DE10125345B4 - Prüfkontaktsystem mit Planarisierungsmechanismus - Google Patents

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Abstract

Planarisierungsmechanismus für ein Prüfkontaktsystem zur Herstellung einer elektrischen Verbindung mit Zielkontakten (320), enthaltend:
ein Kontaktsubstrat (20) mit mehreren auf einer Oberfläche des Kontaktsubstrats angeordneten Kontaktelementen (30) und mit Leiterbahnen (24), die mit den Kontaktelementen (30) zum Vergrößern der Abstände zwischen den Kontaktelementen (30) verbunden sind,
eine Nadelkarte (60) mit darauf vorgesehenen Leitungsmustern (62, 63, 65) zur Herstellung einer elektrischen Verbindung zwischen den Kontaktelementen (30) und einem Prüfkopf (100) eines Halbleiterprüfsystems,
ein leitfähiges Elastomerelement (50) zwischen dem Kontaktsubstrat (20) und der Nadelkarte (60) zur Herstellung einer elektrischen Verbindung zwischen dem Kontaktsubstrat (20) und der Nadelkarte (60),
ein Verbindungsteil (252, 253) zur Verbindung des Kontaktsubstrats (20) mit der Nadelkarte (60) an drei Orten, so daß das Kontaktsubstrat und die Nadelkarte (60) im wesentlichen Parallel zueinander sind, mit dem Elastomerelement (50) dazwischen, wobei das Verbindungsteil (252, 253) eine Struktur zur Veränderung des Winkels des Kontaktsubstrats (20) zur Nadelkarte...

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Halbleiterprüfsystem mit einer großen Anzahl von Kontaktelementen zur Herstellung einer elektrischen Verbindung mit einem Halbleiterbauteilprüfling, und insbesondere ein Prüfkontaktsystem mit einem Planarisierungsmechanismus zur Einstellung der Entfernungen zwischen den Spitzen der Kontaktelemente und den Zielkontakten, wie etwa den Kontaktstellen der zu prüfenden Halbleiterscheibe.
  • Beim Prüfen von hochintegrierten Hochgeschwindigkeitsbauteilen, wie etwa von LSI- und VLSI-Schaltungen, muß eine hochleistungsfähige Kontaktstruktur auf einer Nadelkarte verwendet werden. Eine Kontaktstruktur wird im wesentlichen von einem Kontaktsubstrat gebildet, das eine große Anzahl von Kontaktelementen oder Prüfelementen aufweist. Das Kontaktsubstrat ist auf einer Nadelkarte angeordnet, um LSI- und VLSI-Chips sowie Halbleiterscheiben zu prüfen, ferner um Halbleiterscheiben und Halbleiterchips vorzualtern, und um verkapselte Halbleiterbauteile, Leiterplatten und ähnliches zu prüfen und vorzualtern.
  • In dem Fall, in dem die zu prüfenden Halbleiterbauteile in Form einer Halbleiterscheibe vorliegen, wird üblicherweise ein Halbleiterprüfsystem, wie etwa ein IC-Prüfgerät, mit einem Substrat-Handler, wie etwa mit einem automatisch arbeitenden Halbscheibenprüfgerät, verbunden, um die Halbleiterscheibe automatisch zu prüfen. Ein derartiges Beispiel ist in 1 dargestellt. Das dort gezeigte Halbleiterprüfsystem weist einen Prüfkopf 100 auf, der gewöhnlich in einem gesonderten Gehäuse untergebracht und elektrisch mit dem Prüfystem über ein Kabelbündel 110 verbunden ist. Der Prüfkopf 100 und ein Substrat-Handler 400 sind sowohl mechanisch als auch elektrisch miteinander verbunden, und zwar mit Hilfe eines Manipulators 500, der von einem Motor 510 angetrieben wird. Die zu prüfenden Halbleiterscheiben werden vom Substrat-Handler 400 automatisch in eine Prüfposition unter dem Prüfkopf 100 gebracht.
  • Am Prüfkopf 100 werden an die zu prüfende Halbleiterscheibe Prüfsignale angelegt, die vom Halbleiterprüfsystem erzeugt werden. Die sich ergebenden Ausgangssignale des Halbleiterscheibenprüflings (IC-Schaltungen auf der Halbleiterscheibe) werden dem Halbleiterprüfsystem übermittelt. Im Halbleiterprüfsystem werden die Ausgangssignale mit den erwarteten Daten verglichen, um zu bestimmen, ob die IC-Schaltungen auf der Halbleiterscheibe korrekt funktionieren oder nicht.
  • In 1 werden der Prüfkopf 100 und der Substrat-Handler 400 durch eine Schnittstelle 140 verbunden, die aus einem Performance-Board 120 (in 2 dargestellt) besteht, der seinerseits eine Leiterplatte mit elektrischen Schaltverbindungen, die auf den elektrischen Fingerabdruck des Prüfkopfes zugeschnitten sind, Koaxialkabel, Pogo-Pins und Kontaktelemente aufweist. In 2 umfaßt der Prüfkopf 100 eine große Anzahl von Leiterplatten 150, die der Anzahl der Prüfkanäle (Prüf-Pins) des Halbleiterprüfsystems entspricht. Jede der Leiterplatten 150 weist ein Kontaktelement 160 auf, um ein entsprechendes Kontakt-Terminal 121 des Performance-Boards 120 aufzunehmen. Ein Froschring 130 ist am Performance-Board 120 befestigt, um die relative Kontaktposition gegenüber dem Substrat-Handler 400 genau zu bestimmen. Der Froschring 130 weist eine große Anzahl von Kontakt-Pins 141, wie etwa ZIF-Kontaktelemente oder Pogo-Pins, auf, die mit den Kontakt-Terminals 121 über Koaxialkabel 124 verbunden sind.
  • Wie in 2 dargestellt, wird der Prüfkopf 100 über dem Substrat-Handler 400 positioniert und mechanisch sowie elektrisch über die Schnittstelle 140 mit dem Substrat-Handler 400 verbunden. Im Substrat-Handler 400 wird eine zu prüfende Bauteilscheibe 300 auf einer Vakuumansaugvorrichtung 180 befestigt. In diesem Beispiel wird eine Nadelkarte 170 oberhalb der zu prüfenden Halbleiterscheibe 300 angeordnet. Die Nadelkarte 170 weist eine große Anzahl von Prüf-Kontaktelementen 190 auf (wie etwa freitragende Anschlüsse oder Nadeln), um mit Zielkontakten in Eingriff zu kommen, wie etwa mit Schaltkreis-Terminals oder Kontaktstellen in der IC-Schaltung auf der zu prüfenden Halbleiterscheibe 300.
  • Elektrische Terminals oder Kontakt-Steckerbuchsen (Kontaktstellen) der Nadelkarte 170 werden elektrisch mit den Kontakt-Pins 141 auf dem Froschring 130 verbunden. Die Kontakt-Pins 141 werden mit den Kontakt-Terminals 121 des Performance-Boards 120 über die Koaxialkabel 124 verbunden, wobei die Kontakt-Terminals 121 mit der Leiterplatte 150 des Prüfkopfs 100 verbunden ist. Darüber hinaus werden die Leiterplatten 150 mit dem Halbleiterprüfsystem mit Hilfe des Kabelbündels 110 verbunden, das, beispielsweise, viele hundert innere Kabel aufweist.
  • Bei dieser Anordnung stehen die Prüf-Kontaktelemente 190 in Verbindung mit der Oberfläche (Zielkontakte) der an der Vakuumansaugvorrichtung 180 befindlichen Halbleiterscheibe 300, um Prüfsignale an die Halbleiter scheibe 300 anzulegen und die resultierenden Ausgangssignale der Halbleiterscheibe 300 zu empfangen. Die resultierenden Ausgangssignale der zu prüfenden Halbleiterscheibe 300 werden mit den erwarteten, vom Halbleiterprüfsystem erzeugten Daten verglichen, um zu bestimmen, ob die IC-Schaltungen auf der Halbleiterscheibe korrekt funktionieren oder nicht.
  • Bei dieser Art von Halbleiterscheibenprüfung muß eine große Anzahl von Kontaktelementen verwendet werden, wie etwa mehrere hundert bis zu einigen tausend. Bei einer solchen Anordnung ist es nötig, die Spitzen der Kontaktelemente zu planarisieren, so daß alle Kontaktelemente die Zielkontakte im wesentlichen zum gleichen Zeitpunkt und mit dem gleichen Druck berühren. Sofern die Planarisierung nicht erreicht wird, stellen einige Kontaktelemente eine elektrische Verbindung mit entsprechenden Zielkontakten her, was eine genaue Prüfung der Halbleiterscheiben unmöglich macht. Um alle Kontaktelemente mit den Zielkontakten in Verbindung zu bringen, muß die Halbleiterscheibe gegen die Nadelkarte gedrückt werden. Dies kann jene Halbleiter-Chips körperlich beschädigen, die im Übermaß von den Kontaktelementen gedrückt werden.
