DE10031035A1 - Thermospannfutter für Messfühlerstation mit Abschirmung für kapazitiven Strom - Google Patents

Thermospannfutter für Messfühlerstation mit Abschirmung für kapazitiven Strom

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Abstract

Das Spannfutter einer Meßfühlerstation wird abgeschirmt gegen kapazitive Ströme, die durch die Schwankungen des Stroms zur Thermoeinheit eines Thermospannfutters generiert werden. Das Thermospannfutter beinhaltet ein Spannfutter zum Haltern einer zu testenden Vorrichtung; eine Thermoeinheit zum Modifizieren der Temperatur des Spannfutters und ein Leiterglied, das kapazitiv mit der Thermoeinheit gekoppelt, jedoch frei von einer direkten Verbindung damit ist. Das Leiterglied ist elektrisch mit dem Controller verbunden, der die Thermoeinheiten mit Strom versorgt. Das Leiterglied fängt im wesentlichen alle kapazitiven Ströme ab, die aus dem Betrieb der Thermoeinheit entstehen, und sieht einen leitenden Pfad zum Zurückschicken dieser Ströme an den Controller vor. Eine Verlängerung des leitenden, umweltdichten Gehäuses der Meßfühlerstation ist kapazitiv an das Leiterglied gekoppelt, um kapazitive Ströme abzufangen, die vom Leiterglied ausgehen, und diese Ströme zur Erdung außerhalb des umweltdichten Gehäuses zu führen.

Description

DER ERFINDUNG ZUGRUNDELIEGENDER ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
Die vorliegende Erfindung ist gerichtet auf Meßfühlersta­ tionen, die geeignet sind zum Durchführen von Niederstrom- und Niederspannungsmessungen, und genauer gesagt, auf ein System zur Minderung des Rauschens, das durch kapazitive Ströme verursacht wird, die sich aus dem Betrieb eines Thermospannfutters für eine Meßfühlerstation ergeben.
Integrierte Schaltkreisvorrichtungen werden in der Regel in oder auf einen Wafer aus Halbleitermaterial unter Anwendung wohlbekannter Techniken hergestellt. Vor dem Abschneiden der einzelnen integrierten Schaltkreisvorrichtungen vom Wafer werden an den einzelnen Vorrichtungen Tests durchgeführt, um festzustellen, ob die Vorrichtungen einwandfrei arbeiten. Der Wafer wird in einer Meßfühlerstation auf einem Spannfutter in einem gegen die Umwelt abgeschlossenen Gehäuse gehaltert. Meßfühler werden mit Testpunkten oder Kontaktflecken auf den integrierten Schaltkreisvorrichtungen in Kontakt gebracht und eine Reihe von Messungen wird durchgeführt. Schwindt et al., in US-Patent Nr. 5,663,653, offenbaren ein Beispiel für eine Meßfühlerstation, in der die vorliegende Erfindung eingesetzt werden kann und das Patent wird hiermit durch Querverweis angezogen.
Viele integrierte Schaltkreisvorrichtungen sind so konstru­ iert, daß sie bei anderen Temperaturen als bei Zimmertempe­ ratur arbeiten. Zur Durchführung von Tests bei anderen Temperaturen als Zimmertemperatur kann ein Thermospannfutter benutzt werden. Eine Konstruktion eines Thermospannfutters zum Haltern eines Wafer umfaßt eine Vielzahl Schichten und weist einen thermischen Treiber zum Verändern der Temperatur auf. Ein Thermospannfutter dieser Konstruktion wird von Schwindt in US-Patent Nr. 5,610,529 geoffenbart, das hier durch Querverweis angezogen wird.
Der thermische Treiber kann entweder das Spannfutter erwär­ men, kühlen oder erwärmen und kühlen. Zur Veränderung der Temperatur des Spannfutters kann der thermische Treiber eine oder mehrere thermische Einheiten aufweisen, einschließlich einer thermischen Vorrichtung und einer Vielzahl Stromleiter, die die thermische Vorrichtung mit einer Stromquelle verbin­ den. Thermische Vorrichtungen, in der Regel elektrische Widerstandsheizvorrichtungen oder thermoelektrische Wärme­ pumpen sind vorgesehen, um das Spannfutter auf Temperaturen über der Zimmertemperatur zu erwärmen. Die thermoelektrische Wärmepumpe, bekannt auch als Peltier-Vorrichtung, ist rever­ sibel und kann sowohl zum Kühlen als auch zum Erwärmen des Spannfutters benutzt werden. Die thermoelektrische Wärmepumpe umfaßt eine Anzahl Thermoelemente, die zwischen zwei elek­ trisch isolierende, wärmeleitende Platten eingelegt sind. Wenn Gleichstrom an die Thermoelemente angelegt wird, bewirkt der Peltier-Effekt, daß Wärme von einer Platte zur anderen übertragen wird. Die Richtung des Wärmeflusses ist umkehrbar durch Umkehren der Stromrichtung in den Thermoelementen. Das Inberührungbringen des Spannfutters mit der wärmeren Platte bzw. der kälteren Platte der thermoelektrischen Wärmepumpe wird entsprechend das Spannfutter entweder erwärmen oder kühlen. Zum Testen bei Temperaturen unter der Zimmertempe­ ratur kann das Thermospannfutter auch Durchgänge zum Durchführen von Kühlmittel enthalten, um das Spannfutter direkt zu kühlen oder überschüssige Wärme von der thermo­ elektrischen Pumpe abzuführen.
Beim Durchführen der Messungen mit Niederspannung oder Niederstrom, wie sia beim Testen von integrierten Schaltungs­ vorrichtungen üblich sind, sind auch sehr niedere elektrische Rauschpegel unbefriedigend. Thermospannfutter beinhalten ver­ schiedene Rauschquellen, und unzulässig hohe Rauschpegel sind ein allgemein bekanntes Problem beim Benutzen eines Thermo­ spannfutters. Eine sehr bekannte Rauschquelle ist das Ergeb­ nis der Ausdehnung bzw. Zusammenziehung der Komponenten des Thermospannfutters aufgrund der sich ändernden Temperatur. Die Ausdehnung oder Zusammenziehung verändert den Abstand zwischen leitenden Komponenten und führt zum Generieren kapazitiver Ströme, die die leitende Oberfläche des Spann­ futters erreichen können. Ausdehnung oder Zusammenziehung aufgrund von Temperaturänderungen können auch verhältnis­ mäßige Querbewegungen zwischen den mehrfachen Material­ schichten des Spannfutters bewirken. Relative Bewegungen zwischen den sich berührenden Schichten von isolierenden und leitenden Materialien können reibungselektrische Ströme erzeugen. In einem Meßfühlerstations-Spannfutter kann der reibungselektrische Strom als Rauschen in den Testmessungen in Erscheinung treten. Reibungselektrische Ströme lassen sich reduzieren durch eine Spannfutterkonstruktion, die eine Bewegung zwischen sich berührenden Schichten isolierender und leitender Materialien verhindert.
Der Betrieb thermischer Einheiten durch den Thermotreiber- Controller ist eine weitere potentielle Quelle für das Rauschen bei Benutzung eines Thermospannfutters. Um die Temperatur des Thermospannfutters zu verändern oder zu halten, fluktuiert der Thermotreiber-Controller den elektrischen Strom zu den Thermoeinheiten als Reaktion auf ein Temperatursteuersytem. Als Ergebnis eines Spannungs­ abfalls in den Leitern der Thermoeinheiten weisen physika­ lisch aneinanderliegende Teile der elektrischen Leiter zu und von den thermischen Vorrichtungen sowie innerhalb derselben unterschiedliche Potentiale auf. Wenn dann der Strom fluktu­ iert, verändert sich der Spannungsunterschied zwischen den Stromleitern mit der Zeit. Das führt zu einer Verschiebung der Ladungen im dielektrischen Material um die Leiter herum, die sich als Verschiebung oder kapazitiver Strom auswirkt, der an die leitende obere Fläche des Spannfutters gekoppelt ist. Dieser kapazitive Strom tritt dann in den Testmessungen als Rauschen auf.
Die derzeit praktizierte Technik zur Reduzierung der Auswir­ kungen kapazitiver Ströme beinhaltet das Abschirmen des Spannfutters gegen externe elektromagnetische Quellen. Jedoch haben sich die Abschirmschichten des leitenden Materials im Spannfutter als nicht erfolgreich bei der Eliminierung des vom Thermotreiber verursachten Rauschens herausgestellt. Zur Reduzierung des Rauschens infolge kapazitiver Ströme, die ihren Ursprung im Thermospannfutter haben, schalten die Anwender der Meßfühlerstationen häufig einfach die Thermoein­ heiten ab und warten, bis sich der Strom verteilt hat. Die betreffende RC-Zeitkonstante kann jedoch mehr als 5 Sekunden betragen. Das Abwarten einer Zeitspanne von 5 Zeitkonstanten (d. i. 25 Sekunden) bis das beobachtete Rauschen auf einen akzeptablen Pegel abgesunken ist bevor eine Messung durch­ geführt werden kann, beeinflußt wesentlich die Produktivität der Meßfühlerstation.
Erwünscht ist daher ein System zum Reduzieren des elektri­ schen Rauschens, das durch den Betrieb der thermischen Ein­ heit des Spannfutters einer Meßfühlerstation generiert wird. Reduzieren des vom Thermospannfutter generierten Rauschens verringert die Zeit, in der das Rauschen auf einen akzep­ tablen Pegel absinkt und verbessert so die Produktivität der Meßfühlerstation.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung überwindet die obigen Nachteile auf dem Stand der Technik durch Vorsehen eines Thermospannfutters für eine Meßfühlerstation, enthaltend ein Spannfutter zum Haltern der zu prüfenden Vorrichtung; eine Thermoeinheit zum Modifizieren der Temperatur des Spannfutters; einen Control­ ler, der elektrischen Strom an die Thermoeinheit schickt; und ein Leitglied, das kapazitiv mit der Thermoeinheit gekoppelt ist, während es frei von jedem direkten elektrischen Anschluß an die Thermoeinheit ist und elektrisch mit dem Controller verschaltet ist, um einen leitenden Rückpfad zum Controller für im wesentlichen alle kapazitiven Ströme vorzusehen, die während des Betriebs von der Thermoeinheit ihren Ausgang nehmen. Das leitende Glied fängt die kapazitiven Ströme ab, die aus den Thermoeinheiten des thermischen Treibers ihren Ausgehen nehmen, und führt sie leitend an den Thermotreiber- Controller zurück, der außerhalb der Gehäuse angeordnet ist.
In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist eine leitende Erweiterung der geerdeten, leitenden Gehäuse, inner­ halb derer das Spannfutter angeordnet ist, kapazitiv an die Thermoeinheit angeschlossen, während sie frei von direktem Kontakt mit dieser ist, und sie ist elektrisch verschaltet mit der Erde, so daß sie für die kapazitiven Ströme von der Thermoeinheit einen leitenden Pfad zur Erde vorsieht. In dieser Ausführungsform fängt die Erweiterung der leitenden Gehäuse kapazitive Ströme ab, die von Teilen der Thermoein­ heit ausgehen und von anderen kapazitiv gekoppelten Abschir­ mungen der Thermoeinheit auslecken können. Als Ergebnis des Einschlusses der kapazitiv gekoppelten Abschirmung der Thermoeinheit wird das betriebsbedingte Rauschen in den Testmessungen der thermischen Einheiten ausgeschlossen oder wesentlich reduziert. Die Produktivität der Meßfühlerstation läßt sich steigern, weil weniger Zeit erforderlich ist, um das Rauschen, das beim Betrieb der Thermoeinheiten entsteht, auf akzeptable Pegel herunterzudrücken.
Die obige und noch weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden leichter verständlich bei Betrachtung der folgenden Beschreibung anhand der begleitenden Zeich­ nungen.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Fig. 1 ist ein Querschnitt einer Meßfühlerstation und umfaßt ein Thermospannfutter.
Fig. 2 ist ein Querschnitt eines beispielhaften Thermospann­ futters, das gemäß der vorliegenden Erfindung gebaut wurde.
Fig. 3 ist eine beispielhafte Prinzipskizze einer Thermoein­ heit mit Abschirmung gemäß einem ersten Aspekt einer bevor­ zugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Fig. 4 ist eine beispielhafte Prinzipskizze einer Thermo­ einheit mit Abschirmung gemäß einem zweiten Aspekt einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Fig. 5 ist eine beispielhafte Prinzipskizze einer Thermoein­ heit mit Abschirmung gemäß einem dritten Aspekt einer bevor­ zugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
Wie in Fig. 1 gezeigt, beinhaltet eine Meßfühlerstation im allgemeinen ein gegen die Umwelt abgedichtetes Gehäuse 2, in dem ein Spannfutter 4 und ein oder mehrere Meßfühler 6 ange­ ordnet sind. Das umweltdichte Gehäuse 2 besteht in der Regel aus leitendem Material und ist geerdet 7, so daß die Innen­ kammer des Gehäuses 2 gegen außerhalb des Gehäuses 2 auf­ tretende elektromagnetische Felder abgeschirmt ist. Das Spannfutter 4 besteht in der Regel aus mehreren Schichten leitenden und dielektrischen Materials und ist an die ver­ schiedenen Leiter eines Koaxialkabels oder Triaxialkabels 8 angeschlossen. Das Spannfutter 4 beinhaltet eine Festspann­ technik zum Festspannen einer zu prüfenden Vorrichtung 10, im allgemeinen ein Wafer aus Halbleitermaterial, an der oberen Fläche 12 des Spannfutters 4. Die obere Fläche des Spann­ futters 4 ist in der Regel leitend. Eine Technik zum Be­ festigen einer zu testenden Vorrichtung 10 benutzt eine Vakuumquelle (nicht dargestellt), die außerhalb des umwelt­ dichten Gehäuses angeordnet ist. Die Vakuumquelle kommuni­ ziert durch geeignete Regelventile und Rohrleitungen mit Öffnungen (nicht dargestellt) in der oberen Fläche 12 des Spannfutters 4. Wenn die zu testende Vorrichtung 10 auf das Spannfutter 4 aufgesetzt wird, blockiert die Vorrichtung Öffnungen, die zur Vakuumquelle führen. Der Luftdruck hält dann die zu testende Vorrichtung 10 auf die Oberfläche 12 des Spannfutters. Ein oder mehr Meßfühler 6 können über der zu testenden Vorrichtung 10 positioniert werden und mit Test­ kontaktflecken auf der zu prüfenden Schaltung in Berührung gebracht werden. Die mit den Meßfühlern 6 verbundene Instru­ mentierung mißt vorgewählte Betriebsparameter der Schaltung an den Kontaktflecken.
