DE10023758A1

DE10023758A1 - Verfahren zur Behandlung eines Halbleiterwafers und Halbleiterwafer-Tragelement

Info

Publication number: DE10023758A1
Application number: DE10023758A
Authority: DE
Inventors: Yuichi Iwakata; Hayato Noguchi; Katsuhisa Taguchi; Kazuyoshi Ebe
Original assignee: Lintec Corp
Current assignee: Lintec Corp
Priority date: 1999-05-18
Filing date: 2000-05-15
Publication date: 2001-01-25
Also published as: GB2351606A; KR100637569B1; GB0012077D0; GB2351606B; SG100617A1; US6718223B1; JP2000331962A; KR20000077293A; TW504729B; MY123518A

Abstract

Verfahren zur Behandlung eines Halbleiterwafers, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte: Befestigen eines Halbleiterwafers mit darauf ausgebildeten Schaltungen an einem Halbleiterwafer-Tragelement (11) mit einem Datenträger (1); Eingeben von für die Halbleiterwaferbearbeitung erforderlichen Informationen in den Datenträger (1); und Lesen der Informationen von dem Datenträger (1) und Bearbeiten des Halbleiterwafers gemäß den gelesenen Informationen. Die zur Prozeßsteuerung für die Halbleiterwaferbearbeitung erforderlichen Informationen werden in einen Datenträger (1) eines Halbleiterwafer-Tragelements (11) eingeprägt, so daß die Belastung des Hostcomputers verringert wird und die erforderlichen Informationen beim Übertragen der Wafer zwischen den Werken zusammen mit den Wafern übertragen werden. Außerdem können eine Reihe von Bearbeitungsoperationen in der gleichen Anordnung, in der der Wafer (Chip) an dem Tragelement (11) gehalten wird, ausgeführt werden, um somit eine Prozeßsteuerung für ihn zu erleichtern.

Description

Die Erfindung betrifft das Gebiet der Halbleiterwafer und insbesondere ein Verfahren zur Behandlung eines Halbleiterwafers sowie ein Halbleiterwafer- Tragelement zur Verwendung in dem Verfahren.

In den vergangenen Jahren gab es im Halbleiterherstellungsprozeß einen Trend zur Herstellung von immer mehr unterschiedlichen Gegenständen in kleineren Losen. Somit schwanken die Bearbeitungsbedingungen je nach den einzelnen Wafern, wobei dementsprechend eine Prozeßsteuerung in Überein stimmung mit jeder einzelnen Anzahl und mit jedem einzelnen Los ausgeführt werden muß. Außerdem müssen die Informationen auf der Qualitätsebene gesteuert werden, wobei z. B. jede einzelne auf den Wafern ausgebildete Schaltung (jeder Chip) mit ausgezeichnet, gut, zufriedenstellend oder fehler haft bewertet werden muß.

Zum Ausführen einer solchen Prozeßsteuerung oder Qualitätssteuerung wird das als "Barcode-Verfahren" bekannte Verfahren verwendet. In dem Barcode- Verfahren wird die auf eine Oberfläche eines Wafers gravierte laufende Nummer in einen Barcode auf einem Barcode-Etikett umgesetzt, woraufhin das Barcode-Etikett an einem Wafer-Tragelement angebracht wird. Anderer seits werden verschiedene Informationen in bezug auf den Wafer entsprechend der laufenden Nummer des Wafers in einem Hostcomputer registriert. Bei jedem Halbleiterwafer-Behandlungsschritt werden die zur Steuerung des Schritts erforderlichen Informationen in bezug auf die laufende Nummer von dem Hostcomputer ausgelesen und anhand der ausgelesenen Informationen die erforderlichen Operationen ausgeführt.

Eine ausführliche Beschreibung der Prozeßsteuerung zur Halbleiterwaferbear beitung gemäß dem obengenannten Barcode-Verfahren ist z. B. aus JP 4-146649-A (1992) und aus JP 9-7977-A (1997) bekannt.

In diesem Barcode-Verfahren muß der Hostcomputer zur Informationssteue rung sämtliche Informationen in bezug auf die Wafer steuern, so daß das Pro blem einer äußersten Belastung des Hostcomputers auftritt. Außerdem werden im allgemeinen nicht notwendig sämtliche Schritte der Waferbehandlung in einem Werk ausgeführt, so daß die Wafer zur Fortsetzung ihrer Behandlung von einem Werk zu einem anderen transportiert werden. Sämtliche Informa tionen in bezug auf den Wafer werden in dem Hostcomputer eines Werkes registriert. Wenn die Wafer von einem Werk zu einem anderen transportiert werden, muß somit auf den Hostcomputer des einen Werkes von einem ande ren Werk aus zugegriffen werden, um notwendige Informationen auszulesen, oder die in dem Hostcomputer registrierten Informationen müssen in ein In formationsaufzeichnungsmedium eingeprägt und zusammen mit den Wafern zu einem anderen Werk transportiert werden, wo die Informationen in bezug auf die Wafer in einem Hostcomputer eines anderen Werkes erneut registriert werden. Dies macht die Prozeßsteuerung arbeitsintensiv.