  • Das US-Patent Nr. 5,861,759 zeigt ein automatisch arbeitendes Nadelkarten-Planarisierungssystem zur Planarisierung einer ersten Ebene, die von einer Mehrzahl von Kontaktpunkten einer Nadelkarte definiert wird, im Verhältnis zu einer zweiten Ebene, die von einer oberen Oberfläche einer auf einer Prüfsonde angeordneten Halbleiterscheibe gebildet wird. Eine Kamera wird verwendet, um die relative Höhe von wenigstens drei ausgewählten Kontaktpunkten auf der Nadelkarte gegenüber der Scheibenebene zu bestimmen. Auf der Basis der gemessenen Werte wird die Relativposition der ersten Ebene gegenüber der zweiten Ebene bestimmt.
  • Mit Hilfe dieser Information und der Gestalt des Prüfgeräts und der Prüfsonde können die für die beiden höhenvariablen Punkte nötigen Höhenänderungen vorgenommen werden, um die erste Ebene relativ zur zweiten Ebene zu planarisieren. Diese herkömmliche Technologie setzt eine Kamera voraus, um die Höhen der Kontaktpunkte bildlich darzustellen, was zu einer Kostensteigerung sowie einem Verlust an Verlässlichkeit des Gesamtsystems führt.
  • Das US-Patent Nr. 5,974,662 zeigt ein Verfahren zum Planarisieren der Spitzen eines Prüfelements auf einer Nadelkarte. Die Prüfelemente werden unmittelbar auf einem Raumwandler (Kontaktsubstrat) befestigt. Die Anordnung ist so gewählt, daß die Ausrichtung des Raumwandlers, und damit auch die Ausrichtung des Prüfelements, eingestellt werden kann, ohne die Ausrichtung der Nadelkarte zu verändern. Bei diesem Verfahren wird eine elektrisch leitfähige Metallplatte (die eigentliche Halbleiterscheibe) anstelle der Ziel-Halbleiterscheibe als Bezugsebene eingesetzt. Ein Kabel und ein Rechner sind gleichfalls dergestalt vorgesehen, daß ein Rechner beispielsweise mittels weißer und schwarzer Punkte zeigt, ob eine Leiterbahn für jede Prüfspitze relativ zur Metallplatte gebildet ist oder nicht.
  • Auf der Grundlage der bildlichen Darstellung auf dem Bildschirm wird die Planarität der Prüfspitzen durch das Drehen von Differentialschrauben eingestellt, so daß alle Prüfspitzen im wesentlichen gleichzeitig mit der Metallplatte in Berührung kommen. Da diese herkömmliche Technologie eine leitfähige Metallplatte verwendet, um eine Leiterbahn für alle Prüfelemente zu bilden, ist zusätzliche Zeit erforderlich, um die Metallplatte zu befestigen und mit der Ziel-Halbleiterscheibe zu ersetzen. Da dieses Verfahren einen Rechner und einen Bildschirm zur Darstellung der kontaktbildenden und kontaktfreien Position des Prüfelements voraussetzt, sind die Gesamtkosten erhöht.
  • US 6 060 891 A beschreibt eine Prüfkarte zum Prüfen einer Halbleiterscheibe. Die Prüfkarte weist ein Zwischenverbindungssubstrat mit Kontaktelementen zum Herstellen einer elektrischen Verbindung mit der Halbleiterscheibe auf. Außerdem weist die Prüfkarte eine Membran auf, die eine physische und elektrische Verbindung zwischen dem Zwischenverbindungssubstrat und dem Prüfgerät bereitstellt.
  • Vor diesem Hintergrund besteht in der Industrie Bedarf für ein einfacheres und wirtschaftlicheres Prüfkontaktsystem, um die Planarität der Kontaktelemente in Bezug auf die Oberfläche der Halbleiterscheibe einzustellen.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Prüfkontaktsystem mit einem Planarisierungsmechanismus zu entwickeln, mit dem die Entfernungen der Spitzen der Kontaktelemente und einer zu prüfenden Halbleiterscheibe eingestellt werden können, so daß alle Kontaktelemente auf dem Kontaktsubstrat die Oberfläche der Halbleiterscheibe gleichzeitig berühren.
  • Diese Aufgabe wird mit dem Gegenstand des Patentanspruchs 1 gelöst.
  • Die Unteransprüche geben vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung an.
  • Das erfindungsgemäße Planarisierungsmechanismus für ein Prüfkontaktsystem zur Herstellung einer elektrischen Verbindung mit Zielkontakten umfaßt ein Kontaktsubstrat mit einer großen Anzahl von auf einer Oberfläche des Kontaktsubstrats angeordneten Kontaktelementen, eine Nadelkarte zur Herstellung einer elektrischen Verbindung zwischen den Kontaktelementen und einem Prüfkopf eines Halbleiterprüfsystems, ein leitfähiges Elastomerelement zwischen dem Kontaktsubstrat und der Nadelkarte, Verbindungsteile zur Verbindung des Kontaktsubstrats mit der Nadelkarte an drei Orten des Kontaktsub strats, wobei jedes Verbindungsteil zur Veränderung der Entfernung zwischen dem Kontaktsubstrat und der Nadelkarte drehbar ist, einen Abstandsensor zum Messen des Abstandes zwischen dem Kontaktsubstrat und einer Halbleiterscheibe oder einer Bezugsplatte (Zielsubstrat) in der jeweiligen Nähe der drei Orte des Kontaktsubstrats, und eine Rotationseinstellvorrichtung zum Drehen des Verbindungsteils, so daß der Abstand zwischen dem Kontaktsubstrat und der Halbleiterscheibe an jedem der drei Orte gleich groß wird.
  • Nach einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung wird das Verbindungsteil zur Verbindung des Kontaktsubstrats mit der Nadelkarte durch Schrauben und Muttern gebildet, wobei die Muttern drehbeweglich auf der Oberfläche der Nadelkarte gehalten werden, und wobei die Rotationseinstellvorrichtung, die eine bodenseitige, in die Mutter eingreifende Öffnung aufweist, auf der Oberfläche der Nadelkarte angeordnet ist, um die Muttern derart zu verdrehen, daß der Abstand zwischen dem Kontaktsubstrat und dem Zielsubstrat an jedem der drei Orte gleich groß wird.
  • Nach einem weiteren Aspekt der Erfindung ist der Planarisierungsmechanismus als automatisch arbeitendes System zur Einstellung der Entfernungen zwischen dem Kontaktsubstrat und den Zielkontakten ausgebildet. Der Planarisierungsmechanismus umfaßt Motoren zum Drehen der Muttern in Abhängigkeit von Steuerungssignalen einer Steuerungseinrichtung. Die Steuerungseinrichtung erzeugt die Steuerungssignale durch Verrechnung der gemessenen Abstände.
  • In der Zeichnung zeigen
  • 1 eine Schemadarstellung zur Illustration der Kombination eines Substrat-Handlers und eines Halbleiterprüfsystems mit Prüfkopf;
  • 2 eine Schemadarstellung eines Beispiels einer Verbindungsstruktur von Prüfkopf des Halbleiterprüfsystems und Substrat-Handler;
  • 3 einen Querschnitt durch ein Beispiel einer Kontaktstruktur mit balkenförmigen Kontaktelementen (Silizium-Finger), die auf einer Nadelkarte des erfindungsgemäßen Prüfkontaktsystems angeordnet sind;
  • 4 eine Schemadarstellung einer bodenseitigen Aufsicht auf die Kontaktstruktur gemäß 3 mit einer Mehrzahl von balkenförmig Kontaktelementen;
  • 5 einen Querschnitt durch ein Beispiel einer Stapelstruktur in einem Prüfkontaktsystem unter Verwendung der in den 3 und 4 gezeigten Kontaktstruktur als Schnittstelle zwischen dem Halbleiterbauteilprüfling und dem Prüfkopf gemäß 2;
  • 6 einen Querschnitt durch ein Beispiel einer Struktur eines Prüfkontaktsystems mit einer Mehrzahl von erfindungsgemäßen Einstellmechanismen;
  • 7 eine Perspektivansicht zur Darstellung einer oberen Oberfläche der Nadelkarte im Prüfkontaktsystem mit einer erfindungsgemäßen Rotationseinstellvorrichtung;
  • 8A bis 8C eine Aufsicht, eine Frontansicht bzw. eine bodenseitige Ansicht der erfindungsgemäßen Rotationseinstellvorrichtung;
  • 9A bis 9G Explosionsansichten von Bauteilen der in der erfindungsgemäßen Rotationseinstellvorrichtung verwendeten Art;
  • 10 einen Querschnitt durch ein anderes Beispiel eines Prüfkontaktsystems mit einem erfindungsgemäßen Planarisierungsmechanismus;
  • 11 einen Querschnitt durch ein weiteres Beispiel eines Prüfkontaktsystems mit einem erfindungsgemäßen Planarisierungsmechanismus.
