DE10018143C5 - DLC-Schichtsystem sowie Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines derartigen Schichtsystems - Google Patents
DLC-Schichtsystem sowie Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines derartigen Schichtsystems Download PDFInfo
- Publication number
- DE10018143C5 DE10018143C5 DE10018143A DE10018143A DE10018143C5 DE 10018143 C5 DE10018143 C5 DE 10018143C5 DE 10018143 A DE10018143 A DE 10018143A DE 10018143 A DE10018143 A DE 10018143A DE 10018143 C5 DE10018143 C5 DE 10018143C5
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- carbon
- substrate
- plasma
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32055—Arc discharge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
- C23C16/029—Graded interfaces
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/04—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material
- C23C28/044—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material coatings specially adapted for cutting tools or wear applications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/04—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material
- C23C28/046—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material with at least one amorphous inorganic material layer, e.g. DLC, a-C:H, a-C:Me, the layer being doped or not
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/04—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material
- C23C28/048—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material with layers graded in composition or physical properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/40—Coatings including alternating layers following a pattern, a periodic or defined repetition
- C23C28/42—Coatings including alternating layers following a pattern, a periodic or defined repetition characterized by the composition of the alternating layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16C—SHAFTS; FLEXIBLE SHAFTS; ELEMENTS OR CRANKSHAFT MECHANISMS; ROTARY BODIES OTHER THAN GEARING ELEMENTS; BEARINGS
- F16C33/00—Parts of bearings; Special methods for making bearings or parts thereof
- F16C33/02—Parts of sliding-contact bearings
- F16C33/04—Brasses; Bushes; Linings
- F16C33/043—Sliding surface consisting mainly of ceramics, cermets or hard carbon, e.g. diamond like carbon [DLC]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
- Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]
- Y10T428/24967—Absolute thicknesses specified
- Y10T428/24975—No layer or component greater than 5 mils thick
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/25—Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
- Y10T428/252—Glass or ceramic [i.e., fired or glazed clay, cement, etc.] [porcelain, quartz, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/30—Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer
Abstract
Verfahren zur Herstellung eines Schichtsystems für den Verschleißschutz, Korrosionsschutz und zur Verbesserung der Gleiteigenschaften mit einer Haftschicht auf einem Substrat, einer Übergangsschicht auf der Haftschicht und einer Deckschicht aus diamantähnlichem Kohlenstoff, wobei die Haftschicht aus mindestens einem Element der 4., 5., und/oder 6. Nebengruppe und/oder Silizium besteht, die Übergangsschicht aus Kohlenstoff und mindestens einem Element der 4., 5. und/oder 6. Nebengruppe und/oder Silizium besteht, und die Deckschicht im wesentlichen aus diamantähnlichem Kohlenstoff besteht und keine metallischen Elemente oder Silizium enthält, wobei das Schichtsystem eine Härte von wenigstens 15 GPa und eine Haftfestigkeit von wenigstens 3 HF und die Deckschicht eine feinkörnige Struktur, d. h. keine glasig amorphe Struktur, aufweist, deren Korngröße ≤ 300 nm, vorzugsweise ≤ 100 nm beträgt, wobei die Übergangsschicht und/oder Deckschicht zusätzlich Wasserstoff und unvermeidbare Verunreinigungen enthalten, wobei die unvermeidbaren Verunreinigungen Edelgase, insbesondere Argon und Xenon sind, wobei die Deckschicht einen Wasserstoffgehalt von 5 bis 30 Atom%,...
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Schichtsystem für den Verschleißschutz, Korrosionsschutz und zur Verbesserung von Gleiteigenschaften mit einer Haftschicht auf einem Substrat, einer Übergangsschicht auf der Haftschicht und einer Deckschicht aus diamantähnlichem Kohlenstoff sowie ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung derartiger Schichtsysteme.
- Trotz der herausragenden Eigenschaften von diamantähnlichen Kohlenstoffschichten (DLC-Schichten), wie hoher Härte und ausgezeichneter Gleiteigenschaften, und einer langjährigen weltweiten Forschungstätigkeit, konnten bis heute noch keine reinen DLC-Schichten hergestellt werden, die auch bei größeren Schichtdicken (> 1 μm) eine für den industriellen Einsatz in typischen Verschleißschutzanwendungen ausreichende Schichthaftung zeigen und eine ausreichende Leitfähigkeit aufweisen, um auf die mit vielen produktionstechnischen Nachteilen behafteten Hochfrequenz(HF)-Verfahren zur Herstellung verzichten zu können.
- Als typische Verschleißschutzanwendungen seien hier einerseits Anwendungen im Maschinenbaubereich, wie Schutz vor Gleitverschleiß, Pitting, Kaltverschweißung etc., insbesondere auf Bauteilen mit gegeneinander bewegten Flächen, wie beispielsweise Zahnrädern, Pumpen- und Tassenstössel, Kolbenringe, Injektorennadeln, komplette Lagersätze oder deren einzelne Bestandteile u. v. a. genannt, sowie andererseits Anwendungen im Bereich der Materialbearbeitung zum Schutz der eingesetzten Werkzeuge zur spanenden oder umformenden Bearbeitung sowie bei Spritzgußformen.
- Neben den vielseitigen Anwendungsmöglichkeiten im Verschleißschutzbereich sei hier noch ausdrücklich der Korrosionsschutz als weiterer vielversprechender Anwendungsbereich von derartigen DLC-Schichten genannt.
- Reine DLC-Schichten können heute auf Grund der hohen Eigenspannungen und der damit verbundenen problematischen Haftung, insbesondere bei hochbeanspruchten Flächen im Verschleißschutz nur mit geringen, für viele Anwendungen unzureichenden Schichtdicken abgeschieden werden oder müssen durch zusätzlichen Einbau von Fremdatomen, wie beispielsweise Silizium, verschiedenen Metallen und Fluor in ihren Eigenschaften verändert werden. Allerdings war die damit erreichte Verringerung der Schichteigenspannungen und Verbesserung der Haftung immer mit einem deutlichen Härteverlust verbunden, der sich gerade im Verschleißschutzbereich oftmals negativ auf die Lebensdauer des jeweils beschichteten Gegenstands auswirken kann.
- Bei heute üblichen plasmagestützten Verfahren zur Herstellung von DLC-Schichten werden auf Grund des hohen elektrischen Widerstandes harter DLC-Schichten häufig, um störende Aufladungen während der Beschichtung zu vermeiden, Prozesse mit einem HF-Bias bzw. -Plasma (als HF = Hochfrequenz werden im folgenden alle Frequenzen > 10 MHz verstanden), insbesondere mit der Industriefrequenz 13,56 MHz, angewandt. Die bekannten Nachteile dieser Technik sind schwer beherrschbare Störungen elektronisch empfindlicher Prozeßsteuerungseinheiten (HF-Rückkopplungen, Senderwirkung, ...), ein erhöhter Aufwand, um HF-Überschläge zu vermeiden, Antennenwirkung der zu beschichtenden Substrate und ein damit verbundener relativ großer Mindestabstand zwischen dem Beschichtungsgut, der eine optimale Raum- und Flächennutzung in der Beschichtungskammer verhindert. So ist bei HF-Verfahren genauestens darauf zu achten, dass es, beispielsweise durch eine zu hohe Beladungsdichte, falsche Substrat/Halterungsabstände etc., nicht zu einer Überlappung von Dunkelräumen kommt, wodurch schädliche Nebenplasmen entstehen. Derartige Nebenplasmen bilden einerseits Energiesenken und belasten so zusätzlich die Plasmageneratoren, andererseits kommt es durch derartige lokale Plasmakonzentrationen häufig zu einer thermischen Überhitzung der Substrate und unerwünschter Graphitisierung der Schicht.
- Auf Grund der bei HF-Prozessen berechneten exponentiellen Abhängigkeit der Substratspannung von der Substratoberfläche
US/UE = CE/CS = (AE/AS)4 - Ferner ist auf der Anlagenseite bei HF-Prozessen üblicherweise zusätzlicher apparativer Aufwand notwendig, um Generator- und Plasmaimpedanzen durch elektrische Netzwerke, wie beispielsweise eine sogenannte Matchbox, während des Prozesses dynamisch aneinander anzupassen.
- Im folgenden werden kurz verschiedene aus dem Stand der Technik bekannte Verfahren bzw. Schichtsysteme angeführt.
- Stand der Technik
- Die
EP 87 836 B1 - Die
DE 43 43 354 A1 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines mehrlagigen Ti-haltigen Schichtsystems mit einer Hartstoffschicht aus Titannitriden, Titankarbiden und Titanboriden sowie einer reibmindernden C-haltigen Oberflächenschicht, wobei der Ti- und N-Anteil in Richtung der Oberfläche fortschreitend verringert wird. - Einen gepulsten Plasmastrahl verwendet das in der
US 5 078 848 beschriebene Verfahren zur Herstellung von DLC-Schichten. Auf Grund der gerichteten Teilchenstrahlung aus einer Quelle mit geringem Austrittsquerschnitt eignen sich aber solche Verfahren nur bedingt zur gleichmäßigen Beschichtung größerer Flächen. - Verschiedene CVD-Verfahren bzw. mit solchen Verfahren hergestellte SiDLC/DLC Mischschichten werden in den folgenden Dokumenten beschrieben:
DieEP 651 069 A1 EP 600 533 A1 EP 885 983 A1 EP 856 592 A1 EP 885 983 A1 - Die
US 4 728 529 beschreibt eine Methode zur Abscheidung von DLC unter Anwendung eines HF-Plasmas, bei der die Schichtbildung in einem Druckbereich zwischen 10–3 und 1 mbar aus einem sauerstofffreien Kohlenwasserstoffplasma, dem bei Bedarf Edelgas oder Wasserstoff beigemischt wird, erfolgt. - Der in der
DE 195 13 614 C1 beschriebene Prozess verwendet eine bipolare Substratspannung mit einer kürzeren positiven Pulsdauer in einem Druckbereich zwischen 50–1000 Pa. Damit werden Schichten im Bereich von 10 nm bis 10 μm und einer Härte zwischen 15–40 GPa abgeschieden. - Ein CVD-Verfahren mit unabhängig vom Beschichtungsplasma erzeugter Substratspannung wird in der
DE 198 26 259 A1 beschrieben, wobei bevorzugt bipolare, jedoch auch andere periodische veränderte Substratspannungen angelegt werden. Dies bedarf jedoch einer relativ aufwendigen, da in zweifacher Ausführung vorzusehenden, elektrischen Versorgungseinheit zur Durchführung des Verfahrens. - Die Druckschrift
DE 41 26 852 A1 offenbart ein Werkzeug mit verschleißfester Diamantschneide mit einer Molybdänschicht und einer 6 μm dicken Schicht aus polykristallinem Diamant. - Die
DE 43 43 354 A1 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Hartstoffschichtsystems und ein Schichtsystem, das eine Haftschicht, eine Funktionsschicht und eine Oberflächenschicht umfasst. - Aus der
EP 0 600 533 A1 sind Schichtsysteme mit einer Schicht aus Silizium und einer Übergangsschicht aus a-Si1-xCx oder a-Si1-xCx:H unter einer diamantartigen Kohlenstoff-Deckschicht bekannt. Die Oberflächenschicht wird mit einer dynamischen Last auf einem Prüfkörper von 9,8 Newton sichtbar beschädigt. - Die
DE 198 26 259 A1 bezieht sich auf ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung eines Schichtsystems aus einem Metall und einer Schicht aus a-C:H. - Aufgabenstellung
- Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, relativ dicke DLC-Schichtsysteme mit hoher Härte und ausgezeichneter Haftfestigkeit zur Verfügung zu stellen, die außerdem noch eine genügend hohe Leitfähigkeit besitzen, um ohne HF-Bias abgeschieden werden zu können, so dass ein Verfahren und eine Vorrichtung verwendet werden können, die keinen großen Aufwand erfordern und eine Effektivität für den industriellen Einsatz aufweisen. Entsprechend ist es auch Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein entsprechendes Verfahren und eine Vorrichtung bereitzustellen.
- Diese Aufgabe wird gelöst durch die Schicht mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 sowie dem Verfahren nach Patentanspruch 12 und der Vorrichtung gemäß Patentanspruch 26. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand der Unteransprüche.
- Ein erfindungsgemäßes DLC-Schichtsystem wird durch Herstellen einer Schicht mit folgendem Schichtaufbau erreicht.
- Direkt auf dem Substrat befindet sich eine Haftschicht mit mindestens einem Element aus der Gruppe der Elemente der IV V und VI Nebengruppe sowie Si. Bevorzugt wird eine Haftschicht aus den Elementen Cr oder Ti verwendet, die sich für diesen Zweck als besonders geeignet erwiesen haben.
- Daran schließt sich eine Übergangsschicht an, die vorzugsweise als Gradientenschicht ausgebildet ist, in deren Verlauf senkrecht zur Substratoberfläche der Metallgehalt ab- und der C-Gehalt zunimmt.
- Die Übergangsschicht umfasst im wesentlichen Kohlenstoff und mindestens ein Element aus der Gruppe der Elemente, die die Haftschicht bilden. Zusätzlich kann bei einer bevorzugten Ausführungsform Wasserstoff enthalten sein. Darüber hinaus beinhalten sowohl die Übergangsschicht als auch die Haftschicht unvermeidbare Verunreinigungen, wie sie beispielsweise durch in die Schicht eingebaute Atome aus der umgebenden Atmosphäre gegeben sind, beispielsweise die bei der Herstellung verwendeten Edelgase, wie Argon oder Xenon.
- Bei der Ausbildung der Übergangsschicht in Form einer Gradientenschicht kann der Zuwachs des Kohlenstoffs in Richtung der Deckschicht durch Zunahme gegebenenfalls unterschiedlicher karbidischer Phasen, durch Zunahme des freien Kohlenstoffs, bzw. durch eine Mischung derartiger Phasen mit der metallischen Phase der Übergangsschicht erfolgen. Die Dicke der Gradienten- bzw. Übergangsschicht kann dabei, wie dem Fachmann bekannt, durch Einstellung geeigneter Prozeßrampen eingestellt werden. Die Zunahme des C-Gehalt bzw. Abnahme der metallischen Phase kann kontinuierlich oder stufenweise erfolgen, ferner kann zumindest in einem Teil der Übergangsschicht auch eine Abfolge metallreicher und C-reicher Einzelschichten zum weiteren Abbau von Schichtspannungen vorgesehen werden. Durch die erwähnten Ausbildungen der Gradientenschicht werden die Materialeigenschaften (beispielsweise E-Modul, Struktur etc.) der Haft- und der abschließenden DLC-Schicht im wesentlichen kontinuierlich aneinander angepasst und damit der Gefahr der Rissbildung entlang einer sonst auftretenden Metall bzw. Si/DLC-Grenzfläche entgegengewirkt.
- Den Abschluss des Schichtpakets bildet eine im wesentlichen ausschließlich aus Kohlenstoff und vorzugsweise Wasserstoff bestehende Schicht, mit einer im Vergleich zur Haft- und Übergangsschicht größeren Schichtdicke. Zusätzlich zum Kohlenstoff und Wasserstoff können auch hier Edelgase, wie Argon oder Xenon vorkommen. Wesentlich ist hier jedoch, dass auf zusätzliche metallische Elemente oder Silizium vollständig verzichtet wird.
- Die Härte des gesamten DLC-Schichtsystems ist auf einen Wert größer 15 GPa, bevorzugt größer/gleich 20 GPa eingestellt und eine Haftfestigkeit besser oder gleich HF 3, bevorzugt besser oder gleich HF 2, insbesondere gleich HF 1 nach VDI 3824 Blatt 4 wird erreicht. Die Härte wird hierbei über die Knoop Härtemessung mit 0,1 N Last, d. h. HK0,1 ermittelt, so daß 20 Gpa 2000 HK0,1 entsprechen. Der Oberflächenwiderstand der DLC-Schicht liegt zwischen δ = 10–6 Ω und δ = 5 MΩ, bevorzugt zwischen 1 Ω und 500 kΩ, bei einem Elektrodenabstand von 20 mm. Gleichzeitig zeichnet sich die vorliegende DLC-Schicht durch die für DLC typische niedrige Reibkoeffizienten, bevorzugt μ ≤ 0.3 im Stift/Scheibetest, aus. Die Schichtdicken sind insgesamt > 1 μm, vorzugsweise > 2 μm, wobei die Haftschicht und die Übergangsschicht vorzugsweise Schichtdicken von 0,05 μm bis 1,5 μm, insbesondere von 0,1 μm bis 0,8 μm aufweisen, während die Deckschicht vorzugsweise eine Dicke von 0,5 μm bis 20 μm, insbesondere 1 μm bis 10 μm hat.
- Der H-Gehalt ist in der Deckschicht vorzugsweise 5 bis 30 Atom%, insbesondere 10–20 Atom%.
- In REM-Aufnahmen zeigen erfindungsgemäße abgeschiedene DLC-Schichtsysteme Bruchflächen, die im Gegensatz zu herkömmlichen DLC-Schichten, keine glasigamorphe sondern eine feinkörnige Struktur aufweisen, wobei die Korngröße bevorzugt ≤ 300 nm, insbesondere ≤ 100 nm beträgt.
