DE10025261A1

DE10025261A1 - Flüssigkristallanzeige und Verfahren zum Herstellen derselben

Info

Publication number: DE10025261A1
Application number: DE10025261A
Authority: DE
Inventors: Tae Wun Ko; Sung Il Park; Dong Yeung Kwak; Gun Hee Lee; Kwang Sup Park
Original assignee: LG Philips LCD Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 1999-05-21
Filing date: 2000-05-22
Publication date: 2001-02-15
Anticipated expiration: 2020-05-23
Also published as: JP2000347173A; JP3488855B2; GB0012241D0; US8184254B2; FR2793894A1; US20110109866A1; GB2350204B; FR2793894B1; GB2350204A; US7889306B1; DE10025261B4

Abstract

Flüssigkristallanzeige und Verfahren zum Herstellen derselben, die bzw. das vermag, die Adhäsion zwischen einem Dichtmittel und einer unteren Platte in einem Feld mit einem hohen Aperturverhältnis, auf welches Feld eine organische Schutzschicht aufgebracht ist, zu verstärken. Die organische Schutzschicht und eine Gateisolierungsschicht sind so strukturiert, daß das Dichtmittel in direktem Kontakt mit einem Substrat steht. Entsprechend wird die organische Schutzschicht oder die Gateisolierungsschicht in dem mit dem Dichtmittel beschichteten Bereich teilweise oder vollständig entfernt, so daß das Dichtmittel in direkten Kontakt mit der Gateisolierungsschicht oder dem unteren Glas gebracht wird, wodurch die Adhäsion zwischen dem Dichtmittel und der unteren Platte verstärkt ist.

Description

Die Erfindung schafft eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung, und insbesondere eine Flüssigkristallanzeige, die zu einer verstärkenden Adhäsion zwischen der oberen und der unteren Platte eines Felds mit einem hohen Aperturverhältnis, auf wel ches Feld eine organische Schutzschicht aufgetragen ist, fähig ist, und ein Verfahren zum Herstellen derselben.

Allgemein wird bei einer Flüssigkristallanzeige (LCD) die Lichtdurchlässigkeit gemäß Videosignalen durch in einem Matrix muster angeordnete Flüssigkristallzellen gesteuert, so dass ein den Videosignalen entsprechendes Bild auf einem Flüssigkri stallfeld angezeigt wird. Zu diesem Zweck weist die LCD ein Flüssigkristallfeld mit Aktivmatrix-artig angeordneten Flüssig kristallzellen und integrierte Ansteuerschaltungen (ICs) zum Ansteuern der Flüssigkristallzellen auf. Die ICs sind üblicher weise in Chipform hergestellt und werden im Fall eines Tape Automated Bonding (TAB)-Systems auf einem Tape Carrier Package montiert, oder im Fall eines Chip-auf-Glas (COG)-Systems auf der Oberfläche des Flüssigkristallfelds montiert. Im Fall eines TAB-Systems sind die Ansteuer-ICs mittels des TCP mit einer auf dem Flüssigkristallfeld vorgesehenen Kontaktierungsfläche elek trisch gekoppelt.

Fig. 1 zeigt eine Draufsicht auf ein Flüssigkristallfeld 2, das eine Struktur mit einer unteren Platte 4 und einer gegen überliegenden und daran haftenden oberen Platte 6 aufweist. In Bezug auf Fig. 1 weist das Flüssigkristallfeld 2 einen Bild anzeigeteil 8 mit in einem Matrixmuster angeordneten Flüssig kristallzellen, Gatekontaktierungsflächen 12 und Datenkontak tierungsflächen 14 auf, die mit Gateleitungen bzw. Datenleitun gen des Bildanzeigeteils 8 verbunden sind. Im Bildanzeigeteil 8 kreuzen sich die Datenleitungen, an denen Videosignale anliegen und Gateleitungen, an denen ein Abtastsignal, d. h. ein Gatesi gnal an der unteren Platte 4 anliegt. An den Kreuzungen sind Dünnschichttransistoren (TFTs) zum Schalten der Flüssigkristall zellen und mit den Dünnschichttransistoren verbundene Pixelele troden zum Ansteuern der Flüssigkristallzellen vorgesehen. An der oberen Platte 6 sind Farbfilter vorgesehen, die mittels einer schwarzen Matrix und einer gemeinsamen transparenten Elektrode, die einen Gegenpart zur Pixelelektrode darstellt, für jeden Bereich gesondert schichtartig aufgetragen sind. Die untere Platte 4 und die obere Platte 6, die die oben beschrie bene Konfiguration aufweisen, sind durch einen Spacer (Spacer = Abstandsstück) voneinander getrennt und weisen innerhalb des selben einen Zellspalt auf. Der Zellspalt ist mit einem Flüs sigkristallmaterial gefüllt. Die untere Platte 4 haftet mittels eines auf die Dichtung 10, die außerhalb des Bildanzeigeteils 8 angeordnet ist, schichtartig aufgetragenen Dichtmittels an der oberen Platte 6. Die Gatekontaktierungsflächen 12 und die Da tenkontaktierungsflächen 14 sind an dem Rand der unteren Platte 4 angeordnet, der nicht mit der oberen Platte 6 überlappt. Von den Gatekontaktierungsflächen 12 werden von den Gate-Ansteuer- ICs angelegte Gatesignale an die Gateleitungen des Bildanzeige teils 8 angelegt. Von den Datenkontaktierungsflächen 14 werden von den Daten-Ansteuer-ICs angelegte Videosignale an die Daten leitungen des Bildanzeigeteils 8 angelegt.

Die untere Platte 4 ist vollständig mit einer Schutzschicht zum Schutz der Metallelektroden und der Dünnschichttransistoren (TFTs) beschichtet. In jedem Zellbereich sind die Pixelelek troden auf der Schutzschicht ausgebildet. Als Schutzschicht wurde üblicherweise ein anorganisches Material, z. B. SiN_x oder SiO_x, verwendet. Da die anorganische Schutzschicht eine hohe Dielektrizitätskonstante aufweist und mittels einer Gasphasen abscheidungs-Technik ausgebildet wird, hat diese Schicht den Nachteil, dass es schwierig ist, ihre Höhe bzw. Dicke zu erhö hen. Entsprechend muss zwischen den Pixelelektroden und den Datenleitungen, zwischen denen die anorganische Schicht ange ordnet ist, ein konstanter horizontaler Abstand von z. B. 3 µm bis 5 µm beibehalten werden, so dass durch parasitäre Kapazitä ten verursachte Kopplungseffekte minimiert sind. Folglich wird die Größe der Pixelelektroden, die einen Einfluss auf das Aper turverhältnis der Flüssigkristallzelle hat, verringert, so dass man ein niedriges Aperturverhältnis erhält. Um dieses Problem zu lösen, wurde kürzlich als Schutzschicht ein organisches Material mit einer relativ niedrigen Dielektrizitätskonstante verwendet. Da diese organische Schutzschicht eine niedrige Die lektrizitätskonstante von ungefähr 2,7 aufweist und mittels eines Spin-Coating-Verfahrens (Aufschleuder-Technik) ausgebil det wird, hat sie den Vorteil, dass sie zu einer gewünschten Höhe oder Dicke ausgebildet werden kann. Solch eine organische Schutzschicht minimiert den Kapazitätswert der parasitären Kapazität, so dass die Pixelelektrode mit den Datenleitungen überlappen kann, ohne dass dazwischen ein horizontaler Abstand verbleibt. In Folge ist die Größe der Pixelelektroden erhöht, so dass das Aperturverhältnis verbessert ist.

Wenn die untere und die obere Platte der Flüssigkristallanzeige mit einem so hohen Aperturverhältnis mittels eines Dichtmittels aneinandergeklebt werden, hat das Dichtmittel üblicherweise Kontakt mit der organischen Schutzschicht der unteren Platte. Jedoch hat die organische Schutzschicht bezüglich eines Dicht mittels wie z. B. Epoxid-Harz schwache Hafteigenschaften. Auch hat die organische Schutzschicht schwache Hafteigenschaften be züglich einer im unteren Teil derselben angeordneten Gateiso lierungsschicht. Dadurch wird, wenn die Stärke der organischen Schutzschicht selbst schwach ist, oder wenn die Haftung zwi schen der organischen Schutzschicht und dem Dichtmittel oder der Gateisolierungsschicht schwach ist, bereits durch einen unbedeutenden Schlag auf den schwach haftenden Teil bewirkt, dass Sprünge oder Risse auftreten oder Schichten sich vonein andet trennen. Folglich tritt das Problem auf, dass Flüssigkri stall durch einen schwach haftenden Teil zwischen dem Dicht mittel und der Gateisolierungsschicht des unteren und des obe ren Teils der organischen Schutzschicht hindurchleckt. Im Fol genden wird das Problem bei herkömmlichen Flüssigkristallanzei gen anhand der Zeichnung im Detail beschrieben.

