DE10123464B4 - Method, computer program and computer program product for testing layout structures of integrated electrical circuits - Google Patents

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Abstract

Verfahren zur Prüfung von Layoutstrukturen von integrierten elektrischen Schaltungen zur Durchführung mit einem Computerprogramm auf einem Computersystem, das wenigstens einen Arbeitsspeicherbereich aufweist,
wobei wenigstens eine als Datei oder Teil einer Datei vorliegende Layoutstruktur (26) in den Arbeitsspeicherbereich ladbar ist, wobei die Layoutstruktur (26) in eine oder mehrere Layoutebenen (33, 34, 35) gegliedert ist, wobei innerhalb der Layoutstruktur (26) zahlreiche Strukturelemente (14, 17, 21, 27, 28, 29) vorgesehen sind,
wobei wenigstens ein in einer Datenbank abgespeichertes Muster (11, 25) in den Arbeitsspeicher ladbar ist, das ein erlaubtes Strukturelement (14, 17, 21, 27, 28, 29) einer integrierten elektrischen Schaltung repräsentiert,
wobei Layoutstrukturen (26) durch Vergleiche mit Mustern (11, 25) auf Übereinstimmungen und/oder auf Abweichungen prüfbar sind, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist:
1) Auswahl wenigstens einer zu prüfenden Layoutebene (33, 34, 35),
2) Auswahl wenigstens eines für eine Überprüfung zu verwendenden Musters (11, 25),...
Method for testing layout structures of integrated electrical circuits for implementation with a computer program on a computer system having at least one memory area,
wherein at least one layout file (26) present as a file or part of a file is loadable into the working memory area, wherein the layout structure (26) is subdivided into one or more layout levels (33, 34, 35), wherein within the layout structure (26) numerous structural elements (14, 17, 21, 27, 28, 29) are provided,
wherein at least one pattern (11, 25) stored in a database can be loaded into the working memory, which represents an allowed structural element (14, 17, 21, 27, 28, 29) of an integrated electrical circuit,
wherein layout structures (26) can be checked for matches and / or deviations by comparisons with patterns (11, 25), the method comprising the following steps:
1) selection of at least one layout level to be checked (33, 34, 35),
2) Selection of at least one pattern to be used for a check (11, 25), ...

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Description

Verfahren Computerprogramm und Computerprogrammprodukt, zur Prüfung von Layoutstrukturen von integrierten elektrischen Schaltungen sowie Datenträger mit diesem Computerprogramm oder Commputerprogrammprodukt.method Computer program and computer program product for testing Layout structures of integrated electrical circuits as well as data carriers with this computer program or computer program product.

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Prüfung von Layoutstrukturen von integrierten elektrischen Schaltungen, bei dem Layoutstrukturen durch Vergleiche mit definierten Mustern auf Übereinstimmung und/oder auf Abweichungen prüfbar sind.The The invention relates to a method for checking layout structures of integrated electrical circuits, in which layout structures by comparison with defined patterns to match and / or on Deviations testable are.

Im Stand der Technik zur Prüfung von Layoutstrukturen von integrierten elektrischen Schaltungen sind vor allem Layout-Verifikationsprogramme bekannt, die anhand von Standard-Operationen wie Abstandmessungen oder booleschen Verknüpfungen aus Layout- oder Maskenebenen neue Ebenen ableiten und diese so erzeugten Ebenen mit starren Regeln, meistens mit identischen Werten für alle Strukturen überprüfen. Die Überprüfung von Layoutstrukturen erfolgt meist durch Kombination einer Vielzahl von Standard-Operationen.in the State of the art for testing of layout structures of integrated electrical circuits especially layout verification programs known the basis of standard operations such as distance measurements or Boolean links from layout or mask layers derive new levels and create these levels with rigid rules, mostly check with identical values for all structures. The review of Layout structures are usually done by combining a variety from standard operations.

Bei der Herstellung von integrierten elektrischen Schaltungen treten Abweichungen auf sowohl durch Toleranzen bei den chemischen Fertigungsprozessen als auch durch Abweichungen, die bei der Projektion von Masken auf die Lackschicht des Halbleiter-Rohlings entstehen und die durch Interferenzerscheinungen aufgrund der sehr geringen im Bereich der Lichtwellenlänge liegenden Strukturabmessungen bedingt sind.at the manufacture of integrated electrical circuits occur Deviations on both tolerances in the chemical manufacturing processes as well as by deviations in the projection of masks the lacquer layer of the semiconductor blank arise and due to interference due to the very small structural dimensions lying in the range of the light wavelength are conditional.

Die Auswirkungen der Interferenzen auf eine bestimmte Struktur hängen dabei immer von der jeweiligen Umgebung ab. Zur Berücksichtigung von Interferenzeffekten beim Design von integrierten elektrischen Schaltungen genügen keine starren Abstandsre geln, stattdessen müssen Strukturabstände und -breiten von der jeweiligen Umgebung abhängige Werte einhalten.The The effects of interference on a particular structure are dependent on this always from the respective environment. To take account of interference effects None are sufficient in the design of integrated electrical circuits rigid spacing rules, instead structure distances and - Adhere to values that are dependent on the respective environment.

Bei den bekannten Verfahren zur Prüfung von Layoutstrukturen von integrierten elektrischen Schaltungen ist von Nachteil, daß komplexe Regeln durch Kombinationen vieler Einzeloperationen beschrieben werden und somit schwer verständlich und schwer wartbar sind. Weiterhin sind Kombinationen aus vielen Operationen viel ineffektiver, als es jeweils eine entsprechende Spezialoperation sein könnte. Dementsprechend erfordert eine derartige Prüfung von Layoutstrukturen viel Laufzeit und viel Speicherplatz.at the known method for testing Layout structures of integrated electrical circuits is of Disadvantage that complex Rules described by combinations of many individual operations become difficult to understand and are difficult to maintain. Furthermore, combinations are many Operations are much more ineffective than any corresponding one Special operation could be. Accordingly requires such an examination of Layout structures have a lot of runtime and a lot of space.

Desweiteren wirkt sich nachteilig aus, daß eine exakte Nachbildung einer zu prüfenden Regel durch die verfügbaren Operationen nicht immer möglich ist. Zudem ist es nie ganz sicher, ob die Beschreibung einer Regel alle Möglichkeiten in den Entwurfsdaten abdeckt. Dadurch können korrekte Layoutstrukturen als fehlerhaft gemeldet werden oder existierende Fehler auf den Layoutstrukturen übersehen werden, was zu defekten Schaltungen führt. Furthermore has a disadvantageous effect that a exact replica of a to be tested Usually by the available Operations not always possible is. Moreover, it is never quite sure if the description of a rule all possibilities covered in the design data. This allows correct layout structures be reported as faulty or existing errors on the Layout structures are overlooked, which leads to defective circuits.

Zudem sind die bekannten Prüfverfahren nur bedingt in der Lage, Strukturabstände und Strukturbreiten mit umgebungsbhängigen Werten zu überprüfen. moreover are the known test methods only conditionally able, structure distances and structure widths with umgebungsbhängigen To check values.

Die US 54 52 224 A zeigt ein Verfahren zur Extraktion von Kapazitäten aus einem Layout einer integrierten Schaltung. Dabei wird eine sogenannte "Timing-Verifikation" durchgeführt, mit welcher der Einfluss der Kapazitäten auf die Signallaufzeiten der in dem Layout dargestellten integrierten Schaltung überprüft wird. Das Layout wird mit Hilfe von Vermessungsschritten verifiziert. Hierzu wird das Layout in sogenannte "Manhattanorientierte Rechtecke" oder zumindest in Dreiecke zerschnitten. Anschließend wird anhand der ausgeschnittenen Rechtecke oder Dreiecke die Fläche ermittelt, aus der sich ein Kondensator ergibt. Daraus lässt sich die Kapazität des Kondensators berechnen.The US 54 52 224 A shows a method for extracting capacitances from an integrated circuit layout. In this case, a so-called "timing verification" is performed with which the influence of the capacitances on the signal propagation times of the integrated circuit shown in the layout is checked. The layout is verified by surveying steps. For this purpose, the layout is cut into so-called "Manhattan-oriented rectangles" or at least triangles. Then, using the cut-out rectangles or triangles, the area from which a capacitor results is determined. From this the capacitance of the capacitor can be calculated.

In der US 57 40 071 A sind ein sogenannter "Schematic-Modifier Editor" sowie ein sogenannter "Shape-Modifier Editor" beschrieben, die so zusammenarbeiten, dass sich Änderungen in den Layoutdaten eines elektrischen Schaltkreises in der Prinzipdarstellung bzw. in dem "Schematic" wiederspiegeln. Dabei werden eine Datei mit einer veränderten Prinzipdarstellung und eine weitere Datei mit einem veränderten Zustand bzw. mit einer veränderten Form erzeugt, die mittels üblichen Verifikationsprogrammen verglichen werden können, um sicherzustellen, dass die Datei mit dem veränderten Zustand den gewünschten Schaltkreis implementiert.In the US 57 40 071 A are described a so-called "Schematic Modifier Editor" and a so-called "Shape Modifier Editor", which work together so that changes in the layout data of an electrical circuit in the schematic representation or in the "Schematic" reflected. In this case, a file with an altered schematic representation and another file with a changed state or with a modified form are generated, which can be compared by means of conventional verification programs to ensure that the file with the changed state implements the desired circuit.

Die US 54 50 331 A beschreibt die Überprüfung der minimalen Pfadweiten von Layoutpolygonen in integrierten Schaltungen, und zwar mit Hilfe der Schritte des "labeling" und des Sortierens von einzelnen Layoutstücken. Dabei wird ein Leitungsstück in einzelne Polygone zerlegt, die mit "labels" a, b, c, d, e und f usw. versehen werden. Diese Polygone werden mit einem schnellen Verfahren ihrer Größe nach sortiert. Zur Überprüfung, ob das betreffende Leitungsstück Layoutvorgaben entspricht, werden die jeweils kleinsten Polygone darauf hin un tersucht, ob sie eine gewisse mindestens erforderliche Breite aufweisen. Wenn das bei den kleinsten Polygonen der Fall ist, dann haben alle Abschnitte der betreffenden Leiterbahn die erforderliche Mindestbreite.The US 54 50 331 A describes the checking of the minimum path lengths of layout polygons in integrated circuits, with the aid of the steps of "labeling" and sorting individual layout pieces. In this case, a line piece is broken down into individual polygons, which are provided with "labels" a, b, c, d, e and f and so on. These polygons are sorted by size using a fast method. In order to check whether the line section in question corresponds to layout specifications, the smallest polygons are then examined whether they have a certain minimum required width. If this is the case for the smallest polygons, then all sections of the relevant trace have the required minimum width.

Die US 60 09 251 A offenbart ein Verfahren zur hierarchischen Verifikation integrierter Schaltungen. Dabei werden Schaltungsteile, die mehrfach verwendet werden, in einer Datenbank mit Indizes versehen und nur ein einziges Mal überprüft. Die Identifikation findet dabei mittels eines "labels" statt. In der US 60 09 251 A ist eine Layoutstruktur in einer Datei vorgesehen, die zahlreiche Strukturelemente aufweist. Diese Strukturelemente werden auf das Vorhandensein identischer Strukturelemente überprüft, wodurch die Größe der die Layoutstruktur wiedergebenden Datei verringert wird, indem von übereinstimmenden Strukturelementen jeweils nur noch eines überprüft wird.The US 60 09 251 A discloses a method for the hierarchical verification of integrated circuits. Circuit parts that are used multiple times are indexed in a database and checked only once. The identification takes place by means of a "label". In the US 60 09 251 A For example, a layout structure is provided in a file that has numerous structural elements. These structural elements are checked for the presence of identical structural elements, which reduces the size of the file representing the layout structure by checking only one of matching structural elements.

In der DE 100 04 599 A1 ist eine Vorrichtung zum Entwerfen von integrierten Halbleiterschaltungen beschrieben, die Transistorlayout- und Verdrahtungsprozesse in der Entwurfsphase der integrierten Halbleiterschaltung ausführt. Diese Vorrichtung umfasst einen Abschnitt zum Einstellen eines dreidimensionalen Bereichs, eines Prioritäts-Bestimmungsabschnitt, einen Gesamtverdrahtungskapazitäts-Bestimmungsabschnitt, einen Verdrahtungs-Implementierungsabschnitt sowie eine Verdrahtungs-Bewertungseinrichtung. Ein von der DE 100 04 599 A1 verfolgtes Ziel ist es dabei, die Vollständigkeit von Drahtverbindungen festzustellen.In the DE 100 04 599 A1 An apparatus for designing semiconductor integrated circuits that performs transistor layout and wiring processes in the design phase of the semiconductor integrated circuit is described. This apparatus comprises a three-dimensional area setting section, a priority determining section, a total wiring capacity determining section, a wiring implementing section, and a wiring evaluator. One of the DE 100 04 599 A1 The pursued goal is to determine the completeness of wire connections.

Die DE 100 40 392 A1 beschreibt eine Musterdatendichte-Untersuchungsvorrichtung und ein Musterdatendichte-Untersuchungsverfahren, welche die Erfassungsgenauigkeit des Musterdaten dichte-Fehlerbereichs verbessern und die Erfassungsergebnisse für einen Entwickler ausgeben sollen, um eine Korrekturoperation ohne eine Erfassung von Musterdatendichte-Fehlerbereichen effizient durchführen zu können. Die Musterdatendichte-Untersuchungsvorrichtung weist zu diesem Zweck eine Musterdatendichte-Berechnungseinrichtung, eine Temporär-Fehlerbereichs-Erfassungseinrichtung und eine Fehlerbereichs-Erfassungseinrichtung auf.The DE 100 40 392 A1 describes a pattern data density inspection apparatus and a pattern data density inspection method which are to improve the detection accuracy of the pattern data density error area and output the detection results to a developer so as to efficiently perform a correction operation without detecting pattern data density error areas. The pattern data density inspection apparatus has, for this purpose, a pattern data density calculating means, a temporary error area detecting means and an error area detecting means.

Es ist Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur Prüfung von Layoustrukturen von integrierten elektrischen Schaltungen bereitzustellen, mit dem Designregeln in den Entwurfsdaten effektiv und fehlerfrei überprüft werden.It The object of the invention is a method for testing layout structures of to provide integrated electrical circuits with the design rules be checked effectively and accurately in the design data.

Diese Aufgabe wird durch den Gegenstand der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den jeweiligen Unteransprüchen.These The object is solved by the subject matter of the independent claims. Advantageous embodiments emerge from the respective subclaims.

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Prüfung von Layoutstrukturen von integrierten elektrischen Schaltungen. Dieses Prüfungsverfahren wird mittels eines Computerprogramms auf einem Computersystem durchgeführt. Das Computersystem weist hierzu wenigstens einen Arbeitsspeicherbereich, wenigstens einen Dauerspeicherbereich und wenigstens eine Datenverarbeitungseinheit auf.The The invention relates to a method for checking layout structures of integrated electrical circuits. This examination procedure is by means of a computer program performed on a computer system. The Computer system has this at least one memory area, at least one permanent storage area and at least one data processing unit on.

Erfindungsgemäß werden erlaubte Strukturelemente von Layoutstrukturen von integrierten elektrischen Schaltungen in einer Muster-Datenbasis vorgegeben. Mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Prüfung von integrierten elektrischen Schaltungen werden die zu untersuchenden Layoutstrukturen durch Vergleiche mit diesen vorgegebenen Mustern auf Übereinstimmungen und/oder auf Abweichungen geprüft.According to the invention allowed structure elements of layout structures of integrated predetermined electrical circuits in a pattern database. By means of the method according to the invention for exam of integrated electrical circuits are the ones to be studied Layout structures by matching these given patterns to matches and / or checked for deviations.

Layoutstrukturen liegen hierfür als Datei oder Teil einer Datei vorzugsweise als GDSII-Datei vor und können in den Arbeitsspeicherbereich geladen werden. Jede Layoutstruktur ist in eine oder mehrere Layoutebenen gegliedert. Innerhalb je einer Layoutebene sind zahlreiche Strukturelementbereiche als geometrische Figuren und den einzelnen Strukturelementbereichen zugeordnete Positions- und Orientierungsinformationen vorgesehen. Strukturelemente ergeben sich aus einer Menge von Strukturelementbereichen und können auf mehreren Layoutebenen vorliegen.layout structures lie for this as a file or part of a file preferably as a GDSII file before and can loaded into the memory area. Every layout structure is divided into one or more layout levels. Within each one Layout level are many structural element areas as geometric Figures and position elements assigned to the individual structural element areas and orientation information provided. Structure elements result themselves out of a lot of structural element areas and can several layout levels.

Ein Muster repräsentiert ein erlaubtes Strukturelement einer Layoutstruktur einer integrierten elektrischen Schaltung und ist in mindestens eine Musterebene gegliedert. Muster können im GDSII-Dateiformat vorliegen und in einer Datenbank abgespeichert sein. Wenigstens ein in einer Datenbank abgespeichertes Muster ist in den Arbeitsspeicher ladbar.One Pattern represents an allowed structural element of a layout structure of an integrated electrical Circuit and is divided into at least one pattern level. template can in the GDSII file format and stored in a database be. At least one pattern stored in a database is loadable into the main memory.

In einem ersten Schritt des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Prüfung von Layoutstrukturen erfolgt eine Auswahl wenigstens einer zu prüfenden Layoutebene einer Layoutstruktur. Diese Auswahl erfolgt automatisch oder durch einen Benutzer. Anschließend erfolgt die Auswahl wenigstens eines für die Überprüfung zu verwendenden Musters. Diese Auswahl erfolgt automatisch oder durch einen Benutzer. Danach erfolgt eine Überprüfung der Strukturelementbereiche innerhalb der ausgewählten Layoutebene mit dem ausgewählten Muster. Hierbei wird jeder Strukturelementbereich mit dem bzw. den ausgewählten Mustern verglichen und diejenigen Strukturelementbereiche, die Übereinstimmungen und/oder Abweichungen aufweisen, werden gemerkt und ausgegeben.In a first step of the method according to the invention for testing Layout structures is a selection of at least one to be checked layout level a layout structure. This selection is automatic or by a user. Subsequently the selection of at least one pattern to be used for the check is made. This selection is done automatically or by a user. After that a review of the Structure element areas within the selected layout layer with the selected pattern. In this case, each structural element area is associated with the selected pattern (s) and those structural element areas that match and / or deviations are noted and output.