- In tribologischen Tests unter hoher Belastung zeigt die Beschichtung eine vielfache Lebensdauer gegenüber anderen DLC-Schichten, wie beispielsweise Metallkohlenstoff-, insbesondere WC/C-Schichten. So konnte auf einer mit einer DLC-Schicht versehenen Einspritzdüse für Verbrennungsmotoren im Test nach 1000 h nur ein geringfügiger Verschleiß festgestellt werden, wohingegen im selben Test eine mit WC/C beschichtete Düse bereits nach 10 h auf Grund eines hohen Oberflächenverschleißes bis in den Grundwerkstoff ausfiel.
- Die Schichtrauhigkeit der erfindungsgemäßen DLC-Schicht hat vorzugsweise einen Wert von Ra = 0.01–0.04; wobei Rz nach DIN gemessen < 0.8, bevorzugt < 0.5 ist.
- Die Vorteile eines erfindungsgemäßen DLC-Schichtsystems mit obigen Eigenschaften liegen in der erstmals gelungenen Kombination von großen Schichtdicken mit ausgezeichneter Haftfestigkeit, die noch eine ausreichende Leitfähigkeit aufweisen, um eine verhältnismässig einfache Prozeßführung in der industriellen Produktion zu ermöglichen.
- Trotz der hohen Härte von > 15 GPa, bevorzugt ≥ 20 GPa zeigt die Schicht auf Grund ihrer Struktur und der erfindungsgemäßen Verfahrensschritte eine deutlich verbesserte Haftung. Herkömmliche Schichtsysteme benötigen hier eine Dotierung in der Funktionsschicht (DLC), um die Schichtspannung zu reduzieren, was aber auch die Härte reduziert.
- Auch REM-Bruchbilder der erfindungsgemäßen Schicht zeigen im Gegensatz zu bisher bekannten DLC-Schichten, die die typische Bruchform einer amorphen spröden Schicht mit teils muscheligen Ausbrüchen besitzen, eine feinkörnige gerade Bruchfläche. Schichten mit dem oben beschriebenen Eigenschaftsprofil eignen sich besonders für Anwendungen im Maschinenbau wie zum Beispiel zur Beschichtung von hochbelasteten Pumpen- bzw. Tassenstößeln und Ventiltrieben, Nocken bzw. Nockenwellen wie sie für Kfz-Verbrennungsmotoren und Getriebe verwendet werden, aber auch für den Schutz von hochbelasteten Zahnrädern, Plungern, Pumpenspindeln u. a. Bauteilen bei denen eine besonders harte und glatte Oberfläche mit guten Gleiteigenschaften benötigt wird.
- Im Werkzeugbereich können dies Schichten auf Grund ihrer hohen Härte und sehr glatten Oberfläche vorteilhaft vor allem für Umform-(Pressen, Stanzen, Tiefziehen, ...) und Spritzgusswerkzeuge, jedoch auch, mit gewissen Einschränkungen bei der Bearbeitung von Eisenwerkstoffen, für Schneidwerkzeuge eingesetzt werden, insbesondere wenn für die Anwendung ein besonders geringer Reibkoeffizient gepaart mit einer hohen Härte notwendig ist.
- Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung des DLC-Schichtsystems zeichnet sich weiterhin durch folgende Merkmale aus.
- Die zu beschichtenden Teile werden in einer für PVD-Verfahren bekannten Weise gereinigt und auf einer Halterungsvorrichtung montiert. Im Gegensatz zu HF-Verfahren können dabei vorteilhafterweise Halterungsvorrichtungen mit – je nach Teilchengeometrie angepasst – 1, 2 oder auch 3 im wesentlichen parallelen Rotationsachsen verwendet werden, wodurch eine größere Beladungsdichte erzielt werden kann. Die Halterungsvorrichtung mit den zu beschichtenden Teilen wird in die Prozesskammer einer Beschichtungsanlage gebracht und nach Abpumpen auf einen Startdruck von weniger als 10–2 Pa, vorzugsweise 10–3 Pa wird die Prozessfolge gestartet.
- Der erste Teil des Prozesses, das Reinigen der Substratoberflächen, wird beispielsweise als Heizprozess durchgeführt, um die noch an der Oberfläche der Teile anhaftenden flüchtigen Substanzen zu entfernen. Dazu wird bevorzugt ein Edelgas-Plasma mittels einer Hochstrom/Niedervoltentladung zwischen einem oder mehreren, in einer an die Prozesskammer angrenzenden Ionisationskammer angeordneten, auf negatives Potential gelegten Filamenten, nämlich sog. „hotfilaments” (Heißdrähte), und den auf positives Potential gelegten Halterungsvorrichtungen mit den Teilen gezündet. Dadurch wird ein intensiver Elektronenbeschuss und damit ein Erwärmen der Teile bewirkt. Als besonders günstig hat sich dabei die Verwendung eines Ar/H2-Gemisches erwiesen, da hierbei durch die reduzierende Wirkung des Wasserstoffs gleichzeitig ein Reinigungseffekt der Teileoberflächen erzielt wird. Die Hochstrom/Niedervoltbogenentladung kann dabei mit einem statischen oder vorteilhafterweise im wesentlichen örtlich variabel bewegten magnetischen Feld geführt werden. Statt der oben beschrieben Ionisationskammer kann auch eine Hohlkathode oder eine andere bekannte Ionen- bzw. Elektronenquelle benutzt werden.
- Alternativ können natürlich auch andere Heizverfahren wie z. B. Strahlungsheizen oder induktives Heizen verwendet werden.
- Nach Erreichen eines, je nach Grundwerkstoff der Teile festzulegenden Temperaturniveaus, kann zusätzlich oder alternativ als Reinigungsprozess ein Ätzprozess gestartet werden, indem beispielsweise zwischen Ionisationskammer und einer Hilfsanode ein Niedervoltbogen gezündet wird, und die Ionen mittels einer negativen Biasspannung von 50–300 V auf die Teile gezogen werden. Die Ionen bombardieren dort die Oberfläche und entfernen restliche Verunreinigungen. Somit wird eine saubere Oberfläche erzielt. Die Prozessatmosphäre kann neben Edelgasen, wie z. B. Argon auch Wasserstoff enthalten.
- Ferner kann der Ätzprozess auch durch Anlegen einer gepulsten Substratbiasspannung ohne oder mit Unterstützung durch einen, wie soeben beschriebenen Niedervoltbogen erfolgen, wobei vorzugsweise ein Mittelfrequenzbias im Bereich von 1 bis 10.000 kHz, insbesondere zwischen 20 und 250 kHz verwendet wird.
- Um die Haftung des DLC-Schichtsystems auf dem Substrat zu gewährleisten, wird eine bevorzugt metallische, insbesondere aus Cr oder Ti bestehende Haftschicht mit einem bekannten PVD bzw. Plasma-CVD Verfahren, wie beispielsweise mittels Verdampfen mittels Bogenentladung, verschiedenen Ionplatingverfahren, bevorzugt jedoch durch kathodisches Sputtern mindestens eines Targets aufgedampft. Zur Unterstützung des Aufdampfens wird am Substrat eine negative Substratbiasspannung angelegt. Der Ionenbeschuß und die damit bewirkte Schichtverdichtung während des Sputterprozesses kann zusätzlich durch einen parallel betriebenen Niedervoltbogen und/oder ein zur Stabilisierung bzw. Intensivierung des Plasmas angelegtes Magnetfeld, und/oder durch das Anlegen einer Gleichspannungs(DC)-Biasspannung am Substrat oder durch das Anlegen eines Mittelfrequenzbias zwischen Substrat und Prozesskammer im Bereich von 1 bis 10.000, insbesondere zwischen 20 bis 250 kHz unterstützt werden.
- Die Dicke der Haftschicht wird in bekannter Weise durch eine der jeweiligen Anlagengeometrie entsprechenden Wahl der Sputter- bzw. Aufdampfzeit und Leistung eingestellt.
- Beispielsweise wird bei vorliegender, wie unten beschriebenen, Anlagengeometrie Cr für die Dauer von 6 Minuten von zwei vorteilhafterweise gegenüberliegenden Targets bei einem Druck zwischen 10–2 bis 10–1 Pa, einem Substratbias von Ubias = –75 V und einer Leistung von ca. 8 kW in einer Ar-Atmosphäre gesputtert.
- Nach Aufbringen der Haftschicht wird erfindungsgemäß durch Aufbringen einer Übergangsschicht ein möglichst fließender Übergang zwischen Haftschicht und DLC-Schicht sichergestellt.
- Das Aufbringen der Übergangsschicht erfolgt so, dass neben dem plasmagestützten Aufdampfen der Haftschichtkomponenten zeitgleich Kohlenstoff aus der Gasphase abgeschieden wird. Dies erfogt vorzugsweise über ein Plasma-CVD-Verfahren, bei dem ein kohlenstoffhaltiges Gas, vorzugsweise ein Kohlenwasserstoffgas, insbesondere Acetylen als Reaktionsgas verwendet wird.
- Während des Aufbringens der Übergangsschicht wird am Substrat eine insbesondere „gepulste”, mittelfrequente Substratbiasspannung angelegt und ein Magnetfeld überlagert.
- Zur bevorzugten Ausbildung einer Gradientenschicht wird während des Aufbringens der Übergangsschicht der Anteil der Kohlenstoffabscheidung mit zunehmender Dicke der Übergangsschicht schrittweise oder kontinuierlich erhöht, bis letztendlich im wesentlichen nur noch eine Kohlenstoffabscheidung stattfindet.
- In diesem Prozessstadium wird dann als Deckschicht die diamantähnliche Kohlenstoffschicht durch Plasma-CVD-Abscheidung von Kohlenstoff aus der Gasphase erzeugt, wobei als Reaktionsgas ein kohlenstoffhaltiges Gas, vorzugsweise ein Kohlenstoffwassergas, insbesondere Acetylen verwendet wird. Gleichzeitig wird am Substrat weiterhin eine Substratbiasspannung beibehalten und das überlagerte Magnetfeld aufrechterhalten.
- Bei einer bevorzugten Ausführungsform kann das Reaktionsgas zur Abscheidung von Kohlenstoff zur Bildung der Übergangsschicht und der Deckschicht aus diamantähnlichem Kohlenstoff neben dem kohlenstoffhaltigen Gas zusätzlich Wasserstoff und Edelgas, vorzugsweise Argon oder Xenon, beinhalten. Der eingestellte Druck in der Prozesskammer beträgt dabei zwischen 10–2 bis 1 Pa.
- Während des Abscheidens der Deckschicht aus diamantähnlichem Kohlenstoff ist es bevorzugt den Anteil des kohlenstoffhaltigen Gases zu erhöhen und den Anteil an Edelgas, insbesondere Argon zu senken.
- Die während der Verfahrensschritte zum Aufdampfen der Haftschicht, Aufbringen der Übergangsschicht und Abscheiden der Deckschicht am Substrat angelegte Substratbiasspannung kann insbesondere bei der Bildung der Übergangsschicht und der Deckschicht eine Wechselspannung (AC), eine mit einer Wechselspannung oder Puls überlagerte Gleichspannung (DC) bzw. modulierte Gleichspannung sein, wie insbesondere eine unipolare (negativ) oder bipolare Substratbiasspannung sein, die in einem Mittelfrequenzbereich von 1 bis 10000 kHz, vorzugsweise 20 bis 250 kHz gepulst ist. Die Pulsform kann dabei sinusförmig sein oder asymmetrisch, so dass lange negative und kurze positive Impulszeiten oder große negative und kleine positive Amplituden angelegt werden.
- Darüber hinaus wird vorzugsweise während des gesamten Beschichtungsprozesses ein longitudinales Magnetfeld mit gleichmäßigem Feldlinienverlauf eingestellt, wobei das Magnetfeld seitlich und/oder räumlich, kontinuierlich oder schrittweise veränderbar ist.
- Vorzugsweise wird, falls für das Aufbringen der Haftschicht ein Gleichspannungs(DC)-Bias verwendet wurde, beim Aufbringen der Übergangsschicht, zunächst an die Halterungsvorrichtung ein Mittelfrequenzgenerator angeschlossen, der seine Spannungsimpulse (Regelung über Steuerung der eingebrachten Leistung ist ebenfalls möglich, aber nicht bevorzugt) in Form eines sinus-, oder eines anderen bi- bzw. auch unipolaren Signalverlaufs abgibt. Der verwendete Frequenzbereich liegt hierbei zwischen 1 bis ca. 10.000 kHz, bevorzugt zwischen 20 und 250 kHz, die Amplitudenspannung zwischen 100 und 3.000 V, bevorzugt zwischen 500 und 2.500 V. Vorzugsweise wird der Wechsel der Substratspannung durch Umschalten eines eigens zur Abgabe von Gleich- und Mittelfrequenzspannung ausgelegten Generators durchgeführt. In einer anderen vorteilhaften Ausführungsform wird auch für die Durchführung des Ätz- und Haftschichtprozesses eine Mittelfrequenzspannung an die Substrate angelegt. Bei Verwendung einer bipolaren Substratspannung hat es sich als besonders vorteilhaft erwiesen asymmetrische Impulsformen anzulegen, beispielsweise kann der positive Impuls entweder kürzer oder mit einer kleineren Spannung als der negative Impuls angelegt wird, da die Elektronen rascher dem Feld folgen und auf Grund Ihrer geringen Masse beim Auftreffen vor allem zu einer zusätzlichen Erwärmung der Teile führen, was besonders bei temperaturempfindlichen Grundwerkstoffen zu einer Schädigung durch Überhitzung führen kann. Dieser Gefahr kann auch bei anderen Signalverläufen durch Vorsehen einer sogenannten ”OFF-Time” entgegengewirkt werden, bei der zwischen dem Anlegen einzelner oder mehrerer Signalperioden mit Leistungsanteil (= ”ON-Time”) ein Nullsignal angelegt wird.
- Zeitgleich oder mit einer zeitliche Verzögerung nach Anlegen des Mittelfrequenzsignals, bei Verwendung eines Gleichspannungs(DC)-Bias zum Aufbringen der Haftschicht, bzw. nach Aufdampfen der für die Haftschicht gewünschten Schichtdicke bei Verwendung eines Mittelfrequenzbias, wird ein Kohlenwasserstoffgas, bevorzugt Acetylen mit einem schrittweise oder bevorzugt kontinuierlich ansteigenden Gasfluss in den Rezipienten eingelassen. Ebenso zeitgleich oder mit einer gegebenenfalls unterschiedlichen zeitlichen Verzögerung wird vorzugsweise die Leistung des mindestens einen metallischen oder Si-Targets schrittweise oder kontinuierlich heuntergefahren. Bevorzugt wird dabei das Target bis zu einer, je nach erreichtem Kohlenwasserstofffluß von einem Fachmann leicht zu bestimmenden Mindestleistung heruntergefahren, bei der noch ein stabiler Betrieb ohne Vergiftungserscheinungen durch das Reaktivgas möglich ist. Anschließend wird das mindestens eine Target bevorzugt mit einer oder mehreren beweglich angeordneten Blenden gegen die Prozesskammer abgeschirmt, und abgeschaltet. Diese Maßnahme verhindert weitgehend eine Belegung des Targets mit einer DLC-Schicht, womit auf ein sonst notwendiges Freisputtern zwischen einzelnen DLC-Beschichtungschargen verzichtet werden kann. Bei der nächsten durchzuführenden Charge genügt es ein Hochfahren des mindestens einen Targets bei geschlossenen Blenden vorzusehen, um wieder eine völlig blanke, für das Aufbringen der Haftschicht geeignete Targetoberfläche zu erzielen.
- Ein wesentlicher Beitrag zur Stabilisierung des erfindungsgemäßen DLC-Beschichtungsprozesses wird durch das Ausbilden eines longitudinalen Magnetfeldes erreicht. Dieses wird – wenn nicht schon im vorhergehenden Prozessschritt zum Aufbringen der Haftschicht verwendet – im wesentlichen zeitgleich mit dem Umschalten der Substratspannung auf den Mittelfrequenzgenerator erfolgen. Das Magnetfeld wird so ausgebildet, dass ein möglichst gleichmäßiger Feldlinienverlauf in der Prozesskammer gegeben ist. Dazu wird bevorzugt durch zwei im wesentlichen die Prozesskammer an gegenüberliegenden Seiten begrenzende elektromagnetische Spulen Strom so eingeleitet, dass an beiden Spulen ein gleichsinnig gerichtetes, sich gegenseitig verstärkendes Magnetfeld entsteht. Bei kleineren Kammerabmessungen kann eine ausreichende Wirkung gegebenenfalls auch mit nur einer Spule erzielt werden. Damit wird eine annähernd gleichmäßige Verteilung des Mittelfrequenzplasmas über größere Kammervolumen erreicht. Trotzdem kann es durch unterschiedliche Geometrien der zu beschichtenden Teile bzw. der Halterungsvorrichtungen immer noch vereinzelt zur Ausbildung von Nebenplasmen kommen, wenn bestimmte geometrische und elektromagnetische Randbedingungen erfüllt sind. Dem kann durch ein zeitlich und räumlich veränderbares Magnetfeld entgegengewirkt werden, indem die Spulenströme miteinander oder bevorzugt gegeneinander verschoben werden. Beispielsweise wird die erste Spule zunächst während 120 Sekunden durch eine stärkere Stromstärke I durchflossen als die zweite Spule. Während den darauffolgenden 90 Sekunden ist die Stromstärke invers, d. h. das zweite Magnetfeld ist stärker als das erste Magnetfeld. Diese Magnetfeldeinstellungen können periodisch, wie beschrieben, stufenweise oder kontinuierlich vorgenommen werden und damit durch geeignete Wahl der entsprechenden Spulenströme die Ausbildung von stabilen Nebenplasmen vermieden werden.