  • Unter Bezugnahme auf 3 und 4 wird nachfolgend ein Beispiel einer im erfindungsgemäßen Prüfkontaktsystem verwendeten Kontaktstruktur erläutert. Viele unterschiedliche Kontaktstrukturarten sind im Zusammenhang mit dem erfindungsgemäßen Prüfkontaktsystem denkbar. Eine in 3 gezeigte Kontaktstruktur 10 weist in einem Halbleiterproduktionsverfahren hergestellte, balkenförmige Kontaktelemente 30 (Silizium-Finger) auf. Die Kontaktstruktur 10 besteht im wesentlichen aus einem Kontaktsubstrat 20 und den balkenförmigen Kontaktelementen 30. Die Kontaktstruktur 10 ist oberhalb der Zielkontakte, wie etwa oberhalb von Kontaktstellen 320 eines zu prüfenden Halbleiters 300, derart angeordnet, daß die Kontaktelemente 30 eine elektrische Verbindung mit dem Halbleiter 300 herstellen, wenn sie aneinander gedrückt werden. Obgleich lediglich zwei Kontaktelemente 30 in 3 dargestellt sind, so ist doch bei einer tatsächlichen Anwendung, wie etwa beim Prüfen von Halbleiterscheiben, eine große Anzahl von Kontaktelementen 30, und zwar zwischen mehreren hundert bis zu mehreren tausend Kontaktelementen 30, auf dem Kontaktsubstrat 20 aufgereiht.
  • Eine große Anzahl von Kontaktelementen wird im Rahmen des gleichen Halbleiterproduktionsverfahrens, so etwa im Rahmen eines photolithographischen Verfahrens, auf einem Siliziumsubstrat ausgebildet und auf dem beispielsweise aus Keramik gefertigen Kontaktsubstrat 20 angeordnet. Der Abstand zwischen den Kontaktstellen 320 kann kleiner als 50 µm sein, wobei die Kontaktstellen auf dem Kontaktsubstrat 20 leicht mit dem gleichen Abstand aufgereiht sein können, da sie im Rahmen des gleichen Halbleiterproduktionsverfahrens wie die Halbleiterscheibe 300 hergestellt werden.
  • Die balkenförmigen Kontaktelemente 30 können unmittelbar auf dem Kontaktsubstrat 20 befestigt werden, wie dies in den 3 und 4 dargestellt ist, um eine Kontaktstruktur zu bilden, die dann auf der Nadelkarte 170 gemäß 2 befestigt wird. Da die balkenförmigen Kontaktelemente 30 in kleiner Größe gefertigt werden können, kann ein einsetzbarer Frequenzbereich einer Kontaktstruktur oder Nadelkarte, die die erfindungsgemäßen Kontaktelemente trägt, leicht auf 2 GHz oder höher gesteigert werden. Aufgrund ihrer kleinen Größe kann die Anzahl der Kontaktelemente auf einer Nadelkarte auf 2.000 Stück oder mehr gesteigert werden, was es erlaubt, 32 oder mehr Speicherbauteile parallel zur gleichen Zeit zu prüfen.
  • In 3 weist jedes Kontaktelement 30 eine leitfähige Schicht 35 in fingerartiger (balkenförmiger) Form auf. Das Kontaktelement 30 besitzt eine Basis 40, die an dem Kontaktsubstrat 20 befestigt ist. Eine Leiterbahn 24 ist mit der leitfähigen Schicht 35 am Boden des Kontaktsubstrats 20 verbunden. Eine derartige Verbindung von Leiterbahn 24 und leitfähiger Schicht 35 kann etwa über eine Lötkugel 28 vermittelt werden. Das Kontaktsubstrat 20 enthält weiterhin ein Durchgangsloch 23 sowie eine Elektrode 22. Die Elektrode 22 dient der Verbindung des Kontaktsubstrats 20 mit einer externen Struktur, wie beispielsweise einem Pogo-Pin-Block oder einer IC-Schaltung, mit Hilfe eines Kabels oder eines leitfähigen Elastomerelements.
  • Wenn sich daher die Halbleiterscheibe 300 nach oben bewegt, treten die balkenförmigen Kontaktelemente 30 und die Zielkontakte 320 auf der Halbleiterscheibe 300 in mechanischen und elektrischen Kontakt miteinander. In der Folge wird eine Signalbahn vom Zielkontakt 320 zu den Elektroden 22 auf dem Kontaktsubstrat 20 gebildet. Die Leiterbahn 24, die Durchgangslöcher 23 und die Elektrode 22 dienen zugleich auch dem Auffächern des kleinen Abstands der Kontaktelemente 30 zu einem größeren Abstand, der der externen Struktur, wie etwa einem Pogo-Pin-Block oder einer IC-Schaltung, entspricht.
  • Aufgrund der Federkraft der balkenförmigen Kontaktelemente 30 erzeugt das Ende der leitfähigen Schicht 35 eine ausreichende Kontaktkraft, wenn die Halbleiterscheibe 300 gegen das Kontaktsubstrat 20 gedrückt wird. Das Ende der leitfähigen Schicht 35 ist vorzugsweise angespitzt, um beim Drücken gegen den Zielkontakt 320 einen Reibeeffekt zum Durchstoßen einer Metalloxid-Schicht zu erzielen.
  • Sofern der Zielkontakt 320 auf der Halbleiterscheibe 300 an seiner Oberfläche ein Aluminiumoxid aufweist, so ist der Reibeeffekt nötig, um eine elektrische Verbindung mit geringem Kontaktwiderstand herzustellen. Die von der balkenförmigen Form der Kontaktelemente 30 abgeleitete Federkraft dient als angemessene Kontaktkraft am Zielkontakt 320. Die von der Federkraft der balkenförmigen Kontaktelemente 30 erzeugte Federkraft dient auch dem Ausgleich der Unterschiede in Größe und Flachheit (Planarität) der Kontaktsubstrate 20, der Zielkontakte 320 und der Halbleiterscheibe 300 sowie der Kontaktelemente 30. Es ist jedoch dennoch nötig, einen erfindungsgemäßen Planarisierungsmechanismus vorzusehen, um die Kontaktelemente im wesentlichen zur gleichen Zeit und mit dem gleichen Druck mit den Zielelementen zu verbinden.
  • Ein Materialbeispiel für die leitfähige Schicht 35 umfaßt Nickel, Aluminium, Kupfer, Nickel-Palladium, Rhodium, Nickel-Gold, Iridium und verschiedene andere deponierbare Materialien. Ein Beispiel für ein balkenförmigen Kontaktelement 30 zur Anwendung in einem Halbleiterprüfsystem kann eine Gesamthöhe von 100 bis 500 µm, eine horizontale Länge von 100 bis 600 µm sowie eine Breite von etwa 30 bis 50 µm bei einem Abstand von 50 µm zwischen den Zielkontakten 320 aufweisen.
  • 4 ist eine bodenseitige Ansicht des Kontaktsubstrats 20 gemäß 3 mit einer Mehrzahl von balkenförmigen Kontaktelementen 30. Bei einem tatsächlichen System wird eine größere Anzahl von Kontaktelementen, etwa eine Gruppe von mehreren hundert Kontaktelementen, in der in 4 dargestellten Art und Weise ausgerichtet. Die Leiterbahn 24 erweitert den Abstand der Kontaktelemente 30 bis zum Abstand der Durchgangslöcher 23 und der Elektroden 22, wie dies in 4 dargestellt ist. Klebemittel 33 sind an den Kontaktpunkten (den inneren Bereichen der Kontaktelemente 30) zwischen dem Substrat 20 und den Basen 40 der Kontaktelemente 30 vorgesehen. Die Klebemittel 33 sind auch an den Seiten (obere und untere Seiten der Kontaktelemente 30 gemäß 4) der Gruppe der Kontaktelemente 30 vorgesehen.
  • Ein Beispiel für Klebemittel 33 umfaßt wärmehärtbar Klebemittel, wie Epoxide, Polyamide und Silicon, ferner thermoplastische Klebemittel wie Acryl, Nylon, Phenoxide und Olefine, und schließlich UV-beständige Klebemittel.
