CN201436697U - 球栅阵列谐振器 - Google Patents

球栅阵列谐振器 Download PDF

Info

Publication number
CN201436697U
CN201436697U CN2007900001188U CN200790000118U CN201436697U CN 201436697 U CN201436697 U CN 201436697U CN 2007900001188 U CN2007900001188 U CN 2007900001188U CN 200790000118 U CN200790000118 U CN 200790000118U CN 201436697 U CN201436697 U CN 201436697U
Authority
CN
China
Prior art keywords
resonator
band
conducting material
electric conducting
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2007900001188U
Other languages
English (en)
Inventor
T·克内克特
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CTS Corp
Original Assignee
CTS Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CTS Corp filed Critical CTS Corp
Application granted granted Critical
Publication of CN201436697U publication Critical patent/CN201436697U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P7/00—Resonators of the waveguide type
    • H01P7/08—Strip line resonators
    • H01P7/082—Microstripline resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/05005—Structure
    • H01L2224/05009—Bonding area integrally formed with a via connection of the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/05568—Disposition the whole external layer protruding from the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0237—High frequency adaptations
    • H05K1/0243—Printed circuits associated with mounted high frequency components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3431—Leadless components
    • H05K3/3436—Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components

Abstract

一种球栅阵列陶瓷谐振器(320)包括基板(322)，其具有位于该基板的相对的第一和第二表面上的导电材料的一个或多个带(342)。一个或多个导电通路(336)延伸通过该基板并限定在该相应的基板表面中的终端。在一个实施例中，限定相应的接地焊盘的多个导电球体/球形物(396)被设置在端接于所述第一或第二表面上的导电材料的所述一个或多个带中的所述通路的端上，且另一个导电球体被设置在导电材料的带中的一个上以限定RF信号输入焊盘(398)。