- Erst durch die Verwendung des Magnetfelds und der dadurch erreichten signifikanten Erhöhung der Plasmaintensität ist es im Gegensatz zum Stand der Technik möglich auch in niedrigen Druckbereichen von beispielsweise 10–1 bis 1 Pa einen stabilen CVD-Prozess zur Abscheidung von reinen DLC-Schichten mit hohen Abscheideraten im Bereich von 0,5 bis 5, bevorzugt zwischen 1–4 μm/h zu erzielen. Neben dem Substratstrom ist dabei auch die Plasmaintensität direkt proportional zur Aktivierung des Magnetfelds. Beide Parameter hängen zusätzlich von der Größe der angebotenen, mit einem Bias beaufschlagten Flächen ab. Durch die Anwendung niedriger Prozessdrücke können glattere Schichten, mit einer geringeren Anzahl von Wachstumsfehlern sowie geringerer Verunreinigung durch störende Fremdelemente, abgeschieden werden.
- Die Wachstumsgeschwindigkeit hängt neben den Prozessparametern auch von der Beladung und der Halterung ab. Insbesonders wirkt sich hierbei aus ob die zu beschichtenden Teile 1-, 2- oder dreifach drehend, auf Magnethalterungen, oder geklemmt bzw. gesteckt befestigt werden. Auch die Gesamtmasse und Plasmadurchgängigkeit der Halterungen ist von Bedeutung, so werden beispielsweise mit leichtgebauten Halterungen, z. B. durch Verwendung von Speichentellern, statt Tellern aus Vollmaterial, höhere Wachstumsgeschwindigkeiten und eine insgesamt bessere Schichtqualität erzielt.
- Zur weiteren Erhöhung des plasmaverstärkenden Magnetfelds können zusätzlich zu dem longitudinalen, die gesamte Prozesskammer durchdringenden Magnetfeld (Fernfeld) weitere lokale Magnetfelder – sogenannte Nahfelder – vorgesehen werden. Besonders vorteilhaft ist dabei eine Anordnung bei der zusätzlich zu mindesten einem Magnetronmagnetsystem des mindestens einen Targets weitere bevorzugt permanente Magnetsysteme an den die Plasmakammer begrenzenden Wänden angebracht werden, die eine ähnliche oder die gleiche magnetische Wirkung wie das mindesten eine Magnetronmagnetsystem haben. Dabei kann entweder bei allen Magnetron- und weiteren Magnetsystemen derselbe Aufbau oder aber bevorzugt eine Umkehrung der Polungen vorgenommen werden. Dadurch ist es möglich die einzelnen Nahfelder der Magnet- bzw. Magnetronmagnetsysteme gleichsam als einen die Prozesskammer umgebenden magnetischen Einschluss auszubilden um somit eine Absorption der freien Elektronen an den Wänden der Prozesskammer zu verhindern.
- Erst durch eine Kombination der wesentlichen Merkmale des erfinderischen Verfahrens ist es möglich, eine wie oben beschriebene Schicht herzustellen. Erst der Einsatz von durch Magnetfelder stabilisierten Plasmen sowie der abgestimmte Einsatz der Substratbiasspannung ermöglicht die Verwendung der für übliche PVD-Prozesse optimierten Halterungen mit hoher Packungsdichte und Prozesssicherheit. Das Verfahren zeigt, wie der Ablauf bzw. die Kombination von Gleichstrom- und Mittelfrequenzplasmen in optimaler Weise für die Abscheidung einer DLC-Schicht eingesetzt werden kann.
- Weiterhin wird die oben erwähnte Aufgabe durch Bereitstellung einer Vorrichtung zur Durchführung des Beschichtungsverfahrens nach einem der Ansprüche 12 bis 25 gelöst, wobei die Vorrichtung eine Vakuumkammer mit einem Pumpsystem zur Erzeugung eines Vakuums in der Vakuumkammer, Substrathalterungen zur Aufnahme der zu beschichtenden Substrate, mindestens einer Gasversorgungseinheit zum Zudosieren von Prozessgas, mindestens eine Verdampfer-Vorrichtung zur Bereitstellung von Beschichtungsmaterial zum Aufdampfen, eine Lichtbogenerzeugungseinrichtung zum Zünden eines Gleichspannungsniedervoltbogens, eine Vorrichtung zur Erzeugung einer Substratbiasspannung und mindestens einer Helmholtzspule zur Ausbildung eines magnetischen Fernfeldes umfasst.
- Bei der Verwendung von Helmholtzspulen ist das erzeugbare Magnetfeld bzw. die Magnetflussdichte durch die Stromstärke in den Spulen sowohl örtlich als auch zeitlich steuerbar.
- Die bei der Vorrichtung verwendeten Verdampfvorrichtungen umfassen Sputtertargets, insbesondere Magnetronsputtertargets, Mittel zur Erzeugung einer Bogenentladung, thermische Verdampfer und dergleichen. Vorteilhaft dabei ist, dass die Verdampfervorrichtung von der übrigen Prozesskammer beispielsweise durch schwenkbare Blenden abtrennbar ist.
- Die Vorrichtung weist vorteilhafterweise eine Substratheizung in Form einer induktiven Heizung, Strahlungsheizung oder dergleichen auf, um die Substrate in einem Heizschritt vor der Beschichtung reinigen zu können. Bevorzugt wird aber das Zünden eines Plasmas verwendet.
- Unter anderem dazu ist in der Vorrichtung eine Niedervoltbogenerzeugungseinrichtung vorgesehen, die eine Ionenquelle mit einem Filament („hot filament”) insbesondere aus Wolfram, Tantal oder dergleichen in einer Ionisationskammer sowie eine Anode und eine Gleichspannungsversorgung umfaßt. Die Ionenquelle ist hierbei mit dem negativen Pol der Gleichspannungsversorgung verbunden. Vorzugsweise kann der positive Pol der Gleichspannungsversorgung wahlweise mit der Anode oder den Substrathalterungen verbunden sein, so daß ein Niedervoltlichtbogen zwischen Ionenquelle und Anode oder Ionenquelle und Substraten gezündet werden kann. Auch die Ionenquelle ist ähnlich wie die Verdampfer Vorrichtung von der eigentlichen Prozeßkammer abtrennbar, z. B. durch eine Lochblende, z. B. aus Wolfram, Tantal oder einem ähnlichen Refraktärmetall.
- Um einen gleichmäßigen Beschichtungsprozeß für alle Seiten der Substrate zu ermöglichen, ist es weiterhin vorgesehen, daß die Substrathalterungen beweglich sind und sich vorzugsweise um mindestens eine oder mehrere Achsen drehen können.
- Durch die vorteilhafte Kombination der mittelfrequenten Substratspannungsversorgung und einer Helmholtz-Spulenanordnung, die auch durch seitlich angebrachte, zwei gegenüberliegende Targets umfassende Spulen verwirklicht werden kann, ist es erstmals im industriellen Maßstab möglich auch bei tiefen Drücken ein stabiles Mittelfrequenzplasma zur Durchführung eines DLC-Prozesses zu nutzen. Die damit hergestellten Schichten weisen im Gegensatz zu mit anderen Systemen hergestellten DLC-Schichten stark verbesserte Eigenschaften auf.
- Mit vorliegender Beschichtungsanlage und dem oben beschriebenen Verfahren lassen sich erstmals dicke reine DLC-Schichten mit ausgezeichneter Haftung herstellen. Zusätzlich kann bei Änderung der Verfahrensparameter auch ein Großteil der bisher bekannten Plasmaverfahren zur Herstellung von Metallkohlenstoff- oder Mischschichten mit anderen Elementen wie z. B. Silizium oder F und zur Herstellung von Mehrlagenschichten oder von einfachen, bekannten, mittels PVD- und/oder CVD Verfahren abgeschiedene Schichtsystemen durchgeführt werden.
- Weitere Vorteile, Kennzeichen und Merkmale der Erfindung werden anhand der nachfolgenden detaillierten Beschreibung von bevorzugten Ausführungsformen anhand der beigefügten Zeichnungen deutlich. Dabei zeigen die Figuren sämtlich in rein schematischer Weise in
-
1 eine erfindungsgemäße Vorrichtung im Querschnitt -
2 die erfindungsgemäße Vorrichtung der1 in Draufsicht -
3 Einfluss des Spulenstroms auf den Substratstrom -
4 Prozessparameter Gradientenschicht -
5 Prozessparameter DLC-Schicht -
6 REM-Bruchaufnahme einer erfindungsgemässen DLC-Schicht -
1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch die Prozesskammer1 einer erfindungsgemäßen Beschichtungsanlage. Die zu beschichtenden Teile2 sind auf einer bzw. mehreren Halterungsvorrichtungen3 montiert, die Mittel zur Erzeugung einer zumindest einfachen4 , bei Bedarf auch zweifachen5 Rotation der Teile umfasst. In einer besonders vorteilhaften Ausführung werden die Halterungsvorrichtungen3 auf einem zusätzlich um die Anlagenachse6 drehbaren Karussell7 positioniert. - Über Gaseinlässe
8 können die unterschiedliche Prozessgase, insbesondere Ar und Azetylen, in die Prozeskammer mittels geeigneter, hier nicht dargestellter Regelvorrichtungen zugeführt werden. - Ein hochvakuumtauglicher Pumpstand
9 ist an die Kammer angeflanscht. - Eine Ionenquelle
10 ist vorzugsweise im Bereich der Anlagenachse angeordnet, die an den negativen Ausgang einer Gleichspannungsversorgung11 angeschlossen ist. Der positive Pol der Gleichspannungsversorgung11 kann je nach Prozeßschritt über einen Schalter12 an das Karussell7 bzw. an die Halterungsvorrichtung3 und die damit elektrisch verbundenen Teile2 (Heizprozess) oder an die Hilfsanode13 (Ätzprozess, bzw. bei Bedarf auch während der Beschichtungsprozesse) angelegt werden. - An den Wänden der Prozesskammer
1 ist mindestens eine Verdampferquelle14 , bevorzugt ein Magnetron oder ein Lichtbogenverdampfer zum Aufbringen der Haft- und Gradientenschicht vorgesehen. In einer anderen hier nicht dargestellten Ausführungsform der Verdampferquelle14 kann diese als anodisch geschalteter Tiegel zentral im Boden der Prozesskammer1 angebracht sein. Dabei wird das Verdampfungsgut zur Herstellung der Übergangs- oder Gradientenschicht mittels Erhitzen durch den Niedervoltbogen15 in die Gasphase übergeführt. - Ferner ist eine zusätzliche elektrische Spannungsversorgung
16 vorgesehen, mit deren Hilfe an die Substrate eine periodisch veränderliche Mittelfrequenzspannung im Bereich zwischen 1–10.000, bevorzugt zwischen 20 und 250 kHz angelegt werden kann. - Die elektromagnetischen Spulen
17 zur Erzeugung eines longitudinalen, den Plasmaraum durchdringenden Magnetfelds sind an gegenüberliegenden Begrenzungswänden der Prozesskammer1 angeordnet und werden durch mindestens eine, vorzugsweise zwei getrennte, hier nicht näher dargestellte Gleichspannungsquellen gleichsinnig gespeist. - Als zusätzliche Maßnahmen zur Verstärkung bzw. gleichmäßigeren Ausformung des Magnetfelds und damit des MF-Plasmas
18 können an den Seitenwänden19 der Plasmakammer1 Magnetsysteme20 zur Ausbildung mehrerer magnetischer Nahfelder21 angebracht werden. Dabei werden vorteilhafterweise gegebenenfalls unter Einbeziehung des mindestens einen Magnetronmagnetsystems22 , wie beispielsweise in2 dargestellt, abwechselnd Magnetsysteme mit NSN bzw. SNS Polung angeordent und damit ein magnetischer tunnelförmiger, schleifenförmiger Einschluss des Plasmas in der Prozesskammer bewirkt. - Bevorzugterweise werden die Magnetsysteme
20 für die Nahfelderzeugung als Magnetronmagnetsysteme ausgebildet. - Die einzelnen Systeme der Beschichtungsanlage werden vorteilhafterweise durch eine Prozesssteuerung miteinander in Beziehung gesetzt. Damit ist es möglich, neben den Grundfunktionen einer Vakuumbeschichtungsanlage (Pumpstandsteuerung, Sicherheitsregelkreise, etc.), die verschiedenen plasmaerzeugenden Systeme wie Magnetrons mit der hier nicht näher beschriebenen Magnetronversorgung, Ionisationskammer
1 und Hilfsanode13 bzw. Karussell7 und Gleichspannungsversorgung11 , sowie Karussell7 und Mittelfrequenzgenerator16 , sowie die entsprechende Einstellung der Gasflüsse, sowie die Steuerung der gegebenenfalls unterschiedlichen Spulenströme in flexibler Weise aneinander anzupassen und für unterschiedliche Prozesse zu optimieren. -
3 zeigt den Zusammenhang zwischen Substratstrom und Spulenstrom bei Verwendung von Helmholtzspulen zum Aufbau eines Magnetfeldes. Es zeigt sich, dass der Substratstrom, und damit die Plasmaintensität direkt proportional zum Spulenstrom und damit zum Magnetfeldaufbau sind. Dies zeigt deutlich die positive Wirkung eines überlagerten Magnetfeldes. - In
4 wird beispielhaft der Verlauf einzelner Parameter während des Aufbringens einer Gradientenschicht dargestellt: Bei sonst gegenüber der Haftschicht gleich bleibenden Parametern wird der Substratbias von Gleichstrom auf Mittelfrequenz mit einer bevorzugten Amplitudenspannung zwischen 500 und 2500 V und einer Frequenz zwischen 20 und 250 kHz, umgeschaltet. Nach ca. 2 Minuten wird eine Acetylenrampe bei 50 sccm (sccm = Standard ml/min bei 0°C, 1013 mbar) gestartet und über ca. 30 Minuten auf 350 sccm gefahren. Ca. 5 Minuten nach Einschalten des Mittelfrequenzgenerators wird die Leistung der verwendeten Cr-Targets auf 7 kW, nach weiteren 10 Minuten auf 5 kW zurückgenommen, und dort noch 2 Minuten konstant gehalten. Anschließend werden Blenden vor die Targets gefahren und diese abgeschaltet, womit die Abscheidung der im wesentlichen aus Kohlenstoff-, in geringen Mengen Wasserstoff und noch geringeren Mengen Argonatomen aufgebauten ”reinen” DLC-Schicht beginnt. - Dazu kann im einfachsten Fall der Prozess mit ausgeschalteten Bedampfungsquellen, im übrigen aber gleichen Paramtern wie bei der vorhergehenden Gradientenschicht zu Ende geführt werden. Als vorteilhaft hat es sich jedoch erwiesen, im Laufe der Abscheidung der reinen DLC-Schicht entweder den Kohlenwasserstoffanteil im Gasfluß zu erhöhen, den Edelgasanteil abzusenken oder besonders bevorzugt beide Massnahmen gemeinsam durchzuführen. Auch hier kommt wieder einer, wie oben beschriebenen Ausbildung eines longitudinalen Magnetfeldes eine besondere Bedeutung zur Erhaltung eines stabilen Plasmas zu.
- In den
4 und5 wird beispielhaft der Verlauf einzelner Parameter während des Aufbringens der reinen DLC-Schicht dargestellt: Nach Abschalten der verwendeten Cr-Targets wird bei gleichbleibend eingestellter Mittelfrequenzversorgung und gleichbleibendem Argonfluß die während der Gradientenschicht begonnene Acetylenrampe ca. 10 Minuten gleichförmig bis zu einem Fluß zwischen ca. 200–400 sccm gesteigert. Anschließend wird der Argonfluß über einen Zeitraum von 5 Minuten kontinuierlich auf einen Fluß zwischen ca. 0–100 sccm zurückgenommen. Die nächsten 55 Minuten wird der Prozess bei gleichbleibenden Einstellungen zu Ende gefahren. -
6 zeigt eine rasterelektronenmikroskopische Aufnahme einer Bruchfläche eines erfindungsgemäßen DLC-Schichtsystems. Deutlich ist zu erkennen, daß im Bereich der Deckschicht aus diamantähnlichem Kohlenstoff eine feinkörnige Struktur vorliegt, so daß die DLC-Schicht einen polikristallinen Charakter aufweist. - Ausführung der Erfindung im Beispiel
- Prozessbeispiel 1
- Heizprozess
- Die Prozesskammer wird bis auf einen Druck von etwa 10–3 Pa abgepumpt und die Prozessfolge gestartet. Als erster Teil des Prozesses wird ein Heizprozess durchgeführt, um die zu beschichtenden Substrate auf eine höhere Temperatur zu bringen und von flüchtigen Substanzen an der Oberfläche zu befreien. Bei diesem Prozess wird ein Ar-Wasserstoff-Plasma mittels des Niedervoltbogens zwischen der Ionisationskammer und einer Hilfsanode gezündet. Die folgende Tabelle 1 zeigt die Prozessparameter des Heizprozesses:
Ar-Fluss 75 sccm Substrat-Bias Spannung [V] 0 Strom des Niedervoltbogens 100 A Wasserstoff-Fluss 170 sccm Strom obere Spule Schwellend zwischen 20 und 10 A Strom untere Spule Gegengleich schwellend zwischen 20 und 5 A Periodendauer zwischen max. und min. Spulenstrom 1.5 min Heizzeit 20 min - Die Helmholtzspulen werden zur Aktivierung des Plasmas eingesetzt und werden zyklisch angesteuert. Der Strom der oberen Spule wird dabei mit einer Periodendauer von 1.5 min zwischen 20 und 10 A variiert, der Strom der unteren Spule wechselt im selben Takt gegengleich zwischen 5 und 20 A.
