DE10014407A1 - Niederdruckgasentladungslampe - Google Patents

Niederdruckgasentladungslampe

Info

Publication number
DE10014407A1
DE10014407A1 DE10014407A DE10014407A DE10014407A1 DE 10014407 A1 DE10014407 A1 DE 10014407A1 DE 10014407 A DE10014407 A DE 10014407A DE 10014407 A DE10014407 A DE 10014407A DE 10014407 A1 DE10014407 A1 DE 10014407A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
dielectric
low
gas discharge
pressure gas
discharge lamp
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE10014407A
Other languages
English (en)
Inventor
Albrecht Kraus
Bernd Rausenberger
Wilhelm-Albert Groen
Horst Dannert
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Philips Intellectual Property and Standards GmbH
Original Assignee
Philips Corporate Intellectual Property GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Corporate Intellectual Property GmbH filed Critical Philips Corporate Intellectual Property GmbH
Priority to DE10014407A priority Critical patent/DE10014407A1/de
Priority to EP01000029A priority patent/EP1137050A1/de
Priority to TW090104689A priority patent/TW554376B/zh
Priority to US09/811,640 priority patent/US6858985B2/en
Priority to KR1020010014496A priority patent/KR100802665B1/ko
Priority to CNB011116943A priority patent/CN1201374C/zh
Priority to JP2001084303A priority patent/JP2001291492A/ja
Publication of DE10014407A1 publication Critical patent/DE10014407A1/de
Priority to US10/900,030 priority patent/US7098598B2/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02Details
    • H01J61/04Electrodes; Screens; Shields
    • H01J61/06Main electrodes
    • H01J61/067Main electrodes for low-pressure discharge lamps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J65/00Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J65/04Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels
    • H01J65/042Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field
    • H01J65/046Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field the field being produced by using capacitive means around the vessel

Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf eine Niederdruckgasentladungslampe mit wenigstens einem Entladungsgefäß und wenigstens zwei kapazitiven Einkoppelstrukturen, die bei einer Betriebsfrequenz f betrieben wird. Um bei der Niederdruckgasentladungslampe mit kapazitiver Einkoppelung eine bessere Effizienz bei einer kleinen Baugröße, einen hohen Lichtstrom, eine niedrige Betriebsspannung, geringe elektromagnetische Abstrahlung, eine hohe Schaltfestigkeit und eine lange Lebensdauer zu erreichen, wird vorgeschlagen, dass jede kapazitive Einkoppelstruktur aus wenigstens einem Dielektrikum mit einer Dicke d und einer Dielektrizitätszahl epsilon gebildet wird, wobei für jedes Dielektrikum die Bedingung d/(f È epsilon) < 10·-8· cm È s gilt. Damit kann deutlich mehr Licht pro Lampenlänge (lumen/cm) erzeugt werden.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Niederdruckgasentladungslampe mit wenigstens einem Entladungsgefäß und wenigstens zwei kapazitiven Einkoppelstrukturen, die bei einer Be­ triebsfrequenz f betrieben wird. Weiterhin betrifft die Erfindung noch eine Vorrichtung zur Hintergrundbeleuchtung einer Flüssigkristall-Anzeige mit wenigstens einer solchen Niederdruckgasentladungslampe als Lichtquelle und einer Optik zur Erzeugung einer Hintergrundbeleuchtung.
Bekannte Gasentladungslampen bestehen aus einem Gefäß mit einem Füllgas, in dem die Gasentladung abläuft, und meist zwei metallischen Elektroden, die in das Entladungsgefäß eingeschmolzen sind. Eine Elektrode liefert die Elektronen für die Entladung, die über die zweite Elektrode wieder dem äußeren Stromkreis zugeführt werden. Die Abgabe der Elek­ tronen erfolgt meist mittels Glühemission (heiße Elektroden), kann jedoch auch durch Emission in einem starken elektrischen Feld oder direkt durch Ionenbeschuß (ionenindu­ zierte Sekundäremission) hervorgerufen werden (kalte Elektroden). Bei einer induktiven Betriebsart werden die Ladungsträger direkt im Gasvolumen über ein elektromagnetisches Wechselfeld hoher Frequenz (typischerweise größer als 1 MHz bei Niederdruckgasent­ ladungslampen) erzeugt. Die Elektronen bewegen sich auf geschlossenen Bahnen innerhalb des Entladungsgefäßes, herkömmliche Elektroden fehlen in dieser Betriebsart. Bei einer kapazitiven Betriebsart werden kapazitive Einkoppelstrukturen als Elektroden verwendet. Diese werden meist aus Isolatoren (Dielektrika) gebildet, die auf einer Seite Kontakt zur Gasentladung haben und auf der anderen Seite elektrisch leitfähig (beispielsweise mittels einem metallischen Kontakt) mit einem äußeren Stromkreis verbunden sind. Bei einer an die kapazitiven Elektroden angelegten Wechselspannung bildet sich im Entladungsgefäß ein elektrisches Wechselfeld aus, auf dessen linearen elektrischen Feldern sich die Ladungsträger bewegen. Im Hochfrequenzbereich (f < 10 MHz) ähneln die kapazitiven Lampen den induktiven Lampen, da die Ladungsträger hier ebenfalls im gesamten Gas­ volumen erzeugt werden. Die Oberflächeneigenschaften der dielektrischen Elektrode sind hier von geringer Bedeutung (sogenannter α-Entladungsmodus). Bei niedrigeren Frequen­ zen ändern die kapazitiven Lampen ihre Betriebsart und die für die Entladung wichtigen Elektronen müssen ursprünglich an der Oberfläche der dielektrischen Elektrode emittiert und in einem sogenannten Kathodenfallgebiet vervielfacht werden, um die Entladung aufrechtzuerhalten. Daher ist dann das Emissionsverhalten des dielektrischen Materials bestimmend für die Funktion der Lampe (sogenannter γ-Entladungsmodus). Die im Kathodenfallgebiet deponierte Leistung steht der Lichterzeugung nicht zur Verfügung und verringert folglich die Effizienz der Lampe (Lumen pro Watt).
In verschiedenen Vorrichtungen ist es vorteilhaft, Fluoreszenzlampen mit geringem Durch­ messer (kleiner als 5 mm) und einer möglichst hohen Lichtmenge pro Lampenlänge (Lumen pro cm) einzusetzen. Zudem erfordern die meisten Anwendungsgebiete eine hohe Schaltfestigkeit der Lampe. Dies gilt speziell für die Verwendung von Gasentladungslam­ pen in einer Hintergrundbeleuchtung für eine Flüssigkristall-Anzeige (LCD Backlight).
Heißkathodenlampen erfordern einen minimalen Durchmesser des Entladungsgefäßes von ca. 10 mm, um Wendel und Anodenschild unterbringen zu können. Verzichtet man auf den Anodenschild, kann man zu Innendurchmessern von ca. 6 mm gelangen, wodurch sich jedoch aufgrund des verstärkten Abschwärzens stark die Lebensdauer reduziert. Außer­ dem haben Heißkathodenlampen ein für viele Anwendungsgebiete unakzeptables Schalt­ verhalten und lassen sich nur schwer dimmen.
Fluoreszenzgasentladungslampen mit geringem Lampendurchmesser (maximal 5 mm) sind bisher nur in Form von Kaltkathodenlampen oder in Form von kapazitiven Gasentla­ dungslampen mit einer Betriebsfrequenz im Hochfrequenzbereich (größer als 1 MHz) möglich. Kaltkathodenlampen haben den Vorteil, bei niedrigen Frequenzen (30-50 kHz) betrieben werden zu können. Daher weisen sie eine geringe elektromagnetische Abstrah­ lung auf. Bei Kaltkathodenlampen ist jedoch der Entladungsstrom stark begrenzt (auf einen Höchstwert von ca. 10 mA). Die Stromlimitierung hat ihren Grund in der stark gesteigerten Sputter-Rate von Elektrodenmaterial in Abhängigkeit des Entladungsstromes. Außerdem muss durch die Stromlimitierung verhindert werden, dass sich die Elektrode lokal so stark erhitzt, dass es zur thermischen Emission mit einer ebenfalls stark überhöhten Sputter-Rate kommt. Das herausgelöste Elektrodenmaterial setzt sich im Entladungsgefäß ab und führt damit zu einer schnellen Abschwärzung der Lampe.
Bei einer kapazitiven Entladungslampe mit einer Betriebsfrequenz f < 1 MHz führt die hohe Betriebsfrequenz in Verbindung mit einer hohen Stromdichte in der Lampe (hoher Strom, geringer Lampendurchmesser) zu einer starken elektromagnetischen Abstrahlung. Dies erfordert umfangreiche Maßnahmen im Gesamtsystem von Lampe, Reflektor, Treiberelektronik, usw., um diese elektromagnetische Abstrahlung zu begrenzen. Da die Leistung kapazitiv über das Entladungsgefäß eingekoppelt wird, ist über die Kapazität der Einkoppelfläche die Betriebsfrequenz nach unten beschränkt (auf etwa 1 MHz).
Aus der US 2,624,858 ist eine kapazitive Gasentladungslampe bekannt, die eine dielek­ trische Schicht zwischen externen Elektroden und der Gasentladung besitzt. Die externen Elektroden sind mit einer Wechselstromquelle verbunden, die eine Spannung von 500 V bis 10000 V bei einer Frequenz von 120 Hz abgibt. Die dielektrische Schicht weist eine hohe Dielektrizitätszahl ε größer als 100, vorzugsweise größer als 2000 auf. Die kapazitive Einkoppelung der externen Wechselspannung mittels der dielektrischen Schicht führt zu einer Ionisierung und Anregung des Gases in der Lampe, so dass die leuchtende Gasent­ ladung entsteht. Bei dieser Kombination von Dielektrizitätszahl und Betriebsfrequenz ist ein hoher Lichtstrom der Lampe nur mit einer sehr großen Baugröße der Einkoppelstruk­ turen und damit der gesamten Lampe zu erreichen. Außerdem erfordert ein hoher Licht­ strom bei einer solchen Lampe eine außerordentlich hohe Betriebsspannung und damit eine teure Treiberschaltung. Zusätzlich ist in diesem Frequenzbereich der Sekundäremis­ sionskoeffizient γ merklich schlechter, so dass die Gasentladung weniger effizient abläuft und eine kleinere Lichtmenge erzeugt wird.
Die Aufgabe der Erfindung ist es, eine Niederdruckgasentladungslampe zu schaffen, die bei einer kapazitiven Einkoppelung eine bessere Effizienz bei einer kleinen Baugröße, einen hohen Lichtstrom, eine niedrige Betriebsspannung, geringe elektromagnetische Abstrah­ lung, eine hohe Schaltfestigkeit und eine lange Lebensdauer aufweist.
