DE10196294T5 - Verfahren zur Herstellung von ultradünnen Schutzbeschichtungen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von ultradünnen Schutzbeschichtungen Download PDF

Info

Publication number
DE10196294T5
DE10196294T5 DE10196294T DE10196294T DE10196294T5 DE 10196294 T5 DE10196294 T5 DE 10196294T5 DE 10196294 T DE10196294 T DE 10196294T DE 10196294 T DE10196294 T DE 10196294T DE 10196294 T5 DE10196294 T5 DE 10196294T5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
fullerene
substrate
monolayer
target
coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE10196294T
Other languages
English (en)
Inventor
John W. Eden Prairie Dykes
Joel W. Cottage Grove Hoehn
James E. Burnsville Angelo
William D. Savage Mosley
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seagate Technology LLC
Original Assignee
Seagate Technology LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seagate Technology LLC filed Critical Seagate Technology LLC
Publication of DE10196294T5 publication Critical patent/DE10196294T5/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/8408—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers protecting the magnetic layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/152—Fullerenes
    • C01B32/156—After-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0605—Carbon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/46—Sputtering by ion beam produced by an external ion source
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
    • G11B5/722—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing an anticorrosive material
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
    • G11B5/727—Inorganic carbon protective coating, e.g. graphite, diamond like carbon or doped carbon
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/122—Flying-type heads, e.g. analogous to Winchester type in magnetic recording
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
    • G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
    • G11B5/255—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features comprising means for protection against wear
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
    • G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/40—Protective measures on heads, e.g. against excessive temperature 
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
    • G11B5/82—Disk carriers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/734—Fullerenes, i.e. graphene-based structures, such as nanohorns, nanococoons, nanoscrolls or fullerene-like structures, e.g. WS2 or MoS2 chalcogenide nanotubes, planar C3N4, etc.
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/842—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure for carbon nanotubes or fullerenes
    • Y10S977/847—Surface modifications, e.g. functionalization, coating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/89—Deposition of materials, e.g. coating, cvd, or ald

Abstract

Verfahren zum Ablagern einer Fulleren-Beschichtung auf einem Substrat, wobei das Verfahren umfasst:
a) Richten eines geladenen Strahls in einer Kammer auf ein Fulleren umfassendes Ziel mit einer Leistung, die ausreichend ist, um Fulleren-Moleküle von dem Ziel zu emittieren, ohne dass das Fulleren reagiert, um Fulleren auf einer Substratoberfläche innerhalb der Kammer abzulagern.

