DE10025261B4 - Flüssigkristallanzeige und Verfahren zum Herstellen derselben - Google Patents

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Abstract

Flüssigkristallanzeige und Verfahren zum Herstellen derselben, die bzw. das vermag, die Adhäsion zwischen einem Dichtmittel und einer unteren Platte in einem Feld mit einem hohen Aperturverhältnis, auf welches Feld eine organische Schutzschicht aufgebracht ist, zu verstärken. Die organische Schutzschicht und eine Gateisolierungsschicht sind so strukturiert, daß das Dichtmittel in direktem Kontakt mit einem Substrat steht. Entsprechend wird die organische Schutzschicht oder die Gateisolierungsschicht in dem mit dem Dichtmittel beschichteten Bereich teilweise oder vollständig entfernt, so daß das Dichtmittel in direkten Kontakt mit der Gateisolierungsschicht oder dem unteren Glas gebracht wird, wodurch die Adhäsion zwischen dem Dichtmittel und der unteren Platte verstärkt ist.

Description

  • Die Erfindung schafft eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung, und insbesondere eine Flüssigkristallanzeige, bei welcher die Adhäsion zwischen der oberen und der unteren Platte eines Paneels mit einem hohen Aperturverhältnis, auf welches Paneel eine organische Schutzschicht aufgetragen ist, verstärkt wird, und ein Verfahren zum Herstellen derselben.
  • Allgemein wird bei einer Flüssigkristallanzeige (LCD) die Lichtdurchlässigkeit gemäß Videosignalen durch in einem Matrixmuster angeordnete Flüssigkristallzellen gesteuert, so dass ein den Videosignalen entsprechendes Bild auf einem Flüssigkristallpaneel angezeigt wird. Zu diesem Zweck weist die LCD ein Flüssigkristallpaneel mit Aktivmatrix-artig angeordneten Flüssigkristallzellen und integrierte Ansteuerschaltungen (ICs) zum Ansteuern der Flüssigkristallzellen auf. Die ICs sind üblicherweise in Chipform hergestellt und werden im Fall eines "Tape Automated Bonding" (TAB)-Systems auf einem Tape Carrier Package montiert, oder im Fall eines "Chip-auf-Glas" (COG)-Systems auf der Oberfläche des Flüssigkristallpaneels montiert. Im Fall eines TAB-Systems sind die Ansteuer-ICs mittels des TCP mit einer auf dem Flüssigkristallpaneel vorgesehenen Kontaktierungsfläche elektrisch gekoppelt.
  • 1 zeigt eine Draufsicht auf ein Flüssigkristallpaneel 2, das eine Struktur mit einer unteren Platte 4 und einer gegenüberliegenden und daran haftenden oberen Platte 6 aufweist. In Bezug auf 1 weist das Flüssigkristallpaneel 2 einen Bildanzeigeteil 8 mit in einem Matrixmuster angeordneten Flüssigkristallzellen, Gatekontaktierungsflächen 12 und Datenkontaktierungsflächen 14 auf, die mit Gateleitungen bzw. Datenleitungen des Bildanzeigeteils 8 verbunden sind. Im Bildanzeigeteil 8 kreuzen sich die Datenleitungen, an denen Videosignale anliegen und Gateleitungen, an denen ein Abtastsignal, d. h. ein Gatesignal an der unteren Platte 4 anliegt. An den Kreuzungsstellen sind Dünnschichttransistoren (TFTs) zum Schalten der Flüssigkristallzellen und mit den Dünnschichttransistoren verbundene Pixelelektroden zum Ansteuern der Flüssigkristallzellen vorgesehen. An der oberen Platte 6 sind Farbfilter vorgesehen, die mittels einer schwarzen Matrix und einer gemeinsamen transparenten Elektrode, die einen Gegenpart zur Pixelelektrode darstellt, für jeden Bereich gesondert schichtartig aufgetragen sind. Die untere Platte 4 und die obere Platte 6, die die oben beschriebene Konfiguration aufweisen, sind durch einen Spacer (Spacer = Abstandsstück) voneinander getrennt und weisen innerhalb desselben einen Zellspalt auf. Der Zellspalt ist mit einem Flüssigkristallmaterial gefüllt. Die untere Platte 4 haftet mittels eines auf eine Dichtung 10, die außerhalb des Bildanzeigeteils 8 angeordnet ist, schichtartig aufgetragenen Dichtmittels an der oberen Platte 6. Die Gatekontaktierungsflächen 12 und die Datenkontaktierungsflächen 14 sind an dem Rand der unteren Platte 4 angeordnet, der nicht mit der oberen Platte 6 überlappt. Von den Gatekontaktierungsflächen 12 werden von den Gate-Ansteuer-ICs angelegte Gatesignale an die Gateleitungen des Bildanzeigeteils 8 angelegt. Von den Datenkontaktierungsflächen 14 werden von den Daten-Ansteuer-ICs angelegte Videosignale an die Datenleitungen des Bildanzeigeteils 8 angelegt.
  • Die untere Platte 4 ist vollständig mit einer Schutzschicht zum Schutz der Metallelektroden und der Dünnschichttransistoren (TFTs) beschichtet. In jedem Zellbereich sind die Pixelelektroden auf der Schutzschicht ausgebildet. Als Schutzschicht wurde üblicherweise ein anorganisches Material, z. B. SiNx oder SiOx verwendet. Da die anorganische Schutzschicht eine hohe Dielektrizitätskonstante aufweist und mittels einer Gasphasenabscheidungs-Technik ausgebildet wird, hat diese Schicht den Nachteil, dass es schwierig ist, ihre Höhe bzw. Dicke zu erhöhen. Entsprechend muss zwischen den Pixelelektroden und den Datenleitungen, zwischen denen die anorganische Schicht angeordnet ist, ein konstanter horizontaler Abstand von z. B. 3 μm bis 5 μm beibehalten werden, so dass durch parasitäre Kapazitäten verursachte Kopplungseffekte minimiert sind. Folglich wird die Größe der Pixelelektroden, die einen Einfluss auf das Aperturverhältnis der Flüssigkristallzelle hat, verringert, so dass man ein niedriges Aperturverhältnis erhält. Um dieses Problem zu lösen, wurde kürzlich als Schutzschicht ein organisches Material mit einer relativ niedrigen Dielektrizitätskonstante verwendet. Da diese organische Schutzschicht eine niedrige Dielektrizitätskonstante von ungefähr 2,7 aufweist und mittels eines Spin-Coating-Verfahrens (Aufschleuder-Technik) ausgebildet wird, hat sie den Vorteil, dass sie zu einer gewünschten Höhe oder Dicke ausgebildet werden kann. Solch eine organische Schutzschicht minimiert den Kapazitätswert der parasitären Kapazität, so dass die Pixelelektrode mit den Datenleitungen überlappen kann, ohne dass dazwischen ein horizontaler Abstand verbleibt. Infolgedessen ist die Größe der Pixelelektroden erhöht, so dass das Aperturverhältnis verbessert ist.
  • Wenn die untere und die obere Platte der Flüssigkristallanzeige mit einem so hohen Aperturverhältnis mittels eines Dichtmittels aneinandergeklebt werden, hat das Dichtmittel üblicherweise Kontakt mit der organischen Schutzschicht der unteren Platte. Jedoch hat die organische Schutzschicht bezüglich eines Dichtmittels wie z. B. Epoxid-Harz schwache Hafteigenschaften. Auch hat die organische Schutzschicht schwache Hafteigenschaften bezüglich einer im unteren Teil derselben angeordneten Gateisolierungsschicht. Dadurch wird, wenn die Stärke der organischen Schutzschicht selbst schwach ist, oder wenn die Haftung zwischen der organischen Schutzschicht und dem Dichtmittel oder der Gateisolierungsschicht schwach ist, bereits durch einen unbedeutenden Schlag auf den schwach haftenden Teil bewirkt, dass Sprünge oder Risse auftreten oder Schichten sich voneinander trennen. Folglich tritt das Problem auf, dass Flüssigkristall durch einen schwach haftenden Teil zwischen dem Dichtmittel und der Gateisolierungsschicht des unteren und des oberen Teils der organischen Schutzschicht hindurchleckt. Im Folgenden wird das Problem bei herkömmlichen Flüssigkristallanzeigen anhand der Zeichnungen im Detail beschrieben.