Mithilfe der Erfindung können umgebungsabhängige Strukturabstände und/oder Strukturbreiten miteinbeziehende Regeln für das Design und den Aufbau von Strukturelementen sehr einfach, vorzugsweise in einer einzigen Anweisung, beschrieben werden. Damit ergibt sich eine sehr gute Lesbarkeit und Wartbarkeit der Datenbasis für die Überprüfung von Layoutstrukturen von integrierten elektrischen Schaltungen. Die Erfindung ist geeignet für die Prüfung von Layoutstrukturen, die Strukturabmessungen unterhalb der Lichtwellenlänge aufweisen.By means of the invention, environment-dependent structure spacings and / or structure widths including rules for the design and construction of structural elements can be described very simply, preferably in a single instruction. This results in a very good readability and maintainability of the database for the review of layout structures of integrated electrical circuits. The invention is suitable for the examination of layout structures having structure dimensions below the wavelength of light.

Durch die Vorgabe von Mustern ist klar erkennbar, welche Strukturelemente bzw. Strukturelementbereiche erlaubt sind und welche Strukturelemente bzw. Strukturelementbereiche nicht zulässig sind. Somit ist durch das erfindungsgemäße Verfahren eine besonders vorteilhafte Transparenz und Nachvollziehbarkeit der Überprüfung von Layoutstrukturen gegeben.By the specification of patterns is clearly recognizable, which structural elements or structure element areas are allowed and which structural elements or structure element areas are not permitted. Thus is through the inventive method a particularly advantageous transparency and traceability the review of Given layout structures.

Bestimmte Strukturelemente, wie beispielsweise eine Fuse-Struktur, die eine exakt definierte Form aufweisen müssen, sind durch das erfindungsgemäße Verfahren besonders vorteilhaft überprüfbar.Certain Structural elements, such as a fuse structure, which have a well-defined shape have to have are by the method according to the invention particularly advantageous verifiable.

Desweiteren wird durch die Erfindung eine hohe Performance der Überprüfung bereitgestellt. Das erfindungsgemäße Verfahren läuft besonders schnell und speichereffizient ab.Furthermore The invention provides a high performance of the review. The inventive method runs very fast and memory efficient.

Weiterhin gewährleistet die Erfindung eine hohe Flexibilität, da die Parameter für die Prüfung der Layoutstrukturen auf einfache Weise erweitert oder geändert werden können.Farther guaranteed the invention a high flexibility, since the parameters for the examination of the layout structures be easily extended or changed.

In einer Ausführungsform der Erfindung werden die erlaubten Strukturelemente von Layoutstrukturen von integrierten elektrischen Schaltungen in Form von Mustern vorgegeben, wobei sich jedes Muster in ein Basis-Polygon und in ein oder mehrere assoziierte Polygone gliedert.In an embodiment The invention provides the permitted structural elements of layout structures predetermined by integrated electrical circuits in the form of patterns, where each pattern is associated with a base polygon and one or more Polygons divided.

Jedes Muster erstreckt sich auf einer oder mehreren Musterebenen. Jede Musterebene enthält entweder ein Basis-Polygon oder ein bzw. mehrere assoziierte Polygone.each Pattern extends on one or more pattern planes. each Sample level contains either a base polygon or one or more associated polygons.

Ein Layout-Strukturelement weist eine oder mehrere Strukturelementbereiche auf unterschiedlichen Layoutebenen auf.One Layout feature has one or more feature regions on different layout levels.

Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung sind ein oder mehrere Muster für die Überprüfung der Layoutstrukturen auswählbar.According to one embodiment In accordance with the invention, one or more patterns may be selected for review of the layout structures.

Zuerst wird eine ausgewählte erste Layoutebene betrachtet. Alle Strukturelementbereiche der ausgewählten ersten Layoutebene werden ermittelt und auf Übereinstimmung mit dem bzw. den Basis-Polygonen des bzw. der gewählten Muster geprüft. Diejenigen Strukturelementbereiche werden gemerkt, die Übereinstimmung mit dem bzw. den Basis-Polygonen aufweisen.First becomes a selected one considered first layout level. All structural element areas of the selected first Layout level are determined and matched to the or the base polygons of the selected pattern (s). Those Structure element areas are noted, the agreement with or have the base polygons.

Im Falle einer Übereinstimmung eines Basis-Polygons werden die assoziierten Polygone zu einer Überprüfung auf Übereinstimmung herangezogen.in the Case of a match of a base polygon, the associated polygons become a match check used.

Für jeden Strukturelementbereich, bei dem eine Übereinstimmung mit einem Basis-Polygon gefunden wurde, werden auf weiteren Layoutebenen diejenigen Strukturelementbereiche ermittelt, die für eine Überprüfung auf Übereinstimmung mit den assoziierten Polygonen des Musters herangezogen werden. Das sind alle Strukturelementbereiche auf den den assoziierten Polygonen entsprechenden Layoutebenen, deren Abstand von dem betrachteten Strukturelementbereich kleiner ist als die maximale Ausdehnung aller ausgewählten Muster.For each Structure element area in which a match with a base polygon has been found, those structural element areas become on further layout levels determines which match for a check be used with the associated polygons of the pattern. These are all structural element areas on the associated polygons corresponding layout levels whose distance from the considered structure element area is less than the maximum extent of all selected patterns.

Die so ermittelten Strukturelementbereiche der gemerkten Strukturelemente der Layoutstruktur werden auf Übereinstimmungen mit den assoziierten Polygonen der Muster auf den jeweiligen Layoutebenen geprüft.The thus determined structural element areas of the memorized structural elements the layout structure will be on matches with the associated polygons of the patterns on the respective layout levels checked.

In Abweichung von der oben beschriebenen Überprüfung der Layoutstruktur 26 "Ebene für Ebene" ist auch eine "strukturelementweise" Überprüfung denkbar.In Deviation from the above-described review of the layout structure 26 "level by level" is also a "structural element" review conceivable.

Dazu wird zunächst jeder Strukturelementbereich einer ersten ausgewählten Layoutebene mit allen benachbarten Strukturelementbereichen aller weiteren für die Prüfung relevanten Layoutebenen zu einem Strukturelement zusammengefaßt. Als benachbart gelten dabei Strukturelementbereiche, deren Abstand kleiner ist als die maximale Ausdehnung aller Muster.To will be first each tree element area of a first selected layout layer with all adjacent structural element areas of all other relevant for the examination Layout levels combined to form a structure element. When adjacent thereto apply structure element areas whose distance is smaller is the maximum extent of all patterns.

Danach wird von einer ausgewählten ersten Layoutebene ausgegangen. Für jedes Strukturelement wird der zugehörige Strukturelementbereich der ausgewählten ersten Layoutebene auf Übereinstimmung mit dem bzw. den Basis-Polygonen des bzw. der gewählten Muster geprüft. Im Falle einer Übereinstimmung werden anschließend alle Strukturelementbereiche des betrachteten Strukturelements auf den weiteren ausgewählten Layoutebenen auf Übereinstimmung mit dem bzw. den assoziierten Polygonen auf den entsprechenden Musterebenen geprüft. Die Überprüfung wird mit dem nächsten Strukturelementbereich fortgesetzt.After that is selected by a first layout level. For every structural element becomes the associated one Structure element area of the selected first layout level to match with the base polygon (s) of the selected pattern (s) checked. In case of a match will be afterwards all structural element areas of the considered structural element the other selected Layout levels to match checked with the associated polygon (s) on the corresponding pattern planes. The review will with the next structure element area continued.

Schließlich erfolgt die Ausgabe derjenigen Strukturelemente, die Übereinstimmungen sowohl mit den Basis-Polygonen als auch mit den assoziierten Polygonen der Muster auf den jeweiligen Layoutebenen aufweisen, bzw. es werden die nicht übereinstimmenden Strukturelemente als fehlerhaft gemeldet.Finally done the output of those structural elements that match both the base polygons as well as the associated polygons Have patterns on the respective layout levels, or it will be the mismatched Structural elements reported as faulty.

In dieser Ausführungsform ist von Vorteil, daß Regeln für das Design und für den Aufbau von Strukturelementen, die umgebungsabhängige Strukturabstände und Strukturbreiten miteinbeziehen, sehr einfach und sehr transparent beschrieben werden und eine Überprüfung der Layoutstruktur sehr vorteilhaft ermöglicht wird.In this embodiment, it is advantageous that rules for the design and for the construction of structural elements, the environment-dependent Struk include turabstände and structure widths are described very simple and very transparent and a review of the layout structure is very beneficial.

Desweiteren wird ein sehr vorteilhafter zweistufiger Prozeß der Überprüfung gewährleistet, der in einem ersten Schritt durch Basis-Polygone bestimmte Strukturelementbereiche wie beispielsweise Kontakte auf exakte Übereinstimmung prüft und der in einem zweiten Schritt mithilfe von assoziierten Polygonen die Umgebung des betrachteten Strukturelementbereichs überprüft.Furthermore a very advantageous two-stage process of verification is ensured, which in a first Step through basic polygons of specific structural element areas such as For example, checking contacts for exact match and the in a second step, using associated polygons Checked environment of the considered structure element area.

Dementsprechend wird durch diese Ausführungsform der Erfindung eine hohe Flexibilität der Überprüfung der Layoutstruktur bereitgestellt.Accordingly is achieved by this embodiment The invention provides a high flexibility of checking the layout structure.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist ein Muster in zwei oder mehrere Basis-Polygone und in ein oder mehrere assoziierte Polygone gliederbar.According to one another embodiment The invention is a pattern in two or more basic polygons and articulated into one or more associated polygons.

Alle Strukturelementbereiche der ausgewählten Layoutebenen werden ermittelt und auf Übereinstimmung mit dem bzw. den Basis-Polygonen des bzw. der gewählten Muster geprüft. Strukturelementbereiche, die Übereinstimmungen mit den Basis-Polygonen des bzw. der ausgewählten Muster aufweisen, werden gemerkt.All Structure element areas of the selected layout levels are determined and on agreement with the base polygon (s) of the selected pattern (s) checked. Structure element areas that match with the base polygons the selected one Have patterns are noted.

Anschließend werden weitere Strukturelementbereiche auf weiteren Layoutebenen, die den gemerkten Strukturelementbereichen zugeordnet sind, auf Übereinstimmung mit den weiteren Basis-Polygonen des bzw. der ausgewählten Muster geprüft. Übereinstimmungen aufweisende Strukturelementbereiche werden gemerkt.Then be Further structure element areas on further layout levels that correspond to the noted Structural element areas are assigned to match the other Basic polygons the selected one Sample checked. matches having structural element areas are noted.

Danach werden weitere Strukturelementbereiche der gemerkten Strukturelemente auf den jeweiligen Layoutebenen auf Übereinstimmung mit dem bzw. den assoziierten Polygonen des bzw. der ausgewählten Muster geprüft. Bei Übereinstimmung erfolgt die Ausgabe dieser Strukturelemente, bzw. bei Nichtübereinstimmung werden diese Strukturelemente als fehlerhaft gemeldet.After that become further structural element areas of the memorized structural elements on the respective layout levels on agreement with or the associated polygons of the selected pattern (s). If there is a match the output of these structure elements, or if they do not match these structure elements are reported as faulty.

Durch diese Idee der Erfindung können komplexe Strukturelemente als Muster hinterlegt werden. Komplizierte Regeln für das Design und den Aufbau von Strukturelementen, sowie Strukturabstände und Strukturbreiten können sehr vorteilhaft in die Überprüfung der Layoutstruktur miteinbezogen und sehr einfach und sehr transparent beschrieben werden.By this idea of the invention can complex structural elements are deposited as a pattern. complicated Rules for the design and construction of structural elements, as well as structure distances and structure widths can very beneficial in the review of Layout structure included and very simple and very transparent to be discribed.

Desweiteren wird eine sehr speicher- und geschwindigkeitseffiziente Überprüfung von Layoutstrukturen gewährleistet.Furthermore becomes a very memory and speed efficient review of Guaranteed layout structures.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung erfolgt der Vergleich jedes Strukturelementbereichs mit dem zu überprüfenden Basis-Polygon dadurch, daß versucht wird, das Basis-Polygon durch eine Transformation mit dem Strukturelementbereich zur Deckung zu bringen. Diese Transformation kann als eine Verschiebung, als eine Drehung, als eine Spiegelung oder als eine Kombination dieser Transformationen ausgeführt werden. Eine Spiegelung kann durchgeführt werden, indem eine Koordinatenachse als Spiegelachse verwendet wird. Eine Drehung kann um einen Winkel von 45 Grad, von 90 Grad und um ein Vielfaches dieser Winkel erfolgen.According to one another embodiment The invention is the comparison of each structural element area with the base polygon to be checked in that trying goes through the base polygon a transformation with the structural element area to cover bring. This transformation can be considered a shift, as a Rotation, as a reflection or as a combination of these transformations accomplished become. A reflection can be done by a coordinate axis is used as a mirror axis. A rotation can be at an angle of 45 degrees, of 90 degrees and multiples of these angles.

Durch diese Ausführungsform der Erfindung wird eine vorteilhafte Durchführung der Überprüfung erreicht, die unabhängig von der Ausrichtung und der Drehlage der Strukturelemente bzw. der Strukturelementbereiche ist.By this embodiment The invention achieves an advantageous implementation of the verification, which is independent of the orientation and the rotational position of the structural elements or the structural element areas is.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung erfolgt die Überprüfung auf Übereinstimmung jedes Strukturelementbereichs mit einem assoziierten Polygon dadurch, indem das assoziierte Polygon derselben Transformation unterzogen wird, die mit dem Basis-Polygon durchgeführt wurde, das dem assoziierten Polygon zugeordnet ist. Diese Transformation kann als eine Verschiebung, als eine Drehung, als eine Spiegelung oder als eine Kombination dieser Transformationen ausgeführt werden.According to one another embodiment The invention is the verification of compliance each structural element area with an associated polygon thereby, by subjecting the associated polygon to the same transformation that was performed with the base polygon associated with that Polygon is assigned. This transformation can be considered a shift, as a rotation, as a reflection, or as a combination executed these transformations become.

Bei dieser Überprüfung wird festgestellt, ob der Strukturelementbereich mit dem assoziierten Polygon übereinstimmt bzw. ob zwischen dem Strukturelementbereich und dem assoziiertem Polygon eine definierte Beziehung besteht, z.B. daß der Strukturelementbereich das assoziierte Polygon beinhaltet.at this review will determines whether the structural element area associated with the Polygon matches or between the structural element region and the associated one Polygon has a defined relationship, e.g. that the structural element area includes the associated polygon.

Durch diese Ausführungsform der Erfindung ist ein vorteilhafter Vergleich der Strukturelemente bzw. der Strukturelementbereiche mit dem assoziierten Polygon unabhängig von der Drehlage der Layoutstruktur möglich.By this embodiment the invention is an advantageous comparison of the structural elements or the structure element regions with the associated polygon independent of the rotational position of the layout structure possible.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung werden die Layoutstrukturen innerhalb der ausgewählten Layoutebenen derart geprüft, daß systematisch nacheinander alle möglichen Ausschnitte aus den Layoutebenen gebildet werden. Über die komplette Layoutstruktur wird ein "Fenster" bewegt, wobei das Fenster nacheinander alle möglichen Ausschnitte aus der Layoutstruktur erfaßt. Diese Ausschnitte werden mit den Mustern bzw. mit den Basis-Polygonen auf Übereinstimmung geprüft.According to one another embodiment According to the invention, the layout structures become within the selected layout levels so tested that systematically one after the other all possible ones Cutouts are formed from the layout levels. About the complete Layout structure is moved to a "window", the Windows one after another all sorts Clippings from the layout structure detected. These cutouts will be with the patterns or with the base polygons to match checked.

Durch diese Ausführungsform der Erfindung wird eine vollständige und sehr zuverlässige Überprüfung der integrierten elektrischen Schaltung ermöglicht.By this embodiment The invention is a complete and very reliable review of integrated electrical circuit allows.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird vor der Überprüfung der Layoutstruktur eine Vorselektion der zu prüfenden Strukturelemente bzw. der zu prüfenden Strukturbereiche vorgenommen.According to one another embodiment The invention is prior to the review of Layout structure a preselection of the structural elements to be tested or the one to be tested Structural areas made.

Dabei sind Strukturelemente bzw. Strukturelementbereiche auswählbar, die Ähnlichkeiten mit den Mustern bzw. mit den Basis-Polygonen aufweisen. Weiterhin sind Strukturelemente bzw. Strukturelementbereiche auswählbar, die durch ihre Funktion oder durch ihre Beschaffenheit für eine Übereinstimmung mit den Mustern für eine Überprüfung in Frage kommen. Weitere Kriterien für die Auswahl der zu überprüfenden Strukturelememte bzw. Strukturelementbereiche sind denkbar.there are structural elements or structural element areas selectable, the similarities with the patterns or with the base polygons. Furthermore are Structure elements or structure element areas selectable, the by their function or by their nature for a match with the patterns for a check in Question come. Further criteria for the selection of the structural elements to be reviewed or structure element areas are conceivable.

Nur diese vorselektierten Strukturelemente bzw. diese vorselektierten Strukturelementbereiche werden mit den Mustern bzw. mit den Basis-Polygonen auf Übereinstimmung geprüft.Just these preselected structural elements or these preselected Structural element regions become with the patterns or with the basic polygons on agreement checked.

Durch diese Ausführungsform der Erfindung kann eine sehr individuelle und geschwindigkeitsoptimale Überprüfung der integrierten elektrischen Schaltung erreicht werden.By this embodiment The invention can be a very individual and speed-optimal review of integrated electrical circuit can be achieved.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird ein Verfahren zur Überprüfung und Abänderung von Strukturelementen der Layoutstruktur bereitgestellt. Hierbei werden Strukturelementbereiche eines Strukturelements mit einem oder mehreren Basis-Polygonen eines ausgewählten Musters verglichen. Im Falle einer definierten Übereinstimmung eines Strukturelements mit dem zu prüfenden Muster wird das betreffende Strukturelement durch das Muster ersetzt.According to one another embodiment The invention relates to a method for checking and modifying structural elements the layout structure provided. Here are structural element areas a structural element having one or more base polygons of a chosen Pattern compared. In the case of a defined match of a structural element with the sample to be tested the structural element concerned is replaced by the pattern.

Das der Erfindung zugrundeliegende Prinzip der Mustererkennung kann dementsprechend auch für "layout post-processing" eingesetzt werden.The The principle underlying the invention of pattern recognition can accordingly also be used for "layout post-processing".

Durch diese Ausführungsform der Erfindung wird eine sehr benutzerfreundliche Möglichkeit der Überprüfung und sofortigen Abänderung von untersuchten Layoutstrukturen bereitgestellt.By this embodiment The invention becomes a very user-friendly option the review and immediate change provided by examined layout structures.

