CN1928712A - 用于生产结构的模具、印痕设备以及工艺 - Google Patents
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Abstract
为了减轻或抑制在不期望发生可光致固化的树脂材料的固化的区域中可光致固化的树脂材料的固化,借助于具有印痕图案部分和无图案部分的模具,通过设有遮光元件的无图案部分抑制可光致固化的树脂材料的曝光,或者通过设置遮光元件以便于不会由未通过模具的光线照射可光致固化的树脂材料而抑制可光致固化的树脂材料的曝光。
Description
技术领域
本发明涉及一种模具,其具有将被转印到加工件或工件(待加工的元件)上的形状。本发明还涉及用于生产一种结构的印痕设备和方法。
背景技术
近年来,如Stephan Y.Chou等人的申请.Phys.Lett.,第67卷,第21期,3114-3116页(1995)中所述,用于将模具上的微细结构转印到包括半导体、玻璃、树脂、金属等的加工件上的精加工技术已被提出并已受到关注。
该技术具有近似于几毫微米的分辨率,因此被称作毫微印痕(毫微印记)或毫微压纹。尽管毫微印痕具有上述分辨率,但是也适用于加工具有不大于1毫米、不大于1微米以及不大于100纳米的最小加工宽度的元件。另外,根据毫微印痕,可相对于一个加工件同时加工具有不大于100纳米的加工宽度的区域和具有不小于1微米的加工宽度的区域。换句话说,与通过光刻法进行的加工件的加工相比较,毫微印痕具有这样一个优点,即,可同时在具有不小于一个单位(更好的是不小于三个单位)的不同加工宽度的多个区域中进行加工件的加工。
该技术不仅可用在半导体装置的生产上而且还可用于处于晶片级的三维结构的成批处理。因此,期望毫微印痕可应用于例如诸如photonic晶体、微全分析系统(μ-TAS)、生物芯片等光学装置的生产技术的广泛领域。
下面将描述通过光毫微印痕法生产作为一个结构的半导体装置的情况。
首先,一层可光致固化的树脂材料形成于基底(例如,半导体晶片)上。
接着,使得模具(或模板)(其上形成有期望的印痕结构)与树脂层相接触。在这种状态下,用紫外光照射树脂层以固化可光致固化的树脂材料。
因此,在树脂层上,设有这样一种印痕结构,其中上述印痕结构的印痕图案是颠倒的。这被称作印痕结构的转印。
另外,例如通过使用树脂层作为蚀刻掩模,可进行基底表面的蚀刻,从而将印痕结构转印到基底上。
如上所述,不同于使用曝光设备的传统加工方法,印痕(方法)可将设在模具上的微细结构转印到加工件上。
在通过印痕进行加工的过程中,从模具中流出的可光致固化的树脂材料粘附于模具的横向侧上。在曝光过程中,通过穿过模具外部的光,粘附于模具横向侧上的可光致固化的树脂材料与位于一个部分处的可光致固化的树脂材料一起被固化(在该部分处要形成印痕结构(印痕图案))。通过所述固化,在将模具与加工件相分离期间,较大的作用力作用在模具或加工件上从而损坏模具或加工件。
另外,在某些情况中,在曝光期间,所述部分(印痕图案将形成于其处)外部的可光致固化的树脂材料被过度暴露于穿过形成于模具中的印痕图案部分外部的光线下,从而变形为不合意的形状。具体地,在通过旋涂法将树脂材料涂覆在基底上并且通过分步-重复法重复加工件的加工的情况中,在加工之前所述部分(印痕图案将被形成于其处)被曝光。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种模具,其能够减轻或抑制在不期望发生可光致固化的树脂材料的固化的区域中可光致固化的树脂材料的固化。
本发明的另一个目的是提供一种使用所述模具的印痕设备和使用所述压力加工设备的结构的生产工艺。
依照本发明的一个方面,提供了一种用在印痕设备中的模具,在所述印痕设备中,通过下列方式加工待加工的可光致固化的元件:在使得模具与待加工的元件相接触的状态下,利用用于固化待加工的元件的光线照射将要通过具有印痕图案的模具加工的可光致固化的元件,所述模具包括:
具有印痕图案的加工侧;
与所述加工侧相对的后侧;以及
未提供印痕图案的无图案部分;
其中,模具还包括设在无图案部分处的遮光元件,用于减少透过无图案部分照射待加工的元件的光量。
依照本发明的另一个方面,提供了一种用于加工待加工的可光致固化的元件的印痕设备,所述加工通过下列方式进行:在使得模具与待加工的元件相接触的状态下,利用用于固化待加工元件的光线照射将要通过具有印痕图案的模具加工的可光致固化的元件,所述设备包括:
模具,包括:具有印痕图案的加工侧、与所述加工侧相对的后侧;以及未提供印痕图案的无图案部分;以及
曝光光源;
其中,所述模具还包括设在无图案部分处的遮光元件,以便于减少透过无图案部分照射待加工元件的光量。
依照本发明的另一个方面,提供了一种用于加工待加工的可光致固化的元件的印痕设备,所述加工通过下列方式进行:在使得模具与待加工的元件相接触的状态下,利用用于固化待加工元件的光线照射将通过具有印痕图案的模具加工的可光致固化的元件,所述设备包括:
用于产生光线的光源;以及
用于固定模具的模具固定部分;
其中,所述设备还包括遮光元件,用于减少来自于光源的未透过模具的用于照射待加工元件的光量。
依照本发明的另一个方面,提供了一种用于生产一种结构的工艺,包括:
将可光致固化的树脂材料作为待加工的元件涂覆到基底上;以及
通过用上述印痕设备固化可光致固化的树脂材料而形成具有印痕图案的树脂层。
依照本发明的另一个方面,提供了一种用于生产一种结构的工艺,包括:
将可光致固化的树脂材料作为待加工的元件涂覆到基底上;
通过用上述印痕设备固化可光致固化的树脂材料而形成具有印痕图案的树脂层;
使用具有印痕图案的树脂层作为掩模来蚀刻基底;以及
在蚀刻之后移除留在基底上的树脂层。
依照本发明的另一个方面,提供了一种用于生产一种结构的工艺,包括:
制备上述印痕设备;以及
固化位于加工区域中的可光致固化的树脂材料的特定部分,以进行形成于模具的加工侧上的图案的转印。
依照本发明,通过上述遮光元件,可减轻或抑制在除了一部分(通过加工将在该部分处形成印痕图案)以外的区域中的可光致固化的树脂材料的固化。
从下面结合附图对本发明的优选实施例的描述中可以明显地看出本发明的这些和其他目的、特征和优点。
附图的简要说明
图1A至1H每个都是示出了本发明一个实施例所涉及的模具的结构的示意图。
图2A至2B每个都是示出了装有遮光元件的模具的制备方法的示意图。
图3A和3B每个都是示出了本发明一个实施例所涉及的印痕设备的的结构的示例的示意图。
图4A是用于示出用于本发明一个实施例中用于加工一加工件的程序的顶视图,图4B是沿图4A中的A-A′线所截的截面图。
图5A是示出了本发明一个实施例中加工之后的加工件的顶视图,图5B是沿图5A中的A-A′线所截的截面图。
图6A到6D是示出了在未提供遮光元件的情况中出现缺陷的示意图。
图7A到7D每个都是示出了本发明另一个实施例所涉及的凸出型模具的结构的示意图。
具体实施方式
在本发明的一个实施例中,可以如下方式构成具有印痕图案的模具。
图1A示出了该实施例中模具的一个横截面。