  • 2 zeigt eine vergrößerte Ansicht eines Teils einer von der Dichtung aus 1 durchkreuzten Datenzuführung. Die Datenzuführung 16 in 2 stellt ein Verbindungsstück zwischen der Datenkontaktierungsfläche 14 und der Datenleitung des Bildanzeigeteils dar und ist zusammen mit der Datenkontaktierungsfläche 14 und der Datenleitung ausgebildet. Im unteren Bereich der Datenzuführung 16 erstreckt sich ein Halbleitermuster 18 in die Datenkontaktierungsfläche 14. Die mit einem Dichtmittel überzogene Dichtung 10 ist in einer Richtung angeordnet, die die Datenzuführung 16 kreuzt. Mittels der Datenkontaktierungsfläche 14 wird durch ein in der organischen Schutzschicht definiertes Kontaktloch hindurch eine auf der organischen Schutzschicht ausgebildete transparente Schicht 17 kontaktiert. Die transparente Schicht 17 dient zum Schutz der als Metallelektrode ausgebildeten Datenkontaktierungsfläche und zum Verhindern einer Oxidation der Metallelektrode, während die für einen TAB-Prozess erforderliche Wiederholung einer TCP-Adhäsion durchgeführt wird.
  • 3A zeigt die Dichtung 10 aus 2 im entlang der Linie A-A' genommenen Schnitt, und 3B zeigt die Dichtung 10 im entlang der Line B-B' genommenen Schnitt. In 3A und 3B hat die untere Platte 4 eine solche Struktur, dass eine Gateisolierungsschicht 22, ein Halbleitermuster 18 und eine Datenzuführung 16 sequentiell auf ein unteres Glas 20 aufgetragen werden und dasselbe vollständig mit einer organischen Schutzschicht 24 beschichtet wird. In 3B wurde in die rechte Seite eines Dichtmittels 11 ein Flüssigkristall 32 des Bildanzeigeteils injiziert. Die obere Platte 6 hat eine solche Struktur, dass auf einem oberen Glas 30 ein Farbfilter und eine schwarze Matrix 26 ausgebildet sind, und das obere Glas 30 vollständig mit einer gemeinsamen transparenten Elektrode beschichtet ist. Die untere Platte 4 ist mittels des Dichtmittels 11 an die obere Platte 6 geklebt. In diesem Fall haftet das Dichtmittel 11 an der organischen Schutzschicht 24, wodurch eine schwache Haftung gegeben ist. Außerdem hat die organische Schutzschicht 24 eine schwache Haftung zur Gateisolierungsschicht 22 in deren unterem Bereich. Es besteht das Problem, dass, wenn die Adhäsion zwischen der organischen Schutzschicht 24 und dem Dichtmittel 11 oder der Gateisolierungsschicht 22 schwach ist, bereits durch einen unbedeutenden Schlag Risse oder Sprünge erzeugt werden, so dass Flüssigkristall herausleckt.
  • 4 zeigt eine vergrößerte Ansicht eines Teils einer von der Dichtung aus 1 durchkreuzten Gatezuführung. Die Gatezuführung 34 in 4 bildet ein Verbindungsstück zwischen der Gatekontaktierungsfläche 12 und der Gateleitung des Bildanzeigeteils und ist zusammen mit der Gatekontaktierungsfläche 12 und der Gateleitung ausgebildet. Von der Gatekontaktierungsfläche 12 wird durch ein mittels der Gateisolierungsschicht und der organischen Schutzschicht ausgebildetes Kontaktloch 19 hindurch eine auf der organischen Schutzschicht ausgebildete transparente Schicht 17 kontaktiert. Die transparente Schicht 17 dient zum Schutz einer als Gatekontaktierungsfläche dienenden Metallelektrode. Die mit einem Dichtmittel überzogene Dichtung 10 ist in eine Richtung angeordnet, die die Gatezuführung 34 kreuzt.
  • 5A zeigt die Dichtung 10 aus 4 im entlang der Linie A-A' genommenen Schnitt, und 5B zeigt die Dichtung 10 im entlang der Linie B-B' genommenen Schnitt. In 5A und 5B hat die untere Platte 4 eine solche Struktur, dass auf einem unteren Glas 20 sequentiell die Gatezuführung 34 und eine Gateisolierungsschicht 22 aufgebracht werden, und das untere Glas 20 vollständig mit einer organischen Schutzschicht 24 überzogen wird. Die obere Platte 6 hat eine solche Struktur, dass auf einem oberen Glas 30 ein Farbfilter und eine schwarze Matrix 26 ausgebildet sind, und das obere Glas 30 vollständig mit einer gemeinsamen transparenten Elektrode überzogen ist. Die untere Platte 4 haftet mittels des Dichtmittels 11 an der oberen Platte 6. In diesem Fall haftet das Dichtmittel 11 an der organischen Schutzschicht 24, wodurch eine schwache Haftung gegeben ist. Außerdem hat die organische Schutzschicht 24 eine schwache Haftung gegenüber der Gateisolierungsschicht 22 in deren unterem Bereich. Es besteht das Problem, dass, wenn die Haftung zwischen der organischen Schutzschicht 24 und dem Dichtmittel 11 oder der Gateisolierungsschicht 22 schwach ist, bereits durch unbedeutende Schläge Risse oder Sprünge verursacht werden, so dass Flüssigkristallmaterial herausleckt.
  • Da bei einer Flüssigkristallanzeige mit einem hohen Aperturverhältnis, auf die eine herkömmliche organische Schutzschicht aufgetragen ist, die Hafteigenschaften zwischen der organischen Schutzschicht und dem Dichtmittel oder der Gateisolierungsschicht schwach sind, besteht folglich das Problem, dass durch einen schwachen äußeren Schlag leicht ein Sprung oder Riss erzeugt wird, und somit Flüssigkristall durch den Sprung oder Riss hindurchleckt.
  • Aus EP 0 455 233 A2 ist eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung bekannt, bei welcher ein Paar von Glassubstraten über ein den Flüssigkristallbereich umschließendes rahmenförmiges Dichtelement kontaktiert sind. Ansteuerungselemente mit einer Mehrzahl von Dünnschichttransistoren sind über ein zwischen diesen Elementen und dem Glassubstrat eingefülltes Harz befestigt.
  • Ferner ist aus EP 0 731 373 A1 eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung bekannt, bei welcher ein den Flüssigkristallbereich umgebendes Dichtmittel vorgesehen ist, welches die Gateisolationsschicht direkt kontaktiert. Aus DE 197 14 510 A1 ist ein Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristallanzeige bekannt, bei welcher auf einem Dünnschichttransistor eine organische Passivierungsschicht ausgebildet, wobei durch selektives Abätzen der organischen Passivierungsschicht ein Verbindungsloch auf der Sourceelektrode oder Drainelektrode des Transistors gebildet wird.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung sowie ein Verfahren zu deren Herstellung bereitzustellen, wobei die Adhäsion zwischen einem Dichtmittel und einer unteren Platte in einer Flüssigkristallanzeige mit einem hohen Aperturverhältnis, auf die eine organische Schutzschicht aufgebracht ist, verstärkt ist.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung werden in der folgenden Beschreibung ausgeführt und werden aus der Beschreibung oder der Durchführung der Erfindung ersichtlich. Die Ziele und weiteren Vorteile der Erfindung werden anhand der in der schriftlichen Beschreibung und den Ansprüchen sowie in den Zeichnungen insbesondere dargestellten Struktur verwirklicht und erzielt.