Die Erfindung ist auf die Lösung der obengenannten Probleme des Standes der Technik gerichtet.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Halb leiterbehandlung zu schaffen, das ermöglicht, die Belastung eines Hostcom puters zu verringern, und eine Informationssteuerung selbst dann erleichtert, wenn die Wafer zwischen Herstellungswerken transportiert werden.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch ein Verfahren zur Be handlung eines Halbleiterwafers nach Anspruch 1 bzw. durch ein Halbleiter wafer-Tragelement nach Anspruch 3. Weiterbildungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.

Das Verfahren zur Behandlung eines Halbleiterwafers gemäß der Erfindung umfaßt die folgenden Schritte:
Befestigen eines Halbleiterwafers mit darauf ausgebildeten Schaltungen an einem Halbleiterwafer-Tragelement mit einem Datenträger;
Eingeben von für die Halbleiterwaferbearbeitung erforderlichen Informa tionen in den Datenträger; und
Lesen der Informationen von dem Datenträger und Bearbeiten des Halbleiterwafers gemäß den gelesenen Informationen.

In diesem Halbleiterwafer-Behandlungsverfahren umfaßt das Bearbeiten des Halbleiterwafers bevorzugt das Schleifen der Rückseite des Halbleiterwafers und/oder das Schneiden des Halbleiterwafers und/oder das Abheben der durch das Schneiden erzeugten Halbleiterchips.

Das Halbleiterwafer-Tragelement der Erfindung ist zur Verwendung in dem obengenannten Halbleiterwafer-Behandlungsverfahren geeignet und enthält einen Datenträger.

Das Halbleiterwafer-Tragelement der Erfindung kann z. B. umfassen:
ein erstes Halbleiterwafer-Tragelement mit einer harten Platte, auf der der Datenträger befestigt ist;
ein zweites Halbleiterwafer-Tragelement mit einer harten Platte, in der der Datenträger vergraben ist;
ein drittes Halbleiterwafer-Tragelement mit einem Ringrahmen, auf dem der Datenträger befestigt ist; oder
ein viertes Halbleiterwafer-Tragelement mit einem Ringrahmen und mit einem durch den Ringrahmen gespannten Haftbogen, wobei der Datenträger auf den Haftbogen aufgeklebt ist.

Bei dem Halbleiterwafer-Tragelement der Erfindung werden die Informatio nen in bezug auf den Zustand des abgestützten Halbleiterwafers, in bezug auf die Qualität der auf einer Oberfläche des Halbleiterwafers ausgebildeten Schaltungen und in bezug auf die für eine Prozeßsteuerung der Halbleiterwa ferbearbeitung erforderlichen Daten bevorzugt in den Datenträger eingeprägt.

Gemäß der Erfindung werden die zur Prozeßsteuerung für die Halbleiterwa ferbearbeitung erforderlichen Informationen in den Datenträger des Halblei terwafer-Tragelements eingeprägt, so daß die Belastung des Hostcomputers verringert wird, wobei ferner beim Transport der Wafer zwischen den Werken die erforderlichen Informationen zusammen mit den Wafern übertragen wer den, um somit das Steuern der Informationen für sie zu erleichtern.

Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung werden deutlich beim Lesen der folgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen, die auf die Zeichnung Bezug nimmt; es zeigen:

Fig. 1 eine erste Schnittansicht des ersten Halbleiterwafer-Tragelements der Erfindung;

Fig. 2 eine Schnittansicht des zweiten Halbleiterwafer-Tragelements der Erfindung;

Fig. 3 eine Schnittansicht einer abgewandelten Form des zweiten Halblei terwafer-Tragelements;

Fig. 4 eine Schnittansicht einer weiteren abgewandelten Form des zweiten Halbleiterwafer-Tragelements;

Fig. 5 eine Schnittansicht und eine perspektivische Ansicht des dritten Halbleiterwafer-Tragelements der Erfindung; und

Fig. 6 eine Schnittansicht und eine perspektivische Ansicht des vierten Halbleiterwafer-Tragelements der Erfindung.

Wie oben erwähnt wurde, umfaßt das Verfahren der Behandlung eines Hal bleiterwafers gemäß der Erfindung die folgenden Schritte:

1. Befestigen eines Halbleiterwafers mit darauf ausgebildeten Schaltungen auf einem Halbleiterwafer-Tragelement mit einem Datenträger (im folgenden "Waferbefestigungsschritt (1)" genannt);
2. Eingeben von für die Halbleiterwaferbearbeitung erforderlichen Informationen in den Datenträger (im folgenden "Informationseingabeschritt (2)" genannt); und
3. Lesen der Informationen von dem Datenträger und Bearbeiten des Halbleiterwafers gemäß den gelesenen Informationen (im folgenden "Bear beitungsschritt (3)" genannt).

Als Halbleiterwafer können herkömmliche Silicium- und Galliumarsenid- Halbleiterwafer und dergleichen erwähnt werden. Der Halbleiterwafer zur Verwendung in der Erfindung ist jedoch nicht auf diese beschränkt, und es können verschiedene Halbleiterwafer verwendet werden.

Die Ausbildung von Schaltungen auf einer Waferoberfläche kann mit ver schiedenen Verfahren einschließlich herkömmlicher Prozesse wie etwa mit dem Ätzprozeß und mit dem Abhebeprozeß ausgeführt werden. Bei diesen Verfahren kann sich auf der Rückseite des Wafers eine Oxidschicht ausbilden. Diese Schicht wird durch das später beschriebene Schleifen der Rückseite des Wafers entfernt.