Die Erfindung ist auch in einem Computerprogramm zur Verifikation von Layoutstrukturen verwirklicht. Das Computerprogramm ist dabei so ausgebildet, daß nach Eingabe der zu überprüfenden Layoutstrukturen und der zu überprüfenden Muster ein erfindungsgemäßes Verfahren ausführbar ist, wobei als Ergebnis des Verfahrens die übereinstimmenden Strukturelemente ausgegeben werden bzw. nicht mit einem Muster übereinstimmende Strukturelemente als Fehler gemeldet werden.The Invention is also in a computer program for the verification of Realizes layout structures. The computer program is like that trained that after Input of the layout structures to be checked and the pattern to be checked inventive method executable is, as a result of the method, the matching structural elements be issued or not consistent with a pattern structural elements be reported as an error.

Die Erfindung betrifft außerdem einen Datenträger mit einem solchen Computerprogramm sowie ein Verfahren, bei dem ein solches Computerprogramm aus einem elektronischen Datennetz wie beispielsweise aus dem Internet auf einen an das Datennetz angeschlossenen Computer heruntergeladen wird.The Invention also relates a disk with such a computer program and a method in which Such a computer program from an electronic data network such as from the Internet to a connected to the data network Computer is downloaded.

Erfindungsgemäß werden zur Berücksichtigung von Interferenzeffekten beim Design von integrierten elektrischen Schaltungen kontext-abhängige Designregeln berücksichtigt und überprüft. Durch die Erfindung sind kontext-abhängige Designregeln in den Entwurfsdaten effektiv und fehlerfrei überprüfbar.According to the invention for consideration of interference effects in the design of integrated electrical Circuits context-dependent design rules considered and checked. By the invention is contextual Design rules in the design data effectively and error-free verifiable.

Kontext-abhängige Designregeln weisen eine hohe Komplexität auf. In den Layoutdaten kommt nur eine begrenzte Anzahl von unterschiedlichen Situationen vor, auf welche die Regeln anzuwenden sind. Durch die Erfindung werden erlaubte Strukturen in einer Muster-Datenbasis vorgegeben und die Designregeln durch Vergleich der Layoutdaten mit den erlaubten Strukturen überprüft.Context-dependent design rules show a high complexity on. There are only a limited number of different layout data Situations to which the rules apply. By the Invention become allowed structures in a pattern database and the design rules by comparing the layout data checked with the allowed structures.

Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung liegt jedes Muster als GDSII-Struktur bzw. GDSII-Zelle vor. Die Basis-Polygone und die assoziierten Polygone sind in jeweils separaten GDSII-Ebenen beschrieben. Die Zuordnung zwischen den Layoutebenen und den Ebenen in der Datei, in der die Muster vorliegen, ist in einer Regeldatei definiert. Die Musterdatei weist ein Raster auf, das mit dem Layoutraster kompatibel ist. Im Falle einer solchen Kompatibilität weist der aus dem Layoutraster und aus dem Musterraster bildbare Quotient einen integer-Wert auf.According to one Embodiment of the invention is any pattern as a GDSII structure or GDSII cell before. The base polygons and the associated polygons are each in separate GDSII levels described. The association between the layout levels and the levels in the file where the patterns are present is in a rules file Are defined. The pattern file has a grid that matches the layout grid is compatible. In the case of such compatibility points the quotient that can be formed from the layout grid and the pattern grid an integer value.

Erfindungsgemäß können für die Überprüfung desselben Strukturelements einer Layoutstruktur mehrere Muster vorgesehen werden. In diesem Fall werden alle Muster nacheinander auf Übereinstimmung mit dem betreffenden Strukturelement überprüft, bis eine Übereinstimmung gefunden wurde oder bis alle Muster ohne Erfolg verglichen wurden.According to the invention for the same Structure element of a layout structure several patterns provided become. In this case, all patterns will match one after the other checked with the relevant structure element until a match was found or until all patterns were compared without success.

Eine hohe Leistung des Computersystems ist für die erfindungsgemäße Überprüfung von integrierten elektrischen Schaltungen förderlich. Durch die nachfolgenden erfindungsgemäßen Eigenschaften wird die Leistung des Computersystems erhöht.A high performance of the computer system is for the inventive review of conducive to integrated electrical circuits. By the following properties of the invention the performance of the computer system is increased.

Die musterbasierten Regeln sind derart aufgebaut, daß sie unabhängig vom hierarchischen Aufbau der Layout-Daten angewendet werden können.The Pattern-based rules are constructed in such a way that they are independent of the hierarchical structure the layout data can be applied.

Wenn mehrere Muster für die Überprüfung einer Layoutstruktur spezifiziert sind, werden diese in benutzerdefinierter Reihenfolge durchlaufen. So können durch den Benutzer die Muster für die wahrscheinlichsten Strukturelemente herausgesucht werden, um eine Regel mit möglichst wenigen Vergleichen zu überprüfen.If several patterns for the review of a Layout structure are specified, these are custom Go through the sequence. So can by the user the patterns for the most likely structural elements are picked out to a rule with as possible to check a few comparisons.

Symmetrien bei Basis-Polygonen und bei assoziierten Polygonen werden berücksichtigt. Bei einem quadratischen Basis-Polygon, das beispielsweise einen Kontakt beschreibt, führen alle möglichen Transformationen zu einem identischen Ergebnis. Deswegen ist in einem solchen Fall nur ein Vergleich pro Strukturelement bzw. pro Strukturelementbereich nötig.symmetries for base polygons and associated polygons are considered. For a square base polygon, for example, a Contact describes, lead all possible transformations to an identical result. That's why in such a case only one comparison per structural element or per structural element area necessary.

Muster, die gleiche Basis-Polygone aufweisen und sich nur durch die assoziierten Polygone unterscheiden, werden zusammen überprüft.Template, have the same basic polygons and are associated only by the ones Polygons are different, are checked together.

Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung kann eine Regeldatei für die Überprüfung von integrierten elektrischen Schaltungen folgendermaßen aufgebaut sein:
outLayer = ifxCheckEnvironment (inLayer, refLayer, patFile "patFile", patLay1, patLay2, patCell "patCell" ["patCell"...] [reverse])
According to a further embodiment of the invention, a control file for checking integrated electrical circuits can be constructed as follows:
outLayer = ifxCheckEnvironment (inLayer, refLayer, patFile "patFile", patLay1, patLay2, patCell "patCell"["patCell" ...] [reverse])

Hierbei ist "outLayer" die Ausgabeebene, die durch die Regeldatei erstellt wird. Alle Basis-Polygone der Eingabeebene "in-Layer", welche die Regel nicht erfüllen, werden in die Ausga beebene "outLayer" kopiert. "inLayer" stellt die zu überprüfende Eingabeebene dar, die als Polygon-Ebene vorhanden ist. "refLayer" stellt eine zweite Eingabeebene dar, die als Polygon-Ebene vorhanden ist. "patFile" beinhaltet den Namen der GDSII-Datei, die alle Muster enthält. "PatLay1" stellt die Musterebene dar, welche die Basis-Polygone beinhaltet, die der Ebene "inLayer" entsprechen. "PatLay2" stellt die Musterebene dar, welche die assoziierte Umgebung bzw. die assoziierten Polygone beinhaltet, welche der Ebene "refLayer" entsprechen. "patCell" beschreibt den Namen einer Musterzelle in der Musterdatei. Eine beliebige Anzahl von Zellnamen ist spezifizierbar. Muster werden in der vorgegebenen Reihenfolge überprüft. Das Hinweiszeichen "reverse" legt fest, daß anstelle der Basis-Polygone, welche die überprüfte Regel nicht erfüllen, alle eingegebenen Strukturelemente bzw. Strukturelementbereiche, die der Regel genügen, in die Ausgabeebene "outLayer" kopiert werden.in this connection is "outLayer" the output level, which is created by the rules file. All base polygons of the Input level "in-layer", which is not the rule fulfill, are copied to the output layer "outLayer". "inLayer" represents the input level to be checked which exists as a polygon layer. "refLayer" represents a second input level which exists as a polygon layer. "patFile" contains the name of the GDSII file, which contains all the patterns. "PatLay1" represents the pattern level representing the base polygons corresponding to the in-layer layer. "PatLay2" represents the pattern level representing the associated environment or associated polygons which corresponds to the level "refLayer". "patCell" describes the name a pattern cell in the pattern file. Any number of Cell name is specifiable. Patterns are given in the given Order checked. The Indicator "reverse" specifies that instead the base polygons that the rule checked do not fulfill, all entered structural elements or structural element regions, that satisfy the rule, copied to the output layer "outLayer".

Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung weisen alle unter "patCell" enthaltenen Musterzellen genau ein Basis-Polygon auf der Musterebene "patLay1" und ein assoziiertes Polygon auf der Musterebene "patLay1" auf. Komplexere Muster, die verschiedene Basis-Polygone und verschiedene assoziierte Polygone auf unterschiedlichen Musterebenen und auf unterschiedlichen Referenz-Musterebenen aufweisen, können durch die Erfindung verwirklicht werden.According to one embodiment of the invention have all the sample cells contained under "patCell" exactly one base polygon at the pattern level "patLay1" and an associated polygon at the Pattern level "patLay1". complex Patterns that have different base polygons and different associated ones Polygons on different pattern levels and on different ones Reference pattern levels can be realized by the invention.

Für jedes Strukturelement bzw. für jeden Strukturelementbereich der Eingabeebene "inLayer" sucht die Regeldatei Übereinstimmungen aufweisende spezifizierte Musterzellen auf der Musterebene "patLay1" und überprüft, ob das assoziierte Polygon auf der Musterebene "patLay1" von der Eingabeebene "refLayer" umschlossen ist, nachdem es in die korrekte Position transformiert wurde. Eingabepolygone, die keinem Muster und keiner Musterumgebung entsprechen, werden in die Ausgabeebene "outLayer" kopiert.For each Structural element or for Each structure element area of the input layer "inLayer" searches the rule file for matches having specified pattern cells at the pattern level "patLay1" and checking that the associated polygon is enclosed at the pattern level "patLay1" by the input layer "refLayer", after being transformed to the correct position. Input polygons which do not correspond to any pattern and pattern environment copied to the output layer "outLayer".

Durch die Erfindung werden beliebige Formen von Basis-Polygonen und assoziierten Polygonen unterstützt.By The invention will be any forms of basic polygons and associated Polygons supported.

Die erfindungsgemäße Überprüfung von integrierten elektrischen Schaltungen kann erweitert werden, um benutzerdefinierte Verhältnisse zwischen der assoziierten Umgebung eines Basis-Polygons und einer Referenzebene überprüfbar zu machen.The inventive review of Integrated electrical circuits can be extended to custom relationships between the associated environment of a base polygon and a reference plane verifiable to do.

Weiterhin ist bei der erfindungsgemäßen Überprüfung von integrierten elektrischen Schaltungen die zu überprüfende Regel vom Benutzer auswählbar, beispielsweise exakte Übereinstimmung, Beinhaltung, Ausschluß.Farther is in the inventive review of integrated electrical circuits, the rule to be checked by the user selectable, for example exact match, leg position, Exclusion.

Die Erfindung ist in der Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher veranschaulicht.The The invention is illustrated in more detail in the drawing with reference to embodiments.

1 zeigt eine schematische geometrische Darstellung der Layoutdaten eines ersten Leiterbahnverbindungsstücks einer integrierten elektrischen Schaltung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel, 1 shows a schematic geometric representation of the layout data of a first interconnect of an integrated circuit according to a first embodiment,

2 zeigt eine schematische Draufsicht eines zweites Leiterbahnverbindungsstücks einer integrierten elektrischen Schaltung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel, 2 shows a schematic plan view of a second interconnect of an integrated electrical circuit according to the first embodiment,

3 zeigt eine schematische geometrische Darstellung eines ersten Musters zur Prüfung von Layoutstrukturen von integrierten elektrischen Schaltungen, 3 shows a schematic geometric representation of a first pattern for testing layout structures of integrated electrical circuits,

4 zeigt eine schematische geometrische Darstellung eines ersten Strukturelements gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel, 4 shows a schematic geometric representation of a first structural element according to a second embodiment,

5 zeigt eine schematische geometrische Darstellung eines Vergleichs eines zweiten Strukturelements mit dem ersten Muster aus 3 gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel, 5 shows a schematic geometric representation of a comparison of a second structural element with the first pattern 3 according to a third embodiment,

6 zeigt eine schematische geometrische Darstellung eines Vergleichs eines dritten Strukturelements mit dem ersten Muster aus 3 gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel, 6 shows a schematic geometric representation of a comparison of a third structural element with the first pattern 3 according to a fourth embodiment,

7 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines Musters und eine schematische perspektivische Draufsicht einer Layoutstruktur gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel und gemäß einem sechsten Ausführungsbeispiel. 7 shows a schematic perspective view of a pattern and a schematic perspective plan view of a layout structure according to a fifth embodiment and according to a sixth embodiment.

1 zeigt eine schematische geometrische Darstellung der Layoutdaten eines ersten Leiterbahnverbindungsstücks 1 einer integrierten elektrischen Schaltung eines ersten Ausführungsbeispiels. 1 shows a schematic geometric representation of the layout data of a first conductor connecting piece 1 an integrated electrical circuit of a first embodiment.

Im ersten Ausführungsbeispiel gemäß 1 wird die Problematik veranschaulicht, die durch die Erfindung gelöst wird. In 1 wird keine Lösung des der Erfindung zugrundeliegenden Problems erläutert.In the first embodiment according to 1 illustrates the problem that is solved by the invention. In 1 No solution of the problem underlying the invention is explained.

Das in 1 gezeigte erste Leiterbahnverbindungsstück 1 ist Teil einer Layoutstruktur einer integrierten elektrischen Schaltung.This in 1 shown first trace connector 1 is part of a layout structure of an integrated electrical circuit.

Das erste Leiterbahnverbindungsstück 1 gliedert sich in eine erste Leiterbahn 2, in eine zweite Leiterbahn 3, in ein erstes Kontaktstück 4 und in ein zweites Kontaktstück 5.The first trace connector 1 divided into a first trace 2 , in a second track 3 , in a first contact piece 4 and in a second contact piece 5 ,

Das in 1 dargestellte erste Leiterbahnverbindungsstück 1 mit der ersten Leiterbahn 2, mit der zweiten Leiterbahn 3, mit dem ersten Kontaktstück 4 und mit dem zweiten Kontaktstück 5 stellt eine geometrische Abbildung von Layoutdaten dar. Diese Layoutdaten dienen als Grundlage der Herstellung eines entsprechendes Leiterbahnverbindungsstücks einer integrierten elektrischen Schaltung aus einem Halbleiter-Wafer.This in 1 illustrated first trace connector 1 with the first trace 2 , with the second trace 3 , with the first contact piece 4 and with the second contact piece 5 FIG. 12 illustrates a geometric map of layout data. This layout data serves as a basis for fabricating a corresponding trace connector of an integrated electrical circuit from a semiconductor wafer.

Das in 1 dargestellte erste Leiterbahnverbindungsstück 1 weist drei übereinander liegende Ebenen auf, die sich in eine untere Ebene, in eine mittlere Ebene und in eine obere Ebene gliedern.This in 1 illustrated first trace connector 1 has three superimposed levels, which are divided into a lower level, a middle level and an upper level.

Bei einem Querschnitt durch das erste Leiterbahnverbindungsstück 1 befindet sich die zweite Leiterbahn 3 auf der unteren Ebene, das erste Kontaktstück 4 und das zweite Kontaktstück 5 sind auf der mittleren Ebene angeordnet, und die erste Leiterbahn 2 befindet sich auf der oberen Ebene.In a cross section through the first interconnect connector 1 is the second trace 3 on the lower level, the first contact piece 4 and the second contact piece 5 are arranged on the middle level, and the first trace 2 is on the upper level.

Die erste Leiterbahn 2 und die zweite Leiterbahn 3 sind vorgesehen zur Verbindung von Schaltungselementen der integrierten elektrischen Schaltung mittels Stromfluß.The first trace 2 and the second trace 3 are provided for connection of circuit elements of the integrated electrical circuit by means of current flow.

Über das erste Kontaktstück 4 und über das zweite Kontaktstück 5 werden Stromflüsse innerhalb der integrierten elektrischen Schaltung von der ersten Leiterbahn 2 auf die zweite Leiterbahn 3 und von der zweiten Leiterbahn 3 auf die erste Leiterbahn 2 übertragen.About the first contact piece 4 and over the second contact piece 5 Current flows within the integrated electrical circuit from the first trace 2 on the second track 3 and from the second track 3 on the first track 2 transfer.

Zur Verdeutlichung der Auswirkungen von Ungenauigkeiten bei den einzelnen Fertigungsschritten auf die Form und Funktion von integrierten elektrischen Schaltungen sind im Ausführungsbeispiel zwei verschiedene Kontaktstücke vorgesehen. In der praktischen Anwendung ist die Verbindung zweier Leiterbahnen häufig mittels genau eines Kontaktstücks vorgesehen.to Clarification of the effects of inaccuracies in the individual Manufacturing steps on the shape and function of integrated electrical Circuits are two in the embodiment different contact pieces intended. In practical application is the connection of two tracks often by means of exactly one contact piece intended.

Die erste Leiterbahn 2 verläuft geradlinig horizontal und ist als schmale und flache Leitungsschicht vorgesehen, die im Bereich der Verbindung zur zweiten Leiterbahn 3 als Rechteck verbreitert ausgebildet ist.The first trace 2 runs in a straight line horizontally and is provided as a narrow and flat conductor layer, which is in the region of the connection to the second conductor track 3 is designed widened as a rectangle.

Die zweite Leiterbahn 3 verläuft geradlinig vertikal und ist als schmale und flache Leitungsschicht vorgesehen, die im Bereich der Verbindung zur ersten Leiterbahn 2 als Rechteck verbreitert ausgebildet ist.The second track 3 runs in a straight line vertically and is designed as a narrow and flat conductor layer, which is in the area of the connection to the first conductor track 2 is designed widened as a rectangle.

Das erste Kontaktstück 4 und das zweite Kontaktstück 5 sind als quadratische flache Schichten zur Verbindung der ersten Leiterbahn 2 mit der zweiten Leiterbahn 3 ausgebildet, wobei die Kantenlänge der Breite der ersten Leiterbahn 2 bzw. der zweiten Leiterbahn 3 entspricht.The first contact piece 4 and the second contact piece 5 are called square flat layers for connecting the first trace 2 with the second trace 3 formed, wherein the edge length of the width of the first conductor track 2 or the second conductor track 3 equivalent.

Die seitlichen Begrenzungen der ersten Leiterbahn 2, der zweiten Leiterbahn 3, des ersten Kontaktstücks 4 und des zweiten Kontaktstücks 5 sind in der Darstellung der Layoutdaten gemäß 1 als gerade Linien vorgesehen.The lateral boundaries of the first trace 2 , the second track 3 , the first contact piece 4 and the second contact piece 5 are in the layout of the layout data according to 1 intended as straight lines.