Fig. 2 zeigt eine vergrößerte Ansicht eines Teils einer von der Dichtung aus Fig. 1 durchkreuzten Datenzuführung. Die Datenzuführung 16 in Fig. 2 stellt ein Verbindungsstück zwi schen der Datenkontaktierungsfläche 14 und der Datenleitung des Bildanzeigeteils dar und ist zusammen mit der Datenkontaktie rungsfläche 14 und der Datenleitung ausgebildet. Im unteren Bereich der Datenzuführung 16 erstreckt sich ein Halbleitermu ster 18 in die Datenkontaktierungsfläche 14. Die mit einem Dichtmittel überzogene Dichtung 10 ist in einer Richtung an geordnet, die die Datenzuführung 16 kreuzt. Mittels der Daten kontaktierungsfläche 14 wird durch ein in der organischen Schutzschicht definiertes Kontaktloch hindurch eine auf der organischen Schutzschicht ausgebildete transparente Schicht 17 kontaktiert. Die transparente Schicht 17 dient zum Schutz der als Metallelektrode ausgebildeten Datenkontaktierungsfläche und zum Verhindern einer Oxidation der Metallelektrode, während die für einen TAB-Prozess erforderliche Wiederholung einer TCP- Adhäsion durchgeführt wird.

Fig. 3A zeigt die Dichtung 10 aus Fig. 2 im entlang der Linie A-A' genommenen Schnitt, und Fig. 3B zeigt die Dichtung 10 im entlang der Line B-B' genommenen Schnitt. In Fig. 3A und 3B hat die untere Platte 4 eine solche Struktur, dass eine Gate isolierungsschicht 22, ein Halbleitermuster 18 und eine Daten zuführung 16 sequentiell auf ein unteres Glas 20 aufgetragen werden und dasselbe vollständig mit einer organischen Schutz schicht 24 beschichtet wird. In Fig. 3B wurde in die rechte Seite eines Dichtmittels 11 ein Flüssigkristall 32 des Bild anzeigeteils injiziert. Die obere Platte 6 hat eine solche Struktur, dass auf einem oberen Glas 30 ein Farbfilter und eine schwarze Matrix 26 ausgebildet sind, und das obere Glas 30 vollständig mit einer gemeinsamen transparenten Elektrode be schichtet ist. Die untere Platte 4 ist mittels des Dichtmittels 11 an die obere Platte 6 geklebt. In diesem Fall haftet das Dichtmittel 11 an der organischen Schutzschicht 24, wodurch eine schwache Haftung gegeben ist. Außerdem hat die organische Schutzschicht 24 eine schwache Haftung zur Gateisolierungs schicht 22 in deren unterem Bereich. Es besteht das Problem, dass, wenn die Adhäsion zwischen der organischen Schutzschicht 24 und dem Dichtmittel 11 oder der Gateisolierungsschicht 22 schwach ist, bereits durch einen unbedeutenden Schlag Risse oder Sprünge erzeugt werden, so dass Flüssigkristall heraus leckt.

Fig. 4 zeigt eine vergrößerte Ansicht eines Teils einer von der Dichtung aus Fig. 1 durchkreuzten Gatezuführung. Die Gate zuführung 34 in Fig. 4 bildet ein Verbindungsstück zwischen der Gatekontaktierungsfläche 12 und der Gateleitung des Bild anzeigeteils und ist zusammen mit der Gatekontaktierungsfläche 12 und der Gateleitung ausgebildet. Von der Gatekontaktierungs fläche 12 wird durch ein mittels der Gateisolierungsschicht und der organischen Schutzschicht ausgebildetes Kontaktloch 19 hin durch eine auf der organischen Schutzschicht ausgebildete transparente Schicht 17 kontaktiert. Die transparente Schicht 17 dient zum Schutz einer als Gatekontaktierungsfläche dienen den Metallelektrode. Die mit einem Dichtmittel überzogene Dich tung 10 ist in eine Richtung angeordnet, die die Gatezuführung 34 kreuzt.

Fig. 5A zeigt die die Dichtung 10 aus Fig. 4 im entlang der Linie A-A' genommenen Schnitt, und Fig. 5B zeigt die Dichtung 10 im entlang der Linie B-B' genommenen Schnitt. In Fig. 5A und 5B hat die untere Platte 4 eine solche Struktur, dass auf einem unteren Glas 20 sequentiell die Gatezuführung 34 und eine Gateisolierungsschicht 22 aufgebracht werden, und das untere Glas 20 vollständig mit einer organischen Schutzschicht 24 überzogen wird. Die obere Platte 6 hat eine solche Struktur, dass auf einem oberen Glas 30 ein Farbfilter und eine schwarze Matrix 26 ausgebildet sind, und das obere Glas 30 vollständig mit einer gemeinsamen transparenten Elektrode überzogen ist. Die untere Platte 4 haftet mittels des Dichtmittels 11 an der oberen Platte 6. In diesem Fall haftet das Dichtmittel 11 an der organischen Schutzschicht 24, wodurch eine schwache Haftung gegeben ist. Außerdem hat die organische Schutzschicht 24 eine schwache Haftung gegenüber der Gateisolierungsschicht 22 in deren unterem Bereich. Es besteht das Problem, dass, wenn die Haftung zwischen der organischen Schutzschicht 24 und dem Dichtmittel 11 oder der Gateisolierungsschicht 22 schwach ist, bereits durch unbedeutende Schläge Risse oder Sprünge verur sacht werden, so dass Flüssigkristallmaterial herausleckt.

Da bei einer Flüssigkristallanzeige mit einem hohen Apertur verhältnis, auf die ein herkömmlicher organischer Schutzschicht aufgetragen ist, die Hafteigenschaften zwischen der organischen Schutzschicht und dem Dichtmittel oder der Gateisolierungs schicht schwach sind, besteht folglich das Problem, dass durch einen schwachen äußeren Schlag leicht ein Sprung oder Riss erzeugt wird, und somit Flüssigkristall durch den Sprung oder Riss hindurchleckt.

Entsprechend ist die Erfindung auf eine Flüssigkristallanzeige und ein Verfahren zum Herstellen derselben gerichtet, wobei im Wesentlichen eines oder mehrere der Probleme aufgrund der Ein schränkungen und Nachteile des Stands der Technik beseitigt werden.

Es ist ein Ziel der Erfindung, eine Flüssigkristallanzeigevor richtung mit einer solchen Struktur bereitzustellen, durch die die Adhäsion zwischen einem Dichtmittel und einer unteren Plat te in einer Flüssigkristallanzeige mit einem hohen Aperturver hältnis, auf die eine organische Schutzschicht aufgebracht ist, verstärkt ist.

Ein weiteres Ziel der Erfindung ist es, ein Verfahren zum Her stellen einer Flüssigkristallanzeige bereitzustellen, wobei die Adhäsion zwischen einem Dichtmittel und einer unteren Platte in einer Flüssigkristallanzeige mit einem hohen Aperturverhältnis, auf die eine organische Schutzschicht aufgebracht ist, ver stärkt ist.

Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung werden in der fol genden Beschreibung ausgeführt und werden teils aus der Be schreibung ersichtlich oder können aus der Durchführung der Erfindung gelernt werden. Die Ziele und weiteren Vorteile der Erfindung werden anhand der in der schriftlichen Beschreibung und den Ansprüchen sowie in der Zeichnung speziell herausge stellten Struktur verwirklicht und erzielt.