  • 5 zeigt einen Querschnitt durch ein Beispiel einer Stapelstruktur in einem Prüfkontaktsystem unter Verwendung der in den 3 und 4. Das Prüfkontaktsystem wird als Schnittstelle zwischen dem Halbleiterbauteilprüfling und dem Prüfkopf gemäß 2 verwendet. Bei diesem Beispiel umfaßt die Schnittstelle ein leitfähiges Elastomerelement 50, eine Nadelkarte 60 und einen Pogo-Pin-Block (Froschring) 130 oberhalb der Kontaktstruktur 10 in der in 5 dargestellten Art und Weise.
  • Das leitfähige Elastomerelement 50, die Nadelkarte 60 und der Pogo-Pin-Block 130 sind sowohl mechanisch als auch elektronisch miteinander verbunden. Damit werden elektrische Wege von der Spitze der Kontaktelemente 30 zum Prüfkopf 100 über die Kabel 124 und das Performance-Board 120 (2) gebildet. Wenn die Halbleiterscheibe 300 und das Prüfkontaktsystem gegeneinander gedrückt werden, so wird eine elektrische Verbindung zwischen dem Bauteilprüfling (Kontaktstellen 320 auf der Halbleiterscheibe 300) und dem Halbleiterprüfsystem hergestellt.
  • Der Pogo-Pin-Block (Froschring) 130 entspricht dem in 2 dargestellt, wobei eine große Anzahl von Pogo-Pins als Schnittstelle zwischen der Nadelkarte 60 und dem Performance-Board 120 vorgesehen ist. An den oberen Enden der Pogo-Pins sind Kabel 124, wie beispielsweise Koaxialkabel, angeschlossen, um Signale an Leiterplatten (Pin-Elektronik-Karten) 150 im Prüfkopf 100 (2) durch das Performance-Board 120 zu übermitteln. Die Nadelkarte 60 weist eine große Anzahl von Kontaktstellen oder Elektroden 62 und 65 auf ihrer oberen sowie auf ihrer unteren Oberfläche auf. Die Elektroden 62 und 65 sind durch Leiterbahnen 63 verbunden, um den Abstand der Kontaktstruktur aufzufächern, damit er dem Abstand der Pogo-Pins im Pogo-Pin-Block 130 entspricht.
  • Das leitfähige Elastomerelement 50 ist zwischen der Kontaktstruktur 10 und der Nadelkarte 60 vorgesehen. Das leitfähige Elastomerelement 50 dient der Absicherung der elektrischen Verbindung zwischen den Elektroden 22 der Kontaktstruktur und den Elektroden 62 der Nadelkarte durch Ausgleich von Unebenheiten und vertikalen Spalten zwischen ihnen. Das leitfähige Elastomerelement 50 ist ein elastischer Bogen mit einer großen Anzahl von leitfähigen Drähten in einer vertikalen Richtung. So besteht das leitfähige Elastomerelement 250 etwa aus einem Silizium-Gummi-Bogen mit einer Vielzahl von Reihen aus Metall. Die Metallfasern (bzw. Drähte) sind in vertikaler Richtung in 5 vorgesehen, d.h. in orthogonaler Richtung zum horizontalen Bogen des leitfähigen Elastomerelements 250. Ein Beispiel für den Abstand zwischen den Metallfasern liegt bei 0.02 mm bei einer Dicke des Silizium-Gummi-Bogens von 0.2 mm. Ein derartiges leitfähiges Elastomerelement wird von der Firma Shin-Etsu Polymer Co. Ltd. hergestellt und ist am Markt verfügbar.
  • 6 zeigt einen Querschnitt durch ein Beispiel einer Struktur eines Prüfkontaktsystems mit einer Mehrzahl von erfindungsgemäßen Einstellmechanismen. Das Kon taktsubstrat 20 weist eine Mehrzahl von Kontaktelementen 30 auf, wobei das Kontaktsubstrat 20 auf der Nadelkarte 60 mit Hilfe eines Stützrahmens 55 und einem leitfähigen Elastomerelement 50 befestigt ist. Der Stützrahmen 55 zum Stützen des Kontaktsubstrats 20 ist mit der Nadelkarte 60 mit Hilfe von Befestigungsschrauben 252 und Muttern 250 verbunden. Die Verbindung mit Hilfe von Schrauben und Muttern erfolgt an drei Punkten, etwa an jedem Scheitelpunkt eines gleichschenkligen Dreiecks. Anstelle der Verwendung von Schrauben und Muttern können auch andere Befestigungsmittel, wie etwa Differentialschrauben, zur Erzielung des gleichen Zwecks Verwendung finden. Wie unter Bezugnahme auf 5 beschrieben, stellt das leitfähige Elastomerelement 50 eine elektrische Leitverbindung lediglich in vertikaler Richtung, also zwischen dem Kontaktsubstrat 20 und der Nadelkarte 60, dar.
  • Auf der bodenseitigen Oberfläche des Kontaktsubstrats 20 sind Elektroden 292 in der Nähe der Schrauben 252 vorgesehen, die am Stützrahmen 55 befestigt sind. Alternativ dazu können die Elektroden 292 auf der bodenseitigen Oberfläche des Stützrahmens 55 ausgebildet sein. Eine zu prüfende Halbleiterscheibe 300 wird auf einer Vakuumansaugvorrichtung 180 einer Scheibenprüfsonde befestigt. Das Beispiel gemäß 6 zeigt weiterhin Abstandsensoren 290 auf der Halbleiterscheibe 300 und ein Abstandmessgerät 280, das Signale von den Abstandsensoren 290 erhält. Die Abstandsensoren 290 sind gleichfalls Elektroden. Sie sind auf der Oberfläche der Halbleiterscheibe 300 an Positionen angeordnet, die den Elektroden 292 auf der bodenseitigen Oberfläche des Kontaktsubstrats 20 gegenüberliegen, d.h. an drei Orten des Kontaktsubstrats. Alternativ dazu kann eine beispielsweise aus Keramik oder Aluminiumoxid gefertigte Bezugsplatte anstelle der Halbleiterscheibe 300 Verwendung finden, so daß die Planarität des Prüfkontaktsystems vor der Auslieferung an den Kunden eingestellt ist.
  • Eine Rotationseinstellvorrichtung 220 ist ein speziell hergestelltes Werkzeug zum Drehen der Mutter 250 in kleinen Schritten. Die Drehung der Muttern 250 führt zu einer vertikalen Bewegung der Schraube 252, wodurch sich die parallele Anordnung zwischen der Nadelkarte 60 und dem Kontaktsubstrat 20 und damit auch zwischen dem Kontaktsubstrat 20 und der Halbleiterscheibe 300 verändert. Bei dieser Anordnung werden, da die verikalen Positionen des Kontaktsubstrats 20 an den drei Orten geändert werden, an denen die Schrauben 252 verbunden sind, die Höhe der Kontaktelemente 30 auf dem Kontaktsubstrat 20 so eingestellt, daß sie gegenüber der Oberfläche der Halbleiterscheibe 300 flach sind.
  • Der Abstandsensor 290 ist beispielsweise ein Kapazitätssensor zum Messen der Kapazität zwischen dem Sensor 290 und der gegenüberliegenden Elektrode 292. Die gemessene Kapizität ist eine Funktion der Entfernung zwischen dem Sensor und der Elektrode. Ein Beispiel für einen derartigen Abstandsensor ist das Modell HPT-500-V der Firma Capicitec, Inc., 87 Fichburg Road, Ayer, Massachusetts. Durch Überwachung des vom Abstandmessgerät 280 gemessenen Abstandes zwischen dem Sensor 290 und der Elektrode 292 dreht der Nutzer die Muttern 250 mit der Rotationseinstellvorrichtung 220 in einer derartigen Weise, daß der Abstand an jedem der drei Orte identisch wird.
  • 7 zeigt eine Perspektivansicht zur Darstellung einer oberen Oberfläche der Nadelkarte 60 im erfindungsgemäßen Prüfkontaktsystem. Die Rotationseinstellvorrichtung 220 weist eine Öffnung am Boden (8C) auf, die mit der Mutter 250 auf der Nadelkarte 60 zusammenpasst. Die Nadelkarte 60 weist eine radial angeordnete Skalierung um die Muttern 250 auf, damit auf leichte Art und Weise der durch die Rotationseinstellvorrichtung 220 bewirkte Rotationsgrad abgelesen werden kann.
  • Die Nadelkarte 60 weist weiterhin Stiftlöcher 264 auf, um darin Stifte 225 der Rotationseinstellvorrichtung 220 aufzunehmen.
