DE102004013681B3

DE102004013681B3 - Halbleitermodul mit einem Kopplungssubstrat und Verfahren zur Herstellung desselben

Info

Publication number: DE102004013681B3
Application number: DE102004013681A
Authority: DE
Inventors: Georg Meyer-Berg
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2004-03-18
Filing date: 2004-03-18
Publication date: 2005-11-17
Anticipated expiration: 2024-03-19
Also published as: CN100517703C; CN1961426A; US20070080442A1; WO2005091366A3; WO2005091366A2; US7498674B2

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Halbleitermodul (4) mit einem Kopplungssubstrat (1) und Verfahren zur Herstellung derselben. Das Kopplungssubstrat (1) dient der internen elektrischen Kopplung integrierter Schaltung benachbarter Halbleiterchips (2, 3). Die Halbleiterchips (2, 3) weisen integrierte Schaltungen auf und sind auf einer Trägerstruktur angeordnet. Die Halbleiterchips (2, 3) stehen extern mit Außenkontakten (22) in Verbindung. Das Kopplungssubstrat (1) überlappt Randbereiche (6, 7) der benachbarten Halbleiterchips (2, 3).

Description

Die Erfindung betrifft ein Halbleitermodul mit einem Kopplungssubstrat zur elektrischen Kopplung integrierter Schaltung benachbarter Chips und ein Verfahren zur Herstellung des Halbleitermoduls. Die Halbleiterchips mit ihren integrierten Schaltungen sind nebeneinander auf einem Verdrahtungssubstrat angeordnet und elektrisch über das Verdrahtungssubstrat mit Außenkontakten des Halbleitermoduls verbunden.
Elektrische Verbindungen der integrierten Schaltungen untereinander, ohne Kombination mit einem Außenkontakt werden als interne Verbindungen bezeichnet und üblicherweise durch Drahtbonden von Halbleiterchip zu Halbleiterchip realisiert. Das hat den Nachteil, dass die zu verbindenden Kontaktflächen der integrierten Schaltungen in gleicher Reihenfolge für beide Halbleiterchips entlang ihrer benachbarten Kanten vorliegen müssen, da Kreuzungen von Bonddrähten zu Kurzschlüssen führen können. Außerdem ist durch die erforderlichen Bondwerkzeuge die Verbindungsdichte zwischen den integrierten Schaltungen benachbarter Halbleiterchips auf wenige interne Verbindungen beschränkt.

Aus der EP 509 825 A2 ist bekannt, auf ein mehrlagiges Verdrahtungssubstrat mit strukturierten Metalllagen einen Chip mit der aktiven Seite mittels Flipchip-Kontakten aufzubringen. Eine bekannte Möglichkeit besteht darin, bei einem mehrlagigen Verdrahtungssubstrat über entsprechend geplante Durchkontakte interne Verbindungen zwischen integrierten Schaltungen benachbarter Halbleiterchips des Halbleitermoduls herzustellen. Diese Lösungen sind kostenintensiv, da mit hoher Verbindungsdichte in einem Umverdrahtungssubstrat die Gehäusekosten stark ansteigen, zumal zusätzliche "Build-up"-Lagen für das Umverdrahtungssubstrat erforderlich sind.

Schließlich ist es möglich, ergänzende Verbindungen über zusätzliche Flipchip-Kontakte der beteiligten Halbleiterchips und des Verdrahtungssubstrats zu schaffen, wobei auch hier sehr schnell die Grenzen der Verbindungsdichten in dem Umverdrahtungssubstrat erreicht werden und damit die Kosten explosionsartig steigen.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein Halbleitermodul zu schaffen und ein Verfahren zu seiner Herstellung anzugeben, das die Anforderung an die Verdrahtungsdichte eines Verdrahtungssubstrats nicht erhöht und dennoch ermöglicht, dass integrierte Schaltungen nebeneinander angeordneter Halbleiterchips des Halbleitermoduls teilweise intern miteinander verschaltet werden können. Ferner ist es Aufgabe der Erfindung, eine preiswerte Lösung dieser Aufgabe anzugeben.

Diese Aufgabe wird mit dem Gegenstand der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.

Erfindungsgemäß wird ein Halbleitermodul mit einem Kopplungssubstrat zur elektrischen Kopplung integrierter Schaltung benachbarter Halbleiterchips geschaffen. Das Halbleitermodul weist Halbleiterchips mit integrierten Schaltungen auf. Diese Halbleiterchips sind auf einem Verdrahtungssubstrat angeordnet, über das die Halbleiterchips mit Außenkontakten des Halbleitermoduls elektrisch in Verbindung stehen, wobei das Verdrahtungssubstrat die wenige 10 μm großen Kontaktflächen der Halbleiterchips über Verdrahtungsstrukturen mit den Außenkontakten, die Dimensionen von einigen 100 μm aufweisen, elektrisch verbindet. Die Verdrahtung kann auch Flachleiterstrukturen aufweisen, die mit Hilfe eines Flachleiterrahmens bzw. eines "Leadframes" gebildet sind. Das Kopplungssubstrat zur elektrischen Kopplung der integrierten Schaltung der benachbarten Halbleiterchips überlappt Randbereiche dieser benachbarten Halbleiterchips. Auf der aktiven Oberseite der Halbleiterchips sind Chipkontaktflächen angeordnet, die über das Kopplungssubstrat elektrisch miteinander in Verbindung stehen.

Ein derartiges Halbleitermodul hat den Vorteil, dass interne Verbindungen zwischen den integrierten Schaltungen benachbarter Halbleiterchips nicht über das relativ kostenintensive Verdrahtungssubstrat laufen müssen, sondern vielmehr über ein relativ preiswertes Kopplungssubstrat miteinander gekoppelt werden können. Des Weiteren hat diese Lösung den Vorteil, dass es kein Problem ist, über das Kopplungssubstrat auch Kreuzungen von Zuordnungen zu den Kontaktflächen der Halbleiterchips zuzulassen. Somit ist der Anwender nicht daran gebunden, eine strikte Reihenfolge gegenüberliegender Kontaktflächen vorzusehen. Er kann sogar im Extremfall eine links oben auf einem Halbleiterchip liegende Kontaktfläche einer integrierten Schaltung mit einer rechts unten angeordneten Kontaktfläche einer integrierten Schaltung eines benachbarten Halbleiterchips verbinden. Dazu weist das Kopplungssubstrat eine Oberseite mit Kopplungskontaktflächen und eine der Oberseite gegenüberliegende Unterseite auf. Der Spalt zwischen den Halbleiterchips, der von dem Kopplungssubstrat überbrückt wird, kann mit einer Kunststoffmasse aufgefüllt sein. Dieser aufgefüllte Spalt verleiht dem Kopplungssubstrat einen zusätzlichen Halt und stabilisiert mechanisch das flachen Halbleitermodul.

