CN1882876A - 偏振掩膜版、光刻系统以及用偏振掩膜版结合偏振光形成图案的方法 - Google Patents

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Abstract

揭示了偏振掩膜版、使用偏振掩膜版的光刻系统、以及使用该系统的方法。形成的偏振掩膜版所具有的那个掩膜版包含至少一个第一图案化区域，该区域至少部分地由至少一个第二图案化区域所围绕。该偏振掩膜版的第一图案化区域包括偏振材料，并且偏振掩膜版的第二图案化区域也包括偏振材料。两区域的偏振材料的偏振方向通常彼此正交。当用具有选定偏振方向的线性偏振光来照射偏振掩膜版时，偏振掩膜版的两个区域上的偏振材料可以选择性地被用作滤光片，以能够在最佳照明条件下暴露偏振掩膜版的不同区域。

Description

偏振掩膜版、光刻系统以及用偏振掩膜版结合偏振光形成图案的方法
技术领域
本发明涉及在像半导体晶片这样的基板的光刻处理中所使用的掩膜版的设计，尤其涉及具有偏振材料层的掩膜版以及用偏振光使掩膜版曝光以在光刻胶上产生高分辨率图像的方法。
背景技术
通过使用光刻结合各种其它工艺在单个半导体晶片或其它体半导体衬底上制造上百个或几十亿个电路图案，便可大批量生产包括像存储器芯片这样的包括集成电路的半导体器件。为了在给定的表面区域上增大半导体存储器上存储单元的数目，很重要的是精确地控制光刻期间所产生的图像的光学分辨率。这些图像被用于定义半导体衬底上的结构特征，以制造出这种半导体存储器的集成电路。
光刻是这样一种过程，其中在像光刻胶这样对光子、电子或离子敏感的一层材料上刻画出图案。在光刻过程中，含图案(例如，掩膜版或掩膜)的物体经入射光曝光。来自掩膜版或掩膜的图像投射到覆盖在半导体晶片或其它衬底上的光刻胶之上。光刻过程通常包括多次的曝光并冲洗光刻胶，其间有沉积、刻蚀和/或注入步骤。在给定步骤处，光刻胶被选择性地暴露于光子、电子或离子，然后，冲洗以去除曝光的或未曝光的光刻胶部分之一，这取决于是使用正光刻胶还是负光刻胶。复杂的器件通常要求多次的曝光和冲洗步骤。
有三种主要的常规光刻方法，以光学的方式将掩膜版或掩膜上的图案转移到涂覆在衬底之上的光刻胶。这些方法是接触印刷、接近式印刷、或投影印刷。目前，投影印刷是最常使用的光刻系统类型。参照图1，示出了用在投影印刷中的常规的光刻系统。光刻系统100包括可操作地耦合到照明源104以便提供光线的照明控制器102。照明源104通常包括镜子、灯、激光器、滤光片和/或聚光透镜系统。在图1所示的曝光系统中，照明源104照射掩膜版106，掩膜版106具有要被投影到光刻胶110上的期望图案。投影透镜108可以包括复杂的透镜组和/或镜子组，将掩膜版106的图案汇聚到光刻胶110上。冲洗光刻胶110，接下来通过刻蚀处理基板112以形成想要的结构，然后除去光刻胶110。
在用光刻制造存储器芯片和其它半导体器件的过程中，主要的问题在于，掩膜版的外围区域和阵列区域在不同的照明条件下具有它们最大的处理窗口。当要在光刻胶上形成的特征尺寸很小时，比如在光源波长的一半左右的量级处或更小，该问题特别突出。如图2A所示，典型的掩膜版图案200包括阵列区域204和外围区域202。图2B示出了由外围区域202所围绕的单阵列区域204。参照图2A和2B，掩膜版200的阵列区域204和外围区域202具有不同的图案。例如，阵列区域204可以包含具有特别尺寸的周期图案，而外围区域202可以包含较大或较小尺寸的不同图案，可能是不同的周期图案，或甚至是非周期图案。