In den Layoutdaten des ersten Leiterbahnverbindungsstücks 1 gemäß 1 sind das erste Kontaktstück 4 sowie das zweite Kontaktstück 5 so angeordnet, daß sie sowohl von der ersten Leiterbahn 2 als auch von der zweiten Leiterbahn 3 vollkommen umschlossen werden.In the layout data of the first trace connector 1 according to 1 are the first contact piece 4 and the second contact piece 5 arranged so that they both from the first trace 2 as well as from the second track 3 be completely enclosed.

Im Ausführungsbeispiel gemäß 1 ist das erste Kontaktstück 4 mittig bezüglich der ersten Leiterbahn 2 sowie bezüglich der zweiten Leiterbahn 3 angeordnet und befindet sich an der optimalen Stelle für die Verbindung der ersten Leiterbahn 2 mit der zweiten Leiterbahn 3.In the embodiment according to 1 is the first contact piece 4 centered with respect to the first trace 2 as well as with respect to the second conductor track 3 arranged and located at the optimal location for the connection of the first conductor 2 with the second trace 3 ,

Der Abstand des unteren Rands des ersten Kontaktstücks 4 vom unteren Rand der ersten Leiterbahn 2 sowie der Abstand des oberen Rands des ersten Kontaktstücks 4 vom oberen Rand der ersten Leiterbahn 2 und der Abstand des linken Rands des ersten Kontaktstücks 4 vom linken Rand der zweiten Leiterbahn 3 sowie der Abstand des rechten Rands des ersten Kontaktstücks 4 vom rechten Rand der zweiten Leiterbahn 3 sind als genügend groß ausgebildet.The distance of the lower edge of the first contact piece 4 from the bottom of the first trace 2 and the distance of the upper edge of the first contact piece 4 from the top of the first trace 2 and the distance of the left edge of the first contact piece 4 from the left edge of the second trace 3 and the distance of the right edge of the first contact piece 4 from the right edge of the second conductor track 3 are trained as big enough.

Im Ausführungsbeispiel gemäß 1 ist das zweite Kontaktstück 5 im unteren rechten Bereich der Verbindung der ersten Leiterbahn 2 mit der zweiten Leiterbahn 3 angeordnet. Die Lage des zweiten Kontaktstücks 5 weicht von der optimalen Position ab.In the embodiment according to 1 is this second contact piece 5 in the lower right area of the connection of the first trace 2 with the second trace 3 arranged. The location of the second contact piece 5 deviates from the optimal position.

Der Abstand des unteren Rands des zweiten Kontaktstücks 5 vom unteren Rand der ersten Leiterbahn 2 sowie der Abstand des rechten Rands des zweiten Kontaktstücks 5 vom rechten Rand der zweiten Leiterbahn 3 sind als sehr gering ausgebildet. Der Abstand des oberen Rands des zweiten Kontaktstücks 5 vom oberen Rand der ersten Leiterbahn 2 sowie der Abstand des linken Rands des zweiten Kontaktstücks 5 vom linken Rand der zweiten Leiterbahn 3 sind als genügend groß ausgebildet.The distance of the lower edge of the second contact piece 5 from the bottom of the first trace 2 and the distance of the right edge of the second contact piece 5 from the right edge of the second trace 3 are designed as very low. The distance of the upper edge of the second contact piece 5 from the top of the first trace 2 and the distance of the left edge of the second contact piece 5 from the left edge of the second trace 3 are trained as big enough.

2 zeigt eine schematische Draufsicht eines zweites Leiterbahnverbindungsstücks 6 einer integrierten elektrischen Schaltung eines ersten Ausführungsbeispiels. 2 shows a schematic plan view of a second conductor connecting piece 6 an integrated electrical circuit of a first embodiment.

Im ersten Ausführungsbeispiel gemäß 2 wird die Problematik veranschaulicht, die durch die Erfindung gelöst wird. In 2 wird keine Lösung des der Erfindung zugrundeliegenden Problems erläutert.In the first embodiment according to 2 illustrates the problem that is solved by the invention. In 2 No solution of the problem underlying the invention is explained.

Das zweite Leiterbahnverbindungsstück 6 ist unter Verwendung der geometrischen Layoutdaten des ersten Leiterbahnverbindungsstücks 1 aus 1 auf einem Halbleiter-Wafer gefertigt. Das zweite Leiterbahnverbindungsstück 6 entspricht hinsichtlich der Struktur und des Aufbaus dem ersten Leiterbahnverbindungsstück 1 aus 1.The second trace connector 6 is using the geometric layout data of the first trace connector 1 out 1 made on a semiconductor wafer. The second trace connector 6 In terms of structure and structure, this corresponds to the first trace connector 1 out 1 ,

Das zweite Leiterbahnverbindungsstück 6 gliedert sich in eine dritte Leiterbahn 7, in eine vierte Leiterbahn 8, in ein drittes Kontaktstück 9 und in ein viertes Kontaktstück 10.The second trace connector 6 is divided into a third track 7 , in a fourth track 8th , in a third contact piece 9 and in a fourth contact piece 10 ,

Die dritte Leiterbahn 7, die vierte Leiterbahn 8, das dritte Kontaktstück 9 und das vierte Kontaktstück 10 weisen leitendes Material insbesondere ein Metall oder eine Metall-Legierung auf, und sie entsprechen im Aufbau jeweils der ersten Leiterbahn 2, der zweiten Leiterbahn 3, dem ersten Kontaktstück 4 und dem zweiten Kontaktstück 5.The third track 7 , the fourth track 8th , the third contact piece 9 and the fourth contact piece 10 have conductive material, in particular a metal or a metal alloy, and they correspond in structure each of the first conductor track 2 , the second track 3 , the first contact piece 4 and the second contact piece 5 ,

Die dritte Leiterbahn 7 und die vierte Leiterbahn 8 sind zur Aufnahme und Leitung eines Stromflusses zur Verbindung von Schaltungselementen der integrierten elektrischen Schaltung vorgesehen.The third track 7 and the fourth track 8th are provided for receiving and conducting a current flow for connection of circuit elements of the integrated electrical circuit.

Über das dritte Kontaktstück 9 und über das vierte Kontaktstück 10 werden Stromflüsse innerhalb der integrierten elektrischen Schaltung von der dritten Leiterbahn 7 auf die vierte Leiterbahn 8 und von der vierten Leiterbahn 8 auf die dritte Leiterbahn 7 übertragen.About the third contact piece 9 and over the fourth contact piece 10 Current flows within the integrated electrical circuit from the third trace 7 on the fourth track 8th and from the fourth track 8th on the third track 7 transfer.

Die dritte Leiterbahn 7 verläuft geradlinig horizontal und ist als schmale und flache Leitungsschicht ausgebildet, die im Bereich der Verbindung zur vierten Leiterbahn 8 als Rechteck verbreitert ausgebildet ist.The third track 7 is rectilinear horizontally and is formed as a narrow and flat conductor layer, which in the region of the connection to the fourth interconnect 8th is designed widened as a rectangle.

Die vierte Leiterbahn 8 verläuft geradlinig vertikal und ist als schmale und flache Leitungsschicht ausgeformt, die im Bereich der Verbindung zur dritten Leiterbahn 8 stark verbreitert ausgebildet ist.The fourth trace 8th runs in a straight line vertically and is formed as a narrow and flat conductor layer, which is in the area of the connection to the third conductor track 8th is formed greatly widened.

Das dritte Kontaktstück 9 und das vierte Kontaktstück 10 sind als flache Schichten ausgebildet. Sie verbinden die dritte Leiterbahn 7 mit der vierten Leiterbahn 8.The third contact piece 9 and the fourth contact piece 10 are formed as flat layers. They connect the third track 7 with the fourth trace 8th ,

Die seitlichen Begrenzungen der dritten Leiterbahn 7, der vierten Leiterbahn 8, des dritten Kontaktstücks 9 und des vierten Kontaktstücks 10 weisen fertigungsbedingt Krümmungen auf.The lateral boundaries of the third trace 7 , the fourth track 8th , the third contact piece 9 and the fourth contact piece 10 have production-related curvatures.

Im Ausführungsbeispiel gemäß 2 ist das dritte Kontaktstück 9 derart angeordnet, daß der Abstand des unteren Rands vom unteren Rand der dritten Leiterbahn 7 sowie der Abstand des oberen Rands vom oberen Rand der dritten Leiterbahn 7 und der Abstand des linken Rands vom linken Rand der vierten Lei terbahn 8 sowie der Abstand des rechten Rands vom rechten Rand der vierten Leiterbahn 8 als genügend groß ausgebildet ist.In the embodiment according to 2 is the third contact piece 9 arranged such that the distance of the lower edge from the lower edge of the third conductor track 7 and the distance of the upper edge from the upper edge of the third trace 7 and the distance of the left edge from the left edge of the fourth conductor track 8th and the distance of the right edge from the right edge of the fourth trace 8th is designed as large enough.

Im Ausführungsbeispiel gemäß 2 ist das vierte Kontaktstück 10 derart angeordnet, daß es über den unteren Rand der dritten Leiterbahn 7 und über den rechten Rand der vierten Leiterbahn 8 herauslappt. Der Abstand des oberen Rands des vierten Kontaktstücks 10 vom oberen Rand der dritten Leiterbahn 7 sowie der Abstand des linken Rands des vierten Kontaktstücks 10 vom linken Rand der vierten Leiterbahn 8 sind als genügend groß ausgebildet.In the embodiment according to 2 is the fourth contact piece 10 arranged so that it passes over the lower edge of the third track 7 and over the right edge of the fourth trace 8th herauslappt. The distance of the upper edge of the fourth contact piece 10 from the top of the third track 7 and the distance of the left edge of the fourth contact piece 10 from the left edge of the fourth trace 8th are trained as big enough.

Dementsprechend ist die Kontaktfläche zwischen der dritten Leiterbahn 7 und dem vierten Kontaktstück 10 sowie die Kontaktfläche zwischen dem vierten Kontaktstück 10 und der vierten Leiterbahn 8 kleiner als durch die geometrischen Layoutdaten in 1 bestimmt.Accordingly, the contact surface between the third conductor track 7 and the fourth contact piece 10 and the contact surface between the fourth contact piece 10 and the fourth trace 8th smaller than through the geometric layout data in 1 certainly.

Nachfolgend ist anhand des ersten Ausführungsbeispiels die Problematik veranschaulicht, die durch die Erfindung gelöst wird.following is based on the first embodiment illustrates the problem that is solved by the invention.

Zur Fabrikation integrierter elektrischer Schaltungen werden geometrische Layoutdaten erzeugt und in entsprechende Masken umgesetzt. Anschließend werden Halbleiter-Wafer mit den so erstellten Masken belichtet. Schließlich werden die belichteten Teile des Fotolacks auf dem Halbleiter-Wafer entfernt und mittels chemischer Prozesse die gewünschten Strukturen im Halbleiter produziert.For the production of integrated electrical circuits, geometric layout data are generated and converted into corresponding masks. Subsequently, semiconductor wafers are exposed with the masks thus created. Finally, the exposed parts of the photoresist are removed on the semiconductor wafer and by means of chemical processes ge Wanted to produce structures in the semiconductor.

Im dem ersten Ausführungsbeispiel sind die geometrischen Layoutdaten des ersten Leiterbahnverbindungsstücks 1 gemäß 1 vorgegeben.In the first embodiment, the geometrical layout data of the first trace connector is 1 according to 1 specified.

Basierend auf diesen Layoutdaten wird ein in 2 gezeigtes zweites Leiterbahnverbindungsstück 6 einer integrierten elektrischen Schaltung auf einem Halbleiter-Wafer gefertigt.Based on these layout data, an in 2 shown second trace connector 6 an integrated electrical circuit fabricated on a semiconductor wafer.

Aus den Layoutdaten der ersten Leiterbahn 2 wird die dritte Leiterbahn 7 hergestellt. Aus den Layoutdaten der zweiten Leiterbahn 3 wird die vierte Leiterbahn 8 gefertigt. Aus den Layoutdaten des ersten Kontaktstücks 4 wird das dritte Kontaktstück 9 hergestellt. Aus den Layoutdaten des zweiten Kontaktstücks 5 wird das vierte Kontaktstück 10 gefertigt.From the layout data of the first trace 2 becomes the third track 7 produced. From the layout data of the second trace 3 becomes the fourth trace 8th manufactured. From the layout data of the first contact piece 4 becomes the third contact piece 9 produced. From the layout data of the second contact piece 5 becomes the fourth contact piece 10 manufactured.

Durch Ungenauigkeiten bei den chemischen Fertigungsprozessen und durch Interferenzerscheinungen aufgrund der sehr geringen im Bereich der Lichtwellenlänge liegenden Strukturabmessungen entstehen Abweichungen der gefertigten Strukturen von den geometrischen Layoutdaten. Demzufolge entsprechen die auf dem Halbleiter-Wafer entstehenden Strukturen nie exakt der ursprünglich entworfenen Geometrie.By Inaccuracies in the chemical manufacturing processes and by Interference phenomena due to the very low lying in the range of the light wavelength Structural dimensions cause deviations of the manufactured structures from the geometric layout data. Accordingly, the correspond on the Semiconductor wafer resulting structures never exactly the originally designed Geometry.

Die von Ungenauigkeiten bei den einzelnen Fertigungsschritten herrührenden Abweichungen von den in 1 dargestellten Layoutdaten sind in 2 erkennbar.The deviations from the inaccuracies in the individual production steps from those in 1 Layout data shown are in 2 recognizable.

Die Formen der dritten Leiterbahn 7, der vierten Leiterbahn 8, des dritten Kontaktstücks 9 sowie des vierten Kontaktstücks 10 weichen von den durch die Layoutdaten vorgegebenen Formen der ersten Leiterbahn 2, der zweiten Leiterbahn 3, des ersten Kontaktstücks 4 und des zweiten Kontaktstück 5 ab.The forms of the third trace 7 , the fourth track 8th , the third contact piece 9 and the fourth contact piece 10 deviate from the shapes of the first trace predetermined by the layout data 2 , the second track 3 , the first contact piece 4 and the second contact piece 5 from.

Besonders offensichtlich ist die Abweichung der gefertigten Struktur von den geometrischen Layoutdaten bei dem vierten Kontaktstück 10. Dieses vierte Kontaktstück 10 ist derart angeordnet, daß es über den unteren Rand der dritten Leiterbahn 7 und über den rechten Rand der vierten Leiterbahn 8 überlappt. Somit ist die Kontaktfläche zwischen der dritten Leiterbahn 7 und dem vierten Kontaktstück 10 sowie die Kontaktfläche zwischen dem vierten Kontaktstück 10 und der vierten Leiterbahn 8 kleiner als durch die geometrischen Layoutdaten bestimmt.Particularly evident is the deviation of the fabricated structure from the geometric layout data in the fourth contact piece 10 , This fourth contact piece 10 is arranged so that it over the lower edge of the third conductor track 7 and over the right edge of the fourth trace 8th overlaps. Thus, the contact surface between the third conductor track 7 and the fourth contact piece 10 and the contact surface between the fourth contact piece 10 and the fourth trace 8th smaller than determined by the geometric layout data.

Die fehlende Paßgenauigkeit des vierten Kontaktstücks 10 bewirkt eine Änderung des elektrischen Widerstands des Kontaktstücks 10. Das zweite Leiterbahnverbindungsstück 6 weist somit einen Fehler auf und bewirkt somit eine Unbrauchbarkeit der kompletten elektrischen Schaltung.The missing fit of the fourth contact piece 10 causes a change in the electrical resistance of the contact piece 10 , The second trace connector 6 thus has an error and thus causes uselessness of the entire electrical circuit.

Durch derartige Abweichungen von Bestandteilen der hergestellten integrierten elektrischen Schaltung von den zugrundeliegenden Layoutdaten kann die gesamte integrierte elektrische Schaltung Fehler im Betrieb aufweisen und schlimmstenfalls unbrauchbar sein.By such deviations from components of the manufactured integrated electrical circuit from the underlying layout data can the entire integrated electrical circuit error during operation and unusable in the worst case.

Das erste Ausführungsbeispiel ist hiermit abgeschlossen.The first embodiment is hereby completed.

3 zeigt eine schematische geometrische Darstellung eines ersten Musters 11 zur Prüfung von Layoutstrukturen von integrierten elektrischen Schaltungen. 3 shows a schematic geometric representation of a first pattern 11 for testing layout structures of integrated electrical circuits.

Gemäß der Erfindung sind Muster zur Überprüfung von Layoutstrukturen von integrierten elektrischen Schaltungen vorgesehen.According to the invention are patterns for reviewing Layout structures of integrated electrical circuits are provided.

Muster liegen als Programmcode beschrieben in einer Datenbank vor. Sie sind im selben Format beschrieben wie die Layoutstrukturen von integrierten elektrischen Schaltungen, beispielsweise im GDSII-Datei-Format. Jedes Muster ist dabei häufig in einer eigenen Zelle beschrieben und über den Zellnamen auswählbar.template are described as program code in a database. she are described in the same format as the layout structures of integrated ones electrical circuits, for example in GDSII file format. Each pattern is common described in a separate cell and selectable via the cell name.

Bei der erfindungsgemäßen Überprüfung von Layoutstrukturen von integrierten elektrischen Schaltungen werden Layoutstrukturen anhand von Vergleichen mit hinterlegten Mustern überprüft.at the inventive review of Layout structures of integrated electrical circuits will be Check layout structures based on comparisons with stored patterns.

Jede Layoutstruktur einer integrierten elektrischen Schaltung weist mehrere Layoutebenen auf. Auf jeder Layoutebene sind mehrere Strukturelementbereiche angeordnet. Mehrere Strukturelementbereiche können zu Strukturelementen zusammengefaßt werden. Strukturelemente können sich demzufolge auf mehrere Layoutebenen erstrecken.each Layout structure of an integrated electrical circuit has several Layout levels on. There are several structure element areas at each layout level arranged. Several structure element areas can be combined to form structural elements. Structure elements can Consequently, they extend to several layout levels.

Jedes Muster gliedert sich in ein oder mehrere Basis-Polygone auf einer oder mehreren Musterebenen und in weitere assoziierte Polygone auf einer oder mehreren Musterebenen. Muster können als komplexe Datentypen definiert sein.each Pattern is divided into one or more base polygons on one or more pattern planes and other associated polygons one or more pattern levels. Patterns can be considered complex data types be defined.

Das in 3 gezeigte erste Muster 11 gliedert sich in ein erstes Basis-Polygon 12 und in ein erstes assoziiertes Polygon 13. Das erste Muster 11 umfaßt zwei Musterebenen. Das erste Basis-Polygon 12 liegt auf einer oberen Musterebene vor. Das erste assoziierte Polygon 13 liegt auf einer unteren Muster ebene vor, die als Nachbarebene in bezug auf die obere Musterebene angeordnet ist.This in 3 shown first patterns 11 is divided into a first basic polygon 12 and in a first associated polygon 13 , The first pattern 11 includes two sample levels. The first basic polygon 12 is on an upper pattern level. The first associated polygon 13 lies on a lower pattern level, which is arranged as a neighboring plane with respect to the upper pattern plane.