Um diese und weitere Vorteile gemäß dem Zweck der Erfindung zu erzielen, weist, wie die Ausführungsformen und die ausführliche Beschreibung zeigen, eine Flüssigkristallanzeige gemäß einem Aspekt der Erfindung eine organische Schutzschicht und eine Gateisolierungsschicht auf, die in solcher Weise strukturiert sind, dass ein Dichtmittel in direkten Kontakt mit einem Sub strat gelangt.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung weist eine Flüssig kristallanzeige eine organische Schutzschicht auf, die in sol cher Weise strukturiert ist, dass ein Dichtmittel in direkten Kontakt mit einer Gateisolierungsschicht gelangt.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung weist ein Verfahren zum Herstellen einer Flüssigkristallanzeige ein derartiges Strukturieren einer organischen Schutzschicht und einer Gate isolierungsschicht in einem mit einem Dichtmittel beschichteten Bereich auf, dass das Dichtmittel in direkten Kontakt mit einem Substrat gelangt.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung weist ein Verfahren zum Herstellen einer Flüssigkristallanzeige den Schritt eines derartigen Strukturierens einer organischen Schutzschicht in einem mit einem Dichtmittel beschichteten Bereich auf, dass das Dichtmittel in direkten Kontakt mit einer Gateisolierungs schicht gelangt.

In der Zeichnung sind Ausführungsformen der Erfindung veran schaulicht, und in der folgenden Beschreibung sind anhand der Zeichnung die Grundsätze der Erfindung erklärt.

In der Zeichnung zeigt:

Fig. 1 eine Draufsicht auf ein herkömmliches Flüssigkri stallfeld;

Fig. 2 eine vergrößerte Draufsicht auf einen Teilbereich der die Dichtung aus Fig. 1 kreuzenden Datenzuführung;

Fig. 3A eine Ansicht der Dichtung im entlang der Linie A- A' in Fig. 2 genommenen vertikalen Schnitt;

Fig. 3B eine Ansicht der Dichtung im entlang der Linie B- B' in Fig. 2 genommenen vertikalen Schnitt;

Fig. 4 eine vergrößerte Draufsicht auf einen Teilbereich der Gatezuführung, der die Dichtung aus Fig. 1 kreuzt;

Fig. 5A eine Ansicht der Dichtung im entlang der Linie A- A' in Fig. 4 genommenen Schnitt;

Fig. 5B eine Ansicht der Dichtung im entlang der Linie B- B' in Fig. 4 genommenen Schnitt;

Fig. 6 eine teilweise vergrößerte Draufsicht auf eine Datenzuführung einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 7 eine Ansicht der unteren Platte und der Dichtung im entlang der Linie A-A' in Fig. 6 genommenen Schnitt;

Fig. 8 eine teilweise vergrößerte Draufsicht einer Gate zuführung einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer ersten Aus führungsform der Erfindung;

Fig. 9 eine teilweise vergrößerte Draufsicht einer Daten zuführung einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 10 eine Ansicht der unteren Platte und der Dichtung im entlang der Linie A-A' in Fig. 9 genommenen Schnitt;

Fig. 11 eine teilweise vergrößerte Draufsicht einer Gate zuführung einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer zweiten Aus führungsform der Erfindung;

Fig. 12 eine teilweise vergrößerte Draufsicht einer Da tenzuführung einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 13 eine Ansicht der unteren Platte und der Dichtung im entlang der Linie A-A' in Fig. 12 genommenen Schnitt;

Fig. 14 eine teilweise vergrößerte Draufsicht einer Da tenzuführung einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer vierten Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 15 eine Ansicht der unteren Platte und der Dichtung im entlang der Linie A-A' in Fig. 14 genommenen Schnitt;

Fig. 16 eine teilweise vergrößerte Draufsicht einer Da tenzuführung einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer fünften Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 17A und Fig. 17B Ansichten der unteren Platte und der Dichtung im entlang der Linie A-A' bzw. B-B' in Fig. 15 genommenen Schnitt;

Fig. 18 eine teilweise vergrößerte Draufsicht einer Gate zuführung einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer sechsten Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 19 eine Ansicht der unteren Platte und der Dichtung im entlang der Linie A-A' in Fig. 18 genommenen Schnitt;

Fig. 20 eine teilweise vergrößerte Draufsicht einer Da tenzuführung einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer sechsten Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 21 eine Ansicht der unteren Platte und der Dichtung im entlang der Linie A-A' in Fig. 20 genommenen Schnitt;

Fig. 22 eine teilweise vergrößerte Draufsicht einer Gate zuführung einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer siebten Aus führungsform der Erfindung;

Fig. 23 eine Ansicht der unteren Platte und der Dichtung im entlang der Linie A-A' in Fig. 22 genommenen Schnitt;

Fig. 24 eine teilweise vergrößerte Draufsicht einer Da tenzuführung einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer siebten Ausführungsform der Erfindung; und

Fig. 25 eine Ansicht der unteren Platte und der Dichtung im entlang der Linie A-A' in Fig. 24 genommenen Schnitt.

Im Folgenden wird eingehend Bezug auf die bevorzugte Ausfüh rungsform der Erfindung genommen, wobei in der Zeichnung Bei spiele der bevorzugten Ausführungsform veranschaulicht sind.

Fig. 6 zeigt eine teilweise vergrößerte Ansicht einer Daten zuführung einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer ersten Aus führungsform der Erfindung. In Fig. 6 ist die Datenzuführung 16 zusammen mit einer Datenkontaktierungsfläche 14 und einer Datenleitung eines Bildanzeigeteils ausgebildet. Die Datenkon taktierungsfläche 14 ist durch ein in einer organischen Schutz schicht definiertes Kontaktloch 19 hindurch mit einer trans parenten Schicht 17 elektrisch gekoppelt. Im unteren Bereich der Datenzuführung 16 erstreckt sich ein Halbleitermuster 18 in die Datenkontaktierungsfläche 14. Eine mit einem Dichtmittel beschichtete Dichtung 10 ist in eine Richtung angeordnet, die die Datenzuführung 16 kreuzt. Die organische Schutzschicht und die Gateisolierungsschicht, die zwischen den Datenzuführungen 16 an der Dichtung 10 angeordnet sind, sind durch ein Trocken ätzverfahren unter Verwendung eines Maskenmusters strukturiert, so dass eine Anzahl von Löchern 40 ausgebildet ist, wodurch es erlaubt ist, dass das Dichtmittel teilweise, durch die Löcher 40 hindurch, direkten Kontakt mit einem unteren Glas hat. Ins besondere erstrecken sich die Löcher 40 bis außerhalb der Dich tung 10, wodurch verhindert wird, dass während des schichtarti gen Aufbringens des Dichtmittels Blasenbildung auftritt.

Fig. 7 zeigt die untere Platte im Schnitt entlang der Linie A-A' in Fig. 6, durch die Dichtung 10 und das definierte Loch 40 hindurch. Ein Verfahren zum Herstellen einer Datenzuführung gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung wird im Fol genden in Bezug auf Fig. 6 und Fig. 7 beschrieben. Auf der gesamten Oberfläche eines unteren Glases 20 wird eine Gateiso lierungsschicht 22 ausgebildet. Nachdem auf der Gateisolie rungsschicht 22 sequentiell das Halbleitermuster 18 und die Datenzuführung 16 ausgebildet worden sind, wird auf der gesam ten Oberfläche derselben Schicht 22 eine organische Schutz schicht 24 ausgebildet. Dann werden an einer mit einem Dicht mittel 11 zu beschichtenden Stelle die organische Schutzschicht 24 und die Gateisolierungsschicht 22 sequentiell so struktu riert, dass die Löcher 40 ausgebildet werden. In diesem Fall ist ein Ende des Lochs 40 außerhalb der Dichtung 10 angeordnet. Anschließend wird die Dichtung 10 mit dem Dichtmittel 11 be schichtet, so dass die obere Platte und die untere Platte an einandergeklebt werden. In diesem Fall besteht teilweise direk ter Kontakt zwischen dem Dichtmittel 11 und dem unteren Glas 20 durch das Loch 40 hindurch, wodurch die Adhäsion zwischen dem Dichtmittel 11 und der unteren Platte verstärkt ist.