Description

球栅阵列谐振器
相关申请的交叉引用
本申请要求于2006年11月2日提交的序列号为60/856,064的美国临时申请的申请日的权益，该临时申请通过引用明确地结合于此，其中所引用的全部对比文件也这样。
技术领域
本实用新型总地涉及射频(RF)谐振器，并且更具体地，涉及改善的直接表面安装的陶瓷基板球栅阵列谐振器，其在1.5GHz或更高频率范围内可操作。
背景技术
在过去的数年，由纽约的卡泽诺维亚的DielectricLaboratories Inc.制造和销售的类型的YIG(钇铁石榴石)振荡器、DRO(电介质谐振器振荡器)、同轴谐振器和空腔谐振器已经被应用，用于在诸如电压控制的振荡器的产品中提供精确的频率控制参考的目的。
虽然上述装置已经在市场中获得接受，但仍然存在对于能够在1.5GHz和更高频率上提供选择性和其他性能改善、都具有较低成本、较小、较高性能、且较低高度球栅阵列式封装的RF谐振器的需要。本实用新型提供这样的改善的陶瓷球栅阵列式谐振器。
实用新型内容
本实用新型总地涉及一种球栅阵列谐振器，其首先包括限定其上包括导电材料的一个或多个带的第一表面和其上具有导电材料的一个或多个带的相对的第二表面的陶瓷基板。至少第一导电通路延伸通过该基板并限定在该第一和第二表面中的相应的终端，且该第一或第二表面之一上的至少第一导电球体覆盖该第一导电通路的终端之一且限定接地焊盘。与该第一导电球体位于相同的表面上的至少另一个导电球体限定RF输入/输出焊盘。
在一个实施例中，第一表面包括延伸该基板的整个长度和宽度的至少导电材料的第一带、和第一导电通路端接于该导电材料的第一带的端之一中。第一导电球体被安置在该第一带的一端上且覆盖在该第一导电通路的该终端上，而另一个导电球体被安置在该导电材料的第一带的相对端上。
在另一个实施例中，导电材料的第一带具有小于该基板的整个长度和宽度的长度和宽度，且球栅阵列谐振器进一步包括与该材料的第一带的一端形成整体且沿着所述基板的宽度邻近于该基板的一端延伸的导电材料的第二带。该导电材料的第一带具有小于该导电材料的第二带的宽度的宽度并在该基板的相对端的方向上从该导电材料的第二带的内边向外延伸。在该实施例中，该第一导电通路的终端分别端接于该导电材料的第二带和该第二表面上的导电材料的一个或多个带中。第一导电球体被安置在端接于该导电材料的第二带中的第一导电通路的终端上，且另一个导电球体被安置在与同该导电材料的第二带形成整体的端相对的导电材料的第一带的端上。
该谐振器可以附加地包括从导电材料的第二带的相对的端整体地向外延伸的第一表面上的导电材料的第三和第四带。该导电材料的第三和第四带的每一个以与该导电材料的第一带分隔开且平行的关系沿着该基板的长度延伸。多个附加的导电通路可以延伸通过该基板且限定该导电材料的第三和第四带以及第二表面上的导电材料的一个或多个带中的相对的终端。多个第三和第四导电球体还可以分别安置于被限定在该导电材料的第三和第四带中的通路的终端上。
根据本实用新型，通过相对于第一表面上的导电材料的第一带的长度分别增大或减小该第一表面上的导电材料的第二带的长度来增加或减小球栅阵列谐振器的频率。在一个实施例中，第一表面上的导电材料的第一带的长度大于或等于第一表面上的导电材料的第二带的长度。在另一个实施例中，第一表面上的所述导电材料的第一带的长度小于或等于第一表面上的导电材料的第二带的长度。
第一表面上的导电材料的第一带的长度可以限定蜿蜒图案以增大其有效长度。
本实用新型的谐振器适于用于VCO或VCO/PLL的储能电路。
从本实用新型的优选实施例的下面的详细描述、附图和附加的权利要求书中，本实用新型的其它优点和特征将更显而易见。
附图说明
在附图中：图1是根据本实用新型的球栅阵列谐振器的没有盖的第一“顶侧”实施例的放大的透视图；图2是图1的谐振器的放大的顶部平面图；图3是图1的谐振器的放大的底部平面图；图4A和4B是适合于固定到图1的谐振器的顶部的盖的顶部和底部透视图；图5是根据本实用新型的球栅阵列谐振器的“底侧”实施例的放大的透视图；图6是图5的谐振器的放大的底部平面图；图7是图5的谐振器的放大的顶部平面图；图8是图5的谐振器沿着图7中线8-8的放大的垂直截面视图；图9是根据本实用新型的球栅阵列谐振器的第二“底侧”实施例的放大的透视图；图10是图9的谐振器的放大的底部平面图；图11是图9的谐振器的放大的顶部平面图；图12是图9的谐振器沿着图10中线12-12的放大的垂直截面视图；图13是根据本实用新型的球栅阵列谐振器的另一个“底侧”实施例的放大的透视图；图14是图13的谐振器的放大的顶部平面图；图15是根据本实用新型的球栅阵列谐振器的又一个“底侧”实施例的放大的透视图；图16是图15的谐振器的放大的底部平面图；图17是图15的谐振器的放大的顶部平面图；以及图18是其中本实用新型的球栅阵列谐振器适合于被使用和并入的电压控制的振荡器的电路简化示意图。
具体实施方式
虽然本实用新型容许多种不同形式的实施例，但此说明书和附图仅公开相应的“顶侧”和“底侧”实施例作为本实用新型的示例。但是本实用新型并不意图受限于如此描述的实施例。
图1、2、3、4A和4B描绘了根据本实用新型的陶瓷球栅阵列(BGA)微带谐振器20的“顶侧”谐振器结构或实施例，在所示实施例中，其测量值为大约5.0mm×3.0mm×1.3mm(最大)。
术语“顶侧”的使用是指：下面更详细描述的谐振器带图案42形成在与适合于安置靠在且直接表面安装于消费者的印刷电路板(未示出)的谐振器的侧相对的谐振器20的侧上。
谐振器20首先包括一般地矩形形状的基板或块22，该基板或块22包含具有相对低损耗、相对高介电常数、和介电常数的相对低温度系数的任何适合的电介质材料。在图1-3的实施例中，基板22测量值大约为5.0mm×3.0mm；大约20密尔(0.5mm)厚；且该基板包括在本实施例中为大约96％的氧化铝(Al2O3)的陶瓷基板。在优选实施例中，基板22具有在大约200至300之间的Q和大约9.5的介电常数(K)。
基板22包括顶表面24(图2)，底表面26(图3)，和分别限定相应周围的边28、30、32和34的相应侧表面。
多个大体为圆柱形的激光钻出的通孔限定了导电通路36(图1至3)，在所示实施例中，该通孔的直径大约为8密耳(0.20mm)，其形成在基板22的本体中并且在顶表面24与底表面26之间并且以大体上与顶表面24与底表面26垂直的关系大体垂直延伸通过该基板22的该本体。通路36分别端接且限定在基板22的顶表面24和底表面26二者中的通路终端孔/端部。
如关于谐振器实施例220的图8中所示，应当理解，由相应的通孔限定该通路，其中所述通孔已经被填充了合适的且常规的厚膜导电通路填充材料，例如是包括大约99％银和1％钯的Ag/Pd(银/钯)组合物，其具有大约4.3×107姆欧/厘米的电导率、大约2.3μohm-com的电阻率和大约2.2欧姆/方块的方块电阻。
谐振器20的顶表面24附加地包括由多个整体的谐振器带限定的导电金属化谐振器图案42(图1和图2)，该多个谐振器带通过任意合适技术形成在基板22的顶表面24上，该合适技术包括但不限于常规厚膜导体处理技术或常规烧蚀技术。每个谐振器带同样地包括组成类似于通路36中的材料的合适的且常规的Ag/Pd导电厚膜材料。
在图1和图2所示的实施例中，如在下面更详细描述的，图案42包括5个整体的谐振器带42a、42b、42c、42d和42e，并且由这5个整体的谐振器带限定。
中央体谐振器带42a大体上为矩形，在基板的长侧边28和30之间且平行于所述长侧边位于基板顶表面24的中央，并且在基板的短侧边32和34之间以与其大体垂直的关系延伸。
伸长体谐振器带42a限定用于限定大体矩形的基部或肩谐振器带42b的第一对肩，该谐振器带42b以大体横向于体带42a或与其垂直的关系从中央体带42a的端之一向外整体地延伸。基部谐振器带42b与基板的短侧边34分隔开且在大体平行于该基板的短侧边34的方向上延伸。基部谐振器带42b限定横向内边或面43(图2)，该横向内边或面43分别在大体平行于基板的短侧边32和34的取向上延伸。带42a和42b共同限定大体“T”形的谐振器带或图案。
一对伸长的大体矩形的臂/翼谐振器带42c和42d在基板的短侧边32的方向上从肩/基部带42b的相对的端整体地垂直向外延伸。臂/翼42c和42d与相应的基板的长侧边28、30和中央体谐振器带42a分隔开且以与所述基板的长侧边28、30和中央体谐振器带42a平行的关系延伸。翼带42c位于中央带42a和基板侧边30之间且与其分隔开。翼带42d位于中央带42a和基板的侧边28之间且与其分隔开。
体谐振器带42a还进一步限定用于限定伸长的大体矩形的足谐振器带42e的第二对肩，该足谐振器带42e与同限定肩/基部谐振器带42b的体谐振器带42a的端相对的体谐振器带42a的端成为整体且从其向外延伸。足带42e在横向于体谐振器带42a或与其垂直的方向和与基板的短侧边32分隔开且与其大体平行的关系来延伸。足谐振器带42e的相对的端面与翼带42c和42d的相应端分隔开并且以与其大体共线的关系设置。带42e限定在大体分别平行于基板的短侧边32和34的取向上延伸的横向内边或面45(图2)。带42a、42b和42e共同限定大体“I”形状的谐振器带或图案。
在所示实施例中，谐振器带42b和42e二者优选地具有大于体谐振器带42a的宽度(在图2中总地标识为W1)的宽度(在图2中总地标识为W3)，而相应的翼谐振器带42c和42d的每一个具有小于体中央谐振器带42a的宽度W1的宽度(在图2中总地标识为W2)。
在所示实施例中，应该理解体谐振器带42a限定适合于提供谐振器20的频率产生和控制特征的谐振器图案42的部分，而其他谐振器带42b至42e提供谐振器的接地功能。
因此，根据本实用新型的原理，应该理解谐振器20产生的频率部分地依赖于基部谐振器带42b的内横向边43(即中央谐振器带42a的端之一)和在中央谐振器带42a的相反端/足谐振器带42e中通过通路36k(图2)限定的孔的中心之间的距离，在图2中总地标识为L2。当然，此距离能够增大或减小，例如通过增大或减小基部谐振器带42b的长度(在图2中总地标识为L3)，其又相应地增大或减小中央谐振器带42a的长度L2。