参照图1A,模具包括透明元件101、加工侧102、遮光元件103、印痕图案部分104、以及无图案部分105。另外,为了便于描述,在图中绘出了印痕图案部分104与无图案部分105之间的虚线以表示它们之间的边界。
模具具有第一表面106和第二表面107。第一表面106构成了具有印痕图案的加工侧102,而第二表面107构成了在位置方面与在印痕图案部分104处具有印痕图案的加工侧102相同的侧部。
如图1A中所示的,在将无图案部分105设置得与印痕图案部分104相邻的情况中,遮光元件103被设在下列各侧中的至少任意一个处:无图案部分105处的在位置方面与具有印痕图案的加工侧106相同的侧部107、无图案部分105处的在位置方面与后侧相同的侧部、以及无图案部分处的模具的横向侧。
另一方面,在无图案部分105未提供给模具的情况中,如稍后所述的,遮光元件可被设置在模具的横向侧处。在这种情况中,可将其横向侧本身看作是无图案部分。
本发明中所使用的遮光元件可不仅包括完全遮蔽能够固化构成加工件至少一部分的可光致固化的树脂材料的光线的遮光元件,而且还包括不完全遮蔽光线的遮光元件。在后一种情况中,可仅要求遮光元件在光线未被遮蔽的区域中与光线被遮蔽的区域中之间在可光致固化的树脂材料的固化程度上提供必要的差异。
在本发明的另一个实施例中,如稍后所述的,印痕设备最好包括遮光元件(遮光装置),用于遮蔽来自于曝光光源的未透过模具的用以照射待加工元件的光线。
依照本发明的该实施例,可减轻或抑制模具的横向侧附近的可光致固化的树脂材料的固化。另外,当通过提供遮光元件而构成模具从而使得靠近于模具横向侧的可光致固化的树脂材料在加工期间时不固化或比位于印痕图案部分中的可光致固化的树脂材料更少固化时,可以在将模具从工件上去除的过程中抑制模具和待加工元件的损坏。
在通过分步-重复法执行加工的情况中,只有在加工件(待处理元件)的特定加工区域中的可光致固化的树脂材料(未固化的树脂材料)固化,从而可以阻止随后待加工的区域中的未固化的树脂材料暴露于光线。
分步-加工方法例如可为以下的方法。
首先,通过用可光致固化的树脂材料涂覆基底的整个表面制备加工件。接着,在模具与加工件相接触的状态下用光线照射加工件的一部分表面,从而使得仅处于基底表面所述部分处的可光致固化的树脂材料被固化。之后,从加工件上移除所述模具。在沿加工件的面内(in-plane)方向移动加工件的同时相对于基底表面的另一部分重复地执行这些步骤。
这里,通过光线照射被固化之后的可光致固化的树脂材料不再称为可光致固化的树脂材料,但有时为了方便起见也不排除将其称作可光致固化的树脂材料。
下面将描述本发明的另一个实施例。如上所述的,本发明的目的是抑制或减轻在不期望发生可光致固化的树脂材料的固化的区域中发生可光致固化的树脂材料的固化。因此,本发明不局限于以下实施例。
这里,不期望发生可光致固化的树脂材料的固化的区域是指,例如在模具具有印痕图案部分和邻近于印痕图案部分的无图案部分的情况中的以下区域。更具体地说,所述区域的示例可包括位于无图案部分处的可光致固化的树脂材料的区域、位于模具的外周部分附近(横向侧)中的可光致固化的树脂材料的区域、以及在模具与可光致固化的树脂材料相接触期间位于模具的外部横向侧处的可光致固化的树脂材料的区域。
(模具的实施例)
下面将参照图1B到1H,描述本发明几个实施例所涉及的模具的结构。
在这些图中,与图1A中相同的元件或部分由相同的附图标记表示。
图1B示出了遮光元件103仅被设置在模具横向侧的下部部分的这样一种结构。
图1C示出了遮光元件从模具的横向侧向下突出的这样一种结构。
在上述结构中,在图1A的情况中,(即,在模具的横向侧的水平面没有达到与构成印痕图案部分104处的印痕图案的突起的(下部)表面相同的水平面的情况中)进一步增强了遮光效果。另外,在图1C的情况中,遮光元件从模具的横向侧处突出的部分的长度最好不大于印痕图案部分104的突起的表面与无图案部分105处的在位置方面与模具的加工侧相同的表面107之间的距离。
图1D示出了设置有用于加强遮光元件103的加强元件108这样一种结构。例如,在一些情况中,遮光元件103具有大约50纳米的厚度。在这种情况中,当遮光元件不具有充足的强度时,通过用加强元件108加强下部部分可防止遮光元件103下部部分处的损坏。
图1E示出了遮光元件103被设置在下侧(表面)107处的这样一种结构。在这种情况中,遮光元件103的厚度最好不大于印痕图案部分104的突起的表面与在位置方面与模具的加工侧相同的表面107之间的距离。
图1F示出了遮光元件103被设置在无图案部分105处的后侧(上侧)上的这样一种结构。
图1G示出了除模具的横向侧以外遮光元件103还被设置在下侧(表面)107处的这样一种结构。在这种情况中,在下侧107处,遮光元件103的厚度最好不大于印痕图案部分104的突起的表面与在位置方面与模具的加工侧相同的表面107之间的距离。
图1H示出了除模具的横向侧以外遮光元件103还被设置在无图案部分105处的后侧(上侧)上的这样一种结构。
下面,将参照图7A到7D描述本发明的另一个实施例。
与图1A到1H中所示的模具不同,图7A到7D中所示的那些模具是凸出型的,其中第三侧被设在加工侧与后侧之间。
参照图7A,模具包括透明元件701、遮光元件702、第一侧703、第二侧704、第三侧705以及后侧706。在图7A中,遮光元件702被设置在位于第一侧703和第三侧705之间的横向侧上。在图7B中,遮光元件702除了上述横向侧之外还位于第三侧705。在图7C中,遮光元件702被设置在第三侧705上。在图7D中,遮光元件702被设置在位于第一侧703和第三侧705之间的横向侧上、被设在第三侧705上、以及被设置在位于第三侧705和后侧706之间的横向侧上。
接下来,将参照图2A和2B描述上述模具的制备方法,其中图2A和2B都示出了将遮光元件203设在由用于模具的透明元件形成的基底201横向侧上的步骤。抗蚀剂(resist)202将被设置在基底201上。
这里,模具基底201具有用作将经受加工的加工侧的前侧、与前侧(加工侧)相对的后侧、以及连接前侧和后侧的横向侧。
首先,将参照示出了步骤a-1到a-5的图2A描述通过汽相沉积制备模具的方法。
在步骤a-1中,制备基底201。基底201可由包括诸如石英玻璃或派热克斯玻璃(商标名)等耐热玻璃和蓝宝石的透光物制成。
接着,在步骤a-2中,用旋涂机等将负性抗蚀剂202涂覆到基底201的加工侧上并用光线照射,以便于改性,从而使其不易于溶解在显影液中。
接着,在步骤a-3中,用旋涂机等将负性抗蚀剂202涂覆到基底201的后侧上并用光线照射,以便于改性,从而使其不易于溶解在显影液中。
当抗蚀剂粘附于基底的横向侧时,可通过例如抛光将其去除。另外,在步骤a-2和a-3中,也可在膜状掩模被设在基底的横向侧上之后执行涂覆,以使得抗蚀剂不会粘附于基底的横向侧。
接着,在步骤a-4中,遮光元件203被设在基底的横向侧上。遮光元件203通过溅射、化学汽相沉积(CVD)、真空汽相沉积、离子电镀法等被汽相沉积在基底横向侧上的诸如铬的金属层(膜)中。仅要求所获得的金属膜充分地阻断紫外(UV)光并最好具有不大于50纳米的厚度。另外,遮光元件203可由丙烯酸类型、尿烷类型、聚碳酸酯类型等有机材料或碳类型等无机材料制成。这些材料还可包含诸如着色剂等其他材料。