Description

  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Diese Erfindung bezieht sich auf Schutzbeschichtungen für Objekte und insbesondere auf Schutzbeschichtungen für Komponenten in Plattenlaufwerksystemen, die zur Speicherung und/oder Wiederherstellung von Daten verwendet werden, einschließlich beispielsweise Lese-/Schreibköpfe und Speicherplatten.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Fortschritte bei vielen Technologien haben verstärkte Anforderungen an die bei der Herstellung einer Vielfalt von Vorrichtungen verwendeten Materialien erzeugt. Insbesondere hat die Miniaturisierung Toleranzpegel verringert, während Leistungsanforderungen erhöht wurden. Die Beschichtungstechnologie wurde äußerst bedeutsam, da Beschichtungen verwendet werden können, um die Oberflächeneigenschaften einer Verbundstruktur (composite) zu verändern, während wünschenswerte Eigenschaften des unten liegenden Substrats beibehalten werden. Insbesondere können dünne Beschichtungen dazu dienen, das darunter liegende Substrat vor einer Vielfalt von Angriffen zu schützen.
  • Sich drehende magnetische, optische und optisch-magnetische Datenspeichervorrichtungen verwenden Datenspeicherplatten mit Köpfen, die an aerodynamischen Gleitstücken angebracht sind, um Daten von den Platten zu lesen und/oder Daten auf die Platte zu schreiben. Das Gleitstück umfasst eine Luftlageroberfläche, die der Plattenoberfläche gegenüberliegt. Beim Gebrauch schwebt das Gleitstück einen vorbestimmten Abstand über der Platte, während sich die Platte mit einer hohen Drehzahl dreht. Plattenlaufwerke zur Datenspeicherung können eine oder mehrere Platten mit einem Medium zum Speichern von Informationen verwenden. Im Fall eines magnetischen oder magneto-optischen Plattenlaufwerks umfasst das Medium eine relativ dünne magnetische Schicht auf einem nicht-magnetischen Substrat. Die Daten werden an spezifischen Stellen entlang konzentrischer Datenspuren, gewöhnlicherweise innerhalb Datenspeicherzonen, gespeichert.
  • Eine vorrübergehende Berührung zwischen dem Gleitstück und der Plattenoberfläche verursacht Abnutzung der Plattenoberfläche und des Gleitstücks. Um die Plattenoberfläche und/oder das Gleitstück gegen Abnutzung und Korrosion zu schützen, werden Beschichtungen über das magnetische Medium auf der Plattenoberfläche und/oder der Gleitstückoberfläche einschließlich des Kopfes platziert. Bevorzugte Beschichtungen verringern die Abnutzung, Reibung und Oxydation des Gleitstücks und der Platte, während eine angemessene aerodynamische Wechselwirkung zwischen dem Gleitstück und der Plattenoberfläche während der Drehung und während eines Abhebens und Landens beibehalten wird. Schutzbeschichtungen werden ebenfalls auf Köpfen und Gleitstücken aufgebracht, um den Kopf während der Verarbeitung und Fertigung zu schützen.
  • Um höhere Speicherdichten auf der Plattenoberfläche zu erhalten, werden Schwebehöhen zwischen dem Lese-/Schreibkopf und der Plattenoberfläche verringert. Es ist beispielsweise nicht ungewöhnlich, Schwebehöhen so niedrig wie 10 Nanometer (nm) für Plattenlaufwerke hoher Dichte zu verlangen. Das Verringern der Schwebehöhe verbessert die magnetische Wechselwirkung zwischen dem Kopf und der Plattenoberfläche, um entsprechend höhere Datenspeicherdichten zu ermöglichen. Somit ist es bedeutsam, dass Schutzbeschichtungen dünn genug sind, um den wirksamen Abstand zwischen den Magnetwandlern des Kopfes und dem Magnetmaterial nahe der Plattenoberfläche nicht übermäßig zu erhöhen. Folglich sollte, wo Schwebehöhen von 10 nm erforderlich sind, die Schutzbeschichtung dünn, vorzugsweise nicht größer als 1 nm sein. Kohlenstoffbeschichtungen wurden verwendet, um Schutzschichten auf Substraten zu bilden. Die Beschichtung erhöht jedoch den Zwischenraum zwischen der Oberfläche und dem darunter liegenden Substrat. Somit kann beispielsweise bei der Herstellung von magnetischen Platten jede Leistungsverbesserung, die aus einer Verringerung in der Schwebehöhe resultiert, durch das Vorhandensein von Schutzbeschichtungen und dergleichen aufgehoben werden, die zu einem erhöhten Abstand zwischen dem Kopf und dem magnetischen Medium führen.
  • Neuerdings wurde Fulleren als ein mögliches Beschichtungsmaterial für magnetische Vorrichtungen, wie beispielsweise Magnetplatten in einem Plattenlaufwerk, untersucht. Das US-Patent Nr. 5 374 463 beschreibt beispielsweise Magnetplatten mit Filmbeschichtungen, die aus mehreren Schichten Fulleren (multilayered fullerene) mit einer Dicke zwischen etwa 30 und 150 Å (3 bis 15 nm) gebildet werden. Die darin beschriebenen "Multilayer-Fulleren"-Beschichtungen sind jedoch für gegenwärtige Schwebehöhenanforderungen für Plattenlaufwerke einfach zu dick. Die Erfindung liefert eine Lösung für dieses und weitere Probleme und bietet weitere Vorteile gegenüber dem Stand der Technik.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Ein Prozess zum Ablagern einer Fulleren-Beschichtung auf einem Substrat wird bereitgestellt. Ein Fulleren-Ziel wird mit dem Substrat in einer Vakuumkammer angeordnet. Ein geladener Strahl, d.h. ein Elektronen- oder Ionenstrahl, wird auf das Ziel mit einer ausreichenden Leistung gerichtet, um Fulleren-Moleküle von dem Ziel zu emittieren, ohne dass Fulleren reagiert. Fulleren wird auf dem Substrat abgelagert.
  • Bei einer anderen Ausführungsform wird das Substrat auf eine Temperatur über die Fulleren-Fulleren-Desorptionstemperatur erwärmt, während Fulleren auf dem Substrat abgeschieden wird, um eine Beschichtung zu bilden, die angenäherte aus einer Einzellage bzw. einem Monolayer von Fulleren besteht.
  • Weitere Merkmale und Vorteile, die die vorliegende Erfindung kennzeichnen, werden beim Lesen der folgenden ausführlichen Beschreibung und Durchsicht der zugeordneten Zeichnungen offensichtlich.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Es zeigen:
