002-09-02 2004-03-25 Mazda Motor Corp 磁気ばねマウント装置
JP2004103674A (ja) 2002-09-06 2004-04-02 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
JP4189724B2 (ja) * 2002-09-09 2008-12-03 株式会社ニコン 露光装置および露光方法
JP2004101362A (ja) 2002-09-10 2004-04-02 Canon Inc ステージ位置計測および位置決め装置
JP2004098012A (ja) 2002-09-12 2004-04-02 Seiko Epson Corp 薄膜形成方法、薄膜形成装置、光学素子、有機エレクトロルミネッセンス素子、半導体素子および電子機器
JP2004111579A (ja) 2002-09-17 2004-04-08 Canon Inc 露光方法及び装置
JP4269610B2 (ja) 2002-09-17 2009-05-27 株式会社ニコン 露光装置及び露光装置の製造方法
JP3958163B2 (ja) * 2002-09-19 2007-08-15 キヤノン株式会社 露光方法
KR100480620B1 (ko) 2002-09-19 2005-03-31 삼성전자주식회사 마이크로 미러 어레이를 구비한 노광 장치 및 이를 이용한노광 방법
JP2004119497A (ja) 2002-09-24 2004-04-15 Huabang Electronic Co Ltd 半導体製造設備と方法
JP4333866B2 (ja) 2002-09-26 2009-09-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP2004128307A (ja) 2002-10-04 2004-04-22 Nikon Corp 露光装置及びその調整方法
US6665119B1 (en) 2002-10-15 2003-12-16 Eastman Kodak Company Wire grid polarizer
JP2004134682A (ja) 2002-10-15 2004-04-30 Nikon Corp 気体シリンダ、ステージ装置及び露光装置
JP2004140145A (ja) 2002-10-17 2004-05-13 Nikon Corp 露光装置
JP2004146702A (ja) 2002-10-25 2004-05-20 Nikon Corp 光学特性計測方法、露光方法及びデバイス製造方法
JP2004153064A (ja) 2002-10-31 2004-05-27 Nikon Corp 露光装置
JP2004153096A (ja) 2002-10-31 2004-05-27 Nikon Corp 露光装置
JP2004152705A (ja) 2002-11-01 2004-05-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2004165249A (ja) 2002-11-11 2004-06-10 Sony Corp 露光装置及び露光方法
JP2004163555A (ja) 2002-11-12 2004-06-10 Olympus Corp 落射顕微鏡及び落射顕微鏡用対物レンズ
CN101713932B (zh) 2002-11-12 2012-09-26 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
JP2004165416A (ja) 2002-11-13 2004-06-10 Nikon Corp 露光装置及び建屋
JP2004172471A (ja) 2002-11-21 2004-06-17 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP4378938B2 (ja) 2002-11-25 2009-12-09 株式会社ニコン 露光装置、及びデバイス製造方法
US6844927B2 (en) 2002-11-27 2005-01-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for removing optical abberations during an optical inspection
TWI281099B (en) 2002-12-02 2007-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4314555B2 (ja) 2002-12-03 2009-08-19 株式会社ニコン リニアモータ装置、ステージ装置、及び露光装置
TW200412617A (en) * 2002-12-03 2004-07-16 Nikon Corp Optical illumination device, method for adjusting optical illumination device, exposure device and exposure method
US20040108973A1 (en) 2002-12-10 2004-06-10 Kiser David K. Apparatus for generating a number of color light components
WO2004053959A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 光学素子及びその光学素子を用いた投影露光装置
JP2004301825A (ja) 2002-12-10 2004-10-28 Nikon Corp 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
KR101036114B1 (ko) 2002-12-10 2011-05-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
WO2004053950A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
AU2003302831A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus and method for manufacturing device
WO2004053957A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法
KR20130010039A (ko) 2002-12-10 2013-01-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US6992750B2 (en) * 2002-12-10 2006-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
KR101157002B1 (ko) 2002-12-10 2012-06-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
CN101852993A (zh) 2002-12-10 2010-10-06 株式会社尼康 曝光装置和器件制造方法
JP4595320B2 (ja) 2002-12-10 2010-12-08 株式会社ニコン 露光装置、及びデバイス製造方法
KR101037057B1 (ko) 2002-12-10 2011-05-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP2004193425A (ja) 2002-12-12 2004-07-08 Nikon Corp 移動制御方法及び装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2004198748A (ja) 2002-12-19 2004-07-15 Nikon Corp オプティカルインテグレータ、照明光学装置、露光装置および露光方法
JP2004205698A (ja) 2002-12-24 2004-07-22 Nikon Corp 投影光学系、露光装置および露光方法
US6891655B2 (en) 2003-01-02 2005-05-10 Micronic Laser Systems Ab High energy, low energy density, radiation-resistant optics used with micro-electromechanical devices
JP2004221253A (ja) 2003-01-14 2004-08-05 Nikon Corp 露光装置
KR20050086953A (ko) 2003-01-15 2005-08-30 마이크로닉 레이저 시스템즈 에이비 결함 픽셀을 탐지하는 방법
JP2004228497A (ja) 2003-01-27 2004-08-12 Nikon Corp 露光装置及び電子デバイスの製造方法
JP2004224421A (ja) 2003-01-27 2004-08-12 Tokyo Autom Mach Works Ltd 製品供給装置
JP2004241666A (ja) 2003-02-07 2004-08-26 Nikon Corp 計測方法及び露光方法
JP2004007417A (ja) 2003-02-10 2004-01-08 Fujitsu Ltd 情報提供システム
JP4366948B2 (ja) 2003-02-14 2009-11-18 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
US6916831B2 (en) 2003-02-24 2005-07-12 The University Of North Carolina At Chapel Hill Flavone acetic acid analogs and methods of use thereof