Die Aufgabe wird dadurch gelöst, dass jede kapazitive Einkoppelstruktur aus wenigstens einem Dielektrikum mit einer Dicke d und einer Dielektrizitätszahl ε gebildet wird, wobei für jedes Dielektrikum die Bedingung d/(f.ε) < 10-8 cm.s gilt. Die Gasentladungslampe besteht in bekannter Weise aus einem transparenten Entladungsgefäß mit einem üblichen Füllgas (zum Beispiel für Niederdruck-Gasentladungslampen ein Edelgas oder ein Edelgas mit Quecksilber) und wird an einer Wechselstromquelle mit der Betriebsfrequenz f be­ trieben. Dabei kann das Material für das Entladungsgefäß und das Füllgas entsprechend des gewünschten Spektrums der erzeugten Strahlung gewählt werden. Insbesondere kann auch eine Beschichtung des Entladungsgefäßes vorgenommen werden, so dass die erfin­ dungsgemäße Lampe Strahlung eines bestimmten Frequenzbereichs emittiert (z. B. im UV- Bereich). Am Entladungsgefäß sind mindestens zwei räumlich voneinander getrennte kapazitive Einkoppelstrukturen angeordnet. Das Dielektrikum der kapazitiven Einkoppel­ struktur kann aus einer oder mehreren Schichten bestehen. Jede Schicht muss hierbei separat die Bedingung d/(ε.f) < 10-8 cm.s erfüllen. Selbstverständlich ist eine Vielzahl von weiteren Einkoppelstrukturen denkbar, ohne den Schutzbereich des Anspruchs zu ver­ lassen, die durch geeignete Wahl einer Kombination aus Materialeigenschaft und Geo­ metrie des Dielektrikums die erfindungsgemäße Eigenschaft besitzen.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den weiteren Ansprüchen und dem Ausführungsbeispiel angegeben. Bei einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung gilt für wenigstens ein Dielektrikum die Bedingung d/(f.ε) < 10-9 cm.s, wodurch die Lampe eine positive Strom-Spannungscharakteristik erhält. Gasentladungslampen müssen in ge­ eigneter Weise mit einem Ballast versehen werden, um eine stationäre Gasentladung zu gewährleisten. Dieser Ballast wird meist in ein elektrisches Vorschaltgerät integriert, in dem auch eine Schaltung die zum Starten der Lampe erforderliche Zündspannung erzeugt. Vorzugweise wählt man bei der erfindungsgemäßen Lampe das Material der kapazitiven Einkoppelstrukturen, deren Geometrie und die Betriebsfrequenz so, dass die mittlere Spannung über den Dielektrika ungefähr der Spannung über dem Plasma im Entladungs­ gefäß der Lampe entspricht (bei d/(ε.f) ≈ 5.10-9 cm.s), so können die kapazitiven Einkop­ pelstrukturen zur Ballastierung der Lampe genutzt werden. Damit kann in der Lampentrei­ berschaltung auf ein ballastierendes Element verzichtet werden, was erhebliche Kosten ein­ sparen kann. Außerdem wird es durch die Eigenballastierung der Lampe möglich, mehrere solcher Lampen parallel auf einem einzigen Treiber zu betreiben, was ebenfalls zu erheb­ lichen Einsparungen in den Kosten des Treibers führen kann.
Insbesondere überwindet eine Lampe gemäß der Erfindung bei Betrieb im Frequenzbe­ reich von 150 Hz bis 1 MHz die Nachteile bekannter Lampen.
Bei der Wahl des Dielektrikum wird vorzugsweise ein Material mit einer im wesentlichen negativem Temperaturabhängigkeit der Dielektrizitätszahl genommen. Es sind einige dielektrische Materialien bekannt, bei denen der Wert der Dielektrizitätszahl bei steigender Temperatur insbesondere oberhalb einer bestimmten Temperatur sinkt. Dabei kann insbe­ sondere im Bereich niedriger Temperaturen die Dielektrizitätszahl auch kurzfristig an­ steigen. Bei Betrieb der Lampe erwärmt sich das Dielektrikum aufgrund der Leistungsein­ koppelung, wodurch sich die dielektrische Kapazität erniedrigt und die Höhe der einkop­ pelbaren Leistung begrenzt wird. Auf diese Weise wird die Leistung der Lampe stabilisiert und bereits mit der vorhandenen Einkoppelstruktur eine Ballastierung der Lampe erreicht.
Eine besonders geeignete Ausführungsform der Erfindung besitzt ein im wesentlichen hohlzylindrisch geformtes Entladungsgefäß mit einem Innendurchmesser di, wobei der Innendurchmesser di weniger als 10 mm betragen kann. Hohlzylindrische Entladungsge­ fäße eignen sich besonders, da die Fertigung und Verarbeitung durch andere Gasentla­ dungslampen gut bekannt ist. Kleine Innendurchmesser machen die Lampen leichter handhabbar und schaffen viele Anwendungsmöglichkeiten für die Lampe. Das hohlzylin­ drische Entladungsgefäß kann in Abhängigkeit von der Anwendung beispielsweise die Form einer Spirale, in Form von Buchstaben oder Zahlen o. ä. gestaltet werden. Vorteilhaft weitergebildet wird die Lampe durch ebenfalls im wesentlichen hohlzylindrisch geformte kapazitive Einkoppelstrukturen, die den Innendurchmesser di besitzen und druckfest mit dem Entladungsgefäß verbunden sind. Durch Verwendung der gleichen Abmessungen kann das Dielektrikum besonders einfach beispielsweise mittels einer Glaslottechnik mit dem Entladungsgefäß verbunden werden.
Für das Füllgas im Entladungsgefäß wird vorzugsweise eine Mischung gewählt, die wenig­ stens ein Edelgas oder ein Edelgas und Quecksilber enthält. Für die erfindungsgemäße Lampe können eine Vielzahl von Gasmischungen als Füllgas verwendet werden. Insbeson­ dere können die in bekannten Niederdruckgasentladungslampen verwendeten Füllgase eingesetzt werden. Daraus ergibt sich der Vorteil der bekannten Handhabung. Die Wahl des Füllgases kann auch von der Anwendung der Lampe bestimmt werden, um so eine gewünschte Farbe (Wellenlänge der emittierten Strahlung) oder Form zu unterstützen.
Bei einer Weiterbildung der Lampe ist der Entladungsstrom der Gasentladung größer als 10 mA. Die Verwendung eines großen Entladungsstromes ermöglicht die Erzeugung höherer Leuchtdichten als bei bekannten Lampen. Die Höhe der Leuchtdichte wird vom verwendeten Füllgas bestimmt. Über die erfindungsgemäßen Dielektrika können so große Leistungen eingekoppelt werden, dass das Plasma im Entladungsgefäß die höchstmöglichen Leuchtdichten erreicht. Beispielsweise kann bei einem Innendurchmesser von di = 3 mm eine Verdoppelung der Leuchtdichte im Vergleich zu Kaltkathodenlampen auf etwa 60000 cd/m2 erzielt werden.
Das Dielektrikum besteht vorzugsweise aus einem paraelektrischen, ferroelektrischen oder antiferroelektrischen Feststoff. Bevorzugt eignen sich Oxidkeramiken (z. B. BaTiO3, SrTiO3, PbTiO3, PbZrO3), die auch aus einer Komposition bestehen können.
Bei einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung besteht das Entladungsgefäß aus einem UV-transparenten Material und ist mit einem UV-emittierenden Füllgas gefüllt. Als UV- transparentes Material kann beispielsweise ein Glasrohr für das Entladungsgefäß verwendet werden. Es kann auch eine Beschichtung des Entladungsgefäßes mit einem Leuchtstoff vorgesehen werden, die die vom Füllgas emittierte Strahlung in ein gewünschtes Spektrum (insbesondere im UV-Bereich) umwandelt. Der Leuchtstoff kann zum Beispiel eine Strah­ lung emittieren, die dem Spektrum der Sonnenstrahlung entspricht, so dass die Lampe für Anwendungen zur Körperbräunung geeignet ist.
Die Aufgabe der Erfindung wird auch durch eine Vorrichtung zur Hintergrundbeleuch­ tung einer Flüssigkristall-Anzeige gelöst, bei der jede kapazitive Einkoppelstruktur aus wenigstens einem Dielektrikum mit einer Dicke d und einer Dielektrizitätszahl ε gebildet wird, wobei für jedes Dielektrikum die Bedingung d/(f.ε) < 10-8 cm.s gilt.