接着,在步骤a-5中,从基底201上去除抗蚀剂202,以完成具有遮光元件203的基底201。
之后,通过稍后描述的方法加工基底201的表面以形成印痕图案(未示出)。
接下来,将参照示出了步骤b-1到b-4的图2B描述通过抛光进行的模具的制备方法。
首先,在步骤b-1中,制备基底201。
接着,在步骤b-2中,通过将基底201浸泡在包含一种材料(该材料构成遮光元件203或其前体)的溶液中或用所述溶液涂覆基底而将遮光元件203设置在基底201上。接着,通过去除溶剂将遮光元件203固定在基底201上。在遮光元件203仅被设在基底201横向侧的一部分处的情况中,可在必要的深度中进行基底201的浸泡。
遮光元件203可由与参照图2A所描述的那些材料相同的材料制成。
接着,在步骤b-3中,通过化学机械抛光(CMP)等抛光基底201的后侧来去除形成于基底201后侧上的遮光元件203。
接着,在步骤b-4中,基底201的前侧被抛光以便于完成在基底201的横向侧上设有遮光元件203的基底201。
另外,遮光元件203不局限于通过上述液相沉积或汽相沉积所形成那些,而是还可通过将膜状遮光物或板状遮光物粘附于基底201而形成。
另外,可预先在不期望形成遮光元件203的位置处设置掩模。
另外,还可在几个循环中重复步骤b-2和b-3。
还可以组合的方式使用图2A和2B中所示的方法。
具有遮光元件的如此制备的基底的加工侧通过诸如光刻法、电子束平版印刷术、聚焦离子束(FIB)加工、或X射线平版印刷术等普通图案形成方法经历印痕图案的形成,从而完成所述模具。
另外,也可在印痕图案形成于基底的加工侧上之后形成遮光元件。
(印痕设备的作用)
下面将描述本发明的一个实施例所涉及的印痕设备的结构示例。
图3A示出了本实施例中印痕设备的结构示例。
参见图3A,印痕设备可包括模具301、模具固定部分302、主体管303、可光致固化的树脂材料304、基底305、加工件固定部分306、加工件加压机构307、XY移动机构308、曝光光源309、遮光元件310、曝光光线311以及印痕控制机构312。
本实施例中的印痕设备主要由模具固定部分302、加工件固定部分306、加工件加压机构307、XY移动机构308、曝光光源309和印痕控制机构312构成。由利用诸如旋涂或者狭缝涂覆的涂覆方法涂覆有可光致固化的树脂材料304的基底305所构成的加工件(待加工元件)位于加工件固定部分306上。该印痕设备还包括用于对准的位置检测设备(图中未示出并且省略对其的描述)。
模具固定部分302通过真空卡夹方法等卡夹模具301。利用XY移动机构308使得加工件移动到所需位置,并且加工件加压机构307可进行高度调整(水平控制)并且对加工件加压。来自于曝光光源309的曝光光线311通过主体管303并且到达模具301。利用透镜或者隔膜限制光通量使得光线311受到这样的限制,即,使其不到达模具301的外部。利用印痕控制机构312来控制加工件的位置移动、加压和曝光。
在本实施例中的图3A中所示的模具301由透明元件构成并且在模具301的整个横向侧(无图案部分)上设有遮光元件103。因此,能够防止光线311通过模具301到达模具301的外部,从而能够防止可光致固化的树脂材料304在模具301外的一部分处固化并且在模具301外的该部分处过度曝光。特别地,加工件中还未被加工的面内区域不能曝光,从而能够防止出现这样的现象,即,面内区域中的可光致固化的树脂材料304(加工前)固化,从而不能使得模具301的印痕图案转印。
图3B示出了以下列方式构成的主体管303的另一个示例。
如图3B中所示,遮光元件310设置在主体管303和模具固定部分302的所需部分处,以使到达除曝光所需部分以外的部分的曝光光线不透过模具,即,所谓的杂散光被完全阻挡。利用这样一种结构,能够利用透光材料制备主体管303和模具固定部分302。另外,无需利用透镜或者隔膜限制光源309的光照射范围。
从光源309发出的曝光光线穿过主体管到达模具的背面。即使当来自于光源的曝光光线的光通量以发散的方式、以平行线的形式或者以会聚的方式传播时,在一些情况下它们也会被各个元件反射或散射,这取决于印痕设备的结构。另外,曝光光线还可能从元件之间的间隙泄漏。
在这些情况下,采用图3B中所示的结构,能够进一步增强遮光效果。特别是,遮光元件310设置在主体管303和模具固定部分302的所需部分处,即,在主体管303的横向侧和模具固定部分302的横向侧和周边下侧,从而完全阻挡曝光光线到达除所需部分以外的部分。模具301中结合使用遮光元件310和遮光元件103,从而使得加工件中的曝光区域被限制为与在印痕部分处的模具的下侧(加工侧)相同的区域。
(结构的生产工艺的实施例)
现将对本发明的一个实施例所涉及的用于生产一结构的工艺进行描述。
图4A和4B是用于表示加工一工件的工艺的示意图,其中图4A是顶视图,而图4B是沿着图4A中所示的A-A’线得到的截面图。
参见图4A和4B,附图标记401表示加工件,407表示模具,408表示基底,409表示可光致固化的树脂材料,并且410表示在印痕图案被转印在其上后的固化的树脂材料。遮光元件103设置在模具407的整个横向侧上。另外,附图标记405表示作为最短的加工路径的一个加工路径。在加工件401中,数字1至21分别表示每一次加工的区域,加工件的加工按照增大的数字顺序进行。另外,由虚线表示的附图标记402表示已经加工过的No.1至No.9的九个区域。由粗实线表示的附图标记403表示当前加工区域No.10。由实线表示的附图标记404表示还未加工的区域No.11至No.21。另外,附图标记406表示靠近晶片(加工件)边缘的未曝光区域,即在工件加工完成后未曝光的区域。
通过反复进行工件的XY移动、模具与工件的接触、工件曝光以及模具的去除来实现工件的加工。
例如,描述在No.10的位置处的工件的加工。
首先,移动到No.10的位置处的工件与模具接触,或者模具与工件接触。因此,不能容纳于模具和工件之间的可光致固化的树脂材料从加工侧流到加工侧的外部。
接着,仅No.10的加工区域内的可光致固化的树脂材料通过曝光而固化。在这种情况下,在来自于光源的光照过程中,利用上述遮光元件能够阻挡光穿过模具的加工侧和模具的无图案部分。为此,从加工侧流到加工侧外部的可光致固化的树脂材料不曝光,从而也没有固化。因此,在将模具与工件分离的过程中能够抑止模具和工件受损。另外,能够阻挡光朝向No.10的加工区域的外部传播,以使No.1至No.9的区域不过度曝光并且可防止No.11至No.21的未加工区域的曝光。
另外,能够减小在加工区域内的加工余量。因此,也可在加工过程中设定模具的移动距离以使其等于模具的一侧长度。因此,能够有效地使用基底的平面区域。
在已经固化和形成印痕图案的树脂材料本身用作一个结构的情况下,完成该结构的生产工艺。另外,在该结构的生产工艺用于诸如LSI的半导体装置的生产中的情况下,使用已经固化并形成印痕图案的树脂材料本身作为蚀刻掩模,下面的基底的表面被蚀刻以形成诸如对应于上述印痕图案的沟槽的槽。