Fig. 8 zeigt eine teilweise vergrößerte Ansicht einer Gatezu führung der Flüssigkristallanzeige gemäß einer ersten Ausfüh rungsform der Erfindung. In Fig. 8 ist die Gatezuführung 34 zusammen mit der Gatekontaktierungsfläche 12 und einer Gatelei tung eines Bildanzeigeteils ausgebildet. Die Gatekontaktie rungsfläche 12 ist durch ein durch die Gateisolierungsschicht und die organischen Schutzschicht hindurch ausgebildetes Kon taktloch 19 hindurch mit einer transparenten Elektrode 17 elek trisch gekoppelt. Eine mit einem Dichtmittel überzogene Dich tung 10 ist in einer Richtung angeordnet, die die Gatezuführung 34 kreuzt. Die organische Schutzschicht und die Gateisolie rungsschicht, die zwischen den Gatezuführungen 34 an der Dich tung 10 angeordnet sind, sind so strukturiert, dass, ähnlich wie es oben für die Datenzuführungen beschrieben wurde, eine Anzahl von Löchern 40 ausgebildet ist, wodurch es erlaubt ist, dass ein Dichtmittel teilweise, durch die Löcher 40 hindurch, in direktem Kontakt mit einem unteren Glas steht. Insbesondere erstrecken sich die Löcher 40 bis außerhalb der Dichtung 10, so dass verhindert wird, dass während des schichtartigen Auftra gens des Dichtmittels Blasen erzeugt werden.

In Fig. 8 ist, ähnlich wie in Fig. 7, die untere Platte im entlang der Linie A-A' genommenen Schnitt durch die Dichtung 10 mit dem definierten Loch 40 gezeigt. Im Folgenden wird anhand der Fig. 7 und 8 ein Verfahren zum Herstellen einer Gatezu führung gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung be schrieben. Auf dem unteren Glas wird die Gatezuführung 34 aus gebildet, und auf der gesamten Oberfläche desselben wird eine Gateisolierungsschicht 22 ausgebildet. Nachdem auf der gesamten Oberfläche der Gateisolierungsschicht 22 die organische Schutz schicht 24 ausgebildet worden ist, werden die organische Schutzschicht 24 und die Gateisolierungsschicht 22 an einer mit einem Dichtmittel 11 zu beschichtenden Stelle unter Verwendung eines Maskenmusters mittels eines Trockenätzverfahrens sequen tiell derart strukturiert, dass die Löcher 40 ausgebildet wer den. In diesem Fall ist ein Ende des Lochs 40 außerhalb der Dichtung 10 angeordnet. Anschließend wird die Dichtung 10 mit dem Dichtmittel 11 beschichtet, so dass die obere Platte und die untere Platte aneinandergeklebt werden. In diesem Fall besteht teilweise direkter Kontakt zwischen dem Dichtmittel 11 und dem unteren Glas 20 durch die Löcher 40 hindurch, wodurch die Adhäsion zwischen dem Dichtmittel 11 und der unteren Platte verstärkt ist.

Fig. 9 zeigt eine teilweise vergrößerte Ansicht einer Daten zuführung einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. In Fig. 9 sind die Datenzufüh rung 44 und eine Datenkontaktierungsfläche 42 simultan ausge bildet worden, wobei während des Ausbildens der Gateleitung das gleiche Material als Gateleitung verwendet wurde. Die Datenzu führung 44 ist mittels einer in einem Kontaktloch 43 definier ten transparenten Elektrode 45 mit einer in einer anderen Schicht ausgebildeten Datenleitung 50 elektrisch gekoppelt. Mit anderen Worten ist die auf einer Gateisolierungsschicht ausge bildete Datenleitung 50 mittels der in dem Kontaktloch 19 defi nierten transparenten Elektrode 17 mit der im unteren Bereich der Gateisolierungsschicht ausgebildeten Datenzuführung 44 elektrisch gekoppelt. Auf der Datenzuführung 44 ist ein die Dichtung 10 kreuzendes Halbleitermuster 46 angeordnet. Die Gateisolierungsschicht wird, mit Ausnahme einer organischen Schutzschicht der Dichtung 10 und eines mit dem Halbleitermu ster 46 ausgebildeten Teilbereichs, geätzt, so dass das Dicht mittel an das Halbleitermuster 46 und das untere Glas geklebt wird. In diesem Fall ist, da der Bereich in dem das Dichtmittel an dem unteren Glas klebt, vergrößert ist, die Adhäsion zwi schen dem Dichtmittel und der unteren Platte verstärkt. Ins besondere werden die organische Schutzschicht und die Gateiso lierungsschicht in einem Bereich 48 geätzt, dessen Breite grö ßer gewählt wird als die Breite der Dichtung 10, wodurch ver hindert wird, dass beim schichtartigen Aufbringen des Dicht mittels Blasen erzeugt werden.

Fig. 10 zeigt die untere Platte und die Dichtung 10 im entlang der Linie A-A' in Fig. 9 genommenen Schnitt durch die Dichtung 10. Im Folgenden wird in Bezug auf Fig. 10 ein Verfahren zum Herstellen einer Datenzuführung gemäß einer zweiten Ausfüh rungsform der Erfindung beschrieben. Nachdem die Datenzuführung 44 auf dem unteren Glas 20 ausgebildet worden ist, wird das untere Glas 20 vollständig mit der Gateisolierungsschicht 22 beschichtet. Dann wird die Gateisolierungsschicht 22, mit Aus nahme eines mit der organischen Schutzschicht der Dichtung und dem Halbleitermuster 46 ausgebildeten Teilbereichs, mittels eines Maskenmusters geätzt. In diesem Fall ist die Breite des Bereichs 48, in dem der organische Schutzschicht und der Gate isolierungsschicht geätzt werden, so eingestellt, dass sie grö ßer ist als die Breite der Dichtung 10. Das Halbleitermuster 46 wirkt während des Ätzens der Gateisolierungsschicht als Ätz- Stopp, so dass die darunterliegende Gateisolierungsschicht 22 und die Datenzuführung 44 geschützt sind. Zu diesem Zweck wird bei dem Halbleitermuster 46 eine Breite gewählt, die größer ist als die der Datenzuführung 44. Dann wird die Dichtung 10 mit einem Dichtmittel 11 beschichtet, so dass die obere Platte und die untere Platte aneinandergeklebt werden. In diesem Fall hat das Dichtmittel 11 Kontakt mit dem unteren Glas 20 und dem Halbleitermuster 46, so dass die Adhäsion zwischen dem Dicht mittel 11 und der unteren Platte verstärkt ist.

Fig. 11 zeigt eine teilweise vergrößerte Ansicht einer Gatezu führung der Flüssigkristallanzeige gemäß einer zweiten Ausfüh rungsform der Erfindung. In Fig. 11 ist die Gatezuführung 34 zusammen mit einer Gatekontaktierungsfläche 12 und einer Gate leitung eines Bildanzeigeteils ausgebildet. Die Gatekontaktie rungsfläche 12 ist durch ein durch die Gateisolierungsschicht und die organische Schutzschicht hindurch ausgebildetes Kon taktloch 19 hindurch mit einer transparenten Elektrode 17 elek trisch gekoppelt. Auf der Gatezuführung 34 ist ein die Dichtung 10 kreuzendes Halbleitermuster 46 zum Schutz der Gatezuführung 34 ausgebildet. Die Gateisolierungsschicht wird, mit Ausnahme einer an der Dichtung 10 angeordneten Schutzschicht und eines mit dem Halbleitermuster 46 ausgebildeten Teilbereichs, geätzt, so dass das Dichtmittel an das Halbleitermuster 46 und das untere Glas geklebt wird. In diesem Fall ist, da der Bereich, in dem das Dichtmittel an dem unteren Glas klebt, vergrößert ist, die Adhäsion zwischen dem Dichtmittel und der unteren Platte verstärkt. Insbesondere ist die Breite des Bereichs 48, in dem die organische Schutzschicht und die Gateisolierungs schicht geätzt werden, größer gewählt als die Breite der Dich tung 10, wodurch verhindert wird, dass während des schichtarti gen Aufbringens des Dichtmittels Blasen erzeugt werden. Ein Schnitt durch die untere Platte und die Dichtung 10 entlang der Linie A-A' in Fig. 11, durch die Dichtung hindurch, hat die gleiche Struktur wie der in Fig. 10, falls die Datenzuführun gen durch die Gatezuführungen ersetzt werden.