  • Die 8A bis 8C zeigen eine Aufsicht, eine Frontansicht bzw. eine bodenseitige Ansicht der erfindungsgemäßen Rotationseinstellvorrichtung 220. Wie in 8B dargestellt, wird die Rotationseinstellvorrichtung 220 im wesentlichen von einem oberen Knopf 221, einem unteren Knopf 222 und einer Knopfbasis 223 gebildet. In 8A zeigt der obere Knopf 221 eine Markierung M auf seiner Oberseite, so daß der Nutzer den Rotationsgrad in Verbindung mit der Radialskalierung 262 auf der Nadelkarte ablesen kann. Der obere Knopf 221 und der untere Knopf 222 sind beispielsweise mit Hilfe von Schrauben über Befestigungslöcher 221a befestigt. Vorzugsweise ist die seitliche Oberfläche des oberen Knopfes 221 mit Kerben oder Griffbändern ausgestattet.
  • Wie aus 8B und 8C ersichtlich, sind die Knopfbasis 223 und der untere Knopf 222 drehbar miteinander verbunden. Die Knopfbasis 223 weist an ihrer Unterseite Stifte 225 auf, die in die Stiftlöcher 264 auf der Nadelkarte 60 eingesteckt werden. Im Einsatz verbleibt damit die Knopfbasis 223 auf der Nadelkarte, während der obere Knopf 221 und der untere Knopf 222 auf der Knopfbasis 223 zur Einstellung der Mutter 250 drehen. Der obere Knopf 221 weist einen nach unten auskragenden Abschnitt 221b mit einer Öffnung 221c auf. Die Mutter 250 paßt in die Öffnung 221c, so daß sich die Mutter 250 durch die Drehbewegung des oberen Knopfes 221 und des unteren Knopfes 222 dreht.
  • 9A bis 9G zeigen Explosionsansichten der erfindungsgemäßen Rotationseinstellvorrichtung 220. Der obere Knopf 221 gemäß 9A weist den nach unten auskragenden Abschnitt 221b auf, der die Mutter 250 auf der Nadelkarte 60 erreicht, wenn die Planarität eingestellt wird. Der untere Knopf 222 gemäß 9D weist viele Aufnahmelöcher 235 auf, um darin Tauchkolben 233 gemäß 9C und Federn 232 gemäß 9B aufzunehmen. Obgleich nicht dargestellt, so verjüngt sich doch der Boden der Aufnahmelöcher 235 in seinem Umfang, so daß lediglich die unteren Spitzen der Tauchkolben 233 von der unteren Oberfläche des unteren Knopfes 222 abstehen können. Die Tauchkolben können entweder aus Kunststoff mit geringer Haftreibung oder aus gleitfähig gemachtem Kunststoff gefertigt sein, wie etwa aus von DuPont geliefertem Acetel oder Delin.
  • Die Knopfbasis 223 gemäß 9F weist eine große Anzahl von Radialnuten 236 auf der oberen Oberfläche auf. Im zusammengebauten Zustand greifen die unteren Spitzen der Tauchkolben 233 in die Nuten 236 aufgrund der nach unten drückenden Kraft der Federn 232 ein. Der Abstand der Aufnahmelöcher 235 am unteren Knopf 222 und der Abstand der Radialnuten 236 auf der Knopfbasis 223 sind so gestaltet, daß sie sich geringfügig unterscheiden.
  • Wenn die Mutter 250 gedreht wird, so sorgt die Rotationseinstellvorrichtung 220 für sehr kleine Drehschritte, und zwar durch Eingriff der Tauchkolben 233 in die Nuten 236, wobei kleine Klickimpulse dem Nutzer gegeben werden.
  • Die Knopfbasis 223 ist am unteren Knopf 222 mit Hilfe eines oberen Rückhalteringes 234 gemäß 9E und eines unteren Rückhalteringes 238 gemäß 9G befestigt. Der obere Rückhaltering 234 mit einem Flansch 237 ist in den unteren Knopf 222 über eine obere Öffnung eingeführt und in der unteren Position des unteren Knopfes 222 gehalten. Durch das Verbinden des oberen Rückhalteringes 234 und des unteren Rückhalteringes 238 und durch das gleichzeitige Einspannen der Knopfbasis 223 zwischen dem unteren Knopf 222 und dem unteren Rückhaltering 238, wird die Knopfbasis 223 drehbeweglich am unteren Knopf 222 und am oberen Knopf 221 befestigt.
  • 10 zeigt einen Querschnitt durch ein anderes Beispiel eines Prüfkontaktsystems mit einem erfindungsgemäßen Planarisierungsmechanismus. Bei diesem Beispiel ist der Abstandsensor 290 auf der bodenseitigen Oberfläche des Kontaktsubstrats vorgesehen, nicht hingegen an der oberen Oberfläche der Halbleiterscheibe gemäß Beispiel in 6. Bei dieser Anordnung sind, da eine Halbleiterscheibe leitfähige Muster auf ihrer Oberfläche aufweist, spezifische Elektroden zum Messen der Abstände nicht erforderlich. Ähnlich dem Beispiel in 6 kann eine Bezugsplatte aus Keramik oder Aluminiumoxid mit leitfähigen Stellen an drei Orten anstelle der Halbleiterscheibe 300 verwendet werden, so daß die Pla narisierungseinstellung vor der Auslieferung an den Kunden erfolgen kann.
  • 11 zeigt einen Querschnitt durch ein weiteres Beispiel eines Prüfkontaktsystems mit einem erfindungsgemäßen Planarisierungsmechanismus. Der Planarisierungsmechanismus dieses Beispiels ist ein automatisches System zur Einstellung der Entfernungen zwischen dem Kontaktsubstrat und der Halbleiterscheibe oder Bezugsplatte. Der Planarisierungsmechanismus umfaßt einen Motor 420 zum Drehen der Muttern 250 auf der Grundlage von Steuerungssignalen aus einer Steuerungseinrichtung 430. Die Steuerungseinrichtung 430 erzeugt die Steuerungssignale durch Verrechnung der vom Abstandmessgerät 280 gemessenen Abstände.
  • Erfindungsgemäß kann das Prüfkontaktsystem die Entfernungen zwischen den Spitzen der Kontaktelemente und der Oberfläche der zu prüfenden Halbleiterscheibe oder Bezugsplatte einstellen. Der Planarisierungsmechanismus kann die Entfernungen zwischen dem Kontaktsubstrat und der Halbleiterscheibe einstellen, so daß alle Kontaktelemente auf dem Kontaktsubstrat die Oberfläche der Halbleiterscheibe im wesentlichen zur gleichen Zeit und mit dem im wesentlichen gleichen Druck berühren.
  • Der im erfindungsgemäßen Prüfkontaktsystem zu verwendende Planarisierungsmechanismus umfaßt die Rotationseinstellvorrichtung zum Drehen der Muttern auf der Nadelkarte in ganz kleinen Schritten, wodurch die Entfernungen zwischen dem Kontaktsubstrat und der Halbleiterscheibe leicht und genau eingestellt werden können. Der erfindungsgemäße Planarisierungsmechanismus kann als automatisch arbeitendes System durch Verwendung der Mo toren zum Antrieb der Muttern auf der Nadelkarte sowie durch Verwendung der Steuerungseinrichtung zur Erzeugung von Steuerungssignalen für die Motoren auf der Basis der von den Abstandsensoren gemessenen Abstände ausgebildet sein.

Claims (14)

  1. Planarisierungsmechanismus für ein Prüfkontaktsystem zur Herstellung einer elektrischen Verbindung mit Zielkontakten (320), enthaltend: ein Kontaktsubstrat (20) mit mehreren auf einer Oberfläche des Kontaktsubstrats angeordneten Kontaktelementen (30) und mit Leiterbahnen (24), die mit den Kontaktelementen (30) zum Vergrößern der Abstände zwischen den Kontaktelementen (30) verbunden sind, eine Nadelkarte (60) mit darauf vorgesehenen Leitungsmustern (62, 63, 65) zur Herstellung einer elektrischen Verbindung zwischen den Kontaktelementen (30) und einem Prüfkopf (100) eines Halbleiterprüfsystems, ein leitfähiges Elastomerelement (50) zwischen dem Kontaktsubstrat (20) und der Nadelkarte (60) zur Herstellung einer elektrischen Verbindung zwischen dem Kontaktsubstrat (20) und der Nadelkarte (60), ein Verbindungsteil (252, 253) zur Verbindung des Kontaktsubstrats (20) mit der Nadelkarte (60) an drei Orten, so daß das Kontaktsubstrat und die Nadelkarte (60) im wesentlichen Parallel zueinander sind, mit dem Elastomerelement (50) dazwischen, wobei das Verbindungsteil (252, 253) eine Struktur zur Veränderung des Winkels des Kontaktsubstrats (20) zur Nadelkarte (60) hat, wenn diese betrieben wird, einen Abstandsensor (280, 290, 292) zum Messen des Abstandes zwischen dem Kontaktsubstrat (20) und einer Halbleiterscheibe (300) oder einer Bezugsplatte in berührungsloser Weise an drei Orten auf dem Kontaktsubstrat (20), wobei der Abstandssensor direkt auf dem Kontaktsubstrat (20) ausgebildet ist, und eine Rotationseinstellvorrichtung (220) zum Betreiben des Verbindungsteils, um den Winkel des Kontaktsubstrats (20) zur Nadelkarte (60) auf der Grundlage des vom Abstandssensor (280, 290, 292) gemessenen Abstandes zu verändern, und dabei Einstellen der Planarität der mehreren Kontaktelementen (30) bezüglich der Halbleiterscheibe (300).