Die erfindungsgemäße Lampe gestattet die unerwartete Kombination von hoher Leucht­ dichte, geringer elektromagnetischer Abstrahlung, niedriger Betriebsspannung, hoher Schaltfestigkeit und langer Lebensdauer. Die Lampe ist neben der Vorrichtung zur Hinter­ grundbeleuchtung noch besonders geeignet für Dekor- und Allgemeinbeleuchtung, für Reklamebeleuchtung, als Lichtquelle für Faxgeräte, Scanner und Kopierer, als Bremslicht für Kraftfahrzeuge, für Notsignal- und Orientierungsbeleuchtung und als UV-Lichtquelle. Als UV-Lichtquelle kann sie insbesondere zur Entkeimung/Desinfektion von Luft und Wasser, zur Oberflächenreinigung, zur Lackbehandlung, zum Kleben, zum Härten (Lack, Klebstoffe), zur Körperbräunung (für besonders flache Bräunungsgeräte) und für Vorrich­ tungen im Bereich Photochemie, Schadstoffabbau und Abscheidungsprozesse verwendet werden.
Im folgenden sollen Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand von Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen
Fig. 1 eine schematische Darstellung einer ersten möglichen Ausführungsform einer Gasentladungslampe gemäß der Erfindung,
Fig. 2 eine schematische Darstellung einer dielektrischen Einkoppelstruktur im Querschnitt,
Fig. 3 eine parallele Anordnung mehrerer Lampen an einer gemeinsamen Treiber­ schaltung,
Fig. 4 eine weitere denkbare Ausführungsform der erfindungsgemäßen Gasent­ ladungslampe,
Fig. 5 eine schematische Darstellung einer Vorrichtung zur Hintergrundbeleuch­ tung einer Flüssigkristall-Anzeige,
Fig. 6 eine schematische Darstellung einer weiteren Vorrichtung zur Hinter­ grundbeleuchtung einer Flüssigkristall-Anzeige,
Fig. 7 eine schematische Darstellung einer dritten Vorrichtung zur Hintergrund­ beleuchtung einer Flüssigkristall-Anzeige und
Fig. 8 ein Diagramm mit dem Verlauf der Dielektrizitätszahl ε einer Oxidkeramik in Abhängigkeit von der Temperatur.
Die in den Ausführungsbeispielen angegebenen Gasentladungslampen verwenden als dielektrisches Basismaterial für die kapazitive Einkoppelstruktur einen dielektrischen Fest­ stoff, der die erfindungsgemäßen Eigenschaften besitzt. Vorzugsweise wird als Material für das Dielektrikum der kapazitiven Einkoppelstrukturen eine Oxidkeramik verwendet. Diese besteht beispielsweise aus einer Komposition von BaTiO3, etwa 1% Nb2O5 und wenigen Promille Co3O4. Das Komposit wird entsprechend granuliert, mit einem Binder in eine Form gebracht und anschließend gesintert. Das so entstandene Material weist eine Dielektrizitätszahl ε auf, die einen temperaturabhängigen Verlauf entsprechend dem Dia­ gramm in der Fig. 8 besitzt. Im Betrieb der Lampe bleibt die Dielektrizitätszahl stets so hoch, dass die Bedingung d/(ε.f) < 10-8 cm.s gewährleistet bleibt. Erreicht die Temperatur der Oxidkeramik im Betrieb der Lampe einen Wert, bei dem der Abfall der Dielektrizitäts­ zahl mit steigender Temperatur eintritt, so trägt dieses Verhalten zur Leistungsstabili­ sierung der Lampe bei. Würde nämlich die eingekoppelte Leistung steigen, so käme es durch eine Temperaturerhöhung der Oxidkeramik zu einer starken Reduktion der dielektrischen Kapazität und damit über einen erhöhten Spannungsabfall zu einer Reduk­ tion des Stromes und damit der Leistung. Oder anders ausgedrückt: die Lampe besitzt eine starke positive U-I-Charakteristik.
Das Material für das Dielektrikum muss an der Oberfläche, die der Gasentladung zuge­ wandt ist, leicht Elektronen abgeben. Zur Charakterisierung der Emissionseigenschaften des Dielektrikums dient das Verhältnis zwischen Ionenstrom und Elektronenstrom an der Oberfläche der plasmazugewandten Seite des Dielektrikums. Dieses Verhältnis wird als ioneninduzierter Sekundäremissionskoeffizient γ bezeichnet. Zwischen dielektrischer Ober­ fläche und dem lichterzeugenden Teil des Plasma bildet sich eine schmale, etwa 1 mm dicke Plasmagrenzschicht aus. Die in der Plasmagrenzschicht abgegebene Leistung kann hohe Werte annehmen und reduziert signifikant die Effizienz (Lumen pro Watt) der Lampe. Ein hoher Sekundäremissionskoeffizient γ führt dazu, diesen Leistungsanteil zu verringern und die Effizienz der Lampe zu steigern. Daher eignen sich solche Materialien für das Dielektrikum in besonderer Weise, bei denen sich während des Betriebs der Lampe zusätzliche Elektronen an der plasmazugewandten Oberfläche anlagern, und die zu einem Sekundäremissionskoeffizienten γ < 0,01 führen.
In Fig. 1 ist eine kapazitive Gasentladungslampe mit einem Glasrohr 1 dargestellt, das als Gasentladungsgefäß dient. Das von innen phosphorbeschichtete Glasrohr 1 besitzt einen Innendurchmesser von 3 mm, einen Außendurchmesser von 4 mm, eine Länge von 40 cm und ist mit 50 mbar Ar und 5 mg Hg gefüllt. Eine dielektrische Einkoppelstruktur an beiden Enden wird jeweils von einem zylinderförmigen Rohr 2 aus dem dielektrischen Material (Oxidkeramik, welche die Eigenschaft d/(ε.f) < 10-8 cm.s erfüllt) gebildet. Der dielektrische Zylinder 2 hat einen Außendurchmesser von 4 mm bei einer Wanddicke von 0,5 mm und einer Länge von 10 mm. Das Glasrohr 1 wird durch die Einkoppelstruktur 2, die den gleichen Innendurchmesser besitzt, mittels eines Lötverfahrens vakuumdicht mit einer scheibenförmigen, dielektrischen Kappe 3 verschlossen. Auf dem dielektrischen Zylinder 2 ist eine Schicht Silberpaste aufgebracht, die zuvor ausgebrannt wurde, so dass eine elektrische Kontaktierung 4 möglich ist. Mittels dieser Kontaktierung 4 wird die Lampe mit einem externen Stromnetz verbunden. Als externes Stromnetz dient in diesem Ausführungsbeispiel eine Lampentreiberschaltung 5, die bei 40 kHz und einer mittleren Spannung von etwa 350 V einen Strom von 30 mA liefert. Die Lampe liefert im statio­ nären Betrieb einen Lichtstrom von ungefähr 600 Lumen. Der Treiber 5 enthält ferner einen Teil zum Zünden der Lampe, der kurzfristig Spannungen von 1500 V zu liefern in der Lage ist. Nach der Zündung bildet sich eine stationäre Gasentladung aus. Elektronen gelangen auf die Oberfläche des Dielektrikums und bleiben dort haften, was zu einer Erhöhung des ioneninduzierten Sekundäremissionskoeffizienten γ führt. Dadurch wird die Effizienz der Gasentladungslampe erhöht. Nach kurzer Zeit hat das Dielektrikum solch hohe Temperaturen erreicht, dass sich die Dielektrizitätszahl ε im Bereich der negativen Steigung des in der Fig. 8 dargestellten Diagramms befindet. Diese Eigenschaft kann zur Stabilisierung der Lampe in Bezug auf die eingekoppelte Leistung genutzt werden.
Die Fig. 2 zeigt eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Einkoppel­ struktur im Querschnitt. Der Querschnitt wurde im Bereich des dielektrischen Rohres 2 gelegt. Der mit einem Füllgas gefüllte Innenraum wird von einer ersten dielektrischen Schicht 6 umgeben, an die sich eine zweite dielektrische Schicht 7 aus BaTiO3 anschließt. Auf den dielektrischen Schichten ist eine Metallisierung 8 aufgebracht, die zur elektrischen Kontaktierung dient. Die dielektrische Schicht 6 kann sehr dünn ausgeführt sein ("Coating"), da sie auf die als eine Art Substrat dienende Schicht 7 aufgebracht werden kann.
In Fig. 3 werden vier Lampen, die jeweils die in Fig. 1 gezeigten Entladungsgefäße 1 und Einkoppelstrukturen 2 haben, gezeigt, die parallel an einer gemeinsamen Treiber­ schaltung 5 betrieben werden. Da jede einzelne Lampe durch die Materialeigenschaften des Dielektrikums eine stabilisierende Rückkopplung besitzt, die wie eine Eigenballastierung wirkt, kann eine gemeinsame Treiberschaltung 5 verwendet werden. Es sind keine separaten Vorschaltgeräte mit Zündschaltungen und Ballastierungen für jede Lampe notwendig.