- Dabei erwärmen sich die Substrate und die störenden an der Oberfläche anhaftenden flüchtigen Substanzen werden in die Gasatmosphäre getrieben, wo sie von den Vakuumpumpen abgesaugt werden.
- Ätzprozess
- Wenn eine gleichmäßige Temperatur erreicht ist, wird ein Ätzprozess gestartet, indem die Ionen aus dem Niedervoltbogen mittels einer negativen Biasspannung von 150 V auf die Substrate gezogen werden. Die Ausrichtung des Niedervoltbogens und Intensität des Plasmas werden dabei von dem in horizontaler Ausrichtung angebrachten Helmholtzspulenpaar unterstützt. Folgende Tabelle zeigt die Parameter des Ätzprozesses.
Ar-Fluß 75 sccm Substratspannung –150 V Niedervolt-Bogenstrom 150 A - Cr-Haftschicht
- Mit der Aufbringung der Cr-Haftschicht wird begonnen, indem die Cr-Magnetron-Sputtertargets aktiviert werden. Der Ar-Gasfluss wird auf 115 sccm eingestellt. Die Cr-Sputter-Targets werden mit einer Leistung von 8 kW angesteuert und die Substrate werden nun für eine Zeit von 6 min an den Targets vorbei rotiert. Der sich einstellende Druckbereich liegt dann zwischen 10–1 und 10–2 Pa. Der Sputterprozess wird durch die Zuschaltung des Niedervoltbogens und das Anlegen einer negativen Gleichspannungs(DC)-Biasspannung von 75 V am Substrat unterstützt.
- Nach der Hälfte der Cr-Sputterzeit wird der Niedervoltbogen abgeschaltet und die Abscheidung wird für den Rest der Cr-Sputterzeit nur mit Hilfe des vor den Cr-Targets aktiven Plasmas getätigt.
- Gradientenschicht
- Nach Ablauf dieser Zeit wird durch Einschalten eines Sinusgenerators ein Plasma gezündet, Acetylengas mit einem Anfangsdruck von 50 sccm eingelassen und der Fluss jede Minute um 10 sccm erhöht.
- Der Sinus-Plasmagenerator wird dabei bei einer Frequenz von 40 kHz auf eine Amplitudenspannung von 2400 V eingestellt. Der Generator zündet zwischen den Substrathalterungen und der Gehäusewand eine Plasmaentladung. Die am Rezipienten angebrachten Helmholtzspulen sind dabei beide mit einem konstanten Stromdurchfluß von 3 A in der unteren Spule und 10 A in der oberen Spule aktiviert. Bei einem Acetylenfluß von 230 sccm werden die Cr-Targets deaktiviert.
- DLC-Beschichtung
- Wenn der Fluß des Acetylens den Wert von 350 sccm erreicht hat, wird der Ar Fluß auf einen Wert von 50 sccm reduziert.
- Die Tabelle zeigt die Parameter des Beispieles im Überblick:
Fluss Argon 50 sccm Fluss Acetylen 350 sccm Anregungsstrom ober Spule 10 A Anregungsstrom unter Spule 3 A Spannungsamplitude 2400 V Anregungsfrequenz f 40 kHz - Bei diesen Verhältnissen ist eine hohe Abscheiderate gewährleistet und die Ionisierung des Plasmas wird mit Hilfe des Ar-Gases aufrechterhalten. Die Abscheiderate die sich nun im Beschichtungsprozeß einstellt, wird sich im Bereich zwischen 0.5 und 4 um/h belaufen, was auch von der zu beschichtenden Fläche in der Prozeßkammer abhängt.
- Nach Ablauf der Beschichtungszeit wird der Sinus-Generator und der Gasfluß abgestellt, und die Substrate der Prozeßkammer entnommen.
- Die Eigenschaften der entstehenden Schicht sind der folgenden Tabelle zu entnehmen
Eigenschaften Beispiel 1 Mikrohärte > 2200 HK Abscheiderate 1–2 μm/h Haftung HF1 Widerstand < 10 kOhm Wasserstoffgehalt 12% Reibkoeffizient 0.2 Innere Spannung Ca. 2 GPa Bruchverhalten Nicht glasig - Prozeßbeispiel 2
- Prozessbeispiel 2 sieht eine Durchführung ähnlich Beispiel 1 vor. Im Unterschied zu Beispiel 1 wird das Plasma von einem bipolaren Pulsgenerator erzeugt. Die Anregungs-Frequenz liegt bei 50 kHz mit einer Amplituden-Spannung von 700 V.
- Die Tabelle zeigt die Parameter des 2. Beispiels.
Fluss Argon 50 sccm Fluss Acetylen 350 sccm Anregungsstrom ober Spule 10 A Anregungsstrom unter Spule 3 A Spannungsamplitude 700 V Anregungsfrequenz f 50 kHz - Die erzeugte Beschichtung weist eine Härte von 25 GPa, eine Haftfestigkeit von HF1 auf und ergibt einen Reibbeiwert von 0.2.
Eigenschaften Beispiel 2 HK > 2400 Abscheiderate Ca. 1,5 μm/h Haftung HF1 Widerstand > 500 kOhm Wasserstoffgehalt 13% Reibkoeffizient 0.2 Innere Spannung Ca. 3 GPa - Prozeßbeispiel 3
- Prozeßbeispiel 3 sieht eine Durchführung ähnlich Beispiel 1 vor. Im Unterschied zu Beispiel 1 wir das Plasma von einer uni-polaren Pulsspannung angeregt, die Parameter des Versuchs zeigt folgende Tabelle.
Fluss Argon 50 sccm Fluss Acetylen 350 sccm Anregungsstrom ober Spule 10 A Anregungsstrom unter Spule 10 A Spannungsamplitude 1150 V Anregungsfrequenz f 30 kHz - Die erzeugte Beschichtung weist die in der folgenden Tabelle beschriebenen Eigenschaften auf.
Eigenschaften Beispiel 3 Mikrohärte 2500 HK Abscheiderate 1,8 μm/h Haftung HF1 Widerstand > 1 kOhm Wasserstoffgehalt 12–16% Reibkoeffizient 0.2 Innere Spannung Ca. 2 GPa - Prozeßbeispiel 4
- In Vergleich zu Prozeßbeispiel 1 wurde im Beispiel 4 ein Prozeß ohne Unterstützung durch ein longitudinales Magnetfeld durchgeführt. Der die beiden Spulen durchfließende Strom wurde auf einen Wert von 0 A reduziert. Die Tabelle zeigt die Prozessparameter.
Fluss Argon 50 sccm Fluss Acetylen 350 sccm Anregungsstrom ober Spule 0 A Anregungsstrom unter Spule 0 A Spannungsamplitude 2400 V Anregungsfrequenz f 40 kHz - Es stellt sich ein Plasma ein, das gegenüber Beispiel 1 erst bei höheren Drücken als bei Beispiel 1 stabil ist, inhomogen über die Prozesskammer verteilt ist und von geometrischen Effekten beeinflusst ist. Deshalb kommt es zu einer in der Prozeßkammer inhomogenen und wegen der bei dem eingestellten Prozeßdruck gegenüber Beispiel 1 geringeren Abscheiderate. Bei den angestrebten Prozeßdrücken war eine Plasmabildung ohne den Einsatz einer zweiten Plasmaquelle wie z. B. einem Target oder dem Zuschalten des Filamentes nicht möglich. Erst durch den Einsatz der Helmholtzspulen konnte das Plasma in der Prozesskammer stabilisiert werden und eine homogene Abscheidung über die Höhe der Prozeskammer erreicht werden. Ohne den Einsatz der Spulen zündete ein Plasma im Bereich der Ionisationskammer, wo lokal hohe Temperaturen erzeugt werden und Zerstörung befürchtet werden muss.
Eigenschaften Beispiel 4 HK Inhomogen 1300–2500 Abscheiderate Inhomogen Widerstand Inhomogen Haftung Nicht bestimmbar - Bezugszeichenliste
-
- 1
- Prozesskammer
- 2
- zu beschichtende Teile
- 3
- Halterungsvorrichtung
- 4
- einfache Rotation
- 5
- zweifache Rotation
- 6
- Anlagenachse
- 7
- Karussell
- 8
- Gaseinlass
- 9
- Pumpstand
- 10
- Ionenquelle
- 11
- Gleichspannungsversorgung
- 12
- Schalter
- 13
- Hilfsanode
- 14
- Verdampferquelle
- 15
- Niedervoltbogen
- 16
- Spannungsversorgung
- 17
- elektromagnetischen Spule
- 18
- MF-Plasma
- 19
- Seitenwand
- 20
- Magnetsysteme
- 21
- Nahfelder
- 22
- Magnetronmagnetsystems
Claims (14)
- Verfahren zur Herstellung eines Schichtsystems für den Verschleißschutz, Korrosionsschutz und zur Verbesserung der Gleiteigenschaften mit einer Haftschicht auf einem Substrat, einer Übergangsschicht auf der Haftschicht und einer Deckschicht aus diamantähnlichem Kohlenstoff, wobei die Haftschicht aus mindestens einem Element der 4., 5., und/oder 6. Nebengruppe und/oder Silizium besteht, die Übergangsschicht aus Kohlenstoff und mindestens einem Element der 4., 5. und/oder 6. Nebengruppe und/oder Silizium besteht, und die Deckschicht im wesentlichen aus diamantähnlichem Kohlenstoff besteht und keine metallischen Elemente oder Silizium enthält, wobei das Schichtsystem eine Härte von wenigstens 15 GPa und eine Haftfestigkeit von wenigstens 3 HF und die Deckschicht eine feinkörnige Struktur, d. h. keine glasig amorphe Struktur, aufweist, deren Korngröße ≤ 300 nm, vorzugsweise ≤ 100 nm beträgt, wobei die Übergangsschicht und/oder Deckschicht zusätzlich Wasserstoff und unvermeidbare Verunreinigungen enthalten, wobei die unvermeidbaren Verunreinigungen Edelgase, insbesondere Argon und Xenon sind, wobei die Deckschicht einen Wasserstoffgehalt von 5 bis 30 Atom%, vorzugsweise 10 bis 20 Atom% hat, auf einem Substrat, gekennzeichnet durch die Schritte: a) Einbringen des Substrates in eine Vakuumkammer und Abpumpen bis ein Vakuum mit einem Druck von weniger als 10–2 Pa erreicht ist. b) Reinigen der Substratoberfläche c) plasmagestütztes Aufbringen einer Haftschicht auf das Substrat d) Aufbringen einer Übergangsschicht auf die Haftschicht durch gleichzeitiges plasmagestütztes Abscheiden der Haftschichtkomponenten und Abscheiden von Kohlenstoff aus der Gasphase e) Aufbringen einer diamantähnlichen Kohlenstoffschicht auf die Übergangsschicht durch plasmagestütztes Abscheiden von Kohlenstoff aus der Gasphase, wobei zumindest während der Verfahrensschritte c), d) und e) am Substrat eine Substratbiasspannung angelegt und zumindest während der Verfahrensschritte d) und e) das Plasma durch ein magnetisches Fernfeld stabilisiert wird, welches durch eine Helmholtzspulenanordnung erzeugt wird, wobei deren elektromagnetische Spulen zur Bildung eines longitudinalen, die gesamte Vakuumkammer durchdringenden Magnetfeldes mit gleichmäßigem Feldlinienverlauf mit jeweils unterschiedlichen Strömen steuerbar sind und wobei Schritt d) zeitgleich mit oder zeitlich verzögert nach einem Wechsel der Substratbiasspannung auf 500 V bis 2500 V eingeleitet wird, wobei die Substratbiasspannung nach dem Wechsel gepulst wird.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass im Verfahrensschritt a) in der Vakuumkammer ein Vakuum mit einem Druck von weniger als 10–3 Pa erzeugt wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Aufbringen der Haftschicht durch PVD-Verfahren oder Plasma-CVD-Verfahren, insbesondere Verdampfung durch Bogenentladungen, Ion-Plating-Verfahren oder kathodisches Sputtern erfolgt.
- Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Aufbringen der Haftschicht durch eine zusätzliche Niedervoltlichtbogenentladung unterstützt wird und an das Substrat eine negative Substratbiasspannung angelegt wird.
- Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Aufbringen der Haftschicht durch eine zusätzliche gepulste Substratbiasspannung, eine Wechselstrom- oder mit Wechselstrom überlagerte Biasspannung, wie insbesondere eine gepulste Substratbiasspannung in einem Mittelfrequenzbereich von 1 bis 10.000 kHz, vorzugsweise 20 bis 250 kHz unterstützt wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass für das Zünden eines Plasmas ein Edelgas oder ein Edelgas/Wasserstoff-Gemisch, vorzugsweise ein Argon/Wasserstoff-Gemisch in die Vakuumkammer eingebracht wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Übergangsschicht durch zeitgleiches Aufbringen von mindestens einem Element aus der 4., 5. und 6. Nebengruppe und/oder Silizium nach einem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 11 bis 17 und plasmagestütztes Abscheiden von Kohlenstoff aus der Gasphase gebildet wird, wobei als Reaktionsgas ein kohlenstoffhaltiges Gas, vorzugsweise ein Kohlenwasserstoffgas, insbesondere Acetylen verwendet wird.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass mit zunehmender Dicke der Übergangsschicht der Anteil der Kohlenstoffabscheidung schrittweise oder kontinuierlich erhöht wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die die Deckschicht bildende diamantähnliche Kohlenstoffschicht durch Plasma-CVD-Abscheidung von Kohlenstoff aus der Gasphase erzeugt wird, wobei als Reaktionsgas ein kohlenstoffhaltiges Gas, vorzugsweise ein Kohlenwasserstoffgas, insbesondere Acetylen verwendet wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Reaktionsgas zur Abscheidung von Kohlenstoff neben dem kohlenstoffhaltigen Gas Wasserstoff und/oder Edelgas, vorzugsweise Argon oder/und Xenon umfasst.
- Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass während des Abscheidens der Deckschicht aus diamantähnlichem Kohlenstoff der Anteil des kohlenstoffhaltigen Gases erhöht und/oder der Anteil des Edelgases, insbesondere Argon, gesenkt wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass eine unipolare oder bipolare Substratbiasspannung am Substrat angelegt wird, die in einem Mittelfrequenzbereich von 1 bis 10000 kHz, vorzugsweise 20 bis 250 kHz gepulst ist.
- Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Substratbiasspannung sinusförmig ist oder derart gepulst ist, dass lange negative und kurze positive Impulszeiten oder große negative und geringe positive Amplituden angelegt werden.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass das Aufbringen der Haftschicht und/oder Übergangsschicht und/oder Deckschicht aus diamantähnlichem Kohlenstoff unter einem Druck von 10–2 Pa bis 1 Pa erfolgt.