JP2004259828A (ja) 2003-02-25 2004-09-16 Nikon Corp 半導体露光装置
KR101875296B1 (ko) 2003-02-26 2018-07-05 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JP2004259985A (ja) 2003-02-26 2004-09-16 Sony Corp レジストパターン形成装置およびその形成方法、および、当該方法を用いた半導体装置の製造方法
JP4604452B2 (ja) 2003-02-26 2011-01-05 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US6943941B2 (en) * 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
JP4305003B2 (ja) 2003-02-27 2009-07-29 株式会社ニコン Euv光学系及びeuv露光装置
US7206059B2 (en) 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
JP2004260115A (ja) 2003-02-27 2004-09-16 Nikon Corp ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2004260081A (ja) 2003-02-27 2004-09-16 Nikon Corp 紫外域用反射ミラー装置及びそれを用いた投影露光装置
KR101181688B1 (ko) 2003-03-25 2012-09-19 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP2004294202A (ja) 2003-03-26 2004-10-21 Seiko Epson Corp 画面の欠陥検出方法及び装置
JP4265257B2 (ja) 2003-03-28 2009-05-20 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、フィルム構造体
JP4496711B2 (ja) 2003-03-31 2010-07-07 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JP2004304135A (ja) 2003-04-01 2004-10-28 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びマイクロデバイスの製造方法
WO2004091079A1 (ja) 2003-04-07 2004-10-21 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki キャンド・リニアモータ電機子およびキャンド・リニアモータ
JP4374964B2 (ja) 2003-09-26 2009-12-02 株式会社ニコン 石英ガラスの成形方法及び成形装置
JP4465974B2 (ja) 2003-04-07 2010-05-26 株式会社ニコン 石英ガラスの成形装置
JP4281397B2 (ja) 2003-04-07 2009-06-17 株式会社ニコン 石英ガラスの成形装置
JP4341277B2 (ja) 2003-04-07 2009-10-07 株式会社ニコン 石英ガラスの成形方法
JP4288413B2 (ja) 2003-04-07 2009-07-01 株式会社ニコン 石英ガラスの成形方法及び成形装置
ATE426914T1 (de) 2003-04-07 2009-04-15 Nikon Corp Belichtungsgerat und verfahren zur herstellung einer vorrichtung
KR20170018113A (ko) 2003-04-09 2017-02-15 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
JP4428115B2 (ja) 2003-04-11 2010-03-10 株式会社ニコン 液浸リソグラフィシステム
US6842223B2 (en) 2003-04-11 2005-01-11 Nikon Precision Inc. Enhanced illuminator for use in photolithographic systems
JP2004319724A (ja) 2003-04-16 2004-11-11 Ses Co Ltd 半導体洗浄装置に於ける洗浄槽の構造
WO2004094940A1 (ja) 2003-04-23 2004-11-04 Nikon Corporation 干渉計システム、干渉計システムにおける信号処理方法、該信号処理方法を用いるステージ
US7095546B2 (en) 2003-04-24 2006-08-22 Metconnex Canada Inc. Micro-electro-mechanical-system two dimensional mirror with articulated suspension structures for high fill factor arrays
JP2006524349A (ja) 2003-04-24 2006-10-26 メトコネックス カナダ インコーポレイティッド 高フィルファクターアレイのための、連接式サスペンション構造を有する微小電子機械システム2次元ミラー
JP2004327660A (ja) 2003-04-24 2004-11-18 Nikon Corp 走査型投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2004335808A (ja) 2003-05-08 2004-11-25 Sony Corp パターン転写装置、パターン転写方法およびプログラム
JP2004335864A (ja) 2003-05-09 2004-11-25 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JP4487168B2 (ja) 2003-05-09 2010-06-23 株式会社ニコン ステージ装置及びその駆動方法、並びに露光装置
US7511886B2 (en) 2003-05-13 2009-03-31 Carl Zeiss Smt Ag Optical beam transformation system and illumination system comprising an optical beam transformation system
JP2004342987A (ja) 2003-05-19 2004-12-02 Canon Inc ステージ装置
TW200507055A (en) 2003-05-21 2005-02-16 Nikon Corp Polarized cancellation element, illumination device, exposure device, and exposure method
JP2005012190A (ja) 2003-05-23 2005-01-13 Nikon Corp 結像光学系の評価方法、結像光学系の調整方法、露光装置および露光方法
TW201515064A (zh) 2003-05-23 2015-04-16 尼康股份有限公司 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法
TWI424470B (zh) 2003-05-23 2014-01-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
JP2004349645A (ja) 2003-05-26 2004-12-09 Sony Corp 液浸差動排液静圧浮上パッド、原盤露光装置および液侵差動排液による露光方法
KR20150036794A (ko) 2003-05-28 2015-04-07 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
JP2004356410A (ja) 2003-05-29 2004-12-16 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
DE10324477A1 (de) 2003-05-30 2004-12-30 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
JPWO2004109780A1 (ja) 2003-06-04 2006-07-20 株式会社ニコン ステージ装置、固定方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法
JP2005005295A (ja) 2003-06-09 2005-01-06 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2005005395A (ja) 2003-06-10 2005-01-06 Nikon Corp ガス給排気方法及び装置、鏡筒、露光装置及び方法
JP2005005521A (ja) 2003-06-12 2005-01-06 Nikon Corp 露光装置、露光方法、および偏光状態測定装置
TWI564933B (zh) 2003-06-19 2017-01-01 尼康股份有限公司 An exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP2005011990A (ja) 2003-06-19 2005-01-13 Nikon Corp 走査型投影露光装置、走査型投影露光装置の照度キャリブレーション方法及び露光方法
JP2005019628A (ja) 2003-06-25 2005-01-20 Nikon Corp 光学装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