In der Fig. 4 ist eine Lampe dargestellt, die die Daten der Lampe aus Fig. 1 besitzt und zu einer Wendel gebogen ist. An den Enden der Wendel 9 sind jeweils Einkoppelstruk­ turen 2 angebracht, die mit einer Treiberschaltung 5 verbunden sind. Damit entsteht eine Dekorlampe mit Leuchtdichten weit über denen bekannter Energiesparlampen. Natürlich sind viele andere Formen denkbar, in die die in der Fig. 1 beschriebene Lampe gebracht werden kann. Es sind auch weitere Verwendungen als miniaturisierte Dekorlampe mit einer wesentlich höheren Leuchtdichte als bekannte Fluoreszenzlampen denkbar (z. B. für eine kompakte Regalbeleuchtung). Hierzu kann das Entladungsrohr nach Belieben ge­ bogen werden, ohne die Lampeneigenschaften zu ändern. Durch Wahl eines geeigneten Füllgases und/oder Phosphorbeschichtung des Entladungsgefäßes kann außerdem eine Strahlung in einem gewünschten Wellenlängenbereich erzeugt werden. Die Gasentladungs­ lampe mit den Abmessungen aus Fig. 1 kann beispielsweise mit 25 mbar reinem Neon gefüllt werden. Eine solche Lampe kann als rot-leuchtendes Bremslicht hinter der Heck­ scheibe eines PKW eingesetzt werden. Im Automobilbereich kann die erfindungsgemäße Lampe zudem auch für andere Zwecke (z. B. auch als Blinkerleuchte, zur Innenraum- sowie zur Instrumentenbeleuchtung etc.) Verwendung finden. Eine weitere vorteilhafte Anwendung der Lampe ist der Einsatz als Notsignal- und Orientierungsbeleuchtung, da hier neben einem möglichst niedrigen Energieverbrauch auch bestimmte Formen und Farben gefordert werden.
Unabhängig von der Form der Lampe eignet sich die Gasentladungslampe gemäß der Er­ findung insbesondere gut als UV-Strahlungsquelle und alle bekannten Anwendungsgebiete von UV-Strahlungsquellen. Das Entladungsgefäß 1 der Lampe wird mit einem geeigneten Füllgas (z. B. Edelgas und Quecksilber) gefüllt und besteht in bekannter Weise aus einem UV-durchlässigen Material (z. B. ein Glasrohr). Das Glasrohr kann hierbei innen oder außen noch mit einem geeigneten Leuchtstoff beschichtet sein, welcher ein gewünschtes UV-Spektrum erzeugt. Die beschriebenen Vorteile der Gasentladungslampe mit einer kapazitiven Einkoppelung gemäß der Erfindung führen zu der Möglichkeit, UV-Licht­ quellen mit einer besonders hohen UV-Lichtmenge pro Lampenlänge bei einer besonders kompakten Bauweise, einer geringen elektromagnetischen Abstrahlung, einer hohen Schaltfestigkeit, einer hohen Effizienz, einer niedrigen Betriebsspannung und einer langen Lebensdauer im Vergleich zu bekannten Niederdruck-Gasentladungs-UV-Strahlungs­ quellen realisieren zu können. Daher erzielt eine derart ausgestaltete Lampe in Vorrich­ tungen für Anwendungen mit UV-Strahlungsquellen deutliche Vorteile gegenüber bekannten Vorrichtungen. Sie ist insbesondere geeignet für Vorrichtungen zur Ent­ keimung/Desinfektion von Luft und Wasser, zur Oberflächenreinigung, zur Lackbe­ handlung, zum Kleben, zum Härten (Lack, Klebstoffe), zur Körperbräunung (Realisierung besonders kompakter/flacher Bräunungsgeräte) und für Vorrichtungen im Bereich Photo­ chemie, Schadstoffabbau und Abscheidungsprozesse.
Die Fig. 5 zeigt eine schematische Darstellung einer Vorrichtung zur Hintergrundbe­ leuchtung einer Flüssigkristall-Anzeige. Dabei wird eine in der Fig. 1 beschriebene Lampe 10 zur seitlichen Lichteinstrahlung in einen Lichtleiter 13 einer 15"LCD-Hinter­ grundbeleuchtung genutzt. Die Vorrichtung besteht aus einer Treiberschaltung 12, die mit einer Niederdruckgasentladungslampe 10 verbunden ist. Die Lampe 10 ist mit einem Reflektor 11 versehen, der das Licht in den Lichtleiter 13 einstrahlt, von wo aus es mittels einer rückwärtigen, strukturierten Reflektorplatte zur Flüssigkristall-Anzeige (LCD Panel) nach vorne hin über einen Diffusor 14 und ein reflektives Polarisationsfilter 15 ausgekop­ pelt wird. Die Flüssigkristall-Anzeige ist aus Gründen der Übersichtlichkeit nicht darge­ stellt. Es können LCD bekannter Bauweise verwendet werden. Durch die höhere Menge an Lumen pro Lampenlänge ist es möglich, die doppelte Lichtmenge als beispielsweise bei einer Kaltkathodenlampe auf dem LCD Bildschirm zu erhalten, ohne zusätzliche Maßnahmen bzgl. elektromagnetischer Interferenz zu treffen, da die Betriebsfrequenz unverändert bleibt.
In der Fig. 6 ist eine ähnliche Vorrichtung zur Hintergrundbeleuchtung einer Flüssig­ kristall-Anzeige dargestellt. Es werden zwei der in Fig. 1 beschriebenen Lampen 10 zur seitlichen Lichteinstrahlung in einen Lichtleiter 16 einer 15"LCD-Hintergrundbeleuch­ tung genutzt. Das Licht der Lampen 10 wird mittels der Reflektoren 11 von zwei Seiten in den Lichtleiter 16 eingekoppelt und über einen Diffusor 14 und ein reflektives Polarisa­ tionsfilter 15 nach vorn zum LCD-Panel hin ausgekoppelt. Durch die höhere Menge an Lumen pro Lampenlänge ist es auch hier möglich, die doppelte Lichtmenge als beispiels­ weise bei einer Kaltkathodenlampe auf dem LCD Bildschirm zu erhalten, ohne zusätzliche Maßnahmen bzgl. elektromagnetischer Interferenz zu treffen, da die Betriebsfrequenz unverändert bleibt. Wahlweise können zwei Kaltkathodenlampen (an der rechten und linken Seite des Lichtleiters 16) durch eine einzige kapazitive Lampe 10 ersetzt werden, welche dieselben Helligkeitswerte auf dem LCD Bildschirm liefert. Verwendet man minde­ stens zwei kapazitive Lampen 10, so können diese aufgrund ihrer Selbstballastierung mit einer einzigen elektronischen Treiberschaltung 12 betrieben werden. Neben der Einspa­ rung jeder zweiten Lampe ergibt sich dabei eine Einsparung in den Kosten des Treibers 12 sowie eine erhöhte Ausfallsicherheit aufgrund der geringeren Anzahl verwendeter Lampen.
Bei der in der Fig. 7 dargestellten Vorrichtung zur Hintergrundbeleuchtung einer Flüssigkristall-Anzeige werden mehrere in Figur beschriebene Lampen 10 zur rückwärtigen Lichteinstrahlung in einen Lichtleiter einer 18"LCD-Hintergrundbeleuchtung genutzt. Die Lampen 10 sind in einem Reflektor 11 angeordnet. Das Licht der Einzellampen 10 wird mittels eines optischen Filters 17 und eines Diffusors 14 homogenisiert und durch­ läuft anschließend einen reflektiven Polarisationsfilter 15, bevor es zum nicht gezeigten LCD Panel ausgekoppelt wird. Der optische Filter 17 verhindert, dass das Licht der Lampen 10 direkt auf den Diffusor 14 trifft. Durch die höhere Menge an Lumen pro Lampenlänge ist es auch hier möglich, die doppelte Lichtmenge als beispielsweise bei einer Kaltkathodenlampe auf dem LCD Bildschirm zu erhalten, ohne zusätzliche Maßnahmen bzgl. elektromagnetischer Interferenz zu treffen, da die Betriebsfrequenz unverändert bleibt. Wahlweise können auch hier jeweils zwei Kaltkathodenlampen durch eine einzige kapazitive Lampe 10 ersetzt werden, welche dieselben Helligkeitswerte auf dem LCD Bild­ schirm liefern. Alle kapazitiven Lampen 10 können aufgrund ihrer Selbstballastierung mit einer einzigen elektronischen Treiberschaltung 12 betrieben werden.
In Fig. 8 ist ein Diagramm dargestellt, das den Verlauf der Dielektrizitätszahl ε einer Oxidkeramik aus BaTiO3, etwa 1% Nb2O5 und wenigen Promille Co3O4 in Abhängigkeit von der Temperatur zeigt. Bei einer geeigneten thermischen Verbindung zwischen Lampenhalterung und Keramik lässt sich im stationären Betrieb der Lampe eine Keramik­ temperatur von über 130°C realisieren. Die Dielektrizitätszahl ε schwankt bis etwa zu dieser Temperatur bei sehr großen Werten um etwa 5000. Wenn die Temperatur des Dielektrikums durch die Leistungseinkoppelung weiter ansteigt, kommt es aufgrund des im wesentlichen negativen Temperaturkoeffizienten des dielektrischen Materials zu einem starken Abfall der Dielektrizitätszahl. Dadurch verkleinert sich die dielektrische Kapazität der Einkoppelstruktur, so dass eine höhere Spannung über dem Dielektrikum abfällt und ein geringerer Strom fließt. Daher kann weniger Leistung in das Entladungsgefäß einge­ koppelt werden, was zu einem Absinken der Temperatur im Dielektrikum führt. Diese negative Rückkopplung führt zu einer erhöhten Stabilisierung und Ballastierung der Lampe im stationären Betrieb.