  • 1 eine perspektivische Ansicht eines Plattenlaufwerks, in dem Aspekte der Erfindung praktiziert werden können.
  • 2 bis 4 Darstellungen der Vorrichtung und des Verfahrens zur Fulleren-Monolayere-Bildung in Übereinstimmung mit den gegenwärtig bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG VON VERANSCHAULICHENDEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht eines Plattenlaufwerks 100, bei dem die Erfindung nützlich ist. Das Plattenlaufwerk umfasst ein Gehäuse mit einer Basis 102 und einer oberen Abdeckung (nicht gezeigt). Das Plattenlaufwerk 100 umfasst fernen einen Plattenstapel oder -pack 106, der/das auf einem Spindelmotor (nicht gezeigt) durch eine Plattenklammer 108 angebracht ist. Das Plattenpack 106 umfasst eine Mehrzahl von einzelnen Platten 107, die zur Mitdrehung um eine Mittelachse 109 angebracht sind. Jede Plattenoberfläche umfasst ein zugeordnetes Plattenkopfgleit stück 110, das an dem Plattenlaufwerk 100 zur Kommunikation mit der gegenüberliegenden Plattenoberfläche angebracht ist. Das Kopfgleitstück 110 umfasst eine Gleitstückstruktur, die angeordnet ist, um über der zugeordneten Plattenoberfläche einer einzelnen Platte des Plattenpacks 106 zu schweben, und einen Wandlerkopf 111, der angeordnet ist, um Daten auf konzentrische Spuren auf der gegenüberliegenden Plattenoberfläche zu schreiben und Daten von dieser zu lesen. Bei dem in 1 gezeigten Beispiel werden Kopfgleitstücke 110 von Aufhängungen 112 getragen, die ihrerseits an Spurzugriffsarmen 114 eines Aktuators 116 befestigt sind. Der Aktuator 116 wird von einem Schwingspulenmotor (VCM = voice coil motor) 118 angetrieben, um den Aktuator und die an ihm befestigten Köpfe 110 um eine Schwenkwelle 120 zu drehen. Die Drehung des Aktuators 110 bewegt die Köpfe entlang eines bogenförmigen Pfads 122, um die Köpfe über einer gewünschten Datenspur zwischen einem Platteninnendurchmesser 124 und einem Plattenaußendurchmesser 126 zu positionieren. Der Schwingspulenmotor 118 wird von auf einer Leiterplatte 128 enthaltenen Servo-Elektronik basierend auf von den Köpfen der Kopfgleitstücke 110 und einem Hostcomputer (nicht gezeigt) erzeugten Signale angetrieben. Lese- und Schreibelektronik. ist ebenfalls auf der Leiterplatte 128 enthalten, um Signale an den Hostcomputer basierend auf von dem Plattenpack 106 von den Leseköpfen der Kopfgleitstücke 110 gelesenen Daten und um Schreibsignale an den Schreibkopf der Kopfgleitstücke 110 zu liefern, um Daten auf die Platten zu schreiben.
  • Die Drehung der Platten 107 durch den Spindelmotor in der Richtung des Pfeils 132 erzeugt ein Luftstrom oder Wind entlang der Oberfläche der Platte. Gleitstücke 110 reagieren mit dem Wind, um einen Auslegungsabstand von der Oberfläche der jeweiligen Platte zu "schweben".
  • Die oben erwähnte Anmeldung von Dykes u.a. beschreibt ultradünne Schutzbeschichtungen, die einen Monolayer von gereinigtem Fulleren-Material auf einer sauberen Metall- oder Halbleitersubstratoberfläche umfassen, so dass die Fullerene fest mit der Oberfläche verbunden sind bzw. dort anhaften (bonded). Die Fulleren-Metall/Halbleiter-Anziehung ist stärker als die Fulleren-Fulleren-Anziehungen zwischen Schichten. C60-Fulleren ist das bevorzugte Beschichtungsmaterial auf Grund seiner starken Haftung an dem Substrat und relativen Verfügbarkeit. Fullerene sind Kohlenstoff-Cluster-Moleküle mit einer offenen Käfigstruktur, die durch vier- bis sechsseitige Polygone oder Ringe auf der Oberfläche des Moleküls gekennzeichnet sind. Bei einer Form sind die C60-Moleküle sphärisch, wobei sie etwas einem Fußball ähneln, und werden manchmal als "Fußball"-Molekülstruktur gekennzeichnet. Bekannte Fullerene umfassen beispielsweise C60 (Buckminster-Fulleren auch als "Buckyballs" bekannt), C70, C80 und C84. Fulleren-Moleküle weisen einen Durchmesser im Bereich von etwa 5 Å bis etwa 10 Å (0,5 bis etwa 1,0 nm) auf.
  • Fulleren-Moleküle weisen eine sehr starke Haftung an sauberen Metall- und Halbleiteroberflächen auf, sind korrosionsbeständig und liefern vernünftige tribologische Eigenschaften. Die Fulleren-Moleküle bilden stärkere Wechselwirkungen/Bindungen mit sauberen Metall- oder Halbleiteroberflächen als sie mit anderen Fulleren-Molekülen bilden.
  • Die Fulleren-Moleküle haften an dem sauberen Metall oder Halbleitersubstrat mit einer Stärke, die diejenige der zwischenmolekularen Fulleren-Fulleren-Bindung übersteigt. Die Stärke der Fulleren-Bindung mit einem anderen Objekt kann durch die Temperatur geschätzt werden, mit der die Fulleren-Moleküle desorbieren oder von der kondensierten Phase an der Oberfläche verdampfen. Die Desorptionstemperatur bezieht sich auf die Wechselwirkungs-/Bindungsstärke zwischen Fulleren und der Oberfläche. Größere Desorptionstemperaturen kennzeichnen stärkere Wechselwirkungen/Bindung und umgekehrt. Für einige Oberflächen kann die Oberfläche und Fulleren mit einer Temperatur reagieren, die niedriger als die Desorptions temperatur ist, wobei in diesem Fall die Reaktionstemperatur eine untere Grenze der Bindungsstärke liefert.
  • Im Fall von Multilayer-Fulleren-Beschichtungen, d.h. Fulleren-Beschichtungen mit mehreren Lagen von Fulleren-Molekülen als eine Beschichtung, gibt die Anfangs-Desorptionstemperatur die zwischenmolekulare Fulleren-Fulleren-Bindungsstärke an. Die Desorptionstemperatur der Fulleren-Fulleren-Bindung liegt im allgemeinen zwischen 500 K und 570 K. Die der Fulleren-Metall/Halbleiteranziehung entsprechende Desorptionstemperatur, die die Wechselwirkungs-/Bindungsstärke der Anziehung der Fulleren-Moleküle zu dem Metall oder der Halbleiteroberfläche angibt, beträgt 625 K bis 725 K und mehr.
  • Fullerene können mit verschiedenen Verfahren synthetisiert werden, und einige Fullerene wurden gut untersucht. Fullerene sind handelsüblich aus einer Vielfalt von Quellen, einschließlich SES Research of Houston, TX, verfügbar. Die Fullerene werden gereinigt, wie beispielsweise durch Säulenchromatographie mit organischen Dispersionen von Fullerenen, wie beispielsweise mit Siliziumoxid- oder Aluminiumoxidsäulen. Die gereinigten Fullerene werden auf einem sauberen Substrat abgelagert.