DE10328938A1 (de) 2003-06-27 2005-01-20 Carl Zeiss Smt Ag Korrektureinrichtung zur Kompensation von Störungen der Polarisationsverteilung sowie Projektionsobjektiv für die Mikrolithografie
JP2005024890A (ja) 2003-07-02 2005-01-27 Renesas Technology Corp 偏光子、投影レンズ系、露光装置及び露光方法
JP2005026634A (ja) 2003-07-04 2005-01-27 Sony Corp 露光装置および半導体装置の製造方法
KR101296501B1 (ko) 2003-07-09 2013-08-13 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
EP2264531B1 (en) 2003-07-09 2013-01-16 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
WO2005005694A1 (ja) * 2003-07-10 2005-01-20 Nikon Corporation 人工水晶部材、露光装置、及び露光装置の製造方法
JPWO2005008754A1 (ja) 2003-07-18 2007-09-20 株式会社ニコン フレア計測方法、露光方法、及びフレア計測用のマスク
KR20060039925A (ko) * 2003-07-24 2006-05-09 가부시키가이샤 니콘 조명 광학 장치, 노광 장치 및 노광 방법
JP4492239B2 (ja) 2003-07-28 2010-06-30 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法
JP4492600B2 (ja) 2003-07-28 2010-06-30 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2005051147A (ja) 2003-07-31 2005-02-24 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP2005055811A (ja) 2003-08-07 2005-03-03 Olympus Corp 光学部材、この光学部材を組み込む光学機器、及びその光学機器の組み立て方法
JP2005064210A (ja) 2003-08-12 2005-03-10 Nikon Corp 露光方法、該露光方法を利用した電子デバイスの製造方法及び露光装置
JP4262031B2 (ja) 2003-08-19 2009-05-13 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイスの製造方法
JP4305095B2 (ja) 2003-08-29 2009-07-29 株式会社ニコン 光学部品の洗浄機構を搭載した液浸投影露光装置及び液浸光学部品洗浄方法
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG140604A1 (en) 2003-08-29 2008-03-28 Nikon Corp Liquid recovery apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP4218475B2 (ja) 2003-09-11 2009-02-04 株式会社ニコン 極端紫外線光学系及び露光装置
JP4323903B2 (ja) 2003-09-12 2009-09-02 キヤノン株式会社 照明光学系及びそれを用いた露光装置
KR101159867B1 (ko) 2003-09-12 2012-06-26 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피 투사 노출 장치용 조명 시스템
DE10343333A1 (de) 2003-09-12 2005-04-14 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
JP2005091023A (ja) 2003-09-12 2005-04-07 Minolta Co Ltd 光学式エンコーダおよびそれを備えた撮像装置
JP4444920B2 (ja) 2003-09-19 2010-03-31 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005093948A (ja) 2003-09-19 2005-04-07 Nikon Corp 露光装置及びその調整方法、露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2005093324A (ja) 2003-09-19 2005-04-07 Toshiba Corp 画像表示装置に用いるガラス基板、ガラス基板の製造方法、およびガラス基板の製造装置
JP2005123586A (ja) 2003-09-25 2005-05-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 投影装置および投影方法
US7408616B2 (en) 2003-09-26 2008-08-05 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic exposure method as well as a projection exposure system for carrying out the method
EP1668420B1 (en) * 2003-09-26 2008-05-21 Carl Zeiss SMT AG Exposure method as well as projection exposure system for carrying out the method
JP4385702B2 (ja) 2003-09-29 2009-12-16 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JP2005108925A (ja) 2003-09-29 2005-04-21 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置および露光方法
JP4513299B2 (ja) 2003-10-02 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP4470433B2 (ja) 2003-10-02 2010-06-02 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2005114882A (ja) 2003-10-06 2005-04-28 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd 処理ステージの基板載置方法、基板露光ステージおよび基板露光装置
EP1670466A4 (en) * 2003-10-06 2007-04-25 Glaxo Group Ltd PREPARATION OF 1,6,7-TRISUBSTITUTED AZABENIC ZIMIDAZOLES AS KINASE-INHIBITORS
JP2005116831A (ja) 2003-10-08 2005-04-28 Nikon Corp 投影露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
WO2005036623A1 (ja) 2003-10-08 2005-04-21 Zao Nikon Co., Ltd. 基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
JP2005136364A (ja) 2003-10-08 2005-05-26 Zao Nikon Co Ltd 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JPWO2005036619A1 (ja) 2003-10-09 2007-11-22 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
JPWO2005036620A1 (ja) 2003-10-10 2006-12-28 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
EP1524558A1 (en) 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005127460A (ja) 2003-10-27 2005-05-19 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 免震除振床システム
EP1679738A4 (en) 2003-10-28 2008-08-06 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
TW201834020A (zh) 2003-10-28 2018-09-16 日商尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
JP2005140999A (ja) 2003-11-06 2005-06-02 Nikon Corp 光学系、光学系の調整方法、露光装置、および露光方法
TWI387855B (zh) 2003-11-13 2013-03-01 尼康股份有限公司 A variable slit device, a lighting device, an exposure device, an exposure method, and an element manufacturing method