Ein Thermospannfutter 14, siehe geschweifte Klammer, kann benutzt werden zum Testen des Betriebs von Vorrichtungen bei Temperaturen, die sich von der Umgebungstemperatur unter­ scheiden. Nehmen wir Bezug auf Fig. 2; das mit einer eckigen Klammer angezeigte Thermospannfutter 14 kann einen Thermo­ treiber 16 beinhalten, der die Fähigkeit aufweist, die Temperatur des Spannfutters 4, angezeigt mit einer eckigen Klammer, zu verändern, das oben auf dem Thermotreiber 16 gehaltert wird. Der Thermotreiber 16 kann so angeordnet werden, daß er Erwärmen, Kühlen oder Erwärmen und Kühlen des Spannfutters 4 bewirkt. Der Thermotreiber 16 umfaßt eine oder mehrere elektrisch betriebene Thermoeinheiten 20, deren jede eine oder mehrere Thermovorrichtungen 22 und eine Vielzahl isolierter Stromleiter 24 enthält, die die Thermovorrich­ tungen 22 mit einem Thermotreiber-Controller 18 verbinden. In der Regel sind die thermischen Vorrichtungen 22 Heizwider­ stände oder thermoelektrische Wärmepumpen. Heizwiderstände und thermoelektrische Wärmepumpen können die Temperatur des Spannfutters 4 erhöhen. Die thermoelektrische Wärmepumpe kann auch zum Kühlen des Spannfutters 4 benutzt werden. Die thermoelektrische Wärmepumpe, auch bekannt als Peltier- Vorrichtung, umfaßt eine Vielzahl elektrisch verschalteter Wärmelemente aus Halbleitermaterial des p-Typs und des n- Typs, die zwischen zwei Platten eines elektrisch isolie­ renden, wärmeleitfähigen Materials bestehen. Wenn an die Thermoelemente Gleichstrom angelegt wird, wird aufgrund des Peltier-Effekts Wärme von einer Platte zur anderen trans­ portiert. Die Richtung des Wärmeflusses wird umgekehrt durch Umkehren der Stromrichtung in den Halbleitern. Die Einwirkung der Temperatur der wärmeren bzw. kälteren Platte der thermo­ elektrischen Wärmepumpe auf das Spannfutter 4 wird entspre­ chend das Spannfutter 4 erwärmen oder kühlen.
Der Thermotreiber 16 kann auch Durchgänge 26 enthalten, um das Kühlmittel, das von einer (nicht dargestellten) Kühl­ mittelquelle geliefert wird, die in der Regel außerhalb des umweltdichten Gehäuses 2 angeordnet ist, umzuwälzen. Zum Testen bei Temperaturen unterhalb der Umgebungstemperatur kann das Spannfutter 4 direkt vom Kühlmittel gekühlt werden. Wenn eine thermoelektrische Wärmepumpe zum Kühlen des Spann­ futters benutzt wird, kann ein umgewälztes Kühlmittel erfor­ derlich sein, um die Wärme, die von der Wärmepumpe auf den Thermotreiber 16 übertragen wird, abzuführen.
Der elektrische Strom für die Thermoeinheiten 20 wird vom Thermotreiber-Controller 18 geliefert, der außerhalb des umweltdichten Gehäuses 2 angeordnet ist. Isolierte Strom­ leiter 24 leiten den elektrischen Strom zu den Thermovor­ richtungen 22 im Thermospannfutter 14. Als Reaktion auf das Temperaturfühlersystem leitet der Thermotreiber-Controller 18 den elektrischen Strom zur Thermoeinheit 20, um deren thermi­ schen Ausgang zu verändern, um die Zufuhr- oder Abzugsrate der thermischen Energie vom Spannfutter 4 entweder zu ver­ ringern oder zu erhöhen. Als Ergebnis des Spannungsabfalls in der Thermoeinheit 20 kommen anliegende Teile der isolierten Stromleiter 24 und der Leiter innerhalb der Thermovorrich­ tungen 22 auf unterschiedliche Potentiale. Das bewirkt eine Verschiebung der Ladung im dielektrischen Material, das die Leiter umgibt. Wenn der Thermotreiber-Controller 18 den Strom zur Thermoeinheit 20 variiert, verändert sich auch der Spannungsunterschied zwischen aneinanderliegenden Leitern mit der Zeit. Die Erfinder bemerkten, daß diese sich in der Zeit verändernde Ladungsverschiebung auch eine Verschiebung oder einen kapazitiven Strom bewirkt, der an die leitende obere Fläche 12 des Spannfutters 14 gekoppelt ist. Die Erfinder bemerkten ferner, daß sich dieser kapazitive Strom in den Testmessungen als Rauschen bemerkbar macht.
Die Erfinder kamen zu der Schlußfolgerung, daß die obigen kapazitiven Ströme eine signifikante Quelle für das Rauschen sind, wenn Messungen im Femtoampere-Bereich mit Meßfühler­ stationen auf dem Stand der Technik gemacht werden. Die Erfinder verstanden ferner, daß die leitende Abschirmung der Thermoeinheit 20, die kapazitiv mit den Leitern der Thermo­ einheit 20 gekoppelt ist, eine wesentliche Menge, und vor­ zugsweise im wesentlichen alle kapazitiven Ströme abfangen kann, die sich aus dem Betrieb der Thermoeinheit 20 ergibt, und sehen einen Leiterpfad vor, um jeden in der leitenden Abschirmung induzierten Strom zu dem Thermotreiber-Controller 18 zurückzuführen und zu erden. Das steht im Gegensatz zu den bisherigen akzeptierten Techniken, das Spannfutter selbst stärker abzuschirmen. Beziehen wir uns ferner auf Fig. 3; eine leitende Thermovorrichtungshülse 28 schließt im wesent­ lichen die Thermovorrichtungen 22 und die Stromleiter 24 an ihrer Verbindung zu den Thermovorrichtungen 22 ein. Varia­ tionen der Ladungsverschiebungen, die sich aus dem Betrieb der elektrischen Schaltung der Thermovorrichtung 22 ergeben, führen zu einem Verschiebungsstrom in der leitenden Thermo­ vorrichtungshülse 28. Mit anderen Worten, die Thermovorrich­ tungshülse 28 ist kapazitiv über "virtuelle" Kopplungs­ kondensatoren 30 mit der elektrischen Schaltung der Thermo­ vorrichtung 22 gekoppelt und fängt kapazitive Ströme ab, die sonst ihren Weg zur oberen Fläche 12 des Spannfutters 4 finden würden. Zwar können in der Thermovorrichtungshülse 28 Öffnungen erforderlich sein, sie sollten jedoch im Verhältnis zur Gesamtfläche der Thermovorrichtungshülse 28 minimal sein. Je vollständiger die Thermovorrichtungshülse 28 die Thermo­ vorrichtung 22 räumlich einschließt, desto vollständiger wird sie die kapazitiven Ströme abfangen, die aus der Thermo­ vorrichtung 22 austreten. Die Thermovorrichtungshülse 28 ist über die leitende Abschirmung des Kabels 32 leitend mit dem Thermotreiber-Controller 18 verbunden. Die leitende Ver­ bindung der Thermovorrichtungshülse 28 mit dem Thermotreiber- Controller 18 ergibt einen Pfad für jeden Strom in der Thermovorrichtungshülse 28 zum Ausgang aus dem umweltdichten Gehäuse 2 zum Thermotreiber-Controller 18. Der Treiber- Controller 18 liegt an Erde 7 und erweitert den leitenden Rückpfad für kapazitive Ströme zur Erde 7.
Die Erfinder kamen ferner zur völligen Erkenntnis, daß durch Einkapseln der Thermovorrichtungen 22 in einer leitenden Hülse 28 die RC-Zeitkonstante des Thermospannfutters drama­ tisch reduziert wird. Die Thermovorrichtungen 22 müssen nicht abgeschaltet werden, damit sich das Rauschen hinreichend abschwächt. Die Erfinder stellten fest, daß diese Reduktion der RC-Zeitkonstante aufgrund einer Reduktion der gespei­ cherten kapazitiven Ladung im dielektrischen Material im Spannfutter erfolgt, die als Absorptionskapazitanz be­ zeichnet wird. Die Absorptionskapazitanz eines Materials beinhaltet einen in Reihe geschalteten Widerstand, so daß im wesentlichen frühere Ladungen gespeichert und nur langsam abgeführt werden. Diese Absorptionskapazitanz wurde bisher bei der Konstruktion von Thermospannfuttern nicht berück­ sichtigt. Es gab nur wenig Motivation, wenn überhaupt, die Thermovorrichtungen 22 in einem leitenden Gehäuse einzu­ schließen, weil man glaubte, daß das Rauschen von den Thermo­ vorrichtungen 22 durch Abschirmschichten im Spannfutter 4 abgeführt werden könnte. Die Schichten des Spannfutters 4 beinhalten jedoch dielektrisches Material, das, wie der Erfinder bemerkte, in der Tat eine Quelle für die lange RC- Zeitkonstante ist.
Das Kabel 32 beinhaltet die Stromleiter 24, die den Thermo­ treiber-Controller 18 mit den Thermovorrichtungen 22 zu­ sammenschließt. Die Abschirmung des Kabels 32 erstreckt sich im Idealfall durch die Wand des umweltdichten Gehäuses 2 und umgibt die Stromleiter 24 an ihrem Eingangspunkt in die Thermovorrichtungshülse 28. Die Abschirmung des Kabels 32 ist kapazitiv gekoppelt an die Stromleiter 24 und fängt Ströme ab, die aus der Kapazitätswirkung der Stromschwankungen in den Stromleitern entstehen, und leitet sie an den Thermo­ treiber-Controller 18 zurück. Der Thermotreiber-Controller 18 liegt an Erde 21. Je komplexer die Abkapselung aller Leiter in der Thermoeinheit 20 durch die leitende Abschirmung ist, desto kompletter wird der Schutz der Testmessungen gegen das Rauschen, das durch den Betrieb der Thermoeinheit 20 gene­ riert wird.
Die Wände des umweltdichten Gehäuses 2 sind in der Regel aus leitendem Material. Das leitende Material schirmt die Kammer im umweltdichten Gehäuses 2 gegen elektromagnetische (EM) Felder ab, die außerhalb des Gehäuses 2 entstehen und die sonst zum Rauschen innerhalb des Meßfühlers 6 führen würden. Das umweltdichte Gehäuse 2 ist geerdet, um die in der Leiter­ wand durch die EM-Felder generierten Ströme zur Erde zurück­ zuführen. In einer bevorzugten Ausführungsform der vorlie­ genden Erfindung ist die leitende Wand des umweltdichten Gehäuses erweitert, so daß sie im wesentlichen Teile der Thermoeinheiten umgibt. Die Erweiterung der Wand des Gehäuses sieht eine leitende Abschirmung vor, die kapazitiv mit den Thermoeinheiten gekoppelt ist, die kapazitive Ströme an die Gehäuseerde zurückführen kann.
Nehmen wir jetzt Bezug auf Fig. 3; in einem ersten Aspekt dieser bevorzugten Ausführungsform erstreckt sich die Wand des umweltdichten Gehäuses 2 koaxial mit noch einer weiteren Abschirmschicht 34 des Kabels 32 zu einem Punkt in physika­ lisch nächster Nähe zur Thermovorrichtungshülse 28, ist jedoch frei von einer direkten elektrischen Verbindung mit der Abschirmung des Kabels 32, dem Thermotreiber-Controller 18 und der Thermovorrichtungshülse 28. Die Wand des umwelt­ dichten Gehäuses 2 erstreckt sich direkt bis zur Thermovor­ richtungshülse 28 durch Verbinden der äußeren Abschirmschicht 34 des Kabels 32 mit der Wand des umweltdichten Gehäuses 2. Das Kabel 32 beinhaltet die Stromleiter 24, die den Thermo­ treiber-Controller 18 mit den Thermovorrichtungen 22 ver­ bindet. Kapazitive Ströme, die von den Stromleitern 24 ausgehen, werden durch die Abschirmung des Kabels 32 abgefangen und an den Thermotreiber-Controller 18 und die Thermotreiber-Controller-Erde 21 rückgeführt. Die Erweiterung der Wand des umweltdichten Gehäuses 2 durch die äußere Abschirmung 34 des Stromkabels 32 ist kapazitiv durch einen "virtuellen" Kondensator 36 an die Abschirmung des Kabels 32 gekoppelt und fängt kapazitive Ströme ab, die von innerhalb des Kabels 32 auslecken und die sonst an das Spannfutter 4 gekoppelt werden könnten. Jeder Strom in der Erweiterung des umweltdichten Gehäuses 2 wird zur Erde 7 außerhalb des umweltdichten Gehäuses 2 rückgeführt, wenn der Schalter 23 geschlossen ist. Wenn der Schalter 23 offen ist, werden kapazitive Ströme an die Erde 25 eines Instruments 27 rück­ geführt, das durch Leiter 29 mit den Meßfühlern innerhalb der Kammer verbunden ist.