  • Um diese und weitere Vorteile gemäß dem Zweck der Erfindung zu erzielen, weist, wie die Ausführungsformen und die ausführliche Beschreibung zeigen, eine Flüssigkristallanzeige gemäß einem Aspekt der Erfindung ein Substrat, eine die Elektrodenleitung und die Elektrodenkontaktierungsfläche koppelnde Elektrodenzuführung, ein die Elektrodenzuführung zwischen der Elektrodenleitung und der Elektrodenkontaktierungsfläche kreuzendes Dichtmittel und eine organische Schutzschicht und eine Gateisolierungsschicht auf, die auf der Oberfläche des Substrats ausgebildet und in solcher Weise strukturiert sind, dass wenigstens ein Loch gebildet wird, so dass das Dichtmittel in direkten Kontakt mit dem Substrat gelangt.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung weist ein Verfahren zum Herstellen einer Flüssigkristallanzeige, wobei die Flüssigkristallanzeige ein Substrat, eine Elektrodenleitung, eine Elektrodenkontaktierungsfläche, eine die Elektrodenleitung und die Elektrodenkontaktierungsfläche koppelnde Elektrodenzuführung, ein die Elektrodenzuführung zwischen der Elektrodenleitung und der Elektrodenkontaktierungsfläche kreuzendes Dichtmittel, und eine organische Schutzschicht und eine Gateisolierungsschicht, die auf der Oberfläche des Substrats ausgebildet sind, aufweist, ein derartiges Strukturieren der organischen Schutzschicht und der Gateisolierungsschicht in einem mit dem Dichtmittel beschichteten Bereich auf, dass wenigstens ein Loch gebildet wird, so dass das Dichtmittel in direkten Kontakt mit einem Substrat gelangt.
  • In den Zeichnungen sind Ausführungsformen der Erfindung veranschaulicht, und in der folgenden Beschreibung sind anhand der Zeichnungen die Grundsätze der Erfindung erklärt.
  • Es zeigen:
  • 1 eine Draufsicht auf ein herkömmliches Flüssigkristallpaneel;
  • 2 eine vergrößerte Draufsicht auf einen Teilbereich der die Dichtung aus 1 kreuzenden Datenzuführung;
  • 3A eine Ansicht der Dichtung im entlang der Linie A-A' in 2 genommenen vertikalen Schnitt;
  • 3B eine Ansicht der Dichtung im entlang der Linie B-B' in 2 genommenen vertikalen Schnitt;
  • 4 eine vergrößerte Draufsicht auf einen Teilbereich der Gatezuführung, der die Dichtung aus 1 kreuzt;
  • 5A eine Ansicht der Dichtung im entlang der Linie A-A' in 4 genommenen Schnitt;
  • 5B eine Ansicht der Dichtung im entlang der Linie B-B' in 4 genommenen Schnitt;
  • 6 eine teilweise vergrößerte Draufsicht auf eine Datenzuführung einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung;
  • 7 eine Ansicht der unteren Platte und der Dichtung im entlang der Linie A-A' in 6 genommenen Schnitt;
  • 8 eine teilweise vergrößerte Draufsicht einer Gatezuführung einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung;
  • 9 eine teilweise vergrößerte Draufsicht einer Datenzuführung einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung;
  • 10 eine Ansicht der unteren Platte und der Dichtung im entlang der Linie A-A' in 9 genommenen Schnitt;
  • 11 eine teilweise vergrößerte Draufsicht einer Gatezuführung einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung;
  • 12 eine teilweise vergrößerte Draufsicht einer Da tenzuführung einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung;
  • 13 eine Ansicht der unteren Platte und der Dichtung im entlang der Linie A-A' in 12 genommenen Schnitt;
  • 14 eine teilweise vergrößerte Draufsicht einer Datenzuführung einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer vierten Ausführungsform der Erfindung;
  • 15 eine Ansicht der unteren Platte und der Dichtung im entlang der Linie A-A' in 14 genommenen Schnitt;
  • 16 eine teilweise vergrößerte Draufsicht einer Datenzuführung einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer fünften Ausführungsform der Erfindung;
  • 17A und 17B Ansichten der unteren Platte und der Dichtung im entlang der Linie A-A' bzw. B-B' in 15 genommenen Schnitt;
  • 18 eine teilweise vergrößerte Draufsicht einer Gatezuführung einer Flüssigkristallanzeige;
  • 19 eine Ansicht der unteren Platte und der Dichtung im entlang der Linie A-A' in 18 genommenen Schnitt;
  • 20 eine teilweise vergrößerte Draufsicht einer Datenzuführung einer Flüssigkristallanzeige;
  • 21 eine Ansicht der unteren Platte und der Dichtung im entlang der Linie A-A' in 20 genommenen Schnitt;
  • 22 eine teilweise vergrößerte Draufsicht einer Gatezuführung einer Flüssigkristallanzeige;
  • 23 eine Ansicht der unteren Platte und der Dichtung im entlang der Linie A-A' in 22 genommenen Schnitt;
  • 24 eine teilweise vergrößerte Draufsicht einer Da tenzuführung einer Flüssigkristallanzeige; und
  • 25 eine Ansicht der unteren Platte und der Dichtung im entlang der Linie A-A' in 24 genommenen Schnitt.
  • Im Folgenden wird eingehend Bezug auf bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung genommen, wobei in den Zeichnungen Beispiele bevorzugter Ausführungsformen veranschaulicht sind.
  • 6 zeigt eine teilweise vergrößerte Ansicht einer Datenzuführung einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung. In 6 ist die Datenzuführung 16 zusammen mit einer Datenkontaktierungsfläche 14 und einer Datenleitung eines Bildanzeigeteils ausgebildet. Die Datenkontaktierungsfläche 14 ist durch ein in einer organischen Schutzschicht definiertes Kontaktloch 19 hindurch mit einer transparenten Schicht 17 elektrisch gekoppelt. Im unteren Bereich der Datenzuführung 16 erstreckt sich ein Halbleitermuster 18 in die Datenkontaktierungsfläche 14. Eine mit einem Dichtmittel beschichtete Dichtung 10 ist in eine Richtung angeordnet, die die Datenzuführung 16 kreuzt. Die organische Schutzschicht und die Gateisolierungsschicht, die zwischen den Datenzuführungen 16 an der Dichtung 10 angeordnet sind, sind durch ein Trockenätzverfahren unter Verwendung eines Maskenmusters strukturiert, so dass eine Anzahl von Löchern 40 ausgebildet ist, wodurch es erlaubt ist, dass das Dichtmittel teilweise, durch die Löcher 40 hindurch, direkten Kontakt mit einem unteren Glas hat. Insbesondere erstrecken sich die Löcher 40 bis außerhalb der Dichtung 10, wodurch verhindert wird, dass während des schichtartigen Aufbringens des Dichtmittels Blasenbildung auftritt.
  • 7 zeigt die untere Platte im Schnitt entlang der Linie A-A' in 6, durch die Dichtung 10 und das definierte Loch 40 hindurch. Ein Verfahren zum Herstellen einer Datenzuführung gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung wird im Folgenden in Bezug auf 6 und 7 beschrieben. Auf der gesamten Oberfläche eines unteren Glases 20 wird eine Gateisolierungsschicht 22 ausgebildet. Nachdem auf der Gateisolierungsschicht 22 sequentiell das Halbleitermuster 18 und die Datenzuführung 16 ausgebildet worden sind, wird auf der gesamten Oberfläche derselben Schicht 22 eine organische Schutzschicht 24 ausgebildet. Dann werden an einer mit einem Dichtmittel 11 zu beschichtenden Stelle die organische Schutzschicht 24 und die Gateisolierungsschicht 22 sequentiell so strukturiert, dass die Löcher 40 ausgebildet werden. In diesem Fall ist ein Ende des Lochs 40 außerhalb der Dichtung 10 angeordnet. Anschließend wird die Dichtung 10 mit dem Dichtmittel 11 beschichtet, so dass die obere Platte und die untere Platte aneinandergeklebt werden. In diesem Fall besteht teilweise direkter Kontakt zwischen dem Dichtmittel 11 und dem unteren Glas 20 durch das Loch 40 hindurch, wodurch die Adhäsion zwischen dem Dichtmittel 11 und der unteren Platte verstärkt ist.