在常规的光刻中，掩膜版的外围图案和阵列图案同时暴露于照明源。然而，阵列区域和外围区域所对应的最佳照明条件并不完全相同。术语“照明条件”应该被理解为包括用于照射掩膜版的光线的角分布和在那些角度中的光线的总强度。间隔相对较紧的阵列区域的图案特征通常要求用圆环面光以相当陡的入射角来照明。当使用单平面波入射光时，相当稀疏的外围区域的图案特征通常具有其最佳的照明条件。由此，掩膜版的各个区域具有特定的照明条件，比如焦深、入射光的量和角度，它们对于阵列和外围区域具有不同的最佳值。因此，如果照明条件达到阵列区域所对应的最佳化，则外围区域所对应的照明条件是次最佳，反之亦然。Keum的美国专利5245470试图用光刻产生图案来克服这些问题中的一些。
该问题的一个可能的解决方案是使用不止一个掩膜版，这在本领域中是已知的，并且有时候用在半导体器件的制造中。然而，双重掩膜版的使用有两个主要的缺点。首先，制造或购买第二个掩膜版会带来附加的成本。其次，不止一个掩膜版的使用会减小加工生产量，因为它会要求为了第二掩膜版而改变第一掩膜版，并且通常会需要时间对光刻系统进行再校准。第三，不止一个掩膜版的使用也会引起在两个掩膜版之间的重叠误差之类的问题。
因此，为了提高用光刻转移到光刻胶上的图案的质量，需要一种单掩膜版光刻系统，它适合用于在针对各个区域不同的最佳照明条件下使具有不同图案的掩膜版的多个区域曝光。
发明内容
本发明在许多实施例中包括偏振掩膜版、制造偏振掩膜版的方法、使用这种偏振掩膜版的光刻系统、以及使用该偏振掩膜版以便在光刻胶上产生图案化的图像的方法。通过使用本发明的偏振掩膜版，具有多个图案化区域的单个掩膜版可以在各个特定区域所对应的最佳照明条件下曝光。本发明可以用在制造半导体器件、液晶显示元件、薄膜磁头、掩膜版所对应的光刻过程中，也可用于要求精确光刻成像的许多其它的应用中。
在本发明的一个方面中，揭示了一种偏振掩膜版，它具有至少一层偏振材料。该偏振掩膜版包括至少一个第一图形化区域，该区域至少部分地被至少一个第二图形化区域所包围，各区域具有定义于其上的不同图案。偏振材料可以位于掩膜版的第一图形化区域的至少一部分之上，并且偏振材料可以位于第二图形化区域的至少一部分之上。第一图形化区域上的偏振材料的偏振方向通常垂直于第二图形化区域上的偏振材料的偏振方向。也揭示了制造本发明的偏振掩膜版的方法。
在本发明的另一个方面，揭示了一种光刻系统。该光刻系统包括可操作地耦合到照明源的照明控制器。照明源(比如，激光器)可以用于照射线性偏振光。可移动的半波偏振片可以位于本发明的偏振掩膜版与照明源之间。放置可移动的半波偏振片并将其配置成当照明源的光线通过它时改变来自照明源的光线的偏振方向。
在本发明的另一个方面，揭示了一种使掩膜版曝光的方法。提供了一种具有光刻胶的基板。本发明的偏振掩膜版位于照明源和基板之间，其中偏振掩膜版包括至少一个第一图案化区域，该区域至少部分地被至少一个第二图案化区域所围绕，偏振掩膜版还包括顶侧和背侧。通过使用来自照明源的线性偏振光，可以使偏振掩膜版的顶侧曝光。透过偏振掩膜版背侧的第一图案化区域或第二图案化区域，偏振掩膜版，可以对线性偏振光进行滤光。当掩膜版的一个区域曝光从而在光刻胶上产生图案之后，可以接下来使掩膜版的其它区域曝光。使用本发明的偏振掩膜版能够使偏振掩膜版的各个区域在它们各自最佳的照明条件下曝光。由此，在使用各个图案所对应的最佳照明条件时，可以使用单个掩膜版来曝光多个图案。
在本发明的另一个方面，揭示了一种使掩膜版曝光的方法。提供了在其上具有光刻胶的基板。本发明的偏振掩膜版位于照明源和基板上的光刻胶之间。光刻胶包括在其上的图案，该图案具有至少一个第一图案化区域，该区域至少部分地被至少一个第二图案化区域所围绕。该掩膜版可以用照明源的线性偏振光来照射。图案的区域可以选择性地投射到光刻胶上。然后，照明源的线性偏振光的偏振方向大约改变90度，接下来选择性地将图案的其它区域投射到光刻胶上。