  • Eine Ansammlung von Fullerenen, vorzugsweise in gereinigter Form, kann auf eine Oberfläche aufgebracht werden, um eine Fulleren-Beschichtung zu bilden. Eine Vorgehensweise für die Ablagerung von Fulleren beinhaltet das Erwärmen einer Ansammlung von Fullerenen, um einen Fulleren-Dampf durch Sublimation zu bilden, wobei eine Oberfläche in Berührung mit dem Fulleren-Dampf gebracht wird. Eine verbesserte Steuerung des Ablagerungsverfahrens kann mit einer aus Sputtern bestehenden Vorgehensweise mit einem geladenen Strahl, beispielsweise einem Elektronenstrahl oder einem Ionenstrahl, der nachstehend beschrieben ist, möglich sein.
  • 2 veranschaulicht eine mit einem Gehäuse 202 eines Vakuumsystems gebildete Vakuumkammer 200. Ein Generator 204 für einen geladener Strahl, d.h. ein Elektronen- oder Ionenstrahl, richtet einen Elektronen- oder Ionenstrahl 206 auf ein aus Fulleren-60 (C60) gebildetes Fulleren-Ziel 208, wie beispielsweise ein Multilayer-Fulleren-60-Ziel, oder ein Ziel aus Fulleren-60 in Pulverform. Insbesondere kann das Ziel ein Pulver aus Fulleren-Clustern oder aus einer festen/kondensierten Fullerenphase umfassen. Das Fulleren kann kristallin oder amorph sein. Das Fulleren-Ziel kann auf einer Anode 210 des Strahlgenerators gebildet sein, so dass Elektroden von der Strahlgeneratorkathode die Anode durch das Fulleren-Ziel bombardieren, was die Emission von Fulleren-Molekülen in die Vakuumkammer verursacht. Alternativ kann der geladene Strahl von der Kathode zu der Anode die Fullerene im Transit abfangen.
  • Der geladene Strahl sollte eine ausreichend niedrige Spannung und einen Fluss aufweisen, um die Zersetzung von Fullerens oder die Bildung bedeutender Mengen höherer Fullere, wie beispielsweise C70, C76, C78, C84, etc., zu vermeiden. Das Ziel kann nach Bedarf jedoch andere Fullere neben C60 aufweisen. Ein Elektronenstrahl kann mit einer Vielfalt von Elektronenstrahlgenerator-Ausgestaltungen erzeugt werden. Beispielsweise kann der Elektronenstrahlgenerator ein stab-gespeister Elektronenstrahlgenerator (rod fed electron beam generator) sein, wobei in diesem Fall das Fulleren-Ziel in der Form eines Stabs für den Generator ist. Der Elektronenstrahlgenerator kann beispielsweise mit einer 30 Kilowatt Stromversorgung mit einer konstanten Spannung von weniger als etwa 1 Kilowatt, im allgemeinen von 250 Volt bis etwa 25 Volt, betrieben werden, um Elektronen an dem Ziel zu emittieren. Der Elektronenstrahlgenerator arbeitet im allgemeinen mit einem Emissionsstrom von etwa 1 Ampere bis etwa 0,1 Ampere, und bei einigen Ausführungsformen zwischen etwa 0,2 Ampere und 0,05 Ampere. Ein Ionenstrahl kann mit einem molekularen/atomaren Strahl erzeugt werden, der mit einem Elektronenstrahl oder Elektronenbogen wechselwirkt, um den atomaren oder molekularen Strom zu ionisieren. Bevorzugte Atome/Moleküle, die verwendet werden, um den Ionenstrahl zu bilden, sind inert. Geeignete Ionen umfassen beispielsweise Argonionen.
  • Es ist wichtig, dass das Substrat 212 sauber und frei von Verunreinigungen ist, da die Anwesenheit von Verunreinigungen die starke Anziehung zwischen der Oberfläche und den Fulleren-Molekülen behindern kann. Beispielsweise werden Oxide auf der Substratoberfläche die Stärke der Wechselwirkung/Bindung zwischen den Fulleren-Molekülen und dem Metall oder dem Halbleitersubstrat verringern. Wasserstoff kann mit Kohlenstoff unter bestimmten Bedingungen reagieren. Eine Weise, die Anforderung für eine saubere Ablagerungsumgebung zu erfüllen, besteht darin, dass Substrat unter einem Hochvakuum durch Verfahren, wie beispielsweise chemische oder Dampfphasen abscheidung, zu bilden, oder das des Substrat unter einem Hochvakuum mittels Sputtern oder anderen Verfahren zu reinigen. In jedem Fall wird die Ablagerung von Fulleren vorzugsweise in fast vollständiger Abwesenheit von Verunreinigungen sowohl auf der Substratoberfläche oder in der Atmosphäre der Ablagerungskammer durchgeführt, so dass sie nicht die Bildung einer stark anhaftenden Fulleren-Schicht behindern.
  • Bei bevorzugten Ausführungsformen wird die Ablagerung im Vakuum, vorzugsweise zwischen 10–2 und 10–10 Torr ausgeführt. In den meisten Fällen sollte der Druck etwa 10–7 Torr oder niedriger sein. Der verminderte Druck gewährleistet eine ausreichende Abwesenheit von Sauerstoff, Wasserstoff und Wasser in der Kammer. Der niedrige Druck gewährleistet insbesondere, dass der Partialdruck von Sauerstoff, Wasserstoff und Wasser in einem Ultravakuumzustand unter etwa 10–9 Torr ist. Alternativ kann das Verfahren bei Atmosphärendruck durchgeführt werden, wobei jedoch darauf geachtet werden muss, die Anwesenheit von Verunreinigungen zu vermeiden. Beispielsweise kann das Verfahren in einer inerten Atmosphäre durchgeführt werden, so dass der Partialdruck von Sauerstoff, Wasser und Wasserstoff jeweils unter etwa 10–9 Torr sind.
  • Elektronen oder Ionen, die das Fulleren-Ziel 208 treffen, veranlassen, dass Fulleren-Moleküle von dem Ziel emittiert werden. Zumindest einige der Fulleren-Moleküle werden zu dem sauberen Substrat 214 in der Richtung der Pfeile 212 emittiert, um Moleküle 216 auf der Oberfläche 218 des Substrats abzulagern. Folglich wird eine Fulleren-Beschichtung auf die Oberfläche 218 des Substrats 214 abgelagert.
  • Es ist nicht notwendig, irgendwelche geladene Platten oder andere Fokussiervorrichtungen bereitzustellen, um die Fulleren-Moleküle zu dem Substrat 212 hin zu fokussieren, wobei jedoch eine Fokussierung verwendet werden kann, falls es gewünscht wird. Nichts desto weniger sollte der Abstand zwischen dem Substrat 212 und dem Ziel so klein sein, wie es möglich ist, um einen Verlust des Fullerens zu den Seiten des Gehäuses 202 und anderswo innerhalb der Kammer 200 zu vermeiden. Ein geeigneter Abstand kann von der Größe der zu beschichtenden Oberfläche abhängen, da ein größeres Substrat im allgemeinen weiter weg positioniert sein würde, um eine vernünftige Bedeckung über der Oberfläche zu erreichen. Somit würde eine Speicherplatte im allgemeinen weiter weg als ein Plattenlaufwerkskopf in der Beschichtungskammer platziert sein.