In dem Waferbefestigungsschritt (1) wird der Halbleiterwafer mit den darauf ausgebildeten Schaltungen auf einem Halbleiterwafer-Tragelement der Erfin dung befestigt. Dieses Halbleiterwafer-Tragelement enthält einen Datenträger. Dessen Einzelheiten werden später beschrieben.

Die Einrichtung zum Befestigen des Wafers an dem Tragelement ist nicht besonders beschränkt, wobei das Befestigen des Wafers mit verschiedenen herkömmlichen Einrichtungen ausgeführt werden kann. Das Befestigen des Wafers an dem später beschriebenen ersten und zweiten Halbleiterwafer-Trag element kann z. B. mit einem Wachs oder mit einem Zweischicht-Haftband ausgeführt werden. In der Erfindung wird die Verwendung eines Zweischicht- Haftbands, das ein Schrumpfgrundmaterial enthält und auf dessen beiden Oberflächen Haftschichten aufgetragen sind, besonders bevorzugt.

Als Schrumpfgrundmaterial können bevorzugt Wärmeschrumpffilme verwen det werden. Beispiele hierfür umfassen einachsig oder zweiachsig ausgerich tete Filme z. B. aus Polyethylenterephthalat, Polyethylen, Polystyrol, Polypro pylen, Nylon, Urethan, Polyvinylidenchlorid und Polyvinylchlorid.

Die Dicke dieser Schrumpffilme liegt allgemein im Bereich von 5 bis 300 µm und bevorzugt von 10 bis 200 µm.

Der Schrumpffilm kann eine Monolagenstruktur besitzen, wobei er einen unter den oben dargestellten einzelnen Schrumpffilmen ausgewählten Schrumpffilm enthält, oder eine Schichtstoffstruktur besitzen, wobei er mehrere unter den oben dargestellten Schrumpffilmen ausgewählte Schrumpffilme enthält. Wenn der Schrumpffilm eine Schichtstoffstruktur besitzt, enthält der Schichtstoff bevorzugt Filme, deren Schrumpffaktoren voneinander verschieden sind. Die Verwendung des aus Filmen mit voneinander verschiedenen Schrumpffakto ren bestehenden Schichtstoffs als Grundmaterial fördert die Verformung des Grundmaterials durch das Schrumpfen. Das Haftband an sich wird gemäß dem Schrumpfen des Grundmaterials verformt, so daß sich die Kontaktfläche zu dem Wafer (zu den Chips) mit dem Haftband verringert. Im Ergebnis wird die Haftstärke mit dem Wafer (mit den Chips) ebenfalls verringert, was somit, wie später beschrieben wird, das Abnehmen der Chips erleichtert.

Der als Grundmaterial verwendete Schrumpffilm kann mit mehreren winzigen Schnitten versehen sein.

Durch Vorsehen solcher Schnitte wird das Abnehmen jedes Chips erleichtert.

In dem Zweischicht-Haftbogen zur Verwendung in der Erfindung enthalten bevorzugt entweder eine oder beide Haftschichten ein mittels Energiestrahlung aushärtbares Haftmittel. Insbesondere enthält bevorzugt die Haftschicht auf der Seite, an der der Wafer angeklebt wird, ein mittels Energiestrahlung aus härtbares Haftmittel.

Das mittels Energiestrahlung aushärtbare Haftmittel enthält allgemein als Hauptbestandteile ein Acryl-Haftmittel und eine mittels Energiestrahlung polymerisierbare Verbindung.

Eine ausführliche Beschreibung dieses mittels Energiestrahlung aushärtbaren Haftmittels ist z. B. aus JP 60-196956-A (1985) und aus JP 60-223139-A (1985) bekannt.

Die Schicht des mittels Energiestrahlung aushärtbaren Haftmittels kann ein mittels Energiestrahlung aushärtbares Copolymer mit einer mittels Energie strahlung polymerisierbaren Gruppe an seiner Seitenkette enthalten. Dieses mittels Energiestrahlung aushärtbare Copolymer weist sowohl die Eigen schaften der Haftfähigkeit als auch der Aushärtbarkeit mittels Energiestrah lung auf. Eine ausführliche Beschreibung des mittels Energiestrahlung aus härtbaren Copolymers mit einer mittels Energiestrahlung polymerisierbaren Gruppe an seiner Seitenkette ist z. B. aus JP 5-32946-A (1993) und aus JP 8-27239-A (1996) bekannt.

Das obenerwähnte mittels Energiestrahlung aushärtbare Haftmittel weist vor der Bestrahlung mit der Energiestrahlung eine ausreichende Haftstärke an dem Wafer (an den Chips) auf, während sich die Haftstärke nach der Bestrahlung mit der Energiestrahlung merklich verringert. Das heißt, der Wafer (die Chips) wird vor der Bestrahlung mit der Energiestrahlung mit ausreichender Haft stärke gehalten, während sich die Haftstärke nach der Bestrahlung mit der Energiestrahlung verringert, um somit ein leichtes Abtrennen der erhaltenen Chips zu ermöglichen.