EP1688988A1 (en) 2003-11-17 2006-08-09 Nikon Corporation Stage drive method, stage apparatus, and exposure apparatus
JP4470095B2 (ja) 2003-11-20 2010-06-02 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
TWI612338B (zh) 2003-11-20 2018-01-21 尼康股份有限公司 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法
JP4976094B2 (ja) 2003-11-20 2012-07-18 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、露光方法、およびマイクロデバイスの製造方法
JP4552428B2 (ja) 2003-12-02 2010-09-29 株式会社ニコン 照明光学装置、投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US6970233B2 (en) 2003-12-03 2005-11-29 Texas Instruments Incorporated System and method for custom-polarized photolithography illumination
JP2005175177A (ja) 2003-12-11 2005-06-30 Nikon Corp 光学装置及び露光装置
JP2005175176A (ja) 2003-12-11 2005-06-30 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法
JP4720506B2 (ja) 2003-12-15 2011-07-13 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置、及び露光方法
JP3102327U (ja) 2003-12-17 2004-07-02 国統国際股▲ふん▼有限公司 可撓管の漏れ止め機構
JP4954444B2 (ja) 2003-12-26 2012-06-13 株式会社ニコン 流路形成部材、露光装置及びデバイス製造方法
EP3376523A1 (en) 2004-01-05 2018-09-19 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device producing method
JP4586367B2 (ja) 2004-01-14 2010-11-24 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置
US20070195676A1 (en) 2004-01-16 2007-08-23 Koninklijke Philips Electronic, N.V. Optical system
US20070019179A1 (en) 2004-01-16 2007-01-25 Damian Fiolka Polarization-modulating optical element
US8270077B2 (en) 2004-01-16 2012-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Polarization-modulating optical element
KR101099847B1 (ko) 2004-01-16 2011-12-27 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 편광변조 광학소자
JP4474927B2 (ja) 2004-01-20 2010-06-09 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法
JP2005209705A (ja) 2004-01-20 2005-08-04 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
US7697110B2 (en) 2004-01-26 2010-04-13 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
TWI395068B (zh) 2004-01-27 2013-05-01 尼康股份有限公司 光學系統、曝光裝置以及曝光方法
US7580559B2 (en) 2004-01-29 2009-08-25 Asml Holding N.V. System and method for calibrating a spatial light modulator
KR101276392B1 (ko) 2004-02-03 2013-06-19 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
TWI379344B (en) 2004-02-06 2012-12-11 Nikon Corp Polarization changing device, optical illumination apparatus, light-exposure apparatus and light-exposure method
EP1724815B1 (en) 2004-02-10 2012-06-13 Nikon Corporation Aligner, device manufacturing method, maintenance method and aligning method
JP4370992B2 (ja) 2004-02-18 2009-11-25 株式会社ニコン 光学素子及び露光装置
WO2005081291A1 (ja) 2004-02-19 2005-09-01 Nikon Corporation 露光装置及びデバイスの製造方法
JP4693088B2 (ja) 2004-02-20 2011-06-01 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、および露光方法
JP2005234359A (ja) 2004-02-20 2005-09-02 Ricoh Co Ltd 走査光学系光学特性測定装置、走査光学系光学特性測定装置校正方法、走査光学系及び画像形成装置
WO2005081292A1 (ja) 2004-02-20 2005-09-01 Nikon Corporation 露光装置、供給方法及び回収方法、露光方法、ならびにデバイス製造方法
JP4333404B2 (ja) 2004-02-25 2009-09-16 株式会社ニコン 搬送装置、搬送方法、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
DE102004010569A1 (de) 2004-02-26 2005-09-15 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
JP2005243904A (ja) 2004-02-26 2005-09-08 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置及び露光方法
US6977718B1 (en) 2004-03-02 2005-12-20 Advanced Micro Devices, Inc. Lithography method and system with adjustable reflector
JP2005251549A (ja) 2004-03-04 2005-09-15 Nikon Corp マイクロスイッチ及びマイクロスイッチの駆動方法
JP2005257740A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Nikon Corp 投影光学系、露光装置、および露光方法
JP2005259789A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Nikon Corp 検知システム及び露光装置、デバイス製造方法
JP4778685B2 (ja) 2004-03-10 2011-09-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体デバイスのパターン形状評価方法及びその装置
JP4497968B2 (ja) 2004-03-18 2010-07-07 キヤノン株式会社 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP2005268700A (ja) 2004-03-22 2005-09-29 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2005276932A (ja) 2004-03-23 2005-10-06 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005302826A (ja) 2004-04-07 2005-10-27 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置及び露光方法
JP4474979B2 (ja) 2004-04-15 2010-06-09 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置
KR101330370B1 (ko) 2004-04-19 2013-11-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP2005311020A (ja) 2004-04-21 2005-11-04 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法