  • Die Auswahl eines Substratmaterials, auf dem das Fulleren abgelagert wird, hängt ebenfalls von der spezifischen Anwendung und den Leistungsparametern des beschichteten Objekts ab. Das Substrat wird ein sauberes Metall, ein sauberer Halbleiter oder eine deren Mischungen sein. Für Magnetköpfe geeignete Substratmaterialien umfassen beispielsweise Ni, Co, NiFe, CoFe, CouZrNb, NiFeCr, AlSiFe, NiFeRe sowie deren Mischungen und Legierungen. Für Magnetplatten geeignete Substratmaterialien umfassen Metalle, wie beispielsweise Kobalt und Kobaltlegierungen, z.B. Co-Ni, Co-Cr, Co-Ni-Fe, Co-Ni-Cr, Co-Pt, Co-Ni-Pt, Co-Cr-Ta, Co-Cr-Pt, Co-Cr-Ni-B, Co-P, Co-Ni-P sowie ähnliche Materialien, und deren Mischungen und Legierungen. Andere Metalle und Legierungen umfassen beispielsweise PtMn, Cu, Ru, Rh, Ta, CoPt, CoCuPt, Au und dergleichen. Magnetooptische Platten können ein oder mehrere seltene Erden oder ein oder mehrere Übergangsmetalle, beispielsweise TbFeCo, GdFeCo, TbFeCoZr, DyFeCo und GdDyFeCo, aufweisen.
  • Unabhängig von der Vorgehensweise, die verwendet wird, um die Fullerene auf der Substratoberfläche aufzubringen, kann mehr als ein Fulleren-Monolayer aufgebracht werden. Mehrere Lagen von Fullerenen vergrößern unerwünschterweise die Dicke der Schutzschicht. Außerdem sind die zusätzlichen Fullerenlagen nicht stabil, da die zwischenmolekulare Fulleren-Fulleren-Anziehung bedeutend niedriger als die starke Anziehung zwischen den Fullerenen und den sauberen Metall- oder Halbleiteroberflächen ist.
  • Obgleich es möglich sein kann, die Ablagerungszeit und die Bedingungen zu steuern, um einen Monolayer direkt abzulagern, kann es schwierig sein, die Ablagerungsbedingungen zu steuern, um einen Monolayer bequem zu erzeugen. Wenn mehr als ein Monolayer abgelagert wird, ist es wünschenswert, die zusätzlichen Schichten von Fullerenen zu entfernen, während der stark anhaftende Monolayer auf dem sauberen Material oder Halbleiteroberfläche belassen wird. Um die zusätzlichen Fullerene zu entfernen, kann das beschichtete Substrat auf eine Temperatur erwärmt werden, um die weiteren Fulleren-Lagen zu desorbieren, ohne den Monolayer zu zerbrechen, wie es weiter nachstehend beschrieben ist. Diese selektive Desorption ist auf Grund der stärkeren Wechselwirkung/Bindung der Fullerene mit dem sauberen Metall oder der Halbleiteroberfläche gegenüber der zwischenmolekularen Fulleren-Fulleren-Bindung möglich.
  • Bei einer anderen Ausführungsform wird eine angenäherte Monolayer-Fulleren-Beschichtung durch Ablagern der Fulleren-Moleküle auf dem Substrat 212 gebildet, während das Substrat durch eine Heizvorrichtung 214 auf eine Temperatur über die Desorptionstemperatur der Fulleren-Fulleren-Bindung jedoch unter der Desorptionstemperatur der Fulleren-Substratbindung erwärmt wird (beispielsweise zwischen etwa 200°C und 400°C, und im allgemeinen zwischen etwa 225°C und 350°C), um die Bildung einer Multilayer-Fulleren-Beschichtung zu verhindern. Somit kann die Bildung eines Fulleren-Monolayers in einem einzigen Schritt durchgeführt werden. Bei einigen Ausführungsformen wird das Substrat während des gesamten Heizverfahrens erwärmt. Das Substrat kann jedoch nur für einen Teil des Ablagerungsverfahrens erwärmt werden, so dass die Fullerene anfangs auf einer kalten Substratoberfläche kondensieren, und die Fertigstellung der Monolayer-Bildung wird mit einem erwärmten Substrat durchgeführt. Auf ähnliche Weise kann das Substrat vor der Initiierung des Fulleren-Ablagerungsverfahrens erwärmt werden.
  • Das Fulleren kann auf der Substratoberfläche mittels der oben beschriebenen Vorgehensweise mit Sputtern aufgebracht werden, durch die in der oben erwähnten Anmeldung von Dykes u.a. beschriebene Sublimationstechnik, durch Spincoating oder durch irgendeine andere geeignete Technik. Wie er hier verwendet wird, bedeutet der Begriff "Monolayer", wenn er auf eine Beschichtung von Fulleren angewendet wird, eine Beschichtung, die ungefähr eine Lage von Fulleren-Molekülen aufweist, obgleich sich die Eigenschaften der Beschichtung nicht bedeutsam ändert, wenn die Beschichtung geringfügig größer oder kleiner als ein Monolayer ist. Während außerdem ein Fulleren-Molekül-Monolayer im allgemeinen in einer zweidimensionale Kristallstruktur auf dem Substrat gepackt ist, muß eine Fulleren-Beschichtung mit wenigen Gitterfehlern in dem Monolayer die gewünschten Eigenschaften der Fulleren-Schicht nicht ändern, und würde als ein angenäherter Monolayer angesehen werden. In jedem Fall schützt der Fulleren-Monolayer das Substrat vor Korrosion infolge von Wasserdampf und Abnutzung, während eine ausreichende Schmierung mit einer ultradünnen Schicht, die für die Verwendung bei Magnetdatenspeicherkomponenten, wie beispielsweise Lese-/Schreibköpfen, Gleitstücken und Magnetplatten geeignet ist, bereitgestellt wird.
  • Die Bildung eines Fulleren-Molekül-Monolayers auf dem Substrat führt zu einer Beschichtung mit einer Dicke von weniger als etwa 1,0 nm. Dieses Merkmal ist besonders vorteilhaft, wenn kleine Schwebehöhenabstände erforderlich sind, wie beispielsweise bei einem Plattenlaufwerk. Der Monolayer kann während der Ablagerung durch Erwärmen des Substrats, wie es hier beschrieben ist, oder mit einem nachträglichen Ablagerungsverfahren, um mehrere Schichten von Fulleren zu entfernen, so dass ein Fulleren-Monolayer gebildet wird, hergestellt werden. Beispielsweise können mehrere Fulleren-Lagen durch Erwärmen des Substrats nach der Bildung der Multilayer-Fulleren-Beschichtung, wie es in der oben erwähnten Anmeldung von Dykes u.a. beschrieben ist, oder durch Anwenden eines Lösungsmittels auf den Fulleren-Multilayer oder durch Richten eines Hochenergiestrahls auf den Fulleren-Multilayer entfernt werden, wobei die letzten beiden Vorgehensweisen in der Anmeldung Nr. (501.12-0805/STL 9643) mit dem Titel "Process For Production Of Ultrathin Overcoats", eingereicht am gleichen Datum von Dykes u.a., beschrieben sind.