In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist das Kopplungssubstrat eine Symmetrieachse auf, zu der die Kopplungskontaktflächen spiegelsymmetrisch angeordnet sind und über Kopplungsleiterbahnen des Kopplungssubstrats miteinander elektrisch in Verbindung stehen. Von derartig symmetrisch angeordneten Kopplungsflächen können dann jeweils Verbindungen zu entsprechend angeordneten Kontaktflächen der integrierten Schaltungen benachbarter Halbleiterbauteile auf kürzestem Wege hergestellt werden. Die Breite des Kopplungssubstrats kann den Erfordernissen dieser Verbindungen zwischen Kopplungssubstrat und Kontaktflächen benachbarter Halbleiterchips angepasst werden.

Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung stehen die Kopplungsflächen beiderseits der Symmetrieachse paarweise elektrisch in Verbindung. Diese paarweise interne Verbindung zwischen den Kopplungskontaktflächen des Kopplungssubstrats hat den Vorteil, dass keine Kreuzungen auftreten und somit ist es möglich, mit einer einlagigen Kombination aus einem isolierenden Träger und einer metallischen Verdrahtungsstruktur für die Bildung des Kopplungssubstrats auszukommen, was die Kosten des Kopplungssubstrats vermindert.

Eine weitere vorteilhafte Kopplungskontaktflächenanordnung sieht vor, dass nicht nur Signalanschlüsse und Testanschlüsse über das Kopplungssubstrat gekoppelt werden, sondern auch Versorgungspotentiale, wie V_DD und V_SS über das Kopplungssubstrat angeschlossen werden. Dazu kann das Kopplungssubstrat mit seiner Länge l der Länge L der Seitenkanten der zu koppelnden Halbleiterchips angepasst werden und im Bereich der Breitseiten des Kopplungssubstrats kann eine großflächige Kopplungskontaktfläche für das jeweilige Versorgungspotential vorgesehen sein. Über mehrere parallel geschaltete Bonddrähte zu Kontaktanschlussflächen der Potentialversorgung kann somit ein langgezogener und breiter Kontaktanschlussstreifen auf den Längsseiten des Kopplungssubstrats gebildet werden, der die zu koppelnden integrierten Schaltungen mit Potentialspannungen über Bonddrähte oder Flipchip-Kontakte versorgt.

Ferner ist es möglich die Kopplungskontaktflächen derart zu gestalten, dass 2 Bondanschlüsse darauf positioniert werden, die zu zwei benachbarten Halbleiterchips führen und diese über derartige Kopplungskontaktflächen miteinander verbindet. Dazu sind die Kopplungskontaktflächen gestaffelt auf dem Kopplungssubstrat angeordnet und derart voneinander beabstandet, dass dazwischen Bondverbindungen zu dem Versorgungspotentialen möglich sind.

Weiterhin ist es möglich, die Kopplungskontaktflächen mit Flipchip-Kontakten zu versehen und diese derart anzuordnen, dass sie unmittelbar auf Kontaktflächen der benachbarten integrierten Schaltungen der Halbleiterchips aufgebracht werden können. Diese Kopplungsmöglichkeit stellt die kürzeste Verbindung zwischen den integrierten Schaltungen der benachbarten Halbleiterchips her. Außerdem wird durch die Flipchip-Technik das Kopplungssubstrat derart vereinfacht, dass diese Lösung für interne Verbindungen den bisherigen Lösungsvorschlägen, wie sie oben erwähnt werden, überlegen ist. Hinzu kommt, dass mit der Flipchip-Technik eine hohe Verbindungsdichte erreicht werden kann, zumal die Flipchip-Kontakte nicht mithilfe von Bondwerkzeugen aufzubringen sind, und somit eine geringere Schrittweite bzw. einen kleineren Mittelabstand zwischen den Kopplungskontaktflächen und damit auch zwischen den Kopplungsleiterbahnen ermöglichen.

Weiterhin ist es möglich, die Kopplungskontaktflächen über Bonddrahtverbindungen zu den Chipkontaktflächen zu verbinden. In diesem Fall muss bei dem Mittelabstand zwischen den zwei Kopplungskontaktflächen die jeweilige Breite des Bondwerkzeugs berücksichtigt werden, sodass damit zwar eine größere Schrittweite erforderlich wird, jedoch die Justagemöglichkeiten bei Bonddrahtverbindungen gegenüber dem Ausrichten von Flipchip-Kontakten erheblich erleichtert wird, weil das ausführende Bedienungspersonal die zueinander zu justierenden Kopplungskontaktflächen und die Chipkontaktflächen genau beobachten kann. Dabei wird vorausgesetzt, dass sowohl die aktive Oberseite der benachbarten Halbleiterchips, als auch die Oberseiten der Kopplungssubstrate von einem Stereomikroskop aus einsehbar sind, und die Kopplungssubstrate mit ihren Unterseiten in Randbereichen der benachbarten Halbleiterchips angeordnet sind.

Bei einer alternativen Ausführungsform der Erfindung ist das Kopplungssubstrat mit seiner Rückseite nicht auf den Randseiten der Halbleiterchips, sondern auf der Oberseite des Verdrahtungssubstrats des Halbleitermoduls derart angeordnet, dass die Randbereiche der benachbarten Halbleiterchips die Oberseite des Kopplungssubstrats überlappen. Das Kopplungssubstrat weist in dieser Ausführungsform der Erfindung Flipchip-Kontakte oder oberflächenmontierbare Kontakte auf seiner Oberseite auf, die mit den Kontaktflächen in einem überlappenden Bereich der Halbleiterchips beim Aufbringen der Halbleiterchips auf das Verdrahtungssubstrat miteinander verbindbar sind. Diese Ausführungsform der Erfindung hat den Vorteil, dass das Kopplungssubstrat durch die benachbarten Halbleiterchips fast vollständig mechanisch geschützt wird, weil die überlappenden Randbereiche der Halbleiterchips über dem Kopplungssubstrat angeordnet sind.