简言之，相对于基部谐振器带42b缩短或减小体谐振器带42a的长度L2将导致谐振器20的频率的相应的提高，而相对于基部谐振器带42b增大或延长长度L2将导致谐振器20的频率的相应的降低。此频率通常是谐振器的四分之一波长频率。当然，谐振器20的希望的频率和应用将确定各自的谐振器图案的长度L2和L3。
如上所述和图1中所示，分隔开的通路36以相对于基板表面24和26为大体垂直关系分别在基板22的顶表面24和底表面26之间延伸，且如以下更详细地描述的，其端部端接于位于谐振器带42a、42b、42c、42d和42e的相应部分的下面的基板表面24的部分中。
通路36b端接于体谐振器带42a的一端/基部谐振器带42b中央的下面。通路36a和36c分别地端接于基部谐振器带42b的相对的端的下面。通路36a至36c以分隔开的共线关系沿着基部谐振器带42b的长度且邻近于基板的短边34延伸。通路36d至36f端接于翼谐振器带42c的下面并且以分隔开的共线关系沿着该翼谐振器带42c的长度且邻近于基板的长边30延伸。通路36a以与通路36d至36f大体共线的关系设置。通路36g至36i端接于翼谐振器带42d的下面并且以分隔开的共线的关系沿着该翼谐振器带42d的长度且邻近于相对的基板的长边28延伸。通路36c以与通路36g至36i大体共线的关系设置。通路36c、36g、36h和36i分别与通路36a、36d、36e和36f正相反地相对。
通路36k端接于与通路36b所端接的体谐振器带42a的端相对的体谐振器带42a的端/足谐振器带42e中央的下面。通路36j和36l端接于足谐振器带42e的相对端的下面。通路36j、36k和36l均以分隔开的共线关系沿着足谐振器带42e的长度和以相对于端接于相对的基部谐振器带42b中的通路36a、36b和36c正相反地相对的关系延伸。
如图3所示，基板22的底表面26具有在其上形成的常规厚膜导体材料的第一大体矩形层或带76，其限定了下部导电接地平面。基板22的底表面26附加地限定常规厚膜导电材料的第二大体矩形的层/带/平面77，其限定谐振器20的谐振器RF信号输入/输出焊盘。
导电RF信号输入-输出带77以与基板22的短侧边32和接地带76的边88大体平行的关系延伸且与其隔开。
接地带或层76限定相应的伸长的周围边84、86、88和90，其与基板22的相应的周围边28、30、32和32平行且隔开。边84和86限定矩形带76的长侧边，而边88和90限定其短侧边。
在图1中，通路36c、36g、36h和36i以分隔开并且大体共线的关系沿着基板侧边28的长度延伸，并且限定端接于邻近于接地带76的侧纵向边84且在其下面的基板表面26的区域中的各自的端。
通路36a、36d、36e和36f以分隔开并且大体共线的关系沿着相对的基板侧边30的长度延伸，并且限定端接于邻近于接地层76的相对侧纵向边86且在其下面的基板表面26的区域中的各自的端。
通路36a、36d、36e和36f分别与通路36c、36g、36h、36i和36l正相反地相对。
通路36j、36k和36l以分隔开、共线关系沿着带77的长度延伸且端接于其下面。
通路36j以与带76中的通路36a、36d、36e和36f共线关系被设置，通路36k以与带76中的通路36b共线正相反地相对的关系被设置，且通路36l以与端接于带76中的通路36c、36g、36h和36i共线的关系被设置。
具有大约1.0mm的间距和大约0.025英寸(0.64mm)直径的多个焊接球体或球形物96(参见图1和3)机械地和电地接附到基板22的底表面26，更具体的，机械地接附至且覆盖在基板表面26中由通路36限定的终端。
球体96包括不回流或不改变形状的任何合适的高温可焊接材料，例如含有90％Pb和10％Sn的组合物(或者具有Sn/Ni镀覆组合物的无铅铜，如果希望的话)，并且球体96适于允许谐振器20到例如WiMax基站的印刷电路板的直接表面安装。尽管未在此详细描述或示于任何附图中，应当理解，球体96也能够采用导电材料的焊盘或带的形式。
根据本实用新型，除了覆盖通路36j、36k和36l的终端的3个焊接球体96之外，所有的焊接球体限定适于被电连接到谐振器20适于被直接表面安装到的外部印刷电路板的相应接地焊盘的相应接地引脚或焊盘。短的四分之一波长元件构成了电感元件。
固定在通路36j、36k和36l的终端上的焊接球体96限定谐振器20的RF信号输入引脚或抽头焊盘，且适于电耦合至谐振器20适于直接表面安装到的外部印刷电路板(未示出)的相应的RF信号输入焊盘，以限定RF信号导电输入/输出路径，该路径允许RF信号相继地通过覆盖在通路36j、36k和36l上的球形物96；通过相应的通路36j、36k和36l；通过谐振器带42e、谐振器带42a、谐振器带42b、谐振器带42d和42e；通过端接于相应的带42b、42d和42e下面的相应的通路返回通过基板；进入覆盖在端接于接地焊盘76的通路的球形物96，且随后进入谐振器20适于被直接表面安装到的该板的接地焊盘。
谐振器20附加地包括金属盖98(图4A和4B)，其优选地为大约20密尔(0.5mm高)并适于被安置和固定到基板22的顶表面24上。根据本实用新型，盖98提供数个功能，包括：提供谐振器带图案42上方的空气隙；起法拉第屏蔽的作用；限定谐振器带图案42上方的接地平面；和用作为用于谐振器20的防尘罩。
盖98包括顶部或顶表面100和四个侧壁102、104、106和108，所述四个侧壁从顶表面100大体上垂直向下并且限定相应的周围端面或边110、114、116和118。顶部100限定一对分隔开的、共线的激光修整孔122和124，所述激光调整孔相对于盖的上部周围侧壁102呈分隔开且平行的关系并且与其邻近定位。金属盖98是可选的。
优选地使用以下过程序列组装谐振器20：提供基板22并且通过其激光钻孔而得到通孔。然后每个通孔开口上方筛选通路填充材料浆料。接着辗压基板22的表面24和26以迫使该填充材料通过通孔，以便限定多个导电通路36。之后在接近850℃的炉中烧制基板22以固化通路填充材料。
通过例如筛选或镀覆过程或者烧蚀过程，随后通过在大约850℃的炉中进行烧制以固化Ag/Pd导电材料，然后接着将谐振器导电带图案42形成在基板22的顶表面24上。对Ag/Pd导电材料的接地层76和输入/输出层77重复相同的步骤，该Ag/Pd导电材料被筛选到基板22的底表面26上。
然后可以将称为玻璃涂层的介电材料的大体半透明的可选的保护涂层或遮蔽层(图9中所示为层392)丝网印刷到包括谐振器图案42的基板22的顶表面24的部分上，并且再次在大约850℃的炉中烧制该基板22以固化介电材料的涂层。介电材料的类似玻璃涂层被丝网印刷到大致整个基板的底表面26上。随后再次在大约850℃的炉中烧制该基板22以固化介电材料的底部涂层。由于该涂层限定焊接球形物的位置，所以该涂层不是可选的。
然后焊膏被丝网印刷到顶表面22上在邻近于其每个侧边的区域中并且盖98以下面的关系被安置在基板22的顶表面24上：即其中端面110、112、114和116被安置在焊膏上。然后该焊料回流以将盖98固定到基板22上。
焊膏(未示出)也被丝网印刷到在基板22的底表面26中限定的每个相应的通路36的终端上(见图8)。所有的焊接球体96然后被安置在焊膏的每个点上，并且该焊膏随后回流以将焊接球体96永久地固定到基板22上。
谐振器带42d和42c的终端适用于与盖96中的孔122和124分别对准，以允许在必要时对带42d和42c进行激光修整。
最后，谐振器20被测试并且然后被带卷(tape and reel)以用于运输给消费者。
图5至8描绘了本实用新型的“底侧”谐振器实施例220。术语“底侧”的使用是指如下面更详细描述的谐振器带图案242布置在适于被安置靠着消费者的印刷电路板(未示出)的顶部并直接表面安装到其上的基板222的侧上。图5描绘了底侧向上的谐振器220，用于图解和描述目的。
首先，如关于谐振器实施例20的之前的描述，谐振器220同样首先包括大体为矩形的基板或块222。
基板222优选地具有与基板22相同的尺寸和组成，并且因此涉及基板22的之前讨论和描述通过引用包含于此。
基板222包括顶表面224(图7和图8)、适于面对于谐振器220适于安置并直接表面安装到的印刷电路板的顶部(未示出)的底表面226(图5、图6和图8)、和分别限定周围边228、230、232和234的侧表面。
限定导电通路236的多个分隔开的、大体平行的、伸长的激光钻出的通孔(图5和图8)延伸通过基板222的本体并且端接于分别限定于基板222的顶表面224和底表面226(图6至图8)中的孔/开口(图6至图8)中。通路236以相对于顶部基板表面224和底部基板表面226的大体垂直关系延伸通过该基板222。
谐振器220在结构上部分地不同于谐振器20，不同之处在于在谐振器220中，焊接球体或球形物296和导电谐振器图案242二者适合地定位于、位于、和形成在基板222的相同底表面或侧上，而不是如在谐振器20中在基板的相对的顶表面和底表面或侧上。因此，制造谐振器220的过程类似于之前关于谐振器20所描述的过程，并且因此制造谐振器20的过程的描述通过引用包含于此，除了制造谐振器220的过程包括将焊接球体296以覆盖端接于谐振器图案242的相应的带中的通路236的端的关系固定到表面226上的步骤，如下面更详细的描述。
具体地，如图5、图6和图8所示，基板222的表面226限定类似于谐振器金属化图案42的导电厚膜谐振器金属化图案242，并且被在功能和组成上类似于谐振器20的谐振器图案42的对应谐振器带42a、42b、42c和42d的多个整体的谐振器带242a、242b、242c和242d来限定，这样的谐振器带42a、42b、42c和42d的每一个的描述因此通过引用包含于此，除了在下面另外描述之外，如同全部描述一样。
更具体地，谐振器图案242由第一大体矩形的中央伸长的谐振器体带242a限定，其在接地基板长侧边之间定位在底表面226的中央上，并且沿着基板222的长度大体从与短侧基板边232隔开的点延伸至与相对的短侧基板边234隔开且邻近的点。带242a在大体平行于基板的长侧边228和230且垂直于短侧基板边232和234的方向上延伸。