Nehmen wir jetzt Bezug auf Fig. 4; in einem zweiten Aspekt dieser bevorzugten Ausführungsform erstreckt sich die Wand des umweltdichten Gehäuses 40 so weit, daß sie im wesent­ lichen die Thermovorrichtungen 42, die Thermovorrichtungs­ hülse 44 und das Stromkabel 46 umgibt, das die Thermovor­ richtungen 42 mit dem Thermotreiber-Controller 50 verbindet. Wärme wird dem Spannfutter 56 durch die Thermovorrichtungs­ hülse 44 und die Wand des umweltdichten Gehäuses 40 zu- bzw. von ihm abgeführt. Die Thermovorrichtungen 42 sind kapazitiv über virtuelle Kondensatoren 48 an die Thermohülse 44 ge­ koppelt. Die Thermovorrichtungshülse 44 und die Abschirmung der Stromkabel 48 sind ihrerseits kapazitiv über virtuelle Kondensatoren 52 an die Wand des umweltdichten Gehäuses 40 gekoppelt. Kapazitive Ströme in der Thermovorrichtungshülse 44 oder in der Abschirmung des Kabels 46 werden durch die leitende Abschirmschicht des Kabels 46 an den Thermotreiber- Controller 50 rückgeführt. Der Thermotreiber-Controller 50 ist durch Stromleiter 43 mit den Thermovorrichtungen 42 verbunden und liegt an Erde 51. Kapazitive Ströme, die aus der Thermovorrichtungshülse 44 oder dem Stromkabel 46 aus­ lecken, werden von der Wand des Gehäuses 40 abgefangen und an die Gehäuseerde 54 rückgeführt, wenn der Schalter 53 ge­ schlossen ist. Wenn der Schalter 53 offen ist, werden kapazitive Ströme in der Wand des umweltdichten Gehäuses 40 an die Erde des Instruments 57 rückgeführt. Das Instrument 57 ist mit dem Meßfühler 6 im umweltdichten Gehäuse durch die Leiter 47 des Instruments verbunden.
Unter Bezugnahme auf Fig. 5 wird in einem dritten Aspekt der bevorzugten Ausführungsform die Wand des umweltdichten Ge­ häuses 60 erweitert und umgibt die Thermovorrichtungen 64 und die Stromleiter 62, die die Thermovorrichtungen 64 mit dem Thermotreiber-Controller 63 verbinden. Der Thermotreiber- Controller liegt an Erde 74. In diesem Aspekt der Erfindung sind die Thermovorrichtung 64 und die Stromleiter 62 über die virtuellen Kopplungskondensatoren 66 mit der Wand des umwelt­ dichten Gehäuses 60 kapazitiv gekoppelt. Kapazitive Ströme, die in den Thermovorrichtungen 64 oder Stromkabeln 62 gene­ riert werden, werden von der Abschirmung abgefangen, die durch die leitende Wand des Gehäuses 60 gebildet wird, und an die Gehäuseerde 68 rückgeführt, wenn der Schalter 69 ge­ schlossen ist. Wenn der Schalter 69 offen ist, werden die Wände des Gehäuses 60 durch das Instrument 73 zur Instrumen­ tenerde 71 geführt. Wärme wird übertragen zu und von dem Spannfutter 70 durch die Wand des umweltdichten Gehäuses 60.
Bergriffe und Ausdrücke, die in der obigen Beschreibung ver­ wendet werden, gelten nur beschreibend und nicht einschrän­ kend, und es besteht keine Absicht, durch das Benutzen solcher Bergriffe und Ausdrücke Äquivalente der gezeigten und beschriebenen Merkmale oder Teile derselben auszuschließen, wobei anerkannt wird, daß der Umfang der vorliegenden Er­ findung ausschließlich in den folgenden Ansprüchen definiert und eingeschränkt wird.

Claims (20)

1. Ein Thermospannfutter für eine Meßfühlerstation, enthaltend:
  • a) ein Spannfutter zum Haltern einer zu testenden Vorrichtung;
  • b) eine Thermoeinheit zum Modifizieren der Temperatur des Spannfutters;
  • c) einen Controller, der die Thermoeinheit mit elektrischem Strom versorgt;
  • d) ein Leiterglied, das mit der Einheit kapazitiv gekoppelt ist während es frei von einer direkten elektrischen Verbindung mit der Thermoeinheit ist; und
  • e) wobei das Leiterglied und der Controller elektrisch verschaltet sind, um einen leitenden Rückpfad zum Controller für im wesentlichen alle kapazitiven Ströme vorzusehen, die beim Betrieb der Thermoeinheit entstehen.
2. Das Spannfutter gemäß Anspruch 1, in dem das Leiterglied eine leitende Hülse aufweist, die im wesentlichen die Thermoeinheit umschließt.
3. Das Spannfutter gemäß Anspruch 1, das ferner eine elektrische Verbindung des Controllers zur Erde aufweist, um so eine leitende Erweiterung des leitenden Rückkehr­ pfads zum Controller bis zur Erde vorzusehen.
4. Ein Thermospannfutter für eine Meßfühlerstation, enthaltend:
  • a) Ein Spannfutter zum Haltern einer zu testenden Vorrichtung;
  • b) eine Thermoeinheit zum Modifizieren der Temperatur des Spannfutters;
  • c) einen Controller, der die Thermoeinheit mit elektrischem Strom versorgt;
  • d) ein erstes Leiterglied, das mit der Thermoeinheit kapazitiv gekoppelt ist während es frei von einem direkten elektrischen Kontakt mit ihr ist; und
  • e) wobei das erste Leiterglied und der Controller elektrisch verschaltet sind, um einen leitenden Rückpfad zu dem Controller für im wesentlichen alle kapazitiven Ströme vorzusehen, die beim Betrieb der Thermoeinheit entstehen; und
  • f) ein zweites Leiterglied, das elektrisch an Erde liegt und kapazitiv an das erste Leiterglied gekoppelt ist, während es frei von einer direkten elektrischen Verbindung mit dem erste Leiterglied ist, um einen leitenden Pfad zur Erde für kapazitive Ströme bereit­ zustellen, die von dem ersten Leiterglied herkommen.
5. Ein Thermospannfutter für eine Meßfühlerstation, enthaltend:
  • a) Ein Spannfutter zum Haltern einer zu testenden Vorrichtung;
  • b) eine Thermoeinheit zum Modifizieren der Temperatur des Spannfutters;
  • c) einen Controller, der die Thermoeinheit mit elektrischem Strom versorgt;
  • d) eine Vielzahl erster Leiter, die den Controller mit der Thermovorrichtung verbinden;
  • e) ein Leiterglied, das im wesentlichen die Thermo­ vorrichtung umgibt, während es frei von jeder direkten elektrischen Verbindung mit der Thermo­ vorrichtung ist; und
  • f) einen zweiter Leiter, der eine größere Länge der ersten Leiter umgibt und elektrisch den Controller und das Leiterglied elektrisch verschaltet um einen leitenden Rückpfad zu dem Controller für im wesent­ lichen alle kapazitiven Ströme vorzusehen, die beim Betrieb der Thermoeinheit entstehen.
6. Das Thermospannfutter gemäß Anspruch 5, das ferner einen dritten Leiter aufweist, der elektrisch an Erde liegt und eine größere Länge des zweiten Leiters umgibt, während er frei von jeder direkten elektrischen Verbindung mit dem zweiten Leiter ist, um einen leitenden Pfad an die Erde für kapazitive Ströme zu schaffen, die aus dem zweiten Leiter stammen.
7. Das Thermospannfutter gemäß Anspruch 5, das ferner eine elektrische Verschaltung des Controllers mit der Erde aufweist, um eine leitende Erweiterung zur Erde des leitenden Rückwegs zum Controller vorzusehen.
8. Ein Thermospannfutter für eine Meßfühlerstation, enthaltend:
  • a) Ein Spannfutter zum Haltern einer zu testenden Vorrichtung;
  • b) eine Thermoeinheit zum Modifizieren der Temperatur des Spannfutters;
  • c) einen Controller, der die Thermoeinheit mit elektrischem Strom versorgt;
  • d) eine Vielzahl erster Leiter, die den Controller mit der Thermovorrichtung verbinden; und
  • e) einen zweiter Leiter, der eine größere Länge der ersten Leiter umgibt und elektrisch mit dem Controller verbunden ist, um einen leitenden Rückpfad zu dem Controller für im wesentlichen alle kapazitiven Ströme vorzusehen, die aus den ersten Leitern als Ergebnis des Betriebs der Thermoeinheit austreten.
9. Das Thermospannfutter gemäß Anspruch 8, enthaltend eine elektrische Verschaltung des Controllers mit der Erde, um eine leitende Erweiterung zur Erde des leitenden Rück­ pfads zum Controller vorzusehen.
10. Das Thermospannfutter gemäß Anspruch 8, das ferner einen dritten Leiter aufweist, der elektrisch an Erde liegt und eine größere Länge des zweiten Leiters umgibt, während er frei von jeder direkten elektrischen Verbindung mit dem zweiten Leiter ist, um einen leitenden Pfad zur Erde für kapazitive Ströme vorzusehen, die aus dem zweiten Leiter stammen.
11. Eine Meßfühlerstation, enthaltend:
  • a) ein leitendes Gehäuse, das elektrisch an Erde liegt;
  • b) ein Spannfutter zum Haltern einer zu testenden Vorrichtung, wobei das Spannfutter innerhalb des Gehäuse angeordnet ist;
  • c) eine Thermoeinheit zum Modifizieren der Temperatur des Spannfutters;
  • d) einen Controller, der die Thermoeinheit mit elektrischem Strom versorgt;
  • e) ein Leiterglied, das mit der Thermoeinheit kapazitiv gekoppelt ist während es frei von einem direkten elektrischen Verbindung zu dieser ist;
  • f) wobei das Leiterglied und der Controller elektrisch verschaltet sind um einen leitenden Rückpfad zu dem Controller für im wesentlichen alle kapazitiven Ströme vorzusehen, die aus dem Betrieb der Thermo­ einheit entstehen; und
  • g) eine leitende Verlängerung des Gehäuses, die kapazitiv an das leitende Glied gekoppelt ist, während sie frei von einem direkten elektrischen Anschluß daran ist, um einen leitenden Pfad zur Erde für kapazitive Ströme vorzusehen, die von dem leitenden Glied stammen.
12. Die Meßfühlerstation gemäß Anspruch 11, ferner enthaltend eine elektrische Verschaltung des Controllers mit der Erde, um eine leitende Erweiterung zur Erde des leitenden Rückkehrpfads zum Controller vorzusehen.
13. Die Meßfühlerstation gemäß Anspruch 11, wobei die leitende Erweiterung im wesentlichen das Leiterglied umschließt.
14. Eine Meßfühlerstation, enthaltend:
  • a) ein leitendes Gehäuse, das elektrisch an Erde liegt;
  • b) ein Spannfutter zum Haltern einer zu testenden Vorrichtung, wobei das Spannfutter innerhalb des Gehäuses angeordnet ist;
  • c) eine Thermovorrichtung zum Modifizieren der Temperatur des Spannfutters;
  • d) eine Vielzahl von ersten Leitern, die die Thermo­ vorrichtung mit einem Controller zur Versorgung mit elektrischem Strom elektrisch verschalten, wobei der Controller außerhalb des Gehäuses angeordnet ist;
  • e) einen zweiter Leiter, der eine größere Länge der ersten Leiter umgibt, wobei der zweite Leiter mit den ersten Leitern kapazitiv gekoppelt ist während er frei von einer direkten Verbindung mit diesen ist und elektrisch mit dem Controller verbunden ist, um einen leitenden Rückpfad zu dem Controller für eine wesent­ lichen Menge der kapazitiven Ströme zu bilden, die aus den ersten Leitern als Ergebnis des Betrieb der Thermoeinheit stammen; und
  • f) eine leitende Erweiterung des Gehäuses, das einen größeren Teil der Länge des zweiten Leiters umhüllt während es frei ist von einer direkten elektrischen Verbindung mit dem zweiten Leiter, um so einen leitenden Pfad zur Erde zu bilden für kapazitive Ströme, die von dem zweiten Leiter stammen.
15. Die Meßfühlerstation gemäß Anspruch 14, in der die leitende Verlängerung dieses Leiterglied im wesentlichen umhüllt.
16. Die Meßfühlerstation gemäß Anspruch 14, die ferner ein leitendes Glied aufweist, das im wesentlichen die Thermo­ vorrichtung umhüllt und elektrisch mit dem zweiten Leiter verbunden ist, während es frei von direkter Verbindung mit der leitenden Verlängerung des Gehäuses ist.
17. Die Meßfühlerstation gemäß Anspruch 16, in der die leitende Verlängerung dieses Leiterglied im wesentlichen umhüllt.
18. Die Meßfühlerstation gemäß Anspruch 14, die ferner eine elektrische Verschaltung des Controllers mit der Erde aufweist, um so eine leitende Verlängerung zur Erde des leitenden Rückpfads zum Controller vorzusehen.
19. Eine Meßfühlerstation, enthaltend:
  • a) ein leitendes Gehäuse, das elektrisch an Erde liegt;
  • b) ein Spannfutter zum Haltern einer zu testenden Vorrichtung, wobei das Spannfutter innerhalb des Gehäuses angeordnet ist;
  • c) eine Thermoeinheit zum Modifizieren der Temperatur des Spannfutters;
  • d) einen Controller, der die Thermoeinheit mit elektrischem Strom versorgt;
  • e) ein erstes Leiterglied, das mit der Thermoeinheit kapazitiv gekoppelt ist während es frei von einer direkten elektrischen Verbindung mit dieser ist; und
  • f) wobei das erste Leiterglied mit dem leitenden Gehäuse elektrisch verbunden ist, um einen leitenden Rückpfad zur Erde für im wesentlichen alle kapazitiven Ströme vorzusehen, die durch den Betrieb der Thermoeinheit entstehen.
20. Die Meßfühlerstation gemäß Anspruch 19, die ferner ein zweites Leiterglied aufweist, das kapazitiv an die Thermoeinheit und an das erste Leiterglied gekoppelt ist und frei von einer direkten elektrischen Verbindung zu dieser ist, wobei das zweite Leiterglied elektrisch mit dem Controller verbunden ist, um einen elektrischen Rückpfad zum Controller für im wesentlichen alle kapazitiven Ströme zu bilden, die aus dem Betrieb der Thermoeinheit entstehen.
