DE10118976A1 - Photoresist-Zusammensetzung für ein Resist-Fließverfahren und Verfahren zur Bildung eines Kontaktlochs unter Verwendung desselben - Google Patents
Photoresist-Zusammensetzung für ein Resist-Fließverfahren und Verfahren zur Bildung eines Kontaktlochs unter Verwendung desselbenInfo
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Abstract
Die vorliegende Erfindung stellt Photoresist-Zusammensetzungen bereit, die in einem Resist-Fließverfahren von Nutzen sind. Die vorliegende Erfindung stellt ebenfalls ein Verfahren zur Bildung eines Kontaktlochmusters unter Verwendung derselben bereit. Das Photoresist-Harz der vorliegenden Erfindung umfaßt insbesondere ein Gemisch von zwei oder mehreren Polymeren. Ein Gemisch eines ersten Copolymers und eines zweiten Copolymers wird vorzugsweise vernetzt, und es wird somit vermieden, daß ein Kontaktloch aufgrund des Überfließens kollabiert, was typischerweise während herkömmlicher Resist-Fließverfahren beobachtet wird. Photoresist-Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung ermöglichen zusätzlich die Bildung von Mustern einheitlicher Größe.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft Photoresist-Zusammensetzungen und ein Verfahren, das
die Photoresist-Zusammensetzungen anwendet. Die vorliegende Erfindung betrifft insbe
sondere Photoresist-Zusammensetzungen, die mehr als ein Polymerpaar umfassen und
Verfahren zu deren Verwendung.
Resist-Fließverfahren werden in einer Vielzahl von industriellen Anwendungen ein
schließlich der Erzeugung von Halbleitervorrichtungen verwendet. Resist-Fließverfahren
werden oftmals in der Herstellung von Halbleitervorrichtungen zur Bildung eines feinen
Kontaktloch-Musters verwendet. Das Resist-Fließverfahren kann verwendet werden, um
ein Kontaktloch-Muster zu erzeugen, das die Auflösung der Belichtungsvorrichtung über
schreitet. Typischerweise wird ein Resist-Fließverfahren angewendet, nachdem unter Ver
wendung eines Photolithographieverfahrens ein Muster auf einem Substrat gebildet wird.
Das Photolithographieverfahren schließt im allgemeinen ein Belichtungsverfahren und ein
Entwicklungsverfahren ein. Das Photolithographie-Verfahren bildet ein Photoresist-
Kontaktloch-Muster mit einer maximalen Auflösung, die derjenigen der Belichtungsvor
richtung gleich ist. Im Resist-Fließverfahren wird dieses anfangs gebildete Muster dann auf
eine Temperatur erhitzt, die höher als die Glasumwandlungstemperatur des Photoresist-
Harzes ist, was bewirkt, daß das Photoresist-Harz fließt. Dieser Fluß des Photoresist-
Harzes reduziert die Größe des Kontaktloches, bis ein feines bzw. präzises Kontaktloch,
das für das Integrationsverfahren notwendig ist, erzielt wird (siehe Fig. 1).
Somit macht es das Resist-Fließverfahren möglich, Kontaktlöcher zu erzielen, die kleiner
als die Auflösung einer Belichtungsvorrichtung sind. Leider kann das Resist-
Fließverfahren ein plötzliches oder exzessives Fließen des Photoresist-Harzes (d. h. "Über
fließen") zur Folge haben, was ein gekrümmtes oder kollabiertes Musterprofil des Kon
taktlochs zur Folge haben kann. Dieses Problem tritt typischerweise bei einer Temperatur
auf, die höher als die Phasenumwandlungstemperatur des Photoresist-Harzes ist.
Das Überfließen kann aufgrund mehrerer Faktoren auftreten, einschließlich einer Emp
findlichkeit des Photoresistes gegenüber Hitze, nicht präziser Temperatursteuerung und
nicht präziser Steuerung der Fließzeit. Als Ergebnis des Überfließens kollabiert das Kon
taktloch-Profil.
Ansätze, das Problem des Überfließens zu lösen, indem das Backverfahren verbessert wur
de, wie beispielsweise die Aufrechterhaltung einer gleichförmigen Backtemperatur
und/oder die Kontrolle der genauen Backzeit, waren überwiegend erfolglos.