中央谐振器体带242a包括一对肩，其一起限定第二伸长的大体矩形的谐振器基部带242b，其与体带242a的一端构成整体并沿着基板222的宽度在大体垂直于体带242a的取向上延伸。肩带242b以与短侧基板边232邻近的分隔开的且平行的关系定位。因此带242a和带242b结合限定了大体“T”形的谐振器带或图案。
谐振器图案242还进一步限定一对大体矩形的翼谐振器带242c和242d，其分别整体地从肩/基部带242b的相对的周围端向外延伸。
翼带242c以与体带242a和长侧基板边230隔开且平行的关系沿着基板222的长度从肩/基部带242b的一端和基板的短侧边232延伸到与相对的周围侧边234邻近且隔开的点。
翼带242d以与体带242a和相对的长侧基板边228隔开且平行的关系沿着基板222的长度从肩/基部带242b的相对端和基板的短侧边232延伸到与相对的周围基板的侧边234邻近且隔开的点。
在所示实施例中，翼带242c和翼带242d具有大体等于体带242a的长度的长度和小于中央体谐振器带242a的宽度的宽度。基部带242b具有大体等于或大于体带242a、翼谐振器带242c和翼谐振器带242d的宽度的宽度。
当然，应该理解，中央体谐振器带242a限定适于提供谐振器220的频率产生和控制特性的谐振器图案242的部分，而谐振器带242b、242c和242d构成和提供接地的结构和功能。
如图7和图8所示，基板222的顶表面224包括在组成和功能上类似于谐振器20的表面26上的带76的厚膜金属化导电材料的单层276，因此谐振器20的表面26上的带76的描述通过引用包含于此。图8也描绘了在制造过程中可以应用到层276的的顶部玻璃涂层292。
更具体的，层276的特征在于其限定接地平面或层，该接地平面或层基本上覆盖基板222的整个表面224，并且包括与基板222的边228、230、232和234邻近且隔开的相应的边。
基板222附加地限定多个在其中所限定的导电通路236，如图5和图8中所示，该通路以分隔开且平行的关系延伸通过基板222的本体并且限定在相应的基板表面224和226中的通路终端，并且适于被填充厚膜导电材料，如图8中所示和关于谐振器实施例20的如上所述，并且因此通过引用包含于此。
更具体的，应该理解，谐振器220限定通路236b，其端接于并限定位于基部谐振器带242b的中央的下面的终端。谐振器220还进一步限定通路236a和236c，其端接于并限定在基部谐振器带242b的相对的端中的终端。分隔开、共线的通路236a、236b和236c沿着谐振器带242b的整个宽度与基板的短边232邻近且隔开地延伸。通路236a、236b和236c附加地限定顶部基板表面224中的相应的相对的通路终端，其沿着短侧基板边232延伸且位于接地层276的顶边的下面。
谐振器220还进一步限定多个分隔开的共线的通路236d、236e、236f和236j，其端接于且限定突出到位于翼带242c下面的底部基板表面226的部分中且沿着其完整长度延伸的相应的通路终端；和顶部基板表面224中并且沿着长侧基板边230在接地层276下面延伸的相应的相对的终端。通路236d、236e、236f和236j均与通路236a成共线关系被定位。
谐振器220附加地限定多个分隔开的共线的通路236g、236h、236k和236i，它们端接于且限定突出到谐振器带242d下面的底部基板表面226中且沿着其完整长度延伸的相应的通路终端；和突出到顶部基板表面224中并且在沿着长侧基板边228延伸的接地层226的部分下面延伸的相应的相对的终端。通路236g、236h、236k和236i均与通路236c成共线关系被定位。
如图5、图6和图8所示，焊接球体/球形物296适于被固定到基板222的表面226。所有的焊接球体296适于以与之前关于谐振器20的焊接球体/球形物96描述的相同的覆盖方式和关系被安置且固定到相应的通路236的被填充的终端上。在所示实施例中，覆盖相应的通路236的终端的所有焊接球形物/球体296限定各自的接地引脚，该引脚适于与谐振器222适于直接表面安装到的外部印刷电路板(未示出)的各自的接地焊盘直接表面接触定位。
根据本实用新型，附加的焊接球形物/球体298(图5和图6)被安置在邻近于短侧边232的体谐振器带242a的端部上，并且限定适于与外部印刷电路板(未示出)的相应的输入RF信号焊盘直接表面安装接触的谐振器222的输入RF信号引脚或焊盘，谐振器222适于直接表面安装到该外部印刷电路板上。
在图5至图8的“底侧”结构中，应该理解，基板222的表面224上的导电层276包括第一接地平面，而消费者的印刷电路板(未示出)上的导体图案提供另外的第二所需接地平面。谐振器220和接地平面之间的所需要的空气隙由消费者的印刷电路板(未示出)和谐振器220的底表面226之间的焊接球体296和298所建立的0.025英寸空间来提供和限定。
因此，根据本实用新型的实施例，并参考图5、图6和图8，RF信号适于从PCB(未示出)上的RF输入焊盘传输进入并通过焊接球体298、然后从邻近基板短侧边232的谐振器带242a的端在相对的基板短侧边234的方向上通过该谐振器带242a的长度，然后通过经由球体296被耦合到PCB上的地的每个接地谐振器带242b至242d且然后也经由其端部端接于相应的带242b至242d中的相应的通路来通过基板并进入到基板222的表面224上的接地层276。
以与关于谐振器20的之前描述相类似的方式，应该理解，谐振器220的频率部分地取决于体谐振器带242a的有效长度，该体谐振器带242a的有效长度又取决于邻近短侧边232的中央体谐振器带242a的端处的球体298的中心与邻近基板短侧边234的基部谐振器带242b的内边300(即体谐振器带242a的相对的端)之间的距离(在图6中总地标识为L1)，该距离又取决于基部带242b的长度(在图6中总地标识为L2)。
因此，应该理解，例如增加基部谐振器带242b的长度将导致体谐振器带242a的有效长度的减小(即图6中距离L1的减小)，这将导致谐振器200的频率的相应的增加。
图9至图12描绘本实用新型的另一个“底侧”谐振器实施例320。再次，术语“底侧”的使用是指如下面更详细描述的谐振器带图案342(图9、图10和图12)布置在适于被安置靠着消费者的印刷电路板(未示出)的顶部上并直接表面安装到其上的基板322的侧上。用于图解的目的，图9描绘了底侧向上的基板320。
首先，如关于谐振器实施例20的之前的描述，谐振器320同样首先包括大体为矩形的基板或块322。
基板322优选地具有与基板22相同的尺寸和组成，并且因此涉及基板22的之前的讨论和描述通过引用包含于此。
基板322包括顶表面324(图11和图12)、适于面对谐振器320适于安置并直接表面安装到的印刷电路板(未示)的顶部的底表面326(图9、图10和图12)、和分别限定周围边328、330、332和334的侧表面。
限定导电通路336的多个(具体地是5个)分隔开的、平行的、伸长的激光钻出的通孔(图9和图12)延伸通过基板322的本体并且分别端接于基板322的顶表面324和底表面326中。通路336以相对于顶部基板表面324和底部基板表面326大体垂直的关系延伸通过基板322。
谐振器320与谐振器220的类似之处在于焊接球体或球形物396(具体地是5个)和导电谐振器图案342二者适当地定位于、位于、和形成在基板322的相同底表面326上，而不是如在谐振器20中的在基板的相对的顶表面和底表面或侧面上。
因此，制造谐振器320的过程类似于之前关于谐振器20所描述的过程，并且制造谐振器20的过程的描述因此通过引用包含于此，除了制造谐振器320的过程包括以覆盖端接于基板表面326中的通路336的端的关系来固定焊接球体396的步骤，如下面更详细的描述。
具体地，如图9、图10和图12所示，基板322的表面326被涂覆有限定谐振器金属化图案342的导电厚膜层，该谐振器金属化图案342由在功能和组成上类似于谐振器220的谐振器图案242的对应的谐振器带242a、242b、242c和242d的多个整体的、互连的谐振器带342a、342b、342c和342d来限定，因此这样的谐振器带242a、242b、242c和242d的每个的描述通过引用包含于此，除了在下面另外描述之外，如同全部描述一样。
更具体地，谐振器图案342由第一大体矩形的中央谐振器体带342a限定，其在基板的长侧边328和330之间处于底表面326的中央上，且沿着基板322的长度以大体平行于基板的长侧边328和330且垂直于短侧基板边332和334的方向延伸。在图9至图12的实施例中，体带242a被设置成邻近且垂直于短侧基板边332。
谐振器图案342限定第二、伸长的、大体矩形的谐振器基部带342b，其与体带342a的一端构成整体，该体带342a的所述端与邻近于基板的短侧边332的该体带342a的端相对。基部带342b占有位于体带342a下面的底部基板表面326的大部分，并限定与相应的基板长边328和330分隔开且平行的相应的相对的侧周围边、以及与短下基板边334分隔开且平行的下周围边。基部带342b沿着基板322的宽度在大体垂直于体带342a的取向上延伸。
谐振器图案342还进一步限定一对大体矩形的翼谐振器带342c和342d，其分别整体地从基部带342b的上周围边的相对的端向外延伸。
翼带342c以与体带342a和长侧基板边330二者隔开且平行的关系，沿着基板322的长度从基部带342b的边的一端延伸到与周围侧边332邻近且隔开的点。换句话说，体带342c在体带342a和基板的侧边330之间且与该二者分隔开位于表面326上。
与翼带342c正相反地相对的翼带342d以与体带342a和相对长侧基板边328分隔开且平行的关系，沿着基板322的长度从基部带342b的上边的相对端延伸到与周围的基板侧边332邻近且隔开的点。
在所示实施例中，翼带342c和翼带342d具有大体等于体带342a的长度的长度和小于中央体谐振器带342a的宽度的宽度。而且，体谐振器带342a具有小于基部带342b的宽度的宽度。
当然，应该理解，如之前的谐振器实施例20和220，中央体谐振器带342a限定适于提供谐振器320的频率产生和控制特性的谐振器图案342的部分，而谐振器带342b、342c和342d构成和提供接地的结构和功能。