DE10031035A 1999-06-30 2000-06-26 Thermospannfutter für Messfühlerstation mit Abschirmung für kapazitiven Strom Withdrawn DE10031035A1 (de)

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Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6380751B2 (en) * 1992-06-11 2002-04-30 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe station having environment control enclosure
US5914613A (en) 1996-08-08 1999-06-22 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system with local contact scrub
US6002263A (en) * 1997-06-06 1999-12-14 Cascade Microtech, Inc. Probe station having inner and outer shielding
US6256882B1 (en) 1998-07-14 2001-07-10 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US6445202B1 (en) * 1999-06-30 2002-09-03 Cascade Microtech, Inc. Probe station thermal chuck with shielding for capacitive current
JP2004507886A (ja) * 2000-07-21 2004-03-11 テンプトロニック コーポレイション 温度制御された自動試験用熱プラットフォーム
US6965226B2 (en) * 2000-09-05 2005-11-15 Cascade Microtech, Inc. Chuck for holding a device under test
US6914423B2 (en) 2000-09-05 2005-07-05 Cascade Microtech, Inc. Probe station
DE20114544U1 (de) 2000-12-04 2002-02-21 Cascade Microtech Inc Wafersonde
WO2003052435A1 (en) 2001-08-21 2003-06-26 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
WO2003020467A1 (en) * 2001-08-31 2003-03-13 Cascade Microtech, Inc. Optical testing device
US6777964B2 (en) * 2002-01-25 2004-08-17 Cascade Microtech, Inc. Probe station
US7352258B2 (en) * 2002-03-28 2008-04-01 Cascade Microtech, Inc. Waveguide adapter for probe assembly having a detachable bias tee
US6847219B1 (en) * 2002-11-08 2005-01-25 Cascade Microtech, Inc. Probe station with low noise characteristics
US6861856B2 (en) * 2002-12-13 2005-03-01 Cascade Microtech, Inc. Guarded tub enclosure
US7492172B2 (en) 2003-05-23 2009-02-17 Cascade Microtech, Inc. Chuck for holding a device under test
US7057404B2 (en) 2003-05-23 2006-06-06 Sharp Laboratories Of America, Inc. Shielded probe for testing a device under test
US7250626B2 (en) 2003-10-22 2007-07-31 Cascade Microtech, Inc. Probe testing structure
JP4600916B2 (ja) * 2003-11-07 2010-12-22 株式会社タニタ シールドケーブル及びシールドケーブルを用いた生体電気インピーダンス値又は生体組成情報の取得装置
JP2007517231A (ja) 2003-12-24 2007-06-28 カスケード マイクロテック インコーポレイテッド アクティブ・ウェハプローブ
US7187188B2 (en) * 2003-12-24 2007-03-06 Cascade Microtech, Inc. Chuck with integrated wafer support
US7176705B2 (en) * 2004-06-07 2007-02-13 Cascade Microtech, Inc. Thermal optical chuck
US20090037297A1 (en) * 2004-08-20 2009-02-05 United States Postal Service Cost and contribution sales calculator and method
DE202005021435U1 (de) 2004-09-13 2008-02-28 Cascade Microtech, Inc., Beaverton Doppelseitige Prüfaufbauten
KR100656586B1 (ko) * 2005-01-07 2006-12-13 삼성전자주식회사 프로브 카드 냉각용 공기 분사기를 갖는 웨이퍼 번인 시스템
US7535247B2 (en) 2005-01-31 2009-05-19 Cascade Microtech, Inc. Interface for testing semiconductors
US7656172B2 (en) 2005-01-31 2010-02-02 Cascade Microtech, Inc. System for testing semiconductors
JP4356661B2 (ja) * 2005-07-25 2009-11-04 住友電気工業株式会社 ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ
US7802917B2 (en) * 2005-08-05 2010-09-28 Lam Research Corporation Method and apparatus for chuck thermal calibration
US20070229105A1 (en) * 2006-03-28 2007-10-04 Octavian Scientific, Inc. Desktop wafer analysis station
JP4779799B2 (ja) * 2006-05-15 2011-09-28 株式会社島津製作所 磁気センサの温度特性測定用ケース及び磁気センサの温度特性測定方法
US7403028B2 (en) 2006-06-12 2008-07-22 Cascade Microtech, Inc. Test structure and probe for differential signals
US7764072B2 (en) 2006-06-12 2010-07-27 Cascade Microtech, Inc. Differential signal probing system
US7723999B2 (en) 2006-06-12 2010-05-25 Cascade Microtech, Inc. Calibration structures for differential signal probing
KR20080053768A (ko) * 2006-12-11 2008-06-16 삼성전자주식회사 웨이퍼 척, 이를 구비하는 웨이퍼의 전기적 특성을테스트하는 장치 및 테스트하는 방법
JP4474405B2 (ja) * 2006-12-21 2010-06-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 試料検査装置及び試料検査方法
US7731988B2 (en) * 2007-08-03 2010-06-08 Zimmer, Inc. Multi-polymer hydrogels
US7876114B2 (en) 2007-08-08 2011-01-25 Cascade Microtech, Inc. Differential waveguide probe
JP2009229083A (ja) * 2008-03-19 2009-10-08 Yokogawa Electric Corp 半導体試験装置
TWI434360B (zh) * 2008-09-04 2014-04-11 Star Techn Inc 封閉式針測機台
US7888957B2 (en) 2008-10-06 2011-02-15 Cascade Microtech, Inc. Probing apparatus with impedance optimized interface
GR1006645B (el) * 2008-10-20 2009-12-29 Natech A.E. Συστημα και μεθοδος αυτοματου ηλεκτρικου χαρακτηρισμου διαταξεων ημιαγωγων σε ευρος θερμοκρασιων
US8410806B2 (en) 2008-11-21 2013-04-02 Cascade Microtech, Inc. Replaceable coupon for a probing apparatus
US8319503B2 (en) 2008-11-24 2012-11-27 Cascade Microtech, Inc. Test apparatus for measuring a characteristic of a device under test
EP2390906A1 (de) * 2010-05-26 2011-11-30 Applied Materials, Inc. Vorrichtung und Verfahren zur elektrostatischen Abgabeverringerung
US9354301B2 (en) * 2011-06-10 2016-05-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and apparatus for ultrasound diagnosis that reduces interference and restores missed signals
US8754665B2 (en) * 2012-04-11 2014-06-17 Circuit Check, Inc. Dual stage vacuum chamber with full circuit board support
US9377486B2 (en) * 2014-03-28 2016-06-28 Intel Corporation Thermal interface material handling for thermal control of an electronic component under test
US9378992B2 (en) * 2014-06-27 2016-06-28 Axcelis Technologies, Inc. High throughput heated ion implantation system and method
KR101698429B1 (ko) * 2015-10-08 2017-01-20 한국기초과학지원연구원 극저온 프로브 스테이션
US11724354B2 (en) * 2015-12-10 2023-08-15 Ioneer, Llc Apparatus and method for determining parameters of process operation
US9784763B1 (en) 2016-04-08 2017-10-10 Cascade Microtech, Inc. Shielded probe systems with controlled testing environments
CN109891253A (zh) * 2016-10-27 2019-06-14 三井化学东赛璐株式会社 电子装置的制造方法、电子装置制造用粘着性膜及电子部件试验装置
KR102411482B1 (ko) * 2018-06-11 2022-06-22 삼성전자 주식회사 용량성 구조물을 포함하는 전자 장치
JP2022154237A (ja) * 2021-03-30 2022-10-13 東京エレクトロン株式会社 Ledチャック
US20230058964A1 (en) * 2021-08-18 2023-02-23 Mpi Corporation Optical detection system and alignment method for a predetermined target object

Family Cites Families (505)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1191486A (en) 1914-03-20 1916-07-18 Edward B Tyler Expansion-joint.
US1191466A (en) * 1915-12-18 1916-07-18 Frederick A Scheffler Clothes-line crane.
US1337866A (en) 1917-09-27 1920-04-20 Griffiths Ethel Grace System for protecting electric cables
US1337868A (en) 1919-06-03 1920-04-20 Arthur O White Plow
US2142625A (en) 1932-07-06 1939-01-03 Hollandsche Draad En Kabelfab High tension cable
US2106003A (en) 1936-03-14 1938-01-18 Metropolitan Device Corp Terminal box
US2197081A (en) 1937-06-14 1940-04-16 Transit Res Corp Motor support
US2264685A (en) 1940-06-28 1941-12-02 Westinghouse Electric & Mfg Co Insulating structure
US2376101A (en) 1942-04-01 1945-05-15 Ferris Instr Corp Electrical energy transmission
US2389668A (en) 1943-03-04 1945-11-27 Barnes Drill Co Indexing mechanism for machine tables
US2471897A (en) 1945-01-13 1949-05-31 Trico Products Corp Fluid motor packing
US2812502A (en) 1953-07-07 1957-11-05 Bell Telephone Labor Inc Transposed coaxial conductor system
CH364040A (fr) 1960-04-19 1962-08-31 Ipa Anstalt Dispositif de détection pour vérifier si un élément d'une installation électrique est sous tension
US3185927A (en) 1961-01-31 1965-05-25 Kulicke & Soffa Mfg Co Probe instrument for inspecting semiconductor wafers including means for marking defective zones
US3193712A (en) 1962-03-21 1965-07-06 Clarence A Harris High voltage cable
US3230299A (en) 1962-07-18 1966-01-18 Gen Cable Corp Electrical cable with chemically bonded rubber layers
US3256484A (en) 1962-09-10 1966-06-14 Tektronix Inc High voltage test probe containing a part gas, part liquid dielectric fluid under pressure and having a transparent housing section for viewing the presence of the liquid therein
US3176091A (en) 1962-11-07 1965-03-30 Helmer C Hanson Controlled multiple switching unit
US3192844A (en) 1963-03-05 1965-07-06 Kulicke And Soffa Mfg Company Mask alignment fixture
US3201721A (en) 1963-12-30 1965-08-17 Western Electric Co Coaxial line to strip line connector
US3405361A (en) 1964-01-08 1968-10-08 Signetics Corp Fluid actuable multi-point microprobe for semiconductors
US3289046A (en) 1964-05-19 1966-11-29 Gen Electric Component chip mounted on substrate with heater pads therebetween
GB1069184A (en) 1965-04-15 1967-05-17 Andre Rubber Co Improvements in or relating to pipe couplings
US3333274A (en) 1965-04-21 1967-07-25 Micro Tech Mfg Inc Testing device
US3435185A (en) 1966-01-11 1969-03-25 Rohr Corp Sliding vacuum seal for electron beam welder
US3408565A (en) 1966-03-02 1968-10-29 Philco Ford Corp Apparatus for sequentially testing electrical components under controlled environmental conditions including a component support mating test head
US3484679A (en) 1966-10-03 1969-12-16 North American Rockwell Electrical apparatus for changing the effective capacitance of a cable
US3609539A (en) 1968-09-28 1971-09-28 Ibm Self-aligning kelvin probe
NL6917791A (de) 1969-03-13 1970-09-15
US3648169A (en) 1969-05-26 1972-03-07 Teledyne Inc Probe and head assembly
US3596228A (en) 1969-05-29 1971-07-27 Ibm Fluid actuated contactor
US3596226A (en) 1969-08-01 1971-07-27 Jack A Meltzer Electrical poer track and shoe
US3602845A (en) 1970-01-27 1971-08-31 Us Army Slot line nonreciprocal phase shifter
US3654573A (en) 1970-06-29 1972-04-04 Bell Telephone Labor Inc Microwave transmission line termination
US3740900A (en) 1970-07-01 1973-06-26 Signetics Corp Vacuum chuck assembly for semiconductor manufacture
US3642415A (en) 1970-08-10 1972-02-15 Shell Oil Co Plunger-and-diaphragm plastic sheet forming apparatus
US3700998A (en) 1970-08-20 1972-10-24 Computer Test Corp Sample and hold circuit with switching isolation
US3714572A (en) 1970-08-21 1973-01-30 Rca Corp Alignment and test fixture apparatus
US4009456A (en) 1970-10-07 1977-02-22 General Microwave Corporation Variable microwave attenuator
US3662318A (en) 1970-12-23 1972-05-09 Comp Generale Electricite Transition device between coaxial and microstrip lines
US3710251A (en) 1971-04-07 1973-01-09 Collins Radio Co Microelectric heat exchanger pedestal
US3814888A (en) * 1971-11-19 1974-06-04 Gen Electric Solid state induction cooking appliance
US3810017A (en) 1972-05-15 1974-05-07 Teledyne Inc Precision probe for testing micro-electronic units
US3829076A (en) 1972-06-08 1974-08-13 H Sofy Dial index machine
US3858212A (en) 1972-08-29 1974-12-31 L Tompkins Multi-purpose information gathering and distribution system
US3952156A (en) 1972-09-07 1976-04-20 Xerox Corporation Signal processing system
CA970849A (en) 1972-09-18 1975-07-08 Malcolm P. Macmartin Low leakage isolating transformer for electromedical apparatus
US3775644A (en) 1972-09-20 1973-11-27 Communications Satellite Corp Adjustable microstrip substrate holder
US3777260A (en) 1972-12-14 1973-12-04 Ibm Grid for making electrical contact
FR2298196A1 (fr) 1973-05-18 1976-08-13 Lignes Telegraph Telephon Composant non reciproque a ligne a fente a large bande
US3814838A (en) 1973-06-01 1974-06-04 Continental Electronics Mfg Insulator assembly having load distribution support
US3836751A (en) * 1973-07-26 1974-09-17 Applied Materials Inc Temperature controlled profiling heater
US3930809A (en) 1973-08-21 1976-01-06 Wentworth Laboratories, Inc. Assembly fixture for fixed point probe card
US3863181A (en) 1973-12-03 1975-01-28 Bell Telephone Labor Inc Mode suppressor for strip transmission lines
US4001685A (en) 1974-03-04 1977-01-04 Electroglas, Inc. Micro-circuit test probe
US3936743A (en) 1974-03-05 1976-02-03 Electroglas, Inc. High speed precision chuck assembly
JPS5352354Y2 (de) 1974-05-23 1978-12-14
US3976959A (en) 1974-07-22 1976-08-24 Gaspari Russell A Planar balun
US3970934A (en) 1974-08-12 1976-07-20 Akin Aksu Printed circuit board testing means
US4042119A (en) 1975-06-30 1977-08-16 International Business Machines Corporation Workpiece positioning apparatus
US4038894A (en) 1975-07-18 1977-08-02 Springfield Tool And Die, Inc. Piercing apparatus
JPS567439Y2 (de) 1975-09-20 1981-02-18
SE407115B (sv) 1975-10-06 1979-03-12 Kabi Ab Forfarande och metelektroder for studium av enzymatiska och andra biokemiska reaktioner
US4035723A (en) 1975-10-16 1977-07-12 Xynetics, Inc. Probe arm
US3992073A (en) 1975-11-24 1976-11-16 Technical Wire Products, Inc. Multi-conductor probe
US3996517A (en) 1975-12-29 1976-12-07 Monsanto Company Apparatus for wafer probing having surface level sensing
US4116523A (en) 1976-01-23 1978-09-26 James M. Foster High frequency probe
US4049252A (en) 1976-02-04 1977-09-20 Bell Theodore F Index table
US4008900A (en) 1976-03-15 1977-02-22 John Freedom Indexing chuck
US4099120A (en) 1976-04-19 1978-07-04 Akin Aksu Probe head for testing printed circuit boards
US4115735A (en) 1976-10-14 1978-09-19 Faultfinders, Inc. Test fixture employing plural platens for advancing some or all of the probes of the test fixture