Priority Applications (21)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10018143A DE10018143C5 (de) | 2000-04-12 | 2000-04-12 | DLC-Schichtsystem sowie Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines derartigen Schichtsystems |
US09/551,883 US6740393B1 (en) | 2000-04-12 | 2000-04-18 | DLC coating system and process and apparatus for making coating system |
BR0017216-2A BR0017216A (pt) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | Sistema de camada de dlc com caracterìsticas de deslizamento melhoradas e processo para a produção desses sistemas de camada |
DE50010785T DE50010785D1 (de) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines DLC-Schichtsystems |
AT00993868T ATE311483T1 (de) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | Dlc-schichtsystem sowie verfahren zur herstellung eines derartigen schichtsystems |
PT03014612T PT1362931E (pt) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | Processo e dispositivo para a fabricacao de um sistema de camadas dlc |
US10/257,678 US7160616B2 (en) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | DLC layer system and method for producing said layer system |
EP03014612.0A EP1362931B2 (de) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines DLC-Schichtsystems |
EP00993868A EP1272683B1 (de) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | Dlc-schichtsystem sowie verfahren zur herstellung eines derartigen schichtsystems |
DE50011775T DE50011775D1 (de) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | Dlc-schichtsystem sowie verfahren zur herstellung eines derartigen schichtsystems |
AT03014612T ATE299956T1 (de) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines dlc-schichtsystems |
ES03014612T ES2244870T3 (es) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | Procedimiento y dispositivo para la fabricacion de un sistema de capas dlc. |
PCT/EP2000/013299 WO2001079585A1 (de) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | Dlc-schichtsystem sowie verfahren zur herstellung eines derartigen schichtsystems |
JP2001576965A JP4849759B2 (ja) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | 滑り特性が向上したdlc層システム、およびそのような層システムを生成するためのプロセス |
AU28440/01A AU2844001A (en) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | Dlc layer system and method for producing said layer system |
ES00993868T ES2252092T3 (es) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | Sistema de capas de dlc y procedimiento para la fabricacion de un sistema de capas de este tipo. |
KR1020027013744A KR100762346B1 (ko) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | 디엘씨층 시스템 및 이러한 층 시스템을 제작하기 위한 방법 |
HK03102687A HK1050553A1 (en) | 2000-04-12 | 2003-04-14 | Dlc layer system and method for producing said layer system |
US10/771,331 US20040219294A1 (en) | 2000-04-12 | 2004-02-05 | DLC coating system and process and apparatus for making coating system |
US12/013,003 US7601405B2 (en) | 2000-04-12 | 2008-01-11 | DLC coating system and process and apparatus for making coating system |
US12/543,869 US20100018464A1 (en) | 2000-04-12 | 2009-08-19 | Dlc coating system and process and apparatus for making coating system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10018143A DE10018143C5 (de) | 2000-04-12 | 2000-04-12 | DLC-Schichtsystem sowie Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines derartigen Schichtsystems |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10018143A1 DE10018143A1 (de) | 2001-10-25 |
DE10018143B4 DE10018143B4 (de) | 2006-05-04 |
DE10018143C5 true DE10018143C5 (de) | 2012-09-06 |
Family
ID=7638477
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10018143A Expired - Lifetime DE10018143C5 (de) | 2000-04-12 | 2000-04-12 | DLC-Schichtsystem sowie Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines derartigen Schichtsystems |
DE50010785T Expired - Lifetime DE50010785D1 (de) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines DLC-Schichtsystems |
DE50011775T Expired - Lifetime DE50011775D1 (de) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | Dlc-schichtsystem sowie verfahren zur herstellung eines derartigen schichtsystems |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE50010785T Expired - Lifetime DE50010785D1 (de) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines DLC-Schichtsystems |
DE50011775T Expired - Lifetime DE50011775D1 (de) | 2000-04-12 | 2000-12-27 | Dlc-schichtsystem sowie verfahren zur herstellung eines derartigen schichtsystems |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US6740393B1 (de) |
EP (2) | EP1272683B1 (de) |
JP (1) | JP4849759B2 (de) |
KR (1) | KR100762346B1 (de) |
AT (2) | ATE299956T1 (de) |
AU (1) | AU2844001A (de) |
BR (1) | BR0017216A (de) |
DE (3) | DE10018143C5 (de) |
ES (2) | ES2252092T3 (de) |
HK (1) | HK1050553A1 (de) |
PT (1) | PT1362931E (de) |
WO (1) | WO2001079585A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102018125464A1 (de) * | 2018-10-15 | 2020-04-16 | PiKa GbR (Vertretungsberechtigter Gesellschafter: Markus Pittroff, 91278 Pottenstein) | Sägekette zur Holz- und Kunststoffbearbeitung und Verfahren zur Herstellung eines Sägegliedes |
Families Citing this family (186)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3555844B2 (ja) | 1999-04-09 | 2004-08-18 | 三宅 正二郎 | 摺動部材およびその製造方法 |
US7250196B1 (en) * | 1999-10-26 | 2007-07-31 | Basic Resources, Inc. | System and method for plasma plating |
DE10018143C5 (de) * | 2000-04-12 | 2012-09-06 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | DLC-Schichtsystem sowie Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines derartigen Schichtsystems |
JP2003231203A (ja) * | 2001-08-21 | 2003-08-19 | Toshiba Corp | 炭素膜被覆部材 |
US7537835B2 (en) * | 2001-09-27 | 2009-05-26 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | High friction sliding member |
DE10149588B4 (de) * | 2001-10-08 | 2017-09-07 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Verfahren zur Diamantbeschichtung von Substraten |
JP2003206820A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-07-25 | Keihin Corp | 電磁式燃料噴射弁 |
DE10203730B4 (de) * | 2002-01-30 | 2010-09-16 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Abscheidung von metallfreien Kohlenstoffschichten |
GB0205959D0 (en) * | 2002-03-14 | 2002-04-24 | Teer Coatings Ltd | Apparatus and method for applying diamond-like carbon coatings |
US20030180450A1 (en) * | 2002-03-22 | 2003-09-25 | Kidd Jerry D. | System and method for preventing breaker failure |
MXPA04010516A (es) * | 2002-04-25 | 2004-12-13 | Unaxis Balzers Ag | Sistema de revestimiento estructurado. |
DE10223844B4 (de) * | 2002-05-28 | 2013-04-04 | Danfoss A/S | Wasserhydraulische Maschine |
JP2004138128A (ja) * | 2002-10-16 | 2004-05-13 | Nissan Motor Co Ltd | 自動車エンジン用摺動部材 |
DE10305159B4 (de) * | 2002-11-02 | 2006-12-07 | Rowapack Gmbh Verpackungsdesign Und Stanztechnik | Stanzverfahren |
US6969198B2 (en) | 2002-11-06 | 2005-11-29 | Nissan Motor Co., Ltd. | Low-friction sliding mechanism |
DE10256063A1 (de) * | 2002-11-30 | 2004-06-17 | Mahle Gmbh | Verfahren zum Beschichten von Kolbenringen für Verbrennungsmotoren |
US7866343B2 (en) | 2002-12-18 | 2011-01-11 | Masco Corporation Of Indiana | Faucet |
US8555921B2 (en) | 2002-12-18 | 2013-10-15 | Vapor Technologies Inc. | Faucet component with coating |
US7866342B2 (en) * | 2002-12-18 | 2011-01-11 | Vapor Technologies, Inc. | Valve component for faucet |
DE10259174B4 (de) * | 2002-12-18 | 2006-10-12 | Robert Bosch Gmbh | Verwendung eines tribologisch beanspruchten Bauelements |
US8220489B2 (en) | 2002-12-18 | 2012-07-17 | Vapor Technologies Inc. | Faucet with wear-resistant valve component |
SE526481C2 (sv) | 2003-01-13 | 2005-09-20 | Sandvik Intellectual Property | Ythärdat rostfritt stål med förbättrad nötningsbeständighet och låg statisk friktion |
US20060226003A1 (en) * | 2003-01-22 | 2006-10-12 | John Mize | Apparatus and methods for ionized deposition of a film or thin layer |
US7416786B2 (en) * | 2003-02-26 | 2008-08-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Amorphous carbon film, process for producing the same and amorphous carbon film-coated material |
US20040258547A1 (en) * | 2003-04-02 | 2004-12-23 | Kurt Burger | Pump piston and/or elements sealing the pump piston, in particular a sealing ring of elastomeric material, and a device and method for coating an object of elastomeric material |
RU2240376C1 (ru) * | 2003-05-22 | 2004-11-20 | Ооо "Альбатэк" | Способ формирования сверхтвердого аморфного углеродного покрытия в вакууме |
EP1651796B1 (de) * | 2003-07-25 | 2007-01-03 | NV Bekaert SA | Substrat mit zwischenüberzug und hartem kohlenstoffüberzug |
JP4863152B2 (ja) | 2003-07-31 | 2012-01-25 | 日産自動車株式会社 | 歯車 |
KR20060039932A (ko) | 2003-08-06 | 2006-05-09 | 닛산 지도우샤 가부시키가이샤 | 저마찰 접동 기구, 저마찰제 조성물 및 마찰 감소 방법 |
JP4973971B2 (ja) | 2003-08-08 | 2012-07-11 | 日産自動車株式会社 | 摺動部材 |
US7771821B2 (en) | 2003-08-21 | 2010-08-10 | Nissan Motor Co., Ltd. | Low-friction sliding member and low-friction sliding mechanism using same |
EP1508611B1 (de) | 2003-08-22 | 2019-04-17 | Nissan Motor Co., Ltd. | Getriebe enthaltend eine getriebeölzusammensetzung |
WO2005029538A2 (en) * | 2003-09-22 | 2005-03-31 | Seok Kyun Song | A plasma generating apparatus and an alignment process for liquid crystal displays using the apparatus |
US20050126497A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-06-16 | Kidd Jerry D. | Platform assembly and method |
US7824498B2 (en) * | 2004-02-24 | 2010-11-02 | Applied Materials, Inc. | Coating for reducing contamination of substrates during processing |
US20050193852A1 (en) * | 2004-03-05 | 2005-09-08 | Cooper Clark V. | Transmission system with increased power density |
JP4572688B2 (ja) * | 2004-04-27 | 2010-11-04 | 株式会社豊田中央研究所 | 低摩擦摺動部材 |
WO2005106065A1 (de) * | 2004-04-29 | 2005-11-10 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Dlc hartstoffbeschichtungen auf kupferhaltigen lagerwerkstoffen |
JP4543373B2 (ja) * | 2004-06-03 | 2010-09-15 | 三菱マテリアル株式会社 | 非鉄材料の高速切削加工ですぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆超硬合金製切削工具の製造方法 |
US7771822B2 (en) * | 2004-07-09 | 2010-08-10 | Oerlikon Trading Ag, Trubbach | Conductive material comprising an Me-DLC hard material coating |
JP2006116633A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Osg Corp | 硬質被膜被覆工具、コーティング被膜、および被膜のコーティング方法 |
JP2006138404A (ja) * | 2004-11-12 | 2006-06-01 | Kobe Steel Ltd | 水系環境下での耐摩耗性に優れた摺動部材 |
CH697552B1 (de) * | 2004-11-12 | 2008-11-28 | Oerlikon Trading Ag | Vakuumbehandlungsanlage. |
EP1698713A1 (de) * | 2005-03-01 | 2006-09-06 | Ceco Ltd | Kratzfester Werkstoff und Verfahren zu seiner Herstellung |
US9659758B2 (en) * | 2005-03-22 | 2017-05-23 | Honeywell International Inc. | Coils utilized in vapor deposition applications and methods of production |
US9997338B2 (en) * | 2005-03-24 | 2018-06-12 | Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon | Method for operating a pulsed arc source |
JP5683785B2 (ja) * | 2005-05-04 | 2015-03-11 | エーリコン・トレイディング・アーゲー・トリューバッハ | プラズマ処理プラント用プラズマ増幅器 |
CN101208461B (zh) * | 2005-05-26 | 2011-07-06 | 萨尔泽曼塔普拉斯有限公司 | 具有多层硬质涂层的活塞环 |
US20060278520A1 (en) * | 2005-06-13 | 2006-12-14 | Lee Eal H | Use of DC magnetron sputtering systems |
CN1899992A (zh) * | 2005-07-19 | 2007-01-24 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 模仁及其制备方法 |
CN101432462B (zh) * | 2005-08-18 | 2012-12-05 | 萨尔泽曼塔普拉斯有限公司 | 用包含四面体碳层和较软外层的多层结构涂覆的基底 |
EP1767662B1 (de) * | 2005-09-10 | 2009-12-16 | Schaeffler KG | Verschleißfeste Beschichtung und Verfahren zur Herstellung derselben |
CN100482379C (zh) * | 2005-10-27 | 2009-04-29 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 一种压铸模仁及其制备方法 |
DE102005054132B4 (de) * | 2005-11-14 | 2020-03-26 | Robert Bosch Gmbh | Ventil zum Steuern eines Fluids mit Tribosystem |
WO2007064332A1 (en) * | 2005-12-02 | 2007-06-07 | United Technologies Corporation | Metal-free diamond-like-carbon coatings |
US8222189B2 (en) | 2005-12-13 | 2012-07-17 | United Technologies Corporation | Process for deposition of amorphous carbon |
JP2007162099A (ja) * | 2005-12-15 | 2007-06-28 | Toyota Motor Corp | 硬質炭素膜及びその製造方法並びに摺動部材 |
KR100656955B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2006-12-14 | 삼성전자주식회사 | 이온 임플랜터의 이온 발생 장치 |
JP4735309B2 (ja) * | 2006-02-10 | 2011-07-27 | トヨタ自動車株式会社 | 耐キャビテーションエロージョン用部材及びその製造方法 |
US9526814B2 (en) * | 2006-02-16 | 2016-12-27 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Medical balloons and methods of making the same |
JP5030439B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2012-09-19 | 株式会社リケン | 摺動部材 |
JP2007246996A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Tdk Corp | 保護膜及び該保護膜付き内燃機関用部品 |
JP2009531545A (ja) * | 2006-03-28 | 2009-09-03 | ナムローゼ・フェンノートシャップ・ベーカート・ソシエテ・アノニム | コーティング装置 |
WO2007110322A1 (en) * | 2006-03-28 | 2007-10-04 | Nv Bekaert Sa | Sputtering apparatus |
JP4704950B2 (ja) * | 2006-04-27 | 2011-06-22 | 株式会社神戸製鋼所 | 非晶質炭素系硬質多層膜及びこの膜を表面に備えた硬質表面部材 |
US8273222B2 (en) * | 2006-05-16 | 2012-09-25 | Southwest Research Institute | Apparatus and method for RF plasma enhanced magnetron sputter deposition |
CA2885593C (en) * | 2006-05-17 | 2018-03-06 | G & H Technologies Llc | Wear resistant coating |
AT503288B1 (de) * | 2006-07-26 | 2007-09-15 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum aufbringen eines beschichtungsmaterials sowie beschichtung für eine metallische oberfläche |
EP1884978B1 (de) * | 2006-08-03 | 2011-10-19 | Creepservice S.à.r.l. | Verfahren zur Beschichtung von Substraten mit diamantähnlichen Kohlenstoffschichten |
DE102006037774A1 (de) * | 2006-08-11 | 2008-02-14 | Polysius Ag | Walzen- oder Rollenmühle |
FR2907470B1 (fr) | 2006-10-20 | 2009-04-17 | Hef Soc Par Actions Simplifiee | Piece en contact glissant, en regime lubrifie, revetue d'une couche mince. |
DE102006049974A1 (de) * | 2006-10-24 | 2008-04-30 | Oerlikon Leybold Vacuum Gmbh | Turbomaschine |
DE102006058078A1 (de) * | 2006-12-07 | 2008-06-19 | Systec System- Und Anlagentechnik Gmbh & Co. Kg | Vakuumbeschichtungsanlage zur homogenen PVD-Beschichtung |
JP2008163430A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Jtekt Corp | 高耐食性部材およびその製造方法 |
DE102007047629A1 (de) * | 2007-04-13 | 2008-10-16 | Stein, Ralf | Verfahren zum Aufbringen einer hochfesten Beschichtung auf Werkstücke und/oder Werkstoffe |
DE102007019994A1 (de) * | 2007-04-27 | 2008-10-30 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Transparente Barrierefolie und Verfahren zum Herstellen derselben |
CN101743338B (zh) * | 2007-05-25 | 2013-10-16 | 奥尔利康贸易股份公司(特吕巴赫) | 真空处理设备和真空处理方法 |
KR100897323B1 (ko) * | 2007-05-30 | 2009-05-14 | 한국생산기술연구원 | 플라즈마 화학기상증착과 물리기상증착을 복합한 박막 코팅방법 |
JP2008310849A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 保護膜形成法及び保護膜を備えた磁気記録媒体 |
US8105660B2 (en) * | 2007-06-28 | 2012-01-31 | Andrew W Tudhope | Method for producing diamond-like carbon coatings using PECVD and diamondoid precursors on internal surfaces of a hollow component |
US20090029067A1 (en) * | 2007-06-28 | 2009-01-29 | Sciamanna Steven F | Method for producing amorphous carbon coatings on external surfaces using diamondoid precursors |
US8277617B2 (en) * | 2007-08-14 | 2012-10-02 | Southwest Research Institute | Conformal magnetron sputter deposition |