Claims (13)

1. Niederdruckgasentladungslampe mit einem Entladungsgefäß (1) und wenigstens zwei räumlich voneinander getrennten kapazitiven Einkoppelstrukturen (2) betrieben bei einer Betriebsfrequenz f, dadurch gekennzeichnet, dass jede kapazitive Einkoppelstruktur (2) aus wenigstens einem Dielektrikum mit einer Dicke d und einer Dielektrizitätszahl ε gebildet wird, wobei für jedes Dielektrikum die Bedingung d/(f.ε) < 10-8 cm.s gilt.
2. Niederdruckgasentladungslampe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass für wenigstens ein Dielektrikum die Bedingung d/(f.ε) < 10-9 cm.s gilt.
3. Niederdruckgasentladungslampe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Betriebsfrequenz f im Bereich von 150 Hz bis 1 MHz liegt.
4. Niederdruckgasentladungslampe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Dielektrizitätszahl des Dielektrikums eine im wesentlichen negative Temperaturabhängigkeit besitzt.
5. Niederdruckgasentladungslampe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Entladungsgefäß (1) im wesentlichen hohlzylindrisch mit einem Innendurchmesser di geformt ist und der Innendurchmesser di kleiner als 10 mm ist.
6. Niederdruckgasentladungslampe nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die kapazitive Einkoppelstruktur (2) im wesentlichen hohlzylindrisch geformt ist, den Innendurchmesser di besitzt und druckfest mit dem Entladungsgefäß (1) verbunden ist.
7. Niederdruckgasentladungslampe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Entladungsgefäß (1) mit einem wenigstens ein Edelgas enthaltenden Füllgas gefüllt ist.
8. Niederdruckgasentladungslampe nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Füllgas Quecksilber enthält.
9. Niederdruckgasentladungslampe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Betriebsfrequenz f kleiner als 150 kHz ist.
10. Niederdruckgasentladungslampe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Entladungsstrom der Gasentladung größer als 10 mA ist.
11. Niederdruckgasentladungslampe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Dielektrikum aus einem paraelektrischen, ferroelektrischen oder antiferroelektrischen Feststoff besteht.
12. Niederdruckgasentladungslampe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Entladungsgefäß (1) aus einem UV-transparenten Material besteht und mit einem UV-emittierenden Füllgas gefüllt ist.
13. Vorrichtung zur Hintergrundbeleuchtung einer Flüssigkristall-Anzeige mit wenigstens einer Niederdruckgasentladungslampe mit einem Entladungsgefäß (1), wenigstens zwei kapazitiven Einkoppelstrukturen (2) betrieben bei einer Betriebsfrequenz f als Lichtquelle (10) und einer Optik (13, 14, 15) zur Erzeugung einer Hintergrundbeleuchtung, dadurch gekennzeichnet, dass jede kapazitive Einkoppelstruktur (2) aus wenigstens einem Dielektrikum mit einer Dicke d und einer Dielektrizitätszahl ε gebildet wird, wobei für jedes Dielektrikum die Bedingung d/(f.ε) < 10-8 cm.s gilt.
DE10014407A 2000-03-24 2000-03-24 Niederdruckgasentladungslampe Withdrawn DE10014407A1 (de)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10014407A DE10014407A1 (de) 2000-03-24 2000-03-24 Niederdruckgasentladungslampe
EP01000029A EP1137050A1 (de) 2000-03-24 2001-02-27 Kapazitive Einkoppelstruktur für Niederdruckgasentladungslampe
TW090104689A TW554376B (en) 2000-03-24 2001-03-01 Low-pressure gas discharge lamp
US09/811,640 US6858985B2 (en) 2000-03-24 2001-03-19 Low-pressure gas discharge lamp
KR1020010014496A KR100802665B1 (ko) 2000-03-24 2001-03-21 저압 가스 방전 램프 및 액정 디스플레이의 백라이팅용 장치
CNB011116943A CN1201374C (zh) 2000-03-24 2001-03-21 低压气体放电灯
JP2001084303A JP2001291492A (ja) 2000-03-24 2001-03-23 低圧気体放電ランプ及びバックライト用装置
US10/900,030 US7098598B2 (en) 2000-03-24 2004-07-27 Device for the backlighting of a liquid crystal display that includes at least one low-pressure gas discharge lamp