Demgegenüber ist eine Anordnung, bei der das Kopplungssubstrat auf Randbereichen der Halbleiterchips überlappend mit seiner Unterseite fixiert ist und Kopplungskontaktflächen seiner Oberseite über Bondverbindung mit Chipkontaktflächen auf den aktiven Oberseiten der benachbarten Halbleiterchips elektrisch in Verbindung stehen, eine weniger vor mechanischen Beschädigungen geschützte Lösung. In diesem Fall ist es erforderlich, das gesamte Halbleitermodul mit einer Kunststoffgehäusemasse auf der Oberseite des Verdrahtungssubstrats zu beschichten, sodass die Halbleiterchips, die Bondverbindungen und die Kopplungssubstrate in der Kunststoffmasse eingebettet sind.

Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist das Kopplungssubstrat passive und/oder aktive Bauelemente auf, die ein Trimmen, ein Abstimmen, ein Anpassen, ein induktives Koppeln und/oder ein kapazitives Koppeln zwischen benachbarten Halbleiterchips über das Kopplungssubstrat bereitstellen. Derartige passive Bauelemente können Widerstände, Spulen und Kondensatoren sein, die abhängig von der Leitungsführung entstehen. Andererseits können auch aktive Bauelemente, wie Dünnfilmtransistoren oder Dünnfilmdioden, auf dem Kopplungssubstrat verwirklicht werden, um die Funktionalität der miteinander gekoppelten integrierten Schaltungen zu erhöhen. Schließlich ist es auch möglich, so genannte Sicherungsleitungen oder "fuses" vorzusehen, die bei Bedarf nachträglich unterbrochen werden können, um die Modularität des Halbleitermoduls zu erhöhen. Für derartige "fuses" ist es nicht einmal nötig eine besondere Leiterbahnausbildung vorzusehen, zumal bereits normale Kopplungsleiterbahnen paarweise zwischen den Kopplungskontaktflächen des Kopplungssubstrats bestehen. Diese bestehenden Leitungen können durch einfachen Laserab trag nachträglich voneinander getrennt werden. Ebenso kann auch ein IC-Bauteil mit Dünnfilmverdrahtung als Kopplungssubstrat eingesetzt werden.

Das Kopplungssubstrat kann lang gestreckt ausgebildet sein und an die Kantenlänge L der benachbarten Halbleiterchips angepasst sein. Überschreitet die Kantenlänge L der benachbarten Halbleiterchips eine kritische Länge, so können auch zwei, drei oder mehrere Kopplungssubstrate mit einer Einzellänge l vorgesehen werden, die in ihrer Summe die Gesamtkantenlänge L erreichen können.

Weiterhin wird vorzugsweise eine Kontaktflächenanordnung benachbarter Halbleiterchips an die Anordnung der Kopplungskontaktflächen des Kopplungssubstrats angepasst. Je genauer diese Anpassung erfolgt, umso einfacher ist es, auch bei der Anwendung von Flipchip-Kontakten für das Kopplungssubstrat eine zuverlässige Justage einzuhalten.

Die Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls mit einem Kopplungssubstrat, wie es die Erfindung vorsieht, weisen drei Hauptvarianten auf. Diese Varianten sind abhängig davon, ob die Halbleiterchips mit Flipchip-Kontakten oder mit Bondverbindungen auf dem Verdrahtungssubstrat angeordnet sind. Außerdem sind diese Verfahren davon abhängig, ob die Kopplungssubstrate mit Flipchip-Kontakten ausgestattet sind oder für Bondverbindungen vorgesehen sind.

In einer ersten Verfahrensvariante wird zunächst ein Verdrahtungssubstrat für ein Halbleitermodul mit benachbarten Halbleiterchips in Flipchip-Technik hergestellt, wobei die benachbarten Halbleiterchips auf ihrer aktiven Oberseite nicht nur Flipchip-Kontakte sondern auch die integrierten Schaltun gen aufweisen. Als Nächstes wird dann ein Kopplungssubstrat, das Flipchip-Kontakte auf seiner Oberseite aufweist, mit seiner Unterseite auf dem Verdrahtungssubstrat aufgebracht. Dabei wird das Kopplungssubstrat derart positioniert, dass vorgesehene Randbereiche der Halbleiterchips das Kopplungssubstrat überlappen. Alternativ kann auch die Struktur des Kopplungssubstrats mit dem Verdrahtungssubstrat elektrisch über Durchkontakte verbunden sein. Diese benachbarten Halbleiterchips weisen ebenfalls Flipchip-Kontakte auf, jedoch mit einem größeren Durchmesser als die Flipchip-Kontakte des Kopplungssubstrats. Als nächster Schritt folgt ein Aufbringen benachbarter Halbleiterchips unter Überlappung des Kopplungssubstrats und unter Verbinden der Flipchip-Kontakte des Halbleiterchips mit dem Verdrahtungssubstrat und der Flipchip-Kontakte des Kopplungssubstrats mit entsprechenden Chipkontaktflächen in den Randbereichen der aktiven Oberseiten der benachbarten Halbleiterchips.

Dieses Verfahren hat den Vorteil, dass das Kopplungssubstrat weitgehend von den darüber und überlappend angeordneten Halbleiterchips bedeckt wird und somit vor mechanischer Beschädigung geschützt wird. Darüber hinaus hat das Verfahren den Vorteil, dass mit relativ wenigen Verfahrensschritten die Kopplung der integrierten Schaltung benachbarter Halbleiterchips durchgeführt werden kann.