JP4776891B2 (ja) * 2004-04-23 2011-09-21 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4569157B2 (ja) 2004-04-27 2010-10-27 株式会社ニコン 反射型投影光学系および該反射型投影光学系を備えた露光装置
US7324280B2 (en) 2004-05-25 2008-01-29 Asml Holding N.V. Apparatus for providing a pattern of polarization
JP2005340605A (ja) 2004-05-28 2005-12-08 Nikon Corp 露光装置およびその調整方法
JP5159027B2 (ja) 2004-06-04 2013-03-06 キヤノン株式会社 照明光学系及び露光装置
JP2006005197A (ja) 2004-06-18 2006-01-05 Canon Inc 露光装置
JP4419701B2 (ja) 2004-06-21 2010-02-24 株式会社ニコン 石英ガラスの成形装置
JP2006005319A (ja) * 2004-06-21 2006-01-05 Canon Inc 照明光学系及び方法、露光装置及びデバイス製造方法
JP2006017895A (ja) 2004-06-30 2006-01-19 Integrated Solutions:Kk 露光装置
JP4444743B2 (ja) 2004-07-07 2010-03-31 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2006024819A (ja) 2004-07-09 2006-01-26 Renesas Technology Corp 液浸露光装置、及び電子デバイスの製造方法
US7283209B2 (en) 2004-07-09 2007-10-16 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for microlithography
US20080012511A1 (en) 2004-07-15 2008-01-17 Nikon Corporation Planar Motor Device, Stage Device, Exposure Device and Device Manufacturing Method
JP2006032750A (ja) 2004-07-20 2006-02-02 Canon Inc 液浸型投影露光装置、及びデバイス製造方法
EP1621930A3 (en) 2004-07-29 2011-07-06 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system for a microlithographic projection exposure apparatus
JP4411158B2 (ja) 2004-07-29 2010-02-10 キヤノン株式会社 露光装置
JP2006049758A (ja) 2004-08-09 2006-02-16 Nikon Corp 露光装置の制御方法、並びに、これを用いた露光方法及び装置
JP2006054364A (ja) 2004-08-13 2006-02-23 Nikon Corp 基板吸着装置、露光装置
JP4599936B2 (ja) 2004-08-17 2010-12-15 株式会社ニコン 照明光学装置、照明光学装置の調整方法、露光装置、および露光方法
JP4983257B2 (ja) 2004-08-18 2012-07-25 株式会社ニコン 露光装置、デバイス製造方法、計測部材、及び計測方法
JP2006073584A (ja) 2004-08-31 2006-03-16 Nikon Corp 露光装置及び方法並びにデバイス製造方法
US20070252970A1 (en) 2004-09-01 2007-11-01 Nikon Corporation Substrate Holder, Stage Apparatus, and Exposure Apparatus
US7433046B2 (en) 2004-09-03 2008-10-07 Carl Ziess Meditec, Inc. Patterned spinning disk based optical phase shifter for spectral domain optical coherence tomography
JP4772306B2 (ja) 2004-09-06 2011-09-14 株式会社東芝 液浸光学装置及び洗浄方法
JP2006080281A (ja) 2004-09-09 2006-03-23 Nikon Corp ステージ装置、ガスベアリング装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
WO2006028188A1 (ja) 2004-09-10 2006-03-16 Nikon Corporation ステージ装置及び露光装置
EP1804278A4 (en) 2004-09-14 2011-03-02 Nikon Corp CORRECTION METHOD AND EXPOSURE DEVICE
JP2006086141A (ja) 2004-09-14 2006-03-30 Nikon Corp 投影光学系、露光装置、および露光方法
WO2006030910A1 (ja) 2004-09-17 2006-03-23 Nikon Corporation 露光用基板、露光方法及びデバイス製造方法
JP2006086442A (ja) 2004-09-17 2006-03-30 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP4804358B2 (ja) 2004-09-27 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 空間光変調装置、光学処理装置、及びカップリングプリズムの使用方法
JP2006100363A (ja) 2004-09-28 2006-04-13 Canon Inc 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法。
JP4747545B2 (ja) 2004-09-30 2011-08-17 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置並びにデバイス製造方法
US7245353B2 (en) 2004-10-12 2007-07-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method
GB2419208A (en) 2004-10-18 2006-04-19 Qinetiq Ltd Optical correlation employing an optical bit delay
JP4335114B2 (ja) 2004-10-18 2009-09-30 日本碍子株式会社 マイクロミラーデバイス
JP2006120985A (ja) 2004-10-25 2006-05-11 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置、および露光方法
JP2006128192A (ja) 2004-10-26 2006-05-18 Nikon Corp 保持装置、鏡筒、及び露光装置、並びにデバイス製造方法
TWI416265B (zh) 2004-11-01 2013-11-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
US7271874B2 (en) 2004-11-02 2007-09-18 Asml Holding N.V. Method and apparatus for variable polarization control in a lithography system
JP4517354B2 (ja) 2004-11-08 2010-08-04 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
WO2006051909A1 (ja) 2004-11-11 2006-05-18 Nikon Corporation 露光方法、デバイス製造方法、及び基板
JP2006140366A (ja) 2004-11-15 2006-06-01 Nikon Corp 投影光学系及び露光装置
TWI493600B (zh) 2004-12-15 2015-07-21 尼康股份有限公司 A substrate holding device, an exposure device, and a device manufacturing method
JP2005150759A (ja) 2004-12-15 2005-06-09 Nikon Corp 走査型露光装置
JP2006170811A (ja) 2004-12-16 2006-06-29 Nikon Corp 多層膜反射鏡、euv露光装置、及び軟x線光学機器
JP2006170899A (ja) 2004-12-17 2006-06-29 Sendai Nikon:Kk 光電式エンコーダ
JP2006179516A (ja) 2004-12-20 2006-07-06 Toshiba Corp 露光装置、露光方法及び半導体装置の製造方法
EP1830456A1 (en) 2004-12-24 2007-09-05 Nikon Corporation Magnetic guiding apparatus, stage apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method
JP2006177865A (ja) 2004-12-24 2006-07-06 Ntn Corp 磁気エンコーダおよびそれを備えた車輪用軸受装置