考虑到下面的详细描述以及附图，本发明的这些特征、优点和可选方向对于本领域中的那些技术人员而言是明显的。
附图说明
在这些图中，它们示出了目前被认为实施本发明的最佳模式：
图1示出了常规的光刻系统。
图2A是用在半导体制造工业中的、包括阵列和外围区域的典型掩膜版的平面图。
图2B是图2A所示掩膜版的部分放大平面图。
图3A示出了根据本发明偏振掩膜版顶面的平面图。
图3B是图3A所示偏振掩膜版的部分放大平面图。
图3C示出了本发明的偏振掩膜版的截面图。
图4示出了与本发明的偏振掩膜版一起使用的示例性曝光系统。
具体实施方式
本发明在许多实施例中包括偏振掩膜版、制造偏振掩膜版的方法、使用这种偏振掩膜版的光刻系统、以及使用偏振掩膜版产生图案图像的方法，它们都可以用在基板的处理之中。本发明可以被用在半导体器件、液晶显示元件、薄膜磁头、掩膜版的制造过程所对应的光刻处理之中，并且还可用于要求精确光刻成像的许多其它应用。本发明可以使用“步骤和重复”或“步骤和扫描”类型投射印刷，或其它相似的系统。
参照图3A-3C，示出了示例性的偏振掩膜版300。偏振掩膜版300包含在其上定义有图案的掩膜版301。掩膜版301可以是由像石英或硼硅酸盐玻璃这样的材料制成。通过使用与半导体制造工业中所使用的光刻工艺相同的掩膜和刻蚀技术，便可以实现掩膜版301。
如图3A所示，偏振掩膜版300可以是由多个外围区域302和多个阵列区域304组成。各阵列区域304通常是由外围区域302所围绕。阵列区域304包含与外围区域302的图案不同的图案。与外围区域302内所包含的图案相比，阵列区域304中所包含的图案可以具有较大或较小的特征尺寸，可以是具有与其不同周期的图案，或两者兼有。阵列区域304之内的图案也可以是与外围区域302之内的图案不同的非周期的图案。偏振掩膜版300的尺寸可以展现出与半导体制造工艺中所使用的掩膜版相同的尺寸，比如，大约15.24厘米(6英寸)乘以15.24厘米(6英寸)。参照图3B，外围区域302的宽度(W)可以是大约0.254厘米(1/10英寸)。阵列区域304可以具有大约1.27厘米(0.5英寸)(L1)乘以1.54厘米(1.0英寸)(L2)，其阵列区域304通常由外围区域302所包围。然而，上述尺寸和图案仅是示例性的，并且并不限于本发明。本发明包含任何由至少一个第一图案化的区域构成的任何偏振掩膜版，该区域至少部分地由至少一个第二图案化区域所围绕，其中第一图案化区域包括与第二图案化区域不同的图案。
参照图3B和3C，偏振材料308位于外围区域302之上以选择性地涂覆掩膜版301上的外围区域302。偏振材料310位于阵列区域304之上，以选择性地涂覆掩膜版301上的阵列区域304。由此，偏振材料308和偏振材料310可以分别完整地覆盖外围区域302和阵列区域304。偏振材料308和偏振材料310的偏振方向分别由图3B和3C中的线312和314来表示。偏振材料310的偏振方向是由图3C所示的阵列区域304中的点所表示的，而在图3B中由线314所表示。如图3B上线条312和314所示，偏振材料308和偏振材料310的各个偏振方向被选定，使得它们通常彼此正交。偏振材料308和偏振材料310可以是由相同的材料构成的，但是其各自的偏振方向通常彼此垂直。如果偏振材料308和偏振材料310的偏振方向经适当地选择，则各个材料可以充当滤光片，以便滤除与各个材料偏振方向正交的线性偏振光。如上所述，该滤光现象归因于用在本发明中的偏振材料，用于吸收其电场矢量垂直于该材料的偏振方向的光线而并不吸收其电场矢量平行于该材料的偏振方向的光线。