Eine zweite Variante des Verfahrens sieht als ersten Verfahrensschritt das Herstellen eines Verdrahtungssubstrats für ein Halbleitermodul mit benachbarten Halbleiterchips vor, die integrierte Schaltungen aufweisen. Anschließend werden die Halbleiterchips benachbart auf das Verdrahtungssubstrat unter stoffschlüssiger Verbindung der Rückseiten der Halbleiterchips mit Chipmontageflächen des Verdrahtungssubstrats aufge bracht. Somit ergibt sich ein freier Zugriff auf Chipkontaktflächen auf der Oberseite der Halbleiterchips. Schließlich wird auf die Oberseiten der Halbleiterchips auf benachbarten Randbereichen der Halbleiterchips ein Kopplungssubstrat aufgebracht, das Flipchip-Kontakte aufweist. Die Flipchip-Kontakte des Kopplungssubstrats werden dann mit Chipkontaktflächen benachbarter Halbleiterchips in den Überlappungsbereichen zwischen Kopplungssubstrat und den Halbleiterchips elektrisch verbunden.

Dieses Verbinden kann vorzugsweise durch Auflöten erfolgen. Als letzter Schritt folgt noch ein Herstellen von Bondverbindungen zwischen frei zugänglichen Chipkontaktflächen von benachbarten Halbleiterchips mit dem Verdrahtungssubstrat. Dieses Verfahren hat den Vorteil, dass beim Aufbringen des Kopplungssubstrats die kürzest möglichen elektrischen Verbindungen zwischen den integrierten Schaltungen untereinander entstehen. Das Verfahren unterscheidet sich von dem ersten Verfahren dadurch, dass nun auch Bondverbindungen zu berücksichtigen sind, die jedoch nur in Randbereichen des Verdrahtungssubstrats auftreten. Derartige Bondverbindungen müssen jedoch in eine Kunststoffmasse eingebettet werden, um sie vor mechanischen Beschädigungen zu schützen.

Eine dritte Verfahrensvariante zur Herstellung eines Halbleitermoduls sieht vor, dass zunächst ein Verdrahtungssubstrat für ein Halbleitermodul mit benachbarten Halbleiterchips die integrierte Schaltungen aufweisen hergestellt wird. Anschließend werden diese Halbleiterchips auf das Verdrahtungssubstrat, unter stoffschlüssiger Verbindung der Rückseiten der Halbleiterchips mit Flipchip-Kontaktflächen des Verdrahtungssubstrats und unter freiem Zugriff auf Chipkontaktflächen auf den Oberseiten der Halbleiterchips, aufgebracht. In diesem Fall besteht ein voller Zugriff zu den Kontaktflächen der Halbleiterchips auf ihren Oberseiten. Anschließend wird ein Kopplungssubstrat aufgebracht, das nicht wie oben Flipchip-Kontakte aufweist, sondern Kontaktflächen. Dieses Kopplungssubstrat wird mit seiner Unterseite auf die Randbereiche der Halbleiterchips aufgebracht und mit diesen Randbereichen stoffschlüssig verbunden. Auf der Oberseite des Kopplungssubstrats sind Kontaktflächen angeordnet, die nun frei zugänglich sind und über Bondverbindung mit entsprechenden Kontaktflächen auf den Halbleiterchips zur internen elektrischen Verbindung zwischen den einzelnen integrierten Schaltungen verbunden werden können. Abschließend werden auch hier die Kontaktflächen der Halbleiterchips, die nicht mit dem Kopplungssubstrat verbunden sind, mit einem Bonddraht versehen, der diese Kontaktflächen mit den Kontaktanschlussflächen des Verdrahtungssubstrats verbindet.

Bei diesem Verfahren werden sowohl die internen Verbindungen von den Kontaktflächen der Halbleiterchips zu dem Kopplungssubstrat als auch die externen Verbindungen von den Kontaktflächen der Halbleiterchips zu den Außenkontaktflächen des Verdrahtungssubstrats über die Kontaktanschlussflächen mit ein und derselben Technik hergestellt, was die Herstellungskosten eines derartigen Halbleitermoduls vermindert.

Zusammenfassend ist festzustellen, dass alle Probleme, die im Stand der Technik auftreten, dadurch gelöst werden können, dass ein kleines zusätzliches hierarchisches Kopplungssubstrat verwendet wird, um die internen Verbindungen zwischen den benachbarten Komponenten zu realisieren. Weil das zusätzliche Kopplungssubstrat sehr klein und überschaubar ist, um interne Verbindungen zu realisieren, bildet dies eine preiswertere Lösung, als das komplexe Verdrahtungssubstrat zu er weitern. Wenn für das Kopplungssubstrat außerdem Flipchip-Kontakte vorgesehen sind, so entfallen die Nachteile einer eingeschränkten Verbindungsdichte, wie sie beim Drahtbonden auftreten. Das Kopplungssubstrat kann darüber hinaus, sowohl aktive als auch passive Schaltungselemente zusätzlich aufweisen, und so eine höhere Funktionalität des Halbleitermoduls verwirklichen.

Die Erfindung wird nun anhand der beigefügten Figuren näher erläutert.

1 zeigt eine schematische Draufsicht auf ein Halbleitermodul mit zwei Kopplungssubstraten einer ersten Ausführungsform der Erfindung;

2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Halbleitermodul gemäß 1;

3 zeigt eine schematische Draufsicht auf eine Oberseite eines Kopplungssubstrats für die erste Ausführungsform der Erfindung gemäß 1;

4 zeigt eine schematische Draufsicht auf ein Halbleitermodul mit einem Kopplungssubstrat;

5 zeigt eine schematische Draufsicht auf ein Halbleitermodul mit zwei Kopplungssubstraten einer zweiten Ausführungsform der Erfindung;

6 zeigt einen schematischen Querschnitt eines Halbleitermoduls gemäß der 5;

7 zeigt eine schematische Draufsicht auf eine Oberseite eines Kopplungssubstrats für die zweite Ausführungsform der Erfindung gemäß 5;

8 zeigt eine schematische Draufsicht auf ein Halbleitermodul mit zwei Kopplungssubstraten einer dritten Ausführungsform der Erfindung;

9 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Halbleitermodul gemäß 8;

10 zeigt eine schematische Draufsicht auf eine Oberseite eines Kopplungssubstrats für die dritte Ausführungsform der Erfindung gemäß 8.

