DE10061299A1 - Vorrichtung zur Feststellung und/oder Weiterleitung zumindest eines Umwelteinflusses, Herstellungsverfahren und Verwendung dazu - Google Patents

Vorrichtung zur Feststellung und/oder Weiterleitung zumindest eines Umwelteinflusses, Herstellungsverfahren und Verwendung dazu

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Feststellung und/oder Weiterleitung zumindest eines Umwelteinflusses sowie ein Herstellungsverfahren dazu. Die Vorrichtung umfasst zumindest ein Empfängerelement und eine Auswerteschaltung, die im Wesentlichen aus organischem Funktionsmaterial aufgebaut sind.

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Feststellung und/oder Weiterleitung zumindest eines Umwelteinflusses, Ver­ wendungen sowie ein Herstellungsverfahren dazu.
Eine Photodiode, eine Lichtschranke, eine Solarzelle, ein Feuchtigkeits-, Druck- und/oder Temperatursensor ist bei­ spielsweise eine Vorrichtung zur Feststellung und/oder Wei­ terleitung zumindest eines Umwelteinflusses, die zumindest ein empfangendes Element, das einen Umwelteinfluss aufnimmt und eine Auswerteschaltung, die ein Signal vom Empfängerele­ ment übernimmt, auswertet, eventuell verstärkt und weiterlei­ tet, umfasst.
Bekannt sind solche Vorrichtungen auf der Basis von herkömm­ lichen anorganischen Halbleitermaterialien wie Silizium und Galliumarsenid. Diese Vorrichtungen, wie z. B. Sensoren, wer­ den in Herstellungsprozessen der konventionellen Halbleiter­ technologie hergestellt. Sowohl die verwendeten Rohstoffe als auch die Prozessschritte führen dazu, dass die Vorrichtungen teuer sind und entsprechend nur sehr selektiv eingesetzt wer­ den.
Da aber eine umfassende Sensorik für nahezu alle Bereiche der Industrie, der Energie, des Transports und des Lebens im all­ gemeinen Vorteile bringt, weil sie eine verbesserte Erfassung der momentan herrschenden Umstände und/oder eine verbesserte Energienutzung ermöglicht, besteht der Bedarf, billigere Vor­ richtungen der genannten Art zu schaffen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, eine Vor­ richtung zur Feststellung und/oder Weiterleitung zumindest eines Umwelteinflusses zur Verfügung zu stellen, die von der Leistung her vergleichbar mit den herkömmlichen Vorrichtungen aus der Halbleitertechnologie und/oder im Vergleich zu diesen billiger ist.
Um diese Aufgabe zu lösen gibt es prinzipiell zwei Ansatz­ punkte: Zum einen kann zumindest ein billigerer Rohstoff zur Herstellung verwendet werden und zum anderen kann das aufwen­ dige Herstellungsverfahren der Halbleitertechnologie über Be­ schichtung, Strukturierung, Ätzung und Rückätzung etc. ver­ einfacht werden.
Beide Ansatzpunkte werden beim Gegenstand der Erfindung be­ rücksichtigt, der die neue organische Halbleitertechnologie (integrated plastic circuits (IPC) und/oder organic field ef­ fect transistors (OFET)) in diesem Gebiet einführt.
Gegenstand der Erfindung ist eine Vorrichtung zur Feststel­ lung und/oder Weiterleitung zumindest eines Umwelteinflusses, die im wesentlichen aus organischem Material aufgebaut ist und die zumindest ein Empfängerelement, das zumindest einen Umwelteinfluss aufnimmt und/oder in ein elektrisches Signal wandelt und zumindest eine Auswerteschaltung, die ein empfan­ genes Signal bearbeitet und weiterleitet, umfasst. Außerdem ist Gegenstand der Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung zur Feststellung und/oder Weiterleitung zu­ mindest eines Umwelteinflusses, bei dem durch Beschichten mit organischem Material auf zumindest einem Substrat zumindest ein Empfängerelement, eine Auswerteschaltung und/oder eine dazugehörige Verschaltung aufgebaut wird. Schließlich ist Ge­ genstand der Erfindung die Verwendung einer Vorrichtung zur Feststellung und/oder Weiterleitung zumindest eines Umwelt­ einflusses in der Industrie, der Überwachung/Sensorik und/oder im Transport.
Als Umwelteinfluss wird hier jeder quantifizierbare und in einen Strom und/oder eine Spannung wandelbare Impuls der Umgebung bezeichnet. Beispiel dafür ist aus der Natur ein Son­ nenstrahl, eine Luftdruckveränderung oder im Industriellen Bereich ein Anstieg der Konzentration eines bestimmten Gases, eine Temperatur- und/oder eine Feuchtigkeitsveränderung. All diese Einflüsse können über entsprechend sensitive chemische Verbindungen (die im Empfängerelement vorliegen) dazu führen, dass ein leitender Stoff nicht oder wesentlich weniger lei­ tend wird und/oder dass in einem Stoff Spannung oder Strom erzeugt wird und/oder dass der elektrische Widerstand in ei­ nem Stoff verändert wird. Diese Auswirkungen sind messbar und über eine Auswerteschaltung in definierte Signale wandelbar oder zur Energiegewinnung speicherbar.
Auch ist ein Tast- bzw. Drucksensor denkbar, bei dem ein elektrisches Signal durch Druck, z. B. wie bei einer Tastatur, erzeugt wird.