例如，其偏振方向通常平行于偏振材料308的偏振方向的线性偏振光将被偏振材料310过滤。此外，偏振方向通常平行于偏振材料310的偏振方向的线性偏振光将被偏振材料308过滤。可以选择用于偏振材料308和偏振材料310的材料以便对光刻系统中所使用的紫外光进行滤波。用于偏振材料308和偏振材料310的合适材料示例包括无机材料，比如，方解石、云母、石英延迟板、分光板偏振片、BK7(从Melles Griot中可以获得的硼硅酸玻璃)以及UV等级熔融二氧化硅。适合用于偏振材料308和偏振材料310的示例进一步包括无机材料，比如，铁电聚合物(体状，并且作为Langmuir-Blodgett膜)、聚偏二氟乙烯树脂以及液晶聚合物。所示材料的提供者可以包括Melles Griot和Oriel仪器。这些示例性的材料吸收或阻挡其偏振方向垂直于偏振材料的偏振方向的入射光的约98％。
偏振材料308和偏振材料310可以通过各种沉积技术形成于掩膜版301之上。化学汽相沉积(CVD)、物理汽相沉积(PVD)和原子层沉积(ALD)都适合用于在用来形成偏振掩膜版300的外围区域302和阵列区域304的特别界定区域中沉积膜。在外围区域302和阵列区域304中的偏振材料的应用可以是通过使用掩膜和刻蚀技术而预先形成的，这些技术是半导体制造工业中的光刻工艺所共用的。
通过人工应用由上述在其期望方向上具有各自偏振方向的偏振材料预先形成的膜，便也可以将偏振材料308和偏振材料310应用于其各自位置中的掩膜版301。操作人员/技工在显微镜下用千分尺将偏振材料精确放置在掩膜版301上期望位置处，由此可以辅助偏振材料308和偏振材料310的人工应用。偏振材料308和偏振材料310的膜也可以是Langmuir-Blodgett类型的膜。Langmuir-Blodgett膜是单分子层，首先形成于液体表面上，再转移到掩膜版301上。
参照图4，示出了使用本发明的偏振掩膜版300的示例性光刻系统。照明控制器102可以在受控的情况下耦合到照明源104，以便投射线性偏振光402。照明源104可以是能够产生线性偏振光的激光器。照明源104也可以包括镜子、灯、激光器、滤光片和/或汇聚透镜系统。术语“光线”并不限于可见光，而是可以包括任何形式的辐射能量，比如光子、激光束或X射线。通过使用可移动的或可旋转的卡盘(未示出)，可以确定半波偏振片404的大小并将其配置成插入线性偏振光402的通路中。半波偏振片404可以是由Melles Griot制造的由云母形成的半波偏振片。例如，如果线性偏振光402的偏振方向是在垂直方向上偏振的(即，垂直于偏振掩膜版300和半波偏振片404)，则其快或慢光轴与该垂直方向成45度角指向的半波偏振片404将在使其通过的时候改变线性偏振光402的偏振方向90度。这种半波偏振片可以插在线性偏振光的通路中以改变其偏振方向90度，或者半波偏振片404也可以在线性偏振光402的通路中固定位置处，并旋转到相对于线性偏振光402的偏振方向一个特定的角度处，以改变线性偏振光402的偏振方向。
当半波偏振片404被配置成在线性偏振光402的通路中时，它大约引起线性偏振光402的偏振方向中90度的旋转。偏振掩膜版300用于定义要被投影到光刻胶110上的图案，接收直接来自照明源104或来自半波偏振片404的线性偏振光402以产生掩膜版图案图像406，它表示偏振掩膜版300的图案的被选中的部分。可选地，偏振片300可以固定到硬的或软的薄膜上，以保护偏振掩膜版300免受污染。硬的薄膜包括，例如，玻璃或聚合物光纤。