US20060138349A1 (en) 2004-12-27 2006-06-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4402582B2 (ja) 2004-12-27 2010-01-20 大日本印刷株式会社 大型フォトマスク用ケース及びケース交換装置
US7312852B2 (en) 2004-12-28 2007-12-25 Asml Netherlands B.V. Polarized radiation in lithographic apparatus and device manufacturing method
US7345740B2 (en) 2004-12-28 2008-03-18 Asml Netherlands B.V. Polarized radiation in lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4632793B2 (ja) 2005-01-12 2011-02-16 京セラ株式会社 ナビゲーション機能付き携帯型端末機
WO2006077958A1 (ja) 2005-01-21 2006-07-27 Nikon Corporation リニアモータ、ステージ装置、及び露光装置
TWI453795B (zh) 2005-01-21 2014-09-21 尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
US20060164711A1 (en) 2005-01-24 2006-07-27 Asml Holding N.V. System and method utilizing an electrooptic modulator
EP1843204A1 (en) 2005-01-25 2007-10-10 Nikon Corporation Exposure device, exposure method, and micro device manufacturing method
WO2006085524A1 (ja) 2005-02-14 2006-08-17 Nikon Corporation 露光装置
JP4650619B2 (ja) 2005-03-09 2011-03-16 株式会社ニコン 駆動ユニット、光学ユニット、光学装置、並びに露光装置
JP2006253572A (ja) 2005-03-14 2006-09-21 Nikon Corp ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP5125503B2 (ja) 2005-03-23 2013-01-23 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機el素子の製造方法
JP4858744B2 (ja) 2005-03-24 2012-01-18 株式会社ニコン 露光装置
JP4561425B2 (ja) 2005-03-24 2010-10-13 ソニー株式会社 ホログラム記録再生装置およびホログラム記録再生方法
JP2006278820A (ja) 2005-03-30 2006-10-12 Nikon Corp 露光方法及び装置
JP4546315B2 (ja) 2005-04-07 2010-09-15 株式会社神戸製鋼所 微細加工用型の製造方法
JP4918858B2 (ja) 2005-04-27 2012-04-18 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、デバイス製造方法、及び膜の評価方法
JP4676815B2 (ja) 2005-05-26 2011-04-27 ルネサスエレクトロニクス株式会社 露光装置および露光方法
JP2006351586A (ja) 2005-06-13 2006-12-28 Nikon Corp 照明装置、投影露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法
JP4710427B2 (ja) 2005-06-15 2011-06-29 株式会社ニコン 光学素子保持装置、鏡筒及び露光装置並びにデバイスの製造方法
DE102005030839A1 (de) 2005-07-01 2007-01-11 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage mit einer Mehrzahl von Projektionsobjektiven
US7317512B2 (en) * 2005-07-11 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Different polarization in cross-section of a radiation beam in a lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2007018127A1 (ja) 2005-08-05 2007-02-15 Nikon Corporation ステージ装置及び露光装置
JP2007048819A (ja) 2005-08-08 2007-02-22 Nikon Corp 面位置検出装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
JP2007043980A (ja) 2005-08-11 2007-02-22 Sanei Gen Ffi Inc 焼成和洋菓子用品質改良剤
US20070058151A1 (en) 2005-09-13 2007-03-15 Asml Netherlands B.V. Optical element for use in lithography apparatus and method of conditioning radiation beam
JP2007087306A (ja) 2005-09-26 2007-04-05 Yokohama National Univ 目標画像指定作成方式
JP2007093546A (ja) 2005-09-30 2007-04-12 Nikon Corp エンコーダシステム、ステージ装置及び露光装置
JP4640090B2 (ja) 2005-10-04 2011-03-02 ウシオ電機株式会社 放電ランプ用ホルダー、および放電ランプ保持機構
JP2007113939A (ja) 2005-10-18 2007-05-10 Nikon Corp 計測装置及び計測方法、ステージ装置、並びに露光装置及び露光方法
JP2007120333A (ja) 2005-10-25 2007-05-17 Mitsubishi Heavy Ind Ltd ロケット用燃焼器の噴射管およびロケット用燃焼器
JP2007120334A (ja) 2005-10-25 2007-05-17 Denso Corp 車両駆動システムの異常診断装置
JP4809037B2 (ja) 2005-10-27 2011-11-02 日本カニゼン株式会社 黒色めっき膜およびその形成方法、めっき膜を有する物品
EP1947683A4 (en) 2005-11-09 2010-08-25 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
EP1953805A4 (en) 2005-11-10 2010-03-31 Nikon Corp OPTICAL LIGHTING SYSTEM, EXPOSURE SYSTEM AND EXPOSURE METHOD
TWI397945B (zh) 2005-11-14 2013-06-01 尼康股份有限公司 A liquid recovery member, an exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method
JP2007142313A (ja) 2005-11-22 2007-06-07 Nikon Corp 計測工具及び調整方法
JP2007144864A (ja) 2005-11-29 2007-06-14 Sanyo Electric Co Ltd 積層構造体およびそれを用いた冷凍装置
EP1965414A4 (en) 2005-12-06 2010-08-25 Nikon Corp EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS
KR101340138B1 (ko) 2005-12-08 2013-12-10 가부시키가이샤 니콘 기판 보지 장치, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조방법
JP4800901B2 (ja) 2005-12-12 2011-10-26 矢崎総業株式会社 電圧検出装置及び絶縁インタフェース
JP2007170938A (ja) 2005-12-21 2007-07-05 Sendai Nikon:Kk エンコーダ
JP2007207821A (ja) 2006-01-31 2007-08-16 Nikon Corp 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
JP2007220767A (ja) 2006-02-15 2007-08-30 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
JP2007227637A (ja) 2006-02-23 2007-09-06 Canon Inc 液浸露光装置
KR20080104309A (ko) 2006-02-27 2008-12-02 가부시키가이샤 니콘 다이크로익 필터
JP2007234110A (ja) 2006-02-28 2007-09-13 Toshiba Corp 光情報記録装置および光情報記録装置の制御方法