Fig. 12 zeigt eine teilweise vergrößerte Ansicht einer Daten zuführung einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung. In Fig. 12 sind eine Datenkon taktierungsfläche 14 und eine Datenzuführung 16 simultan mit einer Datenleitung eines Bildanzeigeteils ausgebildet. Die Datenzuführung 16 ist durch ein durch eine organische Schutz schicht hindurch ausgebildetes Kontaktloch 19 hindurch mit einer transparenten Elektrode 17 elektrisch gekoppelt. Unter der Datenzuführung 16 ist ein Halbleitermuster 18 ausgebildet. Ein an der Dichtung 10 in dem Halbleitermuster 18 ausgebildeter Teilbereich 18a wirkt als Ätz-Stopp-Vorrichtung während des Ätzens der Gateisolierungsschicht, wodurch verhindert wird, dass die Gateisolierungsschicht unter dem Halbleitermuster 18a unterhöhlt wird. Zu diesem Zweck ist die Breite des Halbleiter musters 18a an der Dichtung 10 breiter gewählt als in anderen Teilbereichen desselben. Die Gateisolierungsschicht mit Aus nahme der organischen Schutzschicht in der Dichtung 10 und des Halbleitermusters 18a werden geätzt. Im oberen Bereich der Datenzuführung 16 ist eine transparente Elektrode 47 zum Schutz der Datenzuführung 16 angeordnet. Die transparente Elektrode 47 hat eine stärkere Adhäsion bezüglich des Dichtmittels 11 als die Datenzuführung 16. Entsprechend ist, da das Dichtmittel 11 direkten Kontakt mit der transparenten Elektrode 47 und dem unteren Glas hat, die Adhäsion zwischen dem Dichtmittel 11 und der unteren Platte zusätzlich verstärkt. Insbesondere ist die Breite des geätzten Bereichs 48 so eingestellt, dass sie größer ist als die der Dichtung 10, wodurch verhindert wird, dass während des schichtartigen Auftragens des Dichtmittels Blasen erzeugt werden.

Fig. 13 zeigt die untere Platte und die Dichtung 10, die die Datenzuführung 16 kreuzt, im entlang der Linie A-A' in Fig. 12 genommenen Schnitt durch die Dichtung 10 hindurch. Im Folgenden wird in Bezug auf Fig. 13 ein Verfahren zum Herstellen einer Datenzuführung gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfin dung beschrieben. Ein mit der Gateleitung versehenes unteres Glas 20 wird vollständig mit einer Gateisolierungsschicht 22 beschichtet. Ein Halbleitermuster 18a in der Dichtung 10 wirkt als ein Ätz-Stopp bei einem späteren Ätz-Schritt, bei dem die Gateisolierungsschicht 22 geätzt wird. Die Breite des Halblei termusters 18a wird so eingestellt, dass sie breiter ist als die des anderen Teilbereichs, so dass verhindert wird, dass die darunterliegende Gateisolierungsschicht 22 unterhöhlt wird. Nachdem die Datenzuführung 16 zusammen mit der Datenleitung und der Datenkontaktierungsfläche auf dem Halbleitermuster 18a ausgebildet worden ist, wird dieselbe vollständig mit einer organischen Schutzschicht beschichtet. Dann wird die Gateiso lierungsschicht 22 mit Ausnahme der organischen Schutzschicht in der Dichtung 10 und des Halbleitermusters 18a unter Verwen dung eines Maskenmusters geätzt. Anschließend wird, nachdem die transparente Elektrode 47 so ausgebildet worden ist, dass sie die Datenzuführung 16, das Halbleitermuster 18a und die Gatei solierungsschicht 22 umschließt, die Dichtung 10 mit dem Dicht mittel 11 beschichtet, so dass die untere Platte und die obere Platte aneinandergeklebt werden. Entsprechend klebt das Dicht mittel 11 an dem unteren Glas 20 und der transparenten Elek trode 47, wodurch die Adhäsion zwischen dem Dichtmittel 11 und der unteren Platte verstärkt ist.

Fig. 14 zeigt eine vergrößerte Ansicht einer Datenzuführung in einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer vierten Ausführungs form der Erfindung. Fig. 15 zeigt die untere Platte und die Dichtung 10 im entlang der Linie A-A' in Fig. 14 genommenen Schnitt durch die Dichtung 10 hindurch. In Bezug auf Fig. 14 und Fig. 15 sind zwischen Datenzuführungen 16, die die Dich tung 10 kreuzen, eine Anzahl von Löchern 52 derart in einer organischen Schutzschicht 24 und einer Gateisolierungsschicht 22 definiert, dass ein Dichtmittel 11 durch die Anzahl von Löchern 52 in direkten Kontakt mit dem unteren Glas 20 gelangt, wodurch die gegenseitige Adhäsion zwischen ihnen verstärkt ist. Die Datenzuführung 16 ist zusammen mit der Datenkontaktierungs fläche und den Datenleitungen auf dem mit der Gateisolierungs schicht 22 versehenen unteren Glas 20 ausgebildet. Im unteren Teilbereich der Datenzuführung 16 ist ein Halbleitermuster 18 ausgebildet. Die mit der Datenzuführung 16 ausgebildete untere Platte wird vollständig mit der organischen Schutzschicht 24 beschichtet. Die Anzahl von Löchern 52 werden durch ein Struk turieren der organischen Schutzschicht 24 und der Gateisolie rungsschicht 22 zwischen den die Dichtung 10 kreuzenden Daten zuführungen 16 ausgebildet. Entsprechend kommt ein Dichtmittel 22, wenn es auf die organische Schutzschicht 24 schichtartig aufgetragen wird, durch die Löcher 52 hindurch in direkten Kontakt mit dem unteren Glas 20, so dass die Adhäsion zwischen ihnen verstärkt ist. In ähnlicher Weise werden in der organi schen Schutzschicht und in der Gateisolierungsschicht zwischen die Dichtung 10 kreuzenden Gatezuführungen eine Anzahl von Löchern 52 definiert, so dass die Adhäsion zwischen dem Dicht mittel 11 und der unteren Platte verstärkt ist.

Fig. 16 zeigt eine vergrößerte Ansicht einer Datenzuführung in einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer fünften Ausführungs form der Erfindung. Fig. 17A und 17B zeigen die unter Platte und die Dichtung 10 im entlang der Linie A-A' bzw. der Linie B- B' in Fig. 16 genommenen Schnitt durch die Dichtung 10 hin durch. In Bezug auf Fig. 16 und Fig. 17A und 17B wird in der organischen Schutzschicht 24 und in der Gateisolierungs schicht 22 in einer eine Datenzuführung 16 kreuzenden Richtung ein linienförmiges Loch 54 derart definiert, dass das Dicht mittel 11 durch das linienförmige Loch hindurch in direkten Kontakt mit dem unteren Glas 20 kommt, so dass die gegenseitige Adhäsion verstärkt ist. Die Datenzuführung 16 ist zusammen mit der Datenkontaktierungsfläche und den Datenleitungen auf dem mit der Gateisolierungsschicht 22 versehenen unteren Glas 20 ausgebildet. Im unteren Teilbereich der Datenzuführung 16 ist ein Halbleitermuster 18 ausgebildet. Die mit der Datenzuführung 16 ausgebildete untere Platte ist vollständig mit der organi schen Schutzschicht 24 beschichtet. Das linienförmige Loch 54 ist durch ein Strukturieren der organischen Schutzschicht 24 und der Gateisolierungsschicht 22 in eine die Datenzuführung 16 kreuzende Richtung ausgebildet. Entsprechend steht ein schicht artig aufgetragenes Dichtmittel 11 durch die linienförmigen Löcher 54 hindurch in direktem Kontakt mit dem unteren Glas 20, so dass die Adhäsion zwischen dem Dichtmittel 11 und der unte ren Platte verstärkt ist. In ähnlicher Weise ist in der organi schen Schutzschicht und der Gateisolierungsschicht, zwischen die Dichtung 10 kreuzenden Gatezuführungen, ein linienförmiges Loch 54 definiert, so dass die Adhäsion zwischen dem Dichtmit tel 11 und der unteren Platte verstärkt ist.