  • Die Oberfläche einer Datenspeicherplatte kann ferner wahlweise eine Schmiermittelschicht über der Fulleren-Monolayer-Schutzschicht umfassen. Geeignete Schmiermittelschichten umfassen Polymere, zum Beispiel fluorierte Polymere, wie beispielsweise Perfluorpolyether und dessen Derivative. Geeignete Perfluorpolyetherpolymere umfassen beispielsweise Fomblin®Z-60 (durchschnittliches Molekulargewicht (AMW = average molecuhar weight) = etwa 60.000 Atommasseneinheiten (AMU) oder Dalton), Fomblin®Z-25 (AMW = etwa 25.000 AMU) und Fomblin®Z-15 (AMW = etwa 15.000 AMU). Die Fomblin® Perfluorpolyether, hergestellt von Montedison (Ausimont) S.p.A., Mailand, Italien, weisen Summenformeln von CF3O (CF2CF2O)n(CF2O)mCF3 auf, wobei sich n und m verändern, um bestimmte Produkte mit durchschnittlichen Molekulargewichten spezifizierten Werten zu ergeben.
  • Bei bestimmten bevorzugten Ausführungsformen weisen sowohl die Kopfoberfläche als auch die Plattenoberfläche einen Fulleren-Monolayer auf. Auf Grund der schwachen Wechselwirkungen zwischen Fulleren-Molekülen sollte der mit Fulleren beschichtete Kopf nicht stark an dem mit Fulleren beschichteten Substrat haften. Insbesondere für diese Ausführungsformen kann eine Schmiermittelschicht auf der Substratoberfläche unnötig sein, um eine gewünschte tribologische Leistung zu erhalten.
  • Anders gesagt, wird bei einer Ausführungsform ein Ziel (208) von Fulleren-60 mit dem Substrat (212) in eine Vakuumkammer (200) gebracht. Ein geladener Strahl (206) wird auf das Ziel mit einer Leistung gerichtet, die ausreicht, um Fulleren-Moleküle von dem Ziel zu emittieren, und die nicht hoch genug ist, um bedeutende Mengen von Fulleren mit einer höheren Molekularstruktur als C60 zu bilden. Fulleren (214) C60 wird auf dem Substrat abgelagert. Bei anderen Ausführungsformen können andere Fullerene verwendet werden.
  • Bei bevorzugten Ausführungsformen wird das Verfahren in einer Vakuumkammer durchgeführt, die mit einem Druck zwischen etwa 10–2 und 10–10 Torr und vorzugsweise zwischen etwa C–7 und C–9 Torr betrieben wird. Der Elektronenstrahl wird von einem Elektronenstrahlgenerator mit einer Emissionsspannung unter etwa 1 Kilovolt erzeugt. Geeignete Ionenstrahlen umfassen beispielsweise Argonionenstrahlen.
  • Bei einer anderen Ausführungsform erwärmt eine Heizvorrichtung (214) das Substrat auf eine Temperatur über die Fulleren-Fulleren-Desorptionstemperatur, während Fulleren auf dem Substrat aufgebracht wird, um eine Beschichtung zu bilden, die einen angenäherten Fulleren-Monolayer aufweist.
  • Obgleich die Erfindung mit Bezug auf Ober-Beschichtungen (over coats) für Magnetobjekte, wie beispielsweise Köpfe/Gleitstücke und Platten eines magnetischen oder magnetooptischen Plattenlaufwerks beschrieben wurde, werden Fachleute erkennen, dass die Erfindung bei anderen Bauelementen oder Komponenten einschließlich, jedoch nicht begrenzt auf in der Spindel verwendeten Lager und Schwingspulenmotoren des Laufwerks, verwendet werden kann, sowie auch auf andere Systeme, die Beschichtungen und Schmiermitteltechnologien verwenden, insbesondere wo ultradünne Beschichtungen erforderlich sind.
  • Es ist offensichtlich, dass, obgleich zahlreiche Charakteristiken und Vorteile verschiedener Ausführungsformen der Erfindung in der vorstehenden Beschreibung zusammen mit Einzelheiten der Struktur und Funktion verschiedener Ausführungsformen der Erfindung dargelegt wurden, diese Offenbarung nur veranschaulichend ist, und Änderungen in Einzelheiten, insbesondere in Angelegenheiten der Struktur und Anordnung der Beschichtung und der Art und Weise des Verringerns von Multilayer-Beschichtungen, durchgeführt werden können, wobei die Prinzipien der Erfindung in dem vollen Ausmaß, durch die breite allgemeine Bedeutung der Begriffe, in denen die beigefügten Ansprüche ausgedrückt sind, nicht verlassen werden. Beispielsweise können sich bestimmte Elemente, abhängig von der bestimmten Anwendung für die Schutzbeschichtung, verändern, während im wesentlichen die gleiche Funktionalität ohne Abweichen vom Schutzumfang und Geist der Erfindung aufrechterhalten wird. Obgleich die Erfindung in Verbindung mit Fulleren-Beschichtungen beschrieben wird, könnte somit das Verfahren zum Verringern von Multilayer-Beschichtungen zu Monolayer-Beschichtungen in einer Vielfalt von Weisen ohne nachteiliges Anheben der Temperatur des beschichteten Objekts, wie beispielsweise mechanisch oder chemisch, erreicht werden. Obgleich die hier beschriebene Erfindung auf eine spezifische Technik zum Erreichen von Monolayer-Beschichtungen gerichtet ist, wird der Fachmann erkennt, dass die Lehren der Erfindung auf die Bildung von gesteuerten Multilayer-Beschichtungen ohne Abweichen vom Schutzumfang und Geist der Erfindung angewendet werden kann.
  • Zusammenfassung
  • Ein Ziel von Fulleren wird mit einem Substrat in einer Vakuumkammer angeordnet. Ein geladener Strahl 206, d.h. ein Elektronenstrahl oder ein Ionenstrahl, wird auf das Ziel 208 mit einer Leistung gerichtet, die ausreicht, um Fulleren-Moleküle von dem Ziel zu emittieren, und die nicht hoch genug ist, um bedeutende Mengen von Fulleren mit einer höheren Molekularstruktur als die der Ziel-Fullerene zu bilden. Fulleren 214 wird auf dem Substrat 212 abgelagert. Ohne Rücksicht auf die Vorgehensweise, die verwendet wird, um die Fullerene abzulagern, kann das Substrat 212 während der Ablagerung auf eine Temperatur über der Fulleren-Fulleren-Desorptionstemperatur erwärmt werden, um eine Beschichtung zu bilden, die aus einem angenäherten Fulleren-Monolayer aufgebaut ist.
    (2)