参照图4，投影透镜108可以接收来自偏振掩膜版300的掩膜版图案图像406。投影透镜108可以是缩小透镜或透镜和/或镜子的组合，用于将掩膜版图案图像406汇聚到基板112上光刻胶110的表面之上。典型的半导体制造光刻法包括在偏振掩膜版300上进行四到十倍图案尺寸缩小，以便投影到目标基板112上。投影透镜108将掩膜版图案图像406进行投影以产生被投影的图案图像408。
被投影的图案图像408可以接着被照射到基板112上的光刻胶110上。基板112可以是半导体基板(比如，单晶硅、单晶砷化镓、多晶硅、磷化铟)，层状体半导体基板(比如，绝缘体上硅(SOI)基板，典型的是玻璃上硅(SOG)或蓝宝石上硅(SOS)基板)，用于形成掩膜版的玻璃(例如，碱石灰玻璃、硼硅酸盐玻璃、或石英)，或任何其它适宜的材料，比如，那些用于形成液晶显示器和薄膜磁头的材料。其上有光刻胶110的基板112可以用固定设备来支撑并固定在某一位置处，比如，卡盘(未示出)可以是步进电动机(未示出)的一部分或由它来控制，这在本领域中是已知的。
参照图4，将会更加全面地理解与偏振掩膜版300一起使用的光刻系统400的操作过程。照明控制器102启动照明源104以产生线性偏振光402。线性偏振光402选择性地在与偏振材料308或偏振材料310的偏振方向的大致平行的方向上偏振。线性偏振光402也选择性地在与偏振材料308或偏振材料310之一的偏振方向大致垂直的方向上偏振。由此，当线性偏振光402的偏振方向大致平行于掩膜版301上偏振材料之一的偏振方向时，光线透射而过。相反，当线性偏振光402的偏振方向与掩膜版301上偏振材料之一的偏振方向大致垂直时，光线被过滤并且并不透射过掩膜版301。针对被曝光的偏振掩膜版300的特定区域，可以使线性偏振光402的照明条件(比如，量、焦深、入射角等)达到最佳。
例如，其偏振方向与偏振材料308的偏振方向大致垂直的线性偏振光402照射到偏振掩膜版300上。线性偏振光402透射过偏振材料310，由此通过偏振掩膜版300的阵列区域304。光线并没有相当程度地透射过偏振材料308。阵列区域304的掩膜版图案图像406可以接着由投影透镜308来投影，被投影的图案图像408照射在光刻胶110上。偏振掩膜版300的阵列区域304之内所定义的图案形成于光刻胶110上。
在光刻胶110上形成阵列区域304的图案之后，如果半波偏振片404已经在线性偏振光402的通路中，则半波偏振片404可以在线性偏振光402的通路上移动或被旋转到所要求的位置。当线性偏振光402穿过半波偏振片404时，现存光线的偏振方向大约改变90度。由此，线性偏振光402现在的偏振方向大致正交于偏振材料310的偏振方向，并且大致平行于偏振材料308的偏振方向。然后，线性偏振光402透射过偏振材料308，由此，通过偏振掩膜版300的外围区域302。该光线并没有相当程度地透射过偏振材料310。外围区域302的掩膜版图案图像406可以接着被投影透镜108所投影，被投影的图案图像408照射在光刻胶110上。偏振掩膜版300的外围区域302之内所定义的图案形成于光刻胶110之上。光刻系统400的上述操作描述仅仅是一个示例。或者，可以首先曝光外围区域302，随后插入或旋转半波偏振片404，接下来曝光阵列区域304。
尽管前面的描述包含许多细节，但是这些内容并不能被解释为限制本发明的范围，而仅仅提供了某些示例性的实施例。相似的是，可以构思出本发明的其它实施例，而它们并不背离本发明的精神或范围。因此，本发明的范围仅由所附的权利要求书及其法律等价文本所指出并限定，而非前面的描述。另外，落在权利要求书的意义和范围之内的对本发明的删除、修改等都将被包含在本发明中。

Claims (64)

1.一种偏振掩膜版，它包括：