Die von der Schicht des mittels Energiestrahlung aushärtbaren Haftmittels verschiedene Haftschicht kann aus verschiedenen herkömmlichen Haftmitteln ausgebildet sein. Diese Haftmittel können z. B. wiederablösbare Haftmittel auf Gummi-, Acryl-, Silikon-, Polyurethan- oder Polyvinyletherbasis oder derglei chen sein, wobei sie jedoch keinesfalls auf diese beschränkt sind. In der Erfin dung enthalten die Haftschichten jedoch besonders bevorzugt auf beiden Sei ten des Bogens die obengenannten mittels Energiestrahlung aushärtbaren Haftmittel.

Obgleich die Dicke jeder der Haftschichten von der Art des darin verwendeten Materials abhängt, liegt sie allgemein im Bereich von 3 bis 100 µm und be vorzugt von 10 bis 50 µm.

In dem dritten Halbleiterwafer-Tragelement kann das Befestigen des Wafers dadurch ausgeführt werden, daß der Haftbogen durch den Ringrahmen ge spannt wird. Dieser Haftbogen kann irgendeiner der z. B. aus JP 60-196956-A (1985) und aus JP 8-27239-A (1996) bekannten Haftbögen sein.

Das an sich später beschriebe vierte Halbleiterwafer-Tragelement besitzt einen Haftbogen, der als Einrichtung zum Befestigen des Wafers wirkt. Dieser Haft bogen kann der gleiche sein wie derjenige, der in dem dritten Halbleiterwafer- Tragelement verwendet wird.

In dem Informationseingabeschritt (2) werden in den Datenträger Informatio nen in bezug auf den Zustand des Halbleiterwafers und in bezug auf das Qua litätsniveau jeder einzelnen Schaltung sowie Informationen in bezug auf die für eine Prozeßsteuerung erforderlichen Daten eingegeben. Der hier verwen dete Fachausdruck "Zustand des Halbleiterwafers" bedeutet z. B. die Halblei terwaferdicke, die Dickengenauigkeit, die Anwesenheit eines Fehlers in dem Halbleiterwafer usw., wobei diese Informationen, wie später beschrieben wird, in dem Schritt des Schleifens der Rückseite des Halbleiterwafers verwendet werden können. Ferner können die Informationen in bezug auf die Anzahl der Schaltungen, in bezug auf die Schaltungsgröße, in bezug auf den Abstand zwischen den Schaltungen usw., wie später beschreiben wird, z. B. in dem Schritt des Schneidens des Halbleiterwafers verwendet werden. Das Qualitäts niveau jeder einzelnen Schaltung bezieht sich z. B. auf die Steuerbarkeit und Dauerhaftigkeit jeder einzelnen Schaltung, die als ausgezeichnet, gut, zufrie denstellend oder fehlerhaft bewertet wird. Wie später beschrieben wird, kön nen diese Informationen in dem Schritt des Ablösens der Halbleiterchips ver wendet werden. Diese Rangordnung jedes einzelnen Chips ermöglicht eine Klassifizierung und eine Verwendung der Chips in Übereinstimmung mit der Anwendung, so daß z. B. ausgezeichnete Chips in hochwertige Erzeugnisse oder in Erzeugnisse, die in harten Umgebungsbedingungen betrieben werden, eingebaut werden, während Chips, die nicht ausgezeichnet, aber zufrieden stellend steuerbar sind, in Universalerzeugnisse oder in Erzeugnisse, die in einer leichten Umgebung betrieben werden, eingebaut werden. Fehlerhafte Chips werden in dem Abnahmeschritt ausgeschlossen. Die für eine Prozeß steuerung erforderlichen Daten sind z. B. in dem Schritt des Schleifens der Rückseite des Halbleiterwafers Informationen in bezug auf die Schleifmenge, in bezug auf die Schleifgeschwindigkeit, in bezug auf die endgültige Wafer dicke usw., während es in dem Schritt des Schneidens des Halbleiterwafers Informationen in bezug auf die Art des Schneidemessers, in bezug auf die Schneidegeschwindigkeit, in bezug auf den Abstand zwischen den Schneideli nien usw. sind. In dem Abnahmeschritt sind dies Informationen in bezug auf die Stellen, an denen die Chips in Korrelation mit dem Qualitätsniveau der Chips angebracht sind.

Anstatt wie oben beschrieben den Informationseingabeschritt (2) auf den Wa ferbefestigungsschritt (1) folgen zu lassen, kann der Informationseingabe schritt (2) vor dem Waferbefestigungsschritt (1) ausgeführt werden.

Ferner kann der Informationseingabeschritt (2) in Übereinstimmung mit dem Prozeßfortschritt mehrmals ausgeführt werden.

In dem Waferbearbeitungsschritt (3) wird unter allen Operationen, die erfor derlich sind, um aus dem Halbleiterwafer mit den darauf ausgebildeten Schaltungen Chips zu erhalten, wie etwa dem Schleifen des Halbleiterwafers auf seiner Rückseite, dem Schneiden des Halbleiterwafers und dem Abnehmen der durch das Schneiden erzeugten Halbleiterchips, wenigstens eine Operatio nen ausgeführt. Wenn diese Operationen ausgeführt werden, werden aus dem Datenträger, in dem die Informationen eingeprägt sind, die für jede besondere Operation erforderlichen Informationen ausgelesen.