Besonders vorteilhaft ist die Ausführungsform der Vorrichtung zur Feststellung und/oder Weiterleitung zumindest eines Um­ welteinflusses bei der das Empfängerelement und ein Element der Auswerteschaltung integriert auf einem Substrat vorlie­ gen. Dadurch entstehen sehr kompakte Vorrichtungen, die eine große Volumeneinsparung gegenüber den herkömmlichen Vorrich­ tungen der Silizium-dominierten Halbleitertechnologie zeigen. Dabei ist es möglich, dass die Si-Sensoren kleiner als die neuen Vorrichtungen sind, wichtiger ist an der Stelle vor­ nehmlich die einfache Aufbringung z. B. auf flexible Substrate und/oder auf Substrate (Gehäuse, Verpackung) die sowieso schon da sind. Damit werden auch völlig neue Verwendungen der Vorrichtungen eröffnet, weil die Vorrichtungen gemäß dieser Ausführungsform dank ihrer Billigkeit als Einmal-Produkte einsetzbar sind und dank ihres geringen Volumens z. B. als Etiketten etc. brauchbar sind. Denkbar ist dadurch z. B. eine Arzneimittelverpackung, die über eine entsprechende Vorrich­ tung verfügend, Auskunft geben kann wie lange das Präparat bei welchen Temperaturen gelagert wurde.
Je nach Ausführungsform der Vorrichtung ist sie ein Tempera­ tur-, Feuchtigkeits-, und/oder ein Drucksensor, eine Licht­ schranke, ein optischer Sensor, eine Solarzelle und/oder et­ was Vergleichbares.
Nach einer vorteilhaften Ausführungsform kann die Vorrichtung parallel mehrere Umwelteinflüsse empfangen, bearbeiten und weiterleiten (senden). Dabei kann z. B. die Temperatur, der Druck und die Zusammensetzung eines Gas- und/oder Flüssig­ keitsgemisches erkannt, zusammen mit der Zeitdauer gespei­ chert und/oder an ein Regel- und Steuersystem weitergegeben werden. Es kann ein bestimmter Schwellenwert an Temperatur, Feuchtigkeit, Druck, Lichtstärke gemessen und dargestellt werden. Dieser Vorgang kann entweder reversibel sein und den aktuellen Wert erfassen oder irreversibel, beispielsweise zur Klärung ob ein Tiefkühlgut kurzfristig einmal aufgetaut ist oder ein Paket/Medikament einmal einer hohen Temperatur oder Feuchtigkeit ausgesetzt war. Alle bisher bekannten Einsatzge­ biete von Vorrichtungen zur Feststellung und/oder Weiterlei­ tung zumindest eines Umwelteinflusses lassen sich durch die neue, vorwiegend auf organischen Materialien basierende Halb­ leitertechnologie, verwirklichen. Gleichzeitig ist die Aus­ wahl an sensitiven chemischen Verbindungen, die im Empfänger­ element eingesetzt werden können unbegrenzt und spezifisch auf das jeweilige Problem abstimmbar und/oder für die jewei­ lige Aufgabenstellung entwickelbar.
Der Begriff "organisches Material/Funktionsmaterial" umfasst hier alle Arten von organischen, metallorganischen und/oder anorganischen Kunststoffen, die im Englischen z. B. mit "plastics" bezeichnet werden. Es handelt sich um alle Arten von Stoffen mit Ausnahme der Halbleiter, die die klassischen Dioden bilden (Germanium, Silizium), und der typischen metal­ lischen Leiter (z. B. Kupfer, Aluminium), die vorliegend nur im Rahmen von Elektroden und/oder Kontaktanschlüssen einge­ setzt werden. Eine Beschränkung im dogmatischen Sinn auf or­ ganisches Material als Kohlenstoff-enthaltendes Material ist demnach nicht vorgesehen, vielmehr ist auch an den breiten Einsatz von z. B. Siliconen gedacht. Weiterhin soll der Term keiner Beschränkung im Hinblick auf die Molekülgröße, insbe­ sondere auf polymere und/oder oligomere Materialien unterlie­ gen, sondern es ist durchaus auch der Einsatz von "small mo­ lecules" möglich.
Mit dem Ausdruck "im wesentlichen aus organischem Material" wird angezeigt, dass durchaus funktionelle Elemente auch aus Metall, Silizium oder anderem beschaffen sein können.
Besonders vorteilhaft ist die Ausführungsform, bei der zumin­ dest ein organisches funktionelles Material wie z. B. der or­ ganische Leiter, der organische Isolator und/oder der organi­ sche Halbleiter in zumindest einem Empfängerelement und in zumindest einem Element der Auswerteschaltung der Vorrichtung gleich sind. Diese Ausführungsform zeichnet sich durch beson­ ders vorteilhafte Herstellungskosten aus, wenn ein organi­ sches Material z. B. durch Drucken oder Rakeln an mehreren Stellen des Substrats in einem Arbeitsgang aufgebracht wird.
Für den Fall, dass als Umwelteinfluss die Temperaturänderung empfangen wird, kann z. B. die Leiterbahn des Empfängerele­ ments aus organischem Material wie Polyanilin und/oder einem organischen Leiter sein, der ab einer bestimmten Temperatur seinen Widerstand derart verändert, dass er ein Isolator oder nahezu ein Isolator wird. Dies kann ein reversibler oder ein irreversibler Prozess innerhalb des Materials sein. Jeden­ falls wird das Empfängerelement für diese Vorrichtung mit ei­ nem organischen Leiter ausgestattet, in dem bei Änderung der Temperatur entweder durch Ladungstrennung Spannung oder Strom erzeugt wird oder eine sprunghafte Veränderung des Wider­ stands eintritt. So wird das Empfängerelement nicht nur in die Lage versetzt den Umwelteinfluss "Temperaturänderung" aufzunehmen und zu messen, sondern auch ein Signal an die Auswerteschaltung weiterzugeben. Beispiele für ein solches Material sind PTC (positive temperature coefficient) thermisch sensitive Widerstände, die aus dotiertem polycrystalli­ nen keramischem Werkstoff auf der Basis von Barium Titanat herstellbar sind.
Für den Fall, dass die Zusammensetzung eines Gasgemisches wie z. B. die Luftfeuchtigkeit gemessen werden soll, kann ein or­ ganisches leitendes Material eingesetzt werden, bei dem je nach Konzentration des zu messenden Stoffes, z. B. Wasser in Luft, in der Leiterbahn ein Strom erzeugt wird oder eine Än­ derung des Widerstands erfolgt (beispielsweise über eine Än­ derung des Löslichkeitsverhaltens vgl. PEDOT). Hier kann es sich, je nach Material, wieder um eine reversible oder um ei­ ne irreversible Änderung des Widerstands handeln.
Für den Fall, dass der Druck gemessen werden soll sind orga­ nische piezoelektrische Kunststoffe bekannt, die eine Span­ nung erzeugen, wenn sie gedehnt oder gestaucht werden.
Für Lichtsensoren gibt es ebenfalls Beispiele, wo die organi­ schen funktionellen Materialien einer Diode so gewählt wer­ den, dass sie unter Lichteinwirkung Spannung erzeugen und/oder ihre physikalischen Eigenschaften reversibel oder irreversibel ändern.
Nach einer vorteilhaften Ausführungsform verstärkt die Vor­ richtung aufgenommene Umwelteinflüsse oder -signale und gibt sie entweder linear (analog) oder digital weiter.
Nach einer vorteilhaften Ausführungsform des Verfahrens wird zumindest eine Schicht aus organischem Funktionsmaterial auf dem Substrat durch Bedrucken (z. B. Tampondruck, Offset-Druck) oder Rakeln, d. h. durch strukturiertes Aufbringen auf einer unteren Schicht oder dem Substrat oder durch Einrakeln/Ein­ füllen in Vertiefungen erzeugt. Dabei ist es besonders vor­ teilhaft, dass strukturierte Schichten einfach durch Bedru­ cken/Rakeln erzeugbar sind und nicht, wie in der herkömmlichen Halbleitertechnologie, durch Photomasken und Ätzschritte hergestellt werden müssen.
Die bevorzugte Verwendung einer Vorrichtung zur Feststellung und/oder Weiterleitung zumindest eines Umwelteinflusses ist in der Industrie, der Überwachung/Sensorik und/oder im Trans­ port. In der Medizintechnik sind sie als Einmal-Sensoren von Interesse.
Beispielsweise dient die Vorrichtung als Etikett oder Teil eines Etiketts um transparent zu machen, welchen Umweltein­ flüssen der etikettierte Gegenstand ausgesetzt war. Außerdem kann sie als RFID-Tag, als Briefmarke, auf einer Transport­ verpackung, in einem Pharmazieprodukt, einem Tiefkühlprodukt, an feuchteempfindlichen Teilen, als Teil einer Photozelle, und im Spielzeug sinnvoll angebracht sein. Nicht zuletzt kann die Vorrichtung als Temperatursensor (kann umgekehrt auch ei­ ne Miniheizung sein, die sich durch die Elektronik regeln lässt), als Drucksensor (kann umgekehrt auch Minilautsprecher sein), als Gassensor, und/oder als Sicherheitselement (War­ nung vor CO-Vergiftung) dienen.
Im folgenden wird die Erfindung noch anhand von 4 Figuren, die Ausführungsformen der Erfindung zeigen, näher erläutert.
Fig. 1 zeigt ein Blockschaltbild der Vorrichtung zur Fest­ stellung und/oder Weiterleitung zumindest eines Umweltein­ flusses 1. Zumindest ein Umwelteinfluss 4 bewirkt im Empfän­ gerelement oder Sensor 2 eine Änderung eines Widerstands und/oder eine Erzeugung von Spannung, die einen Stromfluss zu einem Element 3 der Auswerteschaltung entweder verändert und/oder initiiert. Das Element 3 der Auswerteschaltung ist an eine Versorgungsspannung 5 und eine Masse 6 angeschlossen. Die Auswerteschaltung verfügt über eine Auswerteelektronik auf der Basis von organischen Feld-Effekt-Transistoren, mit deren Hilfe das empfangene Signal entweder digital oder ana­ log zu Signalausgang 7 weitergeleitet wird.
Fig. 2 zeigt einen Querschnitt durch eine Vorrichtung zur Feststellung und/oder Weiterleitung zumindest eines Umwelt­ einflusses 1. Zu erkennen ist ganz links auf dem Substrat o­ der Träger 9, der z. B. flexibel also eine Folie sein kann, die Verkapselung 8, die je nach Umwelteinfluss, verschieden, also z. B. transparent oder unter Aussparung des Empfängerele­ ments 2 (z. B. wenn der Druck oder die Gaszusammensetzung ge­ messen werden soll) aufgebracht sein kann. Unter der Verkap­ selung 8 befindet sich im gezeigten Fall das Empfängerelement 2, auf das durch die Verkapselung 8 hindurch der Umweltein­ fluss 4, z. B. Licht, Wärme und/oder Feuchtigkeit (je nach Art der Verkapselung. etc. einwirkt. Je nachdem, welcher Umwelt­ einfluss empfangen werden soll, ist die Verkapselung dafür durchlässig oder an der empfangenden Stelle offen.
Unter der Verkapselung 8 befindet sich auch das Element 3, das die organische Auswerteelektronik umfasst. Außerhalb der Verkapselung 8 sind das Ausgangssignal und/oder die An­ schlusskontakte 7. Je nach Sensortyp kann das eigentliche Sensorelement sich auch außerhalb einer Verkapselung befin­ den, z. B. Feuchtesensor.
Fig. 3 zeigt den einfachsten prinzipiellen Aufbau eines Emp­ fängerelements 2, das einen Umwelteinfluss, z. B. Licht emp­ fangen kann. Zu erkennen ist das Gerät zur Messung der Photo­ spannung oder des Photostromes 10, das über eine erste Zulei­ tung 11 mit einem ersten organischen Leitermaterial 12 ver­ bunden ist. Auf dieses erste organische Leitermaterial 12 trifft das Licht 4 auf und erzeugt z. B. durch Ladungstrennung in dem Material Strom oder Spannung. Dieser Strom geht durch das organische halbleitende Material 13 und fließt zum zwei­ ten Leitermaterial 14, das wiederum über die zweite Zuleitung 15 mit dem Gerät zur Messung der Photospannung oder des Pho­ tostroms verbunden ist.
In Fig. 4 ist ein prinzipieller Aufbau eines einfachen orga­ nischen Feld-Effekt-Transistors, wie er als Auswerteelektro­ nik eingesetzt werden kann, gezeigt. Auf einem Substrat 9 sind im Abstand voneinander zwei Elektroden, die Source 5 und die Drain Elektrode D aufgebracht, die durch eine Schicht mit halbleitendem organischem Material 13 verbunden sind. Die Drain Elektrode D ist an die Versorgungsspannung 5 und die Source Elektrode S an die Masse 6 angeschlossen. Die obere Gate Elektrode G ist an die Zuleitung vom Empfängerelement 2 angeschlossen. Sobald über das Empfängerelement 2 Strom zur Gate Elektrode G fließt, wird durch den entstehenden Feld- Effekt, der durch die Isolatorschicht 17 durch wirkt ein leitfähiger Kanal 16 in der halbleitenden Schicht zwischen der Source und der Drain Elektrode erzeugt.

Claims (17)

1. Vorrichtung zur Feststellung und/oder Weiterleitung zumin­ dest eines Umwelteinflusses, die im wesentlichen aus organi­ schem Material aufgebaut ist und die zumindest ein Empfänger­ element, das zumindest einen Umwelteinfluss aufnimmt und/oder in ein elektrisches Signal wandelt und zumindest eine Auswer­ teschaltung, die ein empfangenes Signal bearbeitet und wei­ terleitet, umfasst.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der zumindest das Empfän­ gerelement und die Auswerteschaltung auf einem Träger oder Substrat angeordnet sind.
3. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, die mehrere Umwelteinflüsse parallel und/oder hintereinander empfängt, verarbeitet und weiterleitet.
4. Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, die die empfangenen Umweltsignale digital oder analog weiterleitet.
5. Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei der das Substrat eine flexible Folie ist.
6. Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei der zumindest ein organisches Funktionsmaterial in zumindest ei­ nem Empfängerelement und in zumindest einem Element der Aus­ werteschaltung gleich ist.
7. Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung zur Feststel­ lung und/oder Weiterleitung zumindest eines Umwelteinflusses, bei dem durch Beschichten mit organischem Material auf zumin­ dest einem Substrat zumindest ein Empfängerelement, eine Aus­ werteschaltung und/oder eine dazugehörige Verschaltung aufge­ baut wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem die Beschichtung zumin­ dest teilweise durch Bedrucken und/oder Rakeln erfolgt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 oder 8, bei dem die Beschichtung in einem kontinuierlichen Prozess erfolgt.
10. Verwendung einer Vorrichtung zur Feststellung und/oder Weiterleitung zumindest eines Umwelteinflusses in der Indust­ rie, der Überwachung/Sensorik, der Medizintechnik und/oder im Transport.
11. Temperatursensor, der im wesentlichen aus organischem Ma­ terial aufgebaut ist und der zumindest ein Empfängerelement, das zumindest eine Temperaturänderung misst und/oder in ein elektrisches Signal wandelt und zumindest eine Auswerteschal­ tung, die ein empfangenes Signal bearbeitet und weiterleitet, umfasst.
12. Heizung, die im wesentlichen aus organischem Material aufgebaut ist und die zumindest eine Schaltung, die ein emp­ fangenes Signal/Information auswertet und ein erwärmbares Element entsprechend dem empfangenen Signal regelt, umfasst.
13. Heizung nach Anspruch 12, bei der das erwärmbare Element ein reversibel erwärmbares Element ist.
14. Drucksensor, der im wesentlichen aus organischem Material aufgebaut ist und der zumindest ein Empfängerelement, das zu­ mindest eine Druckänderung misst und/oder in ein elektrisches Signal wandelt und zumindest eine Auswerteschaltung, die ein empfangenes Signal bearbeitet und weiterleitet, umfasst.
15. Lautsprecher, der im wesentlichen aus organischem Materi­ al aufgebaut ist und der zumindest eine Schaltung, die ein empfangenes Signal/Information auswertet und ein druckvermit­ telndes Element entsprechend dem empfangenen Signal regelt, umfasst.
16. Sensor, der im wesentlichen aus organischem Material auf­ gebaut ist und der zumindest ein Empfängerelement, das zumin­ dest die Konzentration und/oder den Aggregatszustand eines Stoffes in der Umgebung analysiert und/oder in ein elektri­ sches Signal wandelt und zumindest eine Auswerteschaltung, die ein empfangenes Signal bearbeitet und weiterleitet, um­ fasst.
17. Sicherheitselement, das im wesentlichen aus organischem Material aufgebaut ist und das zumindest ein Empfängerele­ ment, das zumindest die Konzentration und/oder den Aggregats­ zustand eines Stoffes in der Umgebung analysiert und/oder in ein elektrisches Signal wandelt, zumindest eine Auswerte­ schaltung, die ein empfangenes Signal bearbeitet und weiter­ leitet und ein Steuer- und Regelsystem umfasst.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004005248A1 (de) * 2004-01-28 2005-09-15 Infineon Technologies Ag Temperatursensorvorrichtung und Verwendung einer Temperatursensorvorrichtung
DE102006050106A1 (de) * 2006-10-24 2007-09-20 Siemens Ag Temperatursensor und Verfahren zur Temperaturüberwachung
WO2009086575A1 (de) * 2008-01-09 2009-07-16 Nanoident Technologies Ag Erfassungsvorrichtung für vitalzeichen

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10043204A1 (de) * 2000-09-01 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Feld-Effekt-Transistor, Verfahren zur Strukturierung eines OFETs und integrierte Schaltung
US7339476B2 (en) * 2004-11-10 2008-03-04 Rockwell Automation Technologies, Inc. Systems and methods that integrate radio frequency identification (RFID) technology with industrial controllers
US7551081B2 (en) * 2004-11-10 2009-06-23 Rockwell Automation Technologies, Inc. Systems and methods that integrate radio frequency identification (RFID) technology with agent-based control systems
PL1866845T3 (pl) * 2004-12-10 2013-08-30 Nxp Bv Nośnik danych z układem scalonym oraz wieloma czujnikami
US7461972B2 (en) * 2005-02-08 2008-12-09 Altivera L.L.C. One point calibration integrated temperature sensor for wireless radio frequency applications
DE102005031448A1 (de) 2005-07-04 2007-01-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Aktivierbare optische Schicht
EP1910982A1 (de) * 2005-07-19 2008-04-16 Martin Streeb Abstimmechanismus mit rfid und sensoren
US7616117B2 (en) * 2005-07-19 2009-11-10 Rockwell Automation Technologies, Inc. Reconciliation mechanism using RFID and sensors
US7388491B2 (en) 2005-07-20 2008-06-17 Rockwell Automation Technologies, Inc. Mobile RFID reader with integrated location awareness for material tracking and management
US7764191B2 (en) * 2005-07-26 2010-07-27 Rockwell Automation Technologies, Inc. RFID tag data affecting automation controller with internal database
US8260948B2 (en) 2005-08-10 2012-09-04 Rockwell Automation Technologies, Inc. Enhanced controller utilizing RFID technology
US20070052540A1 (en) * 2005-09-06 2007-03-08 Rockwell Automation Technologies, Inc. Sensor fusion for RFID accuracy
US7510110B2 (en) 2005-09-08 2009-03-31 Rockwell Automation Technologies, Inc. RFID architecture in an industrial controller environment
US7931197B2 (en) 2005-09-20 2011-04-26 Rockwell Automation Technologies, Inc. RFID-based product manufacturing and lifecycle management
US7446662B1 (en) 2005-09-26 2008-11-04 Rockwell Automation Technologies, Inc. Intelligent RFID tag for magnetic field mapping
US8025227B2 (en) 2005-09-30 2011-09-27 Rockwell Automation Technologies, Inc. Access to distributed databases via pointer stored in RFID tag
FR2893743B1 (fr) * 2005-11-10 2010-10-29 Smart Packaging Solutions Sps Procede et dispositif de detection d'incendie en foret
WO2008069753A1 (en) * 2006-12-08 2008-06-12 Sensible Solutions Sweden Ab Sensor arrangement using rfid units
DE102007028467A1 (de) * 2007-06-18 2008-12-24 Polyic Gmbh & Co. Kg Messvorrichtung mit RFID-Transponder und Sensor
US8228492B2 (en) * 2008-08-25 2012-07-24 Regina Reimer Solar-powered light intensity measurement device
US20130200268A1 (en) * 2011-09-28 2013-08-08 Mc10, Inc. Electronics for detection of a property of a surface
KR20140107430A (ko) 2011-12-23 2014-09-04 사노피-아벤티스 도이칠란트 게엠베하 약제 포장용기용 센서 장치
EP2889596B1 (de) 2013-12-24 2020-07-22 Honeywell Romania S.R.L. Dynamischer Belastungssensor und Verfahren
US10101218B2 (en) * 2014-06-18 2018-10-16 Kidde Technologies, Inc. Thermal sensor

Family Cites Families (122)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3512052A (en) * 1968-01-11 1970-05-12 Gen Motors Corp Metal-insulator-semiconductor voltage variable capacitor with controlled resistivity dielectric
US3769096A (en) * 1971-03-12 1973-10-30 Bell Telephone Labor Inc Pyroelectric devices
JPS543594B2 (de) * 1973-10-12 1979-02-24
DE2407110C3 (de) * 1974-02-14 1981-04-23 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Sensor zum Nachweis einer in einem Gas oder einer Flüssigkeit einthaltenen Substanz
US4183006A (en) * 1976-06-11 1980-01-08 Matsushita Electric Industrial Company, Limited Organic heat-sensitive semiconductive materials
JPS54101176A (en) * 1978-01-26 1979-08-09 Shinetsu Polymer Co Contact member for push switch
US4442019A (en) * 1978-05-26 1984-04-10 Marks Alvin M Electroordered dipole suspension
US4340657A (en) 1980-02-19 1982-07-20 Polychrome Corporation Novel radiation-sensitive articles
JPS5712332A (en) * 1980-06-27 1982-01-22 Ishizuka Denshi Kk Temperature sensor
EP0108650A3 (de) 1982-11-09 1986-02-12 Zytrex Corporation Programmierbarer MOS-Transistor
DE3768112D1 (de) * 1986-03-03 1991-04-04 Toshiba Kawasaki Kk Strahlungsdetektor.
EP0268370B1 (de) 1986-10-13 1995-06-28 Canon Kabushiki Kaisha Schaltungselement
GB2215307B (en) * 1988-03-04 1991-10-09 Unisys Corp Electronic component transportation container
EP0350179B1 (de) 1988-06-21 1994-01-19 Gec Avery Limited Herstellung von tragbaren elektronischen Karten
US5364735A (en) 1988-07-01 1994-11-15 Sony Corporation Multiple layer optical record medium with protective layers and method for producing same
US4937119A (en) 1988-12-15 1990-06-26 Hoechst Celanese Corp. Textured organic optical data storage media and methods of preparation
US5892244A (en) * 1989-01-10 1999-04-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Field effect transistor including πconjugate polymer and liquid crystal display including the field effect transistor
US4951028A (en) * 1989-03-03 1990-08-21 Massachusetts Institute Of Technology Positive temperature coefficient resistor
US6331356B1 (en) * 1989-05-26 2001-12-18 International Business Machines Corporation Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts
US5140302A (en) * 1989-06-08 1992-08-18 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Vehicle driving condition detecting apparatus
EP0418504B1 (de) 1989-07-25 1995-04-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Speicherbauelement aus organischem Halbleiter mit einer MISFET-Struktur und sein Kontrollverfahren
JP2866116B2 (ja) * 1989-10-04 1999-03-08 満雄 上和野 温度測定装置
US5206525A (en) 1989-12-27 1993-04-27 Nippon Petrochemicals Co., Ltd. Electric element capable of controlling the electric conductivity of π-conjugated macromolecular materials
FI91573C (sv) 1990-01-04 1994-07-11 Neste Oy Sätt att framställa elektroniska och elektro-optiska komponenter och kretsar
FR2664430B1 (fr) 1990-07-04 1992-09-18 Centre Nat Rech Scient Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques.
FR2673041A1 (fr) * 1991-02-19 1992-08-21 Gemplus Card Int Procede de fabrication de micromodules de circuit integre et micromodule correspondant.
EP0501456A3 (de) 1991-02-26 1992-09-09 Sony Corporation Mit eine optischen Plattenantrieb ausgerüsteter Videospielcomputer
US5408109A (en) * 1991-02-27 1995-04-18 The Regents Of The University Of California Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers
JP2508929B2 (ja) * 1991-03-15 1996-06-19 船井電機株式会社 加熱調理装置における測温回路
EP0511807A1 (de) 1991-04-27 1992-11-04 Gec Avery Limited Apparat und Sensoreinheit zur Anzeige von zeitabhängigen Änderungen in einer physikalischen Grösse
JP3224829B2 (ja) 1991-08-15 2001-11-05 株式会社東芝 有機電界効果型素子
JPH0580530A (ja) * 1991-09-24 1993-04-02 Hitachi Ltd 薄膜パターン製造方法
US5173835A (en) * 1991-10-15 1992-12-22 Motorola, Inc. Voltage variable capacitor
EP0610183B1 (de) 1991-10-30 1995-05-10 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewandten Forschung E.V. Belichtungsvorrichtung
JP2709223B2 (ja) * 1992-01-30 1998-02-04 三菱電機株式会社 非接触形携帯記憶装置
JPH06174674A (ja) * 1992-12-03 1994-06-24 Mitsubishi Materials Corp 半導体ガスセンサ
DE4243832A1 (de) 1992-12-23 1994-06-30 Daimler Benz Ag Tastsensoranordnung
JP3457348B2 (ja) 1993-01-15 2003-10-14 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
FR2701117B1 (fr) * 1993-02-04 1995-03-10 Asulab Sa Système de mesures électrochimiques à capteur multizones, et son application au dosage du glucose.
US5567550A (en) 1993-03-25 1996-10-22 Texas Instruments Incorporated Method of making a mask for making integrated circuits
JPH0722669A (ja) 1993-07-01 1995-01-24 Mitsubishi Electric Corp 可塑性機能素子
CA2170402C (en) * 1993-08-24 2000-07-18 Michael P. Allen Novel disposable electronic assay device
JP3460863B2 (ja) * 1993-09-17 2003-10-27 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
FR2710413B1 (fr) 1993-09-21 1995-11-03 Asulab Sa Dispositif de mesure pour capteurs amovibles.
US5444637A (en) * 1993-09-28 1995-08-22 Advanced Micro Devices, Inc. Programmable semiconductor wafer for sensing, recording and retrieving fabrication process conditions to which the wafer is exposed
US5556706A (en) * 1993-10-06 1996-09-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductive layered product and method of manufacturing the same
EP0708987B1 (de) * 1994-05-16 2003-08-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Halbleiteranordnung aus halbleitendem, organischem material
US5684884A (en) * 1994-05-31 1997-11-04 Hitachi Metals, Ltd. Piezoelectric loudspeaker and a method for manufacturing the same
JP3246189B2 (ja) 1994-06-28 2002-01-15 株式会社日立製作所 半導体表示装置
US6278127B1 (en) * 1994-12-09 2001-08-21 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising an organic thin film transistor adapted for biasing to form a N-type or a P-type transistor
US5574291A (en) * 1994-12-09 1996-11-12 Lucent Technologies Inc. Article comprising a thin film transistor with low conductivity organic layer
US5630986A (en) * 1995-01-13 1997-05-20 Bayer Corporation Dispensing instrument for fluid monitoring sensors
JP3068430B2 (ja) * 1995-04-25 2000-07-24 富山日本電気株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
US5652645A (en) * 1995-07-24 1997-07-29 Anvik Corporation High-throughput, high-resolution, projection patterning system for large, flexible, roll-fed, electronic-module substrates
US5625199A (en) * 1996-01-16 1997-04-29 Lucent Technologies Inc. Article comprising complementary circuit with inorganic n-channel and organic p-channel thin film transistors
US5840839A (en) * 1996-02-09 1998-11-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Department Of Health And Human Services Alternative open reading frame DNA of a normal gene and a novel human cancer antigen encoded therein
GB2310493B (en) * 1996-02-26 2000-08-02 Unilever Plc Determination of the characteristics of fluid
JP3080579B2 (ja) * 1996-03-06 2000-08-28 富士機工電子株式会社 エアリア・グリッド・アレイ・パッケージの製造方法
US5731661A (en) * 1996-07-15 1998-03-24 Motorola, Inc. Passivation of electroluminescent organic devices
DE19629656A1 (de) * 1996-07-23 1998-01-29 Boehringer Mannheim Gmbh Diagnostischer Testträger mit mehrschichtigem Testfeld und Verfahren zur Bestimmung von Analyt mit dessen Hilfe
US6344662B1 (en) * 1997-03-25 2002-02-05 International Business Machines Corporation Thin-film field-effect transistor with organic-inorganic hybrid semiconductor requiring low operating voltages
KR100248392B1 (ko) * 1997-05-15 2000-09-01 정선종 유기물전계효과트랜지스터와결합된유기물능동구동전기발광소자및그소자의제작방법
JP4509228B2 (ja) * 1997-08-22 2010-07-21 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 有機材料から成る電界効果トランジスタ及びその製造方法
BR9811636A (pt) 1997-09-11 2000-08-08 Precision Dynamics Corp Etiqueta de identificação de rádio freqâência em substrato flexìvel
US6251513B1 (en) * 1997-11-08 2001-06-26 Littlefuse, Inc. Polymer composites for overvoltage protection
US5997817A (en) * 1997-12-05 1999-12-07 Roche Diagnostics Corporation Electrochemical biosensor test strip
JP2001510670A (ja) 1997-12-05 2001-07-31 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 識別トランスポンダ
US5998805A (en) 1997-12-11 1999-12-07 Motorola, Inc. Active matrix OED array with improved OED cathode
US6083104A (en) * 1998-01-16 2000-07-04 Silverlit Toys (U.S.A.), Inc. Programmable toy with an independent game cartridge
EP1051745B1 (de) * 1998-01-28 2007-11-07 Thin Film Electronics ASA Methode zur herstellung zwei- oder dreidimensionaler elektrisch leitender oder halbleitender strukturen, eine löschmethode derselben und ein generator/modulator eines elektrischen feldes zum gebrauch in der herstellungsmethode
US6087196A (en) 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
WO1999039395A1 (en) * 1998-02-02 1999-08-05 Uniax Corporation Organic diodes with switchable photosensitivity
US6045977A (en) 1998-02-19 2000-04-04 Lucent Technologies Inc. Process for patterning conductive polyaniline films
US6033202A (en) * 1998-03-27 2000-03-07 Lucent Technologies Inc. Mold for non - photolithographic fabrication of microstructures
DE69918308T2 (de) * 1998-04-10 2004-10-21 E Ink Corp Elektronische anzeige basierend auf organischen feldeffekt-transistoren
GB9808061D0 (en) 1998-04-16 1998-06-17 Cambridge Display Tech Ltd Polymer devices
TW410478B (en) 1998-05-29 2000-11-01 Lucent Technologies Inc Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode
US5967048A (en) * 1998-06-12 1999-10-19 Howard A. Fromson Method and apparatus for the multiple imaging of a continuous web
US6143206A (en) * 1998-06-24 2000-11-07 Tdk Corporation Organic positive temperature coefficient thermistor and manufacturing method therefor
US6319757B1 (en) * 1998-07-08 2001-11-20 Caldus Semiconductor, Inc. Adhesion and/or encapsulation of silicon carbide-based semiconductor devices on ceramic substrates
DE19836174C2 (de) * 1998-08-10 2000-10-12 Illig Maschinenbau Adolf Heizung zum Erwärmen von thermoplastischen Kunststoffplatten und Verfahren zum Einstellen der Temperatur dieser Heizung
US6215130B1 (en) * 1998-08-20 2001-04-10 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
ES2306525T3 (es) 1998-08-26 2008-11-01 Sensors For Medicine And Science, Inc. Dispositivos de deteccion basados en optica.
US6384804B1 (en) 1998-11-25 2002-05-07 Lucent Techonologies Inc. Display comprising organic smart pixels
DE19856885C2 (de) * 1998-12-10 2001-03-15 Robert Bischoff Meßsonde und Verfahren zur Messung der Konzentration von Agenzien in Gasen und/oder Flüssigkeiten
US6506438B2 (en) 1998-12-15 2003-01-14 E Ink Corporation Method for printing of transistor arrays on plastic substrates
US6321571B1 (en) 1998-12-21 2001-11-27 Corning Incorporated Method of making glass structures for flat panel displays
US6114088A (en) 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
GB2347013A (en) 1999-02-16 2000-08-23 Sharp Kk Charge-transport structures
US6300141B1 (en) * 1999-03-02 2001-10-09 Helix Biopharma Corporation Card-based biosensor device
US6207472B1 (en) 1999-03-09 2001-03-27 International Business Machines Corporation Low temperature thin film transistor fabrication
US6252245B1 (en) * 1999-03-29 2001-06-26 Howard Edan Katz Device comprising n-channel semiconductor material
US6498114B1 (en) 1999-04-09 2002-12-24 E Ink Corporation Method for forming a patterned semiconductor film
US6072716A (en) 1999-04-14 2000-06-06 Massachusetts Institute Of Technology Memory structures and methods of making same
DE19919448A1 (de) * 1999-04-29 2000-11-02 Miele & Cie Kühlgerät und Verfahren zur Verkeimungsindikation
US6383664B2 (en) * 1999-05-11 2002-05-07 The Dow Chemical Company Electroluminescent or photocell device having protective packaging
US6593690B1 (en) 1999-09-03 2003-07-15 3M Innovative Properties Company Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same
EP1085320A1 (de) * 1999-09-13 2001-03-21 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Vorrichtung auf Basis von organischem Material zur Erfassung eines Probenanalyts
US6517995B1 (en) * 1999-09-14 2003-02-11 Massachusetts Institute Of Technology Fabrication of finely featured devices by liquid embossing
US6340822B1 (en) * 1999-10-05 2002-01-22 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising vertically nano-interconnected circuit devices and method for making the same
JP2004538618A (ja) 1999-10-11 2004-12-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 集積回路
US6335539B1 (en) * 1999-11-05 2002-01-01 International Business Machines Corporation Method for improving performance of organic semiconductors in bottom electrode structure
US6284562B1 (en) * 1999-11-17 2001-09-04 Agere Systems Guardian Corp. Thin film transistors
US6621098B1 (en) 1999-11-29 2003-09-16 The Penn State Research Foundation Thin-film transistor and methods of manufacturing and incorporating a semiconducting organic material
US6197663B1 (en) 1999-12-07 2001-03-06 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating integrated circuit devices having thin film transistors
KR100940110B1 (ko) * 1999-12-21 2010-02-02 플라스틱 로직 리미티드 잉크젯으로 제조되는 집적회로 및 전자 디바이스 제조 방법
US6706159B2 (en) * 2000-03-02 2004-03-16 Diabetes Diagnostics Combined lancet and electrochemical analyte-testing apparatus
US6441196B2 (en) * 2000-05-19 2002-08-27 Alcon, Inc. Processes and novel intermediates for 11-oxa prostaglandin synthesis
US6329226B1 (en) 2000-06-01 2001-12-11 Agere Systems Guardian Corp. Method for fabricating a thin-film transistor
DE10033112C2 (de) * 2000-07-07 2002-11-14 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung und Strukturierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFET), hiernach gefertigter OFET und seine Verwendung
US7875975B2 (en) * 2000-08-18 2011-01-25 Polyic Gmbh & Co. Kg Organic integrated circuit completely encapsulated by multi-layered barrier and included in RFID tag
US6576972B1 (en) * 2000-08-24 2003-06-10 Heetronix High temperature circuit structures with expansion matched SiC, AlN and/or AlxGa1-xN(x>0.69) circuit device
KR20020036916A (ko) * 2000-11-11 2002-05-17 주승기 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이에 의해 제조된 반도체소자
KR100390522B1 (ko) * 2000-12-01 2003-07-07 피티플러스(주) 결정질 실리콘 활성층을 포함하는 박막트랜지스터 제조 방법
DE10117663B4 (de) 2001-04-09 2004-09-02 Samsung SDI Co., Ltd., Suwon Verfahren zur Herstellung von Matrixanordnungen auf Basis verschiedenartiger organischer leitfähiger Materialien
US20020170897A1 (en) * 2001-05-21 2002-11-21 Hall Frank L. Methods for preparing ball grid array substrates via use of a laser
US6870180B2 (en) * 2001-06-08 2005-03-22 Lucent Technologies Inc. Organic polarizable gate transistor apparatus and method
JP2003089259A (ja) * 2001-09-18 2003-03-25 Hitachi Ltd パターン形成方法およびパターン形成装置
US7351660B2 (en) * 2001-09-28 2008-04-01 Hrl Laboratories, Llc Process for producing high performance interconnects
US6946332B2 (en) * 2002-03-15 2005-09-20 Lucent Technologies Inc. Forming nanoscale patterned thin film metal layers
US6812509B2 (en) * 2002-06-28 2004-11-02 Palo Alto Research Center Inc. Organic ferroelectric memory cells
US6870183B2 (en) 2002-11-04 2005-03-22 Advanced Micro Devices, Inc. Stacked organic memory devices and methods of operating and fabricating

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004005248A1 (de) * 2004-01-28 2005-09-15 Infineon Technologies Ag Temperatursensorvorrichtung und Verwendung einer Temperatursensorvorrichtung
DE102006050106A1 (de) * 2006-10-24 2007-09-20 Siemens Ag Temperatursensor und Verfahren zur Temperaturüberwachung
WO2009086575A1 (de) * 2008-01-09 2009-07-16 Nanoident Technologies Ag Erfassungsvorrichtung für vitalzeichen
US10433777B2 (en) 2008-01-09 2019-10-08 Asmag-Holding Gmbh Detection device for vital signs

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004514919A (ja) 2004-05-20
US20040062294A1 (en) 2004-04-01
WO2002046703A1 (de) 2002-06-13
EP1340046B1 (de) 2012-03-28
US7534034B2 (en) 2009-05-19
EP1340046A1 (de) 2003-09-03

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Dan et al. Dielectrophoretically assembled polymer nanowires for gas sensing
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