图5A和5B示出了完成加工后的加工件。图5A是工件的顶视图,而图5B是沿着图5A中所示的A-A’线得到的截面图。
在这些图中,附图标记501表示加工件,502表示加工后的区域,503表示未曝光的区域,504表示基底,505表示在图案被转印到固化的树脂材料上后的固化的树脂材料,以及506表示在加工过程中从加工区域流到加工区域外部并且位置靠近未曝光的加工区域的边界的未固化的树脂材料。
靠近加工区域边界的和在未曝光区域中的未固化的树脂材料在一些情况下对后续步骤产生不良影响。例如,图案部分涂有未固化的树脂材料,并且,当在这样一个状态下进行蚀刻时,蚀刻率改变而不能获得所需图案。为了消除这样一种不良影响,未固化的树脂材料可被吹走或者通过清洗而去除或者利用曝光而固化。
另外,作为可光致固化的树脂材料的涂覆方法,可使用诸如一种喷墨方法使得可光致固化的树脂材料涂覆在每一个加工区域的基底上。在利用喷墨方法进行加工的情况下,反复进行将树脂材料施加在加工区域上、加工件的XY移动、模具和工件的接触、工件曝光以及模具与工件的分离的循环。在这种情况下,基底上具有三个区域,包括进行加工以将图案转印到树脂材料上的区域、还没有被加工并且未设有树脂材料的基底被曝光的区域以及正在加工的区域。即使在这种情况下,使用在本实施例中的遮光元件能够在完成加工后防止该区域受到曝光光线的照射。因此,可防止在被加工的区域中的树脂材料过度曝光。
这里,在模具或者印痕设备未设置遮光元件的情况下,特别描述缺陷的产生。
在图6A至6D中的每一个图中示出了一结构示例,其中,模具或者印痕设备未设置遮光元件。
在这些图中,附图标记601表示模具、602表示曝光光线、603表示基底,604表示树脂材料,605表示从模具601流到模具601外部的树脂材料,606表示加工区域,其中,模具601已经与基底603成功分离。加工区域606包括模具区域607和余量区域608。余量区域608是位于模具601外部的小区域,其中利用曝光使得树脂材料被固化。
图6A示出了一个曝光工艺。曝光光线从光源沿径向发散并且穿过模具的内部,以使模具外部被曝光光线照射。因此,不仅在模具区域而且在余量区域中树脂材料被暴露在光线下。
下面将描述在这样一个结构中的缺陷。
图案具有约100纳米的深度(厚度)但流到模具外部的树脂材料的厚度有时达到几毫米。当这样一种树脂材料固化时,由于基底上的树脂材料的薄层而使得基底上的树脂材料的一部分或者全部可被去除。另外,当曝光量小而使得树脂材料未充分固化时,树脂材料与模具相连并且可在模具的移动过程中从模具滴落以产生缺陷。
下面参照图6B至6D描述该缺陷的特定示例。
图6B示出了这样一个示例,其中小树脂材料片609与树脂材料610分离并且与模具相连。这样一个树脂材料片609有时在加工过程中从模具滴到工件上。当滴落的树脂材料片609被夹在工件和模具之间并且沉积在模具的加工侧时,从此加工设备就具有缺陷。
图6C示出了这样一个示例,其中大树脂材料片611脱离基底603以使基底603的表面602露出。在这种情况下,树脂材料片611固化并且使得在后面的区域中产生缺陷。
图6D示出了这样一个示例,其中在一个区域中树脂材料部分613从基底603部分凸出。当该区域为余量区域时,树脂材料部分613为限制性缺陷。
在图6B至6D中所示的情况下,根据本发明的实施例,能够防止位于模具的加工区域的周边部分处的树脂材料固化,从而防止缺陷等的出现。
尽管已经参照这里所披露的结构对本发明进行了描述,但它不限于上述细节并且本申请覆盖在改进的目的或者下列权利要求范围内的这样的改进和变型。
Claims (12)
1.一种用在印痕设备中的模具,在所述印痕设备中,通过下列方式对一待加工的可光致固化的元件进行加工:在使得模具与待加工的元件相接触的状态下,利用用于固化待加工的元件的光线照射将要通过具有印痕图案的模具而加工的可光致固化的元件,所述模具包括:
具有印痕图案的加工侧;
与所述加工侧相对的后侧;以及
未提供印痕图案的无图案部分;
其中,所述模具还包括设在所述无图案部分处的遮光元件,用于减少透过所述无图案部分照射待加工元件的光量。
2.依照权利要求1所述的模具,其特征在于,所述无图案部分被设置得邻近于具有印痕图案的印痕图案部分,并且所述遮光元件被设在下列各侧中的至少任意一个处:所述无图案部分处的与所述加工侧相同的一侧、所述无图案部分处的与所述后侧相同的一侧、以及所述无图案部分处的所述模具的横向侧。
3.依照权利要求1所述的模具,其特征在于,所述无图案部分被设置在所述横向侧上。
4.一种用于加工一待加工的可光致固化的元件的印痕设备,所述加工通过下列方式进行:在使得模具与待加工的元件相接触的状态下,利用用于固化待加工的元件的光线照射将要通过具有印痕图案的模具而加工的所述可光致固化的元件,所述设备包括:
模具,包括:具有印痕图案的加工侧、与所述加工侧相对的后侧;以及未提供印痕图案的无图案部分;以及
曝光光源;
其中,所述模具还包括设在无图案部分处的遮光元件,以便于减少透过无图案部分照射待加工元件的光量。
5.一种用于加工一待加工的可光致固化的元件的印痕设备,所述加工通过下列方式进行:在使得模具与待加工的元件相接触的状态下,利用用于固化待加工的元件的光线照射将要通过具有印痕图案的模具而加工的可光致固化的元件,所述设备包括:
用于产生光线的光源;以及
用于固定所述模具的模具固定部分;
其中,所述设备还包括遮光元件,用于减少来自于光源的未透过模具的用于照射待加工元件的光量。
6.依照权利要求5所述的设备,其特征在于,所述遮光元件被设置于设在所述光源与所述模具固定部分之间的主体管。
7.依照权利要求5所述的设备,其特征在于,所述遮光元件被设置于所述模具固定部分。
8.依照权利要求5所述的设备,其特征在于,所述印痕设备还包括用于控制所述光源的控制器、用于将所述模具压在待加工元件上的接触机构,以及移动机构,用于移动待加工元件以便于通过分步重复法重复地加工待加工元件。
9.一种用于生产一种结构的方法,包括:
将可光致固化的树脂材料作为待加工的元件涂覆到基底上;以及
通过用权利要求4所涉及的印痕设备固化所述可光致固化的树脂材料而形成具有印痕图案的树脂层。
10.一种用于生产一种结构的方法,包括:
将可光致固化的树脂材料作为待加工的元件涂覆到基底上;
通过用权利要求4所涉及的印痕设备固化所述可光致固化的树脂材料而形成具有印痕图案的树脂层;
使用具有印痕图案的树脂层作为掩模来蚀刻基底;以及
在蚀刻之后去除留在基底上的树脂层。
11.一种用于生产一种结构的方法,包括:
制备权利要求4所涉及的印痕设备;以及
固化位于加工区域中的可光致固化的树脂材料的特定部分,以进行形成于模具的加工侧上的图案的转印。
12.依照权利要求10所述的方法,其特征在于,在蚀刻之前去除未固化的树脂材料。