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10014407A DE10014407A1 (de) 2000-03-24 2000-03-24 Niederdruckgasentladungslampe

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10014407A1 true DE10014407A1 (de) 2001-09-27

Family

ID=7636033

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10014407A Withdrawn DE10014407A1 (de) 2000-03-24 2000-03-24 Niederdruckgasentladungslampe

Country Status (7)

Country Link
US (2) US6858985B2 (de)
EP (1) EP1137050A1 (de)
JP (1) JP2001291492A (de)
KR (1) KR100802665B1 (de)
CN (1) CN1201374C (de)
DE (1) DE10014407A1 (de)
TW (1) TW554376B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1265264A2 (de) * 2001-06-09 2002-12-11 Philips Corporate Intellectual Property GmbH Gasentladungslampe und Verfahren zu deren Herstellung

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6631726B1 (en) * 1999-08-05 2003-10-14 Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. Apparatus and method for processing a substrate
US20030094906A1 (en) * 2001-03-22 2003-05-22 Chin Chang Capacitively coupled fluorescent lamp package
US6509696B2 (en) * 2001-03-22 2003-01-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and system for driving a capacitively coupled fluorescent lamp
DE10126958A1 (de) * 2001-06-01 2002-12-05 Philips Corp Intellectual Pty Flüssigkristallbildschirm mit verbesserter Hintergrundbeleuchtung
JP4520330B2 (ja) * 2004-03-16 2010-08-04 パナソニック株式会社 低圧水銀蒸気放電ランプ
CN100373235C (zh) * 2005-03-04 2008-03-05 友达光电股份有限公司 背光模块
US7550911B2 (en) * 2005-05-13 2009-06-23 Panasonic Corporation Fluorescent lamp for use in a backlight unit and liquid crystal display device
KR20070003293A (ko) * 2005-07-01 2007-01-05 삼성전자주식회사 면광원 장치의 전극 형성 방법, 이 방법으로 제조한 면광원장치 및 이를 구비한 표시 장치
US8102123B2 (en) 2005-10-04 2012-01-24 Topanga Technologies, Inc. External resonator electrode-less plasma lamp and method of exciting with radio-frequency energy
US8154216B2 (en) * 2005-10-04 2012-04-10 Topanga Technologies, Inc. External resonator/cavity electrode-less plasma lamp and method of exciting with radio-frequency energy
EP1932168A2 (de) * 2005-10-04 2008-06-18 Topanga Technologies Plasmalampe ohne externen resonator oder hohlraumelektrode und verfahren zu deren erregung über funkfrequenzenergie
EP1981062A1 (de) * 2006-01-25 2008-10-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dielektrisch behinderte entladungslampe, rückbeleuchtung und flüssigkristallanzeige
US8258687B2 (en) * 2006-03-28 2012-09-04 Topanga Technologies, Inc. Coaxial waveguide electrodeless lamp
CN101326615A (zh) * 2006-06-09 2008-12-17 松下电器产业株式会社 电介质阻挡放电灯、背景光装置及液晶显示装置
TW200814131A (en) 2006-08-11 2008-03-16 Schott Ag External electrode fluorescent lamp with optimized operating efficiency
ATE524054T1 (de) * 2007-01-08 2011-09-15 Access Business Group Int Llc Induktiv gespeiste schaltung für eine gasentladungslampe
KR100853808B1 (ko) * 2007-04-20 2008-08-22 주식회사 아이노바 세라믹-유리질 복합체 전극을 구비한 형광램프
KR20090022823A (ko) * 2007-08-31 2009-03-04 삼성전자주식회사 램프 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
WO2009116012A2 (en) * 2008-03-19 2009-09-24 I2Ic Corporation A directional linear light source
US7915837B2 (en) * 2008-04-08 2011-03-29 Lumetric, Inc. Modular programmable lighting ballast
US20100262296A1 (en) * 2008-06-25 2010-10-14 HID Laboratories, Inc. Lighting control system and method
US8143811B2 (en) * 2008-06-25 2012-03-27 Lumetric, Inc. Lighting control system and method
US7783012B2 (en) * 2008-09-15 2010-08-24 General Electric Company Apparatus for a surface graded x-ray tube insulator and method of assembling same
US8294376B2 (en) 2010-05-30 2012-10-23 Lumetric Lighting, Inc. Fast reignition of a high intensity discharge lamp