Es ist demgemäß eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, Photoresist-
Zusammensetzungen bereitzustellen.
Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Resist-Fließverfahren zur Bil
dung eines Photoresist-Musters unter Verwendung einer derartigen Photoresist-
Zusammensetzung bereitzustellen.
Es eine noch weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Kontaktloch-
Bildung bereitzustellen, das das durch das oben beschriebene Verfahren gebildete Photore
sist-Muster verwendet.
Fig. 1 ist eine schematische Darstellung eines allgemein üblichen Resist-Fließverfahrens.
Fig. 2 ist die DSC der Photoresistpolymere A, B und C, das ein Gemisch von Polymer A
und Polymer B im Verhältnis 1 : 1 ist.
Fig. 3 zeigt ein 200 nm Photoresist-Muster, das unter Verwendung von Resist-A, das Po
lymer A umfasst, erzielt wurde und Muster, die nach dem Resist-Fließverfahren erzielt
wurden.
Fig. 4 zeigt ein 200 nm Photoresist-Muster, das unter Verwendung von Resist-C, das Po
lymer C umfasst, erzielt wurde und Muster, die nach dem Resist-Fließverfahren erzielt
wurden.
Fig. 5 ist eine graphische Darstellung der After Baking Critical Dimension (ABCD) ge
gen die Backzeit unter Verwendung von Resist-A, B und C.
Fig. 6 zeigt eine geätzte Oxidschicht, die ein unterer Teil ist, unter Verwendung eines
50 nm Musters in Fig. 4.
Die vorliegende Erfindung stellt eine Photoresist-Zusammensetzung bereit, die mehr als
zwei Arten von Polymeren umfaßt und Verfahren zur Verwendung derselben. Die vorlie
gende Erfindung stellt insbesondere eine Photoresist-Zusammensetzung bereit, die zur Re
duzierung oder Eliminierung des Überfließens von Photoresist-Harz während eines Resist-
Fließverfahrens in der Lage ist, wodurch vermieden wird, daß ein Kontaktloch-Profil ge
krümmt oder zerstört zu werden.
Während eines Resist-Fließverfahrens unter Verwendung einer herkömmlichen Photore
sist-Zusammensetzung kann ein Kontaktloch-Profil kollabieren, was auf ein exzessives
Photoresist-Harz-Fließen zurückzuführen ist. Dieses Problem wird jedoch in der vorlie
genden Erfindung durch Verwendung einer Photoresist-Zusammensetzung überwunden,
die mehr als zwei Polymere umfaßt, indem man sie einer Vernetzungs-Reaktion unterwirft.
Die Photoresist-Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung umfaßt ein Photoresist-
Harz, das ein Gemisch von mehr als zwei Polymeren mit der Fähigkeit zur Vernetzung,
einen Photosäurebildner und ein organisches Lösungsmittel umfaßt.
Vorzugsweise umfaßt das Photoresist-Harz der vorliegenden Erfindung zwei Polymere:
Ein Polymer mit einer Phenol-Gruppe der nachfolgenden Formel 1 bzw. ein Polymer mit
einer Carbonsäuregruppe der nachfolgenden Formel 2:
wobei
R1 H, (C1-C10) Alkyl oder Aryl ist, und das Verhältnis von a : b 20~80 mol-% : 80~20 mol-% ist.
R1 H, (C1-C10) Alkyl oder Aryl ist, und das Verhältnis von a : b 20~80 mol-% : 80~20 mol-% ist.
wobei
R2 eine säureinstabile Schutzgruppe ist, die aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus tert- Butyl, Tetrahydropyran-2-yl, 2-Methyltetrahydropyran-2-yl, Tetrahydrofuran-2-yl, 2- Methyltetrahydrofuran-2-yl, 1-Methoxypropyl, 1-Methoxy-1-methylethyl, 1-Ethoxypropyl, 1-Ethoxy-1-methylethyl, 1-Methoxyethyl, 1-Ethoxyethyl, 1-tert-Butoxyethyl, 1- Isobutoxyethyl und 2-Acetylmenth-1-yl besteht;
und wobei das Verhältnis von c : d : e 30~70 mol-% : 28-50 mol-% : 2-15 mol-% ist.