  2. Planarisierungsmechanismus für ein Prüfkontaktsystem nach Anspruch 1, wobei das Verbindungsteil (250, 252) zur Verbindung des Kontaktsubstrats (20) mit der Nadelkarte (60) durch Schrauben und Muttern gebildet wird.
  3. Planarisierungsmechanismus für ein Prüfkontaktsystem nach Anspruch 1, wobei das Verbindungsteil (250, 252) zur Verbindung des Kontaktsubstrats (20) mit der Nadelkarte (60) durch Differentialschrauben gebildet wird.
  4. Planarisierungsmechanismus für ein Prüfkontaktsystem nach Anspruch 1, wobei der Abstandsensor (280, 290, 292) zwei gegenüberliegende Elektroden aufweist und den Abstand zwischen dem Kontaktsubstrat (20) und dem Zielsubstrat (300) dadurch ermittelt, dass er die Kapazität zwischen den beiden Elektroden misst.
  5. Planarisierungsmechanismus für ein Prüfkontaktsystem nach Anspruch 4, wobei eine der Elektroden des Abstandsensors (290, 292) entweder auf der oberen Oberfläche des Zielsubstrats (300) oder auf der unteren Oberfläche des Kontaktsubstrats (20) angeordnet ist.
  6. Planarisierungsmechanismus für ein Prüfkontaktsystem nach Anspruch 1, wobei die Bezugsplatte (300) eine lediglich für die Einstellung der Planarität speziell gefertigte Platte ist, wobei die Bezugsplatte (300) aus Keramiksubstrat oder aus Aluminiumoxidsubstrat mit Elektroden an dem Abstandsensor (290, 292) gegenüberliegenden Positionen gefertigt ist.
  7. Planarisierungsmechanismus für ein Prüfkontaktsystem nach Anspruch 1, wobei jeder der drei Orte des Kontaktsubstrats (20) und Nadelkarte (60) einem Scheitelpunkt eines gleichschenkligen Dreiecks entspricht.
  8. Planarisierungsmechanismus für ein Prüfkontaktsystem nach Anspruch 1, wobei das Verbindungsteil (250, 252) zur Verbindung des Kontaktsubstrats (20) mit der Nadelkarte (60) durch Schrauben (252) und Mutter (250) gebildet wird, wobei die Mutter (250) drehbeweglich auf der Oberfläche der Nadelkarte (60) gehalten werden, und wobei die Rotationseinstellvorrichtung (220) eine bodenseitige Öffnung (221c) aufweist, die in die Mutter (250) auf der Oberfläche der Nadelkarte (60) eingreift, um die Muttern (250) derart zu verdrehen, dass der Abstand zwischen dem Kontaktsubstrat (20) und dem Zielsubstrat (300) an jedem der drei Orte gleich gross wird.
  9. Planarisierungsmechanismus für ein Prüfkontaktsystem nach Anspruch 8, wobei die Rotationseinstellvorrichtung (220) aus einem oberen Knopf (221), einem unteren Knopf (222) und einer Knopfbasis (223) besteht, wobei der obere Knopf (221) und der untere Knopf (222) mechanisch miteinander verbunden sind, während der untere Knopf (222) und die Knopfbasis (223) drehbeweglich miteinander verbunden sind, und wenn das Verbindungsteil (250, 252) betrieben wird die Knopfbasis (223) fest in die Nadelkarte (60) eingreift, während der obere Knopf (221) einen nach unten auskragenden Abschnitt umfasst, der die bodenseitige, die Mutter (250) drehende Öffnung (221c) aufweist, um den Abstand an jedem der drei Orte einzustellen.
  10. Planarisierungsmechanismus für ein Prüfkontaktsystem nach Anspruch 9, wobei der untere Knopf (222) der Rotationseinstellvorrichtung (220) eine Mehrzahl von Halterungsöffnungen (235) aufweist, um darin Tauchkolben (233) und Federn (232) derart zu befestigen, dass die unteren Spitzen der Tauchkolben (233) von einer unteren Oberfläche des unteren Knopfes (222) aufgrund der von den Federn (232) erzeugten Federkraft hervorstehen, und wobei die Knopfbasis (223) der Rotationseinstellvorrichtung (220) mit einer Mehrzahl von Radialnuten (236) versehen ist, damit die unteren Spitzen der Tauchkolben (233) mit den Nuten (236) in Eingriff kommen, wenn der untere und der obere Knopf (221, 222) gedreht werden, und wobei sich der Abstand der Halterungsöffnungen (235) vom Abstand der Radialnuten (236) unterscheidet.
  11. Planarisierungsmechanismus für ein Prüfkontaktsystem nach Anspruch 10, wobei die Tauchkolben (233) aus Kunststoff mit geringer Haftreibung oder aber auch gleitfähig gemachtem Kunststoff gefertigt sind.
  12. Planarisierungsmechanismus für ein Prüfkontaktsystem nach Anspruch 1, weiterhin enthaltend einen unter der Nadelkarte (60) angeordneten Stützrahmen (55) zum Stützen des Kontaktsubstrats (20), wobei sich das Verbindungsteil (252) zwischen der Nadelkarte (60) und dem Stützrahmen (55) erstreckt.
  13. Planarisierungsmechanismus für ein Prüfkontaktsystem nach Anspruch 1, wobei das leitende Elastomerelement (50) aus einem Silizium-Gummi-Bogen und in vertikaler Richtung in dem Silizium-Gummi-Bogen verlaufenden Metallfäden (52) besteht, so dass eine elektrische Verbindung lediglich in vertikaler Richtung hergestellt wird.
  14. Planarisierungsmechanismus für ein Prüfkontaktsystem nach einem der Ansprüche 1 bis 13, ferner mit einer Steuerungseinrichtung zur Erzeugung eines Steuerungssignals auf der Grundlage des vom Abstandsensor gemessenen Abstands, und wobei die Rotationseinstellvorrichtung ein Motor (420) ist zum Betreiben des Verbindungsteils (250, 252) in Abhängigkeit von dem Steuerungssignal der Steuerungseinrichtung um den Winkel des Kontaktsubstrats (20) zur Nadelkarte (60) auf der Grundlage des vom Abstandssensor (280, 290, 292) gemessenen Abstandes zu verändern, und dabei Einstellen der Planarität der mehreren Kontaktelementen (30) bezüglich der Halbleiterscheibe (300).