如图11和图12所示，基板322的表面324包括在组成和功能上类似于谐振器20的带76和谐振器220的带276的厚膜金属化导电材料的单层376，谐振器20的带76和谐振器220的带276的描述通过引用包含于此。
更具体的，层376的特征在于其限定接地平面或层，该接地平面或层基本上覆盖基板322的整个表面324，且限定与基板322的边328、330、332和334邻近且隔开的4个相应的边。
基板322附加地限定多个在其中所限定的导电通路336，如图9和图12中所示，该导电通路336以分隔开且大体平行的关系延伸通过基板322的本体且限定在相应的基板表面324和326中的通路终端，如在下面更详细描述的。如之前所述和图12中所示，通路336适于被填充厚膜导电材料。
如图9至图12中所示，应该理解，相应的谐振器220和320的不同之处在于谐振器220包括其中限定的总数为11个的通路，然而谐振器320仅包括其中限定的总数为4个的通路336a、336c、336f和336k。
更具体的，应该理解，通路336a和336c端接于并限定基板表面326的相应的部分中的相应终端，其位于基部谐振器带342b的下部相应的相对的角的下面；通路336f和336k端接于并限定基板表面326的相应的部分中的相应终端，其位于相应的翼带342c和342d的下部相应端的下面。通路336a、336c、336f和336k附加地限定在基板顶表面324的相应的部分中的相应的相对的通路终端，其位于顶部接地层376的下面。
通路336c和336k共线对准。通路336a和336f共线对准且与通路336c和336k成正相反地相对的关系。
如图9、图10和图12所示，共4个焊接球体/球形物396适于固定到基板322的表面326。更具体的，焊接球体396适于以与如之前关于谐振器20的焊接球体/球形物96描述的相同的覆盖方式和关系来被安置且固定到端接于基板底表面326的通路336的相应的填充端。在所示实施例中，覆盖通路336的相应的终端的所有焊接球形物/球体396限定相应的接地引脚，该接地引脚适于定位成与谐振器322适于被直接表面安装到的外部印刷电路板(未示出)的相应的接地焊盘直接表面接触。
附加的焊接球形物/球体398被安置在邻近于短侧边332的体谐振器带342a的端上，且其限定适于与外部印刷电路板(未示出)的相应的输入RF信号焊盘直接表面安装接触的谐振器322的输入RF信号引脚或焊盘，该谐振器322适于直接表面安装到该外部印刷电路板上。
在图9至图12的“底侧”结构中，应该理解，基板322的表面324上的导电层376包括第一接地平面，而消费者的印刷电路板(未示出)上的导体图案提供另外的第二所需要的接地平面。虽然未示出，谐振器320和接地平面之间的所需要的空气隙由消费者的印刷电路板(未示出)和谐振器320的底表面326之间的焊接球体396和398产生的0.025英寸空间来提供和限定。
因此，根据本实用新型的该实施例并参考图9、图10和图12，RF信号适于从PCB(未示出)上的RF输入焊盘传输进入并通过焊接球体398，通过谐振器带342a的长度，通过经由球体396被耦合到PCB上的地的每个接地谐振器带342b至342d，并且经由相应的通路被耦合到基板322的表面324上的接地层376，所述相应的通路的端部端接于位于接地层376下面的基板表面342的部分中。
以与关于谐振器220的之前描述相类似的方式，应该理解，谐振器320的频率部分地取决于体谐振器带342a的有效长度，该体谐振器带342a的有效长度又取决于邻近短侧边332的中央体谐振器带342a的端处的球体398的中心与同体谐振器带342a的相对的端形成整体的基部谐振器带342b的外边343之间的距离(在图10中总地标识为L1)，该距离又取决于基部谐振器带342b的长度(在图10中总地标识为L2)。在图9至图12的实施例中，体带342a为基部谐振器带342b的大约一半长度，并且小于基部谐振器带342b的一半宽度。每个翼谐振器带342c和342d为大约与体谐振器带342a相同的长度且是该体谐振器带342a的大约一半的宽度。
图13和图14描绘本实用新型的又一个“底侧”谐振器实施例420，如上所述，其是指如下面更详细描述的谐振器带图案442和焊接球体496布置在基板422的相同底表面426上，该底表面426适于被安置靠着消费者的印刷电路板(未示出)的顶部上并直接表面安装到其上。用于图解的目的，图13描绘了底侧向上的谐振器420。
首先，如关于谐振器实施例20、220和320的之前的描述，谐振器420同样首先包括大体为矩形的基板或块422。
基板422优选地具有与基板22相同的尺寸和组成，并且因此涉及基板22的之前的讨论和描述通过引用包含于此。
基板422包括顶表面424(图14)、适于面对谐振器420适于安置并直接表面安装到的印刷电路板(未示出)的顶部的底表面426(图13)、和分别限定周围边428、430、432和434的侧表面。
限定导电通路436的多个(具体地是5个)伸长的激光钻出的通孔(图13和图14)以分隔开且大体平行的关系延伸通过基板422的本体，并且端接于分别限定在基板422的顶表面424和底表面426中的孔/开口。通路436以相对于顶部基板表面424和底部基板表面426大体垂直的关系延伸通过基板422。
谐振器420和谐振器220和320的结构类似之处在于焊接球体或球形物496和导电谐振器图案442二者适合地定位于、位于、和形成在基板422的底表面426上。因此，制造谐振器420的过程类似于之前关于谐振器20所描述的过程，并且因此制造谐振器20的过程的描述通过引用包含于此，除了制造谐振器420的过程包括以覆盖导电层492和端接于位于导电层442下面的表面426的区域中的通路436的端的关系来将焊接球体496固定至表面424的步骤。
但是，与相应的谐振器图案242和342是由形成在相应的底部基板表面226和326上的多个相应的谐振器带来限定的谐振器实施例220和320不同，应该理解，谐振器420的谐振器金属化图案442包括大体矩形的导电材料层，其覆盖谐振器420的基本上整个或全部的底表面426。同样，谐振器金属化层442限定与相应的相对的长侧基板边428和430邻近且隔开的相应的相对的长侧边、以及与相应的短侧基板边432和434相邻且隔开的相应的相对的短侧边。
如图13和图14所示，基板422的顶表面424包括在组成和尺寸上类似于谐振器420的表面426上的层442的厚膜金属化导电材料的单层476。更具体的，层476的特征在于其限定接地平面或层，该接地平面或层基本覆盖基板422的整个表面424，且包括与基板422的边428、430、432和434邻近且隔开的相应的边。
基板422附加地限定多个在其中所限定的且类似于在基板222中所限定的通路236的导电通路436，如图13和图14中所示，该通路436以分隔开且大体平行的关系延伸通过基板422的本体且限定在相对的表面424和426二者的部分中的通路终端。以与通路236和336相同的方式，通路436适于被填充厚膜导电材料。
更具体的，谐振器420限定多个分隔开的共线的通路436a、435d、436e、436f和436j，其端接于并限定在相应的表面424和426中的相应的通路终端，并且以分隔开且大体共线的关系沿着周围长侧基板边430的长度且邻近于该周围长侧基板边430来延伸。
谐振器420附加地限定多个分隔开的共线的通路436c、436g、436h、436k和436i，其端接于并限定在相应的表面424和426的部分中的相应的通路终端，并且以与相应的通路436a、436d、436e、435f和436j正相反地相对的、分隔开且共线的关系沿着周围长侧基板边428的长度且邻近于该周围长侧基板边428来延伸。
也如图13和图14所示，谐振器420限定附加的通路436b，其端接于且限定邻近于基板短侧边434的基板表面424和426的中央部分中的相应的终端。通路436b与通路436a和436c共线对准且分隔开。所有的通路位于相应的导电层442和476的周围端部分之下。
如图13所示，焊接球体/球形物496适于以下述的关系固定到基板422的表面426：即其中球体496以与之前关于之前的谐振器实施例所述的相同的覆盖方式和关系被安置且固定于通路436的相应的填充的终端上。
在所示实施例中，覆盖通路436的终端的所有焊接球形物/球体496限定相应的接地引脚，该接地引脚适于被定位成与谐振器422适于被直接表面安装到的外部印刷电路板(未示出)的相应的接地焊盘直接表面接触。
附加的焊接球形物/球体498沿着谐振器导电层442的顶部周围边被中央地定位且安置在其上，该谐振器导电层442的顶部周围边定位于与基板422的顶部周围边432邻近且分隔开。球体498以与沿着基板422的顶部周围边426延伸的两个球体496共线且平行的关系被设置。
如谐振器实施例220和320的球体298和398的情况一样，球体498限定适于与外部印刷电路板(未示出)的相应的输入RF信号焊盘直接表面安装接触的谐振器422的输入RF信号引脚或焊盘，谐振器422适于直接该表面安装到所述外部印刷电路板上。
在图13和图14的“底侧”结构中，应该理解，基板422的表面424上的导电层476包括第一接地平面，而消费者的印刷电路板(未示出)上的导体图案提供另外的第二所需要的接地平面。谐振器420和接地平面之间的所要求的空气隙由消费者的印刷电路板(未示出)和谐振器420的底表面426之间的焊接球体496和498建立的0.025英寸空间来提供和限定。
因此，根据本实用新型的该实施例并参考图13和图14，RF信号适于从PCB(未示出)上的RF输入焊盘传输进入并通过焊接球体498，然后从其邻近于基板短侧边432的端到其邻近于相对的基板短侧边434的端通过谐振器带442的长度和整个区域，通过每个球体496和然后经由相应的通路436进入并通过在相对的基板表面424上的接地层476。
图15至图17描绘本实用新型的再一个“底侧”谐振器实施例520。再次，术语“底侧”的使用是指如下面更详细描述的谐振器带图案542设置在基板522的底表面526上，该底表面526适于被安置靠着消费者的印刷电路板(未示出)的顶部并直接表面安装到其上。用于描述的目的，图15示出了底表面526面向上的谐振器520。