包括至少一个第一图案化区域的掩膜版，所述至少一个第一图案化区域至少部分地由至少一个第二图案化区域所围绕，所述至少一个第一图案化区域和所述至少一个第二图案化区域各自在其上定义了不同的图案；
具有第一偏振方向的偏振材料，所述偏振材料位于所述掩膜版的至少一个第一图案化区域的至少一部分之上；以及
具有与所述第一偏振方向大致正交的第二偏振方向的偏振材料，所述偏振材料位于所述掩膜版的至少一个第二图案化区域的至少一部分之上。
2.如权利要求1所述的偏振掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括多个所述至少一个第一图案化区域以及多个所述至少一个第二图案化区域。
3.如权利要求1所述的偏振掩膜版，其特征在于，所述至少一个第一图案化区域是阵列区域，所述至少一个第二图案化区域是外围区域。
4.如权利要求3所述的偏振掩膜版，其特征在于，位于所述外围区域的至少一部分之上的偏振材料是有机聚合物或无机材料。
5.如权利要求4所述的偏振掩膜版，其特征在于，所述偏振材料是选自下列的有机聚合物：铁电聚合物，聚偏二氟乙烯树脂，以及液晶聚合物。
6.如权利要求4所述的偏振掩膜版，其特征在于，所述偏振材料是选自下列的无机材料：方解石，云母，石英，以及二氧化硅。
7.如权利要求3所述的偏振掩膜版，其特征在于，位于所述阵列区域的至少一部分之上的偏振材料是有机聚合物或无机材料。
8.如权利要求7所述的偏振掩膜版，其特征在于，所述偏振材料是选自下列的有机聚合物：铁电聚合物，聚偏二氟乙烯树脂，以及液晶聚合物。
9.如权利要求7所述的偏振掩膜版，其特征在于，所述偏振材料是选自下列的无机材料：方解石，云母，石英，以及二氧化硅。
10.如权利要求3所述的偏振掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括石英或玻璃中的至少一种。
11.如权利要求3所述的偏振掩膜版，其特征在于，所述偏振材料是预先形成的膜。
12.如权利要求11所述的偏振掩膜版，其特征在于，所述预先形成的膜是Langmuir-Blodgett膜。
13.如权利要求1所述的偏振掩膜版，其特征在于，位于所述至少一个第一图案化区域的至少一部分之上的偏振材料是有机聚合物或无机材料。
14.如权利要求13所述的偏振掩膜版，其特征在于，所述偏振材料是选自下列的有机聚合物：铁电聚合物，聚偏二氟乙烯树脂，以及液晶聚合物。
15.如权利要求13所述的偏振掩膜版，其特征在于，所述偏振材料是选自下列的无机材料：方解石，云母，石英，以及二氧化硅。
16.如权利要求1所述的偏振掩膜版，其特征在于，位于所述至少一个第二图案化区域的至少一部分之上的偏振材料是有机聚合物或无机材料。
17.如权利要求16所述的偏振掩膜版，其特征在于，所述偏振材料是选自下列的有机聚合物：铁电聚合物，聚偏二氟乙烯树脂，以及液晶聚合物。
18.如权利要求16所述的偏振掩膜版，其特征在于，所述偏振材料是选自下列的无机材料：方解石，云母，石英，以及二氧化硅。
19.如权利要求1所述的偏振掩膜版，其特征在于，所述偏振材料是预先形成的膜。
20.如权利要求19所述的偏振掩膜版，其特征在于，所述预先形成的膜是Langmuir-Blodgett膜。
21.如权利要求1所述的偏振掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括石英或玻璃中的至少一种。
22.一种光刻系统，它包括：
可操作地耦合到照明源的照明控制器，所述照明源被配置成照射出线性偏振光；以及
位于偏振掩膜版和所述照明源之间的可移动的半波偏振片，所述偏振掩膜版包括：