  • 8 zeigt eine teilweise vergrößerte Ansicht einer Gatezuführung der Flüssigkristallanzeige gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung. In 8 ist die Gatezuführung 34 zusammen mit der Gatekontaktierungsfläche 12 und einer Gateleitung eines Bildanzeigeteils ausgebildet. Die Gatekontaktierungsfläche 12 ist durch ein durch die Gateisolierungsschicht und die organischen Schutzschicht hindurch ausgebildetes Kontaktloch 19 hindurch mit einer transparenten Elektrode 17 elektrisch gekoppelt. Eine mit einem Dichtmittel überzogene Dichtung 10 ist in einer Richtung angeordnet, die die Gatezuführung 34 kreuzt. Die organische Schutzschicht und die Gateisolierungsschicht, die zwischen den Gatezuführungen 34 an der Dichtung 10 angeordnet sind, sind so strukturiert, dass, ähnlich wie es oben für die Datenzuführungen beschrieben wurde, eine Anzahl von Löchern 40 ausgebildet ist, wodurch es erlaubt ist, dass ein Dichtmittel teilweise, durch die Löcher 40 hindurch, in direktem Kontakt mit einem unteren Glas steht. Insbesondere erstrecken sich die Löcher 40 bis außerhalb der Dichtung 10, so dass verhindert wird, dass während des schichtartigen Auftragens des Dichtmittels Blasen erzeugt werden.
  • In 8 ist, ähnlich wie in 7, die untere Platte im entlang der Linie A-A' genommenen Schnitt durch die Dichtung 10 mit dem definierten Loch 40 gezeigt. Im Folgenden wird anhand der 7 und 8 ein Verfahren zum Herstellen einer Gatezuführung gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung beschrieben. Auf dem unteren Glas wird die Gatezuführung 34 ausgebildet, und auf der gesamten Oberfläche desselben wird eine Gateisolierungsschicht 22 ausgebildet. Nachdem auf der gesamten Oberfläche der Gateisolierungsschicht 22 die organische Schutzschicht 24 ausgebildet worden ist, werden die organische Schutzschicht 24 und die Gateisolierungsschicht 22 an einer mit einem Dichtmittel 11 zu beschichtenden Stelle unter Verwendung eines Maskenmusters mittels eines Trockenätzverfahrens sequentiell derart strukturiert, dass die Löcher 40 ausgebildet werden. In diesem Fall ist ein Ende des Lochs 40 außerhalb der Dichtung 10 angeordnet. Anschließend wird die Dichtung 10 mit dem Dichtmittel 11 beschichtet, so dass die obere Platte und die untere Platte aneinandergeklebt werden. In diesem Fall besteht teilweise direkter Kontakt zwischen dem Dichtmittel 11 und dem unteren Glas 20 durch die Löcher 40 hindurch, wodurch die Adhäsion zwischen dem Dichtmittel 11 und der unteren Platte verstärkt ist.
  • 9 zeigt eine teilweise vergrößerte Ansicht einer Datenzuführung einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. In 9 sind die Datenzuführung 44 und eine Datenkontaktierungsfläche 42 simultan ausgebildet worden, wobei während des Ausbildens der Gateleitung das gleiche Material als Gateleitung verwendet wurde. Die Datenzuführung 44 ist mittels einer in einem Kontaktloch 43 definierten transparenten Elektrode 45 mit einer in einer anderen Schicht ausgebildeten Datenleitung 50 elektrisch gekoppelt. Mit anderen Worten ist die auf einer Gateisolierungsschicht ausgebildete Datenleitung 50 mittels der in dem Kontaktloch 19 definierten transparenten Elektrode 17 mit der im unteren Bereich der Gateisolierungsschicht ausgebildeten Datenzuführung 44 elektrisch gekoppelt. Auf der Datenzuführung 44 ist ein die Dichtung 10 kreuzendes Halbleitermuster 46 angeordnet. Die Gateisolierungsschicht wird, mit Ausnahme einer organischen Schutzschicht der Dichtung 10 und eines mit dem Halbleitermuster 46 ausgebildeten Teilbereichs, geätzt, so dass das Dichtmittel an das Halbleitermuster 46 und das untere Glas geklebt wird. In diesem Fall ist, da der Bereich in dem das Dichtmittel an dem unteren Glas klebt, vergrößert ist, die Adhäsion zwischen dem Dichtmittel und der unteren Platte verstärkt. Insbesondere werden die organische Schutzschicht und die Gateisolierungsschicht in einem Bereich 48 geätzt, dessen Breite größer gewählt wird als die Breite der Dichtung 10, wodurch verhindert wird, dass beim schichtartigen Aufbringen des Dichtmittels Blasen erzeugt werden.
  • 10 zeigt die untere Platte und die Dichtung 10 im entlang der Linie A-A' in 9 genommenen Schnitt durch die Dichtung 10. Im Folgenden wird in Bezug auf 10 ein Verfahren zum Herstellen einer Datenzuführung gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung beschrieben. Nachdem die Datenzuführung 44 auf dem unteren Glas 20 ausgebildet worden ist, wird das untere Glas 20 vollständig mit der Gateisolierungsschicht 22 beschichtet. Dann wird die Gateisolierungsschicht 22, mit Ausnahme eines mit der organischen Schutzschicht der Dichtung und dem Halbleitermuster 46 ausgebildeten Teilbereichs, mittels eines Maskenmusters geätzt. In diesem Fall ist die Breite des Bereichs 48, in dem der organische Schutzschicht und der Gateisolierungsschicht geätzt werden, so eingestellt, dass sie größer ist als die Breite der Dichtung 10. Das Halbleitermuster 46 wirkt während des Ätzens der Gateisolierungsschicht als Ätz-Stopp, so dass die darunterliegende Gateisolierungsschicht 22 und die Datenzuführung 44 geschützt sind. Zu diesem Zweck wird bei dem Halbleitermuster 46 eine Breite gewählt, die größer ist als die der Datenzuführung 44. Dann wird die Dichtung 10 mit einem Dichtmittel 11 beschichtet, so dass die obere Platte und die untere Platte aneinandergeklebt werden. In diesem Fall hat das Dichtmittel 11 Kontakt mit dem unteren Glas 20 und dem Halbleitermuster 46, so dass die Adhäsion zwischen dem Dichtmittel 11 und der unteren Platte verstärkt ist.
  • 11 zeigt eine teilweise vergrößerte Ansicht einer Gatezuführung der Flüssigkristallanzeige gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. In 11 ist die Gatezuführung 34 zusammen mit einer Gatekontaktierungsfläche 12 und einer Gateleitung eines Bildanzeigeteils ausgebildet. Die Gatekontaktierungsfläche 12 ist durch ein durch die Gateisolierungsschicht und die organische Schutzschicht hindurch ausgebildetes Kontaktloch 19 hindurch mit einer transparenten Elektrode 17 elektrisch gekoppelt. Auf der Gatezuführung 34 ist ein die Dichtung 10 kreuzendes Halbleitermuster 46 zum Schutz der Gatezuführung 34 ausgebildet. Die Gateisolierungsschicht wird, mit Ausnahme einer an der Dichtung 10 angeordneten Schutzschicht und eines mit dem Halbleitermuster 46 ausgebildeten Teilbereichs, geätzt, so dass das Dichtmittel an das Halbleitermuster 46 und das untere Glas geklebt wird. In diesem Fall ist, da der Bereich, in dem das Dichtmittel an dem unteren Glas klebt, vergrößert ist, die Adhäsion zwischen dem Dichtmittel und der unteren Platte verstärkt. Insbesondere ist die Breite des Bereichs 48, in dem die organische Schutzschicht und die Gateisolierungsschicht geätzt werden, größer gewählt als die Breite der Dichtung 10, wodurch verhindert wird, dass während des schichtartigen Aufbringens des Dichtmittels Blasen erzeugt werden. Ein Schnitt durch die untere Platte und die Dichtung 10 entlang der Linie A-A' in 11, durch die Dichtung hindurch, hat die gleiche Struktur wie der in 10, falls die Datenzuführungen durch die Gatezuführungen ersetzt werden.