R2 eine säureinstabile Schutzgruppe ist, die aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus tert- Butyl, Tetrahydropyran-2-yl, 2-Methyltetrahydropyran-2-yl, Tetrahydrofuran-2-yl, 2- Methyltetrahydrofuran-2-yl, 1-Methoxypropyl, 1-Methoxy-1-methylethyl, 1-Ethoxypropyl, 1-Ethoxy-1-methylethyl, 1-Methoxyethyl, 1-Ethoxyethyl, 1-tert-Butoxyethyl, 1- Isobutoxyethyl und 2-Acetylmenth-1-yl besteht;
und wobei das Verhältnis von c : d : e 30~70 mol-% : 28-50 mol-% : 2-15 mol-% ist.
Bevorzugte erste Copolymere schließen ein, sind jedoch nicht beschränkt auf, das folgende
Polymer der Formel 1a,
bei dem R1 CH3 ist und das Verhältnis von a : b 20~80 mol-% : 80~20 mol-% ist. Bevor
zugte zweite Copolymere schließen ein, sind jedoch nicht beschränkt auf, das folgende
Polymer von Formel 2a:
bei dem R2 t-Butyl ist, und bei dem das Verhältnis von c : d : e: 30~70 mol-% : 28~50 mol-% : 2~15 mol-%
ist.
Vorzugsweise beträgt das Verhältnis von c : d : e 50 mol-% : 43 mol-% : 7 mol-%.
Zusätzlich ist das Verhältnis zwischen dem ersten Copolymer und dem zweiten Copolymer
20~80 Gew.-% : 20~80 Gew.-%, vorzugsweise 50 Gew.-% : 50 Gew.-%.
Der Photosäurebildner und das organische Lösungsmittel für die herkömmliche Photore
sist-Zusammensetzung kann bei Photoresist-Zusammensetzungen der vorliegenden Erfin
dung verwendet werden.
Bevorzugte Photosäurebildner schließen Verbindungen vom Sulfid- und Onium-Typ ein.
Bei einer besonderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist der Photosäure
bildner aus der Gruppe ausgewählt, die aus Diphenyliodidhexafluorphosphat, Diphenylio
didhexafluorarsenat, Diphenyliodidhexafluorantimonat, Diphenyl pmethoxyphenyltriflat,
Diphenyl p-toluenyltriflat, Diphenyl p-isobutylphenyltriflat, Diphenyl p-tert
butylphenyltriflat, Triphenylsulfoniumhexafluorphosphat, Triphenylsulfoniumhexafluorar
senat, Triphenylsulfoniumhexafluorantimonat, Triphenylsulfoniumtriflat, Dibutylnaphthyl
sulfoniumtriflat und Gemischen hiervon besteht. Der Photosäurebilder wird in einer Menge
von 0,05 bis 0,3 Gew.-% des verwendeten Photoresist-Harzes verwendet.
Während eine Vielzahl von organischen Lösungsmittel zur Verwendung in der Photoresist-
Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung geeignet sind, wird das organische Lö
sungsmittel, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Propylenglycolmethyletheracetat,
Ethyllactat, Methyl 3-methoxypropionat, Ethyl 3-ethoxypropionat und Cyclohexanon be
steht, bevorzugt. Die Menge des verwendeten Lösungsmittels liegt vorzugsweise im Be
reich von ungefähr 400% bis ungefähr 800% G/G des Photoresist-Harzes.
Ein weiterer Grundgedanke der vorliegenden Erfindung stellt ein Verfahren zur Herstel
lung eines Photoresist-Musters bereit, das die vorliegenden Schritte umfaßt:
- a) Beschichten eines Substrats eines Halbleiter-Elementes mit der oben be schriebenen Photoresist-Zusammensetzung zur Bildung eines Photore sistfilmes;
- b) Bilden eines ersten Photoresist-Musters unter Verwendung eines Litho graphieverfahrens (vorzugsweise weist das erste Photoresist-Muster eine niedrigere Auflösung als die maximale Auflösung einer Belichtungsvor richtung auf); und
- c) Erzeugen eines zweiten Photoresist-Musters aus dem ersten Photoresist- Muster unter Verwendung eines Resist-Fließ (d. h. Fließ-Back)- Verfahrens.