JP2009127059A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Tokyo Denki Univ | ダイヤモンドライクカーボン膜の形成方法 |
US20090194414A1 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Nolander Ira G | Modified sputtering target and deposition components, methods of production and uses thereof |
DE102008011921A1 (de) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Ks Kolbenschmidt Gmbh | Beschichtung von Bauteilen einer Brennkraftmaschine zur Verminderung von Reibung, Verschleiß und Adhäsionsneigung |
DE102008016864B3 (de) * | 2008-04-02 | 2009-10-22 | Federal-Mogul Burscheid Gmbh | Kolbenring |
TW200942633A (en) * | 2008-04-14 | 2009-10-16 | Yu-Hsueh Lin | Method for plating film on surface of drill and structure of film-plated drill |
EP2286001A4 (de) * | 2008-05-13 | 2011-10-19 | Sub One Technology Inc | Verfahren zur beschichtung der innen- und aussenflächen von rohren für thermosolare und andere anwendungen |
DE102008028542B4 (de) * | 2008-06-16 | 2012-07-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einem Substrat mittels einer plasmagestützten chemischen Reaktion |
JP5244495B2 (ja) * | 2008-08-06 | 2013-07-24 | 三菱重工業株式会社 | 回転機械用の部品 |
TWI399451B (zh) * | 2008-09-05 | 2013-06-21 | Yu Hsueh Lin | 傳動機構之表面鍍膜方法 |
DE102008042896A1 (de) * | 2008-10-16 | 2010-04-22 | Federal-Mogul Burscheid Gmbh | Verfahren zur Beschichtung eines Gleitelements und Gleitelement, insbesondere Kolbenring oder Zylinderlaufbuchse eines Verbrennungsmotors |
US8332314B2 (en) | 2008-11-05 | 2012-12-11 | Kent Griffin | Text authorization for mobile payments |
US7939367B1 (en) * | 2008-12-18 | 2011-05-10 | Crystallume Corporation | Method for growing an adherent diamond layer atop an interlayer bonded to a compound semiconductor substrate |
JP4755262B2 (ja) * | 2009-01-28 | 2011-08-24 | 株式会社神戸製鋼所 | ダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法 |
JP5222764B2 (ja) * | 2009-03-24 | 2013-06-26 | 株式会社神戸製鋼所 | 積層皮膜および積層皮膜被覆部材 |
JP5741891B2 (ja) * | 2009-06-19 | 2015-07-01 | 株式会社ジェイテクト | Dlc膜形成方法 |
US9121092B2 (en) * | 2009-08-07 | 2015-09-01 | Oerlikon Surface Solutions Ag, Trubbach | Tribology combined with corrosion resistance: a new family of PVD- and PACVD coatings |
DE102009028504C5 (de) * | 2009-08-13 | 2014-10-30 | Federal-Mogul Burscheid Gmbh | Kolbenring mit einer Beschichtung |
PT2502255E (pt) * | 2009-11-20 | 2014-06-11 | Oerlikon Trading Ag Trübbach | Sistema de secções de bobina para simulação de bobinas circulares para dispositivos de vácuo |
US8715789B2 (en) * | 2009-12-18 | 2014-05-06 | Sub-One Technology, Inc. | Chemical vapor deposition for an interior of a hollow article with high aspect ratio |
EP2543633A4 (de) * | 2010-03-03 | 2016-07-06 | Taiyo Yuden Chemical Technology Co Ltd | Verfahren zur fixierung auf eine schicht mit amorpher kohlenstofffolie und laminat |
US8747631B2 (en) * | 2010-03-15 | 2014-06-10 | Southwest Research Institute | Apparatus and method utilizing a double glow discharge plasma for sputter cleaning |
US9169551B2 (en) * | 2010-04-15 | 2015-10-27 | DePuy Synthes Products, Inc. | Coating for a CoCrMo substrate |
JP5837046B2 (ja) * | 2010-04-15 | 2015-12-24 | シンセス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングSynthes Gmbh | CoCrMo基材用コーティング |
EP2385259A1 (de) * | 2010-05-06 | 2011-11-09 | Protec Surface Technologies S.r.L. | Flüssigkeitsbetätigter Betriebszylinder für einen Materialtransportträger |
JP5649333B2 (ja) * | 2010-06-01 | 2015-01-07 | 株式会社神戸製鋼所 | イオンボンバードメント装置及びこの装置を用いた基材表面のクリーニング方法 |
PL2585622T3 (pl) * | 2010-06-22 | 2018-07-31 | Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon | Źródło odparowania łukowego o określonym polu elektrycznym |
DE112011102311B4 (de) * | 2010-07-09 | 2023-06-07 | Daido Metal Co., Ltd. | Gleitlager |
GB2500974B (en) * | 2010-07-09 | 2016-07-27 | Daido Metal Co | Sliding Bearing |
JP5665409B2 (ja) * | 2010-08-06 | 2015-02-04 | 株式会社ジェイテクト | 被膜の成膜方法 |
DE102011009347B4 (de) * | 2010-11-29 | 2016-05-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung eines kohlenstoffhaltigen Schichtsystems sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
DE102010062114B4 (de) * | 2010-11-29 | 2014-12-11 | Federal-Mogul Burscheid Gmbh | Gleitelement, insbesondere Kolbenring, mit einer Beschichtung |
DE102010052971A1 (de) * | 2010-11-30 | 2012-05-31 | Amg Coating Technologies Gmbh | Werkstück mit Si-DLC Beschichtung und Verfahren zur Herstellung von Beschichtungen |
CN102108484B (zh) * | 2011-01-18 | 2012-07-04 | 厦门建霖工业有限公司 | 一种双层抗菌镀层的制备方法 |
CN102108485B (zh) * | 2011-01-28 | 2012-03-28 | 厦门建霖工业有限公司 | 塑胶表面抗菌镀层的制备方法 |
BRPI1100176A2 (pt) * | 2011-02-10 | 2013-04-24 | Mahle Metal Leve Sa | componente de motor |
CA2828042C (en) * | 2011-02-11 | 2018-08-14 | Sphenic Technologies Inc. | System, circuit, and method for controlling combustion |
EP2681346B1 (de) * | 2011-03-02 | 2017-09-06 | Oerlikon Surface Solutions AG, Pfäffikon | Mit einer metallhaltigen kohlenstoffschicht beschichtete gleitkomponente zur linderung von verschleiss und reibung durch tribologische anwendungen unter schmierungsbedingungen |
US9217195B2 (en) * | 2011-04-20 | 2015-12-22 | Ntn Corporation | Amorphous carbon film and method for forming same |
US9909365B2 (en) | 2011-04-29 | 2018-03-06 | Baker Hughes Incorporated | Downhole tools having mechanical joints with enhanced surfaces |
FR2975404B1 (fr) * | 2011-05-19 | 2014-01-24 | Hydromecanique & Frottement | Piece avec revetement dlc et procede d'application du revetement dlc |
DE102011077556A1 (de) | 2011-06-15 | 2012-12-20 | Schaeffler Technologies AG & Co. KG | Gleitlager |
US9340854B2 (en) * | 2011-07-13 | 2016-05-17 | Baker Hughes Incorporated | Downhole motor with diamond-like carbon coating on stator and/or rotor and method of making said downhole motor |
JP2011225999A (ja) * | 2011-07-21 | 2011-11-10 | Yamaguchi Prefectural Industrial Technology Institute | プラズマ処理装置及び成膜方法 |
EP2759620B1 (de) * | 2011-09-22 | 2016-07-20 | NTN Corporation | Hartschicht, aus der hartschicht geformter körper und wälzlager |
DE102011116576A1 (de) * | 2011-10-21 | 2013-04-25 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Bohrer mit Beschichtung |
JP5689051B2 (ja) * | 2011-11-25 | 2015-03-25 | 株式会社神戸製鋼所 | イオンボンバードメント装置 |
AT511605B1 (de) * | 2011-12-12 | 2013-01-15 | High Tech Coatings Gmbh | Kohlenstoffbasierende beschichtung |
KR101382997B1 (ko) * | 2012-02-08 | 2014-04-08 | 현대자동차주식회사 | 코팅층 표면 처리 방법 |
EP2628822B1 (de) | 2012-02-15 | 2015-05-20 | IHI Hauzer Techno Coating B.V. | Stromisolierende Lagerkomponenten und Lager |
EP2628817B1 (de) | 2012-02-15 | 2016-11-02 | IHI Hauzer Techno Coating B.V. | Beschichteter Artikel aus Martensitstahl und Verfahren zur Herstellung eines beschichteten Artikels aus Stahl |
DE102012007763A1 (de) | 2012-04-20 | 2013-10-24 | Ulrich Schmidt | Modularer Rahmen für Steckdosen und Schalter |
EP2924142B1 (de) | 2012-05-15 | 2016-11-16 | ZhongAo HuiCheng Technology Co. Ltd. | Nano-mehrschichtfilm |
RU2494172C1 (ru) * | 2012-08-07 | 2013-09-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский национальный исследовательский технологический университет" (ФГБОУ ВПО "КНИТУ") | Способ получения износостойкого покрытия |
DE102012214284B4 (de) | 2012-08-10 | 2014-03-13 | Federal-Mogul Burscheid Gmbh | Gleitelement, insbesondere Kolbenring, mit einer widerstandsfähigen Beschichtung |
US9793098B2 (en) | 2012-09-14 | 2017-10-17 | Vapor Technologies, Inc. | Low pressure arc plasma immersion coating vapor deposition and ion treatment |
US9412569B2 (en) | 2012-09-14 | 2016-08-09 | Vapor Technologies, Inc. | Remote arc discharge plasma assisted processes |
US10056237B2 (en) | 2012-09-14 | 2018-08-21 | Vapor Technologies, Inc. | Low pressure arc plasma immersion coating vapor deposition and ion treatment |
KR101439131B1 (ko) * | 2012-09-21 | 2014-09-11 | 현대자동차주식회사 | 흡배기 밸브용 코팅재 및 이의 제조방법 |
TWI565353B (zh) * | 2012-10-19 | 2017-01-01 | 逢甲大學 | 可撓性電熱發熱體及其製作方法 |
JP5564099B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-30 | 株式会社リケン | シリンダとピストンリングの組合せ |
JP6076112B2 (ja) * | 2013-02-07 | 2017-02-08 | 株式会社神戸製鋼所 | イオンボンバードメント装置及びこの装置を用いた基材の表面のクリーニング方法 |
DE102013002911A1 (de) | 2013-02-21 | 2014-08-21 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Dekorative, tiefschwarze Beschichtung |
DE102013007146A1 (de) * | 2013-04-25 | 2014-10-30 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | DLC Beschichtung mit Einlaufschicht |
ES2650379T3 (es) * | 2013-02-21 | 2018-01-18 | Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon | Recubrimiento DCL con una capa de entrada |
US9308090B2 (en) | 2013-03-11 | 2016-04-12 | DePuy Synthes Products, Inc. | Coating for a titanium alloy substrate |
JPWO2014148479A1 (ja) * | 2013-03-19 | 2017-02-16 | 太陽誘電ケミカルテクノロジー株式会社 | 防汚用の非晶質炭素膜を備える構造体及び防汚用の非晶質炭素膜の形成方法 |
US9657384B2 (en) * | 2013-03-22 | 2017-05-23 | Nittan Valve Co., Ltd. | DLC film coating and coated valve lifter |
CN110616399B (zh) * | 2013-03-29 | 2022-05-24 | 日立金属株式会社 | 覆盖工具及其制造方法 |
JP2014237890A (ja) * | 2013-05-10 | 2014-12-18 | 国立大学法人電気通信大学 | ダイヤモンドライクカーボン膜の成膜装置および形成方法 |
US20150004362A1 (en) * | 2013-07-01 | 2015-01-01 | General Electric Company | Multilayered coatings with diamond-like carbon |
DE202013012031U1 (de) * | 2013-07-09 | 2015-02-23 | Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg | Werkzeug zum Einsatz beim Aluminiumguss |
CA2918538A1 (en) * | 2013-07-19 | 2015-01-22 | Oerlikon Surface Solutions Ag, Trubbach | Coatings for forming tools |
JP6533374B2 (ja) * | 2013-11-06 | 2019-06-19 | Dowaサーモテック株式会社 | Dlc皮膜の成膜方法 |
DE102013225608A1 (de) * | 2013-12-11 | 2015-06-11 | Apo Gmbh Massenkleinteilbeschichtung | Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Kleinteilen mittels Plasma |
WO2015161469A1 (zh) * | 2014-04-23 | 2015-10-29 | 中奥汇成科技股份有限公司 | 一种人工关节臼杯、磁控溅射镀膜装置及其制备方法 |
FR3022560B1 (fr) * | 2014-06-18 | 2022-02-25 | Hydromecanique & Frottement | Procede de revetement en carbone dlc du nez des cames d'un arbre a came, arbre a cames ainsi obtenu et installation pour la mise en oeuvre de ce procede |
JP6044602B2 (ja) | 2014-07-11 | 2016-12-14 | トヨタ自動車株式会社 | 成膜装置 |
KR102088090B1 (ko) * | 2014-08-01 | 2020-03-11 | 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 | 피복 공구의 제조 방법 |
US10612123B2 (en) * | 2015-02-04 | 2020-04-07 | The University Of Akron | Duplex surface treatment for titanium alloys |
US10280977B2 (en) | 2015-04-16 | 2019-05-07 | Eagle Industry Co., Ltd | Slide Component |
JP6612864B2 (ja) * | 2015-05-28 | 2019-11-27 | 京セラ株式会社 | 切削工具 |
JP6014941B2 (ja) * | 2015-07-31 | 2016-10-26 | 地方独立行政法人山口県産業技術センター | プラズマ処理装置及び成膜方法 |
US10787737B2 (en) * | 2015-11-12 | 2020-09-29 | National Oilwell DHT, L.P. | Downhole drill bit with coated cutting element |
CN105734527B (zh) * | 2016-03-08 | 2019-01-18 | 仪征亚新科双环活塞环有限公司 | 一种用于活塞环表面的类金刚石镀层、活塞环及制备工艺 |
KR101828508B1 (ko) * | 2016-07-13 | 2018-03-29 | 제이와이테크놀로지(주) | Dlc 박막 제조 장치 |
JP6380483B2 (ja) | 2016-08-10 | 2018-08-29 | トヨタ自動車株式会社 | 成膜装置 |
DE102016116123B4 (de) * | 2016-08-30 | 2018-07-19 | Federal-Mogul Valvetrain Gmbh | Verschleißarmes Kegelstück |
US10377508B2 (en) | 2016-11-29 | 2019-08-13 | The Boeing Company | Enhanced tooling for interference-fit fasteners |
EP3690079B1 (de) * | 2017-09-25 | 2023-06-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Verfahren zur herstellung einer auf hartem kohlenstoff basierenden beschichtung und mit der beschichtung versehenes element |
US11183373B2 (en) | 2017-10-11 | 2021-11-23 | Honeywell International Inc. | Multi-patterned sputter traps and methods of making |
KR102055046B1 (ko) * | 2017-12-29 | 2019-12-12 | 트인로드 주식회사 | Dlc 및 다이아몬드 박막이 이중 코팅된 펀칭공구 및 그 제조방법 |
CN108374154B (zh) * | 2018-02-26 | 2023-06-13 | 温州职业技术学院 | 带有复合磁场的类金刚石涂层制备装置及其应用 |
US10702862B2 (en) * | 2018-04-13 | 2020-07-07 | U.S. Department Of Energy | Superlubricious carbon films derived from natural gas |
FR3082527B1 (fr) * | 2018-06-18 | 2020-09-18 | Hydromecanique & Frottement | Piece revetue par un revetement de carbone amorphe non-hydrogene sur une sous-couche comportant du chrome, du carbone et du silicium |
FR3082526B1 (fr) * | 2018-06-18 | 2020-09-18 | Hydromecanique & Frottement | Piece revetue par un revetement de carbone amorphe hydrogene sur une sous-couche comportant du chrome, du carbone et du silicium |
EP3650583A1 (de) | 2018-11-08 | 2020-05-13 | Nanofilm Technologies International Pte Ltd | Ta-c-basiertebeschichtungen mit verbesserter härte |
CN110066982A (zh) * | 2019-04-17 | 2019-07-30 | 厦门阿匹斯智能制造系统有限公司 | 一种pvd镀膜产线磁控溅射的磁场分布方法 |
US11664226B2 (en) | 2020-06-29 | 2023-05-30 | Applied Materials, Inc. | Methods for producing high-density carbon films for hardmasks and other patterning applications |
US11664214B2 (en) | 2020-06-29 | 2023-05-30 | Applied Materials, Inc. | Methods for producing high-density, nitrogen-doped carbon films for hardmasks and other patterning applications |
CN111676452A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-09-18 | 哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司 | 一种高效镀超硬膜的方法 |
CN111748789B (zh) * | 2020-07-10 | 2022-06-24 | 哈尔滨工业大学 | 一种石墨阴极弧增强辉光放电沉积纯dlc的装置及其方法 |
EP3964356A1 (de) * | 2020-09-03 | 2022-03-09 | Boegli-Gravures SA | Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer prägevorrichtung unter verwendung einer ätzmaske |
WO2022171697A1 (en) * | 2021-02-09 | 2022-08-18 | Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon | Arc-beam position monitoring and position control in picvd coating systems |
RU2763357C1 (ru) * | 2021-04-13 | 2021-12-28 | Александр Васильевич Вахрушев | Способ получения высококачественных пленок методом механической вибрации подложки |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4035131A1 (de) * | 1990-11-05 | 1992-05-07 | Balzers Hochvakuum | Substratheizen mit niedervoltbogenentladung und variablem magnetfeld |
DE4126852A1 (de) * | 1991-08-14 | 1993-02-18 | Krupp Widia Gmbh | Werkzeug mit verschleissfester diamantschneide, verfahren zu dessen herstellung sowie dessen verwendung |
DE3876120T2 (de) * | 1987-02-24 | 1993-06-24 | Semiconductor Energy Lab | Chemisches gasphasenabscheidungsverfahren zur herstellung einer kohlenstoffschicht. |
EP0600533A1 (de) * | 1992-12-02 | 1994-06-08 | "VLAAMSE INSTELLING VOOR TECHNOLOGISCH ONDERZOEK", afgekort "V.I.T.O.",onderneming van openbaar nut onder de vorm van een n.v. | Verfahren zur Beschichtung von Stahl, Eisen oder ihren Legierungen mit diamant-artigem Kohlenstoff |
DE4343354A1 (de) * | 1993-12-18 | 1995-06-22 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung einer Hartstoffschicht |
DE19513614C1 (de) * | 1995-04-10 | 1996-10-02 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Abscheidung von Kohlenstoffschichten, Kohlenstoffschichten auf Substraten und deren Verwendung |
WO1997034315A1 (de) * | 1996-03-11 | 1997-09-18 | Balzers Aktiengesellschaft | Verfahren und anlage zur beschichtung von werkstücken |
DE19826259A1 (de) * | 1997-06-16 | 1998-12-17 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren und Einrichtung zum Vakuumbeschichten eines Substrates |
WO1999014390A2 (de) * | 1997-09-17 | 1999-03-25 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur sputterbeschichtung von oberflächen |
Family Cites Families (173)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US50681A (en) * | 1865-10-31 | Improvement in photographic lenses | ||