JP4929762B2 (ja) 2006-03-03 2012-05-09 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
DE102006015213A1 (de) 2006-03-30 2007-10-11 Carl Zeiss Smt Ag Polarisationsbeeinflussende optische Anordnung
JP2007280623A (ja) 2006-04-03 2007-10-25 Seiko Epson Corp 熱処理装置、薄膜形成装置及び熱処理方法
JP2007295702A (ja) 2006-04-24 2007-11-08 Toshiba Mach Co Ltd リニアモータ、および、ステージ駆動装置
WO2007132862A1 (ja) 2006-05-16 2007-11-22 Nikon Corporation 投影光学系、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4893112B2 (ja) 2006-06-03 2012-03-07 株式会社ニコン 高周波回路コンポーネント
JP4873138B2 (ja) 2006-06-21 2012-02-08 富士ゼロックス株式会社 情報処理装置及びプログラム
JP2008041710A (ja) 2006-08-01 2008-02-21 Fujitsu Ltd 照明光学装置、露光方法及び設計方法
JP2008058580A (ja) 2006-08-31 2008-03-13 Canon Inc 画像形成装置、監視装置、制御方法、及びプログラム
JP2008064924A (ja) 2006-09-06 2008-03-21 Seiko Epson Corp 定着装置及び画像形成装置
WO2008041575A1 (fr) 2006-09-29 2008-04-10 Nikon Corporation Dispositif formant platine et dispositif d'exposition
JP2007051300A (ja) 2006-10-10 2007-03-01 Teijin Chem Ltd 難燃性樹脂組成物
JP4924879B2 (ja) 2006-11-14 2012-04-25 株式会社ニコン エンコーダ
WO2008061681A2 (de) 2006-11-21 2008-05-29 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die projektions-mikrolithografie sowie mess- und überwachungsverfahren für eine derartige beleuchtungsoptik
WO2008065977A1 (fr) 2006-11-27 2008-06-05 Nikon Corporation Procédé d'exposition, procédé de formation de motif, dispositif d'exposition, et procédé de fabrication du dispositif
JP2007274881A (ja) 2006-12-01 2007-10-18 Nikon Corp 移動体装置、微動体及び露光装置
DE102007027985A1 (de) 2006-12-21 2008-06-26 Carl Zeiss Smt Ag Optisches System, insbesondere Beleuchtungseinrichtung oder Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
JP4910679B2 (ja) 2006-12-21 2012-04-04 株式会社ニコン 可変キャパシタ、可変キャパシタ装置、高周波回路用フィルタ及び高周波回路
WO2008078668A1 (ja) 2006-12-26 2008-07-03 Miura Co., Ltd. ボイラ給水用補給水の供給方法
JP5146323B2 (ja) 2006-12-27 2013-02-20 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法
BRPI0722064A2 (pt) 2006-12-27 2014-04-01 Sanofi Aventis Derivados de isoquinolona substituídos por cicloalquilamina
WO2008090975A1 (ja) 2007-01-26 2008-07-31 Nikon Corporation 支持構造体及び露光装置
JP5226225B2 (ja) 2007-02-02 2013-07-03 甲府カシオ株式会社 配線基板の半田接合構造
CN101681092B (zh) 2007-05-09 2012-07-25 株式会社尼康 光罩用基板、光罩用基板的成形构件、光罩用基板的制造方法、光罩、及使用光罩的曝光方法
WO2008149537A1 (ja) 2007-05-31 2008-12-11 Panasonic Corporation 画像撮影装置、付加情報提供サーバ及び付加情報フィルタリングシステム
JP5194650B2 (ja) 2007-08-31 2013-05-08 株式会社ニコン 電子カメラ
US8451427B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
FR2921042B1 (fr) * 2007-09-14 2010-05-14 Airbus Dispositif de generation de fumee pour aeronef et aeronef equipe d'un tel dispositif
US20090091730A1 (en) 2007-10-03 2009-04-09 Nikon Corporation Spatial light modulation unit, illumination apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5267029B2 (ja) 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
CN101681123B (zh) 2007-10-16 2013-06-12 株式会社尼康 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP4499774B2 (ja) 2007-10-24 2010-07-07 株式会社半導体エネルギー研究所 絶縁ゲイト型半導体装置
JP2010004008A (ja) 2007-10-31 2010-01-07 Nikon Corp 光学ユニット、照明光学装置、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
US9116346B2 (en) 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JPWO2009153925A1 (ja) 2008-06-17 2011-11-24 株式会社ニコン ナノインプリント方法及び装置
JP5467531B2 (ja) 2008-06-26 2014-04-09 株式会社ニコン 表示素子の製造方法及び製造装置
WO2010001537A1 (ja) 2008-06-30 2010-01-07 株式会社ニコン 表示素子の製造方法及び製造装置、薄膜トランジスタの製造方法及び製造装置、及び回路形成装置
US20110037962A1 (en) 2009-08-17 2011-02-17 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20110205519A1 (en) 2010-02-25 2011-08-25 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101802715B (zh) * 2007-09-14 2012-12-19 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻投射曝光设备的照明系统
CN102356353B (zh) * 2009-03-19 2014-06-11 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻投射曝光设备的照明系统
CN104054024A (zh) * 2012-01-17 2014-09-17 Asml荷兰有限公司 光刻设备和装置制造方法
US9568831B2 (en) 2012-01-17 2017-02-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN104094091A (zh) * 2012-03-27 2014-10-08 日本先锋公司 半导体发光元件用测定装置
CN104094091B (zh) * 2012-03-27 2016-08-24 日本先锋公司 半导体发光元件用测定装置以及半导体发光元件用测定方法
CN103454865A (zh) * 2013-09-05 2013-12-18 中国科学院光电技术研究所 一种深紫外光刻照明系统
TWI561327B (en) * 2013-10-16 2016-12-11 Asm Tech Singapore Pte Ltd Laser scribing apparatus comprising adjustable spatial filter and method for etching semiconductor substrate
CN111656252A (zh) * 2018-01-23 2020-09-11 卡尔蔡司Smt有限责任公司 投射光刻的照明光学装置