Fig. 18 zeigt eine vergrößerte Ansicht eines Teilbereichs einer Gatezuführung einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer sechsten Ausführungsform der Erfindung. In Fig. 18 ist die Gatezuführung 34 mit einer Gatekontaktierungsfläche 12 und einer Gateleitung integriert ausgebildet. Die Gatekontaktie rungsfläche 12 ist durch ein durch eine Gateisolierungsschicht und eine organische Schutzschicht hindurch ausgebildetes Kon taktloch 19 hindurch mit einer transparenten Elektrode 17 elek trisch gekoppelt. In einem Dichtungsbereich 10 ist eine organi scher Schutzschicht in einer die Gatezuführung 34 kreuzenden Richtung ausgebildet, wodurch das Dichtmittel vollständig oder teilweise mit der im unteren Teilbereich der organischen Schutzschicht angeordneten Gateisolierungsschicht in Kontakt ist. Insbesondere ist ein Bereich, in dem die organische Schutzschicht entfernt worden ist, wie die in Fig. 18 gezeig ten drei Bereiche, d. h. der erste bis dritte Bereich, D1 bis D3, in solcher Weise angeordnet, dass jede Seite oder eine Seite desselben jenseits der Linienbreite der Dichtung 10 an geordnet ist. In diesem Fall wird, wie in Fig. 19 gezeigt ist, Luft durch einen Raum zwischen dem Dichtmittel 11 und der orga nischen Schutzschicht 24 heraus entleert, wodurch verhindert wird, dass beim schichtartigen Auftragen des Dichtmittels Bla sen erzeugt werden. Wenn der Bereich, in dem die organische Schutzschicht entfernt worden ist, so gewählt ist, dass er breiter ist als die Linienbreite der Dichtung 10, wie der in Fig. 18 gezeigte erste geätzte Bereich D1, hat das gesamte Dichtmittel Kontakt mit der Gateisolierungsschicht. Wenn es so eingerichtet ist, dass eine Seite des Bereichs, in dem die organische Schutzschicht entfernt worden ist, jenseits der Dichtung 10 liegt, wie beim zweiten und dritten geätzten Be reich D2 und D3, hat das Dichtmittel teilweise Kontakt mit der Gateisolierungsschicht.

Fig. 19 zeigt die untere Platte und die Dichtung 10 im entlang der Linie A-A' in Fig. 18 gezeigten Schnitt durch die Dichtung 10 hindurch. Im Folgenden wird in Bezug auf Fig. 19 ein Ver fahren zum Herstellen der Gatezuführung gemäß der Erfindung beschrieben. Auf dem unteren Glas 20 wird die Gatezuführung 34 ausgebildet, und auf der gesamten Oberfläche des unteren Glases 20 wird eine Gateisolierungsschicht 22 ausgebildet. Nachdem auf der gesamten Oberfläche der Gateisolierungsschicht 22 eine organische Schutzschicht 24 ausgebildet worden ist, wird die organische Schutzschicht 24 an einer mit dem Dichtmittel 11 zu beschichtenden Stelle unter Verwendung eines Maskenmusters ge ätzt. In diesem Fall wird jede oder eine Seite des geätzten Bereichs in der organischen Schutzschicht 24 jenseits der Li nienbreite einer mit dem Dichtmittel beschichteten Dichtung angeordnet. Dann wird die Dichtung 10 mit dem Dichtmittel 11 beschichtet, um die untere Platte und die obere Platte zusam menzukleben. In diesem Fall hat die aus einem anorganischen Material gefertigte Gateisolierungsschicht 22 Kontakt mit dem Dichtmittel 11, wodurch die Adhäsion zwischen dem Dichtmittel 11 und der unteren Platte verstärkt ist.

Fig. 20 zeigt eine teilweise vergrößerte Ansicht der Daten zuführung einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer sechsten Ausführungsform der Erfindung. In Fig. 20 ist die Datenzufüh rung 16 mit einer Datenkontaktierungsfläche 14 und einer Daten leitung integriert ausgebildet. Die Datenkontaktierungsfläche 14 ist durch ein in der organischen Schutzschicht ausgebildetes Kontaktloch 19 hindurch mit einer transparenten Elektrode 17 elektrisch gekoppelt. In einem Dichtungsbereich 10 ist in eine die Datenzuführung 16 kreuzende Richtung eine organische Schutzschicht ausgebildet, wodurch ein Dichtmittel vollständig oder teilweise mit der Gateisolierungsschicht in Kontakt ge bracht ist. In diesem Fall ist ferner im oberen Teilbereich der Datenzuführung 16 eine transparente Elektrode 56 vorgesehen, welche die Datenzuführung 16 schützt und eine gute Adhäsion bezüglich des Dichtmittels aufweist. Damit verhindert wird, dass während des schichtartigen Auftragens des Dichtmittels Blasen erzeugt werden, ist der Bereich, in dem die organische Schutzschicht entfernt ist, so gewählt, dass jede Seite oder eine Seite desselben jenseits der Linienbreite der Dichtung 10 angeordnet ist, wie bei den in Fig. 20 gezeigten ersten bis dritten Bereichen D1 bis D3.

Fig. 21 zeigt die untere Platte und die Dichtung 10 im entlang der Linie A-A' in Fig. 20 gezeigten Schnitt. Im Folgenden wird in Bezug auf Fig. 20 ein Verfahren zum Herstellen der Daten zuführung gemäß der Erfindung beschrieben. Auf der gesamten Oberfläche eines unteren Glases 20 wird eine Gateisolierungs schicht 22 ausgebildet. Nachdem die Datenzuführung 16 auf der Gateisolierungsschicht 22 ausgebildet worden ist, wird auf der gesamten Oberfläche derselben eine organische Schutzschicht 24 ausgebildet. Dann wird an einer mit einem Dichtmittel 11 zu beschichtenden Stelle die organische Schutzschicht 24 unter Verwendung eines Maskenmusters geätzt. In diesem Fall ist jede Seite oder eine Seite des geätzten Bereichs in der organischen Schutzschicht 24 jenseits der Linienbreite einer mit dem Dicht mittel beschichteten Dichtung angeordnet. Anschließend wird in einem durch ein Ätzen der organischen Schutzschicht freigeleg ten oberen Teilbereich der Datenzuführung 16 eine transparente Elektrode 56 ausgebildet. Dann wird die Dichtung 10 mit dem Dichtmittel 11 beschichtet, so dass die untere Platte und die obere Platte zusammengeklebt werden. In diesem Fall hat das Dichtmittel 11 Kontakt mit der Gateisolierungsschicht 22 und der transparenten Elektrode 56, wodurch die Adhäsion zwischen dem Dichtmittel 11 und der unteren Platte verstärkt ist.

Fig. 22 zeigt eine vergrößerte Ansicht eines Teilbereichs einer Gatezuführung einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer siebten Ausführungsform der Erfindung. In Fig. 22 ist eine in eine die Gatezuführung 34 kreuzende Richtung vorgesehene orga nische Schutzschicht in einem Dichtungsbereich 10 teilweise entfernt, wodurch es erlaubt ist, dass ein Dichtmittel mit einer im unteren Teil der organischen Schutzschicht angeord neten Gateisolierungsschicht teilweise Kontakt hat. In diesem Fall sind in der organischen Schutzschicht zwischen den Gatezu führungen 34 parallel zu den Gatezuführungen 34 ausgerichtete linienförmige Löcher 58, 60 und 62 definiert. Insbesondere erstreckt sich, damit Blasenbildung während des schichtartigen Auftragens des Dichtmittels verhindert wird, jedes Ende oder ein Ende des linearen Lochs bis jenseits der Dichtung 10. Noch genauer erstreckt sich jedes Ende des linienförmigen Lochs bis jenseits der Dichtung 10, wie bei dem ersten linienförmigen Loch 58, oder es erstreckt sich ein Ende des linienförmigen Lochs bis jenseits der Dichtung 10, wie bei dem zweiten oder dritten linienförmigen Loch 60 oder 62.

Fig. 23 zeigt die untere Platte und die Dichtung 10 im entlang einer horizontalen Linie A-A' in Fig. 22 genommenen vertikalen Schnitt durch die Dichtung 10. Im Folgenden wird in Bezug auf Fig. 23 ein Verfahren zum Herstellen der Gatezuführung gemäß der Erfindung beschrieben. Auf dem unteren Glas 20 wird die Gatezuführung 34 ausgebildet, und auf der gesamten Oberfläche desselben wird eine Gateisolierungsschicht 22 ausgebildet. Nachdem auf der gesamten Oberfläche der Gateisolierungsschicht 22 eine organische Schutzschicht 24 ausgebildet worden ist, wird die organische Schutzschicht 24 an einer mit einem Dicht mittel 11 zu beschichtenden Stelle unter Verwendung eines Mas kenmusters teilsweise geätzt. Mit anderen Worten werden in der organischen Schutzschicht 24 zwischen den Gatezuführungen 34 die linienförmigen Löcher 58, 60 und 62 definiert. In diesem Fall ist jede Seite oder eine Seite der linienförmigen Löcher 58, 60 und 62 jenseits der Dichtung 10 angeordnet. Dann wird die Dichtung 10 mit dem Dichtmittel 11 beschichtet, so dass die untere Platte und die obere Platte zusammengeklebt werden. Entsprechend hat das Dichtmittel 11 teilweise Kontakt mit der Gateisolierungsschicht 22, wodurch die Adhäsion zwischen dem Dichtmittel 11 und der unteren Platte verstärkt ist.