US50689A (en) * | 1865-10-31 | Improvement in gaging and ullaging casks | ||
US91154A (en) * | 1869-06-08 | Improvement in attaching- handles to picks | ||
US3287630A (en) * | 1964-03-02 | 1966-11-22 | Varian Associates | Apparatus for improving the uniformity of magnetic fields |
US3458426A (en) * | 1966-05-25 | 1969-07-29 | Fabri Tek Inc | Symmetrical sputtering apparatus with plasma confinement |
DD133688A1 (de) † | 1977-08-04 | 1979-01-17 | Klaus Bewilogua | Verfahren zur herstellung diamanthaltiger schichten hoher haftfestigkeit |
US4276570A (en) * | 1979-05-08 | 1981-06-30 | Nancy Burson | Method and apparatus for producing an image of a person's face at a different age |
DE3260505D1 (en) * | 1981-01-23 | 1984-09-13 | Takeda Chemical Industries Ltd | Alicyclic compounds, their production and use |
DE3246361A1 (de) * | 1982-02-27 | 1983-09-08 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Kohlenstoff enthaltende gleitschicht |
US4486286A (en) * | 1982-09-28 | 1984-12-04 | Nerken Research Corp. | Method of depositing a carbon film on a substrate and products obtained thereby |
US4602280A (en) * | 1983-12-05 | 1986-07-22 | Maloomian Laurence G | Weight and/or measurement reduction preview system |
US4698256A (en) * | 1984-04-02 | 1987-10-06 | American Cyanamid Company | Articles coated with adherent diamondlike carbon films |
US4877677A (en) * | 1985-02-19 | 1989-10-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Wear-protected device |
FR2583250B1 (fr) * | 1985-06-07 | 1989-06-30 | France Etat | Procede et dispositif d'excitation d'un plasma par micro-ondes a la resonance cyclotronique electronique |
CH664768A5 (de) * | 1985-06-20 | 1988-03-31 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur beschichtung von substraten in einer vakuumkammer. |
DD243514B1 (de) * | 1985-12-17 | 1989-04-26 | Karl Marx Stadt Tech Hochschul | Hartstoffschichten fuer mechanisch und korrosiv beanspruchte teile |
JPS62188776A (ja) * | 1986-01-14 | 1987-08-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 |
FR2596775B1 (fr) * | 1986-04-07 | 1992-11-13 | Univ Limoges | Revetement dur multicouches elabore par depot ionique de nitrure de titane, carbonitrure de titane et i-carbone |
JPS63195266A (ja) * | 1987-02-10 | 1988-08-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 炭素膜がコーティングされた時計 |
DE3706340A1 (de) * | 1987-02-27 | 1988-09-08 | Winter & Sohn Ernst | Verfahren zum auftragen einer verschleissschutzschicht und danach hergestelltes erzeugnis |
DE3708716C2 (de) * | 1987-03-18 | 1993-11-04 | Hans Prof Dr Rer Nat Oechsner | Hochfrequenz-ionenquelle |
EP0286306B1 (de) * | 1987-04-03 | 1993-10-06 | Fujitsu Limited | Verfahren und Vorrichtung zur Gasphasenabscheidung von Diamant |
JPH0672306B2 (ja) * | 1987-04-27 | 1994-09-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
US5113493A (en) * | 1987-05-11 | 1992-05-12 | Liberty Life Insurance Co. | Full speed animation system for low-speed computers and method |
JPS63286334A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-24 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 積層体およびその製造法 |
KR920002864B1 (ko) * | 1987-07-20 | 1992-04-06 | 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 플라즈마 처리방법 및 그 장치 |
DE3863725D1 (de) * | 1987-08-26 | 1991-08-22 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur aufbringung von schichten auf substraten und vakuumbeschichtungsanlage zur durchfuehrung des verfahrens. |
NL8800345A (nl) * | 1988-02-12 | 1989-09-01 | Philips Nv | Knipeenheid voor een scheerapparaat en scheerapparaat voorzien van deze knipeenheid. |
JP2610469B2 (ja) * | 1988-02-26 | 1997-05-14 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | 炭素または炭素を主成分とする被膜を形成する方法 |
US5411797A (en) * | 1988-04-18 | 1995-05-02 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Nanophase diamond films |
DE3852500T2 (de) † | 1988-08-25 | 1995-07-27 | Hauzer Ind Bv | Physikalische dampfniederschlag-doppelbeschichtungsvorrichtung und verfahren. |
US4952273A (en) * | 1988-09-21 | 1990-08-28 | Microscience, Inc. | Plasma generation in electron cyclotron resonance |
US4918031A (en) * | 1988-12-28 | 1990-04-17 | American Telephone And Telegraph Company,At&T Bell Laboratories | Processes depending on plasma generation using a helical resonator |
US4919974A (en) * | 1989-01-12 | 1990-04-24 | Ford Motor Company | Making diamond composite coated cutting tools |
US4992153A (en) * | 1989-04-26 | 1991-02-12 | Balzers Aktiengesellschaft | Sputter-CVD process for at least partially coating a workpiece |
US5266409A (en) * | 1989-04-28 | 1993-11-30 | Digital Equipment Corporation | Hydrogenated carbon compositions |
CZ278295B6 (en) † | 1989-08-14 | 1993-11-17 | Fyzikalni Ustav Avcr | Process of sputtering layers and apparatus for making the same |
DE58909591D1 (de) † | 1989-08-21 | 1996-03-14 | Balzers Hochvakuum | Beschichtetes Werkstück mit einer Mischkristallbeschichtung, Verfahren zu dessen Herstellung, sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
GB9006073D0 (en) † | 1990-03-17 | 1990-05-16 | D G Teer Coating Services Limi | Magnetron sputter ion plating |
EP0721998B1 (de) * | 1990-08-03 | 1999-01-13 | Fujitsu Limited | Verfahren zur Diamantabscheidung mittels CVD |
DE4029270C1 (de) * | 1990-09-14 | 1992-04-09 | Balzers Ag, Balzers, Li | |
KR930011413B1 (ko) * | 1990-09-25 | 1993-12-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 | 펄스형 전자파를 사용한 플라즈마 cvd 법 |
US6692359B1 (en) * | 1991-02-15 | 2004-02-17 | America Online, Inc. | Method of interfacing on a computer network by visual representations of users, method of interacting and computer network |
JPH07109034B2 (ja) * | 1991-04-08 | 1995-11-22 | ワイケイケイ株式会社 | 硬質多層膜形成体およびその製造方法 |
US5147687A (en) * | 1991-05-22 | 1992-09-15 | Diamonex, Inc. | Hot filament CVD of thick, adherent and coherent polycrystalline diamond films |
DE69232403T2 (de) * | 1991-08-06 | 2002-08-22 | Canon Kk | Dreidimensionales Modellverarbeitungsverfahren und -gerät |
US5541003A (en) * | 1991-10-31 | 1996-07-30 | Tdk Corporation | Articles having diamond-like protective thin film |
DE69232112T2 (de) * | 1991-11-12 | 2002-03-14 | Fujitsu Ltd | Vorrichtung zur Sprachsynthese |
US5989511A (en) * | 1991-11-25 | 1999-11-23 | The University Of Chicago | Smooth diamond films as low friction, long wear surfaces |
US5555426A (en) * | 1992-01-08 | 1996-09-10 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for disseminating messages to unspecified users in a data processing system |
US5416899A (en) * | 1992-01-13 | 1995-05-16 | Massachusetts Institute Of Technology | Memory based method and apparatus for computer graphics |
US5680481A (en) * | 1992-05-26 | 1997-10-21 | Ricoh Corporation | Facial feature extraction method and apparatus for a neural network acoustic and visual speech recognition system |
US5537662A (en) * | 1992-05-29 | 1996-07-16 | Casio Computer Co., Ltd. | Electronic montage composing apparatus |
US5439492A (en) * | 1992-06-11 | 1995-08-08 | General Electric Company | Fine grain diamond workpieces |
US5306408A (en) * | 1992-06-29 | 1994-04-26 | Ism Technologies, Inc. | Method and apparatus for direct ARC plasma deposition of ceramic coatings |
JP3336682B2 (ja) * | 1992-07-02 | 2002-10-21 | 住友電気工業株式会社 | 硬質炭素膜 |
JPH06111287A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
US5420801A (en) * | 1992-11-13 | 1995-05-30 | International Business Machines Corporation | System and method for synchronization of multimedia streams |
US5640590A (en) * | 1992-11-18 | 1997-06-17 | Canon Information Systems, Inc. | Method and apparatus for scripting a text-to-speech-based multimedia presentation |
EP0598598B1 (de) * | 1992-11-18 | 2000-02-02 | Canon Information Systems, Inc. | Prozessor zur Umwandlung von Daten in Sprache und Ablaufsteuerung hierzu |
US5637373A (en) * | 1992-11-19 | 1997-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
US5387178A (en) * | 1992-11-23 | 1995-02-07 | Moses; Gary L. | Multi-stimuli chair |
US5638502A (en) * | 1992-12-25 | 1997-06-10 | Casio Computer Co., Ltd. | Device for creating a new object image relating to plural object images |
US5237967A (en) * | 1993-01-08 | 1993-08-24 | Ford Motor Company | Powertrain component with amorphous hydrogenated carbon film |
US5249554A (en) * | 1993-01-08 | 1993-10-05 | Ford Motor Company | Powertrain component with adherent film having a graded composition |
US5431963A (en) * | 1993-02-01 | 1995-07-11 | General Electric Company | Method for adhering diamondlike carbon to a substrate |
US5645900A (en) * | 1993-04-22 | 1997-07-08 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Diamond composite films for protective coatings on metals and method of formation |
SE500277C2 (sv) * | 1993-05-10 | 1994-05-24 | Televerket | Anordning för att öka talförståelsen vid översätttning av tal från ett första språk till ett andra språk |
US5860064A (en) * | 1993-05-13 | 1999-01-12 | Apple Computer, Inc. | Method and apparatus for automatic generation of vocal emotion in a synthetic text-to-speech system |
US5387288A (en) * | 1993-05-14 | 1995-02-07 | Modular Process Technology Corp. | Apparatus for depositing diamond and refractory materials comprising rotating antenna |
US5626963A (en) * | 1993-07-07 | 1997-05-06 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Hard-carbon-film-coated substrate and apparatus for forming the same |
DE4421144C2 (de) * | 1993-07-21 | 2003-02-13 | Unaxis Balzers Ag | Beschichtetes Werkzeug mit erhöhter Standzeit |
WO1995004368A1 (en) † | 1993-07-29 | 1995-02-09 | Institute Of Physics Academy Of Sciences Of The Czech Republic | Method and device for magnetron sputtering |
BE1008229A3 (nl) * | 1993-10-29 | 1996-02-20 | Vito | Werkwijze voor het aanbrengen van een tegen slijtage beschermende laag op een substraat. |
US5347306A (en) * | 1993-12-17 | 1994-09-13 | Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. | Animated electronic meeting place |
JPH07175710A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-14 | Canon Inc | データ管理方法及び装置 |
US5657426A (en) * | 1994-06-10 | 1997-08-12 | Digital Equipment Corporation | Method and apparatus for producing audio-visual synthetic speech |
KR0136632B1 (ko) * | 1994-07-26 | 1998-05-15 | 김은영 | 다이아몬드상 경질 카본 필름이 이중 코팅된 vtr 헤드 드럼과 그 코팅층 형성방법 및 장치 |
US5779925A (en) * | 1994-10-14 | 1998-07-14 | Fujitsu Limited | Plasma processing with less damage |
KR100261534B1 (ko) * | 1995-03-09 | 2000-08-01 | 하루타 히로시 | 가이드 부쉬 및 그 안둘레면으로의 경질 카본막 형성방법 |
US5688557A (en) * | 1995-06-07 | 1997-11-18 | Lemelson; Jerome H. | Method of depositing synthetic diamond coatings with intermediates bonding layers |
US5647834A (en) * | 1995-06-30 | 1997-07-15 | Ron; Samuel | Speech-based biofeedback method and system |
US5745360A (en) * | 1995-08-14 | 1998-04-28 | International Business Machines Corp. | Dynamic hypertext link converter system and process |
US5712000A (en) † | 1995-10-12 | 1998-01-27 | Hughes Aircraft Company | Large-scale, low pressure plasma-ion deposition of diamondlike carbon films |
US5818461A (en) * | 1995-12-01 | 1998-10-06 | Lucas Digital, Ltd. | Method and apparatus for creating lifelike digital representations of computer animated objects |
SE519244C2 (sv) * | 1995-12-06 | 2003-02-04 | Telia Ab | Anordning och metod vid talsyntes |
US5880731A (en) * | 1995-12-14 | 1999-03-09 | Microsoft Corporation | Use of avatars with automatic gesturing and bounded interaction in on-line chat session |
FR2743089B1 (fr) * | 1995-12-28 | 1998-04-17 | Commissariat Energie Atomique | Procede de depot d'un revetement par couplage des techniques de depot physique en phase vapeur et de depot chimique en phase vapeur assiste par plasma, revetement ainsi obtenu et substrat recouvert de ce revetement |
US5781186A (en) * | 1996-02-02 | 1998-07-14 | Lucent Technologies Inc. | Arrangement for specifying presentation of multimedia message components |
US6069622A (en) * | 1996-03-08 | 2000-05-30 | Microsoft Corporation | Method and system for generating comic panels |
JPH09266096A (ja) * | 1996-03-28 | 1997-10-07 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びこれを用いたプラズマ処理方法 |
US5923337A (en) * | 1996-04-23 | 1999-07-13 | Image Link Co., Ltd. | Systems and methods for communicating through computer animated images |
JP2947170B2 (ja) * | 1996-05-29 | 1999-09-13 | 日本電気株式会社 | 線対称図形整形装置 |
US6233544B1 (en) * | 1996-06-14 | 2001-05-15 | At&T Corp | Method and apparatus for language translation |
US6075905A (en) * | 1996-07-17 | 2000-06-13 | Sarnoff Corporation | Method and apparatus for mosaic image construction |
JPH1082390A (ja) * | 1996-07-18 | 1998-03-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 摺動部材、圧縮機及び回転圧縮機 |
DE19635736C2 (de) † | 1996-09-03 | 2002-03-07 | Saxonia Umformtechnik Gmbh | Diamantähnliche Beschichtung |
EP0828015A3 (de) * | 1996-09-06 | 1998-07-15 | SANYO ELECTRIC Co., Ltd. | Mit einem harten Kohlenstoff-Film beschichtetes Substrat und Verfahren zu seiner Herstellung |
US5732232A (en) * | 1996-09-17 | 1998-03-24 | International Business Machines Corp. | Method and apparatus for directing the expression of emotion for a graphical user interface |
US5857099A (en) * | 1996-09-27 | 1999-01-05 | Allvoice Computing Plc | Speech-to-text dictation system with audio message capability |
US6064383A (en) * | 1996-10-04 | 2000-05-16 | Microsoft Corporation | Method and system for selecting an emotional appearance and prosody for a graphical character |
US6343141B1 (en) * | 1996-10-08 | 2002-01-29 | Lucent Technologies Inc. | Skin area detection for video image systems |
JPH10137861A (ja) * | 1996-11-05 | 1998-05-26 | Sky Alum Co Ltd | 絞りしごき加工法 |
US5963217A (en) * | 1996-11-18 | 1999-10-05 | 7Thstreet.Com, Inc. | Network conference system using limited bandwidth to generate locally animated displays |
US6122606A (en) * | 1996-12-10 | 2000-09-19 | Johnson; William J. | System and method for enhancing human communications |
CA2278709A1 (en) * | 1997-01-27 | 1998-08-13 | Benjamin Slotznick | System for delivering and displaying primary and secondary information |
US5942317A (en) * | 1997-01-31 | 1999-08-24 | International Business Machines Corporation | Hydrogenated carbon thin films |
ATE211510T1 (de) * | 1997-02-04 | 2002-01-15 | Bekaert Sa Nv | Beschichtung enthaltend filme aus diamantartigem kohlenstoff und diamantartigem nanokomposit |
US6078700A (en) * | 1997-03-13 | 2000-06-20 | Sarachik; Karen B. | Method and apparatus for location and inspecting a two-dimensional image including co-linear features |
JP3609591B2 (ja) * | 1997-09-25 | 2005-01-12 | 三洋電機株式会社 | 硬質炭素薄膜及びその製造方法 |
US6066399A (en) | 1997-03-19 | 2000-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Hard carbon thin film and method of forming the same |
JP3378758B2 (ja) * | 1997-03-19 | 2003-02-17 | 三洋電機株式会社 | 非晶質炭素系被膜の形成方法 |
JPH10259482A (ja) * | 1997-03-19 | 1998-09-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 硬質炭素被膜の形成方法 |
US5933151A (en) * | 1997-03-26 | 1999-08-03 | Lucent Technologies Inc. | Simulated natural movement of a computer-generated synthesized talking head |
JP3848723B2 (ja) * | 1997-03-31 | 2006-11-22 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の実装構造体及びその検査方法 |