包括至少一个第一图案化区域的掩膜版，所述至少一个第一图案化区域至少部分地由至少一个第二图案化区域所围绕，所述至少一个第一图案化区域和所述至少一个第二图案化区域各自在其上定义了不同的图案；
具有第一偏振方向的偏振材料，所述偏振材料位于所述掩膜版的至少一个第一图案化区域的至少一部分之上；以及
具有与所述第一偏振方向大致正交的第二偏振方向的偏振材料，所述偏振材料位于所述掩膜版的至少一个第二图案化区域的至少一部分之上。
23.如权利要求22所述的光刻系统，其特征在于，所述可移动的半波偏振片是可旋转的。
24.如权利要求22所述的光刻系统，其特征在于，所述可移动的半波偏振片是可移除的。
25.如权利要求22所述的光刻系统，还包括投影透镜，用于接收穿过所述偏振掩膜版的线性偏振光。
26.如权利要求22所述的光刻系统，其特征在于，所述偏振材料是各自预先形成的膜。
27.如权利要求22所述的光刻系统，其特征在于，所述掩膜版包括多个所述至少一个第一图案化区域以及多个所述至少一个第二图案化区域。
28.如权利要求22所述的光刻系统，其特征在于，所述至少一个第一图案化区域是阵列区域，所述至少一个第二图案化区域是外围区域。
29.如权利要求28所述的光刻系统，其特征在于，位于所述外围区域的至少一部分之上的偏振材料是有机聚合物或无机材料。
30.如权利要求29所述的光刻系统，其特征在于，所述偏振材料是选自下列的有机聚合物：铁电聚合物，聚偏二氟乙烯树脂，以及液晶聚合物。
31.如权利要求29所述的光刻系统，其特征在于，所述偏振材料是选自下列的无机材料：方解石，云母，石英，以及二氧化硅。
32.如权利要求28所述的光刻系统，其特征在于，位于所述阵列区域的至少一部分之上的偏振材料是有机聚合物或无机材料。
33.如权利要求32所述的光刻系统，其特征在于，所述偏振材料是选自下列的有机聚合物：铁电聚合物，聚偏二氟乙烯树脂，以及液晶聚合物。
34.如权利要求32所述的光刻系统，其特征在于，所述偏振材料是选自下列的无机材料：方解石，云母，石英，以及二氧化硅。
35.如权利要求28所述的光刻系统，其特征在于，所述掩膜版包括石英或玻璃中的至少一种。
36.如权利要求28所述的光刻系统，其特征在于，所述偏振材料是各自预先形成的膜。
37.如权利要求36所述的光刻系统，其特征在于，所述预先形成的膜是Langmuir-Blodgett膜。
38.如权利要求22所述的光刻系统，其特征在于，位于所述第一图案化区域的至少一部分之上的偏振材料是有机聚合物或无机材料。
39.如权利要求38所述的光刻系统，其特征在于，所述偏振材料是选自下列的有机聚合物：铁电聚合物，聚偏二氟乙烯树脂，以及液晶聚合物。
40.如权利要求38所述的光刻系统，其特征在于，所述偏振材料是选自下列的无机材料：方解石，云母，石英，以及二氧化硅。
41.如权利要求22所述的光刻系统，其特征在于，位于所述第二图案化区域的至少一部分之上的偏振材料是有机聚合物或无机材料。
42.如权利要求41所述的光刻系统，其特征在于，所述偏振材料是选自下列的有机聚合物：铁电聚合物，聚偏二氟乙烯树脂，以及液晶聚合物。
43.如权利要求41所述的光刻系统，其特征在于，所述偏振材料是选自下列的无机材料：方解石，云母，石英，以及二氧化硅。
44.如权利要求22所述的光刻系统，其特征在于，所述掩膜版包括石英或玻璃中的至少一种。
45.如权利要求38所述的光刻系统，其特征在于，所述偏振材料是各自预先形成的膜。
46.如权利要求45所述的光刻系统，其特征在于，所述预先形成的膜是Langmuir-Blodgett膜。
47.一种使掩膜版曝光的方法，它包括：
提供在其上有光刻胶的基板；