Fig. 24 zeigt eine teilweise vergrößerte Ansicht einer Daten zuführung einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer siebten Ausführungsform der Erfindung. In Fig. 24 ist eine in eine die Datenzuführung 16 kreuzende Richtung vorgesehene organische Schutzschicht in einem Dichtungsbereich 10 teilweise entfernt, wodurch es erlaubt ist, dass das Dichtmittel eine im unteren Teil der organischen Schutzschicht angeordnete Gateisolierungs schicht teilweise berührt. In diesem Fall sind in der organi schen Schutzschicht zwischen den Datenzuführungen 16 parallel zu den Datenzuführungen 16 ausgerichtete linienförmige Löcher 58, 60 und 62 definiert. Insbesondere erstreckt sich, damit Blasenbildung während des schichtartigen Aufbringens des Dicht mittels verhindert wird, jedes Ende oder ein Ende des linearen Lochs bis jenseits der Dichtung 10. Noch genauer erstreckt sich jedes Ende des linienförmigen Lochs bis jenseits der Dichtung 10, wie bei dem ersten linienförmigen Loch 58, oder es er streckt sich ein Ende des linienförmigen Lochs bis jenseits der Dichtung 10, wie bei dem zweiten oder dritten linienförmigen Loch 60 oder 62.

Fig. 25 zeigt die untere Platte und die Dichtung 10 in einem entlang der Linie A-A' in Fig. 24 genommenen Schnitt durch die Dichtung 10. Im folgenden wird in Bezug auf Fig. 25 ein Ver fahren zum Herstellen der Datenzuführung gemäß der Erfindung beschrieben. Auf der gesamten Oberfläche eines unteren Glases 20 wird eine Gateisolierungsschicht 22 ausgebildet. Nachdem die Datenzuführung 16 auf der Gateisolierungsschicht 22 ausgebildet worden ist, wird auf der gesamten Oberfläche derselben eine organische Schutzschicht 24 ausgebildet. Dann wird die organi sche Schutzschicht 24 an einer mit einem Dichtmittel 11 zu be schichtenden Stelle unter Verwendung eines Maskenmusters ge ätzt. Mit anderen Worten wird in der organischen Schutzschicht 24 zwischen den Datenzuführungen 16 ein linienförmiges Loch ausgebildet. In diesem Fall erstreckt sich jede Seite oder eine Seite der linienförmigen Löcher 58, 60 und 62 bis jenseits der Dichtung 10. Dann wird die Dichtung 10 mit dem Dichtmittel 11 beschichtet, so dass die untere Platte und die obere Platte zusammengeklebt werden. In diesem Fall hat das Dichtmittel 11 teilweise Kontakt mit der Gateisolierungsschicht 22, wodurch die Adhäsion zwischen dem Dichtmittel 11 und der unteren Platte verstärkt ist.

Wie oben beschrieben worden ist, werden bei der erfindungsgemä ßen Flüssigkristallanzeige und dem erfindungsgemäßen Verfahren zum Herstellen derselben eine organische Schutzschicht und eine Gateisolierungsschicht in einem mit einem Dichtmittel beschich teten Bereich teilweise oder vollständig derart entfernt, dass das Dichtmittel direkt mit einem Glassubstrat in Berührung kommt, wodurch die Adhäsion zwischen dem Dichtmittel und der unteren Platte verstärkt ist. Außerdem wird in einem mit einem Dichtmittel beschichteten Bereich eine organische Schutzschicht teilweise oder vollständig entfernt, so daß das Dichtmittel Kontakt mit der Gateisolierungsschicht hat, wodurch die Adhä sion zwischen dem Dichtmittel und der unteren Platte verstärkt ist. Entsprechend wird mittels der Flüssigkristallanzeige mit hohem Aperturverhältnis, auf die die organische Schutzschicht aufgetragen ist, verhindert, dass ein durch externe Stöße ver ursachtes Herauslecken von Flüssigkristall aufgrund einer ge schwächten Adhäsion zwischen dem Dichtmittel und der organi schen Schutzschicht oder zwischen der organischen Schutzschicht und der Gateisolierungsschicht auftritt.

Claims

1. Flüssigkristallanzeige mit:
einem Substrat;
einer Elektrodenleitung;
einer Elektrodenkontaktierungsfläche (14, 42, 12);
einer die Elektrodenleitung und die Elektrodenkontaktie rungsfläche (14, 42, 12) koppelnden Elektrodenzuführung (16, 44, 34);
einem die Elektrodenzuführung (16, 44, 34) zwischen der Elektrodenleitung und der Elektrodenkontaktierungsfläche (14, 42, 12) kreuzenden Dichtmittel (11); und
einer organischen Schutzschicht (24) und einer Gateisolie rungsschicht (22), die auf dem Substrat ausgebildet sind und so strukturiert sind, daß das Dichtmittel (11) direkten Kontakt mit dem Substrat hat.

2. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 1, weiter aufweisend:
eine zweite Elektrodenleitung;
eine zweite Elektrodenkontaktierungsfläche (12, 14, 42);
eine zweite, die zweite Elektrodenleitung und die zweite Elektrodenkontaktierungsfläche (12, 14, 42) koppelnde Elektro denzuführung (34, 16, 44),
wobei in der organischen Schutzschicht (24) und in der Gateisolierungsschicht (22) zwischen den Elektrodenzuführungen (34, 16) zumindest ein Loch (40) definiert ist.

3. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 2, wobei sich das Loch (40) bis jenseits des mit dem Dichtmittel (11) beschichte ten Bereichs erstreckt.

4. Flüssigkristallanzeige nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die organische Schutzschicht (24) und die Gateisolie rungsschicht (22) in einer sich entlang einer Richtung, in welcher das Dichtmittel (11) ausgebildet ist, erstreckenden durchgängigen Furche geätzt sind.

5. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 4, wobei die organi sche Schutzschicht (24) und die Gateisolierungsschicht (22) breiter geätzt sind als der mit dem Dichtmittel (11) beschich tete Bereich, so daß die Breite der Furche senkrecht zu der Richtung, in der das Dichtmittel (11) ausgebildet ist, größer ist als die Breite des Bereichs, in dem das Dichtmittel (11) ausgebildet ist.

6. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 4, weiter aufweisend:
eine Schutzschicht zum Verhindern, daß die Elektrodenzu führung (16, 44, 34) direkten Kontakt mit dem Dichtmittel (11) hat.

7. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 6, wobei die Elektro denzuführung (16, 44, 34) eine Gatezuführung (34) ist, und die weiter eine aus dem gleichen Elektrodenmaterial wie die Gatezu führung (34) gefertigte Datenzuführung (16, 44) aufweist, und wobei die Schutzschicht ein auf der Gateisolierungsschicht (22) ausgebildetes Halbleitermuster (18, 46) ist.

8. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 6, wobei die Elek trodenzuführung (16, 44, 34) eine Datenzuführung (16) ist und die Schutzschicht eine zum Umschließen der Datenzuführung (16), eines Halbleitermusters (18) und der Gateisolierungsschicht (22) schichtartig aufgetragene transparente Elektrode (47) ist.

9. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 8, wobei die Breite des Halbleitermusters (18) größer ist als die Breite der Daten zuführung (16).

10. Flüssigkristallanzeige mit:
einem Substrat;
einer Elektrodenleitung;
einer Elektrodenkontaktierungsfläche (14, 42, 12);
einer die Elektrodenleitung und die Elektrodenkontaktie rungsfläche (14, 42, 12) koppelnden Elektrodenzuführung (16, 44, 34);
einem die Elektrodenzuführung (16, 44, 34) zwischen der Elektrodenleitung und der Elektrodenkontaktierungsfläche (14, 42, 12) kreuzenden Dichtmittel (11); und
einer organischen Schutzschicht (24) und einer Gateisolie rungsschicht (22), die auf dem Substrat ausgebildet sind, wobei die organische Schutzschicht (24) so strukturiert ist, daß das Dichtmittel (11) direkten Kontakt mit der Gateisolierungs schicht (22) hat.

11. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 10, wobei die organi sche Schutzschicht (24) einen Bereich (48) aufweist, der so geätzt ist, daß das Dichtmittel (11) vollständig mit der Gate isolierungsschicht (22) Kontakt hat.

12. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 11, wobei die Elek trodenzuführung (16, 44, 34) eine Datenzuführung (44) ist, und die weiter eine Schutzschicht zum Schutz der Datenzuführung (44) aufweist.

13. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 12, wobei die Schutz schicht eine transparente Elektrode (46) ist.

14. Flüssigkristallanzeige nach einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei der geätzte Bereich (48) in der organischen Schutzschicht (24) so eingestellt ist, daß er breiter ist als der mit dem Dichtmittel (11) beschichtete Bereich.

15. Flüssigkristallanzeige nach einem der Ansprüche 10 bis 14, wobei die organische Schutzschicht (24) einen geätzten Bereich (48) aufweist, der so ausgebildet ist, daß das Dichtmittel (11) teilweise mit der Gateisolierungsschicht (22) Kontakt hat.

16. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 15, wobei der geätzte Bereich (48) die Form einer sich entlang der Richtung, in der das Dichtmittel (11) ausgebildet ist, erstreckenden Furche aufweist, wobei ein Ende des geätzten Bereichs (48) sich bis jenseits des mit dem Dichtmittel (11) beschichteten Bereichs erstreckt.

17. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 15, weiter aufwei send:
eine zweite Elektrodenleitung;
eine zweite Elektrodenkontaktierungsfläche;
eine zweite, die zweite Elektrodenleitung und die zweite Elektrodenkontaktierungsfläche koppelnde Elektrodenzuführung,
wobei der geätzte Bereich (48) in der organischen Schutz schicht (24) zwischen den Elektrodenzuführungen ausgebildet ist.

18. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 17, wobei jedes Ende des geätzten Bereichs (48) in der organischen Schutzschicht (24) sich bis jenseits des mit dem Dichtmittel (11) beschichte ten Bereichs erstreckt.

19. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 17, wobei ein Ende des geätzten Bereichs (48) in der organischen Schutzschicht sich bis jenseits des mit dem Dichtmittel (11) beschichteten Bereichs erstreckt.

20. Verfahren zum Herstellen einer Flüssigkristallanzeige mit einem Substrat, einer Elektrodenleitung, einer Elektrodenkon taktierungsfläche, einer die Elektrodenleitung und die Elek trodenkontaktierungsfläche koppelnden Elektrodenzuführung, einem die Elektrodenzuführung zwischen der Elektrodenleitung und der Elektrodenkontaktierungsfläche kreuzenden Dichtmittel und einer organischen Schutzschicht (24) und einer Gateisolie rungsschicht (22), die auf dem Substrat ausgebildet sind, wobei bei dem Verfahren:
die organische Schutzschicht (24) und die Gateisolierungs schicht (22) in einem mit dem Dichtmittel (11) beschichteten Bereich so strukturiert werden, daß das Dichtmittel (11) di rekten Kontakt mit dem Substrat hat.

21. Verfahren nach Anspruch 20, wobei die Flüssigkristallan zeige weiter eine zweite Elektrodenleitung, eine zweite Elek trodenkontaktierungsfläche und eine zweite, die zweite Elektro denleitung und die zweite Elektrodenkontaktierungsfläche kop pelnde Elektrodenzuführung aufweist, und wobei beim Strukturie ren der organischen Schutzschicht (24) und der Gateisolierungs schicht (22) in der organischen Schutzschicht (24) und in der Gateisolierungsschicht (22) zwischen den Elektrodenzuführungen zumindest ein Loch definiert wird.

22. Verfahren nach Anspruch 21, wobei sich das Loch bis jen seits des mit dem Dichtmittel (11) beschichteten Bereichs er streckt.

23. Verfahren nach einem Ansprüche 20 bis 22, wobei beim Strukturieren eine Furche in der organischen Schutzschicht (24) und der Gateisolierungsschicht (22) vorgesehen wird, wobei sich die Furche entlang einer Richtung erstreckt, in der das Dicht mittel ausgebildet ist.

24. Verfahren nach Anspruch 23, wobei die organische Schutz schicht (24) und die Gateisolierungsschicht (22) breiter geätzt werden als der mit dem Dichtmittel (11) beschichtete Bereich.

25. Verfahren nach Anspruch 23, bei dem weiter eine Schutz schicht zum Verhindern, daß die Elektrodenzuführung direkten Kontakt mit dem Dichtmittel (11) hat, ausgebildet wird.

26. Verfahren nach Anspruch 25, wobei die Elektrodenzuführung eine Gatezuführung ist, und wobei die Flüssigkristallanzeige vorrichtung weiter eine aus dem gleichen Elektrodenmaterial wie die Gatezuführung gefertigte Datenzuführung aufweist, und wobei beim Strukturieren der Schutzschicht ein auf der Gateisolie rungsschicht ausgebildetes Halbleitermuster geliefert wird.

27. Verfahren nach Anspruch 25, wobei, wenn die Elektrodenzu führung eine Datenzuführung ist, beim Ausbilden der Schutz schicht eine transparente Elektrode schichtartig so aufgebracht wird, daß sie die Datenzuführung, ein Halbleitermuster und die Gateisolierungsschicht umschließt.

28. Verfahren nach Anspruch 27, wobei die Breite des Halblei termusters größer ist als die Breite der Datenzuführung.

29. Verfahren zum Herstellen einer Flüssigkristallanzeige mit einem Substrat, einer Elektrodenleitung, einer Elektrodenkon taktierungsfläche, einer die Elektrodenleitung und die Elek trodenkontaktierungsfläche koppelnden Elektrodenzuführung, einem die Elektrodenzuführung zwischen der Elektrodenleitung und der Elektrodenkontaktierungsfläche kreuzenden Dichtmittel und einer organischen Schutzschicht (24) und einer Gateisolie rungsschicht (22), die auf dem Substrat ausgebildet sind, wobei bei dem Verfahren:
die organische Schutzschicht (24) in einem mit dem Dicht mittel (11) beschichteten Bereich so strukturiert wird, daß das Dichtmittel (11) direkten Kontakt mit der Gateisolierungs schicht (22) hat.

30. Verfahren nach Anspruch 29, wobei beim Strukturieren der organischen Schutzschicht (24) ein geätzter Bereich in der organischen Schutzschicht (24) so geätzt wird, daß das Dicht mittel (11) vollständig in Kontakt mit der Gatiesolierungs schicht (22) ist.

31. Verfahren nach Anspruch 30, wobei die Elektrodenzuführung eine Datenzuführung ist, und bei dem weiter:
eine Schutzschicht zum Schutz der Datenzuführung ausgebil det wird.

32. Verfahren nach Anspruch 31, wobei die Schutzschicht eine transparente Elektrode ist.

33. Verfahren nach Anspruch 30, wobei der geätzte Bereich in der organischen Schutzschicht (24) eine größere Breite hat als der mit dem Dichtmittel (11) beschichtete Bereich.

34. Verfahren nach Anspruch 29, wobei beim Ausbilden der orga nischen Schutzschicht (24) ein geätzter Bereich in der orga nischen Schutzschicht (24) so geätzt wird, daß das Dichtmittel (11) teilweise in Kontakt mit der Gateisolierungsschicht (22) ist.

35. Verfahren nach Anspruch 34, wobei der geätzte Bereich in der organischen Schutzschicht (24) die Form einer sich entlang der Richtung, in der das Dichtmittel (11) ausgebildet ist, erstreckenden Furche aufweist, wobei sich ein Ende des geätzten Bereichs (48) bis jenseits des mit dem Dichtmittel (11) be schichteten Bereichs erstreckt.

36. Verfahren nach Anspruch 34, wobei die Flüssigkristallan zeige weiter eine zweite Elektrodenleitung, eine zweite Elek trodenkontaktierungsfläche und eine zweite, die zweite Elek trodenleitung und die zweite Elektrodenkontaktierungsfläche koppelnde Elektrodenzuführung aufweist, und wobei der geätzte Bereich (48) in der organischen Schutzschicht (24) zwischen den Elektrodenzuführungen ausgebildet ist.

37. Verfahren nach Anspruch 36, wobei jedes Ende des geätzten Bereichs in der organischen Schutzschicht (24) sich bis jen seits des mit dem Dichtmittel (11) beschichteten Bereichs er streckt.

38. Verfahren nach Anspruch 36, wobei ein Ende des geätzten Bereichs in der organischen Schutzschicht (24) sich bis jen seits des mit dem Dichtmittel (11) beschichteten Bereichs er streckt.