Das erste Basis-Polygon 12 stellt eine Soll-Kontaktfläche dar. Das erste Basis-Polygon 12 ist mit Kontakten der jeweils zu prüfenden Strukturelementbereiche der Layoutstruktur der jeweiligen elektrischen Schaltung zur Deckung zu bringen. Das erste assoziierte Polygon 13 stellt eine Mindestumgebung der Leiterbahn dar, die auf der integrierten elektrischen Schaltung um die Kontaktfläche eingehalten werden muß.The first basic polygon 12 represents a desired contact surface. The first basic polygon 12 is to be brought to coincide with contacts of the respective structural element regions to be tested of the layout structure of the respective electrical circuit. The first associated polygon 13 represents a minimum environment of the trace, which must be maintained on the integrated electrical circuit around the contact surface.

Das erste assoziierte Polygon 13 ist als horizontal ausgerichtetes Rechteck ausgeformt, dessen Breite ungefähr seiner doppelten Höhe entspricht. Je auf der Mitte der rechten und der linken Seite des ersten assoziierten Polygons 13 sind jeweils nach außen gerichtete und rechteckig geformte Ausbuchtungen angeordnet, die eine Höhe von einem Drittel der Gesamthöhe des ersten assoziierten Polygons 13 und eine Breite von einem Drittel der Gesamtbreite des assoziierten Polygons 13 aufweisen.The first associated polygon 13 is formed as a horizontally oriented rectangle whose width is approximately twice its height. Depending on the middle of the right and left sides of the first associated polygon 13 each outwardly directed and rectangular shaped bulges are arranged, which has a height of one third of the total height of the first associated polygon 13 and a width of one third of the total width of the associated polygon 13 exhibit.

Das erste Basis-Polygon 12 in Draufsicht auf das erste assoziierte Polygon 13 vertikal und horizontal zentriert innerhalb des ersten assoziierten Polygons 13 angeordnet. Das erste Basis-Polygon 12 weist eine Höhe von einem Drittel der Gesamthöhe des ersten assoziierten Polygons 13 und eine Breite von einem Drittel der Gesamtbreite des ersten assoziierten Polygons 13 auf.The first basic polygon 12 in plan view of the first associated polygon 13 vertically and horizontally centered within the first associated polygon 13 arranged. The first basic polygon 12 has a height of one third of the total height of the first associated polygon 13 and a width of one third of the total width of the first associated polygon 13 on.

4 zeigt eine schematische geometrische Darstellung eines ersten Strukturelements 14 eines zweiten Ausführungsbeispiels. 4 shows a schematic geometric representation of a first structural element 14 a second embodiment.

Dieses beispielhafte erste Strukturelement 14 ist Teil einer Layoutstruktur einer integrierten elektrischen Schaltung. Das erste Strukturelement 14 liegt als Teil von Layoutdaten einer integrierten elektrischen Schaltung vor, beispielsweise im GDSII-Datei-Format.This exemplary first structural element 14 is part of a layout structure of an integrated electrical circuit. The first structural element 14 is available as part of layout data of an integrated electrical circuit, for example in GDSII file format.

Das erste Strukturelement 14 gliedert sich in eine erste Kontaktfläche 15 und in eine erste Kontaktflächenumgebung 16. Das erste Strukturelement 14 umfaßt zwei Layoutebenen der gesamten Layoutstruktur der integrierten elektrischen Schaltung. Die erste Kontaktfläche 15 ist auf einer oberen Layoutebene angeordnet. Die erste Kontaktflächenumgebung 16 liegt auf einer unteren Layoutebene vor, die der oberen Layoutebene benachbart angeordnet ist.The first structural element 14 is divided into a first contact area 15 and in a first contact surface environment 16 , The first structural element 14 includes two layout levels of the entire layout structure of the integrated electric circuit. The first contact surface 15 is arranged on an upper layout level. The first contact surface environment 16 is on a lower layout layer that is adjacent to the upper layout layer.

Die erste Kontaktflächenumgebung 16 entspricht in Form und Größe genau dem ersten assoziierten Polygon 13.The first contact surface environment 16 corresponds in shape and size exactly to the first associated polygon 13 ,

Die erste Kontaktfläche 15 ist quadratisch geformt und weist eine Kantenlänge auf, die einem Drittel der Höhe des ersten assoziierten Polygons 13 entspricht. Bezüglich der ersten Kontaktflächenumgebung 16 ist die erste Kontaktfläche 15 in Draufsicht vertikal zentriert und horizontal von der Mitte ausgehend um die Hälfte ihrer Grundfläche nach rechts verschoben angeordnet.The first contact surface 15 is square in shape and has an edge length that is one third of the height of the first associated polygon 13 equivalent. Regarding the first contact surface environment 16 is the first contact surface 15 Vertically centered in plan view and arranged horizontally starting from the center about half its base area shifted to the right.

Die erste Kontaktfläche 15 stimmt in Form und Größe nicht mit dem ersten Basis-Polygon 12 überein.The first contact surface 15 does not match shape and size with the first base polygon 12 match.

Die erste Kontaktflächenumgebung 16 des ersten Strukturelements 14 entspricht in Form und Größe genau dem ersten assoziierten Polygon 13.The first contact surface environment 16 of the first structural element 14 corresponds in shape and size exactly to the first associated polygon 13 ,

Gemäß der Erfindung sind Layoutstrukturen einer integrierten elektrischen Schaltung anhand von Mustern überprüfbar.According to the invention are layout structures of an integrated electrical circuit Can be checked by means of patterns.

Anhand von mehreren Ausführungsbeispielen der Erfindung wird nachfolgend unter Verwendung des ersten Musters 11 für eine integrierte elektrische Schaltung untersucht, ob ein Kontakt eines Strukturelements einer Layoutstruktur einer integrierten elektrischen Schaltung mit dem durch das erste Basis-Polygon 12 des ersten Musters 11 vorgegebenen Kontakt übereinstimmt und ob dieser Kontakt hinreichend von einer mittels des ersten assoziierten Polygons 13 bestimmten Mindestumgebung einer Leiterbahn umschlossen ist.On the basis of several embodiments of the invention is subsequently using the first pattern 11 for an integrated electrical circuit examines whether a contact of a structural element of a layout structure of an integrated electrical circuit with that through the first base polygon 12 of the first pattern 11 given contact and whether this contact sufficiently from a means of the first associated polygon 13 certain minimum environment of a trace is enclosed.

Für die Durchführung der erfindungsgemäßen Überprüfung von Layoutstrukturen sind Regeln definiert.For the implementation of inventive review of Layout structures are defined rules.

Die Regeln beinhalten die zu prüfenden Layoutebenen, gegebenenfalls zusätzliche Referenz-Layoutebenen, eine Liste der gültigen Muster und eine Zuordnung von Layoutebenen zu Musterebenen.The Rules include those to be tested Layout levels, additional if necessary Reference layout levels, a list of valid patterns, and an association from layout levels to pattern levels.

Diejenigen Layoutebenen der Layoutstruktur der integrierten elektrischen Schaltung, auf denen Strukturelementbereiche mit Basis-Polygonen 12 von Mustern verglichen werden, sind festlegbar.Those layout levels of the layout structure of the integrated electric circuit, on which structural element areas with basic polygons 12 of patterns are determinable.

Die Referenz-Layoutebenen stellen diejenigen Layoutebenen dar, deren Strukturelemente auf Übereinstimmungen mit den assoziierten Polygonen geprüft werden. Welche Referenz-Layoutebenen überprüft werden und mit welchen Musterebenen diese jeweils zu vergleichen sind, wird in der Regelbeschreibung festgelegt.The Reference layout levels represent those layout levels whose Structure elements on matches be checked with the associated polygons. Which reference layout levels are checked and with which pattern levels these are to be compared, is specified in the rule description.

In der praktischen Durchführung der Überprüfung der Layoutstrukturen mit Mustern wird je eine Layoutebene einer Layoutstruktur einer integrierten elektrischen Schaltung betrachtet. Zuerst werden alle Strukturelementbereiche der betrachteten Layoutebene ermittelt.In the practical implementation the review of Layout structures with patterns each become a layout layer of a layout structure considered an integrated electrical circuit. Be first all structural element areas of the considered layout level determined.

Nacheinander werden alle Strukturelementbereiche dieser Layoutebene durch Vergleiche mit den Basis-Polygonen der Muster einer Überprüfung auf Übereinstimmung unterzogen. Hierbei wird geprüft, ob die Basis-Polygone durch eine Transformation wie durch eine Verschiebung und/oder durch eine Drehung und/oder durch eine Spiegelung mit dem zu prüfenden Strukturelementbereich zur Deckung zu bringen sind.One after the other, all structural element areas of this layout plane are checked for conformity by comparison with the base polygons of the patterns. In this case, it is checked whether the basic polygons by a transformation such as by a shift and / or by a rotation and / or by a reflection with to bring to be examined structural element area to coincide.

Im Falle der Übereinstimmung werden die entsprechenden Referenz-Layoutebenen betrachtet und die Strukturelementbereiche auf den Referenz-Layoutebenen ermittelt, die den Strukturelementbereichen der Layoutebene zugeordnet sind, die Übereinstimmungen mit den Basis-Polygonen aufweisen. Anschließend werden die assoziierten Polygone für einen Vergleich mit diesen Strukturelementbereichen herangezogen, wobei die assoziierten Polygone denselben Transformationen unterzogen werden, die mit den zugehörigen Basis-Polygonen durchgeführt wurden.in the Trap of agreement the corresponding reference layout levels are considered and the Structure element areas determined on the reference layout levels, that are associated with the structural element regions of the layout layer, the matches having the base polygons. Subsequently, the associated polygons for one Comparison with these structural element areas used, wherein the associated polygons undergo the same transformations Be that with the associated Basic polygons performed were.

Übereinstimmung mit dem Muster aufweisende Strukturelementbereiche werden gemerkt.accordance Patterned feature areas are noted.

Anschließend wird dieser Überprüfungsvorgang für die weiteren Layoutebenen wiederholt.Subsequently, will this verification process for the repeated layout levels.

Für die Überprüfung auf Übereinstimmung ist eine Funktion "match" definierbar, die bei erfolgreichem Vergleich den jeweiligen Strukturelementbereich merkt und nach Abarbeitung aller Strukturelementbereiche die mit den Mustern Übereinstimmung aufweisenden Strukturelemente als Ergebnis ausgibt, bzw. die nicht übereinstimmenden Strukturelemente als Fehler meldet.For checking for compliance is a function "match" definable, the if the comparison is successful, the respective structural element area remembers and after processing all Strukturelementbereiche with match the patterns Outputs structure elements as the result, or the non-matching ones Structural elements reports as errors.

Die Durchführung der Überprüfung mittels einer schrittweisen Abarbeitung der gesamten Layoutebene durch Vergleiche einer Vielzahl von Ausschnitten aus der Layoutebene ist denkbar. Alle Strukturelementbereiche der Layoutstruktur werden hierbei betrachtet.The execution Review by a gradual processing of the entire layout level by comparisons a variety of cutouts from the layout level is conceivable. All structure element areas of the layout structure are considered here.

Weiterhin kann eine Vorauswahl von Strukturelementen getroffen werden. So können ähnliche für eine Übereinstimmung in Frage kommende Strukturelemente bzw. Strukturelementbereiche der Layoutebene für eine Überprüfung vorselektiert und nur diese Strukturelemente bzw. Strukturelementbereiche überprüft werden. Beispielsweise können bei einer Überprüfung von Kontaktstücken nur die Strukturelementbereiche "Kontaktstücke" untersucht werden.Farther a preselection of structural elements can be made. So may be similar for a match eligible structural elements or structural element areas the layout level for preselected a check and only these structural elements or structural element regions are checked. For example, you can in a review of contact pieces only the structural element areas "contact pieces" are examined.

In den nachfolgenden Ausführungsbeispielen der Erfindung werden jeweils zwei Layoutebenen einer Layoutstruktur einer integrierten elektrischen Schaltung betrachtet. Auf der oberen Layoutebene werden alle mit dem ersten Basis-Polygon 12 übereinstimmenden Kontaktflächen gesucht. Auf der benachbarten unteren Layoutebene werden danach die entsprechenden Mindestumgebungen von Leiterbahnen auf Übereinstimmung mit dem assoziierten Polygon 13 geprüft.In the following exemplary embodiments of the invention, two layout levels of a layout structure of an integrated electrical circuit are considered in each case. At the top layout level, all are using the first base polygon 12 searched for matching contact surfaces. At the adjacent lower layout level, thereafter, the corresponding minimum environments of traces are matched to the associated polygon 13 checked.

Als einziges gültiges Muster ist das erste Muster 11 festgelegt.The only valid pattern is the first pattern 11 established.

Als einziges Strukturelement der Layoutebene der im zweiten Ausführungsbeispiel untersuchten Layoutstruktur wird das erste Strukturelement 14 untersucht.The first structural element becomes the only structural element of the layout level of the layout structure investigated in the second exemplary embodiment 14 examined.

Bei diesem ersten Strukturelement 14 wird unter Verwendung des ersten Musters 11 aus 3 untersucht, ob die erste Kontaktfläche 15 mit dem ersten Basis-Polygon 12 übereinstimmt.In this first structural element 14 is using the first pattern 11 out 3 examines whether the first contact surface 15 with the first base polygon 12 matches.

Die erste Kontaktfläche 15 ist weder durch eine zulässige Transformation wie durch eine Verschiebung, durch eine Drehung oder durch eine Spiegelung, noch durch eine Kombination dieser Transformationen mit dem ersten Basis-Polygon 12 zur Deckung zu bringen. Die erste Kontaktfläche 15 ist kleiner als das erste Basis-Polygon 12 und weist zudem eine andere Form auf. Dementsprechend ergibt der Vergleich der ersten Kontaktfläche 15 mit dem ersten Basis-Polygon 12 keine Übereinstimmung.The first contact surface 15 is neither through a permissible transformation such as by a shift, by a rotation or by a reflection, nor by a combination of these transformations with the first base polygon 12 to bring to cover. The first contact surface 15 is smaller than the first base polygon 12 and also has a different shape. Accordingly, the comparison of the first contact surface 15 with the first base polygon 12 no agreement.

Im Fall einer Deckungsgleichheit eines Basis-Polygons mit einer Struktur der integrierten elektrischen Schaltung werden in einem zweiten Schritt die dem Basis-Polygon zugeordneten assoziierten Polygone betrachtet.in the Case of congruence of a base polygon with a structure the integrated electrical circuit are in a second Step the associated polygons associated with the base polygon considered.

Da hier keine Deckungsgleichheit der ersten Kontaktfläche 15 mit dem ersten Basis-Polygon 12 gefunden wurde, endet die Überprüfung für das erste Strukturelement 14 an dieser Stelle.Since here no congruence of the first contact surface 15 with the first base polygon 12 was found, the check for the first structure element ends 14 at this point.

Dementsprechend weist das erste Strukturelement 14 gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel aus 4 keine Übereinstimmung mit dem ersten Muster 11 aus 3 auf und wird als fehlerhaft gemeldet.Accordingly, the first structural element 14 according to the second embodiment 4 no match with the first pattern 11 out 3 on and is reported as faulty.

Das zweite Ausführungsbeispiel ist hiermit abgeschlossen.The second embodiment is hereby completed.

5 zeigt eine schematische geometrische Darstellung eines Vergleichs eines zweiten Strukturelements 17 mit dem ersten Muster 11 aus 3 eines dritten Ausführungsbeispiels. 5 shows a schematic geometric representation of a comparison of a second structural element 17 with the first pattern 11 out 3 a third embodiment.

Das beispielhafte zweite Strukturelement 17 ist Teil einer Layoutstruktur einer integrierten elektrischen Schaltung. Es liegt in Form von Layoutdaten vor, beispielsweise im GDSII-Datei-Format.The exemplary second structural element 17 is part of a layout structure of an integrated electrical circuit. It is in the form of layout data, for example in GDSII file format.

Das zweite Strukturelement 17 gliedert sich in eine zweite Kontaktfläche 18 und in eine zweite Kontaktflächenumgebung 19. Das zweite Strukturelement 17 umfaßt zwei Layoutebenen der gesamten Layoutstruktur der integrierten elektrischen Schaltung. Die zweite Kontaktfläche 18 ist auf einer oberen Layoutebene angeordnet. Die zweite Kontaktflächenumgebung 19 liegt auf einer unteren Layoutebene vor, die der oberen Layoutebene benachbart angeordnet ist.The second structural element 17 is divided into a second contact surface 18 and in a second contact surface environment 19 , The second structural element 17 includes two layout levels of the entire layout structure of the integrated electric circuit. The second contact surface 18 is on an upper one Layout level arranged. The second contact surface environment 19 is on a lower layout layer that is adjacent to the upper layout layer.

Die zweite Kontaktfläche 18 entspricht in Form und Größe dem um 90 Grad gedrehten ersten Basis-Polygon 12.The second contact surface 18 corresponds in shape and size to the first base polygon rotated by 90 degrees 12 ,

Die zweite Kontaktflächenumgebung 19 ist als vertikal ausgerichtetes Rechteck ausgeformt, dessen Höhe ungefähr seiner doppelten Breite entspricht. Auf der Mitte der unteren Seite der zweiten Kontaktflächenumgebung 19 ist eine nach unten gerichtete und rechteckig geformte Ausbuchtung angeordnet, die eine Höhe von einem Drittel der Gesamthöhe der zweiten Kon taktflächenumgebung 19 und eine Breite von einem Drittel der Gesamtbreite der zweiten Kontaktflächenumgebung 19 aufweist.The second contact surface environment 19 is formed as a vertically oriented rectangle whose height is approximately twice its width. At the center of the lower side of the second contact surface environment 19 is arranged a downward and rectangular shaped bulge, the contact surface surrounding a height of one third of the total height of the second Kon 19 and a width of one third of the total width of the second contact surface environment 19 having.

Eine erste Differenzfläche 20 ist auf der Mitte der oberen Seite der zweiten Kontaktflächenumgebung 19 mittig angeordnet und als eine nach oben gerichtete und rechteckig geformte Ausbuchtung ausgebildet, die eine der zweiten Kontaktfläche 18 entsprechenden Höhe und eine Breite von einem Drittel der Gesamtbreite der zweiten Kontaktflächenumgebung 19 aufweist.A first differential area 20 is on the middle of the upper side of the second contact surface environment 19 arranged centrally and formed as an upwardly directed and rectangular shaped bulge, which forms one of the second contact surface 18 corresponding height and a width of one third of the total width of the second contact surface environment 19 having.