CN112630879A (zh) * 2020-12-25 2021-04-09 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种相位延迟元件及相位延迟装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP2927935A3 (en) 2016-01-27
TW201432790A (zh) 2014-08-16
JP5333322B2 (ja) 2013-11-06
KR20080085079A (ko) 2008-09-22
EP2927935A2 (en) 2015-10-07
US9140993B2 (en) 2015-09-22
KR101020455B1 (ko) 2011-03-08
TWI628698B (zh) 2018-07-01
EP2645407B1 (en) 2015-08-12
TWI360158B (en) 2012-03-11
EP2927935B1 (en) 2017-03-08
EP2645407A2 (en) 2013-10-02
HK1214033A1 (zh) 2016-07-15
JP4543341B2 (ja) 2010-09-15
KR20170012574A (ko) 2017-02-02
US9423698B2 (en) 2016-08-23
US20130250268A1 (en) 2013-09-26
JP5780337B2 (ja) 2015-09-16
TW200520048A (en) 2005-06-16
JP2014179631A (ja) 2014-09-25
EP2645407A3 (en) 2014-07-30
JP6323425B2 (ja) 2018-05-16
US20090284729A1 (en) 2009-11-19
JP2018116279A (ja) 2018-07-26
EP2654073B1 (en) 2015-09-02
JP5854103B2 (ja) 2016-02-09
EP2645406A2 (en) 2013-10-02
EP2645405A2 (en) 2013-10-02
KR20070107808A (ko) 2007-11-07
US20150248065A1 (en) 2015-09-03
US20170227698A1 (en) 2017-08-10
EP1681710B1 (en) 2015-09-16
EP2654073A3 (en) 2014-07-30
WO2005041277A1 (ja) 2005-05-06
TW200811613A (en) 2008-03-01
JP5854107B2 (ja) 2016-02-09
JP2010192914A (ja) 2010-09-02
JP2013211558A (ja) 2013-10-10
TWI569308B (zh) 2017-02-01
JP2014195086A (ja) 2014-10-09
CN101387754A (zh) 2009-03-18
US20090122292A1 (en) 2009-05-14
HK1189097A1 (zh) 2014-05-23
US9140992B2 (en) 2015-09-22
KR101083926B1 (ko) 2011-11-15
JP2015065441A (ja) 2015-04-09
US20130242280A1 (en) 2013-09-19
TW201640563A (zh) 2016-11-16
EP3229076A2 (en) 2017-10-11
CN101387754B (zh) 2014-05-07
JPWO2005041277A1 (ja) 2007-08-23
US20060203214A1 (en) 2006-09-14
JP5668780B2 (ja) 2015-02-12
JP5333528B2 (ja) 2013-11-06
CN101526758A (zh) 2009-09-09
HK1189426A1 (zh) 2014-06-06
KR100869390B1 (ko) 2008-11-21
KR20140029540A (ko) 2014-03-10
KR20160011695A (ko) 2016-02-01
KR101921434B1 (ko) 2018-11-22
TW201216326A (en) 2012-04-16
KR20100061552A (ko) 2010-06-07
JP5668779B2 (ja) 2015-02-12
JP5854082B2 (ja) 2016-02-09
TWI457712B (zh) 2014-10-21
JP2013191858A (ja) 2013-09-26
KR101518188B1 (ko) 2015-05-07
KR20150031454A (ko) 2015-03-24
JP4543331B2 (ja) 2010-09-15
JP2016053718A (ja) 2016-04-14
TWI609409B (zh) 2017-12-21
KR101020378B1 (ko) 2011-03-08
KR20060064019A (ko) 2006-06-12
HK1189095A1 (zh) 2014-05-23
JP2017054138A (ja) 2017-03-16
TWI573175B (zh) 2017-03-01
EP1681710A4 (en) 2008-10-29
KR20080085078A (ko) 2008-09-22
KR20110036050A (ko) 2011-04-06
KR101699827B1 (ko) 2017-01-25
EP2654073A2 (en) 2013-10-23
TW201432789A (zh) 2014-08-16
US20150248066A1 (en) 2015-09-03
EP2645405A3 (en) 2014-07-30
KR20100061553A (ko) 2010-06-07
KR101514104B1 (ko) 2015-04-22
KR101531739B1 (ko) 2015-06-25
EP2645405B1 (en) 2015-08-12
TWI474132B (zh) 2015-02-21
JP2015046604A (ja) 2015-03-12
EP1681710A1 (en) 2006-07-19
EP3229076A3 (en) 2017-12-13
JP2011211230A (ja) 2011-10-20
KR20140027559A (ko) 2014-03-06
US9146476B2 (en) 2015-09-29
CN100481325C (zh) 2009-04-22
TW201314385A (zh) 2013-04-01
TW201834020A (zh) 2018-09-16
US9423697B2 (en) 2016-08-23
JP2015046619A (ja) 2015-03-12
HK1130091A1 (zh) 2009-12-18
US9244359B2 (en) 2016-01-26
TWI511179B (zh) 2015-12-01
KR101640327B1 (ko) 2016-07-15
TW201802878A (zh) 2018-01-16
HK1244889A1 (zh) 2018-08-17
JP2008182266A (ja) 2008-08-07
KR100839686B1 (ko) 2008-06-19
EP2645406B1 (en) 2015-09-02
US9760014B2 (en) 2017-09-12
EP2645406A3 (en) 2014-07-30
KR20100061551A (ko) 2010-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1871689A (zh) 投影机曝光装置、曝光方法以及元件制造方法
CN104025257B (zh) 照明光学系统、曝光装置及组件制造方法
CN1303649C (zh) 曝光装置、曝光方法以及元件制造方法
JP6742604B2 (ja) 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
CN1409175A (zh) 照明光学系统、曝光装置以及微元件的制造方法
CN1883029A (zh) 光束变换元件、光学照明装置、曝光装置、以及曝光方法
CN1522381A (zh) 投影光学系统及具备该投影光学系统的曝光装置
CN1904740A (zh) 工作台装置、光刻装置及器件制造方法
TW200907592A (en) Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
TW200305786A (en) Projection system, exposure device and espousing method
CN1639844A (zh) 曝光装置和曝光方法
CN1461974A (zh) 组装光学元件套件和方法,光学元件,平版印刷机和器件制造法
TW200937138A (en) Spatial light modulator, illumination optical system, aligner, and device manufacturing method
JP2008153401A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
CN101078814A (zh) 偏光变换元件、光学照明装置、曝光装置以及曝光方法
TW200929333A (en) Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
TW200844677A (en) Image forming optical system, exposure equipment and device manufacturing method
JP2003185923A (ja) 投影露光装置及び露光方法
CN1856861A (zh) 照射光学装置、曝光装置及曝光方法
CN1703656A (zh) 曝光方法及装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant