DE10112523A1 - Mobilkommunikationsgerät und in demselben verwendete zusammengesetzte Hochfrequenzeinheit - Google Patents

Abstract

Ein Mobilkommunikationsgerät ist ein Dualband-Zellulartelephongerät mit zwei Kommunikationssystemen, die verschiedene Frequenzbänder unterstützen, wie z. B. DCS in dem 1,8 GHz-Band und GSM in dem 900 MHz-Band. Das Mobilkommunikationsgerät umfaßt eine Antenne, eine zusammengesetzte Hochfrequenzeinheit, DCS- und GSM-Sender und DCS- und GSM-Empfänger. Die zusammengesetzte Hochfrequenzeinheit enthält einen Diplexer, DCS- und GSM-Hochfrequenzschalter, DCS- und GSM-Hochfrequenzfilter oder Kerbfilter und einen Richtkoppler.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Mobilkommu­ nikationsgerät und auf eine in demselben verwendete zusam­ mengesetzte Hochfrequenzeinheit und insbesondere auf ein Mobilkommunikationsgerät, das imstande ist eine Mehrzahl von verschiedenen Mobilkommunikationssystemen zu verwenden, und auf eine in demselben verwendete zusammengesetzte Hoch­ frequenzeinheit.

Im Stand der Technik wurde in Europa als ein Mobilkommuni­ kationsgerät ein Dualband-Zellulartelephongerät vorgeschla­ gen, das imstande ist, in Kommunikationssystemen zu arbei­ ten, die eine Mehrzahl von Frequenzbändern unterstützen, wie z. B. das digitale Zellularsystem (DCS; DCS Digital Cellular System), welches das 1,8 GHz-Band verwendet, und das "globale System für Mobilkommunikation" (GSM; GSM = Global System for Mobile communications), welches das 900 MHz-Band verwendet.

Fig. 9 ist ein Blockdiagramm, das als Beispiel einen Ab­ schnitt eines typischen Dualband-Zellulartelephongerätes zeigt, welches eine Kombination des das 1,8 GHz-Band ver­ wendenden DCS und des das 900 MHz-Band verwendenden GSM um­ faßt. Das Dualband-Zellulartelephongerät umfaßt eine Anten­ ne 1, einen Diplexer 2 und zwei Kommunikationssysteme, DCS und GSM.

Der Diplexer 2 sendet Sendesignale von den beiden Kommuni­ kationssystemen DCS und GSM an die Antenne 1 und verteilt über die Antenne 1 empfangene Empfangssignale an die beiden Kommunikationssysteme von DCS und GSM. Das DCS-Netzwerk um­ faßt einen Hochfrequenzschalter 3a zum Schalten von Signa­ len zwischen einem Sender Txd und einem Empfänger Rxd sowie einen Tiefpaßfilter 4a und einem Richtkoppler 5a, die dem Hochfrequenzschalter 3a nachgeschaltet und mit dem Sender Txd verbunden sind. Das GSM-Netzwerk umfaßt einen Hochfre­ quenzschalter 3b zum Schalten von Signalen zwischen einem Sender Txg und einem Empfänger Rxg sowie ein Tiefpaßfilter 4b und einen Richtkoppler 5b, die dem Hochfrequenzschalter 3b nachgeschaltet und mit dem Sender Txg verbunden sind. Die Tiefpaßfilter 4a und 4b sind zwischen den Hochfrequenz­ schaltern 3a bzw. 3b und den Richtkopplern 5a bzw. 5b ange­ ordnet, so daß eine harmonische Verzerrung bzw. ein harmo­ nisches Klirren entfernt wird, die bzw. das durch die in den Sendern Txd und Txg enthaltenen Sendeleistungsverstär­ ker (nicht gezeigt) bewirkt wird. Die Richtkoppler 5a und 5b extrahieren bzw. entnehmen Teile der Sendesignale und senden die Ergebnisse an automatische Verstärkungssteuer­ schaltungen (nicht gezeigt), um konstante Verstärkungen der Sendesignale zu halten.

Der Betrieb des Dualband-Zellulartelephongerätes wird unten beschrieben. Für ein DCS-Senden schaltet der Hochfrequenz­ schalter 3a auf den Sender Txd. Ein Sendesignal, das von dem Sender Txd über den Richtkoppler 5a, den Tiefpaßfilter 4a und den Hochfrequenzschalter 3a gesendet wird, wird durch den Diplexer 2 ausgewählt und von der Antenne 1 ge­ sendet. Für ein DCS-Empfangen wird andererseits ein von der Antenne 1 empfangenes Empfangssignal durch den Diplexer 2 ausgewählt und der Hochfrequenzschalter 3a schaltet auf den Empfänger Rxd bevor das Empfangssignal an den Empfänger Rxd durchgelassen wird. Für ein GSM-Senden und -Empfangen wer­ den die gleichen Operationen durchgeführt.

Das vorangehende Dualband-Zellulartelephongerät, das ein herkömmliches Mobilkommunikationsgerät ist, weist jedoch ein Problem auf, wie es unten beschrieben wird. Das heißt in jedem der DCS- und GSM-Sendepfade ist ein Richtkoppler zum Entnehmen von Teilen der Sendesignale und zum Senden der Ergebnisse an eine automatische Verstärkungssteuer­ schaltung angeordnet, womit die Anzahl der auf einem Schal­ tungssubstrat erforderlichen Komponenten erhöht wird. Dies hat ein Dualband-Zellulartelephongerät (Mobilkommunikati­ onsgerät) mit einer erhöhten Größe zur Folge.

Ein weiteres Problem wird unten beschrieben. Da eine Anten­ ne, ein Diplexer, DCS- und GSM-Hochfrequenzschalter, DCS- und GSM-Hochfrequenzfilter (d. h. Tiefpaßfilter) und DCS- und GSM-Richtkoppler diskret auf einem einzelnen Schal­ tungssubstrat angebracht sind, sind ferner zwischen dem Diplexer und den Hochfrequenzschaltern, zwischen den Hoch­ frequenzschaltern und den Hochfrequenzfiltern und zwischen den Hochfrequenzfiltern und den Richtkopplern Anpassungs­ schaltungen erforderlich, die eine Anpassung, eine Dämpfung oder Isolationseigenschaften sicherstellen. Deshalb wird die Anzahl von Komponenten weiter erhöht, womit die Anbrin­ gungsfläche für dieselben und die Größe des Schaltungssub­ strats erhöht werden. Dies hat ein großes Dualband- Zellulartelephongerät (Mobilkommunikationsgerät) zur Folge.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein verkleinertes bzw. vereinfachtes Mobilkommunikationsgerät bzw. eine verkleinerte bzw. vereinfachte zusammengesetzte Hochfrequenzeinheit bzw. ein verkleinertes bzw. vereinfach­ tes Dualband-Zellulartelephongerät zu schaffen.

Diese Aufgabe wird durch ein Mobilkommunikationsgerät gemäß Anspruch 1, eine zusammengesetzte Hochfrequenzeinheit gemäß Anspruch 2, 5, 12 oder 15 bzw. ein Dualband-Zellulartele­ phongerät gemäß Anspruch 11 gelöst.

Um die oben beschriebenen Probleme im Stand der Technik zu überwinden liefern bevorzugte Ausführungsbeispiele der vor­ liegenden Erfindung ein Mobilkommunikationsgerät, das die Notwendigkeit einer Anpassungsschaltung eliminiert und eine kompakte Schaltung umfaßt, und eine zusammengesetzte Hoch­ frequenzeinheit, die in demselben verwendet wird.

Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung umfaßt ein Mobilkommunikationsgerät mit einer Mehrzahl von Kommunikationssystemen, die verschiedene Fre­ quenzbänder unterstützen, zu diesem Zweck eine Antenne, ei­ nen Sender für jedes Kommunikationssystem und einen Empfän­ ger für jedes Kommunikationssystem. Das Mobilkommunikati­ onsgerät umfaßt ferner einen Diplexer zum Übertragen von Sendesignalen von der Mehrzahl von Kommunikationssystemen zu der Antenne und zum Verteilen von über die Antenne emp­ fangenen Empfangssignale an die Mehrzahl von Kommunikati­ onssystemen, einen Hochfrequenzschalter für jedes der Kom­ munikationssysteme zum Schalten der Signale zwischen dem Sender und dem Empfänger und einen Richtkoppler zum Entneh­ men von Teilen der Sendesignale und zum Senden der Ergeb­ nisse an eine automatische Verstärkungssteuerschaltung. Der Richtkoppler ist zwischen der Antenne und dem Diplexer an­ geordnet.

Das Mobilkommunikationsgerät umfaßt ferner Hochfrequenzfil­ ter, die den Hochfrequenzschaltern nachgeschaltet und mit den Empfängern verbunden sind.

Bei einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel der vor­ liegenden Erfindung umfaßt eine in dem Mobilkommunikations­ gerät verwendete zusammengesetzte Hochfrequenzeinheit eine Mikrowellenschaltung, welche die Mehrzahl von Kommunikati­ onssystemen trägt. Die zusammengesetzte Hochfrequenzeinheit wird durch ein Mehrschichtsubstrat definiert, das durch La­ minieren einer Mehrzahl von dielektrischen Schichten herge­ stellt ist, wobei das Mehrschichtsubstrat den Diplexer, den Hochfrequenzschalter und den Richtkoppler aufweist.

Bei der zusammengesetzten Hochfrequenzeinheit umfaßt der Diplexer vorzugsweise ein induktives Element und ein kapa­ zitives Element; der Hochfrequenzschalter umfaßt ein Schaltelement, ein induktives Element und ein kapazitives Element; der Richtkoppler umfaßt eine primäre Leitung und eine sekundäre Leitung. Diese Komponenten sind entweder in dem Mehrschichtsubstrat enthalten oder auf ihm angebracht. Das Mehrschichtsubstrat umfaßt vorzugsweise Verbinder zum Verbinden dieser Komponenten untereinander.

Demgemäß liefert ein Mobilkommunikationsgerät gemäß der vorliegenden Erfindung einen Richtkoppler zwischen einer Antenne und einem Diplexer, womit die Notwendigkeit separa­ te Richtkoppler für eine Mehrzahl von Kommunikationssyste­ men bereit zu stellen eliminiert wird. Deshalb ist für das Mobilkommunikationsgerät nur ein Richtkoppler erforderlich.

Eine zusammengesetzte Hochfrequenzeinheit gemäß der vorlie­ genden Erfindung umfaßt einen Diplexer, Hochfrequenzschal­ tern und einen Richtkoppler, die in einem Mehrschichtsub­ strat vorgesehen sind, das durch Laminieren einer Mehrzahl von dielektrischen Schichten hergestellt ist. Deshalb sind die Verbinder für den Diplexer, die Hochfrequenzschalter und den Richtkoppler in dem Mehrschichtsubstrat enthalten.

Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 ein Blockdiagramm eines Mobilkommunikationsgerä­ tes gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;

Fig. 2 ein Schaltungsdiagramm eines Diplexers in einer in Fig. 1 gezeigten zusammengesetzten Hochfre­ quenzeinheit;

Fig. 3A und 3B Schaltungsdiagramme von Hochfrequenzschal­ tern in der in Fig. 1 gezeigten zusammengesetzten Hochfrequenzeinheit;

Fig. 4A und 4B Schaltungsdiagramme von Hochfrequenzfiltern in der in Fig. 1 gezeigten zusammengesetzten Hochfrequenzeinheit;

Fig. 5 ein Schaltungsdiagramm eines Richtkopplers, der in der in Fig. 1 gezeigten zusammengesetzten Hochfrequenzeinheit enthalten ist;

Fig. 6 eine perspektivische Teilexplosionsansicht der in Fig. 1 gezeigten zusammengesetzten Hochfrequenz­ einheit;

Fig. 7A bis 7H Draufsichten von dielektrischen Schichten, die ein Mehrschichtsubstrat der in Fig. 6 gezeig­ ten zusammengesetzten Hochfrequenzeinheit bilden;

Fig. 8A bis 8F Draufsichten von weiteren dielektrischen Schichten, die das Mehrschichtsubstrat der in Fig. 6 gezeigten zusammengesetzten Hochfrequenz­ einheit bilden;

Fig. 8G eine Unteransicht der in Fig. 8F gezeigten die­ lektrischen Schicht; und

Fig. 9 ein Blockdiagramm, das einen Abschnitt eines ty­ pischen Dualband-Zellulartelephongerätes (Mobil­ kommunikationsgerätes) zeigt.

Fig. 1 zeigt ein Mobilkommunikationsgerät 10 gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Das Mobilkommunikationsgerät 10 ist ein Dualband- Zellulartelephongerät mit zwei Kommunikationssystemen mit verschiedenen Frequenzbändern, nämlich DCS, das ein 1,8 GHz-Kommunikationssystem ist, und GSM, das ein 900 MHz- Kommunikationssystem ist. Das Mobilkommunikationsgerät 10 umfaßt eine Antenne 11, eine zusammengesetzte Hochfrequenz­ einheit 12, die in Fig. 1 von einer gestrichelten Linie um­ geben ist, Sender Txd und Txg und Empfänger Rxd und Rxg.

Die zusammengesetzte Hochfrequenzeinheit 12 umfaßt einen ersten bis einen fünften Anschluß bzw. ein erstes bis ein fünftes Tor P1 bis P5, einen Diplexer 13, Hochfrequenz­ schalter 14a und 14b, Kerbfilter 15a und 15b, das sind Hochfrequenzfilter, und einen Richtkoppler 16.

Der Diplexer 13 sendet Sende- bzw. Übertragungssignale von den beiden Kommunikationssystemen DCS und GSM an die Anten­ ne 11 und verteilt über die Antenne 11 empfangene Empfangs­ signale an die beiden Kommunikationssysteme DCS und GSM.

Der Hochfrequenzschalter 14a wird geschaltet, um DCS- Signale von dem Sender Txd und zu dem Empfänger Rxd durch­ zulassen, und der Hochfrequenzschalter 14b wird geschaltet, um GSM-Signale von dem Sender Txg und an den Empfänger Rxg durchzulassen.

Die Kerbfilter 15a und 15b sind zwischen den Hochfrequenz­ schaltern 14a bzw. 14b und den Sendern Txd bzw. Txg ange­ ordnet, so daß eine harmonische Verzerrung bzw. ein harmonisches Klirren entfernt wird, die bzw. das durch die in den Sendern Txd und Txg enthaltenen Sendeleistungsverstärker (nicht gezeigt) bewirkt wird.

Der Richtkoppler 16, der Teile der DCS- und GSM- Sendesignale entnimmt und die Ergebnisse an eine automati­ sche Verstärkungssteuerschaltung (nicht gezeigt) sendet, ist zwischen der Antenne 11 und dem Diplexer 13 angeordnet. Die DCS- und GSM-Sendesignale werden durch ein Ändern des Kopplungsgrades des Richtkopplers 16 abhängig von dem DCS- Frequenzband oder dem GSM-Frequenzband diskriminiert bzw. unterschieden.

Das erste Tor P1 entspricht einem ersten Tor P41 des Richt­ kopplers 16. Das zweite und das vierte Tor P2 und P4 ent­ sprechen den zweiten Toren P32a bzw. P32b der Kerbfilter 15a bzw. 15b. Das dritte und das fünfte Tor P3 und P5 ent­ sprechen den dritten Toren P23a bzw. P23b der Hochfrequenz­ schalter 14a bzw. 14b.

Ein erstes Tor P11 des Diplexers 13 ist mit einem zweiten Tor P42 des Richtkopplers 16 verbunden, und ein zweites und ein drittes Tor P12 und P13 des Diplexers 13 sind mit den ersten Toren P21a bzw. P21b der Hochfrequenzschalter 14a bzw. 14b verbunden.

Zweite Tore P22a und P22b der Hochfrequenzschalter 14a bzw. 14b sind mit den ersten Toren P31a bzw. P31b der Kerbfilter 15a bzw. 15b verbunden.

Das erste Tor P1, das zweite Tor P2, das dritte Tor P3, das vierte Tor P4 und das fünfte Tor P5 der zusammengesetzten Hochfrequenzeinheit 12 sind mit der Antenne 11, dem DCS- Sender Txd, dem DCS-Empfänger Rxd, dem GSM-Sender Txg bzw. dem GSM-Empfänger Rxg verbunden.

Fig. 2 ist ein Schaltungsdiagramm des Diplexers 13 in der in Fig. 1 gezeigten zusammengesetzten Hochfrequenzeinheit 12.

Der Diplexer 13 umfaßt Induktoren oder induktive Elemente L11 und L12 und Kondensatoren oder kapazitive Elemente C11 bis C15. Die Kondensatoren C11 und C12 sind in Serie zwi­ schen das erste Tor P11 und das zweite Tor P12 geschaltet, und die Verbindung der Kondensatoren C11 und 012 ist über den Induktor L11 und den Kondensator C13 geerdet.

Eine Parallelschaltung des Induktors L12 und des Kondensa­ tors C14 ist zwischen das erste Tor P11 und das dritte Tor P13 geschaltet, und die Verbindung der Parallelschaltung und des dritten Anschlusses P3 ist über den Kondensator C15 geerdet.

In anderen Worten wird zwischen dem ersten Tor P11 und dem zweiten Tor P12 ein Hochpaßfilter mit einem Durchlaßband bzw. Durchlaßbereich definiert, durch den nur die DCS- Sende-/Empfangs-Signale (in einem hohen Frequenzband) über­ tragen werden, die zu dem zweiten Tor P12 geleitet werden. Zwischen dem ersten Tor P11 und dem dritten Tor P13 ist ein Tiefpaßfilter mit einem Durchlaßband bzw. Durchlaßbereich definiert, durch den nur die GSM-Sende-/Empfangs-Signale (in einem niedrigen Frequenzband) übertragen werden, die zu dem dritten Tor P13 geleitet werden.

Die Fig. 3A und 3B sind Schaltungsdiagramme, welche den DCS-Hochfrequenzschalter 14a bzw. den GSM-Hochfrequenz­ schalter 14b in der in Fig. 1 gezeigten zusammengesetzten Hochfrequenzeinheit 12 zeigen.

Da, wie es in den Fig. 3A und 3B dargestellt ist, der DCS- Hochfrequenzschalter 14a und der GSM-Hochfrequenzschalter 14b die gleiche Schaltungsstruktur aufweisen, wird eine Be­ schreibung des GSM-Hochfrequenzschalters 14b weggelassen; die Bezugszeichen, die denen des DCS-Hochfrequenzschalters 14a entsprechen, werden jedoch in Klammern angegeben.

Der Hochfrequenzschalter 14a (14b) umfaßt Dioden oder Schaltelemente D1a und D2a (D1b und D2b), Induktoren oder induktive Elemente L21a bis L23a (L21b bis L23b), Kondensa­ toren oder kapazitive Elemente C21a und C22a (C21b und C22b) und einen Widerstand Ra (Rb). Der Induktor L21a (L21b) ist eine parallele Sperrspule, und der Induktor L22a (L22b) ist eine Drosselspule).

Die Diode D1a (D1b) ist zwischen das erste Tor P21a (P21b) und das zweite Tor P22a (P22b) geschaltet, wobei die Katho­ de zu dem ersten Tor P21a (P21b) gerichtet ist. Eine Se­ rienschaltung des Induktors L21a (L21b) und des Kondensa­ tors C21a (C21b) ist parallel zu der Diode D1a (D1b) ge­ schaltet.

Die Anode der Diode D1a (D1b), die mit dem zweiten Tor P22a (P22b) verbunden ist, ist über den Induktor L22a (L22b) ge­ erdet, und ein Steueranschluß Vca (Vcb) ist mit einem Kno­ ten zwischen dem Induktor L22a (L22b) und der Erde verbun­ den.

Der Induktor L23a (L23b) ist zwischen das erste Tor P21a (P21b) und das dritte Tor P23a (P23b) geschaltet, und eine Verbindung des Induktors L23a (L23b) und des dritten An­ schlusses P23a (P23b) ist über die Diode D2a (D2b) und den Kondensator C22a (C22b) geerdet. Die Verbindung der Kathode der Diode D2a (D2b) und des Kondensators C22a (C22b) ist über den Widerstand Ra (Rb) geerdet.

Die Fig. 4A und 4B sind Schaltungsdiagramme, die das DCS- Kerbfilter oder -Hochfrequenzfilter 15a bzw. das GSM- Kerbfilter oder -Hochfrequenzfilter 15b bei der in Fig. 1 gezeigten zusammengesetzten Hochfrequenzeinheit 12 zeigen.

Da das DCS-Kerbfilter 15a und das GSM-Kerbfilter 15b, wie es in den Fig. 4A und 4B dargestellt ist, die gleiche Schaltungsstruktur aufweisen, wird eine Beschreibung des GSM-Kerbfilters 15b weggelassen; Bezugszeichen, die denen des DCS-Kerbfilters 15a entsprechen, sind jedoch in Klam­ mern angegeben.

Das Kerbfilter 15a (15b) umfaßt einen Induktor oder ein in­ duktives Element L31a (L31b) und Kondensatoren oder kapazi­ tive Elemente C31a und C32a (C31b und C32b). Eine Parallel­ schaltung des Induktors L31a (L31b) und des Kondensators C31a (C31b) ist zwischen das erste Tor P31a (P31b) und das zweite Tor P32a (P32b) geschaltet.

Die Verbindung der Parallelschaltung und des zweiten An­ schlusses P32a (P32b) ist über den Kondensator C32a (C32b) geerdet.

Fig. 5 ist ein Schaltungsdiagramm des Richtkopplers 16 bei der in Fig. 1 gezeigten zusammengesetzten Hochfrequenzein­ heit 12.

Der Richtkoppler 16 umfaßt eine primäre Leitung L41 und ei­ ne sekundäre Leitung L42. Die primäre Leitung L41 ist an ihren Enden mit dem ersten Tor P41 und dem zweiten Tor P42 verbunden, und die sekundäre Leitung L42 ist an ihren Enden mit dem dritten Tor P43 und dem vierten Tor P44 verbunden.

Das dritte Tor P43 ist über einen Widerstand R geerdet, und das vierte Tor P44 ist mit einer automatischen Verstär­ kungssteuerschaltung verbunden, obwohl diese nicht gezeigt ist.

Fig. 6 ist eine perspektivische Teilexplosionsansicht der in Fig. 1 gezeigten zusammengesetzten Hochfrequenzeinheit 12. Die zusammengesetzte Hochfrequenzeinheit 12 umfaßt ein Mehrschichtsubstrat 17, das durch Laminieren einer Mehrzahl von dielektrischen Schichten hergestellt ist.

Das Mehrschichtsubstrat 17 enthält die Induktoren L11 und L12 und die Kondensatoren C11 bis C15 des Diplexers 13 (siehe Fig. 2), die Induktoren L23a und L23b der Hochfre­ quenzschalter 14a und 14b (siehe die Fig. 3A und 3B), die Induktoren L31a und L31b und die Kondensatoren C31a, C32a, C31b und C32b der Kerbfilter 16a und 16b (siehe die Fig. 4A und 4B) sowie die primäre und die sekundäre Leitung L41 und L42 des Richtkopplers 16, obwohl diese Komponenten in Fig. 6 nicht gezeigt sind.

An einer Oberfläche des Mehrschichtsubstrates 17 sind die Dioden D1a, D2a, D1b und D2b, die Induktoren L21a, L22a, L21b und L22b, die Kondensatoren C21a, C22a, C21b und C22b und die Widerstände Ra und Rb der Hochfrequenzschalter 14a und 14b (siehe Fig. 3A und 3B) und der mit dem dritten Tor P43 an dem Richtkoppler 16 verbundene Widerstand R ange­ bracht. Diese Komponenten sind durch Chips definiert, und diese Chips sind an dem Mehrschichtsubstrat 17 angebracht.

Das Mehrschichtsubstrat 17 weist zwölf externe Tore Ta bis Tl auf, die an Seitenoberflächen zu der unteren Oberfläche hin unter Verwendung einer Technik, wie z. B. des Sieb­ drucks, vorgesehen sind. Die zwölf externen Tore Ta bis Tl sind mit dem ersten bis dem fünften Tor P1 bis P5 der zu­ sammengesetzten Hochfrequenzeinheit 12, den Steueranschlüs­ sen Vca und Vcb der Hochfrequenzschalter 14a und 14b, dem vierten Tor P44, das mit der automatischen Verstärkungs­ steuerschaltung bei dem Richtkoppler 16 verbunden ist, und den Masseanschlüssen verbunden.

Über dem Mehrschichtsubstrat 17 liegt eine Metallabdeckung 18 mit kurzen Vorsprüngen 181 und 182, die einander gegen­ über stehen, um die Chips abzudecken, die auf dem Mehr­ schichtsubstrat 17 angebracht sind, so daß die Vorsprünge 181 und 182 gegenüber den externen Toren Tf und Tl angeord­ net sind, welche die Masseanschlüssen definieren.

Zwischen dem Richtkoppler 16 und dem Diplexer 13, zwischen dem Diplexer 13 und den Hochfrequenzschaltern 14a und 14b und zwischen den Hochfrequenzschaltern 14a und 14b und den Kerbfiltern 15a und 15b sind innerhalb des Mehrschichtsub­ strates 17 Verbindungen durch Durchlochelektroden (nicht gezeigt), etc., vorgesehen.

Die Fig. 7A bis 7H und die Fig. 8A bis 8F sind Draufsichten der Mehrzahl von dielektrischen Schichten, die das Mehr­ schichtsubstrat 17 der in Fig. 6 gezeigten zusammengesetz­ ten Hochfrequenzeinheit 12 definieren. Fig. 8G ist eine Un­ teransicht der in Fig. 8F gezeigten dielektrischen Schicht.

Das Mehrschichtsubstrat 17 wird durch Laminieren einer ers­ ten bis einer vierzehnten dielektrischen Schicht 17a bis 17n in der angegebenen Reihenfolge von oben hergestellt, wobei die Schichten aus Keramik, die im wesentlichen Bari­ umoxid, Aluminiumoxid und Siliziumoxid bzw. Silika enthält, und durch Brennen des Laminats bei einer Brenntemperatur, die nicht höher als 1000°C ist, hergestellt sind.

Die erste dielektrische Schicht 17a umfaßt Flächen La und Leitungen Li, die an der oberen Oberfläche derselben unter Verwendung einer Technik, wie z. B. des Siebdruckes, vorge­ sehen sind. Die Dioden D1a, D1b, D2a und D2b, die Indukto­ ren L21a, L21b, L22a und L22b, die Kondensatoren C21a, C21b, C22a und C22b und die Widerstände Ra, Rb und R sind an den Flächen La angebracht.

In den Fig. 7G, 8B und 8C sind an den oberen Oberflächen der siebten, der zehnten und der elften dielektrischen Schicht 17g, 17j und 17k unter Verwendung einer Technik, wie z. B. des Siebdruckers, Streifenleitungselektroden Sp1 bis Sp8 vorgesehen.

In den Fig. 7C bis 7F und 8E sind an den oberen Oberflächen der dritten bis der sechsten und der dreizehnten dielektri­ schen Schicht 17c bis 17f und 17m unter Verwendung einer Technik, wie z. B. des Siebdruckes, Kondensatorelektroden Cp1 bis Cp15 vorgesehen.

In den Fig. 7C, 7H, 8D und 8F sind an den oberen Oberflä­ chen der dritten, der achten, der zwölften und der vier­ zehnten dielektrischen Schicht 17c, 17h, 17l und 17n unter Verwendung einer Technik, wie z. B. des Siebdruckes, Masse­ elektroden Gp1 bis Gp4 vorgesehen.

In Fig. 8G sind an der unteren Oberfläche 17nu der vier­ zehnten dielektrischen Schicht 17n unter Verwendung einer Technik, wie z. B. des Siebdruckes, externe Tore Ta bis Tl aufgedruckt und gebildet.

In den Fig. 7B, 8A und 8B sind an den oberen Oberflächen der zweiten, der neunten und der zehnten dielektrischen Schicht 17b, 17i und 17j unter Verwendung einer Technik, wie z. B. des Siebdruckes, die Leitungen Li vorgesehen, die als Verbinder verwendet werden.

Die Streifenleitungselektroden Sp1 bis Sp8, die Kondensa­ torelektroden Cp1 bis Cp15 und die Masseelektroden Gp1 bis Gp4 sind jeweils durch Leiterschichten definiert.

Die erste bis dreizehnte dielektrische Schicht 17a bis 17m weisen Durchlochelektroden Vh auf, die als Verbinder an vorbestimmten Positionen verwendet werden, um durch die erste bis dreizehnte dielektrische Schicht 17a bis 17m durchzugehen.

Bei dem Diplexer 11 sind die Induktoren L11 und L12 durch die Streifenleitungselektroden Sp7 bzw. Sp6 definiert. Bei den Hochfrequenzschaltern 14a und 14b sind die Induktoren L23a bzw. L23b durch die Streifenleitungselektroden Sp4 bzw. Sp3 definiert.

Bei den Hochfrequenzfiltern 15a und 15b sind die Induktoren L31a bzw. L31b durch die Streifenleitungselektroden Sp8 bzw. Sp5 definiert. Bei dem Richtkoppler 16 sind die primä­ re Leitung und die sekundäre Leitung L41 und L42 durch die Streifenleitungselektroden Sp2 bzw. Sp1 definiert.

Bei dem Diplexer 11 ist der Kondensator C11 durch die Kon­ densatorelektrode Cp2, Cp4 und Cp7 definiert; der Kondensa­ tor C12 ist durch die Kondensatorelektroden Cp5, Cp8 und Cp11 definiert; der Kondensator C13 ist durch die Kondensa­ torelektroden Cp15 und die Masseelektrode Gp4 definiert; der Kondensator C14 ist durch die Kondensatorelektroden Cp7 und Cp10 definiert; der Kondensator C15 ist durch die Kon­ densatorelektrode Cp13 und die Masseelektrode Gp4 defi­ niert.

Bei dem Kerbfilter 15a ist der Kondensator C31a durch die Kondensatorelektroden Cp3 und Cp9 definiert, und der Kon­ densator C32a ist durch die Kondensatorelektrode Cp14 und die Masseelektrode Gp4 definiert. Bei dem Kerbfilter 15b ist der Kondensator C31b durch die Kondensatorelektroden Cp1 und Cp6 definiert, und der Kondensator C32b ist durch die Kondensatorelektrode Cp12 und die Masseelektrode Gp4 definiert.

Nachfolgend wird ein Betrieb der zusammengesetzten Hochfre­ quenzeinheit 12 beschrieben, die in dem in Fig. 1 gezeigten Mobilkommunikationsgerät 10 enthalten ist.

Zum Senden eines DCS-Sendesignals in dem 1,8 GHz-Band wird eine Spannung 3 V an den Steueranschluß Vca des DCS- Hochfrequenzschalters 14a angelegt. Die Dioden D1a und D2a sind dann angeschaltet, und das DCS-Sendesignal wird durch den Hochfrequenzschalter 14a, den Diplexer 13 und den Richtkoppler 16 durchgelassen und dann von der Antenne ANT, die mit dem ersten Tor P1 der zusammengesetzten Hochfre­ quenzeinheit 12 verbunden ist, gesendet.

Zu dieser Zeit wird eine Spannung von 0 V an den Steuer­ anschluß Vcb des GSM-Hochfrequenzschalters 14b angelegt, um die Diode D1b abzuschalten, wodurch verhindert wird, daß GSM-Sendesignale gesendet werden. Der Diplexer 13 verhin­ dert, daß das DCS-Sendesignal zu dem GSM-Sender Txg und dem GSM-Empfänger Rxg durchgelassen wird. Das Kerbfilter 15a, das dem DCS-Hochfrequenzschalter 14a nachfolgt und mit dem DCS-Sender Txd verbunden ist, dämpft eine Verzerrung des DCS-Sendesignales, die durch einen in dem Sender Txd ent­ haltenen Hochleistungsverstärker (nicht gezeigt) bewirkt wird.

Zum Senden eines GSM-Sendesignales in dem 900 MHz-Band wird andererseits eine Spannung von 3 V an den Steueranschluß Vcb des GSM-Hochfrequenzschalters 14b angelegt. Die Dioden D1b und D2b sind dann angeschaltet, und das GSM-Sendesignal wird durch den Hochfrequenzschalter 14b, den Diplexer 13 und den Richtkoppler 16 durchgelassen und von der Antenne ANT, die mit dem ersten Tor P1 der zusammengesetzten Hoch­ frequenzeinheit 12 verbunden ist, gesendet.

Zu dieser Zeit wird eine Spannung von 0 V an den Steuer­ anschluß Vca des DCS-Hochfrequenzschalters 14a angelegt, um die Diode D1a abzuschalten, wodurch verhindert wird, daß DCS-Sendesignale gesendet werden. Der Diplexer 13 verhin­ dert, daß das GSM-Sendesignal zu dem DCS-Sender Txd und dem DCS-Empfänger Rxd durchgelassen wird. Das Kerbfilter 15b, das dem Hochfrequenzschalter 14b nachfolgt und mit dem GSM- Sender Txg verbunden ist, dämpft eine Verzerrung des GSM- Sendesignales, die durch einen in dem Sender Txg enthalte­ nen Hochleistungsverstärker (nicht gezeigt) bewirkt wird.

Als nächstes wird für ein Empfangen von DCS- und GSM- Empfangssignalen eine Spannung von 0 V an den Steue­ ranschluß Vca des DCS-Hochfrequenzschalters 14a angelegt, um die Dioden D1a und D2a abzuschalten, und eine Spannung von 0 V wird an den Steueranschluß Vcb des GSM- Hochfrequenzschalters 14b angelegt, um die Dioden D1b und D2b abzuschalten. Dies verhindert, daß das DCS- Empfangssignal unerwünscht zu dem DCS-Sender Txd durchge­ lassen wird, und verhindert ferner, daß das GSM- Empfangssignal unerwünscht zu dem GSM-Sender Txg durchge­ lassen wird.

Der Diplexer 13 verhindert sowohl, daß DCS-Empfangssignale unerwünscht zu dem GSM-Netzwerk durchgelassen werden, als auch daß GSM-Empfangssignale unerwünscht zu dem DCS- Netzwerk durchgelassen werden.

Ferner sieht ein Mobilkommunikationsgerät des dargestellten Ausführungsbeispieles einen Richtkoppler zwischen einer An­ tenne und einem Diplexer vor, womit separate Richtkoppler für eine Mehrzahl von Kommunikationssystemen eliminiert werden. Folglich erfordert das Mobilkommunikationsgerät ei­ nen einzigen Richtkoppler. Dies liefert eine Vereinfachung bei der Verdrahtung von Sendern, und liefert eine Vereinfa­ chung bei den Herstellungsschritten eines Mobilkommunikati­ onsgerätes um eine kostengünstige Herstellung zu erreichen. Außerdem werden Verluste bei der Verdrahtung stark redu­ ziert, um den Einfügeverlust für ein Senden stark zu redu­ zieren, was ein Hochleistungsmobilkommunikationsgerät zur Folge hat.

Da separate Richtkoppler für eine Mehrzahl von Kommunikati­ onssystemen nicht nötig sind, und das Mobilkommunikations­ gerät einen einzigen Richtkoppler erfordert, wird ein Mo­ bilkommunikationsgerät mit einer stark reduzierten Größe erzielt.

Ferner dämpft ein Kerbfilter, der einem Hochfrequenzschal­ ter nachfolgt und mit einem Sender verbunden ist, eine Ver­ zerrung eines Sendesignales, die durch einen in dem Sender enthaltenen Hochleistungsverstärker bewirkt wird. Dies re­ duziert den Einfügeverlust bei einem Empfänger stark.

Eine zusammengesetzte Hochfrequenzeinheit des dargestellten Ausführungsbeispieles ist durch ein Mehrschichtsubstrat de­ finiert, das durch Laminieren einer Mehrzahl von dielektri­ schen Schichten hergestellt ist, wobei das Mehrschichtsub­ strat einen Diplexer, Hochfrequenzschalter, Kerbfilter und einen Richtkoppler enthält. Dies ermöglicht, daß Verbindun­ gen zwischen dem Diplexer, den Hochfrequenzschaltern, den Kerbfiltern und dem Richtkoppler innerhalb des Mehrschicht­ substrats ausgeführt werden. Deshalb wird eine kompakte zu­ sammengesetzte Hochfrequenzeinheit erreicht, und somit wird ein kompaktes Mobilkommunikationsgerät, das eine solche zu­ sammengesetzte Hochfrequenzeinheit enthält, erreicht.

Ferner sind ein Diplexer, Hochfrequenzschalter, Kerbfilter und ein Richtkoppler in einem Mehrschichtsubstrat enthal­ ten, das durch Laminieren einer Mehrzahl von dielektrischen Schichten hergestellt ist. Dies erleichtert ein Anpassen zwischen dem Richtkoppler und dem Diplexer, zwischen dem Diplexer und den Hochfrequenzschaltern und zwischen den Hochfrequenzschaltern und den Kerbfiltern. Somit ist keine Anpassungsschaltung erforderlich, um eine Anpassung zwi­ schen dem Richtkoppler und dem Diplexer, zwischen dem Diplexer und den Hochfrequenzschaltern und zwischen den Hochfrequenzschaltern und den Kerbfiltern vorzusehen. Dies hat eine noch kompaktere zusammengesetzte Hochfrequenzein­ heit zur Folge.

Ein hierin verwendetes Hochfrequenzfilter ist ein Kerbfil­ ter, das imstande ist, nur in der Umgebung von zweiten und dritten Harmonischen zu dämpfen, deren Dämpfung erwünscht ist, womit der Einfluß auf das Grunddurchlaßband bzw. den Grunddurchlaßbereich reduziert wird. Im Vergleich mit einem Filter, wie z. B. einem Tiefpaßfilter oder einem Bandpaß­ filter zum Dämpfen des gesamten harmonischen Bandes bzw. Bereiches, ist deshalb der Einfügeverlust bei dem Grund­ durchlaßband bzw. Grunddurchlaßbereich stark reduziert, um die Gesamtverluste einer zusammengesetzten Hochfrequenzein­ heit stark zu reduzieren.

Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel umfassen ein Diplexer und ein Kerbfilter jeweils Induktoren und Konden­ satoren; ein Hochfrequenzschalter umfaßt Dioden, Induktoren und Kondensatoren; und ein Richtkoppler umfaßt eine primäre Leitung und eine sekundäre Leitung. Diese Komponenten sind ferner in oder an einem Mehrschichtsubstrat angebracht vor­ gesehen und miteinander durch Verbinder verbunden, die in­ nerhalb des Mehrschichtsubstrates vorgesehen sind. Dies re­ duziert Verluste aufgrund des Verdrahtens zwischen den Kom­ ponenten stark. Somit sind die Gesamtverluste einer zusam­ mengesetzten Hochfrequenzeinheit stark reduziert, während ein Hochleistungsmobilkommunikationsgerät, das eine solche zusammengesetzte Hochfrequenzeinheit enthält, erreicht wird.

Da in einem Mehrschichtsubstrat Streifenleitungselektroden vorgesehen sind, die Induktoren definieren, tritt ferner ein Wellenlängenreduktionseffekt auf, der es ermöglicht, die Länge von Streifenleitungselektroden stark zu reduzie­ ren. Dies reduziert den Einfügeverlust bei den Streifenlei­ tungselektroden stark, wodurch eine kompakte zusammenge­ setzte Hochfrequenzeinheit mit geringem Verlust erreicht wird. Deshalb wird ferner ein kompaktes Hochleistungsmobil­ kommunikationsgerät, das eine solche zusammengesetzte Hoch­ frequenzeinheit enthält, erreicht.

Ferner werden für parallele Sperrspulen und Drosselspulen in Hochfrequenzschaltern Chipspulen mit hohen Q-Faktoren verwendet und an einem Mehrschichtsubstrat angebracht. So­ mit können Chipspulen mit der gleichen Form bei einer Mehr­ zahl von Kommunikationssystemen mit verschiedenen Frequenz­ bändern verwendet werden. Dies ermöglicht, daß der Entwurf abhängig von verschiedenen Frequenzbändern ohne weiteres geändert wird, und daß der Entwurf in einer kürzeren Zeit geändert wird, woraus reduzierte Herstellungskosten resultieren. Die parallelen Sperrspulen und die Drosselspulen mit hohen Q-Faktoren ermöglichen ferner, daß der Durchlaßbereich breiter ist, wodurch geringere Verluste erreicht werden.

Während das dargestellte Ausführungsbeispiel, bei dem ein Mobilkommunikationsgerät und eine zusammengesetzte Hochfre­ quenzeinheit eine Kombination von DCS und GSM verwenden, beschrieben wurde, ist es für einen Fachmann offensicht­ lich, daß die Kombination von DCS und GSM nicht einschrän­ kend ist und andere alternative Kombinationen verwendet werden können. Andere Kombinationen umfassen eine Kombina­ tion von PCS (PCS = "Personal Communication Services") und AMPS (AMPS = "Advanced Mobile Phone Services"), eine Kombi­ nation von DECT (DECT = Digital European Cordless Telepho­ ne") und GSM und eine Kombinatin von PHS (PHS = "Personal Handyphone System") und PDS (PDS = "Personal Digital Cellu­ lar").

Während das dargestellte Ausführungsbeispiel zwei Kommuni­ kationssysteme vorsieht, hätten drei oder mehr Kommunikati­ onssysteme die gleichen Vorteile.

Während eine in einem Mobilkommunikationsgerät verwendete zusammengesetzte Hochfrequenzeinheit bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel aus einem Mehrschichtsubstrat gebildet ist, hätte ein Mobilkommunikationsgerät, das diskrete Kom­ ponenten enthält, die auf ein Schaltungssubstrat gepackt sind, die gleichen Vorteile.

Claims (20)

1. Mobilkommunikationsgerät mit einer Mehrzahl von Kommu­ nikationssystemen, die verschiedene Frequenzbänder un­ terstützen, mit folgenden Merkmalen:
einer Antenne (11);
einem Sender (Txd, Txg) für jedes der Mehrzahl von Kommunikationssystemen;
einem Empfänger (Rxd, Rxg) für jedes der Mehrzahl von Kommunikationssystemen;
einem Diplexer (13) zum Übertragen von Sendesignalen von der Mehrzahl von Kommunikationssystemen zu der An­ tenne (11) und zum Verteilen von über die Antenne (11) empfangenen Empfangssignalen an die Mehrzahl von Kom­ munikationssystemen;
einem Hochfrequenzschalter (14a, 14b) für jedes der Mehrzahl von Kommunikationssystemen, zum Schalten der Signale zwischen dem Sender (Txd, Txg) und dem Empfän­ ger (Rxd, Rxg); und
einem Richtkoppler (16) zum Entnehmen von Teilen der Sendesignale und zum Senden der Ergebnisse an eine au­ tomatische Verstärkungssteuerschaltung, wobei der Richtkoppler (16) zwischen der Antenne (11) und dem Diplexer (13) angeordnet ist.

2. Zusammengesetzte Hochfrequenzeinheit (10), die in ei­ nem Mobilkommunikationsgerät gemäß Anspruch 1 verwen­ det wird, wobei die zusammengesetzte Hochfrequenzein­ heit (10) eine Mikrowellenschaltung umfaßt, welche die Mehrzahl von Kommunikationssystemen trägt, wobei die zusammengesetzte Hochfrequenzeinheit durch ein Mehrschichtsubstrat (17) definiert ist, das durch Laminieren einer Mehrzahl von dielektrischen Schich­ ten (17a, . . ., 17n) hergestellt ist, wobei das Mehr­ schichtsubstrat (17) den Diplexer (13), die Hochfre­ quenzschalter (14a, 14b) und den Richtkoppler (16) aufweist.

3. Zusammengesetzte Hochfrequenzeinheit (10) gemäß An­ spruch 2, bei der der Diplexer (13) ein induktives Element (L11, L12) und ein kapazitives Element (C11, . . ., C15) umfaßt, bei der der Hochfrequenzschalter (14a, 14b) ein Schaltelement (D1a, D2a; D1b, D2b), ein induktives Element (L21a, L22a, L23a; L21b, L22b, L23b) und ein kapazitives Element (C21a, C22a; C21b, C22b) umfaßt und der Richtkoppler (16) eine primäre Leitung (L41) und eine sekundäre Leitung (L42) umfaßt;
wobei das Mehrschichtsubstrat (17) das Schaltelement (D1a, D2a; D1b, D2b), das induktive Element (L11, L12; L21a, L22a, L23a; L21b, L22b, L23b), das kapazitive Element (C11, . . ., C15; C21a, C22a; C21b, C22b), die primäre Leitung (L41) und die sekundäre Leitung (L42) umfaßt; und
wobei das Mehrschichtsubstrat (17) ferner eine Verbin­ dungseinrichtung (Li) zum Verbinden der Schaltelemente (D1a, D2a; D1b, D2b), des induktiven Elementes (L11, L12; L21a, L22a, L23a; L21b, L22b, L23b), des kapazi­ tiven Elementes (C11, . . ., C15; C21a, C22a; C21b, C22b), der primären Leitung (L41) und der sekundären Leitung (L42) umfaßt.

4. Mobilkommunikationsgerät gemäß Anspruch 1, das ferner Hochfrequenzfilter (15a, 15b) aufweist, wobei die Hochfrequenzfilter (15a, 15b) den Hochfrequenzschal­ tern (14a, 14b) nachgeschaltet und mit den Empfängern (Rxd, Rxg) verbunden sind.

5. Zusammengesetzte Hochfrequenzeinheit (10), die in ei­ nem Mobilkommunikationsgerät gemäß Anspruch 4 verwen­ det wird, wobei die zusammengesetzte Hochfrequenzein­ heit (10) eine Mikrowellenschaltung umfaßt, die eine Mehrzahl von Kommunikationssystemen trägt,
wobei die zusammengesetzte Hochfrequenzeinheit (10) durch ein Mehrschichtsubstrat (17) gebildet ist, das durch Laminieren einer Mehrzahl von dielektrischen Schichten (17a, . . ., 17n) hergestellt ist, wobei das Mehrschichtsubstrat (17) den Diplexer (13), die Hoch­ frequenzschalter (14a, 14b) und den Richtkoppler (16) aufweist.

6. Zusammengesetzte Hochfrequenzeinheit (10) gemäß An­ spruch 5, bei der der Diplexer (13) ein induktives Element (L11, L12) und ein kapazitives Element (C11, . . , C15) umfaßt, bei der die Hochfrequenzschalter (14a, 14b) ein Schaltelemente (D1a, D2a; D1b, D2b), ein induktives Element (L21a, L22a, L23a; L21b, L22b, L23b) und ein kapazitives Element (C21a, C22a; C21b, C22b) umfaßt und bei der der Richtkoppler (16) eine primäre Leitung (L41) und eine sekundäre Leitung (L42) umfaßt;
wobei das Mehrschichtsubstrat (17) das Schaltelement (D1a, D2a; D1b, D2b), das induktive Element (L11, L12; L21a, L22a, L23a; L21b, L22b, L23b), das kapazitive Element (C11, . . ., C15; C21a, C22a; C21b, C22b), die primäre Leitung (L41) und die sekundäre Leitung (L42) umfaßt; und
wobei das Mehrschichtsubstrat (17) ferner Verbindungs­ einrichtungen (Li) zum Verbinden des Schaltelementes (D1a, D2a; D1b, D2b), des induktiven Elementes (L11, L12; L21a, L22a, L23a; L21b, L22b, L23b), des kapazi­ tiven Elementes (C11, . . ., C15; C21a, C22a; C21b, C22b), der primären Leitung (L41) und der sekundären Leitung (L42) umfaßt.

7. Mobilkommunikationsgerät gemäß Anspruch 1, bei dem die Mehrzahl von Kommunikationssystemen DCS und GSM um­ faßt.

8. Mobilkommunikationsgerät gemäß Anspruch 1 oder 7, bei dem ein Kerbfilter (15a, 15b) zwischen den Sendern (Txd, Txg) und den Hochfrequenzschaltern (14a, 14b) vorgesehen ist.