1 zeigt eine schematische Draufsicht auf ein Halbleitermodul 4 mit zwei Kopplungssubstraten 1 einer ersten Ausführungsform der Erfindung. Eine, das Halbleitermodul 4 bedeckende, Kunststoffmasse ist in 1 weggelassen, um die zwei Kopplungssubstrate 1 und ihre internen Bondverbindung 17 zu den benachbarten Halbleiterchips 2 und 3 auf einem Verdrahtungssubstrat 5 des Halbleitermoduls 4 zu zeigen. Darüber hinaus zeigt 1 das für dieses Halbleitermodul 4 als Verbindungstechnik die Bonddrahttechnik eingesetzt ist. Für eine interne Verdrahtung sind interne Chipkontaktflächen 8 in Randbereichen 6 und 7 der benachbarten Halbleiterchips 2 bzw. 3 angeordnet.
Die zwei Kopplungssubstrate 1 überlappen die Halbleiterkanten in den Randbereichen 6 und 7 und weisen ihrerseits Kopplungskontaktflächen 12 auf. Zwischen den Kopplungskontaktflächen 12, der Kopplungssubstraten 1 und den internen Chipkontaktflächen 8 der integrierten Schaltungen der benachbarten Halb leiterbauteile 2 und 3, sind Bondverbindungen 17 angeordnet, welche die internen Bondverbindung 17 zwischen den internen Chipkontaktflächen 8 und den Kopplungskontaktflächen 12 herstellen. Für die externen Verbindungen des Halbleitermoduls 4 zu seinen Außenkontakten, weisen die benachbarten Halbleiterchips 2 und 3 externe Chipkontaktflächen 23 auf. Diese externen Chipkontaktflächen 23 sind über Bondverbindungen 16 mit Kontaktanschlussflächen 24 auf einer Oberseite 25 des Verdrahtungssubstrats 5 verbunden.
Während die Halbleiterchips 2 bzw. 3 eine Kantenlänge L₁ oder L₂ aufweisen, haben die Kopplungssubstrate 1 eine Länge l₁ bzw. l₂ bei einer Breite b. Da in dieser Ausführungsform der Erfindung zwei Kopplungssubstrate 1 für die Längen L₁ und L₂ der Halbleiterchips 2 und 3 vorgesehen sind, sind die Länge l₁ und l₂ der Kopplungssubstrate geringer als die halbe Kantenlänge L der Halbleiterchips 2 und 3. Die Breite b der Kopplungssubstrate wird so gewählt, dass eine ausreichende Anzahl an Kopplungskontaktflächen 12 paarweise und in ihrer Symmetrie zu einer Symmetrieachse gestaffelte Anzahl an Koppelkontaktflächen 12 möglich sind.
2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Halbleitermodul 4 gemäß 1 entlang der Schnittebene AA in 1. Die Halbleiterchips 2 und 3 sind benachbart mit Rückseiten 19 und 20 auf Chipmontakeflächen 21 der Oberseite 25 des Verdrahtungssubstrats 5 angeordnet. Das Kopplungssubstrat 1 ist mit seiner Unterseite 13 stoffschlüssig mit den Randbereichen 6 und 7 der Halbleiterchips 2 bzw. 3 verbunden. Die Kopplungskontaktflächen 12 sind in dieser Ausführungsform der Erfindung paarweise gegenüberliegend angeordnet und über Bondverbindungen 17 mit den paarweise gegenüberliegenden internen Chipkontaktflächen 8 verbunden. Daraus ergibt sich eine interne Bondverbindung zwischen der Schaltung des integrierten Schaltkreises des Halbleiterchips 2 mit der Schaltung des integrierten Schaltkreises des Halbleiterchips 3 auf der aktiven Oberseite 10 der Halbleiterchips. Mit diesem Kopplungssubstrat 1 wird somit die Verbindungsdichte des Verdrahtungssubstrats 5 für das Halbleitermodul 4 entlastet. Die Außenkontakte 22 auf der Unterseite des Verdrahtungssubstrats 5 sind gleichzeitig die Außenkontakte 12 des Halbleitermoduls 4. Diese Außenkontakte 22 stellen externe Verbindungsmöglichkeiten dar und sind über Außenkontaktflächen 28 des Verdrahtungssubstrats 5, wie über Durchkontakte 29 durch das Verdrahtungssubstrat 5, mit Kontaktanschlussflächen 24 auf der Oberseite 25 des Verdrahtungssubstrats 5 verbunden. Von dort aus besteht eine Bonddrahtverbindung 16 zu Chipkontaktflächen 23 auf der Oberseite 10 für die Halbleiterchips 2 bzw. 3. Die Kontur des Halbleitermodulgehäuses wird mit einer gestrichelten Linie 26 gekennzeichnet.
3 zeigt eine schematische Draufsicht auf eine Oberseite 11 eines Kopplungssubstrats 1 mit einer Koppelkontaktflächenanordnung 18 für die erste Ausführungsform der Erfindung gemäß 1. Die gesamte Kantenlänge l des Kopplungssubstrats 1 beträgt 2,6 mm und die gesamte Breite b beträgt für diese Ausführungsform der Erfindung 0,7 mm. Die Schrittweite w für die Kopplungskontaktflächen 12 sei beispielsweise 80 μm, sodass nicht gezeigte Kopplungsleitungen die beiderseits der Symmetrieachse 14 paarweise angeordneten 126 Kopplungskontaktflächen 12 verbinden. Bei einer Kantenlänge l von 10 mm sind beiderseits der Symmetrieachse 14 ungefähr 500 Kopplungskontaktflächen 12 auf dem Kopplungssubstrat 1 möglich.
Da in der ersten Ausführungsform der Erfindung Bondverbindungen vorgesehen sind, sind die Kopplungskontaktflächen 12 rechteckförmig und es kann eine Mindestschrittweite w aufgrund der Dimensionen des Bondwerkzeuges nicht unterschritten werden. Ferner sind drei Reihen von Kopplungskontaktflächen 12 beiderseits der Symmetrieachse 14 vorgesehen, wobei die Ausrichtung der Kopplungskontaktflächen 12 von einer Reihe zur nächsten Reihe versetzt ist, und die Dicke eines Bonddrahtes berücksichtigt, sodass bei drei Reihen drei Bonddrähte nebeneinander angeordnet werden können, ohne sich gegenseitig zu berühren und ohne Kurzschlüsse auszulösen.
4 zeigt eine schematische Draufsicht auf ein Halbleitermodul 4 mit einem Kopplungssubstrat 1. Dieses Kopplungssubstrat 1 weist eine Kopplungskontaktflächenanordnung 18 auf, die sich von dem Kopplungssubstrat 1 der 3 unterscheidet.
Mit diesem Kopplungssubstrat 1 werden nicht nur Signalanschlüsse und Testanschlüsse über das Kopplungssubstrat 1 angekoppelt, sondern auch Versorgungspotentiale wie V_DD und V_SS über das Kopplungssubstrat 1 angeschlossen. Dazu entspricht das Kopplungssubstrat 1 in seiner Kantenlänge 1 etwa der Kantenlänge L der Seitenkanten der zu koppelnden Halbleiterchips 2 und 3. Ferner sind im Bereich der Breitseiten des Kopplungssubstrats 1 großflächige Kopplungskontaktflächen 32, 33, 34 und 35 für das jeweilige Versorgungspotential V_DD bzw. V_SS vorgesehen. Über mehrere parallel geschaltete Bonddrähte 36 zu Kontaktanschlussflächen 37 der Potentialversorgung kann somit ein langgezogener und breiter Kontaktanschlussstreifen 38, 39 auf den Längsseiten des Kopplungssubstrats 1 gebildet werden. Diese Kontaktanschlussstreifen 38 und 39 versorgen die zu koppelnden integrierten Schaltungen mit Potentialspannungen V_DD bzw. V_SS über die parallel geschalteten Bonddrähte 36 oder über Flipchip-Kontakte, wie sie 8 zeigt.