In dem Schritt des Schleifens der Rückseite des Halbleiterwafers wird eine bei der Bildung der Schaltungen auf der Rückseite des Halbleiterwafers gebildete Oxidschicht entfernt und der Halbleiterwafer auf eine gegebene Dicke ge schliffen. In diesem Schritt werden von dem Datenträger nicht nur Informatio nen in bezug auf den Zustand des Halbleiterwafers wie etwa die Halbleiterwa ferdicke, die Dickengenauigkeit, das Vorhandensein eines Fehlers usw. vor dem Schleifen der Rückseite, sondern auch die für eine Prozeßsteuerung er forderlichen Daten wie etwa die Schleifmenge, die Schleifgeschwindigkeit, die endgültige Waferdicke usw. zum Zeitpunkt des Schleifens der Rückseite gelesen. Das Schleifen der Rückseite kann mit einer herkömmlichen Einrich tung wie etwa mit einer Schleifmaschine ausgeführt werden.

In dem Schritt des Schneidens des Halbleiterwafers wird der Halbleiterwafer in die einzelnen Schaltungen zerschnitten, um somit die Halbleiterchips zu erhalten. In diesem Schritt werden von dem Datenträger Informationen in bezug auf den Zustand der auf der Oberfläche des Halbleiterwafers ausgebil deten Schaltungen wie etwa die Anzahl der Schaltungen, die Schaltungsgröße, der Abstand zwischen den Schaltungen usw. sowie die für eine Prozeßsteue rung erforderlichen Daten wie etwa die Art des zum Zeitpunkt des Schneidens verwendeten Schneidemessers, der Abstand zwischen den Schnittlinien usw. gelesen. Das Schneiden des Halbleiterwafers kann mit einer herkömmlichen Schneidevorrichtung ausgeführt werden. In dem Halbleiterwafer-Behand lungsverfahren der Erfindung kann die Schaltungsseite im Schneideschritt möglicherweise mit dem Halbleiterwafer-Tragelement in Kontakt gelangen, was somit eine direkte visuelle Untersuchung des Zustands der Schaltungen unmöglich macht. Mit einem durchsichtigen Halbleiterwafer-Tragelement kann das Schneiden aber auch in diesem Fall während der Untersuchung des Zustands der Bildung der Schaltungen von der Tragelementseite her ausge führt werden. Wenn der Halbleiterwafer auf eine äußerst kleine Dicke ge schliffen wird, gibt es außerdem Fälle, in denen der Zustand der Bildung der Schaltungen von der Rückseite des Halbleiterwafers aus untersucht werden kann. Somit kann das Schneiden völlig problemlos ausgeführt werden.

In dem Schritt des Abnehmens der durch das Schneiden gebildeten Halbleiter chips werden diese von dem Halbleiterwafer-Tragelement getrennt und auf einem gegebenen Substrat wie etwa auf einem Führungsrahmen angebracht. In diesem Schritt werden von dem Datenträger Informationen in bezug auf das ausgehend von den Ergebnissen ihrer Untersuchung als ausgezeichnet, gut, zufriedenstellend oder fehlerhaft bewertete Qualitätsniveau der Chips, z. B. in bezug auf die Steuerbarkeit und Dauerhaftigkeit jeder einzelnen Schaltung, sowie für eine Prozeßsteuerung erforderliche Informationen wie etwa die Daten in bezug auf die Stellen, an denen die Chips in Korrelation mit dem Qualitätsniveau der Schaltungen angebracht sind, gelesen.

In dem Halbleiterwafer-Behandlungsverfahren der Erfindung wird der Halb leiterwafer an dem Halbleiterwafer-Tragelement befestigt. Wenn als das Halb leiterwafer-Tragelement ein Zweischicht-Haftbogen verwendet wird, der ein Schrumpfgrundmaterial und auf dessen beiden Seiten überlagerte Haftschich ten umfaßt, wird der Zweischicht-Haftbogen durch Schrumpfen des Grund materials verformt und somit die Kontaktfläche zwischen den Chips und der Haftschicht verringert. Somit kann das Abnehmen der Chips erleichtert wer den. Wenn in der Haftschicht das mittels Energiestrahlung aushärtbare Haft mittel verwendet wird, wird die Haftschicht außerdem durch Bestrahlen mit Energiestrahlung ausgehärtet, um somit die Haftstärke zu verringern. Somit kann das Abnehmen der Chips weiter erleichtert werden.

Im folgenden wird das Halbleiterwafer-Tragelement der Erfindung ausführli cher beschrieben.

Das Halbleiterwafer-Tragelement der Erfindung ist zur Verwendung in dem obengenannten Halbleiterwafer-Behandlungsverfahren geeignet und enthält den Datenträger.

Der hier verwendete Fachausdruck "Datenträger" bedeutet eine Vorrichtung mit einem Bestandteil, in den Informationen eingeprägt werden können, wobei eine Informationseingabe und ein Informationsumladen durchgeführt werden, und der auf eine Abfrage von einer Abfrageeinrichtung hin eine Antwort in bezug auf die eingegebenen Informationen sendet. In der Erfindung wird be vorzugt von einem kontaktlosen Datenträger Gebrauch gemacht, der Informa tionen mittels einer elektromagnetischen Welle kontaktlos ein- und ausgeben kann. Als der kontaktlose Datenträger kann ein als "HF-Speicher" bekanntes Bauelement mit einem IC-Chip und mit einer an ihn angeschlossenen leiten den Spule erwähnt werden.