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US7690910B2 (en) * | 2006-02-01 | 2010-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Mold for imprint, process for producing minute structure using the mold, and process for producing the mold |
WO2007117524A2 (en) * | 2006-04-03 | 2007-10-18 | Molecular Imprints, Inc. | Method of concurrently patterning a substrate having a plurality of fields and alignment marks |
US8850980B2 (en) * | 2006-04-03 | 2014-10-07 | Canon Nanotechnologies, Inc. | Tessellated patterns in imprint lithography |
JP4936519B2 (ja) * | 2006-08-18 | 2012-05-23 | 公立大学法人大阪府立大学 | ナノ構造及びマイクロ構造を有する構造体の成形用モールドの製造方法及び該モールドを用いる該構造体の製造方法 |
JP5492369B2 (ja) * | 2006-08-21 | 2014-05-14 | 東芝機械株式会社 | 転写用の型および転写方法 |
JP4922774B2 (ja) | 2007-01-26 | 2012-04-25 | 株式会社東芝 | パターン形成方法及びパターン形成用モールド |
JP5110924B2 (ja) * | 2007-03-14 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | モールド、モールドの製造方法、加工装置及び加工方法 |
KR20080105524A (ko) * | 2007-05-31 | 2008-12-04 | 삼성전자주식회사 | 마스크 몰드 및 그 제작방법과 제작된 마스크 몰드를이용한 대면적 미세패턴 성형방법 |
JP5182470B2 (ja) | 2007-07-17 | 2013-04-17 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールド |
JP5274128B2 (ja) * | 2007-08-03 | 2013-08-28 | キヤノン株式会社 | インプリント方法および基板の加工方法 |
JP5473266B2 (ja) * | 2007-08-03 | 2014-04-16 | キヤノン株式会社 | インプリント方法および基板の加工方法、基板の加工方法による半導体デバイスの製造方法 |
US7854877B2 (en) | 2007-08-14 | 2010-12-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithography meandering order |
KR100884811B1 (ko) * | 2007-09-07 | 2009-02-20 | 한국기계연구원 | 임프린트 리소그래피를 이용한 대면적 스탬프의 제조방법 |
JP2009182075A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Canon Inc | インプリントによる構造体の製造方法 |
JP4799575B2 (ja) * | 2008-03-06 | 2011-10-26 | 株式会社東芝 | インプリント方法 |
JP5258635B2 (ja) * | 2008-03-18 | 2013-08-07 | キヤノン株式会社 | ナノインプリント方法、ナノインプリントに用いられるモールド及び構造体の製造方法 |
JP5130977B2 (ja) * | 2008-03-19 | 2013-01-30 | コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 | サブマスター成形型の製造方法 |
JP2009298041A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Toshiba Corp | テンプレート及びパターン形成方法 |
KR20110052655A (ko) * | 2008-07-25 | 2011-05-18 | 헨켈 코포레이션 | 몰드 어셈블리 및 성형 부품의 제조를 위한 감쇠된 광 방법 |
JP2010076219A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Canon Inc | ナノインプリントによる基板の加工方法 |
JP4892025B2 (ja) * | 2008-09-26 | 2012-03-07 | 株式会社東芝 | インプリント方法 |
KR101690643B1 (ko) | 2008-12-05 | 2016-12-28 | 리퀴디아 테크놀로지스 인코포레이티드 | 패턴 재료 제조 방법 |
JPWO2010087021A1 (ja) * | 2009-02-02 | 2012-07-26 | パイオニア株式会社 | 転写装置 |
GB2468635B (en) * | 2009-02-05 | 2014-05-14 | Api Group Plc | Production of a surface relief on a substrate |
JP5498219B2 (ja) | 2009-03-26 | 2014-05-21 | パナソニック株式会社 | ミラー面を有する光導波路の製造方法及び光電複合配線板 |
NL2004265A (en) | 2009-04-01 | 2010-10-04 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography apparatus and method. |
JP5377053B2 (ja) * | 2009-04-17 | 2013-12-25 | 株式会社東芝 | テンプレート及びその製造方法、並びにパターン形成方法 |
JP5407525B2 (ja) * | 2009-04-27 | 2014-02-05 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント転写用基板およびナノインプリント転写方法 |
JP5257225B2 (ja) * | 2009-04-28 | 2013-08-07 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用モールドおよびその製造方法 |