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2624858A (en) * 1948-11-15 1953-01-06 William B Greenlee Gaseous discharge lamp
JPS599849A (ja) * 1982-07-09 1984-01-19 Okaya Denki Sangyo Kk 高周波放電ランプ
JPS62262363A (ja) * 1986-05-07 1987-11-14 Canon Inc 平面型光源装置
US5057740A (en) * 1990-05-31 1991-10-15 Integrated Applied Physics, Inc. Photoemissive trigger for backlighted thyratron switches
DE4120730C2 (de) * 1991-06-24 1995-11-23 Heraeus Noblelight Gmbh Elektrodenlose Niederdruck-Entladungslampe
US5325024A (en) * 1992-10-16 1994-06-28 Gte Products Corporation Light source including parallel driven low pressure RF fluorescent lamps
US5384515A (en) * 1992-11-02 1995-01-24 Hughes Aircraft Company Shrouded pin electrode structure for RF excited gas discharge light sources
DE4311197A1 (de) * 1993-04-05 1994-10-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren zum Betreiben einer inkohärent strahlenden Lichtquelle
DE69503218T2 (de) * 1994-08-25 1999-02-11 Philips Electronics Nv Niederdruckquecksilberdampfentladungslampe
JP3232946B2 (ja) * 1995-02-24 2001-11-26 ウシオ電機株式会社 誘電体バリア放電ランプ
US5982097A (en) * 1995-12-29 1999-11-09 Philips Electronics North America Corporation Hollow electrodes for low pressure discharge lamps, particularly narrow diameter fluorescent and neon lamps and lamps containing the same
JP3692705B2 (ja) * 1997-04-28 2005-09-07 松下電器産業株式会社 Ac型プラズマディスプレイパネル
DE19718395C1 (de) * 1997-04-30 1998-10-29 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Leuchtstofflampe und Verfahren zu ihrem Betrieb
JPH117916A (ja) * 1997-06-18 1999-01-12 Hitachi Ltd 平板型光源および液晶表示装置
CN1203519C (zh) * 1997-10-22 2005-05-25 皇家菲利浦电子有限公司 低压放电灯和小型荧光灯
WO1999025001A1 (en) 1997-11-07 1999-05-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination unit and liquid crystal display device
WO1999049493A1 (en) * 1998-03-24 1999-09-30 Corning Incorporated External electrode driven discharge lamp
JPH11283579A (ja) * 1998-03-30 1999-10-15 Toshiba Lighting & Technology Corp 内外電極形蛍光ランプおよび照明装置
JPH11354079A (ja) * 1998-06-10 1999-12-24 Ushio Inc 放電ランプ
WO2000033351A1 (en) * 1998-11-30 2000-06-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Discharge lamp
DE19945758A1 (de) * 1999-09-24 2001-03-29 Philips Corp Intellectual Pty Gasentladungslampe

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1265264A2 (de) * 2001-06-09 2002-12-11 Philips Corporate Intellectual Property GmbH Gasentladungslampe und Verfahren zu deren Herstellung
EP1265264A3 (de) * 2001-06-09 2006-02-15 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Gasentladungslampe und Verfahren zu deren Herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
EP1137050A1 (de) 2001-09-26
JP2001291492A (ja) 2001-10-19
TW554376B (en) 2003-09-21
KR100802665B1 (ko) 2008-02-12
KR20010093057A (ko) 2001-10-27
US6858985B2 (en) 2005-02-22
US7098598B2 (en) 2006-08-29
CN1201374C (zh) 2005-05-11
US20010024090A1 (en) 2001-09-27
CN1319876A (zh) 2001-10-31
US20050029947A1 (en) 2005-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10014407A1 (de) Niederdruckgasentladungslampe
EP0824761B1 (de) Verfahren zum betreiben von entladungslampen
EP0371304B1 (de) Hochleistungsstrahler
EP0922297B1 (de) Leuchtstofflampe
DE19651552A1 (de) Kaltkathode für Entladungslampen, Entladungslampe mit dieser Kaltkathode und Betriebsweise für diese Entladungslampe
DE60020476T2 (de) Hochfrequenzangeregte Punktlichtquellelampenvorrichtung
EP2215895A2 (de) Hochfrequenzlampe und verfahren zu deren betrieb
EP0474065A1 (de) Gasentladungsgefäss für Kompaktlampen
DE102005003041A1 (de) Blitzlichtlampe mit hoher Strahlungsdichte
EP1043757B1 (de) Gasentladungslampe
EP1175692A2 (de) Flache gasentladungslampe mit abstandselementen
WO2000017910A1 (de) Entladungslampe mit dielektrisch behinderten elektroden
DE10356762B4 (de) Entladungslampe vom Kurzbogentyp
DE3723435C2 (de)
EP0393449A1 (de) Leuchtstofflampe
EP1087422A2 (de) Gasentladungslampe mit kapazitiver Einkoppelstruktur
DE19817475B4 (de) Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Elektroden sowie Beleuchtungssystem mit einer solchen Entladungslampe
EP2054922A2 (de) Niederdruckentladungslampe
DE102005046139A1 (de) Quecksilberfreie Metallhalogenidlampe
EP2025207A1 (de) Hochdruckentladungslampe mit verbesserter zündfähigkeit sowie hochspannungspulsgenerator
EP0334355B1 (de) Wandstabilisierte Hochdruck-Entladungslampe
DE102008056160B4 (de) Leuchtstofflampe mit externen Elektroden, die in eine jeweilige Haupt- und Unterelektrode unterteilt sind, und Flüssigkristalldisplay mit einer solchen Leuchtstofflampe
EP0549046B1 (de) Beleuchtungssystem und Hochdruckglimmentladungslampe zur Anwendung in ein derartiges System
DE102004055328B3 (de) Vorrichtung nach dem Prinzip einer dielektrisch behinderten Entladung zur Strahlungserzeugung
EP2138013B1 (de) Mischlichtlampe

Legal Events

Date Code Title Description
8139 Disposal/non-payment of the annual fee