Genauer kann das Halbleiterwafer-Tragelement der Erfindung umfassen:
das erste Halbleiterwafer-Tragelement mit einer harten Platte, auf der der Datenträger befestigt ist;
das zweite Halbleiterwafer-Tragelement mit einer harten Platte, in der der Datenträger vergraben ist;
das dritte Halbleiterwafer-Tragelement mit einem Ringrahmen, auf dem der Datenträger befestigt ist; oder
das vierte Halbleiterwafer-Tragelement mit einem Ringrahmen und mit einen durch den Ringrahmen gespannten Haftbogen, wobei der Datenträger auf den Haftbogen aufgeklebt ist.

In den Datenträger können bevorzugt Informationen in bezug auf den Zustand des obenerwähnten abgestützten Halbleiterwafers, in bezug auf das Qualitäts niveau der auf der Oberfläche des Halbleiterwafers ausgebildeten Schaltungen und in bezug auf die für eine Prozeßsteuerung für die Halbleiterwaferbearbei tung erforderlichen Daten eingeprägt werden.

Die obenerwähnten unterschiedlichen Formen von Halbleiterwafer-Tragele menten werden unten mit Bezug auf die beigefügte Zeichnung genauer be schrieben.

Wie in Fig. 1 gezeigt ist, umfaßt das erste Halbleiterwafer-Tragelement 11 die harte Platte 2 mit dem darauf befestigten Datenträger 1.

Als harte Platte 2 kann z. B. eine Glasplatte, eine Quarzplatte oder eine Kunst stoffplatte wie etwa eine Acrylplatte, eine Polyvinylchloridplatte, eine Polye thylenterephthalatplatte, eine Polypropylenplatte oder eine Polycarbonatplatte verwendet werden. Die (gemäß der ASTM D 883 gemessene) Härte der Kunststoffplatte beträgt bevorzugt mindestens 70 MPa. Obgleich die Dicke der harten Platte 2 von der Art des darin verwendeten Materials abhängt, liegt sie allgemein im Bereich von etwa 0,1 bis 10 mm. Wenn beim Befestigen des Halbleiterwafers wie zuvor erwähnt der Zweischicht-Haftbogen mit der Schicht aus einem mittels Energiestrahlung aushärtbaren Haftmittel verwendet wird, während als Energiestrahlung Ultraviolettstrahlung verwendet wird, wird die harte Platte 2 aus einem für Ultraviolettstrahlung durchlässigen Mate rial gebildet.

Die Form der harten Platte 2 ist nicht besonders beschränkt und kann z. B. ein Kreis oder ein Rechteck oder ein Rechteck mit einer halbkreisförmigen Seite sein. Die harte Platte 2 muß jedoch größer als der abgestützte Halbleiterwafer sein.

Der Halbleiterwafer wird in einem Mittelteil der harten Platte 2 abgestützt, während der Datenträger 1 an einem Umfangsabschnitt der harten Platte 2 befestigt ist, so daß der Halbleiterwafer und der Datenträger 1 nicht aufeinan der gestapelt sind. Die Einrichtung zum Befestigen des Datenträgers 1 auf der harten Platte 2 ist nicht besonders beschränkt, wobei das Befestigen mit einer herkömmlichen Einrichtung wie etwa mit einem Klebemittel oder mit einem Zweischicht-Haftband ausgeführt werden kann. Alternativ kann der Datenträ ger 1 mit dem Ätzverfahren oder mit dem Druckverfahren direkt auf der har ten Platte 2 ausgebildet werden.

In dem ersten Halbleiterwafer-Tragelement 11 wird der Schutzbogen 3 bevor zugt auf den Datenträger 1 geklebt. Der Schutzbogen kann z. B. ein Haftbogen mit einem Grundmaterial wie etwa mit einem Polyethylenfilm oder ein mit einem Haftmittel beschichteter Polyethylenterephthalatfilm sein. Die Dicke des Schutzbogens liegt bevorzugt im Bereich von etwa 10 bis 200 µm. Ferner kann anstelle der Verwendung des Schutzbogens das Vergießen mit einem Harz wie etwa mit einem Epoxidharz oder mit einem Urethanharz erfolgen. Zum Zeitpunkt des Schleifens der Rückseite des Halbleiterwafers oder des Schneidens des Halbleiterwafers, währenddessen zum Beseitigen des Schleif staubs oder der Schleifwärme Wasser zerstäubt wird, ermöglicht das Ankleben des Schutzbogens 3 den Schutz des Datenträgers 1 gegenüber dem Schleif staub und -wasser.

Wie in Fig. 2 gezeigt ist, umfaßt das zweite Halbleiterwafer-Tragelement 12 eine harte Platte 2 mit einem darin vergrabenen Datenträger 1. Die harte Platte 2 ist die gleiche Platte, wie sie oben erwähnt wurde. Bei der Konstruktion nach Fig. 2 ist in einem Teil des Umfangs der harten Platte 2 ein Schnitt vor gesehen. Der Datenträger 1 ist in dem Schnitt angeordnet und mit dem Harz 4 vergossen.