Die erste Differenzfläche 20 repräsentiert den Flächenunterschied zwischen der zweiten Kontaktflächenumgebung 19 und dem ersten assoziierten Polygon 13. Das erste assoziierte Polygon 13 weist eine größere Fläche auf als die zweite Kontaktflächenumgebung 19.The first difference surface 20 represents the area difference between the second contact surface environment 19 and the first associated polygon 13 , The first associated polygon 13 has a larger area than the second pad area environment 19 ,

In dem dritten Ausführungsbeispiel gemäß 5 zur erfindungsgemäßen Überprüfung von Layoutstrukturen von integrierten elektrischen Schaltungen wird nachfolgend das zweite Strukturelement 17 mit dem ersten Muster 11 aus 3 verglichen.In the third embodiment according to 5 for the inventive review of layout structures of integrated electrical circuits is hereinafter the second structural element 17 with the first pattern 11 out 3 compared.

Hierbei wird zuerst die zweite Kontaktfläche 18 mit dem ersten Basis-Polygon 12 verglichen.Here, first, the second contact surface 18 with the first base polygon 12 compared.

Die zweite Kontaktfläche 18 wird mittels einer Drehung um 90 Grad mit dem ersten Basis-Polygon 12 zur Deckung gebracht. Dementsprechend ergibt der Vergleich zwischen der zweiten Kontaktfläche 18 und dem ersten Basis-Polygon 12 eine exakte Übereinstimmung.The second contact surface 18 is rotated by 90 degrees with the first base polygon 12 brought to cover. Accordingly, the comparison between the second contact surface 18 and the first base polygon 12 an exact match.

Im Falle der Übereinstimmung der untersuchten Kontaktfläche mit dem Basis-Polygon werden anschließend die den Basis- Polygonen entsprechenden assoziierten Polygone derselben Transformation unterworfen, die bei den entsprechenden Basis-Polygonen durchgeführt worden sind. Anschließend wird die zu untersuchende Struktur der integrierten elektrischen Schaltung einer definierten Prüfung mit dem zugehörigen Muster unterzogen, das ein oder mehrere Basis-Polygone und assoziierte Polygone aufweist.in the Trap of agreement the investigated contact surface the base polygon then becomes the base polygon associated polygons subjected to the same transformation, the at the corresponding base polygons carried out have been. Subsequently becomes the structure under investigation of the integrated electric Circuit of a defined test with the associated Pattern subjected to one or more base polygons and associated polygons having.

Im dritten Ausführungsbeispiel gemäß 5 erfolgt ein Vergleich der zweiten Kontaktflächenumgebung 19 mit dem ersten assoziierten Polygon 13. Die zweite Kontaktflächenumgebung 19 wird derselben Transformation unterworfen, die bei der zweiten Kontaktfläche 18 angewandt wurde.In the third embodiment according to 5 a comparison of the second contact surface environment is made 19 with the first associated polygon 13 , The second contact surface environment 19 is subjected to the same transformation as that at the second contact surface 18 was applied.

Durch Übereinanderlegen der so transformierten zweiten Kontaktflächenumgebung 19 und des ersten assoziierten Polygons 13 ergibt sich eine in 5 gestrichelt dargestellte erste Differenzfläche 20.By superimposing the thus transformed second contact surface environment 19 and the first associated polygon 13 results in a 5 dashed shown first differential area 20 ,

Diese Differenzfläche 20 sagt aus, daß die durch das erste assoziierte Polygon 13 dargestellte Mindestumgebung von der zweiten Kontaktflächenumgebung 19 nicht erfüllt wird. Demzufolge ergibt der Vergleich der zweiten Kontaktflächenumgebung 19 mit dem ersten assoziierten Polygon 13 des ersten Musters 11 aus 3 keine Übereinstimmung.This difference surface 20 states that the polygon associated by the first 13 illustrated minimum environment of the second contact surface environment 19 is not fulfilled. As a result, the comparison of the second contact surface environment 19 with the first associated polygon 13 of the first pattern 11 out 3 no agreement.

Das zweite Strukturelement 17 des dritten Ausführungsbeispiels aus 5 weist keine Übereinstimmung mit dem ersten Muster 11 aus 3 auf und wird somit als Fehler gemeldet.The second structural element 17 of the third embodiment 5 does not match the first pattern 11 out 3 on and is thus reported as an error.

Das dritte Ausführungsbeispiel ist hiermit abgeschlossen.The third embodiment is hereby completed.

6 zeigt eine schematische geometrische Darstellung eines Vergleichs eines dritten Strukturelements 21 mit dem ersten Muster 11 aus 3 eines vierten Ausführungsbeispiels. 6 shows a schematic geometric representation of a comparison of a third structural element 21 with the first pattern 11 out 3 a fourth embodiment.

Das beispielhafte dritte Strukturelement 21 ist Teil einer Layoutstruktur einer integrierten elektrischen Schaltung. Es liegt in Form von Layoutdaten vor, beispielsweise im GDSII-Datei-Format.The exemplary third structural element 21 is part of a layout structure of an integrated electrical circuit. It is in the form of layout data, for example in GDSII file format.

Das dritte Strukturelement 21 gliedert sich in eine dritte Kontaktfläche 22 und in eine dritte Kontaktflächenumgebung 23. Das dritte Strukturelement 21 umfaßt zwei Layoutebenen der gesamten Layoutstruktur der integrierten elektrischen Schaltung. Die dritte Kontaktfläche 22 ist auf einer oberen Layoutebene angeordnet. Die dritte Kontaktflächenumgebung 23 liegt auf einer unteren Layoutebene vor, die der oberen Layoutebene benachbart angeordnet ist.The third structural element 21 is divided into a third contact area 22 and in a third contact surface environment 23 , The third structural element 21 includes two layout levels of the entire layout structure of the integrated electric circuit. The third contact surface 22 is arranged on an upper layout level. The third contact surface environment 23 is on a lower layout layer that is adjacent to the upper layout layer.

Die dritte Kontaktfläche 22 entspricht in Form und Größe dem ersten Basis-Polygon 12.The third contact surface 22 corresponds in shape and size to the first base polygon 12 ,

Die dritte Kontaktflächenumgebung 23 ist als horizontal ausgerichtetes Rechteck ausgeformt, dessen Breite der Breite der um die rechte Ausbuchtung verbreiterten Grundfläche des ersten assoziierten Polygons 13 entspricht. Auf der Mitte der linken Seite der dritten Kontaktflächenumgebung 23 ist eine nach außen gerichtete und rechteckig geformte Ausbuchtung angeordnet, die eine Höhe von einem Drittel der Gesamthöhe des ersten assoziierten Polygons 13 und eine Breite aufweist, die der Breite des ersten Basis-Polygons 12 entspricht.The third contact surface environment 23 is formed as a horizontally oriented rectangle whose width of the width of the widened around the right bulge base of the first associated Polygons 13 equivalent. In the middle of the left side of the third contact surface environment 23 an outwardly directed and rectangular shaped bulge is arranged which is one third of the total height of the first associated polygon 13 and a width equal to the width of the first base polygon 12 equivalent.

Eine zweite Differenzfläche 24 weist zwei getrennte rechteckige Flächenabschnitte gleicher Form und gleichen Flächeninhalts auf.A second difference surface 24 has two separate rectangular surface sections of the same shape and the same surface area.

Der erste Flächenabschnitt der zweiten Differenzfläche 24 ist im rechten oberen Bereich der dritten Kontaktflächenumgebung 23 angeordnet, weist eine Höhe von einem Drittel der Gesamthöhe der dritten Kontaktflächenumgebung 23 und eine der Ausbuchtung auf der linken Seite der dritten Kontaktflächenumgebung 23 entsprechende Breite auf.The first surface portion of the second differential surface 24 is in the upper right area of the third contact surface environment 23 has a height of one third of the total height of the third contact surface environment 23 and one of the bulge on the left side of the third contact surface environment 23 corresponding width.

Der zweite Flächenabschnitt der zweiten Differenzfläche 24 ist im rechten unteren Bereich der dritten Kontaktflächenumgebung 23 angeordnet, weist eine Höhe von einem Drittel der Gesamthöhe der dritten Kontaktflächenumgebung 23 und eine der Ausbuchtung auf der linken Seite der dritten Kontaktflächenumgebung 23 entsprechende Breite auf.The second surface portion of the second differential surface 24 is in the lower right area of the third contact surface environment 23 has a height of one third of the total height of the third contact surface environment 23 and one of the bulge on the left side of the third contact surface environment 23 corresponding width.

In dem vierten Ausführungsbeispiel gemäß 6 zur erfindungsgemäßen Überprüfung von Layoutstrukturen von integrierten elektrischen Schaltungen wird nachfolgend das dritte Strukturelement 21 mit dem ersten Muster 11 aus 3 verglichen.In the fourth embodiment according to 6 for the inventive review of layout structures of integrated electrical circuits is hereinafter the third structural element 21 with the first pattern 11 out 3 compared.

Hierbei wird zuerst die dritte Kontaktfläche 22 mit dem ersten Basis-Polygon 12 des ersten Musters 11 aus 3 verglichen, indem versucht wird, die dritte Kontaktfläche 22 und das erste Basis-Polygon 12 miteinander zur Deckung zu bringen.Here, first, the third contact surface 22 with the first base polygon 12 of the first pattern 11 out 3 compared by trying the third contact surface 22 and the first base polygon 12 to coincide with each other.

Im vierten Ausführungsbeispiel gemäß 6 ergibt dieser Vergleich zwischen der dritten Kontaktfläche 22 und dem ersten Basis-Polygon 12 eine exakte Übereinstimmung.In the fourth embodiment according to 6 gives this comparison between the third contact surface 22 and the first base polygon 12 an exact match.

Dementsprechend erfolgt daran anschließend ein Vergleich der dritten Kontaktflächenumgebung 23 mit dem ersten assoziierten Polygon 13 des ersten Musters 11 aus 3. Durch Übereinanderlegen der dritten Kontaktflächenumgebung 23 und des ersten assoziierten Polygons 13 ergibt sich eine in 6 gestrichelt dargestellte zweite Differenzfläche 24. Diese zweite Differenzfläche 24 verdeutlicht, daß die dritte Kontaktflächenumgebung 23 größer ist als das erste assoziierte Polygon 13 des ersten Musters 11 aus 3. Das erste assoziierte Polygon 13 ist vollständig in der dritten Kontaktflächenumgebung 23 enthalten.Accordingly, this is followed by a comparison of the third contact surface environment 23 with the first associated polygon 13 of the first pattern 11 out 3 , By overlaying the third contact surface environment 23 and the first associated polygon 13 results in a 6 dashed shown second differential area 24 , This second differential area 24 illustrates that the third contact surface environment 23 is greater than the first associated polygon 13 of the first pattern 11 out 3 , The first associated polygon 13 is completely in the third contact surface environment 23 contain.

Dementsprechend weist das dritte Strukturelement 21 des vierten Ausführungsbeispiels aus 6 eine Übereinstimmung mit dem ersten Muster 11 aus 3 auf und wird nicht als Fehler gemeldet.Accordingly, the third structural element 21 of the fourth embodiment 6 a match with the first pattern 11 out 3 on and is not reported as an error.

Das vierte Ausführungsbeispiel ist hiermit abgeschlossen.The fourth embodiment is hereby completed.

7 zeigt ein zweites Muster 25 und eine erste Layoutstruktur 26 mit einem vierten Strukturelement 27, mit einem fünften Strukturelement 28 und mit einem sechsten Strukturelement 29 gemäß einem fünften und einem sechsten Ausführungsbeispiel. 7 shows a second pattern 25 and a first layout structure 26 with a fourth structural element 27 , with a fifth structural element 28 and with a sixth structural element 29 according to a fifth and a sixth embodiment.

Das zweite Muster 25 weist eine obere Musterebene, eine mittlere Musterebene und eine untere Musterebene auf. In der oberen Musterebene ist ein zweites Basis-Polygon 30 angeordnet, in der mittleren Musterebene ist ein drittes Basis-Polygon 31 enthalten und in der unteren Musterebene ist ein zweites assoziiertes Polygon 32 angeordnet.The second pattern 25 has a top pattern plane, a middle pattern plane, and a bottom pattern plane. In the upper pattern layer is a second base polygon 30 arranged in the middle pattern level is a third base polygon 31 and in the bottom pattern layer is a second associated polygon 32 arranged.

Das zweite Basis-Polygon 30 weist eine rechteckige Form auf, das dritte Basis-Polygon 31 weist eine gleichschenklig dreieckige Form auf und das zweite assoziierte Polygon 32 weist eine rechtwinklig dreieckige Form auf.The second basic polygon 30 has a rectangular shape, the third base polygon 31 has an isosceles triangular shape and the second associated polygon 32 has a right triangular shape.

Dementsprechend beinhaltet das zweite Muster 25 ein zweites Basis-Polygon 30, ein drittes Basis-Polygon 31 und ein zweites assoziiertes Polygon 32.Accordingly, the second pattern includes 25 a second basic polygon 30 , a third base polygon 31 and a second associated polygon 32 ,

Die Layoutstruktur 26 der integrierten elektrischen Schaltung weist eine obere Layoutebene 33, eine mittlere Layoutebene 34 und eine untere Layoutebene 35 auf.The layout structure 26 the integrated electrical circuit has an upper layout plane 33 , a middle layout level 34 and a lower layout level 35 on.

Auf der Layoutstruktur 26 sind das vierte Strukturelement 27, das fünfte Strukturelement 28 und das sechste Strukturelement 29 angeordnet.On the layout structure 26 are the fourth structural element 27 , the fifth structural element 28 and the sixth structural element 29 arranged.

Das vierte Strukturelement 27, das fünfte Strukturelement 28 und das sechste Strukturelement 29 erstrecken sich auf jeweils alle drei Layoutebenen.The fourth structural element 27 , the fifth structural element 28 and the sixth structural element 29 extend to all three layout levels.

Das vierte Strukturelement 27 gliedert sich in einen ersten Strukturelementbereich 36, in einen zweiten Strukturelementbereich 37 und in einen dritten Strukturelementbereich 38.The fourth structural element 27 is divided into a first structure element area 36 into a second structural element area 37 and in a third structural element area 38 ,

Der erste Strukturelementbereich 36 weist eine rechteckige Form auf und ist auf der oberen Layoutebene 33 angeordnet. Der zweite Strukturelementbereich 37 weist eine gleichschenklig dreieckige Form auf und befindet sich auf der mittleren Layoutebene 34. Der dritte Strukturelementbereich 38 weist eine rechtwinklig dreieckige Form auf und ist auf der unteren Layoutebene 35 angeordnet.The first structure element area 36 has a rectangular shape and is at the top layout level 33 arranged. The second structure element area 37 has an isosceles triangular shape and is on the middle layout level 34 , The third structural element area 38 has a right triangular shape and is at the bottom layout level 35 arranged.

Das fünfte Strukturelement 28 gliedert sich in einen vierten Strukturelementbereich 39, in einen fünften Strukturelementbereich 40 und in einen sechsten Strukturelementbereich 41.The fifth structural element 28 is divided into a fourth structural element area 39 into a fifth structural element area 40 and in a sixth structural element area 41 ,

Der vierte Strukturelementbereich 39 weist eine rechteckige Form auf und ist auf der oberen Layoutebene 33 angeordnet. Der fünfte Strukturelementbereich 40 weist eine rechtwinklig dreieckige Form auf und befindet sich auf der mittleren Layoutebene 34. Der sechste Strukturelementbereich 41 weist eine gleichschenklig dreieckige Form auf und ist auf der unteren Layoutebene 35 angeordnet.The fourth structural element area 39 has a rectangular shape and is at the top layout level 33 arranged. The fifth structural element area 40 has a right angle triangular shape and is on the middle layout level 34 , The sixth structural element area 41 has an isosceles triangular shape and is at the bottom layout level 35 arranged.

Das sechste Strukturelement 29 gliedert sich in einen siebten Strukturelementbereich 42, in einen achten Strukturelementbereich 43 und in einen neunten Strukturelementbereich 44.The sixth structural element 29 is divided into a seventh structural element area 42 , in an eighth structural element area 43 and in a ninth structural element area 44 ,

Der siebte Strukturelementbereich 42 weist eine rechteckige Form auf und ist auf der oberen Layoutebene 33 angeordnet. Der achte Strukturelementbereich 43 weist eine gleichschenklig dreieckige Form auf und befindet sich auf der mittleren Layoutebene 34. Der neunte Strukturelementbereich 44 weist eine gleichschenklig dreieckige Form auf und ist auf der unteren Layoutebene 35 angeordnet.The seventh structural element area 42 has a rectangular shape and is at the top layout level 33 arranged. The eighth structural element area 43 has an isosceles triangular shape and is on the middle layout level 34 , The ninth structural element area 44 has an isosceles triangular shape and is at the bottom layout level 35 arranged.

In dem fünften Ausführungsbeispiel gemäß 7 zur erfindungsgemäßen Überprüfung von Layoutstrukturen von integrierten elektrischen Schaltungen werden das vierte Strukturelement 27, das fünfte Strukturelement 28 und das sechste Strukturelement 29 auf Übereinstimmung mit dem zweiten Muster 25 geprüft.In the fifth embodiment according to 7 for the inventive review of layout structures of integrated electrical circuits become the fourth structural element 27 , the fifth structural element 28 and the sixth structural element 29 to match the second pattern 25 checked.

In einem ersten Schritt werden aus den kompletten Daten der geometrischen Figuren der ersten Layoutstruktur 26 Strukturelementbereiche ermittelt.In a first step, the complete data of the geometric figures of the first layout structure will be used 26 Structure element areas determined.

In der oberen Layoutebene 33 der ersten Layoutstruktur 26 werden der erste Strukturelementbereich 36, der vierte Strukturelementbereich 39 und der siebte Strukturelementbereich 42 gefunden.In the upper layout level 33 the first layout structure 26 become the first structural element area 36 , the fourth structural element area 39 and the seventh structural element region 42 found.

In der mittleren Layoutebene 34 ergeben sich der zweite Strukturelementbereich 37, der fünfte Strukturelementbereich 40 und der achte Strukturelementbereich 43.In the middle layout level 34 result in the second structural element area 37 , the fifth structural element area 40 and the eighth structural element area 43 ,

In der unteren Layoutebene 35 werden der dritte Strukturelementbereich 38, der sechste Strukturelementbereich 41 und der neunte Strukturelementbereich 44 berechnet.In the lower layout level 35 become the third structural element area 38 , the sixth structural element area 41 and the ninth structural element area 44 calculated.