Während eines Resist-Fließverfahrens unter Verwendung der Photoresist-
Zusammensetzungen, die gemischte Polymere der Formeln 1 und 2 umfassen, verursacht
die Hydroxylgruppe der Verbindung der Formel 1 und die Carbonsäuregruppe der Verbin
dung der Formel 2 eine Esterbildung, wenn Hitze im Fließ-Backverfahren des obigen
Schrittes (c) angewendet wird, d. h., sie werden miteinander vernetzt. Somit fließen die
Photoresist-Zusammensetzung nicht mehr länger und vermeiden ein Kollabieren des Kon
taktloches. Andererseits kann das Vernetzen nicht nur zwischen den oben beispielhaft er
wähnten Verbindungen, sondern auch zwischen der Verbindung von Formel 2 selbst ein
treten.
Die Temperatur des Fließ-Backverfahrens von Schritt (c) liegt typischerweise im Bereich
von ungefähr 140°C bis ungefähr 170°C, der höher ist als die Phasenumwandlungstempe
ratur des Photoresist-Polymers.
Ein noch weiterer Grundgedanke der vorliegenden Erfindung stellt ein Verfahren zur Her
stellung eines Kontaktloches unter Verwendung der oben beschriebenen Photoresist-
Zusammensetzung bereit. Insbesondere wird ein mit der Photoresist-Zusammensetzung der
vorliegenden Erfindung beschichtetes Substrat unter Verwendung des zweiten Photoresist-
Musters (wie oben beschrieben) als einer Ätzmaske zur Bildung des Kontaktloches geätzt.
Wie in Fig. 6 dargestellt ist, wird ein Kontaktloch durch Ätzen einer tiefen Oxidschicht
unter Verwendung des Photoresist-Musters als einer Ätzmaske gebildet, das in einem Re
sist-Fließverfahren der vorliegenden Erfindung gebildet wird.
Eine andere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung stellt ein Halbleiter-Element
bereit, das unter Verwendung der oben beschriebenen Photoresist-Zusammensetzung her
gestellt ist.
Eine noch weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung stellt ein Photoresist-Harz
bereit, das ein gemischtes Polymer von zwei oben beschriebenen Verbindungen umfaßt.
Die vorliegende Erfindung wird nunmehr ausführlicher durch Bezugnahme auf die nach
stehenden Beispiele beschrieben werden, die nicht als einschränkend aufgefaßt werden
sollen.
Unter Verwendung eines 3000 ml Rundkolbens wurden zu 1000 ml wasserfreiem Di
methylformamid (DMF) 120 g Poly(vinylphenol) mit einem Molekulargewicht von 8000,
36 g Vinylether und 0,2 g p-Toluolsulfonsäure zugesetzt. Das Gemisch wurde 24 Stunden
lang unter Rückflußkühlung erhitzt. Das sich ergebende Polymer wurde in Wasser ausge
fällt, filtriert und getrocknet, um das Titel-Polymer der Formel 1a: "Polymer A" (Ausbeute:
80%) zu gewinnen.
Unter Verwendung eines 3000 ml Rundkolbens wurden zu 1000 ml wasserfreiem Di
methylformamid (DMF) 60 g 4-Hydroxystyrol, 55 g t-Butylacrylat, 5 g Acrylsäure und 3,6
AIBN zugesetzt. Das Gemisch wurde 4 Stunden lang bei 67°C unter einer Stickstoffatmo
sphäre gerührt. Ungefähr 900 g DMF wurden unter Verwendung einer Vakuumpumpe ent
fernt und das sich ergebende Polymer wurde in kaltem Wasser ausgefällt und vakuumge
trocknet, um das Titel-Polymer der Formel 2a: "Polymer B" (Molekurgewicht: 8600, Aus
beute: 70%) zu erhalten.
Fig. 2 veranschaulicht die thermisch physikalischen Eigenschaften der Polymere A, B
und C. Hier ist Polymer C ein Mischpolymer der Polymere A und B, das durch Lösen bei
der Polymere im Verhältnis von 50% G/G : 50% G/G in Propylenglykolmethyletheracetat
(PGMEA), Giessen auf eine Petrischale und Trocknen hergestellt wird. Somit ist die Glas
umwandlungstemperatur für Polymer C am Mittelpunkt derjenigen der beiden Polymere A
und B.