  • 12 zeigt eine teilweise vergrößerte Ansicht einer Datenzuführung einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung. In 12 sind eine Datenkontaktierungsfläche 14 und eine Datenzuführung 16 simultan mit einer Datenleitung eines Bildanzeigeteils ausgebildet. Die Datenzuführung 16 ist durch ein durch eine organische Schutzschicht hindurch ausgebildetes Kontaktloch 19 hindurch mit einer transparenten Elektrode 17 elektrisch gekoppelt. Unter der Datenzuführung 16 ist ein Halbleitermuster 18 ausgebildet. Ein an der Dichtung 10 in dem Halbleitermuster 18 ausgebildeter Teilbereich 18a wirkt als Ätz-Stopp-Vorrichtung während des Ätzens der Gateisolierungsschicht, wodurch verhindert wird, dass die Gateisolierungsschicht unter dem Halbleitermuster 18a unterhöhlt wird. Zu diesem Zweck ist die Breite des Halbleitermusters 18a an der Dichtung 10 breiter gewählt als in anderen Teilbereichen desselben. Die Gateisolierungsschicht mit Ausnahme der organischen Schutzschicht in der Dichtung 10 und des Halbleitermusters 18a werden geätzt. Im oberen Bereich der Datenzuführung 16 ist eine transparente Elektrode 47 zum Schutz der Datenzuführung 16 angeordnet. Die transparente Elektrode 47 hat eine stärkere Adhäsion bezüglich des Dichtmittels 11 als die Datenzuführung 16. Entsprechend ist, da das Dichtmittel 11 direkten Kontakt mit der transparenten Elektrode 47 und dem unteren Glas hat, die Adhäsion zwischen dem Dichtmittel 11 und der unteren Platte zusätzlich verstärkt. Insbesondere ist die Breite des geätzten Bereichs 48 so eingestellt, dass sie größer ist als die der Dichtung 10, wodurch verhindert wird, dass während des schichtartigen Auftragens des Dichtmittels Blasen erzeugt werden.
  • 13 zeigt die untere Platte und die Dichtung 10, die die Datenzuführung 16 kreuzt, im entlang der Linie A-A' in 12 genommenen Schnitt durch die Dichtung 10 hindurch. Im Folgenden wird in Bezug auf 13 ein Verfahren zum Herstellen einer Datenzuführung gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung beschrieben. Ein mit der Gateleitung versehenes unteres Glas 20 wird vollständig mit einer Gateisolierungsschicht 22 beschichtet. Ein Halbleitermuster 18a in der Dichtung 10 wirkt als ein Ätz-Stopp bei einem späteren Ätz-Schritt, bei dem die Gateisolierungsschicht 22 geätzt wird. Die Breite des Halbleitermusters 18a wird so eingestellt, dass sie breiter ist als die des anderen Teilbereichs, so dass verhindert wird, dass die darunterliegende Gateisolierungsschicht 22 unterhöhlt wird. Nachdem die Datenzuführung 16 zusammen mit der Datenleitung und der Datenkontaktierungsfläche auf dem Halbleitermuster 18a ausgebildet worden ist, wird dieselbe vollständig mit einer organischen Schutzschicht beschichtet. Dann wird die Gateisolierungsschicht 22 mit Ausnahme der organischen Schutzschicht in der Dichtung 10 und des Halbleitermusters 18a unter Verwendung eines Maskenmusters geätzt. Anschließend wird, nachdem die transparente Elektrode 47 so ausgebildet worden ist, dass sie die Datenzuführung 16, das Halbleitermuster 18a und die Gateisolierungsschicht 22 umschließt, die Dichtung 10 mit dem Dichtmittel 11 beschichtet, so dass die untere Platte und die obere Platte aneinandergeklebt werden. Entsprechend klebt das Dichtmittel 11 an dem unteren Glas 20 und der transparenten Elektrode 47, wodurch die Adhäsion zwischen dem Dichtmittel 11 und der unteren Platte verstärkt ist.
  • 14 zeigt eine vergrößerte Ansicht einer Datenzuführung in einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer vierten Ausführungsform der Erfindung. 15 zeigt die untere Platte und die Dichtung 10 im entlang der Linie A-A' in 14 genommenen Schnitt durch die Dichtung 10 hindurch. In Bezug auf 14 und 15 sind zwischen Datenzuführungen 16, die die Dichtung 10 kreuzen, eine Anzahl von Löchern 52 derart in einer organischen Schutzschicht 24 und einer Gateisolierungsschicht 22 definiert, dass ein Dichtmittel 11 durch die Anzahl von Löchern 52 in direkten Kontakt mit dem unteren Glas 20 gelangt, wodurch die gegenseitige Adhäsion zwischen ihnen verstärkt ist. Die Datenzuführung 16 ist zusammen mit der Datenkontaktierungsfläche und den Datenleitungen auf dem mit der Gateisolierungsschicht 22 versehenen unteren Glas 20 ausgebildet. Im unteren Teilbereich der Datenzuführung 16 ist ein Halbleitermuster 18 ausgebildet. Die mit der Datenzuführung 16 ausgebildete untere Platte wird vollständig mit der organischen Schutzschicht 24 beschichtet. Die Anzahl von Löchern 52 werden durch ein Strukturieren der organischen Schutzschicht 24 und der Gateisolierungsschicht 22 zwischen den die Dichtung 10 kreuzenden Datenzuführungen 16 ausgebildet. Entsprechend kommt ein Dichtmittel 22, wenn es auf die organische Schutzschicht 24 schichtartig aufgetragen wird, durch die Löcher 52 hindurch in direkten Kontakt mit dem unteren Glas 20, so dass die Adhäsion zwischen ihnen verstärkt ist. In ähnlicher Weise werden in der organischen Schutzschicht und in der Gateisolierungsschicht zwischen die Dichtung 10 kreuzenden Gatezuführungen eine Anzahl von Löchern 52 definiert, so dass die Adhäsion zwischen dem Dichtmittel 11 und der unteren Platte verstärkt ist.
  • 16 zeigt eine vergrößerte Ansicht einer Datenzuführung in einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer fünften Ausführungsform der Erfindung. 17A und 17B zeigen die unter Platte und die Dichtung 10 im entlang der Linie A-A' bzw. der Linie B-B' in 16 genommenen Schnitt durch die Dichtung 10 hindurch. In Bezug auf 16 und 17A und 17B wird in der organischen Schutzschicht 24 und in der Gateisolierungsschicht 22 in einer eine Datenzuführung 16 kreuzenden Richtung ein linienförmiges Loch 54 derart definiert, dass das Dichtmittel 11 durch das linienförmige Loch hindurch in direkten Kontakt mit dem unteren Glas 20 kommt, so dass die gegenseitige Adhäsion verstärkt ist. Die Datenzuführung 16 ist zusammen mit der Datenkontaktierungsfläche und den Datenleitungen auf dem mit der Gateisolierungsschicht 22 versehenen unteren Glas 20 ausgebildet. Im unteren Teilbereich der Datenzuführung 16 ist ein Halbleitermuster 18 ausgebildet. Die mit der Datenzuführung 16 ausgebildete untere Platte ist vollständig mit der organischen Schutzschicht 24 beschichtet. Das linienförmige Loch 54 ist durch ein Strukturieren der organischen Schutzschicht 24 und der Gateisolierungsschicht 22 in eine die Datenzuführung 16 kreuzende Richtung ausgebildet. Entsprechend steht ein schichtartig aufgetragenes Dichtmittel 11 durch die linienförmigen Löcher 54 hindurch in direktem Kontakt mit dem unteren Glas 20, so dass die Adhäsion zwischen dem Dichtmittel 11 und der unteren Platte verstärkt ist. In ähnlicher Weise ist in der organischen Schutzschicht und der Gateisolierungsschicht, zwischen die Dichtung 10 kreuzenden Gatezuführungen, ein linienförmiges Loch 54 definiert, so dass die Adhäsion zwischen dem Dichtmittel 11 und der unteren Platte verstärkt ist.