在照明源和所述基板上的光刻胶之间放置掩膜版，所述掩膜版包括至少一个第一图案化区域，所述至少一个第一图案化区域至少部分地由至少一个第二图案化区域围绕；
用所述照明源的线性偏振光照射所述掩膜版；并且
选择性地过滤所述线性偏振光，以便防止所述线性偏振光在从所述掩膜版的所述至少一个第一图案化区域或所述至少一个第二图案化区域中出射的同时还从两者中的另一个中出射从而使与其对准的基板的一部分上的光刻胶曝光。
48.如权利要求47所述的方法，其特征在于，所述选择性地过滤过程包括从所述照明源中选择线性偏振光以具有某一偏振方向，所述某一偏振方向与覆盖所述至少一个第一图案化区域的偏振材料的偏振方向大致正交或者与覆盖所述至少一个第二图案化区域的偏振材料的不同偏振方向大致正交。
49.如权利要求47所述的方法，其特征在于，所述选择性过滤过程包括改变所述线性偏振光的偏振方向约90度。
50.如权利要求49所述的方法，还包括在所述照明源和所述掩膜版之间插入半波偏振片以改变所述线性偏振光的偏振方向。
51.如权利要求50所述的方法，还包括在所述照明源和所述掩膜版之间移动所述半波偏振片以改变所述线性偏振光的偏振方向。
52.如权利要求49所述的方法，还包括使位于所述照明源和所述掩膜版之间的半波偏振片旋转以使所述线性偏振光的偏振方向改变约90度。
53.一种使掩膜版曝光的方法，它包括：
提供在其上有光刻胶的基板；
在照明源和所述基板上的光刻胶之间放置掩膜版，所述掩膜版所包括的图案包括至少一个第一图案化区域，所述至少一个第一图案化区域至少部分地由至少一个第二图案化区域围绕；
用所述照明源的线性偏振光照射所述掩膜版；并且
选择性地将所述图案的所述至少一个第一图案化区域或所述至少一个第二图案化区域投影到所述光刻胶之上。
54.如权利要求53所述的方法，还包括使所述线性偏振光的偏振方向改变约90度。
55.如权利要求54所述的方法，还包括通过在所述照明源和所述掩膜版之间插入半波偏振片，来改变所述线性偏振光的偏振方向。
56.如权利要求54所述的方法，还包括通过在所述照明源和所述掩膜版之间移动半波偏振片，来改变所述线性偏振光的偏振方向。
57.如权利要求54所述的方法，还包括通过使位于所述照明源和所述掩膜版之间的半波偏振片旋转，来改变所述线性偏振光的偏振方向。
58.如权利要求54所述的方法，还包括选择性地将所述图案的所述至少一个第一图案化区域和所述至少一个第二图案化区域中的另外一个区域投影到所述光刻胶之上。
59.一种制造偏振掩膜版的方法，它包括：
提供具有至少一个第一图案化区域的掩膜版，所述至少一个第一图案化区域至少部分地由至少一个第二图案化区域所围绕，所述至少一个第一图案化区域和所述至少一个第二图案化区域各自在其上具有不同的图案；
在所述掩膜版的至少一个第一图案化区域的至少一部分之上应用具有第一偏振方向的偏振材料；并且
在所述掩膜版的至少一个第二图案化区域的至少一部分之上应用具有第二偏振方向的偏振材料，所述第二偏振方向通常与所述第一偏振方向正交。
60.如权利要求59所述的方法，还包括在应用到所述掩膜版之前预先形成所述偏振材料。
61.如权利要求60所述的方法，还包括使所述偏振材料形成Langmuir-Blodgett膜。
62.如权利要求60所述的方法，还包括选择要成为膜的偏振材料。
63.如权利要求59所述的方法，其特征在于，应用所述偏振材料的过程包括在所述掩膜版上沉积所述偏振材料。
64.如权利要求63所述的方法，其特征在于，通过化学汽相沉积、物理汽相沉积或原子层沉积来实现所述沉积过程。
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