Das unter Verwendung des Verfahrens von Beispiel 1 (10 g), Triphenylsulfoniumtriflat
(0,25 g) und Tretamethylammoniumhydroxid (0,03 g) gewonnene Polymer A wurde zu 60 g
PGMEA zugesetzt. Das Gemisch wurde für einen Tag unter Rückflußkühlung erhitzt und
durch eine 0,20 µm Filter filtriert, um die Photoresist-Zusammensetzung: "Resist-A" her
zustellen.
Das unter Verwendung des Verfahrens von Beispiel 2 (10 g) gewonnene Polymer B,
Triphenylsulfoniumtriflat (0,25 g) und Tetramethylammoniumhydroxid (0,03 g) wurden zu
60 g PGMEA zugesetzt. Das Gemisch wurde einen Tag lang unter Rückflußkühlung erhitzt
und durch eine 0,20 µm Filter filtriert, um die Photoresist-Zusammensetzung: "Resist-B"
herzustellen.
Das Polymer A (5 g), das Polymer B (5 g), Triphenylsulfoniumtriflat (0,25 g) und Tetra
methylammoniumhydroxid (0,03 g) wurden zu 60 g PGMEA zugesetzt. Das Gemisch wur
de einen Tag lang unter Rückflußkühlung erhitzt und durch einen 0,20 µm Filter filtriert,
um die Photoresist-Zusammensetzung: "Resist-C" herzustellen.
Ein Wafer wurde mit der Photoresist-Zusammensetzung, Resist-A, gewonnen im Ver
gleichsbeispiel 2, beschichtet, bei 100°C für 90 Sekunden gebacken und unter Verwen
dung einer 0,06 NA KrF Belichtungsvorrichtung (Nikon S5201) belichtet. Die Photoresist-
Zusammensetzung wurde bei 110°C für 90 Sekunden nachgebacken und in 2,38% G/G
wässriger TMAH-Lösung zur Gewinnung eines 200 nm L/S-Musters [siehe Fig. 3(a)]
entwickelt. Das sich ergebende Muster wurde bei 162°C für 90 Sekunden Fließ-gebacken,
um die in den Fig. 3(b) und 3(c) dargestellten Muster zu gewinnen. Es hat sich heraus
gestellt, daß ein Schnitt des Musters nach dem Fließ-Verfahren in einem schlechten Zu
stand war.
Ein Wafer wurde mit der Photoresist-Zusammensetzung, Resist-C, gewonnen im Erfin
dungsbeispiel 1, beschichtet, bei 100°C für 90 Sekunden gebacken und Licht unter Ver
wendung einer 0,06 NA KrF-Belichtungsvorrichtung (Nikon S201) ausgesetzt. Die Photo
resist-Zusammensetzung wurde bei 110°C für 90 Sekunden nachgebacken und in 2,38% G/G
wässriger TMAH-Lösung zur Gewinnung eines 200 nm L/S-Musters [siehe Fig.
4(a)] entwickelt. Das sich ergebende Muster wurde bei 162°C für 90 Sekunden Fließ
gebacken, um die in den Fig. 4(b) und 4(c) und 4(d) dargestellten Muster zu erzielen.
Anders als Resist-A wurde ein exzellenter Schnitt, besonders in vertikaler Richtung, erzielt
und es war möglich, ein Muster zu gewinnen, das sogar 25 nm fein war.