9. Mobilkommunikationsgerät gemäß Anspruch 1, 7 oder 8, bei dem der Richtkoppler (16) ein Tor umfaßt.

10. Mobilkommunikationsgerät gemäß Anspruch 1, 7, 8 oder 9, bei dem der Diplexer (13) Induktoren oder induktive Elemente (L11, L12) und Kondensatoren (C11, . . ., C15) umfaßt.

11. Dualband-Zellulartelephongerät mit zwei Kommunikati­ onssystemen, die verschiedene Frequenzbänder unter­ stützen, mit folgenden Merkmalen:
einer Antenne (11);
einem Sender (Txd, Txg) für jedes der beiden Kommuni­ kationssysteme;
einem Empfänger (Rxd, Rxg) für jedes der beiden Kommu­ nikationssysteme;
einem Diplexer (13) zum Übertragen von Sendesignalen von den beiden Kommunikationssystemen an die Antenne (11) und zum Verteilen von über die Antenne (11) emp­ fangenen Empfangssignalen an die beiden Kommunikati­ onssysteme;
einem Hochfrequenzschalter (14a, 14b) für jedes der beiden Kommunikationssysteme, zum Schalten der Signale zwischen den Sendern (Txd, Txg) und den Empfängern (Rxd, Rxg); und
einem Richtkoppler (16) zum Entnehmen von Teilen der Sendesignale und zum Senden der Ergebnisse an eine au­ tomatische Verstärkungssteuerschaltung, wobei der Richtkoppler (16) zwischen der Antenne (11) und dem Diplexer (13) angeordnet ist.

12. Zusammengesetzte Hochfrequenzeinheit (10), die in ei­ nem Dualband-Zellulartelephongerät gemäß Anspruch 11 verwendet wird, wobei die zusammengesetzte Hochfre­ quenzeinheit (10) eine Mikrowellenschaltung umfaßt, welche die beiden Kommunikationssysteme trägt,
wobei die zusammengesetzte Hochfrequenzeinheit (10) durch ein Mehrschichtsubstrat (17) definiert ist, das durch Laminieren einer Mehrzahl von dielektrischen Schichten (17a, . . ., 17n) hergestellt ist, wobei das Mehrschichtsubstrat (17) den Diplexer (13), die Hoch­ frequenzschalter (14a, 14b) und den Richtkoppler (16) aufweist.

13. Zusammengesetzte Hochfrequenzeinheit (10) gemäß An­ spruch 12, bei der der Diplexer (13) ein induktives Element (L11, L12) und ein kapazitives Element (C11, . . , C15) umfaßt, bei der die Hochfrequenzschalter (14a, 14b) ein Schaltelement (D1a, D2a; D1b, D2b), ein induktives Element (L21a, L22a, L23a; L21b, L22b, L23b) und ein kapazitives Element (C21a, C22a; C21b, C22b) umfaßt, und bei der der Richtkoppler (16) eine primäre Leitung (L41) und eine sekundäre Leitung (L42) umfaßt,
wobei das Mehrschichtsubstrat (17) das Schaltelement (D1a, D2a; D1b, D2b), das induktive Element (L11, L12; L21a, L22a, L23a; L21b, L22b, L23b), das kapazitive Element (C11, . . ., C15; C21a, C22a; C21b, C22b), die primäre Leitung (L41) und die sekundäre Leitung (L42) umfaßt, und
wobei das Mehrschichtsubstrat (17) ferner Verbindungs­ einrichtungen (Li) zum Verbinden des Schaltelementes (D1a, D2a; D1b, D2b), des induktiven Elements (L11, L12; L21a, L22a, L23; L21b, L22b, L23b), des kapaziti­ ven Elementes (C11, . . ., C15; C21a, C22a; C21b, C22b), der primären Leitung (L41) und der sekundären Leitung (L42) umfaßt.

14. Dualband-Zellulartelephongerät gemäß Anspruch 11, das ferner Hochfrequenzfilter (15a, 15b) aufweist, wobei die Hochfrequenzfilter (15a, 15b) den Hochfrequenz­ schaltern (14a, 14b) nachfolgen und mit den Empfängern (Rxd, Rxg) verbunden sind.

15. Zusammengesetzte Hochfrequenzeinheit (10), die in ei­ nem Dualband-Zellulartelephongerät gemäß Anspruch 14 verwendet wird, wobei die zusammengesetzte Hochfre­ quenzeinheit (10) eine Mikrowellenschaltung umfaßt, die zwei Kommunikationssysteme trägt,
wobei die zusammengesetzte Hochfrequenzeinheit (10) durch ein Mehrschichtsubstrat (17) gebildet ist, das durch Laminieren einer Mehrzahl von dielektrischen Schichten (17a, . . ., 17n) hergestellt ist, wobei das Mehrschichtsubstrat (17) den Diplexer, die Hochfre­ quenzschalter (14a, 14b) und den Richtkoppler (16) aufweist.

16. Zusammengesetzte Hochfrequenzeinheit gemäß Anspruch 15, bei der der Diplexer (13) ein induktives Element (L11, L12) und ein kapazitives Element (C11, . . ., C15) umfaßt, bei der die Hochfrequenzschalter (14a, 14b) ein Schaltelement (D1a, D2a; D1b, D2b), ein induktives Element (L21a, L22a, L23a; L21b, L22b, L23b) und ein kapazitives Element (C21a, C22a; C21b, C22b) umfaßt und der Richtkoppler (16) eine primäre Leitung (L41), und bei der eine sekundäre Leitung (L42) umfaßt,
wobei das Mehrschichtsubstrat (17) das Schaltelement (D1a, D2a; D1b, D2b), das induktive Element (L11, L12, L21a, L22a, L23a; L21b, L22b, L23b), das kapazitive Element (C11, . . ., C15; C21a, C22a; C21b, C22b), die primäre Leitung (L41) und die sekundäre Leitung (L42) umfaßt, und
wobei das Mehrschichtsubstrat ferner Verbindungsein­ richtungen (Li) zum Verbinden des Schaltelementes (D1a, D2a; D1b, D2b), des induktiven Elementes (L11, L12; L21a, L22a, L23a; L21b, L22b, L23b), des kapazi­ tiven Elementes (C11, . . ., C15; C21a, C22a; C21b, C22b), der primären Leitung (L41) und der sekundären Leitung (L42) umfaßt.

17. Dualband-Zellulartelephongerät gemäß Anspruch 11 oder 14, bei dem die beiden Kommunikationssysteme DCS und GSM umfassen.

18. Dualband-Zellulartelephongerät gemäß Anspruch 11, bei dem ein Kerbfilter (15a, 15b) zwischen den Sendern (Txd, Txg) und den Hochfrequenzschaltern (14a, 14b) vorgesehen ist.

19. Dualband-Zellulartelephongerät gemäß Anspruch 11, 14, 17 oder 18, bei dem der Richtkoppler (16) ein Tor um­ faßt.

20. Dualband-Zellulartelephongerät gemäß Anspruch 11, 14, 17, 18, oder 19 bei dem der Diplexer (13) Induktoren oder induktive Elemente (L11, L12) und Kondensatoren (C11, . . ., C15) umfaßt.