首先，如关于本实用新型的另一个“底侧”谐振器实施例的之前的描述，谐振器520同样首先包括大体为矩形的基板或块522。
基板522优选地具有与基板22相同的尺寸和组成，并且因此涉及基板22的之前的讨论和描述通过引用包含于此。
基板522包括顶表面524(图17)、适于面对谐振器520适于安置并直接表面安装到的印刷电路板(未示出)的顶部的底表面526(图15和图16)、和分别限定周围边528、530、532和534的侧表面。
限定导电通路536的多个伸长的激光钻出的通孔(图15)以分隔开且大体平行的关系延伸通过基板522的本体并且分别端接于在位于相应的金属化层576和542的下面的基板522的相应的顶部基板表面524和底部基板表面526的部分中限定的孔/开口中，如下面更详细的描述。通路536以相对于顶部基板表面524和底部基板表面526的大体垂直关系延伸通过基板522。
谐振器520在结构上与先前所讨论的谐振器实施例220、320和420的类似之处在于焊接球体或球形物596和导电谐振器图案542二者适合地定位于、位于、和形成在基板522的相同底表面526上。
制造谐振器520的过程类似于之前关于谐振器20所描述的过程，并且因此制造谐振器20的过程的描述通过引用包含于此，除了制造谐振器520的过程包括以覆盖端接于位于谐振器图案542的相应的带下面的基板表面526的相应部分中的通路536的端的关系将焊接球体596固定到表面524的步骤，如下面更详细的描述。
具体地，如图15和图16所示，基板522的表面526包括限定导电厚膜谐振器金属化图案542的金属化厚膜导电材料层，该导电厚膜谐振器金属化图案542通过在功能和组成上类似于谐振器实施例20、220、320和420的相应的图案的带的多个整体的谐振器带542a、542b、542c和542d来限定，因此谐振器实施例20、220、320和420的相应的图案的这样的带的每个的描述通过引用包含于此，除了在下面另外描述之外，如同全部描述一样。
更具体地，谐振器图案542由第一、大体中央定位的整体“蜿蜒”图案带542a来限定，其在基板长侧周围边528和530之间定位在底表面526的中央上。
仍然更具体地，蜿蜒中央区域542a由“岛”带542a1来限定，其被与基板522的上短侧周围边532邻近且隔开地中央设置。蜿蜒区域542a还由3个分隔开的、大体平行且伸长带542a2、542a3和542a4来限定，它们通过相应的角或弯曲带542a5和542a6被互连。带542a2、542a3和542a4均以与基板短侧边532和534垂直且与基板长侧边528和530平行的关系来取向。
参考图15和图16，应该理解，带542a2在相对的基板边534的方向上从“岛”带542a1整体地且大体垂直地向外延伸，并且端接于角或弯曲带542a5，该角或弯曲带542a5又延伸进入伸长带542a3，该伸长带542a3在基板短侧边532的方向上延伸返回并进入角或弯曲带542a6，该角或弯曲带542a6又延伸进入伸长带542a4，该伸长带542a4在基板侧边534的方向上并朝向该基板侧边534延伸并端接于基部谐振器带542b。
基部谐振器带542b被设置成与下基板边534邻近且隔开并且大体延伸基板522的宽度。
谐振器图案542还进一步限定一对大体矩形的翼谐振器带542c和542d，翼谐振器带542c和542d分别从基部带542b的内周围边543的相对的端整体地向外延伸。
翼带542c以与中央蜿蜒带542a和长侧基板边530二者隔开、平行且邻近的关系沿着基板522的长度从基部带542b的内边543延伸到与相对的周围短侧基板边532邻近且隔开的点。换句话说，翼带542c位于一侧上的蜿蜒区域542a和相对侧上的基板长侧边530之间且与该二者隔开。
翼带542d以与该蜿蜒带542a和相对的长侧基板边528二者隔开、平行且邻近的关系，沿着基板522的长度从基部带542b的内边543的端延伸到与周围基板短侧边532邻近且隔开的点，该基部带542b的内边543的所述端与从其延伸翼带542c的端相对。翼带542c和542d彼此正相反地相对并且以大体平行于蜿蜒图案542a的带542a2、542a 3和542a4的关系被设置。
当然，应该理解，如之前的实施例那样，中央蜿蜒谐振器带542a限定适于提供谐振器520的频率产生和控制特性的谐振器图案542的部分，而谐振器带542b、542c和542d构成和提供接地的结构和功能。
如图17所示，基板522的顶表面524包括在组成和功能上类似于谐振器20的表面26上的带76的厚膜金属化导电材料的单层576，因此谐振器20的表面26上的带76的描述通过引用包含于此。
更具体的，层576的特征在于其限定接地平面或层，该接地平面或层大体覆盖基板522的整个表面524，并且包括与基板522的边528、530、532和534邻近且隔开的相应的边。
如上所简述的，基板522附加地限定在其中所限定的多个导电通路536，如图15中所示，该导电通路536延伸通过基板522的本体且限定基板表面524和526的相应部分中的通路终端。如之前实施例那样，通路536适于被填充厚膜导电材料，如图8所示那样。
更具体的，应该理解，谐振器520限定通路536b，其端接于并限定位于基部带542b的中央下面的基板表面526的部分中的终端。谐振器520还进一步限定通路536a和536c，其端接于并限定位于基部谐振器带542b的相对的端下面的基板表面526的相应的部分中的相应的终端。通路536a、536b和536c以分隔开、平行且大体共线的关系沿着谐振器带542b的整个宽度延伸。通路536a、536b和536c附加地限定在基板表面524的相应的部分中的相应的相对的通路终端，该通路终端突出到顶部基板表面524上的顶部接地层576中且沿着短侧基板边532延伸。
谐振器520还进一步限定多个分隔开的、共线的通路536d、536e、536f和536j，其限定基板表面524和526中的以分隔开且大体平行关系沿着长侧基板边530延伸的相应的通路终端。通路536d、536e、536f和536j全部被定位成与通路536a成共线关系且沿着翼带542c的长度且在其下面延伸。
谐振器520附加地限定多个分隔开的、共线的通路536g、536h、536k和536i，其限定在基板表面524和526中的以分隔开、平行且共线关系沿着相对的长侧基板边528延伸的相应的通路终端。通路536g、536h、536k和536i全部被定位成与通路536c成共线关系且分别与通路536a、536d、536e、536f和536j正相反地相对。通路536g、536h、536k和536i全部位于谐振器翼带542d的下面且沿着该谐振器翼带542d的长度延伸。
焊接球体/球形物596适于以与关于之前所述的谐振器实施例20的焊接球体/球形物的描述相同的覆盖方式和关系被安置且固定到端接于表面526中的通路536的相应的填充的终端上。在所示实施例中，覆盖通路536的终端的所有焊接球形物/球体596限定相应的接地引脚，该接地引脚适于被定位成与谐振器522适于被直接表面安装到的外部印刷电路板(未示出)的相应的接地焊盘直接表面接触。
根据本实用新型，附加的焊接球形物/球体598被安置在中央蜿蜒带542a的岛带542a1上，且限定适于与外部印刷电路板(未示出)的相应的输入RF信号焊盘直接表面安装接触的谐振器522的输入RF信号引脚或焊盘，该谐振器522适于直接表面安装到该外部印刷电路板上。
在图15至图17的“底侧”结构中，应该理解，基板522的表面524上的导电层576包括第一接地平面，而消费者的印刷电路板(未示出)上的导体图案提供另外的第二所要求的接地平面。谐振器520和接地平面之间的所需要的空气隙由消费者的印刷电路板(未示出)和谐振器520的底表面526之间的焊接球体596和598建立的0.025英寸空间来提供和限定。
因此，根据本实用新型的该实施例并参考图15至图17，RF信号适于从PCB(未示出)上的RF输入焊盘传输进入并通过焊接球体298，然后通过导电金属化材料的岛542a1和蜿蜒金属化区域542a的每个带，和然后进入并通过经由球体596被耦合在PCB上的地的接地谐振器带542b至542d的每一个，且然后通过基板522并且经由端部端接于相应的带542b至542d中的相应的通路进入并通过基板522的表面524上的接地层576。
以与关于之前所述的谐振器实施例的之前描述相类似的方式，应该理解，谐振器500的频率部分地取决于相应的中央带542a的有效长度，该中央带542a的有效长度能够取决于相应的蜿蜒带542a2、542a3和542a4的数量、宽度和长度而增大或减小。
上述每个谐振器实施例的优选应用中的一个在电压控制的振荡器600中，电压控制振荡器600的代表性电路在图18中示出为包含有储能电路602，该储能电路602包括耦合在地和电路线608之间的变容二极管604、电容器606、和也耦合在电路线608和地之间的本实用新型的任意的谐振器20、220、320、420或520。变容二极管604和谐振器并联耦合并且电容器串联耦合在它们之间。
更具体的，如图13所示那样，储能电路602由电路线608所限定。
当然，应该进一步理解，图18的振荡器电路仅是使用本实用新型的谐振器20或220的能够限定具有1.5-10GHz范围内的性能特性的电压控制的振荡器或VCO/PLL的合适的振荡器和储能电路结构的一个示例性实施例。
还应该进一步理解，可以实现上述实施例的多种变化和修改而不脱离本实用新型的新颖特征的精神和范围。没有意图或者不应该推断出对此处所图解说明的特定谐振器结构的限制。
例如，应该理解，谐振器的性能是诸如下列各种因素的函数：谐振器带的长度，谐振器带的宽度，谐振器带的形状，谐振器带的数量，相对于彼此的谐振器带的位置、关系和定位，相应带上的相应的信号和接地抽头点之间的位置和关系，陶瓷基板材料的介电常数的值，陶瓷基板材料的厚度，延伸通过基板材料的通路的长度、直径、位置和/或数量，以及盖和基板表面之间的距离。
因此，应该理解，本实用新型不限制于此处所描绘的特定谐振器和接地带图案，也不限制于对于特定应用所必需的这些图案、通路等任意和所有这样的变化。