US4093988A (en) 1976-11-08 1978-06-06 General Electric Company High speed frequency response measurement
US4186338A (en) 1976-12-16 1980-01-29 Genrad, Inc. Phase change detection method of and apparatus for current-tracing the location of faults on printed circuit boards and similar systems
US4115736A (en) 1977-03-09 1978-09-19 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Probe station
US4151465A (en) 1977-05-16 1979-04-24 Lenz Seymour S Variable flexure test probe for microelectronic circuits
US4161692A (en) 1977-07-18 1979-07-17 Cerprobe Corporation Probe device for integrated circuit wafers
US4135131A (en) 1977-10-14 1979-01-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Microwave time delay spectroscopic methods and apparatus for remote interrogation of biological targets
US4371742A (en) 1977-12-20 1983-02-01 Graham Magnetics, Inc. EMI-Suppression from transmission lines
WO1980000101A1 (en) 1978-06-21 1980-01-24 Cerprobe Corp Probe and interface device for integrated circuit wafers
US4172993A (en) 1978-09-13 1979-10-30 The Singer Company Environmental hood for testing printed circuit cards
DE2849119A1 (de) 1978-11-13 1980-05-14 Siemens Ag Verfahren und schaltungsanordnung zur daempfungsmessung, insbesondere zur ermittlung der daempfungs- und/oder gruppenlaufzeitverzerrung eines messobjektes
US4383217A (en) 1979-01-02 1983-05-10 Shiell Thomas J Collinear four-point probe head and mount for resistivity measurements
US4280112A (en) 1979-02-21 1981-07-21 Eisenhart Robert L Electrical coupler
US4352061A (en) 1979-05-24 1982-09-28 Fairchild Camera & Instrument Corp. Universal test fixture employing interchangeable wired personalizers
US4287473A (en) 1979-05-25 1981-09-01 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Nondestructive method for detecting defects in photodetector and solar cell devices
US4277741A (en) 1979-06-25 1981-07-07 General Motors Corporation Microwave acoustic spectrometer
JPS5933267B2 (ja) 1979-08-28 1984-08-14 三菱電機株式会社 半導体素子の不良解析法
US4327180A (en) 1979-09-14 1982-04-27 Board Of Governors, Wayne State Univ. Method and apparatus for electromagnetic radiation of biological material
US4284033A (en) 1979-10-31 1981-08-18 Rca Corporation Means to orbit and rotate target wafers supported on planet member
US4330783A (en) 1979-11-23 1982-05-18 Toia Michael J Coaxially fed dipole antenna
US4365195A (en) 1979-12-27 1982-12-21 Communications Satellite Corporation Coplanar waveguide mounting structure and test fixture for microwave integrated circuits
US4365109A (en) 1980-01-25 1982-12-21 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Coaxial cable design
US4342958A (en) 1980-03-28 1982-08-03 Honeywell Information Systems Inc. Automatic test equipment test probe contact isolation detection method
JPS5953659B2 (ja) 1980-04-11 1984-12-26 株式会社日立製作所 真空室中回転体の往復動機構
US4284682A (en) 1980-04-30 1981-08-18 Nasa Heat sealable, flame and abrasion resistant coated fabric
US4357575A (en) 1980-06-17 1982-11-02 Dit-Mco International Corporation Apparatus for use in testing printed circuit process boards having means for positioning such boards in proper juxtaposition with electrical contacting assemblies
JPS6211243Y2 (de) 1980-09-17 1987-03-17
US4346355A (en) 1980-11-17 1982-08-24 Raytheon Company Radio frequency energy launcher
JPH0222873Y2 (de) 1981-02-09 1990-06-20
US4376920A (en) 1981-04-01 1983-03-15 Smith Kenneth L Shielded radio frequency transmission cable
JPS57169244A (en) 1981-04-13 1982-10-18 Canon Inc Temperature controller for mask and wafer
US4425395A (en) 1981-04-30 1984-01-10 Fujikura Rubber Works, Ltd. Base fabrics for polyurethane-coated fabrics, polyurethane-coated fabrics and processes for their production
US4414638A (en) 1981-04-30 1983-11-08 Dranetz Engineering Laboratories, Inc. Sampling network analyzer with stored correction of gain errors
US4401945A (en) 1981-04-30 1983-08-30 The Valeron Corporation Apparatus for detecting the position of a probe relative to a workpiece
US4426619A (en) 1981-06-03 1984-01-17 Temptronic Corporation Electrical testing system including plastic window test chamber and method of using same
DE3125552C1 (de) 1981-06-29 1982-11-11 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Prüfeinrichtung zum Anzeigen einer elektrischen Spannung, deren Polarität und zur Durchgangsprüfung
US4566184A (en) 1981-08-24 1986-01-28 Rockwell International Corporation Process for making a probe for high speed integrated circuits
US4419626A (en) 1981-08-25 1983-12-06 Daymarc Corporation Broad band contactor assembly for testing integrated circuit devices
US4888550A (en) 1981-09-14 1989-12-19 Texas Instruments Incorporated Intelligent multiprobe tip
US4453142A (en) 1981-11-02 1984-06-05 Motorola Inc. Microstrip to waveguide transition
US4480223A (en) 1981-11-25 1984-10-30 Seiichiro Aigo Unitary probe assembly
CA1154588A (en) 1982-02-15 1983-10-04 Robert D. Lamson Tape measure
US4528504A (en) 1982-05-27 1985-07-09 Harris Corporation Pulsed linear integrated circuit tester
US4468629A (en) 1982-05-27 1984-08-28 Trw Inc. NPN Operational amplifier
US4491173A (en) 1982-05-28 1985-01-01 Temptronic Corporation Rotatable inspection table
JPS58210631A (ja) 1982-05-31 1983-12-07 Toshiba Corp 電子ビ−ムを用いたicテスタ
US4507602A (en) 1982-08-13 1985-03-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Measurement of permittivity and permeability of microwave materials
US4479690A (en) 1982-09-13 1984-10-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Underwater splice for submarine coaxial cable
US4487996A (en) 1982-12-02 1984-12-11 Electric Power Research Institute, Inc. Shielded electrical cable
US4575676A (en) 1983-04-04 1986-03-11 Advanced Research And Applications Corporation Method and apparatus for radiation testing of electron devices
CH668646A5 (de) 1983-05-31 1989-01-13 Contraves Ag Vorrichtung zum wiederholten foerdern von fluessigkeitsvolumina.
JPS59226167A (ja) 1983-06-04 1984-12-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板表面処理装置
FR2547945B1 (fr) 1983-06-21 1986-05-02 Raffinage Cie Francaise Nouvelle structure de cable electrique et ses applications
JPS6071425U (ja) 1983-10-25 1985-05-20 株式会社アマダ プレス機械における上部エプロンの取付構造
JPS60106244U (ja) 1983-12-26 1985-07-19 日本ケミコン株式会社 回転円盤押え機構
US4816767A (en) 1984-01-09 1989-03-28 Hewlett-Packard Company Vector network analyzer with integral processor
US4703433A (en) 1984-01-09 1987-10-27 Hewlett-Packard Company Vector network analyzer with integral processor
US4588970A (en) 1984-01-09 1986-05-13 Hewlett-Packard Company Three section termination for an R.F. triaxial directional bridge
JPS60136006U (ja) 1984-02-20 1985-09-10 株式会社 潤工社 フラツトケ−ブル
US4557599A (en) 1984-03-06 1985-12-10 General Signal Corporation Calibration and alignment target plate
US4646005A (en) 1984-03-16 1987-02-24 Motorola, Inc. Signal probe
US4697143A (en) 1984-04-30 1987-09-29 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe
JPS60235304A (ja) 1984-05-08 1985-11-22 株式会社フジクラ 直流電力ケ−ブル
US4675600A (en) 1984-05-17 1987-06-23 Geo International Corporation Testing apparatus for plated through-holes on printed circuit boards, and probe therefor
DE3419762A1 (de) 1984-05-26 1985-11-28 Heidelberger Druckmaschinen Ag, 6900 Heidelberg Bogen-rotationsdruckmaschine in reihenbauart der druckwerke
US4691831A (en) 1984-06-25 1987-09-08 Takeda Riken Co., Ltd. IC test equipment
DE3428087A1 (de) 1984-07-30 1986-01-30 Kraftwerk Union AG, 4330 Mülheim Konzentrisches dreileiterkabel
US4694245A (en) 1984-09-07 1987-09-15 Precision Drilling, Inc. Vacuum-actuated top access test probe fixture
FR2575308B1 (fr) 1984-12-21 1989-03-31 Bendix Electronics Sa Procede et chaine de traitement du signal analogique de sortie d'un capteur
US4680538A (en) 1985-01-15 1987-07-14 Cornell Research Foundation, Inc. Millimeter wave vector network analyzer
US4856904A (en) 1985-01-21 1989-08-15 Nikon Corporation Wafer inspecting apparatus
US4744041A (en) 1985-03-04 1988-05-10 International Business Machines Corporation Method for testing DC motors
US4665360A (en) 1985-03-11 1987-05-12 Eaton Corporation Docking apparatus
US4755746A (en) 1985-04-24 1988-07-05 Prometrix Corporation Apparatus and methods for semiconductor wafer testing
US4734872A (en) 1985-04-30 1988-03-29 Temptronic Corporation Temperature control for device under test
US4684883A (en) 1985-05-13 1987-08-04 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Method of manufacturing high-quality semiconductor light-emitting devices
US4818169A (en) 1985-05-17 1989-04-04 Schram Richard R Automated wafer inspection system
US4695794A (en) 1985-05-31 1987-09-22 Santa Barbara Research Center Voltage calibration in E-beam probe using optical flooding
GB8515025D0 (en) 1985-06-13 1985-07-17 Plessey Co Plc Calibration apparatus
US4777434A (en) 1985-10-03 1988-10-11 Amp Incorporated Microelectronic burn-in system
US4684783A (en) * 1985-11-06 1987-08-04 Sawtek, Inc. Environmental control apparatus for electrical circuit elements
US4709141A (en) * 1986-01-09 1987-11-24 Rockwell International Corporation Non-destructive testing of cooled detector arrays
US4757255A (en) 1986-03-03 1988-07-12 National Semiconductor Corporation Environmental box for automated wafer probing
US4784213A (en) 1986-04-08 1988-11-15 Temptronic Corporation Mixing valve air source
US4712370A (en) 1986-04-24 1987-12-15 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Sliding duct seal
US4730158A (en) 1986-06-06 1988-03-08 Santa Barbara Research Center Electron-beam probing of photodiodes
US5095891A (en) 1986-07-10 1992-03-17 Siemens Aktiengesellschaft Connecting cable for use with a pulse generator and a shock wave generator
DE3625631A1 (de) 1986-07-29 1988-02-04 Gore W L & Co Gmbh Elektromagnetische abschirmung
US4739259A (en) 1986-08-01 1988-04-19 Tektronix, Inc. Telescoping pin probe
US4783625A (en) 1986-08-21 1988-11-08 Tektronix, Inc. Wideband high impedance card mountable probe
JPS6362245A (ja) 1986-09-02 1988-03-18 Canon Inc ウエハプロ−バ
US4758785A (en) 1986-09-03 1988-07-19 Tektronix, Inc. Pressure control apparatus for use in an integrated circuit testing station
US4673839A (en) 1986-09-08 1987-06-16 Tektronix, Inc. Piezoelectric pressure sensing apparatus for integrated circuit testing stations
US4904933A (en) 1986-09-08 1990-02-27 Tektronix, Inc. Integrated circuit probe station
US4759712A (en) 1986-10-17 1988-07-26 Temptronic Corporation Device for applying controlled temperature stimuli to nerve sensitive tissue
US4787752A (en) 1986-10-24 1988-11-29 Fts Systems, Inc. Live component temperature conditioning device providing fast temperature variations
GB2197081A (en) 1986-11-07 1988-05-11 Plessey Co Plc Coplanar waveguide probe
JPH0744501B2 (ja) * 1986-11-19 1995-05-15 清水建設株式会社 インテリジエントビルの電波漏洩診断システム
US4771234A (en) 1986-11-20 1988-09-13 Hewlett-Packard Company Vacuum actuated test fixture
US4772846A (en) 1986-12-29 1988-09-20 Hughes Aircraft Company Wafer alignment and positioning apparatus for chip testing by voltage contrast electron microscopy
US4812754A (en) 1987-01-07 1989-03-14 Tracy Theodore A Circuit board interfacing apparatus
US4727637A (en) 1987-01-20 1988-03-01 The Boeing Company Computer aided connector assembly method and apparatus
US4827211A (en) 1987-01-30 1989-05-02 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe
US4711563A (en) 1987-02-11 1987-12-08 Lass Bennett D Portable collapsible darkroom
US4731577A (en) 1987-03-05 1988-03-15 Logan John K Coaxial probe card
JPS63143814U (de) 1987-03-12 1988-09-21
US4871965A (en) 1987-03-16 1989-10-03 Apex Microtechnology Corporation Environmental testing facility for electronic components
US4845426A (en) 1987-05-20 1989-07-04 Signatone Corporation Temperature conditioner for tests of unpackaged semiconductors
US4810981A (en) 1987-06-04 1989-03-07 General Microwave Corporation Assembly of microwave components
US4884026A (en) 1987-06-24 1989-11-28 Tokyo Electron Limited Electrical characteristic measuring apparatus
US4838802A (en) 1987-07-08 1989-06-13 Tektronix, Inc. Low inductance ground lead
US4894612A (en) 1987-08-13 1990-01-16 Hypres, Incorporated Soft probe for providing high speed on-wafer connections to a circuit
CH673248A5 (de) 1987-08-28 1990-02-28 Charmilles Technologies
US4755874A (en) 1987-08-31 1988-07-05 Kla Instruments Corporation Emission microscopy system
US5198752A (en) 1987-09-02 1993-03-30 Tokyo Electron Limited Electric probing-test machine having a cooling system
US5084671A (en) 1987-09-02 1992-01-28 Tokyo Electron Limited Electric probing-test machine having a cooling system
US4791363A (en) 1987-09-28 1988-12-13 Logan John K Ceramic microstrip probe blade
US4853613A (en) 1987-10-27 1989-08-01 Martin Marietta Corporation Calibration method for apparatus evaluating microwave/millimeter wave circuits
BE1000697A6 (fr) 1987-10-28 1989-03-14 Irish Transformers Ltd Appareil pour tester des circuits electriques integres.
JP2554669Y2 (ja) 1987-11-10 1997-11-17 博 寺町 回転位置決め装置
US4859989A (en) 1987-12-01 1989-08-22 W. L. Gore & Associates, Inc. Security system and signal carrying member thereof
US4896109A (en) 1987-12-07 1990-01-23 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Photoconductive circuit element reflectometer
JPH01165968A (ja) 1987-12-22 1989-06-29 Mitsubishi Electric Corp ウエハプロービング装置
FR2626376B1 (fr) 1988-01-22 1990-07-13 Commissariat Energie Atomique Dispositif et procede de mesure d'une impulsion breve de rayonnement ou d'une impulsion breve electrique
JPH01209380A (ja) 1988-02-16 1989-08-23 Fujitsu Ltd プローブカード
US4926118A (en) 1988-02-22 1990-05-15 Sym-Tek Systems, Inc. Test station
JPH01214038A (ja) 1988-02-22 1989-08-28 Mitsubishi Electric Corp プローブカード
JPH06103333B2 (ja) 1988-02-27 1994-12-14 アンリツ株式会社 高周波特性測定装置
MY103847A (en) 1988-03-15 1993-09-30 Yamaichi Electric Mfg Laminated board for testing electronic components
US4858160A (en) 1988-03-18 1989-08-15 Cascade Microtech, Inc. System for setting reference reactance for vector corrected measurements
US5091691A (en) 1988-03-21 1992-02-25 Semitest, Inc. Apparatus for making surface photovoltage measurements of a semiconductor
US4839587A (en) 1988-03-29 1989-06-13 Digital Equipment Corporation Test fixture for tab circuits and devices
FR2631165B1 (fr) 1988-05-05 1992-02-21 Moulene Daniel Support conditionneur de temperature pour petits objets tels que des composants semi-conducteurs et procede de regulation thermique utilisant ce support
US5354695A (en) 1992-04-08 1994-10-11 Leedy Glenn J Membrane dielectric isolation IC fabrication
JP2634191B2 (ja) 1988-05-24 1997-07-23 三菱電機株式会社 プローブカード
JPH01178872U (de) 1988-06-04 1989-12-21
US4918374A (en) 1988-10-05 1990-04-17 Applied Precision, Inc. Method and apparatus for inspecting integrated circuit probe cards
US4906920A (en) 1988-10-11 1990-03-06 Hewlett-Packard Company Self-leveling membrane probe
US4893914A (en) 1988-10-12 1990-01-16 The Micromanipulator Company, Inc. Test station
US4849689A (en) 1988-11-04 1989-07-18 Cascade Microtech, Inc. Microwave wafer probe having replaceable probe tip
US4904935A (en) 1988-11-14 1990-02-27 Eaton Corporation Electrical circuit board text fixture having movable platens
US5142224A (en) 1988-12-13 1992-08-25 Comsat Non-destructive semiconductor wafer probing system using laser pulses to generate and detect millimeter wave signals
US4916398A (en) 1988-12-21 1990-04-10 Spectroscopy Imaging Systems Corp. Efficient remote transmission line probe tuning for NMR apparatus
US4982153A (en) 1989-02-06 1991-01-01 Cray Research, Inc. Method and apparatus for cooling an integrated circuit chip during testing
US5159752A (en) 1989-03-22 1992-11-03 Texas Instruments Incorporated Scanning electron microscope based parametric testing method and apparatus
US4978907A (en) 1989-05-10 1990-12-18 At&T Bell Laboratories Apparatus and method for expanding the frequency range over which electrical signal amplitudes can be accurately measured
US5030907A (en) 1989-05-19 1991-07-09 Knights Technology, Inc. CAD driven microprobe integrated circuit tester
US5045781A (en) 1989-06-08 1991-09-03 Cascade Microtech, Inc. High-frequency active probe having replaceable contact needles
US5101149A (en) 1989-07-18 1992-03-31 National Semiconductor Corporation Modifiable IC board
US5218185A (en) * 1989-08-15 1993-06-08 Trustees Of The Thomas A. D. Gross 1988 Revocable Trust Elimination of potentially harmful electrical and magnetic fields from electric blankets and other electrical appliances
US5041782A (en) 1989-09-20 1991-08-20 Design Technique International, Inc. Microstrip probe
US4923407A (en) 1989-10-02 1990-05-08 Tektronix, Inc. Adjustable low inductance probe
US5077523A (en) 1989-11-03 1991-12-31 John H. Blanz Company, Inc. Cryogenic probe station having movable chuck accomodating variable thickness probe cards
US5166606A (en) 1989-11-03 1992-11-24 John H. Blanz Company, Inc. High efficiency cryogenic test station
US4968931A (en) 1989-11-03 1990-11-06 Motorola, Inc. Apparatus and method for burning in integrated circuit wafers
US5097207A (en) * 1989-11-03 1992-03-17 John H. Blanz Company, Inc. Temperature stable cryogenic probe station
US5160883A (en) 1989-11-03 1992-11-03 John H. Blanz Company, Inc. Test station having vibrationally stabilized X, Y and Z movable integrated circuit receiving support
US5103169A (en) 1989-11-15 1992-04-07 Texas Instruments Incorporated Relayless interconnections in high performance signal paths
JPH03175367A (ja) 1989-12-04 1991-07-30 Sharp Corp 半導体装置の直流特性測定用治具
JPH03184355A (ja) 1989-12-13 1991-08-12 Mitsubishi Electric Corp ウエハプローバ
US5089774A (en) 1989-12-26 1992-02-18 Sharp Kabushiki Kaisha Apparatus and a method for checking a semiconductor
JPH03209737A (ja) * 1990-01-11 1991-09-12 Tokyo Electron Ltd プローブ装置
US5066357A (en) 1990-01-11 1991-11-19 Hewlett-Packard Company Method for making flexible circuit card with laser-contoured vias and machined capacitors
US5001423A (en) 1990-01-24 1991-03-19 International Business Machines Corporation Dry interface thermal chuck temperature control system for semiconductor wafer testing
US4994737A (en) 1990-03-09 1991-02-19 Cascade Microtech, Inc. System for facilitating planar probe measurements of high-speed interconnect structures
US5019692A (en) 1990-03-29 1991-05-28 Eastman Kodak Company Thermostatic device for fuser
US5065092A (en) 1990-05-14 1991-11-12 Triple S Engineering, Inc. System for locating probe tips on an integrated circuit probe card and method therefor
US5408189A (en) 1990-05-25 1995-04-18 Everett Charles Technologies, Inc. Test fixture alignment system for printed circuit boards
US5065089A (en) 1990-06-01 1991-11-12 Tovex Tech, Inc. Circuit handler with sectioned rail
US5070297A (en) 1990-06-04 1991-12-03 Texas Instruments Incorporated Full wafer integrated circuit testing device
US5012186A (en) 1990-06-08 1991-04-30 Cascade Microtech, Inc. Electrical probe with contact force protection
DE4018993A1 (de) 1990-06-13 1991-12-19 Max Planck Inst Eisenforschung Verfahren und einrichtung zur untersuchung beschichteter metalloberflaechen
US5198753A (en) 1990-06-29 1993-03-30 Digital Equipment Corporation Integrated circuit test fixture and method
US5061823A (en) 1990-07-13 1991-10-29 W. L. Gore & Associates, Inc. Crush-resistant coaxial transmission line
KR0138754B1 (ko) 1990-08-06 1998-06-15 이노우에 아키라 전기회로측정용 탐침의 접촉검지장치 및 이 접촉검지장치를 이용한 전기회로 측정장치
US5105181A (en) 1990-08-17 1992-04-14 Hydro-Quebec Method and electrical measuring apparatus for analyzing the impedance of the source of an actual alternating voltage
US6037785A (en) 1990-09-20 2000-03-14 Higgins; H. Dan Probe card apparatus
JP2802825B2 (ja) * 1990-09-22 1998-09-24 大日本スクリーン製造 株式会社 半導体ウエハの電気測定装置
JP2544015Y2 (ja) 1990-10-15 1997-08-13 株式会社アドバンテスト Ic試験装置
US5094536A (en) * 1990-11-05 1992-03-10 Litel Instruments Deformable wafer chuck
US5325052A (en) 1990-11-30 1994-06-28 Tokyo Electron Yamanashi Limited Probe apparatus
DE69130205T2 (de) 1990-12-25 1999-03-25 Ngk Insulators Ltd Heizungsapparat für eine Halbleiterscheibe und Verfahren zum Herstellen desselben
JP3699349B2 (ja) 1990-12-25 2005-09-28 日本碍子株式会社 ウエハー吸着加熱装置
US5107076A (en) 1991-01-08 1992-04-21 W. L. Gore & Associates, Inc. Easy strip composite dielectric coaxial signal cable
US5105148A (en) 1991-01-24 1992-04-14 Itt Corporation Replaceable tip test probe
US5371457A (en) 1991-02-12 1994-12-06 Lipp; Robert J. Method and apparatus to test for current in an integrated circuit
JPH05136218A (ja) 1991-02-19 1993-06-01 Tokyo Electron Yamanashi Kk 検査装置
DE4109908C2 (de) 1991-03-26 1994-05-05 Erich Reitinger Anordnung zur Prüfung von Halbleiter-Wafern
US5144228A (en) 1991-04-23 1992-09-01 International Business Machines Corporation Probe interface assembly
US5164661A (en) 1991-05-31 1992-11-17 Ej Systems, Inc. Thermal control system for a semi-conductor burn-in
US5225037A (en) 1991-06-04 1993-07-06 Texas Instruments Incorporated Method for fabrication of probe card for testing of semiconductor devices
US5101453A (en) 1991-07-05 1992-03-31 Cascade Microtech, Inc. Fiber optic wafer probe
US5210485A (en) 1991-07-26 1993-05-11 International Business Machines Corporation Probe for wafer burn-in test system
US5198756A (en) 1991-07-29 1993-03-30 Atg-Electronics Inc. Test fixture wiring integrity verification device
US5321352A (en) 1991-08-01 1994-06-14 Tokyo Electron Yamanashi Limited Probe apparatus and method of alignment for the same
US5404111A (en) 1991-08-03 1995-04-04 Tokyo Electron Limited Probe apparatus with a swinging holder for an object of examination
US5209088A (en) 1991-08-08 1993-05-11 Rimma Vaks Changeable code lock
US5336989A (en) 1991-09-19 1994-08-09 Audio Presicion AC mains test apparatus and method
US5420516A (en) 1991-09-20 1995-05-30 Audio Precision, Inc. Method and apparatus for fast response and distortion measurement
US5198758A (en) 1991-09-23 1993-03-30 Digital Equipment Corp. Method and apparatus for complete functional testing of a complex signal path of a semiconductor chip
US5214243A (en) 1991-10-11 1993-05-25 Endevco Corporation High-temperature, low-noise coaxial cable assembly with high strength reinforcement braid
US5334931A (en) 1991-11-12 1994-08-02 International Business Machines Corporation Molded test probe assembly
JPH0756498B2 (ja) 1991-12-04 1995-06-14 株式会社東京カソード研究所 プローブカード検査装置
US5214374A (en) 1991-12-12 1993-05-25 Everett/Charles Contact Products, Inc. Dual level test fixture
JP2502231B2 (ja) 1991-12-17 1996-05-29 株式会社東京カソード研究所 プロ―ブカ―ド検査装置
US5225796A (en) 1992-01-27 1993-07-06 Tektronix, Inc. Coplanar transmission structure having spurious mode suppression
US5279975A (en) 1992-02-07 1994-01-18 Micron Technology, Inc. Method of testing individual dies on semiconductor wafers prior to singulation
US5221905A (en) 1992-02-28 1993-06-22 International Business Machines Corporation Test system with reduced test contact interface resistance
US5202558A (en) 1992-03-04 1993-04-13 Barker Lynn M Flexible fiber optic probe for high-pressure shock experiments
US5237267A (en) 1992-05-29 1993-08-17 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe station having auxiliary chucks
US5266889A (en) 1992-05-29 1993-11-30 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe station with integrated environment control enclosure
JP3219844B2 (ja) 1992-06-01 2001-10-15 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
US5479109A (en) 1992-06-03 1995-12-26 Trw Inc. Testing device for integrated circuits on wafer
US6313649B2 (en) 1992-06-11 2001-11-06 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe station having environment control enclosure
US5345170A (en) 1992-06-11 1994-09-06 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe station having integrated guarding, Kelvin connection and shielding systems
US6380751B2 (en) 1992-06-11 2002-04-30 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe station having environment control enclosure
FR2695508B1 (fr) 1992-09-08 1994-10-21 Filotex Sa Câble à faible niveau de bruit.