Claims (24)

  1. Verfahren zum Ablagern einer Fulleren-Beschichtung auf einem Substrat, wobei das Verfahren umfasst: a) Richten eines geladenen Strahls in einer Kammer auf ein Fulleren umfassendes Ziel mit einer Leistung, die ausreichend ist, um Fulleren-Moleküle von dem Ziel zu emittieren, ohne dass das Fulleren reagiert, um Fulleren auf einer Substratoberfläche innerhalb der Kammer abzulagern.
  2. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem die Kammer bei einem Druck zwischen etwa 10–2 und 10–10 Torr betrieben wird.
  3. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem der geladene Strahl ein Elektronenstrahl ist.
  4. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem der geladene Strahl ein Ionenstrahl ist.
  5. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem das Substrat ein Metalle oder einen Halbleiter oder ein Gemisch aufweist.
  6. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem das Substrat Co-Ni, Co-Cr, Co-Ni-Cr, Co-Pt, Co-Ni-Pt, Co-Cr-Ta, Co-Cr-Pt, Co-Cr-Ni-B, Co-P, Co-Ni-P, PtMn, Cu, Ru, Rh, Ta, CoPt, CoCuPt, Au, seltene Erden, Übergangsmetalle oder deren Mischungen und Legierungen aufweist.
  7. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem Fulleren-Moleküle an der Oberfläche mit einer Fulleren-Substrat-Bindungsstärke anhaften, die einer Fulleren-Monolayer-Desorptionstemperatur von mindestens ungefähr 700 K entsprechen.
  8. Verfahren gemäß Anspruch 1, ferner mit dem Schritt: b) des Erwärmens des Substrats auf eine Temperatur über der Fulleren-Fulleren-Desorptionstemperatur, während Fulleren auf dem Substrat abgelagert wird.
  9. Verfahren gemäß Anspruch 8, bei dem die Fulleren-Beschichtung auf dem Substrat ungefähr ein Monolayer ist.
  10. Verfahren gemäß Anspruch 10, bei dem das Fulleren C60 ist.
  11. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem die Substratoberfläche Metall oder Halbleiter umfasst und ferner mit: b) Bilden einer sauberen Metall- oder Halbleiteroberfläche innerhalb der Kammer.
  12. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem der geladene Strahl ein Elektronenstrahl ist, der mit einer Spannung von nicht mehr als etwa 1 Kilovolt gerichtet wird.
  13. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem das Ziel ein Pulver aus Fulleren-Clustern umfasst.
  14. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem das Ziel eine Schicht aus kondensierten Fullerenen umfasst.
  15. Verfahren des Bildens eines angenährten Monolayers einer Fulleren-Beschichtung auf einem Metall- oder Halbleitersubstrat, wobei das Verfahren umfasst: a) Ablagern von Fulleren auf dem Substrat über eine Zeitspanne einer Ablagerungszeit; und b) Erwärmen des Substrats für mindestens einen Teil der Ablagerungszeit auf eine Temperatur über der Fulleren-Fulleren-Desorptionstemperatur und unter der Fulleren-Substrat-Desorptionstemperatur.
  16. Verfahren gemäß Anspruch 15, bei dem Schritt (b) bei einer Temperatur zwischen etwa 225°C und 350°C durchgeführt wird.
  17. Verfahren gemäß Anspruch 15, bei dem das Substrat ein Metallen oder einen Halbleitern oder ein Gemisch aufweist.
  18. Verfahren gemäß Anspruch 15, bei dem das Substrat Co-Ni, Co-Cr, Co-Ni-Cr, Co-Pt, Co-Ni-Pt, Co-Cr-Ta, Co-Cr-Pt, Co-Cr-Ni-B, Co-P, Co-Ni-P, PtMn, Cu, Ru, Rh, Ta, CoPt, CoCuPt, Au, seltene Erden, Übergangsmetalle oder deren Mischungen und Legierungen dieser aufweist.
  19. Verfahren gemäß Anspruch 15, bei dem Fulleren-Moleküle an dem Substrat mit einer Bindungsstärke anhaften, die einer Fulleren-Monolayer-Desorptionstemperatur von mindestens ungefähr 700 K entspricht.
  20. Verfahren gemäß Anspruch 15, bei dem das Fulleren C60 ist.
  21. Verfahren gemäß Anspruch 15, bei dem die Ablagerung von Fulleren durch Sublimation durchgeführt wird.
  22. Verfahren gemäß Anspruch 15, bei dem die Ablagerung von Fulleren durch Sputtern eines Fulleren-Ziels durchgeführt wird.
  23. Verfahren gemäß Anspruch 15, bei dem das Substrat für die gesamte Ablagerungszeitspanne erwärmt wird.
  24. Verfahren gemäß Anspruch 15, bei dem das Substrat für einen Teil der Ablagerungszeitspanne erwärmt wird, um eine Fulleren-Monolayer zu bilden, während das Substrat erwärmt wird.
DE10196294T 2000-06-02 2001-05-31 Verfahren zur Herstellung von ultradünnen Schutzbeschichtungen Withdrawn DE10196294T5 (de)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US20876100P 2000-06-02 2000-06-02
US20876000P 2000-06-02 2000-06-02
US60/208,761 2000-06-02
US60/208,760 2000-06-02
PCT/US2001/017512 WO2001094658A2 (en) 2000-06-02 2001-05-31 Process for production of fullerene coatings