Claims (17)

1.一种球栅阵列谐振器，包括：
限定第一外部表面和相对的第二外部表面的陶瓷基板，该第一外部表面在其上包括限定谐振器图案的导电材料的一个或多个带，该第二外部表面在其上具有限定接地平面的导电材料的一个或多个带；
延伸通过所述基板并限定在所述第一和第二表面中的相应的终端的至少第一导电通路；
其特征在于，限定接地焊盘的在所述第一或第二表面中的一个上的至少第一导电球体；和
位于与所述第一导电球体相同的表面上的限定RF输入/输出焊盘的至少另一个导电球体。
2.如权利要求1所述的球栅阵列谐振器，其中所述第一表面包括沿着所述基板的长度延伸且限定相对的端的至少导电材料的第一带，所述至少第一导电通路端接于导电材料的所述第一带的该端中的一个中，所述第一导电球体被安置在所述第一带的所述一端上，所述至少另一个导电球体被安置在导电材料的所述第一带的相对的端上。
3.如权利要求1所述的球栅阵列谐振器，其中所述第一表面包括沿着所述基板的长度延伸且限定相对的端的至少导电材料的第一带，导电材料的所述第一带具有小于所述基板的长度的长度，所述球栅阵列谐振器进一步包括与材料的所述第一带的一端形成整体的导电材料的第二带，导电材料的所述第二带沿着所述基板的宽度邻近于所述基板的一端延伸，所述导电材料的所述第一带具有小于导电材料的所述第二带的宽度的宽度并且在所述基板的相对的端的方向上从导电材料的所述第二带的内边向外延伸，所述至少第一导电通路的所述终端分别端接于导电材料的所述第二带和在所述第二表面上的导电材料的所述一个或多个带中，所述至少第一导电球体被安置在所述第一表面上的导电材料的所述第二带上，所述至少另一个导电球体被安置在与同导电材料的所述第二带形成整体的端相对的所述第一表面上的导电材料的所述第一带的端上。
4.如权利要求3所述的球栅阵列谐振器，进一步包括分别从导电材料的所述第二带的相对的端整体地向外延伸的所述第一表面上的导电材料的第三和第四带，导电材料的所述第三和第四带的每一个沿着所述基板的长度且与导电材料的所述第一带隔开且平行地延伸，所述球栅阵列谐振器还进一步包括延伸通过所述基板且分别限定导电材料的所述第三和第四带和所述第二表面上的导电材料的所述一个或多个带中的相对的终端的多个附加的导电通路，所述球栅阵列谐振器还进一步包括分别安置于导电材料的所述第三和第四带上的多个第三和第四导电球体。
5.如权利要求3所述的球栅阵列谐振器，其中通过相对于所述第一表面上的导电材料的所述第一带的长度分别增大或减小所述第一表面上的导电材料的所述第二带的长度来增大或减小所述球栅阵列谐振器的频率。
6.如权利要求3所述的球栅阵列谐振器，其中所述第一表面上的导电材料的所述第一带的长度大于或等于所述第一表面上的导电材料的所述第二带的长度。
7.如权利要求3所述的球栅阵列谐振器，其中所述第一表面上的导电材料的所述第一带的长度小于或等于在所述第一表面上的导电材料的所述第二带的长度。
8.如权利要求3所述的球栅阵列谐振器，其中所述第一表面上的导电材料的所述第一带限定蜿蜒图案。
9.一种球栅阵列谐振器，包括：
包括限定相对的短侧边和长侧边的相对的第一和第二外部表面的陶瓷基板；
其特征在于，在所述第一表面上的导电谐振器图案由导电材料的第一、第二、第三和第四带所限定，导电材料的所述第一、第二和第三带沿着所述基板的长度以分隔开且大体平行的关系延伸，并且导电材料的所述第四带与导电材料的所述第一、第二和第三带互连并且沿着所述基板的宽度邻近于所述基板的该短侧边中的一个以相对于导电材料的所述第一、第二和第三带大体横向的关系延伸；
由导电材料的至少一个带限定的在所述第二表面上的接地平面；
以大体垂直于所述第一和第二表面的关系延伸通过所述基板且限定端接于在所述第一表面上的导电材料的所述第一、第二、第三和第四带的一个或多个和在所述第二表面上的导电材料的所述至少一个带中的相对的端的多个导电通路；
限定相应的接地焊盘的在所述第一表面上的多个第一导电球形物；以及
设置在所述第一表面上的导电材料的所述第一、第二、第三和第四带中的一个带的端上且限定RF信号输入/输出焊盘的至少第二导电球形物。
10.如权利要求9所述的球栅阵列谐振器，其中导电材料的所述第一带被设置在所述基板的所述相对的短侧边之间的所述第一表面的中央上且具有小于所述第一表面上的导电材料的所述第四带的宽度的宽度，导电材料的所述第一带限定第一端和相对的端，所述第一端与邻近于所述基板的所述短侧边中的一个的导电材料的所述第四带形成整体并端接于导电材料的所述第四带，所述相对的端端接于与所述基板的所述短侧边中的另一个邻近且隔开的点，所述多个通路的所述端中的一个端接于导电材料的所述第四带中和所述第一导电球形物中的一个被安置在端接于导电材料的所述第四带中的所述多个通路中的所述一个通路的所述端上，所述第二导电球形物被安置在与同导电材料的所述第四带形成整体的该第一带的端相对的导电材料的所述第一带的端上，以便限定用于RF信号通过导电材料的所述第一和第四带的路径。
11.如权利要求9所述的球栅阵列谐振器，其中导电材料的所述第一带的长度大于或等于导电材料的所述第四带的长度。
12.如权利要求9所述的球栅阵列谐振器，其中导电材料的所述第一带的长度小于或等于导电材料的所述第四带的长度。
13.如权利要求9所述的球栅阵列谐振器，其中通过相对于导电材料的所述第一带的长度分别增大或减小导电材料的所述第四带的长度来增大或减小所述球栅阵列谐振器的有效频率。
14.如权利要求9所述的球栅阵列谐振器，其中导电材料的所述第一带限定蜿蜒图案。
15.一种谐振器，包括：
限定第一和第二长侧边及第一和第二短侧边的基板，并且该基板具有限定至少接地面的第一外表面和限定至少谐振器图案的第二外表面；
延伸通过所述基板并限定分别端接于所述第一和第二表面的相对的端的至少一个导电通路；
限定在所述第一和第二表面中的一个或二者上且与所述通路中的所选择的通路电接触的至少一个接地焊盘；
限定在所述第一和第二表面中的一个上的至少一个RF信号输入/输出焊盘；
其特征在于，该谐振器图案由在所述基板的所述第一和第二短侧边之间沿着所述第二表面的长度延伸的至少第一谐振器带来限定，所述一个导电通路限定分别端接于所述第一谐振器带和所述接地平面中的相对的端；以及
该谐振器图案还由至少第二谐振器带限定，该第二谐振器带沿着所述第二表面的宽度、邻近于所述基板的所述第一和第二短侧中的一个、以与所述第一谐振器带的该端中的一个大体垂直且成整体的关系延伸，和多个第二通路限定分别端接于所述第二谐振器带和所述接地平面的相应的端。
16.如权利要求15所述的谐振器，其中所述至少一个接地焊盘和RF信号输入/输出焊盘由相应的第一和第二焊接球体来限定，所述第一焊接球体覆盖端接在邻近于所述谐振器的该第一短侧边的所述第一谐振器带的端中的所述一个导电通路的端，和所述第二焊接球体被安置在邻近于所述谐振器的该第二短侧的谐振器带的相对的端上。
17.如权利要求15所述的谐振器，其中所述谐振器图案还由至少第三和第四谐振器带来限定，该第三和第四谐振器带从所述第二谐振器带的相对的端分别沿着并且邻近于所述基板的所述第一和第二长侧且以与所述第一谐振器带分隔开的关系整体地向外延伸，所述谐振器进一步包括限定分别端接于所述第三和第四谐振器带和所述接地平面的相应的端的多个第三通路。
CN2007900001188U 2006-11-02 2007-10-31 球栅阵列谐振器 Expired - Fee Related CN201436697U (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US85606406P 2006-11-02 2006-11-02
US60/856064 2006-11-02
PCT/US2007/022999 WO2008054785A2 (en) 2006-11-02 2007-10-31 Ball grid array resonator