US5382898A (en) 1992-09-21 1995-01-17 Cerprobe Corporation High density probe card for testing electrical circuits
US5479108A (en) 1992-11-25 1995-12-26 David Cheng Method and apparatus for handling wafers
JPH06151532A (ja) 1992-11-13 1994-05-31 Tokyo Electron Yamanashi Kk プローブ装置
US5684669A (en) 1995-06-07 1997-11-04 Applied Materials, Inc. Method for dechucking a workpiece from an electrostatic chuck
US5422574A (en) 1993-01-14 1995-06-06 Probe Technology Corporation Large scale protrusion membrane for semiconductor devices under test with very high pin counts
JP3323572B2 (ja) 1993-03-15 2002-09-09 浜松ホトニクス株式会社 電圧測定装置のe−oプローブ位置決め方法
US5303938A (en) 1993-03-25 1994-04-19 Miller Donald C Kelvin chuck apparatus and method of manufacture
JP2668768B2 (ja) * 1993-03-30 1997-10-27 ベクターセミコン株式会社 電気的特性測定用プローブ装置
US5539323A (en) 1993-05-07 1996-07-23 Brooks Automation, Inc. Sensor for articles such as wafers on end effector
DE4316111A1 (de) 1993-05-13 1994-11-17 Ehlermann Eckhard Für Hochtemperaturmessungen geeignete Prüfkarte für integrierte Schaltkreise
US5657394A (en) 1993-06-04 1997-08-12 Integrated Technology Corporation Integrated circuit probe card inspection system
US5373231A (en) 1993-06-10 1994-12-13 G. G. B. Industries, Inc. Integrated circuit probing apparatus including a capacitor bypass structure
JPH0714898A (ja) 1993-06-23 1995-01-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウエハの試験解析装置および解析方法
JP3346838B2 (ja) 1993-06-29 2002-11-18 有限会社創造庵 回転運動機構
US5550482A (en) * 1993-07-20 1996-08-27 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Probe device
JP3395264B2 (ja) 1993-07-26 2003-04-07 東京応化工業株式会社 回転カップ式塗布装置
JP3442822B2 (ja) 1993-07-28 2003-09-02 アジレント・テクノロジー株式会社 測定用ケーブル及び測定システム
US5451884A (en) 1993-08-04 1995-09-19 Transat Corp. Electronic component temperature test system with flat ring revolving carriage
US5594358A (en) 1993-09-02 1997-01-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Radio frequency probe and probe card including a signal needle and grounding needle coupled to a microstrip transmission line
US5600258A (en) 1993-09-15 1997-02-04 Intest Corporation Method and apparatus for automated docking of a test head to a device handler
US5500606A (en) 1993-09-16 1996-03-19 Compaq Computer Corporation Completely wireless dual-access test fixture
JP3089150B2 (ja) 1993-10-19 2000-09-18 キヤノン株式会社 位置決めステージ装置
US5467024A (en) 1993-11-01 1995-11-14 Motorola, Inc. Integrated circuit test with programmable source for both AC and DC modes of operation
US5798652A (en) 1993-11-23 1998-08-25 Semicoa Semiconductors Method of batch testing surface mount devices using a substrate edge connector
US5669316A (en) 1993-12-10 1997-09-23 Sony Corporation Turntable for rotating a wafer carrier
US5467249A (en) 1993-12-20 1995-11-14 International Business Machines Corporation Electrostatic chuck with reference electrode
US5642056A (en) 1993-12-22 1997-06-24 Tokyo Electron Limited Probe apparatus for correcting the probe card posture before testing
US5510792A (en) 1993-12-27 1996-04-23 Tdk Corporation Anechoic chamber and wave absorber
US5475316A (en) 1993-12-27 1995-12-12 Hypervision, Inc. Transportable image emission microscope
US5486975A (en) 1994-01-31 1996-01-23 Applied Materials, Inc. Corrosion resistant electrostatic chuck
JP3565893B2 (ja) 1994-02-04 2004-09-15 アジレント・テクノロジーズ・インク プローブ装置及び電気回路素子計測装置
US5583445A (en) 1994-02-04 1996-12-10 Hughes Aircraft Company Opto-electronic membrane probe
US5611946A (en) 1994-02-18 1997-03-18 New Wave Research Multi-wavelength laser system, probe station and laser cutter system using the same
US5477011A (en) 1994-03-03 1995-12-19 W. L. Gore & Associates, Inc. Low noise signal transmission cable
US5585738A (en) 1994-03-31 1996-12-17 Tokyo Electron Limited Probe system having vertical height detection and double focal image pickup coinciding with probe contact in height adjustment
US5523694A (en) 1994-04-08 1996-06-04 Cole, Jr.; Edward I. Integrated circuit failure analysis by low-energy charge-induced voltage alteration
US5546012A (en) 1994-04-15 1996-08-13 International Business Machines Corporation Probe card assembly having a ceramic probe card
US5530372A (en) 1994-04-15 1996-06-25 Schlumberger Technologies, Inc. Method of probing a net of an IC at an optimal probe-point
US5511010A (en) 1994-06-10 1996-04-23 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus of eliminating interference in an undersettled electrical signal
US5491426A (en) 1994-06-30 1996-02-13 Vlsi Technology, Inc. Adaptable wafer probe assembly for testing ICs with different power/ground bond pad configurations
US5550480A (en) 1994-07-05 1996-08-27 Motorola, Inc. Method and means for controlling movement of a chuck in a test apparatus
US5565788A (en) 1994-07-20 1996-10-15 Cascade Microtech, Inc. Coaxial wafer probe with tip shielding
US5506515A (en) 1994-07-20 1996-04-09 Cascade Microtech, Inc. High-frequency probe tip assembly
US5488954A (en) 1994-09-09 1996-02-06 Georgia Tech Research Corp. Ultrasonic transducer and method for using same
US5515167A (en) 1994-09-13 1996-05-07 Hughes Aircraft Company Transparent optical chuck incorporating optical monitoring
WO1996008960A1 (en) 1994-09-19 1996-03-28 Terry Lee Mauney Plant growing system
US5469324A (en) 1994-10-07 1995-11-21 Storage Technology Corporation Integrated decoupling capacitive core for a printed circuit board and method of making same
US5508631A (en) 1994-10-27 1996-04-16 Mitel Corporation Semiconductor test chip with on wafer switching matrix
US5572398A (en) 1994-11-14 1996-11-05 Hewlett-Packard Co. Tri-polar electrostatic chuck
JPH08179008A (ja) 1994-12-22 1996-07-12 Advantest Corp テスト・ヘッド冷却装置
US5792562A (en) 1995-01-12 1998-08-11 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with polymeric impregnation and method of making
US5517111A (en) 1995-03-16 1996-05-14 Phase Metrics Automatic testing system for magnetoresistive heads
JP3368451B2 (ja) 1995-03-17 2003-01-20 富士通株式会社 回路基板の製造方法と回路検査装置
US5777485A (en) 1995-03-20 1998-07-07 Tokyo Electron Limited Probe method and apparatus with improved probe contact
US5835997A (en) 1995-03-28 1998-11-10 University Of South Florida Wafer shielding chamber for probe station
AU5540596A (en) 1995-04-03 1996-10-23 Gary H. Baker A flexible darkness adapting viewer
US5682337A (en) 1995-04-13 1997-10-28 Synopsys, Inc. High speed three-state sampling
US5561377A (en) 1995-04-14 1996-10-01 Cascade Microtech, Inc. System for evaluating probing networks
US6232789B1 (en) 1997-05-28 2001-05-15 Cascade Microtech, Inc. Probe holder for low current measurements
US5610529A (en) * 1995-04-28 1997-03-11 Cascade Microtech, Inc. Probe station having conductive coating added to thermal chuck insulator
DE19517330C2 (de) 1995-05-11 2002-06-13 Helmuth Heigl Handhabungsvorrichtung
US6104203A (en) * 1995-05-16 2000-08-15 Trio-Tech International Test apparatus for electronic components
US5804982A (en) 1995-05-26 1998-09-08 International Business Machines Corporation Miniature probe positioning actuator
US5646538A (en) 1995-06-13 1997-07-08 Measurement Systems, Inc. Method and apparatus for fastener hole inspection with a capacitive probe
SG55211A1 (en) 1995-07-05 1998-12-21 Tokyo Electron Ltd Testing apparatus
US5676360A (en) 1995-07-11 1997-10-14 Boucher; John N. Machine tool rotary table locking apparatus
US5762512A (en) * 1995-10-12 1998-06-09 Symbol Technologies, Inc. Latchable battery pack for battery-operated electronic device having controlled power shutdown and turn on
US5807107A (en) 1995-10-20 1998-09-15 Barrier Supply Dental infection control system
KR0176434B1 (ko) 1995-10-27 1999-04-15 이대원 진공 척 장치
US5731708A (en) 1995-10-31 1998-03-24 Hughes Aircraft Company Unpackaged semiconductor testing using an improved probe and precision X-Y table
US5712571A (en) 1995-11-03 1998-01-27 Analog Devices, Inc. Apparatus and method for detecting defects arising as a result of integrated circuit processing
US5892539A (en) 1995-11-08 1999-04-06 Alpha Innotech Corporation Portable emission microscope workstation for failure analysis
US5953477A (en) 1995-11-20 1999-09-14 Visionex, Inc. Method and apparatus for improved fiber optic light management
JP2970505B2 (ja) 1995-11-21 1999-11-02 日本電気株式会社 半導体デバイスの配線電流観測方法、検査方法および装置
US5910727A (en) 1995-11-30 1999-06-08 Tokyo Electron Limited Electrical inspecting apparatus with ventilation system
US5729150A (en) 1995-12-01 1998-03-17 Cascade Microtech, Inc. Low-current probe card with reduced triboelectric current generating cables
US5861743A (en) 1995-12-21 1999-01-19 Genrad, Inc. Hybrid scanner for use in an improved MDA tester
JP2900877B2 (ja) 1996-03-22 1999-06-02 日本電気株式会社 半導体デバイスの配線電流観測方法、配線系欠陥検査方法およびその装置
US5773951A (en) 1996-03-25 1998-06-30 Digital Test Corporation Wafer prober having sub-micron alignment accuracy
JP3457495B2 (ja) 1996-03-29 2003-10-20 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム焼結体、金属埋設品、電子機能材料および静電チャック
US5631571A (en) 1996-04-03 1997-05-20 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Infrared receiver wafer level probe testing
US5838161A (en) 1996-05-01 1998-11-17 Micron Technology, Inc. Semiconductor interconnect having test structures for evaluating electrical characteristics of the interconnect
DE19618717C1 (de) 1996-05-09 1998-01-15 Multitest Elektronische Syst Elektrische Verbindungseinrichtung
US6023209A (en) 1996-07-05 2000-02-08 Endgate Corporation Coplanar microwave circuit having suppression of undesired modes
US5879289A (en) 1996-07-15 1999-03-09 Universal Technologies International, Inc. Hand-held portable endoscopic camera
JP2962234B2 (ja) 1996-08-07 1999-10-12 日本電気株式会社 半導体デバイスの寄生MIM構造箇所解析法及びSi半導体デバイスの寄生MIM構造箇所解析法
US5847569A (en) 1996-08-08 1998-12-08 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Electrical contact probe for sampling high frequency electrical signals
JPH10116866A (ja) 1996-10-09 1998-05-06 Nikon Corp 半導体装置及び、この半導体装置とプローブカードとの位置決め方法
EP0837333A3 (de) 1996-10-18 1999-06-09 Tokyo Electron Limited Gerät zur Ausrichtung eines Wafers mit einem Prüfkontaktfeld
US5666063A (en) 1996-10-23 1997-09-09 Motorola, Inc. Method and apparatus for testing an integrated circuit
US5945836A (en) 1996-10-29 1999-08-31 Hewlett-Packard Company Loaded-board, guided-probe test fixture
US5883522A (en) 1996-11-07 1999-03-16 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for retaining a semiconductor wafer during testing
US5848500A (en) 1997-01-07 1998-12-15 Eastman Kodak Company Light-tight enclosure and joint connectors for enclosure framework
US5982166A (en) 1997-01-27 1999-11-09 Motorola, Inc. Method for measuring a characteristic of a semiconductor wafer using cylindrical control
JP3639887B2 (ja) 1997-01-30 2005-04-20 東京エレクトロン株式会社 検査方法及び検査装置
US6060891A (en) 1997-02-11 2000-05-09 Micron Technology, Inc. Probe card for semiconductor wafers and method and system for testing wafers
US5923177A (en) 1997-03-27 1999-07-13 Hewlett-Packard Company Portable wedge probe for perusing signals on the pins of an IC
US6043667A (en) 1997-04-17 2000-03-28 International Business Machines Corporation Substrate tester location clamping, sensing, and contacting method and apparatus
US6127831A (en) 1997-04-21 2000-10-03 Motorola, Inc. Method of testing a semiconductor device by automatically measuring probe tip parameters
JPH10303257A (ja) * 1997-04-22 1998-11-13 Izumi Seiki Kk プローブステーション
US6121783A (en) 1997-04-22 2000-09-19 Horner; Gregory S. Method and apparatus for establishing electrical contact between a wafer and a chuck
US6091236A (en) 1997-04-28 2000-07-18 Csi Technology, Inc. System and method for measuring and analyzing electrical signals on the shaft of a machine
US5883523A (en) 1997-04-29 1999-03-16 Credence Systems Corporation Coherent switching power for an analog circuit tester
US5942907A (en) 1997-05-07 1999-08-24 Industrial Technology Research Institute Method and apparatus for testing dies
US5963027A (en) 1997-06-06 1999-10-05 Cascade Microtech, Inc. Probe station having environment control chambers with orthogonally flexible lateral wall assembly
US6002263A (en) 1997-06-06 1999-12-14 Cascade Microtech, Inc. Probe station having inner and outer shielding
US6034533A (en) 1997-06-10 2000-03-07 Tervo; Paul A. Low-current pogo probe card
US6029141A (en) 1997-06-27 2000-02-22 Amazon.Com, Inc. Internet-based customer referral system
US6002426A (en) 1997-07-02 1999-12-14 Cerprobe Corporation Inverted alignment station and method for calibrating needles of probe card for probe testing of integrated circuits
JPH1131724A (ja) 1997-07-10 1999-02-02 Micronics Japan Co Ltd サーモチャック及び回路板検査装置
US6052653A (en) 1997-07-11 2000-04-18 Solid State Measurements, Inc. Spreading resistance profiling system
US5959461A (en) 1997-07-14 1999-09-28 Wentworth Laboratories, Inc. Probe station adapter for backside emission inspection
WO1999004273A1 (en) 1997-07-15 1999-01-28 Wentworth Laboratories, Inc. Probe station with multiple adjustable probe supports