US6175857B1 (en) * | 1997-04-30 | 2001-01-16 | Sony Corporation | Method and apparatus for processing attached e-mail data and storage medium for processing program for attached data |
US6014689A (en) * | 1997-06-03 | 2000-01-11 | Smith Micro Software Inc. | E-mail system with a video e-mail player |
DE19825983C2 (de) * | 1997-06-11 | 2002-12-12 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Aufbringen von Diamant- und karbidische Phasen enthaltenden Komposit-Gradienten-Schichten |
US6215505B1 (en) * | 1997-06-20 | 2001-04-10 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Scheme for interactive video manipulation and display of moving object on background image |
US6018774A (en) * | 1997-07-03 | 2000-01-25 | Yobaby Productions, Llc | Method and system for creating messages including image information |
JP3224760B2 (ja) * | 1997-07-10 | 2001-11-05 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 音声メールシステム、音声合成装置およびこれらの方法 |
JPH1149506A (ja) * | 1997-07-31 | 1999-02-23 | Kyocera Corp | 装飾部材 |
US6075857A (en) * | 1997-09-11 | 2000-06-13 | Ooltewah Manufacturing, Inc. | Motor cycle helmet headset |
JPH1192935A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-04-06 | Daido Steel Co Ltd | 耐摩耗性硬質炭素被膜 |
WO1999027838A2 (en) * | 1997-12-01 | 1999-06-10 | Eraslan Arsev H | Three-dimensional face identification system |
US6726993B2 (en) † | 1997-12-02 | 2004-04-27 | Teer Coatings Limited | Carbon coatings, method and apparatus for applying them, and articles bearing such coatings |
US6417853B1 (en) * | 1998-02-05 | 2002-07-09 | Pinnacle Systems, Inc. | Region based moving image editing system and method |
US6466213B2 (en) * | 1998-02-13 | 2002-10-15 | Xerox Corporation | Method and apparatus for creating personal autonomous avatars |
US6433784B1 (en) * | 1998-02-26 | 2002-08-13 | Learn2 Corporation | System and method for automatic animation generation |
US6195631B1 (en) * | 1998-04-15 | 2001-02-27 | At&T Corporation | Method and apparatus for automatic construction of hierarchical transduction models for language translation |
CA2273188A1 (en) * | 1999-05-28 | 2000-11-28 | Interquest Inc. | Method and apparatus for encoding/decoding image data |
BE1011927A3 (nl) † | 1998-05-20 | 2000-03-07 | Vito | Plasmamethode voor de afzetting van deklagen. |
US6173250B1 (en) * | 1998-06-03 | 2001-01-09 | At&T Corporation | Apparatus and method for speech-text-transmit communication over data networks |
US6405225B1 (en) * | 1998-06-17 | 2002-06-11 | Microsoft Corporation | Integrating email functionality into a word processor by incorporating an email GUI within the word processor |
JP2000008155A (ja) * | 1998-06-25 | 2000-01-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 硬質炭素膜被覆部材 |
US6366949B1 (en) * | 1998-07-30 | 2002-04-02 | Maila Nordic Ab | Method and arrangement relating to communication in a network |
US6230111B1 (en) * | 1998-08-06 | 2001-05-08 | Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha | Control system for controlling object using pseudo-emotions and pseudo-personality generated in the object |
US6782431B1 (en) * | 1998-09-30 | 2004-08-24 | International Business Machines Corporation | System and method for dynamic selection of database application code execution on the internet with heterogenous clients |
IT1315446B1 (it) * | 1998-10-02 | 2003-02-11 | Cselt Centro Studi Lab Telecom | Procedimento per la creazione di modelli facciali tridimensionali apartire da immagini di volti. |
US6163794A (en) * | 1998-10-23 | 2000-12-19 | General Magic | Network system extensible by users |
US6219638B1 (en) * | 1998-11-03 | 2001-04-17 | International Business Machines Corporation | Telephone messaging and editing system |
JP2000209425A (ja) * | 1998-11-09 | 2000-07-28 | Canon Inc | 画像処理装置及び方法並びに記憶媒体 |
KR100311234B1 (ko) * | 1999-01-18 | 2001-11-02 | 학교법인 인하학원 | 고품위 유도결합 플라즈마 리액터 |
US6385586B1 (en) * | 1999-01-28 | 2002-05-07 | International Business Machines Corporation | Speech recognition text-based language conversion and text-to-speech in a client-server configuration to enable language translation devices |
US6449634B1 (en) * | 1999-01-29 | 2002-09-10 | Digital Impact, Inc. | Method and system for remotely sensing the file formats processed by an E-mail client |
JP3711411B2 (ja) * | 1999-04-19 | 2005-11-02 | 沖電気工業株式会社 | 音声合成装置 |
US6553341B1 (en) * | 1999-04-27 | 2003-04-22 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for announcing receipt of an electronic message |
US6393107B1 (en) * | 1999-05-25 | 2002-05-21 | Lucent Technologies Inc. | Method and apparatus for creating and sending structured voicemail messages |
US7149690B2 (en) * | 1999-09-09 | 2006-12-12 | Lucent Technologies Inc. | Method and apparatus for interactive language instruction |
US6522333B1 (en) * | 1999-10-08 | 2003-02-18 | Electronic Arts Inc. | Remote communication through visual representations |
US6384829B1 (en) * | 1999-11-24 | 2002-05-07 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Streamlined architecture for embodied conversational characters with reduced message traffic |
US6680934B1 (en) * | 1999-12-02 | 2004-01-20 | Nortel Networks Limited | System, device and method for expediting control flow in a communication system |
DE19960092A1 (de) * | 1999-12-14 | 2001-07-12 | Bosch Gmbh Robert | Beschichtungsverfahren |
US6377925B1 (en) * | 1999-12-16 | 2002-04-23 | Interactive Solutions, Inc. | Electronic translator for assisting communications |
US6766299B1 (en) * | 1999-12-20 | 2004-07-20 | Thrillionaire Productions, Inc. | Speech-controlled animation system |
US6751620B2 (en) * | 2000-02-14 | 2004-06-15 | Geophoenix, Inc. | Apparatus for viewing information in virtual space using multiple templates |
US6593539B1 (en) * | 2000-02-25 | 2003-07-15 | George Miley | Apparatus and methods for controlling charged particles |
US6539354B1 (en) * | 2000-03-24 | 2003-03-25 | Fluent Speech Technologies, Inc. | Methods and devices for producing and using synthetic visual speech based on natural coarticulation |
DE10018143C5 (de) * | 2000-04-12 | 2012-09-06 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | DLC-Schichtsystem sowie Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines derartigen Schichtsystems |
WO2001084275A2 (en) * | 2000-05-01 | 2001-11-08 | Lifef/X Networks, Inc. | Virtual representatives for use as communications tools |
US6784901B1 (en) * | 2000-05-09 | 2004-08-31 | There | Method, system and computer program product for the delivery of a chat message in a 3D multi-user environment |
US6545682B1 (en) * | 2000-05-24 | 2003-04-08 | There, Inc. | Method and apparatus for creating and customizing avatars using genetic paradigm |
US6453294B1 (en) * | 2000-05-31 | 2002-09-17 | International Business Machines Corporation | Dynamic destination-determined multimedia avatars for interactive on-line communications |
TW517210B (en) * | 2000-08-31 | 2003-01-11 | Bextech Inc | A method for generating speaking expression variation without distortion in 2D picture using polygon computation |
US6990452B1 (en) * | 2000-11-03 | 2006-01-24 | At&T Corp. | Method for sending multi-media messages using emoticons |
US7203648B1 (en) * | 2000-11-03 | 2007-04-10 | At&T Corp. | Method for sending multi-media messages with customized audio |
US7035803B1 (en) * | 2000-11-03 | 2006-04-25 | At&T Corp. | Method for sending multi-media messages using customizable background images |
US7091976B1 (en) * | 2000-11-03 | 2006-08-15 | At&T Corp. | System and method of customizing animated entities for use in a multi-media communication application |
US6976082B1 (en) * | 2000-11-03 | 2005-12-13 | At&T Corp. | System and method for receiving multi-media messages |
US7085259B2 (en) * | 2001-07-31 | 2006-08-01 | Comverse, Inc. | Animated audio messaging |
US20030046348A1 (en) * | 2001-08-29 | 2003-03-06 | Pinto Albert Gregory | System and method of converting video to bitmap animation for use in electronic mail |
US20030046160A1 (en) * | 2001-09-06 | 2003-03-06 | Paz-Pujalt Gustavo R. | Animated electronic message and method of producing |
US6919892B1 (en) * | 2002-08-14 | 2005-07-19 | Avaworks, Incorporated | Photo realistic talking head creation system and method |
-
2000
- 2000-04-12 DE DE10018143A patent/DE10018143C5/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-18 US US09/551,883 patent/US6740393B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-27 AT AT03014612T patent/ATE299956T1/de active
- 2000-12-27 PT PT03014612T patent/PT1362931E/pt unknown
- 2000-12-27 EP EP00993868A patent/EP1272683B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-27 AT AT00993868T patent/ATE311483T1/de active
- 2000-12-27 KR KR1020027013744A patent/KR100762346B1/ko active IP Right Grant
- 2000-12-27 JP JP2001576965A patent/JP4849759B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-27 ES ES00993868T patent/ES2252092T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-27 ES ES03014612T patent/ES2244870T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-27 EP EP03014612.0A patent/EP1362931B2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-27 WO PCT/EP2000/013299 patent/WO2001079585A1/de active IP Right Grant
- 2000-12-27 US US10/257,678 patent/US7160616B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-27 AU AU28440/01A patent/AU2844001A/en not_active Abandoned
- 2000-12-27 DE DE50010785T patent/DE50010785D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-27 DE DE50011775T patent/DE50011775D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-27 BR BR0017216-2A patent/BR0017216A/pt not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-04-14 HK HK03102687A patent/HK1050553A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-02-05 US US10/771,331 patent/US20040219294A1/en not_active Abandoned
-
2008
- 2008-01-11 US US12/013,003 patent/US7601405B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-08-19 US US12/543,869 patent/US20100018464A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3876120T2 (de) * | 1987-02-24 | 1993-06-24 | Semiconductor Energy Lab | Chemisches gasphasenabscheidungsverfahren zur herstellung einer kohlenstoffschicht. |
DE4035131A1 (de) * | 1990-11-05 | 1992-05-07 | Balzers Hochvakuum | Substratheizen mit niedervoltbogenentladung und variablem magnetfeld |
DE4126852A1 (de) * | 1991-08-14 | 1993-02-18 | Krupp Widia Gmbh | Werkzeug mit verschleissfester diamantschneide, verfahren zu dessen herstellung sowie dessen verwendung |
EP0600533A1 (de) * | 1992-12-02 | 1994-06-08 | "VLAAMSE INSTELLING VOOR TECHNOLOGISCH ONDERZOEK", afgekort "V.I.T.O.",onderneming van openbaar nut onder de vorm van een n.v. | Verfahren zur Beschichtung von Stahl, Eisen oder ihren Legierungen mit diamant-artigem Kohlenstoff |
DE4343354A1 (de) * | 1993-12-18 | 1995-06-22 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung einer Hartstoffschicht |
DE19513614C1 (de) * | 1995-04-10 | 1996-10-02 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Abscheidung von Kohlenstoffschichten, Kohlenstoffschichten auf Substraten und deren Verwendung |
WO1997034315A1 (de) * | 1996-03-11 | 1997-09-18 | Balzers Aktiengesellschaft | Verfahren und anlage zur beschichtung von werkstücken |
DE19826259A1 (de) * | 1997-06-16 | 1998-12-17 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren und Einrichtung zum Vakuumbeschichten eines Substrates |
WO1999014390A2 (de) * | 1997-09-17 | 1999-03-25 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur sputterbeschichtung von oberflächen |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
A.A. Voevodin et al.: Design of a Ti/TiC/DLC functionally coating based on studies of structural transititions in Ti-C thin films. In: Thin Solid Films, 298, 1997, 107 - 115. * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102018125464A1 (de) * | 2018-10-15 | 2020-04-16 | PiKa GbR (Vertretungsberechtigter Gesellschafter: Markus Pittroff, 91278 Pottenstein) | Sägekette zur Holz- und Kunststoffbearbeitung und Verfahren zur Herstellung eines Sägegliedes |
DE102018125464B4 (de) | 2018-10-15 | 2022-09-29 | PiKa GbR (Vertretungsberechtigter Gesellschafter: Markus Pittroff, 91278 Pottenstein) | Sägekette zur Holz- und Kunststoffbearbeitung und Verfahren zur Herstellung eines Sägegliedes |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100018464A1 (en) | 2010-01-28 |
BR0017216A (pt) | 2003-06-10 |
ES2252092T3 (es) | 2006-05-16 |
ATE311483T1 (de) | 2005-12-15 |
ATE299956T1 (de) | 2005-08-15 |
PT1362931E (pt) | 2005-09-30 |
ES2244870T3 (es) | 2005-12-16 |
WO2001079585A1 (de) | 2001-10-25 |
EP1362931B1 (de) | 2005-07-20 |
US7160616B2 (en) | 2007-01-09 |
US20040038033A1 (en) | 2004-02-26 |
EP1272683A1 (de) | 2003-01-08 |
US6740393B1 (en) | 2004-05-25 |
EP1272683B1 (de) | 2005-11-30 |
DE50010785D1 (de) | 2005-08-25 |
KR20030063109A (ko) | 2003-07-28 |
JP4849759B2 (ja) | 2012-01-11 |
EP1362931B2 (de) | 2019-08-21 |
US20040219294A1 (en) | 2004-11-04 |
EP1362931A1 (de) | 2003-11-19 |
DE10018143B4 (de) | 2006-05-04 |
DE10018143A1 (de) | 2001-10-25 |
EP1362931B9 (de) | 2005-10-05 |
AU2844001A (en) | 2001-10-30 |
JP2004501793A (ja) | 2004-01-22 |
KR100762346B1 (ko) | 2007-10-02 |
HK1050553A1 (en) | 2003-06-27 |
US20080311310A1 (en) | 2008-12-18 |
US7601405B2 (en) | 2009-10-13 |
DE50011775D1 (de) | 2006-01-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10018143C5 (de) | DLC-Schichtsystem sowie Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines derartigen Schichtsystems | |
EP0990061B1 (de) | Verfahren und einrichtung zum vakuumbeschichten eines substrates | |
EP1863947B1 (de) | Hartstoffschicht | |
EP2148939B1 (de) | Vakuumbehandlungsanlage und vakuumbehandlungsverfahren | |
EP1869690B1 (de) | Verfahren zum betreiben einer gepulsten arcquelle | |
EP2236641B1 (de) | Verfahren zur Vorbehandlung von Substraten fuer PVD Verfahren | |
WO2008155051A1 (de) | Pdv-verfahren und pvd-vorrichtung zur erzeugung von reibungsarmen, verschleissbeständigen funktionsschichten und damit hergestellte beschichtungen | |
EP2653583B1 (de) | Beschichtungsverfahren zur Abscheidung eines Schichtsystems auf einem Substrat | |
EP0744472B1 (de) | Verbundkörper aus vakuumbeschichtetem Sinterwerkstoff und Verfahren zu seiner Herstellung | |
EP3423609A1 (de) | Wasserstofffreie kohlenstoffbeschichtung mit zirkonium haftschicht | |
DE102008022145B4 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Hochleistungs-Puls-Gasfluß-Sputtern | |
DE102011009347B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines kohlenstoffhaltigen Schichtsystems sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: UNAXIS BALZERS AG, BALZERS, LI |
|
8363 | Opposition against the patent | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: OC OERLIKON BALZERS AG, BALZERS, LI |
|
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Representative=s name: BOCKHORNI & KOLLEGEN, 80687 MUENCHEN |
|
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: OERLIKON TRADING AG, TRUEBBACH, TRUEBBACH, CH |
|
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Representative=s name: DERZEIT KEIN VERTRETER BESTELLT |
|
R034 | Decision of examining division/federal patent court maintaining patent in limited form now final |
Effective date: 20111227 |
|
R206 | Amended patent specification |
Effective date: 20120906 |
|
R071 | Expiry of right |