  • 18 zeigt eine weitere vergrößerte Ansicht eines Teilbereichs einer Gatezuführung einer Flüssigkristallanzeige, die nicht beansprucht ist. In 18 ist die Gatezuführung 34 mit einer Gatekontaktierungsfläche 12 und einer Gateleitung integriert ausgebildet. Die Gatekontaktierungsfläche 12 ist durch ein durch eine Gateisolierungsschicht und eine organische Schutzschicht hindurch ausgebildetes Kontaktloch 19 hindurch mit einer transparenten Elektrode 17 elektrisch gekoppelt. In einem Dichtungsbereich 10 ist eine organischer Schutzschicht in einer die Gatezuführung 34 kreuzenden Richtung ausgebildet, wodurch das Dichtmittel vollständig oder teilweise mit der im unteren Teilbereich der organischen Schutzschicht angeordneten Gateisolierungsschicht in Kontakt ist. Insbesondere ist ein Bereich, in dem die organische Schutzschicht entfernt worden ist, wie die in 18 gezeigten drei Bereiche, d. h. der erste bis dritte Bereich, D1 bis D3, in solcher Weise angeordnet, dass jede Seite oder eine Seite desselben jenseits der Linienbreite der Dichtung 10 angeordnet ist. In diesem Fall wird, wie in 19 gezeigt ist, Luft durch einen Raum zwischen dem Dichtmittel 11 und der organischen Schutzschicht 24 heraus entleert, wodurch verhindert wird, dass beim schichtartigen Auftragen des Dichtmittels Blasen erzeugt werden. Wenn der Bereich, in dem die organische Schutzschicht entfernt worden ist, so gewählt ist, dass er breiter ist als die Linienbreite der Dichtung 10, wie der in 18 gezeigte erste geätzte Bereich D1, hat das gesamte Dichtmittel Kontakt mit der Gateisolierungsschicht. Wenn es so eingerichtet ist, dass eine Seite des Bereichs, in dem die organische Schutzschicht entfernt worden ist, jenseits der Dichtung 10 liegt, wie beim zweiten und dritten geätzten Bereich D2 und D3, hat das Dichtmittel teilweise Kontakt mit der Gateisolierungsschicht.
  • 19 zeigt die untere Platte und die Dichtung 10 im entlang der Linie A-A' in 18 gezeigten Schnitt durch die Dichtung 10 hindurch. Im Folgenden wird in Bezug auf 19 ein Verfahren zum Herstellen der Gatezuführung beschrieben. Auf dem unteren Glas 20 wird die Gatezuführung 34 ausgebildet, und auf der gesamten Oberfläche des unteren Glases 20 wird eine Gateisolierungsschicht 22 ausgebildet. Nachdem auf der gesamten Oberfläche der Gateisolierungsschicht 22 eine organische Schutzschicht 24 ausgebildet worden ist, wird die organische Schutzschicht 24 an einer mit dem Dichtmittel 11 zu beschichtenden Stelle unter Verwendung eines Maskenmusters geätzt. In diesem Fall wird jede oder eine Seite des geätzten Bereichs in der organischen Schutzschicht 24 jenseits der Linienbreite einer mit dem Dichtmittel beschichteten Dichtung angeordnet. Dann wird die Dichtung 10 mit dem Dichtmittel 11 beschichtet, um die untere Platte und die obere Platte zusammenzukleben. In diesem Fall hat die aus einem anorganischen Material gefertigte Gateisolierungsschicht 22 Kontakt mit dem Dichtmittel 11, wodurch die Adhäsion zwischen dem Dichtmittel 11 und der unteren Platte verstärkt ist.
  • 20 zeigt eine weitere teilweise vergrößerte Ansicht der Datenzuführung einer Flüssigkristallanzeige, die nicht beansprucht wird. In 20 ist die Datenzuführung 16 mit einer Datenkontaktierungsfläche 14 und einer Datenleitung integriert ausgebildet. Die Datenkontaktierungsfläche 14 ist durch ein in der organischen Schutzschicht ausgebildetes Kontaktloch 19 hindurch mit einer transparenten Elektrode 17 elektrisch gekoppelt. In einem Dichtungsbereich 10 ist in eine die Datenzuführung 16 kreuzende Richtung eine organische Schutzschicht ausgebildet, wodurch ein Dichtmittel vollständig oder teilweise mit der Gateisolierungsschicht in Kontakt gebracht ist. In diesem Fall ist ferner im oberen Teilbereich der Datenzuführung 16 eine transparente Elektrode 56 vorgesehen, welche die Datenzuführung 16 schützt und eine gute Adhäsion bezüglich des Dichtmittels aufweist. Damit verhindert wird, dass während des schichtartigen Auftragens des Dichtmittels Blasen erzeugt werden, ist der Bereich, in dem die organische Schutzschicht entfernt ist, so gewählt, dass jede Seite oder eine Seite desselben jenseits der Linienbreite der Dichtung 10 angeordnet ist, wie bei den in 20 gezeigten ersten bis dritten Bereichen D1 bis D3.
  • 21 zeigt die untere Platte und die Dichtung 10 im entlang der Linie A-A' in 20 gezeigten Schnitt. Im Folgenden wird in Bezug auf 20 ein Verfahren zum Herstellen der Datenzuführung beschrieben. Auf der gesamten Oberfläche eines unteren Glases 20 wird eine Gateisolierungs schicht 22 ausgebildet. Nachdem die Datenzuführung 16 auf der Gateisolierungsschicht 22 ausgebildet worden ist, wird auf der gesamten Oberfläche derselben eine organische Schutzschicht 24 ausgebildet. Dann wird an einer mit einem Dichtmittel 11 zu beschichtenden Stelle die organische Schutzschicht 24 unter Verwendung eines Maskenmusters geätzt. In diesem Fall ist jede Seite oder eine Seite des geätzten Bereichs in der organischen Schutzschicht 24 jenseits der Linienbreite einer mit dem Dichtmittel beschichteten Dichtung angeordnet. Anschließend wird in einem durch ein Ätzen der organischen Schutzschicht freigelegten oberen Teilbereich der Datenzuführung 16 eine transparente Elektrode 56 ausgebildet. Dann wird die Dichtung 10 mit dem Dichtmittel 11 beschichtet, so dass die untere Platte und die obere Platte zusammengeklebt werden. In diesem Fall hat das Dichtmittel 11 Kontakt mit der Gateisolierungsschicht 22 und der transparenten Elektrode 56, wodurch die Adhäsion zwischen dem Dichtmittel 11 und der unteren Platte verstärkt ist.
  • 22 zeigt eine weitere vergrößerte Ansicht eines Teilbereichs einer Gatezuführung einer Flüssigkristallanzeige, die nicht beansprucht wird. In 22 ist eine in eine die Gatezuführung 34 kreuzende Richtung vorgesehene organische Schutzschicht in einem Dichtungsbereich 10 teilweise entfernt, wodurch es erlaubt ist, dass ein Dichtmittel mit einer im unteren Teil der organischen Schutzschicht angeordneten Gateisolierungsschicht teilweise Kontakt hat. In diesem Fall sind in der organischen Schutzschicht zwischen den Gatezuführungen 34 parallel zu den Gatezuführungen 34 ausgerichtete linienförmige Löcher 58, 60 und 62 definiert. Insbesondere erstreckt sich, damit Blasenbildung während des schichtartigen Auftragens des Dichtmittels verhindert wird, jedes Ende oder ein Ende des linearen Lochs bis jenseits der Dichtung 10. Noch genauer erstreckt sich jedes Ende des linienförmigen Lochs bis jenseits der Dichtung 10, wie bei dem ersten linienförmigen Loch 58, oder es erstreckt sich ein Ende des linienförmigen Lochs bis jenseits der Dichtung 10, wie bei dem zweiten oder dritten linienförmigen Loch 60 oder 62.
  • 23 zeigt die untere Platte und die Dichtung 10 im entlang einer horizontalen Linie A-A' in 22 genommenen vertikalen Schnitt durch die Dichtung 10. Im Folgenden wird in Bezug auf 23 ein Verfahren zum Herstellen der Gatezuführung beschrieben. Auf dem unteren Glas 20 wird die Gatezuführung 34 ausgebildet, und auf der gesamten Oberfläche desselben wird eine Gateisolierungsschicht 22 ausgebildet. Nachdem auf der gesamten Oberfläche der Gateisolierungsschicht 22 eine organische Schutzschicht 24 ausgebildet worden ist, wird die organische Schutzschicht 24 an einer mit einem Dichtmittel 11 zu beschichtenden Stelle unter Verwendung eines Maskenmusters teilsweise geätzt. Mit anderen Worten werden in der organischen Schutzschicht 24 zwischen den Gatezuführungen 34 die linienförmigen Löcher 58, 60 und 62 definiert. In diesem Fall ist jede Seite oder eine Seite der linienförmigen Löcher 58, 60 und 62 jenseits der Dichtung 10 angeordnet. Dann wird die Dichtung 10 mit dem Dichtmittel 11 beschichtet, so dass die untere Platte und die obere Platte zusammengeklebt werden. Entsprechend hat das Dichtmittel 11 teilweise Kontakt mit der Gateisolierungsschicht 22, wodurch die Adhäsion zwischen dem Dichtmittel 11 und der unteren Platte verstärkt ist.