Wie in Fig. 3 gezeigt ist, ist von einer Seite der harten Platte 2 aus ein Loch vorgesehen. Der Datenträger 1 ist in das Loch eingesetzt und mit dem Harz 4 vergossen. Somit kann das zweite Halbleiterwafer-Tragelement 12 erhalten werden.

Wie in Fig. 4 gezeigt ist, sind zwei harte Platten 2 aufeinander gestapelt, wo bei der dazwischenliegende Datenträger 1 und die Abstandshalter 5 die gleiche Dicke haben, und wobei der Umfang der harten Platten 2 mit dem Harz 4 vergossen ist. Somit kann das zweite Halbleiterwafer-Tragelement 12 erhalten werden.

Wenn der Halbleiterwafer mit einem Zweischicht-Haftband in der Weise an dem ersten oder zweiten Halbleiterwafer-Tragelement befestigt wird, daß die Schaltungsseite des Halbleiterwafers an dem Halbleiterwafer-Tragelement gehalten wird, können sämtliche Schritte des Schleifens der Rückseite des Halbleiterwafers, des Schneidens des Halbleiterwafers und des Abnehmens der Halbleiterchips in der gleichen Anordnung ausgeführt werden, wobei der Halbleiterwafer durch das Halbleiterwafer-Tragelement gehalten wird.

Wie in Fig. 5 gezeigt ist, umfaßt das dritte Halbleiterwafer-Tragelement 13 einen Ringrahmen 6 mit einem darauf befestigten Datenträger 1.

Wie in Fig. 6 gezeigt ist, umfaßt das vierte Halbleiterwafer-Tragelement 14 den Ringrahmen 6 und den durch den Ringrahmen 6 gespannten Haftbogen 7, wobei der Datenträger 1 an dem Haftbogen 7 angeklebt ist.

In dem dritten Halbleiterwafer-Tragelement 13 sowie in dem vierten Halblei terwafer-Tragelement 14 kann der Schutzbogen 3 zum Schutz des Datenträ gers 1 an dem Datenträger angeklebt werden oder der Datenträger 1 in der gleichen Weise wie in dem obenbeschriebenen ersten Halbleiterwafer-Trag element 11 mit einem Harz vergossen werden.

Obgleich für den durch den Ringrahmen 6 in dem vierten Halbleiterwafer- Tragelement 14 gespannten Haftbogen 7 bisher bei der Bearbeitung von Hal bleiterwafern verwendete Haftbögen ohne besondere Einschränkung verwen det werden können, wird in der Erfindung die Verwendung eines Haftbogens mit einer Schicht aus einem mittels Energiestrahlung aushärtbaren druckemp findlichen Klebemittel besonders bevorzugt. Eine ausführliche Beschreibung eines solchen mittels Energiestrahlung aushärtbaren Haftbogens ist z. B. aus JP 60-196956-A (1985), aus JP 60-223139-A (1985), aus JP 5-32946-A (1993) und JP 8-27239-A (1996) bekannt.

Auswirkung der Erfindung

Wie aus der obigen Beschreibung hervorgeht, werden die zur Prozeßsteuerung für die Halbleiterwaferbearbeitung erforderlichen Informationen in der Erfin dung in den Datenträger des Halbleiterwafer-Tragelements eingeprägt, so daß sich die Belastung des Hostcomputers verringert während ferner beim Über tragen der Wafer zwischen den Werken die erforderlichen Informationen zusammen mit den Wafern übertragen werden, um somit das Steuern der In formationen für diese zu erleichtern.

Außerdem können in der Erfindung eine Reihe von Operationen des Schlei fens der Rückseite, des Schneidens und des Abnehmens in der gleichen An ordnung ausgeführt werden, wobei der Wafer (Chip) an dem Tragelement gehalten wird, um somit eine Prozeßsteuerung für ihn zu erleichtern, und wobei die Beförderung zwischen verschiedenen Operationen in der Anord nung, in der der Wafer an dem Tragelement gehalten wird, ausgeführt werden kann, um somit einen Bruch des Wafers während der Beförderung zu verhin dern.

Beispiel

Die Erfindung wird im folgenden mit Bezug auf die folgenden Beispiele, die den Geltungsbereich der Erfindung in keiner Weise einschränken, weiter ver anschaulicht.

Es werden der folgende Datenträger und die folgende Daten-Ein gabe/Ausgabe-Vorrichtung verwendet:
Datenträger: Der Datenträger wird dadurch vorbereitet, daß ein Kupfer draht mit dem Durchmesser von 0,2 mm um eine Polyethylenterephthalat- Grundmaterialplatte mit einer Länge von 1 cm, mit einer Breite von 3 cm und mit einer Dicke von 50 µm gewickelt wird, um somit eine Spule mit 10 Wicklungen zu erhalten, wobei an die Spule ein (von Philips hergestellter) IC- Chip MIFARE ICS50 angeschlossen wird; und
Abfrageeinrichtung: MIFARE EV500 (hergestellt von Philips).