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Families Citing this family (115)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020053734A1 (en) 1993-11-16 2002-05-09 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit, and methods of making same
US5914613A (en) * 1996-08-08 1999-06-22 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system with local contact scrub
JP3553791B2 (ja) * 1998-04-03 2004-08-11 株式会社ルネサステクノロジ 接続装置およびその製造方法、検査装置並びに半導体素子の製造方法
US6256882B1 (en) 1998-07-14 2001-07-10 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US7382142B2 (en) * 2000-05-23 2008-06-03 Nanonexus, Inc. High density interconnect system having rapid fabrication cycle
US6812718B1 (en) 1999-05-27 2004-11-02 Nanonexus, Inc. Massively parallel interface for electronic circuits
US6578264B1 (en) * 1999-06-04 2003-06-17 Cascade Microtech, Inc. Method for constructing a membrane probe using a depression
US7262611B2 (en) * 2000-03-17 2007-08-28 Formfactor, Inc. Apparatuses and methods for planarizing a semiconductor contactor
US7579848B2 (en) * 2000-05-23 2009-08-25 Nanonexus, Inc. High density interconnect system for IC packages and interconnect assemblies
US7952373B2 (en) 2000-05-23 2011-05-31 Verigy (Singapore) Pte. Ltd. Construction structures and manufacturing processes for integrated circuit wafer probe card assemblies
US6441629B1 (en) * 2000-05-31 2002-08-27 Advantest Corp Probe contact system having planarity adjustment mechanism
DE10039336C2 (de) * 2000-08-04 2003-12-11 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Testen von Halbleiterschaltungen und Testvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US7053646B2 (en) * 2000-09-15 2006-05-30 Orsillo James F Apparatus and method for use in testing a semiconductor wafer
US20040020514A1 (en) * 2002-07-18 2004-02-05 Orsillo James E. Probe device cleaner and method
JP2002122630A (ja) * 2000-10-17 2002-04-26 Ando Electric Co Ltd Icテスタ調整装置
US6856150B2 (en) * 2001-04-10 2005-02-15 Formfactor, Inc. Probe card with coplanar daughter card
JP2002313857A (ja) * 2001-04-12 2002-10-25 Ando Electric Co Ltd 距離変化出力装置及び方法
US6525552B2 (en) * 2001-05-11 2003-02-25 Kulicke And Soffa Investments, Inc. Modular probe apparatus
US20030045172A1 (en) * 2001-07-27 2003-03-06 Schhuster Philip J. Micro connector to facilitate testing of micro electronic component and subassemblies
WO2003052435A1 (en) * 2001-08-21 2003-06-26 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US6972578B2 (en) * 2001-11-02 2005-12-06 Formfactor, Inc. Method and system for compensating thermally induced motion of probe cards
US7071714B2 (en) 2001-11-02 2006-07-04 Formfactor, Inc. Method and system for compensating for thermally induced motion of probe cards
US6741092B2 (en) * 2001-12-28 2004-05-25 Formfactor, Inc. Method and system for detecting an arc condition
US20030150640A1 (en) * 2002-02-14 2003-08-14 Crippen Warren Stuart Silicon space transformer and method of manufacturing same
US6674296B1 (en) * 2002-02-28 2004-01-06 Advanced Micro Devices, Inc. Probe card measurement tool
TWI288958B (en) * 2002-03-18 2007-10-21 Nanonexus Inc A miniaturized contact spring
US6794889B2 (en) * 2002-04-26 2004-09-21 Agilent Technologies, Inc. Unified apparatus and method to assure probe card-to-wafer parallelism in semiconductor automatic wafer test, probe card measurement systems, and probe card manufacturing
US6720789B1 (en) * 2003-02-13 2004-04-13 International Business Machines Corporation Method for wafer test and wafer test system for implementing the method
JP4741949B2 (ja) * 2003-04-15 2011-08-10 日本電気株式会社 検査プローブ
US6781392B1 (en) * 2003-05-12 2004-08-24 Chipmos Technologies Ltd. Modularized probe card with compressible electrical connection device
KR100546361B1 (ko) * 2003-08-08 2006-01-26 삼성전자주식회사 반도체 소자 검사장치의 포고 핀 및 그 운용방법
US6998703B2 (en) * 2003-12-04 2006-02-14 Palo Alto Research Center Inc. Thin package for stacking integrated circuits
KR100984769B1 (ko) 2003-12-12 2010-10-01 동부일렉트로닉스 주식회사 프로버 시스템의 헤드 플레이트의 평탄도 조절장치
TW200525675A (en) * 2004-01-20 2005-08-01 Tokyo Electron Ltd Probe guard
CN100357745C (zh) * 2004-02-17 2007-12-26 财团法人工业技术研究院 集成化探针卡及组装方式
DE102004023987B4 (de) * 2004-05-14 2008-06-19 Feinmetall Gmbh Elektrische Prüfeinrichtung
DE102004027887B4 (de) * 2004-05-28 2010-07-29 Feinmetall Gmbh Prüfeinrichtung zur elektrischen Prüfung eines Prüflings
WO2008070673A2 (en) * 2006-12-04 2008-06-12 Nanonexus, Inc. Construction structures and manufacturing processes for integrated circuit wafer probe card assemblies
TWI294523B (en) * 2004-07-28 2008-03-11 Microelectonics Technology Inc Integrated circuit probe card
US7084651B2 (en) * 2004-07-28 2006-08-01 International Business Machines Corporation Probe card assembly
WO2006028812A1 (en) * 2004-09-03 2006-03-16 Celadon Systems, Inc. Replaceable probe apparatus for probing semiconductor wafer
JP4413130B2 (ja) * 2004-11-29 2010-02-10 Okiセミコンダクタ株式会社 プローブカードを用いた半導体素子の検査方法およびその検査方法により検査した半導体装置
CN100520414C (zh) * 2004-12-14 2009-07-29 株式会社爱德万测试 触针以及探针板
US7771208B2 (en) 2004-12-16 2010-08-10 International Business Machines Corporation Metalized elastomeric electrical contacts
CN101218515B (zh) * 2004-12-16 2011-08-24 国际商业机器公司 金属化弹性探针结构
KR100675487B1 (ko) * 2005-06-02 2007-01-30 주식회사 파이컴 프로브 카드
WO2007000799A1 (ja) * 2005-06-27 2007-01-04 Advantest Corporation コンタクタ、該コンタクタを備えたコンタクトストラクチャ、プローブカード、試験装置、コンタクトストラクチャ製造方法、及び、コンタクトストラクチャ製造装置
KR100549551B1 (ko) * 2005-08-29 2006-02-03 (주) 마이크로프랜드 탐침 카드의 조립 구조
US7671614B2 (en) * 2005-12-02 2010-03-02 Formfactor, Inc. Apparatus and method for adjusting an orientation of probes
US7365553B2 (en) * 2005-12-22 2008-04-29 Touchdown Technologies, Inc. Probe card assembly
US7180316B1 (en) 2006-02-03 2007-02-20 Touchdown Technologies, Inc. Probe head with machined mounting pads and method of forming same
KR100609652B1 (ko) * 2006-02-16 2006-08-08 주식회사 파이컴 공간변형기와 상기 공간변형기의 제조방법 및 상기공간변형기를 갖는 프로브 카드
US20070257684A1 (en) * 2006-04-20 2007-11-08 Eberhard Essich Monitor for Evaluating Changes in Water Quality
US7495458B2 (en) * 2006-05-17 2009-02-24 Texas Instruments Incorporated Probe card and temperature stabilizer for testing semiconductor devices
US7368930B2 (en) * 2006-08-04 2008-05-06 Formfactor, Inc. Adjustment mechanism
US7730789B2 (en) * 2006-11-01 2010-06-08 Boeing Management Company Device and method for measuring a gap between members of a structure for manufacture of a shim
US7825675B2 (en) * 2006-11-01 2010-11-02 Formfactor, Inc. Method and apparatus for providing active compliance in a probe card assembly
KR100790817B1 (ko) * 2006-12-06 2008-01-03 삼성전자주식회사 반도체 제조관리 시스템
US8456184B2 (en) * 2007-03-14 2013-06-04 Nhk Spring Co., Ltd. Probe card for a semiconductor wafer
US8832936B2 (en) 2007-04-30 2014-09-16 International Business Machines Corporation Method of forming metallized elastomeric electrical contacts
KR100906344B1 (ko) * 2007-06-18 2009-07-06 주식회사 파이컴 프로브 카드
JP2009031192A (ja) * 2007-07-30 2009-02-12 Japan Electronic Materials Corp プローブカードおよびプローブカードの製造方法
US7847568B2 (en) * 2007-08-17 2010-12-07 Advanced Micro Devices, Inc. Multi-site probe
JP5076750B2 (ja) 2007-09-03 2012-11-21 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置及びプローブ方法
KR100929645B1 (ko) * 2008-03-31 2009-12-03 리노공업주식회사 반도체 칩 검사용 소켓
DE102008034918B4 (de) * 2008-07-26 2012-09-27 Feinmetall Gmbh Elektrische Prüfeinrichtung für die Prüfung eines elektrischen Prüflings sowie elektrisches Prüfverfahren