Ein Wafer wurde jeweils mit den hergestellten Resisten-A, B und B beschichtet, 90 Se
kunden lang bei 110°C gebacken und unter Verwendung einer 0,06 NA KrF-
Belichtungsvorrichtung (Nikon S201) gegenüber Licht ausgesetzt. Die Photoresist-
Zusammensetzung wurde bei 110°C für 90 Sekunden nachgebacken und in 2,38% G/G
wässriger TMAH-Lösung zur Gewinnung eines 200 nm L/S-Musters entwickelt. Das sich
ergebende Muster wurde bei 162°C für 0, 10, 20, 30, 60, 90 und 120 Sekunden Fließ
gebacken. Das CD-Ergebnis des Musters ist in Fig. 5 dargestellt. Theoretisch sagt das
experimentelle Beispiel 1 aus, daß, wenn ein Resist-Fließverfahren durchgeführt wird, die
Mustergröße von Resist-A zuerst reduziert werden sollte, dann die von Resist-C und zu
letzt die von Resist-B. Die tatsächlichen experimentellen Ergebnisse zeigen jedoch, daß
Resist-C das langsamste in der Abnahme des Profils ist. Dies bedeutet, daß während des
Backverfahrens bei 162°C eine Vernetzung zwischen Phenol (von Polymer A, das Resist-
A als ein Harz enthält) und Carbonsäure (aus Polymer B, das Resist-B als ein Harz enthält)
eintritt, wodurch das Fließen gestört wird. Deswegen haben die Erfinder herausgefunden,
daß Resist-C aus dem vorliegenden Erfindungsbeispiel 1 die besten Fließeigenschaften von
allen aufweist.
Unter Verwendung eines 50 nm Musters als einer Ätzmaske, das aus dem obigen Erfin
dungsbeispiel 2 gewonnen wurde [siehe Fig. 4(c)], wurde eine tiefere Oxidschicht zur
Bildung eines Kontaktloches, wie in Fig. 6 dargestellt, geätzt.
Photoresist-Zusammensetzungen, die eine Phenolgruppe und eine Carbonsäuregruppe ge
mäß der vorliegenden Erfindung enthalten, verhindern, daß ein Kontaktloch kollabiert, was
üblicherweise durch ein Überfließen während eines Resist-Fließverfahrens verursacht
wird, so daß ein Kontaktloch mit einer kleineren Größe als der Auflösung der Belichtungs
vorrichtung gebildet werden kann.
Die vorhergehende Erörterung der Erfindung wurde zu Veranschaulichungszwecken und
zu Zwecken der Beschreibung dargelegt. Das Vorhergehende soll die Erfindung nicht auf
die Form oder Formen, die hierin offenbart sind, beschränken. Obwohl die Beschreibung
der Erfindung eine Beschreibung einer oder mehrerer Ausführungsformen und bestimmter
Variationen und Modifikationen einschließt, liegen andere Variationen und Modifikationen
innerhalb des Umfangs der Erfindung, wie sie beispielsweise innerhalb der Fähigkeiten
und der Kenntnisse des Fachmanns liegen, nachdem er die vorliegende Offenbarung ver
standen hat. Es ist beabsichtigt, Rechte zu erhalten, die alternative Ausführungsformen bis
zum erlaubten Umfang einschließen, einschließlich Alternativen und bezüglich derjenigen
austauschbare und/oder äquivalente Strukturen, Funktionen, Bereiche oder Schritte, die
beansprucht sind, ob oder ob nicht derartige Alternativen, austauschbare und/oder äquiva
lente Strukturen, Funktionen, Bereiche oder Schritte hierin offenbart sind, und ohne ir
gendeinen patentierbaren Gegenstand der Öffentlichkeit zu widmen.
Claims (13)
1. Photoresist-Zusammensetzung, die ein Photoresist-Harz, einen Photosäurebildner
und ein organisches Lösungsmittel umfaßt, wobei das Photoresist-Harz folgendes umfaßt:
R1 H; (C1-C10) Alkyl oder Aryl ist; und bei der das Verhältnis von a : b 20~80 mol-% : 80~20 mol-% ist
und
R2 eine säureinstabile Schutzgruppe ist;
und bei der das Verhältnis von c : d : e 30~70 mol-% : 28~50 mol-% : 2~15 mol% ist.
- a) Ein erstes Copolymer umfassend eine Verbindung der Formel:
R1 H; (C1-C10) Alkyl oder Aryl ist; und bei der das Verhältnis von a : b 20~80 mol-% : 80~20 mol-% ist
und
- a) ein zweites Copolymer umfassend eine Verbindung der Formel,
R2 eine säureinstabile Schutzgruppe ist;
und bei der das Verhältnis von c : d : e 30~70 mol-% : 28~50 mol-% : 2~15 mol% ist.