JP5443070B2 (ja) * | 2009-06-19 | 2014-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | インプリントシステム |
JP5285515B2 (ja) * | 2009-06-24 | 2013-09-11 | 東京エレクトロン株式会社 | テンプレート処理装置、インプリントシステム、離型剤処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP5285514B2 (ja) * | 2009-06-24 | 2013-09-11 | 東京エレクトロン株式会社 | テンプレート処理装置、インプリントシステム、離型剤処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP5397054B2 (ja) * | 2009-07-08 | 2014-01-22 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント方法およびナノインプリント装置 |
JP5299139B2 (ja) * | 2009-07-22 | 2013-09-25 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用モールドの製造方法 |
US20110031650A1 (en) * | 2009-08-04 | 2011-02-10 | Molecular Imprints, Inc. | Adjacent Field Alignment |
EP2287666B1 (de) * | 2009-08-22 | 2012-06-27 | EV Group E. Thallner GmbH | Vorrichtung zum Prägen von Substraten |
JP5532854B2 (ja) * | 2009-11-25 | 2014-06-25 | 大日本印刷株式会社 | パターン形成方法、パターン形成装置、ナノインプリントモールド及びナノインプリントモールドの製造方法 |
JP5532939B2 (ja) * | 2010-01-14 | 2014-06-25 | 大日本印刷株式会社 | 光インプリント用のモールドおよびこれを用いた光インプリント方法 |
JP5458975B2 (ja) * | 2010-03-10 | 2014-04-02 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用モールドの製造方法 |
JP2012006233A (ja) * | 2010-06-24 | 2012-01-12 | Toshiba Mach Co Ltd | 型の製造方法 |
JP5648362B2 (ja) * | 2010-08-10 | 2015-01-07 | 住友電気工業株式会社 | ナノインプリント用モールドの製造方法、ナノインプリント法による樹脂パターンの製造方法、及び、ナノインプリント用モールド |
JP5355614B2 (ja) * | 2011-04-19 | 2013-11-27 | パナソニック株式会社 | シート状デバイスの製造装置、シート状デバイスの製造方法 |
KR20140033173A (ko) * | 2011-05-31 | 2014-03-17 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 | 상이하게 패턴 경화된 미세구조화 용품을 제조하는 방법 |
JP2013038117A (ja) * | 2011-08-04 | 2013-02-21 | Jx Nippon Oil & Energy Corp | 微細パターンを転写するための転写ヘッド及びそれを用いた微細パターンの形成方法 |
JP6021365B2 (ja) * | 2012-03-12 | 2016-11-09 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、それを用いた物品の製造方法 |
JP5982996B2 (ja) * | 2012-04-26 | 2016-08-31 | 大日本印刷株式会社 | 異物除去方法 |
CN104937698B (zh) * | 2013-01-24 | 2017-04-19 | 综研化学株式会社 | 透光型压印用模具、大面积模具的制造方法 |
JP5971561B2 (ja) * | 2013-01-29 | 2016-08-17 | 株式会社東芝 | パターン形成方法およびパターン形成装置 |
JP5611399B2 (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-22 | キヤノン株式会社 | 加工装置 |
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JP5821909B2 (ja) * | 2013-07-30 | 2015-11-24 | 大日本印刷株式会社 | 光インプリント用モールドおよびその製造方法 |
US9177790B2 (en) * | 2013-10-30 | 2015-11-03 | Infineon Technologies Austria Ag | Inkjet printing in a peripheral region of a substrate |
KR101932419B1 (ko) * | 2013-11-22 | 2018-12-26 | 소켄 케미칼 앤드 엔지니어링 캄파니, 리미티드 | 스텝 앤드 리피트 방식의 임프린트 기술을 이용한 구조체의 제조 방법 |
JP6571656B2 (ja) * | 2013-12-10 | 2019-09-04 | キャノン・ナノテクノロジーズ・インコーポレーテッド | ゼロ・ギャップ・インプリンティングのためのインプリント・リソグラフィ・テンプレート及び方法 |
EP3572875A1 (en) | 2013-12-19 | 2019-11-27 | Illumina, Inc. | Roll-to-roll process of preparing a patterned substrate and patterned substrate prepared by the same process |
JP6333035B2 (ja) * | 2014-04-15 | 2018-05-30 | キヤノン株式会社 | モールド、インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 |
JP5773024B2 (ja) * | 2014-04-25 | 2015-09-02 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリントによるパターン形成装置 |