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10196294T5 true DE10196294T5 (de) 2004-07-08

Family

ID=26903476

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10196294T Withdrawn DE10196294T5 (de) 2000-06-02 2001-05-31 Verfahren zur Herstellung von ultradünnen Schutzbeschichtungen

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6479111B2 (de)
JP (1) JP2003536189A (de)
CN (1) CN1441854A (de)
AU (1) AU2001265215A1 (de)
DE (1) DE10196294T5 (de)
GB (1) GB2380495B (de)
WO (1) WO2001094658A2 (de)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2001253498A1 (en) * 2000-04-14 2001-10-30 Seagate Technology Llc Ultrathin protective overcoats for magnetic materials
JP2004503388A (ja) * 2000-06-01 2004-02-05 シーゲイト　テクノロジー　エルエルシー 超薄保護オーバコーティングの生成方法
KR100589041B1 (ko) * 2001-03-30 2006-06-13 삼성전자주식회사 마스크 및 그 형성방법
GB2384008B (en) 2001-12-12 2005-07-20 Electrovac Method of synthesising carbon nano tubes
US7800194B2 (en) * 2002-04-23 2010-09-21 Freedman Philip D Thin film photodetector, method and system
US8907323B2 (en) * 2002-04-23 2014-12-09 Philip D. Freedman Microprocessor assembly
US20070122622A1 (en) * 2002-04-23 2007-05-31 Freedman Philip D Electronic module with thermal dissipating surface
AU2003264212A1 (en) * 2002-09-17 2004-04-08 Ht Innovative Technologies, Llc Process of controllable synthesis of carbon films with composite structures
US7746600B2 (en) * 2003-04-08 2010-06-29 Seagate Technology Llc Encapsulant for a disc drive component
US7327535B2 (en) * 2003-05-08 2008-02-05 Sae Magnetics (H.K.) Ltd. Hybrid coating for magnetic heads
CN100334019C (zh) * 2004-04-30 2007-08-29 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 模造玻璃模仁及其制造方法
US8835880B2 (en) * 2006-10-31 2014-09-16 Fei Company Charged particle-beam processing using a cluster source
US8986782B2 (en) 2009-04-24 2015-03-24 Mon-Shu Ho Method of forming self-assembly and uniform fullerene array on surface of substrate
US8518563B2 (en) * 2010-02-23 2013-08-27 Seagate Technology Llc Covalently bound monolayer for a protective carbon overcoat
TWI431002B (zh) 2011-05-30 2014-03-21 Ind Tech Res Inst 富勒烯衍生物與光電元件
US10304482B2 (en) 2015-03-22 2019-05-28 Seagate Technology Llc Devices including an overcoat layer
CN107077868B (zh) * 2015-06-30 2019-12-31 昭和电工株式会社 记录介质、富勒烯薄膜的制造方法、记录再现装置、信息记录方法及信息读出方法
WO2018030412A1 (ja) * 2016-08-10 2018-02-15 昭和電工株式会社 フラーレン誘導体および潤滑剤
US11932820B2 (en) 2019-04-24 2024-03-19 Resonac Corporation Lubricating oil composition and method for producing lubricating oil composition
WO2020218386A1 (ja) 2019-04-24 2020-10-29 昭和電工株式会社 潤滑油組成物、その製造方法及び真空装置
CN115003623A (zh) * 2020-01-28 2022-09-02 国立大学法人电气通信大学 富勒烯结构体、其制造方法及其制造装置
CN111455315B (zh) * 2020-05-14 2021-12-31 中国科学院兰州化学物理研究所 一种富勒烯/非晶碳氢复合薄膜的制备及在真空低温环境中的应用
CN114428180B (zh) * 2022-01-17 2024-01-30 中国科学院物理研究所 一种二维纳米材料的stem样品的制备方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3027162A1 (de) 1979-07-23 1981-02-19 Datapoint Corp Speicherplatte mit einer duennen magnetischen legierungsschicht und verfahren zu ihrer herstellung
US4503125A (en) 1979-10-01 1985-03-05 Xebec, Inc. Protective overcoating for magnetic recording discs and method for forming the same
US5374463A (en) 1991-10-22 1994-12-20 International Business Machines Corporation Magnetic recording disk having a contiguous fullerene film and a protective overcoat
JPH07235045A (ja) 1991-10-22 1995-09-05 Internatl Business Mach Corp <Ibm> ベアリング系、データ記録ディスクファイル及びデータ記録ディスク
US5538763A (en) * 1991-10-25 1996-07-23 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of preparing carbon cluster film having electrical conductivity
JP2817502B2 (ja) 1992-03-25 1998-10-30 日本電気株式会社 磁気記憶体
JPH05282660A (ja) 1992-04-01 1993-10-29 Mitsubishi Electric Corp 磁気記録媒体およびその製造方法
JPH05314451A (ja) 1992-05-09 1993-11-26 Alps Electric Co Ltd 磁気ヘッド
JPH05342570A (ja) 1992-06-04 1993-12-24 Hitachi Ltd 磁気記録媒体製造方法および磁気記録媒体
US5316636A (en) * 1992-08-12 1994-05-31 The Regents Of The University Of California Production of fullerenes by electron beam evaporation
US5558903A (en) * 1993-06-10 1996-09-24 The Ohio State University Method for coating fullerene materials for tribology
US5641841A (en) 1995-01-10 1997-06-24 International Business Machines Corporation Conductive lubricant for magnetic disk drives
JPH08212539A (ja) 1995-02-08 1996-08-20 Hitachi Ltd 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置
US5744399A (en) 1995-11-13 1998-04-28 Lsi Logic Corporation Process for forming low dielectric constant layers using fullerenes
JP2860399B2 (ja) 1996-01-31 1999-02-24 工業技術院長 パターン形成方法
US6017630A (en) 1996-05-22 2000-01-25 Research Development Corporation Ultrafine particle and production method thereof, production method of ultrafine particle bonded body, and fullerene and production method thereof
JPH1049885A (ja) 1996-07-30 1998-02-20 Toshiba Corp 光ディスク記録再生装置
US5876790A (en) 1996-12-31 1999-03-02 Ormat Industries Ltd. Vacuum evaporation method for producing textured C60 films
US6045596A (en) 1997-04-07 2000-04-04 Medtek Devices, Inc. Filter system to remove a contaminant from a fluid stream
JP3026198B2 (ja) 1998-08-28 2000-03-27 工業技術院長 電子線照射用パターン形成材料

Also Published As

Publication number Publication date
CN1441854A (zh) 2003-09-10
JP2003536189A (ja) 2003-12-02
GB0228676D0 (en) 2003-01-15
WO2001094658A3 (en) 2002-03-28
GB2380495B (en) 2004-09-01
US6479111B2 (en) 2002-11-12
US20020031615A1 (en) 2002-03-14
WO2001094658A2 (en) 2001-12-13
GB2380495A (en) 2003-04-09
AU2001265215A1 (en) 2001-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10196294T5 (de) Verfahren zur Herstellung von ultradünnen Schutzbeschichtungen
JP3936197B2 (ja) 磁性材料用極薄保護被覆
US6743481B2 (en) Process for production of ultrathin protective overcoats
US4596735A (en) Magnetic recording medium and method for making
DE112016006243T5 (de) Magnetisches aufzeichnungsmedium
DE3212202C2 (de) Magnetisches Aufzeichnungsmedium
DE10304865A1 (de) Magnetische Medien mit verbesserter Austauschkopplung
DE3332474A1 (de) Flexibler magnetaufzeichnungstraeger
US20060246227A1 (en) Method for producing nanoparticle layer having uniform easy axis of magnetization, magnetic recording medium having such layer, its production method, and its production apparatus
DE10026050A1 (de) Magnetische Medien mit ferromagnetischen Überzugsmaterialien für verbesserte thermische Stabilität
US20050196606A1 (en) Composite material, structure and polycrystalline structure film and method of making particles
DE112022002269T5 (de) Wärmeunterstütztes magnetisches aufzeichnungsmedium (hamr-medium) mit optisch koppelnder mehrfachschicht zwischen der aufzeichnungsschicht und der wärmesenkeschicht
DE60215556T2 (de) Magnetisches aufzeichnungsmittel und magnetisches speichergerät
JPH0580733B2 (de)
US20100302682A1 (en) Magnetic Recording Media Having Recording Regions and Separation Regions That Have Different Lattice Constants and Manufacturing Methods Thereof
DE60020809T2 (de) Verfahren zur herstellung eines magnetischen aufzeichnungsmediums
DE602004003047T2 (de) Verfahren zur herstellung eines nano-teilchen mediums
JP2000163732A (ja) 磁気記録媒体及びその製造方法
DE60205819T2 (de) Magnetisches Aufzeichnungsmittel vom metallischen Dünnschicht-Typ und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10012414A1 (de) Magnetisches Aufzeichnungsmedium, Verfahren zur Herstellung des Mediums und Magnetplattenvorrichtung
EP0324942B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines magnetischen Aufzeichnungsträgers
JP2964433B2 (ja) 磁気記録媒体の製造方法
Hirono et al. Cobalt-Carbon Nanogranular Magnetic Thin Films
JP2002117531A (ja) 磁気記録媒体および磁気記憶装置
JPH0757261A (ja) 磁気記録媒体及び磁気ヘッド並びにその製造方法及び製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law

Ref document number: 10196294

Country of ref document: DE

Date of ref document: 20040708

Kind code of ref document: P

8139 Disposal/non-payment of the annual fee