US5998768A (en) 1997-08-07 1999-12-07 Massachusetts Institute Of Technology Active thermal control of surfaces by steering heating beam in response to sensed thermal radiation
US6292760B1 (en) 1997-08-11 2001-09-18 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus to measure non-coherent signals
US6573702B2 (en) 1997-09-12 2003-06-03 New Wave Research Method and apparatus for cleaning electronic test contacts
US5960411A (en) 1997-09-12 1999-09-28 Amazon.Com, Inc. Method and system for placing a purchase order via a communications network
US6013586A (en) 1997-10-09 2000-01-11 Dimension Polyant Sailcloth, Inc. Tent material product and method of making tent material product
JPH11125646A (ja) 1997-10-21 1999-05-11 Mitsubishi Electric Corp 垂直針型プローブカード、その製造方法およびその不良プローブ針の交換方法
US6049216A (en) 1997-10-27 2000-04-11 Industrial Technology Research Institute Contact type prober automatic alignment
US6048750A (en) 1997-11-24 2000-04-11 Micron Technology, Inc. Method for aligning and connecting semiconductor components to substrates
JPH11163066A (ja) 1997-11-29 1999-06-18 Tokyo Electron Ltd ウエハ試験装置
US6096567A (en) 1997-12-01 2000-08-01 Electroglas, Inc. Method and apparatus for direct probe sensing
US6078183A (en) 1998-03-03 2000-06-20 Sandia Corporation Thermally-induced voltage alteration for integrated circuit analysis
US6054869A (en) 1998-03-19 2000-04-25 H+W Test Products, Inc. Bi-level test fixture for testing printed circuit boards
US6161294A (en) * 1998-03-23 2000-12-19 Sloan Technologies, Incorporated Overhead scanning profiler
JPH11281675A (ja) 1998-03-31 1999-10-15 Hewlett Packard Japan Ltd 信号測定用プローブ
US6060888A (en) 1998-04-24 2000-05-09 Hewlett-Packard Company Error correction method for reflection measurements of reciprocal devices in vector network analyzers
US6091255A (en) 1998-05-08 2000-07-18 Advanced Micro Devices, Inc. System and method for tasking processing modules based upon temperature
US6111419A (en) 1998-05-19 2000-08-29 Motorola Inc. Method of processing a substrate including measuring for planarity and probing the substrate
US6256882B1 (en) 1998-07-14 2001-07-10 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
TW436634B (en) 1998-07-24 2001-05-28 Advantest Corp IC test apparatus
US6229322B1 (en) * 1998-08-21 2001-05-08 Micron Technology, Inc. Electronic device workpiece processing apparatus and method of communicating signals within an electronic device workpiece processing apparatus
US6744268B2 (en) 1998-08-27 2004-06-01 The Micromanipulator Company, Inc. High resolution analytical probe station
US6198299B1 (en) * 1998-08-27 2001-03-06 The Micromanipulator Company, Inc. High Resolution analytical probe station
US6124723A (en) 1998-08-31 2000-09-26 Wentworth Laboratories, Inc. Probe holder for low voltage, low current measurements in a water probe station
US6236975B1 (en) 1998-09-29 2001-05-22 Ignite Sales, Inc. System and method for profiling customers for targeted marketing
US6284971B1 (en) 1998-11-25 2001-09-04 Johns Hopkins University School Of Medicine Enhanced safety coaxial cables
US6608494B1 (en) 1998-12-04 2003-08-19 Advanced Micro Devices, Inc. Single point high resolution time resolved photoemission microscopy system and method
US6137303A (en) 1998-12-14 2000-10-24 Sony Corporation Integrated testing method and apparatus for semiconductor test operations processing
JP2000183120A (ja) 1998-12-17 2000-06-30 Mitsubishi Electric Corp プローバ装置及び半導体装置の電気的評価方法
JP2000180469A (ja) * 1998-12-18 2000-06-30 Fujitsu Ltd 半導体装置用コンタクタ及び半導体装置用コンタクタを用いた試験装置及び半導体装置用コンタクタを用いた試験方法及び半導体装置用コンタクタのクリーニング方法
US6236977B1 (en) 1999-01-04 2001-05-22 Realty One, Inc. Computer implemented marketing system
US6232787B1 (en) 1999-01-08 2001-05-15 Schlumberger Technologies, Inc. Microstructure defect detection
US6583638B2 (en) 1999-01-26 2003-06-24 Trio-Tech International Temperature-controlled semiconductor wafer chuck system
US6300775B1 (en) 1999-02-02 2001-10-09 Com Dev Limited Scattering parameter calibration system and method
US6147851A (en) 1999-02-05 2000-11-14 Anderson; Karl F. Method for guarding electrical regions having potential gradients
FR2790097B1 (fr) 1999-02-18 2001-04-27 St Microelectronics Sa Procede d'etalonnage d'une sonde de circuit integre rf
US6232790B1 (en) 1999-03-08 2001-05-15 Honeywell Inc. Method and apparatus for amplifying electrical test signals from a micromechanical device
US6710798B1 (en) 1999-03-09 2004-03-23 Applied Precision Llc Methods and apparatus for determining the relative positions of probe tips on a printed circuit board probe card
JP2000260852A (ja) 1999-03-11 2000-09-22 Tokyo Electron Ltd 検査ステージ及び検査装置
US6259261B1 (en) 1999-04-16 2001-07-10 Sony Corporation Method and apparatus for electrically testing semiconductor devices fabricated on a wafer
US6114865A (en) 1999-04-21 2000-09-05 Semiconductor Diagnostics, Inc. Device for electrically contacting a floating semiconductor wafer having an insulating film
US6310755B1 (en) * 1999-05-07 2001-10-30 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having gas cavity and method
US6211663B1 (en) 1999-05-28 2001-04-03 The Aerospace Corporation Baseband time-domain waveform measurement method
US6445202B1 (en) 1999-06-30 2002-09-03 Cascade Microtech, Inc. Probe station thermal chuck with shielding for capacitive current
US6320372B1 (en) 1999-07-09 2001-11-20 Electroglas, Inc. Apparatus and method for testing a substrate having a plurality of terminals
JP3388462B2 (ja) 1999-09-13 2003-03-24 日本電気株式会社 半導体チップ解析用プローバ及び半導体チップ解析装置
US6483327B1 (en) 1999-09-30 2002-11-19 Advanced Micro Devices, Inc. Quadrant avalanche photodiode time-resolved detection
US6245692B1 (en) 1999-11-23 2001-06-12 Agere Systems Guardian Corp. Method to selectively heat semiconductor wafers
US6724928B1 (en) 1999-12-02 2004-04-20 Advanced Micro Devices, Inc. Real-time photoemission detection system
US6633174B1 (en) 1999-12-14 2003-10-14 Kla-Tencor Stepper type test structures and methods for inspection of semiconductor integrated circuits
US6771806B1 (en) 1999-12-14 2004-08-03 Kla-Tencor Multi-pixel methods and apparatus for analysis of defect information from test structures on semiconductor devices
DE60043268D1 (de) 2000-02-25 2009-12-17 Hitachi Ltd Apparat für das aufspüren von fehlern in einer anordnung und verfahren zum aufspüren von fehlern
JP3389914B2 (ja) 2000-03-03 2003-03-24 日本電気株式会社 集積回路の電源電流値のサンプリング方法及び装置、及びその制御プログラムを記録した記憶媒体
US6488405B1 (en) 2000-03-08 2002-12-03 Advanced Micro Devices, Inc. Flip chip defect analysis using liquid crystal
US7037797B1 (en) 2000-03-17 2006-05-02 Mattson Technology, Inc. Localized heating and cooling of substrates
US6313567B1 (en) * 2000-04-10 2001-11-06 Motorola, Inc. Lithography chuck having piezoelectric elements, and method
US6650135B1 (en) * 2000-06-29 2003-11-18 Motorola, Inc. Measurement chuck having piezoelectric elements and method
US6483336B1 (en) 2000-05-03 2002-11-19 Cascade Microtech, Inc. Indexing rotatable chuck for a probe station
US6396296B1 (en) 2000-05-15 2002-05-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for electrical characterization of an integrated circuit package using a vertical probe station
US6549022B1 (en) 2000-06-02 2003-04-15 Sandia Corporation Apparatus and method for analyzing functional failures in integrated circuits
US6657214B1 (en) * 2000-06-16 2003-12-02 Emc Test Systems, L.P. Shielded enclosure for testing wireless communication devices
US6424141B1 (en) 2000-07-13 2002-07-23 The Micromanipulator Company, Inc. Wafer probe station
US6700397B2 (en) 2000-07-13 2004-03-02 The Micromanipulator Company, Inc. Triaxial probe assembly
US6515494B1 (en) * 2000-07-17 2003-02-04 Infrared Laboratories, Inc. Silicon wafer probe station using back-side imaging
US6965226B2 (en) * 2000-09-05 2005-11-15 Cascade Microtech, Inc. Chuck for holding a device under test
US6914423B2 (en) 2000-09-05 2005-07-05 Cascade Microtech, Inc. Probe station
GB0021975D0 (en) * 2000-09-07 2000-10-25 Optomed As Filter optic probes
US6920407B2 (en) 2000-09-18 2005-07-19 Agilent Technologies, Inc. Method and apparatus for calibrating a multiport test system for measurement of a DUT
US6927079B1 (en) 2000-12-06 2005-08-09 Lsi Logic Corporation Method for probing a semiconductor wafer
US6605951B1 (en) 2000-12-11 2003-08-12 Lsi Logic Corporation Interconnector and method of connecting probes to a die for functional analysis
US7005842B2 (en) * 2000-12-22 2006-02-28 Tokyo Electron Limited Probe cartridge assembly and multi-probe assembly
US6791344B2 (en) 2000-12-28 2004-09-14 International Business Machines Corporation System for and method of testing a microelectronic device using a dual probe technique
US7006046B2 (en) * 2001-02-15 2006-02-28 Integral Technologies, Inc. Low cost electronic probe devices manufactured from conductive loaded resin-based materials
JP4029603B2 (ja) 2001-05-31 2008-01-09 豊田合成株式会社 ウェザストリップ
JP4610798B2 (ja) 2001-06-19 2011-01-12 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 レーザ欠陥検出機能を備えた走査型電子顕微鏡とそのオートフォーカス方法
US6851096B2 (en) 2001-08-22 2005-02-01 Solid State Measurements, Inc. Method and apparatus for testing semiconductor wafers
US6643597B1 (en) 2001-08-24 2003-11-04 Agilent Technologies, Inc. Calibrating a test system using unknown standards
WO2003020467A1 (en) 2001-08-31 2003-03-13 Cascade Microtech, Inc. Optical testing device
US6549106B2 (en) 2001-09-06 2003-04-15 Cascade Microtech, Inc. Waveguide with adjustable backshort
US6636063B2 (en) 2001-10-02 2003-10-21 Texas Instruments Incorporated Probe card with contact apparatus and method of manufacture
US6624891B2 (en) 2001-10-12 2003-09-23 Eastman Kodak Company Interferometric-based external measurement system and method
JP2003130919A (ja) 2001-10-25 2003-05-08 Agilent Technologies Japan Ltd コネクションボックス及びdutボード評価システム及びその評価方法
US7071714B2 (en) * 2001-11-02 2006-07-04 Formfactor, Inc. Method and system for compensating for thermally induced motion of probe cards
US6777964B2 (en) 2002-01-25 2004-08-17 Cascade Microtech, Inc. Probe station
US6617862B1 (en) 2002-02-27 2003-09-09 Advanced Micro Devices, Inc. Laser intrusive technique for locating specific integrated circuit current paths
US6701265B2 (en) 2002-03-05 2004-03-02 Tektronix, Inc. Calibration for vector network analyzer
US6806697B2 (en) * 2002-04-05 2004-10-19 Agilent Technologies, Inc. Apparatus and method for canceling DC errors and noise generated by ground shield current in a probe
US6856129B2 (en) 2002-07-09 2005-02-15 Intel Corporation Current probe device having an integrated amplifier
US6788093B2 (en) 2002-08-07 2004-09-07 International Business Machines Corporation Methodology and apparatus using real-time optical signal for wafer-level device dielectrical reliability studies
JP4043339B2 (ja) * 2002-10-22 2008-02-06 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社 試験方法および試験装置
US6847219B1 (en) 2002-11-08 2005-01-25 Cascade Microtech, Inc. Probe station with low noise characteristics
US6724205B1 (en) 2002-11-13 2004-04-20 Cascade Microtech, Inc. Probe for combined signals
US6853198B2 (en) 2002-11-14 2005-02-08 Agilent Technologies, Inc. Method and apparatus for performing multiport through-reflect-line calibration and measurement
US7250779B2 (en) 2002-11-25 2007-07-31 Cascade Microtech, Inc. Probe station with low inductance path
US20040100276A1 (en) 2002-11-25 2004-05-27 Myron Fanton Method and apparatus for calibration of a vector network analyzer
US6861856B2 (en) 2002-12-13 2005-03-01 Cascade Microtech, Inc. Guarded tub enclosure
US7107170B2 (en) 2003-02-18 2006-09-12 Agilent Technologies, Inc. Multiport network analyzer calibration employing reciprocity of a device
US6838885B2 (en) 2003-03-05 2005-01-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method of correcting measurement error and electronic component characteristic measurement apparatus
US6823276B2 (en) 2003-04-04 2004-11-23 Agilent Technologies, Inc. System and method for determining measurement errors of a testing device
US7002133B2 (en) * 2003-04-11 2006-02-21 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Detecting one or more photons from their interactions with probe photons in a matter system
US7221172B2 (en) * 2003-05-06 2007-05-22 Cascade Microtech, Inc. Switched suspended conductor and connection
US6882160B2 (en) 2003-06-12 2005-04-19 Anritsu Company Methods and computer program products for full N-port vector network analyzer calibrations
KR100523139B1 (ko) * 2003-06-23 2005-10-20 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼 테스트시 사용되는 프로빙 패드의 수를 감소시키기위한 반도체 장치 및 그의 테스팅 방법
US7187188B2 (en) * 2003-12-24 2007-03-06 Cascade Microtech, Inc. Chuck with integrated wafer support
US7001785B1 (en) * 2004-12-06 2006-02-21 Veeco Instruments, Inc. Capacitance probe for thin dielectric film characterization
US7005879B1 (en) * 2005-03-01 2006-02-28 International Business Machines Corporation Device for probe card power bus noise reduction

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