Die übrigen Kopplungskontaktflächen 12 sind derart gestaltet, dass 2 Bondanschlüsse 40 und 41 darauf positioniert werden können, die zu zwei benachbarten Halbleiterchips 2 und 3 führen und über die Kopplungskontaktflächen 12 miteinander verbunden sind. Dazu sind die Kopplungskontaktflächen 12 gestaffelt auf dem Kopplungssubstrat 1 angeordnet und derart voneinander beabstandet, dass dazwischen Bondverbindungen 42 zu den Versorgungspotentialen V_DD bzw. V_SS möglich sind.
5 zeigt eine schematische Draufsicht auf ein Halbleitermodul 4 mit zwei Kopplungssubstraten 1 einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. Komponenten mit gleichen Funktionen, wie in den vorhergehenden Figuren, werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Der Unterschied dieser zweiten Ausführungsform gegenüber der ersten Ausführungsform nach 1 liegt darin, dass die zwei Kopplungssubstrate 1 keine Bondverbindungen aufweisen, sondern vielmehr Flipchip-Kontakte besitzen, die mit entsprechenden internen Kontaktanschlussflächen 24 der integrierten Schaltungen der benachbarten Halbleiterchips 2 und 3 korrespondieren. Lediglich die für eine externe Verbindung bestimmten Kontaktflächen 23 auf den Randseiten der Halbleiterchips 2 und 3 sind über Bondverbindungen 16 mit Kontaktanschlussflächen 24 auf der Oberseite 25 des Verdrahtungssubstrats 5 verbunden.
6 zeigt einen schematischen Querschnitt eines Halbleitermoduls 4 gemäß 5 entlang der Schnittebene BB in 4. Das Kopplungssubstrat 1 ist mit seiner Oberseite 11 auf die Oberseiten 9 und 10 des Halbleiterchips 2 bzw. 3 ausgerichtet und weist auf dieser Oberseite 11 Flipchip-Kontakte 15 auf, die mit internen Chipkontaktflächen 8 in Verbindung stehen. Ein derartiges Kopplungssubstrat 1 kann kompakter aufgebaut sein und mehr Kopplungskontaktflächen 12 aufweisen, als ein Kopplungssubstrat 1, wie es in der ersten Ausführungsform der Erfindung mit 1 gezeigt wird. Eine gestrichelte Linie 26 deutet in 5 wieder die Kontur eines möglichen Halbleitermodulgehäuses an.
7 zeigt eine schematische Draufsicht auf eine Oberseiten eines Kopplungssubstrats 1 mit einer Koppelkontaktflächenanordnung 18 für die zweite Ausführungsform der Erfindung gemäß 4. Die Kantenlänge l des Kopplungssubstrats 1 ist 1,5 mm und die Breite b ist 0,45 mm. Die Schrittweite w für die Kopplungskontaktflächen 12, die für Flipchip-Kontakte vorgesehen sind, beträgt ebenfalls 60 μm, und es lassen sich vier Reihen von Kopplungskontaktflächen 12 auf dieser Fläche des Kopplungssubstrats 1 auf jeder Seite der Symmetrieachse 14 unterbringen. Damit ist die Gesamtzahl auf jeder Seite der Symmetrieachse 14 100 Kopplungskontaktflächen 12. Bei einer Kantenlänge l von 10 mm lassen sich bei gleicher Anordnung bis zu 650 Kopplungskontaktflächen 12 unterbringen. Ein Vorteil von Flipchip-Kontakten auf einem Kopplungssubstrat 1 liegt darin, dass die Kopplungskontaktflächen 12 für Flipchip-Kontakte in Zeilen und Spalten angeordnet werden können und nicht versetzt vorgesehen werden müssen, wie bei Kopplungskontaktflächen 12, die für Bondverbindungen, wie in 3, vorgesehen sind.
8 zeigt eine schematische Draufsicht auf ein Halbleitermodul 4 mit zwei Kopplungssubstraten 1 einer dritten Ausführungsform der Erfindung. Komponenten mit gleichen Funktio nen, wie in den vorhergehenden Figuren, werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Die dritte Ausführungsform der Erfindung unterscheidet sich von der ersten und zweiten Ausführungsform der Erfindung dadurch, dass das Kopplungssubstrat 1 mit seiner Unterseite 13 stoffschlüssig auf dem Verdrahtungssubstrat 5 angeordnet ist und über Flipchip-Kontakte 15 mit internen Chipkontaktflächen in Randbereichen und der Halbleiterchips 2 bzw. 3 verbunden ist.
9 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Halbleitermodul 4 gemäß 8 entlang der Schnittebene CC in 7 Das Kopplungssubstrat 1 ist zwischen dem Verdrahtungssubstrat 5, auf dem es mit seiner Unterseite 13 elektrisch leitend fixiert ist, und den Halbleiterchips 2 und 3 angeordnet. Die Flipchip-Kontakte 15 des Kopplungssubstrats 1 weisen einen geringeren Durchmesser auf, als die Flipchip-Kontakte 30 der Halbleiterchips 2 und 3 und stehen teilweise über Durchkontakte 31 mit dem Verdrahtungssubstrat 5 elektrisch in Verbindung.
Dadurch können die Rückseiten 19 und 20 der Halbleiterchips 2 bzw. 3 gleichzeitig eine Oberseite des Halbleitermoduls 4 bilden, während auf der Unterseite 27 die Außenkontakte 22 angeordnet sind. Bei diesem Halbleitermodul 4 kann auf den Rückseiten 19 und 20 der Halbleiterchips 2 und 3 eine Wärmesenke aufgebracht werden, ohne dass eine Kunststoffgehäusemasse die Wärmeleitung behindert. Eine gestrichelte Linie 26 deutet wieder die möglichen Umrisse eines Kunststoffgehäuses an, das in diesem Fall aus einem "Undermold"-Material bestehen kann. Die Flipchip-Kontakte 30 der Halbleiterchips 2 und 3 weisen einen größeren Durchmesser auf als die Flipchip-Kontakte 15 des Kopplungssubstrats. Und dieser Durchmesserun terschied wird durch das Kopplungssubstrat 1 selbst ausgeglichen.
10 zeigt eine schematische Draufsicht auf eine Oberseite 11 eines Kopplungssubstrats 1 für die dritte Ausführungsform der Erfindung gemäß 8. Mehrere Flipchip-Kontakte 30 sind über Leiterbahnen 43 zu großflächige Versorgungsanschlüssen für die Versorgungspotential V_DD bzw. V_SS zusammengeschaltet, die beide Halbleiterchips mit Versorgungspotentialen versorgen, zumal diese über Durchkontakte durch das Kopplungssubstrat 1 mit Versorgungsleitungen des Verdrahtungssubstrats des Halbleitermoduls elektrisch verbunden sind.