2. Photoresist-Zusammensetzung nach Anspruch 1, bei der die Photoresist-
Zusammensetzung für ein Photoresist-Fließverfahren verwendet wird.
3. Photoresist-Zusammensetzung nach Anspruch 1, bei der die säureinstabile
Schutzgruppe aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus tert-Butyl, Tetrahydropyran-2-yl, 2-
Methyltetrahydropyran-2-yl, Tetrahydrofuran-2-yl, 2-Methyltetrahydrofuran-2-yl, 1-
Methoxypropyl, 1-Methoxy-1-methylethyl, 1-Ethoxypropyl, 1-Ethroxy-1-methylethyl, 1-
Methoxyethyl, 1-Ethoxyethyl, 1-tert-Butoxyethyl, 1-Isobutoxyethyl und 2-Acetylmenth-1-
yl besteht.
4. Photoresist-Zusammensetzung nach Anspruch 1, bei der das erste Copoly
mer die Formel,
aufweist, bei der
R1 CH3 ist; und bei der das Verhältnis von a : b 20~80 mol-% : 80~20 mol-% ist
und
bei der das zweite Copolymer die Formel 2a aufweist,
bei der
R2 t-Butyl ist; und bei der das Verhältnis von c : d : e: 30~70 mol-% : 28~50 mol-% : 2~15 mol-% ist.
aufweist, bei der
R1 CH3 ist; und bei der das Verhältnis von a : b 20~80 mol-% : 80~20 mol-% ist
und
bei der das zweite Copolymer die Formel 2a aufweist,
bei der
R2 t-Butyl ist; und bei der das Verhältnis von c : d : e: 30~70 mol-% : 28~50 mol-% : 2~15 mol-% ist.
5. Photoresist-Zusammensetzung nach Anspruch 1, bei der das Verhältnis des
ersten Copolymers zum zweiten Copolymer 20~80% G/G : 20~80% G/G ist.
6. Photoresist-Zusammensetzung nach Anspruch 1, bei der der Photosäure
bildner aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Diphenyliodidhexafluorphosphat, Dipheny
liodidhexafluorarsenat, Diphenyliodidhexafluorantimonat, Diphenyl p-
methoxyphenyltriflat, Diphenyl p-toluenyltriflat, Diphenyl p-isobutylphenyltriflat, Diphe
nyl p-tertbutylphenyltriflat, Triphenylsulfoniumhexafluorphosphat, Triphenylsulfonium
hexafluorarsenat, Triphenylsulfoniumhexafluorantimonat, Triphenylsulfoniumtriflat, Di
butylnaphthylsulfoniumtriflat und Gemischen hiervon besteht.
7. Photoresist-Zusammensetzung nach Anspruch 1, bei der die Menge des
Photosäurebildners von 0,05 bis 0,3% G/G des verwendeten Photoresist-Harzes beträgt.
8. Photoresist-Zusammensetzung nach Anspruch 1, bei der das organische
Lösungsmittel aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Propylenglycolmethyletheracetat,
Ethyllactat, Methyl 3-methoxypropionat, Ethyl 3-Ethoxypropionat und Cyclohexanon be
steht.
9. Photoresist-Zusammensetzung nach Anspruch 1, bei der die Menge des or
ganischen Lösungsmittels von 400 bis 800% G/G des Photoresist-Harzes beträgt.
10. Verfahren zur Bildung eines Photoresist-Musters umfassend die Schritte:
- a) Beschichten eines Substrats eines Halbleiter-Elementes mit der Photore sist-Zusammensetzung nach Anspruch 1 zur Bildung eines Photoresist- Films;
- b) Bilden eines ersten Photoresist-Musters unter Verwendung eines Litho graphieverfahrens und
- c) Erzeugen eines zweiten Photoresist-Musters aus dem ersten Photoresist- Muster unter Verwendung eines Resist-Fließverfahrens.
11. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem das Resist-Fließverfahren ein Er
hitzen des ersten Photoresist-Musters auf eine Temperatur im Bereich von
ungefähr 140 bis ungefähr 170°C umfaßt.
12. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem das erste und zweite Photoresist-
Muster ein Kontaktlochmuster umfaßt.
13. Halbleiter-Element, das durch das Verfahren von Anspruch 10 hergestellt
wurde.
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