Daneben sind in der oberen Layoutebene 33, in der mittleren Layoutebene 34 und in der unteren Layoutebene 35 weitere, hier nicht gezeigte Strukturelementbereiche enthalten.Next to it are in the upper layout level 33 , in the middle layout level 34 and in the lower layout level 35 contain further, not shown here structural element areas.

Anschließend werden zu jedem ermittelten Strukturelementbereich in der oberen Layoutebene 33 die benachbarten Strukturelementbereiche in der mittleren Layoutebene 34 und in der unteren Layoutebene 35 ermittelt. Zusammengehörende Strukturelementbereiche werden jeweils zu Strukturelementen zusammengefaßt.Subsequently, for each determined structure element area in the upper layout level 33 the adjacent feature areas in the middle layout layer 34 and in the lower layout level 35 determined. Associated structural element areas are combined to form structural elements.

Der erste Strukturelementbereich 36, der zweite Strukturelementbereich 37 und der dritte Strukturelementbereich 38 werden zum vierten Strukturelement 27 zusammengefaßt.The first structure element area 36 , the second structural element area 37 and the third structural element area 38 become the fourth structural element 27 summarized.

Der vierte Strukturelementbereich 39, der fünfte Strukturelementbereich 40 und der sechste Strukturelementbereich 41 bilden das fünfte Strukturelement 28.The fourth structural element area 39 , the fifth structural element area 40 and the sixth structural element area 41 form the fifth structural element 28 ,

Der siebte Strukturelementbereich 42, der achte Strukturelementbereich 43 und der neunte Strukturelementbereich 44 werden zum sechsten Strukturelement 29 zusammengenommen.The seventh structural element area 42 , the eighth structural element area 43 and the ninth structural element area 44 become the sixth structural element 29 combined.

In einem zweiten Schritt wird die obere Layoutebene 33 betrachtet und auf Übereinstimmungen mit dem zweiten Basis-Polygon 30 des zweiten Musters 25 geprüft.In a second step, the upper layout level becomes 33 and matches to the second base polygon 30 of the second pattern 25 checked.

Der erste Strukturelementbereich 36 des vierten Strukturelements 27, der vierte Strukturelementbereich 39 des fünften Strukturelements 28 und der siebte Strukturelementbereich 42 des sechsten Strukturelements 29 weisen Übereinstimmungen mit dem zweiten Basis-Polygon 30 auf. Diese Strukturelementbereiche werden demzufolge gemerkt. Daneben gibt es noch weitere, hier nicht gezeigte Strukturelementbereiche, die nicht gemerkt werden, bei denen in diesem Schritt keine Übereinstimmungen auftreten.The first structure element area 36 of the fourth structural element 27 , the fourth structural element area 39 of the fifth structural element 28 and the seventh structural element region 42 of the sixth structural element 29 have matches to the second base polygon 30 on. These structural element areas are consequently noted. In addition there are further structural element regions (not shown here) which are not noticed, in which no matches occur in this step.

In einem dritten Schritt wird für die Strukturelemente der gemerkten Strukturelementbereiche die Überprüfung auf Übereinstimmung mit dem dritten Basis-Polygon 31 auf der mittleren Layoutebene 34 fortgesetzt. Im zweiten Muster 25 ist das dritte Basis-Polygon 31 auf der mittleren Musterebene angeordnet, also auf der Musterebene unterhalb der oberen Musterebene, auf der das zweite Basis-Polygon 30 befindlich ist. Deswegen wird bei der Überprüfung die mittlere Layoutebene 34, die unterhalb der oberen Layoutebene 33 angeordnet ist, als nächstes betrachtet. Die mittlere Layoutebene 34 wird auf Übereinstimmun gen mit dem dritten Basis-Polygon 31 geprüft, wobei von den im vorigen Schritt gemerkten Strukturelementen ausgegangen wird.In a third step, for the structural elements of the memorized structural element regions, the check is made for conformity with the third basic polygon 31 on the middle layout level 34 continued. In the second pattern 25 is the third basic polygon 31 arranged on the middle pattern level, ie on the pattern level below the upper pattern level, on which the second base polygon 30 is located. That is why the check becomes the middle layout level 34 that are below the upper layout level 33 is considered next considered. The middle layout level 34 will match the third base polygon 31 checked, starting from the structural elements noted in the previous step.

Für das vierte Strukturelement 27 wird auf der mittleren Layoutebene 34 der zweite Strukturelementbereich 37 gefunden. Dieser zweite Strukturelementbereich 37 weist Übereinstimmung mit dem dritten Basis-Polygon 31 des zweiten Musters 25 auf.For the fourth structural element 27 will be on the middle layout level 34 the second structural element area 37 found. This second structural element area 37 has agreement with the third ten basic polygon 31 of the second pattern 25 on.

Für das fünfte Strukturelement 28 wird auf der mittleren Layoutebene 34 der fünfte Strukturelementbereich 4Q gefunden. Dieser fünfte Strukturelementbereich 40 stimmt nicht mit dem dritten Basis-Polygon 31 des zweiten Musters 25 überein.For the fifth structural element 28 will be on the middle layout level 34 the fifth structural element area 4Q found. This fifth structural element area 40 does not match the third base polygon 31 of the second pattern 25 match.

Für das sechste Strukturelement 29 wird auf der mittleren Layoutebene 34 der achte Strukturelementbereich 43 gefunden. Dieser achte Strukturelementbereich 37 weist Übereinstimmung mit dem dritten Basis-Polygon 31 des zweiten Musters 25 auf.For the sixth structural element 29 will be on the middle layout level 34 the eighth structural element area 43 found. This eighth structural element area 37 has agreement with the third base polygon 31 of the second pattern 25 on.

Dementsprechend werden das vierte Strukturelement 27 und das sechste Strukturelement 29 gemerkt, die auf der oberen Layoutebene 33 mit dem zweiten Basis-Polygon 30 und auf der mittleren Layoutebene 34 mit dem dritten Basis-Polygon 31 Übereinstimmung aufweisen. Das fünfte Strukturelement 28 wird nicht gemerkt.Accordingly, the fourth structural element 27 and the sixth structural element 29 noted that on the upper layout level 33 with the second base polygon 30 and at the middle layout level 34 with the third base polygon 31 Match. The fifth structural element 28 is not noticed.

In einem vierten Schritt wird für die Strukturelemente der gemerkten Strukturelementbereiche die Überprüfung auf Übereinstimmung mit dem zweiten assoziierten Polygon 32 auf der unteren Layoutebene 35 fortgesetzt.In a fourth step, the checking of the structural elements of the memorized structural element regions is checked for agreement with the second associated polygon 32 on the lower layout level 35 continued.

Im zweiten Muster 25 ist das zweite assoziierte Polygon 32 auf der unteren Musterebene angeordnet, also auf der Musterebene unterhalb der mittleren Musterebene, auf der sich das dritte Basis-Polygon 31 befindet. Deswegen wird die untere Layoutebene 35, die unterhalb der mittleren Layoutebene 34 angeordnet ist, für die weitere Überprüfung herangezogen und auf Übereinstimmungen mit dem zweiten assoziierten Polygon 32 geprüft, wobei von den im vorigen Schritt gemerkten Strukturelementen ausgegangen wird.In the second pattern 25 is the second associated polygon 32 arranged on the lower pattern plane, that is, on the pattern plane below the middle pattern plane on which the third base polygon 31 located. Therefore, the lower layout level becomes 35 that are below the middle layout level 34 is arranged, used for further verification and matches with the second associated polygon 32 checked, starting from the structural elements noted in the previous step.

Für das vierte Strukturelement 27 wird auf der unteren Layoutebene 35 der dritte Strukturelementbereich 38 gefunden. Dieser dritte Strukturelementbereich 38 weist Übereinstimmung mit dem zweiten assoziierten Polygon 32 des zweiten Musters 25 auf.For the fourth structural element 27 will be on the lower layout level 35 the third structural element area 38 found. This third structural element area 38 has agreement with the second associated polygon 32 of the second pattern 25 on.

Für das sechste Strukturelement 29 wird auf der unteren Layoutebene 35 der neunte Strukturelementbereich 44 gefunden. Dieser neunte Strukturelementbereich 44 stimmt nicht mit dem zweiten assoziierten Polygon 32 des zweiten Musters 25 überein und ist auch nicht in diesem enthalten.For the sixth structural element 29 will be on the lower layout level 35 the ninth structural element area 44 found. This ninth structural element area 44 does not match the second associated polygon 32 of the second pattern 25 and is not included in this.

Dementsprechend werden keine weiteren Strukturelemente gefunden, die Übereinstimmungen mit dem zweiten Muster 25 aufweisen.Accordingly, no further structural elements are found that match the second pattern 25 exhibit.

Das vierte Strukturelement 27 weist als einziges Strukturelement der ersten Layoutstruktur 26 der integrierten elektrischen Schaltung eine Übereinstimmung mit dem zweiten Muster 25 auf.The fourth structural element 27 has as the only structural element of the first layout structure 26 the integrated electrical circuit in accordance with the second pattern 25 on.

Dementsprechend wird das vierte Strukturelement 27 als Ergebnis der Überprüfung ausgegeben, bzw. das nicht übereinstimmen de fünfte Strukturelement 28 sowie das nicht übereinstimmende sechste Strukturelement 29 als Fehler gemerkt.Accordingly, the fourth structural element becomes 27 as a result of the check issued, or that do not match de fifth structural element 28 and the mismatching sixth feature 29 noted as a mistake.

In Abweichung von der oben beschriebenen Überprüfung der ersten Layoutstruktur 26"Ebene für Ebene" ist auch eine "strukturelementweise" Überprüfung denkbar.Notwithstanding the review of the first layout structure described above 26 " Level by level "is also a" structural element "review conceivable.

Der erste Schritt der "strukturelementweisen" Überprüfung, der die Ermittlung der Strukturelementbereiche und die Bestimmung der Strukturelemente aus den zusammengehörenden Strukturelementbereichen beinhaltet, ist identisch mit dem ersten Schritt der Überprüfung "Ebene für Ebene".Of the First step of the "structurally elementary" verification, which is the determination of the Structural element areas and the determination of the structural elements from the associated Structural element areas is identical to the first Step of checking "level by level".

Danach wird je ein Strukturelementbereich der ausgewählten ersten Layoutebene auf Übereinstimmung mit dem bzw. den Basis-Polygonen des bzw. der gewählten Muster geprüft. Im Falle einer Übereinstimmung werden anschließend die Strukturelementbereiche auf den weiteren ausgewählten Layoutebenen ermittelt, die dem Strukturelementbereich der ausgewählten ersten Layoutebene entsprechen.After that a structural element area of the selected first layout level is matched with the base polygon (s) the one chosen Sample checked. In case of a match will be afterwards the structure element areas on the other selected layout levels determines the tree element area of the selected first Correspond to the layout level.

Diese Strukturelementbereiche werden auf Übereinstimmung mit weiteren Basis-Polygonen und mit den assoziierten Polygonen auf den entsprechenden Musterebenen geprüft. Die Überprüfung wird mit der Überprüfung der nächsten Strukturelementbereichs der ersten Layoutebene fortgesetzt.These Structural element areas are aligned with others Basic polygons and with the associated polygons on the corresponding ones Sample levels tested. The review will with the review of next Structure element area of the first layout level continued.

Im Ausführungsbeispiel wird von der ausgewählten oberen Layoutebene 33 ausgegangen. Der erste Strukturelementbereich 36 wird mit dem zweiten Basis-Polygon 30 verglichen, wobei sich Übereinstimmung ergibt. Anschließend wird der zweite Strukturelementbereich 37 auf der mittleren Layoutebene 34 mit dem dritten Basis-Polygon 31 auf Übereinstimmung geprüft. Hierbei ergibt sich ebenfalls eine Übereinstimmung. Demzufolge wird der dritte Strukturelementbereich 38 auf der unteren Layoutebene 35 für einen Vergleich mit dem zweiten assoziierten Polygon 32 herangezogen. Auch dieser Vergleich ergibt eine Übereinstimmung. Somit wird das vierte Strukturelement 27 als Ergebnis ausgegeben.In the exemplary embodiment, from the selected upper layout level 33 went out. The first structure element area 36 becomes with the second base polygon 30 compared, where there is agreement. Subsequently, the second structural element area 37 on the middle layout level 34 with the third base polygon 31 checked for conformity. This also results in a match. As a result, the third feature area becomes 38 on the lower layout level 35 for comparison with the second associated polygon 32 used. This comparison also gives a match. Thus, the fourth structural element becomes 27 as a result.

Diese "strukturelementweise" Überprüfung wird mit dem fünften Strukturelement 28 und anschließend mit dem sechsten Strukturelement 29 fortgesetzt.This "structural element-by-element" check is performed with the fifth structural element 28 and then with the sixth structural element 29 continued.

Die Überprüfung gemäß dem fünften Ausführungsbeispiel ist damit abgeschlossen.The check according to the fifth embodiment is finished.

Im folgenden ist anhand eines sechsten Ausführungsbeispiels die Verwendung der Erfindung zum Abändern von Strukturelementen bzw. zum "postprocessing" dargelegt.in the The following is the use of a sixth embodiment the invention for modification of structural elements or for "postprocessing" set forth.

Im "postprocessing" werden Strukturelemente, die definierte Übereinstimmungen mit einem festgelegten Muster aufweisen, durch ein bestimmtes Muster ersetzt.In "postprocessing" structural elements, the defined matches with a fixed pattern, by a particular pattern replaced.

Im sechsten Ausführungsbeispiel werden alle Strukturelemente der ersten Layoutstruktur 26, die auf der oberen Layoutebene 33 Übereinstimmungen mit dem zweiten Basis-Polygon 30 und auf der mittleren Layoutebene 34 Übereinstimmungen mit dem dritten Basis-Polygon 31 aufweisen, aber auf der unteren Layoutebene 35 vom zweiten assoziierten Polygon 32 abweichen, durch das zweite Muster 25 ersetzt.In the sixth embodiment, all the structure elements of the first layout structure 26 that are on the upper layout level 33 Matches with the second base polygon 30 and at the middle layout level 34 Matches with the third base polygon 31 but at the lower layout level 35 from the second associated polygon 32 deviate, through the second pattern 25 replaced.

Der erste Schritt des "post processing" umfaßt die Ermittlung der Strukturelementbereiche und die Bestimmung der Strukturelemente aus jeweils zusammengehörenden Strukturelementbereichen gemäß der im fünften Ausführungsbeispiel dargelegten Vorgehensweise.Of the first step of the "post Processing "includes the determination the structural element areas and the determination of the structural elements from each belonging together Structural element areas according to the im fifth embodiment explained procedure.

Im Ausführungsbeispiel wird von der ausgewählten oberen Layoutebene 33 ausgegangen. Der erste Strukturelementbereich 36, der vierte Strukturelementbereich 39 und der siebte Strukturelementbereich 42 werden auf Übereinstimmung mit dem zweiten Basis-Polygon 30 geprüft. Alle drei Strukturelementbereiche ergeben Übereinstimmung.In the exemplary embodiment, from the selected upper layout level 33 went out. The first structure element area 36 , the fourth structural element area 39 and the seventh structural element region 42 will match the second base polygon 30 checked. All three structure element areas match.

Anschließend werden die Strukturelementbereiche der mittleren Layoutebene 34, die den im vorigen Schritt gefundenen Übereinstimmung aufweisenden Strukturelementbereichen zugeordnet sind, mit dem dritten Basis-Polygon 31 verglichen. Dabei ergeben sich Übereinstimmungen bei dem zweiten Strukturelementbereich 37 und bei dem achten Strukturelementbereich 43. Der fünfte Strukturelementbereich 40 weist keine Übereinstimmung mit dem dritten Basis-Polygon 31 auf.Subsequently, the structure element areas become the middle layout level 34 that are associated with the structural element areas having the match found in the previous step, with the third basic polygon 31 compared. This results in matches in the second structural element area 37 and at the eighth structural element area 43 , The fifth structural element area 40 does not match the third base polygon 31 on.

Demzufolge weisen sowohl das vierte Strukturelement 27 als auch das sechste Strukturelement 29 Übereinstimmungen mit dem zweiten Basis-Polygon 30 sowie mit dem dritten Basis-Polygon 31 auf.Consequently, both have the fourth structural element 27 as well as the sixth structural element 29 Matches with the second base polygon 30 as well as the third basic polygon 31 on.

Danach werden die Strukturelementbereiche der unteren Layoutebene 35, die den im vorigen Schritt gefundenen Übereinstimmung aufweisenden Strukturelementbereichen zugeordnet sind, mit dem zweiten assoziierten Polygon 32 verglichen.Thereafter, the structure element areas become the lower layout level 35 that are associated with the structural element regions having the match found in the previous step, with the second associated polygon 32 compared.

Der dritte Strukturelementbereich 38 stimmt mit dem zweiten assoziierten Polygon 32 überein, der neunte Strukturelementbereich 44 weicht von der Form des zweiten assoziierten Polygons 32 ab.The third structural element area 38 agrees with the second associated polygon 32 match, the ninth structural element area 44 deviates from the shape of the second associated polygon 32 from.

Demzufolge ist das vierte Strukturelement 27 mit dem zweiten Muster 25 identisch.Consequently, the fourth structural element 27 with the second pattern 25 identical.

Das sechste Strukturelement 29 weist Übereinstimmungen mit dem zweiten Muster 25 hinsichtlich des zweiten Basis-Polygons 32 und hinsichtlich des dritten Basis-Polygons 31 auf, weicht aber auf der unteren Layoutebene 35 von der Form des zweiten assoziierten Polygon 32 ab.The sixth structural element 29 matches the second pattern 25 with respect to the second basic polygon 32 and regarding the third base polygon 31 but gives way to the lower layout level 35 from the shape of the second associated polygon 32 from.

Dementsprechend wird das sechste Strukturelement 29 in der ersten Layoutstruktur 26 durch das zweite Muster 25 ersetzt.Accordingly, the sixth structural element becomes 29 in the first layout structure 26 through the second pattern 25 replaced.

In Abweichung von der oben beschriebenen Durchführung des "postprocessing" der ersten Layoutstruktur 26 gemäß einer "Ebene für Ebene"-Vorgehensweise ist auch eine "strukturelementweise" Durchführung denkbar.In deviation from the above described implementation of the "postprocessing" of the first layout structure 26 According to a "level-by-level" approach, a "structurally elementary" implementation is also conceivable.

Das sechste Ausführungsbeispiel ist an dieser Stelle beendet.The sixth embodiment is finished at this point.