US7888957B2 (en) 2008-10-06 2011-02-15 Cascade Microtech, Inc. Probing apparatus with impedance optimized interface
US8410806B2 (en) 2008-11-21 2013-04-02 Cascade Microtech, Inc. Replaceable coupon for a probing apparatus
US8534302B2 (en) * 2008-12-09 2013-09-17 Microchip Technology Incorporated Prober cleaning block assembly
TWI420231B (zh) * 2008-12-26 2013-12-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 音圈馬達測試裝置
TW201029082A (en) * 2009-01-16 2010-08-01 Star Techn Inc Probing apparatus with temperature-adjusting modules for testing semiconductor devices
JP4491513B1 (ja) * 2009-02-12 2010-06-30 株式会社アドバンテスト 半導体ウェハ試験装置
TWI402509B (zh) * 2009-05-21 2013-07-21 Roger Chen 扁頭探針測試連接器
KR101120987B1 (ko) * 2009-07-08 2012-03-06 주식회사 에이엠에스티 프로브 카드
WO2011024303A1 (ja) * 2009-08-31 2011-03-03 株式会社アドバンテスト プローブ、プローブカード及び電子部品試験装置
WO2011062312A1 (ko) * 2009-11-23 2011-05-26 주식회사 쎄믹스 터치패드를 이용한 웨이퍼 프로버
KR101141380B1 (ko) * 2009-12-30 2012-05-03 삼성전기주식회사 프로브 카드
CN102314004A (zh) * 2010-07-09 2012-01-11 塔工程有限公司 阵列测试装置
CN102346202A (zh) * 2010-07-29 2012-02-08 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 机械手
TW201219807A (en) * 2010-11-15 2012-05-16 Askey Computer Corp Testing auxiliary apparatus
CN103430636A (zh) * 2011-05-12 2013-12-04 株式会社藤仓 贯通布线基板、电子器件封装以及电子部件
KR101288457B1 (ko) * 2011-11-08 2013-07-26 주식회사 탑 엔지니어링 어레이 테스트 장치
US9310422B2 (en) * 2012-06-01 2016-04-12 Apple Inc. Methods and apparatus for testing small form factor antenna tuning elements
US9354254B2 (en) * 2013-03-14 2016-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Test-yield improvement devices for high-density probing techniques and method of implementing the same
US11249112B2 (en) 2013-03-15 2022-02-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Devices for high-density probing techniques and method of implementing the same
US9322843B1 (en) * 2013-03-19 2016-04-26 Christos Tsironis Method for planarity alignment of wafer probes
JP6042761B2 (ja) * 2013-03-28 2016-12-14 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
US9404842B2 (en) * 2013-08-15 2016-08-02 Apple Inc. Methodology and apparatus for testing conductive adhesive within antenna assembly
US9726691B2 (en) * 2014-01-07 2017-08-08 International Business Machines Corporation 3D chip testing through micro-C4 interface
KR101544844B1 (ko) 2014-02-28 2015-08-20 김형익 와이어드 러버 컨택트 및 그 제조방법
WO2015130091A1 (ko) * 2014-02-28 2015-09-03 주식회사 화우로 와이어드 러버 컨택트 및 그 제조방법
EP3114488B1 (de) * 2014-03-06 2018-08-01 Technoprobe S.p.A Sondenkarte mit hoher planarität für eine testvorrichtung für elektronische vorrichtungen
US9797928B2 (en) 2014-09-15 2017-10-24 International Business Machines Corporation Probe card assembly
DE202015001622U1 (de) * 2015-03-03 2015-03-17 Feinmetall Gmbh Elektrische Kontaktvorrichtung
TWI601960B (zh) 2016-05-12 2017-10-11 新特系統股份有限公司 探針卡模組
CN105785260A (zh) * 2016-05-25 2016-07-20 上海华岭集成电路技术股份有限公司 防止晶圆测试探针台撞针的装置及方法
KR102623549B1 (ko) * 2016-12-07 2024-01-10 삼성전자주식회사 프로브 카드 및 이를 포함하는 테스트 장치
IT201700046645A1 (it) * 2017-04-28 2018-10-28 Technoprobe Spa Scheda di misura per un’apparecchiatura di test di dispositivi elettronici
JP7075725B2 (ja) * 2017-05-30 2022-05-26 株式会社日本マイクロニクス 電気的接続装置
US10345136B2 (en) 2017-07-14 2019-07-09 International Business Machines Corporation Adjustable load transmitter
US10527649B2 (en) 2017-07-14 2020-01-07 International Business Machines Corporation Probe card alignment
TWI641836B (zh) * 2017-08-21 2018-11-21 漢民科技股份有限公司 平面校正裝置及包含其之半導體測試設備
JP6350775B1 (ja) * 2017-11-16 2018-07-04 三菱電機株式会社 プローブカード、半導体測定装置および半導体測定システム
KR101991073B1 (ko) * 2017-11-28 2019-06-20 주식회사 에스디에이 프로브 카드용 공간 변환기 및 그 제조방법
US11698390B1 (en) 2017-12-08 2023-07-11 Signal Microwave, LLC High-frequency data differential testing probe
US10852322B1 (en) * 2017-12-08 2020-12-01 Signal Microwave, LLC High-frequency data differential testing probe
CN108627759B (zh) * 2018-05-09 2022-05-13 京东方科技集团股份有限公司 信号检测用的辅助设备和信号检测系统
JP2020009978A (ja) 2018-07-12 2020-01-16 東京エレクトロン株式会社 回路装置、テスタ、検査装置及び回路基板の反り調整方法
JP7138004B2 (ja) * 2018-09-28 2022-09-15 株式会社日本マイクロニクス プローブカード保持具
CN110274562B (zh) * 2019-08-06 2024-03-29 安徽理工大学 一种维护简便的刚度可调型十字梁微纳测头
TWI719895B (zh) * 2020-05-11 2021-02-21 中華精測科技股份有限公司 陣列式薄膜探針卡及其測試模組
CN114019334A (zh) * 2020-07-16 2022-02-08 京元电子股份有限公司 具有水平调整模块的测试设备
KR102638924B1 (ko) * 2021-12-08 2024-02-21 주식회사 엑시콘 반도체 디바이스 테스트 장치
CN114047368B (zh) * 2022-01-10 2022-03-22 苏州威达智电子科技有限公司 一种自动微调全功能检测设备及其检测方法
KR102520852B1 (ko) * 2022-10-14 2023-04-13 주식회사 유니밴스 프로브카드용 탑 보강판

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5861759A (en) * 1997-01-29 1999-01-19 Tokyo Electron Limited Automatic probe card planarization system
US5974662A (en) * 1993-11-16 1999-11-02 Formfactor, Inc. Method of planarizing tips of probe elements of a probe card assembly
US6060891A (en) * 1997-02-11 2000-05-09 Micron Technology, Inc. Probe card for semiconductor wafers and method and system for testing wafers

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61125033A (ja) * 1984-11-22 1986-06-12 Hitachi Ltd 平行度調整装置
US5084671A (en) * 1987-09-02 1992-01-28 Tokyo Electron Limited Electric probing-test machine having a cooling system
JP2895989B2 (ja) * 1991-06-10 1999-05-31 三菱電機株式会社 プローバ装置およびウエハの検査方法
JPH05144897A (ja) * 1991-11-25 1993-06-11 Fujitsu Ltd 半導体集積回路試験装置
JPH06124982A (ja) * 1992-01-14 1994-05-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体試験装置
JPH05218149A (ja) * 1992-02-04 1993-08-27 Tokyo Electron Ltd プローブ装置
US5254939A (en) * 1992-03-20 1993-10-19 Xandex, Inc. Probe card system
JPH0621166A (ja) * 1992-06-30 1994-01-28 Mitsubishi Electric Corp ウエハプローバ
JPH0621172A (ja) * 1992-07-06 1994-01-28 Mitsubishi Electric Corp ウェハプロービング装置及びウェハプロービング方法
US5806181A (en) 1993-11-16 1998-09-15 Formfactor, Inc. Contact carriers (tiles) for populating larger substrates with spring contacts
US5642056A (en) * 1993-12-22 1997-06-24 Tokyo Electron Limited Probe apparatus for correcting the probe card posture before testing
CA2174784C (en) * 1996-04-23 1999-07-13 George Guozhen Zhong Automatic multi-probe pwb tester
JP2834076B2 (ja) * 1996-05-30 1998-12-09 九州日本電気株式会社 ウェハプローバ
US6050829A (en) 1996-08-28 2000-04-18 Formfactor, Inc. Making discrete power connections to a space transformer of a probe card assembly
US6037791A (en) * 1997-08-01 2000-03-14 Intel Corporation Vision aided docking mechanism for semiconductor testers
US6040700A (en) * 1997-09-15 2000-03-21 Credence Systems Corporation Semiconductor tester system including test head supported by wafer prober frame
US6043668A (en) * 1997-12-12 2000-03-28 Sony Corporation Planarity verification system for integrated circuit test probes
US6441629B1 (en) * 2000-05-31 2002-08-27 Advantest Corp Probe contact system having planarity adjustment mechanism

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5974662A (en) * 1993-11-16 1999-11-02 Formfactor, Inc. Method of planarizing tips of probe elements of a probe card assembly
US5861759A (en) * 1997-01-29 1999-01-19 Tokyo Electron Limited Automatic probe card planarization system
US6060891A (en) * 1997-02-11 2000-05-09 Micron Technology, Inc. Probe card for semiconductor wafers and method and system for testing wafers

Also Published As

Publication number Publication date
US20020050832A1 (en) 2002-05-02
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