1: Kopplungssubstrat
2: Halbleiterchip
3: Halbleiterchip
4: Halbleitermodul
5: Verdrahtungssubstrat oder Flachleiterrahmen
6: Randbereich
7: Randbereich
8: Chipkontaktflächen
9: aktive Oberseite
10: aktive Oberseite
11: Oberseite
12: Kopplungskontaktfläche
13: Unterseite
14: Symmetrieachse
15: Flipchip-Kontakt
16: Bondverbindung
17: Bondverbindung
18: Kontaktflächenanordnung
19: Rückseite
20: Rückseite
21: Chipmontagefläche
22: Außenkontakt
23: Chipkontaktflächen für externe Verbindung
24: Kontaktanschlussflächen
25: Oberseite
26: gestrichelte Linie
27: Unterseite
28: Außenkontaktflächen
29: Durchkontakte
30: Flipchip-Kontakte
31: Durchkontakt
32: Kopplungskontaktfläche
33: Kopplungskontaktfläche
34: Kopplungskontaktfläche
35: Kopplungskontaktfläche
36: Parallel geschaltete Bonddrähte
37: Kontaktanschlußfläche
38: Kontaktanschlußstreifen
39: Kontaktanschlußstreifen
40: Bondanschluß
41: Bondanschluß
42: Bondverbindung
43: Leiterbahnen
AA: Schnittebene
BB: Schnittebene
CC: Schnittebene
L₁: Kantenlänge des Halbleiterchips 2
L₂: Kantenlänge des Halbleiterchips 3
l₁: Kantenlänge des Kopplungssubstrats
l₂: Kantenlänge eines Kopplungssubstrats
b: Breite der Kopplungssubstrate
w: Schrittweite