Beispiel 1

Der Datenträger wurde mit einem Zweischicht-Haftband an einem Umfangs abschnitt einer Glasplatte mit einem Durchmesser von 150 mm und mit einer Dicke von 1 mm angeklebt. Auf die Oberfläche des Datenträgers wurde ein Schutzband geklebt, das einen mit einem Acryl-Haftmittel beschichteten 25 µm dicken Polyethylenterephthalatfilm enthielt. Somit wurde ein wie in Fig. 1 gezeigtes Halbleiter-Tragelement erhalten.

Auf der Glasplatte wurde mit einem Zweischicht-Haftband, das ein 25 µm dickes Grundmaterial aus Wärmeschrumpf-Polyethylenterephthalat enthält, dessen beide Oberflächen mit einer aus 100 Gewichtsanteilen eines Acryl haftmittels, 30 Gewichtsanteilen Pentaerythritoltriacrylat und 5 Gewichtsan teilen 1-Hydroxycyclohexylphenylketon bestehenden 15 µm dicken Schicht aus einem mittels Ultraviolettstrahlung aushärtbaren Haftmittel versehen sind, ein 700 µm dicker 5-Zoll-Halbleiterwafer mit darauf ausgebildeten Schaltun gen befestigt.

Nachfolgend wurden über die Abfrageeinrichtung in den Datenträger Prozeß steuerinformationen (d. h. die Dicke des fertigen Halbleiterwafers: 100 µm, die Chipgröße: 2 mm × 3 mm und der Schnittlinienabstand: 110 µm) eingege ben.

Die für das Schleifen der Rückseite und für das Schneiden erforderlichen Informationen wurden von dem Datenträger ausgegeben, und das Schleifen der Rückseite und das Schneiden wurde gemäß diesen Informationen ausge führt. Somit konnte eine Halbleiterwaferbearbeitung gemäß den Prozeßsteu erinformationen erreicht werden.

Danach wurden die elektrischen Eigenschaften jedes Einzelchips nach dem Schneiden untersucht und die Informationen über die Steuerbarkeit und die Haltbarkeit jedes Einzelchips in den Datenträger eingegeben.

Das Zweischicht-Haftband wurde von der Glasplattenseite mit Ultraviolett strahlung bestrahlt (Bestrahlungsstärke: 160 W/cm), worauf ein Erwärmen auf 100°C folgte. Die Chips wurden abgenommen, während die Informationen über die Steuerbarkeit und über die Haltbarkeit jedes einzelnen Chips von dem Datenträger wiedergewonnen wurden. Somit konnte ein Abheben gemäß den Informationen ausgeführt werden.

Beispiel 2

Ein 5-Zoll-Halbleiterwafer mit darauf ausgebildeten Schaltungen wurde mit einem Haftstreifen, der ein Polyethylenterephthalat-Grundmaterial enthielt, dessen eine Oberfläche mit der gleichen mittels Ultraviolettstrahlung aushärt baren Haftschicht wie in Beispiel 1 versehen ist, auf einem Polycarbonatring rahmen befestigt.

Nachfolgend wurde der Datenträger an den Ringrahmen geklebt und ein Schutzband auf die Oberfläche des Datenträgers geklebt.

Mit der Daten-Eingabe/Ausgabe-Vorrichtung wurden in den Datenträger die gleichen Informationen wie in Beispiel 1 eingegeben.

Die zum Schneiden erforderlichen Informationen wurden von dem Datenträ ger ausgegeben und der Halbleiterwafer in Übereinstimmung mit ihnen ge schnitten. Somit konnte das Schneiden gemäß den Informationen ausgeführt werden.

Claims

1. Verfahren zur Behandlung eines Halbleiterwafers, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:
Befestigen eines Halbleiterwafers mit darauf ausgebildeten Schaltungen an einem Halbleiterwafer-Tragelement (11) mit einem Datenträger (1);
Eingeben von für die Halbleiterwaferbearbeitung erforderlichen Informa tionen in den Datenträger (1); und
Lesen der Informationen von dem Datenträger (1) und Bearbeiten des Halbleiterwafers gemäß den gelesenen Informationen.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Bearbeiten des Halbleiterwafers das Schleifen der Rückseite des Halbleiterwafers und/oder das Schneiden des Halbleiterwafers und/oder das Abheben der durch das Schneiden erzeugten Halbleiterchips ist.

3. Halbleiterwafer-Tragelement, gekennzeichnet durch einen Datenträger.

4. Halbleiterwafer-Tragelement nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch eine harte Platte (2), auf der der Datenträger (1) befestigt ist.

5. Halbleiterwafer-Tragelement nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch eine harte Platte (2), in der der Datenträger (1) vergraben ist.

6. Halbleiterwafer-Tragelement nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch einen Ringrahmen (6), auf dem der Datenträger (1) befestigt ist.

7. Halbleiterwafer-Tragelement nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch einen Ringrahmen (6) und einen durch den Ringrahmen (6) gespannten Haft bogen (7), wobei der Datenträger (1) auf den Haftbogen (7) aufgeklebt ist.

8. Halbleiterwafer-Tragelement nach einem der Ansprüche 3 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Informationen in bezug auf den Zustand des abge stützten Halbleiterwafers, in bezug auf die Qualität der auf einer Oberfläche des Halbleiterwafers ausgebildeten Schaltungen und in bezug auf die für eine Prozeßsteuerung der Halbleiterwaferbearbeitung erforderlichen Daten in den Datenträger (1) eingeprägt werden.