11
erstes Leiterbahnverbindungsstückfirst Interconnect connector
22
erste Leiterbahnfirst conductor path
33
zweite Leiterbahnsecond conductor path
44
erstes Kontaktstückfirst contact piece
55
zweites Kontaktstücksecond contact piece
66
zweites Leiterbahnverbindungsstücksecond Interconnect connector
77
dritte Leiterbahnthird conductor path
88th
vierte Leiterbahnfourth conductor path
99
drittes Kontaktstückthird contact piece
1010
viertes Kontaktstückfourth contact piece
1111
erstes Musterfirst template
1212
erstes Basis-Polygonfirst Basic polygon
1313
erstes assoziiertes Polygonfirst associated polygon
1414
erstes Strukturelementfirst structural element
1515
erste Kontaktflächefirst contact area
1616
erste Kontaktflächenumgebungfirst Contact surface area
1717
zweites Strukturelementsecond structural element
1818
zweite Kontaktflächesecond contact area
1919
zweite Kontaktflächenumgebungsecond Contact surface area
2020
erste Differenzflächefirst differential area
2121
drittes Strukturelementthird structural element
2222
dritte Kontaktflächethird contact area
2323
dritte Kontaktflächenumgebungthird Contact surface area
2424
zweite Differenzflächesecond differential area
2525
zweites Mustersecond template
2626
erste Layoutstrukturfirst layout structure
2727
viertes Strukturelementfourth structural element
2828
fünftes Strukturelementfifth structural element
2929
sechstes Strukturelementsixth structural element
3030
zweites Basis-Polygonsecond Basic polygon
3131
drittes Basis-Polygonthird Basic polygon
3232
zweites assoziiertes Polygonsecond associated polygon
3333
obere Layoutebeneupper layout level
3434
mittlere Layoutebenemiddle layout level
3535
untere Layoutebenelower layout level
3636
erster Strukturelementbereichfirst Structural element area
3737
zweiter Strukturelementbereichsecond Structural element area
3838
dritter Strukturelementbereichthird Structural element area
3939
vierter Strukturelementbereichfourth Structural element area
4040
fünfter Strukturelementbereichfifth structure element area
4141
sechster Strukturelementbereichsixth Structural element area
4242
siebter Strukturelementbereichseventh Structural element area
4343
achter Strukturelementbereicheight Structural element area
4444
neunter Strukturelementbereichninth Structural element area

Claims (11)

Verfahren zur Prüfung von Layoutstrukturen von integrierten elektrischen Schaltungen zur Durchführung mit einem Computerprogramm auf einem Computersystem, das wenigstens einen Arbeitsspeicherbereich aufweist, wobei wenigstens eine als Datei oder Teil einer Datei vorliegende Layoutstruktur (26) in den Arbeitsspeicherbereich ladbar ist, wobei die Layoutstruktur (26) in eine oder mehrere Layoutebenen (33, 34, 35) gegliedert ist, wobei innerhalb der Layoutstruktur (26) zahlreiche Strukturelemente (14, 17, 21, 27, 28, 29) vorgesehen sind, wobei wenigstens ein in einer Datenbank abgespeichertes Muster (11, 25) in den Arbeitsspeicher ladbar ist, das ein erlaubtes Strukturelement (14, 17, 21, 27, 28, 29) einer integrierten elektrischen Schaltung repräsentiert, wobei Layoutstrukturen (26) durch Vergleiche mit Mustern (11, 25) auf Übereinstimmungen und/oder auf Abweichungen prüfbar sind, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: 1) Auswahl wenigstens einer zu prüfenden Layoutebene (33, 34, 35), 2) Auswahl wenigstens eines für eine Überprüfung zu verwendenden Musters (11, 25), 3) Überprüfung der Layoutstrukturen (26) innerhalb der ausgewählten Layoutebene (33, 34, 35) mit dem bzw. den ausgewählten Mustern (11, 25), wobei die Strukturelemente (14, 17, 21, 27, 28, 29) der Layoutstruktur (26) ermittelt werden, wobei jedes Strukturelement (14, 17, 21, 27, 28, 29) mit dem bzw. den ausgewählten Mustern (11, 25) verglichen wird und wobei diejenigen Struktu relemente (14, 17, 21, 27, 28, 29), die Übereinstimmungen und/oder Abweichungen aufweisen, gemerkt und ausgegeben werden.Method for testing layout structures of integrated electrical circuits for carrying out with a computer program on a computer system having at least one working memory area, wherein at least one layout structure (file or part of a file) is provided 26 ) is loadable into the memory area, the layout structure ( 26 ) into one or more layout levels ( 33 . 34 . 35 ), whereby within the layout structure ( 26 ) numerous structural elements ( 14 . 17 . 21 . 27 . 28 . 29 ), wherein at least one pattern stored in a database ( 11 . 25 ) is loadable into the main memory, which is a permitted structural element ( 14 . 17 . 21 . 27 . 28 . 29 ) of an integrated electrical circuit, wherein layout structures ( 26 ) by comparisons with patterns ( 11 . 25 ) can be checked for matches and / or deviations, the method comprising the following steps: 1) selecting at least one layout level to be checked ( 33 . 34 . 35 2) Selection of at least one pattern to be used for a check ( 11 . 25 ), 3) checking the layout structures ( 26 ) within the selected layout level ( 33 . 34 . 35 ) with the selected pattern (s) ( 11 . 25 ), the structural elements ( 14 . 17 . 21 . 27 . 28 . 29 ) of the layout structure ( 26 ), each structural element ( 14 . 17 . 21 . 27 . 28 . 29 ) with the selected pattern (s) ( 11 . 25 ) and wherein those structural elements ( 14 . 17 . 21 . 27 . 28 . 29 ) that have matches and / or deviations, are noted and output. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich jedes Muster (11, 25) in ein Basis-Polygon (12, 30, 31) und in ein oder mehrere assoziierte Polygone (13, 32) gliedert, wobei sich ein Strukturelement (14, 17, 21, 27, 28, 29) in ein oder mehrere Strukturelementbereiche (36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44) auf einer oder mehreren Layoutebenen (33, 34, 35) gliedert, wobei anstelle des Schritts 3) die folgenden Schritte ausgeführt werden: 3a) Überprüfung der ausgewählten Layoutebenen (33, 34, 35) der Layoutstruktur (26) auf Übereinstimmung mit dem Basis-Polygon (12, 30, 31) des bzw. der ausgewählten Muster (11, 25), wobei zusammengehörige Strukturelementbereiche (36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44) zu Strukturelementen (14, 17, 21, 27, 28, 29) zusammengefaßt werden, wobei die Strukturelemente (14, 17, 21, 27, 28, 29) der Übereinstimmungen aufweisenden Strukturelementbereiche (36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44) gemerkt werden, 4) Überprüfung weiterer Strukturelementbereiche (36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44) der in Schritt 3a) gemerkten Strukturelemente (14, 17, 21, 27, 28, 29) auf Übereinstimmung mit dem bzw. den assoziierten Polygonen (13, 32) des bzw. der ausgewählten Muster (11, 25) auf den jeweiligen Layoutebenen (33, 34, 35), 5) Ausgabe derjenigen Strukturelemente (14, 17, 21, 27, 28, 29), die Übereinstimmungen sowohl mit dem bzw. den Basis-Polygonen (12, 30, 31) als auch mit dem bzw. den assoziierten Polygonen (13, 32) der Muster (11, 25) auf den jeweiligen Layoutebenen (33, 34, 35) aufweisen bzw. derjenigen Strukturelemente (14, 17, 21, 27, 28, 29), die keine solche Übereinstimmungen aufweisen.Method according to claim 1, characterized in that each pattern ( 11 . 25 ) into a basic polygon ( 12 . 30 . 31 ) and one or more associated polygons ( 13 . 32 ), wherein a structural element ( 14 . 17 . 21 . 27 . 28 . 29 ) into one or more structural element areas ( 36 . 37 . 38 . 39 . 40 . 41 . 42 . 43 . 44 ) on one or more layout levels ( 33 . 34 . 35 ), wherein instead of step 3) the following steps are carried out: 3a) checking the selected layout levels ( 33 . 34 . 35 ) of the layout structure ( 26 ) to match the base polygon ( 12 . 30 . 31 ) of the selected pattern (s) ( 11 . 25 ), where associated structural element areas ( 36 . 37 . 38 . 39 . 40 . 41 . 42 . 43 . 44 ) to structural elements ( 14 . 17 . 21 . 27 . 28 . 29 ), the structural elements ( 14 . 17 . 21 . 27 . 28 . 29 ) of the structural element areas having matches ( 36 . 37 . 38 . 39 . 40 . 41 . 42 . 43 . 44 ), 4) checking further structural element areas ( 36 . 37 . 38 . 39 . 40 . 41 . 42 . 43 . 44 ) in step 3a ) structural elements ( 14 . 17 . 21 . 27 . 28 . 29 ) to match the associated polygon (s) ( 13 . 32 ) of the selected pattern (s) ( 11 . 25 ) on the respective layout levels ( 33 . 34 . 35 ), 5) output of those structural elements ( 14 . 17 . 21 . 27 . 28 . 29 ), the matches to both the base polygon (s) ( 12 . 30 . 31 ) as well as with the associated polygon (s) ( 13 . 32 ) of the patterns ( 11 . 25 ) on the respective layout levels ( 33 . 34 . 35 ) or those structural elements ( 14 . 17 . 21 . 27 . 28 . 29 ) that have no such matches. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet daß sich jedes Muster (11, 25) in zwei oder mehrere Basis-Polygone (12, 30, 31) und in ein oder mehrere assoziierte Polygone (13, 32) gliedert, wobei anstelle der Schritte 3a) und 4) die folgenden Schritte ausgeführt werden: 3b) Überprüfung der ausgewählten Layoutebenen (33, 34, 35) der Layoutstruktur (26) auf Übereinstimmung mit den Basis-Polygonen (12, 30, 31) des bzw. der ausgewählten Muster (11, 25), wobei zusammengehörige Strukturelementbereiche (36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44) zu Strukturelementen (14, 17, 21, 27, 28, 29) zusammengefaßt werden, wobei die Strukturelemente (14, 17, 21, 27, 28, 29) der Übereinstimmungen aufweisenden Strukturelementbereiche (36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44) gemerkt werden, 3c) Überprüfung weiterer Strukturelementbereiche (36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44) der in Schritt 3b) gemerkten Strukturelemente (14, 17, 21, 27, 28, 29) auf weiteren Layoutebenen (33, 34, 35) auf Übereinstimmung mit den weiteren Basis-Polygonen (12, 30, 31) des bzw. der ausgewählten Muster (11, 25), wobei die Strukturelemente (14, 17, 21, 27, 28, 29) der Übereinstimmungen auf weisenden Strukturelementbereiche (36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44) gemerkt werden, 4a) Überprüfung weiterer Strukturelementbereiche (36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44) der in Schritt 3c) gemerkten Strukturelemente (14, 17, 21, 27, 28, 29) auf den jeweiligen Layoutebenen (33, 34, 35) auf Übereinstimmung mit dem bzw. den assoziierten Polygonen (13, 32) des bzw. der ausgewählten Muster (11, 25).Method according to claim 2, characterized in that each pattern ( 11 . 25 ) into two or more basic polygons ( 12 . 30 . 31 ) and one or more associated polygons ( 13 . 32 ), wherein instead of steps 3a) and 4) the following steps are carried out: 3b) checking the selected layout levels ( 33 . 34 . 35 ) of the layout structure ( 26 ) match the base polygons ( 12 . 30 . 31 ) of the selected pattern (s) ( 11 . 25 ), where associated structural element areas ( 36 . 37 . 38 . 39 . 40 . 41 . 42 . 43 . 44 ) to structural elements ( 14 . 17 . 21 . 27 . 28 . 29 ), the structural elements ( 14 . 17 . 21 . 27 . 28 . 29 ) of the structural element areas having matches ( 36 . 37 . 38 . 39 . 40 . 41 . 42 . 43 . 44 3c) checking further structural element areas ( 36 . 37 . 38 . 39 . 40 . 41 . 42 . 43 . 44 ) in step 3b ) structural elements ( 14 . 17 . 21 . 27 . 28 . 29 ) on further layout levels ( 33 . 34 . 35 ) to match the other base polygons ( 12 . 30 . 31 ) of the selected pattern (s) ( 11 . 25 ), the structural elements ( 14 . 17 . 21 . 27 . 28 . 29 ) of the matches on pointing structure element areas ( 36 . 37 . 38 . 39 . 40 . 41 . 42 . 43 . 44 4a) check further structural element areas ( 36 . 37 . 38 . 39 . 40 . 41 . 42 . 43 . 44 ) in step 3c ) structural elements ( 14 . 17 . 21 . 27 . 28 . 29 ) on the respective layout levels ( 33 . 34 . 35 ) to match the associated polygon (s) ( 13 . 32 ) of the selected pattern (s) ( 11 . 25 ). Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein Vergleich jedes Strukturelementbereichs (36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44) mit dem Basis-Polygon (12, 30, 31) des jeweiligen Musters (11, 25) dadurch erfolgt, daß versucht wird, das Basis-Polygon (12, 30, 31) durch eine Transformation wie durch eine Verschiebung, durch eine Drehung, durch eine Spiegelung oder durch eine Kombination dieser Transformationen mit dem Strukturelementbereich (36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44) zur Deckung zu bringen.Method according to one of the preceding claims, characterized in that a comparison of each structural element region ( 36 . 37 . 38 . 39 . 40 . 41 . 42 . 43 . 44 ) with the base polygon ( 12 . 30 . 31 ) of the respective sample ( 11 . 25 ) is done by trying the base polygon ( 12 . 30 . 31 ) by a transformation such as by a displacement, by a rotation, by a mirroring or by a combination of these transformations with the structural element region ( 36 . 37 . 38 . 39 . 40 . 41 . 42 . 43 . 44 ). Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß für eine Überprüfung auf Übereinstimmung eines Strukturelements (14, 17, 21, 27, 28, 29) mit einem assoziierten Polygon (13, 32) das assoziierte Polygon (13, 32) derselben Transformation unterzogen wird, die mit dem Basis-Polygon (12, 30, 31) durchgeführt wurde, das dem assoziierten Polygon (13, 32) zugeordnet ist, wobei geprüft wird, ob der Strukturelementbereich (36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44) des Strukturelements (14, 17, 21, 27, 28, 29) mit dem assoziierten Polygon (13, 32) übereinstimmt oder ob der Strukturelementbereich (36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44) das assoziierte Polygon (13, 32) beinhaltet.Method according to Claim 4, characterized in that, for checking for conformity of a structural element ( 14 . 17 . 21 . 27 . 28 . 29 ) with an associated polygon ( 13 . 32 ) the associated polygon ( 13 . 32 ) is subjected to the same transformation as the base polygon ( 12 . 30 . 31 ) associated with the associated polygon ( 13 . 32 ), wherein it is checked whether the structure element area ( 36 . 37 . 38 . 39 . 40 . 41 . 42 . 43 . 44 ) of the structural element ( 14 . 17 . 21 . 27 . 28 . 29 ) with the associated polygon ( 13 . 32 ) or whether the structure element area ( 36 . 37 . 38 . 39 . 40 . 41 . 42 . 43 . 44 ) the associated polygon ( 13 . 32 ) includes. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Layoutstrukturen innerhalb der ausgewählten Layoutebenen (33, 34, 35) derart geprüft werden, daß systematisch nacheinander alle möglichen Ausschnitte aus den Layoutebenen (33, 34, 35) gebildet werden und diese gebildeten Ausschnitte mit den Mustern (11, 25) auf Übereinstimmung geprüft werden.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the layout structures within the selected layout levels ( 33 . 34 . 35 ) are checked in such a way that all possible sections from the layout levels ( 33 . 34 . 35 ) and these formed sections with the patterns ( 11 . 25 ) are checked for conformity. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß durch eine Vorselektion Strukturelemente (14, 17, 21, 27, 28, 29) bzw. Strukturelementbereiche (36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44) bestimmt werden, die entweder Ähnlichkeiten mit den Mustern (11, 25) bzw. mit den Basis-Polygonen (12, 30, 31) aufweisen oder die durch ihre Funktion oder durch ihre Beschaffenheit für eine Übereinstimmung mit den Mustern (11, 25) für eine Überprüfung in Frage kommen, wobei diese vorselektierten Strukturelemente (14, 17, 21, 27, 28, 29) bzw. diese vorselektierten Strukturelementbereiche (36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44) mit den Mustern (11, 25) bzw. mit den Basis-Polygonen (12, 30, 31) auf Übereinstimmung geprüft werden.Method according to one of claims 1 to 5, characterized in that by a preselection structural elements ( 14 . 17 . 21 . 27 . 28 . 29 ) or structural element areas ( 36 . 37 . 38 . 39 . 40 . 41 . 42 . 43 . 44 ), which are either similar to the patterns ( 11 . 25 ) or with the basic polygons ( 12 . 30 . 31 ) or by their function or by their nature for conformity with the samples ( 11 . 25 ) are eligible for verification, these preselected structural elements ( 14 . 17 . 21 . 27 . 28 . 29 ) or these preselected structural element regions ( 36 . 37 . 38 . 39 . 40 . 41 . 42 . 43 . 44 ) with the patterns ( 11 . 25 ) or with the basic polygons ( 12 . 30 . 31 ) are checked for conformity. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß bei Übereinstimmung eines oder mehrerer Strukturelementbereiche (36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44) eines Struktu relements (14, 17, 21, 27, 28, 29) mit einem oder mehreren Basis-Polygonen (12, 30, 31) eines zu prüfenden Musters (11, 25) das betreffende Strukturelement (14, 17, 21, 27, 28, 29) durch das Muster (11, 25) ersetzt wird.Method according to one of the preceding claims, characterized in that, if one or more structural element regions ( 36 . 37 . 38 . 39 . 40 . 41 . 42 . 43 . 44 ) of a structure ( 14 . 17 . 21 . 27 . 28 . 29 ) with one or more base polygons ( 12 . 30 . 31 ) of a sample to be tested ( 11 . 25 ) the structural element in question ( 14 . 17 . 21 . 27 . 28 . 29 ) through the pattern ( 11 . 25 ) is replaced. Computerprogrammprodukt sowie Computerprogramm zur Prüfung von Layoutstrukturen, das so ausgebildet ist, daß nach Eingabe der zu überprüfenden Layoutstrukturen und der zu überprüfenden Muster ein Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche ausführbar ist.Computer program product and computer program for exam of layout structures, which is designed such that after input of the layout structures to be checked and the pattern to be checked a method according to a of the preceding claims executable is. Datenträger mit einem Computerprogrammprodukt oder Computerprogramm nach Anspruch 9.disk with a computer program product or computer program as claimed 9th Verfahren, bei dem das Computerprogrammprodukt oder das Computerprogramm nach Anspruch 9 aus einem elektronischen Datennetz wie beispielsweise aus dem Internet auf einen an das Datennetz angeschlossenen Computer heruntergeladen wird.Method in which the computer program product or the computer program according to claim 9 from an electronic data network such as from the Internet to a connected to the data network Computer is downloaded.
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