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN201436697U true CN201436697U (zh) 2010-04-07

Family

ID=39322358

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007900001188U Expired - Fee Related CN201436697U (zh) 2006-11-02 2007-10-31 球栅阵列谐振器

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7940148B2 (zh)
CN (1) CN201436697U (zh)
WO (1) WO2008054785A2 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102738552A (zh) * 2011-04-08 2012-10-17 宇部兴产株式会社 电介质谐振器件
CN104779952A (zh) * 2015-04-22 2015-07-15 西南应用磁学研究所 平面集成化yig频率合成器结构

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008063507A2 (en) * 2006-11-17 2008-05-29 Cts Corporation Voltage controlled oscillator module with ball grid array resonator
US9000851B1 (en) * 2011-07-14 2015-04-07 Hittite Microwave Corporation Cavity resonators integrated on MMIC and oscillators incorporating the same
US9123983B1 (en) 2012-07-20 2015-09-01 Hittite Microwave Corporation Tunable bandpass filter integrated circuit

Family Cites Families (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4431977A (en) 1982-02-16 1984-02-14 Motorola, Inc. Ceramic bandpass filter
US4551696A (en) 1983-12-16 1985-11-05 Motorola, Inc. Narrow bandwidth microstrip filter
US4609892A (en) 1985-09-30 1986-09-02 Motorola, Inc. Stripline filter apparatus and method of making the same
US4785271A (en) 1987-11-24 1988-11-15 Motorola, Inc. Stripline filter with improved resonator structure
US4963843A (en) 1988-10-31 1990-10-16 Motorola, Inc. Stripline filter with combline resonators
US4940955A (en) 1989-01-03 1990-07-10 Motorola, Inc. Temperature compensated stripline structure
US5057803A (en) 1990-08-01 1991-10-15 Motorola, Inc. Stripline split ring resonator bandpass filter
US5153542A (en) 1991-06-05 1992-10-06 Motorola Inc. Multidielectric microstrip filter
US5160906A (en) 1991-06-24 1992-11-03 Motorola, Inc. Microstripe filter having edge flared structures
FI88440C (fi) 1991-06-25 1993-05-10 Lk Products Oy Keramiskt filter
US5160905A (en) 1991-07-22 1992-11-03 Motorola, Inc. High dielectric micro-trough line filter
JPH05315807A (ja) 1992-05-08 1993-11-26 Oki Electric Ind Co Ltd ストリップラインフィルタおよびこれを用いた空中線共用器
JP3356312B2 (ja) * 1992-10-08 2002-12-16 株式会社村田製作所 ストリップラインフィルタ
US5357218A (en) * 1993-05-03 1994-10-18 Motorola, Inc. Self-shielding microstrip assembly
US5487211A (en) 1993-08-19 1996-01-30 Motorola, Inc. Method for fabricating a surface-mountable crystal resonator
GB2288286A (en) 1994-03-30 1995-10-11 Plessey Semiconductors Ltd Ball grid array arrangement
US5416454A (en) 1994-03-31 1995-05-16 Motorola, Inc. Stripline filter with a high side transmission zero
US5642265A (en) 1994-11-29 1997-06-24 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Ball grid array package with detachable module
EP0718906B1 (de) 1994-12-22 1999-05-12 SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS GmbH & CO. KG Streifenleitungsfilter
WO1999041799A1 (en) 1998-02-17 1999-08-19 Itron, Inc. Laser tunable thick film microwave resonator for printed circuit boards
US5994978A (en) 1998-02-17 1999-11-30 Cts Corporation Partially interdigitated combline ceramic filter
US6326866B1 (en) * 1998-02-24 2001-12-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Bandpass filter, duplexer, high-frequency module and communications device
US5977863A (en) 1998-08-10 1999-11-02 Cts Corporation Low cross talk ball grid array resistor network
DE19837266A1 (de) 1998-08-17 2000-02-24 Philips Corp Intellectual Pty Dielektrische Resonatorantenne
US6326677B1 (en) 1998-09-04 2001-12-04 Cts Corporation Ball grid array resistor network
US6097277A (en) 1998-11-05 2000-08-01 Cts Resistor network with solder sphere connector
US6005777A (en) 1998-11-10 1999-12-21 Cts Corporation Ball grid array capacitor
US6329890B1 (en) 1999-02-25 2001-12-11 Thin Film Technology Corp. Modular thin film distributed filter
US6127906A (en) * 1999-02-25 2000-10-03 Thin Film Technology Corp. Modular thin film distributed filter
US6218729B1 (en) 1999-03-11 2001-04-17 Atmel Corporation Apparatus and method for an integrated circuit having high Q reactive components
US6194979B1 (en) 1999-03-18 2001-02-27 Cts Corporation Ball grid array R-C network with high density
US6362525B1 (en) 1999-11-09 2002-03-26 Cypress Semiconductor Corp. Circuit structure including a passive element formed within a grid array substrate and method for making the same
JP3610861B2 (ja) * 2000-01-31 2005-01-19 三菱電機株式会社 低域通過フィルタ
SE520151C2 (sv) 2000-06-07 2003-06-03 Shaofang Gong Modul för radiokommunikation
US6246312B1 (en) 2000-07-20 2001-06-12 Cts Corporation Ball grid array resistor terminator network
US6559735B1 (en) 2000-10-31 2003-05-06 Cts Corporation Duplexer filter with an alternative signal path
DE10119033B4 (de) 2001-04-18 2005-11-03 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Abgleich eines Resonators in einem Oszillator
JP3649183B2 (ja) 2001-12-27 2005-05-18 ソニー株式会社 フィルタ回路装置及びその製造方法
JP2003309483A (ja) 2002-04-16 2003-10-31 Mitsubishi Electric Corp 高周波モジュール，アクティブフェーズドアレーアンテナ及び通信装置
US6577225B1 (en) 2002-04-30 2003-06-10 Cts Corporation Array resistor network
US6900708B2 (en) 2002-06-26 2005-05-31 Georgia Tech Research Corporation Integrated passive devices fabricated utilizing multi-layer, organic laminates
US6856516B2 (en) 2002-08-20 2005-02-15 Cts Corporation Ball grid array resistor capacitor network
JP2006505973A (ja) 2002-11-07 2006-02-16 フラクタス・ソシエダッド・アノニマ 微小アンテナを含む集積回路パッケージ
AU2003290877A1 (en) 2002-11-13 2004-06-03 Roger L. Clark Oscillator module incorporating looped-stub resonator
US6897761B2 (en) 2002-12-04 2005-05-24 Cts Corporation Ball grid array resistor network
US6882266B2 (en) 2003-01-07 2005-04-19 Cts Corporation Ball grid array resistor network having a ground plane
US6791403B1 (en) 2003-03-19 2004-09-14 Raytheon Company Miniature RF stripline linear phase filters
US6946733B2 (en) 2003-08-13 2005-09-20 Cts Corporation Ball grid array package having testing capability after mounting
US7015060B1 (en) 2004-12-08 2006-03-21 Hrl Laboratories, Llc Cloverleaf microgyroscope with through-wafer interconnects and method of manufacturing a cloverleaf microgyroscope with through-wafer interconnects
US7724109B2 (en) 2005-11-17 2010-05-25 Cts Corporation Ball grid array filter

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102738552A (zh) * 2011-04-08 2012-10-17 宇部兴产株式会社 电介质谐振器件
CN102738552B (zh) * 2011-04-08 2014-11-26 宇部兴产株式会社 电介质谐振器件
CN104779952A (zh) * 2015-04-22 2015-07-15 西南应用磁学研究所 平面集成化yig频率合成器结构

Also Published As

Publication number Publication date
US20080106356A1 (en) 2008-05-08
WO2008054785A8 (en) 2009-07-30
US7940148B2 (en) 2011-05-10
WO2008054785A3 (en) 2008-10-02
WO2008054785A2 (en) 2008-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8897028B2 (en) Circuit module
CN201436697U (zh) 球栅阵列谐振器
CN100512593C (zh) 高频印刷线路板通孔(via)
US7724109B2 (en) Ball grid array filter
US4994936A (en) Molded integrated circuit package incorporating decoupling capacitor
EP0249378B1 (en) Package for integrated circuit
EP0311418B1 (en) Composite bead element
US10553338B2 (en) Chip electronic component and board having the same
US5227739A (en) Voltage controlled oscillator having a resonator
US6759744B2 (en) Electronic circuit unit suitable for miniaturization
WO2001067833A1 (en) A printed circuit board assembly with improved bypass decoupling for bga packages
US6683572B2 (en) Chip antenna device and method
US20150371754A1 (en) Multilayer inductor, and board having the same
US6404315B1 (en) Surface-mount air-core coil, electronic component having the same, and communication apparatus having the same
US20090236134A1 (en) Low frequency ball grid array resonator
US5389902A (en) Electromagnetic delay line having a plurality of chip capacitors disposed in more than one row
KR101548858B1 (ko) 칩형 코일 부품 및 그 실장 기판
CN205509006U (zh) Ltcc天线
JP2001326444A (ja) チップ部品の実装基板
CN108091488A (zh) 电子部件
KR102194723B1 (ko) 칩형 코일 부품 및 그 제조방법
CN101587776A (zh) 电容电感互连结构
US6392505B1 (en) Dielectric device
KR20180099592A (ko) 칩 전자부품 및 칩 전자부품의 실장 기판
JPH11307309A (ja) チップ型サーミスタ

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100407

Termination date: 20131031