TWI662591B (zh) * | 2014-07-08 | 2019-06-11 | 日商綜研化學股份有限公司 | 使用分步重複用壓印用模具的分步重複壓印方法、及分步重複用壓印用模具之製造方法 |
TW201616553A (zh) | 2014-07-17 | 2016-05-01 | Soken Kagaku Kk | 分步重複式壓印裝置以及方法 |
JP2016126240A (ja) * | 2015-01-07 | 2016-07-11 | 住友ゴム工業株式会社 | 印刷用樹脂原版の製造方法およびフレキソ印刷版 |
JP6537277B2 (ja) * | 2015-01-23 | 2019-07-03 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、物品製造方法 |
JP2016159616A (ja) * | 2015-03-05 | 2016-09-05 | 富士ゼロックス株式会社 | 造形装置 |
JP6602033B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2019-11-06 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、供給量分布の作成方法、インプリント方法、及び物品の製造方法 |
JP6441181B2 (ja) * | 2015-08-04 | 2018-12-19 | 東芝メモリ株式会社 | インプリント用テンプレートおよびその製造方法、および半導体装置の製造方法 |
WO2017204260A1 (ja) | 2016-05-25 | 2017-11-30 | 大日本印刷株式会社 | テンプレート及びテンプレートブランクス、並びにインプリント用テンプレート基板の製造方法、インプリント用テンプレートの製造方法、及び、テンプレート |
JP6824713B2 (ja) * | 2016-11-30 | 2021-02-03 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、インプリント装置、型、および物品の製造方法 |
KR102288981B1 (ko) * | 2017-04-17 | 2021-08-13 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 임프린트 템플레이트 및 임프린트 패턴 형성 방법 |
JP7058951B2 (ja) * | 2017-05-24 | 2022-04-25 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、および物品の製造方法 |
CN107538945A (zh) * | 2017-08-04 | 2018-01-05 | 南京工业大学 | 一种均质光子晶体涂层的构筑工艺 |
KR102463923B1 (ko) | 2017-09-18 | 2022-11-07 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 임프린트 패턴 형성 방법 및 임프린트 장치 |
US10935883B2 (en) * | 2017-09-29 | 2021-03-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Nanoimprint template with light blocking material and method of fabrication |
JP7027823B2 (ja) * | 2017-11-08 | 2022-03-02 | 大日本印刷株式会社 | 機能性基板及びその製造方法、並びにインプリントモールド |
FR3075800B1 (fr) * | 2017-12-21 | 2020-10-09 | Arkema France | Couches anti adhesives pour les procedes d'impression par transfert |
US10948818B2 (en) * | 2018-03-19 | 2021-03-16 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for creating a large area imprint without a seam |
KR102068574B1 (ko) * | 2018-05-29 | 2020-01-21 | 한국기계연구원 | 나노 임프린팅용 대면적 스탬프 제조방법 |
JP7047109B2 (ja) * | 2018-09-07 | 2022-04-04 | 富士フイルム株式会社 | インプリント用硬化性組成物、パターンの製造方法、半導体素子の製造方法および硬化物 |
US11281095B2 (en) | 2018-12-05 | 2022-03-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Frame curing template and system and method of using the frame curing template |
JP7267589B2 (ja) * | 2019-04-23 | 2023-05-02 | Scivax株式会社 | インプリント用モールドおよび当該インプリント用モールドの製造方法並びに撮像素子製造方法 |
JP2021044299A (ja) | 2019-09-06 | 2021-03-18 | キオクシア株式会社 | インプリント方法、半導体装置の製造方法、及びインプリント装置 |
JP7465146B2 (ja) * | 2020-05-12 | 2024-04-10 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、インプリント装置、判定方法及び物品の製造方法 |
US11747731B2 (en) | 2020-11-20 | 2023-09-05 | Canon Kabishiki Kaisha | Curing a shaped film using multiple images of a spatial light modulator |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02289311A (ja) * | 1989-01-25 | 1990-11-29 | Hoya Corp | スタンパーおよびこのスタンパーを用いる情報記録媒体用基板の製造方法 |
EP0614124A3 (en) | 1993-02-01 | 1994-12-14 | Nippon Kogaku Kk | Exposure device. |