  • 24 zeigt eine weitere teilweise vergrößerte Ansicht einer Datenzuführung einer Flüssigkristallanzeige, die nicht beansprucht wird. In 24 ist eine in eine die Datenzuführung 16 kreuzende Richtung vorgesehene organische Schutzschicht in einem Dichtungsbereich 10 teilweise entfernt, wodurch es erlaubt ist, dass das Dichtmittel eine im unteren Teil der organischen Schutzschicht angeordnete Gateisolierungsschicht teilweise berührt. In diesem Fall sind in der organischen Schutzschicht zwischen den Datenzuführungen 16 parallel zu den Datenzuführungen 16 ausgerichtete linienförmige Löcher 58, 60 und 62 definiert. Insbesondere erstreckt sich, damit Blasenbildung während des schichtartigen Aufbringens des Dichtmittels verhindert wird, jedes Ende oder ein Ende des linearen Lochs bis jenseits der Dichtung 10. Noch genauer erstreckt sich jedes Ende des linienförmigen Lochs bis jenseits der Dichtung 10, wie bei dem ersten linienförmigen Loch 58, oder es erstreckt sich ein Ende des linienförmigen Lochs bis jenseits der Dichtung 10, wie bei dem zweiten oder dritten linienförmigen Loch 60 oder 62.
  • 25 zeigt die untere Platte und die Dichtung 10 in einem entlang der Linie A-A' in 24 genommenen Schnitt durch die Dichtung 10. Im folgenden wird in Bezug auf 25 ein Verfahren zum Herstellen der Datenzuführung beschrieben. Auf der gesamten Oberfläche eines unteren Glases 20 wird eine Gateisolierungsschicht 22 ausgebildet. Nachdem die Datenzuführung 16 auf der Gateisolierungsschicht 22 ausgebildet worden ist, wird auf der gesamten Oberfläche derselben eine organische Schutzschicht 24 ausgebildet. Dann wird die organische Schutzschicht 24 an einer mit einem Dichtmittel 11 zu beschichtenden Stelle unter Verwendung eines Maskenmusters geätzt. Mit anderen Worten wird in der organischen Schutzschicht 24 zwischen den Datenzuführungen 16 ein linienförmiges Loch ausgebildet. In diesem Fall erstreckt sich jede Seite oder eine Seite der linienförmigen Löcher 58, 60 und 62 bis jenseits der Dichtung 10. Dann wird die Dichtung 10 mit dem Dichtmittel 11 beschichtet, so dass die untere Platte und die obere Platte zusammengeklebt werden. In diesem Fall hat das Dichtmittel 11 teilweise Kontakt mit der Gateisolierungsschicht 22, wodurch die Adhäsion zwischen dem Dichtmittel 11 und der unteren Platte verstärkt ist.
  • Wie oben beschrieben worden ist, werden bei der erfindungsgemäßen Flüssigkristallanzeige und dem erfindungsgemäßen Verfahren zum Herstellen derselben eine organische Schutzschicht und eine Gateisolierungsschicht in einem mit einem Dichtmittel beschichteten Bereich teilweise oder vollständig derart entfernt, dass das Dichtmittel direkt mit einem Glassubstrat in Berührung kommt, wodurch die Adhäsion zwischen dem Dichtmittel und der unteren Platte verstärkt ist. Entsprechend wird mittels der Flüssigkristallanzeige mit hohem Aperturverhältnis, auf die die organische Schutzschicht aufgetragen ist, verhindert, dass ein durch externe Stöße verursachtes Herauslecken von Flüssigkristall aufgrund einer geschwächten Adhäsion zwischen dem Dichtmittel und der organischen Schutzschicht oder zwischen der organischen Schutzschicht und der Gateisolierungsschicht auftritt.

Claims (18)

  1. Flüssigkristallanzeige mit: einem Substrat (20); einer Elektrodenleitung; einer Elektrodenkontaktierungsfläche (14, 42, 12); einer die Elektrodenleitung und die Elektrodenkontaktierungsfläche (14, 42, 12) koppelnden Elektrodenzuführung (16, 44, 34); einem die Elektrodenzuführung (16, 44, 34) zwischen der Elektrodenleitung und der Elektrodenkontaktierungsfläche (14, 42, 12) kreuzenden Dichtmittel (11); und einer organischen Schutzschicht (24) und einer Gateisolierungsschicht (22), die auf der Oberfläche des Substrats ausgebildet sind und so strukturiert sind, daß wenigstens ein Loch (40, 48) gebildet wird, so dass das Dichtmittel (11) direkten Kontakt mit dem Substrat hat.
  2. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 1, weiter aufweisend: eine zweite Elektrodenleitung; eine zweite Elektrodenkontaktierungsfläche (12, 14, 42); eine zweite, die zweite Elektrodenleitung und die zweite Elektrodenkontaktierungsfläche (12, 14, 42) koppelnde Elektrodenzuführung (34, 16, 44), wobei das wenigstens eine Loch (40) in der organischen Schutzschicht (24) und in der Gateisolierungsschicht (22) zwischen den Elektrodenzuführungen (34, 16) ausgebildet ist.
  3. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 2, wobei ein Abschnitt des Loches (40) in einem Bereich gebildet ist, der nicht mit dem Dichtmittel (11) beschichtet ist.
  4. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 1, wobei das Loch (48) eine sich entlang der Richtung, in welcher das Dichtmittel (11) ausgebildet ist, erstreckende durchgängige Furche ist.
  5. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 4, wobei die Breite der Furche (48) senkrecht zu der Richtung, in der das Dichtmittel (11) ausgebildet ist, größer ist als die Breite des Bereichs, in dem das Dichtmittel (11) ausgebildet ist.
  6. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 4, weiter aufweisend: eine Schutzschicht zum Verhindern, daß die Elektrodenzuführung (16, 44, 34) direkten Kontakt mit dem Dichtmittel (11) hat.
  7. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 6, wobei die Elektrodenzuführung (16, 44, 34) eine Gatezuführung (34) ist, und die weiter eine aus dem gleichen Elektrodenmaterial wie die Gatezuführung (34) gefertigte Datenzuführung (16, 44) aufweist, und wobei die Schutzschicht ein auf der Gateisolierungsschicht (22) ausgebildetes Halbleitermuster (18, 46) ist.
  8. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 6, wobei die Elektrodenzuführung (16, 44, 34) eine Datenzuführung (16) ist und die Schutzschicht eine zum Umschließen der Datenzuführung (16), eines Halbleitermusters (18) und der Gateisolierungsschicht (22) schichtartig aufgetragene transparente Elektrode (47) ist.
  9. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 8, wobei die Breite des Halbleitermusters (18) größer ist als die Breite der Datenzuführung (16).
  10. Verfahren zum Herstellen einer Flüssigkristallanzeige, wobei die Flüssigkristallanzeige ein Substrat (20), eine Elektrodenleitung, eine Elektrodenkontaktierungsfläche, eine die Elektrodenleitung und die Elektrodenkontaktierungsfläche koppelnde Elektrodenzuführung, ein die Elektrodenzuführung zwischen der Elektrodenleitung und der Elektrodenkontaktierungsfläche kreuzendes Dichtmittel (11), und eine organische Schutzschicht (24) und eine Gateisolierungsschicht (22), die auf der Oberfläche des Substrats ausgebildet sind, aufweist, wobei bei dem Verfahren: die organische Schutzschicht (24) und die Gateisolierungsschicht (22) in einem mit dem Dichtmittel (11) beschichteten Bereich so strukturiert werden, daß wenigstens ein Loch (40, 48) gebildet wird, so dass das Dichtmittel (11) direkten Kontakt mit dem Substrat (20) hat.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei die Flüssigkristallanzeige weiter eine zweite Elektrodenleitung, eine zweite Elektrodenkontaktierungsfläche und eine zweite, die zweite Elektrodenleitung und die zweite Elektrodenkontaktierungsfläche koppelnde Elektrodenzuführung aufweist, und wobei beim Strukturieren der organischen Schutzschicht (24) und der Gateisolierungsschicht (22) das wenigstens eine Loch (40) in der organischen Schutzschicht (24) und in der Gateisolierungsschicht (22) zwischen den Elektrodenzuführungen ausgebildet wird.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei ein Abschnitt des wenigstens einen Loches (40) in einem Bereich ausgebildet wird, der nicht mit dem Dichtmittel (11) beschichtet ist.