Claims

Halbleitermodul mit einem Kopplungssubstrat (1) zur elektrischen Kopplung und Versorgung integrierter Schaltungen benachbarter Halbleiterchips (2, 3), wobei – das Halbleitermodul (4) Halbleiterchips (2, 3) mit integrierten Schaltungen aufweist, die auf einem Verdrahtungssubstrat (5) angeordnet sind und die elektrisch über das Verdrahtungssubstrat (5) mit Außenkontakten (22) des Halbleitermoduls (4) in Verbindung stehen; – das Kopplungssubstrat (1) Randbereiche (6, 7) benachbarter Halbleiterchips (2, 3) überlappt und – Chipkontaktflächen (8) auf aktiven Oberseiten (9, 10) benachbarter Halbleiterchips (2, 3) über das Kopplungssubstrat (1) elektrisch miteinander in Verbindung stehen.
Halbleitermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Kopplungssubstrat (1) eine Oberseite (11) mit Kopplungskontaktflächen (12) und eine der Oberseite (11) gegenüberliegenden Unterseite (13) aufweist.
Halbleitermodul nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Kopplungssubstrat (1) eine Symmetrieachse (14) aufweist, zu der die Kopplungskontaktflächen (12) spiegelsymmetrisch angeordnet sind und über Kopplungsleiterbahnen des Kopplungssubstrats (1) miteinander elektrisch in Verbindung stehen.
Halbleitermodul nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Kopplungskontaktflächen (12) beiderseits der Symmetrieachse (14) paarweise elektrisch in Verbindung stehen.
Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Kopplungskontaktflächen (12) Flipchip-Kontakte (15) aufweisen.
Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Kopplungskontaktflächen (12) Bonddrahtverbindungen (17) zu den Chipkontaktflächen (8) aufweisen.
Halbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Kopplungssubstrat (1) mit seiner Unterseite (13) auf dem Verdrahtungssubstrat (5) angeordnet ist und über Flipchip-Kontakte (15) auf der Oberseite (11) des Kopplungssubstrats (1) mit Chipkontaktflächen (8) von Halbleiterchips (2, 3) in Flipchip-Technik elektrisch in Verbindung steht.
Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Kopplungssubstrat (1) auf Randbereichen (6, 7) der Halbleiterchips (2, 3) überlappend angeordnet ist und Flipchip-Kontakte (15) aufweist, die mit Chipkontaktflächen (8) in den Randbereichen (6, 7) der Halbleiterchips (2, 3) elektrisch in Verbindung stehen.
Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Kopplungssubstrat (1) auf Randbereichen (6, 7) der Halbleiterchips (2, 3) überlappend mit seiner Unterseite (13) fixiert ist und Kopplungskontaktflächen (12) seiner Oberseite (11) über Bondverbindungen (17) mit Chipkontaktflächen (8) auf den aktiven Oberseiten (9, 10) der benachbarten Halbleiterchips (2, 3) elektrisch in Verbindung stehen.
Halbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Kopplungssubstrat (1) passive und/oder aktive Bauelemente aufweist, die ein Trimmen, ein Abstimmen, ein Anpassen, ein induktives Koppeln ein kapazitives Koppeln und/oder eine weitere zusätzliche Funktionalität zwischen benachbarten Halbleiterchips (2, 3) über das Kopplungssubstrat (1) bereitstellen.
Halbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Kopplungssubstrat (1) lang gestreckt und an die Kantenlänge (L) der benachbarten Halbleiterchips (2, 3) angepasst ist.
Halbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Kontaktflächenanordnung (18) benachbarter Halbleiterchips (2, 3) an eine Kontaktflächenanordnung (18) der Kontaktfläche des Kopplungssubstrats (1) angepasst sind.
Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls (4) mit einem Kopplungssubstrat (1) zur elektrischen Kopplung integrierter Schaltungen benachbarter Halbleiterchips (2, 3), wobei das Verfahren nachfolgende Verfahrensschritte aufweist: – Herstellen eines Verdrahtungssubstrats (5) für ein Halbleitermodul (4) mit benachbarten Halbleiterchips (2, 3) in Flipchip-Technik, die integrierte Schaltungen aufweisen; – Aufbringen eines Kopplungssubstrats (1), das Flipchip-Kontakte (15) auf seiner Oberseite (11) aufweist, mit seiner Unterseite (13) auf dem Verdrahtungssubstrat (5), in der Weise, dass das Kopplungssubstrat (1) überlappend zwischen Positionen, die für benachbarte Halbleiterchips (2, 3) vorgesehen sind, angeordnet wird; – Aufbringen benachbarter Halbleiterchips (2, 3) unter Überlappung des Kopplungssubstrats (1) und unter Verbinden von Flipchip-Kontakten (15) der Halbleiterchips (2, 3) mit dem Verdrahtungssubstrat (5) und der Flipchip-Kontakte (15) des Kopplungssubstrats (1) mit entsprechenden Chipkontaktflächen (8) in den Randbereichen (6, 7) der aktiven Oberseiten (9, 10) der benachbarten Halbleiterchips (2, 3).
Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls (4) mit einem Kopplungssubstrat (1) zur elektrischen Kopplung integrierter Schaltungen benachbarter Halbleiterchips (2, 3), wobei das Verfahren nachfolgende Verfahrensschritte aufweist: – Herstellen eines Verdrahtungssubstrats (5) für ein Halbleitermodul (4) mit benachbarten Halbleiterchips (2, 3) die integrierte Schaltungen aufweisen; – Aufbringen benachbarter Halbleiterchips (2, 3) auf das Verdrahtungssubstrat (5) unter stoffschlüssiger Verbindung der Rückseiten (19, 20) der Halbleiterchips (2, 3) mit Chipmontageflächen (21) des Verdrahtungssubstrats (5) und unter freiem Zugriff auf Chipkontaktflächen (8) auf den Oberseiten (9, 10) der Halbleiterchips (2, 3); – Aufbringen eines Kopplungssubstrats (1), das Flipchip-Kontakte (15) aufweist, wobei die Flipchip-Kontakte (15) des Kopplungssubstrats (1) mit Chipkontaktflächen (8) benachbarter Halbleiterchips (2, 3) in Überlappungsbereichen zwischen Kopplungssubstrat (1) und Halbleiterchips (2, 3) elektrisch verbunden werden; – Herstellen von Bondverbindungen (17) zwischen frei zugänglichen Chipkontaktflächen (8) der benachbarten Halbleiterchips (2, 3) und dem Verdrahtungssubstrat (5).
Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls (4) mit einem Kopplungssubstrat (1) zur elektrischen Kopplung integrierter Schaltungen benachbarter Halbleiterchips (2, 3), wobei das Verfahren nachfolgende Verfahrensschritte aufweist: – Herstellen eines Verdrahtungssubstrats (5) für ein Halbleitermodul (4) mit benachbarten Halbleiterchips (2, 3), die integrierte Schaltungen aufweisen; – Aufbringen benachbarter Halbleiterchips (2, 3) auf das Verdrahtungssubstrat (5) unter stoffschlüssiger Verbindung der Rückseiten (19, 20) der Halbleiterchips (2, 3) mit Chipmontageflächen (21) des Verdrahtungssubstrats (5) und unter freiem Zugriff auf Chipkontaktflächen (8) auf den Oberseiten (9, 10) der Halbleiterchips (2, 3); – Aufbringen eines Kopplungssubstrats (1) mit seiner Unterseite (13) auf Randbereiche (6, 7) der benachbarten Halbleiterchips (2, 3), wobei das Kopplungssubstrat (1) Kopplungskontaktflächen (12) auf seiner frei zugänglichen Oberseite (11) aufweist; – Herstellen von Bondverbindungen (17) zwischen frei zugänglichen Kopplungskontaktflächen (12) des Kopplungssubstrats (1) mit Chipkontaktflächen (8) der benachbarten Halbleiterchips (2, 3) und von Bondverbindungen (16) zwischen Chipkontaktflächen (8) der Halbleiterchips (2, 3) und dem Verdrahtungssubstrat (5).