US5885514A (en) * | 1996-12-09 | 1999-03-23 | Dana Corporation | Ambient UVL-curable elastomer mold apparatus |
US6780001B2 (en) * | 1999-07-30 | 2004-08-24 | Formfactor, Inc. | Forming tool for forming a contoured microelectronic spring mold |
TW473823B (en) * | 1999-11-18 | 2002-01-21 | Nippon Kogaku Kk | Exposure method as well as exposure apparatus, and method for manufacturing device |
US7635262B2 (en) * | 2000-07-18 | 2009-12-22 | Princeton University | Lithographic apparatus for fluid pressure imprint lithography |
KR101031528B1 (ko) * | 2000-10-12 | 2011-04-27 | 더 보드 오브 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 | 실온 저압 마이크로- 및 나노- 임프린트 리소그래피용템플릿 |
JP2002184669A (ja) * | 2000-12-14 | 2002-06-28 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
US6653030B2 (en) | 2002-01-23 | 2003-11-25 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optical-mechanical feature fabrication during manufacture of semiconductors and other micro-devices and nano-devices that include micron and sub-micron features |
JP3907504B2 (ja) | 2002-03-14 | 2007-04-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置製造用モールド |
US7077992B2 (en) * | 2002-07-11 | 2006-07-18 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography processes |
US7070405B2 (en) * | 2002-08-01 | 2006-07-04 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment systems for imprint lithography |
KR100488049B1 (ko) * | 2003-01-16 | 2005-05-06 | 엘지전자 주식회사 | 나노 임프린트 제조 방법 |
TWI220267B (en) * | 2003-07-31 | 2004-08-11 | Univ Nat Cheng Kung | Manufacturing method of transferring pattern with high aspect ratio |
US7136150B2 (en) * | 2003-09-25 | 2006-11-14 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography template having opaque alignment marks |
KR20050075580A (ko) * | 2004-01-16 | 2005-07-21 | 엘지전자 주식회사 | 나노 임프린트 리쏘그라피를 이용한 대면적 스탬프 제작방법 |
KR100585951B1 (ko) * | 2004-02-18 | 2006-06-01 | 한국기계연구원 | 조합/분리형 독립구동이 가능한 복수 개의 모듈을 갖는 임프린팅 장치 |
US7686970B2 (en) * | 2004-12-30 | 2010-03-30 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
TWI261308B (en) * | 2005-03-02 | 2006-09-01 | Ind Tech Res Inst | Micro-nanometer transfer printer |
US20060266916A1 (en) | 2005-05-25 | 2006-11-30 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography template having a coating to reflect and/or absorb actinic energy |
US7377764B2 (en) * | 2005-06-13 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
JP4262267B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2009-05-13 | キヤノン株式会社 | モールド、インプリント装置及びデバイスの製造方法 |
US7854877B2 (en) * | 2007-08-14 | 2010-12-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithography meandering order |
US8840795B2 (en) * | 2009-09-03 | 2014-09-23 | Lg Electronics Inc. | Method for manufacturing a master mold which is used to form a micropatterned film applied to an exterior of a household appliance and manufacturing apparatus and method of the film using the master mold |
JP5909046B2 (ja) * | 2011-03-09 | 2016-04-26 | 株式会社東芝 | 近接場露光方法 |
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