  13. Verfahren nach Anspruch 10, wobei das Loch (48) eine Furche ist, die sich entlang der Richtung erstreckt, in der das Dichtmittel (11) ausgebildet wird.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, wobei die Furche (48) breiter ausgebildet wird als der mit dem Dichtmittel (11) beschichtete Bereich.
  15. Verfahren nach Anspruch 13, bei dem weiter eine Schutzschicht (24) zum Verhindern, daß die Elektrodenzuführung direkten Kontakt mit dem Dichtmittel (11) hat, ausgebildet wird.
  16. Verfahren nach Anspruch 15, wobei die Elektrodenzuführung eine Gatezuführung ist, und wobei die Flüssigkristallanzeigevorrichtung weiter eine aus dem gleichen Elektrodenmaterial wie die Gatezuführung gefertigte Datenzuführung aufweist, und wobei beim Strukturieren der Schutzschicht (24) ein auf der Gateisolierungsschicht (22) ausgebildetes Halbleitermuster entsteht.
  17. Verfahren nach Anspruch 15, wobei, wenn die Elektrodenzuführung eine Datenzuführung ist, beim Ausbilden der Schutzschicht (24) eine transparente Elektrode schichtartig so aufgebracht wird, daß sie die Datenzuführung, ein Halbleitermuster und die Gateisolierungsschicht (22) umschließt.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, wobei die Breite des Halbleitermusters größer ist als die Breite der Datenzuführung.
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100796756B1 (ko) * 2001-11-12 2008-01-22 삼성전자주식회사 반도체 소자의 접촉부 및 그 제조 방법과 이를 포함하는표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
US7358104B2 (en) 2002-10-08 2008-04-15 Samsung Electornics Co., Ltd. Contact portion of semiconductor device, and thin film transistor array panel for display device including the contact portion
JP4050709B2 (ja) 2003-04-01 2008-02-20 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びこの電気光学装置を備えた電子機器
US20050178498A1 (en) 2004-02-18 2005-08-18 Au Optronics Corporation Method for sealing electroluminescence display devices
JP4947510B2 (ja) * 2004-12-24 2012-06-06 Nltテクノロジー株式会社 アクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法
KR101167304B1 (ko) * 2004-12-31 2012-07-19 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드 스위칭 타입의 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법
KR20070037864A (ko) 2005-10-04 2007-04-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시패널과 그의 제조방법
JP4466550B2 (ja) 2005-12-08 2010-05-26 ソニー株式会社 表示装置
JP4424381B2 (ja) * 2007-06-13 2010-03-03 ソニー株式会社 表示装置
US8144140B2 (en) 2007-06-13 2012-03-27 Sony Corporation Display apparatus and method of manufacturing the same
US8072571B2 (en) 2007-12-06 2011-12-06 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
JP4596000B2 (ja) 2007-12-07 2010-12-08 ソニー株式会社 液晶表示装置および電子機器
JP5505757B2 (ja) 2008-03-25 2014-05-28 Nltテクノロジー株式会社 液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置
JP4557189B2 (ja) * 2010-01-12 2010-10-06 ソニー株式会社 表示装置
KR101888423B1 (ko) * 2011-06-10 2018-08-17 엘지디스플레이 주식회사 평판 표시장치
KR102117109B1 (ko) 2013-10-22 2020-06-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN105932030B (zh) 2016-06-08 2019-07-26 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
JP7123637B2 (ja) * 2018-06-05 2022-08-23 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN113867025B (zh) * 2021-09-23 2024-01-23 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及移动终端

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0455233A2 (de) * 1990-05-01 1991-11-06 Casio Computer Company Limited Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit Treiberschaltkreis
EP0731373A1 (de) * 1995-03-10 1996-09-11 International Business Machines Corporation Flüssigkristallanzeigevorrichtung
DE19714510A1 (de) * 1996-04-08 1997-11-06 Lg Electronics Inc Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristallanzeige
JPH1048611A (ja) * 1996-08-06 1998-02-20 Sharp Corp 液晶表示装置
DE19814676A1 (de) * 1997-04-03 1998-10-15 Lg Electronics Inc Flüssigkristallanzeige und Herstellungsverfahren dafür

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5379139A (en) * 1986-08-20 1995-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal device and method for manufacturing same with spacers formed by photolithography
JPH01281429A (ja) 1988-05-09 1989-11-13 Seiko Epson Corp 液晶表示パネル
JPH01283515A (ja) 1988-05-11 1989-11-15 Stanley Electric Co Ltd カラーフィルタを有する液晶表示装置の製造方法
JPH0233933A (ja) * 1988-07-23 1990-02-05 Nec Corp 半導体装置
EP0402170B1 (de) * 1989-06-09 1994-11-09 Sharp Kabushiki Kaisha Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung
JP3613294B2 (ja) 1995-07-24 2005-01-26 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 液晶表示パネル
JPH0943616A (ja) 1995-07-31 1997-02-14 Sony Corp 液晶表示装置
WO1997010530A1 (fr) * 1995-09-14 1997-03-20 Hitachi, Ltd. Dispositif d'affichage a cristaux liquides et a matrice active
JP3841892B2 (ja) 1996-08-13 2006-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び表示機能を有する装置
US6337520B1 (en) 1997-02-26 2002-01-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Composition for a wiring, a wiring using the composition, manufacturing method thereof, a display using the wiring and manufacturing method thereof
JP3218308B2 (ja) 1996-12-19 2001-10-15 シャープ株式会社 液晶表示装置
TW542933B (en) 1996-12-19 2003-07-21 Sharp Kk Liquid crystal display device and process for producing the same
JP3397285B2 (ja) 1997-01-27 2003-04-14 シャープ株式会社 液晶表示素子及びその製造方法
TW400556B (en) 1997-02-26 2000-08-01 Samsung Electronics Co Ltd Composition for a wiring, a wiring using the composition, a manufacturing method thereof, a display using the wiring and a manufacturing method thereof
KR100238795B1 (ko) 1997-03-03 2000-01-15 구본준 액정 표시 장치의 구조 및 그 액정 표시 장치의 제조 방법
JPH10253991A (ja) 1997-03-14 1998-09-25 Advanced Display:Kk 液晶表示装置
JP4054102B2 (ja) 1997-03-27 2008-02-27 東芝電子エンジニアリング株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
TW375689B (en) * 1997-03-27 1999-12-01 Toshiba Corp Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
JP3566028B2 (ja) * 1997-05-15 2004-09-15 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
US6587160B2 (en) * 1997-10-14 2003-07-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal displays
KR100293980B1 (ko) * 1997-12-31 2001-07-12 윤종용 실에의해화소영역과격리된구동회로를갖는액정표시장치
JP2000029011A (ja) * 1998-07-14 2000-01-28 Seiko Epson Corp 電気光学装置およびその製造方法、並びに投射型表示装置
KR100327696B1 (ko) * 1998-11-16 2002-03-09 니시무로 타이죠 액정표시장치 및 착색층 부재
TWI235863B (en) * 1998-11-30 2005-07-11 Toshiba Corp Manufacturing method of liquid crystal lattice
KR100858297B1 (ko) * 2001-11-02 2008-09-11 삼성전자주식회사 반사-투과형 액정표시장치 및 그 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0455233A2 (de) * 1990-05-01 1991-11-06 Casio Computer Company Limited Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit Treiberschaltkreis
EP0731373A1 (de) * 1995-03-10 1996-09-11 International Business Machines Corporation Flüssigkristallanzeigevorrichtung
DE19714510A1 (de) * 1996-04-08 1997-11-06 Lg Electronics Inc Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristallanzeige
JPH1048611A (ja) * 1996-08-06 1998-02-20 Sharp Corp 液晶表示装置
DE19814676A1 (de) * 1997-04-03 1998-10-15 Lg Electronics Inc Flüssigkristallanzeige und Herstellungsverfahren dafür

Also Published As

Publication number Publication date
JP3488855B2 (ja) 2004-01-19
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